TWI659498B - 用於真空處理裝置的基片承載台及其製造方法 - Google Patents

用於真空處理裝置的基片承載台及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種用於真空處理裝置的基片承載台，基片承載台包括：一個基座，基座內開設的一個通孔內具有一絕緣管，絕緣管道內設置有一高壓直流導電元件，高壓直流導電元件的上端包括一個導電帽和一個導電桿，導電桿位於導電帽下方與導電帽電連接，且被絕緣管圍繞；基座頂面上依次形成有第一絕緣材料層，電極層和第二絕緣材料層，導電帽的頂部高於基座頂面和絕緣管道的頂面，導電帽頂部與電極層電連接；構成絕緣管道的材料具有第一熱膨脹係數，構成導電帽的材料具有第二熱膨脹係數，第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數的差小於1.5*10-6 mK，且導電帽外側壁與圍繞導電帽的絕緣管內壁之間的間隙小於50um。

Description

用於真空處理裝置的基片承載台及其製造方法
本發明有關於半導體加工技術領域，具體有關於一種用於真空處理裝置的基片承載台的結構和製造方法。
半導體加工技術中電漿刻蝕、電漿輔助化學氣相沉積等處理製程均需要在真空處理腔中進行，為了固定待處理的基片需要在真空處理腔中設置一靜電夾盤，將高壓直流電連接到靜電夾盤中的電極，從而產生靜電吸力將位於靜電夾盤上的基片牢牢吸附在靜電夾盤上。第1圖所示為典型的真空處理裝置結構示意圖，其中真空處理腔體100內部包括一個基片承載台，基片承載台包括導電基座10和位於導電基座上的靜電夾盤120。其中導電基座通常由鋁製成，內設多個熱交換管道以允許大量冷卻液流過熱交換管道控制導電基座的溫度。靜電夾盤120包括底部絕緣層122，頂部絕緣層124以及位於兩層絕緣層中間的電極層123，其中兩層絕緣層通常由氧化鋁或者氮化鋁製成，電極層通常由鎢或鉬製成。基座10通過電纜連接到外部的射頻電源，同時基座10內開設有一個貫穿基座上下表面的通孔，通孔內設置有絕緣管130，絕緣管130內設置有導電元件131，連接在高壓直流電源（HV）和電極層123之間。
傳統靜電夾盤的製造製程是先提供一片底部絕緣層122，然後再印刷或噴塗一層導體材料到絕緣層122上形成電極層123，再覆蓋一層頂部絕緣材料層124。這樣的靜電夾盤作為一個單一的零部件被安裝到基座10上構成基片承載台。為了提供直流電源的供應通道，更需要在底部絕緣層122上去除部分絕緣材料使得電極層123暴露出來，再將導電元件131焊接到暴露出來的電極層123上，最後將導電元件131穿入絕緣管130內形成導電通路。第2圖所示為第1圖中X虛線框內基座10頂部的剖面放大圖，圖中導電元件131包括頂部的焊點131a和與焊點131a相連的導電線131b。為了便於將導電線131b穿入絕緣管130，絕緣管130的內徑要大於導電線131b的直徑，使得兩者之間存在足夠的冗餘間隙。其中靜電夾盤120底面與基座10上表面之間需要通過黏接材料121固定，但是在真空處理腔用於進行電漿處理時，基片承載台側面區域的黏接材料會暴露到反應腔內的腐蝕性電漿氣體，被電漿腐蝕並形成缺口，不僅容易形成污染顆粒而且會導致放電(arcing)現象發生，破壞靜電夾盤結構。除此之外，由於採用黏接材料固定靜電夾盤120和基座10，而黏接材料在塗覆時和幹結之後的厚度無法精確控制，所以靜電夾盤上吸附的基片和基座10上表面的平行度無法保證，這也會帶來基片處理效果的不均勻性。
所以業內需要開發一種新的基片承載台，避免靜電夾盤底部黏接材料被腐蝕，同時更要保證基片被固定在平行於基座上表面的靜電夾盤上。
本發明公開一種用於真空處理裝置的基片承載台，包括：基座，基座內設置有一個通孔，通孔內設置有一絕緣管，絕緣管內設置有一導電元件，導電元件包括一個導電帽和一個導電桿，其中導電帽位於上端且水平截面積大於導電桿的水平截面積，導電桿位於導電帽下方並與導電帽電連接，且被絕緣管圍繞；基座頂面上依次設置有第一絕緣材料層、電極層和第二絕緣材料層，導電帽的頂部高於基座頂面，導電帽頂部與電極層電連接；絕緣管具有第一熱膨脹係數，導電帽具有第二熱膨脹係數，第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數的差小於或等於1.5*10-6 mK。
較佳地，電帽外側壁與圍繞導電帽的絕緣管內壁之間的間隙小於50um，最佳地，導電帽外側壁與圍繞導電帽的絕緣管內壁之間具有的間隙大於零，小於等於25um。
其中導電元件下端電連接到一個高壓直流電源，用以形成靜電吸力。
其中絕緣管由氧化鋁製成，導電帽由鈦合金製成，或者絕緣管由氮化鋁製成，導電帽由鎢製成。
導電桿與導電帽由相同材料製成，導電桿外側壁與絕緣管內壁之間的間隙小於50um。導電桿的材料也可以與導電帽的材料不同，如導電桿可以由銅製成，構成導電桿的材料具有第三熱膨脹係數，第三熱膨脹係數大於第一熱膨脹係數的50%，同時導電桿外側壁與絕緣管內壁之間的間隙大於100um。
導電桿底部通過一個導電螺帽固定到一個導電互聯件的底面，導電互聯件的頂面與絕緣管的內壁互相固定。導電桿穿過導電互聯件上開設的第一穿孔與導電螺帽固定，導電互聯件更包括第二穿孔，一個導電插接部固定在第二穿孔內，導電插接部底部具有一個導電插槽。其中導電螺帽由鈦或者鎢製成，導電互聯件由銅或鈦製成。絕緣管包括具有第一截面積的上部管道和具有第二截面積的下部管道，其中第二截面積大於第一截面積，導電互聯件位於下部管道中。
本發明中的導電帽可以為上大下小的圓臺形導體。
可選地，絕緣管與基座通孔內壁之間具有間隙，間隙小於50um。
本發明更提供一種用於真空處理裝置的基片承載台的製造方法，包括步驟：提供一基座，在基座內設置有一通孔； 將一絕緣管設置到基座內開設的通孔中； 將一導電元件設置到絕緣管內部，導電元件包括位於頂部的導電帽和位於導電帽下方的導電桿，使導電帽的頂部露出基座的上表面；在基座的上表面形成第一絕緣材料層；通過機械磨削等方法將位於導電帽頂部的第一絕緣材料層去除；在第一絕緣材料層和導電帽的上表面塗覆一層由導電材料構成的電極層； 在電極層上形成第二層絕緣材料層；其中，絕緣管由具有第一熱膨脹係數的材料製成，導電帽由具有第二熱膨脹係數的材料製成，第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數的差小於或等於1.5*10-6 mK。其中導電帽與絕緣管內壁設置有間隙，間隙小於50um。
導電帽由鈦或鎢製成，絕緣管由氧化鋁或氮化鋁製成。
導電桿由具有第三熱膨脹係數的材料製成，第三熱膨脹係數大於第一熱膨脹係數50%，且導電桿外側壁與絕緣管內壁之間的間隙大於100um。
第一絕緣層包括多層子絕緣層，不同的子絕緣層具有不同的孔隙率，以避免絕緣層在熱膨脹過程中開裂。在基座的上表面形成絕緣材料層或者在電極層上形成第二絕緣材料層過程中，形成絕緣材料層的方法選自化學氣相沉積、物理氣相沉積和電漿噴塗製程之一。
以下結合圖式第3至5圖，進一步說明本發明的實施例。
本發明公開了一種用於真空處理腔的基片承載台。本發明安裝台仍然由基座10和基座上表面的靜電夾盤120組成，但是靜電夾盤120不是作為一個獨立零部件被黏接材料黏接到基座10上的，而是通過多層材料的塗覆製程，直接在基座10的上表面形成的靜電夾盤結構。
第3圖所示是基座10頂部和靜電夾盤的剖面放大圖，為了在基座10上表面直接塗覆形成多層絕緣層和電極層材料，需要事先將導電元件31插入基座上的通孔內設置的絕緣管30中，然後再依次在基座10表面塗覆形成絕緣材料層22、電極層23和第二絕緣材料層24。其中導電元件31包括頂部具有較大截面積的導電帽31a和下方長條形的導電桿31b、31c，導電帽需要覆蓋絕緣管30上端的開口以防止塗覆材料落入開口，同時使導電帽31a獲得與電極層23更多的聯通面積。塗覆完第一層絕緣材料層22後，更需要將覆蓋在導電元件31頂部表面的絕緣材料層22磨削掉，以使得下一步塗覆的電極層23能夠覆蓋在導電元件31的頂部表面。
上述直接在基座表面塗覆材料層的製造方法中，由於在進行電漿噴塗和導電帽頂部磨削多餘絕緣材料的步驟中都會對導電帽31a施加外部的機械力，因此如果導電元件31沒有被緊密固定到絕緣管30內會面臨嚴重的問題。如果採用如第2圖所示的習知技術那樣的電連接設計，導電線131b與絕緣管130之間具有很大的間隙會導致導電帽31a的微量（如幾個微米）距離的移動，由於靜電夾盤上的材料層本身非常薄，電極層23的厚度小於40um，而且很脆，所以導電帽31a微量的移動也會導致導電帽31a頂部與絕緣材料層22之間斷開，出現間隙。在隨後的塗覆導電層形成電極層23和形成絕緣材料層24的步驟中，這個間隙會導致上述電極層23、第二絕緣材料層24在間隙區域內不均勻的沉積，最終導致導電連接不穩定甚至靜電夾盤存在結構缺陷。為了防止基片承載台製作過程中導電帽的移動，如果本發明導電帽31a和導電元件31仍然是銅，通過機械尺寸設計使得導電帽外壁緊密貼合到絕緣管30的內壁，這樣就能夠在加工過程中防止導電帽31a晃動。但是這樣的設計也會帶來其它問題，比如在真空處理腔中由於製程設計的要求，基座10的溫度往往會控制在較高的溫度，埋設在基座內的銅導電元件31會隨之從室溫上升到製程溫度，逐漸膨脹，由於絕緣管30的構成材料通常選擇氧化鋁（Al2 O3 ），而氧化鋁的膨脹係數較低為8.6，而銅為14.2，兩者在同樣溫升時銅導電元件31在半徑方向的膨脹會被絕緣管30約束住，最終銅導電元件31會沿垂直方向向上膨脹，最終使得導電帽31a向上運動頂破上方很薄的絕緣材料層24和電極層23，形成裂縫，使得靜電夾盤破損。
所以採用在基座上直接沉積或塗覆材料層以形成靜電夾盤的方法需要進一步的改進，同時避免下述兩個問題：（一）導電帽31a未進行側面緊固時水平移動導致導電帽31a與絕緣材料層22之間產生間隙，（二）側面緊固導電帽之後熱膨脹導致的導電帽31a向上頂破靜電夾盤的問題。
第3圖所示的本發明第一實施例中絕緣管30包括兩段，頂部的絕緣管301為圓柱形中空管，底部具有較大截面積的絕緣管303，絕緣管303更包括一個頂面302與絕緣管301的側壁相連接，且兩者水平位置錯開。其中絕緣管303內部包括導電元件31和導電插接部35以及用於緊固導電元件31的導電螺帽32，更包括用於實現導電元件31與導電插接部35互相電連接的導電互聯件33。其中導電互聯件33可以由銅或者鈦製成，絕緣管30是由Al2 O3 製成，導電元件包括頂段具有最大截面積的導電帽31a，位於中間段的導電桿31b穿設在絕緣管301中，並向下延伸進入絕緣管303內。導電元件下段導電桿31c具有最小截面積，位於絕緣管303內，且側壁具有固定螺紋。一個導電材料（如鈦）製成的導電螺帽32，導電螺帽32具有一個孔321，孔321內壁與導電元件31下段導電桿31c側壁螺紋配合，相互緊固。金屬導電螺帽32在與導電桿31c互相緊固的同時提供有向上的壓力，金屬導電螺帽32上表面與導電互聯件33下表面緊密接觸，保證兩者之間導電穩定性，導電互聯件33上表面與絕緣管301下端互相緊貼，最終使得互相緊貼的絕緣管301下端、導電互聯件33、金屬導電螺帽32和導電元件31實現在絕緣管30內的位置固定。
如第4a圖 、第4b圖、第4c圖和第4d圖示出的為第3圖所示本發明第一實施例中的導電元件31、絕緣管30、導電螺帽32和導電互聯件33的立體示意圖。其中導電元件31下端部分導電桿31c穿過導電互聯件33上開設的一個第一穿孔331，而且第一穿孔331的直徑大於導電桿31c的直徑，兩者之間存在一定的間隙42。導電互聯件33在遠離第一穿孔331位置處包括一個第二穿孔332，一個導電插接部35與導電互聯件33上的第二穿孔332內壁互相固定，實現穩定的電連接，同時導電插接部35底部更具有一個導電插槽37，一個導電的插頭（圖中未示出）與下方的高壓直流電源連接，當基片承載台需要檢修維護時可以將導電插頭從導電插槽37內拔出，然後將基片承載台拆卸下。導電互聯件33的底部更包括一個蓋板36蓋住上述導電機構的底部，蓋板36也是由絕緣材質製成，比如可以由塑料（VESPLE）製成或者陶瓷製成，以實現上述導電機構的絕緣。蓋板36可以通過螺栓固定到基座10上，以進一步固定上述金屬導電螺帽32、導電互聯件33和導電元件31。在真空處理裝置運行過程中，基座10會頻繁地發生溫度變化，而且溫度變化幅度較大，可以達到40度以上，所以導電元件31會在升溫過程中發生熱膨脹。本發明導電元件中的導電帽31a與相應的絕緣管30內壁具有間隙43，導電桿31b、31c部分與絕緣材料環和第一穿孔331的內壁均存在一定間隙42，這兩個間隙42、43需要具有最佳的參數才能實現本發明技術效果。本發明中導電元件31選擇鈦合金製成，由於鈦的熱膨脹係數如下表所示為8.9非常接近絕緣管30的材料Al2 O3 的膨脹係數8.6，所以在升溫過程中導電元件31與絕緣管30的膨脹幅度基本是同步的，只是導電元件31的膨脹幅度略大於絕緣管301。所以只要給導電桿31b和導電帽31a的外壁與絕緣管301內壁之間留非常小的間隙，如50um以內，最佳的小於等於25um的間距就能保證導電桿31b和導電帽31a能夠向半徑方向膨脹，從而避免產生向上方的膨脹力，頂碎上方易碎的陶瓷絕緣材料層24。由於這個間距很小，而且導電元件31的底部被金屬導電螺帽32固定住，所以上方的導電桿31b和導電帽31a基本被絕緣管301的內壁限制住了，在靜電夾盤製造過程中受到較小外力推動時導電帽31a不會發生位移。最終本發明由於採用了與絕緣管30具有接近的膨脹係數的導電金屬鈦，同時在導電帽31a、導電桿31b與絕緣管內壁之間預留的間隙43、42少於50um，使得導電元件31既不會在製造過程中位移，也不會在後續的溫度循環過程中頂破上方的靜電夾盤。
本發明中的導電元件31可以是如第3圖所示的在不同高度具有3種不同的直徑，也可以是只分為兩段，頂部的導電帽31a為具有最大直徑的扁平圓柱狀導電片，下方的導電桿31b、31c可以具有同樣的直徑。導電帽31a除了可以是圓柱形的，也可以是上大下小的圓臺形的，其截面為梯形，圓臺形傾斜的側壁與絕緣管30頂部傾斜的內壁相配合可以進一步避免導電帽在製造過程中發生水平移動。本發明導電元件31也可以是一根具有均一直徑的導電柱，只要保證導電元件的熱膨脹係數與絕緣管之間的熱膨脹係數差小於一個限值，且導電柱側壁與絕緣管30之間的間隙小於50um就能實現本發明目的。
如第5圖所示為本發明第二實施例的導電元件31結構圖，導電元件31包括頂部的導電帽31a和下方的導電桿31b，兩者是兩個獨立的部件。導電桿31b是通過機械結構與導電帽31a底部相結合的。與第3圖所示的第一實施例結構類似，主要的區別在於導電元件31由兩種材料製成，頂部的導電帽31a由鈦或鈦合金製成，導電帽31a與絕緣管30內壁仍然具有一定的間隙41，且該間隙41要小於50um，以保證導電帽31a不會發生水平移動，導電帽31a本身也不會熱膨脹向上頂升，另一方面下方的導電桿31b可以由具有高膨脹係數的材料如銅製成，但是導電桿31b與圍繞它們的絕緣管301內壁和導電互聯件33的第一穿孔331內壁的間隙40必須足夠大。其中上述間隙40需要大於100um才能避免熱膨脹過程中導電桿31b在水平方向上的膨脹被限制，從而保證銅導電桿31b不會向上頂。導電帽31a與下方的導電桿31b之間可以通過螺紋緊固，也可以通過焊接等其它方法實現相互固定。
本發明更提供第三實施例，與第3圖所述的第一實施例結構類似，其中導電元件31可以由金屬鎢製成，鎢的熱膨脹係數為4.3*10-6 mK，同時絕緣管30選擇用AlN，氮化鋁的熱膨脹係數受生產製程的影響，具有一定的範圍，通常在4.6-5.4*10-6 mK，鎢和氮化鋁的膨脹係數也很接近，而且這兩者材料的電學屬性也符合本發明中絕緣和導電特性的要求，所以這兩種材料的組合也可以實現本發明目的。
本發明中的絕緣管30由氧化鋁或者氮化鋁等陶瓷材料製成，基座10由高膨脹係數的鋁製成，所以絕緣管30外壁和基座通孔內壁之間也需要預留一定的間隙如50um，以避免互相擠壓碰撞造成絕緣管破損。
本發明通過選擇特定的絕緣管和導電帽的製造材料，使得兩者的熱膨脹係數接近，如兩者的熱膨脹係數之差小於1.5*10-6 mK，這樣無論在基片承載台製造過程中還是在真空處理製程進行中，基座溫度的變化導致的導電帽與絕緣管內壁之間的間隙始終保持在一個很小的範圍內（如10-50um），這個間隙既不是過大導致導電帽受外力而水平移動，也不是過小導致導電帽受熱後必須向上膨脹頂碎絕緣材料層24和電極層23。
同時本發明更提供一種基片承載台的製造方法，本發明基片承載台在製造過程中，包括如下步驟：
第一步，首先將絕緣管30設置到基座10內開設的通孔中，然後插入金屬的導電元件到31到絕緣管30中，也可以將事先插入有金屬導電元件31的絕緣管30固定到基座10內通孔中；其中導電元件31頂部包括一個導電帽31a以及位於導電帽31a下方的導電桿，其中導電帽31a的直徑大於下方的導電桿，以保證導電帽31a與電極層23的導電穩定性，同時導電帽31a的頂部高於基座10上表面。
第二步，在基座上表面形成絕緣材料層22，形成方法可以是化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）或電漿噴塗（PS）。
第三步，通過機械磨削等方法將導電帽31a頂部的絕緣材料層去除，其中絕緣材料層22可以由是氧化鋁或者氮化鋁等絕緣陶瓷材料構成。絕緣材料層22可以是由多層具有不同空隙率（porosity）的子絕緣材料疊加而成，最終達到600-800um的厚度，以避免靜電夾盤被高壓電擊穿，同時避免絕緣材料層與鋁基座熱膨脹係數不同導致絕緣材料層22開裂失效。
第四步，在平整的絕緣材料層22表面上與導電帽上表面塗覆一層由導電材料鎢/鉬構成的電極層23。
第五步，最後在電極層23上形成第二層絕緣材料層24。
其中導電元件31是由鈦製成，絕緣管30是由氧化鋁製成的，或者導電元件31是由鎢製成的，絕緣管30是有氮化鋁製成的，只要導電元件的熱膨脹係數和絕緣管30的熱膨脹係數之差小於1.5*10-6 mK，最佳的更需要使得導電元件與絕緣管之間存在的間隙小於50um，這樣就能實現基片支撐台在製造和後續處理製程中的穩定工作，防止導電元件頂破靜電夾盤。
由於本發明直接在基座上塗覆多層絕緣材料層和電極層，可以保證塗覆形成的材料層具有更均勻的厚度，而且在塗覆完成後更可以進行機械拋光等處理，所以在基座上表面的各個材料層的厚度可以控制的很均勻，因此最終獲得的靜電夾盤的上表面也就是基片的安裝平面會與基座上表面保持很高的平行度。習知技術由於採用液體的黏接材料層，本身塗覆過程就無法保證在基座上表面均勻分佈，再經過幹結過程發生體積收縮更加無法控制黏接材料層厚度的均一性，所以上方的靜電夾盤上表面與基座上表面之間的平行度就無法可靠保證。
儘管本發明的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域具通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
10‧‧‧基座
100‧‧‧真空處理腔體
120‧‧‧靜電夾盤
121‧‧‧黏接材料
122、124‧‧‧絕緣層
123、23‧‧‧電極層
130、30、301、303‧‧‧絕緣管
131、31‧‧‧導電元件
131a‧‧‧焊點
131b‧‧‧導電線
22、24‧‧‧絕緣材料層
302‧‧‧頂面
31a‧‧‧導電帽
31b、31c‧‧‧導電桿
32‧‧‧導電螺帽
321‧‧‧孔
33‧‧‧導電互聯件
331‧‧‧第一穿孔
332‧‧‧第二穿孔
35‧‧‧導電插接部
36‧‧‧蓋板
37‧‧‧導電插槽
40、41、42、43‧‧‧間隙
第1圖為習知技術真空處理裝置示意圖。 第2圖為第1圖中虛線框X處的基片承載台頂部示意圖。 第3圖是本發明第一實施例的基座剖面示意圖。 第4a圖、第4b圖、第4c圖、第4d圖分別是第3圖所示本發明第一實施例中的導電元件、絕緣管、導電螺帽和導電互聯件的立體示意圖。 第5圖是本發明第二實施例的基座局部剖面示意圖。

Claims (27)

  1. 一種用於真空處理裝置的基片承載台，其包括： 基座，該基座內設置有一個通孔，通孔內設置有一絕緣管，該絕緣管內設置有一導電元件，該導電元件包括一個導電帽和一個導電桿，其中該導電帽位於上端且水平截面積大於該導電桿的水平截面積，該導電桿位於該導電帽下方並與該導電帽電連接，且被該絕緣管圍繞； 該基座頂面上依次設置有第一絕緣材料層、電極層和第二絕緣材料層，該導電帽的頂部高於該基座頂面，該導電帽頂部與該電極層電連接； 該絕緣管具有第一熱膨脹係數，該導電帽具有第二熱膨脹係數，該第一熱膨脹係數和該第二熱膨脹係數的差小於或等於1.5*10-6mK。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電帽外側壁與圍繞該導電帽的絕緣管內壁之間的間隙小於50um。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電元件下端電連接到一個高壓直流電源。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該絕緣管由氧化鋁製成，該導電帽由鈦合金製成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該絕緣管由氮化鋁製成，該導電帽由鎢製成。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電帽外側壁與圍繞該導電帽的絕緣管內壁之間具有的間隙大於零，小於等於25um。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電桿與該導電帽由相同材料製成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電桿外側壁與該絕緣管內壁之間的間隙小於50um。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中構成該導電桿的材料具有第三熱膨脹係數，第三熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數的50%。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電桿外側壁與該絕緣管內壁之間的間隙大於100um。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電桿由銅製成。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電桿底部通過一個導電螺帽固定到一個導電互聯件的底面，該導電互聯件的頂面與該絕緣管的內壁互相固定。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電桿穿過該導電互聯件上開設的第一穿孔與該導電螺帽固定，該導電互聯件更包括第二穿孔，一個導電插接部固定在該第二穿孔內，該導電插接部底部具有一個導電插槽。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電螺帽由鈦或者鎢製成，該導電互聯件由銅或鈦製成。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該絕緣管包括具有第一截面積的上部管道和具有第二截面積的下部管道，其中第二截面積大於第一截面積，該導電互聯件位於該下部管道中。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該導電帽為上大下小的圓臺形導體。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之用於真空處理裝置的基片承載台，其中該絕緣管與基座通孔內壁之間具有間隙，該間隙小於50um。
  18. 一種用於真空處理裝置的基片承載台，其包括： 基座，該基座內設置有一個通孔，通孔內設置有一絕緣管，該絕緣管內設置有一導電元件， 該基座頂面上依次設置有第一絕緣材料層、電極層和第二絕緣材料層，該導電元件的頂部高於該基座頂面，導電元件頂部與該電極層電連接； 該絕緣管具有第一熱膨脹係數，該導電元件具有第二熱膨脹係數，第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數的差小於或等於1.5*10-6mK。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之基片承載台，其中該導電元件側壁與該絕緣管的內壁之間的間隙小於50um。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之基片承載台，其中該導電元件由鈦或鎢製成。
  21. 一種用於真空處理裝置的基片承載台的製造方法，其包括下列步驟： 提供一基座，在該基座內設置有一通孔； 將一絕緣管設置到該基座內開設的通孔中； 將一導電元件設置到該絕緣管內部，該導電元件包括位於頂部的導電帽和位於該導電帽下方的導電桿，使該導電帽的頂部露出該基座的上表面； 在該基座的上表面形成第一絕緣材料層； 通過機械磨削等方法將位於該導電帽頂部的該第一絕緣材料層去除； 在該第一絕緣材料層和該導電帽的上表面塗覆一層由導電材料構成的電極層； 在該電極層上形成第二層絕緣材料層； 其中，該絕緣管由具有第一熱膨脹係數的材料製成，該導電帽由具有第二熱膨脹係數的材料製成，第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數的差小於或等於1.5*10-6mK。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之基片承載台的製造方法，其中使該導電帽與絕緣管內壁設置有間隙，該間隙小於50um。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之基片承載台的製造方法，其中該導電帽由鈦或鎢製成。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之基片承載台的製造方法，其中該絕緣管由氧化鋁或氮化鋁製成。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之基片承載台的製造方法，其中該導電桿由具有第三熱膨脹係數的材料製成，該第三熱膨脹係數大於第一熱膨脹係數50%，且該導電桿外側壁與該絕緣管內壁之間的間隙大於100um。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之基片承載台的製造方法，其中該第一絕緣層包括多層子絕緣層，不同的子絕緣層具有不同的孔隙率。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之基片承載台的製造方法，其中在該基座的上表面形成絕緣材料層或者在該電極層上形成第二絕緣材料層過程中，形成絕緣材料層的方法選自化學氣相沉積、物理氣相沉積和電漿噴塗製程之一。
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