JP2006289359A - ガス噴射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス噴射用プレート151は、ガス噴射側の面に形成された多数の第1孔部112、及び該第1孔部と連通して貫通孔を形成するように他側の面に形成された第2孔部116、を有するプレート本体110と、前記第1孔部112よりも開口面積が小さい第3孔部162を有して前記第2孔部116に装着されるノズルモジュール160と、からなり、前記第1孔部112と前記第3孔部162とが連通されて前記ガス噴射孔を形成する。
【選択図】図4
Description
該ガス噴射用プレートは、
ガス噴射側の面に形成された多数の第1孔部、及び該第1孔部に比して開口面積が大きく該第1孔部と連通して貫通孔を形成するように他側の面に形成された第2孔部、を有するプレート本体と、
前記第1孔部よりも開口面積が小さい第3孔部を少なくとも1つ有すると共に、前記第2孔部に装着可能に構成されたノズルモジュールと、
からなり、
前記ノズルモジュールが前記第2孔部に装着された状態で、前記第1孔部と前記第3孔部とが連通されて前記ガス噴射孔を形成する、ことを特徴とする。
各ノズルモジュールに形成される第3孔部の数は1つである、ことを特徴とする。
各ノズルモジュールに形成される第3孔部の数は、各第2孔部に連通される第1孔部の数と同数である、ことを特徴とする。
該ガス噴射用プレートは、
多数の貫通孔を有するプレート本体と、
該プレート本体の貫通孔に装着されると共に前記ガス噴射孔が形成されたノズルモジュールと、
からなる、ことを特徴とする。
110 下部プレート(ガス噴射用プレート)
112 第1噴射孔
116 大径部、拡幅部
160 ノズルモジュール
162 第2噴射孔
Claims (15)
- ガス噴射用プレートに形成された多数のガス噴射孔からガスを噴射してなるガス噴射装置において、
該ガス噴射用プレートは、
ガス噴射側の面に形成された多数の第1孔部、及び該第1孔部に比して開口面積が大きく該第1孔部と連通して貫通孔を形成するように他側の面に形成された第2孔部、を有するプレート本体と、
前記第1孔部よりも開口面積が小さい第3孔部を少なくとも1つ有すると共に、前記第2孔部に装着可能に構成されたノズルモジュールと、
からなり、
前記ノズルモジュールが前記第2孔部に装着された状態で、前記第1孔部と前記第3孔部とが連通されて前記ガス噴射孔を形成する、
ことを特徴とするガス噴射装置。 - 前記ノズルモジュールは、前記第2孔部から取り外すことができるように構成された、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- 前記ノズルモジュールは、外周面にネジが形成された円柱状部材であって、前記第2孔部に螺合されて装着される、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- 各第2孔部に連通される第1孔部の数は1つであり、
各ノズルモジュールに形成される第3孔部の数は1つである、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。 - 各第2孔部に連通される第1孔部の数は複数であり、
各ノズルモジュールに形成される第3孔部の数は、各第2孔部に連通される第1孔部の数と同数である、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。 - 各第2孔部に複数のノズルモジュールが配置されてなる、ことを特徴とする請求項5に記載のガス噴射装置。
- 前記第1孔部及び前記第2孔部は円柱状であり、該第2孔部の直径は該第1孔部の直径よりも大きい、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- 前記ノズルモジュールは、円柱状または多角柱状であることを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- 前記ノズルモジュールは、四角柱状であって、複数の第3孔部を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- 前記第3孔部は、大径でガスが流入されるガス流入部、該ガス流入部よりも小径のノズル部、及び該ノズル部よりも大径でガスが拡散される拡散部からなる、ことを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- 前記第3孔部の最小直径は、0.1mm以上1mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のガス噴射装置。
- ガス噴射用プレートに形成された多数のガス噴射孔からガスを噴射してなるガス噴射装置において、
該ガス噴射用プレートは、
多数の貫通孔を有するプレート本体と、
該プレート本体の貫通孔に装着されると共に前記ガス噴射孔が形成されたノズルモジュールと、
からなる、ことを特徴とするガス噴射装置。 - 前記ノズルモジュールは、外周面にネジが形成された円柱状部材であって、前記貫通孔に螺合されて装着される、ことを特徴とする請求項12に記載のガス噴射装置。
- 前記ノズルモジュールは、前記貫通孔から取り外すことができるように構成された、ことを特徴とする請求項12に記載のガス噴射装置。
- 前記ガス噴射孔は、大径でガスが流入されるガス流入部、該ガス流入部よりも小径のノズル部、及び該ノズル部よりも大径でガスが拡散される拡散部からなる、ことを特徴とする請求項12に記載のガス噴射装置。
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---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216823A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | ガス吐出機能付電極およびプラズマ処理装置 |
KR20210043732A (ko) * | 2018-09-14 | 2021-04-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 전구체들의 균일한 전달을 위한 분할형 샤워헤드 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8012366B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-06 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a transparent workpiece including backside endpoint detection steps |
US7967930B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece and having a tunable cathode |
US8002946B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
US9218944B2 (en) | 2006-10-30 | 2015-12-22 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor having an array of optical sensors viewing the workpiece backside and a tunable element controlled in response to the optical sensors |
US8017029B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-09-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma mask etch method of controlling a reactor tunable element in accordance with the output of an array of optical sensors viewing the mask backside |
US20080099437A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Richard Lewington | Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection |
US7976671B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with variable process gas distribution |
US7744720B2 (en) * | 2007-12-06 | 2010-06-29 | Tokyo Electron Limited | Suppressor of hollow cathode discharge in a shower head fluid distribution system |
US8409459B2 (en) * | 2008-02-28 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process |
US20100037823A1 (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-18 | Applied Materials, Inc. | Showerhead and shadow frame |
US9353625B2 (en) * | 2009-01-13 | 2016-05-31 | General Electric Technology Gmbh | Device for cleaning oxidized or corroded components in the presence of a halogenous gas mixture |
US8931431B2 (en) * | 2009-03-25 | 2015-01-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Nozzle geometry for organic vapor jet printing |
KR101559470B1 (ko) * | 2009-06-04 | 2015-10-12 | 주성엔지니어링(주) | 화학 기상 증착 장치 |
US9540731B2 (en) * | 2009-12-04 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads |
TWI372081B (en) | 2010-02-02 | 2012-09-11 | Hermes Epitek Corp | Showerhead |
KR101612741B1 (ko) | 2010-03-08 | 2016-04-18 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 |
US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
TWI418264B (zh) * | 2010-12-09 | 2013-12-01 | Ind Tech Res Inst | 電漿裝置 |
US9175391B2 (en) * | 2011-05-26 | 2015-11-03 | Intermolecular, Inc. | Apparatus and method for combinatorial gas distribution through a multi-zoned showerhead |
US9212422B2 (en) * | 2011-08-31 | 2015-12-15 | Alta Devices, Inc. | CVD reactor with gas flow virtual walls |
US10066297B2 (en) | 2011-08-31 | 2018-09-04 | Alta Devices, Inc. | Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor |
FR2981667B1 (fr) * | 2011-10-21 | 2014-07-04 | Riber | Systeme d'injection pour dispositif de depot de couches minces par evaporation sous vide |
KR20130115849A (ko) * | 2012-04-13 | 2013-10-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 설비 |
KR101936078B1 (ko) * | 2012-07-10 | 2019-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 화학 기상 증착 장치 |
US9536710B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection |
US20140273411A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods of using inject insert liner assemblies in chemical vapor deposition systems |
US9328420B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-05-03 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
US9117670B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Inject insert liner assemblies for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
US20140273503A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods of gas distribution in a chemical vapor deposition system |
KR102067002B1 (ko) * | 2013-05-08 | 2020-01-16 | 주성엔지니어링(주) | 가스 공급 장치 |
JP6501493B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2019-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10954597B2 (en) * | 2015-03-17 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition apparatus |
GB201513339D0 (en) * | 2015-07-29 | 2015-09-09 | Pilkington Group Ltd | Coating apparatus |
KR102537309B1 (ko) | 2015-10-08 | 2023-05-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 감소된 배면 플라즈마 점화를 갖는 샤워헤드 |
CN106702350B (zh) * | 2015-11-13 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 进气组件及反应腔室 |
CN107012447B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种扩散装置和沉积腔室 |
US20180340257A1 (en) * | 2017-05-25 | 2018-11-29 | Applied Materials, Inc. | Diffuser for uniformity improvement in display pecvd applications |
JP7365761B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2023-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
US20220136107A1 (en) * | 2019-01-31 | 2022-05-05 | Lam Research Corporation | Showerhead with configurable gas outlets |
CN111613508A (zh) * | 2019-02-25 | 2020-09-01 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 进气装置及反应腔室 |
US11694908B2 (en) * | 2020-10-22 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Gasbox for semiconductor processing chamber |
US20220130713A1 (en) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber to accommodate parasitic plasma formation |
CN114446747A (zh) * | 2020-11-04 | 2022-05-06 | 中国科学院微电子研究所 | 离子发生装置以及半导体制造设备 |
KR20230122133A (ko) * | 2021-05-11 | 2023-08-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에피택시 및 cvd 챔버용 가스 인젝터 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55158982A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Ricoh Co Ltd | Manufacturing of multinozzle head |
JPS61209065A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-17 | Kiyoshi Hajikano | 洗浄用ノズル |
JPH04272207A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Kyocera Corp | 紡糸口金 |
JPH0760162A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-07 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | マルチノズル |
WO1998046808A1 (fr) * | 1997-04-11 | 1998-10-22 | Tokyo Electron Limited | Processeur |
JPH11274087A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | シャワープレート |
JP2000144421A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP2003273094A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Anelva Corp | Cvd装置及びcvd装置における成膜後の後処理工程を行う方法 |
JP2004296526A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | プラズマcvd装置 |
JP2004344855A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Trinity Ind Corp | マルチノズル装置 |
WO2004109761A2 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Aviza Technology Inc. | Gas distribution system |
JP2005129712A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
US20050103267A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Hur Gwang H. | Flat panel display manufacturing apparatus |
JP2005268396A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5002008A (en) * | 1988-05-27 | 1991-03-26 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state |
US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
JP3710587B2 (ja) | 1997-02-17 | 2005-10-26 | 株式会社荏原製作所 | ガス噴射ヘッド |
US6106625A (en) * | 1997-12-02 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride |
US6086677A (en) * | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6263829B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
US6502530B1 (en) * | 2000-04-26 | 2003-01-07 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor |
US6939434B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
JP3526266B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2004-05-10 | 沖電気工業株式会社 | フォトレジスト現像ノズル、フォトレジスト現像装置、およびフォトレジスト現像方法 |
TW466630B (en) * | 2000-12-29 | 2001-12-01 | Macronix Int Co Ltd | Flexible nozzle system of gas distribution plate |
KR100400044B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드 |
JP2003324072A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
WO2004061888A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for determining consumable lifetime |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
-
2005
- 2005-04-01 KR KR1020050027474A patent/KR101153161B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-03-31 TW TW095111581A patent/TWI393801B/zh active
- 2006-03-31 CN CN2006100670297A patent/CN1842240B/zh active Active
- 2006-03-31 US US11/395,643 patent/US7846292B2/en active Active
- 2006-04-03 JP JP2006101855A patent/JP5330639B2/ja active Active
-
2010
- 2010-10-13 US US12/903,940 patent/US20110024527A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55158982A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Ricoh Co Ltd | Manufacturing of multinozzle head |
JPS61209065A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-17 | Kiyoshi Hajikano | 洗浄用ノズル |
JPH04272207A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Kyocera Corp | 紡糸口金 |
JPH0760162A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-07 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | マルチノズル |
WO1998046808A1 (fr) * | 1997-04-11 | 1998-10-22 | Tokyo Electron Limited | Processeur |
JPH11274087A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | シャワープレート |
JP2000144421A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP2003273094A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Anelva Corp | Cvd装置及びcvd装置における成膜後の後処理工程を行う方法 |
JP2004296526A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | プラズマcvd装置 |
JP2004344855A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Trinity Ind Corp | マルチノズル装置 |
WO2004109761A2 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Aviza Technology Inc. | Gas distribution system |
WO2004112092A2 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-23 | Aviza Technology, Inc. | Adjustable gas distribution system |
JP2006526900A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-11-24 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 調節可能ガス供給システム |
JP2007525822A (ja) * | 2003-05-30 | 2007-09-06 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | ガス分配システム |
JP2005129712A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
US20050103267A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Hur Gwang H. | Flat panel display manufacturing apparatus |
JP2005268396A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012216823A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | ガス吐出機能付電極およびプラズマ処理装置 |
KR20210043732A (ko) * | 2018-09-14 | 2021-04-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 전구체들의 균일한 전달을 위한 분할형 샤워헤드 |
KR102600505B1 (ko) * | 2018-09-14 | 2023-11-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다수의 전구체들의 균일한 전달을 위한 분할형 샤워헤드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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