TW471051B - Substrate processing apparatus - Google Patents

Description

471051 五、發明說明（1 ) 【發明之背景】 本發明屬於例如半導體裝置製造之技術領域。又，本 發明係有關對於例如半導體晶圓及液晶顯示器用之玻璃基 板等之基板，所進行之例如光阻液之塗布處理及顯像素電 極處理的基板處理裝置。 在半導體裝置製造製造程序之中的光阻步驟中，對於 例如半導體晶1IW(以下稱「晶圓」）㈣表面塗布光阻液而 形成光阻膜，對已經將圖樣曝光後的晶圓#供給顯像液而進 行顯像處理。而在進行該一連串的處理上，習知技術上係 使用塗布顯像處理裝置。 此塗布顯像處理裝置乃具有用以冷卻晶圓之冷卻處理 單元、對晶圓加熱之加熱處理單元、對晶圓塗布光阻液之 光阻液塗布單元及對晶圓進行顯像之顯像處理單元等各種 的處理單元。為了達到精簡整體塗布顯像處理裝置，而以 多段設置多數之加熱單元及冷卻處理單元而與運送裝置共 同地作成整體而彙集配置來達到塗布顯像處理裝置之節省 空間化。 p 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元 步 然而，一旦晶圓w大口徑化時，伴隨此而來之整體單 亦變得大型化。因此，為達到節省空間化而有必要進一 使各處理單元之配置更彙集化。 就 惟’ 一旦加熱處理單元大型化時，加熱處理單元之熱 量亦會變多。因此，將目前為止之加熱處理單元群中的— 種處理單元之加熱處理裝置配置在其他處理單元之近傍的 話’在常溫附近對晶圓W進行液處理之其他的處理單元’ .4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 經濟部_智慧財產局員工消費合作社印製 471051 Α7 __Β7 五、發明說明（ 不能精密地進行例如光阻塗布裝置等之溫度控制。而一旦 在此專處理單元發生溫度控制紛敗時，則發生會使光阻膜 之膜厚產生變化等問題。 又，上述之塗布顯像處理裝置中，因用以收納處理液 之容器係置於塗布顯像處理裝置之外，故要將處理液供給 至塗布單元或顯像單元之配管就要變長。此配管乞的處理 I 液在保養等情形時會被廢棄，然而，由於用以對應圖樣之 微細化所須要之光阻液或顯像液之成本變高之故，當處理 液之滯留距離變長時，則整體的成本就會變高。另一方面 ’高精密度地控制從喷嘴所吐出的處理液吐出量，而為了 達到吐出後不會造成處理液滴垂到基板上，就有必要從喷 嘴的前端將處理液儘量地收回，如此一來就須必微妙地調 整處理液的加壓力。因此，為了使定量泵及袋閥等供給控 制機器不會離喷嘴太遠而將不設置在外附的箱體内，而係 要設置在塗布（顯像）單元内’然而，將供給控制機器配置 各塗布（顯像）單元内的話，即有保養困難的問題。 而且’上述之塗布顯像處理裝置中，被運送至處理站 的晶圓乃在該處理站内，並藉著晶圓運送裝置而在塗布單 元及顯像單元及棚架單元之間運送，因此，晶圓運送裝置 之負荷大’而產生處理站内的單元數量不能設置如此多單 元的現狀。 另一方面’從要提昇通量的觀點而論，乃進行檢討著 最好是增加例如塗布單元或顯像單元的數量，又，進行檢 討著追加在對晶圓塗布光阻之前的形成反射防止膜等新的 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^71051

五、發明說明（3 ) 單元的情形。此情形下，對應單元數量的增加而必須增加 晶圓運送構件之數量。又’上述塗布顯像處理裝置中，由 於棚架單元係設置在塗布單元或顯像素電極單元之近傍， 故塗布單元易受來自棚架單元之加熱部的熱影響。爱此， 各單元之處理之際，晶圓之溫度易生變化而溫度將對處理 產生影響，因此在處理上有易發生不均的問題。由此而論 ，即期望能提昇通量，且能構築成均一地進行處理的配置 〇 【發明之概要】 本發明之目的乃在於提供能精密地進行用以對基板進 行液處理之處理單元之溫度控制的基板處理裝置。 又，本發明之目的亦在於提供能弄短處理液之配管的 基板處理裝置。 而且，本發明之目的更在於能提供減少基板運送構件 之負荷而達到提昇通量的基板處理裝置。 為了解決此等問題，本發明之基板處理裝置之特徵在 於具有多段堆積對基板供給一定的液體而進行液處理之第 1處理單兀的第丨處理單元群；多層堆積將對前述基板進行 加熱處理之加熱部與對前述基板進行冷卻處理t冷卻部予 以相互鄰接而呈一體化之第2處理單元的第2處理單元群； 及在則述第1處理單元與前述第2處理單元之間運送基板 =運送震置’且前㈣2處理單元之前述加熱部及前述冷卻 邛之中，前述冷卻部係位於前述第丨處理單元群側，而將前 述第1處理單70群與前述第2處理單元群鄰接配置。 —.—»—裝·!丨丨—訂— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

471051 經濟部*智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------Η______ 五、發明說明（4 ) "~" 一 f發明之中，用以在常溫附近對基板進行液處理之第^ 處理單元群，與具有加熱部及冷卻部之第2處理單元群，其 冷卻部係配置成位於第！處理單元群侧，因此，第】處理單 元能極力抑制關來先第2處理單元群的熱影響。藉此，能 精密地進行用以在常溫附近對基板進行處理之第】處理單 元群的溫度控制。 又，具有對前述第1處理單元群供給清淨空氣之清淨空 軋供、。卩，該π淨空氣供給部係從前述第1處理單元群之下 部排出氣體，使該排出之氣體循環而從前述第丨處理單元群 之上邛將已被调溫之氣體吹出者，且用以斷開配置前述第1 處理單元群之區域與配置前述第2處理單元群之區域，而具 有將由前述第1處理單元群之下部排放出的氣體朝其上部 擔壤的通道。 依據如此構成，通道乃具有作為配置第丨處理單元群之 區域與配置第2處理單元群之區域之間之絕熱構件的功能 。而且在該絕熱構件之通路内循環著氣體，因此，通路内 不會蓄積著而成為極佳絕熱構件的功能。爰此，上述構成 之通路能防止由第2處理單元群向第1處理單元群的熱影響 ’而能極精密地進行用以在常溫附近對基板進行處理之第1 處理單元群的溫度控制。 而且’特徵在於設置絕熱壁，係用以分隔配置前述第1 處理單元群之區域與配置前述第2處理單元群之區域。 依據此構成，絕熱壁能防止從第2處理單元群向第1處 理單元群的熱影響，故極精密地進行用以在常溫附近對基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂·--------線 ____(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 471051 A7

471051 A7 ------- B7_____ 五、發明說明（6 ) 前述第！處理單元群之上部將經調溫之氣體吹出者，且為了 分隔配置前述處理液供給部之區域與配置前述第2處理單 謂之區域，而設有使由前述第1處理單元群之下部排出的 氣體向其上部循環的通路。 依據此構成，通路乃作為配置前述處理液供給部之區 $與配置前述第2處理單元群之區域之間之絕熱構件的功 能。而且在該絕熱構件之通路内循環著氣體，因此，通路 内不會蓄積著而成為極佳絕熱構件的功能。羡此，上述構 成之通路㈣Μ第2處理單謂向第丨處理單元群及處理 液供給部的熱影響，而能極精密地進行用以在常溫附近對 基板進行處理之第丨處理單元群的溫度控制，又，能容易地 進行處理液的溫度管理。 而且，特徵在於设置絕熱壁，係用以分隔配置前述處 理液供給部與配置前述第〗處理單元群之區域與配置前述 第2處理單元群之區域。 依據此構成，絕熱壁能防止從第2處理單元群向第1處 理單元群及處理液供給部的熱影響，故極精密地進行用以 在常溫附近對基板進行處理之第丨處理單元群的溫度控制 ’又，能容易地進行處理液的溫度管理。 本發明之基板處理裝置之特徵在於：具有多段堆積對 基板供給一定的液體而進行液處理之第丨處理單元的第工處 理單元群；多層堆積將對前述基板進行加熱處理之加熱部 與對前述基板進行冷卻處理之冷卻部予以相互鄰接而呈一 體化之第2處理單元的第2處理單元群；及，對經進行前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ----裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -J--0· - •線· 經濟部•智慧財產局員工消費合作杜印製 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（7 ) 液處理之基板進行曝光處理之曝光單元，且對前述曝光單 元搬入基板前，基板於前述第2處理單元群之冷卻部呈待機 狀態。 本發明之第2處理單元群之冷卻部除了進行冷卻處理 之外’能具有作為使曝光前之基板待機之待機處的功能， 而不必要另外設置例如用以保持曝光前之基板的卡匣。 本發明之基板處理裝置之特徵係在於：具有卡匣站， 係包含有用以載置收納著基板之基板卡匣的載置部，及對 被載置在此載置部之基板卡匣進行基板之文接之文接構件 •’及，處理站，係用以連接此卡匣站而處理藉由前述文接 構件所運送之基板，且前述處理站具有：被堆積成多數段 之同時’藉由各處理液對基板進行處理之液處理單元；對 此等液處理單元進行基板之搬出入之搬送構件；及，收納 前述處理液之容器而設置在液處理單元之鄰側或最下段之 液處理單元之下方側的容器收納部。 依據此發明’由於處理液之配管作成短的即可，因此 ，能減少其高價之處理液滯留量而達到降低成本之目的。 前述容器收納部亦可設成收納該設置於從容器將處理 液供給至液處理單元之配管的處理液供給控制機器，如此 一來則具有保養作業性良好的優點。又，與堆積多數段之 液處理單元係向橫方向呈直線狀地多數配置，而於每個堆 積多數段之液處理單元，容器收納部係亦可設置於該液處 理單元之鄰處或下方側，而且亦可於堆積多數段之液處理 單元之最下段的下方側配置使用於各段之液處理單元之使 -----r---ί----裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr---------參！ -10-

471051

力機器。 經濟钝智慧財產局員工消費合作社印製 、處理站乃具有用以進行例如對液處理單元之前處理/ ，或後處理’而多段堆積用以加熱處理及冷卻處理之 早70的棚架單元。x，容器收納部設置在液處理單元之鄰 近的構成情形下’在棚架單元冷卻基板後，亦可進一步將 用以更精密度地冷卻至—定溫度之微調整用的冷卻部，從 運送構件之運送區域區劃出來而在液處理單元使用之環境 氣體的流動環境中，配置於前述容器收納部之上或下。 在設置棚架單元之裝置中，亦可如下述之構成，此情 形下能具有從卡匣站觀看使深度方向的長度變短的優點。 a·基板卡匣朝X方向多數配列。 b·處理站係將具有運送構件、多數段堆積之液處理單元 及棚架單元之區塊朝γ方向連接而構成。 c·處理站整體來看，多數段堆積之液處理單元呈朝γ方向 直線狀地多數配置，棚架單元係朝γ方向多數並列，運 送構件係配置於棚架單元之並列與液處理單元之並列 之間。 d·於靠近卡匣站之區塊，棚架單元之中的至少一段乃作 為在文接構件與運送構件之間用以文接基板之交接部 而構成，而從運送構件來看，該棚架單元係相對於X 方向朝卡匣站斜斜地配著。 e·於連接於靠近卡E站之區塊之區塊之中，從運送方向 來看棚架單元係朝X方向配置。 因此，本發明之基板處理裝置之特徵在於：具有卡 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 站’係包含有用以載置其收納多數基板之基板卡匣的載置 部及相對於被載置於此載置部的基板而用以進行基板之文 接之文接構件；及，處理站，係連接此卡匣站而處理其藉 著前述文接構件被運送之基板；而前述處理站具有對於基 板塗布處理液之塗布處理部，及對於此塗布處理部進行基 板之文接的基板運送構件，且前述卡匣站之文接構件對於 前述處理站之塗布處理部進行基板之文接。 此構成係對於前述處理站之塗布處理部，乃不僅基板 運送構件’而即使是藉著前述卡匣站之文接構件亦可進行 基板之文接。爰此’能減輕基板運送構件之負荷而能增加 其分量之塗布處理裝置等，故能達到提昇通量的目的。 又’本發明之特徵在於：具有卡匣站，係包含有用以 載置其收納多數基板之基板卡匣的載置部及相對於被載置 於此載置部的基板而用以進行基板之文接之文接構件；及 ’處理站’係連接此卡匣站而處理其藉著前述文接構件被 運送之基板；而前述處理站具有··設置於卡匣站側而對於 基板塗布第1處理液之第1塗布處理部；設置於卡匣站之相 對側而對基板塗布第2處理液之第2塗布處理部；設於前述 第1塗布處理部及第2塗布處理部之間而用以對基板加熱的 加熱部；設於第1塗布處理部與加熱部之間而對此等進行基 板之運送的第1基板運送構件，·設於第2塗布處理部與加熱 部之間而對此等進行基板之運送的第2基板運送構件。 如此的構成，因將第1塗布處理部與第2塗布處理部設 置於加熱部之兩側而夾持著加熱部與基板運送構件，而使 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -----r---r--I ^^1 ^--------^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051

五、發明說明（10 ) 經濟部'智慧財產局員工消費合作社印製 第1塗布處理部及第2塗布處理部離開加熱部，故使此等第j 塗布處理部及第2塗布處理部不易受到來自加熱部的熱影 響。爰此，能抑制塗布處理時之基板溫度的變化，而能防 止因溫度變化之因素所發生之處理不均而達到提昇塗布處 理之均一性。 於此，亦可構成藉由前述卡匣站之文接構件而對前述 處理站之第1塗布處理部進行基板之文接，而在此情形下能 減輕基板運送構件的負荷。 又，前述處理站具有用以冷卻基板的冷卻部，而前述 卡匣站之文接構件亦可構成對此處理站之冷卻部進行基板 之文接’此情形下，即使是例如於塗布處理之前冷卻基板 而調整基板溫度之情形，亦可減輕基板運送構件之負荷， 同時能省去基板之運送上的浪費。 本發明具體上具有設置於前述處理站之卡|£站之相對 側的曝光裝置，及連接於處理站之卡匣站之相對側而在與 處理站與曝光裝置之間用以進行基板之文接的界面站；前 述第1塗布處理部包含有對基板進行形成反射防止膜之處 理部’則述第2塗布處理部係包含有構成對在前述曝光襄置 被曝光之基板進行顯像處理之處理部。 【發明之實施樣態】 以下一邊參照圖式1〜圖式8 —邊來說明本發明之第一 實施樣態。第1圖〜第4圖係表示本發明之一實施樣態之塗 布顯像處理系統的圖式，第1圖係俯視圖，第2圖係前視圖 。第3圖係沿著第1處理單元群圖之X方向切斷時之斷面圖， -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） — IIIIIIIIIII — —— — — — — — I tlllllll — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第1圖所示，此塗布顯像處理系統丨係具有一體地構 成··將例如25片的晶圓w以卡匣單位從外部對塗布顯像處理 系統1進行搬出入，或用以對卡匣C將晶圓搬出入之卡匣站2 ;在塗布顯像處理步驟中將對晶圓施予一定之處理之枚葉 式的各處理單元予以多段配置而形成之第〗處理單元3 ;與 此第1處理站鄰接而配置之第〗站約相同之構成的第2處理 站；在鄰接此第2處理站4而配置之曝光裝置（省略圖式）之 間用以文接晶圓W之界面部5。第1處理站3主要是於晶圓w 上進行反射防止膜及光阻膜之塗布處理，第2處理站4係進 行經曝光之光阻膜的顯像處理。 卡E站2係於卡匣載置台1〇上之定位突起1〇ε的位置， 使多數個卡匣C將晶圓W之出入口朝處理站3側沿著X方向（ 第1圖中的上下方向）而自由載置呈一列。可朝此卡匣C之配 列方向（X方向）及收納在卡匣C之晶圓w之配列方向（z方向 :垂直方向）移動之晶圓運送體11係沿著運送路12而自由移〃 動，對各卡匣呈可選擇性地存取狀態。 此晶圓運送體11係構成於β方向亦自由旋轉，且構成 對將於後述之作為第1處理站3之第2處理單元群之第1加熱 •冷卻處理單元群14a之各第1加熱·冷卻處理單元i〇a之冷 卻處理單元（CPL)18a能存取狀態。 如第1圖、第1圖所示，第1處理站3係作為於正面側進 行液處理之第1處理單元群，而設置有反射防止膜塗布單元 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¢. 經濟部' 智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 --B7 五、發明說明（12 ) (BCT)群13a及光阻膜塗布單元（CT)群13b。反射防止膜塗布 早元（BCT)群13a係在常溫附近對晶圓W進行塗布處理之反 射防止膜塗布單元（BCT) 16朝z軸方向堆積3段而構成者。又 ’光阻膜塗布單元（CT)群13b係在常溫附近對晶圓W進行塗 布處理之光阻膜塗布單元（CT)17朝z軸方向堆積3段而構成 者。 於第1處理站3之中央部配置有夾持著運送裝置19a而 作為第2處理單元群之第1加熱.冷卻處理單元群〗4a、第2 加熱·冷卻處理單元群14b。第1加熱·冷卻處理單元群14a 中’第1加熱·冷卻處理單元l〇a朝z軸方向呈堆積8段的構 成’第2加熱·冷卻處理單元i〇b朝z軸方向呈堆積7段的構 成’而且此等的下層係呈配置著將於後述之運送單元（STL) 的構成。各第1及第2加熱.冷卻處理單元i〇a、l〇b係對晶 圓W進行冷卻之冷卻處理單元（CPL)18a、i8b進行加熱之加 熱處理單元（HP)20a、20b係各別相互地鄰接而構成一體化 〇 如第1圖及第3圖所示，第1加熱·冷卻處理單元群14a 係第1加熱·冷卻處理單元10a例如積層8段的構成，於全部 的第1加熱·冷卻處理單元10a中，用以使冷卻處理單元 (CPL)18a係位於反射防止膜塗布單元（BCT)群13a側而配置 第1加熱.冷卻處理單元群14a與反射防止膜塗布單元（BCT) 群13a。又，第3圖係沿著第1圖之x方向而切斷之情形的斷 面圖’而係表示沿著X方向之第1處理單元群13a與第2處理 單元群14a之關係位置圖。又，第2加熱.冷卻處理單元群 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公i ) I--^ · I-----— 11 I !線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13 ) 14b亦同樣地，係第2加熱·冷卻處理單元i〇b之多段積層而 構成，於全部的第2加熱·冷卻處理單元i〇b，冷卻亢理單 元18b係配置於光阻膜塗布單元（CT)群13b側。 垂直運送型之運送裝置19a之周圍配置著反射防止膜 塗布單元（BCT)群13a、光阻膜塗布單元（CT)群13b、第1及 第2加熱·冷卻處理單元群14a、14b。而在第1加熱.冷卻 處理單元群14a與反射防止膜塗布單元（BCT)群13a之間的 晶圓運送、在第2加熱·冷卻處理單元群i4b與光阻膜塗布 單元（CT)群13b之間的晶圓運送乃藉著運送裝置19a而進行 。又，第1加熱·冷卻處理單元1〇3之冷卻處理單元（CpL)l8a 的兩側面設置著可開閉之開閉元件47a、47b。第1加熱·在 冷卻處理單元1 〇a與晶圓運送體11之間的基板的文接及在 第1加熱·冷卻處理單元l〇a與運送裝置198之間的基板的文 接’乃各別藉由開閉元件47a、47b而進行。又，第2加熱· 冷卻處理單元l〇b之冷卻處理單元（CPL) 18b之運送裝置側 之側面設置著可開閉之開閉元件47a，藉由此開閉元件47a 而能進行運送裝置19a與冷卻處理單元（CPL) 18b之間之基 板的文接。 另一方面，第2處理站4如第1圖、第2圖所示，與第1 處理站3同樣地，於正面側在常溫附近作為對晶圓w進行液 處理之第1處理單元群，而配置著第丨顯像處理單元群13c 、第2顯像處理單元群13d。第1顯像處理單元群13c係顯像 處理單元（DEV)26向z軸方向堆積2段而構成，第2顯像處理 單元群13d亦同樣地係顯像處理單元（1)評）26向2軸方向堆 •16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮------- ----^-------^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部』智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 B7 五、發明說明（14 ) 積2段而構成。 於第2處理站4之中央部配置有夾持著運送裝置19b而 作為第2處理單元群之第3加熱·冷卻處理單元群14c、第4 加熱·冷卻處理單元群14d。第3加熱·冷卻處理單元群14c 中，第1加熱·冷卻處理單元10c朝z軸方向呈堆積7段的構 成，且此等之下層係配置將於後述之運送單元（STL)而構成 。第4加熱·冷卻處理單元群14d係第4加熱·冷卻處理單元 10d向方向堆積8段而構成。 各第3及第4加熱.冷卻處理單元10c、10d係對晶圓W 進行冷卻之冷卻處理單元（CPL) 18c、18d進行加熱之加熱處 理單元（HP)20c、20d係各別相互地鄰接而構成一體化。而 如第1圖所示，已積層之全部的第3加熱·冷卻處理單元10c 之冷卻處理單元（CPL) 18c與加熱處理單元（HP)20c之中，為 使冷卻處理單元（CPL) 18c設置於第1顯像處理單元（DEV)群 13c側而配置第3加熱·冷卻處理單元群14c及第1顯像處理 單元（DEV)群13c。又，已積層之全部的第4加熱·冷卻處理 單元10d之冷卻處理單元（CPL)i8d與加熱處理單元（HP)20d 之中，為使冷卻處理單元（CPL) 18d設置於第2顯像處理單元 (DEV)群13d側而配置第4加熱·冷卻處理單元群14d及第2 顯像處理單元（DEV)群13d。 垂運運送型之運送裝置19b之周圍配置著第1顯像處理 單元群13c、第1顯像處理單元群13d、第3及第4加熱·冷卻 處理單元群14c、14d。而在第3加熱·冷卻處理單元群14c 與第1顯像處理單元（DEV)群13c之間的晶圓運送、在第4加 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------- I I----—訂. — — — — — — I* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7

五、發明說明（15 ) 熱.冷卻處理單元群14d與第2顯像處理單元（DEV)群13d之 間的晶圓運送乃藉著運送裝置丨9b而進行。又，第4加熱· 冷卻處理單元l〇d之冷卻處理單元（<^〇18〇1的兩側面設置 著可開閉之開閉元件47a、47b。在第4加熱·冷卻處理單元 1 Od與運送裝置1 9b之間的基板的文接及在第4加熱·冷卻處 理單元10d與晶圓運送體37之間的基板的文接，乃各別藉由 開閉元件47a、47b而進行。又，第3加熱·冷卻處理單元1〇(： 之冷卻處理單元18c之運送裝置側之側面設置著可開閉之 開閉元件47b，藉由此開閉元件47b而能進行運送裝置19b 與冷卻處理單元18c之間之基板的文接。 又’如第1圖所示’第1處理站3及第2處理站4之背面側 設置著用以收容化學塔之容器棚，而該化學塔係用以蓄存 著檢查機6及第1處理單元群13所使用之處理液。此容器棚 藉著執道7而沿著圖式之y方向呈可移動狀。容器棚係例如 在背面側具有可開閉之扉的構成，在此扉可收容容器。藉 此’能容易地進行容器之交換及保養檢查。檢查機6係用以 極查經曝光、顯像處理之晶圓W之塗布膜的膜厚者，且係因 應必要而設置。又，處理液乃例如有用以供給反射防止膜 塗布單元（BCT)16之反射防止膜光阻材、用以供給光阻膜塗 布單元（CT)17之光阻膜材、用以供給顯像處理單元26之顯 像液。爰此’亦可將配置於背面側之化學塔15之處理液作 為主要的處理液源來使用，將配置於背面側之化學塔丨5作 為預備用而配置、而於其他區域作為主要的處理液源而配 置其他的化學塔來使用亦無妨。 -18- 經濟部*智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 ---B7 五、發明說明（16 ) 在界面部5，於其正面側配置著用以暫時保持曝光前之 晶圓’例如與晶圓W卡匣c相同的構造的緩衝卡匣33，於其 背面配置周邊曝光裝置34 ^而可朝垂直方向昇降而且能朝 0方向旋轉的晶圓運送體37乃沿著此等之緩衝卡匣33與周 邊曝光裝置34之間的運送。句36而呈可移動狀，晶圓運送體 37係構成為可對第4加熱·冷卻處理單元iQd之冷卻處理單 元（CPL)18d、緩衝卡匣33及周邊曝光裝置34、曝光前冷卻 單元（圖式未顯示）進行存取。 而且，在此塗布顯像處理裝置系統如第1圖、第3圖所 示，在第1處理站3之第1處理單元13(反射防止膜塗布單元 (BCT)群13a、光阻膜塗布單元（(^)群131))與第2處理單元群 14(第1及第2加熱·冷卻處理單元群14a、i4b)之間、在第2 處理站4之第1處理單元群丨3(第1及第2顯像處理單元群丨3c 、：13d)與第2處理單元群14(第3及第4加熱·冷卻處理單元 群14c、14d)之間，分別地配置用以將從絕熱壁39及將於後 述之第1處理單元群13之下部排出的氣體向其上部循環之 通路40。即’絕熱壁39及通路40乃配置成用以將第1處理單 元群13與第2處理單元群14之間予以隔斷者。 如第2圖所示，在上述之反射防止膜塗布單元（BCT)群 13a’於杯内將晶圓w載置於旋轉夾上而塗布反射防止膜， 而用以進行反射防止膜塗布之反射防止膜塗布單元（bct) 乃對該晶圓W堆積3段。 在光阻塗布單元群13b，於杯内將晶圓W載置於旋轉夾 上而塗布光阻液，而用以進行光阻液塗布之光阻液塗布單 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I -----------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 五、發明說明（17 ) 元（CT)乃對該晶圓w堆積3段。 在第1顯像處理單元群13c，於杯内將晶圓W載置於旋轉 夾上而塗布顯像液，而用以進行顯像液塗布之顯像液塗布 單元（DEV)26乃對該晶圓W堆積2段。 同樣地，在第2顯像處理單元群13d，於杯内將晶圓W 載置於旋轉夾上而塗布顯像液，而用以進行顯像液塗布之 顯像液塗布單元（DEV)26乃對該晶圓W堆積2段。 在第2及第2加熱.冷卻處理單元群14b、14c，加熱· 冷卻處理單元呈堆積7段，而此等之單元的下段更如第4圖 所示一般，分別配置著運送單元（STL)38b、38c。第1及第2 處理站3、4之間的晶圓W之文接係藉由連通二個運送單元 (STL) 38b、38c之連通路40a而進行。如第4圖所示，運送單 元（STL) 38b、38c各設有開口部，因應各開口部而設置可開 閉之開閉構件48a、48b、49a、49b。藉著將開閉構件48a 、49b開閉而能在各別對應38b、38c之運送裝置19a、19b 之間進行晶圓W之文接。又，藉著開閉構件48b、49a透過連 通路40而能進行在運送單元（STL)38b、38c之間的晶圓W的 文接，即’能進行在第1及第2站之的晶圓W的文接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I----裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次以立體圖之第5圖說明上述之運送裝置19a、19b 。上述之運送裝置19a及19b具有相同的構造，在第5圖中乃 以元件標號19來說明。 如第5圖所示，運送裝置19係在由上端及下端相互連接 而呈對向之一體的壁部51、52所構成之筒狀支持體53的内 側，具有能朝上向方向（Z方向）自由昇降之晶圓W運送構件 -20- 18 471051 五 發明說明（ 54。筒狀支持體53連接於馬達軸55，藉著此一馬達55之旋 轉驅動力而以前述旋轉軸為中心而與晶圓$運送構件54共 同一體地旋轉。因此，晶圓W運送構件54係呈朝著0方向自 由旋轉。 晶圓W運送構件54之運送基台56上，於上下具有用以保 持晶圓W之多數例如二根銷組57、58。各銷組57、58基本上 具有相同的構造，且具有可自由通過筒狀支持體53之兩壁 部51、52之間的側開口部之形態及大小。又，各銷組叮、 58藉著内藏於運送基台56之馬達（圖式未顯示）而呈自由地 向前後方向移動。 接著以第4、第6、第7圖來說明上述第丨加熱·冷卻處 理單元10a之構造。第6圖係加熱·冷卻處理單元之俯視圖 ，第7圖係加熱.冷卻處理單元之斷面圖。 如第6圖、第7圖所示，第丨加熱·冷卻處理單元1〇&係 使對晶圓w進行加熱處理之加熱處理單元（Hp)2〇a與對晶圓 w進行冷卻處理之冷卻處理單元（cpL)18a相互鄰接而呈一 體化的構造。 加熱處理單元（HP)20a具有可將溫度設定於2〇(rc前後 之熱板24。而且加熱處理單元（Hp)2〇a具有用以開閉加熱處 理單元（HP)20a與冷卻處理單元（cpL)18a之間的問開閉器 21及在熱板24之周圍包圍著晶圓w之同時且與閘開閉器2 j —同昇降之環開閉器22。在熱板24自 由昇降地設置著用以 載置晶1JW而進行昇降之三個昇降銷23。又，亦可在熱板24 與％開閉裔22之間設置遮蔽板幕。加熱處理單s(Hp)2〇a -21- 本紙張尺度國國家標準(CNS)A4規格⑵Q X视公羞 471051 A7 B7 五、發明說明（19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之下方設置著用以昇降上述三個昇降銷23之昇降機構27， 及用以使環開閉器22與閘開閉器21—同昇降之昇降機構28 。熱板24上設置一高度為0. 2mm之近接銷35，且設置導引導 件32。 冷卻處理單元（CPL)18a具有將晶圓w冷卻至23°C前後 之冷卻板25。如第4圖、第6圖所示，冷卻處理單元（cpL)i8a 之卡匣站側之側部具有用以在與卡匣站2之間進行文接晶 圓W的開口部，並配置著因應此開口部而可開閉之開閉器構 件47a。而且冷卻處理單元（CPL) 18a之運送裝置19側之側部 具有用以在與運送裝置19之間進行文接晶圓w的開口部，並 配置著因應此開口部而可開閉之開閉器構件47b。 如第7圖所示，加熱處理單元（HP)2〇a與冷卻處理單元 (CPL) 18a藉由連通口 30而連通著，用以載置晶圓w並冷卻之 冷卻板2 5沿著導引板5 9並藉著移動機構6 0而構成可朝水平 方向自由移動。藉此，冷卻板25藉由連通口 30而能進入加 熱處理單元（HP)20a，並而從昇降銷23將藉由加熱處理單元 (HP)20a内之熱板24加熱後之晶圓W文接而運入冷卻處理單 元（CPL)18a内並進行晶圓w之冷卻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述之中，雖已說明了第1加熱·冷卻處理單元l〇a， 惟’第4加熱·冷卻處理單元群i4d之第4加熱·冷卻處理單 元10d亦具有相同的構造。又，第2加熱·冷卻處理單元10b 、第3加熱·冷卻處理單元1〇c亦具有約與第1加熱.冷卻處 理單元10a相同的構造，然而，如第1圖及第4圖所示，相對 於在第1加熱.冷卻處理單元1 〇a兩側面設置著開閉器構件 -22- 本紙張尺錢ffl + _家標準（CNS)A4規格（21〇x297公爱） 471051 ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2G ) 47a、47b，第2及第3加熱.冷卻處理單元l〇b、10c之不同 點在於僅在運送裝置19側之側面設置開閉器構件47a或47b 。本實施樣態中，冷卻處理單元（(：孔）183、I8d中，開閉器 構件47a、47b之雙方係進行開閉驅動電路動而並非呈開啟 的狀態。即，藉著開閉器構件47a而呈開口的狀態時，係藉 著開閉器構件47b而使開口部閉著，相反的，藉著開閉器構 件47b而呈開口的狀態時，係藉著開閉器構件47a而使開口 部閉著。如此藉著控制開閉器構件47a、47b之開閉驅動電 路動而能達到冷卻處理單元（CPL)之功能，即，能達到載置 保存室的功能’而能更精密地進行用以在常溫附近對晶圓W 進行處理之處理液供給單元（BCT、CT、DEV)之溫度控制。 上述之本實施樣態中，在第1處理單元群13a、13b、13c 、13d與第2處理單元群14a、14b、14c、14d之間分別設置 著用以將從絕熱壁39及第1處理單元群13之下部排出的排 氣朝其上部循環之通路40的溫度調節機構。以第8圖來說明 此溫度調節機構。又，第8圖係處理液供給單元圖，在此係 多段積層反射防止膜塗布單元（BCT)l 6之第1處理單元群 13a的概略斷面圖。 如第8圖所示，塗布顯像處理系統1之上部配置著對作 為第1處理站3之第1處理群的反射防止膜塗布單元（BCT)群 13a供給經從上部調節溫度之清淨空氣之清淨空氣供給部 41。清淨空氣供給部41具有FFU(Fun · Filter · unit)及調 整溫度及濕度之調溫裝置，而透藉由用以從反射防止膜塗 布單元（BCT)群13a之下部排出之氣體朝其上部循環之通路 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 ---------- B7 五、發明說明（21 ) 40而對流入之氣體調整其溫度及濕度，並藉由通路“而將 經去除了粒子等之清淨空氣供給至各反射防止膜塗布單元 (BCT)16。而且，如第1圖所示，在通路4〇與第2處理單元群 之加熱·冷卻處理單元l〇a之間配置著絕熱壁39。本實施樣 態中’藉著設置此等絕熱壁及調溫機構而更能精密地進行 用以在常溫附近對晶圓w進行處理之處理液供給單元（BCT 、CT、DEV)的溫度控制。而同樣的如第1圖所示，在第1處 理單元群13b、13c、13d與各別對應之加熱·冷卻處理單元 群14b、14c、14d之間亦分別地設置清淨空氣供給部4〇及斷 熱壁39。 接著說明如此地構成之塗布顯像處理系統1之處理步 驟。 於塗布顯像處理系統1，收容於卡匣C内之未處理之晶 圓W藉著卡匣站2之晶圓運送體11而取出後，運送至第1處理 站3之第1加熱·冷卻處理單元1〇3之冷卻處理單元（CPL)18a 内而載置於冷卻板25上進行冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL) 18a内經進行冷卻處理之晶圓w 藉著運送裝置19a而運送至反射防止膜塗布單元（BCT)群 13a之反射防止塗布單元（BCT) 16内而塗布反射防止膜用之 處理液。 在反射防止塗布單元（BCT)16經塗布反射防止膜用之 晶圓W乃藉著運送裝置19a而運送至第1加熱.冷卻處理單元 10a之冷卻處理單元（CPL) 18a内而載置於冷卻板25上。經載 置於冷卻板25上之晶圓W如第7圖所示，藉著以移動機構60 •24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l·, Ο 經 濟 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 471051 五、發明說明（22 ) 而水平移動之冷卻板25乃藉由連通口 30而運送至加熱處理 單几（HP)20a内。經運送之晶圓w藉著上昇狀態之昇降銷23 而被支持。此後，昇降銷23下降而使晶圓w載置於熱板24 上，與此同時，環開閉器22及閘開閉器21上昇而在所形成 之加熱處理空間内進行加熱處理。加熱處理後，在昇降銷 23上昇之同時，環開閉器22及閘開閉器21下降而使晶圓w 離開熱板24而藉由昇降銷23來支持。 其後，冷卻板25再度插入加熱處理單元（HP)内而文接 經加熱處理之晶圓W。晶圓W藉著冷卻板25而被運送至冷卻 處理單元（CPL) 18a内進行冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL) 18a經冷卻處理之晶圓w藉著運 送裝置19a而運送至光阻塗布單元群13b之光阻塗布單元 (CT ) 17内進行塗布光阻液。 在光阻塗布單元（CT)17經塗布光阻液之晶圓w藉著運 送裝置19a而被運送至第2加熱·冷卻處理單元1〇b之冷卻處 理單元（CPL) 18b内並載置於冷卻板25上。載置在冷卻板25 上之晶圓W藉著以移動機構6 〇而水平移動之冷卻板2 5並通 過連通口 30而被運送至加熱處理單元（Hp)2〇bR。被運送之 晶圓W乃藉著上昇狀態之昇降銷23來支持。其後，昇降銷23 下降而使晶圓W載置於熱板24上，與此同時，環開閉器22 及閘開閉器21上昇而在所形成之加熱處理空間内進行加熱 處理。加熱處理後，在昇降銷2 3上昇之同時，環開閉器2 2 及閘開閉器21下降而使晶圓W離開熱板24而藉由昇降銷23 來支持。 25. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝·-------訂·------I « (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23 五 A7 B7 發明說明（ 其後，冷卻板25再度插入加熱處理單元（HP)20b内而文 接經加熱處理之晶圓W。晶圓W藉著冷卻板25而被運送至冷 卻處理單元（CPL)18b内進行冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL) 18b經冷卻處理之晶圓W藉著運 送裝置19a而運送至配置在第2加熱.冷卻處理單元群14b 之最下段之運送單元（STL)38b，並通過連通路4〇a而運送至 第3加熱·冷卻處理單元群14c之運送單元（STL)38c。 經運送至第3加熱.冷卻處理單元群14c之運送單元 (STL)的晶圓W藉著運送裝置19b而運送至第4加熱·冷卻處 理單元群14d之加熱.冷卻處理單元i〇d之冷卻處理單元。 而且，運送到冷卻處理單元之晶圓W藉著界面部5之晶 圓運送體37而運送至周邊曝光裝置34並進行周邊曝光。 在周邊曝光裝置34進行周邊曝光之晶圓w乃藉著晶圓 運送體37運送至緩衝卡匣33而被暫時地保持或藉由晶圓運 送體37、曝光前冷卻單元（圖式未顯示）、晶圓運送體而運 送至曝光裝置（圖式未顯示）。 於此，例如設置二個緩衝卡匣33，而能使用其中一個 作為用以保持周邊曝光後之晶圓W，而另一個作為用以保持 周邊曝光前之晶圓W。糾，於用以保持周邊曝光前之晶圓 W最好是設置將晶圓w冷卻至23r前後之常溫的機構。或是 緩衝卡E33僅保持周邊曝光後之晶圓w，用以保持周邊曝光 前之晶圓W乃可將第2處理單元群14c，或是將Ud之加熱. 冷卻處理單元l〇c或l〇d之中空著的冷卻處理單元18c或丨⑸ 使用作為周邊曝光前之使晶圓ff待機的處所。此時，無必要 -26- 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐 -----K--I-------I----訂·丨丨丨丨丨丨 I - . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五 Φ ~經濟部*智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 B7 發明說明（24 ) 設置用以保持周邊曝光前之晶圓W之緩衝卡匣。 其次，藉著曝光裝置而被曝光處理之晶圓W乃藉由晶圓 運送體、緩衝卡匣33及晶圓運送體37而從界面部5朝第2處 理站4之加熱·冷卻處理單元群14d之第4加熱·冷卻處理單 元10d之冷卻處理單元（CPL)18d内並進行冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL)18d進行冷卻處理之晶圓W藉著 運送裝置19b而被運送至第1顯像處理單元群13c或第2顯像 處理單元群13d之顯像處理單元（DEV)26並進行顯像處理。 在顯像處理單元（DEV)26進行顯像處理之晶圓W藉著運 送裝置19b，而藉由例如第3加熱·冷卻處理單元群14c之加 熱·冷卻處理單元10c之冷卻處理單元（CPL) 18c而被運送至 鄰接此一冷卻處理單元（CPL)18c之加熱處理單元（HP)20c 内並進行加熱處理。 在加熱處理單元（HP)20c進行加熱處理之晶圓W被運送 至冷卻處理單元（CPL) 18c，並藉著運送裝置19b而被運送至 第2處理站4之運送單元（STL)38c，並通過連通路40a而運送 至第3處理站3之運送單元（STL)38b。 被運送至運送單元（STL)之晶圓W乃藉著運送裝置19a 而被運送至第1加熱·冷卻處理單元18a。而冷卻處理單元 18a内之晶圓W藉著卡匣站2之晶圓運送體11而被收容於卡 匣C内。於此，在設置檢查機6之情形下，冷卻處理單元18a 藉著卡匣站2之晶圓運送體11而被運送至檢查機6。在檢查 機6藉著測定光阻膜之膜厚而判斷依曝光顯像裝置所獲得 之圖樣的寬度是否適當正確。經檢查之晶圓W乃藉著卡匣站 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------· I-----—訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 B7 五 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 發明說明（25 ) 2之晶圓運送體11而被收容至卡匣C内。 依據以上所述而構成之本實施樣態之塗布顯像處理系 統的話’加熱·冷卻處理單元之冷卻處理單元（CPL)藉由配 置在液處理早元侧而形成液處理單元與加熱處理單元（HP) 之間介在著冷卻處理單元（CPL)的構造。藉此，能極力地抑 制從加熱處理單元對液處理單元的熱影響。因此，該塗布 顯像處理系統能精密地進行用以對晶圓W進行液處理之液 處理單元(bct、ct、dev)之溫度控制。 而且，依據本實施樣態之塗布顯像處理系 統的話，第1 元 元 及第2處理站3、4之液處理單元群（反射防止膜塗布單 (BCT))群13a、光阻膜塗布單元(。職、第i顯像處理單… 群13c、第2顯像處理單元群13d)與加熱·冷卻處理單元群（ 第1至第4加熱·冷卻處理單元群14a、14b、14c、14d)之間 各別配置絕熱壁及配置用以將從冷卻處理單元群Ua、⑽ 14c、14d各別的下部排出的氣體朝其上部循環之通路“ 。如此一來，通路4〇亦具有絕熱構件之功能，因此，第ι 處理單元群13與第2充理單元群14之間形成配置著二層的 絕熱構件，而更能抑制加熱·冷卻處理軍元之加熱處理單 70對液處理單70群之熱的影響，而能極精密地進行在常溫 附近對晶圓W進行液處理之液處理單元群之溫度控制。 顯 11 以下一邊參照第9〜第ι丨圖一邊說明本發明之第二實 把樣態。第9〜第11圖係表示本發明之一實施樣態之塗布 像處理系統圖，第9圖係俯視圖，第丨〇圖係正面圖。第^ 圖係沿著第9圖之A — A，線而切斷之情形下的斷面圖，係表 -28. 本紙張尺度1®用中關家標準（CNS)A4規格⑽χ挪公爱 471051 ΙΨ ‘經濟部¥慧財產局員工消費合作社印製 A7 發明說明（ 示第1處理單元群13a與第2處理單元群14a與化學塔15之乂 方向的位置關係圖。 本實施樣態與上述第一實施樣態之不同點在於收容處 理液之化學塔的配置，且在二個運送裝置心、⑽之間配 置的加熱·冷卻處理裝置的數量為一個之點方面，其構造 上不同。以下即說明第二實施樣態，然而，有關於與第一 貝把樣態相同之構造則省略一部分說明。又，與第一實施 樣態相同之構成則賦予相同的元件標號來說明。 如第9圖所示，塗布顯像處理系統丨具有將與第一實施 樣態同樣的卡匣站2、在塗布顯像處理步驟中多段配置對晶 圓W施予一定處理之枚葉式之各種處理單元而形成之第丨處 理站8、鄰接此第1處理站8而配置之第2處理站9及鄰接此第 2處理站9而配置之曝光裝置（省略其圖式）之間用以文接晶 圓W之界面部5予以連接成一體的構成。在第丨處理站主要於 晶圓w上進行反射防止膜及光阻膜的塗布處理，在第2處理 站進行經曝光之光阻膜的顯像處理。 有關於卡E站2乃因具有與第一實施樣態相同的構造 而省略其說明。 如第9圖、第1 〇圖所示，在第1處理站，於正面側設置 作為進行液處理之第1處理單元群的反射防止膜塗布單元 (BCT)群13a及光阻膜塗布單元（CT)群13b。反射防止膜塗布 單元（BCT)群13a係在常溫附近對晶圓w進行塗布處理之反 射防止膜塗布單元〇(：丁）16朝2軸方向堆積3段而構成。又， 光阻膜塗布單元（CT)群13b係在常溫附近對晶圓界進行塗布 29 本紙張尺度過用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（27 ) 處理之光阻膜塗布單元（CT)17朝z軸方向堆積3段而構成。 而且’配置各別連接於反射防止膜塗布單元（BCT)群13a及 光阻膜塗布單元（CT)群13b的化學塔15a、15b。在化學塔15a 收容著用以供給反射防止膜塗布單元（BCT)〗6之作為處理 液的反射防止膜材料’在化學塔16b收容著用以供給光阻膜 塗布單元（CT) 17之作為處理液的光阻材料。 於第1處理站8之背面部配置著夾持運送裝置iga之作 為第2處理單元群的第1加熱.冷卻處理單元群14a、第2加 熱.冷卻處理單元群14b。第1加熱·冷卻處理單元群i4a 、第2加熱·冷卻處理單元群14b係配置成各別連接著化學 塔15a、15b。在第1加熱冷卻處理單元群14a，第1加熱· 冷卻處理單元l〇a係朝z軸方向堆積8段而構成。在第2加熱 •冷卻處理單元群14b ’第2加熱·冷卻處理單元i〇b係朝z 軸方向堆積8段而構成。各第1及第2加熱.冷卻處理單元i〇a 、l〇b係對晶圓W進行冷卻處理之冷卻處理單元（cpL)l8a、 18b及進行加熱處理之加熱處理單元（Hp)2〇a、2〇b各別相互 鄰接而呈一體化的構成。 如第11圖所示，第1加熱·冷卻處理單元群14a係多段 堆積第1加熱·冷卻處理單元l〇a而構成者。又，第U圖係 沿著第9圖之線A — A’切斷狀態的斷面圖，並表示沿著χ方向 之第1處理單元群13a與化學塔15a與第2處理單元群14a之 位置關係圖。如第9圖、第11圖所示，作為第2處理單元群 之第1加熱·冷卻處理單元群14a係第1加熱·冷卻處理單元 10a堆積8段而構成，於全部的第1加熱·冷卻處理單元i〇a -30- 本紙張尺度適用巾關家標準（CNS)A4規格（21Gx 297公髮） * -- 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _經濟部.智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 B7 五、發明說明（28 ) ，加熱處理單元（HP)20a與冷卻處理單元（CPL)18a之中，冷 卻處理單元（CPL) 18a係配置在作為處理液供給部的化學塔 15a側。鄰接此化學塔15a而配置作為第1處理單元群的反射 防止膜塗布單元（BCT)群13a。又，第2加熱.冷卻處理單元 群14a亦同樣地係第2加熱·冷卻處理單元10b堆積8段而構 成，於全部的第1加熱·冷卻處理單元10b，加熱處理單元 (HP)20b與冷卻處理單元（CPL)18b之中，冷卻處理單元 (CPL)18b係配置在作為處理液供給部的化學塔15b側。鄰接 此化學塔15b而配置作為第1處理單元群的光阻膜塗布單元 (CT)群13b及將於後述之第1顯像處理單元群13c。 垂直運送型之運送裝置19a之周圍配置著反射防止膜 塗布單元（BCT)群13a、光阻膜塗布單元（CT)群13b、第1及 第2加熱·冷卻處理單元群14a、14b。第1處理站8之運送裝 置19a、反射防止膜塗布單元（BCT)群13a、光阻膜塗布單元 (CT)群13b、第1加熱·冷卻處理單元群14a之構造乃與上述 第一實施樣態之第1處理站3各構成相同的構造，在此省略 其詳細的說明。本實施樣態之第2加熱冷卻處理單元群14b 比較於上述第一實施樣態之第2加熱·冷卻處理單元群14b ，因於兩側面具開閉器元件47a、47b之點及不具有運送單 元（STL)之點而構造不同。本實施樣態中，第1處理站8與將 於後述之第2處理站9之間的晶圓W的運送係能藉由第2加熱 •冷卻處理單元群14b之各第2加熱·冷卻處理單元10b之冷 卻處理單元19b而進行。因此，各冷卻處理單元18b之兩側 面設置著開閉器元件47a、47b。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051

五、發明說明（29 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另方面，第2處理站9如第g圖、第1〇圖所示，與第i 處理站8同樣地’於正面側在常溫附近作為對晶圓W進行液 處理之第1處理單元群，而配置著第㈣像處理單元群13。 、第2顯像處理單元群13d。第1顯像處理單元群13c係顯像 處理早tg(DEV)26向z軸方向堆積2段而構成，第2顯像處理 早το群13d亦同樣地係顯像處理單元（DEV)26向z軸方向堆 積2段而構成。而且係鄰接第2顯像處理單元群i3d而配置化 學塔15c。於此化學塔收容著供給顯像處理單元（dev)262 作為處理液的顯像液。 於第2處理站9之背面部配置著夾持運送裝置19b而位 於相對向於第2加熱·冷卻處理單元群14b之作為第2處理單 元群的第3加熱·冷卻處理單元群14c。第3加熱冷卻處理 單元群14c係配置成連接著化學塔15ce第3加熱•冷卻處理 單元群14係第3加熱·冷卻處理單元1〇c係朝z軸方向堆積8 段而構成。 第3加熱·冷卻處理單元群14b係對晶圓#進行冷卻處理 之冷卻處理單元（CPL) 18c及進行加熱處理之加熱處理單元 (HP)20c各別相互鄰接而呈一體化的構成。而如第9圖所示 ，經積層之全部的第3加熱·冷卻處理單元10c之冷卻處理 單元（CPL)18c與加熱處理單元（HP)20c之中，冷卻處理單元 (CPL) 18c係作為處理液供給部而配置於化學塔1 “側。並鄰 接此化學塔15c而配置一作為第1處理單元群的第2顯像處 理單元（DEV)群13d。 垂直運送型之運送裝置19b之周圍配置著第1顯像處理 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公'髮） 裝--------訂--------- ^#1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 ❿ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 、發明說明（30 ) 單几群13c、第2顯像處理單元群13d、第2及第3加熱·冷卻 處理單tl群14b、14c。於此，第2加熱·冷卻處理單元群14b 亦能對應對晶圓上之塗布膜的成膜前後的加熱處理或冷卻 处理顯像處理則後之加熱處理或冷卻處理的任何處理。 而第2加熱·冷卻處理單元群Ub與第3加熱.冷卻處理單元 群14c之間的晶圓w的運送、第2加熱冷卻處理單元群丨仆 與第1或第2顯像處理單元（])5^)群1;^、13d之間的晶圓運送 、第3加熱·冷卻處理單元群14c與第丨或第2顯像處理單元 (DEV)群13c、13d之間的晶圓運送，係藉著運送裝置19b而 進行。第2或第3加熱·冷卻處理單元群14b、14c與運送裝 置19b之間之晶圓w的文接係各別藉由設置在冷卻處理單元 18b、18c之47b、47al而進行。又，第3加熱·冷卻處理單 几10c之冷卻處理單元18c與晶圓運送體37之間之晶圓化的 文接係藉由冷卻處理單元18c之開閉器構件47b而進行。 由於界面部5與上述第一實施樣態之界面部5構造相同 ’故省略各個說明。 又’此塗布顯像處理系統1如第9圖、第11圖所示，係 在第1處理站8及第2處理站之第1處理單元群i3(反射防止 膜塗布單元（BCT)群13a、光阻膜塗布單元（CT)群13b、第1 顯像處理單元（DEV)群13c、第2顯像處理單元（DEV)群13d) 與第2處理單元群14(第1加熱·冷卻處理單元群丨4a、第2 加熱·冷卻處理單元群14b、第3加熱·冷卻處理單元群l4c) 之間配置著化學塔15( 15a、15b、15c)的構造，而且，化學 塔15與第2處理單元群14之間配置絕熱壁及用以將由第1處 -33- 本紙張尺度過用T國國冢標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--I I * -----I I 訂---------*3^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（31 ) 理單元群13之下部排出的氣體朝其上部循環的通路4〇。又 ，鄰接化學塔15b而設置的通路40及絕熱壁39具有對於對應 一個第2處理單元群14b之二個第1處理單元群13b、13c之調 節溫度機構及絕熱構件的功能。本實施樣態亦與上述第一 貫施樣態相同地，於塗布顯像處理系統之上部配置從上部 對各第1處理單元群供給經調溫之清淨空氣的清涼淨空氣 供給部。清淨空氣供給部具有FFU(Fun · Filter · unit)及 調整溫度及濕度之調溫裝置，而透藉由用以從第1處理單元 群之下部排出之氣體朝其上部循環之通路4〇而對流入之氣 體調整其溫度及濕度，並藉由通路43而將經去除了粒子等 之清淨空氣供給至第1處理單元群。本實施樣態亦與上述第 一實施樣態相同地’藉著設置著用以將從絕熱壁39及第1 處理單元群13之下部排出的排氣朝其上部循環之通路4〇的 溫度調節機構，而更能精密地進行用以在常溫附近對晶圓W 進行處理之處理液供給單元（BCT、CT ' DEV)的溫度控制。 而且通路40並具有絕熱構件的功能，故藉著第2處理單元與 化學塔15之間设置絕熱壁39及通路40而形成配置著二層的 絕熱構件。因此，能極精密地進行用以在常溫附近對晶圓W 進行液處理之處理液單元群的溫度控制，又，不易受到被 收容在化學塔15之處理液因加熱處理單元20所造成之熱的 影響而變得容易進行處理液的溫度調整。 如第10圖所示，上述反射防止膜塗布單元（BCT)群13a 中，在卡匣内將晶圓W載置於旋轉夾而塗布反射防止膜，對 該晶圓W將施予反射防止膜塗布處理之反射防止膜塗布單 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 Φ 1經濟部h智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7___ 五、發明說明（32 ) 元（BCT) 16堆積3段。於光阻膜塗布單元（CT)群13b，在杯内 將晶圓W載置於旋轉夾而塗布光阻液，對該晶圓w將施予光 阻塗布處理之光阻膜塗布單元（CT)堆積3段。在第1顯像處 理單元群13c中’於杯内將晶圓W載置於旋轉夾而供給顯像 液，對該晶圓W將施予顯像處理之顯像處理單元（DEV)26從 上方起堆積2段。同樣的，在第2顯像處理單元群13d，於杯 内將晶圓W載置於旋轉夾而供給顯像液，對該晶圓w將施予 顯像處理之顯像處理單元（DEV)26從上方起堆積2段。 第1、第2及第3加熱·冷卻處理單元群14a、14b、14c ，乃將各別對晶圓W進行加熱處理之加熱處理單元（HP)20 與對晶圓W進行冷卻處理之冷卻處理單元（CPL)18予以相互 鄰接而呈一體化之加熱·冷卻處理單元18堆積8段而構成， 如上述一般地於全部的冷卻處理單元之側面設置著開閉器 構件47a、47b。又，本實施樣態之加熱·冷卻處理單元 之構造與上述之第一實施樣態相同，故在此省略其說明。 上述運送裝置19a、19b之構造與上述之第一實施樣態 之運送裝置19a及19b相同，故省略其說明。 其次說明如此構成之塗布顯像處理系統1之處理步驟 。又’因加熱.冷卻處理單元之動作與上述第一實施樣態 相同，故省略其說明。 於塗布顯像處理系統1，被收容在卡匣c内之未處理的 晶圓W乃藉著卡匣站2之晶圓運送體11而取出後，被運送至 第1處理站3之第1加熱·冷卻處理單元l〇a之冷卻處理單元 (CPL) 18a内而載置於冷卻板25上並進行冷卻處理。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裳- - - ----—訂·------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 ____B7 五、發明說明（33 ) 在冷卻處理單元（CPL) 18a内經冷卻處理之晶圓W乃藉 著運送裝置19a而被運送至反射防止膜塗布單元（bct)群 13a之反射防止膜塗布單元（bct)16内而塗布反射防止膜用 的處在理液。 在反射防止膜塗布單元（BCT) 16經塗布反射防止膜用 之處在理液的晶圓W乃藉著運送裝置19a而被運送至第1加 熱·冷卻處理單元l〇a之冷卻處理單元（(：扎）183内而載置於 冷卻板25上。被載置於冷卻板25上之晶圓W乃被運送到加熱 處理單元（HP)20a内而進行加熱處理。 其後，晶圓W被運送至冷卻處理單元（CPL) 18a内而進行 冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL) 18a内經冷卻處理之晶圓W乃藉 著運送裝置19a而被運送至光阻膜塗布單元群13b之光阻膜 塗布單元（CT)17内而塗布光阻液。 在光阻膜塗布單元（CT)17内經塗布光阻液之晶圓W乃 藉著運送裝置19a而被運送至第2加熱·冷卻處理單元i〇b 之冷卻處理單元（CPL)18b内。而且，晶圓w被被運送到加熱 處理單元（HP) 20a内而進行加熱處理。 其後’晶圓W被運送至冷卻處理單元（(^]^) 18b内而進行 冷卻處理。在冷卻處理單元（CPL)18b内經冷卻處理之晶圓w 乃藉著運送裝置19b而被運送至第3加熱·冷卻處理單元群 14c之加熱.冷卻處理單元1〇c的冷卻處理單元丨此。 而且’經運送至冷卻處理單元之晶圓W乃藉著界面部5 之晶圓運送體37而被運送至周邊曝光裝置34内進行周邊曝 -36- 本紙張尺度制中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 - ----— —訂- ---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051

發明說明（34 ; _經濟部-智慧財產局員工消費合作社印製 光。 在周邊曝光裝置34内經周邊曝光之晶圓w藉著晶圓運 送體37而被運送至緩衝卡£33並被暫時保持或是藉由晶圓 運迗體37、曝光前冷卻單元（圖式未顯示）、晶圓運送體而 被運送至曝光裝置（圖式未顯示）。 接著，被以曝光裝置施予曝光處理之晶圓w乃藉著緩衝 卡匣33、晶圓運送體而從界面部5運送至第2處理站9之第3 加熱·冷卻處理單元群14c之第3加熱·冷卻處理單元1〇c 的冷卻處理單元（CPL)i8cr，並進行冷卻處理。 在冷部處理單元（CPL) 18c内經冷卻處理之晶圓w乃藉 著運送裝置19b而被運送至第1顯像處理單元群13c或第2顯 像處理單元群13d之顯像處理單元（DEV)26而進行顯像處理 在顯像處理單元（DEV)26被顯像處理之晶圓w乃藉著運 送裝置19b而藉由例如第2加熱.冷卻處理單元群丨4b之加熱 •冷卻處理單元l〇b的冷卻處理單元（CPL)18b而運送至與此 冷卻處理單元（CPL)18b鄰接的加熱處理單元（HP)20b内，並 進行加熱處理。 在加熱處理單元（HP)20b經進行加熱處理之晶圓w被運 送至冷卻處理單元18b，而藉著運送裝置1牝運送至第1加熱 •冷卻處理單元群14a之第1加熱·冷卻處理單元1〇a的冷卻 處理單元（CPL) 18a。至於在冷卻處理單元群14a内的晶圓W 則藉著卡匣站2之晶圓運送體11而收容在卡匣c内。 依據以上說明所構成之本實施樣態的塗布顯像處理系 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（35 ) 統’配置著與液處理單元（BCT、CT、DEV)鄰接而作為處理 供給部之化學塔，與化學塔鄰接並配置加熱·冷卻處理單 几而力:熱·冷部處理單元之冷卻處理單元咖）藉著配置於 化:：側而呈在加熱·冷卻處理單元與液處理單元之間介 在著W處理單元及化學塔。如此一來，能大幅地抑制從 2於液處理單元側之加熱處理單元來的熱的影響，而能精 密地控制在該塗布顯像處理系統用以對晶圓，行液處理 之液處理單元(BCT、CT、_的溫度控制。 —而且，依據本實施樣態之塗布顯像處理系 統的話，藉 著在=處理單元（反射防止膜塗布單元（bct)群i3a、光阻膜 塗布早7G(CT)群13b、第1顯像處理單元（_群13c、第 顯像處理單元（_群13d)與加熱·冷卻處理單元群（第i 至第4加熱·冷卻處理單元群Ua、Ub、14c、14d)之間各 別配置絕熱壁39及配置用將從液處理單元群13a、13b、i3c 、13d各別的下部排出的氣體向其上部循環之通路利，而 能防止加熱.冷卻處理單元之加熱處理單元對液處理單~ 群之熱的影響’而能極—地進行在常溫附近對晶，進行 液處理之液處理單元群之溫度控制。 以下一邊參照第12〜第14圖一邊說明本發明之第三實 施樣態。第12〜第14圖係表示本發明之一實施樣態之塗布 顯像處理系統圖，第12圖係俯視圖，第i3圖係正面圖。第 14圖係沿著第12圖之B—B，線而切斷之情形下的斷面圖，係 表示第1處理單元群13a與第2處理單元群143之义方向的位 置關係圖。 2 更 元 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---- -38- ♦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 ------ 五、發明說明（36 ) 本實施樣態與上述第一實施樣態之不同點在於收容處 理液之化學塔的配置、運送裝置及加熱·冷卻處理裝置的 數量弄少、堆積反射防止膜塗布單元（BCT)及光阻膜塗布單 元（CT)之點的構造上不同，而比較於第一及第二實施樣態 則系統整體呈小型化。 以下即說明第三實施樣態，然而，有關於與第一實施 樣態相同之構造則省略一部分說明。又，與第一實施樣態 相同之構成則賦予相同的元件標號來說明。 如第12圖所示，塗布顯像處理系統1具有將與第一實施 樣態同樣的卡匣站2、在塗布顯像處理步驟中多段配置對晶 圓W施予一定處理之牧葉式之各種處理單元而形成之第1處 理站45、鄰接此第1處理站而配置之第2處理站46及鄰接此 第2處理站46而配置之曝光裝置（省略其圖式）之間用以文 接晶圓W之界面部5予以連接成一體的構成。在第1處理站45 主要於晶圓W上進行反射防止膜及光阻膜的塗布處理，在第 2處理站46進行經曝光之光阻膜的顯像處理。在塗布顯像處 理系統1之約中央部配置運送裝置19，運送裝置19係用於第 1處理站45及第2處理站46之處理中的晶圓w的運送。 有關於卡匣站2乃因具有與第一實施樣態約相同的構 造而僅s兒明不同的部分。如第13圖所示，於卡臣站2之底部 配置著用以收容將於後述之供給光阻膜塗布單元（CT)i7作 為處理液之光阻膜材料的化學塔15b。 如第12圖、第13圖所示’在第1處理站45,於正面側設 置作為進行液處理之第1處理單元群的反射防止膜·光阻膜 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

471051 五、發明說明（37 ) 塗布單元（CT)群13e。反射防止膜.光阻膜塗布單元（CT) 群13e係在常溫附近對晶圓巧進行塗布處理之反射防止膜塗 布單元（BCT)16、光阻膜塗布單元（CT)17各別朝2軸方向分 別堆積2段而構成。又，鄰接反射防止膜·光阻膜塗布單元 (CT)群13e而配置化學塔15a。在化學塔15a收容著用以供給 反射防止膜塗布單元（BCT) 16之作為處理液的反射防止膜 材料。 於第1處理站45之背面部配置著鄰接化學塔15a而作為 第2處理單元群的第1加熱·冷卻處理單元群14a。第丨加熱 •冷卻處理單元群14a中，第1加熱·冷卻處理單元1〇a係 朝z軸方向堆積多段而構成。各第1加熱·冷卻處理單元1 係對晶圓W進行冷卻處理之冷卻處理單元（cpL)18a與進行 加熱處理之加熱處理單元（HP)20a各別相互鄰接而呈一體 化的構成。 如第14圖所示，第1加熱·冷卻處理單元群14&係12段 堆積第1加熱·冷卻處理單元l〇a而構成者。又，第14圖係 沿著第12圖之線B — B’切斷狀態的斷面圖，並表示沿著X方 向之第1處理單元群13a與化學塔15a與第2處理單元群14a 之位置關係圖。如第12圖、第14圖所示，第1加熱·冷卻處 理單元群14a係第1加熱·冷卻處理單元i〇a堆積丨2段而構成 ，並鄰接化學塔15a而配置。而且，於第1加熱·冷卻處理 單元群14a之全部的第1加熱·冷卻處理單元1(^，加熱處理 單元（HP)20a與冷卻處理單元（CP)18a之中，冷卻處理單元 (CPL)l8a係配置在化學塔15a側。又，鄰接化學塔15a而配 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1111111 > I 丨 II s'. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 " " ----B7_______ 五、發明說明（38 ) 置反射防止膜·光阻膜塗布單元（(：1^群130。 另一方面，第2處理站46如第12圖、第13圖所示，於正 面側配置著在常溫附近作為對晶圓w進行液處理之顯像處 理單tl群13f，顯像處理單元群13f係顯像處理單元（DEV)26 向z軸方向堆積4段而構成。而且，鄰接顯像處理單元群

經- 濟 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 而配置化學塔15c。於此化學塔收容著供給顯像處理單元 (DEV)26之作為處理液的顯像液。 於第1處理站46之背面部配置著鄰接化學塔丨5之第2加 熱·冷卻處理單元群14b。第2加熱.冷卻處理單元群14b係 第2加熱·冷卻處理單元1〇1)朝2軸方向堆積12段而構成。於 第2加熱.冷卻處理單元群14b之全部的第2加熱·冷卻處理 單元i〇b，加熱處理單元（肝）2(^與冷卻處理單元（cp)18b 之中，冷卻處理單元（CPL)18a係配置在化學塔15c側。又 ，鄰接化學塔15c而配置顯像處理單元。 於垂直運送型運送裝置19之周圍配置著反射防止膜. 光阻膜塗布單元（CT)群13e、顯像處理單元群13f、第1及第 2加熱·冷部處理單兀群丨4a、14b。各單元群之間的晶圓w 的運送係藉著運送裝置19而進行。又，第丨加熱·冷卻處理 單元群14a與晶圓運送體11之晶圓w的文接、第2加熱·冷卻 處理單元群14b與晶圓運送體37之晶圓W的文接、第j或第2 加熱·冷卻處理單元群14a、14b與運送裝置〗9之晶圓w運送 、係藉由設置在第1或第2加熱·冷卻處理單元群14a、〗4b 之反加熱·冷卻處理單元1〇3、10b之冷卻處理單元18&、i8b 之兩側面的開閉器構件47a、47b而進行。 -41 - 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（39 界面部5乃與上述第一實施樣態之界面部5同樣的構造 ，因此省略其說明。 此塗布顯像處理系統丨如第12圖、第13圖所示，係在第 1處理單元群13(反射防止膜·光阻膜塗布單元（CT)群13e 、顯像處理單元群13f)與第2處理單元群^(第丨加熱.冷卻 處理單元群14a、第2加熱·冷卻處理單元群14b)之間配置 著化學塔15(15a、15c)的構造，而且，化學塔π與第2處理 單元群14之間配置絕熱壁39及用以將由第丨處理單元群J 3 之下。卩排出的氣體朝其上部循環的通路4 〇。本實施樣態亦 與上述第一實施樣態相同地，於塗布顯像處理系統之上部 配置從上部對各第1處理卓元群供給經調溫之清淨空氣的 清涼淨空氣供給部。清淨空氣供給部具有FFU(Fun · Filter • unit)及調整溫度及濕度之調溫裝置，而透藉由用以從第 1處理單元群之下部排出之氣體朝其上部循環之通路而 對流入之氣體調整其溫度及濕度，並藉由通路43而將經去 除了粒子等之清淨空氣供給至第1處理單元群。本實施樣態 亦與上述第一貫施樣態相同地’藉著設置著用以將從絕熱 壁39及第1處理單元群13之下部排出的排氣朝其上部循環 之通路4 0的溫度調郎機構’而更能精密地進行用以在常溫 附近對晶圓W進行處理之處理液供給單元（BCT、ct、DEV) 的溫度控制。 如第13圖所示’上述反射防止膜·光阻膜塗布單元（ct) 群13e中’在杯内將晶圓W載置於旋轉夾而塗布反射防止膜 ’對該晶圓W將施予反射防止膜塗布處理之反射防止膜塗布 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x297公釐） --------I---I ^--I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΜΎ. 471051 _經濟部¥慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（4G ; 早π (BCT) 16堆積2段，在杯内將晶載置於旋轉夾而塗布 光阻液對該曰曰圓W將施予光阻塗布處理之光阻膜塗布單元 (CT)17堆積2段。顯像處理單元群m中，於杯内將晶， 載置於旋轉爽而供給顯像液，對該晶圓w將施予顯像處理之 顯像處理單元（DEV)26從上方起堆積4段。 第1、第2加熱·冷卻處理單元群14a、14b，乃將各別 對晶圓W進行加熱處理之加熱處理單元（1^)2〇與對晶圓w進 行冷卻處理之冷卻處理單元（cpL)18予以相互鄰接而呈一 體化之加熱.冷卻處理單元1〇堆積12段而構成。於全部加 熱·冷卻處理單元1〇之冷卻處理單元的側面設置著開閉器 構件47a、47b。又，本實施樣態之加熱·冷卻處理單元1〇 之構造與上述之第一實施樣態相同，故在此省略其說明。 上述運送裝置19之構造與上述之第一實施樣態之運送 裝置19a及19b相同，故省略其說明。 其次說明如此構成之塗布顯像處理系統1之處理步驟 。又，因加熱·冷卻處理單元之動作與上述第一實施樣態 相同，故省略其說明。 於塗布顯像處理系統1，被收容在卡匣c内之未處理的 晶圓W乃藉著卡匣站2之晶圓運送體丨丨而取出後，被運送至 第1處理站3之第1加熱·冷卻處理單元1〇3之冷卻處理單元 (CPL) 18a内而載置於冷卻板25上並進行冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL) 18a内經冷卻處理之晶圓W乃藉 著運送裝置19而被運送至反射防止膜塗布單元（CT)群13e 之反射防止膜塗布單元（BCT)群16内而塗布反射防止膜用 43. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --I---I--I I I I ---I I — I 訂-- - ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 ______ B7 五、發明說明（41 ) 的處在理液。 在反射防止膜塗布單元（BCT) 16經塗布反射防止膜用 之處在理液的晶圓W乃藉著運送裝置19而被運送至第1加熱 •冷卻處理早元l〇a之冷卻處理单元（CPL)18a内而載置於冷 卻板25上。被載置於冷卻板25上之晶圓W乃被運送到加熱處 理單元（HP)20a内而進行加熱處理。 其後，晶圓W被運送至冷卻處理單元（CPL)18a内而進行 冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL)18a内經冷卻處理之晶圓w乃藉 著運送裝置19而被運送至反射防止膜·光阻膜塗布單元 (CT)群13e之光阻膜塗布單元（CT)17内而塗布光阻液。 在光阻膜塗布單元（CT) 17内經塗布光阻液之晶圓w乃 藉著運送裝置19而被運送至第2加熱.冷卻處理單元i〇b之 冷卻處理單元（CPL) 18b内。而且，晶圓W被被運送到加熱處 理單元（HP) 20b内而進行加熱處理。 其後，晶圓W被運送至冷卻處理單元（CPL) 18b内而進行 冷卻處理。在冷卻處理單元（CPL) 18b内經冷卻處理之晶圓w 乃藉著界面部6之晶圓運送體37而被運送至周邊曝光裝置 34内進行周邊曝光。 在周邊曝光裝置34内經周邊曝光之晶圓w藉著晶圓運 送體37而被運送至緩衝卡匣33並被暫時保持或是藉由晶圓 運送體37、曝光前冷卻單元（圖式未顯示）、晶圓運送體而 被運送至曝光裝置（圖式未顯示）。 接著，被以曝光裝置施予曝光處理之晶圓W乃藉著緩衝 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ * I------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 ♦ 經濟部·智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明（42 ) 卡匣33、晶圓運送體37而從界面部5運送至第2處理站46之 第2加熱·冷卻處理單元群14b之第2加熱·冷卻處理單元10b 的冷卻處理單元（CPL)18b内，並進行冷卻處理。 在冷卻處理單元（CPL) 18b内經冷卻處理之晶圓W乃藉 著運送裝置19而被運送至顯像處理單元群13f之顯像處理 單元（DEV)26而進行顯像處理。 在顯像處理單元（DEV)26被顯像處理之晶圓W乃藉著運 送裝置19而藉由第1加熱·冷卻處理單元群14a之加熱·冷 卻處理單元10a的冷卻處理單元（CPL)l 8a而運送至與此冷 卻處理單元（CPL)18a鄰接的加熱處理單元（HP)20a内，並進 行加熱處理。 在加熱處理單元（HP)20a經進行加熱處理之晶圓W被運 送至冷卻處理單元18a，而且，藉著卡匣站2之晶圓運送體 11而收容在卡匡C内。 依據以上說明所構成之本實施樣態的塗布顯像處理系 統，配置著與液處理單元（BCT、CT、DEV)鄰接而作為處理 供給部之化學塔，與化學塔鄰接並配置加熱·冷卻處理單 元，而加熱·冷卻處理單元之冷卻處理單元（CPL)藉著配置 於化學塔側而呈在加熱·冷卻處理單元與液處理單元之間 介在著冷卻處理單元及化學塔的構造。如此一來，能大幅 地抑制從對於液處理單元側之加熱處理單元來的熱的影響 ，而能精密地控制在該塗布顯像處理系統用以對晶圓w進行 液處理之液處理單元（BCT、CT、DEV)的溫度控制。 而且，依據本實施樣態之塗布顯像處理系統的話，藉 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝.-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ~~ _ B7 五、發明說明（43 ) 著在液處理單元（反射防止膜·光阻膜塗布單元⑽群13e 、顯像處理單元群13f)與加熱·冷卻處理單元群（第^至第2 加熱.冷卻處理單元群14a、14b)之間各別配置絕熱壁39 及配置用將從液處理單元群13e、13f各別的下部排出的氣 體向其上部循環之通路40，而更能防止加熱冷卻處理單 儿之加熱處理單元對液處理單元群之熱的影響，而能極精 密，進行在常溫附近對晶圓w進行液處理之液處理單元群 之溫度控制。而且，通路4〇係具有一種的絕熱構件藉著 在第2處理單元群14與化學㈣之間設置絕熱壁⑽及通路 4〇，而呈具有二層絕熱構件的構造。因此，不易受到被收 容在化學塔15之處理液因加熱處理單元20所造成之熱的影 響而變得容易進行處理液的溫度調整。 又，上述各實施樣態中，雖已舉出以晶圓w作為基板的 例子，惟，本發明亦能適用於LCD基板等其他的基板。 本發明之系統構成並不限於上述之各實施樣態，而在 本發明之技術思想範圍内乃能推思到各種的構成。 例如，不僅光阻之塗布顯像處理系統，本發明亦適用 於其他的系統例如於基板上形成層間絕緣層之s〇D(Spin on Dielectric)處理系統等。s〇D處理系統具有於基板上塗 布層間絕緣膜材料的塗布單元、及對經塗布絕緣膜材料之 基板進行加熱、冷卻的加熱.冷卻處理單元。此加熱•冷 卻處理單元與本實施樣態之加熱·冷卻處理單元同樣地具 有加熱處理單元及與此鄰接而設置的冷卻處理單元，S0D 處理系統之加熱處理單元乃具有可設定溫度於2〇〇〜47{rc -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐）

^---I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n I* n tr---------s'. 4^1〇5i

-經濟部*知曰慧財產局員工消費合作社印製 的熱板。對於具有作為如此的可進行高溫處理之單元及液 處理單元的塗布單元，如本發明這般地將冷卻處理單元配 置於塗布單元側而對配置塗布單元與加熱·冷卻處理單元 而言即非常有效。或是，將收容供給鄰接液處理單元而配 置之塗布單元處理液的處理液收容部，鄰接於加熱·冷卻 處理單元而配置，並將冷卻處理單元配置於位在處理液收 容部的情形非常有效。藉此，能極精密地進行液處理單元 群之溫度控制。 又’作為系統構成’並不限於第1圖至第4圖所示之系 統，例如第1圖所示，亦可於第15圖之系統更增設由一台運 送裝置19c、作為一台液處理單元26a之顯像處理單元及一 群加熱·冷卻處理單元群14所構成之半區塊乜。如此一來 ’藉著可增設半區塊而能更細緻地進行軌跡的調整，而藉 此能達到執跡之最適當化。 其次說明本發明之其他實施樣態。 此實施樣態係將本發明之基板處理裝置適合應用於基 板之塗布、顯像裝置者。第16圖係表示透視此實施樣態之 内部的概觀圖，第1 7圖係概略俯視圖。圖中S1係卡匣站， S2係用以對晶圓w進行光阻之塗布或顯像處理等的處理站 ’ S3係界面站，S4係曝光站。 卡匣站S1具有將收納多數之基板例如25片之晶圓W之 例如形成5個基板卡匣的晶圓卡匣（以下稱「卡匣」）122朝X 方向配列而載置之載置部所形成之卡匣台121、及用以在卡 E台121上之卡匣122與將於後述之處理站S2之交接部之間 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） I · I----I I 訂·-------1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) W1051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^ --— _Β7______ 五、發明說明（45 ) 進行晶圓W之文接的文接構件所形成之文接臂123。文接臂 123係構成自由昇降、朝χ、γ方向自由移動、自由旋轉於垂 直轴周圍的構造。 處理站S2係構成從卡匣站S1觀看曝光站S4而朝裡側配 置三個區塊Bl、B2、B3的構造。各區塊Bl、B2、B3及界面 站S3係以筐體包圍’各區塊B1、B2、B3之間及區塊B1、卡 E站S1之間’區塊β3與界面站幻之間亦被區隔著，而構成 區隔成各個環境的構成。又，卡匣站S1及區塊Bl、B2、B3 係形成清淨空氣之下吹。 區塊B1具有沿著卡匣站S1之背面而設置的棚架單元w 、從卡匣站S1觀看裡側而各設置於左側及右側之棚架單元 R2及液處理單元的反射防止膜形成單元1〇3、在棚架單元Rl 、R2及反射防止膜形成單元1 〇3之間及相鄰的區塊B2的交接 部之間進行晶圓W運送之基板運送構件的主臂丨〇4、及將於 後述之容器收納部的化學塔單元1〇5A。 第18圖係從側面觀看卡匣站s丨及區塊B丨之一部分而平 面上的展開的說明圖。前述棚架單元如第18圖所示，分 配著堆積用以對晶圓加熱之加熱部丨24、用以冷卻晶圓讲之 冷卻部125，且具有對此等棚之一部分進行晶圓#之合對位 置的對準部126，及在文接臂123及主臂104A之間進行晶圓W 之文接的台的交接部127。又，亦可將加熱部124、冷卻部 125相互分配於不同的棚架單元。 例如依據第19圖來說明反射防止膜形成單元103時， 131係杯，於此杯131内設置著具有真空吸著功能之自由旋 -48- 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) ---- ^----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

471051 五、發明說明（46 ) 轉的叙轉夾132。此旋轉夾132係藉著昇降機構133而構成自 由昇降，置於杯131上方側時，在與前述運送構件丨〇4A之將 於後述之臂141之間進行晶圓w的文接。134係吐出喷嘴，135 係處理液供給管，134a係使喷嘴水平移動之支持臂。處理 液供給管135係上流端朝向收納著處理液之容器151内伸入 ’而藉著果浦將蓄存在容器151内的處理液136吸入而以過 濾器137過濾，將已去除粒子等之處理液藉由袋閥丨38 ,喷 嘴134而吐出。從喷嘴124吐出的處理液乃藉著旋轉夾132 而滴落於旋轉中的晶圓W上，並進行伸長而形成反射防止膜 。又，杯131内藉著氣液分離構件i39a而由排氣泵浦139吸 引。 第20圖係從橫方向觀看反射防止膜形成單元ι〇3及化 學塔單元105A之配置情形之圖，反射防止膜形成單元ι〇3 係例如堆積三段。各單元103係藉著筐體130將已記述之杯 131及噴嘴134a包覆之同時’於筐體130之上部設置過濾器 單元F ’形成從過濾器單元F來之經溫度、濕度調整的清淨 空氣的下吹，並藉著筐體130而與其外的環境區隔。 於三段之反射防止膜形成單元1〇3之卡匣站si側的鄰 側設置已記述之化學塔單元105A，此化學塔單元i〇5A整體 係以筐體150來包圍之同時，收容著例如三段的反射防止膜 形成單元103之各個所使用之處理液的容器151係配置成三 段。而且，化學塔單元105A内收納著泵涌136、過濾器137 及袋閥138等的處理液供給控制機器。又，在圖式中，代表 容器151而記載著。 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) M濟部·智慧財產局員工消費合作社印製 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______；_B7___ 五、發明說明（47 ) 又，在最下段之反射防止膜形成單元1〇3的下方侧，使 用於各段之反射防止膜形成單元103的使力機器161整合在 筐體160内而配置以構成用以系統單元ι〇6Α。使力機器161 係相當於例如旋轉用以排出杯31内之氣體之泵浦139、使用 於形成旋轉夾132之吸取源的真空泵浦、昇降部133之空氣 筒的空氣源、旋轉失132132之馬達的電力源。又，藉著對 容器内供給加壓氣體而於吐出處理液之情形下，加壓氣體 之供給源例如高壓氮等亦相當於使力機器丨61。 前述主臂104A係與第5圖所示者相同。 如上所述乃區塊B1之構成’然而鄰接於此區塊B1之接 鄰的區塊B2亦為同樣的構成。區塊相對於在晶圓w之表面 形成反射防止膜之情形，區塊B2乃用以在晶圓w之反射防止 膜上形成光阻膜，係取代反射防止膜形成單元1 而配置作 為液處理單元之塗布光阻液的塗布單元1(π。兩單元1〇3、 107係同樣的構成’在塗布單元使用光阻液作為處理液。μ 、R4係棚架單元、ι〇4Β係主臂、ι〇5Β係化學單元、1〇6係使 力系統单元。 連接於區塊B2鄰近的區塊B3乃用以將在曝光站S4曝光 之晶圓予以顯像者。作為液處理單元的顯像單元1〇8在前述 反射防止膜形成單元1〇3及塗布單元1〇7之並列的延長線上 各於上下設置二個共個。顯像單元1〇8之構成雖與反射防止 膜形成單元103略同，惟，具有在晶圓w之直徑方向上使用 配列著多數供給孔之噴嘴等方面的差異。又，化學單元1 〇5C 配置於顯像單元1 〇 8的下方側，使力系統1 q π配置於化學單 -50- i紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五 ♦ •經濟部·智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 ____ B7 發明說明（48 ) 元105C的下方側。 棚架單元R5、R6係分別扉近區塊B2及界面站S3而設置 ，雖然與棚架單元Rl、R2構成略相同，惟係將加熱板與冷 卻板各一片並列，而包含設置於此間隔内專用運送之運送 臂的加熱一冷卻部。設置加熱一冷卻部的理由乃基於使用 化學放大型之光阻的情形下，有必要高精密度地管理在曝 光後所進行的加熱時間。 又’連接於區塊B之裡側的界面站S4具有可於X、γ、z 方向自由移動且於垂直軸周圍自由旋轉之文接臂128,此文 接臂128在區塊B3及曝光站S4之間進行文接晶圓w。 其次說明上述實施樣態的作用。從外部收納例如2 5片 晶圓W的卡匣122被運送到卡匣台121時，晶圓w藉著文接臂 123從卡匣121取出晶圓W而置於區塊B1之棚架單元内的交 接部127 ’並運送至主臂ι〇4Α。此晶圓W係在區塊B1先形成 反射防止膜，其次在區塊B2於反射防止膜上形成例如化學 塔放大型光阻膜，其後在曝光站S4進行曝光。於區塊…中 ’形成反射防止膜之晶圓W乃以棚架單元R1(R2)之加熱部 124進行加熱，其次在冷卻部125冷卻。又，於區塊B2亦以 棚架單元R3(R4)來加熱、冷卻經形成光阻膜的晶圓w。區塊 Bl、B2、B3及界面站S3之間之晶圓W的運送乃通過棚架單元 R3、R5、R6内的交接部來進行。 經曝光之晶圓W在棚架單元R5(R6)内的加熱一冷卻部 進行加熱、冷卻’而在顯像單元108進行顯像處理。顯像後 之晶圓W在棚架單元R5(R6)加熱、冷卻而結束一連串的光阻 -51- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1051 ^1051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 i、發明說明（49 ) 圖樣形成步驟，並藉由區塊B2、B1而回到原來的卡匣121 内。 依據上述實施樣態的話，由於將化學單元105A(105B) 設於反射防止膜形成單元103(塗布單元1〇7)之鄰旁，故能 短短地設置處理液之配管。且因祇會滯留少量之高價的處 理液’且因於保養時等要廢棄所滯留之處理液，因此可降 低成本。又，由於化學單S105A(105B)與反射防止膜形成 單元103(塗布單元1〇7)接近，故將定量地輸送處理液的泵 浦136、或將用以防止從喷嘴134來的處理液吐出後之液滴 漏而將處理液吸取若干而提昇噴嘴134内液面的袋閥138之 所明的供給控制機器設於化學單元1〇5Α(1〇5Β)内亦可減少 壓力損失’因此，能極精密地進行處理液之供給控制，同 時藉著將供給控制機器設於化學單元1 〇5A( 105B)内而能易 於進行保養。上述單元103、107堆積多數段的情形下，例 如於各段的單元103、107各別地於適當的高度配置容器151 或供給控制機器的話’則能更縮短處理液的配管而顯得有 利。 又，於顯像單元108，亦將作為處理液之顯像液的容器 或供給控制機器設置於最下段之顯像單元1〇8的下方側，因 此’顯像淚之配管設置短短地即可，而且亦容易進行保養 。又’由於在反射防止膜形成單元等之液處理單元1〇3、107 、108之下方側配置前已記述之使力機器16丨，故排氣管、 真空抽取管、空氣供給管、加壓氣體供給管等之使力線的 拉引線長度設得短短地即可，又，在各區塊B1 (B2、B3)單 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 Φ -經濟部-智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（5〇 ) 位組入使力機器161或使力線，因此，具有例如能於連接區 塊BKB2、B3)之前進行調整等作業性良好的優點。 第21圖及第22圖表示本發明之其他實施樣態，此實施 樣恝係將反射防止膜形成單元1 〇3及塗布單元1 〇7設成堆積 二段的構成，於反射防止膜形成單元1〇3(塗布單元1〇7)之 下方側配置化學單元1〇5Α(1〇5Β)，同時於化學單元 105AC105B)之下方配置使力系統單元1〇6Α〇〇6Β)。又，第 22圖係表示反射防止膜形成單元ι〇3之並列。而且將棚架單 元各一個（Rl、R2)設置於區塊Β2、Β3，同時區塊Β2、Β3間 的晶圓w的交接乃藉著設置於能從主臂104Α、104Β存取之位 置的中間台191而進行。 第23圖〜第25圖係表示本發明之另外其他的實施樣態 。此實施樣態之反射防止膜形成單元103(塗布單元1〇7)、 化學單元1 〇5Α( 105Β)、使力系統單元之配置乃與第16 圖等所示之實施樣態相同，惟，在化學單元1〇^(1〇53)上 設置冷卻部11 〇 1 ’從主臂1 〇4Α之運送區域（運送環境）將此 冷卻部1101區劃而構成與設置反射防止膜形成單元丨〇3(塗 布單元107)之杯131的環境相同。例如以筐體11〇2包圍設置 著冷卻部1101的環境’在該環境與反射防止膜形成單元1〇3 内的環境之間介在著作為筐體130之一部分的分隔板11〇3 ’同時將由兩環境之天頂部的過濾器來之共通的環境形成 用清淨氣體，亦即將經由溫度、濕度調整之共通的清淨氣 體予以下降。 作為如此構成之理由乃如下所述。即，反射防止膜或 53· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（51 ) 光阻膜之膜厚乃因晶圓w之溫度而改變，因此，在棚架單元 R1(R3)之加熱部124加熱後，於冷卻部125即進行粗除熱（ 調整至大致的冷卻溫度），其後在前述冷卻部1101進行冷卻 時’ 1因冷卻部1101與反射防止膜形成單元103(塗布單元 107)相同環境，故形成相同溫度，因此，膜厚的精密度就 變得很好。此情形下由冷卻部11 〇 1的運送雖可使用主臂 104A(104B)，惟，若是設置連結冷卻部hoi與反射防止膜 形成單元103之間的專用運送構件的話，由於冷卻後的晶圓 W不會通過主臂ι〇4Α(104Β)之計送區域，故更良好。 冷卻部1101可設置於化學單元1〇5Α(105Β)的下方側。 又’在第25圖中1104、1105係形成在各個反射防止膜形成 單元103(塗布單元1〇7)及筐體1102之晶圓W的運送口。又， 於顯像單元108之構成亦與反射防止膜形成單元1 〇3同樣地 堆積三段’化學單元105C、使力系統106C、冷卻部1101( 方便上使用同一標號）之構成亦與第24圖、第25圖所示之構 成相同。 第26圖係表示第23圖所示之實施樣態，不同點為設置 二個堆積三段的顯像單元1 〇8，而於其間設置化學單元及冷 卻部1101之點及配置棚架單元R5、R6之構成與第23圖不同 〇 第27圖係表示上述以外之本發明的實施樣態。此實施 樣態乃如第22圖所示之實施樣態將反射防止膜形成單元 103及塗布單元107二段堆積，於其下設置化學單元 105AC105B)，且於其下設置使力系統單元i〇6A(106B)。又 -54· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------β---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 '經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______ B7__ 五、發明說明（52 ) ’對於顯像單元1 08亦形成同樣的構成。又，區塊B3與界面 站幻之間之晶圓W的交接係介著設界面站S3之交接站192而 進行。 第28圖係第27圖之實施樣態的變形例。於此實施樣態 中’主臂104A、104B、104C對於各個反射防止膜形成單元 103、塗布單元1〇7及顯像單元1〇8而對向於X方向，棚架單 元Rl、R2、R6之並列係配置於從運送構件ι〇4Α、104B、104C 之並列來觀看乃與液處理單元103、107、1〇8之並列呈相對 側。靠近卡匣站S1之區塊B1之棚架單元R1從主臂ι〇4Α來觀 看對於X方向係配置斜斜地對卡匣站Si，同時，其鄰旁之區 塊B2的棚架單元R3從主臂l〇4B來觀看呈對X方向配置。又， 靠近界面站S3之區塊B3的棚架單元R6從主臂104C來觀看係 對X方向為斜斜地配置於界面站S3側。主臂104A、104B之間 及104B、104C之間之晶圓W的晶圓交接係藉由中間台191而 進行。 依據第2 8圖之配置’能使各區塊、B2、B3小型化。 即’棚架單元R1(R6)必須靠近卡匣站Sl(界面站S4)而設置 ，惟’以第28圖之配置於斜左（右）乃比配置於主臂 104AC104C)之正旁更能縮短γ方向的長度，又，中央之區塊 B2藉著將棚架單元R3配置於中央而能縮短γ方向的長度。在 半導體製造工場中，由於半導體製造裝置之縱深較短的話 比較有利，故第28圖之配置為有效。 以上所述塗布、顯像裝置亦具有不包含反射防止膜形 成單元之區塊B1的情形，其情形例如在包含塗布單元之區 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ^-----------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4^1051 A7 '~〜---_Β7___— 五、發明說明（53 ) 塊B2的棚架單元R3(R4)内進行疏水化處理。又，本發明不 僅限於塗布、顯像裝置’對於以旋轉鍍蓋等將包含發氧化 膜之前驅體的處理液塗布於基板上，其後進行加熱、冷卻 的裝置亦能適用。又基板並不限於晶圓，而為液晶顯示器 用的玻璃基板亦可。 又，第17圖所示之裝置亦可變形為第29圖那般。第29 圖所示之裝置中，係於區塊B1改為反射防止膜形成單元1〇3 與化學單元105A的位置。即，將反射防止膜形成單元ι〇3 配置成鄰接卡匣站S1。而與反射防止膜形成單元1〇3之卡匣 站S1鄰接的一側，設置用以在123與此反射防止膜形成單元 103之間進行交接晶圓W的開口 l〇3a。亦可於開口 l〇3a設置 開閉器。以如此的構成，則在卡匣站S1與反射防止膜形成 單元103之間乃能進行直接的晶圓w的交接而可改進處理時 間。 其次說明更進一步的實施樣態。 第30圖係表示透視此實施樣態之内部的概觀圖，第31 圖係概略俯視圖，圖中S21係卡匣站，S22係用以對晶圓W 進行光阻之塗布處理或顯像處理的處理站，S23係界面站、 S24係毆光裝置。 卡匣站S21具有：收納多數基板例如25片之晶圓W之例 如4個基板卡匣所形成之晶圓卡匣（以下稱卡匣）222，而載 置該晶圓卡匣222之載置部所形成之卡匣台221、以及用以 在卡匣台221上之卡匣222與處理站S22之間進行晶圓W之交 接的交接構件所形成之交接臂223。 -56- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' —*-------^--------^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 '經濟部.智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7__ 五、發明說明（54 ) 又，處理站S22具有：例如3個塗布單元200C(C21、C22 、C23);例如 6 個顯像單元 200D(D2 卜 D22、D23、D24、D25 、D26);多數例如2個棚架單元200R(R21、R22、R23);多 數例如3個冷卻部203(23A、23B、23C);作為基板運送構件 的多數例如2個晶圓運送構件200MA(MA21、MA22)及多數個 例如2個晶圓W之交接部204(204A、204B)，在卡匣站S21與 界面站S23之間進行晶圓W之交接，同時進行在該站S22内對 晶圓W形成反射防止膜之處理、對晶圓W塗布光阻之處理、 晶圓W之顯像處理、於此等處理之前後進行將晶圓W加熱、 冷卻至一定的溫度處理。 說明此站S22内之配置的一例，於該站S22内鄰接卡匣 站S21之區域配列第1處理部群。此第1處理部群包含例如作 為第1塗布處理部的3個反射防止膜形成單元200B、3個塗布 單元200C、1個冷卻部203A及1個交接部204A，例如第32圖（ 從曝光裝置S24側觀看鄰接處理站S22之卡匣站S21之區域 的斷面圖）所示，從卡匣站S21觀看，於右側設置3段的反射 防止膜形成單元200B。而於此左側1個冷卻部203A及1個晶 圓W的交接部204A例如設於冷卻部203A上而呈2段設置，且 於此左側3個塗布單元呈3段設置。 前述交接臂223具有各個用以保持晶圓W之2片臂223a( 參照第5圖），各個臂223a構成自由昇降、自由向X、Y方向 行動且向垂直軸周圍呈自由旋轉，例如用以在卡匣台221 上之卡匣222、作為前述第1處理群之3個反射防止膜形成單 元200Β、冷卻部203及交接部之204Α之間進行晶圓W交接， -57- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------I--裝·！-----訂-----I---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（55 ) 而構成能對此等構件進行存取之同時’決家前述第1處理部 群之配置。 又，從卡匣站S21來觀看而鄰接最裡側之界面站S23的 區域，例如第33圖（從曝光裝置S24側觀看鄰接處理站S22 之界面站S23之區域的斷面圖）所示，設置與第1處理群部對 向之第2處理群部。此第2處理群部包含例如作為第2塗布處 理部的6個顯像單元200D、以及兼作晶圓W之交接部的1個冷 卻部203C，從卡匣站S21觀看於右側設置呈3段的3個顯像單 元200D(D21、D22、D23)，於此左側設置冷卻部203、且於 此左側設置呈3段的顯像單元200D(D24、D25、D26)。 秒第1處理部群與第2處理部群之間設置第3處理部群 。此第3處理部群包含有2個棚架單元200R、1個冷卻部203B 及1個交接部204B，此實施例中，從卡匣站S21觀看於反射 乃各於防止膜形成單元200B之裡側設置棚架單元R2卜於塗 布單元200C之裡側設置棚架單元R22，將1個冷卻部20犯與1 個交接部204B設於冷卻部203B上而設成2段。 前述2個晶圓運送構件200MA係構成如將於後述之自由 進退、自由昇降、於垂直軸周圍自由旋轉’並配置成藉著 任何晶圓運送構件200MA而使各反射防止膜形成單元200B 、各塗布單元200C、各顯像單元200D、各冷卻部203、各交 接部204及棚架單元2〇〇R之全體的棚之間能進行晶圓W的交 接。 例如晶圓運送構件MA21係設成能於對前述第1處理部 群與第3處理部群的存取，例如從卡匣站S21觀看係配置於 -58- 本紙張尺錢@ ^^準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) π裝 tr-------1^·«. 471051 •經濟部*智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（56 ) 冷卻部203A之裡側，用以於各反射防止膜形成單元2〇〇b、 各塗布單元200C、各棚架單元200R、冷卻部203A、203B及 交接部204A、204B之間進行晶圓W之交接。又，例如晶圓運 送構件MA22係用以能對第2處理部群與第3處理部群進行存 取，而配置於例如冷卻部203B之裡側，各顯像單元200D、 各棚架單元200R、冷卻部203B、203C及交接部204B之間進 行晶圓W的交接。 又，從卡匣站S21觀看，各晶圓運送構件200MA之右側 乃作為化學單元200U而被分開配置，左側係被確保作為作 業用空間。化學單元200U係用以收納對反射防止膜形成單 元200B、塗布單元200C或顯像單元200D供給藥液的藥液供 給系統，係用以收納例如溶劑、光阻液或顯像液等的貯留 槽或貯留閥等各種閥、過濾器、閥驅動部、吐出喷嘴系統 等。 前述棚架單元200R(R21、R22)係如第34圖中的棚架單 元R 21為代表而縱向配列用以對晶圓W加熱、其後之冷卻之 多數例如 6個 CHP 裝置 205(Chilling Hot Plate Process Station)。前述CHP裝置205如第35圖所示，具有用以對晶 圓W加熱之加熱部之加熱板251 ’以及用以對晶圓w冷卻的冷 卻板2 5 2 ’首先將晶圓W載置於加熱板2 51而加熱至一定的溫 度後（參照第25圖（a))，例如從加熱板251以例如突出銷254 將晶圓W帶上，同時藉著運送構件253將冷卻板252移動至晶 圓W之下方側位置而將晶圓w交接至冷卻板252(參照第25圖 (b))，其後就如此載置著晶圓W而將冷卻板252移動至加熱 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 B7 五、發明說明（57 ) 板251之側方位置而將晶圓W冷卻至一定溫度（第35圖（d)) ，由於此裝置係藉著加熱板251與冷卻板252之間的晶圓W 的交接而控制加熱時間，因此能防止過度烘烤。又，依據 例如第36圖來說明塗布單元200C時，231為杯，於此杯231 内設置著具有真空吸著功能之可自由旋轉的旋轉夾232。此 旋轉夾232藉著昇降機構233而構成可自由昇降，在置於杯 231之上方側時，在與前述晶圓運送構件200MA之將於後述 之臂241之間進行晶圓W的交接。 此晶圓W之交接係在杯231之上方側，旋轉夾232將臂 241之上的晶圓W從其下方側相對地上昇而接收，又，藉由 其相反的動作而從旋轉夾232側於臂241交接。234係吐出喷 嘴、235係處理液供給管、236係使喷嘴水平移動的支持臂 ，在此塗布單元200C，從呈出喷嘴234對旋轉夾232之上的 晶圓W的表面滴下光阻液，並旋轉旋轉夾232而將光阻液伸 展於晶圓W上而塗布。 又，反射防止膜形成單元200B及顯像單元200D雖約與 塗布單元200C相同的構成，惟，顯像單元200D之吐出喷嘴 234係例如構成具有配列於晶圓W之直徑方向的多數的供給 孔，從吐出喷嘴234向旋夾232上之晶圓W的表面吐出作為第 2處理液的顯像液，藉著將旋轉夾232予以半旋轉而進行於 晶圓W上之顯像液的盛液，而形成顯像液的液膜。又，反射 防止膜形成單元200B係形成從吐出噴嘴234吐出第1處理液 的藥液。 前述晶圓運送構件MA21、MA22乃相同的構成，例如與 -60- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------IAWI - I I I I I I I ^ * I I I I---I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 4 -經濟部看慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（58 ) 第5圖所示者相同的構成。 前述晶圓之交接部204具有例如對應於板之上面晶圓 之約中央部晶圓運送構件200MA之臂241不會緩衝程度之高 度的多數銷於此等銷上載置晶圓W之後使臂241下降，接著 使臂241向後退而於交接部204進行交接晶圓W。 又，前述冷卻部203藉著於以冷媒之流通而冷卻之微調 整用冷卻板P的表面載置晶圓W，而使該晶圓W被高精密度地 溫度控制達一定溫度冷卻。本實施樣態中，在CHP裝置205 之加熱板251加熱至一定溫度的晶圓W乃藉著冷卻板252而 被冷卻至一定的溫度，其後在冷卻部203被冷卻達到比第】 溫度更低的第2溫度那樣地被高精密度地控制狀態，而藉著 在第2階段冷卻至一定的溫度（第2溫度）那般地進行高精密 度的溫度調整。 而且，在此實施例中，設置第2處理部群之區域係封閉 空間。亦即與設置著晶圓構件MA22之空間之間以第30圖之 虛線所示之區隔壁206而區隔，如第33圖所示藉由設置在天 頂部的過遽器單元200F而使清淨之空氣進入處理郭之中， 於區隔壁206形成有在各顯像單元200D及冷卻部203C與晶 圓運送構件MA22之間用以交接晶圓w的晶圓W交接口（圖式 未顯示）、以及在冷卻部203C與將於後述之界面站S23的交 接臂207之間用以進行晶圓w之交接的晶圓W交接口（圖式未 顯示）。 例如過濾器單元200F係設置成用以覆蓋處理站S22之 上方側，藉由設置於處理站S22之下部的通氣孔板263而被 -61 - 本紙張尺度剌巾關家標準（CNS)A4規格（ x 297公1髮） ^--------1---------^ (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 471051 五 A7 B7 發明說明（59 ) 回收之該處理站S22内的下側環境，乃從排氣口 264向工場 排氣系統排氣，另一方面，一部分被導入過濾裝置265而在 此過濾裝置265被清淨的空氣乃被送出至形成在與側壁之 間的壁266 ’而藉由設置在天頂部的過濾器單元2〇〇F而於處 理站S22内作為下吹而被吹出。 過濾器單元200F具有用以清淨化空氣的過濾器、用以 去除空氣中的鹼成分例如氨成分或胺而添加酸成分的化學 過濾器、吸入風扇、以及加熱機構或加濕機構，而將清淨 化、去除鹼成分、調整至一定溫度及濕度的空氣送出至下 方側的處理空氣。例如使用化學放大型光阻作為光阻液的 情形下，由於有必要防止鹼成分進入顯像處理環境，因此 ，要設置用以封閉處理部而防止使用化學過濾器來防止從 外部來之驗成分的侵入。 又，化學放大型之光阻係藉著曝光而產生酸，此酸藉 著加熱處理而擴散作為觸媒來作用，分解作為光阻材料之 主成分的鹼性樹脂或改變分子構造而對顯像液可溶化者。 爰此，使用此種光阻的情形下，從空氣中所含有之微量的 氨或壁塗料等產生的胺等鹼成分乃藉著與光阻表面之酸接 觸而會抑制依據酸所造成之觸媒反應，而由於會劣化圖樣 的形狀’故有必要去除鹼成分。 如此一來在處理站中，藉著卡匣站S21之交接臂223而 對各反射防止膜形成單元2〇〇B、冷卻部2〇34及交接部204A 進行晶圓冗之交接’藉著晶圓運送構件MA21而對各反射防止 膜形成單元200B、各塗布單元2〇oc、冷卻部2〇从、2〇3B、

Aw- ^--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 •62· 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6G) 交接部204A、204B、以及各棚架單元200R進行晶圓W的交接 ，藉著晶圓運送構件MA22而對各顯像單元200D、冷卻部203B 、203C、交接部204B、以及各棚架單元200R進行晶圓W的交 接。 處理站S22之鄰旁連接著界面站S23，於此界面站S23 之裡側連接著用以對已形成光阻膜之晶圓W進行曝光的曝 光裝置S24。界面站S23具有用以加熱及冷卻晶圓W的CHP裝 > 置271、以及用以在處理站S22與CHP裝置271之間進行交接 晶圓W之交接臂207，此交接臂207構成為能對冷卻部203C 、CHP裝置271及曝光裝置S24進行存取者。 接著說明上述實施樣態之作用。首先藉由自動運送機 械（或作業員）將收納著例如25片晶圓W之卡匣222運入卡匣 台221，藉著交接臂223而從卡匣222内取出晶圓W而交遞至 處理站S22之冷卻部203A，在此冷卻至一定的溫度。此後晶 圓W藉著例如交接臂223而被運送至反射防止膜形成單元 200B，於此形成反射防止膜。此時由於交接臂223具有二片 1 的臂223a，而能藉著一側的臂223a從冷卻部203A接受冷卻 後的晶圓W之後，將另一側之臂223a之晶圓W交遞至冷卻部 223A。又，在形成反射防止膜方面，若是使用化學放大型 之光阻時，於曝光時會在光阻的下側產生反射，因此要使 用反射防止膜。 其次，反射防止膜形成單元200B之晶圓W以例如交接臂 223—交接部204A—晶圓運送構件MA21—棚架單元200R之 CHP裝置205—晶圓運送構件MA21—冷卻部203—晶圓運送 -63- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -------------裝--------訂·-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 B7 五、發明說明（61) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構件MA21—塗布單元200C之行經路線來運送。如此一來， 晶圓W在CHP裝置205以加熱板251加熱至—定溫度後，以該 CHP裝置205之冷卻板252及冷卻部203而進行二階段之冷卻 至一定溫度的溫度調整，而塗布光阻。 其次在塗布單元200C之晶圓w乃以晶圓運送構件MA21 —棚架單元200R之CHP裝置別5〜晶圓運送構件M22—冷卻 部203C之行經路線來運送，藉由CHp裝置2〇5—冷卻部2〇3c 而被加熱至一定溫度後，進行二階段之冷卻至一定溫度的 溫度調整。在冷卻部203C之晶圓w以界面站％3之交接臂2〇7 —曝光裝置S24的行經路線來運送，而進行曝光。 經曝光後之晶圓w以相反的行經路線，即，曝光裝置S24 —交接臂207—CHP裝置271—交接臂207—冷卻部203C—晶 圓運送構件MA22—顯像單元2〇〇d之行經路線來運送。如此 一來，晶圓W乃以CHP裝置271—冷卻部203C路線加熱至一定 溫度後，進行二階段之冷卻至一定溫度的溫度調整，接著 ’晶圓W在顯像單元200D進行顯像處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後晶圓W以晶圓運送構件·22—棚架單元200R之CHP 裝置205—晶圓運送構件MA21—交接部2〇4A—交接臂223之 行經路線來運送，一時被加熱至一定溫度後而冷卻至一定 溫度的晶圓W乃藉由交接部2〇4A而回到例如原來的卡匣222 内。 於處理站S22，晶圓w順次地被送到2〇3a、接著以—空 者的反射防止膜形成单元2〇〇 棚架單元R2i之空著的cjjp 裝置205—空著的冷卻部203〜空著的塗布單元2〇〇c—棚架 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公& ) 471051 經濟部'智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（62 ) 單元200R之空著的CHP裝置205—冷卻部203C—界面站S22 之行經路線來運送，又，經曝光後的晶圓W以界面站S22之 CHP裝置271—交接臂207—冷卻部203C—空著的顯像單元 200D—棚架單元200R之空著的CHP裝置205—交接部204A之 行經路線來運送為宜。 此時冷卻部203A與反射防止膜形成單元200B之間亦可 以交接臂來運送晶圓W，亦可藉著晶圓運送構件MA21來運送 • 。又，於運送晶圓W之際，在同為晶圓運送構件MA等之間進 行交接晶圓W之情形下，係藉由交接部204B而進行晶圓W之 交接。 而且上述實施樣態中，係構成能將交接臂223對塗布單 元200C存取，而冷卻部203A與塗布單元200C之間亦可藉著 交接臂223來運送晶圓W。 上述實施樣態中，以卡匣站S21之交接臂223於處理站 S22之反射防止膜形成單元200B與冷卻部203與交接部204A 之間望8行運送晶圓W，因此，比較於處理站S22内之晶圓W 的運送全部以晶圓運送構件200MA來進行之習知情形的話 ，本發明之晶圓運送構件200MA的負荷較輕。因此，以晶圓 運送構件200MA進行存取之數量就能增加，而可達到通量的 提昇。 即，上述實施樣態中，於鄰接處理站S22内的卡匣站S21 的區域，配置一與卡匣站S21之卡匣222的配列方向平 行之包含有反射防止膜形成單元200B、塗布單元200C、冷 卻部203A及交接部204A的第1處理部群，並於與此第1處理 -65- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐) -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 B7 五、發明說明（63) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部群呈相對向且於鄰接處理站S23的區域配置一包含有顯 像單元200D及冷卻部203C的第2處理部群，而在此等處理部 群之間配置一包含有棚架單元200R、冷卻部203B及交接部 204B的第3處理部群，並且形成各別於第1及第2處理部群之 間配置晶圓運送構件MA21，於第2及第3處理部群之間配置 晶圓運送構件MA22的配置狀態。 爰此，對於第1處理部群，即使藉著交接臂223與晶圓 運送構件MA21之任何一方均可進行晶圓W之交接，且第3處 理部群藉著晶圓運送構件MA21、MA22之任何一方均可進行 晶圓W之交接。如此一來，由於以二個運送構件可存取之單 元很多，故不必設有待晶圓w之時間而能作成許多可存取之 單元的數量，故能提昇通量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’上述實施樣態中’將反射防止膜形成單元2〇〇β或 塗布單元200C或顯像單元200D等之所謂進行塗布處理之單 元作為第1處理部群與第2處理部群，又，將包含加熱源之 加熱板251的CHP裝置205作為第3處理部群，從卡匣站S2i 側以第1處理部群、第3處理部群、第2處理部群之順序配列 ，於第1處理部群與第3處理部群之間，及第；3處理部群與第 2處理部群之間各配置晶圓運送構件2〇〇MA與化學單元2〇〇u 之配置，因此，進行塗布處理之單元乃從加熱源分離。爰 此，以CHP裝置205—冷卻部203之行經路線二階段高精密度 溫度調整之晶圓W不易受到來自加熱板251之熱影響，而能 以維持在南溫度精密的狀態於各單元進行塗布處理，因此 ，能抑制溫度變化之原因所造成之處理不均，而能進行均 -66- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部V慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 B7 五、發明說明（64) 一的處理。 而且本發明於第1處理部群與第3處理部群之間及第3 處理部群與第2處理部群之間，從卡匣站S21觀看能於各晶 圓運送構件200MA之左側，如前已記述那般地確保作業用空 間，因此，作業者能將棚架單元200R之保養或晶圓運送構 件200MA之動作的確認等作業進入此空間而進行，而能使此 等作業容易地進行。 1 接著以第37圖來說明本發明之其他的實施例，然而， 第37圖中與第31圖所示之塗布、顯像裝置相同的標號部分 乃表示相同的構成。此一實施例中，於二個棚架單元R23 、R24乃取代CHP裝置205而配列複數的加熱部及冷卻部，藉 著此等棚架單元R23、R24與冷卻部203B、交接部204B(圖式 未顯示）而構成第3處理部群。又，第2處理部群具有顯像單 元200D及複數的冷卻部208，此冷卻部208與上述之冷卻部 203之構成相同，係呈縱向的多段配列。且於界面站S23乃 取CHP裝置271而改設多段之複數的加熱部272。 處理站S22内之配置乃與上述實施樣態同樣地，於平行 卡匣站S21之卡匣222的配列方向上，鄰接該卡匣站S21而配 置包含有反射防止膜形成單元200B、塗布單元200C、冷卻 部203A及交接部204A的第1處理部群，於與此呈相對向而於 鄰接界面站S23的區域配置第2處理部群，於第1及第2處理 部群之間配置與此等呈相對向的前述第3處理部群，而於第 1及第2處理部群之間與第2及第3處理部群之間各配置晶圓 運送構件MA21、MA22。 -67- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 B7 五、發明說明（65) 又，第3處理部群之配置上’從卡匣站S21觀看於晶圓 運送構件MA21之裡側，冷卻部2〇3B與乂接部2 Ο4B以冷卻部 203B為上而縱向配列，各於其右側配置棚架單元R23，於左 側配置棚架單元R24。 前述棚架單元R23、R24之加熱部及界面站S23之加熱部 272乃藉著將晶圓W載置於例如經加熱器加熱之加熱板表面 ，而使該晶圓W被加熱至一定溫度。又’棚架單元R23、R24 之冷卻部乃藉由冷媒之流通而將晶圓W載置於經冷卻之粗 調整用冷卻板表面，藉此，使該晶圓w被冷卻至一定溫度， 上述冷卻部203、208相對於微調整用之冷卻部’乃所謂用 對晶圓W進行粗加熱用的粗調整用冷卻部。 且此實施例中的棚架單元R24係沿著圖式未顯示之運 送軌道而從冷卻部203B之鄰接位置，至如第37圖之虛線所 示卡匣站S21之交接臂223的行程範圍内之鄰接塗布單元 200C之卡匣站S21側位置為止而構成可移動狀態，並將位於 棚架單元R24之晶圓W運送至棚架單元R24本身臨卡匣站S21 之位置。此時卡匣站S21之交接臂223乃構成與棚架單元R24 之間可進行晶圓W交接的狀態，將藉著棚架單元R24而被運 送之晶圓W從該棚架單元R24形成交接臂223能直接接受的 狀態。至於其他構成則與第31圖所示之實施樣態相同。 若是要簡單地說明在如此之處理站S22内之晶圓W的流 程時，晶圓W乃以從交接臂223—冷卻部203A—交接臂223 —反射防止膜形成單元200B—晶圓運送構件MA21—棚架單 元R23(R24)之加熱部—冷卻部—晶圓運送構件JJA21—冷卻 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部> 慧財產局員工消費合作社印製 471051 A7 B7 五、發明說明（66) 部223—晶圓運送構件MA21—塗布單元200C—晶圓運送構 件MA21-棚架單元R23(R24)之加熱部—晶圓運送構件MA22 —冷卻部203C —界面站S23之交接臂207—曝光裝置S24— 交接臂207—加熱部272—交接臂207—冷卻部208—晶圓運 送構件MA22—顯像單元200D—晶圓運送構件MA22—棚架單 元R23CR24)之加熱部—冷卻部—向棚架單元R24之卡匣站 S21側之移動—交接臂223之行經路線來運送。 如此之實施樣態中，構成可移動棚架單元R24，能以棚 架單元R24對顯像後之晶圓W進行加熱·冷卻後，不必藉由 晶圓運送構件MA21而以棚架單元R24本身來運送該晶圓W， 由於於交接臂223進行交接，故能減輕晶圓運送構件MA21 之負擔而能達到提昇通量。 以上所述本發明之反射防止膜形成單元200、塗布單元 200C、顯像單元200D、冷卻部203、棚架單元200R之CHP裝 置、加熱部或是冷卻部之個數並非僅限於上述情形，而係 能適宜地選擇者，呼應於此一情形則前述單元等之堆積段 數亦可適宜地選擇。又，構成第1處理部群之反射防止膜形 成單元200B、塗布單元200C或冷卻部203A之配置乃不限於 上述之例子，即使是多段堆積反射防止膜形成單元200B與 塗布單元200C亦可，亦可堆積其他段反射防止膜形成單元 200B與塗布單元200C。 又，本發明於光阻之塗布處理或顯像處理之際，雖然 是使用將晶圓W加熱後二階段冷卻處理’惟，亦可不使用微 調整用之冷卻部203、208而以一階段冷卻晶圓W。上述之例 -69- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） II---------I I -------—訂111111 — · ·^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 A7 ___- _B7____ 五、發明說明（67 ) 子中，雖然冷卻部203A係作為第1處理部群而配置於鄰接卡 匣站S21的區域，藉著交接臂223而能進行交接晶圓w的構成 ’惟’此乃要形成反射防止膜之情形下為佳。亦即，形成 反射防止膜之情形下，在此之前有必要冷卻晶圓W而調整至 一定的溫度，而在已記述之位置無設置冷卻部2 〇 3 A的情形 下，乃因藉著交接晶圓W之交接臂223而暫時交接至交接部 204A或反射防止膜形成單元2〇〇B等的第1處理部群之一，藉 著晶圓運送構件MA21而將此運送至棚架單元2〇 〇R之CHP裝 置或冷卻部而進行冷卻而在運送上造成浪費的原因所在。 再者，本發明亦可適合進行疏水化處理來取代形成反 射防止膜，例如於此情形下，以設置疏水化處理部來取代 形成反射防止膜形成單元200B，於此，進行疏水化處理之 後可於塗布單元200C進行光阻的塗布。又，本發明之中所 謂的基板乃非僅限於晶圓W而已，例如液晶顯示器用的玻璃 基板亦可適用。 【圖式之簡單說明】 第1圖係表示本發明之第一實施樣態之塗布顯像處理 糸統的俯視圖。 第2圖係第1圖所示之塗布顯像處理系統的前視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖係沿著X方向來切斷具有第1圖之冷卻·加熱處理 單元群之區域之狀態下的斷面圖。 第4圖係沿著Y方向來切斷具有第1圖之冷卻處理單元 群之區域之狀態下的斷面圖。 第5圖係表示運送裝置之構成的立體圖。 -70- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 471051 五 ♦ •經濟处智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------_______ 、發明說明（68) 第6圖係表示加熱.冷卻處理單元之構成的俯視圖。 第7圖係表示第6圖所示之加熱.冷卻處理單元之構成 的斷面圖。 第8圖係表示調溫機構構成之斷面圖。 第9圖係表示本發明之第二實施樣態之塗布顯像處理 系統的俯視圖。 第10圖係第9圖所示之塗布顯像處理系統的前視圖。 第11圖係沿著第9圖之a — A，線來切斷之狀態下的斷面 圖。 第12圖係表示本發明之第三實施樣態之塗布顯像處理 系統的俯視圖。 第13圖係第12圖所示之塗布顯像處理系統的俯視圖。 第14圖係沿著第12圖之b— B，線來切斷之狀態下的斷 面圖。 第15圖係本發明之其他實施樣態之塗布顯像處理系統 的俯視圖。 第16圖係表示本發明之實施樣態之塗布、顯像裝置之 概觀的立體圖。 第17圖係第16圖之塗布、顯像裝置之概略俯視圖。 第18圖係表示橫向展開第丨6圖之塗布、顯像裝置之一 部分的說明圖。 第19圖係表示使用於第16圖之塗布、顯像裝置之液處 理單元及處理液之供給系的說明圖。 第20圖係表示簡單解釋第16圖之塗布、顯像裝置之液 -71 . 1裂--------訂- ---1!-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮)

471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（69) 處理單元及關連部位的側面圖。 第21圖係表示本發明之其他實施樣態之塗布、顯像裝 置之概略俯視圖。 第22圖係表示簡單解釋第21圖之塗布、顯像裝置之液 處理單元及關連部位的側面圖。 第23圖係表示本發明之其他實施樣態之塗布、顯像裝 置之概略俯視圖。 第24圖係表示簡單解釋第23圖之塗布、顯像裝置之液 處理單元及關連部位的側面圖。 第25圖係表示第23圖之實施樣態中將冷卻部配置在液 處理單元内之環境之構成的概觀立體圖。 第26圖係表示本發明之其他實施樣態之塗布、顯像裝 置之概略俯視圖。 第27圖係表示其他實施樣態之塗布、顯像裝置之概略 俯視圖。 第28圖係表示另其他實施樣態之塗布、顯像裝置之概 略俯視圖。 第29圖係表示又另其他實施樣態之塗布、顯像裝置之 概略俯視圖。 第30圖係表示本發明之實施樣態之塗布、顯像裝置之 概略立體圖。 第31圖係表示前述塗布、顯像裝置之概略俯視圖。 第32圖係表示前述塗布、顯像裝置之第1處理部群之一 例的側面圖。 72· 本紙張尺錢巾_目家標準(CNS)A4規格（210 X 297公i ) -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) W1051 A7

•五、發明說明（70 ) 第33圖係表示前述塗布、顯像裝置之第2處理部群之一 例的側面圖。 第34圖係表示棚架單元之一例的側面 第35圖（a)〜（d)係表示CHP裝置之斷面 多$ 5係表_示塗布單元之斷面圖。、髮或 【元黑媒塗布、顯像裝置之其他例的^^圖 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1 10 13 13a 13b 13c 13d 13e 13f 14 14a 14b 14c 14d 15 16 17 18 塗布顯像處理系統 - 加熱·冷卻處理單元 第1處理單元群 反射防止膜塗布單元（BCT)群 光阻膜塗布單元（CT)群 第1顯像處理單元群 第2顯像處理單元群 反射防止膜·光阻膜塗布單元（CT)群 顯像處理單元群 第2處理單元群 第1加熱.冷卻處理單元群 第2加熱.冷卻處理單元群 第3加熱.冷卻處理單元群 第4加熱·冷卻處理單元群 化學塔 反射防止膜塗布單元（BCT) 光阻膜塗布單元（CT) 冷卻處理單元 -73* 張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复） 裝-------- 訂— — ί— — ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（71 ) 19 運送裝置 20 加熱處理單元 26 顯像處理系統 BCT 反射防止膜塗布單元（BCT) CPL 冷卻處理單元 CT 光阻膜塗布單元（CT) DEV 顯像處理單元 HP 加熱處理單元 W 晶圓 -74- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I I I I I--— —--·· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

Claims (1)

1. 471051 AS BS C8 DS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種基板處理裝置，其特徵在於： 具有：第1處理單元群，係多段堆積對基板供給一定的 液體而進行液處理之第1處理單元； 第2處理單元群，係多層堆積將對前述基板進行加熱處 理之加熱部與對前述基板進行冷卻處理之冷卻部予以相互 鄰接而呈一體化之第2處理單元；及 運送裝置，係在前述第1處理單元與前述第2處理單 元之間運送基板， 前述第2處理單元之前述加熱部及前述冷卻部之中， 前述冷卻部係位於前述第1處理單元群側，而將前述第1 處理單元群與前述第2處理單元群鄰接配置。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中具有對前述 第1處理單元群供給清淨空氣之清淨空氣供給部，該清淨 空氣供給部係從前述第1處理單元群之下部排出氣體，使 該排出之氣體循環而從前述第1處理單元群之上部將已被 調溫之氣體吹出者，且用以斷開配置前述第1處理單元群 之區域與配置前述第2處理單元群之區域，而具有將由前 述第1處理單元群之下部排放出的氣體朝其上部循環的通 道。 3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中設置絕熱壁， 係用以分隔配置前述第1處理單元群之區域與配置前述第2 處理單元群之區域。 4. 一種基板處理裝置，其特徵在於： 具有：第1處理單元群，係多段堆積對基板供給一定的 -75 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471051 申請專利範圍 液體而進行液處理之第1處理單元； 處理液供給部，係配置成與前述第1處理單元群鄰接 而對引述各第1處理單元供給前述一定之液； 第2處理單元群，係多層堆積將對前述基板進行加熱 處理之加熱部與對前述基板進行冷卻處理之冷卻部予以相 互鄰接而呈—體化之第2處理單元；及， 運达裝置’係在前述第1處理單元與前述第2處理單 元之間運送基板， 且刚述第2處理單元之前述加熱部及前述冷卻部之 中’刖述冷卻部係位於前述處理液供給部側，而將前述處 理液供給部與前述第2處理單元群鄰接配置。 5.如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中具有供給前 述第1處理單元群清淨空氣之清淨空氣供給部，該清淨空 氣供給部係用以從前述第1處理單元群之下部排出氣體， 循環該經排氣之氣體而從前述第1處理單元群之上部將經 調溫之氣體吹出者，且為了分隔配置前述處理液供給部之 區域與配置前述第2處理單元群之區域，而設有使由前述 第1處理單元群之下部排出的氣體句其上部循環的通路。 6·如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中設置絕熱壁， 係用以分隔前埤處理液供給部所配置之區域與前述第2處 理單元群所配置之區域。 7· —種基板處理裝置，其特徵在於： 具有：第1處理單元群，係多段堆積對基柢供給一定的 液體而進^亍液處理之第1處理單元， -76 - g張尺度適用巾國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公壤-) I--------訂-I I------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 471051 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS BS cs D8 申請專利範圍 第2處理單元群，係多層堆積將對前述基板進行加熱處 理之加熱部與對前述基板進行冷卻處理之冷卻部予以相互鄰 接而呈—體化之第2處理單元；及 曝光單元，係對經進行前述液處理之基板進行曝光處 理， 且對前述曝光單元搬入基板前，基板於前述第2處理單 元群之冷卻部呈待機狀態。 8· 一種基板處理裝置，其特徵在於·· 具有··卡S站’係包含有用以載置收納著基板之基板卡 匣的載置部，及對被載置在此載置部之基板卡匣進行基板之 交接之交接構件；及，處理站，係用以連接此卡匣站而處理 藉由前述交接構件所運送之基板， 剛述處理站具有：被堆積成多數段之同時，藉由各處 理液對基板進行處理之液處理單元；對此等液處理單元進行 基板之搬出入之搬送構件；及，收納前述處理液之容器而設 置在液處理單元之鄰職最下段之液處理單S之下方側的容 器收納部。 9·如申明專利範圍第8項之基板處理裝置，其中前述容器收納 部係設成收納該設置於從客器將處理液供給至鱗理單元之 配管的處理液供給控制機器。 10.如申请專利範圍第8項之基板處理裝置，其中堆積多數段之 液處理單元係向橫方向呈直、魏地多數配置，而於每個堆積 多數段之液處理單元，容ϋ—部係設置於減處理單元之 鄰處或下方側。 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 ： --------------------訂---------線 wew. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、471051 AS BS C8 DS 經* 濟 部 智* 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 申請專利範圍 11·如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中堆積多數段之 液處理單元之最下段的下方側配置使用於各段之液處理單元 之使力機器。 12_如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中前述處理站乃 具有用以進行例如對液處理單元之前處理/及或後處理，而 多段堆積用以加熱處理及/或冷卻處理之單元的棚架單元。 13·如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中前述容器收 納部設置在液處理單元之鄰近的構成情形下，在棚架單元冷 卻基板後，亦可進一步將用以更精密度地冷卻至一定溫度之 微調整用的冷卻部，從運送構件之運送區域區劃出來而在液 處理單元使用之環境氣體的流動環境中，配置於前述容器收 納部之上或下。 I4.如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中前述基板 卡匣朝X方向多數配列；處理站係將具有運送構件、多數 段堆積之液處理單元及棚架單元之區塊朝γ方向連接而構 成，處理站整體來看，多數段堆積之液處理單元呈朝γ方 向直線狀地多數配置，棚架單元係朝γ方向多數並列，運 迗構件係配置於棚架單元之並列與液處理單元之並列之間 ，於靠近卡匣站之區塊，棚架單元之中的至少一段乃作為 在交接構件與運送構件之間用以交接基板之交接部而構成 坫而從運送構件來看，該棚架單元係相對於又方向朝卡匣 7斜斜地配著；於連接於靠近卡匡站之區塊之區塊之中， U破運送方向來看棚架單元係朝χ方向配置。 種基板處理裝置，其特徵在於： SicNS)A4 (210 x 297 78 - 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471051 AS B8 C8 DS

   、申請專利範圍 具有：卡匣站，係包含有用以載置其收納多數基板之 基板卡匣的載置部及相對於被載置於此載置部的基板而用 以進行基板之交接之交接構件；及，處理站，係連接此卡 匣站而處理其藉著前述交接構件被運送之基板； 前述處理站具有對於基板塗布處理液之塗布處理部， 及對於此塗布處理部進行基板之交接的基板運送構件，且 前述卡匣站之交接構件對於前述處理站之塗布處理部進行 基板之交接。 16·—種基板處理裝置，其特徵在於： 具有：卡匣站，係包含有用以載置其收納多數基板之 基板卡匣的載置部及相對於被載置於此載置部的基板而用 以進行基板之交接之交接構件；及，處理站，係連接此卡 匣站而處理其藉著前述交接構件被運送之基板； 前述處理站具有：設置於卡匣站側而對於基板塗布第 1處理液之第1塗布處理部； 設置於卡匣站之相對側巧對基板塗布第2處理液之第 2塗布處理部； 設於前述第1塗布處理部及第2塗布處理部之間而用 以對基板加熱的加熱部； 設於第1塗布處理部與加熱部之間而對此等進行基板 之運送的第1基板運送構件；及 設於第2塗布處理部與加熱部之間而對此等進行基板 之運送的第2基板運送構件。 17·如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中前述卡匣 73 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------^訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 ^紙張尺度綱㈣國家標準（CNS)A4規格（21G X 297雜) 471051 AS BS C8 DS _____ 六、申請專利範圍 站之交接構件係對前述處理站之第l塗布處理部進行基板 之交接。 18. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中前述處理 站具有用以冷卻基板的冷卻部，而前述卡匣站之交接構件 亦可構成對此處理站之冷卻部進行基板之交接。 19. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中具有界面 站，係連接於前述處理站之卡匣站之相對側，而在前述處 Φ 理站與設置於前述處理站之卡匣站之相對側的曝光裝置之 間用以進行基板之交接； 前述第1塗布處理部包含有對基板進行形成反射防止 膜之處理部； 前述第2塗布處理部係包含有構成對在前述曝光裝置被 曝光之基板進行顯像處理之處理部。 ------------ t-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --線· 與濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297必舍)