JP2012066177A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012066177A JP2012066177A JP2010211717A JP2010211717A JP2012066177A JP 2012066177 A JP2012066177 A JP 2012066177A JP 2010211717 A JP2010211717 A JP 2010211717A JP 2010211717 A JP2010211717 A JP 2010211717A JP 2012066177 A JP2012066177 A JP 2012066177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing apparatus
- spray pipe
- main surface
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
Abstract
【解決手段】スプレーパイプ部22と、スプレーパイプ部22の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口26から基板Wの表面102へ吐出する複数のノズル部24から構成される複数のスプレーノズル14とを備え、基板Wの表面102に対する複数のノズル部24の吐出口26の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Wの表面102の傾斜下端方向に向けて、基板Wの表面102の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Wの表面102の法線300に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部24を複数のスプレーパイプ部22に形設することにより、基板Wの表面102上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。
【選択図】図2
Description
表面102に対向する状態との間を繰り返して往復回動されながら各ノズル部100の吐出口104からの薬液の基板Wの表面102への吐出方向を変化させるようにしている。
レーパイプ部に連結された回動手段が更に備えられ、当該回動手段により各前記スプレーパイプ部の中心軸を中心として各前記スプレーパイプ部を基板の主面の傾斜上端方向に向けて所定角度一律に回動させた後に復帰回動させ、当該回動の往復動作を繰り返しながら各前記ノズル部の各前記吐出口からの処理液の基板の主面への吐出方向を変化させることを特徴とする。
う方向に延在するスプレーパイプ部22と、このスプレーパイプ部22の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口26から基板Wの表面102へ吐出する複数のノズル部24から構成される。
口26の対向角度を基板Wの表面102の傾斜下端方向に向けて、傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて基板Wの表面102の法線300に対して漸次小さくなるように、各スプレーパイプ部22に形設された複数のノズル部24の各吐出口26から吐出された薬液の基板Wの表面102上における位置と流速との関係を示す。
について説明したが、本発明はこれに限定されず、基板Wのサイズや処理の種類等に応じて適宜の数のスプレーノズルを選択すればよい。
10 薬液処理室
12 薬液タンク
14 スプレーノズル
16 送液ポンプ
18 薬液供給路
20 循環排水路
22 スプレーパイプ部
24 ノズル部
26 吐出口
102 基板の表面
106、108、110 線
W 基板
Claims (5)
- 基板に対してウェット処理を行うウェット処理室と、
前記ウェット処理室内に配設されて基板を水平面に対し基板搬送方向と直交する方向に所定角度傾斜させた姿勢で水平方向に搬送する基板搬送手段と、
前記ウェット処理室内に配設される基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ処理液を供給する処理液供給手段と、
を備えた基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、
基板搬送方向に関して交差する方向に等ピッチに互いに平行に配置され処理液を基板の主面へ吐出する複数のスプレーノズルを備え、
各前記複数のスプレーノズルは、
前記基板搬送方向に沿う方向に延在するスプレーパイプ部と、当該スプレーパイプ部の長手方向に一列に互いに近接して形設され処理液をその吐出口から基板の主面へ吐出する複数のノズル部から構成される基板処理装置において、
基板の主面に対する前記複数のノズル部の吐出口の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板の主面の傾斜下端方向に向けて、基板の主面の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板の主面の法線に対して漸次小さくなるように、前記複数のノズル部を前記複数のスプレーパイプ部に形設することにより、基板の主面上において吐出後の処理液の流速を前記傾斜上端部付近では相対的に小さく前記傾斜下端部付近では相対的に大きくしたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
基板搬送方向に関して交差する方向に等ピッチに配置される前記複数のスプレーノズルの前記複数のノズル部は、当該交差方向に関して千鳥状に配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
各前記スプレーパイプ部に連結された回動手段がさらに備えられ、
前記回動手段により各前記スプレーパイプ部の中心軸を中心として各前記スプレーパイプ部を基板の主面の傾斜上端方向に向けて所定角度一律に回動させた後に復帰回動させ、当該回動の往復動作を繰り返しながら各前記ノズル部の各前記吐出口からの処理液の基板の主面への吐出方向を変化させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記複数のノズル部の吐出口から吐出される処理液の吐出量は、等しいことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記複数のノズル部の吐出口から吐出される処理液は、エッチング液であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211717A JP5701551B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
TW100120645A TWI443734B (zh) | 2010-09-22 | 2011-06-14 | Substrate processing device |
KR1020110071480A KR101218449B1 (ko) | 2010-09-22 | 2011-07-19 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211717A JP5701551B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012066177A true JP2012066177A (ja) | 2012-04-05 |
JP5701551B2 JP5701551B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=46134772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010211717A Expired - Fee Related JP5701551B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5701551B2 (ja) |
KR (1) | KR101218449B1 (ja) |
TW (1) | TWI443734B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016013501A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | シャープ株式会社 | 洗浄装置 |
WO2017000320A1 (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 喷淋组件以及具有该喷淋组件的湿刻设备 |
JP2017005264A (ja) * | 2016-08-30 | 2017-01-05 | 株式会社Nsc | スプレイエッチング装置 |
WO2017098651A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ミスト塗布成膜装置及びミスト塗布成膜方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6719271B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2020-07-08 | 株式会社荏原製作所 | 処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置 |
JP7312738B2 (ja) * | 2020-12-11 | 2023-07-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1174248A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000188272A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2010036100A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145109A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3866856B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2007-01-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2002324481A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | レジスト剥離装置 |
JP4138504B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-08-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2010
- 2010-09-22 JP JP2010211717A patent/JP5701551B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-14 TW TW100120645A patent/TWI443734B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-19 KR KR1020110071480A patent/KR101218449B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1174248A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000188272A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2010036100A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016013501A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | シャープ株式会社 | 洗浄装置 |
WO2017000320A1 (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 喷淋组件以及具有该喷淋组件的湿刻设备 |
WO2017098651A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ミスト塗布成膜装置及びミスト塗布成膜方法 |
JPWO2017098651A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2018-04-26 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ミスト塗布成膜装置及びミスト塗布成膜方法 |
CN108472676A (zh) * | 2015-12-11 | 2018-08-31 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 雾滴涂布成膜装置及雾滴涂布成膜方法 |
CN108472676B (zh) * | 2015-12-11 | 2021-04-09 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 雾滴涂布成膜装置及雾滴涂布成膜方法 |
JP2017005264A (ja) * | 2016-08-30 | 2017-01-05 | 株式会社Nsc | スプレイエッチング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120031118A (ko) | 2012-03-30 |
JP5701551B2 (ja) | 2015-04-15 |
TW201214549A (en) | 2012-04-01 |
TWI443734B (zh) | 2014-07-01 |
KR101218449B1 (ko) | 2013-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5710921B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5701551B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN101615576B (zh) | 基板处理设备及使用其的基板处理方法 | |
KR100713235B1 (ko) | 박판재(薄板材)의 표면처리장치 | |
KR20150041378A (ko) | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
TW202030026A (zh) | 塗布裝置及塗布方法 | |
JP2000323813A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3866856B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2012105382A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2006255556A (ja) | 液処理装置および液晶表示装置 | |
JP5202400B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101965297B1 (ko) | 노즐 및 이를 가지는 기판처리장치 | |
KR20100055812A (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI568500B (zh) | 噴射流體裝置 | |
JP3981874B2 (ja) | 薬液処理方法および薬液処理装置 | |
TWI603421B (zh) | 溼式製程設備 | |
JP5785454B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20150055655A (ko) | 기판 세정 장치 | |
KR101856197B1 (ko) | 약액 공급 장치 | |
JP2014069126A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20080062350A (ko) | 기판 세정 장비 | |
KR102433317B1 (ko) | 습식 식각 장치 | |
KR102181781B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP5470282B2 (ja) | エッチング装置及びエッチング方法 | |
JP4373809B2 (ja) | 搬送式基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5701551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |