CN100390931C - 基板处理装置、基板处理方法及图案形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种节省空间、处理能力高、且可进行高均一性处理的基板处理装置及基板处理方法。所述基板处理装置包括：基板保持单元，以基板20主表面向斜上方倾斜的状态保持基板20呈规定范围内的倾斜角度；处理液供给单元，向倾斜状态的基板20的至少一边方向大致均匀地提供处理液，使基板20主表面的全部区域布满处理液；使上述基板20与上述处理液供给单元相对移动的移动单元。通过上述基板保持单元使得基板20相对于水平方向的倾斜角度(α)在25度～80度的范围内。上述处理液供给单元包括能够向基板20的一边方向均匀提供处理液的喷嘴30，上述移动单元使喷嘴30在基板20的主表面上与上述一边垂直移动。

Description

基板处理装置、基板处理方法及图案形成方法

技术领域

本发明涉及用于基板显影、蚀刻等处理的基板处理装置及基板处理方法、及应用该法的图案形成方法。具体来说，本发明涉及对液晶显示装置(Liquid Crystal Display：以下称LCD)、等离子体显示板(以下称PDP)等的制造工序中使用的大型光掩模等大型基板进行处理中适用的基板处理装置及基板处理方法，及应用该方法的图案形成方法。

背景技术

在LCD及PDP的制造工序中，使用光刻法形成细微图案。此外，为形成细微图案通常须使用多张被称作光掩模的基板。该光掩模一般是在透光型玻璃基板上设置由金属薄膜等构成的遮光型细微图案而形成的，并且在该光掩模的制造中也采用光刻法。

光刻法形成图案时须经过以下几个工序：曝光工序，对于基板上形成的抗蚀膜实施所需的图案曝光；显影工序，根据上述所需的图案曝光，使上述抗蚀膜显影形成抗蚀图案；蚀刻工序，沿着上述抗蚀图案对上述基板进行蚀刻；以及将残存的抗蚀图案剥离去除的工序。在上述显影工序中，对基板上形成的抗蚀膜实施所需的图案曝光后，向基板表面提供显影液，将显影液可溶的抗蚀膜部位溶解，形成抗蚀图案。另外，在上述蚀刻工序中，将此抗蚀图案作为掩模对上述基板进行蚀刻。上述基板在透光型玻璃基板上形成有诸如铬等的遮光型金属薄膜，向基板表面提供蚀刻液，将金属薄膜上没有形成抗蚀图案而暴露出的部位溶解，从而在玻璃基板上形成所需的图案。

但作为在上述显影工序及蚀刻工序中进行处理的方法，过去通常在用水平方向安装的多根输送用滚轴将基板水平输送，同时从对着基板表面安装的多个喷嘴向基板表面喷处理液(显影液、蚀刻液)。

此外，在专利文献1(特开平11-74248号公报)中记载了这样的基板处理装置：将基板保持在与水平面呈5度～20度范围内的倾斜角度，通过向这样保持倾斜的基板提供处理液，以此提高处理液对基板的置换性。

[专利文献1]特开平11-74248号公报

然而，近年来，LCD、PDP等的基板有大型化的倾向，并且为制造这些基板的光掩模也有大型化的倾向。因此，以往将基板水平输送同时向基板表面提供处理液的方法中，伴随基板大型化，存在有处理装置也大型化的问题。并且，由于基板要保持水平，如果基板大型化，处理液则易滞留于基板表面，结果则易导致基板面内的处理偏差。为了尽可能地防止这种处理偏差的发生，在保持基板水平的状态下在输送用滚轴上左右晃动的同时(输送的同时)，必须让所有的喷嘴同时喷出处理液。因此，被白白浪费的处理液的量很大，造成了成本上升。此外，在处理过程中，由于基板在水平方向左右晃动，所以需要比基板的尺寸更大的面积，如果基板大型化，则处理装置也不得不大型化。

另外，上述专利文献1中所述的基板处理装置中，由于保持基板与水平面呈5度～20度范围内的倾斜角度，同时供给处理液，所以与将基板置于水平状态相比对于进行基板处理所需的面积小，从解决处理装置大型化方面来说是理想的，但近年来伴随LCD、PDP的大型化，多数采用基板的一边例如大于等于300mm的大型基板，在使用这种尺寸的大型基板时，即使是上述专利文献1所述的基板处理装置也无法充分解决处理装置的大型化问题。

再者，由于基板保持倾斜，向基板表面提供的处理液沿着基板的倾斜方向从上往下流，但如果基板的倾斜角度为上述的5度～20度这样的小角度，处理液的落下速度比较慢，处理液易在倾斜方向下游的基板表面滞留，因此在基板倾斜方向的上游侧与下游侧易产生处理偏差的问题。

为了解决基板大型化带来的基板处理装置的大型化问题，将处理中的基板保持倾斜，虽然倾斜角度越大越有利，但基板的倾斜角度越大，沿着基板的倾斜方向从上游向下游流下处理液的速度越快，所以处理液几乎在基板表面不滞留就流走了。在例如清洗工序中使用清洗水时，基板的倾斜角度变大对于清洗效果方面没什么影响，但使用显影液及蚀刻液等处理液时，与清洗水则不同，如果处理液不在基板表面做一定时间的停留(盛有处理液的状态)，对抗蚀膜的溶解反应及对金属薄膜(遮光型膜)的溶解反应则难以进行。因此，将处理中的基板的倾斜角度变大会导致处理液不在基板表面停留而流走，从而出现显影处理及蚀刻处理非常费时，并且存在基板面内易出现处理偏差的问题。此外，上述专利文献1中提到，基板的倾斜角度超过20°时，蚀刻液的流下速度过快，很难对基板产生充分作用。

如上所述，当保持基板倾斜的同时提供处理液进行规定处理时，加大基板倾斜角度对于节约处理装置空间方面是有利的，但会出现处理时间及处理偏差的问题。另一方面，如果基板的倾斜角度变小，尤其对于大型基板很难节省处理装置的空间，并且在基板倾斜方向的下游侧会出现处理液的滞留问题。

即，在现有技术中，基板处理装置难以实现节省空间、特别是节省在处理大型基板时的空间；难以降低基板面内处理偏差的情况；难以提高处理能力。

发明内容

因此，本发明为了解决以往的问题，其目的如下：第一，提供能够节省空间、处理能力高、且处理的均一性高的基板处理装置及基板处理方法；第二，提供应用这种基板处理方法的图案形成方法。

为了解决上述课题，本发明具有如下构成。

(构成1)向基板的主表面提供处理液以进行规定处理的基板处理装置，其特征在于具备以下几个单元：基板保持单元，以基板主表面向斜上方倾斜的状态保持基板呈规定范围内的倾斜角度；处理液供给单元，向通过上述基板保持单元保持倾斜状态的基板的至少一边方向大致均匀地提供处理液，并使基板主表面的全部区域布满处理液；移动单元，使上述基板与上述处理液供给单元相对移动。

(构成2)如构成1所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板至少有一边的长度大于等于300mm。

(构成3)如构成1或2所述的基板处理装置，其特征在于，通过上述基板保持单元使基板相对于水平方向的倾斜角度在25度～80度的范围内。

(构成4)如构成1～3的任意一项中所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液供给单元包含可向基板的一边方向大致均匀地提供处理液的一个或多个喷嘴，上述移动单元使上述喷嘴在基板主表面上与上述一边方向垂直移动。

(构成5)如构成1～4的任意一项中所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液供给单元同时包括提供显影液的单元及提供蚀刻液的单元。

(构成6)基板处理方法，其是向基板主表面提供处理液以进行规定处理的基板处理方法，其特征在于，以基板主表面向斜上方倾斜的状态保持基板呈规定范围内的倾斜角度，利用一个或多个可向该倾斜状态的基板的一边方向大致均匀供给处理液的喷嘴提供处理液，同时上述喷嘴在基板主表面上与上述一边方向垂直方向扫描，向基板主表面的全部区域提供处理液。

(构成7)如构成6所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板至少有一边的长度大于等于300mm。

(构成8)如构成7及8中所述的基板处理方法，其特征在于，在使基板保持在相对于水平方向的基板的倾斜角度为25度～80度范围的状态供给处理液。

(构成9)图案形成方法，其包括：曝光工序，对基板上形成的抗蚀膜实施所需的图案曝光；显影工序，根据上述所需的图案曝光使上述抗蚀膜显影形成抗蚀图案；蚀刻工序，沿着上述抗蚀图案蚀刻上述基板；以及将残存的抗蚀图案剥离去除的工序，其特征在于，在上述显影工序及蚀刻工序的一项或两项工序应用了构成6～8任意一项所述的基板处理方法。

如构成1所述，本发明的基板处理装置包括以下单元：基板保持单元，以基板主表面向斜上方倾斜的状态保持基板呈规定范围内的倾斜角度；处理液供给单元，向通过上述基板保持单元保持倾斜状态的基板的至少一边方向大致均匀地提供处理液，并使基板主表面的全部区域布满处理液；使上述基板与上述处理液供给单元相对移动的移动单元。

本发明的基板处理装置用于在例如LCD、PDP等的基板制造工序中所用的光掩模等的处理。这种处理指的是通过例如光刻法形成图案时所进行的显影处理及蚀刻处理等。

通过使用构成1的基板处理装置，即使对于大型基板也可通过增大倾斜角度来节省空间，同时可防止处理液滞留于基板表面，减少基板面内的处理偏差(处理不均)。此外，增大基板的倾斜角度虽然导致了处理液的流下速度变快，但由于基板主表面的全部区域布满处理液，所以处理能力高，并且能进行高均一性的处理。

这里的基板主表面的全部区域布满处理液的状态指的是基板主表面的全部区域同时盛有处理液，并且在供给处理液期间基板主表面的处理液不发生局部干燥的状态。

如构成2所述，本发明的基板处理装置特别适用于对至少一边长度大于等于300mm的大型基板进行处理的情况。即，即使对于大型基板，也可在节省的空间实施高处理能力且高均一性的处理。

如构成3所述，本发明的基板处理装置优选通过上述基板保持单元将基板的倾斜角度保持在相对于水平方向为25度～80度的范围内，在45度～80度的范围内尤为适合。即，即使对于大型基板，也通过加大倾斜角度来节省空间，且按此方法加大基板的倾斜角度可实现高处理能力且高均一性的处理。

如构成4所述，本发明的基板处理装置中，上述处理液供给单元包含可向基板的一边方向大致均匀地提供处理液的一个或多个喷嘴，上述移动单元包括使上述喷嘴在基板主表面上与上述一边方向垂直移动的单元。由此，对于倾斜状态的大型基板，即使增大倾斜角度，通过喷嘴的高速扫描也可向基板主表面的全部区域供给大致均匀的处理液，能够使基板主表面的全部区域布满处理液，实现高均一性的处理。

如构成5所述，在本发明的基板处理装置中，上述处理液供给单元可由同时具有显影液供给单元和蚀刻液供给单元这两个方面单元而构成。由此，用1台基板处理装置就可实现显影处理和蚀刻处理，这与显影处理和蚀刻处理用不同的处理装置分别进行的情况相比，可举出的优点有省去了装置间的基板的输送、节省了空间等，这些方面尤其是在对大型基板的处理中更是有利的。

如构成6所述，以基板主表面向斜上方倾斜的倾斜状态保持基板呈规定范围内的倾斜角度，利用一个或多个可向倾斜基板的一边方向大致均匀提供处理液的喷嘴提供处理液，同时上述喷嘴在基板主表面方向上与上述一边方向垂直扫描，向基板主表面的全部区域提供处理液。由此，对于大型基板可通过增大倾斜角度来节省空间，同时可防止处理液在基板表面滞留和能降低基板面内的处理偏差(处理不均)。另外，即使增大基板的倾斜角度而使处理液的下流速度变快，通过对基板主表面的全部区域提供处理液可实现高处理能力且高均一性的处理。

如构成7所述，本发明的基板处理方法，特别适合处理至少一边长度大于等于300mm的大型基板。即，即使针对大型基板，也可在节省的空间进行高处理能力且高均一性的处理。

如构成8所述，本发明的处理方法中最好将基板的倾斜角度保持在与水平方向呈25度～80度的范围内供给处理液，45度～80度的范围内则更好。即，对于大型基板可通过增大倾斜角度以节省空间，且即使这样增大倾斜角度，也可实现高处理能力且高均一性的处理。

如构成9所述，本发明的图案形成方法在上述显影工序及蚀刻工序中的一项或两项工序中，利用构成6～8的任意一项所述的基板处理方法，即使是处理大型基板，在显影工序及蚀刻工序中可进行高均一性的处理，结果可以形成基板主面内均一性良好(面内偏差小)的图案。

利用本发明可提供能在节省的空间进行高处理能力且高均一性的处理的基板处理装置及基板处理方法，所以尤为适合处理大型基板。此外，利用所述基板处理方法的图案形成方法，即使对于大型基板，在其显影工序及蚀刻工序中也可实现高均一性的处理，可形成面内均一性良好的图案。

附图说明

图1显示了本发明的基板处理装置中一种实施方式的侧截面简图。

图2为图1的基板处理装置中处理部的正视图。

图3为用于说明喷嘴扫描方法的立体简图。

图4显示了具有多个喷嘴的实施方式的立体简图。

图5为用于说明喷嘴扫描方式的其他例子的立体简图。

图6为喷嘴的其他实施方式的立体简图。

图7显示了以往的基板处理装置一个例子(比较例)的立体简图。

[符号说明]

10     基板处理装置

11     处理部

12     输送用滚轴

15     驱动部

20     基板

30     淋浴式喷嘴

31、60 喷嘴孔

40     狭长喷嘴

50     输送用滚轴

具体实施方式

下面参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。

图1为表示本发明的基板处理装置实施方式之一的侧截面简图。图2为上述基板处理装置处理部的正视图。图3是用于说明上述基板处理装置内喷嘴扫描方法的立体简图。

图1所示的本发明的实施方式之一的基板处理装置10由其上方及下方所分别具有的处理部11和驱动部15构成。驱动部15具有处理部11中对基板进行处理时所需的各种驱动控制结构和为了使处理部11保持规定倾斜角度所具有的驱动控制结构，并且还具有对基板处理条件等进行设定用的操作盘(图中未示出)。

处理部11具备以下的单元：基板保持单元，以被处理的基板20的主表面保持向斜上方倾斜的状态保持基板20呈规定范围内的倾斜角度；处理液供给单元，使通过该基板保持单元保持倾斜状态的基板20主表面的全部区域布满处理液；以及移动单元，使供给该处理液的单元发生移动。

对上述处理部11的结构进行略详细的说明，整体为箱形，其正面有透明窗11A，以至可看透处理部11的内部。处理部11的内部沿着其背面的11B在上下方向每隔一定的间隔配置了多个输送用的滚轴12。各输送用滚轴12由在其上下方安装的保持轴13转动自如地枢轴支撑。另外，沿着背面11B，在左右方向同样配置了同样结构的多个输送用滚轴12。由此，各输送用滚轴12以平行于上述背面11B的保持轴13为中心自由转动。如果这样将基板放在处理部11内部沿着背面11B配置的多个输送用滚轴12上，因为基板20的里侧(与主表面相对的一面，即与被处理液处理面相对的一面)与各个输送用滚轴12的周面相接触，所以基板20能够在从左右方向移入处理部时或从处理部移出至左右方向时能够在左右方向移动(滑动)。此时，基板20的下端由缘板14支持，该缘板14可向左右方向移动。此外，配置以与上述背面11B相垂直方向的轴为中心转动自如的输送用滚轴代替缘板14，使基板20的下端与该输送用滚轴的周边相接触而得以支撑，从而通过上述输送用滚轴而使转动基板得以更加顺畅的左右移动。此外，也可以将各个输送用滚轴12固定于上述保持轴13上，保持轴13的上下被转动自如地支撑。

在上述处理部11的内部，作为上述处理液的供给单元，安装有可向基板20的一边方向(在本实施方式中为基板20的倾斜方向即上下(纵)方向)进行大致均匀供给处理液的淋浴式喷嘴30(参照图2)。在基板20的主表面上每隔一定的间隔平行安装该淋浴式喷嘴30，在基板主表面上与上述一侧方向垂直的方向进行扫描，即在本实施方式中基板主表面上左右方向(图2中所标箭头的方向)进行扫描。此淋浴式喷嘴30全体形成为管状，在其表面沿着长度方向大致等间隔地具有多个喷嘴孔31(参照图1。此外，图1中省略喷嘴30的图示)，如果以一定水压向淋浴式喷嘴30供给处理液，例如供给显影液，则显影液便从淋浴式喷嘴30的各个喷嘴孔31中淋浴式喷出。本实施方式中，覆盖基板20的上下方向将喷嘴30设置在长度方向上，所以对基板20的上下方向可大致均匀地供给处理液。然后，通过淋浴式喷嘴30左右方向扫描基板主表面，能够使基板主表面的全部区域大致均匀布满处理液。

由此，为了使基板主表面的全部区域可大致均匀地布满处理液，特别是，即使增大基板的倾斜角度，也可使基板全部主表面同时被处理液布满，喷嘴需要具备扫描速度，本发明中从此观点出发，优选淋浴式喷嘴30的扫描速度在单根扫描时为大于等于例如10米/分钟。

如前所述，驱动控制结构使上述处理部11整体上相对水平方向保持规定的倾斜角度，基板处理装置10在驱动部15内应具有图中未表示的这种驱动控制结构。由此，上述处理部11相对于水平方向可保持规定的倾斜角度(α)(参照图1)并具有倾斜的状态。因此，在处理部11内部，通过上述输送用滚轴12与缘板14，以基板主表面保持向斜上方倾斜的状态，将基板20保持在相对水平方向的倾斜角度为α。本发明中，相对水平方向的基板倾斜角度优选在25度～80度的范围内，尤其优选在45度～80度的范围内。即，即使对于大型基板也可通过增大倾斜角度节省空间，同时可防止处理液在基板表面滞留，并减少面内处理不均。虽然没有必要对基板的倾斜角度限定上限，但从保持基板稳定的观点出发，如上所述基板的倾斜角度优选小于等于80度。另外，上述处理部11相对于水平方向的倾斜角度(α)可通过上述驱动控制结构在规定的范围内自由改变。

本实施方式中的基板处理装置10的构造如上所述，接着就此基板处理装置10的运转进行说明。

将实施处理的基板20安装在处理部11内的规定位置。此时将基板20主表面向上负载于输送用滚轴12上，基板20的下端处于由通过缘板14支持的状态，并被保持在固定的位置。通过驱动使处理部11处于规定的倾斜姿势，由此使安装在处理部11内的基板20被固定于规定的倾斜角度(α)。

然后向淋浴式喷嘴30供给例如显影液等处理液，显影液就会从淋浴式喷嘴30的各个喷嘴孔31向基板20的主表面呈淋浴状喷出，对基板20的上下方向可大致均匀地提供处理液。而且，如果将基板20的例如左端(正面观)侧作为淋浴式喷嘴30的扫描起点，使用能够对这样倾斜的基板上下方向大致均匀提供处理液的淋浴式喷嘴30来提供处理液，同时如图3所示向右(图3中所标箭头方向)在基板主表面上开始上述喷嘴30的扫描，直到基板20的右端侧结束扫描，然后进行向左方向的扫描动作，通过左右方向的来回扫描，可实现对基板20主表面的全部区域提供处理液。

如上，在规定的时间内结束处理后，将基板20从处理部11中取出。或将基板20留在处理部11内(有时须将基板20移至处理部11内的其他规定位置)，可继续进行其他的基板处理。

本发明的基板处理装置即使对于大型基板也可通过增大倾斜角度来节省空间，同时还能防止处理液在基板表面的滞留，减少面内的处理偏差。参照图1可知，本实施方式的基板处理装置10的进深(D)比基板的尺寸小。从这点考虑，如前所述基板的倾斜角度大于等于25度，特别是大于等于45度时特别适合于大型基板。另外，增大基板的倾斜角度后处理液的下流速度虽然变快，但通过对基板主表面的全部区域提供处理液，可实现高处理能力且高均一性的处理。因此，本发明的基板处理装置尤其适合于至少一边长度大于等于300mm的大型基板的处理。即，即使对于大型基板，也可节省空间实现高处理能力且高均一性的处理。

本实施方式中，通过喷嘴的扫描来提供处理液，对于倾斜的大型基板即使增大倾斜角度，基板主表面全部区域仍可大致均匀布满处理液，可进行高均一性的处理。此外，与使用例如静止喷嘴(喷嘴位置固定)相比，通过喷嘴扫描提供处理液可防止对基板的处理液喷洒不均，可实现高均一性的处理。对大型基板而言，与使用例如多根静止喷头相比较，如果采用喷嘴扫描，则由于不会对基板出现处理液喷洒不均，因此可提高均一性，减少处理液的消耗量。

上述本实施方式中的淋浴式喷嘴30也可配置多根。如图4中一例所示，相邻配置了两根淋浴式喷嘴30A、30B。如此配置相邻的多根淋浴式喷嘴进行扫描时，与用单根扫描相比，如果根数增加，为了向基板主表面的全部区域提供处理液，则可将扫描速度变慢。

另外，在本实施方式中叙述了使用能对基板上下方向大致均匀提供处理液而配置的淋浴式喷嘴30提供处理液，同时上述喷嘴30在基板主表面上左右方向扫描的情况，但本发明并不仅限于此。例如，如图5所示配置了可对基板20左右方向大致均匀供给处理液的淋浴式喷嘴30，此淋浴式喷嘴30可对基板20上下方向进行扫描。作为处理液供给单元，可用如图6所示的狭长喷嘴40代替上述淋浴式喷嘴30。

本发明的基板处理装置中，作为上述处理液供给单元，可形成具有显影液供给单元和蚀刻液供给单元这两种单元的构成。这种构成，例如上述配置多根淋浴式喷嘴时，可分别配置显影液供给用喷嘴和蚀刻液供给用喷嘴。如此一来，在一台基板处理装置中显影处理和蚀刻处理均可进行，与在不同的处理装置中进行显影处理和蚀刻处理相比较，这种处理省去了装置间的基板输送，可节省空间。在大型基板的处理上这些尤其有利。

接着，使用上述基板处理装置或基板处理方法对本发明的图案形成方法进行说明。

本发明的图案形成方法为使用光刻法形成图案的方法，具有下述工序：曝光工序，对基板上形成的抗蚀膜实施所需的图案曝光；显影工序，根据上述所需的图案曝光使上述抗蚀膜显影而形成抗蚀图案；蚀刻工序，沿着上述抗蚀图案对上述基板进行蚀刻；以及将残存的感光图案剥离去除的工序。若使用光掩模，上述基板则是在透光性玻璃基板上形成有例如含有铬的遮光型膜的光掩模板(mask blank)。于是，在上述显影工序及蚀刻工序的一项或两项工序中，通过使用上述的本发明相关的基板处理装置或基板处理方法，即使对于大型基板，在显影工序及蚀刻工序中也可进行高均一性的处理。其结果是，面内可形成均一性良好的(面内不均少的)图案。

本发明的基板处理装置通过使用上述淋浴式喷嘴提供纯净水，在上述的图案形成方法中还可用于显影工序后的冲洗处理、蚀刻工序后的冲洗处理。此时，冲洗、蚀刻、冲洗等一系列的处理都可在本发明的基板处理装置中连续进行。

以下通过实施例对本发明的实施形式进行更加具体的说明。

(实施例)

在大型光掩模用玻璃基板(大小520mm×800mm×10mm)的表面上形成含有铬(Cr)的遮光型膜的光掩模板(带薄膜的基板)，在其上形成正相抗蚀膜。抗蚀膜是使用旋转机(旋转涂布装置)旋转涂布正相抗蚀液而形成的。作为正相抗蚀剂，使用高分子型抗蚀剂PBS(聚丁烯-1-砜)，将其溶于甲基溶纤剂乙酸酯后作为抗蚀液。且涂布上述抗蚀液后，使用加热干燥装置进行规定的加热干燥处理。

然后，使用激光描绘装置对光掩模板上形成的抗蚀膜进行所需的图案曝光。

接着根据上述所需的图案曝光对上述抗蚀膜进行显影，以形成抗蚀图案。使用上述图1所示实施方式的处理装置进行显影处理。显影液以上述正相光致抗蚀剂用的氢氧化钾作为主要成分，使用装有该显影液的淋浴式喷嘴以10米/分钟的速度在光掩模板的主表面上左右方向扫描，向抗蚀膜提供显影液，在23℃下进行60秒的显影处理。此时光掩模板对于水平方向的倾斜角度(α)为55度。

接着，使用相同的基板处理装置，向上述显影液用淋浴式喷嘴供给纯水，进行显影后的冲洗。

接着，使用相同的基板处理装置进行蚀刻处理。使用装入硝酸铈铵和高氯酸的水溶液作为蚀刻液的喷嘴，将该喷嘴以10米/分钟的速度，在光掩模板的主表面上左右方向扫描，同时提供蚀刻液，进行60秒的蚀刻处理。另外，此时光掩模板相对水平方向的倾斜角度(α)与显影处理时的倾斜角度相同，为55度。

如此将上述感光图案作为掩模，用湿蚀刻处理去除已暴露的铬膜，使基板上的铬遮光膜形成规定的图案形状。

然后使用相同的基板处理装置，向上述蚀刻液用的淋浴式喷嘴中供给纯净水，进行蚀刻处理后的冲洗处理。

最后，用热浓硫酸剥离去除残留的抗蚀图案。

经过以上的工序，制造大型LCD制造用的抗蚀模。

以下对制造的光掩模的面内偏差进行评价。具体来说，对掩模表面的18个位点分别求出尺寸偏差(相对于设计值的误差)，将所得最大值与最小值的差作为面内偏差。本实施例所制造的光掩模的面内偏差为0.06μm，此值非常小，结果很好。

(比较例)

除了显影、显影后的冲洗、蚀刻、蚀刻后的冲洗的各个处理按照图7所示的基板处理装置进行之外，其他都采用与实施例相同的方法制造光掩模。图7所示的基板处理装置通过输送用滚轴50水平输送并支持基板20，从装在上方的多个淋浴式喷嘴60(静止喷嘴)中将处理液喷向基板20。使用此基板处理装置时，由于基板是水平的，处理液的表面张力使处理液滞留从而易导致处理偏差，为了尽可能抑制处理偏差的发生，在基板水平时使基板在滚轴上左右摇动，且所有的喷嘴必须同时喷出处理液。因此，被白白浪费的处理液的量很大。此外，由于基板要水平左右摇动，需要比基板面积更大的空间，于是处理装置成为大型的处理装置。

就制造出的比较例的光掩模，用与实施例相同的方法测量面内偏差，结果超过0.1μm，可知其偏差大。

另外，作为以往的基板处理装置，使用公知的旋转处理装置，即将多张基板水平放置在载体上，在载体旋转的同时使用静止喷嘴提供处理液。因此，除了显影、显影后的冲洗、蚀刻、蚀刻后的冲洗等步骤使用该旋转处理装置进行处理外，采取与实施例同样的方法制造光掩模，所得光掩模的面内偏差超过0.1μm，偏差大。

由上可知，使用本发明的基板处理装置及基板处理方法，尤其对大型基板，可进行高均一性、高精度的基板处理。

Claims (9)

1.基板处理装置，其是向基板主表面提供处理液以进行规定处理的基板处理装置，其特征在于，其具备以下单元：基板保持单元，以基板主表面向斜上方倾斜的状态保持基板相对于水平方向的倾斜角度在25度～80度的范围内；处理液供给单元，该处理液供给单元具有向通过所述基板保持单元保持倾斜状态的基板的至少一边方向均匀地供给处理液的多个喷嘴；移动单元，该移动单元使所述喷嘴在基板主表面上与所述一边方向垂直地以10米/分钟以上的速度移动，从而使基板主表面的全部区域布满处理液。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板至少一边的长度大于等于300mm。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给单元包括显影液供给单元和蚀刻液供给单元这两种单元。

4.基板处理方法，其是向基板主表面提供处理液以进行规定处理的基板处理方法，其特征在于，以基板主表面向斜上方倾斜的状态保持基板相对于水平方向的倾斜角度在25度～80度的范围内，利用一个或多个可向倾斜状态的基板的一边方向均匀地供给处理液的喷嘴供给处理液，同时所述喷嘴在基板主表面上与所述一边方向垂直地以10米/分钟以上的速度扫描，向基板主表面的全部区域提供处理液。

5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板至少有一边的长度大于等于300mm。

6.如权利要求4或5所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理液是显影液。

7.如权利要求4或5所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理液是蚀刻液。

8.图案形成方法，其包括：曝光工序，对基板上形成的抗蚀膜实施所需的图案曝光；显影工序，根据所述所需的图案曝光使所述抗蚀膜显影形成抗蚀图案；蚀刻工序，沿着所述抗蚀图案蚀刻所述基板；以及将残存的抗蚀图案剥离去除的工序，其特征在于，在所述显影工序及蚀刻工序的一项或两项工序应用了权利要求4～7任意一项所述的基板处理方法。

9.光掩模的制造方法，其特征在于，其中包括权利要求4～7任一项所述的基板处理方法。

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