KR19990074935A - 웨이퍼의 이동 경로에 설치된 가열 장치를 갖춘 반도체 소자 제조 장치 - Google Patents

Abstract

반도체 제조를 위한 프로세스 챔버들과 이들 사이에서 웨이퍼가 이동되는 경로에 온도 차이를 보상하도록 가열 장치가 설치된 반도체 소자 제조 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 웨이퍼를 가공하기 위한 프로세스 챔버들과, 상기 프로세스 챔버들 사이에서 웨이퍼를 이송시키기 위한 로봇을 갖춘 로드락(load lock) 챔버를 포함하고, 상기 로드락 챔버에는 웨이퍼 주위의 온도차를 보상하기 위한 가열 장치가 적어도 1개 설치되어 있다.

Description

웨이퍼의 이동 경로에 설치된 가열 장치를 갖춘 반도체 소자 제조 장치

본 발멍은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조를 위한 프로세스 챔버들과 이들 사이에서 웨이퍼가 이동되는 경로에 온도 차이를 보상하도록 가열 장치가 설치된 반도체 소자 제조 장치에 관하여 개시한다.

웨이퍼를 가공하여 반도체 소자를 제조하기 위하여는 프로세스 챔버에서 일정한 조건, 예를 들면 시험 결과에 따른 조건이나 경험에 의하여 얻어진 조건하에서 웨이퍼에 대하여 필요한 처리, 예를 들면 식각, 증착, 스퍼터링, 이온 주입 등과 같은 처리를 행한다. 이와 같은 처리를 위하여 해당 프로세스 챔버에 웨이퍼를 로딩하거나 또는 해당 프로세스 챔버로부터 언로딩하는 동작이 필요하다. 이 때, 웨이퍼는 각 프로세스 챔버들 사이의 경로인 로드락(load lock) 챔버, 트랜스퍼(transfer) 챔버 또는 입/출(entrance/exit) 챔버를 경유하여 이동하게 된다.

그러나, 대부분의 경우에는 현재 웨이퍼가 위치하는 곳과 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버 또는 입/출 챔버와의 사이에 온도 차이가 있다. 이와 같은 온도 차이에 의하여 유동하는 파티클 또는 수분이 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버 또는 입/출 챔버에 흡착된다. 따라서, 각 프로세스 챔버에서 웨이퍼의 로딩/언로딩이 계속됨에 따라 반도체 소자의 제조를 위한 웨이퍼의 가공시에 수율을 저하시킨다.

본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제를 해결하고자 하는 것으로서, 프로세스 챔버에서 웨이퍼의 로딩/언로딩에 따른 웨이퍼 주변의 온도 차이를 보상할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.

도 1은 통상의 반도체 소자 제조 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 로드락 챔버의 벽에 가열 장치가 설치된 것을 예시한 도면이다.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 로드락 챔버의 리드에 가열 장치가 설치된 것을 예시한 도면이다.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치의 로봇의 암 블레이드에 가열 장치가 설치된 것을 예시한 도면이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 웨이퍼를 가공하기 위한 프로세스 챔버들과, 상기 프로세스 챔버들 사이에서 웨이퍼를 이송시키기 위한 로봇을 갖춘 로드락(load lock) 챔버를 포함하고, 상기 로드락 챔버에는 웨이퍼 주위의 온도차를 보상하기 위한 가열 장치가 적어도 1개 설치되어 있다.

상기 가열 장치는 상기 로드락 챔버의 벽 또는 리드(lid)에 설치되거나, 상기 로드락 챔버에서 웨이퍼를 홀딩하는 암에 설치된다.

상기 가열 장치는 가열 패드, 가열 코일 또는 온수 공급 장치로 이루어질 수 있다.

본 발명에 의하면, 웨이퍼 가공을 위하여 반도체 제조 장치 내에서 웨이퍼가 이동될 때 온도차에 따른 수율 저하를 방지할 수 있다.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 웨이퍼를 소정의 방법, 예를 들면 식각, 증착, 스퍼터링 또는 이온 주입과 같은 방법으로 가공하는 데 사용되는 반도체 소자 제조 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

웨이퍼 가공에 필요한 프로세스 챔버(10, 20, 30) 및 오리엔탈 챔버(40) 사이에서 웨이퍼가 이동할 때 웨이퍼는 반드시 로드락 챔버(설비에 따라서 트랜스퍼 챔버 또는 입/출 챔버)(50)를 거치게 된다.

본 발명에서는 각 프로세스 챔버(10, 20, 30) 및 오리엔탈 챔버(40)에서 상기 로드락 챔버(50)를 거쳐서 웨이퍼를 로딩/언로딩할 때 웨이퍼 주변의 온도 차이를 보상하기 위하여, 상기 로드락 챔버(50)의 벽(60) 및 리드(lid)(70)에 가열 장치, 예를 들면 가열 패드, 가열 코일 또는 온수 공급 장치를 설치한다.

또한, 상기 로드락 챔버(50)에서 웨이퍼를 이송하는 로봇(55)과 암(arm) 또는 핑거(finger)에도 상기한 바와 같은 가열 장치를 설치할 수 있다.

상기 가열 장치는 그 가열 장치가 설치된 위치의 온도를 상온 이상으로 유지시키거나, 가열 장치가 설치된 위치의 온도가 현재 웨이퍼가 있는 위치보다 높게, 바람직하게는 현재 웨이퍼가 있는 위치의 온도보다 약 0 ∼ 20℃ 높게 유지되도록 제어된다.

도 2는 상기 로드락 챔버(50)의 벽(60)에 가열 장치로서 가열 코일(62)이 설치된 예를 도시한 것이다.

도 3은 상기 로드락 챔버(50)의 리드(70)에 가열 장치로서 가열 패드(72)가 설치된 예를 도시한 것이다.

도 4는 상기 로봇(55)의 암에서 웨이퍼를 홀딩(holding)하는 데 사용되는 블레이드에 가열 장치(57)를 설치한 경우를 도시한 것이다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에서는 프로세스 챔버에서 웨이퍼의 로딩/언로딩에 따른 웨이퍼 주변의 온도 차이를 보상하기 위하여 웨이퍼가 이송되는 경로에 가열 장치가 설치되어 있다. 따라서, 웨이퍼 가공을 위하여 반도체 제조 장치 내에서 웨이퍼가 이동될 때 온도차에 따른 수율 저하를 방지할 수 있다.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (5)

1. 웨이퍼를 가공하기 위한 프로세스 챔버들과, 상기 프로세스 챔버들 사이에서 웨이퍼를 이송시키기 위한 로봇을 갖춘 로드락(load lock) 챔버를 포함하는 반도체 소자 제조 장치에 있어서,

   상기 로드락 챔버에는 웨이퍼 주위의 온도차를 보상하기 위한 가열 장치가 적어도 1개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 가열 장치는 상기 로드락 챔버의 벽에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 가열 장치는 상기 로드락 챔버의 리드(lid)에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 가열 장치는 상기 로드락 챔버에서 웨이퍼를 홀딩하는 암에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
5. 제2항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열 장치는 가열 패드, 가열 코일 또는 온수 공급 장치인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.