KR20010050849A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20010050849A
KR20010050849A KR1020000058362A KR20000058362A KR20010050849A KR 20010050849 A KR20010050849 A KR 20010050849A KR 1020000058362 A KR1020000058362 A KR 1020000058362A KR 20000058362 A KR20000058362 A KR 20000058362A KR 20010050849 A KR20010050849 A KR 20010050849A
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타케쿠마타카시
오쿠마라켄지
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히가시 데쓰로
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛군과, 가열처리유닛 및 냉각처리유닛을 갖춘 가열·냉각처리유닛을 갖는 제 2 처리유닛군은, 냉각처리유닛이 제 1 처리유닛군측에 위치하도록 인접하여 배치되어 있음으로써, 상온 부근에서 기판에 대해 액처리를 수행하기 위한 액처리유닛에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있는 기술이 제시된다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 예를들면 반도체 디바이스 제조의 기술분야에 속한다.
또한, 본 발명은 예를들면 반도체 웨이퍼나 액정표시용의 유리기판 등의 기판에 대해, 예를들면 레지스트액의 도포처리나 현상처리 등을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조프로세스에 있어서의 포토레지스트 공정에서는, 예를들면 반도체 웨이퍼(W)(이하, "웨이퍼(W)"라고 한다) 등의 표면에 대해 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 패턴이 노광된 후의 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하여 현상처리하고 있다. 이러한 일련의 처리를 수행함에 있어서는, 종래부터 도포현상처리장치가 사용되고 있다.
상기 도포현상처리장치에는, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각처리유닛, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열처리유닛, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포유닛, 웨이퍼(W)에 현상처리를 실시하는 현상처리유닛 등의 각종 처리유닛이 갖추어져 있다. 그리고, 도포현상처리장치 전체를 콤팩트화 하기 위하여 복수의 가열처리유닛과 냉각처리유닛을 다단으로 반송장치와 동시에 전체로 하여 집약 배치함으로써, 도포현상처리장치의 스페이스를 절약할 수 있다.
그런데, 웨이퍼(W)가 구경(口徑)이 커지게 되면 이에 따르는 모든 처리유닛도 대형화된다. 따라서, 스페이스를 줄이기 위해서는 각 처리유닛의 배치를 한층 고집약화할 필요가 있다.
그러면서 가열처리유닛이 대형화되면, 가열처리유닛의 열량도 많아진다. 따라서, 지금까지와 같이 열처리유닛군 중 하나의 처리유닛으로서 가열처리장치가 다른 처리유닛의 근방에 배치되어 있으면, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 다른 처리유닛, 예를들면 도포장치 등에 있어서의 온도제어를 정밀하게 할 수 없게 될 우려가 있다. 그리고, 이들 처리유닛에서 온도제어가 흔들리면 레지스트막의 막두께가 변화한다는 문제가 발생한다.
또한, 상술한 도포현상처리장치에서는, 처리액을 수납할 용기가 도포현상처리장치 밖에 놓여져 있기 때문에 도포유닛이나 현상유닛에 처리액을 공급하기 위한 배관이 길게 되어 있다. 상기 배관 내의 처리액은 메인터넌스시 등에는 폐기되지만, 패턴의 미세화에 대응하기 위한 레지스트액이나 현상액의 비용이 고가로 되어 있는 점에서, 처리액의 체류거리가 길면 전체 비용이 높아진다. 한편, 노즐로부터의 처리액의 토출량을 고정도로 콘트롤하고, 토출 후에 처리액이 기판 상에 흐르지 않도록 노즐의 선단으로부터 처리액 면을 조금 되돌릴 필요가 있으며, 이를 위해 미묘하게 처리액의 가압력을 조정하지 않으면 안된다. 그래서, 정량펌프나 쌕 밸브 등의 공급제어기구는 노즐로부터 그다지 떨어지지 않도록 하기 위해 밖에 놓인 박스 내에 두지 않고 도포(현상)유닛 내에 설치하도록 하고 있는데, 각 도포(현상)유닛 내에 공급제어기기를 배치하면 메인터넌스 작업을 하기 어렵다는 과제가 있다.
또한, 상술한 도포현상처리장치에서는, 처리스테이션에 전달된 웨이퍼는, 해당 처리스테이션 내에서는 도포유닛과 현상유닛과 선반유닛과의 사이를 웨이퍼 반송수단에 의해 반송되기 때문에, 웨이퍼 반송수단의 부하가 크고, 처리스테이션 내의 유닛의 수를 그만큼 많게 할 수 없는 현상이다.
한편, 쓰루우풋 향상의 관점에서는, 예를들면 도포유닛이나 현상유닛의 수를 늘리는 것이 바람직하고, 또한 웨이퍼에 레지스트를 도포하기 전에 반사방지막의 형성 등, 새로운 유닛을 추가하는 것도 검토되고 있다. 이러한 경우, 유닛 수의 증가에 맞추어 웨이퍼 반송수단의 수를 늘리는 것이 요구된다. 또한, 상술한 도포현상처리장치에서는, 도포유닛이나 현상유닛의 근방에 선반유닛이 배치되어 있기 때문에, 도포유닛 등이 선반유닛의 가열부로부터의 열 영향을 받기 쉽다. 이 때문에 각 유닛에 있어서의 처리를 할 때, 웨이퍼의 온도가 변화하기 쉽고, 온도가 처리에 영향을 주기 때문에, 처리에 얼룩이 발생하기 쉬운 문제가 있다. 따라서, 쓰루우풋을 향상시키고, 동시에 처리를 균일하게 수행하기 위한 레이아웃의 구축이 요망되고 있다.
본 발명의 목적은, 기판에 대해 액처리를 수행하기 위한 처리유닛에 있어서 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.
또한 본 발명의 목적은, 처리액의 배관을 짧게 하는 것이 가능한 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.
또한 본 발명의 목적은, 기판반송수단의 부하를 적게 하여 쓰루우풋의 향상을 모도하는 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.
이러한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 기판처리장치는 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛이 다단으로 쌓아 올려진 제 1 처리유닛군과, 상기 기판에 대해 가열처리를 수행하는 가열부와 상기 기판에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각부를 서로 인접시켜 일체화한 제 2 처리유닛이 다단으로 쌓아 올려진 제 2 처리유닛군과, 상기 각 제 1 처리유닛과 상기 각 제 2 처리유닛과의 사이에서 기판을 반송하는 반송장리를 갖추고, 상기 각 제 2 처리유닛에 있어서의 상기 가열부 및 상기 냉각부 중, 상기 냉각부가 상기 제 1 처리유닛군 측에 위치하면서, 상기 제 1 처리유닛군과 상기 제 2 처리유닛군을 인접하여 배치한 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는, 상온 부근에서 기판에 대해 액처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군과 가열부와 냉각부를 지닌 제 2 처리유닛군이, 냉각부가 제 1 처리유닛측에 위치하도록 배치되어 있기 때문에, 제 1 처리유닛군이 제 2 처리유닛군으로부터 받는 열적 영향을 적극 억제할 수 있다. 이것에 의해, 상온 부근에서 기판에 대해 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있다.
또한, 상기 제 1 처리유닛군에 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 갖추고, 해당 청정에어 공급부는 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 기체를 배기하고, 그 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유닛군의 상부로부터 온도조절된 기체를 뿜어내는 것이고, 또한 상기 제 1 처리유닛군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로를 지닌 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 통로가 제 1 처리유닛군이 배치된 영역과 제 2 처리유닛군이 배치된 영역과의 사이에 있어서의 단열수단으로서 기능한다. 더구나, 이러한 단열수단인 통로 내에는 기체가 순환하고 있기 때문에, 통로 내에 열이 축적되지 않아 극히 양호한 단열수단으로서 기능한다. 따라서, 상기 구성의 통로가 제 2 처리유닛군으로부터 제 1 처리유닛군으로의 열적영향을 방지하고, 상온부근에서 기판에 대하여 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 할 수 있다.
또한, 상기 제 1 처리유닛군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 단열벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 단열벽이 제 2 처리유닛군으로부터 제 1 처리유닛군으로의 열적영향을 방지하기 때문에, 상온부근에서 기판에 대해 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛이 다단으로 쌓아 올려진 제 1 처리유닛군과, 상기 제 1 처리유닛군과 인접하여 배치되고, 상기 각 제 1 처리유닛에 대해 상기 소정의 액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 기판에 대해 가열처리를 수행하는 가열부와 상기 기판에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각부를 서로 인접시켜 일체화한 제 2 처리유닛이 다단으로 쌓아 올려진 제 2 처리유닛군과, 상기 각 제 1 처리유닛과 상기 각 제 2 처리유닛과의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 갖추고, 상기 각 제 2 처리유닛에 있어서의 상기 가열부 및 상기 냉각부 중, 상기 냉각부가 상기 처리액 공급부 측에 위치하도록 하면서, 상기 처리액 공급부와 상기 제 2 처리유닛군을 인접하여 배치한 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는 상온 부근에서 기판에 대해 액처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군과, 가열부와 냉각부를 지닌 제 2 처리유닛군과의 사이에, 처리액 공급부가 배치되고, 더욱이 냉각부가 처리액 공급부 측에 위치하도록 배치되어 있다. 즉, 제 1 처리유닛군과 가열부와의 사이에는, 냉각처리유닛 및 처리액 공급부가 개재하는 것이 되고, 제 1 처리유닛군 및 처리액 공급부가 제 2 처리유닛군으로부터 받는 열적 영향을 적극 억제할 수 잇다. 이로 인해, 상온 부근에서 기판에 대해 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있고, 또한 상기 제 1 처리유닛군에 공급되는 처리액의 온도관리도 용이하게 수행할 수 있다.
또한, 상기 제 1 처리유닛군에 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 갖추고, 상기 청정에어 공급부는 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 기체를 배기하고, 상기 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유닛군의 상부로부터 온도조절된 기체를 뿜어내는 것이며, 또한 상기 처리액 공급부가 배치된 영역과 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로를 지닌 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 통로가 처리액 공급부가 배치된 영역과 제 2 처리유닛군이 배치된 영역과의 사이에 있어서의 단열수단으로서 기능한다. 더구나, 이러한 단열수단인 통로 내에는 기체가 순환하고 있으므로, 통로 내에 열이 축적되지 않아 극히 양호한 단열수단으로서 기능한다. 따라서, 상기 구성의 통로가 제 2 처리유닛군으로부터 제 1 처리유닛군 및 처리액 공급부로의 열적영향을 방지하고, 상온부근에서 기판에 대해 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있으며, 또한 처리액의 온도관리를 용이하게 수행할 수 있다.
또한, 상기 처리액 공금부가 배치된 영역과 제 1 처리유닛군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 단열벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 단열벽이 제 2 처리유닛군으로부터 제 1 처리유닛군 및 처리액 공급부로의 열적영향을 방지하기 때문에, 상온부근에서 기판에 대해 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있고, 또한 처리액의 온도관리를 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛이 다단으로 쌓아 올려진 제 1 처리유닛군과, 상기 기판에 대해 가열처리를 수행하는 가열부와 상기 기판에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각부를 서로 인접시켜 일체화한 제 2 처리유닛이 다단으로 쌓아 올려진 제 2 처리유닛군과, 상기 액처리가 이루어진 기판에 대해 노광처리를 수행하는 노광유닛을 갖추고, 상기 노광유닛으로의 기판 반입 전에 상기 제 2 처리유닛의 냉각부에 기판이 대기되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는, 제 2 처리유닛의 냉각부가 냉각처리를 수행하는 기능 이외에 노광 전의 기판을 대기시키는 대기장소로서의 기능도 지닐 수 있고, 예를들면 노광 전의 기판을 보지하는 카세트를 따로 설치할 필요가 없다.
본 발명에 관련된 기판처리장치는, 기판을 수납한 기판 카세트를 재치하는 재치부와, 상기 재치부에 재치된 기판 카세트에 대해 기판의 전달을 하는 전달수단 등을 포함하는 카세트 스테이션과, 상기 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 지니며, 상기 처리스테이션은, 복수단으로 겹쳐 쌓이게 됨과 동시에 각각 처리액에 의해 기판에 대해 처리를 수행하는 액처리유닛과, 이들 액처리유닛에 대해 기판의 반입반출을 수행하는 반송수단과, 상기 처리액을 수납하는 용기가 수납되고, 액처리유닛의 이웃 또는 최하단의 액처리유닛의 아래쪽에 설치된 용기수납부를 갖춘 것을 특징으로 한다.
이러한 발명에 의하면, 처리액의 배관이 짧게 끝나기 때문에 고가의 처리액의 체류량이 적어 비용절감을 도모할 수 있다.
상기 용기수납부는, 용기로부터 액처리유닛에 처리액을 공급하는 배관에 설치되는 처리액의 공급제어기기를 수납하도록 하여도 좋고, 이렇게 하면 메인터넌스의작업성이 좋다는 이점도 있다. 또한 복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛은, 가로방향으로 직선상에 복수 배치되고, 복수단으로 겹쳐 쌓아진 액처리유닛마다 용기수납부가 해당 액처리유닛의 이웃 또는 아래쪽에 설치되도록 하여도 좋다. 또한, 복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛의 최하단 아래쪽에 각 단의 액처리유닛에 이용되는 용력기기를 배치하도록 하여도 좋다.
처리스테이션은, 예를들면 액처리유닛에 있어서의 처리에 대한 전(前)처리 및/또는 후처리를 수행하기 위하여, 가열처리 및/또는 냉각처리하기 위한 유닛이 다단으로 겹쳐 쌓여져 있는 선반유닛을 갖추고 있다. 또한, 용기수납부는 액처리유닛의 이웃에 설치하는 구성으로 한 경우, 선반유닛에서 기판을 냉각한 후 다시 정도좋게 소정의 온도로 냉각하기 위한 미조정용 냉각부를 반송수단의 반송영역으로부터 구획하여, 액처리유닛으로 이용되는 분위기 기체가 흐르는 환경속이며, 상기 용기수납부의 위 또는 아래에 배치되도록 하여도 좋다.
그리고, 선반유닛을 설치한 장치에 있어서는 다음과 같이 구성하여도 좋으며, 이 경우 카세트 스테이션에서 보아 안쪽의 길이를 짧게 할 수 있다는 이점이 있다.
a. 기판 카세트가 X방향으로 복수 배열된다.
b. 처리스테이션은, 반송수단, 복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛 및 선반유닛을 지닌 블럭을 Y방향으로 접속하여 구성된다.
c. 처리스테이션 전체로 보며, 복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛은 Y방향으로 직선상에 복수 배치되고, 선반유닛은 Y방향으로 복수 늘어서고, 반송수단은 선반유닛과 액처리유닛이 늘어선 곳의 사이에 배치된다.
d. 카세트 스테이션 집합의 블럭에 있어서는, 선반유닛의 적어도 하나의 단이 전달수단과 반송수단과의 사이에서 기판을 전달하기 위한 전달부로서 구성되고, 해당 선반유닛은 반송수단에서 보아 X방향에 대해 카세트 스테이션 측에 경사지게 배치되어 있다.
e. 카세트 스테이션 집합의 블록에 접속되는 블록에 있어서는, 선반유닛은 반송수단에서 보아 X방향으로 배치되어 있다.
이를 위한 본 발명의 기판처리장치는, 복수의 기판을 수납한 기판카세트를 재치하는 재치부와, 상기 재치부에 재치된 기판카세트에 대해 기판의 전달을 수행하는 전달수단을 포함하는 카세트 스테이션과, 상기 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 스테이션을 지니고, 상기 처리스테이션은 기판에 대해 처리액을 도포하는 도포처리부와, 상기 도포처리부에 대해 기판의 전달을 수행하는 기판반송수단을 갖추고, 상기 카세트 스테이션의 전달수단이 상기 처리스테이션의 도포처리부에 대해 기판의 전달을 수행하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에서는, 상기 처리스테이션의 도포처리부에 대해 기판반송수단 뿐만 아니라 상기 카세트 스테이션의 전달수단에 의해서도 기판의 전달을 수행할 수 있다. 이 때문에 기판반송수단의 부하를 경감할 수 있고 그 만큼 도포처리부 등을 증가시킬 수 있기 때문에 쓰루우풋의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명은 복수의 기판을 수납한 기판카세트를 재치하는 재치부와, 상기 재치부에 재치된 기판카세트에 대해 기판의 전달을 수행하는 전달수단을 포함하는 카세트 스테이션과, 상기 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 지니며, 상기 처리스테이션은, 카세트 스테이션 측에 설치되고, 기판에 대해 제 1 처리액을 도포하는 제 1 도포처리부와, 카세트 스테이션의 반대측에 설치되고, 기판에 대해 제 2 처리액을 도포하는 제 2 도포처리부와, 상기 제 1 및 제 2 도포처리부의 사이에 설치되어, 기판을 가열하기 위한 가열부와, 제 1 도포처리부와 가열부와의 사이에 설치되고, 이에 대해 기판의 반송을 수행하는 제 1 기판반송수단과, 제 2 도포처리부와 가열부와의 사이에 설치되어, 이에 대해 기판의 반송을 수행하는 제 2 기판반송수단을 갖추는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에서는, 제 1 도포처리부와 제 2 도포처리부는 가열부의 양측에 가열부와 기판반송수단을 사이에 두고 설치되어 있으며, 제 1 및 제 2 도포처리부는 가열부로부터 떨어져 있기 때문에, 이들 제 1 및 제 2 도포처리부가 가열부로부터의 열영향을 받기 어렵게 된다. 이 때문에 도포처리시에 있어서의 기판온도의 변화가 억제되고, 온도변화의 원인이 되는 처리얼룩의 발생을 방지할 수 있어 도포처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있다.
여기에서 상기 카세트 스테이션의 전달수단에 의해 상기 처리스테이션의 제 1 도포처리부에 대해 기판의 전달을 수행하도록 구성하여도 좋고, 이 경우에는 기판반송수단의 부하가 경감된다.
또한, 상기 처리스테이션은, 기판을 냉각하기 위한 냉각부를 갖추고, 상기 카세트 스테이션의 전달수단이 상기 처리스테이션의 냉각부에 대해 기판의 전달을 수행하도록 구성하여도 좋고, 이 경우에는 예를들면 도포처리 전에 기판을 냉각하여 기판온도를 조정하는 경우에도 기판반송수단의 부하가 경감됨과 동시에, 기판 반송의 낭비를 줄일 수 있다.
본 발명은 구체적으로는, 상기 처리스테이션의 카세트 스테이션 반대측에 설치된 노광장치와, 처리스테이션의 카세트 스테이션 반대측에 접속되고, 처리스테이션과 노광장치와의 사이에서 기판의 전달을 수행하기 위한 인터페이스 스테이션을 갖추고, 상기 제 1 도포처리부는 기판에 대해 반사방지막의 형성을 수행하는 처리부를 포함하고, 상기 제 2 도포처리부는 상기 노광장치에서 노광된 기판에 대해 현상처리를 수행하는 처리부를 포함한다는 구성이다.
본 발명의 이러한 목적과 그 이외의 목적과 이점은, 이하의 설명과 첨부도면에 의해 용이하게 확인할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 관한 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 3 은 도 1의 냉각·가열처리유닛군을 갖는 영역을 X방향에 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 4 는 도 1의 냉각처리유닛을 갖는 영역을 Y방향을 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 5 는 반송장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 6 은 가열·냉각처리유닛의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 7 은 도 6에 나타낸 가열·냉각처리유닛의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8 은 온도조절기구의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 9 는 본 발명의 제 2 실시예에 관한 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.
도 10 은 도 9에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 11 은 도 9의 선 A-A'를 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 12 는 본 발명의 제 3 실시예에 관한 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이다.
도 13 은 도 12에 나타낸 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 14 는 도 12의 선 B-B'를 따라 절단한 경우의 단면도이다.
도 15 는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 도포현상처리시스템의 평면도이다.
도 16 은 본 발명의 실시예인 도포, 현상장치의 개관을 나타내는 사시도이다.
도 17 은 도 16의 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 18 은 도 16의 도포, 현상장치의 일부를 가로로 전개하여 나타내는 설명도이다.
도 19 는 도 16의 도포, 현상장치에 이용되는 액처리유닛 및 처리액의 공급계를 나타내는 설명도이다.
도 20 은 도 16의 도포, 현상장치의 액처리유닛 및 관련부위를 간략히 나타내는 측면도이다.
도 21 은 본 발명의 다른 실시예인 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 22 는 도 21의 도포현상장치의 액처리유닛 및 관련부위를 간략히 나타내는 측면도이다.
도 23 은 본 발명의 또 다른 실시예인 도포, 현검(現儉)장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 24 는 도 23의 도포현상장치의 액처리유닛 및 관련부위를 간략히 나타내는 측면도이다.
도 25 는 도 23의 실시예에 있어서 냉각부를 액처리유닛 내의 분위기로 배치한 구성을 나타내는 개관사시도이다.
도 26 은 본 발명의 또 다른 실시예인 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 27 은 다른 실시예인 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 28 은 또 다른 실시예인 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 29 는 또 별개의 실시예인 도포, 현상장치를 나타내는 개략사시도이다.
도 30 은 본 발명의 실시예에 관한 도포, 현상장치를 나타내는 개관사시도이다.
도 31 은 상기 도포, 현상장치를 나타내는 개략평면도이다.
도 32 는 상기 도포, 현상장치의 제 1 처리부군의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 33 은 상기 도포, 현상장치의 제 2 처리부군의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 34 는 선반유닛의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 35 는 CHP장치를 나타내는 단면도이다.
도 36 은 도포유닛을 나타내는 단면도이다.
도 37 은 도포, 현상장치의 다른 예를 나타내는 개략평면도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 도포현상처리시스템 10 : 가열·냉각처리유닛
13 : 제 1 처리유닛군 13a : 반사방지막 도포유닛(BCT)군
13b : 레지스트막 도포유닛(CT)군 13c : 제 1 현상처리유닛군
13d : 제 2 현상처리유닛군
13e : 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군
13f : 현상처리유닛군 14 : 제 2 처리유닛군
14a : 제 1 가열·냉각처리유닛군 14b : 제 2 가열·냉각처리유닛군
14c : 제 3 가열·냉각처리유닛군 14d : 제 4 가열·냉각처리유닛군
15 : 케미컬 타워(Chemical Tower) 16 : 반사방지막 도포유닛(BCT)
17 : 레지스트막 도포유닛(CT) 18 : 냉각처리유닛
19 : 반송장치 20 : 가열처리유닛
26 : 현상처리유닛 BCT : 반사방지막 도포유닛(BCT)
CPL : 냉각처리유닛 CT : 레지스트막 도포유닛(CT)
DEV : 현상처리유닛 HP : 가열처리유닛
W : 웨이퍼
이하, 도 1∼도 8을 참조하여 본 발명의 실시예 1에 대해 설명하기로 한다. 도 1∼도 4는 본 발명의 한 실시예에 관한 도포현상처리시스템을 나타내는 도이고, 도 1은 평면도, 도 2는 정면도이다. 도 3은 도 1의 X방향을 따라 절단한 경우의 단면도이고, 도 4는 도 1의 Y방향을 따라 냉각처리유닛(18)이 배치된 영역을 절단한 경우의 단면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 도포현상처리시스템(1)은, 예를들면 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 도포현상처리시스템(1)에 대하여 반입반출하거나, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출하기 위한 카세트 스테이션(2)과, 도포현상처리공정 중에서 웨이퍼(W)에 대해 소정의 처리를 실시하는 낱장식 각종 처리유닛을 다단 배치하여 이룬 제 1 처리스테이션(3)과, 상기 제 1 처리스테이션에 인접하여 배치된 제 1 스테이션과 거의 같은 구성의 제 2 처리스테이션(4)과, 상기 제 2 처리스테이션(4)에 인접하여 배치된 노광장치(도시생략)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하기 위한 인터페이스부(5)를 일체로 접속한 구성을 지니고 있다. 제 1 처리스테이션(3)에서는 주로 웨이퍼(W) 상에 반사방지막 및 레지스트막의 도포처리가 이루어지고, 제 2 처리스테이션(4)에서는 노광된 레제스트막의 현상처리가 이루어진다.
카세트 스테이션(2)에서는, 카세트 재치대(10) 상의 위치결정돌기(10e)의 위치에 복수개의 카세트(C)가 웨이퍼(W)의 출입구를 처리스테이션(3) 측을 향하여 X방향(도 1에서 상하방향)을 따라 일렬로 재치하기에 자유롭다. 그래서, 상기 카세트(C)의 배열방향(X방향) 및 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 배열방향(Z방향 : 수직방향)으로 이동가능한 웨이퍼 반송(11)이 반송로(12)를 따라 이동이 자유롭고, 각 카세트(C)에 대해 선택적으로 억세스할 수 있게 되어 있다.
상기 웨이퍼 반송체(11)는 θ방향으로도 회전이 자유롭게 구성되어 있고, 후술할 제 1 처리스테이션(3)에 있어서의 제 2 처리유닛군으로서의 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)의 각 제 1 가열·냉각처리유닛군(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18a)에 대하여 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.
도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(3)에서는 정면 측에 액처리가 이루어지는 제 1 처리유닛군으로서 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a) 및 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)이 설치되어 있다. 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)은 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대해 도포처리를 수행하는 반사방지막 도포유닛(BCT)군(16)이 Z축 방향으로 3단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다. 또한, 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)은, 상온 부근에서 웨이퍼(W)에 대해 도포처리를 수행하는 레지스트막 도포유닛(CT)(17)이 Z축 방향으로 3단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다.
제 1 처리스테이션(3)의 중앙부에는, 반송장치(19a)를 사이에 두고, 제 2 처리유닛군으로서 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a), 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)이 배치되어 있다. 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)에서는 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 Z축 방향으로 8단으로 겹쳐 쌓여져 구성되고, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)에서는 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)이 Z축 방향으로 7단으로 겹쳐 쌓여지고, 또한 그들 하층에 후술할 반송유닛(STL)이 배치되어 구성된다. 각 제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛(10a, 10b)은, 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18a, 18b)과 가열처리를 수행하는 가열처리유닛(HP)(20a, 20b) 등이 각각 서로 인접되어 일체화하여 구성되어 있다.
도 1, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)은 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이, 예를들면 8단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 있어서, 냉각처리유닛(CPL)(18a)은 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a) 측에 위치하도록 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)과 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a) 등이 배치된다. 더구나, 도 3은 도 1의 X방향을 따라 절단한 경우의 단면도이고, X방향을 따른 제 1 처리유닛군(13a)과 제 2 처리유닛군(14a)과의 위치관계를 나타내는 도이다. 또한, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)도 마찬가지로, 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)이 다단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)에 있어서, 냉각처리유닛(18b)은 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b) 측에 배치된다.
수직반송형 반송장치(19a)의 주위에는, 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b), 제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b)이 배치되어 있다. 그리고, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)과 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송과, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)과 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)과의 사이에서의 웨이퍼(W) 반송은 반송장치(19a)에 의해 이루어진다. 또한, 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 양측면에는 개폐가능한 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있다. 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)과 웨이퍼반송체(11)와의 사이에서의 기판의 전달 및 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)과 반송장치(19a)와의 사이에서의 기판의 전달은, 각각 셔터(47a, 47b)를 매개로 하여 이루어진다. 또한, 제 2 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18b)의 반송장치 측의 측면에는 개폐가능한 셔터부재(47a)가 설치되어 있고, 상기 셔터부재(47a)를 매개로 하여 반송장치(19a)와 냉각처리유닛(CPL)(18b)과의 사이에서 기판의 전달이 이루어진다.
한편, 제 2 처리스테이션(4)에서는, 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(3)과 같이 정면 측에 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛군으로서 제 1 현상처리유닛군(13c), 제 2 현상처리유닛군(13d)이 배치되어 있다. 제 1 현상처리유닛군(13c)은 현상처리유닛(DEV)(26)이 Z축 방향에 2단으로 겹쳐 쌓여져 구성되고, 제 2 현상처리유닛군(13d)도 똑같이 현상처리유닛(DEV)(26)이 Z축 방향에 2단으로 겹쳐 쌓여 구성되어 있다.
제 2 처리스테이션(4)의 중앙부에는, 반송장치(19b)를 사이에 두고, 제 2 처리유닛군으로서 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c), 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)이 배치되어 있다. 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)에서는 제 3 가열·냉각처리유닛(10c)이 Z축 방향에 7단으로 겹쳐 쌓여지고, 또한 그들의 하층에 후술할 반송유닛(STL)이 배치되어 구성된다. 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)에서는 제 4 가열·냉각처리유닛군(10d)이 Z축 방향에 8단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다.
각 제 3 및 제 4 가열·냉각처리유닛군(10c, 10d)은, 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18c, 18d)과 가열처리를 수행하는 가열처리유닛(HP)(20c, 20d)이 각각 서로 인접하여 일체화되어 구성되어 있다. 그리고, 도 1에 나타낸 바와 같이, 적층된 모든 제 3 가열·냉각처리유닛군(10c)의 냉각처리유닛(CPL)(18c)과 가열처리유닛(HP)(20c) 중 냉각처리유닛(CPL)(18c)이, 제 1 현상처리유닛(DEV)군(13c) 측에 위치하도록 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)과 제 1 현상처리유닛(DEV)군(13c) 등이 배치된다. 또한, 적층된 모든 제 4 가열·냉각처리유닛군(10d)의 냉각처리유닛(CPL)(18d)과 가열처리유닛(HP)(20d) 중 냉각처리유닛(CPL)(18d)이, 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13d) 측에 위치하도록 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)과 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13d)이 배치된다.
수직반송형 반송장치(19b)의 주위에는, 제 1 현상처리유닛군(13c), 제 2 현상처리유닛군(13d), 제 3 및 제 4 가열·냉각처리유닛군(14c, 14d)이 배치되어 있다. 그리고, 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)과 제 1 현상처리유닛(DEV)군(13c)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송, 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)과 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13d)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송은, 반송장치(19b)에 의해 이루어진다. 또한, 제 4 가열·냉각처리유닛군(10d)의 냉각처리유닛(CPL)(18d)의 양측면에는 개폐가능한 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있다. 제 4 가열·냉각처리유닛군(10d)과 반송장치(19b)와의 사이에서 기판의 전달 및 제 4 가열·냉각처리유닛군(10d)과 웨이퍼 반송체(37)와의 사이에서 기판의 전달은, 각각 셔터(47a, 47b)를 매개로 이루어진다. 또한, 제 3 가열·냉각처리유닛군(10c)의 냉각처리유닛(18c)의 반송장치 측의 측면에는 개폐가능한 셔터부재(47b)가 설치되어 있고, 상기 셔터부재(47b)를 매개로 하여 반송장치(19b)와 냉각처리유닛(18c)과의 사이에서 기판의 전달이 이루어진다.
또한, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(3) 및 제 2 처리스테이션(4)의 배면측에서는, 검사기(6)나 제 1 처리유닛군(13a)으로 이용되고 처리액을 저장하는 케미컬 타워(15)를 수용하는 용기선반이 설치되어 있다. 상기 용기선반은, 레일(7)에 의해 도면 Y방향을 따라 이동가능하게 되어 있다. 용기선반은, 예를들면 배면측에 개폐가능한 문과 같은 구조로 되어 있고, 이 문에 용기가 수용가능하게 되어 있다. 이로 인해, 용기의 교환이나 보수점검을 용이하게 할 수 있다. 검사기(6)는, 노광, 현상처리를 거친 웨이퍼(W)의 도포막의 막두께를 검사하는 것이고, 필요에 따라 설치된다. 또한, 처리액으로서는, 예를들면 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에 공급되는 반사방지막 레지스트재, 레지스트막 도포유닛(CT)(17)에 공급되는 레지스트막재, 현상처리유닛(26)에 공급되는 현상액이 있다. 여기서, 배면측에 배치되는 케미컬 타워(15)에 저장되는 처리액을 주된 처리액원으로써 이용하여도 좋고, 배면측에 배치되는 케미컬 타워(15)를 예비용으로서 배치하여, 다른 영역에 주된 처리액원으로써 별도의 케미컬 타워를 배치하여 이용하여도 상관없다.
인터페이스부(5)에서는, 그 정면측에 노광전의 웨이퍼(W)를 일단 보지하는, 예를들면 웨이퍼(W) 카세트(C)와 같은 구조의 버퍼 카세트(33)가 배치되고, 그 배면측에는 주변노광장치(34)가 배치되어 있다. 그리고, 수직방향으로 승강가능하게 되고, 더욱이 θ방향으로 회전가능하게 된 웨이퍼 반송체(37)가 이들 버퍼 카세트(33)와 주변 노광장치(34)와의 사이의 반송로(36)를 따라 이동가능해지고, 웨이퍼 반송체(37)는 제 4 가열·냉각처리유닛(10d)의 냉각처리유닛(CPL)(18d), 버퍼 카세트(33) 및 주변 노광장치(34), 노광전 냉각유닛(도시생략)에 대해 억세스할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 상기 도포현상처리 시스템(1)에서는, 도 1, 도 3에 나타낸 바와 같이 제 1 처리스테이션(3)에 있어서의 제 1 처리유닛군(13)(반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)과 제 2 처리유닛군(14)(제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b))과의 사이에, 제 2 처리스테이션(4)에 있어서의 제 1 처리유닛군(13)(제 1 및 제 2 현상처리유닛군(13c, 13d))과 제 2 처리유닛군(14)(제 3 및 제 4 가열·냉각처리유닛군(14c, 14d)과의 사이에, 각각 단열벽(39) 및 후술하는 제 1 처리유닛군(13)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부로 순환시키기 위한 통로(40)가 배치되어 있다. 즉, 단열벽(39) 및 통로(40)는, 제 1 처리유닛군(13)과 제 2 처리유닛군(14)과의 사이를 분단하도록 배치되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 상술한 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 놓고 반사방지막을 도포하여, 해당 웨이퍼(W)에 대해 반사방지막 도포처리를 실시하는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)이 3단으로 겹쳐 쌓여 있다.
레지스트 도포유닛군(13b)에서는 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 놓고 레지스트액을 도포하여, 해당 웨이퍼(W)에 대해 레지스트 도포처리를 실시하는 레지스트 도포유닛(CT)이 3단으로 겹쳐 쌓여 있다.
제 1 현상처리유닛군(13c)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 놓고 현상액을 공급하여, 그 해당 웨이퍼(W)에 대해 현상처리를 실시하는 현상처리유닛(DEV)(26)이 위에서부터 2단으로 겹쳐 쌓여있다.
같은 상태로, 제 2 현상처리유닛군(13b)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 놓고 현상액을 공급하여, 해당 웨이퍼(W)에 대해 현상처리를 실시하는 현상처리유닛(DEV)(26)이 위에서부터 2단으로 겹쳐 쌓여 있다.
제 2 및 제 3 가열·냉각처리유닛군(14b, 14c)에서는, 가열·냉각처리유닛(10)이 7단으로 겹쳐 쌓여지고, 그 유닛의 하단에 다시 도 4에 나타낸 바와 같이 반송유닛(STL)(38b, 38c)이 각각 배치되어 있다. 제 1 및 제 2 처리스테이션(3, 4) 사이의 웨이퍼(W)의 전달은, 2개의 반송유닛(STL)(38b, 38c)을 연통하는 연통로(40a)를 매개로 하여 이루어진다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 반송유닛(STL)(38b, 38c)에는 각각 개구부가 설치되고, 각 개구부에 대응하여 개폐가능한 셔터부재(48a, 48b, 49a, 49b)가 설치되어 있다. 그리고, 셔터부재(48a, 49b)를 개폐함으로써 반송유닛(STL)(38b, 38c)에는 각각 대응하는 반송장치(19a, 19b)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다. 또한, 셔터부재(48b, 49a)를 개폐함으로써 연통로(40)를 매개로 하여 반송유닛(STL)(38b, 38c) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달, 즉 제 1 및 제 2 스테이션 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다.
다음으로, 상술한 반송장치(19a, 19b)에 대하여 사시도인 도 5를 이용하여 설명하기로 한다. 상술한 반송장치(19a, 19b)는 같은 구조를 지니고 있으며, 도 5에서는 부호(19)로서 설명하기로 한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 반송장치(19)는 상단 및 하단에서 서로 접속되어 대향하는 일체의 벽부(51, 52)로 이루어지는 통상지지체(53)의 내측에, 상하방향(Z방향)으로 승강이 자유로운 웨이퍼(W) 반송수단(54)을 갖추고 있다. 통상지지체(53)는 모터(55)의 회전축에 접속되어 있고, 상기 모터(55)의 회전구동력으로 상기 회전축을 중심으로 웨이퍼(W) 반송수단(54)과 함께 일체로 회전한다. 따라서, 웨이퍼(W) 반송수단(54)은 θ방향으로 회전이 자유롭게 되어 있다.
웨이퍼(W)의 반송수단(54)의 반송기대(5) 상에는, 웨이퍼(W)를 보지하는 복수, 예를들면 2개의 핀셋(57, 58)이 상하로 갖추어져 있다. 각 핀셋(57, 58)은 기본적으로 동일한 구성을 갖고 있고, 통상지지체(53)의 양벽부(51, 52) 사이의 측면 개구부를 통과하기 자유로운 형태 및 크기를 갖고 있다. 또한, 핀셋(57, 58)은 반송기대(56)에 내장된 모터(도시생략)에 의해 전후방향의 이동이 자유롭게 되어 있다.
다음으로, 도 4, 도 6, 도 7을 이용하여 상술한 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 구조에 대하여 설명하기로 한다. 도 6은 가열·냉각처리유닛군의 평면도이고, 도 7은 가열·냉각처리유닛의 단면도이다.
도 6, 도 7에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)은 웨이퍼(W)에 대하여 가열처리를 수행하는 가열처리유닛(HP)(20a)과 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18a) 등을 서로 인접시켜 일체화한 구조로 되어 있다.
가열처리유닛(HP)(20a)은, 설정온도가 200℃ 전후로 하는 것이 가능한 열판(24)을 가지고 있다. 더욱이 가열처리유닛(HP)(20a)은, 가열처리유닛(HP)(20a)과 냉각처리유닛(CPL)(18a)과의 사이를 개폐하기 위한 게이트 셔터(21)와 열판(24)의 주위에서 웨이퍼(W)를 포위하면서 게이트 셔터(21)와 함께 승강되는 링 셔터(22)를 갖고 있다. 열판(24)에는, 웨이퍼(W)를 재치하여 승강하기 위한 3개의 리프트핀(23)이 승강이 자유롭게 설치되어 있다. 즉, 열판(24)과 링 셔터(22)와의 사이에 차폐판 스크린을 설치하여도 좋다. 가열처리유닛(20a)의 하방에는 상기 3개의 리프트핀(23)을 승강하기 위한 승강기구(27)와, 링 셔터(22)를 게이트 셔터(21)와 함께 승강하기 위한 승강기구(28)가 설치되어 있다. 열판(24) 상에는 높이 0.2mm의 프록시미티핀(35), 또는 안내가이드(32)가 설치되어 있다.
냉각처리유닛(CPL)(18a)은, 웨이퍼(W)를 23℃ 전후의 상온에서 냉각하는 냉각판(25)을 갖고 있다. 도 4, 도 6에 나타낸 바와 같이, 냉각처리유닛(CPL)(18a)의 카세트 스테이션측의 측부에는, 카세트 스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 개구부가 있고, 상기 개구부에 대응하여 개폐가능한 셔터부재(47a)가 배치되어 있다. 또한, 냉각처리유닛(CPL)(18a)의 반송장치(19) 측의 측부에는, 반송장치(19)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 개구부가 있고, 상기 개구부에 대응하여 개폐가능한 셔터부재(47b)가 배치되어 있다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 가열처리유닛(HP)(20a)과 냉각처리유닛(CPL)(18a)은 연통구(30)를 매개로 하여 연통되어 있고, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하기 위한 냉각판(25)이 가이드 플레이트(59)를 따라 이동기구(60)에 의해 수평방향으로 이동이 자유롭게 구성되어 있다. 이로 인해, 냉각판(25)은 연통구(30)를 매개로 하여 가열처리유닛(HP)(20a) 내에 진입할 수 있고, 가열처리유닛(HP)(20a) 내의 열판(24)에 의해 가열된 후의 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 받아들여 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반입하여 웨이퍼(W)의 냉각을 수행한다.
상술에서는, 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 대하여 설명하였지만, 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)의 제 4 가열·냉각처리유닛(10d)도 같은 구조를 가지고 있다. 또한, 제 2 가열·냉각처리유닛(10b), 제 3 가열·냉각처리유닛(10c)에 있어서도 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)과 거의 같은 구조를 가지고 있지만, 도 1 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에서는 양 측면에 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있는 것에 비해, 제 2 및 제 3 가열·냉각처리유닛(10b, 10c)에서는 반송장치(19) 측의 측면에만 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있는 점에서 다르다. 본 실시예에서는, 냉각처리유닛(CPL)(18a, 18b)에서는 셔터부재(47a, 47b)의 양쪽이 열린 상태가 되지 않도록 개폐구동이 이루어지도록 되어 있다. 즉, 셔터부재(47a)에 의해 개구한 상태에서느 셔터부재(47b)에 의해 개구부가 닫히고, 역으로 셔터부재(47b)에 의해 개구한 상태에서는 셔터부재(47a)에 의해 개구부가 닫혀지도록 되어 있다. 이렇게 셔터부재(47a, 47b)의 개폐구동을 제어하는 것으로, 냉각처리유닛(CPL)이 소위 로드록실과 같은 기능을 완수하는 것이 되고, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 처리를 수행하기 위한 처리액 공급유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 다시 정밀하게 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 실시예에서는, 제 1 처리유닛군(13a, 13b, 13c, 13d)과 제 2 처리유닛군(14a, 14b, 14c, 14d)과의 사이에, 각각 단열벽(39) 및 제 1 처리유닛군(13)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치된 온도조절기구가 설치되어 있다. 상기 온도조절기구에 대해서 도 8을 이용하여 아래에 설명하기로 한다. 또한, 도 8은 처리액 공급유닛, 여기서에서는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)이 복수단으로 적층된 제 1 처리유닛군(13a)의 개략단면도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(1)의 상부에는, 제 1 처리스테이션(3)에 있어서의 제 1 처리유닛군으로서의 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)에 대해 상부로부터 온도조절된 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부(41)가 배치되어 있다. 청정에어 공급부(41)는 FFU(팬, 필터, 유닛) 및 온도나 습도를 조정하는 온도조절장치 등을 갖추고, 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)를 매개로 하여 유입한 기체로부터 온도 및 습도를 조정하여 파티클 등을 제거한 청정에어를 통로(43)를 매개로 하여 각 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에 공급한다. 더욱이, 도 1에 나타낸 바와 같이 통로(40)와 제 2 처리유닛군으로서의 가열·냉각처리유닛(10a)과의 사이에는 단열벽(39)이 배치되어 있다. 본 실시예에서는, 이렇게 단열벽이나 온도조절기구를 설치함으로써, 더욱 더 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 처리를 수행하기 위한 처리액 공급유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 다시 정밀하게 수행할 수 있다. 그리고, 같은 상태인 도 1에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리유닛군(13b, 13c, 13d)과 각각 대응하는 가열·냉각처리유닛(14b, 14c, 14d)과의 사이에도 청정에어 공급부(40)와 단열벽(39)이 각각 별개로 설치되어 있다.
다음으로, 이렇게 구성된 도포현상처리시스템(1)에 있어서의 처리공정을 설명하기로 한다.
도포현상처리시스템(1)에 있어서, 카세트(C) 내에 수용된 미처리 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리스테이션(3)의 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 있어서의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되어 냉각판(25) 위에 재치되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)에 있어서의 반사방지막 도포유닛(BCT)(16) 내에 반송되어 반사방지막용의 처리액이 도포된다.
반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에서 반사방지막용 처리액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되고, 냉각판(25) 위에 재치된다. 냉각판(25) 위에 재치된 웨이퍼(W)는, 도 7에 나타낸 바와 같이 이동기구(60)에 의해 수평이동되는 냉각판(25)에 의해 연통구(30)를 통해 가열처리유닛(HP)(20a) 내로 반송된다. 반송된 웨이퍼(W)는 상승한 상태의 리프트핀(23)에 의해 지지된다. 이 후, 리프트핀(23)이 하강하여 열판(24) 위에 웨이퍼(W)가 재치되고, 그것과 함께 링 셔터(22) 및 게이트 셔터(21)가 상승되어 형성된 가열처리공간 내에서 가열처리가 이루어진다. 가열처리 후, 리프트핀(23)이 상승됨과 동시에 링 셔터(22) 및 게이트 셔터(21)가 하강되고, 웨이퍼(W)는 열판(24)으로부터 이간되어 리프트핀(23)에 의해 지지된다.
그 후, 냉각파(25)이 다시 한번 가열처리유닛(HP) 내에 삽입되고, 가열처리된 웨이퍼(W)를 받아들인다. 웨이퍼(W)는 냉각판(25)에 의해 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18a)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 레지스트 도포유닛군(13b)에 있어서의 레지스트 도포유닛(CT)(17) 내에 반송되어 레지스트액이 도포된다.
레지스트 도포유닛(CT)(17)에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되고, 냉각판(25) 위에 재치된다. 냉각판(25) 위에 재치된 웨이퍼(W)는, 이동기구(60)에 의해 수평이동되는 냉각판(25)에 의해, 연통구(30)를 통해 가열처리유닛(HP)(20b) 내로 반송된다. 반송된 웨이퍼(W)는, 상승한 상태의 리프트핀(23)에 의해 지지된다. 그 후, 리프트핀(23)이 하강하여 열판(24) 위에 웨이퍼(W)가 재치되고, 그것과 동시에 링 셔터(22) 및 게이트 셔터(21)가 상승되어 형성된 가열처리공간 내에서 가열처리가 이루어진다. 가열처리 후, 리프트핀(23)이 상승됨과 동시에 링 셔터(22) 및 게이트 셔터(21)가 하강되고, 웨이퍼(W)는 열판(24)으로부터 이간되어 리프트핀(23)에 의해 지지된다.
그 후, 냉각판(25)이 다시 한번 가열처리유닛(HP)(20b) 내에 삽입되고, 가열처리된 웨이퍼(W)를 받아들인다. 웨이퍼(W)는, 냉각판(25)에 의해 냉각처리유닛(CPL)(18b) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18b)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)의 최하단에 배치되는 반송유닛(STL)(38b)으로 반송되고, 연통로(40a)를 통해 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)의 반송유닛(STL)(38c)으로 반송된다.
제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)에 있어서의 반송유닛(STL)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19b)에 의해 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)의 가열·냉각처리유닛(10d)의 냉각처리유닛으로 반송된다.
또한, 냉각처리유닛에 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(5)에 있어서의 웨이퍼 반송체(37)에 의해 주변노광장치(34) 내에 반송되어 주변노광이 이루어진다.
주변노광장치(34)에서 주변노광이 이루어진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(37)에 의해 버퍼카세트(33)에 반송되어 일단 보지되거나, 혹은 웨이퍼 반송체(37), 노광전 냉각유닛(도시생략), 웨이퍼 반송체를 매개로 하여 노광장치(도시생략)에 반송된다.
여기에서, 버퍼카세트(33)를 예를들어 2개 설치하고, 1개를 주변노광 후의 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 카세트, 또한 1개를 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 카세트로서 이용할 수 있다. 이 때, 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 보지하는 카세트에는, 웨이퍼(W)를 23℃ 전후의 상온에 냉각하는 기구를 설치하는 것이 바람직하다. 혹은, 버퍼카세트(33)는 주변노광 후의 웨이퍼(W) 만을 보지하고, 주변노광 전의 웨이퍼(W)는 제 2 처리유닛군(14c, 14d)의 가열·냉각처리유닛(10c, 10d) 중에 비어있는 냉각처리유닛(18c, 18d)을 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 대기시키는 장소로서 이용할 수도 있다. 이 경우, 주변노광 전의 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 버퍼카세트를 설치할 필요가 없다.
다음으로, 노광장치에 의해 노광처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체, 버퍼카세트(330 및 웨이퍼 반송체(37)를 매개로 하여 인터페이스부(5)로부터 제 2 처리스테이션(4)의 제 4 가열·냉각처리유닛군(14d)에 있어서의 제 4 가열·냉각처리유닛(10d)의 냉각처리유닛(CPL)(18d) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18d)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19d)에 의해 제 1 현상처리유닛군(13c) 또는 제 2 현상처리유닛군(13d)에 있어서의 현상처리유닛(DEV)(26)에 반송되어 현상처리가 이루어진다.
현상처리유닛(DEV)(26)에서 현상처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19d)에 의해 예를들면 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)에 있어서의 가열·냉각처리유닛(10c)의 냉각처리유닛(CPL)(18c)을 매개로 하여 상기 냉각처리유닛(CPL)(18c)과 인접하는 가열처리유닛(HP)(20c) 내에 반송되어 가열처리가 이루어진다.
가열처리유닛(HP)(20c)에서 가열처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(18c)에 반송되고, 반송장치(19b)에 의해 제 2 처리스테이션(4)에 있어서의 반송유닛(STL)(38c)으로 반송되어, 연통로(40a)를 통해 제 1 처리스테이션(3)에 있어서의 반송유닛(STL)(38d)으로 반송된다.
반송유닛(STL)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)에 있어서의 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(18a)에 반송된다. 그리고, 냉각처리유닛(18a) 내의 웨이퍼(W)는, 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다. 여기서, 검사기(6)를 설치할 경우에는, 냉각처리유닛(18a) 내의 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 검사기(6)에 반송된다. 검사기(6)에서는, 레지스트막의 막두께를 측정하는 것에 의해 노광현상처리에 의해 얻어지는 패턴의 폭이 적정한지 그렇지 않은지가 판단된다. 검사된 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다.
이상과 같이 구성된 본 실시예에 관련된 현상처리시스템에 의하면, 가열·냉각처리유닛의 냉각처리유닛(CPL)이 액처리유닛 측에 배치됨으로써 액처리유닛과 가열처리유닛(HP) 사이에 냉각처리유닛(CPL)이 개재하는 구조가 된다. 이로 인해, 액처리유닛 측에 대한 가열처리유닛으로부터의 열적영향을 적극 억제할 수 있다. 따라서, 해당 도포현상처리시스템에서는, 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하기 위한 액처리유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있다.
또한, 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 제 1 및 제 2 처리스테이션(3, 4)에 있어서의 액처리유닛군(반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b), 제 1 현상처리유닛군(13c), 제 2 현상처리유닛군(13d))과 가열·냉각처리유닛군(제 1∼제 4 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b, 14c, 14d))과의 사이에 각각 단열벽(39) 및 액처리유닛군(13a, 13b, 13c, 13d) 각각의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치된다. 이로 인해, 통로(40)는 단열수단의 기능도 수반하기 때문에, 제 1 처리유닛군(13)과 제 2 처리유닛군(14)과의 사이에 2중의 단열수단이 배치되는 것이 되고, 또한 액처리유닛군에 대한 가열·냉각처리유닛의 가열처리유닛의 열적영향을 억제하여, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 액처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있다.
이하, 도 9∼도 11을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 대해 설명하기로 한다. 도 9∼도 11은 본 발명의 한 실시예에 관한 도포현상처리시스템을 나타내는 도이고, 도 9는 평면도, 도 10은 정면도이다. 도 11은 도 9의 선 A-A'를 따라 절단한 경우의 단면도이고, 제 1 처리유닛군(13a)과 제 2 처리유닛군(14a)과 케미컬 타워(15a)의 X방향에 있어서의 위치관계를 나타내는 도이다.
본 실시예는 상술한 제 1 실시예와는 처리액을 수용하는 케미컬 타워의 배치가 다른 점, 2개의 반송장치(19a, 19b)의 사이에 배치되는 가열·냉각처리장치의 수가 1개인 점에서 구조가 상이하다. 이하, 제 2 실시예에 있어서 설명하겠지만, 제 1 실시예와 같은 구조에 대해서는 일부 설명을 생략하기로 한다. 또한, 제 1 실시예와 같은 구성에 대해서는 같은 부호를 붙여 설명하기로 한다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(1)은 제 1 실시예와 같은 카세트 스테이션(2)과, 도포현상처리공정 중에서 웨이퍼(W)에 대해 소정의 처리를 실시하는 낱장식의 각종 처리유닛을 다단 배치하여 이루어지는 제 1 처리스테이션(8)과, 상기 제 1 처리스테이션에 인접하여 배치된 제 2 처리스테이션(9)과, 상기 제 2 처리스테이션(9)에 인접하여 배치된 노광장치(도시생략)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 인터페이스부(5)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 제 1 처리스테이션(8)에서는 주로 웨이퍼(W) 상에 반사방지막 및 레지스트막의 도포처리가 이루어지고, 제 2 처리스테이션(9)에서는 노광된 레지스트막의 현상처리가 이루어진다.
카세트 스테이션(2)에 대해서는, 제 1 실시예와 같은 구조를 갖기 위한 설명은 생략하기로 한다.
도 9, 도 10에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(8)에서는 정면측에 액처리가 이루어지는 제 1 처리유닛군으로써, 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a) 및 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)이 설치되어 있다. 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)은, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 도포처리를 수행하는 반사방지막 도포유닛(BCT)군(16)이 Z축 방향에 3단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다. 또한, 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)은 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 도포처리를 수행하는 레지스트막 도포유닛(CT)(17)이 Z축 방향에 3단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다. 또한, 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a) 및 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b)에 각각 인접하여 케미컬 타워(15a, 15b)가 배치되어 있다. 케미컬 타워(15a)에는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에 처리액으로써 공급되는 반사방지막 재료가 수용되어 있고, 케미컬 타워(15b)에는 레지스트막 도포유닛(CT)(17)에 처리액으로써 공급되는 레지스트 재료가 수용되어 있다.
제 1 처리스테이션(8)의 배면부에는 반송장치(19a)를 사이에 두고, 제 2 처리유닛군으로써 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a), 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)이 배치되어 있다. 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a), 제 2 가열·냉각처리유닛(14b)은 각각 케미컬 타워(15a, 15b)에 인접하여 배치되어 있다. 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)에서는 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 Z축 방향에 8단으로 겹쳐 쌓여져 있다. 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)에서는 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)이 Z축 방향에 8단으로 겹쳐 쌓여져 구성되어 있다. 각 제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛(10a, 10b)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18a, 18b)과 가열처리를 수행하는 가열처리유닛(HP)(20a, 20b)이 각각 서로 인접하여 일체화하여 구성되어 있다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)은, 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 다단으로 적층되어 구성된다. 또한, 도 11은 도 9의 선 A-A'를 따라 절단하였을 경우의 단면도이고, X방향을 따라 제 1 처리유닛군(13a)과 케미컬 타워(15a)와 제 2 처리유닛군(14a)의 위치관계를 나타내는 도이다. 도 9, 도 11에 나타낸 바와 같이, 제 2 처리유닛군으로써의 제 1 가열·냉각처리유닛(14a)은, 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 8단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 있어서, 가열처리유닛(HP)(20a)과 냉각처리유닛(CPL)(18a) 중 냉각처리유닛(CPL)(18a)이 처리액 공급부로써의 케미컬 타워(15a) 측에 배치된다. 그리고, 상기 케미컬 타워(15a)에 인접하여 제 1 처리유닛군으로의 반사방지막 도포유닛군(13a)이 배치된다. 또한, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)도 마찬가지로, 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)이 8단으로 적층되어 구성되고, 모든 제 1 가열·냉각처리유닛(10b)에 있어서, 가열처리유닛(HP)(20b)과 냉각처리유닛(CPL)(18b) 중 냉각처리유닛(CPL)(18b)이 처리액 공급부로써의 케미컬 타워(15b) 측에 배치된다. 그리고, 상기 케미컬 타워(15b)에 인접하여 제 1 처리유닛군으로써의 레지스트막 도포유닛군(13b) 및 후술할 제 1 현상유닛군(13c)이 배치된다.
수직반송형 반송장치(19a)의 주위에는, 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b), 제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b)이 배치되어 있다. 제 1 처리스테이션(8)에 있어서의 반송장치(19a), 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b), 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)의 구조는, 상술한 제 1 실시예에 있어서의 제 1 처리스테이션(3)과 각 구성과 같은 구조를 하고 있어, 여기에서는 상세한 설명은 생략하기로 한다. 본 실시예에 있어서의 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)은 상술한 제 1 실시예에 있어서의 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)과 비교하여, 양측면에 셔터부재(47a, 47b)가 있는 점과 반송유닛(STL)이 없는 점에서 구조가 다르다. 본 실시예에 있어서는, 제 1 처리스테이션(8)과 후술할 제 2 처리스테이션(9)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송은, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)의 각 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)의 냉각처리유닛(18b)을 매개로 수행할 수 있다. 그 때문에, 각 냉각처리유닛(18b)의 양측면에 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있다.
한편, 제 2 처리스테이션(9)에서는, 도 9, 도 10에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(8)과 같이 정면측에 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛군으로써, 제 1 현상처리유닛군(13c) 및 제 2 현상처리유닛군(13d)이 배치되어 있다. 제 1 현상유닛군(13c)은 현상처리유닛(DEV)(26)이 Z축 방향에 2단으로 겹쳐 쌓여져 구성되고, 제 2 현상처리유닛군(13d)도 같이 현상처리유닛(DEV)(26)이 Z축 방향에 2단으로 겹쳐 쌓여져 구성되어 있다. 또한, 제 2 현상처리유닛군(13d)에 인접하여 케미컬 타워(15c)가 배치되어 있다. 상기 케미컬 타워(15c)에는, 현상처리유닛(DEV)(26)에 처리액으로써 공급되는 현상액이 수용되어 있다.
제 2 처리스테이션(9)의 배면부에는, 반송장치(19b)를 사이에 두고 제 2 가열·냉각처리유닛군(10b)에 마주본 위치에, 제 2 처리유닛군으로써 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)이 배치되어 있다. 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)은 각각 케미컬 타워(15c)에 인접하여 배치되어 있다. 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)은 제 3 가열·냉각처리유닛(10c)이 Z축 방향에 8단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다.
제 3 가열·냉각처리유닛(10c)은, 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18c)과 가열처리를 수행하는 처리유닛(HP)(20c)이 각각 서로 인접되어 일체화하여 구성되어 있다. 그리고, 도 9에 나타낸 바와 같이, 적층된 모든 제 3 가열·냉각처리유닛(10c)의 냉각처리유닛(CPL)(18c)과 가열처리유닛(HP)(20c) 중 냉각처리유닛(CPL)(18c)이 처리액 공급부로서의 케미컬 타워(15c) 측에 배치된다. 그리고, 상기 케미컬 타워(15c)에 인접하여 제 1 처리유닛군으로써의 제 2 처리유닛(DEV)군(13d)이 배치된다.
수직반송형의 반송장치(19b)의 주위에는, 제 1 현상처리유닛군(13c), 제 2 현상처리유닛군(13d), 제 2 및 제 3 가열·냉각처리유닛군(14b, 14c)이 배치되어 있다. 여기서, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)은 웨이퍼 상에의 도포막의 성막 전후의 가열처리 또는 냉각처리, 현상처리 전후의 가열처리 또는 냉각처리의 어느쪽에도 대응할 수 있다. 그리고, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)과 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)과 제 1 또는 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13c, 13d)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송, 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)과 제 1 또는 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13c, 13d)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송은 반송장치(19b)에 의해 이루어진다. 제 2 또는 제 3 가열·냉각처리유닛군(14b, 14c)과 반송장치(19b)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달은, 각각의 냉각처리유닛(18b, 18c)에 설치된 47b, 47a를 매개로 이루어진다. 또한, 제 3 가열·냉각처리유닛(10c)의 냉각처리유닛(18c)과 웨이퍼 반송체(37)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달은 냉각처리유닛(18c)의 셔터부재(47b)를 매개로 이루어진다.
인터페이스부(5)는 상술한 제 1 실시예에 있어서의 인터페이스부(5)와 같은 구조이기 때문에 개개의 설명을 생략하기로 한다.
또한, 상기 도포현상처리시스템(1)에서는, 도 9, 도 11에 나타낸 바와 같이 제 1 처리스테이션(8) 및 제 2 처리스테이션에 있어서의 제 1 처리유닛군(130(반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13b), 제 1 현상처리유닛(DEV)군(13c), 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13d)과 제 2 처리유닛군(14)(제 1 가열·냉각처리유닛군(14a), 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b), 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c))과의 사이에는, 케미컬 타워(15)(15a, 15b, 15c)가 배치된 구조로 되어 있으며, 더욱이 케미컬 타워(15)와 제 2 처리유닛군(14) 과의 사이에는 단열벽(39) 및 제 2 처리유닛군(13)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치되어 있다. 또한, 케미컬 타워(15b)에 인접하여 설치된 통로(40) 및 단열벽(39)은, 1개의 제 2 처리유닛군(14b)에 대응한 2개의 제 1 처리유닛군(13b, 13c)에 대한 온도조절기구 및 단열수단으로서 기능한다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 1 실시예와 같이 도포현상처리시스템의 상부에 각 제 1 처리유닛군에 대한 상부로부터 온도조절된 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부가 배치되어 있다. 청정에어 공급부는, FFU(팬, 필터, 유닛) 및 온도나 습도를 조정하는 온도조절장치 등을 갖추고, 제 1 처리유닛군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)를 매개로 유입한 기체로부터 온도 및 습도를 조정하여 파티클 등을 제거한 청정에어를 통로(43)를 매개로 제 1 처리유닛군에 제공한다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 1 실시예와 같이 단열벽(39) 및 제 1 처리유닛군(13)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치된 온도조절기구를 설치함으로써, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 처리를 수행하기 위한 처리액 공급유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있다. 더욱이, 통로(40)는 단열수단의 기능을 수반하기 때문에, 제 2 처리유닛군(14)과 케미컬 타워(15)와의 사이에 단열벽(39) 및 통로(40)가 설치됨으로써 2중의 단열수단이 배치되게 된다. 그 때문에, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 액처리유닛군에 있어서의 상온제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있고, 또한, 케미컬 타워(15)에 수용되는 처리액은 가열처리유닛(20)에 의한 열적영향을 받기 어려워 처리액의 온도조정이 용이해진다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 상술한 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 반사방지막을 도포하고, 그 웨이퍼(W)에 대해 반사방지막 도포처리를 실시하는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)이 3단으로 겹쳐 쌓여져 있다. 레지스트 도포유닛군(13b)에서는 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 레지스트액을 도포하고, 그 웨이퍼(W)에 대해 레지스트 도포처리를 실시하는 레지스트 도포유닛(CT)이 3단으로 겹쳐 쌓여져 있다. 제 1 현상처리유닛군(13c)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하며, 그 웨이퍼(W)에 대해 현상처리를 실시하는 현상처리유닛(DEV)(26)이 위에서부터 2단으로 겹쳐 쌓여져 있다. 이와 마찬가지로, 제 2 현상처리유닛군(13d)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하고, 그 웨이퍼(W)에 대해 현상처리를 실시하는 현상처리유닛(DEV)(26)이 위에서부터 2단으로 겹쳐 쌓여져 있다.
제 1, 제 2 및 제 3 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b, 14c)에서는, 각각 웨이퍼(W)에 대해 가열처리를 실시하는 가열처리유닛(HP)(20)과 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 실시하는 냉각처리유닛(CPL)(18)을 서로 인접시켜 일체화한 가열·냉각처리유닛(10)이 8단으로 겹쳐 쌓여져 있고, 상술한 바와 같이 모든 냉각처리유닛의 측면에 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있다. 더욱이, 본 실시예에 있어서는 가열·냉각처리유닛(10)의 구조는 상술한 제 1 실시예와 같기 때문에 여기서는 설명을 생략하기로 한다.
상술한 반송장치(19a, 19b)의 구조는 상술한 제 1 실시예의 반송장치(19a, 19b)와 같은 구조이기 때문에 그 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 이렇게 구성된 도포현상처리시스템(1)에 있어서의 처리공정을 설명하기로 한다. 또한, 가열·냉각처리유닛에 있어서의 동작은 상술한 제 1 실시예와 같기 때문에 생략하기로 한다.
도포현상처리시스템(1)에 있어서, 카세트(C) 내에 수용된 미처리 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리스테이션(3)의 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 있어서의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되어 냉각판(25) 상에 재치되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a)에 있어서의 반사방지막 도포유닛(BCT)(16) 내에 반송되어 반사방지막용의 처리액이 도포된다.
반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에서 반사방지막용 처리액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되고, 냉각판(25) 상에 재치된다. 냉각판(25) 상에 재치된 웨이퍼(W)는 가열처리유닛(HP)(20a) 내에 반송되어 가열처리가 이루어진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18a)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 레지스트 도포유닛군(13b)에 있어서의 레지스트 도포유닛(CT)(17) 내에 반송되어 레지스트액이 도포된다.
레지스트 도포유닛(CT)(17)에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19a)에 의해 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)의 냉각처리유닛(CPL)(18b) 내에 반송된다. 또한, 웨이퍼(W)는 가열처리유닛(HP)(20b) 내로 반송되어 가열처리가 이루어진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(CPL)(18b) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다. 냉각처리유닛(CPL)(18b)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 반송장치(19b)에 의해 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)의 가열·냉각처리유닛(10c)의 냉각처리유닛(18c)에 반송된다.
또한, 냉각처리유닛에 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(5)에 있어서의 웨이퍼 반송체(37)에 의해 주변노광장치(34) 내에 반송되어 주변노광이 이루어진다.
주변노광장치(34)에서 주변노광이 이루어진 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체(37)에 의해 버퍼카세트(33)로 반송되어 일단 보지되거나, 혹은 웨이퍼 반송체(37), 노광전 냉각유닛(도시생략), 웨이퍼 반송체를 매개로 하여 노광장치(도시생략)로 반송된다.
다음으로, 노광장치에 의해 노광장치가 이루어진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체, 버퍼카세트(33) 및 웨이퍼 반송체(37)를 매개로 하여 인터페이스부(5)로부터 제 2 처리스테이션(9)의 제 3 가열·냉각처리유닛군(14c)에 있어서의 제 3 가열·냉각처리유닛(10c)의 냉각처리유닛(CPL)(18c) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18c)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19b)에 의해 제 1 현상처리유닛군(13c) 또는 제 2 현상처리유닛군(13d)에 있어서의 현상처리유닛(DEV)(26)에 반송되어 현상처리가 이루어진다.
현상처리유닛(DEV)(26)에서 현상처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19b)에 의해 예를들면 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)에 있어서의 가열·냉각처리유닛(10b)의 냉각처리유닛(CPL)(18b)을 매개로, 상기 냉각처리유닛(CPL)(18b)과 인접하는 가열처리유닛(HP)(20b) 내로 반송되어 가열처리가 이루어진다.
가열처리유닛(HP)(20b)에서 가열처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(18b)으로 반송되고, 반송장치(19a)에 의해 제 1 가열·냉각처리유닛 스테이션군(14a)에 있어서의 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(18a)에 반송된다. 그리고, 냉각처리유닛(18a) 내의 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다.
이상과 같이 구성된 본 실시예에 관련된 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유닛(BCT, CT, DEV)과 인접하여 처리액 공급부로서의 케미컬 타워가 배치되고, 케미컬 타워와 인접하여 가열·냉각처리유닛이 배치되고, 가열·냉각처리유닛의 냉각처리유닛(CPL)이 케미컬 타워 측에 배치됨으로써, 가열·냉각처리유닛의 가열처리유닛과 액처리유닛과의 사이에는 냉각처리유닛 및 케미컬 타워가 개재하는 구조가 된다. 이로 인해, 액처리유닛 측에 대한 가열처리로부터의 열적영향을 대폭 억제할 수 있고, 그 도포현상처리시스템에서는 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하기 위한 액처리유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있다.
또한, 본 실시예에 관한 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유닛군(반사방지막 도포유닛(BCT)군(13a), 레지스트막 도포유닛(CT)군(13a), 제 1 현상처리유닛(DEV)군(13c), 제 2 현상처리유닛(DEV)군(13d))과 가열·냉각처리유닛군(제 1 내지 제 3 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b, 14c))과의 사이에 각각 단열벽(39) 및 액처리유닛군(13a, 13b, 13c, 13d) 각각의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치됨으로써, 또한 액처리유닛군에 대한 가열·냉각처리유닛의 가열처리유닛의 열적영향을 방지하고, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 액처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있다.
이하, 도 12∼도 14를 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 대해 설명하기로 한다. 도 12∼도 14는 본 발명의 한 실시예에 관한 도포현상처리시스템을 나타내는 도이고, 도 12는 평면도, 도 13은 정면도이다. 도 14는, 도 12의 선 B-B'를 따라 절단한 경우의 단면도이고, 제 1 처리유닛군(13a)과 제 2 처리유닛군(14a)과의 X방향에 있어서의 위치관계를 나타내는 도이다.
본 실시예는, 상술한 제 1 실시예와는, 처리액을 수용하는 케미컬 타워의 배치위치, 반송장치 및 가열·냉각처리장치의 수가 적은 점, 반사방지막 도포유닛(BCT) 및 레지스트막 도포유닛(CT)이 겹쳐 쌓여져 있는 점에서 구조상 다르며, 제 1 및 제 2 실시예와 비교하여 시스템 전체가 소형화되어 있다.
이하, 제 3 실시예에 있어서 설명하는데, 제 1 실시예와 같은 구조에 대해서는 일부 설명을 생략하기로 한다. 또한, 제 1 실시예와 같은 구성에 대해서는 같은 부호를 붙여서 설명하기로 한다.
도 12에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(1)은 제 1 실시예와 같은 카세트 스테이션(2)과, 도포현상처리공정 중에서 웨이퍼(W)에 대해 소정의 처리를 실시하기 위한 낱장식의 각종 처리유닛을 다단배치하여 이루어지는 제 1 처리스테이션(45)과, 상기 제 1 처리스테이션에 인접하여 배치된 제 2 처리스테이션(46)과, 상기 제 2 처리스테이션(46)에 인접하여 배치된 노광장치(도시생략) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 하기 위한 인터페이스부(5)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 제 1 처리스테이션(45)에서는 주로 웨이퍼(W) 상에 반사방지막 및 레지스트막의 도포처리가 이루어지고, 제 2 처리스테이션(46)에서는 노광된 레지스트막의 현상처리가 이루어진다. 도포현상처리시스템(1)의 거의 중앙부에는 반송장치(19)가 배치되고, 반송장치(19)는 제 1 처리스테이션(450 및 제 2 처리스테이션(46)에 있어서의 처리중인 웨이퍼(W)의 반송에 이용된다.
카세트 스테이션(2)에 대해서는, 제 1 실시예와 거의 같은 구조를 갖기 때문에 다른 부분만 설명하기로 한다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 카세트 스테이션(2)의 바닥부에는 후술할 레지스트막 도포유닛(CT)(17)에 처리액으로써 공급되는 레지스트막 재료가 수용되는 케미컬 타워(15b)가 배치되어 있다.
도 12, 도 13에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리스테이션(45)에서는 정면측에 액처리가 이루어지는 제 1 처리유닛군으로서, 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e)이 설치되어 있다. 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e)은, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 도포처리를 수행하는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16), 레지스트막 도포유닛(CT)(17)이 각각 2단씩 Z축 방향으로 겹쳐 쌓여져 구성된다. 또한, 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e)에 인접하여 케미컬 타워(15a)가 배치되어 있다. 케미컬 타워(15a)에는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에 처리액으로써 공급되는 반사방지막 재료가 수용되어 있다.
제 1 처리스테이션(45)의 배면부에는, 케미컬 타워(15a)에 인접하여 제 2 처리유닛군으로서의 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)이 배치되어 있다. 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)에서는 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 Z축 방향에 다단으로 겹쳐 구성되어 있다. 각 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18a)과 가열처리를 수행하는 가열처리유닛(HP)(20a)이 각각 서로 인접되어 일체화하여 구성되어 있다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)은 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 12단으로 적층되어 구성된다. 더욱이, 도 14는 도 12의 선 B-B'를 따라 절단한 경우의 단면도이고, X방향을 따른 제 1 처리유닛군(13a)과 제 2 처리유닛군(14a)과 케미컬 타워(15a)의 위치관계를 나타내는 도이다. 도 12, 도 14에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)은 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)이 12단으로 적층되어 구성되고, 케미컬 타워(15a)에 인접하여 배치되어 있다. 또한, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)의 모든 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 있어서, 가열처리유닛(HP)(20a)과 냉각처리유닛(CPL)(18a) 중 냉각처리유닛(CPL)(18a)이 케미컬 타워(15a) 측에 위치하도록 배치되어 있다. 그리고, 케미컬 타워(15a)에 인접하여 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e)이 배치되어 있다.
한편, 제 2 처리스테이션(46)에서는, 도 12, 도 13에 나타낸 바와 같이 정면측에 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛군으로써 현상처리유닛군(13f)이 배치되어 있다. 현상처리유닛군(13f)은 현상처리유닛(DEV)(26)이 Z축 방향에 4단으로 겹쳐 쌓여져 구성되어 있다. 또한, 현상처리유닛(13f)에 인접하여 케미컬 타워(15c)가 배치되어 있다. 상기 케미컬 타워(15c)에는 현상처리유닛(DEV)(26)에 처리액으로써 공급되는 현상액이 수용되어 있다.
제 2 처리스테이션(46)의 배면부에는, 케미컬 타워(15c)와 인접하여 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)에 배치되어 있다. 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)은 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)이 Z축 방향으로 12단으로 겹쳐 쌓여져 구성된다. 그리고, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)의 모든 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)에 있어서, 가열처리유닛(HP)(20b)과 냉각처리유닛(CP) (18b) 중 냉각처리유닛(CP)(18b)이 케미컬 타워(15c) 측에 위치하도록 배치되어 있다. 그리고, 케미컬 타워(15c)에 인접하여 현상처리유닛(DEV)군(13f)이 배치되어 있다.
수직반송형 반송장치(19)의 주위에는, 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e), 현상처리유닛군(13f), 제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛군 (14a, 14b)이 배치되어 있다. 각 유닛군 간의 웨이퍼(W)의 반송은 반송장치(19)에 의해 이루어진다. 또한, 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)과 웨이퍼 반송체(11)와의 웨이퍼(W)의 전달, 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)과 웨이퍼 반송체(37)와의 웨이퍼(W)의 전달, 제 1 또는 제 2 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b)의 각 가열·냉각처리유닛(10a, 10b)의 냉각처리유닛(18a, 18b)의 양측면에 설치된 셔터부재(47a, 47b)를 매개로 이루어진다.
인터페이스부(5)는, 상술한 제 1 실시예에 있어서의 인터페이스부(5)와 같은 구조이므로 그 설명은 생략하기로 한다.
상기 도포현상처리시스템(1)에서는, 도 12, 도 13에 나타낸 바와 같이 제 1 처리유닛군(13)(반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e), 현상처리유닛군 (13f)과 제 2 처리유닛군(14)(제 1 가열·냉각처리유닛군(14a), 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b))과의 사이에는, 케미컬 타워(15)(15a, 15c)가 배치된 구조가 되고, 또한, 케미컬 타워(15)와 제 2 처리유닛군(14)과의 사이에는 단열벽(39) 및 제 1 처리유닛군(13)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치되어 있다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 1 실시예와 같이 도포현상처리시스템의 상부에 각 제 1 처리유닛군에 대해 상부로부터 온도조절된 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부가 배치되어 있다. 청정에어 공급부는 FFU(팬, 필터, 유닛) 및 온도나 습도를 조정하는 온도조절장치 등을 갖추고, 제 1 처리유닛군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)를 매개로 유입한 기체로부터 온도 및 습도를 조정하여 파티클 등을 제거한 청정에어를 통로(43)를 매개로 하여 제 1 처리유닛군에 공급한다. 본 실시예에 있어서도, 상술한 제 1 실시예와 같이 단열벽(39) 및 제 1 처리유닛군(13)의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치된 온도조절기구를 설치함으로써, 다시 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각처리를 수행하기 위한 처리액 공급유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 다시 정밀하게 수행할 수 있다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 상술한 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 반사방지막을 도포하고, 상기 웨이퍼(W)에 대해 반사방지막 도포처리를 실시하는 반사방지막 도포유닛(BCT)(16)이 2단, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 레지스트액을 도포하여 상기 웨이퍼(W)에 대해 레지스트 도포처리를 실시하는 레지스트 도포유닛(CT)(17)이 2단으로 겹쳐 쌓여져 있다. 현상처리유닛군(13f)에서는, 컵 내에서 웨이퍼(W)를 스핀척에 올려 현상액을 공급하고, 상기 웨이퍼(W)에 대해 현상처리를 실시하는 현상처리유닛(DEV)(26)이 42단으로 겹쳐 쌓여져 있다.
제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b)에서는, 각각 웨이퍼(W)에 대해 가열처리를 수행하는 가열처리유닛(HP)(20)과 웨이퍼(W)에 대해서 냉각처리를 수행하는 냉각처리유닛(CPL)(18)을 서로 인접시켜 일체화한 가열·냉각처리유닛(10)이 12단으로 겹쳐 쌓여져 구성되어 있다. 그리고, 모든 가열·냉각처리유닛(10)의 냉각처리유닛 측면에 셔터부재(47a, 47b)가 설치되어 있다. 더욱이, 본 실시예에 있어서의 가열·냉각처리유닛(10)의 구조는, 상술한 제 1 실시예와 같기 때문에, 여기에서는 설명을 생략하기로 한다.
상술한 반송장치(19)의 구조는, 상술한 제 1 실시예의 반송장치(19a, 19b)와 같은 구조이기 때문에 설명을 생략하기로 한다.
다음에, 이렇게 구성된 도포현상처리시스템(1)에 있어서의 처리공정을 설명하기로 한다. 더욱이, 가열·냉각처리유닛에 있어서의 동작은 상술한 제 1 실시예와 같으므로 생략하기로 한다.
도포현상처리시스템(1)에 있어서, 카세트(C) 내에 수용된 미처리 웨이퍼(W)는 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 꺼내어진 후, 제 1 처리스테이션(3)의 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)에 있어서의 냉각처리유닛(CPL) (18a) 내에 반송되어 냉각판(25) 상에 재치되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19)에 의해 반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e)에 있어서의 반사방지막 도포유닛(BCT)(16) 내에 반송되어 반사방지막용 처리액이 도포된다.
반사방지막 도포유닛(BCT)(16)에서 반사방지막용 처리액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19)에 의해 제 1 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내에 반송되어 냉각판(25) 상에 재치된다. 냉각판(25) 상에 재치된 웨이퍼(W)는 가열처리유닛(HP)(20a) 내에 반송되어 가열처리가 이루어진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(CPL)(18a) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18a)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 반송장치(19)에 의해 반사방지막·레지스트막 도포유닛군(13e)에 있어서 레지스트 도포유닛(CT)(17) 내에 반송되어 레지스트액이 도포된다.
레지스트 도포유닛(CT)(17)에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는, 반송장치(19)에 의해 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)의 냉각처리유닛(CPL)(18b) 내에 반송된다. 또한, 웨이퍼(W)는 가열처리유닛(HP)(20b) 내로 반송되어 가열처리가 이루어진다.
그 후, 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(CPL)(18b) 내로 반송되어 냉각처리가 이루어진다. 냉각처리유닛(CPL)(18b)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 인터페이스부(5)에 있어서의 웨이퍼 반송체(37)에 의해 주변노광장치(34) 내로 반송되어 주변노광이 이루어진다.
주변노광장치(34)에서 주변노광이 이루어진 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송체(37)에 의해 버퍼카세트(33)에 반송되어 일단 보지되거나, 혹은 웨이퍼 반송체(37), 노광전 냉각유닛(도시생략), 웨이퍼 반송체를 매개로 노광장치(도시생략)에 반송된다.
다음으로, 노광장치에 의해 노광처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체, 버퍼카세트(33) 및 웨이퍼 반송체(37)를 매개로 인터페이스부(5)로부터 제 2 처리스테이션(46)의 제 2 가열·냉각처리유닛군(14b)에 있어서의 제 2 가열·냉각처리유닛(10b)의 냉각처리유닛(CPL)(18b) 내에 반송되어 냉각처리가 이루어진다.
냉각처리유닛(CPL)(18b)에서 냉각처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19)에 의해 현상처리유닛군(13f)에 있어서의 현상처리유닛(DEV)(26)에 반송되어 현상처리가 이루어진다.
현상처리유닛(DEV)(26)에서 현상처리가 이루어진 웨이퍼(W)는, 반송장치(19)에 의해 제 1 가열·냉각처리유닛군(14a)에 있어서의 가열·냉각처리유닛(10a)의 냉각처리유닛(CPL)(18a)을 매개로 상기 냉각처리유닛(CPL)(18a)과 인접하는 가열처리유닛(HP)(20a) 내에 반송되어 가열처리가 이루어진다.
가열처리유닛(HP)(20a)에서 가열처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 냉각처리유닛(18a)으로 반송되어 다시 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송체(11)에 의해 카세트(C) 내에 수용된다.
이상과 같이 구성된 본 실시예에 관한 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유닛(BCT, CT, DEV)과 인접하여 처리액 공급부로서의 케미컬 타워가 배치되고, 케미컬 타워와 인접하여 가열·냉각처리유닛이 배치되고, 가열·냉각처리유닛(CPL)이 케미컬 타워 측에 배치됨으로써 가열·냉각처리유닛의 가열처리유닛과 액처리유닛 사이에는 냉각처리유닛 및 케미컬 타워가 개재하는 구조로 된다. 이로 인해, 액처리유닛 측에 대한 가열처리유닛으로부터의 열적영향을 대폭 억제할 수 있고, 해당 도포현상처리시스템에서는 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하기위한 액처리유닛(BCT, CT, DEV)에 있어서의 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있다.
또한, 본 실시예에 관한 도포현상처리시스템에 의하면, 액처리유닛군(반사방지막·레지스트막 도포유닛(CT)군(13e), 현상처리유닛군(13f)과 가열·냉각처리유닛군(제 1 및 제 2 가열·냉각처리유닛군(14a, 14b))과의 사이에 각각 단열벽(39) 및 액처리유닛군(13e, 13f) 각각의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로(40)가 배치됨으로써, 액처리유닛군에 대한 가열·냉각처리유닛의 가열처리유닛의 열적영향을 방지하고, 상온부근에서 웨이퍼(W)에 대해 액처리를 수행하는 액처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있다. 또한, 통로(40)는 일종의 단열수단을 갖게 되고, 제 2 처리유닛군(14)과 케미컬 타워(15)와의 사이에 단열벽(39) 및 통로(40)가 설치되어짐으로써 2중의 단열수단을 갖는 구조로 된다. 그 때문에, 케미컬 타워(15)에 수용되는 처리액은 가열처리유닛(20)에 의한 열적영향을 받기 어려워 온도조정이 용이해진다.
더욱이, 상기 각 실시예에서는, 기판으로써 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명하였는데, LCD 기판 등의 다른 기판에서도 본 발명을 적용할 수 있다.
본 발명의 시스템 구성은 상술한 각 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 구성을 생각할 수 있다.
예를들면, 레지스트 도포현상시스템 만이 아니라 다른 시스템, 예를들면 기판 상에 층간절연막을 형성하는 SOD(Spin on Dielectric) 처리시스템 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. SOD 처리시스템은, 기판 상에 층간절연막 재료를 도포하는 도포유닛과, 절연막 재료가 도포된 기판을 가열, 냉각하는 가열·냉각처리유닛을 갖추고 있다. 상기 가열·냉각처리유닛은, 본 실시예의 가열·냉각처리유닛과 같은 상태로 가열처리유닛과 이에 인접하여 설치된 냉각처리유닛을 갖고 있고, SOD 처리시스템에 있어서의 가열처리유닛은 설정온도를 200∼470℃로 하는 것이 가능한 열판을 갖고 있다. 이러한 고온처리가 실시되는 유닛 및 액처리유닛으로서의 도포유닛을 갖는 시스템에, 본 발명과 같이 냉각처리유닛이 도포유닛 측에 배치되는 것처럼 도포유닛과 가열·냉각처리유닛을 배치하는 것은 매우 유효하다. 혹은, 액처리유닛에 인접하여 배치된 도포유닛에 공급하는 처리액을 수용하는 처리액 수용부를, 가열·냉각처리유닛에 인접하여 배치하고, 또한 냉각처리유닛을 처리액 수용부 측에 위치하도록 배치하는 것은 매우 유효하다. 이로 인해, 액처리유닛군에 있어서의 온도제어를 극히 정밀하게 수행할 수 있다.
또한, 시스템 구성으로서 도 1∼도 4에 나타낸 시스템에 한정되지 않고, 예를들면 도 15에 나타낸 바와 같이 도 1의 시스템에 한대의 반송장치(19c)와 한대의 액처리유닛(26a)으로써의 현상처리유닛과 1군의 가열·냉각처리유닛군(14)으로 이루어지는 하프블럭(4a)을 다시 증설하도록 구성하여도 상관없다. 이렇게 하프 블럭을 증설 가능하게 함으로써 보다 자세하게 풋 프린트의 조정이 가능해지고, 이로 인해 풋 프린트의 최적화를 도모할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 다른 실시예를 설명하기로 한다.
본 실시예는, 본 발명의 기판처리장치를 기판의 도포, 현상장치에 적용한 것이다. 도 16은 본 실시예의 내부를 투시하여 나타내는 개략도이고, 도 17은 개략평면도이다. 도에서 S1은 카세트 스테이션, S2는 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트의 도포처리나 현상처리 등을 수행하기 위한 처리스테이션, S3는 인터페이스 스테이션, S4는 노광스테이션이다.
카세트 스테이션(S1)은, 복수의 기판 예를들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납한 예를들면 5개의 기판 카세트를 이루는 웨이퍼 카세트(이하, "카세트"라 한다)(122)를 X방향으로 배열하여 재치하는 재치부를 이루는 카세트 스테이지(121)와, 카세트 스테이지(121) 상의 카세트(122)와 후술할 처리스테이션(S2)의 전달부와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 전달수단을 이루는 전달아암(123)을 갖추고 있다. 전달아암(123)은 승강이 자유롭고, X, Y방향으로 이동이 자유로워 연직축 주변에 회전이 자유롭게 구성되어 있다.
처리스테이션(S2)은 카세트 스테이션(S1)으로부터 노광스테이션(S4)을 보고 안쪽을 향해 3개의 블럭(B1, B2, B3)이 배열되어 구성된다. 각 블럭(B1, B2, B3) 및 인터페이스 스테이션(S3)은 바구니로 둘러싸여 있고, 각 블럭(B1, B2, B3) 사이, 및 블럭(B1)과 카세트 스테이션(S1) 사이, 블럭(B3)과 인터페이스 스테이션(S3) 사이에도 나뉘어져 있어, 각각 분위기가 구획되도록 구성되어 있다. 즉, 카세트 스테이션(S1) 및 블럭(B1, B2, B3)은 클린에어의 다운플로우가 형성되어 있다.
블럭(B1)은 카세트 스테이션(S1)의 배면을 따라 설치된 선반유닛(R1)과, 카세트 스테이션(S1)에서 안쪽을 보고 좌측 및 우측에 각각 설치된 선반유닛(R2) 및 액처리유닛인 반사방지막 형성유닛(103)과, 선반유닛(R1, R2) 및 반사방지막 형성유닛(103) 사이 및 이웃의 블럭(B2)의 전달부 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 수행하는 기판반송수단인 메인아암(104A)과, 후술할 용기수납부인 케미컬 유닛(105A)을 갖추고 있다.
도 18은 카세트 스테이션(S1) 및 블럭(B1)의 일부를 측면에서 보아 평면적으로 전개한 설명도이다. 상기 선반유닛(R1)은 도 18에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열부(124), 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각부(125)가 겹쳐 쌓여져 있고, 또한 이 선반의 일부에 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 수행하는 얼라이먼트부(126)와, 전달아암(123) 및 메인아암(104A) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하는 스테이지를 갖춘 전달부(127)가 할당되어 있다. 즉, 가열부(124), 냉각부(125)는 서로 다른 선반유닛에 각각 할당하여도 좋다.
반사방지막 형성유닛(103)에 대해 예를들면 도 19를 바탕으로 설명하면, 131은 컵이고, 상기 컵(131) 내에 진공흡착기능을 갖는 회전이 자유로운 스핀척(132)이 설치되어 있다. 상기 스핀척(132)은 승강기구(133)에 의해 승강이 자유롭게 구성되어 있고, 컵(131)의 상방측에 위치하고 있을 때 상기 반송수단(104A)의 후술할 아암(141)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다. 134는 토출노즐, 135는 처리액 공급관, 134a는 노즐을 수평이동시키는 지지아암이다. 처리액 공급관(135)은, 처리액을 수납하고 있는 용기(151) 내에 상류단이 돌출되어 있고, 용기(151) 내에 저장된 처리액을 펌프(136)에 의해 흡입하여 필터(137)에서 여과하고, 파티클 등을 제거한 처리액을 쌕 밸브(138), 노즐(134)을 통해 토출한다. 노즐(134)로부터 토출한 처리액은 스핀척(132)에 의해 회전하고 있는 웨이퍼(W) 상에 떨어져 확장되어 반사방지막이 형성된다. 또한, 컵(131) 내에는 기체·액체 분리수단(139a)을 매개로 배기펌프(139)에 의해 흡인되어 있다.
도 20은 반사방지막 형성유닛(103) 및 케미컬 유닛(105A)의 레이아웃을 옆에서 본 도이고, 반사방지막 형성유닛(103)은 예를들면 3단으로 겹쳐 쌓여져 있다. 각 유닛(103)은, 상술한 컵(131)이나 노즐(134a)이 바구니(130)에 의해 덮여 있음과 동시에, 바구니(130)의 상부에 필터유닛(F)이 설치되어 있고, 필터유닛(F)으로부터 온도, 습도가 조정된 청정기체의 다운플로우가 형성되고, 바구니(130)에 의해 그 외 분위기로 구획되어 있다.
3단의 반사방지막 형성유닛(103)의 카세트 스테이션(S1) 측의 이웃에는, 상술한 바와 같이 케미컬 유닛(105A)이 설치되고, 상기 케미컬 유닛(105A)은 전체가 바구니(150)로 둘러싸임과 동시에, 예를들면 3단의 반사방지막 형성유닛(103)의 각각에 사용되는 처리액을 수납한 용기(151)가 3단으로 배치되어 수납되어 있다. 또한, 케미컬 유닛(105A) 내에는 펌프(136), 필터(137) 및 쌕 밸브(138) 등의 처리액 공급제어기기가 수납되어 있다. 즉, 도면에서는 용기(151)를 대표하여 기재되어 있다.
또한, 최하단의 반사방지막 형성유닛(103)의 아래쪽에는, 각 단의 반사방지막 형성유닛(103)에 이용되는 용력기기(161)가 바구니(160) 내에 모아서 배치되어 용력계 유닛(106A)을 구성하고 있다. 용력기기(161)란, 예를들면 컵(31) 내를 배기하기 위한 배기펌프(139), 스핀척(132)의 흡인원인 진공펌프, 승강부(133)를 이루는 에어실린더에 이용되는 에어원, 스핀척(132)을 회전시키는 모터의 전력원 등이 상당한다. 또한, 용기 내에 가압기체가 공급됨으로써 처리액이 토출되는 경우에는 가압기체의 공급원인 예를들면 질소봄베 등도 용력기기(161)에 해당한다. 상기 메인아암(104A)은 도 5에 나타낸 바와 같다.
이상과 같이 블럭(B1)은 구성되어 있지만, 상기 블럭(B1)의 이웃에 접속되어 있는 블럭(B2)도 같은 구성이다. 블럭(B1)이 웨이퍼(W)의 표면에 반사방지막을 형성하는 것에 비해, 블럭(B2)은 웨이퍼(W)의 반사방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위한 것이고, 반사방지막 형성유닛(103) 대신에 액처리유닛인 레지스트액을 도포하는 도포유닛(107)이 배치되어 있다. 양 유닛(103, 107)은 같은 구성이며, 도포유닛(107)에서는 처리액으로써 레지스트액이 이용된다. R3, R4는 선반유닛, 104B는 메인아암, 105B는 케미컬 유닛, 106B는 용력계 유닛이다.
블럭(B2)의 이웃에 접속되어 있는 블럭(B3)은, 노광스테이션(S4)에서 노광된 웨이퍼(W)를 현상하기 위한 것이다. 액처리유닛인 현상유닛(108)은, 상기 반사방지막 형성유닛(103) 및 도포유닛(107)의 연장선상에 2개씩 상하로 총 4개 설치되어 있다. 현상유닛(108)의 구성은 반사방지막 형성유닛(103)과 거의 같지만, 웨이퍼(W)의 직경방향에 다수 공급구멍을 배열한 노즐을 이용하는 등의 점에서 차이가 있다. 또한, 케미컬 유닛(105C)은 현상유닛(108)의 아래쪽에 배치되고, 용력계 유닛(106C)은 케미컬 유닛(105C)의 아래쪽에 배치되어 있다.
선반유닛(R5, R6)은 각각 블럭(B2) 및 인터페이스 스테이션(S3) 집합에 설치되어 있고, 선반유닛(R1, R2)과 거의 같은 구성이지만, 가열판과 냉각판을 1장으로 늘어놓고, 그 사이를 전용으로 반송하는 반송아암을 설치한 가열-냉각부가 포함되어 있다. 가열-냉각부를 설치하는 이유는, 화학증폭형 레지스트를 이용했을 경우, 노광 후에 수행하는 가열시간을 고정도로 관리할 필요가 있는 것에 근거하고 있다.
또한, 블럭(B)의 안쪽에 접속된 인터페이스 스테이션(S4)은 X, Y, Z방향으로 이동이 자유로우면서 연직축 주위에 회전이 자유로운 전달아암(128)을 갖추고 있고, 상기 전달아암(128)은 블럭(B3) 및 노광스테이션(S4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행한다.
다음으로, 상술한 실시예의 작용에 대하여 설명하기로 한다. 외부로부터 예를들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납함 카세트(122)가 카세트 스테이지(121)에 반입되면, 전달아암(123)에 의해 카세트(12) 내로부터 웨이퍼(W)가 꺼내어져 블럭(B1)의 선반유닛 내의 전달부(127)에 놓여지고, 메인아암(104A)에 전달된다. 상기 웨이퍼(W)는 블럭(B1)에서 반드시 반사방지막이 형성되고, 이어서 블럭(B2)에서 반사방지막 상에 예를들면 화학증폭형 레지스트막이 형성되고, 그 후 노광스테이션(S4)에서 노광된다. 블럭(B1)에서는, 반사방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 선반유닛(R1)(R2)의 가열부(124)에서 가열되고, 이어서 냉각부(125)에서 냉각된다. 또한, 블럭(B2)에 있어서도 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 선반유닛(R3)(R4)에서 가열, 냉각된다. 블럭(B1, B2, B3) 및 인터페이스 스테이션(S3) 사이의 웨이퍼(W) 반송은, 선반유닛(R3, R5, R6)내의 전달부를 통해 이루어진다.
노광된 웨이퍼(W)는 선반유닛(R5)(R6) 내의 가열-냉각부에서 가열, 냉각되고, 현상유닛(108)에서 현상처리된다. 현상 후의 웨이퍼(W)는 선반유닛(R5)(R6)에서 가열, 냉각되어 일련의 레지스트 패턴형성공정을 종료하고, 블럭(B1, B2)을 매개로 원래의 카세트(121) 내로 되돌려진다.
상술한 실시예에 의하면, 케미컬 유닛(105A)(105B)을 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107))의 이웃에 설치하고 있기 때문에, 처리액의 배관을 짧게 할 수 있다. 따라서, 고가인 처리액의 체류량이 적어도 해결되고, 체류하여 처리액은 메인터넌스시에 폐기되기 때문에 비용절감을 꾀할 수 있다. 또한, 케미컬 유닛(105A)(105B)과 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107))이 접근하고 있기 때문에, 처리액을 정량적으로 보내는 펌프(136)나 노즐(134)로부터의 처리액 토출 후에 액의 늘어짐을 방지하기 위한 처리액을 약간 흡인하여 노즐(134) 내의 액면을 끌어올리는 쌕 밸브(138)라는 공급제어기기를 케미컬 유닛(105A)(105B) 내에 설치하여도 압손(壓損)이 적기 때문에 처리액의 공급제어를 정도있게 수행할 수 있으면서, 공급제어기기를 케미컬 유닛(105A)(105B) 내에 설치함으로써 메인터넌스를 수행하기 쉬워진다. 그리고, 상기 유닛(103, 107)을 복수단 겹쳐 쌓는 경우, 예를들면 각 단의 유닛(103, 107)에 각각 적응한 높이에 용기(151)나 공급제어기기를 배치하면 처리액의 배관을 보다 짧게 할 수 있어 유리하다.
또한, 현상유닛(108)에 있어서도, 처리액인 현상액의 용기나 공급제어기기를 최하단의 현상유닛(108)의 하방측에 설치되어 있기 때문에, 현상액의 배관이 짧아도 되어 메인터넌스도 수행하기 쉽다. 더구나, 반사방지막 형성유닛 등의 액처리유닛(103, 107, 108)의 하방측에 상술한 용력기기(161)가 배치되어져 있기 때문에, 배기관, 진공흡입 튜브, 에어공급관, 가압기체 공급관 등의 용력선의 끌어돌리는 길이가 짧아도 되고, 또한 각 블럭(B1(B2, B3)) 단위로 용력기기(161)나 용력선이 맞추어 넣어지기 때문에, 예를들면 블럭(B1(B2, B3))을 접속하기 전에 조정을 수행하는 것이 가능하다는 등의 작업성이 좋은 이점이 있다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 다른 실시예를 나타내고, 본 실시예에서는 반사방지막 형성유닛(103) 및 도포유닛(107)을 2단 쌓기의 구성으로 하여, 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107))의 하방측에 케미컬 유닛(105A(105B))을 배치함과 동시에 케미컬 유닛(105A(105B))의 하방에 용력계 유닛(106A(106B))을 배치하고 있다. 즉, 도 22에서는 반사방지막 형성유닛(103)의 나열을 대표하여 나타내고 있다. 더욱이 블럭(B2, B3)에 있어서는, 선반유닛을 1개씩(R1, R4) 설치하고 있음과 동시에 블럭(B2, B3) 간의 웨이퍼(W)의 전달은 메인아암(104A, 104B)에서 억세스 가능한 위치에 설치한 중간스테이지(191)에 의해 이루어지도록 구성되어 있다.
도 23∼도 25는 본 발명의 더욱 다른 실시예를 나타내고 있다. 본 실시예에 있어 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107)), 케미컬 유닛(105A)(105B), 용력계 유닛(106A)(106B)의 레이아웃은 도 16 등에 나타낸 실시예와 같지만, 케미컬 유닛(105A)(105B) 위에 냉각부(1101)를 설치하고, 상기 냉각부(1101)를 메인아암(104A)의 반송영역(반송분위기)으로부터 구획하여, 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107))의 컵(131)이 놓여져 있는 분위기가 같아지도록 구성하고 있다. 예를들면, 냉각부(1101)가 놓여져 있는 분위기를 바구니(1102)로 에워싸고, 해당 분위기와 반사방지막 형성유닛(103) 내의 분위기와의 사이에서 바구니(130)의 일부인 칸막이판(1103)을 개재시킴과 동시에, 양 분위기의 천정부의 필터(F)로부터 공통의 분위기 형성용 청정기체, 즉 온도, 습도가 조정된 공통의 청정기체를 강하시키도록 구성되어 있다.
이러한 구성으로 한 이유는 다음과 같다. 즉시 반사방지막이나 레지스트막의 막두께는 웨이퍼(W)의 온도에 의해 좌우되기 때문에, 선반유닛(R1(R3))의 가열부(124)에서 가열한 후, 냉각부(125)에서 말하자면 조열(組熱)빼기를 수행하여(러프한 냉각온도로 조정하고), 그 후 상기 냉각부(1101)에서 냉각을 수행하면 냉각부(1101)는 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107))과 같은 분위기이기 때문에 같은 온도로 되어 막두께의 정도가 좋아지기 때문이다. 이 경우 냉각부(1101)로부터의 반송은, 메인아암(104A(104B))을 이용하여도 좋지만, 냉각부(1101)와 반사방지막 형성유닛(103)과의 사이를 연결하는 전용의 반송수단을 설치하면 냉각 후의 웨이퍼(W)가 메인아암(104A(104B))의 반송영역을 통과하지 않으므로 더욱 바람직하다.
냉각부(1101)는 케미컬 유닛(105A(105B))의 하방측에 설치하여도 좋다. 즉, 도 25에서 1104, 1105는 각각 반사방지막 형성유닛(103)(도포유닛(107)) 및 바구니(1102)에 형성된 웨이퍼(W)의 반송구이다. 또한, 현상유닛(108)에 있어서도 반사방지막 형성유닛(103)과 같은 형태의 3단 쌓기의 구성으로 되어 있고, 케미컬 유닛(105C), 용력계 유닛(106C), 냉각부(1101)(편의상 같은 부호를 이용하고 있다)의 구성에 대해서도 도 24, 도 25에 나타낸 바와 같은 형태의 구성이다.
도 26은 도 23에 나타낸 실시예의 변형예를 나타내고, 3단쌓기의 현상유닛(108)을 2개 설치하여, 그 사이에 케미컬 유닛 및 냉각부(1101)를 설치한 점 및 선반유닛(R5, R6)의 배치가 도 23의 구성과 다르다.
도 27은 상기 이외의 본 발명의 실시예를 나타낸 도이다. 본 실시예에서는 도 22에 나타낸 실시예와 같이 반사방지막 형성유닛(103) 및 도포유닛(107)을 2단 쌓기로 하고, 그 아래에 케미컬 유닛(105A(105B))을 설치하고, 게다가 그 아래에 용력계 유닛(106A(106B))을 설치하도록 하고 있다. 또한, 현상유닛(108)에 관해서도 같은 형태의 구성으로 되어 있다. 또한, 블럭(B3)과 인터페이스 스테이션(S3)과의 사이의 웨이퍼(W)의 전달은 인터페이스 스테이션(S3)에 설치한 전달 스테이지(192)를 통해 이루어진다.
도 28은 도 27의 실시예의 변형예를 나타내는 도이다. 본 실시예에 있어서는, 메인아암(104A, 104B, 104C)이 각각 반사방지막 형성유닛(103), 도포유닛(107) 및 현상유닛(108)에 대하여 X방향으로 마주보고 있고, 선반유닛(R1, R2, R6)의 나열은 반송수단(104A, 104B, 104C)의 나열에서 보아 액처리유닛(103, 107, 108)의 나열과 반대측에 배열되어 있다. 그리고, 카세트 스테이션(S1) 가까이 블럭(B1)의 선반유닛(R1)은 메인아암(104A)에서 보아 X방향에 대하여 카세트 스테이션(S1) 측에 경사지게 배열되어 있음과 동시에, 그 옆의 블럭(B2)의 선반유닛(R3)은 메인아암(104B)에서 보다 X방향으로 배열되어 있다. 또한, 인터페이스 스테이션(S3) 가까이 블럭(B3)의 선반유닛(R6)은, 메인아암(104C)에서 보아 X방향에 대하여 인터페이스 스테이션(S3) 측에 경사지게 배치되어 있다. 메인아암(104A, 104B) 사이 및 104B, 104 사이의 웨이퍼 전달은 중간스테이지(191)를 통해 이루어진다.
도 28과 같은 레이아웃에 의하면, 각 블럭(B1, B2, B3)을 소형화할 수 있다. 즉, 선반유닛(R1(R6))은 카세트 스테이션(S1)(인터페이스 스테이션(S4))에 가깝게 설치하지 않으면 안되지만, 메인아암(104A(104C))의 바로 옆에 배치하는 것보다도 도 28에서 경사지게 좌(우)에 배치한 쪽이 Y방향의 길이를 짧게 할 수 있으며, 또한 중앙의 블럭(B2)에 대해서는 선반유닛(R3)을 중앙에 놓는 것에 의해 Y방향의 길이를 짧게 할 수 있다. 반도체 제조공장에서는 반도체 제조장치의 앞쪽에서 안까지의 거리가 짧은 것이 유리하기 때문에 도 28의 레이아웃은 효과적이다.
이상에 있어서, 도포, 현상장치는 반사방지막 형성유닛을 포함하 블럭(B1)이 없는 경우도 있고, 그 경우 예를들면 도포유닛을 포함한 블럭(B2)의 선반유닛(R3(R4)) 내에서 소수화처리가 이루어진다. 또한, 본 발명은 도포, 현상장치에 한하지 않고, 실리콘 산화막의 전구(前驅)체 포함한 처리액을 스핀코팅 등으로 기판 상에 도포하고, 그 후 가열, 냉각하는 장치에 대하여도 적용 가능하다. 즉, 기판에는 웨이퍼에 한하지 않고 액정디스플레이용 유리기판이어도 좋다.
또한, 도 17에 나타낸 장치에 있어서, 도 29와 같이 변형하는 것도 가능하다. 도 29에 나타낸 장치에서는, 블럭(B1)에 있어서 반사방지막 형성유닛(103)과 케미컬 유닛(105A)의 위치를 바꾸고 있다. 즉, 반사방지막 형성유닛(103)을 카세트 스테이션(S1)에 인접하도록 배치하고 있다. 그리고, 반사방지막 형성유닛(103)의 카세트 스테이션(S1)과 인접하는 측에는 123과 상기 반사방지막 형성유닛(103)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 개구(103a)가 설치되어 있다. 상기 개구(103a)에는, 셔터를 설치하여도 좋다. 이렇게 구성함으로써, 카세트 스테이션(S1)과 반사방지막 형성유닛(103)과의 사이에서 직접 웨이퍼(W)의 전달이 가능하게 되고 처리시간을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
다음으로, 또 다른 실시예를 설명하기로 한다.
도 30은 본 실시예의 내부를 투시하여 나타낸 개관도이고, 도 31은 개략평면도이고, 도에서 S21은 카세트 스테이션, S22는 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트의 도포처리나 현상처리 등을 수행하기 위한 처리스테이션, S23은 인터페이스 스테이션, S24는 노광장치이다.
카세트 스테이션(S1)은 복수의 기판, 예를들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납한 예를들면 4개의 기판 카세트를 이루는 웨이퍼 카세트(이상, "카세트"라고 한다)(222)를 재치하는 재치부를 이루는 카세트 스테이지(221)와, 카세트 스테이지(221) 상의 카세트(222)와 처리스테이션(S22)과의 사이에 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 전달수단을 이루는 전달아암(223)을 구비하고 있다.
또한, 처리스테이션(S22)은, 예를들면 3개의 반사방지막 형성유닛(200B)(B21, B22, B23)과, 예를들면 3개의 도포유닛(200C)(C21, C22, C23)과, 예를들면 6개의 현상유닛(200D)(D21, D22, D23, D24, D25, D26)과, 복수인 예를들면 2개의 선반유닛(200R)(R21, R22, R23)과, 복수인 예를들면 3개의 냉각부(203)(23A, 23B, 23C)와, 기판반송수단인 복수, 예를들면 2개의 웨이퍼 반송수단(200MA)(MA21, MA22)과, 복수 예를들면 2개의 웨이퍼(W)의 전달부(204)(204A, 204B)를 구비하고 있고, 카세트 스테이션(S21)과 인터페이스 스테이션(S23)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행함과 동시에, 해당 스테이션(S22) 내에서는 웨이퍼(W)의 반사방지막을 형성하는 처리와, 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하느 ㄴ처리와, 웨이퍼(W)의 현상처리와, 이들 처리의 전후에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하고 냉각하는 처리를 수행하도록 구성되어 있다.
상기 스테이션(S22) 내의 레이아웃의 한 예에 대하여 설명하면, 해당 스테이션(S22) 내에 있어서 카세트 스테이션(S21)에 인접한 영역에는, 제 1 처리부군이 배열되어 있다. 상기 제 1 처리부군은 예를들면 제 1 도포처리부인 3개의 반사방지막 형성유닛(200B)과, 3개의 도포유닛(200C)과, 1개의 냉각부(203A)와, 1개의 전달부(204A)를 포함하고, 예를들면 도 32(처리스테이션(S22)의 카세트 스테이션(S21)에 인접한 영역을 노광장치(S24) 측에서 본 단면도)에 나타내듯이, 카세트 스테이션(S21)에서 보아 우측의 3개의 반사방지막 형성유닛(200B)이 3단으로 설치되어 있다. 그리고, 이 좌측에 1개의 냉각부(203A)와 1개의 웨이퍼(W)의 전달부(204A)가 예를들면 냉각부(203A)를 위로 하여 2단으로 설치되어 있고, 게다가 이 좌측에 3개의 도포유닛(200C)이 3단으로 설치되어 있다.
여기서, 상기 전달아암(2230은, 각각 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 아암(223a)을 2장 구비하고 있고(도 5 참조), 각각의 아암(223a)은 승강이 자유로우며, X, Y방향으로 이동이 자유롭고, 연직축 둘레에 회전이 자유롭게 구성되어 있으며, 예를들면 카세트 스테이지(221) 상의 카세트(222)와, 상기 제 1 처리부군인 3개의 반사방지막 형성유닛(200B)과, 냉각부(203A)와, 전달부(204A)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하도록 이들에 억세스 가능하게 구성됨과 동시에, 상기 제 1 처리부군의 레이아웃이 결정되어 있다.
또한, 카세트 스테이션(S21)에서 보아 가장 안쪽의 인터페이스 스테이션(S23)에 인접한 영역에는, 예를들면 도 33(처리스테이션(S22)의 인터페이스 스테이션(S23)에 인접한 영역을 노광장치(S24) 측에서 본 단면도)에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리부군과 대향하여 제 2 처리부군이 설치되어 있다. 상기 제 2 처리부군은, 예를들면 제 2 도포처리부인 6개의 현상유닛(200D)과, 웨이퍼(W)의 전달부를 겸한 1개의 냉각부(203C)를 포함하고, 카세트 스테이션(S21)에서 보아 우측에 3개의 현상유닛(200D)(D21, D22, D23)이 3단으로 설치되고, 그 좌측에 냉각부(203C)가 설치되고, 게다가 그 좌측에 3개의 현상유닛(200D)(D24, D25, D26)이 3단으로 설치되어 있다.
그리고, 제 1 처리부군 및 제 2 처리부군의 사이에는 제 3 처리부군이 설치되어 있다. 상기 제 3 처리부군은 2개의 선반유닛(200R)과, 1개의 냉각부(203B)와, 1개의 전달부(204B)를 포함하고, 본 예에서는 카세트 스테이션(S21)에서 보아 반사방지막 형성유닛(200B)의 안쪽 끝에 선반유닛(R21), 도포유닛(200C)의 안쪽 끝에 선반유닛(R22)이 각각 설치되어 있고, 그 사이에 1개의 냉각부(203B)와 1개의 전달부(204B)가 냉각부(203B)를 위로 하여 2단으로 설치되어 있다.
상기 2개의 웨이퍼 반송수단(200MA)은, 후술하는 바와 같이 진퇴가 자유롭고 승강이 자유로우며, 연직축 둘레회전이 자유롭게 구성되어 있고, 어느 한 웨이퍼 반송수단(200MA)에 의해 각 반사방지막 형성유닛(200B)과, 각 도포유닛(200C)과, 각 현상유닛(200D)과, 각 냉각부(203)와, 각 전달부(204)와, 선반유닛(200R) 전부의 선반과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지도록 레이아웃되어 있다.
예를들면, 웨이퍼 반송수단(200MA)은, 상기 제 1 처리부군 및 제 3 처리부군과 억세스 가능하도록, 예를들면 카세트 스테이션(S21)에서 보아 냉각부(203A)의 안쪽 끝에 배치되고, 각 반사방지막 형성유닛(200B)과, 각 도포유닛(200C)과, 각 선반유닛(200R)과, 냉각부(203A, 203B)와, 전달부(204A, 204B)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지도록 되어 있다. 또한, 예를들면 웨이퍼 반송수단(200MA)은 제 2 처리부군 및 제 3 처리부군과 억세스 가능하도록 예를들면 냉각부(203B)의 안쪽 끝에 배치되고, 각 현상유닛(200D)과, 각 선반유닛(200R)과, 냉각부(203B, 203C)와, 전달부(204B)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지도록 되어 있다.
게다가, 카세트 스테이션(S21)에서 보아 각 웨이퍼 반송수단(200MA)의 우측은 케미컬 유닛(200U)으로서 할당되어 있고, 좌측은 작업용 스페이스로서 확보되어져 있다. 여기서, 케미컬 유닛(200U)이란, 반사방지막 형성유닛(200B)이나 도포유닛(200C), 현상유닛(200D)에 대한 약액의 공급계를 수납하기 위한 것이며, 예를들면 용제나 레지스트액, 현상액 등의 저유탱크나 저유탱크의 개폐밸브 등의 각종 밸브, 필터, 밸브의 구동부, 토출노즐의 구동계 등이 수납되어 있다.
상기 선반유닛(200R(R21, R22)은, 도 34에 선반유닛(R21)을 대표해서 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 냉각하기 위한 복수 예를들면 6개의 CHP장치(205)(Chilling Hot Plate Process Station)가 세로로 배열되어 있다. 상기 CHP 장치(205)는 예를들면 도 35에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W0를 가열하기 위한 가열부를 이루는 가열플레이트(251)와, 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 냉각플레이트(252)를 구비하고 있으며, 먼저 웨이퍼(W)를 가열플레이트(251)에 재치하여 소정 온도까지 가열시킨 후(도 35(a) 참조), 예를들면 가열플레이트(251)에서 웨이퍼(W)를 예를들면 돌출핀(254)으로 들어올림과 동시에, 냉각플레이트(252)를 반송수단(253)에 의해 웨이퍼(W)의 아래쪽 위치까지 이동시켜 웨이퍼(W)를 냉각플레이트(252)에 전달(도 35(b), (c)참조), 그 후 웨이퍼(W)를 재치한 상태로 냉각플레이트(252)를 가열플레이트(251) 측쪽 위치까지 이동시켜 웨이퍼(W)를 소정온도까지 냉각하도록 되어 있고(도 35(d)), 이 장치에서는 가열플레이트(251)와 냉각플레이트(252) 사이의 웨이퍼(W) 전달에 의해 가열시간이 제어되기 때문에, 오버베이크가 방지된다. 또한, 도포유닛(200C)에 대하여 예를들면 도 36을 바탕으로 설명하면, 231은 컵이며, 상기 컵(231) 내에 진공흡착기능을 갖는 회전이 자유로운 스핀척(232)이 설치되어 있다. 상기 스핀척(232)은 승강기구(233)에 의해 승강이 자유롭게 구성되어 있고, 컵(231)의 상방측에 위치해 있을 때 상기 웨이퍼 반송수단(200MA)의 후술할 아암(241)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다.
상기 웨이퍼(W)의 전달에 대해서는, 아암(241) 상의 웨이퍼(W)를 컵(231)의 상방측에서 스핀척(232)이 그 하방측으로부터 상대적으로 상승하여 전달받고, 또한 그 역동작에 의해 스핀척(232) 측에서 아암(241)에 전달된다. 234는 토출노즐, 235는 처리액 공급관, 236은 노즐을 수평이동시키는 지지아암이며, 이러한 도포유닛(200C)에서는 스핀척(232) 상의 웨이퍼(W) 표면에 토출노즐(234)에서 레지스트액을 떨어뜨려 스핀척(232)을 회전시켜 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에 넓게 펴서 도포한다.
또한, 반사방지막 형성유닛(200B) 및 현상유닛(200D)은 도포유닛(200C)과 거의 동일한 구성이지만, 현상유닛(200D)은 토출노즐(234)이 예를들면 웨이퍼(W)의 직경방향으로 배열된 다수의 공급구멍을 구비하도록 구성되고, 스핀척(232) 상의 웨이퍼(W) 표면에 토출노즐(234)에서 제 2 처리액인 현상액을 토출하고, 스핀척(232)을 반회전시킴으로써 웨이퍼(W) 상에 현상액의 액이 고이게 되어 현상액의 액막이 형성되어지게 된다. 또한, 반사방지막 형성유닛(200B)에서는 토출노즐(234)에서 제 1 처리액인 약액이 토출되도록 되어 있다.
상기 웨이퍼 반송수단(MA21, MA22)은 동일하게 구성되고, 예를들면 도 5에 나타낸 바와 같은 구성이다.
상기 웨이퍼 전달부(204)는 예를들면 플레이트 상면의 웨이퍼(W)의 거의 중앙부에 대응하는 위치에 웨이퍼 반송수단(200MA)의 아암(241)이 완충되지 않을 정도의 높이의 복수의 핀을 구비하고 있으며, 이들 핀 상에 웨이퍼(W)를 재치하고 나서 아암(241)을 하강시키고, 계속해서 아암(241)을 퇴행시킴으로써 전달부(204)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 구성되어 있다.
또한, 상기 냉각부(203)는 예를들면 냉매의 통류에 의해 냉각된 미조정용 냉각플레이트(P)의 표면에 웨이퍼(W)를 재치함으로써, 해당 웨이퍼(W)가 소정온도까지 고정도로 온도제어된 상태로 냉각되도록 되어 있다. 본 실시예에서는, CHP 장치(205)의 가열플레이트(251)에서 소정온도로 가열된 웨이퍼(W)는 냉각플레이트(252)에 의해 제 1 온도까지 냉각되고, 그 후 냉각부(203)에서 제 1 온도보다도 낮은 제 2 온도까지 고정도로 제어된 상태에서 냉각되도록 되어 있으며, 2단계에서 소정의 온도(제 2 온도)까지 냉각함으로써 고정도로 온도조정을 수행하고 있다.
게다가 본 예에서는 제 2 처리부군이 설치된 영역은 공간이 닫혀져 있다. 즉, 웨이퍼 반송수단(MA22)이 설치된 영역과의 사이가 도 30에 파선으로 나타낸 칸막이벽(206)으로 구분되어 있고, 도 33에 나타낸 바와 같이 천정부에 설치된 필터유닛(200F)을 경유해 청정화된 공기가 처리부 속으로 들어가도록 구성되어져 있는 것이며, 칸막이벽(206)에는 각 현상유닛(200D) 및 냉각부(203C)와 웨이퍼 반송수단(MA22)과의 사이에 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 웨이퍼(W)의 전달구(도시생략)와, 냉각부(203C)와 후술할 인터페이스 스테이션(S23)의 전달아암(207)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 웨이퍼(W)의 전달구(도시생략)가 형성되어 있다.
예를들면, 필터유닛(200F)은 예를들면 처리스테이션(S22)의 상방측을 덮도록 설치되어 있고, 처리스테이션(S22)의 하부에 설치된 통기공판(263)을 경유해 회수된 해당 스테이션(S22) 내의 하측 분위기가 배기구(264)에서 공장배기계로 배기되는 한편, 일부가 필터장치(265)로 도입되어 상기 필터장치(265)에서 청정화된공기가 측벽과이 사이에서 형성된 벽 덕트(266)로 송출되고, 천정부에 설치된 필터유닛(200F)을 경유해 처리스테이션(S22) 내에 다운플로우로서 뿜어내도록 되어 있다.
필터유닛(200F)은, 공기를 청정화하기 위한 필터, 공기중의 알칼리 성분 예를들면 암모니아 성분이나 아민을 제거하기 위하여 산 성분이 첨가되어 있는 화학필터, 빨아들이는 팬, 및 가열기구나 가습기구 등을 구비하고 있으며, 청정화되어 알칼리성분이 제거되고, 소정의 온도 및 습도로 조정된 공기를 하방측 처리공간 내에 송출하도록 되어 있다. 예를들면, 레지스트액으로서 화학증폭형 레지스트를 이용한 경우에는, 현상처리 분위기에 알칼리 성분이 들어가는 것을 방지할 필요가 있기 때문에, 처리부를 닫은 공간으로 하여 화학필터를 이용해서 외부로부터의 알칼리 성분의 침입을 막고 있다.
즉, 화학증폭형 레지스트는 노광함으로써 산이 생성되고, 상기 산이 가열처리에 의해 확산되어 촉매로서 작용하고, 레지스트 재료의 주성분인 베이스 수지를 분해하기도 하고, 분자구조를 바꾸어 현상액에 대하여 가용화하는 것이다. 따라서, 이러한 종류의 레지스트를 이용한 경우, 공기 중에 포함되어 있는 미량의 암모니아나 벽의 재료 등에서 발생하는 아민 등의 알칼리 성분이 레지스트 표면부의 산과 접촉하면 산이 되는 촉매반응이 억제되어 패턴의 형상이 나빠지기 때문에 알칼리 성분을 제거할 필요가 있다.
이렇게 해서 처리스테이션(S22)은 카세트 스테이션(S21)의 전달아암(223)에 의해 각 반사방지막 형성유닛(200B)과, 냉각부(203A)와, 전달부(204A)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지고, 웨이퍼 반송수단(MA21)에 의해 각 반사방지막 형성유닛(200B)과, 각 도포유닛(200C)과, 냉각부(203A, 203B)와, 전달부(204A, 204B)와, 각 선반유닛(200R)에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 이루어지고, 웨이퍼 반송수단(MA22)에 의해 각 현상유닛(200D)과, 냉각부(203B, 203C)와, 전달부(204B)와, 각 선반유닛(200R)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다.]
처리스테이션(S22)의 옆에는 인터페이스 스테이션(S23)이 접속되고, 상기 인터페이스 스테이션(S23)의 안쪽 끝에는 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대하여 노광을 수행하기 위한 노광장치(S24)가 접속되어 있다. 인터페이스 스테이션(S23)은, 웨이퍼(W)를 가열 및 냉각하기 위한 CHP 장치(271)와, 처리스테이션(S22)과 노광장치(S24)와의 사이 및 처리스테이션(S22)과 CHP 장치(271)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하기 위한 전달아암(207)을 구비하고 있으며, 상기 전달아암(207)은 냉각부(203C)와 CHP 장치(271)와 노광장치(S24)에 억세스 가능하도록 구성되어 있다.
다음으로, 상술한 실시예의 작용에 대하여 설명하기로 한다. 먼저, 자동반송로봇(혹은 작업자)에 의해 예를들면 25장의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(222)가 카세트 스테이션(221)에 반입되어 전달아암(223)에 의해 카세트(222) 내에서 웨이퍼(W)를 꺼내 처리스테이션(S22)의 냉각부(203A)에 전달되고, 여기서 소정의 온도까지 냉각된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 예를들면 전달아암(223)에 의해 반사방지막 형성유닛(200B)에 반송되고, 여기서 반사방지막이 형성된다. 이 때, 전달아암(223)은 2장의 아암(223a)을 구비하고 있기 때문에, 한쪽의 아암(223a)에 의해 냉각부(203A)에서 냉각 후의 웨이퍼(W)를 받아들인 후, 다른 한쪽의 아암(223a)의 웨이퍼(W)를 냉각부(203A)에 전달할 수 있다. 또한, 반사방지막을 형성하는 것은, 화학증폭형 레지스트를 이용하면 노광시에 레지스트의 하측에서 반사가 일어나기 때문에 이를 방지하기 위한 것이다.
계속해서, 반사방지막 형성유닛(200B)의 웨이퍼(W)는 예를들면 전달아암(223)→전달부(204A)→웨이퍼 반송수단(MA21)→선반유닛(200R)의 CHP장치 (205)→웨이퍼 반송수단(MA21)→냉각부(203)→웨이퍼 반송수단(MA21)→도포유닛 (200C)의 경로로 반송된다. 이렇게 해서 웨이퍼(W)는 CHP 장치(205)에서 가열플레이트(251)로 소정 온도까지 가열된 후, 해당 CHP 장치(205)의 냉각플레이트(252) 및 냉각부(203)에 의해 소정 온도까지 2단계로 냉각되어 온도조정이 이루어지고 레지스트가 도포된다.
다음으로, 도포유닛(200C)의 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송수단(MA21)→선반유닛(200R)의 CHP 장치(205)→웨이퍼 반송수단(MA22)→냉각부 (203C)의 경로로 반송되고, CHP 장치(205)→냉각부(203C)에 의해 소정 온도까지 가열된 후, 소정 온도까지 2단계로 냉각되어 온도조정이 이루어진다. 그리고, 냉각부(203C)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(S23)의 전달아암(207)→ 노광장치(S24)의 경로로 반송되어 노광이 이루어진다.
노광 후의 웨이퍼(W)는 역경로, 즉 노광장치(S24)→전달아암(207)→CHP 장치(271)→전달아암(207)→냉각부(203C)→웨이퍼 반송수단(MA22)→현상유닛(200D)의 경로로 반송된다. 이렇게 해서 웨이퍼(W)는 CHP 장치(271)→냉각부(203C)에 의해 소정온도까지 가열된 후, 소정온도까지 2단계로 냉각되어 온도조정이 이루어지고, 계속해서 웨이퍼(W)는 현상유닛(200D)에서 현상처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송수단(MA22)→선반유닛9200R)의 CHP 장치(205)→웨이퍼 반송수단(MA21)→전달부(204A)→전달아암(223)의 경로로 반송되고, 일단 소정온도까지 가열된 후 소정온도까지 냉각된 웨이퍼(W)는 전달부(204A)를 경유하여 예를들면 원래의 카세트(222) 내에 돌려진다.
여기서, 처리스테이션(S22)에서는 웨이퍼(W)는 순차냉각부(203A)에 보내지고, 계속해서 비어있는 반사방지막 형성유닛(200B)→선반유닛(R21)의 비어있는 CHP 장치(205)→비어있는 냉각부(203)→비어있는 도포유닛(200C)→선반유닛(200R)의 비어있는 CHP 장치(205)→냉각부(203C)→인터페이스 스테이션(S22)의 CHP 장치(271)→전달아암(207)→냉각부(203C)→비어있는 현상유닛(200D)→선반유닛(200R)의 비어있는 CHP 장치(205)→전달부(204A)의 경로로 반송되면 좋다.
이 때, 냉각부(203A)와 반사방지막 형성유닛(200B)과의 사이에는 웨이퍼(W)를 전달아암(223)에서 반송하도록 하여도 좋고, 웨이퍼 반송수단(MA21)에 의해 반송하도록 하여도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)를 반송할 때 웨이퍼 반송수단(200MA) 끼리의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하는 경우에는 전달부(204B)를 경유하여 웨이퍼(W)의 전달이 이루어진다.
게다가 상술한 실시예에서는 전달아암(223)을 도포유닛(200C)에 억세스 가능하도록 구성하고, 냉각부(203A)와 도포유닛(200C) 사이에는 웨이퍼(W)를 전달아암(223)에 의해 반송하도록 하여도 좋다.
상기 실시예에는, 카세트 스테이션(S21)의 전달아암(223)에 의해 처리스테이션(S22)의 반사방지막 형성유닛(200B)과 냉각부(203)와 전달부(204A) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하도록 하였기 때문에, 처리스테이션(S22) 내에 있어서 웨이퍼(W)의 반송을 전부 웨이퍼 반송수단(200MA)이 행했던 종래의 경우에 비해, 웨이퍼 반송수단(200MA)의 부담이 경감된다. 이 때문에, 웨이퍼 반송수단(200MA)으로 억세스하는 유닛의 수를 증가시킬 수 있고 쓰루우풋의 향상을 도모할 수 있다.
결국 상술한 실시예에서는, 처리스테이션(S22) 내의 카세트 스테이션(S21)에 인접한 영역에, 카세트 스테이션(S21)의 카세트(222)의 배열방향과 평행으로 반사방지막 형성유닛(200B)과 도포유닛(200B)과 냉각부(203A)와 전달부(204A)를 포함하는 제 1 처리부군을 배치하고, 이에 대향하도록 인터페이스 스테이션(S23)에 인접하는 영역에 현상유닛(200D)과 냉각부(203C)를 포함하는 제 2 처리부군을 배치하고, 이들 사이에 선반유닛(200R)과 냉각부(203B)와 전달부(204B)를 포함하는 제 3 처리부군을 배치하고, 게다가 제 1 및 제 2 처리부군의 사이에 웨이퍼 반송수단(MA21), 제 2 및 제 3 처리부군의 사이에 웨이퍼 반송수단(MA22)을 각각 배치하는 레이아웃으로 되어 있다.
이로 인해 제 1 처리부군에 대하여 전달아암(223)과 웨이퍼 반송수단(MA21)의 어느 하나에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 수행할 수 있고, 제 3 처리부군은 웨이퍼 반송수단(MA21, MA22)의 어느 하나에 의해서도 웨이퍼(W)의 전달을 수행할 수 있다. 이처럼 2개의 반송수단으로 억세스 가능한 유닛이 많기 때문에 웨이퍼(W)의 기다리는 시간을 만들지 않고 억세스 가능한 유닛의 수를 많게 할 수 있어 쓰루우풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 실시예에는, 반사방지막 형성유닛(200B)이나 도포유닛(200C)이나 현상유닛(200D) 등의 소위 도포처리를 수행하는 유닛을 제 1 처리부군과 제 2 처리부군으로 하고, 또한 가열원인 가열플레이트(251)를 포함하는 CHP 장치(205)를 제 3 처리부군으로서, 카세트 스테이션(S21) 측에서 제 1 처리부군, 제 3 처리부군, 제 2 처리부군을 순서대로 배열하고, 제 1 처리부군과 제 3 처리부군과의 사이 및 제 3 처리부군과 제 2 처리부군과의 사이에 각각 웨이퍼 반송수단(200MA)과 케미컬 유닛(200U)을 배치하도록 레이아웃하였기 때문에, 도포처리를 수행하는 유닛이 가열원으로부터 분리된다. 이로 인해, CHP 장치(205)→냉각부(203)의 경로로 2단계로 고정도의 온도조정된 웨이퍼(W)가 가열플레이트(251)로부터의 열영향을 받기 어렵고, 높은 온도정도를 유지한 상태로 각 유닛에 있어서 도포처리를 수행할 수 있기 때문에, 온도변화가 원인이 되는 처리얼룩의 발생이 억제되어 균일한 처리를 수행할 수 있다.
더욱이 본 발명에서는, 제 1 처리부군과 제 3 처리부군과의 사이 및 제 3 처리부군과 제 2 처리부군과의 사이의, 카세트 스테이션(S21)에서 보아 각 웨이퍼 반송수단(200MA)의 좌측에 상술한 것처럼 작업용 스페이스를 확보할 수 있기 때문에, 선반유닛(200R)의 메인터넌스나 웨이퍼 반송수단(200MA)의 동작의 확인이라는 작업을 작업자가 이 스페이스에 들어가 행할 수 있어 이들의 작업을 용이하게 수행할 수 있다.
계속해서 본 발명의 다른 예에 대하여 도 37을 바탕으로 설명하겠지만, 도 37에서는 도 31에 나타낸 도포, 현상장치와 같은 부호의 부분은 같은 구성을 나타내고 있다. 본 예에서는 2개의 선반유닛(R23, R24)에는 CHP 장치(205) 대신에 복수의 가열부와 냉각부가 세로로 배열되어져 있고, 이들 선반유닛(R23, R24)과 냉각부(203B), 전달부(204B)(도시생략)에 의해 제 3 처리부군이 구성되어 있다. 또한, 제 2 처리부군은 현상유닛(200D)과 복수의 냉각부(208)를 구비하고 있고, 상기 냉각부(208)는 상술한 냉각부(203)와 같은 형태로 구성되며, 세로로 다단으로 배열되어 있다. 또한, 인터페이스 스테이션(S23)에는 CHP 장치(271) 대신에 복수의 가열부(272)가 다단으로 설치되어 있다.
처리스테이션(S22) 내의 레이아웃에 대해서는, 상술한 실시예와 같은 형태로, 카세트 스테이션(S21)의 카세트(222)의 배열방향과 평행하게 해당 스테이션(S21)에 인접해서 반사방지막 형성유닛(200B)과 도포유닛(200C)과 냉각부(203A)와 전달부(204A)를 포함하는 제 1 처리부군을 배치하고, 이에 대향하도록 인터페이스 스테이션(S23)에 인접하는 영역에 상기 제 2 처리부군을 배치하고, 제 1 및 제 2 처리부군 사이에 이들에 대향하도록 상기 제 3 처리부군을 배치하여, 제 1 및 제 2 처리부군의 사이 및 제 2 및 제 3 처리부군의 사이에 웨이퍼 반송수단(MA21, MA22)을 각각 배치한다.
또한, 제 3 처리부군의 레이아웃에 대해서는 카세트 스테이션(S21)에서 보아 웨이퍼 반송수단(MA21)의 안쪽 끝에 냉각부(203B)와 전달부(204B)가 냉각부(203B)를 위로 하여 세로로 배열되어 있으며, 그 우측에 선반유닛(R23), 좌측에 선반유닛(R24)이 각각 배치되어 있다.
상기 선반유닛(R23, R24)의 가열부 및 인터페이스 스테이션(S23)의 가열부(272)는, 예를들면 히터에 의해 가열된 가열플레이트의 표면에 웨이퍼(W)를 재치함으로써, 해당 웨이퍼(W)가 소정온도로 가열되도록 되어 있다. 또한, 선반유닛(R23, R24)의 냉각부는 냉매의 통류에 의해 냉각된 조대(粗大)조정용 냉각플레이트의 표면에 웨이퍼(W)를 재치함으로써 해당 웨이퍼(W)가 소정온도까지 냉각되도록 되어 있으며, 상술한 냉각부(203, 208)가 미세조정용 냉각부인 것에 대하여 말하자면 웨이퍼(W)의 조열을 얻기 위한 조대조정용 냉각부이다.
또한, 본 예에서는 선반유닛(R24)은 도시하지 않은 반송레일을 따라 냉각부(203B)의 인접하는 위치에서 도 37에 파선으로 나타내듯이, 카세트 스테이션(S21)의 전달아암(223)의 스트록 범위 내의 도포유닛(200C)에 인접하는 카세트 스테이션(S21) 측의 위치까지 이동가능하게 구성되어 있으며, 선반유닛(R24)에 있는 웨이퍼(W)를 선반유닛(R24) 자신이 카세트 스테이션(S21)에 원하는 위치까지 반송되도록 되어 있다. 이 때, 카세트 스테이션(S21)의 전달아암(223)은, 선반유닛(R24)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 수행하는 것이 가능하도록 구성되어져 있고, 선반유닛(R24)에 의해 반송된 웨이퍼(W)를 해당 선반유닛(R24)에서 전달아암(223)이 직접 받을 수 있도록 되어 있다. 다른 구성은 도 31에 나타낸 실시예와 같은 형태이다.
이러한 처리스테이션(S22) 내에서의 웨이퍼(W)의 흐름을 간단히 설명하면, 웨이퍼(W)는 전달아암(223)→냉각부(203A)→전달아암(223)→반사방지막 형성유닛(200B)→웨이퍼 반송수단(MA21)→선반유닛(R23(R24))의 가열부→냉각부→웨이퍼 반송수단(MA21)→냉각부(203)→웨이퍼 반송수단(MA21)→도포유닛(200C)→웨이퍼 반송수단(MA21)→선반유닛(R23(R24))의 가열부→냉각부→웨이퍼 반송수단(MA22)→냉각부(203C)→인터페이스 스테이션(S23)의 전달아암(207)→노광장치(S24)→전달아암(207)→가열부(272)→전달아암(207)→냉각부(208)→웨이퍼 반송수단(MA22)→현상유닛(200D)→웨이퍼 반송수단(MA22)→선반유닛(R24)의 가열부→ 냉각부→선반유닛(R24)의 카세트 스테이션(S21) 측으로의 이동→전달아암(223)의 경로로 반송된다.
이처럼 본 실시예에는, 선반유닛(R24)을 이동가능하게 구성하고, 현상 후의 웨이퍼(W)에 대하여 선반유닛(R24)에서 가열, 냉각한 후, 웨이퍼 반송수단(MA21)을 거치지 않고 해당 웨이퍼(W)를 선반유닛(R24) 자체에서 반송하고 전달아암(223)에 전달하도록 하였기 때문에, 웨이퍼 반송수단(MA21)의 부담을 경감할 수 있어 쓰루우풋의 향상을 도모할 수 있다.
이상에 있어서 본 발명에서는, 반사방지막 형성유닛(200B)이나 도포유닛(200C), 현상유닛(20D), 냉각부(203), 선반유닛(200R)의 CHP 장치나 가열부, 냉각부의 개수는 상술한 예에 한하지 않고 적절하게 선택되는 것이며, 이에 맞추어 상기 유닛 등의 겹쳐 쌓은 단수도 적절히 선택된다. 또한, 제 1 처리부군을 구성하는 반사방지막 형성유닛(200B)이나 도포유닛(200C), 냉각부(203A)의 배치는, 상술한 예에 한하지 않고 반사방지막 형성유닛(200B)과 도포유닛(200C)을 타단에 겹쳐 쌓아도 좋으며, 반사방지막 형성유닛(200B)과 도포유닛(200C)과 냉각부(203A)를 다단으로 겹쳐 쌓아도 좋다.
또한, 발명에서는 레지스트의 도포처리나 현상처리시에, 웨이퍼(W)를 가열한 후 제 2 단계에서 냉각하는 수법을 이용하였지만, 미세조정용 냉각부(203, 208)를 사용하지 않고 웨이퍼(W)를 1단계로 냉각하도록 하여도 좋다. 여기서, 상술한 예에서는 냉각부(203A)는 제 1 처리부군으로서 카세트 스테이션(S21)에 인접하는 영역에 배치하고, 전달아암(223)에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 수행하는 것이 가능하도록 구성하였지만, 이는 반사방지막을 형성하는 경우에 바람직하다. 즉, 반사방지막을 형성하는 경우에는, 그 전에 웨이퍼(W)를 냉각하여 소정의 온도로 조정할 필요가 있으며, 상술한 위치에 냉각부(203A)가 없을 경우에는 웨이퍼(W)를 전달아암(223)에 의해 일단 전달부(204A)나 반사방지막 형성유닛(200B) 등의 제 1 처리부군의 하나에 전달, 이것을 웨이퍼 반송수단(MA21)에 의해 선반유닛(200R)의 CHP 장치나 냉각부에 반송하여 냉각하는 것이 되어 반송에 불필요한 과정이 생기기 때문이다.
또한, 본 발명은 반사방지막을 형성하는 대신에 소수화처리를 수행하는 경우에 적용하여도 좋으며, 예를들면 이 경우에는 반사방지막 형성유닛(200B) 대신에 소수화처리부를 설치하여 여기서 소수화처리를 수행한 후, 도포유닛(200C)에서 레지스트의 도포가 이루어진다. 또한, 본 발명은, 기판으로는 웨이퍼에 한하지 않고 액정디스플레이용 유리기판이어도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 상온 부근에서 기판에 대하여 처리를 수행하기 위한 제 1 처리유닛군에 있어서 온도제어를 정밀하게 수행할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 복수단의 액처리유닛을 포함하는 처리스테이션을 카세트 스테이션에 접속하여 카세트 내의 기판을 꺼내 액처리를 수행하는 장치에 있어서, 액처리유닛에서 이용되는 처리액의 배관을 짧게 할 수 있으며, 따라서 고가의 처리액의 저유량이 적어지므로 비용삭감을 도모할 수 있다.
더욱이, 본 발명에 의하면 기판반송수단의 부담이 경감되기 때문에, 쓰루우풋의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛이 다단으로 쌓여 올려진 제 1 처리유닛군과,
    상기 기판에 대하여 가열처리를 수행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 냉각처리를 수행하는 냉각부를 서로 인접시켜 일체화한 제 2 처리유닛이 다단으로 쌓여 올려진 제 2 처리유닛군과,
    상기 각 제 1 처리유닛과 상기 각 제 2 처리유닛과의 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 구비하고,
    상기 각 제 2 처리유닛에 있는 상기 가열부 및 상기 냉각부 중 상기 냉각부가 상기 제 1 처리유닛군 측에 위치하도록 하면서, 상기 제 1 처리유닛군과 상기 제 2 처리유닛군을 인접시켜 배치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 처리유닛군이 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 구비하고,
    해당 청정에어 공급부는, 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 기체를 배기하고, 해당 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유닛군의 상부로부터 온도조절된 기체를 뿜어내는 것이며, 게다가 상기 제 1 처리유닛군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 처리유닛군이 배치된 영역과 상기 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 설치한 단열벽을 더불어 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛이 다단으로 쌓여 올려진 제 1 처리유닛군과,
    상기 제 1 처리유닛군과 인접하여 배치되고, 상기 각 제 1 처리유닛에 대하여 상기 소정의 액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 기판에 대하여 가열처리를 수행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 냉각처리를 수행하는 냉각부를 서로 인접시켜 일체화한 제 2 처리유닛이 다단으로 쌓여 올려진 제 2 처리유닛군과,
    상기 각 제 1 처리유닛과 상기 각 제 2 처리유닛 사이에서 기판을 반송하는 반송장치를 구비하고,
    상기 각 제 2 처리유닛에 있는 상기 가열부 및 상기 냉각부 중 상기 냉각부가 상기 처리액 공급부 측에 위치하도록 하면서, 상기 처리액 공급부와 상기 제 2 처리유닛군을 인접시켜 배치한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 처리유닛군이 청정에어를 공급하는 청정에어 공급부를 구비하고,
    해당 청정에어 공급부는, 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 기체를 배기하고, 해당 배기된 기체를 순환시켜 상기 제 1 처리유닛군의 상부로부터 온도조절된 기체를 뿜어내는 것이며, 게다가 상기 처리액 공급부가 배치된 영역과 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 상기 제 1 처리유닛군의 하부로부터 배기된 기체를 그 상부에 순환시키기 위한 통로를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 처리액 공급부가 배치된 영역과 상기 제 2 처리유닛군이 배치된 영역을 분단하도록 설치한 단열벽을 더불어 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 기판 상에 소정의 액을 공급하여 액처리를 수행하는 제 1 처리유닛이 다단으로 쌓여 올려진 제 1 처리유닛군과,
    상기 기판에 대하여 가열처리를 수행하는 가열부와 상기 기판에 대하여 냉각처리를 수행하는 냉각부를 서로 인접시켜 일체화한 제 2 처리유닛이 다단으로 쌓여 올려진 제 2 처리유닛군과,
    상기 액처리가 이루어진 기판에 대하여 노광처리를 수행하는 노광유닛을 구비하고,
    상기 노광유닛으로의 기판반입 전에, 상기 제 2 처리유닛의 냉각부에 기판을 대기시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 기판을 수납한 기판 카세트를 재치하는 재치부와, 상기 재치부에 재치된 기판 카세트에 대하여 기판의 전달을 수행하는 전달수단을 포함하는 카세트 스테이션과,
    상기 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 가지며,
    상기 처리스테이션은, 복수단으로 겹쳐 쌓여짐과 동시에 각각의 처리액에 의해 기판에 대하여 처리를 수행하는 액처리유닛과, 이들 액처리유닛에 대하여 기판의 반입반출을 수행하는 반송수단과, 상기 처리액을 수납하는 용기가 수납되고, 액처리유닛의 옆 또는 최하단의 액처리유닛의 아래측에 설치된 용기수납부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    용기수납부는, 용기로부터 액처리유닛에 처리액을 공급하는 배관에 설치된 처리액의 공급제어기기를 수납하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 8에 있어서,
    복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛은 횡방향으로 직선상으로 복수 배치되고, 복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛마다 용기수납부가 해당 액처리유닛의 옆 또는 아래쪽에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 8에 있어서,
    복수단으로 겹쳐 쌓여진 액처리유닛의 최하단 아래쪽에 배치되고, 각 단의 액처리유닛에 이용되는 용력기기를 더불어 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 처리스테이션은, 액처리유닛에 있어서 처리에 관한 전처리 및/또는 후처리를 수행하기 위하여, 가열처리 및/또는 냉각처리를 하기 위한 유닛이 다단으로 겹쳐 쌓여져 있는 선반유닛을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 용기수납부와 액처리유닛의 옆에 설치되고,
    상기 선반유닛에서 기판을 냉각시킨 후, 또한 정도 좋게 소정의 온도로 냉각하기 위한 미조정용 냉각부가 반송수단의 반송영역으로부터 구획되고, 액처리유닛에서 이용되는 분위기 기체가 흐르는 환경 중에 있으며, 상기 용기수납부의 위 또는 아래에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 기판카세트가 X방향으로 복수 배열되고,
    상기 처리스테이션은, 반송수단, 복수단으로 겹쳐 쌓여 있는 액처리유닛 및 선반유닛을 갖는 블럭을 Y방향으로 접속하여 구성되고,
    처리스테이션 전체로 봐서 복수단으로 겹쳐 쌓여있는 액처리유닛은 Y방향에 직선상으로 복수 배치되고, 선반유닛은 Y방향에 복수 나열, 반송수단은 선반유닛의 나열과 액처리유닛의 나열 사이에 배치되고,
    카세트 스테이션 가까이의 블럭에 있어서는, 선반유닛의 적어도 하나의 단이 전달수단과 반송수단 사이에서 기판을 전달하기 위한 전달부로서 구성되고, 해당 선반유닛은 반송수단에서 보아 X방향에 대하여 카세트 스테이션 측에 경사지게 배치되고,
    카세트 스테이션 가까이의 블록에 접속되는 블록에 있어서는, 선반유닛은 반송수단에서 보아 X방향으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 복수의 기판을 수납한 기판카세트를 재치하는 재치부와, 상기 재치부에 재치된 기판카세트에 대하여 기판의 전달을 수행하는 전달수단을 포함하는 카세트 스테이션과, 상기 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 가지고,
    상기 처리스테이션은 기판에 대하여 처리액을 도포하는 도포처리부와,
    상기 도포처리부에 대하여 기판의 전달을 수행하는 기판반송수단을 구비하고,
    상기 카세트 스테이션의 전달수단이 상기 처리스테이션의 도포처리부에 대하여 기판의 전달을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 복수의 기판을 수납한 기판카세트를 재치하는 재치부와, 상기 재치부에 재치된 기판카세트에 대하여 기판의 전달을 수행하는 전달수단을 포함하는 카세트 스테이션과, 상기 카세트 스테이션에 접속되고, 상기 전달수단에 의해 반송된 기판을 처리하는 처리스테이션을 가지고,
    상기 처리스테이션은 카세트 스테이션 측에 설치되고, 기판에 대하여 제 1 처리액을 도포하는 제 1 도포처리부와,
    카세트 스테이션의 반대측에 설치되고, 기판에 대하여 제 2 처리액을 도포하는 제 2 도포처리부와,
    상기 제 1 및 제 2 도포처리부의 사이에 설치되고, 기판을 가열하기 위한 가열부와,
    제 1 도포처리부와 가열부와의 사이에 설치되고, 이들에 대하여 기판의 반송을 수행하는 제 1 기판반송수단과,
    제 2 도포처리부와 가열부 사이에 설치되고, 이들에 대하여 기판의 반송을 수행하는 제 2 기판반송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 카세트 스테이션의 전달수단이 상기 처리스테이션의 제 1 도포처리부에 대하여 기판의 전달을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 처리스테이션은, 기판을 냉각하기 위한 냉각부를 구비하고, 상기 카세트 스테이션의 전달수단이 상기 처리스테이션의 냉각부에 대하여 기판의 전달을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 청구항 16에 있어서,
    처리스테이션의 카세트 스테이션 반대측에 접속되어 처리스테이션과 상기 처리스테이션의 카세트 스테이션 반대측에 설치된 노광장치와의 사이에서 기판의 전달을 수행하기 위한 인터페이스 스테이션을 구비하고,
    상기 제 1 도포처리부는 기판에 대하여 반사방지막의 형성을 수행하는 처리부를 포함하고, 상기 제 2 도포처리부는 상기 노광장치에서 노광된 기판에 대하여 현상처리를 수행하는 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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