TWI509732B - 具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤 - Google Patents

具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤 Download PDF

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TWI509732B TW102114636A TW102114636A TWI509732B TW I509732 B TWI509732 B TW I509732B TW 102114636 A TW102114636 A TW 102114636A TW 102114636 A TW102114636 A TW 102114636A TW I509732 B TWI509732 B TW I509732B
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Jennifer Sun
Mark Markovsky
Konstantin Makhratchev
Douglas A Buchberger Jr
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Description

具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤 【相關申請案之交叉引用】
本申請案主張2012年4月24日所申請之美國臨時申請案第61/637,500號以及2013年3月8日所申請之美國臨時申請案第61/775,372號的利益，該等申請案全部內容在此以引用之方式併入本文。
本發明之實施例關於半導體處理設備的領域，且具體地，關於具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤，以及製造此種靜電夾盤的方法。
在電漿處理腔室中，例如電漿蝕刻或電漿沉積腔室，腔室元件的溫度通常是在處理期間要控制的重要參數。例如，基板夾具(通常稱為夾盤或托架)的溫度可受控制，以在處理製作方法期間將工件加熱/冷卻至各種受控的溫度(例如為了控制蝕刻速率)。類似的，噴頭/上電極、腔室襯墊、擋板、製程配套元件、或其他元件的溫度在處理製作方法期間也可受控制，以影響處理。傳統上，散熱器及/或熱源是耦接於處理腔室，以維持腔室元件的溫度在所欲的溫度。通常， 耦接於腔室元件的至少一熱轉移流體迴路是用來提供加熱及/或冷卻功率。
熱轉移流體迴路中的長接線長度，以及與此種長接線長度有關的大的熱轉移流體體積對於溫度控制反應時間是有害的。重點使用(Point-of-use)系統是用以減少流體迴路長度/體積的一種機構。但是，實體空間侷限不利地限制了此種重點使用系統的功率負載。
隨著電漿處理趨勢持續地增加RF功率位準而且也增加工件直徑(現在通常具有300mm，且現在正在發展450mm系統)，滿足快速反應時間與高功率負載兩者的溫度及/或RF控制與分配，在電漿處理領域中是有利的。
在一態樣中，一種具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤(ESC)，該ESC包括：一頂部介電層；一上金屬部，該上金屬部設置於該頂部介電層之下；一第二介電層，該第二介電層設置於複數像素化的電阻式加熱器之上，且該第二介電層是部分由該上金屬部所圍繞；一第三介電層，該第三介電層設置於該第二介電層之下，在該第三介電層與該第二介電層之間具有一邊界；複數通孔，該等通孔設置於該第三介電層中；一匯流排條功率分配層，該匯流排條功率分配層設置於該等複數通孔之下並且耦接於該等複數通孔，其中該等複數通孔將該等複數像素化的電阻式加熱器電性耦接至該匯流排條功率分配層；一第四介電層，該第四介電層設置於該匯流排條功率分配層之下，在該第四介電層與該第三介電層之間具有一邊界；及一金屬底座，該金屬底座設置於該第四介電層之下，其中該金屬底座包括複數高功率加熱器元件容納在其中。在另一態樣中，一種製造一靜電夾盤(ESC)的方法，該方法包括：將高功率加熱器元件安裝進一金屬底座中的殼體中；將一底部板材焊接至該金屬底座，以容納該等高功率加熱器元件於其中；藉由電漿噴塗或弧陽極處理，在該金屬底座上形成一第一介電層；在該第一介電層上形成一金屬層，且從該金屬層形成一匯流排條功率分配層；在該匯流排條功率分配層上且在該第一介電層的曝露部分上形成一第二介電層；在該第二介電層中形成複數通孔洞，以曝露該匯流排條功率分配層；利用金屬來充填該等通孔洞，以形成 複數導電通孔；形成複數像素化的電阻式加熱器，該等複數像素化的電阻式加熱器設置於該等複數導電通孔之上且電性耦接於該等複數導電通孔；在該等複數像素化的電阻式加熱器上形成一第三介電層；在該第三介電層上形成一上金屬部，且該上金屬部是部分圍繞該第三介電層；及在該上金屬部上形成一頂部介電層。在又一態樣中，一種蝕刻系統，包括：一腔室，該腔室耦接於一排氣裝置、一氣體進入裝置、一電漿點火裝置、與一偵測器；一運算裝置，該運算裝置耦接於該電漿點火裝置；一電壓源，該電壓源耦接於一寬大夾具，該夾具包括一靜電夾盤(ESC)，該ESC設置於該腔室中並且包括：一頂部介電層；一上金屬部，該上金屬部設置於該頂部介電層之下；一第二介電層，該第二介電層設置於複數像素化的電阻式加熱器之上，且該第二介電層是部分由該上金屬部所圍繞；一第三介電層，該第三介電層設置於該第二介電層之下，在該第三介電層與該第二介電層之間具有一邊界；複數通孔，該等通孔設置於該第三介電層中；一匯流排條功率分配層，該匯流排條功率分配層設置於該等複數通孔之下並且耦接於該等複數通孔，其中該等複數通孔將該等複數像素化的電阻式加熱器電性耦接至該匯流排條功率分配層；一第四介電層，該第四介電層設置於該匯流排條功率分配層之下，在該第四介電層與該第三介電層之間具有一邊界；及一金屬底座，該金屬底座設置於該第四介電層之下，其中該金屬底座包括複數高功率加熱器元件容納在其中。
100‧‧‧靜電夾盤(ESC)
102‧‧‧晶圓或基板
104‧‧‧構架
106‧‧‧電漿噴塗塗層
108‧‧‧主要加熱器
110‧‧‧輔助加熱器
200‧‧‧ESC部分
202‧‧‧晶圓或基板
204‧‧‧陶瓷層
206‧‧‧電阻式加熱器元件
208‧‧‧黏著層
210‧‧‧金屬底座
212‧‧‧夾盤電極
220‧‧‧部分
221‧‧‧固體陶瓷板材
222、224、242‧‧‧RF路徑
240A‧‧‧ESC部分
240B‧‧‧ESC部分
300‧‧‧ESC
302‧‧‧晶圓或基板
304‧‧‧介電層
306‧‧‧開放區域
308‧‧‧上金屬部
310‧‧‧介電層
312‧‧‧電阻式加熱器
314‧‧‧介電層
316‧‧‧邊界
318‧‧‧通孔
320‧‧‧匯流排條功率分配層
322‧‧‧介電層
324‧‧‧邊界
326‧‧‧金屬底座
328‧‧‧高功率加熱器元件或升能器
330‧‧‧底部板材
400‧‧‧ESC部分
402A‧‧‧介電層
402B‧‧‧介電板材
404‧‧‧金屬底座
406‧‧‧狹縫
408‧‧‧加熱器
500A‧‧‧ESC部分
500B‧‧‧ESC部分
502‧‧‧金屬底座部分
504‧‧‧電漿噴塗介電層
506‧‧‧多孔插座
508‧‧‧路徑
552‧‧‧金屬底座部分
554‧‧‧固體陶瓷頂部
556‧‧‧多孔插座
558‧‧‧路徑
560‧‧‧電漿噴塗介電層
562‧‧‧黏著層
600‧‧‧電性方塊圖
602‧‧‧配置
700‧‧‧系統
702‧‧‧腔室
704‧‧‧樣本夾具
706‧‧‧排氣裝置
708‧‧‧氣體進入裝置
710‧‧‧電漿點火裝置
712‧‧‧運算裝置
714‧‧‧電壓源
716‧‧‧偵測器
800‧‧‧電腦系統
802‧‧‧處理器
804‧‧‧主要記憶體
806‧‧‧靜態記憶體
808‧‧‧網路介面裝置
810‧‧‧視訊顯示單元
812‧‧‧文字數字輸入裝置
814‧‧‧游標控制裝置
816‧‧‧信號產生裝置
818‧‧‧次要記憶體
820‧‧‧網路
822‧‧‧軟體
826‧‧‧處理邏輯
830‧‧‧匯流排
831‧‧‧機器可存取儲存媒體
根據本發明之一實施例，第1圖例示靜電夾盤(ESC)的部分的橫剖面視圖，靜電夾盤是配置來支撐晶圓或基板。
根據本發明之另一實施例，第2圖例示各種靜電夾盤的部分的橫剖面視圖，靜電夾盤是配置來支撐晶圓或基板。
根據本發明之另一實施例，第3圖例示靜電夾盤的部分的橫剖面視圖，靜電夾盤是配置來支撐晶圓或基板。
根據本發明之另一實施例，第4圖例示靜電夾盤的部分的橫剖面視圖，靜電夾盤是配置來支撐晶圓或基板。
根據本發明之另一實施例，第5A圖例示靜電夾盤的部分的橫剖面視圖，注重在電漿噴塗配置，靜電夾盤是配置來支撐晶圓或基板。
根據本發明之另一實施例，第5B圖例示靜電夾盤的部分的橫剖面視圖，注重在固體陶瓷頂部配置，靜電夾盤是配置來支撐晶圓或基板。
根據本發明之各種實施例，第6圖為電性方塊圖，包括了用於靜電夾盤(ESC)之電阻式輔助加熱器的12x13配置。
根據本發明之一實施例，第7圖例示一系統，在該系統中可容納具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤。
根據本發明之一實施例，第8圖例示一範例電腦系統的方塊圖。
敘述了具有增強射頻(RF)及溫度均勻性的靜電夾盤，以及製造此種靜電夾盤的方法。在下面的敘述中，提出多種具體細節，例如具體的夾盤材料規範，以提供本發明之實施例的通盤了解。對於本領域中熟習技藝者將是顯而易知的，本發明之實施例可不用這些具體細節來實作。在其他例子中，熟知的態樣，例如夾盤所支撐的晶圓存在時的蝕刻處理，並未詳細敘述，以避免不必要地模糊本發明之實施例。另外，可了解到，圖式中顯示的各種實施例是例示表示，且不需要依尺寸繪製。
在此所述的一或更多個實施例是關於具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤，或關於包括具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤之系統。
為了提供文章脈絡，藉由靜電夾盤的晶圓夾持已經在蝕刻處理期間用來提供溫度控制。取決於應用，晶圓被夾持至具有散熱器或加熱器(或兩者)的陶瓷或多層表面。因為固有的不均勻性與輔助硬體(例如，升舉銷、RF/DC電極等)，陶瓷表面溫度並非均勻。此不均勻性會轉移給晶圓，影響蝕刻處理。傳統的夾盤設計是注重在冷卻劑佈局最佳化以及引入多個(多達4區)加熱器。此種夾盤設計對於解決與輔助硬體(例如，升舉銷、RF/DC電極等)相關的問題或由輔助硬體所導致的問題並沒有用。
在一實施例中，為了解決利用傳統方法的上述問題，敘述了具有極佳溫度均勻性的下一代(超過4區)蝕刻腔室ESC。在一實施例中，如同下面更詳細敘述的，在此所 述的夾盤可以達成多個熱要求，包括一或更多個Al2 O3 型的12吋定位盤、溫度性能高達130C、利用電漿在攝氏65/65/45度時溫度均勻性≦0.5C。在此所述的實施例是關於具有主動溫度控制的下一代蝕刻腔室ESC。
根據本發明之各種實施例，第1-5A與5B圖繪示靜電(ESC)結構或其部分。
參見第1圖，ESC 100是配置來支撐晶圓或基板102。ESC的構架104可包括例如鋁。電漿噴塗塗層106(例如陶瓷層)是包括在構架104的各種表面上。包括主要加熱器108，以及輔助加熱器110。
參見第2圖，如同橫剖面透視圖所示，ESC部分200是配置來支撐晶圓或基板202。其上將放置晶圓或基板202的陶瓷層204，是設置於複數電阻式加熱器元件206上(舉例來說)，且陶瓷層204是由黏著層208固持在適當位置處。金屬底座210支撐複數電阻式加熱器元件206，並且可為RF加熱的。也可包括選擇性的夾盤電極212，如同第2圖所繪示。
再次參見第2圖，ESC的部分220具有固體陶瓷板材221，如同橫剖面透視圖所示，ESC的部分220是提供來例示ESC內的RF路徑222與224。RF路徑242另外例示在ESC的部分240B中(部分240B也可配置成如同240A所示)，同樣也如同第2圖的橫剖面透視圖所示。可了解到，在某些實施例中，所示的ESC部分220、240A與240B可配置成具有僅僅固體陶瓷板材的配置(如同所示)，或者可包括電漿噴塗塗層，電漿噴塗塗層上黏著有固體陶瓷板材，如同下面 相關於第5B圖所更詳細敘述的。
參見第3圖，如同橫剖面透視圖所示，ESC 300是配置來支撐晶圓或基板302。介電層304(例如電漿噴塗介電層)提供一支撐，在支撐上放置晶圓或基板302。開放區域306提供冷卻通道，例如用於背側的氦(He)冷卻。介電層304設置於上金屬部308之上，例如，上金屬部308可提供用於RF波的波導。介電層310(例如電漿噴塗或弧氧化層)設置於複數像素化的電阻式加熱器312之上，且介電層310是部分由上金屬部308所圍繞。額外的介電層314設置於介電層310之下，在介電層314與介電層310之間具有一邊界316。包括有通孔318，來將複數像素化的電阻式加熱器312耦接至匯流排條功率分配層320。介電層322設置於匯流排條功率分配層320之下，在介電層314與介電層322之間具有一邊界324。上述特徵是設置於金屬底座326之上。金屬底座326容納高功率加熱器元件或升能器328。也可包括焊接的底部板材330，如同第3圖所繪示。
根據本發明之一實施例，靜電夾盤(ESC)具有一或更多個(高達8個)主要加熱器，以提供基線溫度控制。為了提供溫度分配的微調，大量的輔助加熱器是設置於ESC表面的附近。為了減少RF相關的不均勻性，所有加熱器都位於鋁籠內，鋁籠同時作用為RF屏蔽與RF輸送路徑。因此，在一實施例中，可以達成具有改良的射頻均勻性及/或改良的溫度均勻性的蝕刻處理。
在一特定實施例中，在此所述的夾盤可以達成多個 溫度均勻性要求，包括下述的一或更多個：(1)對於加熱器佈局：利用4區加熱器設計來解決多個階段之間的處理溫度斜線變化、RF耦接；(2)對於機台匹配：傳統的ESC/噴頭/邊緣HW中的微妙改變會導致局部的熱/冷點與多陣列，從45個到高達169個均等的加熱器是另外需要來匹配機台之間的溫度不均勻。
在一實施例中，相關於第3圖所述的ESC 300可藉由先安裝高功率加熱器元件或升能器328進入金屬底座326中來加以製造。底部板材330之後焊接至定位。介電層322之後藉由例如電漿噴塗或弧氧化方法來加以沉積。金屬層之後藉由例如網印來形成，以提供匯流排條功率分配層320，匯流排條功率分配層320可傳送電流至像素化的電阻式加熱器312。之後沉積介電層314，以覆蓋介電層324。通孔洞之後形成在介電層314中，以曝露匯流排條功率分配層320。之後執行金屬沉積來充填通孔洞，形成通孔318。替代地，通孔318可在形成像素化的電阻式加熱器312的同時被充填。之後沉積介電層310，隨後沉積上金屬部308。上金屬部308是形成來提供金屬底座的邊緣。之後形成介電層304，以覆蓋所有上述的層。選擇性地，多個特徵可機械加工進入介電層304中，以修改與ESC 300的晶圓介面。
參見第4圖，如同橫剖面透視圖所示，ESC部分400是配置來支撐晶圓或基板。ESC 400的特徵或頂部介電層可藉由例如包括沉積的介電層(例如Al2 O3 )402A來提供，例如藉由電漿噴塗。替代地，或額外地，可包括介電板材402B(例 如Al2 O3 板材)。兩種選擇都繪示在第4圖中。金屬底座404(例如鋁(Al)底座)是包括在介電層402A及/或介電板材402B之下。狹縫406可包括在金屬底座404中，以提供熱中斷。纜線加熱器408可容納在金屬底座404中。金屬底座404可另外包括到冷卻底座的路徑，如同第4圖所繪示。
根據本發明之一實施例，第5A圖繪示ESC部分500A，如同橫剖面透視圖所示，注重在電漿噴塗配置。ESC部分500A包括金屬底座部分502，例如鋁底座，金屬底座部分502具有電漿噴塗介電層504設置於其上。電漿噴塗層可包括介電材料，例如(但不限於)氧化鋁(Al2 O3 )、氧化釔(Y2 O3 )或高性能材料(HPM,high performance material)。多孔插座506設置於金屬底座部分502中，且多孔插座506提供用於晶圓或基板冷卻的路徑508，例如藉由氦流動來冷卻。路徑508設置通過電漿噴塗介電層504。
根據本發明之一實施例，第5B圖繪示ESC部分500B，如同橫剖面透視圖所示，注重在固體陶瓷頂部配置。ESC部分500B包括金屬底座部分552，例如鋁底座。固體陶瓷頂部554(例如Al2 O3 板材)設置於金屬底座部分552之上。在一實施例中，固體陶瓷頂部554設置於電漿噴塗介電層560之上，如同第5B圖所繪示。電漿噴塗介電層560可包括介電材料，例如(但不限於)氧化鋁(Al2 O3 )、氧化釔(Y2 O3 )或高性能材料(HPM)。在該實施例中，固體陶瓷頂部554可藉由黏著層562而耦接於電漿噴塗介電層560。多孔插座556設置於金屬底座部分552中，且多孔插座556提供用於晶圓 或基板冷卻的路徑558，例如藉由氦流動來冷卻。路徑558設置通過固體陶瓷頂部554，以及電漿噴塗介電層560(如果存在的話)。
在一實施例中，在此所述的夾盤的機械態樣包括ESC本身、重新設計給額外的24-26個濾波器的陰極組件、電性與RF濾波器、至輔助加熱器的功率傳送系統。在一實施例中，在此所述的夾盤的通訊/切換邏輯態樣包括具有現有之硬體的介面。在一實施例中，在此所述的夾盤的軟體態樣包括具有I-4溫度資料的介面，及/或與電性次組件通訊的介面。在一實施例中，在此所述的夾盤的主要加熱器包括雙區加熱器。在一實施例中，在此所述的夾盤的功率要求是利用輔助加熱器來解決。
在一實施例中，在此所述的夾盤的ESC類型態樣包括一或更多個下述：庫倫的(coulombic)、大約92%的鋁複合物、薄陶瓷、可能是可交換/可消耗、接地的冷卻板材(具有RF加熱的夾持電極及/或印刷RF電極)。在一實施例中，最大RF功率的規格是最大大約2kW且大約13.56MHz。在一實施例中，最大氦氣壓力的規格是大約10Torr。在一實施例中，針對接腳至電極介面，RF電流限制是要符合每一接腳大約20A。在一實施例中，內部/外側加熱器電阻是大約在90C,130C,25A,160V,150C(內部)13A,150V,150C(外側)。
在一實施例中，在此所述的夾盤的輔助加熱器包括大約45個加熱器，且最高達144-169個(12x12或13x13的配置)。以大約92%鋁、最小局部1度C加熱、最大4度C 加熱以及45個加熱器的加熱器的評估功率是大約3W(高純度為4W)，因為加熱器之間有6度C差異。在一實施例中，反饋包括2個感測器，來用於雙區主要加熱器。在一實施例中，RF濾波是根據每個加熱器平均3W、DC 294V、169個加熱器(~168Ω)總共1.75Amp。作為一範例，第6圖為根據本發明之一實施例的電性方塊圖600。參見第6圖，提供電阻式輔助加熱器的12x13配置602作為一範例。
具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤可包括在適於提供蝕刻電漿至用於蝕刻之樣本附近的處理設備中。例如，根據本發明之一實施例，第7圖例示一種系統，該系統中可容納具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤。
參見第7圖，用於實行電漿蝕刻處理的系統700包括腔室702，腔室702配備有樣本夾具704。排氣裝置706、氣體進入裝置708、與電漿點火裝置710耦接於腔室702。運算裝置712耦接於電漿點火裝置710。系統700可額外包括耦接於樣本夾具704的電壓源714以及耦接於腔室702的偵測器716。運算裝置712也可耦接於排氣裝置706、氣體進入裝置708、電壓源714以及偵測器716，如同第7圖所繪示。
腔室702與樣本夾具704可包括反應腔室與樣本定位裝置，反應腔室適於包含離子化氣體(亦即電漿)，且樣本定位裝置將樣本帶至靠近於離子化氣體或從離子化氣體射出的帶電種。排氣裝置706可為適於將腔室702排氣與去壓力的裝置。氣體進入裝置708可為適於將反應氣體射入腔室702中的裝置。電漿點火裝置710可為適於將從反應氣體獲得 的電漿加以點火的裝置，反應氣體是由氣體進入裝置708射入至腔室702中。偵測裝置716可為適於偵測一處理操作的結束點的裝置。在一實施例中，系統700包括腔室702、樣本夾具704、排氣裝置706、氣體進入裝置708、電漿點火裝置710以及偵測器716，相似於或相同於Applied Materials® AdvantEdge系統上所使用的導體蝕刻腔室或相關腔室。
本發明之實施例可提供作為電腦程式產品或軟體，電腦程式產品或軟體可包括機器可讀取媒體，機器可讀取媒體上面有儲存指令，該等指令可用於編程電腦系統(或其他電子裝置)，以執行根據本發明之程序。機器可讀取媒體包括任何用於以機器(例如電腦)可讀取的形式來儲存或傳送資訊的機制。例如，機器可讀取(例如，電腦可讀取)媒體包括機器(例如電腦)可讀取儲存媒體(例如，唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等)、機器(例如電腦)可讀取傳送媒體(電性、光學、聲學或其他形式的傳送信號(例如，紅外線信號、數位信號等))等。
第8圖例示以電腦系統800之範例形式的機器的圖示表示，在機器內可執行指令集，以使機器執行在此所述的任何一或更多個方法。在替代的實施例中，機器可連接至(例如以網路連接至)區域網路(LAN,Local Area Network)、內部網路、外部網路、或網際網路中的其他機器。該機器可操作有在客戶端-伺服器網路環境中的伺服器或客戶端機器的性能，或者操作作為同級間(或分散式)網路環境中的同級機 器。該機器可為個人電腦(PC)、平板PC、機上盒(STB,set-top box)、個人數位助理(PDA)、手機、上網設備、伺服器、網路路由器、交換器或橋接器、或者任何可以(序列地或其他方式)執行指令集的機器，該指令集界定該機器所進行的動作。另外，雖然僅例示單一機器，用語「機器」也應該當成是包括任何大量的機器(例如電腦)，該等機器個別地或聯合地執行指令集(或多個指令集)，以執行在此所述的任何一或更多個方法。在一實施例中，電腦系統800適於使用作為相關於第7圖所述的運算裝置712。
範例電腦系統800包括處理器802、主要記憶體804(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)(例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、靜態記憶體806(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)、以及次要記憶體818(例如，資料儲存裝置)，這些組件透過匯流排830來彼此通訊。
處理器802代表一或更多個通用目的處理裝置，例如微處理器、中央處理單元、或類似者。更具體地，處理器802可為複雜指令集運算(CISC,complex instruction set computing)微處理器、精簡指令集運算(RISC,reduced instruction set computing)微處理器、超長指令字(VLIW,very long instruction word)微處理器、實施其他指令集的處理器、或實施多個指令集的組合的處理器。處理器802也可為一或更多個特殊目的處理裝置，例如特殊應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、網路 處理器、或類似者。處理器802是配置來執行用於執行在此所述之操作的處理邏輯826。
電腦系統800可另外包括網路介面裝置808。電腦系統800也可包括視訊顯示單元810(例如，液晶顯示器(LCD)或陰極射線管(CRT))、文字數字輸入裝置812(例如鍵盤)、游標控制裝置814(例如滑鼠)、以及信號產生裝置816(例如揚聲器)。
次要記憶體818可包括機器可存取儲存媒體(或更具體地，電腦可讀取儲存媒體)831，機器可存取儲存媒體831上面儲存有一或更多個指令集(例如軟體822)，該等指令集可實施在此所述的任何一或更多個方法或功能。在電腦系統800執行軟體822的期間，軟體822也可(全部或至少部分地)儲存在主要記憶體804及/或處理器802內，主要記憶體804及處理器802也構成機器可讀取儲存媒體。軟體822可另外透過網路介面裝置808經由網路820來傳送或接收。
雖然機器可存取儲存媒體831在一範例實施例中是顯示為單一媒體，用語「機器可讀取儲存媒體」應該當成是包括儲存有一或更多個指令集的單一媒體或多個媒體(例如，集中式或分散式資料庫，及/或相關的快取與伺服器)。用語「機器可讀取儲存媒體」也應該當成是包括可以儲存或編碼指令集來給機器執行，並且導致機器執行本發明之任何一或更多個方法的任何媒體。用語「機器可讀取儲存媒體」因此應該當成是包括(但不限於)固態記憶體、以及光學與磁性媒體。
因此，已經揭露具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤，以及製造此種靜電夾盤的方法。在一實施例中，具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤(ESC)包括頂部介電層。上金屬部設置於該頂部介電層之下。第二介電層設置於複數像素化的電阻式加熱器之上，且該第二介電層是部分由上金屬部所圍繞。第三介電層設置於第二介電層之下，在第三介電層與第二介電層之間具有一邊界。複數通孔設置於第三介電層中。匯流排條功率分配層設置於複數通孔之下並且耦接於複數通孔。複數通孔將複數像素化的電阻式加熱器耦接於匯流排條功率分配層。第四介電層設置於匯流排條功率分配層之下，在第四介電層與第三介電層之間具有一邊界。金屬底座設置於第四介電層之下。金屬底座包括複數高功率加熱器元件容納在其中。
300‧‧‧ESC
302‧‧‧晶圓或基板
304‧‧‧介電層
306‧‧‧開放區域
308‧‧‧上金屬部
310‧‧‧介電層
312‧‧‧電阻式加熱器
314‧‧‧介電層
316‧‧‧邊界
318‧‧‧通孔
320‧‧‧匯流排條功率分配層
322‧‧‧介電層
324‧‧‧邊界
326‧‧‧金屬底座
328‧‧‧高功率加熱器元件或升能器
330‧‧‧底部板材

Claims (20)

  1. 一種具有增強射頻及溫度均勻性的靜電夾盤(ESC)，該ESC包括：一頂部介電層；一上金屬部，該上金屬部設置於該頂部介電層之下；一第二介電層，該第二介電層設置於複數像素化的電阻式加熱器之上，且該第二介電層是部分由該上金屬部所圍繞；一第三介電層，該第三介電層設置於該第二介電層之下，在該第三介電層與該第二介電層之間具有一邊界；複數通孔，該等通孔設置於該第三介電層中；一匯流排條功率分配層，該匯流排條功率分配層設置於該等複數通孔之下並且耦接於該等複數通孔，其中該等複數通孔將該等複數像素化的電阻式加熱器電性耦接至該匯流排條功率分配層；一第四介電層，該第四介電層設置於該匯流排條功率分配層之下，在該第四介電層與該第三介電層之間具有一邊界；及一金屬底座，該金屬底座設置於該第四介電層之下，其中該金屬底座包括複數高功率加熱器元件容納在其中。
  2. 如請求項1所述之ESC，其中該頂部介電層包括複數表面特徵設置在其中。
  3. 如請求項2所述之ESC，其中該頂部介電層的該等表面特徵提供用於該ESC的冷卻通道。
  4. 如請求項1所述之ESC，其中該頂部介電層是配置來支撐其上的一晶圓或基板。
  5. 如請求項1所述之ESC，其中該頂部介電層包括一噴塗介電材料。
  6. 如請求項1所述之ESC，進一步包括：一固體陶瓷板材，該固體陶瓷板材設置於該頂部介電層上。
  7. 如請求項6所述之ESC，其中該固體陶瓷板材是配置來支撐其上的一晶圓或基板。
  8. 如請求項1所述之ESC，其中該上金屬部提供用於射頻(RF)波的一波導。
  9. 如請求項1所述之ESC，進一步包括：一底部板材，該底部板材設置於該金屬底座之下並且焊接至該金屬底座。
  10. 一種製造一靜電夾盤(ESC)的方法，該方法包括：將高功率加熱器元件安裝進一金屬底座中的殼體中；將一底部板材焊接至該金屬底座，以容納該等高功率加熱器元件於其中；藉由電漿噴塗或弧陽極處理，在該金屬底座上形成一第一介電層；在該第一介電層上形成一金屬層，且從該金屬層形成一匯流排條功率分配層；在該匯流排條功率分配層上且在該第一介電層的曝露部分上形成一第二介電層； 在該第二介電層中形成複數通孔洞，以曝露該匯流排條功率分配層；利用金屬來充填該等通孔洞，以形成複數導電通孔；形成複數像素化的電阻式加熱器，該等複數像素化的電阻式加熱器設置於該等複數導電通孔之上且電性耦接於該等複數導電通孔；在該等複數像素化的電阻式加熱器上形成一第三介電層；在該第三介電層上形成一上金屬部，且該上金屬部是部分圍繞該第三介電層；及在該上金屬部上形成一頂部介電層。
  11. 如請求項10所述之方法，其中形成該頂部介電層包括使用一電漿噴塗技術。
  12. 如請求項10所述之方法，進一步包括：在該頂部介電層的一頂部表面中機械加工複數表面特徵。
  13. 如請求項10所述之方法，進一步包括：將一固體陶瓷板材黏著至該頂部介電層。
  14. 一種蝕刻系統，包括：一腔室，該腔室耦接於一排氣裝置、一氣體進入裝置、一電漿點火裝置、與一偵測器；一運算裝置，該運算裝置耦接於該電漿點火裝置；一電壓源，該電壓源耦接於一寬大夾具，該夾具包括一靜電夾盤(ESC)，該ESC設置於該腔室中並且包括： 一頂部介電層；一上金屬部，該上金屬部設置於該頂部介電層之下；一第二介電層，該第二介電層設置於複數像素化的電阻式加熱器之上，且該第二介電層是部分由該上金屬部所圍繞；一第三介電層，該第三介電層設置於該第二介電層之下，在該第三介電層與該第二介電層之間具有一邊界；複數通孔，該等通孔設置於該第三介電層中；一匯流排條功率分配層，該匯流排條功率分配層設置於該等複數通孔之下並且耦接於該等複數通孔，其中該等複數通孔將該等複數像素化的電阻式加熱器電性耦接至該匯流排條功率分配層；一第四介電層，該第四介電層設置於該匯流排條功率分配層之下，在該第四介電層與該第三介電層之間具有一邊界；及一金屬底座，該金屬底座設置於該第四介電層之下，其中該金屬底座包括複數高功率加熱器元件容納在其中。
  15. 如請求項14所述之蝕刻系統，其中該ESC的該頂部介電層包括複數表面特徵設置在其中，其中該頂部介電層的該等表面特徵提供用於該ESC的冷卻通道。
  16. 如請求項14所述之蝕刻系統，其中該ESC的該頂部介電 層是配置來支撐其上的一晶圓或基板。
  17. 如請求項14所述之蝕刻系統，其中該ESC的該頂部介電層包括一噴塗介電材料。
  18. 如請求項14所述之蝕刻系統，該ESC進一步包括：一固體陶瓷板材，該固體陶瓷板材設置於該頂部介電層上，其中該固體陶瓷板材是配置來支撐其上的一晶圓或基板。
  19. 如請求項14所述之蝕刻系統，其中該ESC的該上金屬部提供用於射頻(RF)波的一波導。
  20. 如請求項14所述之蝕刻系統，該ESC進一步包括：一底部板材，該底部板材設置於該ESC的該金屬底座之下並且焊接至該金屬底座。
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Families Citing this family (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9338871B2 (en) 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
US8916793B2 (en) 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10274270B2 (en) 2011-10-27 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9299574B2 (en) 2013-01-25 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide-polysilicon multi-layered stack etching with plasma etch chamber employing non-corrosive etchants
US9129911B2 (en) 2013-01-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Boron-doped carbon-based hardmask etch processing
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9681497B2 (en) 2013-03-12 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber
WO2014164449A1 (en) 2013-03-13 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated esc with independent edge zones
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
WO2015192256A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Evatec Ag Electro-static chuck with radiofrequency shunt
WO2016003633A1 (en) 2014-07-02 2016-01-07 Applied Materials, Inc Apparatus, systems, and methods for temperature control of substrates using embedded fiber optics and epoxy optical diffusers
WO2016014138A1 (en) 2014-07-23 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
KR102430454B1 (ko) * 2014-08-15 2022-08-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에서 높은 온도들로 압축 또는 인장 응력을 갖는 웨이퍼들을 프로세싱하는 방법 및 장치
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10002782B2 (en) * 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
KR102288349B1 (ko) 2014-12-09 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 정전 척 시스템과, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
JP5962833B2 (ja) * 2015-01-16 2016-08-03 Toto株式会社 静電チャック
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102308906B1 (ko) * 2015-03-26 2021-10-06 삼성디스플레이 주식회사 정전 척 시스템과, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN113675115A (zh) * 2015-05-22 2021-11-19 应用材料公司 方位可调整的多区域静电夹具
US9779974B2 (en) * 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
JP2017028111A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
TWI808334B (zh) * 2015-08-06 2023-07-11 美商應用材料股份有限公司 工件握持器
US9691645B2 (en) * 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10186437B2 (en) * 2015-10-05 2019-01-22 Lam Research Corporation Substrate holder having integrated temperature measurement electrical devices
US20180313697A1 (en) * 2015-10-19 2018-11-01 Novena Tec Inc. Process monitoring device
KR20180093966A (ko) * 2015-12-10 2018-08-22 아이오니어 엘엘씨 프로세스 동작의 파라미터들을 결정하기 위한 장치 및 방법
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10973088B2 (en) 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
JP6238097B1 (ja) * 2016-07-20 2017-11-29 Toto株式会社 静電チャック
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10685861B2 (en) 2016-08-26 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Direct optical heating of substrates through optical guide
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US20180213608A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with radio frequency isolated heaters
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
JP6858656B2 (ja) * 2017-06-26 2021-04-14 東京エレクトロン株式会社 給電部材及び基板処理装置
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
KR102394687B1 (ko) 2017-10-26 2022-05-06 교세라 가부시키가이샤 시료 유지구
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR101957784B1 (ko) 2017-11-10 2019-03-13 이성희 시합용 전자 호구의 운용 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) * 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11004710B2 (en) * 2019-06-04 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Wafer placement error detection based on measuring a current through an electrostatic chuck and solution for intervention
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN113130279B (zh) * 2019-12-30 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102677038B1 (ko) * 2020-05-22 2024-06-19 세메스 주식회사 정전 척과 그 제조 방법 및 기판 처리 장치
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
KR102368832B1 (ko) * 2021-07-08 2022-03-02 에이피티씨 주식회사 다중 가열 영역 구조의 정전 척
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20240125840A (ko) * 2023-02-09 2024-08-20 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 적재대

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050173404A1 (en) * 2001-04-30 2005-08-11 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US20060102613A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor fabrication device heater and heating device equipped with the same
TW200712757A (en) * 2005-09-28 2007-04-01 Applied Materials Inc Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hardmask suitable for photomask fabrication
KR20070050111A (ko) * 2005-11-10 2007-05-15 주성엔지니어링(주) 균일한 온도제어를 위한 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마발생장치
JP2007317772A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック装置
JP2009152475A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板温調固定装置
US20110092072A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-21 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0688042B1 (en) * 1990-04-20 1999-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer processing apparatus
JP2005260251A (ja) * 1999-04-06 2005-09-22 Tokyo Electron Ltd 載置台、プラズマ処理装置、および載置台の製造方法
JP3396468B2 (ja) * 1999-10-26 2003-04-14 イビデン株式会社 ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板
JP2003017223A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Onahama Seisakusho:Kk セラミックヒータ及びセラミックヒータ内臓型静電チャック
JP2005032842A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Ibiden Co Ltd 電極構造およびセラミック接合体
JP4570345B2 (ja) * 2003-09-18 2010-10-27 株式会社三幸 熱処理炉
JP4421874B2 (ja) * 2003-10-31 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4855177B2 (ja) 2006-08-10 2012-01-18 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP2008115440A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板加熱装置
JP4944600B2 (ja) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
US7667944B2 (en) 2007-06-29 2010-02-23 Praxair Technology, Inc. Polyceramic e-chuck
WO2010021317A1 (ja) * 2008-08-20 2010-02-25 株式会社アルバック 静電チャックの使用限界判別方法
KR20100046909A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 주성엔지니어링(주) 정전 흡착 장치와 그의 제조방법
JP5250408B2 (ja) * 2008-12-24 2013-07-31 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置
US20110024049A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 c/o Lam Research Corporation Light-up prevention in electrostatic chucks
US9123756B2 (en) * 2011-08-30 2015-09-01 Watlow Electric Manufacturing Company System and method for controlling a thermal array

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050173404A1 (en) * 2001-04-30 2005-08-11 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US20060102613A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor fabrication device heater and heating device equipped with the same
TW200712757A (en) * 2005-09-28 2007-04-01 Applied Materials Inc Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hardmask suitable for photomask fabrication
KR20070050111A (ko) * 2005-11-10 2007-05-15 주성엔지니어링(주) 균일한 온도제어를 위한 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마발생장치
JP2007317772A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック装置
JP2009152475A (ja) * 2007-12-21 2009-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板温調固定装置
US20110092072A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-21 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing

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