KR101284065B1 - 인라인 열처리 장치 - Google Patents

인라인 열처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101284065B1
KR101284065B1 KR1020110066910A KR20110066910A KR101284065B1 KR 101284065 B1 KR101284065 B1 KR 101284065B1 KR 1020110066910 A KR1020110066910 A KR 1020110066910A KR 20110066910 A KR20110066910 A KR 20110066910A KR 101284065 B1 KR101284065 B1 KR 101284065B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
roller
heat treatment
support bar
treatment apparatus
Prior art date
Application number
KR1020110066910A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130005487A (ko
Inventor
이병일
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020110066910A priority Critical patent/KR101284065B1/ko
Priority to PCT/KR2012/005352 priority patent/WO2013006003A2/ko
Priority to TW101124212A priority patent/TW201308508A/zh
Publication of KR20130005487A publication Critical patent/KR20130005487A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101284065B1 publication Critical patent/KR101284065B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)

Abstract

인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 기판의 이송방향 또는 기판의 이송방향과 반대방향으로 운동하는 지지바에 기판이 탑재 지지되어 이송된다. 그러므로, 기판과 지지바 사이에는 마찰력이 작용하지 않으므로, 마찰에 의한 파티클(Particle)이 발생하지 않는다. 따라서, 파티클에 의하여 기판이 손상되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다. 그리고, 기판과 지지바의 접촉 면적이 상대적으로 작으므로, 기판의 상면과 하면이 균일하게 열처리된다. 따라서, 제품의 신뢰성이 더욱 향상되는 효과가 있다.

Description

인라인 열처리 장치 {IN-LINE TYPE HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 기판의 이송방향 또는 기판의 이송방향과 반대방향으로 운동하는 지지바에 기판을 탑재 지지하여 기판을 이송하는 인라인 열처리 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치의 제조시 사용되는 어닐링 장치는 기판에 증착된 막의 특성을 향상시키기 위하여 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.
평판 표시 장치에 사용되는 반도체층인 박막 트랜지스터는 유리 또는 석영 등의 기판에 증착 장치를 이용하여 비정질(Amorphous) 실리콘을 증착시키고, 비정질 실리콘층을 탈수소 열처리한 후, 채널을 형성하기 위한 비소(Arsenic), 인(Phosphorus) 또는 붕소(Boron) 등과 같은 도펀트를 주입한다. 그리고, 낮은 전자 이동도를 가지는 비정질 실리콘층을 높은 전자 이동도를 가지는 결정질 구조의 다결정 실리콘층으로 결정화하기 위한 결정화 공정을 실시한다.
비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하기 위해서는 비정질 실리콘층에 열이라는 에너지를 가해야 하는 공통적인 특징이 있다.
비정질 실리콘층에 열을 가하는 일반적인 방법은 가열로(Furnace)의 내부에 기판을 투입하고, 가열로의 내부에 설치된 히터 등과 같은 가열 수단으로 비정질 실리콘층에 열을 가한다.
종래의 열처리 장치는 한 개의 가열로를 이용하여 기판을 가열 및 냉각하는 열처리 공정을 수행하였다. 그러나, 한 개의 가열로를 이용한 종래의 열처리 장치는 기판을 제품으로 제조하는데 많은 시간이 소요되어 생산성이 저하되는 단점이 있었다.
상기와 같은 단점을 해소하기 위하여 복수의 가열로를 연속적으로 배치하고, 기판을 각각의 상기 가열로에 순차적으로 이송시켜 기판을 열처리하는 인라인 열처리 장치가 개발되어 사용되고 있다.
종래의 인라인 열처리 장치는 회전가능하게 설치된 복수의 롤러에 기판을 직접 탑재하여 이송하거나, 롤러에 지지판을 탑재하고 지지판에 기판을 탑재하여 이송한다.
롤러에 기판을 직접 탑재하여 이송하는 종래의 인라인 열처리 장치는, 상호 접촉하는 롤러와 기판 사이에 작용하는 마찰력에 의하여, 롤러와 기판이 긁혀서 파티클(Particle)이 발생한다. 그러면, 파티클이 기판에 부착되어 기판을 손상시킬 수 있으므로, 제품의 신뢰성이 저하되는 단점이 있었다.
그리고, 롤러와 기판 사이에 지지판을 개재한 종래의 인라인 열처리 장치는, 기판의 상면은 외부로 노출되고 기판의 하면은 지지판에 접촉된다. 이로인해, 기판의 상면과 하면이 균일하게 열처리되지 못할 우려가 있으므로, 이 또한 제품의 신뢰성이 저하되는 단점이 있었다.
인라인 열처리 장치와 관련한 종래의 기술로는 한국공개특허공보 10-2005-0001373호의 "인라인식 현상 열처리장치 및 현상 열처리 방법" 등이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 기판의 손상 없이 기판의 전체면을 균일하게 열처리할 수 있도록, 기판의 이송방향 또는 기판의 이송방향과 반대방향으로 운동하는 지지바에 기판을 탑재 지지하여 기판을 이송함으로써, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 인라인 열처리 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는, 연속적으로 배치되며 기판이 열처리되는 공간을 각각 제공하는 복수의 가열로(Furnace); 각각의 상기 가열로의 내부 복수의 부위에 각각 설치되어 기판을 가열하는 히터; 상기 가열로의 내부에 상기 기판의 이송방향과 평행을 이루면서 설치되며, 상기 기판의 이송방향 또는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 운동하면서 탑재된 상기 기판을 이송시키는 상호 간격을 가지는 복수의 지지바; 각각의 상기 가열로에 설치되며 상기 지지바에 탑재된 상기 기판을 인접하는 다른 가열로로 이송할 때, 상기 기판을 상승시켜 상기 지지바로부터 이격시킨 다음 하강시키는 수단을 포함한다.
본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 기판의 이송방향 또는 기판의 이송방향과 반대방향으로 운동하는 지지바에 기판이 탑재 지지되어 이송된다. 그러므로, 기판과 지지바 사이에는 마찰력이 작용하지 않으므로, 마찰에 의한 파티클(Particle)이 발생하지 않는다. 따라서, 파티클에 의하여 기판이 손상되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
그리고, 기판과 지지바의 접촉 면적이 상대적으로 작으므로, 기판의 상면과 하면이 균일하게 열처리된다. 따라서, 제품의 신뢰성이 더욱 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략적 구성을 보인 정면도.
도 2는 도 1의 개략 평면도.
도 3a는 도 1에 도시된 승온부의 가열로의 확대도.
도 3b는 도3a의 측면도.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 동작을 보인 정면도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특정 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치를 상세히 설명한다.
설명의 편의를 위하여 동일 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략적 구성을 보인 정면도이고, 도 2는 도 1의 개략 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치는 로딩부(100), 승온부(200), 공정부(300), 냉각부(400) 및 언로딩부(500)를 포함하며, 로딩부(100)와 승온부(200)와 공정부(300)와 냉각부(400)와 언로딩부(500)는 차례로 연속적으로 배치된다.
로딩부(100), 승온부(200), 공정부(300), 냉각부(400) 및 언로딩부(500)는 각각 가열로(Furnace)(110, 210, 250, 310, 410, 510)를 가진다.
로딩부(100)의 가열로(110)에는 기판(50)을 소정 높이 이상으로 상승시킨 다음 하강시키는 수단이 마련된다. 상기 수단에 대해서는 후술한다.
기판(50)은 로딩부(100)에서, 소정 온도로 균일하게 예열된 후, 승온부(200)로 이송될 수 있다. 이를 위하여, 가열로(110)에는 히터(미도시)가 설치될 수 있다.
승온부(200)에 대하여 도 1 내지 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a는 도 1에 도시된 승온부의 가열로의 확대도이고, 도 3b는 도3a의 측면도이다.
도시된 바와 같이, 승온부(200)는 기판(50)을 소정 온도로 가열하여 공정부(300)로 이송한다. 승온부(200)는 독립적으로 온도가 제어되는 적어도 2개의 가열로(210, 250)를 포함한다. 승온부(200)의 가열로(210, 250)의 개수는 기판(50)의 열처리 온도를 고려하여 적정하게 마련된다.
기판(50)은 저온에서는 빠르게 가열 온도를 상승시켜도 변형이 방지될 수 있으나, 고온에서는 빠르게 가열 온도를 상승시키면 변형이 될 수 있다. 따라서, 승온부(200)의 가열로(210, 250)는 저온에서는 빠르게 가열 온도가 상승되도록 설정하고, 고온에서는 서서히 가열 온도가 상승되도록 설정하는 것이 바람직하다.
승온부(200)의 첫 번째 가열로(210)의 내부에는 기판(50)을 인접하는 가열로(250)로 이송시키는 복수의 롤러(611)가 설치된다. 롤러(611)는 봉 형상으로 마련되어 기판(50)의 이송방향과 수직을 이루고, 상호 일정 간격을 가지며, 정방향 또는 역방향으로 회전가능하게 설치된다.
본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치는 롤러(611)에 복수의 지지바(615)의 하면을 탑재하고, 지지바(615)의 상면에 기판(50)을 탑재하여, 기판(50)을 이송한다. 지지바(615)는 롤러(611)에 수직하는 기판(50)의 이송방향과 평행하게 설치되어 상호 간격을 가지며, 롤러(611)의 회전에 의하여, 기판(50)의 이송방향 또는 기판(50)의 이송방향과 반대방향으로 운동하면서 기판(50)을 이송시킨다. 롤러(611)가 정회전하면 지지바(615)는 기판(50)의 이송방향으로 직선운동하고, 롤러(611)가 역회전하면 지지바(615)는 기판(50)의 이송방향과 반대방향으로 직선운동한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 지지바(615)는 각형으로 형성되고, 롤러(611)에는 지지바(615)의 하면측 부위와 대응되게 형성되어 지지바(615)의 하면측 부위가 삽입 지지는 지지홈(612)이 형성된다. 지지바(615)가 지지홈(612)에 삽입되므로 지지바(615)가 롤러(611)의 길이방향으로 이동하는 것이 방지되고, 지지바(615)가 각형으로 형성되므로 지지바(615)가 롤러(611) 상에서 회전되는 것이 방지된다.
가열로(210)의 내부에는 기판(50)을 가열하기 위한 바형상의 복수의 히터(621)가 설치된다. 히터(621)는 상호 인접하는 롤러(611)와 롤러(611) 사이, 롤러(611)의 내부 및 롤러(611)의 상측에 각각 설치된다. 롤러(611)의 내부에 설치된 히터(621)는, 롤러(611)의 회전에 대하여 독립적으로 설치되어, 롤러(611)가 회전하여도 회전하지 않는다.
가열로(210)에는 기판(50)을 인접하는 다른 가열로(250)로 이송하거나, 기판(50)을 로딩 또는 언로딩시킬 때, 기판(50)을 상승시켜 지지바(615)로부터 이격시킨 후 하강시키는 수단이 마련된다.
상기 수단은, 상부측은 가열로(210)의 내부에 위치되고, 하부측은 가열로(210)의 외부에 위치되어 승강가능하게 설치된 복수의 승강바(631)와 승강바(631)의 하단부에 결합되어 승강바(631)를 승강시키는 실린더(635)로 마련된다.
이때, 승강바(631)가 주위의 간섭 없이 승강할 수 있도록, 승강바(631)는 롤러(611)와 롤러(611) 사이 및 지지바(615)와 지지바(615)의 사이에 위치된다. 그리고, 롤러(611)의 상측에 설치된 히터(621)는 승강바(631)가 상사점에 위치되었을 때, 승강바(631)의 상단부 보다 상측에 위치되는 것이 바람직하다.
승강바(631)의 하단부측을 프레임(633)에 각각 결합하고, 실린더(635)의 피스톤(635a)(도 4a 참조)을 프레임(633)의 중앙부측에 결합하면, 하나의 실린더(635)를 이용하여 4개의 승강바(631)를 승강시킬 수 있다.
가열로(210) 내부의 열이 외부로 방열되는 것을 방지하기 위하여, 승강바(631)가 관통하는 본체(210)의 부위에는 단열관(641)이 결합되고, 승강바(631)는 단열관(641)에 삽입되어 승강한다.
승온부(200)의 첫 번째 가열로(210)의 구성과 두 번째 가열로(250)의 구성은 동일하다.
그리고, 승온부(200)의 가열로(210)에 설치된 상기 수단은 로딩부(100)이 가열로(110)에도 설치되며, 승온부(200)의 가열로(210)에 설치된 롤러(611)는 로딩부(100)의 가열로(110)에도 설치될 수도 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 공정부(300)는 승온부(200)에서 이송된 기판(50)을 소정의 열처리 온도에서 열처리하며, 공정부(300)의 가열로(310)의 구성은 승온부(200)의 가열로(210)의 구성과 동일하다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 냉각부(400)는 공정부(300)에서 이송된 기판(50)을 소정 온도로 냉각시킨 후 언로딩부(500)로 이송한다. 냉각부(400)의 가열로(410)의 구성은 승온부(200)의 가열로(210)의 구성과 동일하며, 냉각부(400)의 가열로(410)의 개수는 기판(50)의 열처리 온도를 고려하여 적정한 수로 마련된다. 냉각부(400)에는 기판(50)을 균일하게 냉각시키기 위한 다양한 냉각수단이 마련될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 언로딩부(500)의 가열로(510)의 구성은 로딩부(100)의 가열로(110)의 구성과 동일하다. 그리고, 언로딩부(500)로 이송된 기판(50)은 변형되지 않도록, 예를 들면 100℃ 이하까지 균일하게 냉각된 후, 다음 공정으로 이송될 수 있다. 이를 위하여, 언로딩부(500)에는 기판(50)의 균일한 냉각을 위하여 기판(50)의 상면을 가열하기 위한 히터(미도시)가 마련될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 연속적으로 배치된 로딩부(100), 승온부(200), 공정부(300), 냉각부(400) 및 언로딩부(500)의 온도 차가 완만한 구배를 가지면서 선형적으로 변하도록, 로딩부(100), 승온부(200), 공정부(300), 냉각부(400) 및 언로딩부(500)의 히터(621)는 각각 독립적으로 설치되어, 독립적으로 제어된다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 롤러(611)와 수직을 이루면서 설치된 각각의 지지바(615)는 하나의 몸체로 형성되어, 최외측에 위치된 로딩부(100)의 가열로(110)를 제외한 나머지 가열로(210, 250, 310, 410, 510), 또는 언로딩부(500)의 가열로(510)를 제외한 나머지 (110, 210, 250, 310, 410)의 내부에 위치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 동작을 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 설명한다. 도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 동작을 보인 정면도이다.
로딩부(100)의 가열로(110)에서부터 냉각부(400)의 가열로(410)까지 지지바(615)가 위치되고, 승강바(631)는 하사점의 위치에 위치되며, 지지바(615)에 기판(50)이 탑재되지 않은 상태를 최초의 상태라 가정한다.
최초의 상태에서, 기판(50)을 로딩하여 지지바(615)에 탑재시키려면, 도 4a에 도시된 바와 같이, 실린더(635)를 구동시켜 승강바(631)를 상사점의 위치에 위치시킨다. 그러면, 승강바(631)의 상단부가 지지바(615)의 상측에 위치되고, 로봇의 아암(미도시)에 의하여 기판(50)이 승강바(631)에 탑재된다.
그후, 실린더(635)를 구동시켜 승강바(631)를 하사점의 위치에 위치시키면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 승강바(631)에 탑재된 기판(50)이 지지바(615)에 탑재 지지된다.
도 4b에 도시된 상태에서, 롤러(611)를 시계방향인 정방향으로 회전시키면, 지지바(615)가 롤러(611)에 의하여 우측으로 운동하므로, 기판(50)이, 도 4c에 도시된 바와 같이, 로딩부(100)의 가열로(110)에서 승온부(200)의 가열로(210)로 이송된다.
도 4c에 도시된 상태에서, 승강바(631)를 상승시켜 승온부(200)의 가열로(210)에 위치된 기판(50)을 상승시키면 도 4d에 도시된 상태가 되고, 도 4d에 도시된 상태에서 롤러(611)를 역방향으로 회전시켜 도 4e에 도시된 바와 같이 지지바(615)를 로딩부(100)의 가열로(110)에 위치시킨다.
그리고, 상기 로봇의 아암으로 새로운 기판(50)을 로딩부(100)의 가열로(210)의 승강바(631)에 탑재하면 도 4e에 도시된 상태가 된다.
그후, 승강바(631)를 하강시켜, 도 4f에 도시된 바와 같이, 로딩부(100)의 가열로(210) 및 승온부(200)의 가열로(210)에 위치된 기판(50)을 지지바(615)에 탑재시킨 다음, 롤러(611)를 구동시켜 지지바(615)를 우측으로 이동한다. 그러면, 도 4g에 도시된 바와 같이, 승온부(200)의 가열로(210)에 위치된 기판(50)은 승온부(200)의 가열로(220)로 이송되고, 로딩부(100)의 가열로(110)에 위치된 기판(50)은 승온부(200)의 가열로(210)로 이송된다.
이러한 동작의 반복에 의하여 기판(50)이 로딩부(100)에서부터 승온부(200) → 공정부(300) → 냉각부(400)를 거쳐 언로딩부(500) 까지 이송된다. 언로딩부(500)에 위치된 기판(50)을 언로딩할 때에도, 승강바(631)를 상사점으로 상승시켜, 기판(50)을 지지바(615)로부터 이격시킨다. 그후, 상기 로봇의 아암으로 기판(50)을 지지하여, 기판(50)을 언로딩한다.
본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치는 롤러(611)에 탑재된 지지바(615)가 롤러(615)에 의하여 기판(50)의 이송방향 또는 기판(50)의 이송방향과 반대방향으로 운동하고, 기판(50)은 지지바(615)에 탑재 지지되어 이송된다. 그러므로, 기판(50)과 지지바(615) 사이에는 마찰력이 작용하지 않으므로, 마찰에 의한 파티클(Particle)이 발생하지 않는다. 따라서, 파티클에 의하여 기판(50)이 손상되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상된다.
그리고, 기판(50)의 하면과 지지바(615)의 상면 사이의 접촉 면적이 상대적으로 작으므로, 기판(50)의 상면과 하면이 균일하게 열처리된다. 따라서, 제품의 신뢰성이 더욱 향상된다.
상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.
100: 로딩부 200: 승온부
300: 공정부 400: 냉각부
500: 언로딩부 611: 롤러
615: 지지바 631: 승강바

Claims (10)

  1. 연속적으로 배치되며 기판이 열처리되는 공간을 각각 제공하는 복수의 가열로(Furnace);
    각각의 상기 가열로의 내부 복수의 부위에 각각 설치되어 기판을 가열하는 히터;
    정방향 또는 역방향으로 회전가능하게 각각의 상기 가열로의 내부에 각각 복수개 설치된 롤러;일면은 상기 롤러에 지지되어 상기 기판의 이송방향과 평행을 이루고 타면에는 상기 기판이 탑재 지지되며, 상기 롤러의 회전에 의하여 상기 기판의 이송방향 또는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 운동하면서 탑재된 상기 기판을 이송시키는 상호 간격을 가지는 복수의 지지바;
    각각의 상기 가열로에 설치되며 상기 지지바에 탑재된 상기 기판을 인접하는 다른 상기 가열로로 이송할 때, 상기 기판을 상승시켜 상기 지지바로부터 이격시킨 다음 하강시키는 수단을 포함하며,
    각각의 상기 가열로에 위치된 상기 지지바는 하나의 몸체로 형성되어, 최외측에 위치된 어느 하나의 상기 가열로를 제외한 나머지 상기 가열로들의 내부에 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 수단은,
    일측은 각각의 상기 가열로의 내부에 위치되고 타측은 각각의 상기 가열로의 외부에 위치되어 승강가능하게 설치된 복수의 승강바;
    상기 승강바의 타단부측에 결합되어 상기 승강바를 승강시키는 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 승강바가 관통하는 상기 가열로의 부위에는 단열관이 설치되고, 상기 승강바는 상기 단열관에 삽입되어 승강하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    각각의 상기 가열로에 설치된 상기 승강바는 동일하게 승강하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 롤러에는 상기 지지바의 일측 부위가 삽입 지지되는 지지홈이 형성된 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지바는 각형으로 형성되고, 상기 지지홈은 상기 지지바의 일측 부위와 대응되는 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 히터는 각각의 상기 가열로의 내부에 독립적으로 설치되어, 각각 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 히터는 상기 롤러의 내부에 설치되고,
    상기 롤러의 내부에 설치된 상기 히터는 상기 롤러의 회전에 대하여 독립적인 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.
KR1020110066910A 2011-07-06 2011-07-06 인라인 열처리 장치 KR101284065B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110066910A KR101284065B1 (ko) 2011-07-06 2011-07-06 인라인 열처리 장치
PCT/KR2012/005352 WO2013006003A2 (ko) 2011-07-06 2012-07-05 인라인 열처리 장치
TW101124212A TW201308508A (zh) 2011-07-06 2012-07-05 直列式熱處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110066910A KR101284065B1 (ko) 2011-07-06 2011-07-06 인라인 열처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130005487A KR20130005487A (ko) 2013-01-16
KR101284065B1 true KR101284065B1 (ko) 2013-07-10

Family

ID=47437575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110066910A KR101284065B1 (ko) 2011-07-06 2011-07-06 인라인 열처리 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101284065B1 (ko)
TW (1) TW201308508A (ko)
WO (1) WO2013006003A2 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101432754B1 (ko) * 2013-03-27 2014-08-21 주식회사 테라세미콘 인라인 열처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110006091A (ko) * 2009-07-13 2011-01-20 주식회사 아이피에스 기판처리 장치 및 방법과, 이를 포함한 인라인 처리 시스템 및 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6517303B1 (en) * 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
KR101015595B1 (ko) * 2005-02-28 2011-02-17 주식회사 비아트론 반도체 소자의 열처리 시스템
KR100829927B1 (ko) * 2007-02-08 2008-05-16 주식회사 비아트론 반도체 소자 로딩 모듈 및 이를 이용한 반도체 소자 열처리시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110006091A (ko) * 2009-07-13 2011-01-20 주식회사 아이피에스 기판처리 장치 및 방법과, 이를 포함한 인라인 처리 시스템 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013006003A2 (ko) 2013-01-10
WO2013006003A3 (ko) 2013-04-11
KR20130005487A (ko) 2013-01-16
TW201308508A (zh) 2013-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101862428B1 (ko) 유리 기판을 열처리하기 위한 장치 및 방법
KR101432754B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR101284065B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR101199954B1 (ko) 기판 처리용 보트
KR100741975B1 (ko) 열처리 장치 및 이를 이용한 열처리 방법
KR101015596B1 (ko) 반도체 소자의 열처리 장치
KR20120126268A (ko) 인라인 열처리 장치
KR101243949B1 (ko) 인라인 열처리 장치
TW201232604A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2014519187A (ja) インライン熱処理装置
KR101258615B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR101015595B1 (ko) 반도체 소자의 열처리 시스템
KR101445685B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR101188270B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR101167989B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20140125205A (ko) 인라인 열처리 장치
KR20130032349A (ko) 인라인 열처리 장치 및 그 온도 제어 방법
KR101317282B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR101258620B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR20140089169A (ko) 인라인 열처리 장치
KR101258621B1 (ko) 인라인 열처리 장치
KR102166492B1 (ko) 열처리 장치
KR101258629B1 (ko) 인라인 열처리 장치 및 그 기판 이송 방법
KR101168000B1 (ko) 다결정 실리콘 형성 장치 및 방법
KR20120124192A (ko) 인라인 열처리 장치 및 그 온도 제어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160705

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180704

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190128

Year of fee payment: 7