JPH1174248A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH1174248A
JPH1174248A JP23243597A JP23243597A JPH1174248A JP H1174248 A JPH1174248 A JP H1174248A JP 23243597 A JP23243597 A JP 23243597A JP 23243597 A JP23243597 A JP 23243597A JP H1174248 A JPH1174248 A JP H1174248A
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聡 鈴木
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/068Apparatus for etching printed circuits

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  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板に対する処理液の置換性を向上させるこ
とにより、基板表面全体を均一に処理する。 【解決手段】 搬送機構16の搬送ローラ18により基
板Wを水平面に対して傾けた状態で支持しながら、スリ
ット状の吐出口30aを備えたノズル30を基板Wの傾
斜方向の上端部に設け、このノズル30により基板表面
にエッチング液を供給して基板Wにエッチング処理を施
すようにエッチング装置10を構成した。基板Wの傾斜
角度は5°〜20°の範囲内で設定するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ガ
ラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリン
ト基板、半導体ウエハ等の基板にエッチング液やネガレ
ジスト用現像液等の処理液を供給して所定の処理を行う
基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、上記のような液晶表示装置用
ガラス基板等の基板に対する処理工程の一つとして、現
像処理が施された後の基板の表面に酸性のエッチング液
を供給して基板表面に形成された金属膜を溶解し、これ
により所望のパターンを基板表面に形成するという、い
わゆるエッチング処理の工程がある。
【0003】この処理を行う装置(エッチング装置)と
しては、ローラコンベアによって基板を水平姿勢で搬送
しながら、基板表面に対向して配置された多数のノズル
を介してエッチング液を吹き付けるようにしたものが一
般的である。しかし、この装置では、基板が大型化する
と基板表面でエッチング液が淀み(滞留し)易く、エッ
チング処理の均一性を確保する、つまり、基板全体に均
一にエッチング処理を施すのが難しいという問題があっ
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、近年では、ノ
ズルを基板の幅方向、すなわち基板の搬送方向と水平面
上で直交する方向に揺動させてエッチング液の吹き付け
方向を変化させるとともに、ノズルに対して基板を搬送
方向に進退(揺動)させ、これによって基板外へのエッ
チング液の流出を促すことにより、エッチング液の置換
性を向上させるようにしている。
【0005】しかし、このようにノズル及び基板を揺動
させながら基板表面にエッチング液を供給する装置で
も、基板がある程度の大きさ以上になるとエッチング液
を速やかに基板外に流出させるのが難しく、依然として
基板上にエッチング液が滞留する傾向にある。そのた
め、エッチング処理の均一性を高める上では未だ改善の
余地がある。
【0006】なお、この問題は、エッチング処理に限ら
ず、例えばネガレジスト現像等の現像処理においても同
様に発生しており、これを解決する必要もある。
【0007】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、基板に対する処理液の置換性を向上さ
せることにより、基板表面全体を均一に処理することが
できる基板処理装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板の表面に処理液を供給して所定の処
理を施す基板処理装置において、水平面に対して所定の
角度をなす傾斜姿勢で基板を保持する姿勢保持手段と、
上記傾斜姿勢に保持された基板に対して処理液を供給す
る処理液供給手段とを備えているものである(請求項
1)。
【0009】この装置によれば、基板表面に供給された
処理液が基板に沿って流れて基板の傾斜方向における下
位側の端部から流下する。そのため、対象となる基板が
大型の基板であっても処理液が基板上に滞留することが
殆どなく、基板に対する処理液の置換性が効果的に向上
する。
【0010】特に、前記姿勢保持手段による基板の傾斜
角度を5°〜20°の範囲内で設定するようにすれば
(請求項2)、処理液を基板に対して有効に作用させな
がら速やかに基板外に流下させることが可能となる。
【0011】なお、請求項1又は2記載の装置におい
て、前記処理液供給手段は、基板への垂線方向又はこの
垂線方向よりも基板の傾斜方向における下位側に向かっ
て処理液を供給するように構成するのが望ましい(請求
項3)。このようにすれば、処理液の突上げ現象、つま
り、複数の処理液供給手段を基板の傾斜方向に並べて配
置した構成において、上位側の処理液供給手段から供給
されて基板に沿って流下する処理液が、下位側の処理液
供給手段から供給される処理液の圧力によって上位側に
押し戻されるという現象の発生を確実に防止することが
できる。
【0012】一方、請求項1又は2記載の装置におい
て、処理液の供給方向を基板の傾斜方向に可変とする可
変手段を設けるようにすれば(請求項4)、少ない処理
液供給手段でより広い面積に対して処理液を直接供給す
ることが可能となる。
【0013】この場合、基板への垂線を境に基板の傾斜
方向における上位側に0°〜10°、下位側に0°〜3
0°の範囲内で前記処理液供給手段を揺動させるように
可変手段を構成するか(請求項5)、あるいは、基板へ
の垂線を境に基板の傾斜方向における上位側に全揺動角
度の20〜30%の範囲内で前記処理液供給手段を揺動
させるように前記可変手段を構成する(請求項6)のが
望ましい。このようにすれば、処理液を基板に対して直
接供給できる範囲を、処理液の突上げ現象の発生を有効
に防止し得る範囲で可及的に広く設けることが可能とな
る。
【0014】また、請求項1乃至6記載のいずれかの装
置において、基板の傾斜方向と直交し、かつ基板と平行
な方向に基板を搬送する搬送装置によって前記姿勢保持
手段を構成し、基板の搬送中に基板に処理液を供給する
ようにすれば(請求項7)、基板を搬送しながら効率良
く基板に処理を施すことが可能となる。
【0015】また、請求項1乃至6記載のいずれかの装
置において、処理液の供給中に、処理液供給手段と基板
とを基板の傾斜方向と直交し、かつ基板と平行な方向に
相対的に往復移動させる移動手段を設けるようにすれば
(請求項8)、請求項5,6同様に、少ない処理液供給
手段でより広い面積に対して処理液を直接供給すること
が可能となる。特に、請求項5,6との組み合わせにお
いて有効となる。
【0016】また、請求項1乃至8のいずれかの装置
は、処理液供給手段が基板に対してエッチング液又はネ
ガレジスト用現像液を供給するように構成した(請求項
9)エッチング装置又はネガレジスト現像装置として特
に有用である。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
【0018】図1は、本発明に係る基板処理装置である
エッチング装置を示す斜視図である。この図に示すよう
に、エッチング装置10は、箱型の処理槽12を有して
おり、この処理槽12の内部に、角形の基板Wを搬送す
るための搬送機構16(搬送装置)と、基板Wの表面に
エッチング液を供給するためのノズル30(処理液供給
手段)とを備えている。
【0019】上記処理槽12には、その側面に基板導入
口14が設けられるとともに、これに対向する側面に基
板導出口15が設けられている。つまり、基板導入口1
4を介して基板Wが処理槽12に導入されてエッチング
処理が施された後、処理後の基板Wが基板導出口15を
介して次工程に導出されるようになっている。
【0020】上記搬送機構16は、ローラコンベアであ
って、搬送方向に並列に軸支される搬送ローラ18…
と、モータを駆動源としてこれらの搬送ローラ18…を
同期して回転させる図外の駆動機構とを備えており、上
記基板導入口14を介して導入される基板Wを受取り、
この基板Wを搬送ローラ18…で支持しながら搬送する
ように構成されている。
【0021】上記搬送ローラ18は、図2に示すよう
に、水平面に対して角度θだけ傾斜した状態で処理槽1
2の側壁間に回転自在に支持されるローラ軸20を有し
ており、このローラ軸20の中央部に中央ローラ22を
備えるともに、両端部分に一対の側部ローラ24をそれ
ぞれ備えた部分支持型のローラ構造を有している。各ロ
ーラ22,24には、ゴム等の柔軟性材料からなる緩衝
材としてのOリング26がそれぞれ外嵌装着されるとと
もに、各側部ローラ24には、その外方側部にそれぞれ
鍔部24aが一体に形成されている。そして、基板Wの
搬送の際には、各ローラ22,24によって基板Wを裏
面から支持するとともに、搬送ローラ18の傾斜方向に
おける下位側(図2では左側)の鍔部24aにより基板
Wの滑落を阻止しながら基板Wを傾斜姿勢で搬送するよ
うになっている。すなわち、上記搬送機構16により本
願の姿勢保持手段が構成されている。なお、基板Wの傾
斜角度、つまり上記ローラ軸20の傾斜角度θは、当実
施形態では、エッチング処理の均一性が良好となる一態
様として、5°〜20°の範囲内で設定されている。ま
た、部分支持型のローラとしては、図示のものに限ら
ず、例えば、中央ローラ22に対応するものを複数設け
た多点支持ローラとしてもよい。
【0022】上記ノズル30は、図1に示すように、搬
送機構16の上方において、基板Wの傾斜方向における
上位側の端部上方にフレーム32を介して固定され、液
供給管34を介して図外のエッチング液貯留用のタンク
に接続されている。
【0023】ノズル30には、基板Wの搬送方向(以
下、単に搬送方向という)に延びるスリット状の吐出口
30aが形成されており、上記液供給管34に介設され
た例えばバルブ手段の操作に応じてこの吐出口30aか
ら基板表面にエッチング液を供給するようになってい
る。なお、ノズル30の吐出口30aは、後述する所定
の基板処理位置に基板Wが位置決めされた状態で、基板
Wの傾斜方向における上位側の端部に、その全体にわた
ってエッチング液を供給し得るように形成されている。
【0024】以上のように構成されたエッチング装置1
0では、まず、図3(イ)に示すように、前工程での処
理を終えた基板Wが基板導入口14を介して処理槽12
内に導入されつつ搬送機構16によって搬送される。そ
して、基板Wの先端が所定の位置に達すると搬送機構1
6が停止され、これにより基板Wが処理槽12内の基板
処理位置に位置決めされる。
【0025】基板Wが位置決めされると、液供給管34
のバルブが開かれることによりノズル30から基板Wの
表面にエッチング液の供給が開始される(図3
(ロ))。この際、基板Wにエッチング液が供給される
と、上述のように基板Wが傾斜姿勢に保持されているた
め、エッチング液は基板Wの傾斜方向における上位側の
端部から基板Wに沿って流れて下位側の端部から基板外
に流下する。そして、このようにエッチング液が基板W
に沿って流れる最中にエッチング液が基板表面に作用し
て基板Wにエッチング処理が施され、処理に供されたエ
ッチング液とこれによる溶解物質とが一体に基板外に流
下することとなる。
【0026】こうして所定の時間だけエッチング液が供
給されると、液供給管34のバルブが閉じられてエッチ
ング液の供給が停止される。そして、上記搬送機構16
が再度駆動されて処理後の基板Wが上記基板導出口15
を介して次工程、当実施形態では純水による水洗工程へ
と搬出される(図3(ハ))。
【0027】以上のようなエッチング装置10によれ
ば、傾斜姿勢に保持した基板Wに沿ってエッチング液を
流下させながらエッチング処理を行うため、エッチング
液が基板上で滞留することが一切なく、エッチング液の
置換性が著しく向上する。従って、基板表面全体に対し
て均一にエッチング液を作用させつつ速やかに基板外に
エッチング液を流出させることができるため、水平に保
持した基板に対してエッチング液を供給するようにして
いた従来のこの種の装置と比較すると、基板Wに対して
より均一にエッチング処理を施すことができる。
【0028】しかも、上述のようにエッチング液の置換
性が向上することで、エッチング処理に要する時間を有
効に短縮することができる。すなわち、従来装置では、
基板Wとの作用で劣化したエッチング液が特定の部分に
滞留することとなるため、そのような部分でのエッチン
グ処理の進行が遅くなり、その分だけ処理に時間を要す
ることとなる。しかし、上記エッチング装置10では、
エッチング液を基板全体に均一に作用させながら速やか
に基板外に流出させるため、従来装置に比べると、短い
時間で適切な処理を施すことができる。
【0029】また、処理後は基板表面にエッチング液が
残り難いため、次工程へのエッチング液の持出しを有効
に抑えることができ、これによりエッチング液消費量を
軽減してランニングコストを抑えることが可能になる。
しかも、このようにエッチング液の持出し量が軽減され
ることで次工程で水洗処理に供された純水(廃液)の処
理コストを軽減することができるという利点もある。す
なわち、エッチング液の持出し量が多いと、水洗工程の
廃液に含まれるエッチング液濃度が高くなり、そのまま
では下水に排水することができず一定の処理を施すこと
が必要となる。そのため、廃液の処理コストが嵩むこと
になる。ところが、上述のようにエッチング液の持出し
量が軽減されると、水洗工程の廃液中に含まれるエッチ
ング液濃度が低減するため、無処理のままで廃液を下水
に排水することが可能となり、その分、廃液の処理コス
トを抑えることが可能となる。
【0030】さらに、従来装置のように、エッチング液
供給用のノズルを揺動させたり、あるいは基板Wをノズ
ルに対して進退させながらエッチング液を供給しなくて
もエッチング液の置換性を向上させることができるた
め、その分、装置構造を簡略化することが可能となると
いう利点もある。
【0031】次に、本発明の第2の実施の形態について
説明する。
【0032】図4は、第2の実施の形態に係るエッチン
グ装置を示している。なお、この図に示すエッチング装
置10′の基本的な構成は第1の実施の形態に係る上記
エッチング装置10と共通しているため、共通部分につ
いては上記エッチング装置10と同一符号を付してその
説明を省略し、以下、相違点についてのみ説明すること
とする。
【0033】同図に示すエッチング装置10′では、上
記搬送機構16が搬送ローラ18を正逆回転駆動させ得
るように構成されており、基板Wの処理時には、搬送ロ
ーラ18が正逆回転駆動されることによって基板Wが基
板処理位置を基準として搬送方向に往復移動させられる
ようになっている。
【0034】また、処理槽12の内部に、多数のノズル
40a(処理液供給手段)を具備したサージタンク40
が複数設けられるとともに、これらサージタンク40を
回転させる駆動機構(図示省略)とが設けられており、
図示の例では4つのサージタンク40が設けられ、これ
らサージタンク40が駆動機構によって同期して同一方
向に回転させられるようになっている。
【0035】各サージタンク40は、搬送方向に延びる
円筒状のタンクで、図5に示すように、基板Wの傾斜方
向に一定の間隔で、かつ搬送機構16に支持された基板
Wに対して一定の距離を有して互いに平行な状態で並べ
て配置され、それぞれ支持軸42を介して処理槽12の
側板間に回動自在に支持されている。そして、液供給管
44を介してそれぞれ図外のエッチング液貯留用のタン
クに接続されている。
【0036】上記ノズル40aは、円錐状にエッチング
液を吐出する、いわゆる円錐状のシャワーノズルで、基
板Wに対向して搬送方向に一定の間隔で並設されてい
る。また、隣設されるサージタンク40同士の関係で
は、基板Wの傾斜方向における上位側のタンク40の隣
合う一組のノズル40aの間に下位側のサージタンク4
0のノズル40aが位置するように上下各サージタンク
40のノズル40aが搬送方向にオフセットされた配置
となっている。そして、液供給管44に介設された例え
ばバルブ手段の操作に応じて各ノズル40aから基板表
面にエッチング液を吐出するようになってる。
【0037】サージタンク40を回転させる上記駆動機
構は、図示を省略するが、例えば、基板Wの傾斜方向に
延びる駆動軸が設けられ、この駆動軸にウォームギア及
びウォームホイールを介して各支持軸42が連結される
とともに、上記駆動軸が減速機を介して駆動用のモータ
に接続された構成となっている。そして、基板Wの処理
の際には、モータの正逆回転駆動に応じて各サージタン
ク40が一体に同一方向に正逆回転され、これにより各
ノズル40aが所定の角度内で揺動するようになってい
る。つまり、処理液の供給方向を基板の傾斜方向に可変
とする本願発明の可変手段が上記駆動機構により構成さ
れている。
【0038】なお、ノズル40aの揺動角度は、当実施
形態では、エッチング液の置換性が良好に保たれ、かつ
後述する当たりムラが有効に軽減される一態様として、
40°以内の角度で、かつ、図6に示すように、支持軸
42の中心から基板Wに下ろした垂線gを基準に、基板
Wの傾斜方向における下位側への振れ角度αが30°以
内、上位側への振れ角度βが10°以内となるように設
定されている。
【0039】以上のように構成されたエッチング装置1
0′の場合にも、まず、図7(イ)に示すように、基板
Wが基板導入口14を介して処理槽12内に導入されつ
つ搬送機構16によって上記基板処理位置まで搬送され
る。
【0040】そして、液供給管34のバルブが開かれる
ことにより、図7(ロ)に示すように、各サージタンク
40のノズル40aから基板Wの表面にエッチング液の
供給が開始されるとともに、これに同期して搬送機構1
6が正逆回転駆動され、これによって基板処理位置を中
心する一定の範囲内で基板Wが搬送方向に往復移動(揺
動)させられる。
【0041】こうして所定の時間だけエッチング液が供
給されると、液供給管34のバルブが閉じられてエッチ
ング液の供給が停止される。そして、上記搬送機構16
が正転駆動されて処理後の基板Wが基板導出口15を介
して次工程へと搬出される(図7(ハ))。
【0042】以上のような第2の実施形態に係るエッチ
ング装置10′においても、傾斜姿勢に保持した基板W
に沿ってエッチング液を流下させながらエッチング処理
を行うため、第1の実施形態のエッチング装置10と同
様に、エッチング液の置換性を向上させて均一かつ迅速
なエッチング処理を行うことができ、また、次工程への
エッチング液の持出しを有効に抑えることができる。
【0043】しかも、基板Wに対向して設けられた多数
のノズル40aからエッチング液を吐出して基板Wに吹
き付ける構成であるため、基板Wの傾斜方向における上
位側の端部からエッチング液を流下させる第1の実施形
態のエッチング装置10に比べると、基板Wに対してよ
り均一にエッチング処理を施すことができるという特徴
がある。
【0044】すなわち、第1の実施形態のエッチング装
置10では、基板Wに沿ってその上位側からエッチング
液を流下させるので、基板Wの上位側のエッチング液に
比べて下位側のエッチング液の活性度が低い。つまり、
基板Wの下位側ほどエッチング液が劣化しており、その
ため、基板Wの上位側に比べると下位側の処理の進行が
若干遅くなる傾向にある。しかし、上記第2の実施形態
のエッチング装置10′では、基板Wに対向して配置さ
れた多数のノズル40aからエッチング液を吐出させて
基板Wのほぼ全面に対してエッチング液を吹き付けるの
で、基板Wの全体に活性度の高いエッチング液を供給す
ることができる。従って、基板Wにおいては処理の進行
が全体で略均一に進行することとなり、この点、第1の
実施形態のエッチング装置10に比べるとエッチング処
理を均一に行うことが可能となる。
【0045】ところで、第2の実施形態のように、エッ
チング液を基板Wに吹き付ける場合には、エッチング処
理の均一性を高める上で、上述のようにエッチング液の
置換性を向上させる以外に、基板Wに対するエッチング
液の当たりムラを低減させることが重要な課題となる。
【0046】すなわち、エッチング液が直接吹き付けら
れることによってエッチング液が供給される部分と、単
に基板Wに沿って基板Wが流れることによってエッチン
グ液が供給される部分とでは、エッチング処理の進行に
微妙な差(当たりムラ)が生じることが経験的に知られ
ており、そのため、ノズルによってエッチング液を基板
Wに吹き付ける場合には、エッチング液を、基板Wのよ
り広い範囲に直接吹き付けることが重要となるが、上記
エッチング装置10′によれば、このような当たりムラ
を合理的な構成で有効に軽減することができるという特
徴がある。
【0047】つまり、エッチング液を、基板Wのより広
い範囲に直接吹き付ける方法としては、基板Wに対向し
て多数のノズルを固定的に配置してエッチング液を吐出
させることが考えられるが、ノズルをあまりに多く設け
ると、各ノズルから適切にエッチング液を吐出させるた
めの液圧の管理が難しくなったり、あるいは、隣設され
るノズル同士が接近し過ぎた配置となり、各ノズルから
吐出されるエッチング液同士が緩衝して基板Wに対して
適切にエッチング液を吹き付けることができないといっ
た事態を招くこととなる。
【0048】しかし、上記のエッチング装置10′で
は、図8に示すように、停止状態では基板Wに対して直
接エッチング液を吹き付けることができる領域が円形と
なるところ(同図中、符号Saで示す領域)、ノズル4
0aが揺動させられることによってこの領域が基板Wの
傾斜方向に拡大され(同図中、符号Sbで示す領域)、
さらに基板Wが揺動させられることによってこの領域が
搬送方向にまで拡大されることとなる(同図中、符号S
cで示す領域)。従って、少ないノズル数で、基板Wの
より広い範囲に直接、エッチング液を吹き付けることが
可能となり、上記のような当たりムラの発生を効果的に
軽減することができる。
【0049】ところで、上記第1及び第2の実施形態の
エッチング装置10,10′は、本発明に係る基板処理
装置の一部の例であって、その具体的な構成は本発明の
要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【0050】例えば、上記の実施形態では、基板Wの傾
斜角度θを5°〜20°の範囲内で設定するようにして
いるが、基板Wの具体的な傾斜角度θは、この角度に拘
らず基板Wの大きさやエッチング液の性状等の種々の条
件を考慮して、基板Wのエッチング処理がより均一に行
えるように適宜設定するようにすればよい。但し、基板
Wの傾斜角度θが5°未満の場合には、表面張力によっ
てエッチング液が基板W上に部分的に残存する等、スム
ーズなエッチング液の流下が期待できず、また、20°
を越える場合には、逆に、エッチング液の流下速度が速
くなりすぎてエッチング液を十分に基板Wに作用させる
ことが難しくなる。従って、基板Wの傾斜角度θは5°
〜20°の範囲内で設定するのが望ましい。
【0051】また、第2の実施形態のエッチング装置1
0′では、上記ノズル40aの揺動動作において、その
揺動角度が40°以内の角度で、かつ、支持軸42の中
心から基板Wに下ろした垂線gを基準に、基板Wの傾斜
方向における下位側への振れ角度αが30°以内、上位
側への振れ角度βが10°以内となるように設定されて
いるが、ノズル40aの具体的な揺動角度もこれに拘ら
ず、基板Wのエッチング処理がより均一に行えるように
適宜設定するようにすればよい。しかし、好ましくは、
上記のような範囲内で揺動角度を設定するのが基板Wを
均一に処理する上では有効である。すなわち、少ないノ
ズル数で、基板Wのより広い範囲に直接、エッチング液
を吹き付けようとする場合、ノズル40aの揺動角度を
より大きく設定するのが望ましいが、基板Wの傾斜方向
における上位側への振れ角度βが大きくなると、基板W
の上位側のノズル40aから吐出されて基板Wに沿って
流下するエッチング液が、下位側のノズル40aから吐
出されたエッチング液の液圧により基板Wの上位側に向
かって押し上げられる、いわゆる突き上げ現象が発生
し、その結果、エッチング液の速やかな流下が妨げられ
てエッチング液の置換性が阻害されることとなる。しか
し、上記のような範囲でノズル40aの揺動角度を設定
すれば、ノズル40aによってエッチング液を直接吹き
付けることができる領域を、上記のような突き上げ現象
を伴わない範囲で可及的に広くすることができる。従っ
て、このような範囲内で揺動角度を設定するようにすれ
ば、エッチング液の置換性を向上させつつ、しかも、当
たりムラの発生を有効に軽減することができ、これによ
り基板Wの均一処理を高いレベルで達成することができ
る。
【0052】なお、上記のようなノズル40aの揺動角
度の設定において、例えば、ノズル40aの全体の揺動
角度が予め定められているような場合には、支持軸42
の中心から基板Wに下ろした垂線gを基準に、基板Wの
傾斜方向における上位側への振れ角度βが全体の揺動角
度の20〜30%となるように、基板Wの上位側及び下
位側への振れ角度α,βをそれぞれ設定するようにして
もよい。この場合にも、エッチング液を直接吹き付ける
ことができる領域を、突き上げ現象を伴わない範囲で広
くすることができる。
【0053】また、第1の実施形態のエッチング装置1
0では、ノズル30と基板Wの双方を固定的に配置して
エッチング液を供給するようにし、また、第2の実施形
態のエッチング装置10′では、ノズル40aを揺動さ
せつつ基板Wを揺動させるようにしているが、エッチン
グ液の供給動作の態様は、基板Wを傾斜状態にしてエッ
チング液を供給できれば、これらの実施形態に限られず
適宜選定可能である。この場合、例えば、ノズルの動作
態様としては、ノズル固定、ノズル揺動の二種類が
考えられ、基板Wの動作態様としては、基板固定、
基板揺動、基板通過(基板Wを次工程に向かって搬送
しながらその最中に処理液を供給する態様)の三種類が
考えらえるので、これらの動作を適宜選定、あるいは組
み合わせるようにすればよい。なお、ノズルを固定的に
設けてエッチング液を基板Wに吹き付けるような構成、
例えば、第2の実施形態のエッチング装置10′におい
て、サージタンク40を固定的に設けて各ノズル40a
からエッチング液を供給するような構成の場合には、上
記突き上げ現象を確実に防止すべく、基板Wへの垂線方
向又は垂線方向よりも基板Wの下位側へ向けてエッチン
グ液を吐出するようにノズル40aを設けるのが好まし
い。
【0054】また、上記の実施形態では、スリット状の
液吐出口30aを有するノズル30や、円錐状にエッチ
ング液を吐出するノズル40aを介してエッチング液を
基板Wに供給するようにしているが、これら以外の、例
えば、単孔から純水を吐出するスポット状ノズルや、霧
状にエッチング液を吐出する霧状ノズル等、種々のノズ
ルを適用してエッチング液を供給することもできる。
【0055】また、上記各実施形態では説明を省略して
いるが、基板Wは、基板製造の全工程において傾斜姿勢
に保持する必要はなく、少なくともエッチング工程にお
いて基板Wを傾斜姿勢に保持するようにすればよい。従
って、エッチング処理以外の処理工程において基板Wを
水平姿勢で処理する場合には、エッチング装置10への
導入直前に基板Wを傾けてエッチング装置10に導入
し、エッチング装置10からの導出直後に基板Wを水平
姿勢に戻すようにすればよい。
【0056】なお、上記実施形態は、本願発明をエッチ
ング装置10,10′に適用した例であるが、本願発明
は、このようなエッチング装置以外にも、例えば、ネガ
レジスト現像等の現像処理の装置にも適用することがで
きる。
【0057】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基板の
表面に処理液を供給して処理を施す基板処理装置におい
て、水平面に対して所定の角度をなす傾斜姿勢で基板を
保持する姿勢保持手段と、上記傾斜姿勢に保持された基
板に対して処理液を供給する処理液供給手段とを備え、
処理時には、処理液を基板表面において自重で流下さ
せ、これにより基板表面全体に対して均一に処理液を作
用させつつ速やかに基板外に流出させるようにしたた
め、水平に保持した基板に対して処理液を供給して処理
を施すようにしていた従来のこの種の装置と比較する
と、基板上での処理液の滞留を効果的に防止でき、従っ
て、基板に対してより均一に処理を施すことができる。
【0058】特に、姿勢保持手段による基板の傾斜角度
を5°〜20°の範囲内で設定するようにすれば、例え
ば、エッチング処理においてエッチング液(処理液)に
より金属膜を溶解させるような場合に、処理液を基板に
対して有効に作用させながら速やかに基板外部に流下さ
せることができる。
【0059】また、処理液供給手段による処理液の供給
方向を固定的に設定する場合には、基板に対する垂線方
向又は垂線方向よりも基板の傾斜方向における下位側に
向かって処理液を供給するように処理液供給手段を構成
するようにすれば、処理液の突上げ現象の発生を確実に
防止することができる。
【0060】一方、処理液の供給方向を基板の傾斜方向
に可変とする可変手段を設けるようにすれば、少ない処
理液供給手段でより広い面積に対して処理液を直接供給
することが可能となり、合理的な構成でいわゆる当たり
ムラの発生を軽減することができる。
【0061】この場合、基板への垂線を境に基板の傾斜
方向における上位側に0°〜10°、下位側に0°〜3
0°の範囲内で前記処理液供給手段を揺動させるように
可変手段を構成するか、あるいは、基板への垂線を境に
基板の傾斜方向における上位側に全揺動角度の20〜3
0%の範囲内で前記処理液供給手段を揺動させるように
前記可変手段を構成すれば、処理液の突上げ現象の発生
を有効に防止しつつ当たりムラを有効に軽減することが
できる。
【0062】さらに、基板の傾斜方向と直交し、かつ基
板と平行な方向に基板を搬送する搬送装置により前記姿
勢保持手段を構成し、基板の搬送中に基板に処理液を供
給するようにすれば、基板を搬送しながら効率良く処理
を施すことが可能となる。
【0063】また、処理液の供給中に、処理液供給手段
と基板とを基板の傾斜方向と直交し、かつ基板と平行な
方向に相対的に往復移動させる移動手段を設けるように
すれば、少ない処理液供給手段でより広い面積に対して
処理液を直接供給することが可能となり、合理的な構成
でいわゆる当たりムラの発生を軽減することができる。
【0064】また、基板に対してエッチング液又はネガ
レジスト用現像を供給するように構成したエッチング装
置又はネガレジスト現像装置として、良好な処理を実現
でき、特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置(第1の実施の形
態)であるエッチング装置を示す斜視図である。
【図2】エッチング装置の内部構造を示す側面図であ
る。
【図3】(イ)〜(ハ)は、エッチング装置による基板
の処理動作を説明する図である。
【図4】本発明に係る基板処理装置(第1の実施の形
態)であるエッチング装置を示す斜視図である。
【図5】エッチング装置の内部構造を示す側面図であ
る。
【図6】ノズルの揺動角度を説明する模式図である。
【図7】(イ)〜(ハ)は、エッチング装置による基板
の処理動作を説明する図である。
【図8】ノズルによるエッチング液の吹き付け領域を説
明する図である。
【符号の説明】
10 エッチング装置 12 処理槽 14 基板導入口 15 基板導出口 16 搬送機構 18 搬送ローラ 20 ローラ軸 22 中央ローラ 24 側部ローラ 34 液供給管 30 ノズル 30a 吐出口 W 基板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面に処理液を供給して所定の処
    理を施す基板処理装置において、水平面に対して所定の
    角度をなす傾斜姿勢で基板を保持する姿勢保持手段と、
    上記傾斜姿勢に保持された基板に対して処理液を供給す
    る処理液供給手段とを備えていることを特徴とする基板
    処理装置。
  2. 【請求項2】 前記姿勢保持手段による基板の傾斜角度
    が5°〜20°の範囲内に設定されていることを特徴と
    する請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記処理液供給手段は、基板への垂線方
    向又は垂線方向よりも基板の傾斜方向における下位側に
    向かって処理液を供給するように構成されていることを
    特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 処理液の供給方向を基板の傾斜方向に可
    変とする可変手段を備えていることを特徴とする請求項
    1又は2記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 前記可変手段は、基板の傾斜方向と直交
    して基板と平行に延びる軸回りに処理液供給手段を揺動
    させるものであって、基板への垂線を境に基板の傾斜方
    向における上位側に0°〜10°、下位側に0°〜30
    °の範囲内で前記処理液供給手段を揺動させるように構
    成されていることを特徴とする請求項4記載の基板処理
    装置。
  6. 【請求項6】 前記可変手段は、基板の傾斜方向と直交
    して基板と平行に延びる軸回りに処理液供給手段を揺動
    させるものであって、基板への垂線を境に基板の傾斜方
    向における上位側に全揺動角度の20〜30%の範囲内
    で前記処理液供給手段を揺動させるように構成されてい
    ることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
  7. 【請求項7】 前記姿勢保持手段は、基板の傾斜方向と
    直交し、かつ基板と平行な方向に基板を搬送する搬送装
    置からなるものであって、処理液供給手段は、前記搬送
    装置による基板の搬送中に基板に処理液を供給するよう
    に構成されていることを特徴とする請求項1乃至6のい
    ずれかに記載の基板処理装置。
  8. 【請求項8】 処理液の供給中に、処理液供給手段と基
    板とを基板の傾斜方向と直交し、かつ基板と平行な方向
    に相対的に往復移動させる移動手段を備えていることを
    特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板処理
    装置。
  9. 【請求項9】 前記処理液供給手段は、基板に対してエ
    ッチング液又はネガレジスト用現像液を供給するもので
    あることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載
    の基板処理装置。
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