KR100634122B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 제 1 주 웨이퍼 반송부 및 제 2 주 반송부의 주위에 10단의 각 열처리유니트부, 5단의 각 도포처리유니트부를 각각 배치하고, 열처리유니트부에 있어서는 온도조정·반송장치에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 조절하면서 웨이퍼(W)의 반송을 수행함으로써, 기판의 온도조정처리에 필요한 시간이 스루풋의 저하에 끼치는 영향을 극력히 감소시킬 수 있는 기술이 제시된다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 기판처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 동(同) 기판처리장치의 전체구성을 나타내는 정면도이다.
도 3 은 동 기판처리장치의 전체구성을 나타내는 배면도이다.
도 4 는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 주(主) 웨이퍼 반송부의 단면도이다.
도 5 는 동 주 웨이퍼 반송부의 요부를 나타내는 사시도이다.
도 6 은 동 주 웨이퍼 반송부의 측면도이다.
도 7 은 동 주 웨이퍼 반송부에 있어서의 주 웨이퍼 반송체의 구동기구를 나타내는 측면도이다.
도 8 은 동 주 웨이퍼 반송체의 정면도이다.
도 9 는 동 주 웨이퍼 반송체의 단면도이다.
도 10 은 도 9에 있어서의 [10]-[10]선 방향 단면도이다.
도 11 은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 프리베이킹(pre baking) 유니트(PAB), 포스트엑스포져베이킹(post exposure baking) 유니트(PEB), 포스트베이킹 (post baking) 유니트(POST)의 횡단면도이다.
도 12 는 동 열처리유니트의 종단면도이다.
도 13 은 동 열처리유니트에 있어서의 프레임의 온도조정기구를 나타내는 모식도이다.
도 14 는 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 고정도 온도조정유니트(CPL)의 횡단면도이다.
도 15 는 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 고온도 열처리유니트(BAKE)의 횡단면도이다.
도 16 은 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 트랜지션유니트(TRS)의 횡단면도이다.
도 17 은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 레지스트 도포유니트를 나타내는 평면도이다.
도 18 은 동 종단면도이다.
도 19 는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 현상유니트를 나타내는 평면도이다.
도 20 은 동 종단면도이다.
도 21 은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 기판처리장치의 일련의 동작을 나타내는 순서도이다.
도 22 는 열처리유니트에 있어서 기판주고받음의 작용을 설명하기 위한 도이다.
도 23 은 동 열처리유니트의 작용도이다.
도 24 는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 기판처리장치의 청정공기의 흐름을 나타내는 개략정면도이다.
도 25 는 동 청정공기의 흐름을 나타내는 개략측면도이다.
도 26 은 동 청정공기의 흐름을 나타내는 개략측면도이다.
도 27 은 본 발명에 관련된 셔터의 개폐동작(그 1)을 설명하기 위한 도이다.
도 28 은 본 발명에 관련된 셔터의 개폐동작(그 1)을 설명하기 위한 도이다.
도 29 는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 열처리유니트의 횡단면도이다.
도 30 은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 기판처리장치의 부분평면도이다.
도 31 은 본 발명의 제 4 실시예에 관련된 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.
도 32 는 도 31에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 33 은 도 31의 온도조정·가열처리유니트군을 갖추는 영역을 Y방향을 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 34 는 도 31의 온도조정처리유니트를 갖추는 영역을 X방향을 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 35 는 반송장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 36 은 가열·온도조정처리유니트의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 37 은 도 36에 나타낸 가열·온도조정처리유니트의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 38 은 온도조정기구의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 39 는 본 발명의 제 5 실시예에 관련된 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.
도 40 은 도 39에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 41 은 도 39의 선(A-A')을 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 42 는 본 발명의 제 6 실시예에 관련된 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.
도 43 은 도 42에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 44 는 도 42의 선(B-B')을 따라 절단한 경우의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
W : 반도체 웨이퍼 G1∼G5 : 제 1∼제 5 처리유니트부
u : 틈 A1 : 제 1 주 웨이퍼 반송부
A2 : 제 2 주웨이퍼 반송부 F : 필터
S : 센서 C : 온도조정·반송장치
H : 열처리장치 LH : 저온도 열처리장치
HH : 고온도 열처리장치 1 : 기판처리장치
7a : 상단 아암 7b : 중단 아암
7c : 하단 아암 8 : 제어부
9 : 차폐판 16 : 주(主) 웨이퍼 반송체
17 : 제 2 주 웨이퍼 반송체 36 : 팬(fan)
38 : 문 40 : 패널
41 : 프레임 44 : 덮음부재
58 : 액공급장치 75 : 프레임
75b : 유로 75c : 개구
75a : 개구부 76 : 셔터
84 : 승강핀 93 : 차폐판
115 : 서브 아암 150 : 기판처리장치
201 : 도포현상처리시스템 　　　210 : 가열·온도조정처리유니트
213 : 제 1 처리유니트군 213a : 반사방지막 도포유니트(BARC)군
213b : 레지스트막 도포유니트(CT)군
213c : 제 1 현상처리유니트군 213d : 제 2 현상처리유니트군
213e : 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군
213f : 현상처리유니트군 214 : 제 2 처리유니트군
214a : 제 1 가열·온도조정처리유니트군
214b : 제 2 가열·온도조정처리유니트군
214c : 제 3 가열·온도조정처리유니트군
214d : 제 4 가열·온도조정처리유니트군
215 : 케미칼 타워 216 : 반사방지막 도포유니트(BARC)
217 : 레지스트막 도포유니트(CT) 218 : 온도조정처리유니트
219 : 반송장치 220 : 가열처리유니트
226 : 현상처리유니트
본 발명은, 예를들어 반도체 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하고 현상하는 도포현상처리장치 등의 기판처리장치 및, 예를들어 이와 같은 장치에 적용되는 기판처리방법에 관한 것이다.
예를들어, 반도체 디바이스 제조에 있어서의 포토레지스트 처리공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)등의 기판은 패턴의 노광이 이루어진 후, 가열처리 후에 온도조정처리되고, 그 다음에 현상처리된다. 이와 같은 일련의 처리에는, 종래로부터 도포현상처리장치가 사용되고 있다.
상기 도포현상처리장치에는, 웨이퍼의 도포현상처리에 필요한 일련의 처리, 예를들어 레지스트액의 도포를 수행하는 레지스트 도포처리, 노광처리 후의 웨이퍼를 가열하는 가열처리, 상기 가열처리 후의 웨이퍼에 대하여 온도를 조정하는 온도조정처리, 더 나아가서는 상기 온도조정처리가 종료된 웨이퍼에 현상처리를 수행하는 현상처리 등을 개별적으로 행하는 각종 처리장치가 갖추어져 있다. 그리고, 각 처리장치에 대한 웨이퍼의 반입반출 및 각 처리장치 간의 웨이퍼의 반송은 주 웨이퍼 반송장치에 의해 이루어지고 있다.
그러나, 이와 같은 주 반송장치만에 의해 각 부에 반송을 수행하게 할 경우에는, 주 반송장치에 걸리는 부담이 커지게 되어 장치 전체에 있어서의 스루풋이 저하될 우려가 있다.
따라서, 예를들어 일본특허공개 평8-162514의 공보에는, 연속 프로세스처리 를 수행하기 위한 처리부 중에서 소정의 처리부에 의해 처리부군이 구성되고, 이들의 처리부군에는 각각 기판주고받기 위치가 설치되어, 상기 기판주고받기 위치와 처리부군을 구성하는 처리부와의 사이에서 부(副) 반송로보트가 기판을 반송하는 한편, 처리부군을 구성하는 처리부 이외의 처리부와, 처리부군의 기판주고받기 위치와의 사이에서 주 반송로보트가 기판을 반송하는 기술이 개시되어져 있다. 이에 의해 반송장치의 부담을 경감하고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
예를들어, 노광처리와 현상처리와의 사이에서는 가열처리 후에 온도조정처리가 이루어지고 있지만, 온도조정처리에 필요한 시간이 길어지게 되어 스루풋이 저하되는 경향이 있지만, 상기와 같이 개시된 기술에 의하면, 부담을 경감시킨 부 반송로보트가, 가열처리를 수행하는 처리부와 온도조정처리를 수행하는 처리부와의 사이에서 기판을 반송하여, 가열처리 종료부터 현상처리 개시까지의 시간을 단축시킴으로써 온도조정처리에 필요한 시간이 스루풋의 저하에 끼치는 영향을 감소시킬 수 있다.
그러나, 상기의 공보에 개시된 기술에서는, 온도조정처리에 필요한 실제의 시간은 종래에 비해 변함이 없기 때문에, 온도처리에 필요한 시간이 스루풋의 저하에 끼치는 영향을 적게함에 있어서는 한계가 있다.
또한, 상기의 공보에 개시된 기술에서는, 부 반송로보트를 매개로 하여 가열처리를 수행하는 처리부 및 온도조정처리를 수행하는 처리부에 기판이 반입되는 구성으로 되어 있기 때문에, 가열처리 전 및 온도조정처리 전에 있어서의 기판의 열 이력에 흐트러짐이 발생하여, 정밀한 온도로 처리를 수행할 수 없다고 하는 문제가 있다. 특히, 최근에는 가열 플레이트 및 온도조정 플레이트를 얇게하여 온도변화에 신속하게 대응하는 경향이 있어, 이와 같은 경우에 열이력에 흐트러짐이 있는 기판이 반입되면 가열 플레이트 및 온도조정 플레이트의 온도가 어지럽혀져, 정밀한 온도에서의 기판처리가 곤란해지고 있다.
한편, 종래로부터 도포현상처리장치 전체를 컴팩트하게 하기 위하여, 복수의 가열처리유니트와 온도조정처리유니트를 다단으로, 반송장치와 같이 전체적으로 집약배치함으로써 도포현상처리장치의 점유면적을 작게하고 있다.
웨이퍼가 대구경화로 나아가게 되면, 이에 따라 전체의 처리유니트도 대형화하게 된다. 따라서, 점유면적을 작게하기 위해서는 각 처리유니트의 배치를 한층 더 집약시킬 필요가 있다.
본 발명의 목적은, 기판의 온도조정처리에 필요한 시간을 실질적으로 줄일 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 목적은, 기판의 열적처리 및 온도조정처리를 보다 정밀하게 수행할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명 제 3 목적은, 기판에 대하여 액처리를 행하기 위한 처리유니트에 있어서의 온도제어를 정밀하게 행할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 상기 주 반송부 주위의 적어도 4 방향 중의 대향하는 2 방향에 배치되어, 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고 또 기판을 소정 의 온도로 조정하는 온도조정부와, 기판에 대하여 상기 소정 온도 이상의 온도로 처리하는 열처리부와, 상기 온도조정부를 이동시켜 상기 온도조정부와 상기 열처리부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하게 하는 이동수단을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 4 방향 중의 적어도 1 방향측에 배치되어 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 구비하고, 상기 주 반송부는 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 4 방향 중의 적어도 1 방향측에 배치된, 상기 온도조정부 및 상기 공급부 이외의 기판처리부, 예를들어 상기 기판을 소수화시키기 위한 어드히젼(adhesion) 유니트를 더 구비하고, 상기 주 반송부는, 상기 기판처리부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 기판을 반송하는 온도조정·반송기구와, 상기 온도조정부 및 상기 온도조정·반송기구와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 주 반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부를 더 구비하고, 상기 온도조정·반송기구는 상기 처리부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행한다.
본 발명의 기판처리장치에서는, 상기 처리부로부터 상기 온도조정·반송기구에 건네어진 기판은, 상기 주 반송부에 건네어져 상기 온도조정부로 반송된다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 주 반송부에 있어서, 상기 온도조정부로부 터 건네받을 때의 기판의 온도와, 상기 온도조정·반송기구로부터 건네받을 때의 기판의 온도가 상이하다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하는 온도조정·반송기구와, 상기 온도조정·반송기구의 양측에 배치되어 온도조정·반송기구와의 사이에서 기판을 반송하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 구비하고, 상기 주 반송부와 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 온도조정부, 상기 온도조정·반송기구, 상기 처리부, 상기 액공급부는 각각 다단으로 상하 방향으로 적층되어 구성된다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 온도조정·반송기구와 상기 처리부가 동일한 프레임에 의해 둘러싸여 처리유니트를 구성하고, 상기 처리유니트와 상기 온도조정부가 혼재하여 다단으로 상하방향으로 적층되어 구성된다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 주 반송부와 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 처리부 및 상기 온도조정·반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받 기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 주 반송부와 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비하고, 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부가 직선상으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 처리부, 상기 제 2 처리부 및 상기 온도조정·반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 적어도 상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주 반송부와, 상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 온도조정부 및 상기 부 반송부를 둘러쌈과동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부가 직선상으로 배치되고, 또, 적어도 상기 온도조정부와의 사이에서 기판 의 주고받기를 행하기 위한 주 반송부와, 상기 온도조정부와 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 처리부, 상기 제 2 처리부, 상기 온도조정부 및 상기 부 반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와, 상승이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 처리부, 상기 온도조정·반송부 및 상기 승강핀을 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 승강핀과의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와, 승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 구비하고, 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부가 직선상으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 청구항 11에 기재된 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 처리부, 상기 제 2 처리부, 상기 온도조정·반송부 및 상기 승강핀을 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 승강핀과의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 개구부를 개폐하기 위한 셔터기구를 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 갖추고, 상기 주 반송부는 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 프레임은 상하방향으로 다단으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 액공급부는, 상하방향으로 다단으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 주 반송장치는, 기판을 보지하는 아암과, 상기 아암을 전후로 진퇴구동시키기 위한 진퇴구동기구와, 상기 아암을 회전시키기 위한 회전구동기구와, 상기 아암, 상기 진퇴구동기구 및 상기 회전구동기구를 일체적으로 상하방향으로 구동시키는 수직반송기구를 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와, 상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고, 상기 처리유니트가, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 각 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이, 더 나아가서는 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와, 상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고, 상기 처리유니트가, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와, 기판에 소정의 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 각 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이, 더 나아가서는 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비하고, 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부가 직선상으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와, 상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고, 상기 처리유니트가, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와, 상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고, 상기 처리유니트가, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와, 상기 온도조정부와 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 갖추고, 상기 온도조정부, 상기 제 1 처리부 및 상기 제 2 처리부가 직선상으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와, 상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고, 상기 처리유니트가, 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와, 승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 개구부를 매개 로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와, 상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고, 상기 처리유니트가, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와, 기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하고 또 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와, 승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 갖추고, 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부와 상기 승강핀이 직선상으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 처리유니트가 상하방향으로 다단으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 또는 제 2 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기가 가능한 위치에 배치되어 상기 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 갖춘다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 액 공급부가 상하방향으로 다단으로 배치되 어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 또는 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기가 가능한 위치에 배치되어 상기 기판에 대하여 검사를 행하는 검사부를 더 갖추고 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 검사부가 상하방향으로 다단으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 검사부가 기판에 대하여 미크로적(micro) 검사를 행한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 주 반송부에 있어서의 상기 처리유니트에 대면하는 면의 반대측에 상기 처리유니트가 더 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 처리유니트에 있어서 상기 제 1 또는 제 2 주 반송부에 대면하는 면의 반대측에, 처리 전후의 기판을 일단 받아들여 보지하는 받아들임부가 더 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 받아들임부에 배치되어, 상기 기판에 대하여 검사를 행하는 검사부를 더 갖춘다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 검사부가 기판에 대하여 매크로(macro)적 검사를 행한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 상기 주 반송부의 주위에 배치되어, 적어도 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리유니트와, 상기 주 반송부의 주위에 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는 액공급유니트 와, 상기 액공급유니트가 상기 처리유니트 및 상기 주 반송부보다 높은 양압이고 또 상기 주 반송부와 상기 처리유니트가 거의 동등한 압력으로 되도록 제어하는 수단을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트가 각각 별개의 프레임 내에 배치되고, 상기 각 프레임은 각각 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추고, 상기 각 프레임 간에서 인접하는 개구부 간을 연결하는 통로는, 덮음부재에 의해 둘러싸여 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 덮음부재와 적어도 한쪽의 상기 프레임과의 사이에는 미소한 틈이 설치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 기압제어수단은, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트에 대하여 각각 기체를 공급하는 기체공급부와, 기체를 배기시키는 기체배기부와, 기압을 계측하는 기압계측부를 갖추고, 상기 계측된 기압에 의거하여 상기 기체공급부에 의해 공급되는 기체의 양 및 상기 기체배기부에 의해 배기되는 기체의 양 중에서 적어도 한쪽을 제어한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 처리유니트는, 상하방향으로 다단으로 배치되고, 각 처리유니트별로 상기 기체공급부, 상기 기체배기부 및 상기 기압계측부를 갖춘다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트의 프레임 중에서 적어도 하나에는, 내부 보수에 사용되는 개폐가능한 문이 설치되고, 상기 기압제어수단은, 상기 문이 열렸을 때에 프레임 내의 기압을 높이도록 제어한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트의 프레임을 전체적으로 둘러쌈과 동시에, 내부 보수에 사용되는 개폐가능한 패널이 설치된 외측프레임을 더 갖추고, 상기 기압제어수단은, 상기 패널이 열렸을 때에 외측프레임의 기압을 높이도록 제어한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 문 또는 상기 패널이 열렸을 때만 작동하는 기체공급부가, 상기 프레임 내 또는 상기 외부프레임 내에 더 설치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부와, 상기 주 반송부의 주위에 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는 액공급유니트와, 상기 주 반송부의 주위에 배치된 처리유니트와, 상기 주 반송부, 상기 액공급유니트 및 상기 처리유니트의 온도조정 또는 습도관리를 각각 별도로 행하는 유니트 온도조정수단을 구비하고, 상기 처리유니트는, 상기 주 반송부에 인접하도록 배치되어 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와, 상기 주 반송부에 대하여 상기 온도조정부가 개재하도록 배치되어 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 처리부는 온도조정기구에 의해 덮여져 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에는 개폐가능한 열차폐판이 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 처리유니트는 상하방향으로 다단으로 배치되고, 상기 유니트 온도조정수단은 상기 각 처리유니트를 개별적으로 온도조정 또는 습도관리한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 액공급유니트는 상하방향으로 다단으로 배치되고, 상기 유니트 온도조정수단은 상기 각 액공급유니트를 개별적으로 온도조정 또는 습도관리한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 액공급유니트에 대하여 상기 액을 공급하기 위한 액공급기구를 더 갖추고, 상기 유니트 온도조정수단은 상기 액 공급기구에 대하여도 온도조정 또는 습도관리한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 액공급기구는 상기 액공급유니트의 하방에 배치되어 있다.
상기 기판처리장치에 있어, 상기 액공급유니트는 상기 액공급유니트에 대하여 상기 액을 공급하기 위한 액공급기구를 대용할 수 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리부 및 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부를 갖추는 처리유니트가 상하방향으로 다단으로 배치된 처리유니트군과, 상기 처리유니트군의 일방측에 배치되어, 상기 각 처리유니트에 대하여 진입이 가능한 수직반송형의 제 1 주 반송장치와, 상기 제 1 주 반송장치의 주위에 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는 제 1 액공급유니트와, 상기 처리유니트군의 타방측에 배치되어, 상기 각 처리유니트에 대하여 진입이 가능한 수직반송형임과 동시에 소정의 평면방향으로 이동이 가능한 제 2 주반송장치와, 상기 제 2 주 반송장치의 평면이동방향을 따라 배치되어, 기판 상에 소정 의 액을 공급하는 복수의 제 2 액공급유니트를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 및 제 2 액공급유니트가, 상하방향으로 다단으로 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하는 기판반송장치와, 상기 기판반송장치의 양측 및 전면(前面)에 배치된 처리유니트를 갖추고, 적어도 한측의 상기 처리유니트는 수직방향으로 다단으로 배치되고, 상기 기판반송장치는, 상기 각 유니트에 대하여 기판의 주고받기가 가능한 수직반송형이고, 또 상기 기판반송장치를 수직방향으로 지지하는 지지부재가 전면에 배치된 상기 처리유니트측에 설치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 주고받기위한 제 1 및 제 2 개구부를 양측에 갖추는 제 1 처리유니트와, 상기 제 1 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 각 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 반송장치와, 상기 각 개구부를 개폐하는 제 1 및 제 2 셔터부재와, 상기 제 1 개구부가 열려있을 때에 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하는 수단을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 처리유니트는, 기판에 열적처리를 행하기 위한 열적처리부와, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부를 구비한다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 제 1 및 제 2 반송장치는, 덮음부재에 의해 둘러싸임으로써 실질적으로 외부로부터 차폐되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판의 주고받기를 행하기 위한 반송장치와, 상기 반송장치에 인접되도록 배치되어, 상기 반송장치와의 사이에서 기판을 주고받기 위하여 각각 제 1 및 제 2 개구부를 갖추는 제 1 및 제 2 처리유니트와, 상기 각 개구부를 개폐하는 제 1 및 제 2 셔터부재와, 상기 제 1 개구부가 열렸을 때에 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하는 수단을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 제 1 처리유니트가, 기판을 온도조정 또는 가열하기 위한 유니트이며, 상기 제 2 처리유니트가, 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 유니트이다.
본 발명의 기판처리장치에 있어, 상기 제 1 및 제 2 반송장치는, 덮음부재에 의해 둘러싸여 실질적으로 외부로부터 차단되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판의 주고받기를 행하기 위한 반송장치와, 상기 반송장치에 인접되도록 배치되어, 상기 반송장치와의 사이에서 기판을 주고받기 위한 각각 제 1 및 제 2 개구부를 갖추는 제 1 및 제 2 처리유니트와, 상기 각 개구부를 개폐하는 제 1 및 제 2 셔터부재와, 상기 제 1 개구부가 열려있을 때에 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하는 수단을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하는 주 반송장치와, 상기 주 반송장치의 전면측에 인접하도록 배치되어, 상기 주 반송장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판에 대하여 소정의 액을 공급하는 제 1 처리유니트와, 상기 주 반송장치의 일측면측에 인접하도록 배치되어, 상기 주 반송장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정 부 및 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부를 갖추는 제 2 처리유니트를 갖추고, 상기 제 2 처리유니트의 상기 온도조절부는 상기 주 반송장치에 인접하도록 배치되고, 상기 가열부는 상기 온도조정부에 인접하고 또 상기 주반송장치의 배면측에 돌출하도록 배치되어 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 처리부에서 열적처리를 행하는 공정과, 상기 열적처리가 행하여진 기판을 온도조정·반송부에 의해 소정의 온도로 조정하면서 기판을 반송하기 위한 주 반송부로 건네주는 공정을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 상기 주 반송부로부터 상기 온도조정·반송부로 기판을 건네주는 공정과, 상기 온도조정·반송부에 의해 기판을 소정의 온도로 조정하면서 상기 처리부로 기판을 반송하는 공정을 더 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 주 반송부로부터 온도조정·반송부로 기판을 건네주는 공정과, 온도조정·반송부에 의해 기판을 소정의 온도로 조정하면서 처리부로 기판을 반송하는 공정과, 상기 반송된 기판을 처리부에서 열적처리를 행하는 공정을 구비한다.
본 발명의 기판처리장치는, 승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 매개로 하여, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 공정을 더 구비한다.
본 발명에서는, 기판이 온도조정·반송부를 매개로 하여 처리부로부터 주 반 송부로 건네어지기 때문에, 이 단계에서 기판은 어느 정도로 온도조정된다. 따라서, 그 후 주 반송부로부터 온도조정부로 기판이 건네어진 경우에, 온도조정부에 있어서의 온도조정 시간은 단축된다. 이리하여, 기판의 온도조정처리에 필요한 시간을 실질적으로 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 기판이 온도조정·반송부를 매개로 하여 열적처리를 행하기 위한 처리부로 반송되기까지의 동안에, 기판은 온도조정·반송부에 의해 온도조정처리가 행하여져 일정한 온도로 조정되기 때문에, 항상, 일정한 온도의 기판이 열적처리를 행하기 위하여 처리부로 투입된다. 한편, 기판이 온도조정·반송부를 매개로 하여 처리부로부터 주 반송부로 반송되기까지의 동안에도, 기판은 온도조정·반송부에 의해 온도조정처리가 행하여져 일정한 온도로 조정되기 때문에, 그 후, 주 반송부로부터 온도조정부로 기판이 건네어졌을 경우에, 항상, 일정한 온도의 기판이 온도조정부로 투입된다. 따라서, 기판의 열적처리 및 온도조정처리를 보다 정밀하게 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 처리부 및 상기 온도조정·반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추고 있기 때문에, 주 반송부가 처리부로부터 열적영향을 받는 일이 없어져, 주 반송부에 의해 기판이 원하는 온도상태로 반송된다. 따라서, 기판의 열적처리 및 온도조정처리를 보다 정밀하게 행할 수 있다. 또, 기판으로의 액공급처리도 원하는 온도로 행할 수 있다.
본 발명에서는, 제 1 처리부와 제 2 처리부와 온도조정·반송부가 직선상으 로 배치되어 있기 때문에, 예를들어 온도가 상이한 열처리, 더 나아가서는 온도조정처리를 효율적이고 연속적으로 행할 수 있어, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 상승핀에 의해 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하도록 하였기 때문에, 주 반송부와 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를, 공간을 낭비하는 일 없이 효율적으로 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 개구부를 개폐하기 위한 셔터기구를 더 구비함으로써, 열처리계의 유니트와 주 반송부와의 사이에서 파티클의 유입·유출 및 상호간의 열적간섭을 최소한으로 억제할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 갖추고, 상기 주 반송부는, 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하도록 구성되어 있기 때문에, 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리부와 상기 액공급부와의 사이에 적어도 주 반송부 및 온도조정·반송부가 개재하게 된다. 따라서, 처리부가 약액공급부에 끼치는 열적영향을 극력히 억제할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 주 반송부가, 아암, 진퇴구동기구 및 회전구동기구를 일체적으로 상하방향으로 구동시키는 수직반송기구를 갖추기 때문에, 회전방향에 있어서의 관성의 저감을 꾀할 수 있고, 또 소비전력의 저감을 꾀할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 제 1 또는 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기가 가능한 위치 또는 상기 주고받기 위치에 배치되어, 상기 기판에 대하여 검사 를 행하는 검사부를 더 갖춤으로써, 기판처리의 공정 내에서 기판의 검사를 효율적으로 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 액공급유니트가 상기 처리유니트 및 상기 주 반송부보다 양압이고 또 상기 주 반송부와 상기 처리유니트가 거의 동등한 기압으로 되도록 제어하고 있기 때문에, 액공급유니트에 대하여 파티클등이 유입하는 일이 없어, 액공급유니트에서의 파티클등에 기인하는 불량을 저감시킬 수 있다.
특히, 상기 주 반송부, 상기 처리부 및 상기 액공급유니트가 각각 별개의 프레임 내에 배치되고, 상기 각 프레임은 각각 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추고, 상기 각 프레임 사이에서 인접하는 개구부 사이를 연결하는 통로는, 덮음부재에 의해 둘러싸이도록 구성함으로써, 상기 압력관리를 효율적이고 또 정밀하게 행할 수 있다.
또한, 특히, 상기 덮음부재와 적어도 한쪽의 상기 프레임과의 사이에서는 미소한 틈이 설치되어 있기 때문에, 유니트의 설치등을 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 상기 기압제어수단은, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트에 대하여 각각, 기체를 공급하는 기체공급부와, 기체를 배기하는 기체배기부와, 기압을 계측하는 기압계측부를 갖추고, 상기 계측된 기압에 의거하여 상기 기체공급부에 의해 공급되는 기체의 양 및 상기 기체배기부에 의해 배기되는 기체의 양 중의 적어도 한쪽을 제어하도록 구성시킴으로써, 각 유니트별로 정밀하게 기압의 관리를 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트의 프레임 중 적어도 하나에는, 내부 보수에 사용되는 개폐가능한 문이 배치되고, 상기 기압제어수단은, 상기 문이 열렸을 때에 프레임 내의 기압이 높아지도록 제어하도록 구성하거나, 혹은 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트의 프레임을 전체적으로 둘러쌈과 동시에, 내부 보수에 사용되는 개폐가능한 패널이 배치된 외측 프레임을 더 갖추고, 상기 기압제어수단은, 상기 패널이 열렸을 때에 외측 프레임 내의 기압이 높아지도록 제어하도록 구성함으로써, 보수시에 파티클등이 장치 내에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 주 반송부에 인접하도록 하여 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부를 배치하고, 상기 주 반송부에 대하여 상기 온도조정부가 개재하도록 처리부를 배치하고, 더 나아가서는 상기 주 반송부, 상기 액공급유니트 및 상기 처리유니트의 온도조정 또는 습도조정을 각각 별개로 행하도록 구성함으로써, 각 유니트별로 효율적이고 또 정밀하게 온도조정 또는 온도관리를 행할 수 있다. 특히, 상기 처리부가 온도조정기구에 의해 덮이도록 구성함으로써, 처리부가 다른 부위에 열적영향을 끼치는 것을 저감시킬 수 있다. 또, 상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에서 개폐가능한 열차폐판을 배치하도록 구성시킴으로써, 처리부가 온도조정부, 더 나아가서는 반송부 및 액공급유니트에 열적영향을 끼치는 일이 적어진다.
본 발명에서는, 상기 유니트 온도조정수단이 상기 액공급기구에 대하여도 온도조정 또는 습도관리를 하도록 구성함으로써, 액공급유니트에서의 액의 온도관리등을 정확하게 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 액공급유니트는, 상기 액공급유니트에 대하여 상기 액을 공급하기 위한 액공급기구를 대용할 수 있도록 구성함으로써, 공간을 유효하게 활용할 수 있고 또 상기 액공급유니트의 온도조정등을 이용할 수 있기 때문에, 액의 온도관리를 효율적으로 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 처리유니트군의 다른측에 배치되고, 상기 각 처리유니트에 대하여 진입가능한, 수직반송형임과 동시에 소정의 평면방향으로 이동가능한 제 2 주 반송장치를 갖춤으로써, 공간의 낭비를 없애어 풋프린트(footprint, 점유면적)의 최적화를 꾀할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 기판반송장치가, 상기 각 유니트에 대하여 기판의 주고받기가 가능한 수직반송형이고, 또 상기 기판반송장치를 수직방향으로 지지하는 지지부재가 전면(前面)에 배치된 상기 처리유니트측에 설치되어 있기 때문에, 처리유니트측의 반대측으로부터의 기판반송장치에 대한 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 제 1 처리유니트의 상기 제 1 개구부가 열려있을 때에, 상기 제 2 개구부가 닫히도록 각 개구부에 설치된 각 셔터부재의 개폐를 제어하도록 구성하였기 때문에, 제 1 처리유니트가 이른바 로드록실처럼 기능하여, 제 1 처리유니트의 양측에 배치된 반송장치 사이에서의 파티클등의 유입유출을 극력히 회피할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 제 1 처리유니트의 상기 제 1 개구부가 열려있을 때에, 상기 제 2 처리유니트의 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하도록 구성하였기 때문에, 제 1 처리유니트와 제 2 처리유니트와의 사이에서 파티클등이 유입유출되는 것을 극력 회피하는 것이 가능하다.
본 발명에서는, 기판에 대하여 소정의 액을 공급하는 제 1 처리유니트가 주 반송장치의 전면(全面)측에 인접하도록 배치되고, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부 및 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부를 갖추는 제 2 처리부에 있어서의 상기 온도조정부는 주 반송장치에 인접하도록 배치되고, 더 나아가서는 가열부는 온도조정부에 인접하고 또 상기 주 반송장치의 배면측에 돌출되도록 배치되어 있기 때문에, 주 반송장치 및 온도조정부가 가열부와 제 1 처리유니트와의 사이에 개재하는 단열 영역으로서 기능하여, 가열부로부터제 1 처리유니트에 대한 열적영향을 극력 회피할 수 있다.
상기 제 3 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판처리장치는, 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트가 다단으로 적층된 제 1 처리유니트군과, 상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정부를 상호로 인접시켜 일체화시킨 제 2 처리유니트가 다단으로 적층된 제 2 처리유니트군과, 상기 각 제 1 처리유니트와 상기 각 제 2 처리유니트와의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 갖추고, 상기 각 제 2 처리유니트에 있어서의 상기 가열부 및 상기 온도조정부 중에서 상기 온도조정부가 상기 제 1 처리유니트군측에 위치하도록 하면서, 상기 제 1 처리유니트군과 상기 제 2 처리유니트군을 인접시켜 배치하였다.
본 발명에서는, 상온 부근에서 기판에 대하여 액처리를 행하기 위한 제 1 처 리유니트군과, 가열부와 온도조정부를 갖추는 제 2 처리유니트군에 있어서, 온도조정부가 제 1 처리유니트측에 위치하도록 배치하였기 때문에, 제 1 처리유니트군이 제 2 처리유니트로부터 받는 열적영향을 극력히 억제할 수 있다. 이에 의해, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 때문에 제 1 처리유니트군에 있어서의 온도제어를 정밀하게 행할 수 있다.
더우기, 상기 제 1 처리유니트군에 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 갖추고, 당해 청정에어 공급부는 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 기체를 배기하고, 당해 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유니트군의 상부로부터 온도조정된 기체를 뿜어내는 것이고, 또 상기 제 1 처리유니트군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로를 갖춘다.
이와 같은 구성에 의하면, 통로가, 제 1 처리유니트군이 배치된 영역과 제 2 처리유니트군이 배치된 영역과의 사이에 있어서의 단열수단으로서 기능한다. 더우기, 관련된 단열수단인 통로 내에는 기체가 순환하고 있기 때문에, 통로 내에 열이 축적되는 일이 없어, 지극히 우수한 단열수단으로서 기능한다. 따라서, 상기 구성의 통로가 제 2 처리유니트군으로부터 제 1 처리유니트군으로의 열적영향을 방지하고, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있다.
또한, 상기 제 1 처리유니트군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 단열벽이 설치되어 있다.
이와 같은 구성에 의하면, 단열벽이 제 2 처리유니트군으로부터 제 1 처리유니트군으로의 열적영향을 방지하기 때문에, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트가 다단으로 적층된 제 1 처리유니트군과, 상기 제 1 처리유니트군에 인접하여 배치되어, 상기 각 제 1 처리유니트에 대하여 상기 소정의 액을 공급하는 처리액공급부와, 상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정부를 상호 인접시켜 일체화시킨 제 2 처리유니트가 다단으로 적층된 제 2 처리유니트군과, 상기 각 제 1 처리유니트와 상기 각 제 2 처리유니트와의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 갖추고, 상기 각 제 2 처리유니트에 있어서의 상기 가열부 및 상기 온도조정부 중에서 상기 온도조정부가 상기 처리액공급부측에 위치하도록 하면서, 상기 처리액공급부와 상기 제 2 처리유니트군이 인접하도록 배치하였다.
본 발명에서는, 상온 부근에서 기판에 대하여 액처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군과, 가열부와 온도조정부를 갖추는 제 2 처리유니트군과의 사이에 처리액공급부가 배치되고, 또 온도조정부가 처리액공급부측에 위치하도록 배치되어 있다. 즉, 제 1 처리유니트군과 가열부와의 사이에는, 온도조정처리유니트 및 처리액공급부가 개재하도록 되어, 제 1 처리유니트군 및 처리액공급부가 제 2 처리유니트군으로부터 받는 열적영향을 극력히 억제할 수 있다. 이에 의해, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군에 있어서 온도제어를 정밀하게 행할 수 있고, 또 이 제 1 처리유니트군에 공급되는 처리액의 온도관리도 용이하게 행할 수 있다.
더우기, 상기 제 1 처리유니트군에 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 갖추고, 당해 청정에어공급부는, 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 기체를 배기하고, 당해 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유니트군의 상부로부터 온도조정된 기체를 분출하는 것이고, 또 상기 처리액공급부가 배치된 영역과 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로부터 순환시키기 위한 통로를 갖춘다.
이와 같은 구성에 의하면, 통로가, 처리액공급부가 배치된 영역과 제 2 처리유니트군이 배치된 영역과의 사이에 있어서의 단열수단으로서 기능한다. 더우기, 관련된 단열수단인 통로 내에는 기체가 순환하고 있기 때문에, 통로 내에 열이 축적되는 일이 없어, 지극히 우수한 단열수단으로서 기능한다. 따라서, 상기 구성의 통로가 제 2 처리유니트군으로부터 제 1 처리유니트군 및 처리액공급부로의 열적영향을 방지하고, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군에 있어서 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있고, 또 처리액의 온도관리를 용이하게 행할 수 있다.
또한, 상기 처리액공급부가 배치된 영역과 제 1 처리유니트군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 단열벽이 설치되어 있다.
이와 같은 구성에 의하면, 단열벽이 제 2 처리유니트군으로부터 제 1 처리유 니트군 및 처리액공급부로의 열적영향을 방지하기 때문에, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있고, 또 처리액의 온도관리를 용이하게 행할 수 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트가 다단으로 적층된 제 1 처리유니트군과, 상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정부를 상호로 인접시켜 일체화시킨 제 2 처리유니트가 다단으로 적층된 제 2 처리유니트군과, 상기 액처리가 행하여진 기판에 대하여 노광처리를 행하는 노광유니트를 갖추고, 상기 노광유니트로의 기판반입 전에 상기 제 2 처리유니트의 온도조정부에서 기판이 대기된다.
본 발명에서는, 제 2 처리유니트의 온도조정부가, 온도조정처리를 행하는 기능 이외에, 노광 전의 기판을 대기시키는 대기장소로서의 기능도 갖출 수 있어, 예를들어 기판을 보지하는 카세트를 따로 설치할 필요가 없다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 설명한다.
도 1∼도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 의한 기판처리장치의 전체구성을 나타내는 도이고, 도 1은 평면도, 도 2는 정면도, 도 3은 배면도이다.
이 기판처리장치(1)는, 피처리기판으로서의 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(CR)에서 복수로, 예를들어 25매 단위로 외부로부터 시스템에 반입 또는 시스템으로부터 반출하거나, 웨이퍼 카세트(CR)에 대하여 반도체 웨이퍼(W)를 반입·반출 하기 위한 주고받기부로서의 카세트 스테이션(10)과, 도포현상공정 중에서 1매씩 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하는 낱장식의 각종 처리유니트를 소정 위치에 다단으로 배치하여 형성된 처리스테이션(12)과, 이 처리스테이션(12)에 인접하여 설치되는 노광장치(도시 않됨)와의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 인터페이스부(4)를 일체로 접속시킨 구성을 갖추고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 카세트 재치대(20) 상의 돌기(20a)의 위치에 복수개로, 예를들어 5개의 웨이퍼 카세트(CR)가 각각의 웨이퍼(W)의 출입구를 처리스테이션(12)측으로 향하게 하여 X방향을 따라 일렬로 재치되어, 카세트 배열방향(X방향) 및 웨이퍼 카세트(CR) 내에 수용된 웨이퍼의 웨이퍼 배열방향(Z방향)으로 이동가능한 웨이퍼 반송체(22)가 각 웨이퍼 카세트(CR)에 대하여 각각 선택적으로 진입할 수 있도록 되어 있다. 더우기, 이 웨이퍼 반송체(22)는 방향으로 회전이 가능하도록 구성되어 있고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 후술하는 다단구성으로 된 제 3 처리유니트부(G3)에 속하는 열처리계유니트에도 진입이 가능하도록 되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이 처리스테이션(12)은, 장치배면측(도 내의 상방)에 있어, 카세트 스테이션(10)측으로부터 제 3 처리유니트부(G3), 제 4 처리유니트부(G4) 및 제 5 처리유니트부(G5)가 각각 배치되고, 이들 제 3 처리유니트부(G3)와 제 4 처리유니트부(G4)와의 사이에는, 제 1 주 반송부로서의 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)가 설치되어 있다. 상기 제 1 주 반송부(A1)는, 후술하는 바와 같이, 상기 제 1 주 웨이퍼 반송체(16)가 제 1 처리유니트부(G1), 제 3 처리유니 트부(G3) 및 제 4 처리유니트부(G4)등에 선택적으로 진입할 수 있도록 설치되어 있다. 또, 제 4 처리유니트부(G4)와 제 5 처리유니트부(G5)와의 사이에는 제 2 주 반송체로서의 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)가 설치되어, 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)는, 상기 제 2 주 웨이퍼 반송체(17)가 제 2 처리유니트부(G2), 제 4 처리유니트부(G4) 및 제 5 처리유니트부(G5)등에 선택적으로 진입할 수 있도록 되어 있다.
또, 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)의 배면측에는 열처리유니트가 설치되어 있어, 예를들어 웨이퍼(W)를 소수화처리하기 위한 어드히젼유니트(AD)(110), 웨이퍼(W)를 가열하는 가열유니트(HP)(113)가 도 3에 나타낸 바와 같이 하방으로부터 차례로 2단씩 적층되어 있다. 어드히젼유니트(AD)는 웨이퍼(W)의 온도조정을 행하는 기구를 더 갖추는 구성으로 하여도 좋다. 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)의 배면측에는, 웨이퍼(W)의 엣지(edge)부만을 선택적으로 노광하는 주변노광장치(WEE)(120) 및 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트막 두께를 검사하는 검사부로서의 검사장치(119)가 설치되어 있다. 이들 주변노광장치(WEE)(120) 및 검사장치(119)는 다단으로 배치되어도 좋다. 또, 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)의 배면측은, 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)의 배면측과 마찬가지로 열처리유니트가 배치되는 구성일 경우도 있다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 제 3 처리유니트부(G3)에는, 웨이퍼(W)를 재치대에 올려 소정의 처리를 행하는 오븐형의 처리유니트, 예를들어 웨이퍼(W)에 소정의 가열처리를 행하는 제 1 열처리유니트인 고온도 열처리유니트(BAKE), 웨이퍼(W)에 높은 정도의 온도관리화에서 가열처리를 실시하는 고정도 온도조정유니트(CPL), 웨 이퍼 반송체(22)로부터 주 웨이퍼 반송체(16)로의 웨이퍼(W) 주고받기부인 트랜지셔널유니트(TRS), 온도조정유니트(CPL)가 밑에서부터 차례로, 예를들어 10단으로 적층되어 있다. 덧붙여 설명하면, 제 3 처리유니트부(G3)에 있어서, 본 실시예에서는 밑에서부터 3단째는 스페어 공간으로서 설치되어 있다. 제 4 처리유니트부(G4)에도, 예를들어 제 4 열처리유니트로서 포스트베이킹유니트(POST), 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 가열처리를 실시하는 제 2 열처리유니트인 프리베이킹유니트(PAB), 고정도 온도조정유니트(CPL)가 밑에서부터 차례로 10단으로 적층되어 있다. 또, 제 5 처리유니트부(G5)에도, 예를들어 노광 후의 웨이퍼(W)에 가열처리를 행하는 제 3 열처리유니트로서의 포스트엑스포져베이킹유니트(PEB), 고정도 온도조정유니트(CPL)가, 예를들어 위에서부터 차례로 10단으로 중첩되어 있다.
도 1에 있어 처리스테이션(12)의 장치정면측(도 내의 하방)에는, 제 1 처리유니트부(G1)와 제 2 처리유니트부(G2)가 Y방향으로 병설되어 있다. 상기 제 1 처리유니트부(G1)와 카세트 스테이션(10)과의 사이 및, 제 2 처리유니트부(G2)와 인터페이스부(14)와의 사이에는, 각 처리유니트부(G1 및 G2)에 공급하는 처리액의 온도조정에 사용되는 액온도조정 펌프(24, 25)가 각각 설치되어 있고, 또 이 처리시스템 외에 설치된 공기조정기로부터의 청정한 공기를 각 처리유니트부(G1∼G5) 내부에 공급하기 위한 덕트(31, 32)가 설치되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리유니트부(G1)에서는, 컵(CP) 내에서 반도체 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 소정의 처리를 행하는 액공급유니트로서의 5대의 스피너형 처리유니트, 예를들어 레지스트 도포유니트(COT)가 3단, 및 노광시의 빛의 반사를 방지하기 위하여 반사방지막을 형성하는 버텀코우팅(bottom coating)유니트(BARC)가 2단으로, 밑에서부터 차례로 5단으로 중첩되어 있다. 또, 제 2 처리유니트부(G2)에서도 마찬가지로 5대의 스피너형 처리유니트가, 예를들어 현상유니트(DEV)가 하방으로부터 차례로 5단으로 중첩되어 있다. 레지스트 도포유니트(COT)에서는 레지스트액의 배액이 기구적으로나 메인터넌스적으로도 번잡하기 때문에, 이와 같이 하단에 배치하는 것이 바람직하다. 그러나, 필요에 따라 상단에 배치하는 것도 가능하다.
이상의 제 1∼제 5 처리유니트부(G1∼G5) 및 어드히젼유니트(110), 가열유니트(HP)(113), 노광처리장치(WEE)(120), 검사장치(119)는 각 메인터넌스를 위하여 떼어내는 것이 가능하도록 되어 있고, 또 처리스테이션(12)의 배면측 패널(40)(도 1)도 떼어내거나 개폐가 가능하도록 부착되어 있다.
또한, 제 1 및 제 2 처리유니트부(G1 및 G2)의 최하단에는, 각 처리유니트부(G1 및 G2)에 상술한 소정의 처리액을 공급하는 액공급기구로서의 케미칼실(CHM)(26, 27)이 각각 설치되어 있다.
덧붙여 설명하면, 카세트 스테이션(10)의 하방부에는 이 기판처리장치(1)의 시스템 전체를 제어하는 집중제어실(8)이 설치되어 있다.
인터페이스부(14)의 정면부에는 가반성의 픽엎(pick up)카세트(CR)와 정치형의 버퍼 카세트(BR)가 설치되고, 중앙부에는 웨이퍼 반송체(27)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 반송체(27)는, X, Z방향으로 이동하여 양 카세트(CR, BR)에 진입하도록 되어 있다. 또, 웨이퍼 반송체(27)는 방향으로 회전이 가능하도록 구성되어, 제 5 처리유니트(G5)에도 진입할 수 있도록 되어 있다. 또, 도 3에 나타낸 인터페이스부(14)의 배면부에는, 고정도 온도조정유니트(CPL)가 복수로 설치되어, 예를들어 상하 2단으로 되어 있다. 웨이퍼 반송체(27)는 이 온도조정유니트(CPL)에도 진입이 가능하도록 되어 있다.
다음, 도 4∼도 10은 참조하여 주 반송부로서의제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)의 구성에 관하여 설명한다. 덧붙여 설명하면, 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)는 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)와 동일하기 때문에 그 설명을 생략한다.
도 4에 있어서 주 웨이퍼 반송부(A1)는, 프레임(41) 및 그 프레임(41)의 배면측에 있어 개폐가 가능하도록 부착된 문(38)에 의해 둘러싸여 있고, 도 5에서 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 프레임(41) 및 문(38)의 설명을 생략하고 있다. 이 문(38)에는 어드히젼유니트(AD)(110)에 진입할 수 있도록, 또 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)의 경우에서는 주변노광장치(120) 및 검사장치(119)에 진입할 수 있도록 창문(38a)이 형성되어 있다. 프레임(41)에도 외부로부터의 접근이 가능하도록, 정면과 측면에 창문(41b 및 41a)이 형성되어 있다. 정면의 창문(41b)은, 5단으로 설치된 제 1 처리유니트부(G1)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위하여 5개(도 5)가 설치되어 있고, 한편 측면의 창문(41a)은 도 6에 나타낸 바와 같이, 10단으로 설치된 제 3 및 제 4 처리유니트부(G3, G4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위하여 10개가 설치되어 있다. 필요에 따라 이들 창문을 늘리는 것도 줄이는 것도 가능하다. 또, 프레임(41)의 양측면에는, 제 3 및 제 4 처리유니트부(G3, G4)와의 사이를 연결하는 덮음부재(44)가, 당해 처리유니트부(G3 및 G4)에 대하여 미소한 틈(u)을 사이에 두고 각각 설치되어 있다. 이 틈은 파티클의 발생 및 침입을 억제할 수 있는 거리이고, 예를들어 0.5mm로 되어 있다. 상기 덮음부재(44)의 처리유니트부(G3, G4)측은 각각 충격흡수성의 팩킹(30)을 갖추고, 또 도 6에 나타낸 바와 같이 이 팩킹(30)에도 각각 대응하는 창문(30a)이 각각 형성되어 있다. 또, 덮음부재에 각각의 창문(30a)을 간막이하도록 간막이판(34)이 각각 설치되어 있다.
또, 도 4에 있어 제 1 및 제 2 처리유니트부(G1 및 G2)측의 프레임(41')에 설치된 5개의 개구부(97)에 대응하는 부분에도, 덮음부재(44)와 마찬가지의 구성을 가지는 덮음부재(44')가, 주 웨이퍼 반송부(A1)(A2)로부터 미소한 간격(u)(예를들어 0.5mm)을 두고 설치되어 있다.
제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)의 바닥부에는, 이 내부의 기압 및 온도 습도를 제어하는 팬(fan)(36)이, 예를들어 4개가 설치되어 있다. 이들의 팬(36)은 집중제어부(8)(도 2)에 의해 운전이 제어되도록 되어 있다.
도 4 및 도 5에서 나타내는 바와 같이, 프레임(44) 내의 제 1 및 제 2 처리유니트부(G1 및 G2)측에는 연직의 폴(pole)(33)이 설치되어 있고, 상기 폴(33) 한측 내부에는, 그 상단부 및 하단부에 도 7에 나타내는 바와 같이 한쌍의 풀리(51, 52)가 설치되고, 이들 풀리(51, 52) 사이에 수직구동수단인 무단벨트(無斷belt)(49)가 설치되어 있다. 상기 수직구동벨트(49)에 벨트 크램프(belt clamp)(47)를 매개로 하여 제 1 주 웨이퍼 반송체(16)의 지지부(45)가 접속되어 있다. 또, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이 지지부(45)에는 플랜지부(45a)가 설치되어 있고, 상기 플랜지부(45a)는 양 폴(33)에 각각 형성된 슬리브(33a)에 습동이 가능하도록 계합(係合)되어 있다. 하부 풀리(52)는, 폴(33)의 바닥부에 고정배치된 구동모터(M)의 회전축(Ma)에 접속되어, 구동풀리를 구성하고 있다. 이와 같은 수직벨트구동기구 및 수직습동기구에 의해, 주 웨이퍼 반송체(16)는 구동모터(M)의 구동력에 의해 수직방향으로 승강이동이 가능하도록 되어 있다.
이상의 승강기구는 다른쪽의 폴(33)에도 마찬가지로 설치되어 있지만, 이 다른쪽 폴(33)에 있어서는 구동모터(M)가 없어도 좋다.
주 웨이퍼 반송체(16)는, 그 지지부(45)에는 모터(50)가 내장되어 있고, 이 모터(50)에는 방향(도 5)으로 회전이 가능한 회전로드(46)가 연결되고, 상기 회전로드(46)의 상단에는 3개의 아암(7a, 7b 및 7c)의 기단(基端)으로 되는 아암기단부(55)가 고정되어 있다.
도 8은, 주 웨이퍼 반송체(16)를 도 4의 상태에 있어 정면측으로부터 본 도이다. 아암기단부(55)의 선단부 양측에는 수직부재(95)가 설치되고, 이들 수직부재(95)에는, 상단아암(7a)과 중단아암(7b)과의 사이에 양 아암으로부터의 방사열을 차단하는 차폐판(9)이 설치되고, 또 이들 수직부재(95) 사이에 걸쳐져 있는 부착부재(96)가 설치되어 있다. 이 부착부재(96)의 중앙 및 아암기단부(55)의 선단에는 한쌍의 광학적 센서(94)가 설치되어, 이들에 의해 각 아암 상의 웨이퍼(W)의 유무, 및 웨이퍼(W)의 빗겨짐등이 확인된다.
도 9는 주 웨이퍼 반송체(16)의 기단부(55)의 구성을 나타내는 단면도, 도 10은 도 9에 있어서의 [10]-[10]선 단면도이다. 각 아암(7a∼7c)의 아암기단부에는, 아암지지판(54)이 각각 고정되어 있다. 이들 아암지지판(54)은, 단면 L자 모양으로 형성되고, 각 아암 지지판(54)에는, 기단부(55)의 베이스(55a) 상에 깔려진 레일(61)을 따라 아암의 기름한 쪽 방향으로 이동이 가능한 아암 캐리지(arm carriage)(56)가 각각 고착되어 부착되어 있다.
각 아암 캐리지(56)의 하부에는, 각 레일(61)에 습동이 가능하도록 계합된 가이드(62)가 각각 설치되어 있다. 또, 각 아암 캐리지(56)의 내면측은, 아암 원위치베이스(55)의 기단부(55b) 부근에 각각 설치된 풀리(63)와 아암 왕복단 위치 베이스(55)의 선단부(55c) 부근에 각각 설치된 풀리(64)와의 사이에 각각 걸쳐져 있는 각 구동벨트(65)에, 각각 벨트 크램프(66)를 매개로 하여 고착되어 있다. 각 풀리(68)는 각각 축받침(67)을 매개로 하여 풀리(68)에 각각 동축결합되고, 이들 각 풀리(68)는 각각 구동벨트(69)를 매개로 하여 각각 풀리(70)에 연결되고, 이들 각 풀리(70)는 각각 구동모터(60)의 회전축에 고착되어 있다.
각 모터(60)의 회전축이 회전되면, 각 풀리(70), 각 구동벨트(69), 각 풀리(68)를 매개로 하여 각 풀리(63)가 회전하고, 각 풀리(63)의 회전구동에 의하여 각 구동벨트(65)가 구동하고, 각 구동벨트(65)와 함께 각 아암 캐리지(56)가 각 레일(61) 상을 레일을 따라 이동하도록 되어 있고, 이 이동방향은 각 모터(60)의 회전방향에 따라 결정된다. 덧붙여 설명하면, 이들 모터는, 당연히 각각 독립하여 구동하도록 되어 있고, 각 아암(7a∼7b)은 각각 독립하여 이동이 가능하도록 되어 있다.
이상과 같이 주 웨이퍼 반송체(16)의 구성에 따라 각 아암(7a∼7b)은 방향으로 회전이 가능하도록 되어 있고, X, Y, Z방향으로 이동이 가능하도록 되어, 상술한 바와 같이 각 처리유니트부(G1, G3 및 G4)에 진입이 가능하게 된다.
다음에 도 11∼도 13을 참조하여, 제 4 처리유니트부(G4), 제 5 처리유니트부(G5)에 속하는 10단 중의 프리베이킹유니트(PAB), 포스트엑스포져베이킹유니트(PEB), 포스트베이킹유니트(POST)에 관하여 설명한다. 이들의 각 베이킹유니트는 처리온도가 상이할 뿐이다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 이와 같은 열처리유니트는 프레임(75) 내에, 시스템 정면측에 열처리장치(H), 배면측에 온도조정·반송장치(C)를 갖추고 있다. 열처리장치(C)는, 원통형의 지지체(88) 내에 적당한 단열재를 매개로 하여, 전열선(86b)에 의해 가열되는 핫플레이트(86)가 설치되어 있다. 지지체(8)의 하방에는 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 3개의 핀(85)이 구동장치(82)에 의해 승강이 가능하도록 되어 있고, 이 3개의 핀(85)은 핫플레이트(86)에 형성된 관통구멍(86a)에 파묻혀 배치되어 있다.
한편, 온도조정·반송장치(C)는, 방향을 따라 설치된 예를들어 2개의 안내레일(77)을 따라 각각 이동이 가능한 슬라이더(79a, 79b)가 설치되고, 이들 슬라이더(79a, 79b)에 각각 부착된 연결부재(78, 78)를 매개로 하여, 온도조정·반송플레이트(71)가 고정되어 있다. 온도조정·반송플레이트(71)의 하방에는 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 승강핀(84)이 구동장치에 의해 승강이 가능하 도록 설치되어 있다. 온도조정·반송플레이트(71)에는, 그 하방에 묻혀 있는 각 승강핀(84)이 상승이 가능하도록 변환부(71a)가 형성되어 있다. 상기 온도조정기구는 예를들어 냉각수등을 사용하여 웨이퍼(W)의 온도를 소정의 온도, 예를들어 40℃ 전후로 조정하여 온도제어를 행하고 있다. 한쪽의 슬라이더(79a)에는 구동장치(도시 않됨), 예를들어 에어라든가 모터에 의한 구동장치가 설치되어 있고, 다른쪽의 슬라이더(79b)에는 동작위치확인을 위한 센서(도시 않됨)이 설치되어 있다.
프레임(75)의 정면측(도 내의 좌측)에는, 후술하는 기압제어를 위하여 에어의 유로(75c)가 형성되어 있고, 이 유로(75c)는 팬(fan)(87a)을 매개로 하여 온도조정·반송장치(C)에 연결되어 있다. 또한, 상기 유로(75c)는 도시되지 않은 연직방향(Z방향)으로 최상단으로부터 최하단으로까지 통하고 있다. 또, 열처리장치(H)측에 있어서의 프레임(75)의 양 측면에 있어서도 팬(87b)이 각각 설치되고, 배기구(75d)가 형성되어, 마찬가지로 최상단으로부터 최하단으로까지 통하고 있다.
더우기 이 프레임(75)의 온도조정·반송장치(C)측의 한쪽 측면부분에는, 예를들어 제 4 처리유니트부(G4)에 관하여도 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위하여 개구부(75a)가 설치되어 있고, 다른쪽 측면부분에는, 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)의 창문(41a)에 대향하도록 개구부(75b)가 설치되어 있다. 이들 개구부(75a, 75b)에는 각각 개폐가 자유로운 셔터(76a, 76b)가 설치되어 있다. 셔터(76a, 76b)는 집중제어부(8)의 구동부(도시 생략)에 의해 개폐동작이 행하여지도록 되어 있다.
도 13은 제 4 처리유니트부(G4)제 5 처리유니트부(G5) 전체의 측단면도이고, 열처리장치(H)측의 양측면부분에 도시된 바와 같이, 제 4 처리유니트부(G4){제 5 처리유니트부(G5)} 외부로의 열확산을 억제하고, 장치내 환경의 온도상승을 억제하기 위하여, 냉각수를 유통시키는 온도조정 파이프(90)가 최상단으로부터 최하단으로까지 설치되고, 도시되지 않은 처리유니트부(G4)(G5)의 하방부에 설치된 펌프에 접속되어 있다.
다음 도 14를 참조하여, 모든 열처리계의 유니트제 3∼제 5 처리유니트부(G3∼G5)에 속하는 온도조정부로서의 고정도 온도조정유니트(CPL)에 관하여 설명한다. 이에 관하여는, 상기한 프리베이킹 유니트(PAB)등에 있어서의 온도조정·반송장치(C)가 고정도 온도조정장치(C2)를 대신하고, 열처리장치(H)가 없는 구성으로 되어 있는 것으로서, 프리베이킹 유니트(PAB)등에 있어서 구성요소가 동일한 것에 관하여는 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.
상기 고정도 온도조정장치(C2)는, 원통형의 지지체(131) 내에 고정도 플레이트(133)가 설치되어 있다. 상기 고정도 온도조정플레이트(133)에서는 도시되어 있지 않지만, 예를들어 펠티에소자(Peltier素子)를 사용하여 피드백 제어에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 소정의 온도, 예를들어 23℃로 조정하여 정밀한 온도제어가 행할 수 있도록 되어 있다. 지지체(133)의 하방에는 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 3개의 승강핀(85)이 구동장치(82)에 의해 승강이 가능하도록 설치되어 있고, 이 승강핀(85)은 고정도 온도조정플레이트(133)에 형성된 관통구멍(133a)에 배치되어 있다.
다음, 도 15를 참조하여, 제 3 처리유니트부(G3)에 속하는 고온도 열처리유 니트(BAKE)의 구성에 관하여 설명한다. 덧붙여 설명하면 프리베이킹유니트(PAB)등에 있어서의 구성요소와 동일한 것에 관하여는 동일한 부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.
프레임(75) 내의 시스템 정면측에는 온도조정부로서의 온도조정장치(C1)가 배치되고, 상기 온도조정장치(C1)는 원통형의 지지체(161) 내에 온도조정 플레이트(163)가 설치되어 있다. 상기 온도조정 플레이트(163)의 온도제어는, 상기 프리베이킹유니트(PAB)등과 마찬가지로, 예를들어 냉각수등을 사용하여 행하여지고 있다. 한편, 배면측에는 프리베이킹 유니트(PAB)등에 있어서의 열처리장치(H)보다도 더 높은 온도로 가열처리를 행하는 고온도 열처리장치(HH)가 배치되어 있다. 이 고온도 열처리장치(HH)의 구성은 열처리장치(H)와 마찬가지로, 원통형의 지지부재(88)에 적당한 단열재를 매개로 하여, 고온도 핫플레이트(112)가 설치되어 있다. 지지부재(88)의 하방에는 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 3개의 핀(85)이 구동장치(82)에 의해 승강이 가능하도록 설치되어 있고, 상기 3개의 핀(85)은 각각 핫플레이트(112)에 형성된 관통구멍(112a)에 이몰되어 배치되어 있다.
이 온도장치(C1)와 고온도 열처리장치(HH)와의 거리를, 프리베이킹유니트(PAB)등에 있어서의 온도조정·반송장치(C)와 열처리장치(H)와 비교하여 크게 설정하고 있는 것은, 고온도 열처리장치(HH)의 고온도에 의한 열처리의 영향이, 온도조정장치(C1)의 온도조정처리에 악영향을 끼치지 않도록 하기 위함이다.
이들 온도조정장치(C), 고온도 열처리장치(HH)의 측방에는, 안내레일(118)이 X방향으로 연장되어 설치되어 있고, 상기 안내레일(118)을 따라 구동장치(도시 않됨)에 의해 이동이 가능하도록 웨이퍼(W)를 반송하는 부 반송부로서의 서브아암(115)이 설치되어 있다. 이 서브아암(115)은, 한쌍의 핸드(115a, 115a)를 갖추고 있다.
제 4 및 제 5 처리유니트부(G4 및 G5)의 하방 2단에 속하는 온도조정유니트(TCP)의 상세한 구성에 관하여는 도시하지 않지만, 상술한 고정도 온도조정유니트(CPL)와 마찬가지의 구성을 갖추고 있고, 상기 온도조정유니트(TCP)의 온도조정기구로서는 냉각수라든가 펠티에소자등을 사용하여 온도제어가 행하여지고 있다. 예를들어, 이 경우의 펠티에소자의 수는 고정도 플레이트(133)의 펠티에소자의 수보다 적다.
도 16은 제 3 처리유니트부(G3)에 속하는 트랜지셔널유니트(TRS)를 나타낸다. 이들은 다른 열처리유니트와 달리, 열처리계의 장치등 예를들어 온도조정장치(C1)가 없고, 승강핀(85)에 있어서도 그것을 승강구동시키는 구동장치가 있을 뿐이다. 이 트랜지셔널유니트(TRS)에 있어서, 그 외의 구성요소는 고정도 온도조정유니트(CPL)등과 동일하다. 또, 상술한 제 3 처리유니트부(G3)에 속하는 스페어 공간도 도시하고 있지는 않지만, 트랜지셔널유니트(TRS)와 마찬가지로 다른 유니트와의 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위하여, 승강핀과 그것을 승강구동시키는 구동장치가 있을 뿐이다.
다음, 도 17 및 도 18에 나타내는 레지스트 도포유니트(COT)의 구성을 설명한다. 상기 유니트에서는, 프레임(41')의 상방에 후술하는 에어의 제어를 위한 팬 ·필터유니트(F)가 설치되어 있고, 하방에 있어서는 프레임(41')의 Y방향의 폭보다 작은 유니트 바닥판(151)의 중앙 부근에 고리모양의 컵(CP)이 설치되고, 이 내측에는 스핀척(142)이 배치되어 있다. 상기 스핀척(142)은, 진공흡착에 의해 웨이퍼(W)를 고정시켜 보지한 상태에서, 구동모터(143)의 회전구동력에 의해 회전하도록 구성되어 있다. 컵(CP) 내에는 웨이퍼(W)를 주고받을 때의 핀(148)이 구동장치(147)에 의해 승강이 가능하도록 설치되고, 또 폐액관(141)의 드레인구(145)가 설치되어 있다. 이 드레인구에 폐액관(141)이 접속되고, 이 폐액관(141)은 유니트바닥판(151)과 프레임(41') 사이의 공간(N)을 이용하여 하방의 폐액구(도시 않됨)으로 통하고 있다. 폐액관(141a)은 복수로 설치되어 있는 레지스트 도포유니트(COT)에 각각 접속되어 있다. 이 때문에, 각 폐액관(141a)은 이 처리유니트부에 도시된 바와 같이 1열로 배열되어 있다.
한편, 반대측(도 17에 있어서의 우측)의 프레임(41')과 유니트 바닥판 사이의 공간에 의해, 후술하는 기압 제어를 위한 에어의 유로가 형성되어 있고, 이 레지스트 도포유니트(COT) 하단에 있는 타 레지스트 도포유니트(COT)의 팬·필터유니트(F)가 보이고 있다.
웨이퍼(W)의 웨이퍼 표면에 레지스트를 공급하기 위한 노즐(135)은, 공급관(134)을 매개로 하여 케미칼실(CHM)(26)(도 2) 내의 액공급기구(도시 않됨)에 접속되어 있다. 노즐(135)은, 컵(CP)의 외측에 설치된 노즐대기부(146)에서 노즐스캔아암(136)의 선단부에 탈착이 가능하도록 부착되고, 스핀척(142)의 상방에 설정된 소정의 레지스트 토출위치로까지 이송되도록 되어 있다. 노즐스캔아암(136) 은, 유니트 바닥판(151) 상에 하나의 방향(Y방향)으로 깔려진 가이드레일(144) 상에서 수평으로 이동이 가능한 수직지지부재(149)의 상단부에 부착되어 있고, Y방향구동기구(도시 않됨)에의해 수직지지부재(149)와 일체로 되어 Y방향으로 이동하도록 되어 있다.
노즐스캔아암(136)은, 노즐대기부(146)에서 노즐(135)을 레지스트의 종류에 따라 선택적으로 부착시키기 위하여 Y방향에 직각인 X방향으로도 이동이 가능하고, X방향구동기구(도시 않됨)에 의해 X방향으로도 이동하도록 되어 있다.
더우기 컵(CP)과 노즐대기부(146) 사이에는 드레인 컵(138)이 설치되어 있고, 이 위치에서 웨이퍼(W)에 대한 레지스트의 공급에 앞서 노즐(135)의 세정이 행하여지도록 되어 있다.
가이드레일(144) 상에는, 상기한 노즐스캔아암(136)을 지지하는 수직지지부재(149)뿐만이 아니고, 린스 노즐스캔아암(139)를 지지하여 Y방향으로 이동이 가능한 수직지지부재도 설치되어 있다. 린스 노즐스캔아암(139)의 선단부에는 사이드 린스용의 린스노즐(140)이 설치되어 있다. Y방향 구동기구(도시 않됨)에 의해 린스 노즐스캔아암(139) 및 린스노즐(140)은, 컵(CP)의 측방에 설정된 노즐대기위치(실선의 위치)와 스핀척(142)에 재치되어 있는 웨이퍼(W) 둘레부의 바로 위에 설정된 린스액 토출위치(점선의 위치)와의 사이에서 병렬 전진 또는 직선이동하도록 되어 있다.
다음, 도 19 및 도 20에 나타낸 현상유니트(DEV)의 구성을 설명한다. 이 현상유니트(DEV)에 있어서, 레지스트 도포유니트(COT)에 있어서의 구성과 동일한 구 성에 관하여는 동일한 부호를 사용하고 그 설명을 생략한다.
웨이퍼(W)의 웨이퍼 표면에 현상액을 공급하기 위한 노즐(153)은, 웨이퍼(W)의 직경보다 조금 더 길고, 현상액을 토출하는 구멍(도시 않됨)이 복수로 형성되어 있다. 컵(CP)의 측방에는 노즐대기부(154)가 설치되고, 이곳에는 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 씻어내기 위한 린스액을 공급하기 위한 린스노즐(155)을 갖추고 있다. 이 린스노즐(155)은, 노즐(153)과 마찬가지의 구성으로 되어 있다. 또, 이 노즐대기부(154)에는, 노즐(135)의 선단에서 건조되어 열화된 현상액을 폐기하기 위하여, 정기적 또는 필요에 따라 더미 디스펜스(dummy dispense)가 행하여지도록 되어 있다.
덧붙여 설명하면, 레지스트 도포유니트(COT)의 노즐스캔아암(136)은 X방향으로도 이동이 가능하지만, 이 현상유니트(DEV)의 노즐스캔아암은 가이드레일(144)을 따라 Y방향으로의 이동만 가능하도록 되어 있다.
또한, 버텀코우팅유니트(BARC)에 관하여도 레지스트 도포유니트(COT)에 있어서의 도포액을 반사방지막 재료로 바꿀 뿐이기 때문에, 여기서는 그 구성의 설명을 생략한다.
다음, 이상에서 설명한 기판처리장치(1)의 일련의 동작을 도 21에 나타낸 순서도를 참조하면서 설명한다.
먼저, 카세트 스테이션(10)에 있어서, 웨이퍼 반송체(22)가 카세트 재치대(20) 상의 처리 전의 웨이퍼를 수용하고 있는 카세트(CR)에 진입하여 그 카세트(CR)로부터 1매의 반도체 웨이퍼(W)를 꺼낸다(S1). 웨이퍼 반송체(22)는, 카세 트(CR)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 꺼내면, 방향으로 180°회동하고 제 3 처리유니트부(G3)에 있어서의 온도조정유니트(CPL) 개구부(75a)의 셔터(76a)(도 11, 도 12)가 열리고, 웨이퍼 반송체(22)의 핸드가 개구부(75a)로부터 프레임(75) 내에 웨이퍼(W)를 삽입하여, 온도조정 플레이트 상에 재치된다. 그리고 소정의 온도조정처리(제 1 온도조정)가 행하여진다(S2).
온도조정유니트(TCP)에서의 온도조정처리가 종료되면, 반대측의 개구부(75b)가 열려, 그곳으로부터 제 1 주 웨이퍼 반송체(16)의 상단아암(7a)이 삽입되어 웨이퍼(W)가 당해 아암(7a)으로 전달된다. 그리고 주 웨이퍼 반송체(16)는 도 4에 있어서 반시계방향으로 90°회동하고, 제 1 처리유니트부(G1)에 속하는 버텀코우팅유니트(BARC)의 셔터(43)가 열리고, 상단아암(7a)이 프레임 내에 삽입되어, 웨이퍼(W)는 소정의 위치에 재치되어 반사방지막의 형성이 행하여진다(S3). 이와 같이 온도조정계의 처리유니트로부터 도포계의 처리유니트(G1 및 G2)로의 웨이퍼(W)의 반송은 상단아암(7a)에 의해서만 행하고, 후술하는 가열처리 후의 반송은 중단아암(7b) 또는 하단아암(7c)에 의해 행함으로써, 웨이퍼(W)로의 열영향을 최소한으로 억제할 수 있다.
버텀코우팅유니트(BARC)에 있어서 소정의 처리가 종료되면, 셔터(43)가 열려 중단아암(7b)또는 하단아암(7c)이 삽입되어 웨이퍼(W)가 전달되고, 중단아암은 원래의 위치프레임(41)내에 돌아간다(S4). 이 가열온도는 예를들어 120℃이다.
다음, 도 15에 나타낸 고온도 열처리유니트(BAKE)에 있어서, 셔터(76b)가 열리고 도 15에 나타낸 셔터(76)가 열려, 웨이퍼(W)가 재치된 제 1 주 웨이퍼 반송 체(A1)의 중단아암(7b)또는 하단아암(7c)이 Y방향으로 온도조정장치(C1)의 바로 상측위치로까지 이동하고, 온도조정장치(C1)에 있어서의 상승핀(127)이 상승하여, 서브아암(115)의 높이보다도 높은 위치에서 당해 핀(127) 상에 웨이퍼(W)가 재치된 후, 중단아암(7b)은 원래의 위치로 돌아감과 동시에 셔터(76)가 닫혀진다. 이 때 서브아암(115)은, 주 웨이퍼 반송체(16)의 동작을 방해하지 않도록 유니트 중앙 부근에서 대기하고 있다. 그리고 대기하고 있던 서브아암(115)이 온도조정장치(C1) 상으로 이동한다. 그리고 승강핀(127)이 웨이퍼(W)를 올리고 있는 상태에서 하강하여 웨이퍼(W)는 서브아암(115)으로 전달된다.
웨이퍼(W)를 건네받은 서브아암(115)은, X방향으로 배면측으로 이동하여, 마찬가지로 승강핀의 구동에 의해 다음 공정인 고온도 열처리장치(HH)의 핫플레이트(112) 상에 재치하여 소정의 제 1 후단계 가열처리를 행한다. 이 가열처리는 예를들어 230℃에서 소정의 시간 동안만 가열한다.
그리고, 고온도 열처리장치(HH)에 의해 소정의 열처리가 종료되면, 웨이퍼(W)는 서브아암(115)에 의해 온도조정장치(C1)로까지 이동하여, 승강핀(127)을 매개로 하여 온도조정 플레이트(163) 상에 재치되어 소정의 온도로 조정된다(S6).
그리고, 웨이퍼(W)는 제 1 주 웨이퍼 반송체(16)에 의해, 고온도 열처리유니트(BAKE)로부터 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)로 반송되어, 여기서부터 제 4 처리유니트부(G4)에 속하는 고정도 온도조정유니트(CPL)로 마찬가지의 동작으로 반송된다. 그리고 여기서, 예를들어 23℃도로 소정의 온도조정처리가 행하여진다(제 2 온도조 정)(S7).
그리고 온도조정처리가 종료되면, 도 17에 나타낸 셔터(43)가 열리고, 제 1 처리유니트부(G1)에 속하는 레지스트 도포유니트(COT)로 반송되어, 레지스트액의 도포처리가 행하여지게 된다(S8).
상기 레지스트 도포유니트(COT)에는, 웨이퍼(W)가 컵(CP)의 바로 위측위치로까지 반송되어 오면, 먼저 핀(148)이 상승하여 웨이퍼(W)를 건네받은 후 하강하여, 웨이퍼(W)는 스핀척(142) 상에 재치되어 진공흡착된다. 그리고 노즐 대기부에 대기하고 있던 노즐(135)이 노즐스캔아암(136) 및 가이드레일(144)의 기구에 의해 도 17에 나타낸 웨이퍼(W)의 중심위치의 상방으로까지 이동한다. 그리고 웨이퍼(W) 중심에 소정의 레지스트액의 도포가 행하여진 후에, 구동모터(143)에 의해 예를들어 100rpm∼3000rpm으로 회전되어, 그 원심력에 의해 레지스트액을 전면(全面)에 확산시킴으로써 레지스트액의 도포가 완료된다.
계속하여 제 4 처리유니트부(G4)에 있어서의 프리베이킹유니트(PAB)의 셔터(76b)가 열리고, 도 22(a)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 올린 중단아암(7b)이 Y방향으로 온도조정·반송플레이트(71) 바로 위측위치로까지 이동하고, 계속하여 도 22(b)에 나타낸 바와 같이 승강핀(84)이 상승하고, 핀 상에 웨이퍼(W)가 재치된 후, 중단아암(7b)은 원래의 위치로 돌아옴과 동시에 셔터(76b)가 닫히고, 도 22(c)에 나타낸 바와 같이 승강핀(84)이 하강하여 웨이퍼(W)는 온도조정·반송플레이트(71) 상에 재치된다(S9).
그리고 도 23(a)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)가 올려진 온도조정·반송플 레이트(71)가 배면측으로, 핫플레이트(86)의 바로 상측위치로까지 이동하고, 계속하여 도 23(b)에 나타내고 있는 바와 같이 핀(85)이 상승하여 핀 상에 웨이퍼(W)가 재치된 후, 온도조정·반송플레이트(71)는 원래의 위치로 돌아옴과 동시에, 도 22(c)에 나타내고 있는 바와 같이 핀(85)이 하강하여 웨이퍼(W)는 핫플레이트(86) 상에 재치되어, 소정의 제 2 가열처리(PAB)가 행하여진다(S10). 이에 의해, 반도체 웨이퍼(W) 상의 도포막으로부터의 잔존용제가 증발하여 제거된다.
상기 열처리장치(H)에 의해 소정의 가열처리가 종료되면, 도 23에 나타낸 동작에 대한 역동작을 행한다. 즉, 핫플레이트(86)로부터 온도조정·반송장치(C)에 의해 온도조정·반송플레이트(71)에 웨이퍼(W)를 재치하여 정면측으로 돌아온다. 이 때, 온도조정·반송장치(C)는 가열 후의 웨이퍼(W)의 온도를, 예를들어 약 40℃로 조정하면서 웨이퍼(W)의 온도를 조정하면서 정면측으로 이동한다(S11). 이에 의해 가열처리로부터 온도조정처리까지의 처리시간을 단축시킬 수 있어, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
그리고, 도 22에 설명한 동작의 역동작으로, 웨이퍼(W)는 제 2 주 웨이퍼 반송체(17)에 의해 온도조정·반송장치(C) 상으로부터 꺼내어지고, 계속하여 도 4에 나타낸 문(38)의 창문(38a)을 통과하여 막두께 검사부(119)·주변노광유니트부 (120)로 반송된다. 여기서 소정의 막두께 검사, 기판주변의 노광처리가 행하여진 후(S12), 다시 제 2 주 웨이퍼 반송체(17)에 의해 제 5 처리유니트부(G5)에 있어서의 온도조정·반송장치(C)의 승강핀(84)을 매개로 하여, 웨이퍼 반송체(27)에 의해 인터페이스부(14)(S13)로부터 노광장치(도시 않됨)으로 반송된다(S15). 이 경우의 웨이퍼(W)는, 노광장치로 건네어지기 전에, 버퍼 카세트(BR)에 일시적으로 격납될 수도 있다. 그리고 그 후에, 인터페이스부(14)의 고정도 온도조정유니트(CPL)(130)에 의해 소정의 온도조정처리가 행하여진다(S14). 또, 상기 막두께 검사에서는, 직접 육안으로 검사하는 것이 아니고 검사기구에 의해 미크로(micro)적인 검사를 행하는 유니트이고, 막두께 검사의 외에도 예를들어 파티클등의 이물검사라든가 표면검사를 행한다. 이에 관해서는, 예를들어 모든 웨이퍼(W)를 검사하지 않고 적절하게 행하도록 하여도 좋다.
그리고 노광처리가 종료되면, 웨이퍼(W)는 다시 인터페이스부(14)를 매개로 하여, 웨이퍼 반송체(27)에 의해 제 5 처리유니트부(G5)에 속하는 포스트 엑스포져 베이킹 유니트(PEB)에 반송되게 되지만, 이 경우도 S9∼S11에 설명한 동작과 마찬가지의 동작에 의해 웨이퍼 반송체(27)로부터 온도조정·반송장치(C)로 반송되고(S16), 온도조정·반송장치(C)로부터 열처리장치(H)로 온도조정되면서 반송되고, 열처리장치(H)에 의해 가열처리가 행하여지고(제 3 가열)(S17), 온도조정·반송장치(C)에 의해 소정의 온도로 조정하면서 반송되어(S18), 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)에 있어서의 제 2 주 웨이퍼 반송체(17)에 의해 웨이퍼(W)가 꺼내어진다.
다음, 제 5 처리유니트부(G5)에 속하는 고정도 온도조정유니트(CPL)에 있어서, 예를들어 23℃로 소정의 온도조정처리가 행하여지고(제 4 온도조정)(S19), 그 후, 주 웨이퍼 반송체(17)에 의해 제 2 처리유니트부(G2)에 속하는 현상유니트(DEV)로 반송되어, 현상액의 도포처리가 행하여지게 된다(S20).
상기 현상유니트(DEV)에서는, 웨이퍼(W)가 컵(CP)의 바로 상측위치로 반송되어 오면, 먼저, 핀(148)이 상승하여 웨이퍼(W)를 건네받은 후 하강하여, 웨이퍼(W)는 척(142) 상에 재치되어 진공흡착된다. 그리고, 노즐대기부에 대기하고 있던 노즐(135)이 노즐 스캔 아암(136) 및 가이드 레일(144) 기구에 의해, 웨이퍼(W)의 주변위치의 상방으로 이동한다. 계속하여 구동모터(143)에 의해 웨이퍼(W)는 예를들어 10rpm∼100rpm으로 회전하고, 노즐(135)은 웨이퍼(W) 주변으로부터 방향으로 이동하면서, 회전의 원심력에 의해 소정 현상액의 도포가 행하여진다.
다음, 제 4 처리유니트부(G4)에 속하는 포스트 베이킹 유니트(POST)로 반송되지만, 이 경우도 S9∼S11, S16∼S18에서 설명한 동작과 마찬가지의 온도조정·반송장치(C)동작에 의해, 주 웨이퍼 반송체(17)로부터 온도조정·반송장치(C)로 반송되고(S21), 온도조정·반송장치(C)로부터 열처리장치(H)로 반송되어 열처리장치(H)에 의해 가열처리가 행하여지고(S22), 온도조정·반송장치(C)에 의해 웨이퍼(W)가, 예를들어 40℃로 소정의 온도로 조정되면서 반송되어(S23), 여기에서는 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1)에 있어서의 제 1 주 웨이퍼 반송체(16)에 의해 웨이퍼(W)가 꺼내어진다. 이 가열처리는, 예를들어 100℃로 소정시간 동안만 가열된다. 이에 의해 현상처리에서 부풀어 오른 레지스트가 경화되어, 내약품성이 향상한다.
그리고 웨이퍼(W)는, 주 웨이퍼 반송체(16)에 의해 제 3 처리유니트부(G3)에 있어서의 스페어 공간 및 웨이퍼 반송체(22)를 매개로 하여 카세트 스테이션(10)의 카세트(CR)로 돌려보내어진다(S24). 여기서, 카세트 스테이션(10)의 카세트(CR)로 돌려보내어지기 전에, 카세트 스테이션(10)의 배면측에 설치된 매크로(macro) 검사 기(도시 않됨)에 의해, 웨이퍼(W) 상의 처리 불균일등을 매크로적으로 검사하는 경우도 있다. 또, 상기 매크로 검사 외에도 예를들어, 현상 후의 패턴 결함, 선폭, 오버레이(overlay)등의 검사를 행하도록 하여도 좋다. 이와 같은 매크로 검사기는 카세트 스테이션(10)의 배면측에 돌출되도록 바깥측에 부착하여도 좋고, 카세트 스테이션(10) 내에 배치하도록 구성하여도 좋다.
이상에서 설명한 바와 같이, 제 1 가열(S5), 제 2 가열(S10), 제 3 가열(S17), 제 4 가열(S22)의 직후에 있어서는, 모두 온도조정·반송장치(C)에 의해 반송하면서 온도조정하고 있기 때문에, 각각에 있어서의 다음 공정인 제 2 온도조정(S7), 제 3 온도조정(S14) 및 제 4 온도조정(S19)에 의한 온도조정 처리시간을 단축시킬 수 있어, 스루풋이 향상된다.
덧붙여 설명하면, 각 처리유니트부(G3∼G5)는 10단, 각 도포처리유니트부(G1 및 G2)은 5단으로 구성되어 있고, 또 이들 각 처리유니트부(G1∼G5)는 제 1 주 웨이퍼 반송부(A1, 21)의 주 웨이퍼 반송부(A2)를 감싸도록 하여 배치되어 있기 때문에, 대량의 기판을 신속하게 처리할 수 있고, 또 각 주 웨이퍼 반송체(16 및 17)는 효율적으로 각 처리유니트에 진입할 수 있어, 스루풋의 향상에 기여한다.
또한, 주 웨이퍼 반송체(16 및 17)로부터 온도조정·반송장치(C)를 매개로 하여 열처리장치(H)에 의해 가열처리를 행함에 의해, 즉 가열처리를 행하기 전에 항상 온도조정·반송장치(C)에 의해 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도로 유지되기 때문에, 가열처리시간을 일정하게 하여도 처리상태에 차이가 발생하는 일이 없고, 또 기판처리전체에 있어서의 웨이퍼(W)의 열이력을 일정하게 할 수 있다.
또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 각 열처리계의 처리유니트부(G3∼G5)에 있어서의 가열장치(H, HH)등과 각 도포계 처리유니트(G1 및 G2)와의 사이에, 온도조정계의 장치(C1, C2, C)가 각각 배치되어 있기 때문에, 각 가열장치(H, HH)등이 도포계의 처리유니트(G1 및 G2)에 끼치는 열영향을 최소한으로 할 수 있다.
한편, 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2)와 각 처리유니트(G1∼G5)와의 사이가, 각 덮음부재(44, 44')에 의해 둘러싸여 있는 구조로 되어 있기 때문에, 각 처리유니트 및 각 반송부로의 파티클의 침입을 방지할 수 있다.
또한, 이들 덮음부재(44, 44')는, 각각 도 4에 나타낸 바와 같이, 제 1 및 제 2 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2)의 덮음부재(44)와, 각 처리유니트와의 사이에 틈(u)을 설치함으로써, 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2)의 반송에 의한 진동이 각 처리유니트에 전달되는 일 없이, 각 열처리 및 각 도포처리를 확실히 행할 수 있다.
다음, 도 24∼도 26을 참조하여, 상기 기판처리장치(1)의 기압 및 온도·습도제어에 관하여 설명한다.
도 24에 관하여는, 카세트 스테이션(10), 처리스테이션(12) 및 인터페이스부(14)의 상방에는 에어 공급실(10a, 12a, 14a)이 설치되어 있고, 에어 공급실(10a, 12a, 14a)의 하면은 방진기능을 갖춘 필터, 예를들어 ULPA필터(101, 102, 103)가 설치되어 있다. 각 에어 공급실의 ULPA필터(101, 102, 103)에 의해 청정한 공기가 다운 플로우로서 각 부(10, 12, 14)에 공급되어, 이들 에어 공급실로부터 각 처리유니트로 도 24 및 도 25에 나타낸 바와 같이 다운 플로우 되도록 되어 있다. 상기 다운 플로우의 공기는, 상술한 덕트(31 및 32)의 화살표 방향(윗 방 향)으로 공급되지만, 제 1 및 제 2 처리유니트부(G1 및 G2)에 있어서는 그 배면측에 설치된 각 팬(106)을 매개로 하여 배기 덕트(100)(도 24 참조)로부터 하방의 배기구(125)로 배기되고, 또, 제 3∼제 5 처리유니트부(G3∼G5)에 있어서는 유로(75b) 및 각 팬(87a, 87b)(도 11)을 매개로 하여, 배기구(75d)로부터 하방의 배기구(125)로 배기되도록 되어 있다. 또, 도 26에 나타낸 바와 같이 제 1 및 제 2 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2)에 있어서는 각 팬(36)을 매개로 하여 하방의 배기구(125)로부터 배기되고, 또 문(36)의 창문(38a)에 의해 주변노광장치(120) 및 검사유니트부(119)로 통기되어, 배기구(125)로 배기되도록 되어 있다. 이상의 각 팬(106, 87a, 87b, 36)은 전부 제어부(8)에 의해 각 유니트 개별적으로 회전수가 제어된다.
또한, 도포계유니트부(G1, G2)의 각 유니트에 있어서 이들의 상방에 각각 팬·필터유니트가 설치되어, 각각 기압, 온도 및 습도를 계측하는 센서가 설치되어 있다. 상기 팬·필터유니트(F)는, 예를들어 ULPA필터와 소형의 팬을 갖추고 있다. 한편, 제 3∼제 5 처리유니트부(G3∼G5), 각 유니트에 마찬가지로 센서(S)가 설치되고, 제 1 및 제 2 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2)에 있어서도 마찬가지로 센서(S)가 설치되어 있다. 이상의 각 센서(S)는 제어부(8)에 검출결과가 보내어지도록 되어 있다.
이상의 구성에 의해, 기압제어에 있어서는 제 1 및 제 2 처리유니트부(G1및 G2) 내의 기압을, 제 1 및 제 2 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2), 제 3∼제 5 처리유니트부(G3∼G5) 내의 기압보다도, 예를들어 0.3(Pa)∼0.4(Pa) 만큼 높게 제어한다. 이와 같이, 도포계 유니트(G1 및 G2) 내의 압력을, 열처리계 및 반송계의 기압보다 높게 제어한다. 즉, 양압제어를 함으로써, 가장 파티클의 제어가 필요한 도포계의 유니트에 있어서의 도포처리를 확실히 또 고정도로 행할 수 있다.
또한, 이상의 구성에 의해 제 1∼제 3 처리유니트부(G1∼G5), 제 1 및 제 2 주 웨이퍼 반송부(A1 및 A2)에 있어서 각 유니트 내의 기압·온도·습도는 각각 개별적으로 PID제어되기 때문에, 각 유니트의 처리에 적합한 최적의 환경으로 각 처리를 행할 수 있다.
또한, 도 4에 있어서 제 1 또는 제 2 주 웨이퍼 반송부(A1 또는 A2)의 메인터넌스시에, 문(38)을 열었을 때에 제어부(8)의 명령에 의거하여, 모든 처리유니트(G1∼G5) 및 모든 주 반송부(A1 및 A2) 내에 공급되는 청정공기의 양을 증가시켜 기압을 더욱 높이도록 한다. 이에 의해 메인터넌스시에 발생하는 파티클을 제어할 수 있다. 또, 이 기압제어에 덧붙여, 도 1에 있어서 배면측의 패널(40)을 떼거나 개폐할 때에, 시스템 전체기판처리장치(1) 내의 기압을 높이도록 하여도 좋다. 덧붙여 설명하면, 그와 같은 경우에, 메인터넌스시에만 작동하는 팬을 별도로 설치하여 시스템 전체기판처리장치(1) 내의 기압을 높이도록 하여도 좋다.
또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 각 열처리계의 처리유니트부(G3∼G5)에 있어서 가열장치(H, HH)등과 각 도포처리유니트(G1 및 G2)와의 사이에, 온도조정계의 장치(C1, C2)가 각각 배치되어 있기 때문에, 각 가열장치(H, HH)등이 도포계의 처리유니트(G1 및 G2)에 끼치는 악영향을 최소한으로 억제할 수 있다. 따라서, 각 도포처리유니트(G1 및 G2)에 있어서의 온도제어를 정밀히 행할 수 있다.
또한, 기판처리장치(1)에서는, 도 27에 나타낸 바와 같이, 열처리계의 각 유니트부(G3∼G5)에 있어서, 한쪽의 창문(75a)이 셔터(76a)에 의해 열리도록 되어 있을 때에는, 다른쪽의 창문(75b)이 셔터(76b)에 의해 닫히도록 되어 개폐제어가 행하여지고 있다. 이에 의해, 각 유니트가 이른바 로드록실처럼 기능하여, 각 유니트에 걸친 양측의 환경을 효과적으로 차단함으로써 각각에 있어서의 처리환경을 양호하게 유지할 있도록 되어 있다.
더우기, 기판처리장치(1)에서는, 도 28에 나타낸 바와 같이, 액공급계의 각 유니트부(G1, G2)에 있어서 각 유니트의 개구부(97)가 셔터(43)에 의해 열려있을 때에는, 상기 유니트부의 양측에 있는 열처리계의 각 유니트부(G3∼G5)에 있어서의 각 유니트의 창문(75a, 75b)이 셔터(76a, 76b)에 의해 닫히도록 되어 개폐제어가 행하여지고 있다. 이에 의해, 액공급계의 유니트로부터 열처리계의 각 유니트로 처리에 악영향을 끼치는 환경이 유입되지 않게 된다.
또한, 이 시스템은 케미칼실(CHM)(26 및 27) 내의 액공급장치(58 및 59)도 온도조정이 가능하도록 되어 있다. 이에 의해 도포계의 처리유니트(G1 및 G2)로 공급되는 처리액의 온도가 적절한 상태로 유지된다. 덧붙여 설명하면, 도포계의 처리유니트로서 사용하고 있었던 방을 케미칼실로 대용하는 것도 가능하다.
도 29는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 열처리유니트를 나타내고 있고, 도 11 및 도 12에 의한 요소와 동일한 것에 관하여는 그 설명을 생략한다.
상기 열처리유니트(G3')에서는, 프레임(75) 내에 정면측(도 내의 좌측)으로부터 차례로 온도조정장치(C1')와, 저온도 열처리장치(LH)와, 고온도 열처리장치(HH)가, 예를들어 직선상으로 배치되어 있다. 이들 열처리장치(LH, HH)는 가열온도가 다를 뿐이고, 이들의 구성은 제 1 실시예의 열처리장치(H)와 마찬가지로, 원통형의 지지부재(88)에 적당한 단열재를 매개로 하여, 저온도 열처리장치(LH)에는 저온도 핫플레이트(111)가 설치되고, 고온도 열처리장치(HH)에는 고온도 핫플레이트(112)가 설치되어 있다. 지지부재(88)의 하방에는 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 3개의 핀(85)이 구동장치(82)에 의해 승강이 가능하도록 설치되어 있고, 이 3개의 핀(85)은 각각 핫플레이트(111 및 112)에 형성된 관통구멍(111a 및 112a)에 이몰되어 배치되어 있다. 한편, 온도조정장치(C1')는, 예를들어 제 1 실시예의 온도조정유니트(COL)에 있어서 온도조정장치와 마찬가지이고, 온도조정기구로서는 펠티에소자나 냉각수를 사용하고 있다.
이들 온도조정장치(C1'), 저온도 열처리장치(LH), 고온도 열처리장치(HH)의 측방에는, 안내 레일(118)이 X방향으로 연장되어 설치되어 있고, 상기 안내 레일(118)을 따라 구동장치(도시 않됨)에 의해 이동이 가능하도록 서브 아암(115)이 설치되어 있다. 상기 서브 아암(115)은, 한쌍의 핸드(115a, 115a)를 갖추고 있다.
상기 열처리유니트(G3')는, 제 1 실시예에 있어서 각 처리유니트부(G3∼G5)의 배치와 마찬가지로 배치된다. 이 경우, 도 1에 있어서 처리스테이션(12)의 배면측 패널(40)을 배면측으로 이동시켜, 열처리유니트(G3')의 치수에 맞추어 배치한다.
상기 열처리유니트(G3')의 작용에 관하여는, 셔터(76)가 열리고, 제 1 또는 제 2 주 웨이퍼 반송체(A1 또는 A2)의 중단 아암(7b)또는 하단 아암(7c)이 Y방향으로 온도조정장치(C1')의 바로 상측위치로 이동하고, 온도조정장치(C1')에 있어서 승강핀(127)이 상승하고, 서브 아암(115)의 높이보다 높은 위치로 당해 핀(127) 위로 웨이퍼(W)가 재치된 후, 중단 아암(7b)은 원래의 위치로 돌아옴과 동시에, 셔터(76)가 닫힌다. 이 때 서브 아암(115)은, 주 웨이퍼 반송체(16)의 동작을 방해하지 않도록 저온도 열처리장치(LH)측에 위치하고 있다. 그리고 저온도 열처리장치(LH)측에 위치하고 있던 서브 아암(115)이 온도조정장치(C1') 상으로 이동한다. 그리고 승강핀(127)이 웨이퍼(W)를 올리고 있는 상태에서 하강하여 웨이퍼(W)는 서브 아암(115)에 건네어진다.
그리고, 웨이퍼(W)를 건네받은 서브 아암(115)은, X방향으로 배면측으로 이동하여, 마찬가지로 승강핀의 이동에 의해 다음 공정인 저온도 열처리장치(LH), 그 다음의 공정인 고온도 열처리장치(HH)의 핫플레이트(111, 112) 상으로 차례로 재치되어 소정의 가열처리를 행한다.
그리고, 고온도 열처리장치(HH)에 의해 소정의 열처리가 종료되면, 웨이퍼(W)는 서브 아암(115)에 의해 온도조정장치(C1')로 이동되어, 온도조정플레이트(112) 상에 재치되어 소정의 온도조정처리를 행한다.
본 실시예에서는, 특히 온도가 상이한 열처리, 더 나아가서는 온도조정처리를 연속적으로 행할 수 있어 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
또, 온도조정장치(C1')와 저온도 열처리장치(LH)와 고온도 열처리장치(HH)를 적절한 차폐판에 의해 나뉘어지도록 하면, 각 처리장치에 있어서 온도제어를 보다 정밀히 행할 수 있다.
도 30은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 기판처리장치를 나타내고 있고, 이 기판처리장치(150)는, 제 1 실시예에 있어서의 제 2 주 웨이퍼 반송부(A2)가 변형되고 또 도포계의 처리유니트(G2')가 증설된 것으로서, 그 외의 구성에 관하여는 제 1 실시예와 마찬가지이다. 이 처리유니트부(G2')는 레지스트 도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)를 갖추고 있다.
제 1 실시예에 의한 주 웨이퍼 반송부(A1)(A2)는 주 웨이퍼 반송체(16)(17) 자체가 Y방향으로 이동하는 일이 없었지만, 이 제 3 실시예에 의한 주 웨이퍼 반송부(A3)는, Y방향으로도 이동이 가능하도록 Y축 폴(pole)(128)이 설치되어 있다. 이 Y축 폴(128)은 연직방향의 폴(33)을 따라 이동이 가능하도록 되어 있고, 이 Y축 폴을 따라 이동이 가능하도록 주 웨이퍼 반송체(17)가 설치되어 있다.
이에 의해, 제 4 및 제 5 열처리유니트부(G4 및 G5)에서 기판이 처리된 후, 제 1 및 제 2 도포계의 처리유니트부(G1 및 G2)에서 완전히 처리되지 않은 기판을 제 3 주 웨이퍼 반송부(A3)에 의한 주 웨이퍼 반송체(17)에 의해, 처리유니트(G2')로 반송하여 소정의 도포처리를 행할 수 있다. 이에 의해, 스루풋이 향상한다.
다음, 첨부한 도 31∼도 38을 참조하면서 본 바렴의 제 4 실시예에 관하여 설명한다. 도 31∼도 34는 본 발명의 하나의 실시예에 관련된 도포현상처리시스템을 나타낸 도이고, 도 31은 평면도, 도 32는 정면도이다. 도 33은 도 31의 X방향을 따라 절단한 경우의 단면도, 도 34는 도 31의 Ｙ방향을 따라 온도조정처리유니트(218)이 배치된 영역을 절단한 경우의 단면도이다.
도 31에 나타낸 바와 같이, 이 도포처리시스템(201)은, 예를들어 25매의 웨이퍼를 카세트 단위로 외부로부터 도포현상처리시스템(201)에 대하여 반입반출하거나, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하기 위한 카세트 스테이션(202)과, 도포현상처리 공정 중에서 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하는 낱장식의 각종 처리유니트를 다단으로 배치하여 형성된 제 1 처리스테이션(203)과, 상기 처리스테이션에 인접하여 배치된 제 1 처리스테이션과 거의 동등한 구성의 제 2 처리스테이션(204)과, 이 제 2 처리스테이션(204)에 인접하여 배치된 노광장치(도시 않됨)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 인터페이스부(205)를 일체적으로 접속시킨 구성을 갖추고 있다. 제 1 처리스테이션(203)에서는 주로 웨이퍼 상에 반사방지막 및 레지스트막의 도포처리가 행하여지고, 제 2 처리스테이션(204)에서는 노광된 레지스트막의 현상처리가 행하여진다.
카세트 스테이션(202)에서는, 카세트 재치대(210) 상의 위치결정돌기(210a)의 위치에, 복수개의 카세트(C)가 웨이퍼(W)의 출입구를 처리스테이션(203)을 향하여 X방향(도 31의 상하방향)을 따라 일렬로 재치가 가능하다. 그리고, 이 카세트(C)의 배열방향(방향) 및 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 배열방향(Z방향; 수직방향)으로 이동이 가능한 웨이퍼 반송체(211)가 반송로(212)를 따라 이동이 자유롭고, 각 카세트(C)에 대하여 선택적으로 진입하도록 되어 있다.
상기 웨이퍼 반송체(211)는 방향으로도 회전이 가능하도록 구성되어 있고, 후술하는 제 1 처리스테이션(203)에 있어서 제 2 유니트군으로서의 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)의 각 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정 처리유니트(CPL)(218a)에 대하여 진입이 가능하도록 구성되어 있다.
도 31, 도 32에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(203)에는, 정면측에 액처리가 행하여지는 제 1 처리유니트군으로서, 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a) 및 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b)이 설치되어 있다. 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)은, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리를 행하는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)가 Z축방향으로 3단으로 적층되어 구성된다. 또, 레지스트 도포유니트(COT)군(213b)은, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리를 행하는 레지스트 도포막유니트(217)(17)이 Z축방향으로 3단으로 적층되어 구성된다.
제 1 처리스테이션(203)의 중앙부에는, 반송장치(219a)를 사이에 두고, 제 2 처리유니트군으로서 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a), 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)이 배치되어 있다. 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)에는 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 Z축방향으로 8단으로 적층되어 구성되고, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)에는 제 1 가열·온도조정처리유니트(210b)가 Z축방향으로 7단으로 적층되어 구성되고, 또 그 하층에 후술하는 반송유니트(STL)가 배치되어 구성된다. 각 제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(210a, 210b)은, 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218a, 218b)와 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220a, 220b)가 각각 상호 인접하여 일체화된 구성으로 되어 있다.
도 31, 도 33에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)은 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 예를들어 8단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 1 가열·온도조정처리유니트군(210a)에 있어서, 온도조정처리유니트(CPL)(218a)는 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)측에 위치하도록 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)과 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)이 배치된다. 덧붙여 설명하면, 도 33은 도 31의 X방향으로 따라 절단한 경우의 단면도이고, X방향을 따라 제 1 처리유니트군(213a)과 제 2 처리유니트군(214a)과의 위치관계를 나타내는 도이다. 또, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)도 마찬가지로, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(210b)이 다단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 2 가열·온도조정처리유니트군(210b)에 있어서, 온도조정처리유니트(218b)는 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b)측에 배치된다.
수직반송형의 반송장치(219a)의 주위에는, 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b), 제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a)이 배치되어 있다. 그리고, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)과 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과 레지스트막 도포유니트(CT)군(213a)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송은, 반송장치(219a)에 의해 행하여진다. 또, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(210a)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a)의 양측면에는, 개폐가 가능한 셔터부재(247a, 247b)가 설치되어 있다. 제 1 가열·온도조정처리유니트군(210a)과 웨이퍼 반송체(211)와의 사이에서의 기판의 주고받기 및 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)와 반송장치(219a)와의 사이에서의 기판의 주고받기는, 각각 셔터(247a, 247b)를 매개로 하여 행하여진다. 또, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정유니트(CPL)(218b)의 반송장치측의 측면에는 개폐가 가능한 셔터부재(247a)가 설치되어 있고, 상기 셔터부재(247a)를 매개로 하여 반송장치(219a)와 온도조정처리유니트(CPL)(218b)와의 사이에서 기판의 반송이 행하여진다.
한편, 제 2 처리스테이션(204)에는, 도 31, 도 32에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(203)과 마찬가지로, 정면측에 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트군으로서 제 1 현상처리유니트군(213c), 제 2 현상처리유니트군(213d)이 배치되어 있다. 제 1 현상처리유니트군(213c)은 현상처리유니트(DEV)(226)이 Z축방향으로 2단으로 적층되어 구성되고, 제 2 현상처리유니트군(213d)도 마찬가지로 현상처리유니트(DEV)(226)가 Z축방향으로 2단으로 적층되어 구성되어 있다.
제 2 처리스테이션(204)의 중앙부에는, 반송장치(219b)를 사이에 두고, 제 2 처리유니트군으로서의 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c), 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)이 배치되어 있다. 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)에는 제 3 가열·온도조정처리유니트(210c)가 Z축방향으로 7단으로 적층되고, 또 이들의 하층에는 후술하는 반송유니트(STL)가 배치된 구성으로 되어 있다. 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)에는 제 4 가열·온도조정처리유니트군(210d)가 Z축 방향으로 8단으로 적층된 구성으로 되어 있다.
각 제 3 및 제 4 가열·온도조정처리유니트군(210c, 210d)은, 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218c, 218d)와 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220c, 220d)가 각각 서로 인접하여 일체화된 구성으로 되어 있다. 그리고, 도 31에 나타낸 바와 같이, 적층되어 있는 모든 제 3 가열·온도조정처리유니트군(210c)의 온도조정처리유니트(CPL)(218c)와 가열처리유니트(HP)(220c) 중에서 온도조정처리유니트(CPL)(218c)가 제 1 현상처리유니트(DEV)군(213c)측에 위치하도록, 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)과 제 1 현상처리유니트(DEV)군(213c)이 배치된다. 또, 적층되어 있는 모든 제 4 가열·온도조정처리유니트(210d)의 온도조정처리유니트(CPL)(218d)와 가열처리유니트(HP)(220d) 중에서, 온도조정처리유니트(CPL)(218d)가 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213d)측에 위치하도록, 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)과 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213d)이 배치된다.
수직반송형의 반송장치(219b)의 주위에는, 제 1 현상처리유니트군(213c), 제 2 현상처리유니트군(213d), 제 3 및 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214c, 214d)이 배치되어 있다. 그리고, 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)과 제 1 현상처리유니트(DEV)군(213c)의 사이에서의 반송, 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)과 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213d)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송은 반송장치(219b)에 의해 행하여진다. 또, 제 4 가열·온도조정처리유니트(210d)의 온도조정처리유니트(CPL)(218d)의 양측면에는 개폐가 가 능한 셔터부재(247a, 247b)가 설치되어 있다. 제 4 가열·온도조정처리유니트군(210d)과 반송장치(219b)와의 사이에서의 기판의 주고받기는, 각각 셔터(247a, 247b)를 매개로 하여 행하여진다. 또, 제 3 가열·온도조정처리유니트(210c)의 온도조정처리유니트(218b)의 반송장치의 측면에는 개폐가 가능한 셔터부재(247b)가 설치되어 있어, 이 셔터부재(247b)를 매개로 하여 반송장치(219b)와 온도조정처리유니트(218c)와의 사이에서의 기판의 주고받기가 행하여진다.
또한, 도 31에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(203) 및 제 2 처리스테이션(204)의 배면측에는, 검사기(206) 및 제 1 처리유니트군(213a)에서 사용되는 처리액을 저장하는 케미칼 타워(215)를 수용하는 용기 선반이 설치되어 있다. 이 용기 선반은, 레일(207)에 의해 도면의 Y방향을 따라 이동이 가능하도록 되어 있다. 용기 선반은, 예를들어 배면측으로 개폐가 가능한 문과 같은 구조로 되어 있고, 이 문에 용기의 수용이 가능하도록 되어 있다. 이에 의해, 용기의 교환 및 보수 점검을 용이하게 행할 수 있다. 검사기(206)는, 노광 및 현상처리를 거친 웨이퍼(W)의 도포막의 막두께를 검사하는 것이고, 필요에 따라 설치된다. 또, 처리액으로서는, 예를들어 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)으로 공급되는 레지스트막의 재료, 현상처리유니트(226)로 공급되는 현상액을 들 수 있다. 여기서, 배면측으로 공급되는 케미칼 타워(215)에 축적되는 처리액을 주 처리액원으로 하여 사용하여도 좋고, 배면측에 배치되는 케미칼 타워(215)를 예비용으로 배치하여, 타 영역에 주 처리액원으로서의 케미칼 타워를 별도로 배치하여 사용하여도 좋다.
인터페이스부(205)에는, 그 정면측에 노광 전의 웨이퍼(W)를 일단 보지하는, 예를들어 웨이퍼(W) 카세트(C)와 마찬가지의 구조를 가지는 버퍼 카세트(233)가 배치되고, 그 배면측에는 주변노광장치(234)가 배치되어 있다. 그리고, 수직방향으로 승강이 가능하도록 되어 있고 또 방향으로 회전이 가능한 웨이퍼 반송체(237)가, 이들 버퍼 카세트(233)와 주변노광장치(234)와의 사이에서의 반송로(236)를 따라 이동이 가능하도록 되어 있고, 웨이퍼 반송체(237)는 제 4 가열·온도조정처리유니트(210d)의 온도조정처리유니트(CPL)(218d), 버퍼 카세트(233) 및 주변노광장치(234), 노광 전 온도조정유니트(도시 않됨)에 대하여 진입이 가능하도록 구성되어 있다.
더우기, 상기 도포현상처리시스템(201)에서는, 도 31, 도 33에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(203)에 있어서의 제 1 처리유니트군(213){반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b)}과 제 2 처리유니트군(214){제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)}과의 사이, 제 2 처리스테이션(204)에 있어서의 제 1 처리유니트군(213){제 1 및 제 2 현상처리유니트군(213c, 213d)}과 제 2 처리유니트군(214){제 3 및 제 4 가열·온도조정처리유니트(214c, 214d)}과의 사이에, 각각 단열벽(239) 및 후술하는 제 1 처리유니트군(213)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)가 배치되어 있다. 즉, 단열벽(239) 및 통로(240)는, 제 1 처리유니트군(213)과 제 2 처리유니트군(214)과의 사이를 분단시키도록 배치되어 있다.
도 32에 나타낸 바와 같이, 상술한 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)에 는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 반사방지막을 도포하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 반사방지막 도포처리를 행하는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)가 3단으로 적층되어 있다.
레지스트 도포유니트군(213b)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 레지스트액을 도포하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트 도포처리를 행하는 레지스트 도포유니트(CT)가 3단으로 적층되어 있다.
제 1 현상처리유니트군(213c)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)(226)가 위로부터 2단으로 적층되어 있다.
마찬가지로, 제 2 현상처리유니트군(213d)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)(226)가 위로부터 2단으로 적층되어 있다.
제 2 및 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214b, 214c)에는, 가열·온도조정처리유니트(210)가 7단으로 적층되고, 이들 유니트 하단에 도 34에 나타낸 바와 같이 반송유니트(STL)(238b, 238c)가 각각 배치되어 있다. 제 1 및 제 2 처리스테이션(203, 204) 사이의 웨이퍼(W)의 주고받기는, 2개의 반송유니트(STL)(238b)를 연결하는 연결로(242)를 매개로 하여 행하여진다. 도 34에 나타낸 바와 같이, 반송유니트(STL)(238b, 238c)에는 각각 개구부가 설치되고, 각 개구부에 대응하여 개폐가 가능한 셔터부재(248a, 248b, 249a, 249b)가 설치되어 있다. 그리고, 셔터부재(248a, 249b)를 개폐함으로써 반송유니트(STL)(238b, 238c)와 그것에 각각 대응하는 반송장치(219a, 219b)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기가 행하여진다. 또, 셔터부재(248b, 249a)를 개폐함으로써 연결로(242)를 매개로 하여, 반송유니트(STL)(238b, 238c) 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받기, 즉 제 1 및 제 2 처리스테이션 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받기가 행하여진다.
다음, 상술한 반송장치(219a, 219b)에 관하여 사시도인 도 35를 사용하여 설명한다. 상술한 반송장치(219a 및 219b)는 마찬가지의 구조를 갖추고 있고, 도 35에서는 219의 부호로서 설명한다.
도 35에 나타낸 바와 같이, 반송장치(219)는, 상단 및 하단에 상호로 인접되어 대향하는 일체의 벽부(251, 252)에 의해 형성되는 통상지지체(253)의 내측에, 상하방향(Z방향)으로 승강이 가능한 웨이퍼(W) 반송수단(254)을 갖추고 있다. 통상지지체(253)는 모터(255)의 회전축에 접속되어 있고, 상기 모터(255)의 회전구동력에 의해 상기 회전축을 중심으로 하여 웨이퍼(W) 반송수단(254)과 함께 일체로 되어 회전한다. 따라서, 웨이퍼(W) 반송수단(254)은 방향으로도 회전이 가능하도록 되어있다.
웨이퍼 반송수단(254)의 반송기대(256) 상에는, 웨이퍼(W)를 보지하는 복수의, 예를들어 2개의 핀셋(257, 258)이 상하로 배치되어 있다. 각 핀셋(257, 258)는 기본적으로 동일한 구성을 갖추고 있고, 통상지지체(253)의 양 벽부(251, 252) 사이의 측면개구부를 통과할 수 있는 형태 및 크기를 갖추고 있다. 또, 각 핀셋(257, 258)는 반송기대(256)에 내장된 모터(도시 않됨)에 의해 전후방향으로 이동이 자유롭도록 되어 있다.
다음, 도 34, 도 36, 도 37을 사용하여, 상술한 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 구조에 관하여 설명한다. 도 36은 가열·온도조정처리유니트의 평면도, 도 37은 가열·온도조정처리유니트의 단면도이다.
도 36, 도 37에 나타낸 바와 같이 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)는, 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220a)와 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218a)를 상호로 인접시켜 일체화시킨 구조로 되어 있다.
가열처리유니트(HP)(220a)는, 설정온도를 200℃ 전후로 하는 것이 가능한 열판(224)을 갖추고 있다. 더우기 가열처리유니트(HP)(220a)는, 가열처리유니트(HP)(220a)와 온도조정처리유니트(CPL)(218a)와의 사이를 개폐하기 위한 게이트 셔터(221)와 열판(224) 주위에서 웨이퍼(W)를 포위하면서 게이트 셔터(221)와 같이 승강되는 링 셔터(222)를 갖추고 있다. 열판(224)에는, 웨이퍼(W)를 재치하여 승강시키기 위한 3개의 리프트 핀(223)이 승강이 자유롭도록 설치되어 있다. 덧붙여 설명하면, 열판(223)과 링 셔터(222)와의 사이에 차폐판 스크린을 설치하여도 좋다. 가열처리실(220a)의 하방에는, 상기 3개의 리프트 핀(223)을 승강시키기 위한 승강기구(227)와, 링 셔터(222)를 게이트 셔터(221)와 같이 승강시키기 위한 승강기구(228)가 설치되어 있다. 열판(223) 상에는, 높이가 0.2mm의 프록시미티핀(proximity pin)(235)과 안내 가이드(232)가 설치되어 있다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)는, 웨이퍼(W)를 23℃ 전후의 상온으로 온도조정하기 위한 온도조정판(225)을 갖추고 있다. 도 34, 도 36에 나타낸 바와 같이, 온도조정유니트(CPL)(218a)의 카세트 스테이션측의 측부에는, 카세트 스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 개구부가 있고, 이 개구부에 대응하여 개폐가 가능한 셔터부재(247a)가 배치되어 있다. 또, 온도조정처리유니트(CPL)(218a)의 반송장치(219)측의 측부에는, 반송장치(219)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 개구부가 있고, 이 개구부에 대응하여 개폐가 가능한 셔터부재(247b)가 배치되어 있다.
도 37에 나타낸 바와 같이, 가열처리유니트(HP)(220a)와 온도조정처리유니트(CPL)(218a)는 연결구(230)를 매개로 하여 연결되어 있고, 웨이퍼(W)를 재치하여 온도조정하기 위한 온도조정판(225)이 가이드 플레이트(259)를 따라 이동기구(260)에 의해 수평방향으로 이동이 자유롭도록 구성되어 있다. 이에 의해, 온도조정판(225)은, 연결구(230)를 매개로 하여 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 진입할 수 있고, 가열처리유니트(HP)(220a) 내의 열판(224)에 의해 가열된 후의 웨이퍼(W)를 리프트 핀(223)으로부터 건네받아 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반입하여, 웨이퍼(W)의 온도조정을 행한다.
위에서는 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에 관하여 설명하였지만, 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)의 제 4 가열·온도조정처리유니트(210d)도 마찬가지의 구조를 갖추고 있다. 또, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b), 제 3 가열·온도조정유니트(210c)에 있어서도, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)와 거의 마찬가지의 구성을 갖추고 있지만, 도 31 및 도 34에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에서는 양측면에 셔터부재(247a, 247b)가 설치되어 있는 것에 대하여, 제 2 및 제 3 가열·온도조정처리유니트(210b, 210c)에서는 반송장치(219)측의 측면에만 셔터부재(247a 또는 247b)가 설치되어 있는 점이 다르다. 본 실시예에서는, 온도조정처리유니트(CPL)(218a, 218d)에 있어서, 셔터 부재(247a, 247b)의 양측이 열려 있는 상태로 되지 않도록 개폐구동이 행하여지도록 되어있다. 즉, 셔터부재(247a)에 의해 개폐된 상태에서는 셔터부재(247b)에 의해 개폐부가 닫혀지고, 반대로 셔터부재(247b)에 의해 개구된 상태에서는 셔터부재(247a)에 의해 개구부가 닫혀지도록 되어 있다. 이와 같이 셔터부재(247a, 247b)의 개폐구동을 제어함으로써, 온도조정처리유니트(CPL)가 이른바 로드록실과 같은 기능을 갖추게 되어, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 위한 처리액 공급유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 보다 더 정밀하게 행할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시예에서는, 제 1 처리유니트군(213a, 213b, 213c, 213d)과 제 2 처리유니트군(214a, 214b, 214c, 214d)과의 사이에, 각각 단열벽(239) 및 제 1 처리유니트군(213)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)가 배치된 온도조정기구가 설치되어 있다. 이 온도기구에 관하여 도 38를 참조하여 이하에서 설명한다. 덧붙여 설명하면, 도 38은, 처리액 공급유니트, 여기서는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)가 복수로 적층된 제 1 처리유니트군(213a)의 개략단면도이다.
도 38에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(201)의 상부에는, 제 1 처리스테이션(203)에 있어서의 제 1 처리유니트군으로서의 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)에 대하여 상부로부터 온도조정된 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부(241)가 배치되어 있다. 청정에어 공급부(241)는, FFU(팬 필터 유니트) 및 온도라든가 습도를 조정하는 온도조정장치등을 갖추고, 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)를 매개로 하여 유입된 기체로부터 온도 및 습도를 조정하여 파티클등을 제거하여 청정에어를 통로(243)를 매개로 하여 각 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)로 공급한다. 또, 도 31에 나타낸 바와 같이, 통로(240)와 제 2 처리유니트군으로서의 가열·온도조정처리유니트(210a)와의 사이에는 단열벽(239)가 배치되어 있다. 본 실시예에서는, 이와 같이 단열벽이나 온도조정기구를 설치함으로써, 항상 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 위한 처리액 공급유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서, 온도제어를 더욱 정밀하게 행할 수 있다. 그리고, 마찬가지로, 도 31에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리유니트군(213b, 213c, 213d)과 이에 대응하는 가열·온도조정처리유니트군(214b, 214c, 214d)과의 사이에도 청정에어 공급부(240)와 단열벽(239)이 각각 별도로 설치되어 있다.
다음, 이와 같이 구성된 도포현상처리시스템(201)에 있어서의 처리공정을 설명한다.
도포현상처리시스템(201)에 있어서, 카세트(C) 내에 수용된 미처리 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리스테이션(203)의 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에 있어서의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정판(225) 상에 재치되어 온도조정 처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)에 있어서 반사방지막 도포유니트(BARC)(216) 내로 반송되어, 반사방지막용의 처리액이 도포된다.
반사방지막 도포유니트(BARC)(216)에서 반사방지막용의 처리액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정판(225) 상에 재치된다. 온도조정판(225) 상에 재치된 웨이퍼(W)는, 도 37에 나타낸 바와 같이, 이동기구(260)에 의해 수평으로 이동되는 온도조정판(225)에 의해, 연결구(230)를 통하여 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송된다. 반송된 웨이퍼(W)는, 상승된 상태의 리프트 핀(223)에 의해 지지된다. 그 후, 리프트 핀(223)이 하강하여 열판(224) 상에 웨이퍼(W)가 재치되고, 이것과 동시에 링 셔터(222) 및 게이트 셔터(221)가 상승되어 형성된 가열처리공간 내에 가열처리가 행하여진다. 가열처리 후, 리프트핀(223)이 상승됨과 동시에 링 셔터(222) 및 게이트 셔터(221)가 하강되어, 웨이퍼(W)는 열판(224)으로부터 이간되어 리프트 핀(223)에 의해 지지된다.
그 후, 온도조정판(225)이 다시 가열처리유니트(HP) 내로 삽입되어, 가열처리된 웨이퍼(W)를 건네받는다. 웨이퍼(W)는, 온도조정판(225)에 의해 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 레지스트 도포유니트군(213b)에 있어서의 레지스트 도포유 니트(COT)(217) 내로 반송되어 레지스트액이 도포된다.
레지스트 도포유니트(COT)(217)에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정판(225) 상에 재치된다. 온도조정판(225) 상에 재치된 웨이퍼(W)는, 이동기구(260)에 의해 수평으로 이동되는 온도조정판(225)에 의해, 연결구(230)를 통하여 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송된다. 반송된 웨이퍼(W)는, 상승된 상태의 리프트 핀(223)에 의해 지지된다. 그 후, 리프트 핀(223)이 하강하여 열판(224) 상에 웨이퍼(W)가 재치되고, 그것과 동시에 링 셔터(222) 및 게이트 셔터(221)가 상승되어 형성된 가열처리공간 내에서 가열처리가 행하여진다. 가열처리 후, 리프트 핀(223)이 상승됨과 동시에 링 셔터(222) 및 게이트 셔터(221)가 하강하여, 웨이퍼(W)는 열판(224)으로부터 이간되어 리프트 핀(223)에 의해 지지된다.
그 후, 온도조정판(225)이 다시 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 삽입되어, 가열처리된 웨이퍼(W)를 건네받는다. 웨이퍼(W)는, 온도조정판(225)에 의해 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)의 최하단에 배치된 반송유니트(STL)(238b)로 반송되고, 연결로(242)를 통하여 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)의 반송유니트(STL)(238c)로 반송된다.
제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)에 있어서의 반송유니트(STL)로 반송 된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219b)에 의해 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)의 가열·온도조정처리유니트(210d)의 온도조정처리유니트로 반송된다.
또한, 온도조정처리유니트로 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(205)에 있어서의 웨이퍼 반송체(237)에 의해 주변노광장치(234)으로 반송되어 주변노광처리가 행하여진다.
주변노광장치(234)에서 주변노광처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(237)에 의해 버퍼 카세트(233)로 반송되어 일단 보지되던가, 또는 웨이퍼 반송체(237), 노광 전 온도조정유니트(도시 않됨), 웨이퍼 반송체를 매개로 하여 노광장치(도시 않됨)로 반송된다.
여기서, 버퍼 카세트(233)를 예를들어 2개를 설치하여, 그 하나를 주변노광 후의 웨이퍼를 보지하기 위한 카세트, 나머지 하나를 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 카세트로서 사용할 수 있다. 이 때, 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 보지하는 카세트에는, 웨이퍼(W)를 23℃ 전후의 상온으로 온도조정하는 기구를 설치하는 것이 바람직하다. 또는, 버퍼 카세트(233)는 주변노광 후의 웨이퍼(W) 만을 보지하도록 하고, 주변노광 전의 웨이퍼(W)에 대하여는, 제 2 처리유니트군(214c 또는 214d)의 가열·온도조정처리유니트(210c 또는 210d) 중에서 비어있는 온도조정처리유니트(218c 또는 218d)를 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 대기시키는 장소로서 사용하는 것도 가능하다. 이 경우, 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 버퍼 카세트를 설치할 필요가 없다.
다음, 노광장치에 의해 노광처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체, 버퍼 카세트(233) 및 웨이퍼 반송체(237)를 매개로 하여 인터페이스부(205)로부터 제 2 처리스테이션(204)의 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214d)에 있어서의 제 4 가열·온도조정처리유니트(210d)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219b)에 의해 제 1 현상처리유니트군(213c) 또는 제 2 현상처리유니트군(213d)에 있어서의 현상처리유니트(DEV)(226)로 반송되어, 현상처리가 행하여진다.
현상처리유니트(DEV)(226)에서 현상처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219b)에 의해, 예를들어 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)에 있어서의 가열·온도조정처리유니트(210c)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a)를 매개로 하여, 상기 온도조정처리유니트(CPL)(218a)에 인접하는 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송되어, 가열처리가 행하여진다.
가열처리유니트(HP)(220a)에서 가열처리가 행하여진 웨이퍼(W)는 온도조정처리유니트(218c)로 반송되고, 반송장치(219b)에 의해 제 2 처리스테이션(204)에 있어서의 반송유니트(STL)(238c)로 반송되고, 연결로(242)를 통하여 제 1 처리스테이션(203)에 있어서의 반송유니트(STL)(238b)로 반송된다.
반송유니트(STL)로 반송된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 제 1 가열·온도조정처리스테이션군(214a)에 있어서의 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정처리유니트(218a)로 반송된다. 그리고, 온도조정처리유니트(218a) 내의 웨 이퍼(W)는, 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다. 여기서, 검사기(206)를 설치하는 경우에는, 온도조정처리유니트(218a) 내의 웨이퍼(W)는, 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 검사기(206)로 반송된다. 검사기(206)에서는, 레지스트막의 막두께를 측정함으로써, 노광현상처리에 의해 얻어진 패턴의 폭이 적정한가 그렇지 않은가가 판단된다. 검사된 웨이퍼(W)는, 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다.
이상과 같이 구성되어 있는 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 가열·온도조정처리유니트의 온도조정유니트(CPL)가 액처리유니트측에 배치됨으로써, 액처리유니트와 가열처리유니트(HP)와의 사이에 온도조정처리유니트(CPL)가 개재된 구조로 된다. 이에 의해, 액처리유니트측에 대한 가열처리유니트로부터의 열적 영향을 극력히 억제할 수 있다. 따라서, 당해 현상처리시스템에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하기 위한 액처리유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀히 행할 수 있다.
또한, 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 제 1 및 제 2 처리스테이션(203, 204)에 있어서의 액처리유니트군반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b), 제 1 현상처리유니트군(213c), 제 2 현상처리유니트군(213d)과 가열·온도조정처리유니트군제 1 내지 제 4 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b, 214c, 214d)과의 사이에, 각각 단열벽(239) 및 액처리유니트군(213a, 213b, 213c, 213d) 각각의 하부로부터 배기 된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)가 배치된다. 이에 의해, 통로(240)는 단열수단의 기능도 갖추기 때문에, 제 1 처리유니트군(213)과 제 2 처리유니트군(214)과의 사이에 2중의 단열수단이 배치되게 되고, 또 액처리유니트군에 대한 가열·온도조정처리유니트의 가열처리유니트의 열적 영향을 억제하여, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하는 액처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있다.
다음, 도 39∼도 41를 참조하면서 본 발명의 제 5 실시예에 관하여 설명한다. 도 39∼도 41은 본 발명의 하나의 실시예에 관련된 도포현상처리시스템을 나타내는 도이고, 도 39는 평면도, 도 40은 정면도이다. 도 41은, 도 39의 선(A-A')을 따라 절단한 경우의 단면도이고, 제 1 처리유니트군(213a)과 제 2 처리유니트군(214a)과 케미칼 타워(215a)의 X방향에 있어서의 위치관계를 나타내는 도이다.
본 실시예는, 상술한 제 4 실시예에 비하여, 처리액을 수용하는 케미칼 타워의 배치가 다른 점, 2개의 반송장치(219a, 219b)의 사이에 배치되는 가열·온도조정처리장치의 수가 하나인 점에 있어서 구조적으로 다르다. 이하, 제 5 실시예에 관하여 설명하지만, 제 4 실시예와 같은 구조에 관하여는 일부 설명을 생략한다. 또, 제 4 실시예와 동일한 구성에 관하여는 동일한 부호를 붙여 설명한다.
도 39에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(201)은, 제 4 실시예와 마찬가지의 카세트 스테이션(202)과, 도포현상처리공정 중에서 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 행하는 낱장식의 각종 처리유니트를 다단으로 배치하여 형성된 제 1 처리스테이션(208)과, 상기 제 1 처리스테이션에 인접하여 배치된 제 2 처리스테이션(209)과, 상기 제 2 처리스테이션(209)에 인접하여 배치된 노광장치(도시 생략)의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하기 위한 인터페이스부(205)를 일체로 접속시킨 구성을 갖추고 있다. 제 1 처리스테이션(208)에서는 주로 웨이퍼(W) 상에 반사방지막 및 레지스트막의 도포처리가 행하여지고, 제 2 처리스테이션(209)에서는 노광된 레지스트막의 현상처리가 행하여진다.
카세트 스테이션(202)에 관하여는, 제 4 실시예와 마찬가지의 구조를 갖추기 때문에 설명을 생략한다.
도 39, 도 40에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(208)에서는, 정면측에 액처리가 행하여지는 제 1 처리유니트군으로서의 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a) 및 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b)이 설치되어 있다. 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)은, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리를 행하는 반사방지막 도포유니트(216)가 Z축방향으로 3단으로 적층되어 구성된다. 또, 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b)은, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리를 행하는 레지스트막 도포유니트(CT)(217)가 Z축방향으로 3단으로 적층되어 구성된다. 또, 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a) 및 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b)에 각각 인접되어 케미칼 타워(215a, 215b)가 배치되어 있다. 케미칼 타워(215a)에는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)에 처리액으로서 공급되는 반사방지막 재료가 수용되어 있고, 케미칼 타워(215b)에는 레지스트막 도포유니트(CT)(217)에 처리액으로서 공급되는 레지스트 재료가 수용되어 있다.
제 1 처리스테이션(208)의 배면부에는, 반송장치(219a)를 사이에 두고, 제 2 처리유니트군으로서의 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a), 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)이 배치되어 있다. 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a), 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)은, 각각 케미칼 타워(215a, 215b)에 인접하여 배치되어 있다. 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)은 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 Z축방향으로 8단으로 중첩된 구성으로 되어 있다. 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)은, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)가 Z축방향으로 8단으로 적층된 구성으로 되어 있다. 각 제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트(210a, 210b)는, 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218a, 218b)와 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220a, 220b)가 각각 서로 인접하여 일체화된 구성으로 되어 있다.
도 41에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)은, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 다단으로 적층되어 구성된다. 덧붙여 설명하면, 도 41은 도 39의 선(A-A')을 따라 절단한 경우의 단면도이고, X방향을 따라 제 1 처리유니트군(213a)과 케미칼 타워(215a)와 제 2 처리유니트군(214a)과의 위치관계를 나타내는 도이다. 도 39, 도 41에 나타낸 바와 같이, 제 2 처리유니트군으로서의 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)은, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 8단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에 있어서, 가열처리유니트(HP)(220a)와 온도조정 처리유니트(CPL)(218a) 중에서 온도조정처리유니트(CPL)(218a)가, 처리액 공급부로서의 케미칼 타워(215a)측에 배치된다. 그리고, 이 케미칼 타워(215a)에 인접하여, 제 1 처리유니트군으로서의 반사방지막 도포유니트군(213a)이 배치된다. 또, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)도 마찬가지로, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)가 8단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 1 가열·온도조정처리유니트(210b)에 있어서, 가열처리유니트(HP)(220b)와 온도조정처리유니트(CPL)(218b) 중에서 온도조정처리유니트(CPL)(218b)가, 처리액 공급부로서의 케미칼 타워(215b)측에 배치된다. 그리고, 이 케미칼 타워(215b)에 인접하여, 제 1 처리유니트군으로서의 레지스트막 도포유니트군(213b) 및 후술하는 제 1 현상처리유니트군(213c)이 배치된다.
수직반송형의 반송장치(219a)의 주위에는, 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b), 제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)이 배치되어 있다. 제 1 처리스테이션(208)에 있어서의 반송장치(218a), 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b), 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)의 구조는, 상술한 제 4 실시예에 있어서의 제 1 처리스테이션(203)의 각 구성과 동일한 구조를 갖추고 있기 때문에, 이곳에서 상술한 설명은 생략한다. 본 실시예에 있어서의 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)은, 상술한 제 4 실시예에 있어서의 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과 비교하여, 양 측면에 셔터부재(247a, 247b)가 있는 점과 반송유니트(STL)가 없는 점에서 구조가 다르다. 본 실시예에 있어서는, 제 1 처리스테이션(208)과 후술하는 제 2 처리스테이션(209)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송은, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(210b)의 각 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정처리유니트(218b)를 매개로 하여 행할 수 있다. 이 때문에, 각 온도조정처리유니트(218b)의 양 측면에 셔터부재(247a, 247b)가 설치되어 있다.
한편, 제 2 처리스테이션(209)에는, 도 39, 도 40에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(208)과 마찬가지로, 정면측에 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트군으로서, 제 1 현상처리유니트군(213c) 및 제 2 현상처리유니트군(213d)이 배치되어 있다. 제 1 현상처리유니트군(213c)은, 현상처리유니트(DEV)(226)가 Z축방향으로 2단으로 적층되어 구성되고, 제 2 현상처리유니트군(213d)도 마찬가지로 현상처리유니트(DEV)(226)가 Z축방향으로 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 또, 제 2 현상처리유니트군(213d)에 인접하여 케미칼 타워(215c)가 배치되어 있다. 이 케미칼 타워(215c)에는, 현상처리유니트(DEV)(226)에 처리액으로서 공급되는 현상액이 수용되어 있다.
제 2 처리스테이션(209)의 배면부에는, 반송장치(219b)를 사이에 두고 제 2 가열·온도조정처리유니트군(210b)에 대향한 위치에, 제 2 처리유니트군으로서 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)이 배치되어 있다. 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)은, 각각 케미칼 타워(215c)에 인접되어 배치되어 있다. 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)은, 제 3 가열·온도조정처리유니트(210c)가 Z축방향으로 8단으로 적층되어 구성된다.
제 3 가열·온도조정처리유니트(210c)는, 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218a, 218d)와 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220c, 220d)가 각각 상호로 인접하여 일체화된 구성으로 되어 있다. 그리고, 도 39에 나타낸 바와 같이, 적층되어 있는 모든 제 3 가열·온도조정처리유니트(210c)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a)와 가열처리유니트(HP)(220a) 중에서 온도조정처리유니트(CPL)(218a)가, 처리액 공급부로서의 케미칼 타워(215c)측에 배치된다. 그리고, 이 케미칼 타워(215c)에 인접하여, 제 1 처리유니트군으로서의 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213d)이 배치된다.
수직반송형의 반송장치(219b)의 주위에는, 제 1 현상처리유니트군(214b, 214c), 제 2 현상처리유니트군(213d), 제 2 및 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214b, 214c)이 배치되어 있다. 여기서, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)은, 웨이퍼 상으로의 도포막의 성막 전후의 가열처리 또는 온도조정처리, 현상처리 전후의 가열처리 또는 온도조정처리의 어느쪽에도 대응이 가능하다. 그리고, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과 제 1 또는 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213c, 213d)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송, 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)과 제 1 또는 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213c, 213d)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송은, 반송장치(219b)에 의해 행하여진다. 제 2 또는 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214b, 214c)과 반송장치(219b)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받기는, 각각의 온도조정 처리유니트(218b, 218c)에 설치된 셔터(247a, 247b)를 매개로 하여 행하여진다. 또, 제 3 가열·온도조정처리유니트(210c)의 온도조정처리유니트(218b)와 웨이퍼 반송체(237)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받기는, 온도조정처리유니트(218c)의 셔터부재(247b)를 매개로 하여 행하여진다.
인터페이스부(205)는, 상술한 제 4 실시예에 있어서의 인터페이스부와 동일한 구조를 갖추기 때문에 개별적인 설명을 생략한다.
또한, 이 도포현상처리시스템(1)에서는, 도 39, 도 41에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(208) 및 제 2 처리스테이션에 있어서의 제 1 처리유니트군(213)반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b), 제 1 현상처리유니트(DEV)군(213c), 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213d)과 제 2 처리유니트군(214)제 1 가열·온도조정유니트군(214a), 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b), 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)과의 사이에는, 케미칼 타워(215)(215a, 215b, 215c)가 배치된 구조로 되어 있고, 또 케미칼 타워(215)와 제 2 처리유니트군(214)과의 사이에는 단열벽(239) 및 제 1 처리유니트군(213)로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)가 배치되어 있다. 또, 케미칼 타워(215b)에 인접하여 설치된 통로(240) 및 단열벽(239)은, 1개의 제 2 처리유니트군(214b)에 대응하는 2개의 제 1 처리유니트군(214a)에 대한 온도조정기구 및 단열수단으로서 기능한다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 4 실시예와 마찬가지로, 도포현상처리시스템의 상부에, 각 제 1 처리유니트군에 대하여 상부로부터 온도조정된 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부가 배치되어 있다. 청정에어 공급부는, FFU(팬·필터·유니트) 및 온도나 습도를 조정하는 온도조정장치를 갖추고, 제 1 처리유니트군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로 순환시키기 위한 통로(240)를 매개로하여 유입된 기체로부터, 온도 및 습도를 조정하고 파티클등을 제거한 뒤 청정에어를 통로(243)를 매개로 하여 제 1 처리유니트군으로 공급한다. 본 실시예에 있어서는, 상술한 제 4 실시예와 마찬가지로, 단열벽(239) 및 제 1 처리유니트군(213)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로 순환시키기 위한 통로(240)가 배치된 온도조정기구를 설치함으로써, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 위한 처리액 공급유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀히 행할 수 있다. 또, 통로(240)는 단열수단의 기능을 동반하기 때문에, 제 2 처리유니트군(214)과 케미칼 타워(215)와의 사이에 단열벽(239) 및 통로(240)가 설치됨으로써 2중의 단열수단이 설치되게 된다. 이 때문에, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하는 액처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있고, 또 케미칼 타워(215)에 수용되는 처리액은 가열처리유니트(220)에 있어서의 열적영향을 받기가 어려워, 처리액의 온도조정이 용이하게 된다.
도 40에 나타낸 바와 같이, 상술한 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 반사방지막을 도포하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 반사방지막 도포처리를 행하는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)가 3단으로 적층되어 있다. 레지스트 도포유니트군(213b)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 레지스트를 도포하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트 도포처리를 행하는 레지스트 도포유니트(CT)가 3단으로 적층되어 있다. 제 1 현상처리유니트군(213c)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)(226)가 위에서부터 2단으로 적층되어 있다. 마찬가지로, 제 2 현상처리유니트군(213d)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하여, 당해 웨이퍼(W)에 대하여 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)(226)가 위에서부터 2단으로 적층되어 있다.
제 1, 제 2 및 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b, 214c)은, 각각 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220)와 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218)가 상호로 인접되어 일체화된 가열·온도조정처리유니트(210)가 8단으로 적층되어 구성되어 있고, 상술한 바와 같이 모든 온도조정처리유니트의 측면에 셔터부재(247a, 247b)가 설치되어 있다. 덧붙여 설명하면, 본 실시예에 있어서의 가열·온도조정처리유니트(210)의 구조는, 상술한 제 4 실시예와 동일하기 때문에 여기서는 설명을 생략한다.
다음, 이와 같이 구성된 도포현상처리스템(201)에 있어서의 처리공정을 설명한다. 여기서, 가열·온도조정처리유니트에 있어서의 동작은, 상술한 제 4 실시예와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
도포현상처리시스템(201)에 있어서, 카세트(C) 내에 수용된 미처리의 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리스테이션(203)의 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에 있어서의 온도조 정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정판(225)에 재치되어 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a)에 있어서의 반사방지막 도포유니트(BARC)(216) 내로 반송되어, 반사방지막용의 처리액이 도포된다.
반사방지막 도포유니트(BARC)(216)에서 반사방지막용의 처리액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정판(225) 상에 재치된다. 온도조정판(225) 상에 재치된 웨이퍼(W)는, 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송되어 가열처리가 행하여진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219a)에 의해 레지스트 도포유니트군(213b)에 있어서의 레지스트 도포유니트(COT)(217) 내로 반송되어 레지스트액이 도포된다.
레지스트 도포유니트(CT)(217)에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219)에 의해, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송된다. 또, 웨이퍼(W)는 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송되어, 가열처리가 행하여진다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 온도조정처리유니트(CPL)(218b) 내로 반송되어 온도조 정처리가 행하여진다. 온도조정처리유니트(CPL)(218b)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219b)에 의해 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)의 가열·온도조정처리유니트(210c)의 온도조정처리유니트(218c)로 반송된다.
또, 온도조정처리유니트로 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(205)에 있어서의 웨이퍼 반송체(237)에 의해 주변노광장치(234) 내로 반송되어 주변노광이 행하여진다.
주변노광장치(234)에서 주변노광이 행하여진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(237)에 의해 버퍼 카세트(233)로 반송되어 일단 보지되던가, 웨이퍼 반송체(237), 노광전 유니트(도시 않됨), 웨이퍼 반송체를 매개로 하여 노광장치(도시 않됨)으로 반송된다.
다음, 노광장치에 의해 노광처리가 행하여진 웨이퍼는, 웨이퍼 반송체, 버퍼 카세트(233) 및 웨이퍼 반송체(237)를 매개로 하여 인터페이스부(205)로부터 처리스테이션(209)의 제 3 가열·온도조정처리유니트군(214c)에 있어서의 제 4 가열·온도조정처리유니트(210c)의 온도조정처리유니트(CPL)(218c) 내로 반송되어, 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218c)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219b)에 의해 제 1 현상처리유니트군(213c) 또는 제 2 현상처리유니트군(213d)에 있어서의 현상처리유니트(DEV)(226)로 반송되어, 현상처리가 행하여진다.
현상처리유니트(DEV)(226)에서 현상처리가 행하여진 웨이퍼는, 반송장치(219b)에 의해, 예를들어 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)에 있어서의 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정처리유니트(CPL)(218b)를 매개로 하여, 상기 온도조정처리유니트(CPL)(218b)에 인접하는 가열처리유니트(HP)(220b) 내로 반송되어 가열처리가 행하여진다.
가열처리유니트(HP)(220b)에서 가열처리가 행하여진 웨이퍼(W)는 온도조정처리유니트(218b)로 반송되고, 반송장치(219b)에 의해 제 1 가열·온도조정처리스테이션군(214a)에 있어서의 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정처리유니트(218a)로 반송된다. 그리고, 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내의 웨이퍼(W)는, 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 카세트(C) 내로 반송된다.
이상과 같이 구성된, 본 실시예와 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유니트(BARC, CT, DEV)에 인접하여 처리액 공급부로서의 케미칼 타워가 배치되고, 케미칼 타워에 인접하여 가열·온도조정처리유니트가 배치되고, 가열·온도조정처리유니트의 온도조정처리유니트(CPL)가 케미칼 타워측에 배치됨으로써, 가열·온도조정처리유니트의 가열처리유니트와 액처리유니트와의 사이에는 온도조정처리유니트 및 케미칼 타워가 개재하는 구조로 된다. 이에 의해, 액처리유니트측에 대한 가열처리유니트로부터의 열적영향을 크게 억제할 수 있어, 당해 도포현상처리시스템에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하기 위한 액처리유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀히 행할 수 있게 된다.
또한, 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유니트군{반사방지막 도포유니트(BARC)군(213a), 레지스트막 도포유니트(CT)군(213b), 제 1 현 상처리유니트(DEV)군(213c), 제 2 현상처리유니트(DEV)군(213d)}과 가열·온도조정처리유니트군{제 1 내지 제 4 가열·온도조정처리유니트(214a, 214b, 214c, 214d)}과의 사이에, 각각 단열벽(39) 및 액처리유니트군(213a, 213b, 213c, 213d) 각각의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로 순환시키기 위한 통로(240)가 배치됨으로써, 액처리유니트군에 대한 가열·온도조정처리유니트에 있어서의 가열처리유니트의 열적영향을 방지하고, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하는 액처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있다.
이하, 도 42∼도 44를 참조하면서 본 발명의 제 6의 실시예에 관하여 설명한다. 도 42∼도 44는 본 발명의 제 1 실시예에 관련된 도포현상처리시스템을 나타내는 도이고, 도 42는 평면도, 도 43은 정면도이다. 도 44는 도 42의 선(B-B')을 따라 절단한 경우의 단면도이고, 제 1 처리유니트군(213a)과 제 2 처리유니트군(214a)의 X방향에 있어서의 위치관계를 나타내는 도이다.
본 실시예는, 상술한 제 4 실시예에 비하여, 처리액을 수용하는 케미칼 타워의 배치위치가 다른 점, 반송장치 및 가열·온도조정처리장치의 수를 적게한 점, 반사방지막 도포유니트(BARC) 및 레지스트막 도포유니트(CT)가 적층되어 있는 점에서 구조상 다르다고 할 수 있고, 제 4 및 제 5 실시예에 비교하여 시스템 전체가 소형화로 되어 있다.
이하, 제 6의 실시예에 관하여 설명하지만, 제 4 실시예와 동일한 구조에 관하여는 일부 설명을 생략한다. 또, 제 4 실시예와 동일한 구조에 관하여는 동일한 부호를 사용하여 설명한다.
도 42에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(1)은, 제 4 실시예와 마찬가지의 카세트 스테이션(202)과, 도포현상처리공정 중에서 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 행하는 낱장식의 각종 처리유니트를 다단으로 배치하여 구성된 제 1 처리스테이션(245)과, 이 제 1 처리스테이션에 인접하여 배치된 제 2 처리스테이션(246)과, 이 제 2 처리스테이션(246)에 인접하여 배치된 노광장치(도시 생략)의 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받기를 행하는 인터페이스부(205)를 일체로 접속시킨 구성을 갖추고 있다. 제 1 처리스테이션(245)에서는 주로 웨이퍼(W) 상에 반사방지막 및 레지스트막의 도포처리가 행하여지고, 제 2 처리스테이션(246)에서는 노광된 레지스트막의 현상처리가 행하여진다. 도포현상처리시스템(201)의 거의 중앙부에는 반송장치가 배치되고, 반송장치(219)는 제 1 처리스테이션(245) 및 제 2 처리스테이션(246)에 있어서의 처리 중 웨이퍼(W)의 반송에 사용된다.
카세트 스테이션(202)에 대하여는, 제 4 실시예와 거의 마찬가지의 구조를 갖추고 있기 때문에 상이한 부분에 관하여만 설명한다. 도 43에 나타낸 바와 같이, 카세트 스테이션(202)의 바닥부에는, 후술하는 레지스트막 도포유니트(CT)(217)에 처리액으로서 공급되는 레지스트막 재료가 수용되는 케미칼 타워(215b)가 배치되어 있다.
도 42, 도 43에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(245)에는, 정면측에 액처리가 행하여지는 제 1 처리유니트군으로서, 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e)이 설치되어 있다. 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e)은, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 도포처리를 행하는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216), 레지스트막 도포유니트(CT)(217)가 각각 2단씩 Z축방향으로 적층되어 구성된다. 또, 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e)에 인접하여 케미칼 타워(215a)가 배치되어 있다. 케미칼 타워(215a)에는, 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)로 처리액으로서 공급되는 반사방지막 재료가 수용되어 있다.
제 1 처리스테이션(245)의 배면부에는, 케미칼 타워(215a)에 인접하여 제 2 처리유니트군으로서의 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)이 배치되어 있다. 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)에는, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 Z축방향으로 다단으로 적층되어 구성되어 있다. 각 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)는, 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218a)와 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220a)가 각각 상호로 인접하여 일체화된 구성으로 되어 있다.
도 44에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)은, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 12단으로 적층되어 구성된다. 덧붙여 설명하면, 도 44는 도 42의 선(B-B')을 따라 절단한 경우의 절단면이고, X방향을 따라 제 1 유니트군(213a)과 제 2 처리유니트군(214a)과 케미칼 타워(215a)의 위치관계를 나타내는 도이다. 도 42, 도 44에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)은, 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)가 12단으로 적층되어 구성되고, 케미칼 타워(215a)에 인접하여 배치되어 있다. 또, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)의 모든 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에 있어서, 가열처리유니트(HP)(220a)와 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 중에서 온도조정처리유니트(CPL)(218a)가 케미칼 타워(215a)측에 위치하도록 배치되어 있다. 그리고, 케미칼 타워(215a)에 인접하여 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e)이 배치되어 있다.
한편, 제 2 처리스테이션(246)에는 도 42, 도 43에 나타낸 바와 같이, 정면측에 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트군으로서의 현상처리유니트군(213f)이 배치되어 있다. 현상처리유니트군(213f)은, 현상처리유니트(DEV)(226)가 Z축방향으로 4단으로 적층된 구성으로 되어 있다. 또, 현상처리유니트군(213f)에 인접하여 케미칼 타워(215c)가 배치되어 있다. 이 케미칼 타워(215c)에는, 현상처리유니트(DEV)(226)에 처리액으로서 공급되는 현상액이 수용되어 있다.
제 2 처리스테이션(299)의 배면부에는, 케미칼 타워(215c)에 인접하여 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)이 배치되어 있다. 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)은 제 2 가열·온도조정처리유니트군(210b)이 Z축방향으로 12단으로 적층되어 구성된다. 그리고, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과 모든 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)에 있어서, 가열처리유니트(HP)(220b)와 온도조정처리유니트(CPL)(218b) 중에서 온도조정처리유니트(CPL)(218b)가 케미칼 타워(215c)측에 위치하도록 배치되어 있다. 그리고, 케미칼 타워(215c)에 인접하여 현상처리유니트(DEV)군(213f)이 배치되어 있다.
수직반송형 반송장치(219)의 주위에는, 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e), 현상처리유니트군(213f), 제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)이 배치되어 있다. 각 유니트군 사이의 웨이퍼(W) 반송은 반송장치(219)에 의해 행하여진다. 또, 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)과 웨이퍼 반송체(211)와의 웨이퍼(W)의 주고받기, 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과 웨이퍼 반송체(237)와의 웨이퍼(W)의 주고받기, 제 1 또는 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)과 반송장치(219a)와의 웨이퍼(W)의 주고받기는, 제 1 또는 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)의 각 가열·온도조정처리유니트(210, 210b)의 온도조정처리유니트(218a, 218b)의 양 측면에 설치된 셔터부재(247a, 247b)를 매개로 하여 행하여진다.
인터페이스부(205)는, 상술한 제 4 실시예에 있어서의 인터페이스부(205)와 동일한 구조를 갖추기 때문에, 설명을 생략한다.
상기 도포현상처리시스템(201)은 도 42, 도 43에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리유니트군(213)반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e), 현상처리유니트군(213f)과 제 2 처리유니트군(214)제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a), 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)과의 사이에는, 케미칼 타워(215)(215a, 215c)가 배치된 구조로 되고, 또 케미칼 타워(215)와 제 2 처리유니트군(214)과의 사이에는 단열벽(239) 및 제 1 처리유니트군(213)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)가 배치되어 있다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 4 실시예와 마찬가지로 도포현상처리시스템의 상부에, 각 제 1 처리유니트군에 대하여 상부로부터 온도조정된 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부가 배치되어 있다. 청정에어 공급부는, FFU(팬·필터·유니트) 및 온도라든가 습도를 조정하는 온도조정장치등을 갖추고, 제 1 처리유니트군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)를 매개로 하여 유입된 기체로부터 온도 및 습도를 조정하여 파티클등을 제거한 뒤, 청정에어를 통로(243)를 매개로 하여 제 1 처리유니트군에 공급한다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 4 실시예와 마찬가지로, 단열벽(239) 및 제 1 처리유니트군(213)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로 순환시키기 위한 통로(240)가 배치된 온도조정기구를 설치함으로써, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 위한 처리액 공급유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 더욱 정밀히 행할 수 있다.
도 43에 나타낸 바와 같이, 상술한 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 반사방지막을 도포하여 당해 웨이퍼(W)에 대하여 반사방지막 도포처리를 행하는 반사방지막 도포유니트(BARC)(216)가 2단, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 레지스트액을 도포하여 당해 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트 도포처리를 행하는 레지스트 도포유니트(COT)(217)가 2단으로 적층되어 있다. 현상처리유니트군(213f)에는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하여 당해 웨이퍼(W)에 대하여 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)(226)가 4단으로 적층되어 있다.
제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)에는, 각각 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 행하는 가열처리유니트(HP)(220)와 웨이퍼(W)에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정처리유니트(CPL)(218)가 서로 인접하여 일체화된 가열 ·온도조정처리유니트(210)가 12단으로 적층되어 구성되어 있다. 그리고, 모든 가열·온도조정처리유니트(210)의 온도조정처리유니트의 측면에 셔터부재(247a, 247b)가 설치되어 있다. 덧붙여 설명하면, 본 실시예에 있어서의 가열·온도조정처리유니트(210)의 구조는 상술한 제 4 실시예와 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
상술한 반송장치(219)의 구조는, 상술한 제 4 실시예의 반송장치(219a 및 219b)와 동일한 구조를 갖추기 때문에 설명을 생략한다.
다음, 이와 같이 구성된 도포현상처리시스템(1)에 있어서의 처리공정을 설명한다. 덧붙여 말하면, 가열·온도조정처리유니트에 있어서의 동작은 상술한 제 4 실시예와 동일하기 때문에 생략한다.
도포현상처리시스템(201)에 있어서, 카세트(C) 내에 수용된 미처리 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(202)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리스테이션(203)의 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)에 있어서의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되고, 온도조정판(225) 상에 재치되어 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219)에 의해 반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e)에 있어서의 반사방지막 도포유니트(BARC)(216) 내로 반송되어, 반사방지막용의 처리액이 도포된다.
반사방지막 도포유니트(BARC)(216)에서 반사방지막용의 처리액이 도포된 웨 이퍼(W)는, 반송장치(219)에 의해 제 1 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정판(225) 상에 재치된다. 온도조정판(225) 상에 재치된 웨이퍼(W)는, 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송되어 가열처리가 행하여진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 온도조정처리유니트(CPL)(218a) 내로 반송되어, 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219)에 의해 반사방지막·레지스트 도포유니트군(213e)에 있어서의 레지스트 도포유니트(CT)(217) 내로 반송되어, 레지스트액이 도포된다.
레지스트 도포유니트(COT)(217)에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(219)에 의해, 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정처리유니트(CPL)(218b) 내로 반송된다. 또, 웨이퍼(W)는 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송되어, 가열처리가 행하여진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 온도조정처리유니트(CPL)(218b) 내로 반송되어, 온도조정처리가 행하여진다. 온도조정처리유니트(CPL)(218b)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(205)에 있어서의 웨이퍼 반송체(237)에 의해 주변노광장치(234)로 반송되어 주변노광처리가 행하여진다.
주변노광장치(234)에서 주변노광이 행하여진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(237)에 의해 버퍼 카세트(233)로 반송되어 일단 보지되던가, 웨이퍼 반송체(237), 노광전 온도조정유니트(도시 않됨), 웨이퍼 반송체를 매개로 하여 노 광장치(도시 않됨)로 반송된다.
다음, 노광장치에 의해 노광처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체, 버퍼 카세트(233) 및 웨이퍼 반송체(237)를 매개로 하여 인터페이스부(205)로부터 제 2 처리스테이션(246)의 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214b)에 있어서의 제 2 가열·온도조정처리유니트(210b)의 온도조정처리유니트(CPL)(218b) 내로 반송되어, 온도조정처리가 행하여진다.
온도조정처리유니트(CPL)(218a)에서 온도조정처리가 행하여진 웨이퍼(W)는 반송장치(219)에 의해 현상처리유니트군(213f)에 있어서의 현상처리유니트(DEV)(226)로 반송되어, 현상처리가 행하여진다.
현상처리유니트(DEV)(226)에서 현상처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송장치(219)에 의해 제 1 가열·온도조정처리유니트군(214a)에 있어서의 가열·온도조정처리유니트(210a)의 온도조정처리유니트(CPL)(218a)를 매개로 하여, 이 온도조정처리유니트(CPL)(218a)에 인접하는 가열처리유니트(HP)(220a) 내로 반송되어 가열처리가 행하여진다.
가열처리유니트(HP)(220a)에서 가열처리가 행하여진 웨이퍼(W)는 온도조정처리유니트(218a)로 반송되고, 또, 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(211)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다.
이상과 같이 구성된, 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유니트(BARC, CT, DEV)에 인접하여 처리액 공급부로서의 케미칼 타워가 배치되고, 케미칼 타워에 인접하여 가열·온도조정처리유니트가 배치되고, 가열·온도조 정처리유니트의 온도조정처리유니트(CPL)가 케미칼 타워측에 배치됨으로써, 가열·온도조정처리유니트의 가열처리유니트와 액처리유니트와의 사이에는 온도조정처리유니트 및 케미칼 타워가 개재된 구성으로 된다. 이에 의해, 액처리유니트측에 대한 가열처리유니트로부터의 열적영향을 대폭적으로 억제할 수 있어, 당해 도포현상처리시스템에서는 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행하기 위한 액처리유니트(BARC, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀히 실시할 수 있다.
또한, 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유니트군반사방지막·레지스트막 도포유니트(CT)군(213e), 현상처리유니트군(213f)과 가열·온도조정처리유니트군제 1 및 제 2 가열·온도조정처리유니트군(214a, 214b)과의 사이에, 각각 단열벽(239) 및 액처리유니트군(213e, 213f) 각각의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(240)가 배치됨으로써, 액처리유니트군에 대한 가열·온도조정처리유니트의 가열처리유니트의 열적영향을 방지하고, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대한 액처리를 행하는 액처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 실시할 수 있다. 또, 통로(240)는 일종의 단열수단을 갖추게 되고, 제 2 처리유니트군(214)과 케미칼 타워(215)와의 사이에 단열벽(239) 및 통로(240)가 설치됨으로써, 2중의 단열수단을 갖추는 구조로 된다. 이로 인해, 케미칼 타워(215)에 수용되는 처리액은 가열처리유니트(220)에 의한 열적영향을 받기 어려워 온도조정이 용이하게 된다.
덧붙여 설명하면, 상기 각 실시예에서는, 기판으로서 웨이퍼(W)를 예로들어 설명하였지만, LCD 기판등의 타 기판에도 본 발명을 적용시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 이상에서 설명한 실시예에 한정되지 않는다.
상기 제 1 실시예에 있어서는, 열처리계 유니트부를 3개(G3∼G5), 주 웨이퍼 반송부를 2개(A1, A2), 도포계 유니트부를 2개(G1, G2)로 각각 설치한 구성으로 하였지만, 예를들어 열처리계 유니트부를 4개, 주 웨이퍼 반송부를 3개, 도포계 유니트부를 3개로 하고, 그 배치를 유지한 상태에서 도 1에 있어서 좌우방향으로 증설시켜도 좋다. 또, 필요에 따라 더욱 증설시키는 것도 가능하다.
또한, 도 11 및 도 12에 나타낸 열처리유니트에 있어서, 온도조정·반송장치(C)와 열처리장치(H)와의 사이에서 상호 열간섭을 억제하기 위한 차폐판(93)(일점 쇄선으로 나타냄)을 설치한 구조로 하고, 온도조정·반송장치(219a)에 의한 반송시에는 이 차폐판(93)을 슬라이드시켜 개폐하도록 하여도 좋다.
또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼뿐만이 아니고, 예를들어 액정표시장치에 사용되는 유리기판등에 대하여도 적용이 가능하다.
또한, 레지스트 도포현상시스템뿐만이 아니고, 타 시스템, 예를들어 기판 상에 층간절연막을 형성하는 SOD(Spin on Dielectric) 처리시스템등에도 본 발명을 적용할 수 있다. SOD 처리시스템은, 기판 상에 층간절연막 재료를 도포하는 도포유니트와 절연막 재료가 도포된 기판을 가열, 온도조정하는 가열·온도조정유니트를 갖추고 있다. 상기 가열·온도조정처리유니트는, 본 실시예의 가열·온도조정처리유니트와 마찬가지로, 가열처리유니트와 이에 인접하여 설치된 온도조정처리유니트를 갖추고 있고, SOD 처리시스템에 있어서의 가열처리유니트는 설정온도가 200∼470℃로 하는 것이 가능한 열판을 갖추고 있다. 이와 같은 고온의 처리가 행하여지는 유니트 및 액처리유니트로서의 도포유니트를 갖추는 시스템에, 본 발명과 같이 온도조정처리유니트가 도포유니트측에 배치되도록, 도포유니트와 가열·온도조정처리유니트를 배치하는 것은 매우 유효하다. 또한, 액처리유니트에 인접하여 배치된 도포유니트에 공급하는 처리액을 수용하는 처리액 수용부를 가열·온도조정처리유니트에 인접시켜 배치하고, 또 온도조정처리유니트를 처리액 수용부측에 위치하도록 배치하는 것도 매우 유효하다. 이에 의해, 액처리유니트군에 있어서의 온도제어를 지극히 정밀하게 행할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기판의 온도조정처리에 필요한 시간을 실질적으로 줄일 수 있고, 또한 기판의 온도조정처리에 필요한 시간이 스루풋에 끼치는 악영향을 극력히 저하시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 행하기 위한 제 1 처리유니트군에 있어서의 온도제어를 정밀히 행할 수 있다.

Claims (82)

  1. 기판을 반송하기 위한 주(主) 반송부와,
    상기 주 반송부 주위의 적어도 4 방향 중의 대향하는 2 방향에 배치되어, 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고 또한 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    기판에 대하여 상기 소정 온도 이상의 온도로 처리하는 열처리부와,
    상기 온도조정부를 이동시켜 상기 온도조정부와 상기 열처리부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하게 하는 이동수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 4 방향 중 1 방향측에 배치되어, 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 구비하고,
    상기 주 반송부는, 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 4 방향 중 1 방향측에 배치된, 상기 온도조정부 및 상기 공급부 이외의 기판처리부를 더 구비하고,
    상기 주 반송부는, 상기 기판처리부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고 또한 기판을 반송하는 온도조정·반송기구와,
    상기 온도조정부 및 상기 온도조정·반송기구와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 주 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부를 더 구비하고,
    상기 온도조정·반송기구는 상기 처리부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 처리부로부터 상기 온도조정·반송기구로 건네어진 기판은, 상기 주 반송부에 건네어져 상기 온도조정부로 반송되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 4 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주 반송부에 있어서, 상기 온도조정부로부터 건네받을 때의 기판의 온도와 상기 온도조정·반송기구로부터 건네받을 때의 기판의 온도가 상이한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고 또한 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하는 온도조정·반송기구와,
    상기 온도조정·반송기구의 양측에 배치되어, 온도조정·반송기구와의 사이에서 기판을 반송하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 4 내지 청구항 6, 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 구비하고,
    상기 주 반송부는, 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 온도조정부, 상기 온도조정·반송기구, 상기 처리부, 상기 액공급부는 각각 다단으로 상하 방향으로 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 온도조정·반송기구와 상기 처리부가 동일한 프레임에 의해 둘러싸여 처리유니트를 구성하고,
    상기 처리유니트와 상기 온도조정부가 혼재하여 다단으로 상하방향으로 적층되어 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 기판을 반송하기 위한 주 반송부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또 상기 주 반송부와 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 처리부 및 상기 온도조정·반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 기판을 반송하기 위한 주 반송부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또한 상기 주 반송부와 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비하고,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부가 직선상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제 1 처리부, 상기 제 2 처리부 및 상기 온도조정·반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주 반송부와,
    상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부(副) 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 온도조정부 및 상기 부 반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부가 직선상으로 배치되고,
    또한, 상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주 반송부와,
    상기 온도조정부와 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 제 1 처리부, 상기 제 2 처리부, 상기 온도조정부 및 상기 부 반송부를 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 온도조정부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 기판을 반송하기 위한 주 반송부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와,
    상승이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 처리부, 상기 온도조정·반송부 및 상기 승강핀을 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 승강핀과의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  22. 기판을 반송하기 위한 주 반송부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또한 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와,
    승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀를 구비하고,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부와 상기 승강 핀이 직선상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 제 1 처리부, 상기 제 2 처리부, 상기 온도조정·반송부 및 상기 승강핀을 둘러쌈과 동시에, 상기 주 반송부와 상기 승강핀과의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추는 프레임을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  24. 청구항 13, 15, 17, 19, 21 및 23 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구부를 개폐하기 위한 셔터기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  25. 청구항 12 내지 청구항 23 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 갖추고,
    상기 주 반송부는 상기 액공급부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  26. 청구항 13, 15, 17, 19, 21 및 23 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프레임은, 상하방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  27. 청구항 25에 있어서,
    상기 액공급부는, 상하방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  28. 청구항 26에 있어서,
    상기 주 반송부는,
    기판을 보지하는 아암과,
    상기 아암을 전후로 진퇴구동시키기 위한 진퇴구동기구와,
    상기 아암을 회전시키기 위한 회전구동기구와,
    상기 아암, 상기 진퇴구동기구 및 상기 회전구동기구를 일체적으로 상하방향으로 구동시키는 수직반송기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  29. 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와,
    상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고,
    상기 처리유니트가,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또 상기 각 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이, 더 나아가서는 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  30. 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와,
    상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고,
    상기 처리유니트가,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또한 상기 각 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이, 더 나아가서는 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부를 구비하고,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부가 직선상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  31. 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와,
    상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고,
    상기 처리유니트가,
    상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  32. 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와,
    상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고,
    상기 처리유니트가,
    상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와,
    상기 온도조정부와 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 부 반송부를 갖추고,
    상기 온도조정부, 상기 제 1 처리부 및 상기 제 2 처리부가 직선상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  33. 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와,
    상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고,
    상기 처리유니트가,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또 상기 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와,
    승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  34. 기판을 주고받기위한 개구부를 양측에 갖추는 처리유니트와,
    상기 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 개구부를 매개로 하여 상기 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 제 1 및 제 2 주 반송부를 갖추고,
    상기 처리유니트가,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 1 처리부와,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 제 2 처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하고, 또 상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와의 사이에서 기판을 반송하기 위한 온도조정·반송부와,
    승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 및 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 갖추고,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부와 상기 온도조정·반송부와 상기 승강핀이 직선상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  35. 청구항 29 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리유니트가 상하방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  36. 청구항 29 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 또는 제 2 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기가 가능한 위치에 배치되어, 상기 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 액공급부를 더 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  37. 청구항 36에 있어서,
    상기 액 공급부가 상하방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  38. 청구항 29 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 또는 제 2 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기가 가능한 위치에 배치되어, 상기 기판에 대하여 검사를 행하는 검사부를 더 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  39. 청구항 38에 있어서,
    상기 검사부가 상하방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  40. 청구항 38에 있어서,
    상기 검사부가 기판에 대하여 미크로(micro)적 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  41. 청구항 29 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 주 반송부에 있어서의 상기 처리유니트에 대면하는 면의 반대측에, 상기 처리유니트가 더 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  42. 청구항 29 내지 청구항 34 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리유니트에 있어서의 상기 제 1 또는 제 2 주 반송부에 대면하는 면의 반대측에, 처리 전후의 기판을 일단 받아들여 보지하는 받아들임부가 더 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  43. 청구항 42에 있어서,
    상기 받아들임부에 배치되어, 상기 기판에 대하여 검사를 행하는 검사부를 더 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  44. 청구항 43에 있어서,
    상기 검사부가 기판에 대하여 미크로적 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  45. 기판을 반송하기 위한 주 반송부와,
    상기 주 반송부의 주위에 배치되어, 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리유니트와,
    상기 주 반송부의 주위에 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는 액공급유니트와,
    상기 액공급유니트가 상기 처리유니트 및 상기 주 반송부보다 높은 양압이고, 또 상기 주 반송부와 상기 처리유니트가 거의 동등한 기압으로 되도록 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  46. 청구항 45에 있어서,
    상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트가 각각 별개의 프레임 내에 배치되고,
    상기 각 프레임은 각각 기판의 주고받기를 행하기 위한 개구부를 갖추고,
    상기 각 프레임 간에서 인접하는 개구부 간을 연결하는 통로는, 덮음부재에 의해 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  47. 청구항 46에 있어서,
    상기 덮음부재와 적어도 한쪽의 상기 프레임과의 사이에는 미소한 틈이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  48. 청구항 45 내지 청구항 47 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기압제어수단은, 상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트에 대하여 각각 기체를 공급하는 기체공급부와,
    기체를 배기시키는 기체배기부와,
    기압을 계측하는 기압계측부를 갖추고,
    상기 계측된 기압에 의거하여 상기 기체공급부에 의해 공급되는 기체의 양 및 상기 기체배기부에 의해 배기되는 기체의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  49. 청구항 48에 있어서,
    상기 처리유니트는, 상하방향으로 다단으로 배치되고,
    각 처리유니트별로 상기 기체공급부, 상기 기체배기부 및 상기 기압계측부를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  50. 청구항 46 또는 청구항 47에 있어서,
    상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트의 프레임 중에서 적어도 하나에는 내부 보수에 사용되는 개폐가능한 문이 설치되고,
    상기 기압제어수단은, 상기 문이 열렸을 때에 프레임 내의 기압을 높이도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  51. 청구항 46 또는 청구항 47에 있어서,
    상기 주 반송부, 상기 처리유니트 및 상기 액공급유니트의 프레임을 전체적으로 둘러쌈과 동시에, 내부 보수에 사용되는 개폐가능한 패널이 설치된 외측프레임을 더 갖추고,
    상기 기압제어수단은, 상기 패널이 열렸을 때에 외측프레임의 기압을 높이도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  52. 청구항 50에 있어서,
    상기 문 또는 상기 패널이 열렸을 때에만 작동하는 기체공급부가, 상기 프레임 내 또는 상기 외부프레임 내에 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  53. 기판을 반송하기 위한 주 반송부와,
    상기 주 반송부의 주위에 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는 액공급유니트와,
    상기 주 반송부의 주위에 배치된 처리유니트와,
    상기 주 반송부, 상기 액공급유니트 및 상기 처리유니트의 온도조정 또는 습도관리를 각각 개별적으로 행하는 유니트 온도조정수단을 구비하고,
    상기 처리유니트는,
    상기 주 반송부에 인접하도록 배치되어 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부와,
    상기 주 반송부에 대하여 상기 온도조정부가 개재하도록 배치되어 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  54. 청구항 53에 있어서,
    상기 처리부는 온도조정기구에 의해 덮혀 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  55. 청구항 53 또는 청구항 54에 있어서,
    상기 온도조정부와 상기 처리부와의 사이에는 개폐가능한 열차폐판이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  56. 청구항 53 또는 청구항 54에 있어서,
    상기 처리유니트는 상하방향으로 다단으로 배치되고,
    상기 유니트 온도조정수단은 상기 각 처리유니트를 개별적으로 온도조정 또는 습도관리하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  57. 청구항 53 또는 청구항 54에 있어서,
    상기 액공급유니트는 상하방향으로 다단으로 배치되고,
    상기 유니트 온도조정수단은 상기 각 액공급유니트를 개별적으로 온도조정 또는 습도관리하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  58. 청구항 53 또는 청구항 54에 있어서,
    상기 액공급유니트에 대하여 상기 액을 공급하기 위한 액공급기구를 더 갖추고,
    상기 유니트 온도조정수단은 상기 액 공급기구에 대하여도 온도조정 또는 습도관리하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  59. 청구항 58에 있어서,
    상기 액공급기구는, 상기 액공급유니트의 하방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  60. 청구항 53 또는 청구항 54에 있어서,
    상기 액공급유니트는, 상기 액공급유니트에 대하여 상기 액을 공급하기 위한 액공급기구를 대용하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  61. 기판에 대하여 열적처리를 행하는 처리부 및 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부를 갖추는 처리유니트가 상하방향으로 다단으로 배치된 처리유니트군과,
    상기 처리유니트군의 일방측에 배치되어, 상기 각 처리유니트에 대하여 진입이 가능한 수직반송형의 제 1 주 반송장치와,
    상기 제 1 주 반송장치의 주위에 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는 제 1의 액공급유니트와,
    상기 처리유니트군의 타방측에 배치되어, 상기 각 처리유니트에 대하여 진입이 가능한 수직반송형임과 동시에 소정의 평면방향으로 이동이 가능한 제 2 주반송장치와,
    상기 제 2 주 반송장치의 평면이동방향을 따라 배치되어, 기판 상에 소정의 액을 공급하는, 복수의 제 2 액공급유니트를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  62. 청구항 61에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 액공급유니트가 상하방향으로 다단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  63. 기판을 반송하는 기판반송장치와,
    상기 기판반송장치의 양측 및 전면(前面)에 배치된 처리유니트를 갖추고,
    한측의 상기 처리유니트는 수직방향으로 다단으로 배치되고,
    상기 기판반송장치는, 상기 각 유니트에 대하여 기판의 주고받기가 가능한 수직반송형이고, 또 상기 기판반송장치를 수직방향으로 지지하는 지지부재가 전면에 배치된 상기 처리유니트측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  64. 기판을 주고받기위한 제 1 및 제 2 개구부를 양측에 갖추는 제 1 처리유니트와,
    상기 제 1 처리유니트의 각 개구부에 대면하도록 배치되어, 상기 각 개구부를 매개로 하여 상기 제 1 처리유니트와의 사이에서 기판의 반입반출를 행하는 제 1 및 제 2 반송장치와,
    상기 각 개구부를 개폐하는 제 1 및 제 2 셔터부재와,
    상기 제 1 개구부가 열려있을 때에 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  65. 청구항 64에 있어서,
    상기 제 1의 처리유니트는,
    기판에 열적처리를 행하기 위한 열적처리부와,
    기판을 소정의 온도로 조정하는 온도조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  66. 청구항 64 또는 청구항 65에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 반송장치는, 덮음부재에 의해 둘러싸임으로써 실질적으로 외부로부터 차폐되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  67. 기판의 주고받기를 행하기 위한 반송장치와,
    상기 반송장치에 인접되도록 배치되어, 상기 반송장치와의 사이에서 기판을 주고받기 위하여 각각 제 1 및 제 2 개구부를 갖추는 제 1 및 제 2 처리유니트와,
    상기 각 개구부를 개폐하는 제 1 및 제 2 셔터부재와,
    상기 제 1의 개구부가 열렸을 때에 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  68. 청구항 67에 있어서,
    상기 제 1 처리유니트가 기판을 온도조절 또는 가열하기 위한 유니트이며,
    상기 제 2 처리유니트가 기판에 소정의 액을 공급하기 위한 유니트인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  69. 청구항 67 또는 청구항 68에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 반송장치는, 덮음부재에 의해 둘러싸여 실질적으로 외부로부터 차단되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  70. 기판의 주고받기를 행하기 위한 반송장치와,
    상기 반송장치에 인접되도록 배치되어, 상기 반송장치와의 사이에서 기판을 주고받기 위한 각각 제 1 및 제 2 개구부를 갖추는 제 1 및 제 2 처리유니트와,
    상기 각 개구부를 개폐하는 제 1 및 제 2 셔터부재와,
    상기 제 1 개구부가 열려있을 때에 상기 제 2 개구부가 닫히도록 상기 각 셔터부재의 개폐를 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  71. 기판을 반송하는 주 반송장치와,
    상기 주 반송장치의 전면(前面)측에 인접하도록 배치되어, 상기 주 반송장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판에 대하여 소정의 액을 공급하는 제 1 처리유니트와,
    상기 주 반송장치의 일측면측에 인접하도록 배치되어, 상기 주 반송장치와의 사이에서 기판의 주고받기를 행함과 동시에, 기판을 소정의 온도로 조정하는 온도 조정부 및 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부를 갖추는 제 2 처리유니트를 갖추고,
    상기 제 2 처리유니트의 상기 온도조정부는 상기 주 반송장치에 인접하도록 배치되고, 상기 가열부는 상기 온도조정부에 인접하고 또 상기 주반송장치의 배면측에 돌출하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  72. 기판을 처리부에서 열적처리를 행하는 공정과,
    상기 열적처리가 행하여진 기판을 온도조정·반송부에 의해 소정의 온도로 조정하면서, 기판을 반송하기 위한 주 반송부로 건네주는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  73. 청구항 72에 있어서,
    상기 주 반송부로부터 상기 온도조정·반송부로 기판을 건네주는 공정과,
    상기 온도조정·반송부에 의해 기판을 소정의 온도로 조정하면서, 상기 처리부로 기판을 반송하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  74. 기판을 반송하기 위하여 주 반송부로부터 온도조정·반송부로 기판을 건네주는 공정과,
    상기 온도조정·반송부에 의해 기판을 소정의 온도로 조정하면서 처리부로 기판을 반송하는 공정과,
    상기 반송된 기판에 대하여 처리부에서 열적처리를 행하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  75. 청구항 72 내지 청구항 74의 어느 한 항에 있어서,
    승강이 가능하고, 상승된 상태에서 상기 주 반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하고, 하강된 상태에서 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 복수의 승강핀을 매개로 하여, 상기 주 반송부와 상기 온도조정·반송부와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  76. 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트가 다단으로 적층된 제 1의 처리유니트군과,
    상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정부를 상호로 인접시켜 일체화시킨 제 2 처리유니트가 다단으로 적층된 제 2 처리유니트군과,
    상기 각 제 1 처리유니트와 상기 각 제 2 처리유니트와의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 갖추고,
    상기 각 제 2 처리유니트에 있어서 상기 가열부 및 상기 온도조정부 중에서 상기 온도조정부가 상기 제 1 처리유니트군측에 위치하도록 하면서, 상기 제 1 처리유니트군과 상기 제 2 처리유니트군이 인접되도록 배치한 것을 특징으로 하는 기 판처리장치.
  77. 청구항 76에 있어서,
    상기 제 1 처리유니트군에 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 갖추고,
    당해 청정에어 공급부는, 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 기체를 배기하고, 당해 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유니트군의 상부로부터 온도조정된 기체를 분출하는 것이고, 또한 상기 제 1 처리유니트군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  78. 청구항 76 또는 청구항 77에 있어서,
    상기 제 1 처리유니트군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 단열벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  79. 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트가 다단으로 적층된 제 1 처리유니트군과,
    상기 제 1 처리유니트군에 인접하여 배치되어, 상기 각 제 1 처리유니트에 대하여 상기 소정의 액을 공급하는 처리액공급부와,
    상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 온도조 정처리를 행하는 온도조정부를 상호로 인접시켜 일체화시킨 제 2 처리유니트가 다단으로 적층된 제 2 처리유니트군과,
    상기 각 제 1 처리유니트와 상기 각 제 2 처리유니트와의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 갖추고,
    상기 각 제 2 처리유니트에 있어서의 상기 가열부 및 상기 온도조정부 중에서 상기 온도조정부가 상기 처리액공급부측에 위치하도록 하면서, 상기 처리액공급부와 상기 제 2 처리유니트군이 인접하도록 배치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  80. 상기 제 1 처리유니트군에 청정에어를 공급하는 청정에어공급부를 갖추고,
    당해 청정에어공급부는, 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 기체를 배기하고, 당해 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유니트군의 상부로부터 온도조정된 기체를 분출하는 것이고, 또한 상기 처리액공급부가 배치된 영역과 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유니트군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로부터 순환시키기 위한 통로를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  81. 청구항 79 또는 청구항 80에 있어서,
    상기 처리액 공급부가 배치된 영역과 상기 제 2 처리유니트군이 배치된 영역을 분단하도록 단열벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  82. 기판상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 행하는 제 1 처리유니트가 다단으로 적층된 제 1 처리유니트군과,
    상기 기판에 대하여 가열처리를 행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 온도조정처리를 행하는 온도조정부를 상호로 인접시켜 일체화시킨 제 2 처리유니트가 다단으로 적층된 제 2 처리유니트군과,
    상기 액처리가 행하여진 기판에 대하여 노광처리를 행하는 노광유니트를 갖추고,
    상기 노광유니트에 대하여 기판을 반입하기 전에, 상기 제 2 처리유니트의 온도조정부에 기판이 대기되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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