TW480555B - Substrate processing apparatus and substrate processing - Google Patents

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TW480555B
TW480555B TW089121807A TW89121807A TW480555B TW 480555 B TW480555 B TW 480555B TW 089121807 A TW089121807 A TW 089121807A TW 89121807 A TW89121807 A TW 89121807A TW 480555 B TW480555 B TW 480555B
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processing unit
unit
processing
temperature
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TW089121807A
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Issei Ueda
Shinichi Hayashi
Naruaki Iida
Yuji Matsuyama
Yoichi Deguchi
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Tokyo Electron Ltd
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Description

480555 A7 經濟部智慧財產局P'工消費合作社印別π
480555 線 五、發明說明（2 A： B7 部，與處理部群的基板交接位置之間則由主搬送自動設備 搬运基板的技術。藉此，可以減輕搬送裝置的負擔，使產 率提1¾。 例如，在曝光處理與顯像處理之間，於加熱處理後實 施調溫處理，而有調溫處理所需要的時間加長，而且使產 率降低的傾向；若以如上所示之技術，則因為減輕負擔的 副搬迗自動設備在實施加熱處理之處理部與實施調溫處理 之處理部之間搬送基板，所以可以縮短從加熱處理結束到 顯像處理開始的時間，從而減少調溫處理所需要的時間在 產率降低上所造成的影響。 但疋，在上述公報所揭示的技術中，調溫處理實際需 要的時間和習知相比並無任何改變，故而在減少調溫處理 所需要的時間對產率之降低所造成的影響上有其界限。 另，在上述公報所揭示的技術中，由於形成基板被搬 入透過副搬送自動裝置而實施加熱處理之處理部和實施調 溫處理之處理部的構造，因此在加熱處理前和調溫處理前 之基板的熱經歷上產生偏差，而有無法在精確的溫度下實 施處理之問題。尤其，最近有將加熱板和調溫板作得薄以 迅速地對應溫度變更之傾向，如果將熱經歷上有偏差的基 板投入此種場合，則加熱板和調溫板的溫度會變得混亂， 精確的溫度下之基板處理變得困難。 又，另一方面，由於自過去以來係將塗布顯像處理裝 置整體予以小型充實化，故藉由將複數個加熱處理單元與 調溫處理單元多段地與搬送裝置一同集約配置成整體的方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（：?】〇 X 297公爱)~
I · I I I (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) n n n I l_ -線. -n n I I 480555 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 ) 式，達成塗布顯像處理裝置之省空間化。 當晶圓大口徑化時’所有的處理單元也伴隨著大型化 。因此，為達省空間化，必需使各處理單元的配置更為高 集約化。 【發明概要】 本發明之目的在於提供一種可以實質地減低基板之調 溫處理所需時間的基板處理裝置及基板處理方法。· 本發明之第2目的在於提供一種可以更精確地實施基 板之熱處理和調溫處理的基板處理裝置及基板處理方法。 本發明之第3目的在於提供一種可以精確地實施在用 以對基板貫液體處理之處理單元中的溫度控制之基板處 理裝置。 為達成上述目的，本發明之基板處理裝置具備用以搬 达基板之主搬送部、在前述主搬送部周圍被配置於至少4 個方向中的相對向之2個方向上，並在與前述主搬送部之 間貫施基板之交接，而且將基板調整成預定的溫度之調溫 ^在則述預定溫度以上之溫度對基板施以處理的熱處理 部，和使前述調溫部移動並在前述調溫部與前述熱處理部 之間實施基板之交接的移動裝置。 本發明之基板處理裝置進一步具備被配置在前述4個 方向中之至少1個方向側，用以對基板供給預定的液體之 液體供給部，且前述主搬送部在與前述液體供給部之間實 化基板的交接。 本發明之處理裝置進一步具備在前述4個方向中之至
f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 · 訂： -線< 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 480555 A7 B7 五、發明說明（4 ) 少1個方向側所配置的前述調溫部及前述供給部以外之基 板處理部（例如對前述基板施以疏水化處理的粘著單元 (adhesion unit))，而前述主搬送部在與前述基板處理部之 間實施基板的交接。 本發明之基板處理裝置具備將基板處理成預定溫度的 調溫部、將基板調整成預定溫度並搬送基板之調溫·搬送 機構，與在前述調溫部及前述調溫·搬送機構之間實施基 板交接的主搬送部。 本發明之基板處理裝置進一步具備用以對基板實施熱 處理的處理部，且前述調溫·搬送機構進一步在與前述處 理部之間實施基板的交接。 本發明之基板處理裝置，其被從前述處理部交接到前 述調溫·搬送機構之基板係由前述主搬送部所交接並朝前 述調溫部搬送。 本發明之基板處理裝置，其前述主搬送部從前述調溫 部接收時的基板溫度，與從前述調溫·搬送機構接收時的 基板溫度不同。 本發明之基板處理裝置具備用以對基板實施熱處理之 處理部，和將基板調整成預定溫度且在與前述處理部之間 搬送基板之調溫·搬送機構，以及配置於前述調溫·搬送 機構的兩側，在與前述調溫·搬送機構之間搬送基板的第 1及第2主搬送部。 本發明之基板處理裝置進一步具備用以對基板供給預 定的液體之液體供給部，且前述主搬送部在與前述液體供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480555 A： ______B：____ 五、發明說明（5 ) 給部之間實施基板的交接。 本發明之基板處理裝置係將前述調溫部、前述調溫. 搬送機構、前述處理部、前述液體供給部分別多段地沿上 下方向堆積起來而構成。 本發明之基板處理裝置係將前述調溫·搬送機構與前 述處理部圍繞在同一框體而構成處理單元，且前述處理單 元與刖述調溫部混合存在，多段地沿上下方向堆積起來而 構成。 本發明之基板處理裝置具備用以搬送基板之主搬送部 ’和用以對基板實施熱處理的處理部，以及用以將基板調 整成預定溫度，並且在前述主搬送部與前述處理部之間搬 送基板的調溫·搬送部。 本發明之基板處理裝置進一步具備框體，其圍繞前述 處理部及前述調溫·搬送部，而且具有供於前述主搬送部 與前述調溫·搬送部之間實施基板之交接的開口部。 本發明之基板處理裝置具備用以搬送基板之主搬送部 、供對基板施以熱處理之第1處理部、供對基板施以熱處 理之第2處理部，和用以將基板調整成預定溫度，而且在 月！I述主搬送部與前述第1處理部和前述第2處理部之間搬送 基板的調溫·搬送部；前述第1處理部與前述第2處理部和 前述調溫·搬送部被配置成直線狀。 本發明之基板處理裝置進一步具備有框體，其圍繞前 述第1處理部、前述第2處理部及前述調溫·搬送部，並且 σ又有用以在㈤述主搬送部與前述調溫·搬送部之間實施基 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公爱"7 n n I 1. n ϋ 1 n ϋ 1— 11 I amMW 1* n n ft·— 一^· n n nv an m 1· ϋ I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时產局員工消費合作社印制衣 480555 A7 _ B7 五、發明說明（6 ) 板之交接的開口部。 本發明之基板處理裝置具備將基板調整成預定溫度之 調溫部、供對基板施以熱處理之處理部、至少在與前述調 溫部之間實施基板的交接之主搬送部，和用以在前述調溫 部與前述處理部之間搬送基板之副搬送部。 本發明之基板處理裝置進一步具備框體，其圍繞前述 調溫部及前述副搬送部，並且設有用以在前述主搬送部和 前述調溫部之間實施基板的交接之開口部。 本發明之基板處理裝置，其將基板調整成預定溫度之 調溫部、供對基板施以熱處理之第1處理部、供對基板施 以熱處理之第2處理部被配置成直線狀，而且至少具備用 以在與前述調溫部之間實施基板的交接之主搬送部，和在 前述調溫部與前述第1處理部及前述第2處理部之間搬送基 板之副搬送部。 本發明之基板處理裝置進一步具備有框體，其圍繞前 述第1處理部、前述第2處理部、前述調溫部及前述副搬送 部’並且設有用以在前述主搬送部與前述調溫部之間實施 基板的交接之開口部。 本發明之基板處理裝置具備用以搬送基板之主搬送部 、供對基板施以熱處理之處理部，和用以將基板調整成預 疋溫度’並且在與前述處理部之間搬送基板的調溫·搬送 部’以及可以昇降，而且以上昇狀態在與前述主搬送部之 間實施基板的交接，並以下降狀態在與前述調溫·搬送部 之間實施基板的交接之複數個昇降樞。 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 480555 A： B7 五、發明說明（7 ) 本發明之基板處理裝置進一步具備有框體，其圍繞前 述處理部、前述調溫·搬送部及前述昇降樞，而且設有用 以在前述主搬送部與前述昇降樞之間實施基板的交接之開 口部。 本發明之基板處理裝置備設用以搬送基板之主搬送部 、供對基板施以熱處理之第1處理部、供對基板施以熱處 理之第2處理部、用以將基板調整成預定的温度且在前述 第1處理部與前述第2處理部之間搬送基板的調溫·搬送部 ，和可以昇降，且以上昇狀態在與前述主搬送部之間實施 基板的交接’而以下降狀態在與前述調溫·搬送部之間實 施基板的交接之複數個昇降樞；前述第1處理部、前述第2 處理部、前述調溫·搬送部，和前述昇降樞被配置成直線 狀。 本發明之基板處理裝置係在申請專利範圍第1 1項記載 之基板處理裝置中，進一步具備框體，其圍繞前述第1處 理部、前述第2處理部、前述調溫·搬送部及前述昇降樞 ，而且設有用以在前述主搬送部與前述昇降樞之間實施基 板之交接的開口部。 本發明之基板處理裝置進一步具備用以開閉前述開口 部之開閉（shutter)機構。 本發明之基板處理裝置進一步設有用以對前述基板供 給預定的液體之液體供給部；前述主搬送部在與前述液體 供給部之間實施基板的交接。 本發明之基板處理裝置中，前述框體沿上下方向被配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐 n 1 ^ ϋ n ϋ n I 11 1 I n n 1_1 in ϋ an n 一^· n 1_1 11 11 ϋ *1 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 480555 A： ...... 1 ........ B? _ 五、發明說明（8 ) 置成多段。 本發明之基板處理裝置中，前述液體供給部沿上下方 向被配置成多段。 本發明之基板處理裝置中，前述主搬送部具備保持基 板之臂部、用以將前述臂部前後地進退驅動之進退驅動機 構、用以使前述臂部轉動之轉動驅動機構 ，禾7沿上下方向 將前述臂部、前述進退驅動機構及前述動驅動機構一體地 驅動之垂直搬送機構。 本發明之基板處理裝置配備有於兩側設有用以交接基 板之開口部的處理單元，和被配置成面對前述處理單元之 各開口部的狀態，而且經由前述開口部在與前述處理單元 之間實施基板之搬出搬入的第丨及第2主搬送部；前述處理 單在用以對基板實施熱處理之處理部，和將基板調整成 預定的溫度，而且經由前述各開口部在第1及第2主搬送部 之間，進一步具備用以在與前述處理部之間搬送基板的調 溫·搬送部。 本發明之基板處理裝置配備有於兩側設有供交接基板 用的開口部之處理單元，和被配置成面對前述處理單元之 各開口部的狀態，並經由前述開口部而在與前述處理單元 之間實施基板的搬出搬入之第1及第2主搬送部；前述處理 單元在用以對基板實施熱處理之第1處理部、用以對基板 實施熱處理之第2處理部，和用以調整基板成為預定的溫 度，且經由開口部而在前述第1及第2主搬送部之間，進一 步具備用以在前述第1處理部與前述第2處理部之間搬送臭 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -------------裝--------訂i I ϋ n ϋ 1_1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印糾^ 480555 A7 _ B7 五、發明說明（9 ) 板的調溫·搬送部；前述第1處理部與前述第2處理部和前 述調溫·搬送部被配置成直線狀。 本發明之基板處理裝置具備於兩側設有用以交接基板 的開口部之處理單元，和被配置成面對前述處理單元之各 開口部的狀態，且經由前述開口部而在與前述處理單元之 間實施基板的搬出搬入之第1及第2主搬送部；前述處理單 元經由前述開口部而在與前述第1及第2主搬送裝置之間實 施基板的交接，而且具備將基板調整成預定的溫度之調溫 部、用以對基板實施熱處理之處理部，和用以在前述調溫 部與前述處理部之間搬送基板的副搬送部。 本發明之基板處理裝置具備於兩側設有用以交接基板 的開口部之處理單元，和被配置成面對前述處理單元之各 開口部，且經由前述開口部而在與前述處理單元之間實施 基板的搬出搬入之第1及第2主搬送部；前述處理單元經由 前述開口部而在與前述第丨及第2主搬送部之間實施基板的 交接，而且具備將基板調整成預定的溫度之調溫部、用以 對基板實施熱處理之第丨處理部、用以對基板實施熱處理 之第2處理部，和用以在前述調溫部與前述第丨處理部及前 述第2處理部之間搬送基板的副搬送部，且前述調溫部、 A述第1處理部及前述第2處理部被配置成直線狀。 本發明之基板處理裝置具備於兩側設有用以交接基板 的開口部之處理單元，和被配置成面對前述處理單元二各 開口部，且經由前述開口部而在與前述處理單元之間實施 基板的搬出搬入之第丨及第2主搬送部；前述處理單元二: n n 1 * n ϋ n 1 H ϋ I n · * ϋ ϋ ϋ i-f I H ·1 · i·— —.1 I* ·1 ϋ I ·1 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
12 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480555 A7 ______B7 五、發明說明（10) 用以對基板實施熱處理的處理部，和用以將基板調整成預 定的溫度，並且在與前述處理部之間搬送基板的調溫·搬 送部’和可以昇降，且以上昇狀態經由前述開口部而在與 前述第1及第2主搬送部之間實施基板的交接，並以下降狀 態在與前述調溫·搬送部之間實施基板的交接之複數個昇 降樞。 本發明之基板處理裝置具備於兩側設有用以交接基板 的開口部之處理單元，和被配置成面對前述處理單元之各 開口部’且經由前述開口部而在與前述處理單元之間實施 基板的搬出搬入之第1及第2主搬送部；前述處理單元具備 用以對基板實施熱處理的第1處理部、用以對基板實施熱 處理的第2處理部，和用以將基板調整成預定的溫度，並 且在與前述第1處理部和前述第2處理部之間搬送基板的調 溫·搬送部，及可以昇降，且以上昇狀態經由前述開口部 而在與前述第1及第2主搬送部之間實施基板的交接，並以 下降狀態在與前述調溫·搬送部之間實施基板的交接之複 數個昇降樞；前述第丨處理部、前述第2處理部、前述調溫 •搬送部，和前述昇降樞被配置成直線狀。 本發明之基板處理裝置中，前述處理單元沿上下方向 被配置成多段。 本發明之基板處理裝置進一步設有配置於可以在與前 述第1或第2搬送部之間交接基板的位置，並對前述基板供 給預定的液體之液體供給部。 本發明之基板處理裝置中，前述液體供給部沿上下 -------------裝------II 訂--I------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
13 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 Μ 480555 Α7 __ D：___ 五、發明說明（11 ) 向被配置成多段。 本發明之基板處理裝置進一步設有配置於可以在與前 述第1或第2搬送部之間交接基板的位置，並對前述基板進 行檢查之檢查部。 本發明之基板處理裝置中，前述檢查部沿上下方向被 配置成多段。 本發明之基板處理裝置中，前述檢查部對基板進行微 觀的檢查。 本發明之基板處理裝置中，在面對前述第1主搬送部 中之4述處理早元的面之相反側上。進一步配置有前述處 理單元。 本發明之基板處理裝置中，在面對前述處理單元中之 前述第1或第2主搬送部的面之相反側上，進一步配置有將 處理前後的基板暫時地予以收納保持之收納部。 本發明之基板處理裝置進一步設有配置於前述收納部 ’對前述基板進行檢查之檢查部， 本發明之基板處理裝置中，前述檢查部對基板進行微 觀的檢查。 本發明之基板處理裝置具備用以搬送基板的主搬送部 ，和配置於前述主搬送部周圍，至少對基板實施熱處理之 處理單元，和配置於前述主搬送部周圍，將預定的液體供 給至基板上之液體供給單元，以及控制裝置，控制前述液 體供給單元成為比前述處理單元及前述主搬送部更大的壓 力（陽壓），而且前述主搬送部與前述處理單元成為大致相 (請先閱讀背面之注¾事項再填寫本頁) 訂： ;線·
經濟部智慧时產局8工消費合作社印製 '*"""' -------- 五、發明說明（12 ) "'—〜 -- 等的氣壓之狀態。 本發明之基板處理裝置係將前述主搬送部、前诚處理 f元及前述液體供給單元’分別地配置於個別的框：内： w述各框體分別設有用以實施基板之交接的開口部，而且 在前述各框趙間連繫相鄰的開口部間之通路被圍繞構件所 圍繞。 本發明之基板處理裝置在前述圍繞構件與至少一個前 述框體之間設有微小的間隙。 本發明之基板處理裝置中，前述氣壓控制裝置配備有 對前述主搬送部、前述處理單元及前述液體供給單元，分 別地供氣體之氣體供給部，和將氣體予以排氣之氣體排氣 部，及計測氣壓之氣壓計測，並根據前述計測所得之氣壓 ’控制從前述氣體供給部所供給之氣體量及從前述氣體排 氣部所排出的氣體量中之至少一者。 本發明之基板處理裝置中，前述處理單元沿上下方向 被配置成多段，每-個處理單元都配備有前述氣體供給部 、前述氣體排氣部及前述氣壓計測部。 本發明之基板處理裝置於前述主搬送部、前述處理單 元及前述液體供給單元的框體中之至少_個，設有用於内 部保養之可開閉的門，當前述的門被打開時，前述氣壓控 制裝置會控制成將框體内的氣壓予以昇高之狀態。 本發明之基板處理裝置於將前述主搬送部、前述處理 單7L及丽述液體供給單元的框體整體地加以圍繞，而且進 -步具有设置了用於内部保養之可開閉的面板之外側 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公餐了 -----------------線 f請先閱讀背面之;1专？事項再填寫本頁) 15 480555 五、發明說明（l3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，當前述面板被打開時，前述氣壓控制裝置會控制成將外 側框體内的氣壓予以昇高之狀態。 本發明之基板處理裝置進一步於前述框體内或前述外 部框體内設有僅在前述的門或前述面板被打開時進行工作 之氣體供給部。 本發明之基板處理裝置具備用以搬送基板之主搬送部 ，和配置於前述主搬送部周圍，將預定的液體供給至基板 上之液體供給單7L，和配置於前述主搬送部周圍的處理單 7C，以及單元調溫裝置，其分別個別地實施前述主搬送部 、刖述液體供給單元及前述處理單元的調溫或濕度管理； 前述處理單元被配置成與前述主搬送部相鄰，並且具備將 基板調整成預定的溫度之調溫部，和被配置成面對前述主 搬送部並透過前述調溫部，對基板實施熱處理的處理部。 本發明之基板處理裝置中，前述處理部被覆以調溫機 構。 本發明之基板處理裝置於前述調溫部與前述處理部 間配置有可開閉之熱遮蔽板。 本發明之基板處理裝置中，前述處理單元沿上下方 被配置成多段’而前述單元調溫裝置對前述每個處理單 個別地加以調溫或進行濕度管理。 本發明之基板處理裝置中，前述液體供給單 元沿上下 方向被配置成？段’而前述單元調溫裝置對每㈣體供給 單元個別地進行調溫或做濕度管理。 本發明之基板處理裝置進一步設有用以對前述液體供 之 向 元 I n n ϋ n n ϋ ·1 n n n 1· I · Mi I ... 产 / 請先閱讀背面之注音〗事項再填寫本頁) -線. 16 480555 A7 B： 五、發明說明（I4 ) 給單元供給前述液體之液體供給機才舞，而前述單元調溫裝 置也對前述液體供給機構進行調溫或濕度管理。 本發明之基板處理裝置中’前述液體供給機構被配置 在前述液體供給單元的下方。 本發明之基板處理裝置中，前述液體供給單元可以代 用為供對前述液體供給單元供給前述液體之液體供給機構 〇 · 本發明之基板處理裝置具備，包括對基板施以熱處理 之處理部及將基板調整成預定溫度之調溫部的處理單元係 沿上下方向被配置成多段之處理單元群、和配置在前述處 理單元群的一側，可以進出前述各處理單元之垂直搬送型 第1主搬送裝置、配置於前述第1主搬送裝置周圍，將預定 的液體供給至基板上之第1液體供給單元、配置於前述處 理單元群之另一側，可以進出前述各處理單元之垂直搬送 型，而且可以在預定的平面方向上移動之第2主搬送裝置 ’以及沿前述第2主搬送裝置之平面移動方向配置，將預 定的液體供給至基板上之複數個第2液體供給單元。 本發明之基板處理裝置中，前述第1及第2液體供給單 元係沿上下方向被配置成多段。 本發明之基板處理裝置配備有搬送基板之基板搬送裝 置’和配置在前述基板搬送裝置的兩側及前面之處理單元 ’至少一側之前述處理單元在垂直方向被配置成多段；前 述基板搬送裝置為可以對前述各單元進行基板的交接之垂 直搬送型’而且，被安裝在前面配置有面對垂直方向支撐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·- -·線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 17 480555 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將 被 五、發明說明（15 ) 前述基板搬送裝置之支持構件的前述處理單元側。 本發明之基板處理裝置具備用以交接基板之於兩側設 有第1及第2開口部的第1處理單元、配置成面對前述第1處 理單元之各開口部，並經由前述各開口部在與前述第1處 理單元之間實施基板的搬出搬入之第1及第2搬送裝置、開 閉前述各開口部之第1及第2開閉器構件，以及控制裝置， 其控制前述各開閉器構件之開閉，使前述第1開口細打開 時，前述第2開口部就關閉。 本發明之基板處理裝置中，前述第1處理單元具備用 以對基板實施熱處理的熱處理部，和將基板調整成預定的 溫度之調溫部。 本發明之基板處理裝置中，前述第丨及第2搬送裝置被 圍繞構件包圍，實質地由外部被遮蔽。 本發明之基板處理裝置具備用以實施基板的交接之搬 送裝置、配置成與前述搬送裝置相鄰，用以在與前述搬送 裝置之間交接基板的分別設有第丨及第2開口部之第丨及第2 處理單元、開閉前述各開口部之第丨及第2開閉器構件，以 及控制裝置，其控制前述各開閉器構件之開閉，使前述第 1開口部打開時，前述第2開口部就關閉。 本發明之基板處理裝置中，前述第丨處理單元係用以 將基板調溫或加熱的單元，前述第2處理單元則是用以 預定的液體供給至基板的單元。 本發明之基板處理裝置中，前述第丨及第2搬送裝置 圍繞構件包圍，實質地從外部被遮蔽。 ϋ I I— n ϋ I» n n ft— ϋ n fei_— I · mmm— an ·>1 i_i n n n"-口 r · i ϋ ϋ ϋ ϋ *iBi ·ϋ · (請先閱讀背面之i意事項再填寫本頁) 18 480555 五、發明說明（16) ί請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 本發明之基板處理裝置具備用以實施基板的交接之搬 送裝置、配置成與前述搬送裝置相鄰，用以在與前述搬送 裝置之間交接基板，分別設有第丨及第2開口部之第1及第2 處理單元、開閉前述各開口部之第丨及第2開閉器構件，以 及控制裝置，其控制前述各開閉器構件之開閉，使前述第 1開口部打開時，前述第2開口部即關閉。 本發明之基板處理裝置具備搬送基板之主搬送^置、 配置成與前述主搬送裝置的前面側相鄰，在與前述主搬送 裝置之間實施基板的交接，並且對基板供給預定的液體之 第1處理單元，和配置成與前述主搬送裝置之一側面側相 鄰，在與前述主搬送裝置之間實施基板的交接，並且具有 將基板調整成預定的溫度之調溫部及對基板實施加熱處理 之加熱部的第2處理單元；前述第2處理單元之前述調溫部 被配置成和前述主搬送裝置相鄰，而前述加熱部和前述調 溫部相鄰’並且被配置成突伸出前述搬送裝置的背面側。 本發明之基板處理方法具備在處理部對基板實施熱處 理的步驟，和利用調溫·搬送部一面將前述經施以熱處理 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的基板調整成預定的溫度，一面交接到用以搬送基板之主 搬送部的步驟。 本發明之基板處理方法進一步具備將基板從前述主搬 送部父接到前述調溫·搬送部的步驟，和一面利用前述調 溫·搬送部將基板調整成預定的溫度，一面將基板搬送到 前述處理部的步驟。 本發明之基板處理方法具備將基板從用以搬送基板的 本紙張尺錢时® 卿A4規格⑵0x 297公餐） 19 480555 五、發明說明（17 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主搬送。卩交接到調溫·搬送部之步驟，和一面利用前述調 搬送部將基板調整成預定的溫度，一面將基板搬送到 處理。卩的步驟，以及在處理部將前述所搬送的基板施以熱 處理之步驟。 本發明之基板處理方法進一步具備經由可以昇降，並 以上昇的狀態在與前述主搬送部之間實施基板的交接，且 以下降的狀態在與前述調溫·搬送部之間實施基板的交接 之複數個昇降樞，在前述主搬送部與前述調溫搬送部之 間實施基板的交接之步驟。 在本發明中，由於基板係經由調溫·搬送部而從處理 部被父接到主搬送部，所以基板在此階段受到某種程度的 調溫。因此，之後，在基板從主搬送部被交接到調溫部時 ，a周溫部中的調溫時間可以縮短。故而，可以實質地減低 基板之調溫處理所需要的時間。 另，在本發明中，直到基板經由調溫·搬送部被送往 用以實施熱處理之處理部為止的期間，由於基板受到調溫 •搬送部所施予的調溫處理而被調整成一定的溫度，因此 一定溫度的基板經常會被投入用以實施熱處理的處理部。 另一方面，在基板經由調溫·搬送部而從處理部被搬送到 主搬送部為止的期間，由於基板也會受到調溫·搬送部所 施予的調溫處理而被調整成一定的溫度，故其後由主搬送 部交接基板時，一定溫度的基板也經常會被投入調溫部。 因此，可以更精確地實施基板之熱處理和調溫處理。 在本發明中，由於圍繞著前述處理部及前述調溫·搬 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ·.線· 20 480555 經濟部智^財產局8工消費合作社印則衣 A7 五、發明說明（18 送部’而且設有用以在在前述主搬送部與前述調溫·搬送 部之間實施基板的交接之開口部，所以主搬送部不會因處 理部而受到熱的影響，基板乃在期望的溫度狀態下由主搬 送部所搬送。因此，可以更精確地執行基板的熱處理和調 溫處理。而且，也可以在期望的溫度下執行對基板之液體 供給處理。 在本發明中，由於第1處理部與第2處理部和調溫·搬 送部被配置成直線狀，所以在例如溫度不同的熱處理上， 可以更有效率地連續進行調溫處理，並且可以達到產率的 提幵。 在本發明中，由於利用前述昇降樞以上昇的狀態，在 與前述主搬送部之間執行基板的交接，而以下降的狀態在 與前述調溫.搬送部之間執行基板的交接，故而可以:不 浪費空間的情形下，以良好的效率執行在主搬送部與調溫 •搬送部之間的基板交接作業。 在本發明中，因進一步具備用以開閉前述開口部之開 閉機構，所以可以在熱處理系統的單元與主搬送部之間， 將微粒之流出流人和相互的熱干涉抑制到最小限度。 在本發明中，由於進—步設有用以對前述基板供給預 =的液體之液趙供給部，且前述主搬送部構成在與前述液 2供給部之間執行基板的交接之㈣，所以在對基板進行 處理的處理部與前述液體供給部之間至少存在主搬送部 ^溫.搬送部。因此’可以盡量地壓抑處理部對液體供 、Ό 4所造成之熱的影響。 本紙張尺度規格⑵7 χ 297公釐） ^--------^---------線 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A： B7 五、發明說明（I9 ) 在本發明中，由於前述主搬送部具有將臂部、進退驅 動機構及轉動驅動機構一體地沿上下方向驅動之垂直搬送 機構，所以可以減低朝轉動方向的慣性（inertia)，且可以 減低消費電力。 在本發明中，因進一步設有配置在前述第1或第2主搬 送部之間可以執行基板的交接之位置或前述收納部内，對 前述基板進行檢查的檢查部，故而可以有效地在基棱處理 的步驟内實施基板的檢查。 在本發明中，由於控制前述液體供給單元成為比前述 處理單元及前述主搬送部更大的壓力（陽壓），而且，前述 主搬送部與前述處理單元成為大致相等的氣壓之狀態，所 以對於液體供給單元，微粒等流入的現象會消失，可以減 低在液體供給單元中之起因於微粒等的不良現象。 尤其，因前述主搬送部、前述處理單元及前述液體供 給單7L分別地被配置在個別的框體内，且前述各框體係建 構成分別設有用以執行基板的交接之開口部，並在前述各 框體間連繫相鄰的開口部間之通路被圍繞構件所圍繞，故 而可以更有效且精確地執行上述壓力管理。 另，尤其，利用在前述圍繞構件與至少一個前述框體 之間設置微小的間隙，可以有效地執行單元之設置等。 又，刖述氣壓控制裝置相對於前述主搬送部、前述處 理早7L及則述液體供給單元，分別地配備有供給氣體之氣 體供給部與排除氣體之氣體排氣部，和計測氣壓之氣壓計 測部；藉由建構成根據前述所計測到的氣壓，對利用前述 本紙張尺㈣財關家¥i^NS)織格⑵ 1 ϋ n -i t-i n n n n ϋ I— n I · n I • h 、 ftt先閱讀背面之:i意事項再填寫本頁} J-T· :線· 22 480555 A7 B： 五、發明說明（ 20 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π ===_及利用前糊排氣部所排氣 、 ^者進行控制的方式，可以對每一個單元 進行精確的氣壓管理。 在本發3中’利用於前述主搬送#、前豸處理單元及 前述液體供給單元的框體中之至少一者内，設置用於保養 内部之可開閉的門，且前述氣壓控制裝置建構為當前述門 打=時，控制成將框體内之氣壓昇高的方式，或者·，利用 將前述主搬送部、前述處理單元及前述液體供給單元的框 體整體地圍繞’並進一步包括設有用於保養内部之可開閉 的面板之外側框體，且前述氣壓控制裝置建構為當前述面 板打開時’控制成將外側框體内之氣壓昇高的方式，在保 養時可以防止微粒等流入裝置内的情況。 在本發明中，將調整基板成為預定的溫度之調溫部配 置成和前述线送部㈣，將處理部配置成相對於前述 搬运部有前述調溫部介人的狀態，並進_步建構成分別 個別實施前述主搬送部、前述液體供給單元及前述處理早 元之調溫或濕度管理，因而可以對每一個單元進行效率優 良且精確的調溫或濕度管理。尤其，因前述處理部係建構 成覆以調溫機構的狀態，所以可以減低處理部對其他部 所造成之熱的影響。又尤其，因建構成將可開閉之熱遮蚁 板配置於前述調溫部與前述處理部之間，故而處理部對調 溫部以及搬送部和液體供給單元所造成之熱的影響變少。 在本發明中，因前述單元調溫裝置係建構成也會對前 述液體供給機構進行調溫或濕度管理，故而可以在液體供 頁 訂 主地 早 位
本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 線 23 B7 五、發明說明（21 ) 給單元正確地執行液體之溫度管理等。 在本發明中，因前述液體供給單元係建構成可以代用 為供對則錢體供給單元供給前述液體之液體供給機構， 故而可以有效地活用空間，而制為可以利用前述液體供 給早兀的調溫等，故而可以有效地實施液體之溫度管理等 〇 在本發明中，因具有配置在前述處理單元群之另一側 ，且為可以進出前述各處理單元之垂直搬送型，並且可以 在預定的平面方向上移動之第2主搬送裝置，所以不會浪 費空間，且可以將覆蓋區（f〇〇tprint)予以最適化。 在本發明中，前述基板搬送裝置為可以對前述各單元 執行基板的父接之垂直型，而且，被安裝於前面配置有將 前述基板搬送裝置面對垂直方向加以支撐之支撐構件的前 述處理單元側，所以可以容易地從處理單元側之相反側， 進行對基板搬送裝置的維修。 在本發明中’由於建構成控制設於各開口部的各開閉 為構件之開閉成為當前述第1處理單元之前述第1開口部打 開時，前述第2開口部就會關閉，因此第1處理單元可以說 是發揮加載互鎖真空室（load-lock chamber)的功能，而可 以盡量迴避微粒等在配置於第1處理單元兩側之搬送裝置 間的流入流出。 在本發明中，由於對基板供給預定的液體之第1處理 單元被配置成和主搬送裝置的前面側相鄰，而具有將基板 調整成預定的溫度之調溫部及對基板實施加熱處理之加熱 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------ ; - / f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -·線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^^ 24 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 -- ------— Π： __ 五、發明說明（22 ) 4的第2處理早元中’前述調溫部被配置成和主搬送裝置 相1而且加熱部和調溫部相鄰，並且配置成突伸出前述 搬迟衣置的旁面側之狀態，因此主搬送裝置及調溫部發 揮做為"入加熱部與第丨處理單元之間的絕熱區域之功能 ，可以盡量迴避從加熱部對第1處理單元造成之熱的影響 為達成上述第J目的，本發明之基板處理裝置真備， 將預疋的液體供給至基板上以實施液體處理之第1處理單 i系呈夕ί又地堆積起來之第i處理單元群、使對前述基板 貫施加熱處理之加熱部與對前述基板實施調溫處理之調溫 部^相鄰接並一體化之第2處理單元係呈多段地堆積起來 之弟2處理單元群，和在前述各第丨處理單元與前述各第〕 處理=元之間搬送基板的搬送裝置；前述各第2處理單元 中=前述加熱部及前述調溫部中，前述調溫部不僅位於前 述，1處理單元群側的位置，而且鄰接前述第1處理群與前 述第2處理群而配置。 =本發明中，由於用以在常溫附近對基板實施液體處 理之第1處理單疋群，和具有加熱部與調溫部之第2處理單 元群㈣置成調溫部係位於第！處理單元側的狀態，故而 可以盡Ϊ抑制第1處理單元群因第2處理單元群所受到之熱 的P a藉此，用以在常溫附近對基板實施處理之第！處 理單7C群中的溫度控制可以精確地執行。 此外，配備有對前述第丨處理單元群供給清淨空氣之 清淨空氣供給部；該清淨空氣供給部係從前述第1處理單 本紙張尺度適用中關雜準（CNS)A4規格⑵G χ撕公爱）
裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -ϋ n I 1· n —i · n n n n - .線. 25 五、發明說明（23) 元群的下部將氣體予以排氣，並使該經排氣而出的氣體循 %而仗述第1處理單元群的上部吹出經調溫的氣體之構件 ，其2 —步以分斷配置有前述第1處理單元群的區域與配 置有前述第2處理單元群的區域之狀態，設有用以使由前 處理單元群的下部被排氣出之氣體在其上部循環的 右利用此種構造，則通路發揮做為在配置有葡;述第】 處理單元群的區域與配置有前述第2處理單元群的區域之 間的絕熱裝置之功能。而且，因為氣趙在相關的絕熱裝置 通路内循環，所以不會發生熱在通路内蓄積的情形，發揮 極良好之絕熱裝置的功能。因此，上述構造之通路防止由 第2處理單元群對以處理單元群之熱的影響，而用以在常 溫附近對基板實施處理之第！處理單元群中的溫度控制可 以極精確地執行。 ,若根據此種構造，則因為絕熱壁防止由第2處理單元 群^第1處理單元群之熱的影響，故用以在常溫附近對基 反貝把處理之第1處理單元群中的溫度控制可以極精確地 執行。 本發明之基板處理裝置配備有，將預定的液體供給至 基板上以實施液體處理之第1處理單元係呈多段地堆積起 土之第1處理單元冑、和前述第1處理單元群相鄰配置，對 引述各第1處理早疋供給前述預定的液體之處理液體供給 部、使對前述基板實施加熱處理之加熱部與對前述基板實 施調溫處理之調溫部互相鄰接並一體化之第2處理單元係 χ 297公釐） 本紙張尺度刺中關家鮮（CNS)A4 Μ.ίΓ(2ΐ〇 480555 A7 五、發明說明（24 ) 呈多段地堆積起來之第2處理單 單元與前述各第2處理至- ^ 卜 早7^之間搬送基板的搬送裝置；前 述各第4里單7L中之前述加熱部及前述調溫部中，前述 調溫部不僅位於前述第1處理單元群側的位置，而且和前 述處理液體供給部與前述第2處理群相鄰配置。 本月中用以在常溫附近對基板實施液體處理之第 1處理單元群和具有加熱部與調溫部之第2處理群之間配置 有處理液體供給部，而且，調溫部被配置成位於處理液體 供給部側的位置。亦即’第1處理單元群與加熱部之間 調溫處理單元及處理液體供給部之介在，而第ι處理單 群及處理液趙供給部可以盡量地抑制承受自第2處理單〜 群之熱的影響。藉此，可以精確地執行用以在常溫附近對 基板實施液體處理之第】處理單元群中的溫度控制，而 也可以容易地執行供給至此第4理單元群的處理液體 溫度管理。 主 < 此外，於前述第丨處理單元群中備有供給清淨空氣 清淨空氣供給部，該清淨空氣供給部係自前述第1處理丁 凡群的下部將乱體予以排氣，並使該受到排氣的氣體循環 而自前述第！處理單元群之上部將已經過調溫的氣體吹出 之構件，進一步以分斷配置有前述處理液體供給部的區域 和配置有第2處理單元群的區域之狀態，具有用以使由 述第1處理單元群的下部被排氣出的氣體在其上部循環 通路。 若根據此種構造，則通路在配置有處理液體供給部的 有 元 元 且 之 之 單 前 之 本纸張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（2J〇 χ 297公釐
--------------I--------訂---------線 ί請先閱讀背面之dt事項再填寫本頁) 27 480555 經濟部智慧財產局g工消費合作社印則衣 A7 B7 五、發明說明（25 ) ""~~^ 區域與配置有第2處理單元群的區域之間發揮做為絕熱穿 置之功能。而且，由於氣體在該絕熱裝置，即通路内循環 ’故而熱不會在通路内蓄積，可以發揮絕熱裝置之極良好 的功能。因此，上述構造的通路防止由第2處理單元群對 第1處理單元群及處理液體供給部之熱的影響，可以極精 確地執行用以在常溫附近對基板實施處理之第1處理單元 群中的溫度控制，並且，可以容易地執行處理液體乏溫产 管理。 進一步，以分斷配置有前述處理液體供給部之區域與 配置有第1處理單元群之區域和配置有前述第2處理單元群 之區域的狀態，設置有絕熱壁。 若根據此種構造，則由於絕熱壁防止由第2處理單元 群對第1處理單元群及處理液體供給部之熱的影響，因而 可以極精確地執行用以在常溫附近對基板實施處理之第^ 處理單元群中的溫度控制，並且，可以容易地執行處理液 體之溫度管理。 本發明之基板處理裝置具備將預定的液體供給至基板 上以實施液體處理之第1處理單元係呈多段地堆積起來之 第1處理單元群、使對前述基板實施加熱處理之加熱部與 對前述基板實施調溫處理之調溫部互相鄰接並一體化之第 2處理單元係呈多段地堆積起來之第2處理單元群，和對施 過前述液體處理之基板進行曝光處理之曝光單元；在對前 述曝光單元搬入基板前，基板係於前述第2處理單元之調 溫部待機。 本紙張尺度適用家標準（CNS)A4規格⑽x 297公爱）—-----------— -28 - « ϋ n ϋ ϋ H ϋ n —9 ί ^1 ι ϋ I φ ι ·1 n I I I I 一OJ· ϋ fei ·ϋ ϋ I n Mammm I .V - \ f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A： B7 五、發明說明（26 ) 本發月中第2處理單元之調溫部除執行調溫處理的 功能以外，也可以具有做為使曝光前的基板待機之待機場 所的功能’例如m另外設置保持曝光前之基板的晶 圓匣盒。 【發明之實施態樣】 以下將依據圖式說明本發明之實施態樣。 第1圖〜第3圖為本發明之一實施例的基板處理叙置之 整體構造示意圖，第1圖為平面圖，第2圖為正面圖，第3 圖為背面圖。 此基板處理裝置1具有將，做為供一面將被處理基板 半導體晶圓W，用晶圓匣盒CR以例如25片的單位從外部 搬入糸統或從糸統搬出，一面對晶圓匣盒CR進行半導體 晶圓W之搬入.搬出之晶圓匡盒站（cassette sta〖i〇n) 1 〇，和 將塗布顯像步驟中將半導體晶圓W—次一片地施以預定處 理之片葉式的各種處理單元多段配置於預定位置而構成之 處理站12，及用以在與鄰接此處理站丨2而設置之曝光裝置 (未圖示出）之間交接半導體晶圓W的介面部14，一體地連 接而成之構造。 如第1圖所示，在晶圓匣盒站10中，於匣盒載置台20 上之突起20a的位置，複數個，例如5個晶圓匣盒CR被配 置成使其個別的晶圓出入口朝處理站12側在X方向排成一 列，可以在匣盒配列方向（X方向）及晶圓匣盒CR内所收納 之晶圓的晶圓配列方向（Z方向）移動之晶圓搬送體22形成 選擇性地進出各晶圓匣盒CR的狀態。此外，此晶圓搬送 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇x 297公釐） 29 H .1 n ϋ 1_1 n H ϋ a— ϋ ϋ ϋ I · H ϋ I ·1 ϋ H 1«^OJ· a— n »1 n ϋ ϋ H · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 經濟部智祛財產局員工消費合作社印製 A： B7 五、發明說明（27 ) 體22被建構成可以在方向轉動，如第3圖所示般地成為也 可以進出屬於形成後述之多段構造的第3處理單元部⑺之 熱處理系單元的狀態。 如第1圖所示，處理站12在裝置背面側（圖中上方）從 晶圓匣盒站10側起分別配置有第3處理單元部G3、第4處 理單元部G4及第5處理單元部G5，在此等第3處理單元部 G3與第4處理單元部G4之間設有做為第丨主搬送部芝第i主 晶圓搬送部A1。此第1主晶圓搬送部幻係如後述，設置成 此第1主晶圓搬送體16可以選擇性地進出第丨處理單元部 G1、第3處理單元部G3及第4處理單元部G4。另，第4處 理單元部G4與第5處理單元部G5之間設有做為第2主搬送 部之第2主晶圓搬送部A2;第2主晶圓搬送部八2被設置成 此第2主晶圓搬送體17可以選擇性地進出第2處理單元部 G2、第4處理單元部G4及第5處理單元部G5。 另，在第1主晶圓搬送部A1的背面側設置有熱處理單 兀，如第3圖所示地裝載有例如用以將晶圓w施以疏水化 處理之黏著單元（AD· Adhesion Unit)l 10、加熱晶圓w之加 熱單元（HP)。此等黏著單元（adu丨〇及加熱單元（Ηρ)ι 13為 了谷易κ苑系統内部的維修’例如第1主晶圓搬送部A1之 維修而形成拉出構造，變成可以拆卸。黏著單元（AD)進 一步構成為具有將晶圓W予以調溫的機構亦可。於第2主 晶圓搬送部A2的背面側設有僅選擇性地將晶圓w之周緣 部予以曝光之之周邊曝光裝置（WEE) 120及做為對塗布於 晶圓w之抗餘劑膜進行檢查之檢查部的檢查裝置119。此 ... I--------^---------^ 一' -' (請先閱讀背面之注意事項再填^if本頁)
480555 Λ7 ------------- 仏 ____ 五、發明說明（30 ) 對此基板處理裝置1之系統整體進行控制。 ί請先閱讀背面之;1意事項再填寫本頁) 在介面部14的正面部配置有定置型的緩衝晶圓匣盒 BR，亚於中央部設有晶圓搬送體27。此晶圓搬送體”形 成沿X，Z方向移動以進出晶圓匣盒BR。另，晶圓搬送體” 被建構成可以在方向轉動，成為也可以進出第5處理單元 部G5的狀態。此外，如第i圖所示，於介面部14的背面部 設有複數個高精確度調溫單元（CPL)，且形成例如上;下2段 。晶圓搬送體27也可以進出此調溫單元（cpL)。 接著，將參照第4圖〜第1 〇圖說明做為主搬送部之第j 主晶圓搬送部A1的構造。又，因為第2主晶圓搬送部八2和 弟1主晶圓搬送部A1相同，故省略其說明。 經濟部智慧財產局3工消費合作社印制农 第4圖中’主晶圓搬送部a 1被框體41及可開閉地安裝 在此框體41的背面側之門38所圍繞，因在第5圖中比較容 易明瞭，故省略框體41及門38之圖示。於此門38上以可以 進出黏著單元（AD) 110’而在第2主晶圓搬送部A2的情形 中則為可以進出周邊曝光裝置丨20及檢查裝置η 9的狀態， 形成有窗38a。於框體41上也是以可以進出外部的狀態， 分別在正面與側面設有窗41b及41a。為了在與配設成5段 的第1處理單元部G1之間執行晶圓W的交接，正面的窗41b 设有5個；另一方面，側面的窗41 a係如第6圖所示，為了 在與配設成10段之第3及第4處理單元部G3及G4之間執行 晶圓W的交接而設有1 〇個。此等窗亦可因應需要而增減。 另，於框體41的兩側面，連繫第3及第4處理單元部G3、G4 之間的圍繞構件44係分別相對於該處理單元部G3及G4隔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 33 480555 A7 --------- B7___ 五、發明說明（S1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 著微小的間隙u而安裝。此間隙11為可以抑制微粒的產生及 入侵之距離，例如0·5 mm。此圍繞構件44之處理單元G3 、G4側分別有衝擊吸收性之襯墊3〇，而如第6圖所示，此 襯墊30上也分別設有各別對應之窗3〇a。又，於圍繞構件 内叹有分別地將各個窗3〇a予以隔開之間隔板34。 另，第4圖中，亦在對應設置於第1及第2處理單元部 G1及G2側之框體41 ’的5個開口部97之部分上，安蚊有和 圍繞構件44同樣構造之圍繞構件44,，形成與主晶圓搬送 部A1(A2)間隔微小的間隙u(例如〇.5 mm)。 於第1主晶圓搬送部A1之底部設有，例如4個，控制 其内部之氣壓及溫濕度的風扇36。此等風扇36形成受集中 控制部8(第2圖）控制其運轉的狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 如第4圖及第5圖所示，於框體44内之第1及第2處理單 元部G1及G2側設置有垂直桿33。如第7圖所示，於此垂直 桿33之一個的内部，在其上端部及下端部安裝有一對滑輪 5 1，52 ;在此等滑5 1 · 52間架設垂直驅動裝置，即環狀皮 帶49。此垂直驅動皮帶透過皮帶夾47而連接有第i主晶圓 搬送體1之支持部45。另，如第4圖及第5圖所示，於支持 部45設有凸緣部45a，而此凸緣部45a可摺動地接合於分別 形成在兩桿33之桿套33a。下部滑輪52被連接於固定配置 在桿33之底部的驅動馬達Μ之旋轉軸Ma，構成驅動滑輪 。藉由此種垂直皮帶驅動機構及垂直擦動機構，主晶圓搬 送體16乃可以利用驅動馬達Μ之驅動力而在垂直方向上昇 降移動。 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 480555
五、發明說明（32 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制私 雖也可以在另一個桿33上同樣地設置以上之昇降機構 ’惟在該另一個桿33上即使沒有驅動馬達亦可。 主晶圓搬送體16於其支持部45内藏有馬達5〇，而此馬 達50上連結有可在0方向（第5圖）上轉動之轉動桿衫在 此轉動桿46的上端則固定有構成3支臂部7a、几及化的基 端之臂部基端部55。 第8圖係在第4圖的狀態中從正面側看主晶圓搬追體16 的圖式。於臂部基端部55的前端部兩側安裝有垂直構件％ ，而於此等垂直構件95中，則在上段臂部以與中段臂部几 之間安裝有遮蔽來自兩臂部的放射熱之遮蔽板9 :進一步 安裝有架設此等垂直構件95間之安裝構件96。在此安裝構 的中央及煮部基端部5 5的前端設有一對光學感測器94， 藉此，可以確認臂部上有無晶圓，以及晶圓是否露出。 第9圖為主晶圓搬送體16的基端部55之構造示意斷面 圖，第10圖為第9圖中之[1〇] 一[10]線斷面圖。在各臂部 7a 7c的月部基端部分別地固定有臂部支持板。此等臂 邓支持板:>4形成為斷面L字狀，且於各臂部支持板54，沿 舖叹在基端部55的底部55a上之滑軌61分別固定安裝有可 以在臂部長向移動之臂部滑架（arm carriage)56 ° 於各臂部滑架56的下部分別地設有嵌合成可在各滑軌 6 、動的導向裝置62。另，各臂部滑架56的内側面在臂部 '、置（底°卩55的基端部55b)附近分別配設的滑輪63與在 煮。卩往動端位置（底部55的前端部55c)附近分別設置之滑 之間所刀別架設的各驅動皮帶65，分別經由皮帶夾6 -------------^---I---I til-----•線 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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AT 製 五、發明說明（33 而被固定。各滑輪63分別經由軸承而分別同軸結合於滑輪 Μ ’且此等各別的滑輪68分別經由驅動皮帶69而分別連結 於滑輪70 ’此等各別的滑輪7〇又分別地被固定於驅動馬達 60的轉動軸。 當各馬達60的轉動軸轉動時，滑輪63透過各滑輪7〇、 各驅動皮帶69、各滑輪68而轉動，各驅動皮帶65因各滑輪 63之轉動驅動而驅動，各臂部滑架56形成與各驅動.皮帶& 一同在各滑執61上沿著滑執而移動之狀態，其移動方向則 靠各馬達60的轉動方向而決定。再者，此等各別的馬達當 然是分別獨立驅動，使爸臂部7a〜7c成為可以分別獨立移 動0 利用如以上之主晶圓搬送體16的構造，各臂部73〜八 成為可以在Θ方向轉動，變成可以在X，γ, z方向移動， 故如上所述地，可以進出各處理單元部G1、G3及G4。 接著，芩照第11圖〜第13圖，就屬於第4處理單元部g4 、第5處理單元部G5的10段中之預烘烤處理單元（pAB)、 後曝光烘烤處理單元（PEB)、後烘烤處理單元（p〇s 丁)加以 說明。此等各別的烘烤處理單元只有處理溫度不同。 如第π圖所示，此種熱處理單元於框體75内，在系統 背面側設有熱處理裝置Η，在正面側則有調溫·搬送裝置 C。在熱處if裝置Η中，於圓筒形支標體88内介以適當的 絕熱材’設有利用電熱線86b加熱之熱板（_ ρ丨叫％。 在支擇體町方設置有可以利用驅動裝置82而昇降之用以 交接晶圓W的3支銷85 ;該3支銷85被掩埋配置在形成於熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 ¥格（210 X 297公爱_)_ R--------^---------線 f請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 480555
五、發明說明（34 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 板86的貫通孔86a内。 另一方面，調溫·搬送裝置C順著沿χ方向而配設之 例如2條導執77分別設有可移動之滑塊（slider) 79a、79b : 透過分別安裝在此等滑塊79a、79b之連結構件78、78，調 溫·搬送板71受到固定。在調溫·搬送板71的下方設置有 可以利用驅動裝置而昇降之用以執行晶圓w的交接之昇降 銷84。於調溫·搬送板71中，形成有使掩埋在其下方之各 昇降銷84成為可上昇之凹口 71a。此調溫機構係使用例如 冷卻水等，將晶圓W之溫度調整成預定溫度，例如4〇。〇前 後而執行溫度控制。在另一個滑塊79a設有未圖示出之驅 動裝置，例如利用氣壓或馬達的驅動裝置；在另一個滑塊 79b則設有用以確認工作位置之未圖示出的感測器。 於框體75之正面側（圖中左方）形成有後述之氣壓控制 用的氣體流路75c，此流路75c經由風扇87a而連通於調溫 •搬送裝置C側。另，此流路7殳在未圖示出的垂直方向（z 方向）彳文最段貫通到最下段。又，在熱處理裝置H側中之 框體75的兩側面也分別設置有風扇87b，並形成排氣口 7兄 ，且同樣從最上段貫通到最下段。 進一步在此框體75之調溫·搬送裝置c側的一個側面 部分’例如有關於第4處理單元部G4，為了在與第1主晶 圓搬送部A1之間執行晶圓w之交接，而設有開口部75a ; 在另一個側面部分則和第2主晶圓搬送部A2的窗4 1 a相對 向地設有開口部75b。在此等開口部75a、75b分別設有可 自由開閉之開閉器76a、76b。開閉器76a、76b變成利用集 本紙張尺度適用中國國孓標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 37 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 A7 ------------B7 _ 五、發明說明（35 ) 中控制部8之原省略圖示的驅動部而執行開閉動作之狀態 〇 第13圖為第4處理單元部G4(第5處理單元部g幻整體 的側斷面圖，在熱處理裝置H側的兩側面部分係如圖示， 為了抑制朝第4處理單元部G4(第5處理單元部G5)外部的 熱擴散，並抑制裝置内雾圍氣的溫度之上昇，而從最上段 起到最下段為止地設有使冷卻水流通之調溫導管9〇··，並連 接於未圖示出之設在處理單元部G4(G5)下方部的泵。 接著，參照第14圖，就所有使用做為屬於熱處理系統 之單元（第3〜第：>處理單元部G3〜G5)的調溫部之高精確度 調溫單元（CPL)做說明。有關於此，在上述之預烘烤處理 單元（PAB)等中之調溫·搬送裝置c側，若取代設置高精 確度調溫裝置C2，由於形成沒有熱處理裝置H之構造，因 此有關和在預烘烤處理單元（PAB)等中之構成要件相同， 並付予相同符號，故而省略其說明。 此高精確度調溫裝置C2係於圓筒形支撐體13ι内設有 而精確度调溫板133。在此高精確度調溫板133中雖未圖示 出’惟係使用例如珀耳帖（Peltier)元件，以回授（feed-back) 控制將晶圓W的溫度調整成預定溫度，例如2 3 °c，而形成 可以貫施精確的溫度控制之狀態。在支樓體13 3下方設置 有可利用驅動裝置82昇降之用以執行晶圓w的交接之3支 昇降銷85，此昇降銷85係掩埋配置在形成於高精確度調溫 板133之貫通孔133a。 接著參照第15圖，就屬於第3處理單元部G3之高溫度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐〉 -------------X--- (請先閱讀背面之，;x意事項再填寫本頁) -=0·- •線- 經濟部智慧財產局g工消費合作社印製 38 A7 B7 五、發明說明（36 ) 熱處理單元（BAKE)的構造做說明。又，有關和在預供烤 處理單元(PAB)等中之構成要素相同的部分係付予相同符 號，其說明則省略。 在框體75内之系統正面側配置有做為調溫部之調溫裝 置ci’此調溫裝置〇於圓筒形支撐體161内設有調溫板⑹ 。此調溫板】63之溫度控制和上述預供烤處理單元（pAB) 相同，係使用例如冷卻水等而進行者。另一方面，方〜背面 儀己置有比預供烤處理單元（PAB)等中之熱處理裝置⑽ 更高溫度進行加熱處理之高溫度熱處理裝置^1^^。此 度熱處理裝置HH之構造和熱處理裝置η相同，於圓筒形 的支撐構件88介以適當的絕熱材而設置高溫度熱板丨12。 在支撑構件88下方設置有可藉驅動裝置82而昇降之用以執 行晶圓W的交接之3支銷85，此3支銷85被掩埋配置在形成 於各別的熱板112之貫通孔1123。 比起預烘烤處理單元（ΡΑΒ)等中之調溫·搬送裝置c 與熱處理裝置Η的距離，將此等調溫裝置C1與高溫度熱處 理裝置HH的距離設定成比較大，目的係為了使高溫度熱 處理裝置HH的高溫度造成之熱處理的影響，不會對調溫 裝置C1之調溫處理形成不良影響。 在此等調溫裝置ci、高溫度熱處理裝置1^11的側面， 導執118在X方向上延設，並且沿$此導轨118，藉未圖示 出之驅動裝置而成為可移動狀態地設有做為搬送晶圓…之 副搬送部的副臂部115。此副臂部i丨5有一對手部丨丨&、n 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐 頁 訂 線 經濟部智慧財產局8工消費合作社印制衣 480555 A7 經濟部智.€財產局員工消費合作社印？取
五、發明說明（％ ) 此排出口 145，而此廢液管141則利用單元底板μ!與框體 41·之間的空間N通向下方之未圖示出的廢液口。廢液管 14la分別地連接於設有複數個之抗蝕劑塗布單元丁）。 因此’各廢液管141你此處理單元部係如圖示般地配列成 1列。 另一方面，相反側（在第17圖中為右方）之，從框體41· 與單元底板之間的空間L ,形成有後述之用於氣壓_節的 氣體流路，在此抗蝕劑塗布單元（c〇T)之下段的其他抗蝕 刈塗布單元（C〇T)之風扇·過濾單元F可以被看見。 用以將抗蝕劑供給到晶圓W之晶圓表面的噴嘴丨35係 經由供給管134連接於化學藥劑儲存室（CHM)26(第2圖）内 之液體供給機構（未圖示出）。噴嘴135係在配設於盛杯 的外側之噴嘴待機部146，被可裝卸地安裝於噴嘴掃描臂 136的前端部，形成可以移送到設定於旋轉夾頭142的上方 之預定的抗蝕劑吐出位置為止之狀態。噴嘴掃描臂136被 女裝於可以在單元底板丨5丨上沿一個方向（γ方向）舖設之導 執Π4上水平移動的垂直支撐構件149之上端部，形成藉未 圖不出之Y方向驅動機構而與垂直支撐構件149一體地在γ 方向上移動之狀態。 噴嘴掃描臂136為了在噴嘴待機部146依照抗蝕劑的種 類而選擇性地安裝噴嘴135，而在γ方向與直角的χ方向都 可以移動，形成藉未圖示出之χ方向驅動機構而也在父方 向移動的狀態。 此外’在盛杯CP與噴嘴待機部ι46之間設有廢液回收 480555 A7
480555 A7 B7 五、發明說明（4〇 則僅沿著導執144在Y方向移動。 另’關於底部塗覆單元（BARC)，由於僅是將抗蝕劑 塗布單元（COT)中的塗布液代之以反射防止膜材料，故而 在此省略其說明。 接著’一邊參照第21圖中所示之流程圖說明以上所說 明之基板處理裝置1的一系列動作。 首先’晶圓匣盒站10中，晶圓搬送體22進出收红有晶 圓&盒載置台20上之處理前的晶圓之晶圓匣盒cr，從該 晶圓匣盒CR取出i片半導體晶圓W(S1)。當晶圓搬送體22 從晶圓匣盒CR取出半導體晶圓冒時，在Θ方向轉動丨8〇。， 第3處理單元部G3中之調溫單元（TCp)的開口部75&之開閉 器76a(第11圖、第12圖）打開，晶圓搬送體22之手部從開 口部75a將晶圓W插入框體75内，而載置於調溫板上。然 後進行預定的調溫處理（第i調溫處理）（$2)。 底 入 訂 線 當在調溫單元（TCP)的調溫處理完成時，相反側的開 口部”b打開，第丨主晶圓搬送體16之上段臂部乃被從此處 2入’晶圓則由該臂㈣交接。職，主晶圓搬送體⑽ 第4圖中逆時鐘旋轉轉動90。，屬於第！處理單元部G】之 部塗覆單元（BARC)的開閉㈣打開，上段臂部&被插、 框體内’晶圓被載置到預定位置以實施反射防止膜之形成 ⑻）。如此，從調溫系統之處理單元向塗布系統之處理單 兀⑹及G2)的晶圓搬送僅利用上段臂部&執行，而後述 之加熱處理後的搬送則以中段臂部7b或下段臂部^執行， 乃可以將對晶圓W的熱影響抑制到最小限度。—丁， 本纸張尺度適种關家標準（CNSM4規格⑵G x 297公£ 480555
五、發明說明（41 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 當底部塗覆單元（BARC)中之預定的塗布處理完成時 ，開閉益43打開而中段臂部7b(或下段臂部7c)被插入以交 接晶圓w，中段臂收納到原來的位置（框體41内）。然後， 晶圓w被搬送到加熱單元（HP)113，並且被施以第1前階段 加熱處理（S4)。此加熱溫度為例如12〇。(3。 接著，在第15圖所示之高溫度熱處理單元（Bake)* ，開閉器76b打開，如第15圖中所示之開閉器76打韌，載 置有晶圓W之第1主晶圓搬送體A1的中段臂部(或下段臂 部7c)沿Y方向移動至調溫裝置C1正上方位置為止；調溫 裝置C1中之昇降銷127上昇，在比副臂部丨丨5的高度更高 之位置，晶圓W被載置於該銷丨27上之後，中段臂部几收 納到原來的位置，同時，開閉器76關閉。此時，副臂部i 15 在不會妨礙主晶圓搬送體16的動作之狀態下，在單元中央 附近待機。然後’待機過的副臂部11 5移動到調溫裝置c J 上。而’昇降銷127以載置晶圓w的狀態下降，晶圓…由 副臂部11 5予以交接。 接收了晶圓W之副臂部115沿X方向朝背面側移動， 同樣地藉昇降銷之驅動而被載置於下一步驟之高溫度熱處 理裝置HH的熱板112上，以進行預定的第丨後階段加熱處 理（S5)。此加熱處理係在例如23〇°c下，僅被加熱預定時 間。 而’當利用高溫度熱處理裝置HH完成預定的熱處理 時’晶圓W被副臂部Π5移動到調溫裝置ci，並經由昇降 銷127而被載置於調溫板丨63上，並且被調整成預定的溫度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNtS)A4規格（21〇 x 297公釐） * 1· I ϋ n ϋ n 1-. n n n n n I * n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 44 480555 A7 五、發明說明（42 ) (S6)。 然後，晶圓W被第1主晶圓搬送體16從高溫度熱處理 單元（BAKE)搬送到第1主晶圓搬送部八丨，並以相同的動 作被從此處搬送到屬於第4處理單元部〇4之高精確度調溫 單元（CPL)。然後在此以例如2代實施預定的調溫處理（第 2調溫）（S7)。 而當調溫處理完成時，第17圖中所示之開閉器^打開 ，並被搬送到屬於第1處理單元部G1之抗蝕劑塗布單元 (COT)，以實施抗蝕液之塗布處理（S8)。 在此抗蝕劑塗布單元（C0T)中，當晶圓…被搬送到盛 杯CP的正上方位置為止時，首先，銷148上昇並在收納晶 圓W之後又下降，晶圓w被真空吸附載置於旋轉夾頭 上。然後在噴嘴待機部待機的噴嘴135藉著噴嘴掃描臂136 及導軌144的機構而移動到以第丨7圖示意之晶圓w的中心 位置上方為止。而於晶圓…的中心實施完預定之抗蝕液塗 布後，再藉驅動馬達使其以例如1〇〇 rpm〜3〇〇〇 rpm旋轉， 利用其離心力使抗蝕液擴散至晶圓w全面，從而完成抗蝕 液之塗布。 接著，第4處理單元部G4中之預烘烤處理單元（pAB) 的問閉器76b打開，如第22(a)!]所示，承載了晶圓w之中 段臂部7b沿Y方向移動至調溫·搬送板^的正上方位置為 止，接著，如同圖（b)所示，昇降銷84上昇，當晶圓…被 載置於銷上之後，中段臂部7b收納到原來的位置，同時， 開閉益76b關閉，如同圖⑷所示，昇降銷料下降，晶圓w 本纸h:尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（2】〇 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 灯·· -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 _______B7__ 五、發明說明（43 ) 被載置於調溫·搬送板71(S9)。 然後’如第23圖所示，承載了晶圓W之調溫·搬送板 71在背面側移動至熱板86的正上方位置為止，接著，如同 圖（b)所示，昇降銷85上昇，當晶圓w被載置於銷上之後 ’調溫·搬送板71收納到原來的位置，同時，如同圖（c) 所示，昇降銷85下降，晶圓W被載置於熱板86上以實施預 定之第2加熱處理（PAB)(S10)。藉此，殘存溶劑從单導體 晶圓W上之塗布膜被蒸發除去。 當利用此熱處理裝置Η完成預定的加熱處理時，即進 行與第23圖中所示之動作相反的動作。亦即，從熱板86利 用調溫·搬送裝置C使晶圓W載置於調溫·搬送板7丨並回 到正面側。此時，調溫·搬送裝置C一面將加執怂々晶眉 W的溫度调整成例如約4〇它（一面將晶圓…加以調溫），一 面移動到正面側（S11)。藉此，可以使從加熱處理到調溫 處理為止的處理時間縮短’從而可以達到提高產率的目的 〇 然後’以和第22圖中所說明的動作相反之動作，晶圓 W這回係被第2主晶圓搬送體17從調溫·搬送裝置c取出 ，並接著通過第4圖中所示之門38的窗38a而被朝膜厚檢查 裝置119 ·周邊曝光裝置12〇搬送。在此實施預定的膜厚檢 查、基板周邊曝光處理之後（S12)，再度利用第2主晶圓搬 送體17經由第5處理單元部G5之調溫·搬送裝置c的昇降 銷84 ’被晶圓搬送體27從介面部i4(si3)朝未圖示出之曝 光裝置搬送（S15)。此時晶圓w在被傳向曝光裝置之 I------------'iA« — — — — — I— ^ ·11111111 f請先閱ts背面之;JL意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規 297公釐） 46 480555 A7
五、發明說明（44 ) 也有被暫時地收納於緩衝晶圓匣盒BR的情形，再於其後 利用介面部14之高精確度調溫單元（CPL)130實施預定的調 溫處理（S14)。另，上述膜厚檢查並非直接以肉眼看的檢 查而疋用仏查機器貫施微觀檢查的單元，其他的膜厚檢 查也有實施例如粒子等之異物檢查和表面檢查等。關於此 點，例如並非對整個晶圓W加以檢查而是適度地實施亦可 〇 / 然後，當曝光處理完成時，晶圓W再度經由介面部14 ’被晶圓搬送體27朝屬於第5處理單元部G5之後曝光烘烤 處理單元（PEB)搬送，此時也是以和在s9〜sii中所說明的 動作相同之動作，被從晶圓搬送體27往調溫·搬送裝置c 搬送（S16)，再從調溫·搬送裝置c往熱處理裝置η—邊調 ’里一邊進行搬送，且藉熱處理裝置Η實施加熱處理（第3加 熱KS17)，又被調溫·搬送裝置c二邊調笔成預定的溫度 一. (s 1 8)，並以第2主晶圓搬送部A2中之第2主晶圓 搬送體17將晶圓W取出。 接著，利用屬於第5處理單元部G5之高精確度調溫單 元（CPL)，在例如23。(：實施預定的調溫處理（第4調溫）（S19) ，之後’再以主晶圓搬送體17朝屬於第2處理單元部G2之 顯像單元（DEV)搬送，以實施顯像液之塗布處理（S20)。 在此顯像單元（DEV)中，當晶圓W被搬送到盛杯cp的 正上方位置為止時，首先，銷14 8上昇且於收納晶圓w之 後下降，晶圓W被真空吸附載置於旋轉失頭142上。然後 ’於噴嘴待機部待機過之噴嘴135利用噴嘴掃描臂ι36及導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ^--------^-------- 1 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47 480555 A： B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 圓 側 理 例 五、發明說明（45 ) 軌144的機構移動至晶圓w的周邊位置上方為止。接著， 晶圓W藉驅動馬達143以例如10 rpm〜100 rpm旋轉，而嘴 嘴13 5則一邊從晶圓w周邊沿Y方向移動，一邊利用旋轉 的離心力實施預定的顯像液塗布。 接著’被搬送往屬於第4處理單元G4之後供烤處理單 元（POST)，此時也是以和在S9〜Sll、S16〜S18中所說明的 動作相同之動作，從主晶圓搬送體17被搬送往調溫：·搬送 裝置C(S21)，再從調溫·搬送裝置c被搬送往熱處理裝置 Η ’並利用熱處理裝置η實施加熱處理（第4加熱）(S22) ; _ 邊利用調溫·搬送裝置C將晶圓W於例如40°C調整成預定 的溫度’ 一邊進行搬送（S23)，這回則是以第i主晶圓搬送 部A1中之第1主晶圓搬送體16將晶圓貿取出。此加熱處理 係以例如10CTC僅加熱預定時間。藉此，在顯像時已膨潤 之抗蝕劑會硬化，耐藥品性則提高。 然後’晶圓W被主晶圓搬送體1 6經由屬於第3處理單 元部G3之備用空間及晶圓搬送體22送回晶圓匣盒站1〇之 晶圓匣盒CR(S24)。在此，於被送回晶圓匣盒站1〇之晶 匣盒CR以前，也有先利用設置於晶圓匣盒站1〇之背面 的未圖示出之微觀檢查器，以肉眼對晶圓基板w上之處 不均勻等做微觀檢查的情形。另，上述微觀檢查以外， 如，實施顯像後之圖案的缺陷、線寬、疊合/重疊精確度 等之檢查亦佳。此種微觀檢查器外部安裝成突出晶圓匣盒 站10之背面側亦佳，建構成配置在晶圓E盒站1〇内亦無妨 n n i n n n ·ϋ If ϋ I ϋ I * ϋ n ϋ ϋ n I ·ϋ》aJ· ί ϋ ϋ I I» ϋ I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 48 480555 經濟部智慧財產局i工消費合作社印製 A： B7 五、發明說明（46 ) 如以上所說明，由於緊接著第丨加熱（55)、第2加熱（Sl〇) 、第3加熱（S17)、第4加熱（S22)後，全部以調溫·搬送裝 置C 一邊進行搬邊:一邊貫施H，故而可以縮笔因其各別 的後續步驟，第2調溫（S7)、第3調溫（S14)及第4調溫（S19) 所需之调溫處理時間，使得產率提高。 . ..................................…·,㈣…為 此外’由於各熱處理單元部G3〜G5被建構成1〇段，各 塗布處理單元部G1及G2被建構成5段，而且該等各別的處 理單元部G卜G5被配置成圍繞著第！主晶圓搬送部Al、第 2主晶圓搬送部A 2，故而可以將大量的基板迅速地加以處 理〜，而且各主晶圓搬送體16及17可以效率優良地ϋϋ 理單元，有助於亦率之提高。 又，因從主晶圓搬送體16及17經由調溫·搬送裝置C 利用熱處理裝置Η實施加熱處理，亦即，於實施加熱處理 前，因為必定會以調溫·搬送裝置c將晶圓w之溫度保持 於預定的溫度，因此，即使將加熱處理時間設成一定也不 會在處理狀態上出現差異，而且可以將基板處理整體中之 晶圓W的熱經歷設成固定。 另，如第1圖所示，由於在各熱處理系統之處理單元 部G3〜G5中的加熱裝置Η、HH等，與各塗布系統處理單元 G1及G2之間，分別配置有調溫系統的裝置c丨、^、匸’ 因此可以將各加熱裝置Η、HH等對塗布系統之處理單元⑴ 及G2所造成的熱影響抑制到最小限度。 另一方面，因為形成藉各個圍繞構件44、料，，將主 晶圓搬送部A1及A2，和各處理單元G丨〜 ⑴之間予以圍繞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — II I II I — — — — — — ·1111111 ·1111111« (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 49 480555 A7 B7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 五、發明說明（47 ) 的構造，故而可以P止义粒之入莩各處理單元及各搬送部 〇 又’此等圍繞構件44、44 ’係分別如第4圖所示，因第 1及第2主晶圓搬送部A1及A2的圍繞構件44，與各處理單 元之間設有見隙? ’故主晶圓搬送部A1及A2所造成的振動 不·會,傳遞致 布處理。 · 接著參照第24圖〜第26圖，就此基板處理裝置1之氣 壓及溫度·濕度控制做說明。 第24圖中’在晶圓匣盒站1〇、處理站12及介面部14的 上方設有氣體供給室10a，12a，14a，而且在氣體供給室i〇a, 12a，14a的下面安裝有具有防塵功能的濾器，例如ulpa濾 器101· 102，103。清淨的空氣由各氣體供給室之ulpa滤 器101，102, 103以順流方式供給至各部10· ι2Μ4，由此等 氣體供給室到各處理單元係如第24圖及第25圖所示，形成 順流的狀態。此順流的空氣係從上述之通道3丨及32沿箭頭 方向（向上）被供給，而在第1及第2處理單元部⑴及G2中 ’係經由設在其背面側之各風扇106而從排氣通道丨〇〇(參 照第25圖）往下方的排氣口 125受到排氣；另，在第3〜第5 處理單元部G3〜G5中則形成經由流路75c及各個風扇87a、 87b(第11圖），從排氣口 75〇1往下方的排氣口 125排氣之狀 邊。又，如第26圖所示，在第1及第2主晶圓搬送部A1及A2 中’係經由各風扇36而由下方的排氣口 125排氣，並且被 從門38之窗38a往周邊曝光裝置12〇及檢查單元部119通氣 本紙尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I I__II — I I I I I I 0 i n n ϋ n «ϋ n 一 0¾ · urn H 11 A·— ϋ I itt先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 50 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 480555 A7 __ B：_ 五、發明說明（48 ) ，形成朝排氣口 125排氣之狀態。以上各風扇1〇6、87a、87b 、36全部以控制部8針對各單元個別地控制其轉數。 另，在塗布系統單元部（Gl、G2)之所有分別的各單 元中，於其等之上方分別安裝有風扇·濾器單元F，且設 有分別計測氣壓、溫度及濕度的感測器S。此風扇·濾器 單元F具有例如ULPA濾器和小型的風扇。另一方面，第3〜 第5處理單元部G3〜G5，於各單元均設有同樣的感浪j器S， 第1及第2主晶圓搬送部A1及A2中也同樣地設有感測器S。 以上各感測器S由控制部8取得檢出結果。 藉以上之構造，有關氣壓控制係將第1及第2處理單元 部G1及G2内之氣壓控制成比第1及第2主晶圓搬送部A1及 A2、第3〜第5處理單元部G3〜G5内之氣壓僅高出例如 0.3(Pa)〜0.4(Pa)。如此，將塗布系統的單元gi及G2内之氣 壓控制成比熱處理系統及搬送系統的氣壓高，亦即利用形 成陽壓控制，可以確實且高精確度地實施最需要對微粒加 以限制之塗布系統的單元中之塗布處理。 又，利用以上之構造，由於第1〜第5處理單元部G1〜G5 、第1及第2主晶圓搬送部Ai及A2中之各單元内的氣壓· 溫度·濕度係分別個別地受到PID控制，因此可以在各單 元的處理中以合適之最適·當環境實施各項處理。 又，第4圖中，於第！或第2主晶圓搬送部A1或A2之維 修時，當打開門38時，依據控制部8之指令，使被供給到 所有單元G卜G5及所有主搬送部ai及A2内的清淨空氣之 量增加以進一步昇高氣壓。藉此可以抑制維修時所產生的 --------I----^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 51 480555
五、發明說明（49) 微粒。進一步於此氣壓控制中附加，在第1圖中將背面側 的面板40取出或開閉時，將系統整體（基板處理裝置1)内 之氣壓予以昇高亦佳。再者，於那樣的情形中，將僅在維 修時作動的風扇予以另外設置，以提高系統整體（基板處 理裝置1)内之氣壓亦佳。 又，如第1圖所示，在各熱處理系統之處理單元部G3〜 G)中的加熱裝置H、HH等與各塗布系統處理單元01及G2 之間’由於分別地配置有調溫系統之裝置C1、c2、c，故 而可以將各加熱裝置H ' HH等對塗布系統之處理單元⑴ 及G—所成的熱景> 響抑制到最小限度。因此，可以精確 地實施各塗布系統處理單元G1&G2*之溫度控制。 另，在基板處理裝置}中，如第27圖所示，在熱處理 糸統之各單元部G3〜G5中的各單元中，係以當一個的開口 部75a被開閉器76a打開時，另一個的開口部75b會被開閉 器76b關閉的情泥實施開閉控制。藉此，各單元可以說是 毛揮了加載互鎖真空室（l〇ad-l〇ck chamber)的功能，將跨 越各單元兩側的環境有效地遮斷，使得分別在各單元中都 可以良好地維持處理環境。 經濟部智毯財產局員工消費合作社印製 此外，在基板處理裝置1中，如第28圖所示，當液體 供給系統之各單元部G1、G2中的各單元之開口部97被開 閉态43打開犄，係在此單元部兩側之熱處理系統的各單元 4G3〜G:>中之各單元的窗75a、75b會被開閉器、7讣關 閉的狀悲下貫施開閉控制。藉此，自液體供給系統於熱處 理系統之單元内對處理造成不良影響的雰圍氣即不會流入 本紙張尺度適用中0國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐)----- -52 - A7 --*--- R:_五、發明說明（5〇 ) 經濟部智毯財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度侧中巧家鮮（CNS)A4規格⑵。χ撕公爱） 進一步，此系統也可以對化學藥劑健存室（CHM)26及 27内之液體供給裝置58及59施以調溫處理。藉此，被供給 至塗布系統之處理單元G1&G2的處理液體，其溫度被維 持在適宜的狀態。再者，也可以”做塗布系統之處理單 元使用的處理室，取代化學藥劑儲存室而使用。 第29圖所示為本發明第2實施態樣之熱處理單元，有 關和第U圖及第12圖中之要素相同的部分均省略其說明。 此熱處理單元G3,中，於框體75内從正面側（圖中左方） 起依序以例如直線狀地配置有調溫裝置C1•、低溫度熱處 理裝置LH，和高溫度熱處理裝置HH。此等熱處理裝置lh 、HH僅加熱溫度不同，且其等之構造係與第丨實施態樣的 熱處理裝置Η相同，均於圓筒形支擇構件88介以適當的絕 熱材料’而於低溫度熱處理裝置LH中設有低溫度熱板⑴ ，於高溫度熱處理裝置中則設有高溫度熱板112。在支 撐構件88的下方设置有用以實施晶圓w的交接之3支銷 ，其可以利用驅動裝置82而昇降；此3支銷85係掩埋配置 在形成於各別的熱板111及112之貫通孔nia&ii2aR。另 一方面，調溫裝置C1’係，例如，和第丨實施態樣之調溫單 ((丁匸卩丨中的調溫裝置相同’使用珀耳帖⑺化^幻元件和冷 卻水做為調溫機構。 於此等調溫裝置C Γ、低溫度熱處理裝置LH、高溫度 熱處理裝置HH的側方，導軌丨18被延設在χ方向上，並沿 著此導執11 8設有未圖示出之可以利用驅動裝置而移動的 53
--------------^--- (請先閱讀背面之*1意事項再填寫本頁) 訂： .線· 480555 經濟部智莛財產局員工消費合作社印彳 A7 五、發明說明（51 ) 副臂部1丨5。此副臂部115具有一對手部U5a、丨丨元。 此熱處理單元G3,被配置成與第丨實施態樣中之各處 理單元部G3〜G5的配置相同。此情形，在第i圖中，使處 理站12背面側之面板40在背面側移動，配合熱處理單元 G3’的尺寸而配置。 關於此熱處理單元G3,之作用係，開閉器76打開，第 1或第2主晶圓搬送體A1或A2中之中段臂部7b(或下段臂部 7c)沿Y方向移動至調溫裝置C1，的正上方位置為止，調溫 裝置cr中之昇降銷127上昇，且晶圓…在比副臂部115的 高度為高之位置上被載置於該銷127後，中段臂部7b收納 到原來的位置，同時開閉器76關閉。此時，副臂部115係 在不會對主晶圓搬送體16的動作造成妨礙之情形下，位於 低溫度熱處理裝置LH側。然後，昇降銷丨27在承載了晶圓 W的狀態下下降，晶圓w由副臂部π 5收納。 然後，收納了晶圓W之副臂部丨15沿乂方向在背面惻 移動，同樣地藉昇降銷之驅動，依序地載置於下一個步驟 之低溫度熱處理裝置LH、其下一個步驟之高溫度熱處理 裝置HH的熱板111、Π2上以實施預定的加熱處理。 而，當利用高溫度熱處理裝置HH完成預定的熱處理 時’晶圓W被副臂部115移動到調溫裝置c Γ為止，並載置 於調溫板122上以實施預定的調溫處理。 在本實施態樣中，尤其，溫度不同的熱處理，可以進 一步連續地實施調溫處理，從而可以達到產率的提高。 再者’如果用適當的遮蔽板將調溫裝置C1，、低溫度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇x297公釐） Λ--------訂---------線 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 54 480555
五、發明說明（52 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 熱處理裝置LH與高溫度熱處理裝置HH予以隔開，則可以 更精確地實施各裝置中之溫度控制。 第30圖所示為本發明第3實施態樣之基板處理裝置： 此基板處理裝置15〇係第！實施態樣中之第2主晶圓搬送部 A1變形而成，進一步增設了塗布系統之處理單元部, 除此之外的構造則與第丨實施態樣相同。此處理單元部G2· 備有抗蝕劑塗布早元（COT)及顯像單元（DEX〇。 · 第1實施態樣之主晶圓搬送部A1(A2)並無主晶圓搬送 體16(17)本身會沿γ方向移動的情形，而此第3實施態樣之 第3主曰曰圓搬送部A3則設有Y軸桿128，亦可以在γ方向移 動。此Y軸桿128可以沿垂直方向之軸桿33移動，並且沿 此Y軸桿可移動地安裝有主晶圓搬送體17。 藉此，基板在第4及第5熱處理單元部G4&G5被處理 過之後，可以將在第1及第2塗布系統之處理單元部〇1及(32 處理元的基板，以第3主晶圓搬送部A3之主晶圓搬送體1 7 搬送往處理單元G2,以實施預定的塗布處理。因此產率提 高0 接著’將一邊參照第3 1圖〜第3 8圖，以就本發明之第 4實施態樣做說明。第31圖〜第34圖所示為本發明之一實 苑樣的塗布顯像處理系統；第3 1圖為平面圖，第32圖為 正面圖。第33圖為沿著第31圖之X方向切斷時之斷面圖， 第34圖為切斷沿著第3 1圖之Y方向配置有調溫處理單元 218的區域時之斷面圖。 如第3 1圖所示，此塗布顯像處理系統2〇丨具有，將以 本纸張尺度適用中閱家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --Π一" -------I ti----! ·線 (請先閱讀背面之1意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財1'局P、工消費合作社印製 Λ7 ^----— B7 __ 五、發明說明（53 ) 例如25片晶圓W為晶圓匣盒的單位，一方面從外部對塗布 顯像處理系統201進行搬出搬入，並用以對晶圓匣盒c實 施晶圓w之搬出搬入的晶圓匣盒站2〇2、在塗布顯像處理 步驟中，將對晶圓…施以預定處理之片葉式的各種處理單 元配置成多段之第1處理站203、和鄰接配置於此第！處理 站之第1站的構造大致相同之第2處理站2〇4，以及，用以 在鄰接配置於此第2處理站204的曝光裝置（省略圖杀）之間 執行晶圓W之交接的介面部2〇5，一體地連接而成之構造 。在第1處理站203，主要是在晶圓w上實施反射防止膜及 抗蝕劑膜的塗布處理；在第2處理站204則是實施經曝光之 抗蝕劑膜的顯像處理。 晶圓E盒站202中，在晶圓匣盒載置台300上之位置限 定大起33a的位置上，複數個晶圓匣盒c將晶圓冒之出入口 朝向處理站203側，並沿X方向（第31圖中之上下方向）自由 地載置成一列。而，可以在此晶圓匣盒c之配列方向（χ方 向）及被收容於晶圓匣盒c之晶圓W的配列方向（Ζ方向；垂 直方向）上移動的晶圓搬送體211乃形成可以沿著搬送路徑 212自由移動，而可以對各晶圓匣盒c選擇性地進出之狀 態。 此晶圓搬送體211被建構成也可以在0方向自由轉動 ’並且被建構成可以相對於做為後述之第1處理站2〇3中的 第2處理單元群之第1加熱·調溫處理單元群21牦的各個第 1加熱·調溫處理單元210a的調溫處理單元（CpL)2i8a進行 進出。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） IIIIIIIII1 — — — ^ * — — — — — — — ·1111111· I f請先閱讀背面之注意事項再埃寫本頁) 56 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^j 480555 A7 --—__ B7 五、發明說明（54) 如第31圖、第32圖所示，在第1處理站203，於正面側 設有做為實施液體處理之第1處理單元群的反射防止膜塗 布單元（BARC)群213a及抗蝕劑膜塗布單元（COT)群213b。 反射防止膜塗布單元（BARC)群213a係由在常溫附近對晶 圓W實施塗布處理之反射防止膜塗布單元（BArc)216，於 Z軸方向積層重疊成3段而構成。另，抗蝕劑膜塗布單元 (COT)群213b係由在常溫附近對晶圓w實施塗布處i里之抗 姓劑膜塗布早元（COT)217’於Z軸方向積層重叠成3段而 構成。 於第1處理站203的中央部分，夾住搬送裝置21〇a地配 置有第1加熱·調溫處理單元群214a、第2加熱•調溫處理 單元群214b以做為第2處理單元群。在第！加熱·調溫處理 單7L群214a中，第1加熱·調溫處理單元21〇a係沿z軸方向 積層重疊成8段地構成；而在第2加熱·調溫處理單元群21朴 中，第2加熱·調溫處理單元21〇1)係沿2軸方向積層重疊 成7段，並進一步於其等之下層配置有後述之搬送單元 (STL)而構成。各第1及第3加熱·調溫處理單元2i〇a、21仙 係由對晶圓w實施調溫處理之調溫處理單元（cpL)218a、 218b，與實施加熱處理之加熱處理單元（Hp)22〇a、22卟分 別地互相鄰接並一體化而構成。 如第31圖、第33圖所示，第1加熱·調溫處理單元群2ι私 係由第1加熱·調溫處理單元210 a積層重叠成例如8段而 構成；且第！加熱·調溫處理單元群21牝與反射防止膜塗 布單元（BARC)群213a被配置成，在所有的第丨加熱·調溫 1.^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
57 經濟部智慧財產局8工消費合作社印制衣 480555 A7 __ B7 五、發明說明（55) 處理單元210a中，調溫處理單元（CPL)218a係位於反射防 止膜塗布單元（BARC)群213a側。另，第33圖為沿著第31 圖之X方向切斷時的斷面圖，且為沿X方向之第丨處理單元 群213a與第2處理單元群214a的位置關係示意圖。又、第2 加熱·調溫處理單元群214b也同樣地由第2加熱·調溫處 理單元210b積層多段而構成，而且在所有的第2加熱·調 溫處理單元21〇b中，調溫處理單元218b被配置在抗鉍劑膜 塗布單元（COT)群213b側。 在垂直搬送型搬送裝置219a的周圍配置有反射防止膜 塗布單元（BARC)群213a、抗姓劑膜塗布單元（COT)群2 13b 、第1及第2加熱·調溫處理單元群214a、214b。而，在第 1加熱·調溫處理單元群214a與反射防止膜塗布單元（barc) 群213a之間的晶圓搬送，以及第2加熱·調溫處理單元群 2141)與抗蝕劑膜塗布單元（(：〇丁）群2131)之間的晶圓搬送， 即疋藉搬送裝置219a而實施。又，在第1加熱·調溫處理 單元210a的調溫處理單元（CPL)21 8a兩側面上設有可開閉 之開閉器構件247a、247b。在第1加熱·調溫處理單元2i〇a 與晶圓搬送體211之間的基板交接係分別透過開閉器247a 、247b而實施。另，在第2加熱·調溫處理單元21〇b的調 溫處理單元（CPL)2 18b之搬送裝置側的側面上設有可開閉 之開閉器構件247a ;透過此開閉器構件247a，實施在搬送 裝置219a與調溫處理單元（CPL)218b之間的基板交接。 另一方面，在第2處理站204中，如第31圖、第32圖所 不，與第1處理站203相同地，於正面側配置有第！顯像處 本紙張尺“用TS國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公爱）-—；~ ---- — — — — — — — — — — — — — > I I I I I I I a—— — — — — 翁· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 AT 經濟部智慧財產局8工消費合作社印制π
訂 ▲ 48U555 經濟部智慧財產局P'工消費合作社印製 A7 五、發明說明（57 熱處理單元（HP)220d之中，調溫處理單元（cpL)218d係位 於第2顯像處理單元（DEV)群2Ud側。 在垂直搬送型搬送裝置219b周圍配置有第^員像處理 單元群213c、第2顯像處理單元群2i3d、第3及第4加熱· 調溫處理單元群214c、214d。而，在第3加熱·調溫處理 單元群214c與第1顯像處理單元（£^^〇群21虹之間的晶圓w 之搬送、在第4加熱·調溫處理單元群214d與第2顯像處理 單元（DEV)群213d之間的晶圓W之搬送，係利用搬送裝置 2 19b而實施。另，在第4加熱·調溫處理單元21〇(1的調溫 處理單元（CPL)218d兩側面上設有可開閉之開閉器構件 247a、247b。在第4加熱·調溫處理單元21〇d與搬送裝置21外 之間的基板交接，以及第4加熱·調溫處理單元21〇(1與晶 圓搬送體237之間的基板交接，係分別透過開閉器247a、 247b而實施。另，在第3加熱·調溫處理單元以⑼的調溫 處理單元2 1 8c之搬送裝置側的側面上設有可開閉之開閉器 構件247b，透過此開閉器構件247b，實施在搬送裝置21外 與調溫處理單元21 8c之間的基板交接。 又，如第31圖所示，在第1處理站2〇3及第2處理站2〇4 的背面側，設有檢查機206和在第i處理單元群213a中被使 用以收容儲備處理液體之化學藥劑健存塔的容器架。此容 态木可以藉著滑軌207而沿圖式之γ方向移動。容器架構 成’例如在背面側可開閉的門扇之構造，而容器則成為可 收容於此門扇。因此，可以容易地實施容器之交換和保養 點檢查。檢查機206為用以對經過曝光、顯像處理之晶圓 -------------^--------^-----— I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 Λ7 五、發明說明（58 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) W，檢查其塗布膜的膜厚之裝置，係因應需要而設置。又 ，處理液包括有例如，被供給至反射防止獏塗布罝元 (BARC)2 16之反射防止膜抗钱劑材料、被供給至抗钱劑獏 塗布單元（COT)217之抗钱劑膜材料、被供給至顯像處理 單元226之顯像液。此處，採用配置於背面側之化學藥劑 儲存塔215所儲備的處理液做為主要處理液體源亦佳，將 配置於背面側之化學藥劑儲存塔2丨5當做預備用配查，而 於其他區域配置別的化學藥劑儲存塔做為主要處理液體源 使用亦無妨。 ;線· 在介面部205，為將曝光前的晶圓W暫時保持於其正 面側，而配置例如與晶圓W匣盒c構造相同之緩衝晶圓匣 盒233，並於其背面側配置周邊曝光裝置234。而且，構成 可以在垂直方向昇降，且能在Θ方向轉動之晶圓搬送體237 ，形成可以沿此等之間的搬送路徑236移動，而且晶圓搬 送租237被建構成可以進出第4加熱·調溫處理單元之 調溫處理單元（CPL)218d、緩衝晶圓匣盒233與周邊曝光裝 置234、曝光刚调溫早元（未圖示出）。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 此外，在此塗布顯像處理系統2〇1中，如第3丨圖、第B 圖所示，第^處理站203中之第i處理單元群213(反射防止 膜塗布單元（BARC)群2 13a、抗姓劑膜塗布單元（coy)群 213b)與第2處理單元群214(第丨及第2加熱·調溫處理單元 群214a、2Ub)之間，第2處理站2〇4中之第i處理單元群213( 第1及第2顯像處理單元群213c、2 13d)與第2處理單元群 214(第3及第4加熱·調溫處理單元群21讣、2ud)之間， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 61 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制枚 A7 B7 五、發明說明（59) 分別配置有絕熱壁239，以及後述之用以使從第1處理單元 群213的下部被排氣出之氣體在其上部循環的通路no。亦 即，絕熱壁239及通路240係配置成將第1處理單元群213與 第2處理單元群214之間予以分斷。 如第32圖所示，在上述之反射防止膜塗布單元（b arc) 群213 a中係’在盛杯内使晶圓w承載於旋轉夾頭以塗布反 射防止膜，而對該晶圓W施以反射防止膜塗布處理乏反射 防止膜塗布單元（BARC)216被積層重疊為3段。 在抗蝕劑塗布單元群213b中係，在盛杯内使晶圓w承 載於旋轉夾頭以塗布抗姓液，而對該晶圓W施以抗姓劑塗 布處理之抗蝕劑塗布單元（C0T)被積層重疊為3段。 在第1顯像處理單元群213c中係，在盛杯内使晶圓w 承載於旋轉夾頭以供給顯像液，而對該晶圓w施以顯像處 理之顯像處理單元（DEV)226由上開始被積層重疊為2段。 同樣地，在第2顯像處理單元群213d中係，在盛杯内 使晶圓W承載於旋轉失頭以供給顯像液，而對該晶圓w施 以顯像處理之顯像處理單元（DEV)226由上開始被積層重 疊為2段。 在第2及第3加熱·調溫處理單元群214b、2Mc中係， 將加熱·調溫處理單元2 1 〇積層重疊為7段，且在此等單元 之下&進一步如第34圖所示地分別配置有搬送單元 (STL)2〕8b、23 8c。第1及第2處理站203、204間之晶圓交 接係經由連通2個搬送單元（STL)238b、238c的連通路徑242 而進仃。如第34圖所示，在搬送單元238b、238(：分 本紙張尺度^用fii冢標準（CNS)A4規格（ϋ公f--- -------;------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480555 Λ7 B7 經濟部智慧財產局轉工消f合作社印製 五、發明說明（60) 別開設有開口部，並且對應各開口部設有可開閉之開閉器 構件248a、248b、249a、249b。而，利用開閉開閉器構件 248a、249b的方式，可以在搬送單元（STL)238b、238。和 分別與之對應的搬送裝置219a、219b之間實施晶圓w的交 接。又，利用開閉開閉器構件248b、249a的方式，經由連 通路徑242，可以實施在搬送單元（STL)238b、238^間之晶 圓W交接，亦即，可以實施在第丨及第2站間之晶圓^的交 接。 接著，關於上述之搬送裝置219a、219b，係採用斜視 圖第35圖做說明。上述之搬送裝置21%及2191>具有相同的 構造’在第35圖中係以符號219做說明。 如第35圖所示，搬送裝置2 19，其由在上端及下端互 相連接並相對向之一體的壁部251、252所構成之筒狀支撐 體253的内側上，配備有在上下方向（z方向）自由昇降之晶 圓W搬送手段254。筒狀支撐體253被連接於馬達255的旋 轉軸，並利用此馬達255之旋轉驅動力，而以前述旋轉軸 為中〜，與晶圓W搬送手段254共同一體地旋轉。因此， 晶圓W搬送手段254變成在0方向自由轉動。 於晶圓W搬送手段254之搬送基台256上，上下地配備 有用以保持晶圓W之複數支，例如2支銷套組257、258。 各銷套組257、258基本上具有相同構造，並具有可以自由 通過筒狀支撐體253之兩壁部25 1、252間的側面開口部之 形恕及尺寸。又，各銷套組257、258係利用内藏於搬送基 台256的馬達（未圖示出）而成為可以自由地在前後方向 ^--------^---------^ (請先R3讀背面之注意事頊再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 480555 A7 -----—_E___ 五、發明說明（61 ) 動。 接著採用弟34圖、第36圖、第37圖，說明上述之第 1加熱·調溫處理單元21〇a的構造。第36圖為加熱調溫 處理單元的平面圖，第37圖則為加熱·調溫處理單元的斷 面圖。 如第第36圖、第37圖所示，第1加熱·調溫處理單元210a 係使對晶圓w實施加熱處理之加熱處理單元（Hp)220a，與 對晶圓w實施調溫處理之調溫處理單元（cpL)2i8a，互相 鄰接並一體化而成之構造。 加熱處理單元（HP)220a具有可以設定溫度於2〇〇艺左 右的熱板224。此外，加熱處理單元（HP)220a在用以將加 熱處理單元（HP)220a與調溫處理單元（CPL)218a之間予以 開閉的閘開閉器（gate shutter) 221和熱板224的周圍，具有 一方面將晶圓w予以包圍，一方面與閘開閉器221 一起被 昇降之環狀開閉器222。於熱板224,可自由昇降地設有供 載置晶圓W並將之昇降的3個昇降銷223。再者，於熱板224 與環狀開閉為222之間設置遮蔽板屏幕亦佳。於加熱處理 至22〇a的下方設置有用以昇降上述3個昇降銷223的昇降機 構227 ’和用以一起昇降環狀開閉器222與閘開閉器221之 幵降機構228。在熱板224上設有高度0.2 mm之鄰近銷 (proximity pin) 235，並且進一步設有導轨232。 調溫處理單元（CPL)2 18a具有將晶圓w調整溫度成23 C左右之常溫的調溫板225。如第34圖、第36圖所示，在 調溫處理單元（CPL)21 8a之晶圓匣盒站側的側部，設有用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） n ϋ .1 ϋ 1« ϋ ϋ n n n I— —i I · n n ϋ ti n ϋ 一·04· ϋ n n 1· I I - * . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 64 480555 經濟部智莛財產局員工消費合作社印製 A： B7 五、發明說明（62 ) 以在與晶圓匣盒站202之間實施晶圓W交接的開口部，並 且對應此開口部而配置了可開閉之開閉器構件247a。進一 步’在調溫處理單元（CPL)218a之搬送裝置219側的側部， 設有用以在與搬送裝置219之間實施晶圓W交接的開口部 ，並且對應此開口部而配置了可開閉之開閉器構件247b。 如第37圖所示，加熱處理單元（HP)220a與調溫處理單 元（CPL)218a係經由連通口 230而連通，並且被建構成為， 用以載置晶圓W並將之調溫的調溫板225係沿著導板（guide plate) 259藉移動機構260而在水平方向上自由移動。因此 ’調溫板225可以經由連通口 230進入加熱處理單元 (HP)220a内，從昇降銷223接收受到加熱處理單元（Hp)22〇a 内之熱板224加熱後的晶圓w並將之搬入調溫處理單元 (CPL)218a内，進行晶圓W之調溫。 上述中係就第1加熱·調溫處理單s210a加以說明， 而第4加熱·調溫處理單元群;n4d之第4加熱·調溫處理單 元210d亦具有相同構造。另，第2加熱·調溫處理單元2丨〇1> 、第3加熱·調溫處理單元210c中也具有和第1加熱·調溫 處理單元210a大致相同的構造；如第μ圖及第“圖所示， 其相異點在於’相對於第1加熱·調溫處理單元2 1 0a中係 於兩側面設有開閉器構件247a、247b，第2及第3加熱·調 溫處理單元210b、210c中係僅於搬送裝置219側的側面設 置開閉器構件247a或247b。本實施態樣中，在調溫處理單 元（CPL)218a、218b中，係以開閉器構件247a、24几不會 形成二者都打開的狀態而實施開閉驅動。亦即，在因開閉 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 65 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 A： __________B7___ 五、發明說明（63 ) 益構件247a而開口的狀態下，開口部會被開閉器構件247b 關閉；相反地，在因開閉器構件2471)而開口的狀態下，開 口 會因開閉器構件2 4 7 a而被關閉。如此，藉著控制開閉 器構件247a、247b之開閉驅動，調溫處理單元（cpL)可以 說是實現了加載互鎖真空室（l〇a(M〇ck chamber)的功能， 而可以更精確地執行用以在常溫附近對晶圓w實施處理之 處理液體供給單元（BARC、COT、DEV)中的溫度括制。 如上所述，在本實施態樣中，係於第1處理單元群213a、213b 、213c、213d 與第 2處理單元群 214a、214b、214c、214d 之間，設有調溫機構’其分別配置了絕熱壁239，以及用 以使從第1處理單元群213的下部被排氣出之氣體在其上部 循環的通路240。關於此調溫機構將採用第38圖說明如后 。另，第38圖為處理液供給單元，此處為積層有複數段的 反射防止膜塗布單元（BARC)216之第1處理單元群21“的 概略斷面圖。 如第38圖所示，於塗布顯像處理系統2〇1之上部配置 有，由上部對做為第！處理站2〇3中之第！處理單元群的反 射防止膜塗布單元（BARC)群213a，供給以經過調溫的清 淨空氣之清淨空氣供給部241。清淨空氣供給部241具備 FFU(風扇·遽為·單元（fan ·⑴如·⑽η))以及調整溫度 和濕度之調溫裝置等；其經由用以使從反射防止膜塗布單 元（BARC)群213a的下部被排氣出之氣體在其上部循環的 通路240而利用流入的氣體調整溫度及濕度，並將已除去 微粒等之清淨空氣，經由通路243供給至各反射防止膜塗 本紙張尺i適用T關家標準（CNS)A4規格（2】G x 297公餐厂--—________ --------^---------線 ϊ / (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁)
五、發明說明（μ) 單兀（BARC)216。進一步，如第31圖所示，在通路24〇 與第2處理單元群之加熱調溫處理單元2ι㈦之間配置有 、、’巴熱壁239。在本實施例中，由於像這樣地設有絕熱壁和 調溫機構，而可以進一步更精確地執行對用以在常溫附近 對晶圓〜實施處理之處理液體供給單元（BARC、COT、DEV) 中的溫度控制。而且，同樣地，如第3 1圖所示，在第1處 理早το群213b、213c、213d和分別與之對應的加熱、調溫 處理單元群214b、214c、214d之間，也分別地個別設有清 淨空氣供給部240與絕埶壁239。 接著’說明像這樣構造成的塗布顯像處理系統2〇 1中 之處理步驟。 塗布顯像處理系統2〇 1中，被收容於晶圓匣盒C内之 未處理的晶圓w，經以晶圓匣盒站202之晶圓搬送體211取 出後，被搬送到第1處理站2〇3之第丨加熱·調溫處理單元 21〇a中的調溫處理單元（cpL)218aR，並且被載置於調溫 板225上以實施調溫處理。 在凋溫處理單元（CPL)2i 8a内經施以調溫處理的晶圓 w係利用搬送裝置219a而被搬送到反射防止膜塗布單元 (BARC)群213a中的反射防止膜塗布單元（BARC)216内， 並塗布以反射防止膜用的處理液體。 在反射防止膜塗布單元（BARC)2 1 6中經塗布以反射防 止膜用的處理液體之晶圓W，被以搬送裝置219&搬送到第 1加熱·調溫處理單元210a之調溫處理單元（cpL)218a内， 並且被載置於調溫板225上。被載置於調溫板225上之晶圓 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之;x意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农
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W係如第37圖所示，利用藉著移動機構26〇而被水平移動 之凋溫板22：)，通過連通口 23〇而被搬送往加熱處理簞元 (HP)220a内。被搬送的晶圓w受到上昇狀態之昇降銷二3 所支撐。其後，昇降銷223下降，晶圓w被载置於熱板224 上，與此同時，在環狀開閉器222及閘開閉器221被昇上來 而形成之加熱處理空間内實施加熱處理。加熱處理後，昇 降銷223被昇上來，同時環狀開閉器222及閘開閉器:22丨被 降下去，晶圓W自熱板224離開而由昇降銷223支撐。 其後，調溫板225再度被插入加熱處理單元（Hp)内， 並接收已經過加熱處理之晶圓w。晶圓…被調溫板225搬 送往調溫處理單元（CPL)2l8a内以實施調溫處理。 在調溫處理單元（CPL)218a完成調溫處理之晶圓w由 搬送裝置219a搬送往抗蝕劑塗布單元群2nb中之抗蝕劑塗 布單元（COT)217内，被塗布以抗蝕劑液體。 在蝕劑塗布單元（C0T)2 1 7被塗布以抗蝕劑液體之晶 圓w係利用搬迗裝置219a往第2加熱·調溫處理單元Μ卟 之調溫處理單元（CPL)21_搬送，並且被載置於調溫板 上。被載置於調溫板225上之晶圓w利用藉著移動機構 260而被水平移動之調溫板225，通過連通口 ^川而被搬送 往加熱處理單元（HP)220b内。被搬送的晶圓w受到上昇狀 態之昇降銷223所支擇。其後，昇降銷出下降，晶圓频 載置於熱板224上，與此同時，在環狀開閉器222及閘開閉 器221被昇上來而形成之加熱處理空間内實施加熱處理。 加熱處理後，昇降銷223被昇上來，同時環狀開閉器222 ^ ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4a(2】〇x 297公爱 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A： __—--Π：_ _ 五、發明說明（66 ) 閘開閉器221被降下去，晶圓w自熱板224離開而由昇降銷 223支撐。 其後’調溫板225再度被插入加熱處理單元（HP)220b 内，並收納經過加熱處理之晶圓w。晶圓W被調溫板225 搬送往調溫處理單元（CPL)218b内以實施調溫處理。 在調溫處理單元（CPL)218b完成調溫處理之晶圓w被 搬送裝置219a搬送往配置在第2加熱·調溫處理單元_21仆 的最下段之搬送單元（STL)238b，並通過連通路徑242，再 往第3加熱·調溫處理單元群2i4c之搬送單元（STL)238c搬 ^ %/ 运。 被搬送到第3加熱·調溫處理單元群214c中之搬送單 元（STL)的晶圓W被搬送裝置219b搬送往第4加熱·調溫處 理單元群214d之加熱·調溫處理單元21〇(1的調溫處理單元 〇 經搬送到調溫處理單元的晶圓w進一步被介面部 中之晶圓搬送體237搬送到周邊曝光裝置234内，以實施用 邊曝光處理。 在周邊曝光裝置234進行過周邊曝光處理的晶圓w， 或由晶圓搬送體237搬送到緩衝晶圓匣盒233暫時保存，或 者經由晶圓搬送體237、曝光前調溫單元（未圖示*^曰 叫/ 日日 圓搬送體237而搬送到曝光裝置（未圖示出）。 此處，設置例如2個緩衝晶圓匣盒233，將其中i個當 做供保持周邊曝光後之晶圓w的晶圓匣盒用，而另一個也 可以當做供保持周邊曝光前之晶圓w的晶圓匡盒用。此時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） Μ--------^---------^ (請先閱誚背面之注音？事項再填寫本頁) 69 480555
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，在保持周邊曝光前之晶圓w的晶圓匣盒中，以設置將晶 圓w調整溫度成為说左右的常溫之機構為宜。或者，緩 衝晶圓匣盒233僅保持周邊曝光後的晶圓w ;而周邊曝光 前的晶圓w，也可以應用於第2處理單元群21針或21切之 加熱·調溫處理單元雇或·中，使周邊曝光前的晶^ w在空出來之調溫處理單元218c*218d中待機的情形。此 月/中不而要*又置用以保持周邊曝光前之晶圓w葯緩衝 晶圓匣盒。 接著，以曝光裝置實施過曝光處理的晶圓以經由晶圓 搬送體、緩衝晶圓匣盒233及晶圓搬送體237，而從介面部 205被搬送往第2處理站2〇4之第4加熱·調溫處理單元群 214d中的第4加熱·調溫處理單元以⑽之調溫處理單元 (CPL)218d内，以實施調溫處理。 在調溫處理單元（(：凡）218(1實施過調溫處理的晶圓W ，係利用搬送裝置219b搬送到第i顯像處理單元群以^或 第2顯像處理單元群213(1中之顯像處理單元（dev)226，以 進行顯像處理。 在顯像處理單元（DEV)226實施過顯像處理之晶圓w 係利用搬送裝置2 19b，經由例如第3加熱·調溫處理單 元群214c中之加熱·調溫處理單元门…的調溫處理單元 (CPL)218c，而搬送到與此調溫處理單元（cpl)2;[8c相鄰接 之加熱處理單元（HP)220c内，以實施加熱處理。 在加熱處理單元（HP)220c實施過加熱處理之晶圓…被 搬送往調溫處理單元218c，並以搬送裝置219b搬送到 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480555 A7 B7 五、發明說明（68 ) 處理站204中之搬送單元（STL)238c，再通過連通路徑242 而被搬送到第1處理站203中之搬送單元(STL)238b。 已搬送到搬送單元（STL)之晶圓W被搬送裝置219a搬 送到第1加熱·調溫處理單元群2 14a中的第1加熱·調溫處 理單元210a之調溫處理單元21 8a。然後，調溫處理單元21 8a 内之晶圓W藉著晶圓匣盒站202之晶圓搬送體211而被收容 於晶圓匣盒C内。此處，在設置了檢查機206的情形中， 調溫處理早7L 21 8 a内之晶5] AV係被晶S]匡盒站2 0 2之晶0 搬送體211搬送到檢查機206。在檢查機206中，藉測定抗 蝕劑膜之膜厚的方式，可以判斷利用曝光顯像處理所獲得 之圖案的寬度是否適正。經過檢查的晶圓W藉著晶圓匣盒 站202之晶圓搬送體211而被收容於晶圓匣盒C内。 若根據如此所構成之本實施態樣的塗布顯像處理系統 ，則由於將加熱·調溫處理單元之調溫處理單元（CPL)配 置在液體處理單元側，故而構成在液體處理單元與加熱處 理桿元（HP)之間有調溫處理單元（CPL)介在的構造。因此 ，可以將對於液體處理單元側之來自加熱處理單元的熱影 響盡量地加以抑制。從而，在該塗布顯像處理系統中，可 以精確地執行用以對晶圓W實施液體處理之液體處理單元 (BARC、COT、DEV)中的溫度控制。 此外，若根據本實施態樣之塗布顯像處理系統，則在 第1及第2處理站203、204中的液體處理單元群（反射防止 膜塗布單元（BARC)群213a、抗蝕劑膜塗布單元（COT)群 213b、第1顯像處理單元群213c、第2顯像處理單元群213d) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 71 480555 A7 B； 五、發明說明（69 ) -------------1 — ; r - 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 與加熱·調溫處理單元群（第1至第4加熱·調溫處理單元 群214a、214b、214c、214d)之間，分別配置有絕熱壁239 ，及用以使分別從液體處理單元群213a、213b、2 13c、213d 的下部被排氣出之氣體在其上部循環之通路240。藉此， 由於通路240也伴隨有絕熱手段的功能，因此在第1處理單 元群2 13與第2處理單元群214之間形成配置有雙重絕熱手 f又的情形’進一步將對液禮處理單元群之加熱·調溫處理 單元的加熱處理單元所造成之熱影響加以加制，並且可以 極精確地執行在常溫附近對晶圓貿實施液體處理之液體處 理單元群中的溫度控制。 •線. 接著，一邊參照第39圖〜第41圖就本發明之第5實施 怨樣做說明。第39圖〜第41圖為本發明之一實施態樣的塗 布顯像處理系統之示意圖；第39圖為平面圖，第4〇圖為正 面圖。第41圖係沿著第39圖之a—a，線切斷時之斷面圖； 為不意第1處理單元群2 13a與第2處理單元群214a和化學藥 劑儲存塔2 15a之X方向上的位置關係圖。 經濟部智祛財產局員工消費合作社印製 本實施態樣與上述之第4實施態樣在構造上的差異為 ’收谷處理液體之化學藥劑儲存塔的配置不同、配置在2 個搬迗裝置219a、2 19b之間的加熱·調溫處理裝置之數目 為1個。以下將說明第5實施態樣，惟有關和第4實施態樣 相同的構造則省略部分的說明。另，有關與第4實施態樣 相同的構造係賦予相同的符號以為說明。 如第39圖所示，塗布顯像處理系統2〇1具有，將和第* 貝施怨樣相同的晶圓匣盒站2〇2，與在塗布顯像處理步驟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 χ 公爱） 72 480555 A7 ------^~......... 五、發明說明（70 ) -- -------------^ — 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 中對晶圓W施以預定處理之片葉式的各種處理單元予以多 段配置而構成之第i處理站208、鄰接於此第}處理站而^己 置之第2處理站209、用以在與鄰接於此第2處理站2〇9而配 置的曝光裝置（省略圖示）之間執行晶圓〜之交接的介面部 205，一體地連續而成之構造。第i處理站2〇8中，主要在 晶圓W上實施反射防止膜及抗蝕劑膜之塗布處理：在第〕 處理站209中則是實施經過曝光的抗蝕劑膜之顯像處.理。 關於晶圓匣盒站202,因具有和第4實施態樣相同的構 造，故省略其說明。 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第39圖、第40圖所示，在第！處理站2〇8中，於正面 側實施液體處理之第1處理單元群設有反射防止膜塗布單 凡^八11(：)群2133及抗蝕劑膜塗布單元（(：〇丁)群2131)。反射 防止膜塗布單元（BARC)群2 13a係由在常溫附近對晶圓w 施以塗布處理之反射防止膜塗布單S(BArC)216，在乙軸 方向上積層重豐成3段所構成。而，抗钱劑膜塗布單元（c〇T) 群213b係由在常溫附近對晶圓w施以塗布處理之抗蝕劑膜 塗布單tc(COT)217，在Z軸方向上積層重疊成3段所構成 。此外，於反射防止膜塗布單元（BARC)群213a及抗蝕劑 膜塗布單元（COT)群2 13b分別相鄰接地配置有化學藥劑儲 存塔215a、215b。於化學藥劑儲存塔21 5a中·收容有當做 處理液體而被供給至反射防止膜塗布單元（BArC)2 16之反 射防止膜材料；而在化學藥劑儲存塔2丨5b中則是收容了當 做處理液體而被供給至抗蝕劑膜塗布單元（c〇T)2 1 7之抗 蝕劑材料。 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 73 480555 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（71 ) 在第1處理站208的背面部，夾住搬送裝置219&地配置 有第1加熱·調溫處理單元群214a、第2加熱·調溫處理單 元群214b以做為第2處理單元群。第i加熱·調溫處理單元 群214a、第2加熱·調溫處理單元群21仆分別被配置成鄰 接於化學藥劑儲存塔215a、215b。在第]加熱·調溫處理 單元群214a中，第1加熱·調溫處理單元21〇8係沿2軸方向 積層重^:成8#又地構成。在第2加熱·調溫處理單元群2 1朴 中，第2加熱·調溫處理單元2丨〇b係沿2軸方向積層重疊 成8#又地構成。各第1及第2加熱·調溫處理單元 ίτ由對晶圓W實施調溫處理之調溫處理單元（cpL)2i8a、 218b，與實施加熱處理之加熱處理單元（Hp)22〇a、22卟， 分別地互相鄰接而一體化所構成。 如第41圖所示，第i加熱·調溫處理單元群21乜係由 第1加熱·調溫處理單元2l〇a積層為多段而構成。另，第Μ 圖為沿著第39圖之Α—Α,線切斷時的斷面圖，其為沿著χ 方向之第1處理單元群213a與化學藥劑儲存塔215a和第2處 理單元群214a的位置關係示意圖。如第39圖、第41圖所示 ，做為第2處理單元群之第丨加熱·調溫處理單元群η"係 由第1加熱·調溫處理單元210a積層為8段而構成；在所有 的第1加熱.調溫處理單元2H)a+，加熱處理單S(Hp)22〇a 與調溫處理單元（CPL)218a之中，t周溫處理單元（cpL)2i8a 被配置於做為處理液體供給部之化學藥劑儲存塔21 5a側。 而且郴接於此化學藥劑儲存塔2 1 5a ,則配置了做為第！ 處理單元群之反射防止膜塗布|元群213a。χ，第2加熱 冰張尺巧財iiii^NS)A4 —⑵Q χ挪公爱） -------------^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 74 480555 A7
五、發明說明（72) •調溫處理單元群214b也同樣地由第2加熱·調溫處理單 元210b積層為8段而構成；在所有的第2加熱·調溫處理單 元210b中，加熱處理單元（HP)220b與調溫處理單元 (CPL)218b之中，調溫處理單元（CPL)218b被配置於做為處 理液體供給部之化學藥劑儲存塔215b側。而且，鄰接於此 化學藥劑儲存塔215b，則配置了做為第！處理單元群之抗 蝕劑膜塗布單元群213b，以及後述之第^員像處理單元群 213c 〇 在垂直搬送型搬送裝置219a的周圍配置有反射防止膜 塗布單元（3八11(1!)群2133、抗姓劑膜塗布單元（匸〇丁)群213匕 、第1及第2加熱·調溫處理單元群2i4a、214b。第1處理 站208中之搬送裝置219a、反射防止膜塗布單元（Barc)群 213a、抗姓劑膜塗布單元（c〇Tm213b、第1加熱·調溫 處理單tl群214a的構造係，製作成與上述第4實施態樣中 之第1處理站203之各構成部分相同的構造，其詳細說明在 此予以省略。本實施態樣中之第2加熱·調溫處理單元群 一 14b，和上述第4貫施態樣中之第2加熱·調溫處理單元群 經濟郎；智慧財產局Μ工消費合作社印製 “ 14b相比較，其構造上的差異為，在兩側面上有開閉器構 件247a、247b，而且沒有搬送單元（STL)。本實施態樣中 ，在第1處理站208與後述之第2處理站209之間的晶圓…之 搬送可以經由第2加熱·調溫處理單元群214b的各第2加熱 •調溫處理單元21〇b之調溫處理單元2Ub而實施。為此， 乃在調溫處理單元21 8b之兩側面設有開閉器構件247a、 247b 〇
75 480555 Λ7 _______ B：___ 五、發明說明（73 ) 另一方面，在第2處理站209係如第39圖、第40圖所示 ，和第1處理站208相同，於正面側配置有第1顯像處理單 元群213c及第2顯像處理單元群213d，以做為在常溫附近 對晶圓W實施液體處理之第1處理單元群。第1顯像處理單 元群213c係由顯像處理單元（DEV)226在Z軸方向積層重疊 成2段而構成；而第2顯像處理單元群213d也同樣由顯像處 理單元（DEV)226在Z軸方向積層重疊成2段而構成。進一 步，鄰接於第2顯像處理單元群213d配置有化學藥劑健存 塔215c。在此化學藥劑儲存塔215c中收容有當做處理液體 而被供給至顯像處理單元（DEV)226的顯像液。 在第2處理站209的背面部，於夾住搬送裝置21 9b，並 與弟2加熱·调溫處理單元21 〇b相對向的位置上，配置有 第J加熱·調溫處理單元群214c。第3加熱·調溫處理單元 群214c係分別鄰接於化學藥劑儲存塔215c而配置。第3加 熱·調溫處理單元群214c由第3加熱·調溫處理單元2i〇c 於Z軸方向上積層重疊成8段而構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3加熱·調溫處理單元2 1 〇c係由對晶圓w實施調溫 處理之調溫處理單元（CPL)2 18c與實施加熱處理之加熱處 理單元（HP)220c，分別互相鄰接並一體化而構成。而且， 如第39圖所不，被積層之所有的第3加熱·調溫處理單元 210c ’其調溫處理單元（cpL)218c與加熱處理單元（Hp)22〇c 之中，調溫處理單元（CPL)2 18c被配置在做為處理液體供 給部之化學藥劑儲存塔215c側。而，鄰接於此化學藥劑儲 存塔2 15c則是配置了做為第丨處理單元群之第2顯像處理單
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 tg(DEV)群213d。 在垂直搬送型搬送裝置219b的周圍配置有第丨顯像處 理單元群213c'第2顯像處理單元群213d、第2及第3加奢 •調溫處理單元群214b、214e。此處加熱.調溫處 理單元群214b可以制上之塗布膜的錢前後之 加熱處理，或調溫處理、顯像處理前後之加熱處理，或調 溫處理之任一者…在第2加熱.調溫處理單元钵21“ 與第3加熱.調溫處理單元群2Mc之間的晶圓…之搬送、 在第2加熱·調溫處理單元群门仆與第丨或第2顯像處理單 元（DEV)群213c、213d之間的晶圓w之搬送、在第〜熱 .調溫處理單元群214C與第1或第2顯像處理單元(DEV)群 213c、213d之間的晶圓W之搬送，係利用搬送裝置2州而 實施。在第2或第3加熱·調溫處理單元群21仆、2ι砂搬 送裝置㈣之間的晶圓W之交接，係'經由設置在各別的調 溫處理單元218b、2l8c之開閉器構件2杨、2仏而實施。 又，在第3加熱.調溫處理單元门〜之調溫處理單元）1讣 ，晶圓搬送體237之間的晶圓w之交接，係經由調溫處理 單元21 8c之開閉器構件247b而實施。 由於介面部205與上述之第4實施態樣中的介面部2〇5 構造相同，故省略其說明。 此外，在此塗布顯像處理系統2〇1中，如第_、第Μ 圖所示’係形成在第1處理站雇，以及第2處理站中之第^ 處理單元群21取㈣止職布單_鹰）群^、抗 姓劑膜塗布單元(C0T)物b、第!顯像處理單元 群
本紙張尺度刺巾關緒半陶A4規格(2】0x^JJ
-裝 ;線· (請先閱讀背面之:i♦音〗事項再填寫本頁) -n n I 1« - 77 480555 A： 五、發明說明（75 ) 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 213c、顯像處理單元（1^”群213(1)與第2處理單元群2丨4( 第1加熱·調溫處理單元群214a、加熱·調溫處理里元 群214b、第3加熱·調溫處理單元群214c)之間，配置有化 學藥劑餘存塔215(215a、215b、215c)的構造，並且進一 步在化學藥劑儲存塔215與第2處理單元群214之間配置有 絕熱壁239,以及用以使從第丨處理單元群213的下部被排 氣出之氣體在其上部循環的通路24〇。另，鄰接化.學藥劑 儲存塔215b而設置之通路24〇及絕熱壁239，發揮對於對應 1個第2處理單元群213b、213c之2個第1處理單元群214a的 調溫機構及絕熱手段之功能。本實施例中也和上述之第 貫施態樣相同，於塗布顯像處理系統的上部配置有對各個 第1處理單元群供給經上部調溫過之清淨空氣的清淨空氣 供給。卩。π淨空氣供給部具備FFU(風扇·濾器·單元（化打 • filter· unit))以及調整溫度和濕度之調溫裝置等；其經 由用以使彳文第1處理單元群的下部被排氣出之氣體在其上 部循環的通路240而利用流入的氣體調整溫度及濕度，並 將已除去微粒等之清淨空氣，經由通路243供給至第1處理 單70群。在本實施例也和上述之第4實施態樣相同，藉由 設置絕熱壁239以及配置有用以使從第丨處理單元群2 13的 下部被排氣出之氣體在其上部循環的通路2 4 〇的調溫機構 ，而可以精確地執行在用以於常溫附近對晶圓w實施處 之處理液體供給單元（BARC、COT、DEV)中的溫度控 。進一步，由於通路240也伴隨有絕熱手段的功能，故 在第2處理單元群214與化學藥劑儲存塔215之間，因設 4 理 制 而 置 K--------訂---------線 ί請先閱譚背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度綱巾關家標準（CNS)A4祕咖x 297公餐- 78 . 經濟部¾^.一財產局員工消費合作社E^-r 480555 Λ7 -----------B：__ 五、發明綱（76 ) " ^~ 有絕熱壁239及通路240而形成配置有冑重絕熱手段的狀餘 。因此，可以極精確地執行在常溫附近對晶圓w實施液體、 處理之液體處理單元群中的溫度控制，而且化學藥劑錯存 塔215所收容的處理液體不容易受到因加熱處理單元二〇所 造成之熱的影響，處理液之溫度調整變得容易。 如第40圖所示，上述之反射防止膜塗布單元 (BARC)213a中係，在盛杯内將晶圓w承載於旋轉矣頭並 塗布反射防止膜，而對該晶圓W施以反射防止獏塗布處理 之反射防止膜塗布單元（BARC)216被積層重疊為3段。抗 蝕劑塗布單元群213b中係，在盛杯内將晶圓w承載於旋轉 夾頭並塗布抗蝕液，而對該晶圓…施以抗蝕劑塗布處理之 抗蝕劑塗布單元（C0T)被積層重疊為3段。第i顯像處理單 元群213c中係，在盛杯内將晶圓冒承載於旋轉夾頭並供給 顯像液’而對該晶圓W施以顯像處理之顯像處理單元 (DEV)226由上開始被積層重疊為2段。同樣地，第2顯像 處理單元群213d中係，在盛杯内將晶圓W承載於旋轉失頭 並供給顯像液’而對該晶圓W施以顯像處理之顯像處理單 元（DEV)226由上開始被積層重疊為2段。 在第1、第2及第3加熱·調溫處理單元群2i4a、214b 、214c係”由分別使對晶圓W實施加熱處理之加熱處理單 元（HP)220與對晶圓W實施調溫處理之調溫處理單元 (CPL)218互相鄰接並一體化而成之加熱·調溫處理單元21〇 積層重疊為8段而構成’並如上所述地，在所有的調溫處 理單元之側面設置開閉器構件247a、247b。另，由於本實 本紙張&度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210x29了公釐） ^ ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 79 480555 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（77 施態樣中之加熱·調溫處理單元210的構造係與上述之第4 實施態樣相同，故此處省略其說明。 由於上述之搬送裝置219a、219b的構造係與上述之第 4實施態樣相同，故省略其說明。 接著，將說明以此種方式構成之塗布顯像處理系統2〇 ^ 中的處理步驟。又，由於加熱·調溫處理單元中之重作係 與上述之第4實施態樣相同，故省略其說明。 塗布顯像處理系統201中，收容於晶圓匣盒^内之未 處理的晶圓W被晶圓匣盒站2〇2之晶圓搬送體21丨取出後， 係被搬送到第1處理站208之第1加熱·調溫處理單元21〇& 中之調溫處理單元（CPL)218a内，並載置於調溫板225上實 施调溫處理。 在調溫處理單元（CPL)2丨8a内經過調溫處理之晶圓w ，被搬送裝置219a搬送到反射防止膜塗布單元⑺八尺㈡群 213a中之反射防止膜塗布單元（BARC)216内，並被塗布 反射防止膜用之處理液體。 在反射防止膜塗布單元@八!^：)216被塗布以反射防 膜用之處理液體的晶圓w，又被搬送裝置21%搬送到第！ 加熱·調溫處理單元2l〇a之調溫處理單元（cpL)2l8a内， 亚載置於調溫板225上。被載置於調溫板225上之晶圓…又 被往加熱處理單元（HP)22〇a内搬送以實施加熱處理。 其後，晶圓w被搬送往調溫處理單元（CPL)218aj^ 施調溫處理。 在凋/jel處理單元（cpl)2 1 8a實施過調溫處理之晶圓 以 止 實
W --------------.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .線. 80 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印則农 Α7 Β7 五、發明說明（78) 由板送裝置219a搬送到抗姓劑塗布單元群213 b中之抗钱資ij 塗布單元（C0T)217内，被塗布以抗蝕液。 在抗蝕劑塗布單元（C0T)2 17被塗布以抗蝕液之晶圓 W係由搬送裝置219a搬送到第2加熱·調溫處理單元2i〇b 之調溫處理單元（CPL)218b内。進一步，將晶圓w搬送往 加熱處理單元（HP)220b内實施加熱處理。 其後’將晶圓W往調溫處理單元（cPL)218bRi&送以 實施調溫處理。在調溫處理單元（CPL)218b經過調溫處理 之晶圓W再由搬送裝置219b搬送到第3加熱·調溫處理單 元群214c之加熱·調溫處理單元21(^的調溫處理單元 (CPL)218c。 更進一步以介面部205中之晶圓搬送體237將被搬送到 調溫處理單元之晶圓W搬送到周邊曝光裝置234内實施周 邊曝光處理。 在周邊曝光裝置234内被施過曝光處理之晶圓w或由 晶圓搬送體237搬送到緩衝晶圓匣盒233内暫時保持，或經 由晶圓搬送體237、曝光前調溫單元（未圖示出）晶圓搬送 體而被搬送到曝光裝置（未圖示出）。 接著，利用曝光裝置實施過曝光處理之晶圓w再經由 晶圓搬送體、緩衝晶圓匣盒233及晶圓搬送體237而從介面 部205被搬送往第2處理站209之第3加熱·調溫處理單元群 2 14c中之第3加熱·調溫處理單元21〇c的調溫處理單元 (CPL)218c内，進行調溫處理。 在調溫處理單元（CPL)2 1 8c經過調溫處理之晶圓w係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 χ 297公釐）----------- 一 -81 . ^--------^---------^ (請先53讀背面之注*事頊戽填寫本頁) 五、發明說明（79) 由搬送裝置219b搬送到第丨顯像處理單元群以氕或第2顯像 處理單元群213d中之顯像處理單元（DEV)226，以實施顯 像處理。 在顯像處理單元（DEV)226經顯像處理過之晶圓从,係 以搬送裝置219b，經由例如第2加熱·調溫處理單元群21扑 中之加熱·調溫處理單元2i〇b的調溫處理單元（cpL)2i8b ，搬送到與此調溫處理單元（CPL)218b相鄰接之加·熱處理 單元（HP)220b内，以實施加熱處理。 在加熱處理單元（HP)220b内經過加熱處理之晶圓w又 被搬送往調溫處理單元21讣，並由搬送裝置2丨％搬送到第 1加熱·調溫處理單元群2Ua中之第丨加熱·調溫處理單元 21〇a的調溫處理單元21心内。然後，調溫處理單元门心内 之晶圓W由晶圓匣盒站202内之晶圓搬送體211送到晶圓匣 盒C内去收容。 若根據如以上般地構成之本實施態樣的塗布顯像處理 系統，則由於將做為處理液體供給部之化學藥劑儲存塔鄰 接於液體處理單元（BARC、c〇T、DEV)而配置，並將加 熱·調溫處理單元鄰接於化學藥劑儲存塔而配置，而且加 熱·調溫處理單元之調溫處理單元（cpL)係被配置於化學 藥d儲存塔側，故形成在加熱·調溫處理單元的加熱處理 早疋與液體處理單元之間，有調溫處理單元及化學藥劑儲 子。的；丨入存在之構造。因此，可以大幅地抑制對於液體 处里單元側之來自加熱處理單元的熱影響，並且可以在該 塗布顯像處理系統中，精確地執行在用以對晶圓w實施液 本紙張尺度適用中园規格（2】： 297公釐）
480555 五、發明說明（8〇) 體處理之液體處理單元（BARC、⑺τ、DEV)中的溫度控 制。 此外，若根據本實施態樣之塗布顯像處理系統，則由 於在液to處理單元群（反射防止膜塗布單元（BARC)群h 抗餘”4丨膜塗布單元（c〇T)群2 13b、第1顯像處理單元（dev) 群」3c第2顯像處理單元（DEV)群213d)與加熱·調溫處 理單元群（第1至第4加熱·調溫處理單元群214a、214li>、214c 、214d)之間，分別配置有絕熱壁239，以及用以使從液體 處理單元群213a、213b、213c、213d各別的下部被排氣出 之氣體在其上部循環的通路24〇，故而可以進一步防止加 熱·調溫處理單元之加熱單元對於液體處理單元群的熱影 .，並且可以極精確地執行在常溫附近對晶圓冒實施液體 處理之液體處理單元群中的溫度控制。 以下，一邊參照第42圖〜第44圖以說明本發明之第6 實施態樣。第42圖〜第44圖為本發明之一實施態樣的塗布 頌像處理系統之示意圖；第42圖為平面圖，第43圖為正面 圖。第44圖係沿著第42圖之B—B，線切斷時之斷面圖，其 為第1處理單元群21 3e與第2處理單元群214a之X方向中的 位置關係示意圖。 本實施態樣因’收容處理液體之化學藥劑儲存塔的配 置位置、搬送裝置及加熱·調溫處理裝置的數目少、反射 防止膜塗布單元（BARC)及抗蝕劑膜塗布單元（C0T)係積層 重疊的各點，而與上述之第4實施態樣在構造上相異；與 第4及第5實施態樣相比較，系統整體被小型化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） I---•裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 83 480555 五、發明說明（81 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下，雖就第6實施態樣做說明，惟關於和第4實施態 樣相同的構造，其部分說明將予省略。另，關於和第^實 施態樣相同的構造，係賦予相同的符號。 如第42圖所示，塗布顯像處理系統2〇1具有，將與第 實施態樣相同的晶龍盒站2G2，與在塗布顯像處理步驟 中對晶圓W施以預定處理之片葉式的各種處理單元配置成 多段而構成之第1處理站245、鄰接此第！·理站而配置之 第2處理站246，及用以在與鄰接在匕第2處理站而配置之曝 光裝置（省略圖示）之間執行晶圓w的交接之介面部2〇5， 係被一體地連接而成之構造。在第丨處理站245，主要係於 晶圓w上實施反射防止膜及抗蝕劑膜之塗布處理；在第2 處理站，主要係實施已曝光過之抗蝕劑膜的顯像處理。 塗布顯像處理系統2〇1之大致中央部分，配置有搬送裝— 219;搬送裝置219被使用於第丨處理站245，及第2處理站 中之處理中的晶圓W之搬送處理。 關於晶圓匣盒站202,由於具有和第4實施態樣大致相 同的構造，故僅就相異的部分做說明。如第43圖所示， 晶圓匣盒站202的底部，配置有化學藥劑儲存塔21讣， 以收谷被當做處理液而供給至後述之抗敍劑膜塗布單 (COT)217之抗蝕劑膜材料。 如第42圖、第43圖所示，第！處理站245中，於正面 设有反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單元（c〇丁）群以化，以 為實施液體處理之第丨處理單元群。反射防止膜·抗蝕劑 膜塗布單元（COT)群213e係，由在常溫附近對晶圓貿實施 4 於 置 在 用 元 側 做 (請先閱讀背面之;x意事項再填寫本頁) X .. 訂· i線. 84 480555
五、發明說明（82) 經濟部智毡財產局員工消費合作社印制衣 塗布處理之反射防止膜塗布單元（barc)216 布單元™，分別各2段地沿2轴方向被積層;= 構成。進一步，鄰接反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單元（c〇丁) 群2 13e而配置化學藥劑儲存塔21^。於化學藥劑儲存塔 21 :>a中，收容有當做處理液體被供給至反射防止膜塗布單 元（BARC)216之反射防止膜材料。 在第1處理站245的背面部，鄰接化學藥劑儲存每以兄 而配置有做為第2處理單元群之第丨加熱·調溫處理單元群 214a。第1加熱·調溫處理單元群2 i4a中，第1加熱·調溫 處理單儿21 Oa係沿Z軸方向被積層重疊為多段而構成。各 第1加熱·調溫處理單元210a係，由對晶圓w實施調溫處 理之凋溫處理單元（CPL)2 18a與實施加熱處理之加熱處理 單元（HP)220a，分別互相鄰接並一體化而構成。 如第44圖所示，第1加熱·調溫處理單元群214a係， 由第1加熱·調溫處理單元2 10a積層為12段所構成。另， 第44圖為第42圖之沿B — B ’線切斷時的斷面圖，並且為沿 著X方向之第1處理單元群2 13e與第2處理單元群2 14a和化 學藥劑儲存塔21 5a的位置關係示意圖。如第42圖、第44圖 所示，第1加熱·調溫處理單元群214a係，由第1加熱·調 溫處理單元2 10a積層為12段所構成，並且鄰接化學藥劑儲 存塔2 1 5a而配置。此外，第1加熱·調溫處理單元群2 14a 之所有的苐1加熱·調溫處理單元2 10a中，均配置成加熱 處理單元（HP)220a與調溫處理單元（CPL)218a之中，調溫 處理單元（CPL)218a係位於化學藥劑儲存塔215a側的位置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 85 480555 A： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（83 ) 。而且，鄰接於化學藥劑儲存塔2l5a則配置有反射防止膜 •抗蝕劑膜塗布單元（COT)群213e。 另一方面，第2處理站246中，如第42圖、第43圖所示 在正面側配置有顯像處理單元群213 f，以做為在常溫附 近對晶圓W實施液體處理之第1處理單元群。顯像處理單 元群213f由顯像處理單元（1)£^〇226在2軸方向積層重疊為 4段而構成。進一步，鄰接顯像處理單元群21灯而釔置有 化學藥劑儲存塔215c。此化學藥劑儲存塔215c，收容有被 當做處理液體而供給至顯像處理單元（DEV)226之顯像液 〇 在第2處理站246的背面側，與化學藥劑儲存塔21&相 鄰接地配置有第2加熱·調溫處理單元群21仆。第2加熱· 凋溫處理單元群214b由第2加熱·調溫處理單元以卟沿乙 軸方向積層重登為2段而構成。而，第2加熱·調溫處理單 兀群214b之所有的第2加熱·調溫處理單元以卟中，加熱 處理單元（HP)220b與調溫處理單元（CPL)218b之中，調溫 處理單元（CPL)218b被配置成位在化學藥劑儲存塔21氕側 的位置。而且，鄰接於化學藥劑儲存塔2l5c，配置有顯像 處理單元（DEV)群213f。 在垂直搬送型搬送裝置219的周圍，配置有反射防止 膜彳几蝕劑膜塗布單元（COT)群2 13e、顯像處理單元群2 i3f 第1及第2加熱·調溫處理單元群2i4a、214b。各單元群 間之晶圓W的搬送係由搬送裝置2丨9執行。又，第丨加熱· 調溫處理單元群214a與晶圓搬送體211之晶圓…的交接， 鮮（CNS)A4 規格（21〇 x 297公釐） ftt先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ίίχ·- 訂： •線· 86 經濟部智慧財產局貨工消費合作社印製 A： ----------D7 _ 五、發明說明（84 ) ""— 第W熱·調溫處理單元群2】4b與晶圓搬送體237之晶圓w 的交接’第1或第2加熱·調溫處理單元群214a、214b與搬 运裝置219之晶a|W的交接係，在被㈣第}或第2加熱. 調溫處理單元群214a、214b之各加熱.調温處理單元⑽ 、雇的調溫處理單元218a、218b之兩側面的開閉器構件 247a、247b的介在下而進行。 介面部205,由於和上述之第4實施態樣中之介面:部加 的構造相同，其說明予以省略。 此塗布顯像處理系統201中，如第42圖、第43圖所示 在第1處理單元群213(反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單元 (COT)群213e、顯像處理單元群213f)與第2處理單元群叫（ 第1加熱·調溫處理單元群214a、第2加熱·調溫處理單元 群214b)之間，形成配置有化學藥劑儲存塔215(215a、215c) 的構造，亚進一步在化學藥劑儲存塔215與第2處理單元群 2 14之間配置有絕熱壁239及用以使從第ι處理單元群2 η的 下部被排氣出之氣體在其上部循環的通路24〇。本實施態 榼中也和上述之第4實施態樣相同，在塗布顯像處理系統 的上。卩，配置有對各第1處理單元群供給由上部調溫過之 清淨空氣的清淨空氣供給部。清淨空氣供給部具備吓叭 風扇·濾器·單元）及調整溫度和濕度之調溫裝置等，利 用經由用以使從第丨處理單元群的下部被排氣出之氣體在 其上部循環的通路24〇而流入之氣體，調整溫度及濕度， 並將除去微粒等之清淨空氣經由通路243供給至第1處理單 元群。本貫施態樣中也和上述之第4實施態樣相同，因設 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵ϋχ 297公发-
. II I---^ · 11 (請先閱讀背面之;£意事項再填寫本頁) -^7. -線* 87 480555 A7 B7 經 濟 部 智 U 异 1 產 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（85) 有配置了絕熱壁239及用以使從第1處理單元群2丨3的下部 被排氣出之氣體在其上部循環的通路24〇之調溫機構，故 而進一步可以更精確地執行用以在常溫附近對晶圓从7實施 處理之處理液體供給單元（BARC、COT、DE V)中的溫度 控制。 如第43圖所示，上述之反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單 元（COT)群213e中係，在盛杯内將晶圓…載置於旋·轉夾頭 以塗布反射防止膜，而對該晶圓w實施反射防止膜塗布處 理之反射防止膜塗布單元（BARC)216被積層重疊為2段： 在盛杯内將晶圓W載置於旋轉夾頭以塗布抗蝕液，對該晶 圓W貝％抗姓劑塗布處理之抗钱劑塗布單元（c〇丁），I?也 是積層重疊為2段。顯像處理單元群21玎中，係在盛杯内 將晶圓w載置於旋轉失頭並供給顯像液，對該晶圓w施以 顯像處理之顯像處理單元（DEV)226係積層重疊為4段。 第1及第2加熱·調溫處理單元群214a、2 14b中係被構 成為，使分別對晶圓W實施加熱處理之加熱處理單 (HP)220，與對晶圓W實施調溫處理之調溫處理單 (CPL)218,互相鄰接並一體化而成之加熱·調溫處理單 210積層重疊為12段。而且，在所有的加熱調溫處理單 元210之調溫處理單元的側面設有開閉器構件24〜、24几 。又，本實施態樣中之加熱·調溫處理單元21〇的構造， 因與上述之第4實施態樣相同，故此處省略其說明。 上述之搬送裝置219的構造，因與上述第4實施態樣 也送裝置219a及219b的構造相同，故省略說明。 元 元 元 之 --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氏&尺度適用中國國家標準 (CNS)A4 規格（210 X 297 公爱） 88 480555
五、發明說明（86) 接著，將說明在以此種方式構成之塗布顯像處理系統 201中的處理步驟。另，加熱·調溫處理單元中的動作因 與上述第4實施態樣相同，故予省略。 塗布顯像處理系統201中，晶圓匣盒C内所收容之未 處理的晶圓w，以晶圓匣盒站202之晶圓搬送體211取出後 ，被搬送到第1處理站245之第1加熱·調溫處理單元2i〇a 中的調溫處理單元（CPL)218a内，並載置於調溫板亡5上以 實施調溫處理。 在調溫處理單元（CPL)218a内實施過調溫處理之晶圓 W，以搬送裝置219搬送到反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單 元（COT)群213e中之反射防止膜塗布單元（BARC)216内， 塗布以反射防止膜用的處理液體。 在反射防止膜塗布單元（BARC)216被塗布過反射防止 膜用的處理液體之晶圓W，以搬送裝置2 19搬送到第丨加熱 •調溫處理單元210a的調溫處理單元（CPL)218a内，並載 置於調溫板225上。被載置在調溫板225上之晶圓…，被搬 送往加熱處理單元（HP)220a内進行加熱處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 其後，晶圓w被搬送往調溫處理單元（cpL)218a内， 進行調溫處理。 在調溫處理單元（CPL)218a經過調溫處理之晶圓w， 被搬送裝置219搬送到反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單元 (COT)群213e中之抗蝕劑塗布單元（c〇T)2n内，被塗布以 抗餘液。 在抗蝕劑塗布單7C (C〇T)21 7被塗布過抗蝕液之晶圓 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 B： 五、發明說明（87 ) W，由搬送裝置219搬送到第2加熱·調溫處理單元21〇b的 調溫處理單元（CPL)218b内。進一步，將晶圓冒往加熱處 理單元（HP)220b内搬送’以實施加熱處理。 其後，晶圓W被搬送往調溫處理單元（cpL口 内， 實施調溫處理。在調溫處理單元（CPL)218b經過調溫處理 之晶圓W，由介面部205中之晶圓搬送體237搬送到周邊曝 光裝置234内，實施周邊曝光處理。 在周邊曝光裝置2：>4進行過周邊曝光處理之晶圓w， 或由晶圓搬送體237搬送到緩衝晶圓匣盒233予以暫時保存 ，或經由晶圓搬送體237、曝光前調溫單元（未圖示出）、 晶圓搬送體而搬送到曝光裝置（未圖示出）。 接著，被曝光裝置施以曝光處理之晶圓w，經由晶圓 搬送體、緩衝晶圓匣盒233及晶圓搬送體237，從介面部2〇5 ，被搬送往第2處理站246之第2加熱·調溫處理單元群21朴 中的第2加熱·調溫處理單元2 1 〇b之調溫處理單元 (CPL)218b内，進行調溫處理。 在調溫處理單元（CPL)218b實施過調溫處理之晶圓… ，由搬送裝置219搬送到顯像處理單元群2丨奵中的顯像處 理單元（DEV)226以進行顯像處理。 在顯像處理單元（DEV)226實施過顯像處理之晶圓w ，以搬送裝置219，經由第1加熱·調溫處理單元群21牦中 之加熱.調溫處理單元21(^的調溫處理單元（(：^]^)2182， 搬送到與此調溫處理單元（CPL)218 a相鄰接的加熱處理單 元（HP)220a内，以實施加熱處理。 — — — — — — — ϋ — — — — — · I I I n I I ϋ · I ϋ ϋ ϋ ϋ n n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 90 480555 A7 B7 五、發明說明（88 ) 在加熱處理單元（HP)220a實施過加熱處理之晶圓W， 被搬送往調溫處理單元218a，並進一步藉由晶圓匣盒站202 之晶圓搬送體211而被收容於晶圓匣盒C内。 若根據像這樣構成的本實施態樣之塗布顯像處理系統 ，則由於做為處理液體供給部之化學藥劑儲存塔與液體處 理單元（BARC、COT、DEV)相鄰接配置，而與化學藥劑 儲存塔鄰接又配置有加熱·調溫處理單元，且加熱' 調溫 處理單元的調溫處理單元（CPL)被配置在化學藥劑儲存塔 側，故而在加熱·調溫處理單元之加熱處理單元與液體處 理單元之間，形成有調溫處理單元及化學藥劑儲存塔之介 入存的構造。因此，對液體處理單元側之來自加熱處理單 元側的熱影響，可以大幅度地加以抑制，而在該塗布顯像 處理系統中，則可以精確地執行用以對晶圓W實施液體處 理之液體處理單元（BARC、COT、DEV)中的溫度控制。 此外，若根據本實施態樣之塗布顯像處理系統，則由 於在液體處理單元群（反射防止膜·抗蝕劑膜塗布單元 (COT)群213e、顯像處理單元群213f)與加熱·調溫處理單 元群（第1及第3加熱·調溫處理單元群214a、214b)之間， 分別配置有絕熱壁239，及用以使從液體處理單元群213e 、213f各別的下部被排氣出之氣體，在其上部循環之通路 240，因而可以防止加熱·調溫處理單元之加熱處理單元 對液體處理單元群造成的熱影響，並且可以極精確地執行 在常溫附近對晶圓W實施液體處理之液體處理單元群中的 溫度控制。此外，通路240成為一種具有絕熱手段的構造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】ϋ X 297公釐） -------------05-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言 Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印創衣 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（89 ) ，而且因第2處理單元群214與化學藥劑健料⑴之間設 有絕熱壁239及通路240 ’故而成為具有雙重絕熱手段的構 造。因此，被收容於化學藥劑儲存塔215之處理液體不易 受到加熱處理單元220所造成之熱的影響，而變得容易調 整溫度。 又，上述各實施態樣中，雖舉晶圓W做為基板之例加 以說明，惟LCD基板等之其他的基板也可以適用本杳明。 再者，本發明並不限於以上所說明之實施態樣。 上述第1實施態樣中，雖構成分別設有3個熱處理系統 單元部（G3〜G5)、2個主晶圓搬送部（Α1, A2)、2個塗布系 統單元部（Gl，G2)的構造，惟以例如4個熱處理系統單元 邛、3個主晶圓搬送部、3個塗布系統單元部構成，並將其 配置維持為原樣，在第丨圖的左右方向上增設亦佳，或者 ’也可以因應需要而更進一步地予以增設。 又，第11圖及第12圖所示之熱處理單元中，在調溫· 搬送裝置C與熱處理裝置η之間，形成設有供抑制互：的 熱干涉之，以一點鎖線表示的遮蔽板93之構造，於利用調 皿·搬运裝置c的搬送時，使此遮蔽板93滑動以進行開閉 者亦佳。 此外，本發明並非僅適用半導體晶圓，例如對使用於 液晶顯示裝置之玻璃基板等，也都可以適用。 又，本發明並非僅適用抗蝕劑之塗布顯像系統，其他 系統，例如於基板上形成層間絕緣膜之SOD(spin加 DieleCOTric)處理系統等，也都可以適用本發明。s〇d處 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297 1 ------- -92 . « ϋ n n n ϋ n ft— I n n *ϋ I · ·1« n n n n ϋ n-^OJ· ·1 n n n I n Λ—m I . y 一 / itt先閱讀背面之注帝？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480555 A7 B7 五、發明說明（90 ) 理系統具有將層間絕緣膜材料塗布於基板上之塗布單元， 和對被塗布以絕緣膜材料之基板實施加熱、調溫之加熱· 調溫處理單元。此加熱·調溫處理單元與本實施態樣之加 熱·調溫處理單元相同，具有加熱處理單元，和與之相鄰 接設置之調溫處理單元；SOD處理系統中之加熱處理單元 ，具有可以將設定溫度設成200〜470 £之熱板。在具有實 施此種高溫處理的單元，及做為液體處理單元之塗希單元 的系統中，如同本發明，將塗布單元與加熱·調溫處理單 元配置成，調溫處理單元係配置在塗布單元側的狀態，係 非常有效的。或者，將處理液體收容部，其收容供給至鄰 接液體處理單元而配置之塗布單元的處理液體，鄰接加熱 •調溫處理單元而配置，並進一步將調溫處理單元配置成 位在處理液體收容部側，都是非常有效的。藉此，即可以 極精確地執行液體處理單元群中之溫度控制。 【圖式之簡單說明】 第1圖為本發明第1實施態樣之基板處理裝置的整體構 造示意平面圖。 第2圖為同一基板處理裝置之整體構造示意正面圖。 第3圖為同一基板處理裝置之整體構造示意背面圖。 第4圖為本發明第1實施態樣之主晶圓搬送部的斷面圖 〇 第5圖為同一主晶圓搬送部的主要部分示意斜視圖。 第6圖為同一主晶圓搬送部的側面圖。 弟7圖為同^一主晶圓搬送部中之主晶圓搬送體的驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------，訂---------線 (請先閱讀背面之;i音心事項再填寫本頁) 93 Λ7
五、發明說明（9!) 經濟部智慧財產局2肖工消費合作社印製 機構示意側面圖。 第8圖為同一主晶圓搬送體的正面圖。 第9圖為同一主晶圓搬送體的斷面圖。 第10圖為第9圖中之[10] — [10]線方向斷面圖。 第11圖為本發明第丨實施態樣之預烘烤處理單元（pab) 、後曝光烘烤處理單元（PEB)、後烘烤處理 單元（POST)之 斷面圖。 第12圖為同一熱處理單元的縱斷面圖。 第13圖為用以示意同一熱處理單元中之框體的調溫機 構之模式圖。 第14圖為本發明第1實施態樣之高精確度調溫單元 (CPL)的橫斷面圖。 第1 ：>圖為本發明第丨實施態樣之高溫度熱處理單元 (bake)的橫斷面圖。 第16圖為本發明第1實施態樣之過渡單元（TRS)的橫斷 面圖。 第17圖所示為本發明第1實施態樣之抗蝕劑塗布單元 的平面圖。 第1 8圖為同一抗蝕劑塗布單元之縱斷面圖。 第19圖所示為本發明第1實施態樣之顯現單元的平面 圖。 弟20圖為同一顯像单元之縱斷面圖。 第2 1圖為本發明第丨實施態樣之基板處理裝置的一系 列動作示意流程圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） n ϋ ϋ n ϋ n n n n flv— n I · n n ϋ ϋ ϋ n 一OJ« ·1 λ— n ϋ «ϋ I I * 〆 .. (請先閱ts背面之注意事項再填寫本頁) 94 480555 A7 五、發明說明（92 ) 第22ϋΑ〜第22CS1為用以說明熱處理單元中之基板交 接作用的圖式。 第23ϋΑ〜第23CSI為同—熱處理單元之作用圖。 第24圖為示意本發明第1實施態樣之基板處理裝置的 清淨空氣流動之概略正面圖。 第25圖為示意相同清淨空氣的流動之概略側面圖。 第26圖為示意相同清淨空氣的流動之概略側面，圖。 第27圖為用以說明本發明之開閉器的開閉動作（其一） 之圖式。 第28圖為用以說明本發明之開閉器的開閉動作（其二） 之圖式。 — II----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖 第2 9圖為本發明第2實施態樣之熱處理單元 的橫斷面 訂-· 第30圖為本發明第3實施態樣之基板處理裝置的部分 平面圖。 第31圖所示為本發明第4實施態樣之塗布顯像處理系 統的平面圖。 第32圖為第3 1圖中所示之塗布顯像處理系統的正面圖 第：> 3圖係將具有第3 1圖之調溫·加熱處理群的區域产 X方向切斷時之斷面圖。 第34圖係將具有第3 1圖之調溫·加熱處理群的區域沿 Υ方向切斷時之斷面圖。 第35圖所示為搬送裝置之構造的斜視圖。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2Ι〇χ 297公釐） --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 95 480555 五、發明說明（93) 弟36圖為加熱 調溫處理單元之構造示意平面圖。 第37圖為第36圖中所示之加埶·锢巧 <加熟調溫處理單元的構造 示意斷面圖。 第38圖為調溫機構之構造的示意斷面圖。 _第39圖為本發明第5實施態樣之塗布顯像處”統的 不意平面圖。 第40圖為第39圖中所示之塗布顯像處理系統的正面圖 第41圖係沿第39圖之Α—Α，線切斷時之斷面圖。 第42圖為本發明第6實施態樣之淮布顯像處理系統的 不意平面圖。 第43圖為第42圖中所示之塗布顯像處理系統的正面圖 (請先R3讀背面之;x意事頌再填寫本頁) n n . · 第44圖係沿第42圖中之Β — Β ·線切斷時之斷面 圖 i線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 96 480555 A： 五、發明說明（94 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【符號說明】 W…半導體晶圓 44…圍繞構件 G1〜G5···第1〜第5處理單元部 58…液體供給裝置 u…間隙 7 5…框體 A1···第1主晶圓搬送部 75b…流路 A2…第2主晶圓搬送部 75c…開口 F…濾器 75a…開口部 S…感測器 76···開閉器 C…調溫·搬送裝置 84…昇降銷 Η…熱處理裝置 93…遮蔽板 LH…低溫度熱處理裝置 115…副臂部 ΗΗ…高溫度熱處理裝置 150…基板處理裝置 卜··基板處理裝置 7a…上段臂部 7b…中段臂部 7c…下段臂部 8···控制部 2(H…塗布顯像處理系統 210…加熱·調溫處理單元 213…第1處理單元群 213a…反射防止膜塗布單元 (BARC)群 9···遮蔽板 16…主晶圓搬送體 Π···第2主晶圓搬送體 36…風扇 38…門 213b…抗姓劑膜塗布單元(c丁)群 213c…第1顯像處理單元群 213d…第2顯像處理單元群 213e···反射防止膜·抗蝕劑 膜塗布單元(CT)群 40…面板 213f···顯像處理單元群 41…框體 214…第2處理單元群 本紙張尺度關家標準（CNS)A4規格（沉 X 297公釐） -------------------11 訂111 —---1· f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 97 . 480555 A7 B： 五、發明說明（95 ) 214a…第1加熱·調溫處理單 元群 214b…第2加熱·調溫處理單 元群 214c…第3加熱·調溫處理單 元群 214d…第4加熱·調溫處理單 元群 215…化學藥劑儲存塔 216···反射防止膜塗布箪元 (BARC) 217…抗蝕劑膜塗布單元(CT) 218…調溫處理單元 219…搬送裝置 220…加熱處理單元 226…顯像處理單元 (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局P'工消費合作社印制π 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]ϋχ 297公釐） 98

Claims (1)

  1. 480555 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以搬送基板之主搬送部，和 在前述主搬送部的周圍，被配置於至少4個方向中 之相對向的2個方向，在與前述主搬搬送部之間實施基 板的交接，而且將基板調整成預定的溫度之調溫部， 和 在前述預定溫度以上之溫度下，對基板施以處理 之熱處理部，和 使前述調溫部蘇動而在前述調溫部與前述熱處理 部之間實施基板的交接之移動手段。 2.如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，特徵在於，其 進一步具備， 配置在前述4個方向中之至少一個方向側，用以將 預定的液體供給至基板之液體供給部，而 月’J述主搬送部在與前述液體供給部之間實施基板 的交接。 24先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3.如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備， 其 配置在前述4個方向中之至少_個方向側，除前述 調溫部及前述供給部以外的基板處理部，而 前述主搬送部在與前述基板處理部之間實施基板 的交接 4· -種基板處理裝置’特徵在於基板處理裝置中具備， • --------^---------^1— -------------------------- 99
    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將基板調整成預定的溫度之調溫部，和 將基板調整成預定的溫度，並搬送基板之調溫· 搬送機構，和 在則述調溫部及前述調溫·搬送機構之間實施基 板的交接之主搬送部。 1如申凊專利範圍第4項之基板處理裝置，特徵在於其 進一步具備， 用以對基板實施熱處理之處理部，而 月il述調溫·搬送機構在斑前述處理邬之間，進一 步地勃行基板的交接。 6·如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，特徵在於，從 前述處理部被交接到前述調溫·搬送機構之基板係， 由削述主搬送部所交接，並且被搬送往前述調溫部。 7·如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，特徵在於前 述主搬送部，從前述調溫部接收時之基板的溫度，與 從前述調溫·搬送機構接收時之基板的溫度不同。 8· —種基板處理裝置，特徵在於基板處理裝置中具備， 用以對基板實施熱處理之處理部，和 將基板調整成預定的溫度，並且在與前述處理部 之間搬送基板之調溫·搬送機構，和 配置於前述調温·搬送機構的兩側，在與前述調 溫·搬送機構之間搬送基板之第1及第2主搬送部。 9·如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，特徵在於，其 進一步具備， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------I-----· I I---I I ^ , — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 100 而 、申請專利範圍 用以將預定的液體供給至基板部之液體供給部， 月'j述主搬送部在與前述液體供給部之間實施基板 的交接。 10·如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，特徵在於， 前述巧溫部、前述調溫·搬送機構、前述處採部 刖放液體供給部，被構成為分別呈容ί 5*地沿上下方 向積層起來。 11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，特徵在於， 前述調溫·搬送機構與前述處理部被以相同的框體圍 繞而構成處理單元，且 前述處理單元與前述調溫部係混合存在，並且被 構成為呈多段地沿上下方向積層起來。 12. 一種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具 用以搬送基板之主搬送部，和 用以對基板實施熱處理之處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，並且在前述主搬 送部與前述處理部之間搬送基板之調溫·搬送部。 13·如申請專利範圍第1 2項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備有框體，其圍繞前述處理部及前述調溫· 搬送部’並且具有供在前述主搬送部與前述調溫·搬 送部之間實施基板的交接之開口部。 1111 ·1111111 « — — — — — — I— I , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14· 一種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480555 A8 B8 C8 ~~------ 六、申請專利範圍 用以搬送基板之主搬送部，和 用以對基板實施熱處理之第1處理部，和 用以對基板實施熱處理之第2處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，並且在前述主搬 送部與前述第1處理部和前述第2處理部之間搬送基板 之调溫·搬送部；而且 前述第1處理部與前述第2處理部和前述調溫.搬 送部係配置成直線狀。 15·如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備有框體，其圍繞前述第丨處理部、前述第2 處理部及前述調溫·搬送部，並且具有供在前述主搬 送部與前述調溫·搬送部之間實施基板的交接之開口 部。 16*種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 1 用以調整基板成為預定的溫度之調溫部，和 用以對基板實施熱處理之處理部，和 至少在與前述調溫部之間供實施基板的交接之主 搬送部，和 用以在削述調溫部與前述處理部之間搬送基板的 副搬送部。 17.如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備有框體，其圍繞前述調溫部及前述副搬送 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ·1111111· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 102 480555 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 部，並且具有供在前述主搬送部與前述調溫部之間實 施基板的交接之開口部。 18· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以調整基板成為預定的溫度之調溫部，和 用以對基板實施熱處理之第1處理部，和 用以對基板實施熱處理之第2處理部，和 至少在與前述調溫部之間供實施基板的交接之主 搬送部，和 用以在前述調溫部與前述第丨處理部和前述第2處 理部之間搬送基板的副搬送部；而且 前述調溫部與前述第1處理部和前述第2處理部係 配置成直線狀。 19·如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備有框體，其圍繞前述第1處理部、前述第2 處理部及前述調溫部及前述副搬送部，並且具有供在 m述主搬送部與前述調溫部之間實施基板的交接之開 口部。 20. —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以搬送基板之主搬送部，和 用以對基板實施熱處理之處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，並且在與前述處 理部之間搬送基板之調溫·搬送部，和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I ^ > I I ϋ I I I ϋ 一SJ· I I I I ϋ i_i ϋ I I I I I I Ί I I I — I I I I 103 480555 Αδ Β8 C8 D8 力、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可以昇降，且於上昇的狀態下，在與前述主搬送 部之間實施基板的交接；並於下降的狀態下在與前 述調溫·搬送部之間實施基板的交接之複數個昇降銷 〇 21·如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備有框體，其圍繞前述調溫.搬送部及前述 昇降銷，並且具有供在前述主搬送部與前述昇降銷之 間實施基板的交接之開口部。 22· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以搬送基板之主搬送部，和 用以對基板實施熱處理之第1處理部，和 用以對基板實施熱處理之第2處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，並且在前述第1處 理部與削述第2處理部之間搬送基板的調溫·搬送部， 和 可以昇降，且於上昇的狀態下，在與前述主搬送 部之間實施基板的交接；並於下降的狀態下，在與前 述調溫·搬送部之間實施基板的交接之複數個昇降銷 I而且 前述第1處理部、前述第2處理部、前述調溫·搬 送部和前述昇降銷係配置成直線狀。 23·如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步具備有框體，其圍繞前述第1處理部 '前述第2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· -線 104 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 處理。卩、4述調溫·搬送部及前述昇降銷，並且具有 供在前述主搬送部與前述昇降銷之間實施基板的交接 之開口部。 24·如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，特徵在於， 其進一步具備用以開閉前述開口部之開閉器他構。 25. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，特徵在於， 其進一步設有將預定的液體供給至前述基板的液體供 給部，而 月！1述主搬送部在與前述液體供給部之間實施基板 的交接。 26. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，特徵在於， 前述框體係沿上下方向配置成多段。 27·如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，特徵在於， 月ίι述液體供給部係沿上下方向配置成多段。 28.如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，特徵在於， 前述主搬送部具備， 保持基板的臂部，和 供m刚後方向進退驅動前述臂部之進退驅動機構 ，和 用以轉動前述臂部之旋轉驅動機構，和 一體地沿上下方向驅動前述臂部、前述進退驅動 機構及則述旋轉驅動機構之垂直搬送機構。 29· -種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 > .^· ϋ H ϋ ϋ ϋ ϋ n 一so- · «I amMt ·ϋ ϋ n ϋ ϋ I ip · i ϋ I— n ϋ ·ϋ n .ϋ ϋ ϋ n I n n ϋ ϋ ϋ ϋ ^1 .1 >^1 I 105 . 480555 ΠΛ888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 於兩側設有供交接基板之開口部的處理單元，和 配置成和前述處理單元的各開口部相對面，並經 由前述開口部，在與前述處理單元之間，實施基板的 搬出搬入之第1及第2主搬送部；且 前述處理單元具備， 用以對基板實施熱處理之處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，而且經由前述各 開口部，在與前述第1及第2主搬送部之間，進一步在 與前述處理部之間搬送基板的調溫·搬送部。 30· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 於兩側設有供交接基板之開口部的處理單元，和 配置成和前述處理單元的各開口部相對面，並經 由前述開口部，在與前述處理單元之間，實施基板的 搬出搬入之第1及第2主搬送部；且 前述處理單元具備， 用以對基板實施熱處理之第1處理部，和 用以對基板實施熱處理之第2處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，而且經由前述各 開口部，在與前述第丨及第2主搬送部之間，進一步在 與刖述第1處理部和前述第2處理部之間搬送基板的調 溫·搬送部；而且 刖述第1處理部和前述第2處理部與前述調溫·搬 送部係配置成直線狀。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公| ) ---------- ^------I I I--I I I I 1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 106 480555
    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 31· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 於兩側設有供交接基板之開口部的處理單元和 配置成和㈤述處理單元的各開口部相對面，並經 由前述開口部，在與前述處理單元之間，實施基板的 搬出搬入之第1及第2主搬送部；且 前述處理單元具備， 經由前述開口部而在前述第丨及第2主搬送部之間 實施基板的交接，並將基板調整成預定的溫度之調溫 Sp ，寿口 用以對基板貫施熱處理之處理部，和 用以在前述調溫部與前述處理部之間搬送基板的 副搬送部。 32· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 於兩側设有供交接基板之開口部的處理單元，和 配置成和前述處理單元的各開口部相對面，並經 由前述開口部，在與前述處理單元之間，實施基板的 搬出搬入之第1及第2主搬送部；且 前述處理單元具備， 經由W述開口部而在前述第1及第2主搬送部之間 貫ie基板的父接，並將基板調整成預定的溫度之調溫 部，和 用以對基板實施熱處理之第1處理部，和 用以對基板實施熱處理之第2處理部，和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨. 107 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480555 C8 ______________D8 ______ 六、申請專利範圍 用以在前述調溫部與前述第丨處理部和前述第二處 理部之間搬送基板的副搬送部；而且 前述調溫部、前述第丨處理部及前述第2處理部係 配置成直線狀。 33· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 於兩側設有供交接基板之開口部的處理單元，和 配置成和前述處理單元的各開口部相對面，並經 由前述開口冑，在與前述處理#元之間，冑施基板的 搬出搬入之第1及第2主搬送部；且 前述處理單元具備， 用以對基板實施熱處理之處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，並且在與前述處 理部之間搬送基板之調溫·搬送部，和 可以昇降，且於上昇的狀態下，經由前述開口部 ，在與前述第1及第2主搬送部之間實施基板的交接； 並於下降的狀態下，在與前述調溫·搬送部之間實施 基板的交接之複數個昇降銷。 34· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 於兩側設有供交接基板之開口部的處理單元，和 配置成和前述處理單元的各開口部相對面，並經 由前述開口部，在與前述處理單元之間，實施基板的 搬出搬入之第1及第2主搬送部：且 前述處理單元具備， 用以對基板實施熱處理之第1處理部， 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公爱） 丨 — — — — — — * I I I I — II β !! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 108 480555 00800 92 ABCD 六 、申請專利範圍 ---^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用以對基板實施熱處理之第2處理部，和 用以將基板調整成預定的溫度，並且在前述第1處 理部與前述第2處理部之間搬送基板的調溫·搬送部， 和 可以昇降，且於上昇的狀態下，經由前述開口部 ’在與前述第1及第2主搬送部之間實施基板的交接； 並於下降的狀態下，在與前述調溫·搬送部之間實施 基板的交接之複數個昇降銷；而且 前述第1處理部、前述第2處理部、前述調溫·搬 送部和前述昇降銷係配置成直線狀。 3：)·如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，特徵在於， 前述處理單元係沿上下方向多段地配置。 36·如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步設有被配置於在與前述第1或第2搬送部之間可 以進行基板的交接之位置，用以對前述基板供給預定 的液體之液體供給部。 37·如申請專利範圍第36項之基板處理裝置，特徵在於， 前述液體供給部係沿上下方向呈多段地配置。 38.如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步設有被配置於在與前述第丨或第2搬送部之間可 以進行基板的交接之位置，對前述基板實施檢查的檢 查部。 39·如申請專利範圍第38項之基板處理裝置，特徵在於， 前述檢查部係沿上下方向呈多段地配置。 — — — — — — — — — — — — —— 卞人·1111111 ·11111111 I 2请先閱tt背¾之iit事項再填寫本頁) 109 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 40.如申請專利範圍第38項之基板處理裝置，特徵在於， 前述檢查部係對基板實施微觀的檢查。 41·如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，特徵在於， 與前述第1主搬送部中之前述處理單元相對面的面之相 反側上’進一步配置有前述處理單元。 42.如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，特徵在於， 與前述處理單元中之前述第1或第2主搬送部相對面的 面之相反側上，進一步配置有暫時收納處理前後的基 板並予以保持之收納部。 43·如申請專利範圍第42項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步設有配置於前述收納部，對前述基板實施檢查 之檢查部。 料如申請專利範圍第43項之基板處理裝置，特徵在於， 前述檢查部係對基板實施微觀的檢查。 45· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以搬送基板之主搬送部，和 配置於前述主搬送部周圍，至少對基板實施熱處 理之處理單元，和 配置於前述主搬送部周圍，將預定的液體供給至 基板上之液體供給單元，和 控制前述液體供給單元成為比前述處理單元及前 述主搬送部更為陽壓，而且，前述主搬送部與前述處 理單元大致形成相等的氣壓之控制手段。 — — — — — I 1 I I I I ·1111111 ^ ·1111111« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46·如中請專利制第45項之基板處縣置，特徵在於，
    110 480555 六、申請專利範圍 前述主搬送部、前述處理單元及前述液體供給單 元分別被配置在別個框體内，而 刖述各框體分別設有供實施基板《交接的開口部 ，且 在刖述各框體間連繫相鄰接的開口部間之通路， 被圍繞構件所圍繞。 47. 如申請專利範圍第46項之基板處理裝置，特徵在於， 在前述圍繞構件與至少_個前述框體之間，設有微小 的間隙。 48. 如申請專利範圍第45項之基板處理裝置，特徵在於， 前述氣壓控制手段對前述主搬送部、前述處理單元及 前述液體供給部’分別配備有， 供給氣體之氣體供給部，和 排出氣體之氣體排氣部，和 計測氣壓之氣壓計測部，且 ▲ 根據前述計測所得之氣壓，控制由前述氣體供給 料供 之氣體的量，及由前述氣體排氣部所排出之 氣體的量中之至少一者。 部 智 慧 財 員 工 消 費 印 收如申請專利範圍第48項之基板處理裝置，特徵在於， 前述處理單元係沿上下方向配置成多段，且 …各處理單元每-個均配備有前述氣體供給部、前 述氣體排氣部及前述氣壓計測部。 )〇.如申凊專利範圍第46項之基板處理裝置，特徵在於， 於前述主搬送部、前述處理單元及前述液體供給單元 張尺細中gy _準（CNS)A4規格 111 480555 A8 B8 C8 D8 六 、申請專利範圍 的框體之至少一者，設有用於内部維修之可開閉的門 ，而 前述氣壓控制手段於前述門打開時，會控制成昇 高框體内之氣壓的狀態。 51·如申請專利範圍第46項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步設有外側框體，其將前述主搬送部、前述處理 單元及刖述液體供給單元的框體整體地加以圍繞，並 且設有用於内部維修之可開閉的面板，而 前述氣壓控制手段於前述面板打開時，會控制成 昇高外側框體内之氣壓的狀態。 52·如申請專利範圍第50項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步於前述框體内或前述外部框體内，設有僅在前 述門或前述面板打開時作動之氣體供給部。 53. —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 18^---- (請先lait背面Μ江惠箏頊存填窵本真) 訂 藝線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用以搬送基板之主搬送部，和 配置於前述主搬送部周圍，將預定的液體供給至 基板上之液體供給單元，和 配置於前述主搬送部周圍之處理單元，和 分別不同地實施前述主搬送部、前述液體供給單 元及前述處理單元的調溫或濕度管理之單元調溫手段 ，且 前述處理單元具備， 被配置成與前述主搬送部相鄰接，將基板調整成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 112 個 每 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 預定的溫度之調溫部，和 被配置成相對於前述主搬送部有前述調溫部之介 入存在的狀態，對基板實施熱處理之處理部。 54.t申請專利範圍第53項之基板處理裝置，特徵在於， 刖述處理部由調溫機構所覆蓋。 於如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，特徵在於， 月'J述調溫部與前述處理部之間配置有可開閉之熱遮蔽 板。 * 见如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，特徵在於， 前述處理單元沿上下方向配置成多段，❿ 、 前述單元調溫手段係對前述各處理單元的每一 ，個別地進行調溫或濕度管理。 57. 如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，特徵在於 刖述液體供給單元沿上下方向配置成多段，而 前述單元調溫手段係對前述各液體供給單元的 一個’個別地進行調溫或濕度管理。 58. 如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，特徵在於， 進一步設有用以對前述液體供給單元供給前述液體之 液體供給機構，而 ’肢 月’J述單tl調温手段也對前述液體供給機構進行調 溫或濕度管理。 ** 如申請專利範圍第58項之基板處理裝置，特徵在於 削述液體供給機構被配置於前述液體供給單元的下方 本紙張尺度剌中關冢標準（CNS)A4規格（21〇x297公爱 ϋ n n t— n n n n I · n -1· ·1 I ·1 n n 如6, · ϋ ϋ ft— .1 I ϋ ϋ I ϋ I i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------- D8 -—_____—- 六、申請專利範圍 60. 如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，特徵在於， t述液體供給單元可以代用為供對前述液體供給罝元 供給前述液體之液體供給機構。 61. -種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 设有對基板實施熱處理之處理部，及將基板調整 成預定的溫度之調溫部的處理單元，沿上下方向配置 成多段而成之處理單元群，和 配置於前述處理單元群之一側，可以進出前述各 處理單元之垂直搬送型的第丨主搬送裝置，和 配置於前述第1主搬送裝置的周圍，將預定的液體 供給至基板上之第1液體供給單元，和 配置於前述處理單元群之另一側，可以進出前述 各處理單元之垂直搬送型，而且可在預定的平面方向 移動之第2主搬送裝置，和 沿前述第2主搬送裝置之平面移動方向而配置，將 預定的液體供給至基板上之複數個第2液體供給單元。 62. 如申請專利範圍第6丨項之基板處理裝置，特徵在於， 前述第1及第2液體供給單元係沿上下方向配置成多段 〇 63. —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 搬送基板之基板搬送裝置，和 配置於前述基板搬送裝置的兩側及前面之處理單 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 114 C8 _________^__— 六、申請專利範圍 元；其中 至少一側之前述處理單元係沿垂直方向配置成多 段，而 前述基板搬送裝置為可以對前述各單元進行基板 的交接之垂直搬送型，而且，將前述基板搬送裝置相 對於垂直方向加以支撐之支持構件，被安裝在配置於 前面之前述處理單元側。 队一種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以交接基板之於兩側設有第1及第2開口部的第！ 處理單元，和 配置成與前述第1處理單元之各開口部相面對，並 經由前述各開口部，而在與前述第丨處理單元之間實施 基板之搬出搬入的第1及第2搬送裝置，和 開閉前述各開口部之第丨及第2開閉器構件，和 控制前述各開閉器構件之開閉成、為，當前述第 口部打開時，前述第2開口部即關閉的狀態之控制手段 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6d·如申請專利範圍第64項之基板處理裝置，特徵在於， 前述第1處理單元具備， 用以對基板實施熱處理之熱處理部，和 將基板調整成預定的溫度之調溫部。 66·如申請專利範圍第64項之基板處理裝置，特徵在於， 前述第1及第2搬送裝置被圍繞構件所包圍，而實質地
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    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 從外部受到遮蔽。 67. 一種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以交接基板之搬送裝置，和 …配置成與前述搬送裝置相鄰接，用以在與前述搬 达裝置之間交接基板之’分別設有約及第2開口部的 第1及第2處理單元，和 、 開閉前述各開口部之第丨及第2開閉器構件，和 控制前述各開閉器構件之開閉成為，當前述第 口部打開時，前述第2開口部即關閉的狀態之控制手段 〇 队如申請專利範圍第67項之基板處理裝置，特徵在於， 刖述第1處理單元係供將基板予以調溫或加熱之單元， 而前述第2處理單元則為用以將預定的液體供給至基板 的單元。 69·如申請專利範圍第67項之基板處理裝置，特徵在於， 前述第1及第2搬送裝置被圍繞構件所包圍，而實質地 從外部受到遮蔽。 70. —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 用以交接基板之搬送裝置，和 配置成與前述搬送裝置相鄰接，用以在與前述搬 送裝置之間交接基板之，分別設有第1及第2開口部的 第1及第2處理草元，和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — —— — ·1111111 ^ 0 — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 116 480555 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 '申請專利範圍 開閉前述各開口部之第1及第2開閉器構件，和 控制前述各開閉器構件之開閉成為，當前述第1開 口部打開時，前述第2開口部即關閉的狀態之控制手段 〇 71· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 ， 搬送基板之主搬送裝置，和 配置成鄰接於前述主搬送裝置的前面側，在與前 述主搬送裝置之間執行基板的交接，而且對基板供給 以預定的液體之第1處理單元，和 配置成鄰接於前述主搬送裝置之一側面側，在與 如述主搬送裝置之間執行基板的交接，而且設有將基 板δ周整成預义的溫度之調溫部，及對基板實施加熱處 理之加熱部的第2處理單元；其中， 前述第2處理單元之前述調溫部係配置成與前述主 搬送裝置相鄰接，而前述加熱部與前述調溫部相鄰接 ，並且，配置成突出前述主搬送裝置的背面側。 72. —種基板處理方法，特徵在於具備有， 在處理部對基板施以熱處理的步驟，和 將前述施過熱處理的基板，一邊以調溫·搬送部 調整成預定的溫度，一邊將之移交往用以搬送基板之 主搬送部的步驟。 73. 如申請專利範圍第72項之基板處理方法，特徵在於， 進一步具備， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -------------%--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 117 Α8 BS C8 D8
    、申請專利範圍 溫·搬送部移交 將基板從前述主搬送部往前述調 的步驟，和 一邊以前述調溫.搬送部將基板調整成預定的溫 度，一邊將基板搬送往前述處理部的步驟。 74·種基板處理方法，特徵在於具備有， 將基板從用以搬送基板之主搬送部往調溫·搬送 部移交的步驟，和 - 一邊以前述調溫·搬送部將基板調整成預定的溫 度，一邊將基板搬送往前述處理部的步驟，和 在處理部將前述所搬送的基板施以熱處理之步驟 〇 75.如申請專利範圍第72項之基板處理方法，特徵在於， 進一步具備，經由可以昇降，且於上昇的狀態下，在 與前述主搬送部之間實施基板的交接，並於下降的狀 態下，在與前述調溫·搬送部之間實施基板的交接之 複數個昇降銷，在前述主搬送部與前述調溫·搬送部 之間實施基板的交接之步驟。 76· —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 j 由將預定的液體供給至基板上以賞施液體處理之 第1處理單元’堆積成多段而構成之第1處理單元群， 和 由令對前述基板實施加熱處理的加熱部，與對前 述基板實施調溫度理之調溫部，互相鄰接並_體化而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 Φ 之 注 意 事 項 再 填 · I裝 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 118 Α8 Β8 C8 D8
    六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 月'J 之 成之第2處理單元，堆 唯積成又而構成之第2處 群，和 、t 7U ，在引述各第1處理單元與前述各第2處理單元之間 搬送基板之搬送裝置；其中 前述各第2處理單元中之前述加熱部及前述調溫部 之中方面使前述調溫部位於前述^處理單元群側 ’-方面使前述第!處理單元群與前述第2處理單 相鄰接配置。 π如申請專利範圍第76項之基«理裝置，特徵在於， 其具備將清淨空氣供給至前述第！處理單元群之清淨空 氣供給部；該清淨空氣供給部係由前㈣1處理單元群 2下部將氣體排出’並使該排氣出之氣體循環，而從 削述第1處理早謂的上部將被調溫過的氣體吹出之構 造；此外，設有用以使由前述第！處理單元群的下部被 排氣：之氣體，在其上部循環的通路，其形成分斷配 置有岫述第1處理單元群之區域，與配置有前述第2處 理單元群之區域的狀態。 78_如申請專利範圍第76項之基板處理裝置，特徵在於， 以分斷配置有前述第1處理單元群之區域，與配置有 述第2處理單元群之區域的狀態，設有絕熱壁。 79· —種基板處理裝置，特徵在於， 由將預定的液體供給至基板上以實施液體處理 第1處理單元，堆積成多段而構成之第1處理單元群 和 — — — — — — — 111 — — · _ I I I I I I — ^^ 1111111„ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 119
    、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 與則述第1處理單元群相鄰接配置，對前述各第^ 處理單元供給前述預定的液體之處理液體供給部，和 由令對前述基板實施加熱處理的加熱部，與對前 述基板實施調溫度理之調溫部，互相鄰接並一體化而 成之第2處理單元，堆積成多段而構成之第2處理單元 群，和 在刚述各第1處理單元與前述各第2處理單元之間 搬送基板之搬送裝置；其中 前述各第2處理單元中之前述加熱部及前述調溫部 之中，一方面使前述調溫部位於前述處理液體供給部 側，一方面使前述處理液體供給部與前述第2處理單 群相鄰接配置。 80·如申凊專利範圍第79項之基板處理裝置，特徵在於 其具備將清淨空氣供給至前述第丨處理單元群之清淨二 氣供給部；該清淨空氣供給部係由前述第丨處理單元群 的下部將氣體排出，並使該排氣出之氣體循環，而從 削述第1處理單元群的上部將被調溫過的氣體吹出之構 這，此外，δ又有用以使由前述第1處理單元群的下部被 排氣出之氣體，纟其上部循S的通路，其π成分斷配 置有則述處理液體供給部之區域，與配置有前述第2處 理單元群之區域的狀態。 81·如申請專利範㈣79項之基板處理裝置，特徵在於， 以分斷配置有前述處理液體供給部之區域，與配 前述第2處理單元群之區域的狀態，設有絕熱壁 元 空 置有 . — — — — — — — I — II · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 120 480555 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 82. —種基板處理裝置，特徵在於，基板處理裝置中具備 由將預定的液體供給至基板上以實施液體處理之 第1處理單元，堆積成多段而構成之第1處理單元群， 和 由令對前述基板實施加熱處理的加熱部，與對前 述基板實施調溫度理之調溫部，互相鄰接並一體化而 成之第2處理單元，堆積成多段而構成之第2處理單元 群，和 對實施過前述液體處理之基板實施曝光處理之曝 光單元；其中 基板搬入前述曝光單元前，基板係在前述第2處理 單元之調溫部待機。 -------------%--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 121
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