CN111886675A - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111886675A CN111886675A CN201880091453.6A CN201880091453A CN111886675A CN 111886675 A CN111886675 A CN 111886675A CN 201880091453 A CN201880091453 A CN 201880091453A CN 111886675 A CN111886675 A CN 111886675A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- processing
- substrates
- substrate
- plate
- arrangement direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 119
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 101150106709 ARC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150046212 ARC2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100013575 Arabidopsis thaliana FTSHI1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
基板处理装置在支承于升降部的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板(31)。21个狭缝(33)的与中央区域(ARC)的宽度(WD1)相比,第一外区域(AR1)以及第二外区域(AR2)中的宽度(WD2、WD3)被设为更大。因此,在从一对喷出管(7)供给的、在中央区域(ARC)沿基板(W)面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板(31)通过而向基板(W)侧上升时,其动量被削弱。因此,能够缓和基板(W)面附近的处理液的流动的差异,能够在基板(W)面内形成速度差很小的整流。
Description
技术领域
本发明涉及利用处理液相对于半导体晶片、液晶显示器用基板、等离子显示器用基板、有机EL用基板、FED(Field Emission Display:场致发射显示)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、太阳能电池用基板等的各种基板(以下仅称为基板)进行处理的基板处理装置。
背景技术
以往,作为这种装置有具有蓄留处理液并容置多张基板进行处理的处理槽、配置在处理槽内的底部的液流分散部件,使基板浸润在处理液内来进行处理的装置(例如,参照专利文献1)。
这种装置所具有的液流分散部件使处理槽内的处理液的流动分散成趋向处理槽的中央的底面侧的流动、和趋向处理槽的中央的斜向上方的流动。由此,能够缓和基板面附近的处理液的流动的差异,从而能够提高处理的面内均匀性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2017-130483号公报(图1以及图2)
发明内容
然而,在具有这种构成的现有例的情况下,存在如下的问题。
即,现有的装置虽然通过液流分散部件能够提高处理的面内均匀性,但近来,追求进一步提高面内均匀性,期望进一步缓和基板面附近的处理液的流动的差异。也就是说,期望形成基板面内的速度差小的整流的技术。
本发明是鉴于上述情况而提出的,其目的在于,提供一种能够在基板面内形成速度差很小的整流的基板处理装置。
本发明为了达成这种目的,而采用如下的构成。
即,技术方案1所述的发明在使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理的基板处理装置中,具备:升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;以及狭缝板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,形成有多个将长轴顺着所述多张基板的排列方向的狭缝,所述多个狭缝以彼此平行的位置关系形成,在从所述基板的排列方向观察所述狭缝板的情况下,所述处理槽的中央区域和与所述中央区域相比位于所述一对喷出管侧的外区域这两个区域中的所述多个狭缝中,所述外区域中的狭缝的宽度比所述中央区域中的狭缝的宽度大。
[作用和效果]根据技术方案1所述的发明,在支承于升降部的基板的下方与处理槽的底面之间具有狭缝板。就形成于该狭缝板的多个狭缝而言,与从基板的排列方向观察的中央区域相比,外区域中的宽度被设为更大。因此,在从一对喷出管供给的、且在中央区域沿基板面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板通过且向基板侧上升时,其动量被削弱。另外,与流动性强的液流上升的中央区域相比在处理液的液流弱的外区域中,由于狭缝的宽度被设为更大,所以没有怎么削弱处理液的液流的动量。因此,能够缓和基板面附近的处理液的流动的差异,能够在基板面内形成速度差很小的整流。
另外,在本发明中,优选在从所述基板的排列方向观察所述狭缝板的情况下,所述外区域被划分为与所述中央区域相比位于所述一对喷出管侧的第一外区域、和位于所述中央区域与所述第一外区域之间的第二外区域,所述多个狭缝的宽度按照所述中央区域、所述第二外区域、所述第一外区域的顺序变大(技术方案2)。
由于从中央区域起按照第二外区域、第一外区域的顺序使狭缝的宽度变大,所以能够与处理液的液流的动量对应地精细地缓和差异。因此,能够进一步缓和基板面附近的处理液的流动的差异,能够在基板面内形成速度差很小的整流。
另外,技术方案3所述的发明在使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理的基板处理装置中,具备:升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;狭缝板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,形成有多个将长轴顺着所述多张基板的排列方向的狭缝,所述多个狭缝以彼此平行的位置关系形成;以及散热板,其设于所述狭缝板,具有多个沿所述狭缝的长轴配置了长边的板状部件,多个所述板状部件以彼此平行的位置关系朝向所述处理槽的底面侧立起设置。
[作用和效果]根据技术方案3所述的发明,在支承于升降部的基板的下方与处理槽的底面之间具有狭缝板。而且,在狭缝板设有朝向底面立起设置的散热板。从一对喷出管供给的处理液的动量被散热板削弱,在中央区域沿基板面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板通过并向基板侧上升时,其动量被进一步削弱。因此,能够缓和基板面附近的处理液的流动的差异,能够在基板面内形成速度差很小的整流。
另外,在本发明中,优选在从所述基板的排列方向观察所述散热板的情况下,多个所述板状部件的下端面与所述处理槽的底面之间的距离随着从所述一对喷出管侧趋向所述处理槽的中央而依次变短(技术方案4)。
就多个板状部件的下端面与处理槽的底面之间的距离而言,越是液流彼此碰撞的中央则变得越短,因此,能够与处理液的液流的动量对应地精细地缓和差异。因此,能够进一步缓和基板面附近的处理液的流动的差异,能够在基板面内形成速度差很小的整流。
另外,技术方案5所述的发明在使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理的基板处理装置中,具备:升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;以及散热板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,具有多个沿所述多张基板的排列方向配置了长边的板状部件,多个所述板状部件以彼此平行的位置关系朝向所述处理槽的底面侧立起设置,在从所述基板的排列方向观察所述散热板的情况下,多个所述板状部件的下端面与所述处理槽的底面之间的距离随着从所述一对喷出管侧趋向所述处理槽的中央而依次变短。
[作用和效果]根据技术方案5所述的发明,在支承于升降部的基板的下方与处理槽的底面之间具有散热板。就散热板所具有的多个板状部件而言,在从基板的排列方向观察的情况下,各自的下端面与处理槽的底面之间的距离从一对喷出管侧趋向处理槽的中央依次变短。因此,从一对喷出管供给的处理液的动量被散热板削弱,在中央区域沿基板面上升的液流的动量被削弱。因此,能够缓和基板面附近的处理液的流动的差异,能够在基板面内形成速度差很小的整流。
另外,在本发明中,优选所述升降部具备:保持基板的下缘中央部的中央部保持部;以及保持从所述基板的排列方向观察的两侧的下缘的一对侧部保持部,从所述基板的排列方向观察时,多个所述板状部件配置在所述中央部保持部与所述侧部保持部之间(技术方案6)。
若在中央部保持部的位置配置散热板的多个板状部件,则处理已经在一定程度上分散,因此,削弱处理液的流动的动量的效果变小。另一方面,若在比侧部保持部更靠近一对喷出管的位置配置散热板的多个板状部件,则处理液被板状部件和侧部保持部遮断,从而处理液的流动变得极差。因此,通过将多个板状部件配置在中央部保持部与侧部保持部之间,能够适当地削弱处理液的液流。
另外,在本发明中,优选所述一对喷出管在与所述处理槽的底面中央相比更靠前的供给位置供给处理液(技术方案7)。
处理液的液流在处理槽的底面被反射从而被分散,因此,能够抑制处理液的液流集中在中央附近。因此,能够稍微减弱在中央附近沿基板W面上升的处理液的流动性强的液流。
发明效果
根据本发明的基板处理装置,在支承于升降部的基板的下方与处理槽的底面之间具有狭缝板。就形成于该狭缝板的多个狭缝而言,与从基板的排列方向观察的中央区域相比,外区域中的宽度被设为更大。因此,在从一对喷出管供给的、在中央区域沿基板面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板通过且向基板侧上升时,其动量被削弱。另外,与流动性强的液流上升的中央区域相比在处理液的液流弱的外区域中,由于狭缝的宽度被设为更大,所以没有怎么削弱处理液的液流的动量。因此,能够缓和基板面附近的处理液的流动的差异,能够在基板面内形成速度差很小的整流。
附图说明
图1是示出实施例1的基板处理装置的概略构成的框图。
图2是示出升降部和狭缝板的立体图。
图3是狭缝板的纵向剖视图。
图4是实施例2的基板处理装置的狭缝板和散热板的纵向剖视图。
图5是实施例3的基板处理装置的散热板的纵向剖视图。
图6是示出了实施例1中的处理液的流动的仿真结果。
图7是示出了实施例2中的处理液的流动的仿真结果。
图8是示出了实施例3中的处理液的流动的仿真结果。
图9是示出了现有例中的处理液的流动的仿真结果。
具体实施方式
以下,说明本发明的各实施方式。
【实施例1】
以下,参照附图说明本发明的实施例1。
图1是示出实施例1的基板处理装置的概略构成的框图,图2是示出升降部和狭缝板的立体图,图3是狭缝板的纵向剖视图。
实施例1的基板处理装置为能够利用处理液一并对多张基板W进行处理的批量式的装置。该基板处理装置具有处理槽1、溢出槽3、和升降部5。
处理槽1蓄留处理液,将多张基板W设为平行的状态,且以沿规定的排列方向排列多张基板W的状态容置,并对多张基板W同时进行处理。如图1所示,处理槽1的底部从基板W的排列方向来看,具有底部的中央成为低凹的形状。供给处理液的一对喷出管7分别配置于位于处理槽1的下部的底部侧的、从基板W的排列方向来看的两侧(图1的左右方向)。一对喷出管7向沿着处理槽1的底面的方向即朝向处理槽1的中央的方向供给处理液。具体来说,一对喷出管7分别朝向比处理槽1的底面中央更靠前的供给位置SP供给处理液。由此,处理液的液流在处理槽1的底面被反射从而被分散,因此,能够抑制处理液的液流集中在中央附近。因此,能够稍微减弱在中央附近沿基板W面上升的处理液的流动性强的液流。
溢出槽3配置在处理槽1的上缘的周围。溢出槽3回收超过处理槽1的上缘而溢出的处理液。溢出槽3通过循环配管9与处理槽1的一对喷出管7连通连接。循环配管9从溢出槽3侧朝向处理槽1侧具有泵11、内联加热器13和过滤器15。泵11将在溢出槽3蓄留的处理液吸入循环配管9,并将处理液向一对喷出管7侧压送。内联加热器13将在循环配管9流通的处理液的温度调节至处理温度。例如,在处理液包含将附着在基板W上的氮化膜(SiN)蚀刻的磷酸的情况下,处理温度例如为160℃。过滤器15过滤并除去在循环配管9流通的处理液所包含的颗粒。
供给管17沿处理槽1的内壁延伸,其一端侧的开口部朝向处理槽1的底面配置。供给管17的另一端侧与处理液供给源19连通连接。在供给管17设有开闭阀21。开闭阀21控制从处理液供给源19向供给管17的处理液的流通。处理液供给源19蓄留处理液,通过将开闭阀21开放,而将常温的处理液向供给管17供给。
升降部5在与处理槽1的内部相当的、图1示出的“处理位置”和与处理槽1的上方相当的、在图1中省略了图示的“待机位置”之间升降移动。升降部5具有背板23、中央部保持部25、和一对侧部保持部27。背板23为沿着处理槽1的内壁的板状的部件。中央部保持部25和一对侧部保持部27在图1的纸面里外方向上从背板23的下部延伸设置。这些部件在将多张基板W平行排列的状态下,在成为图1的纸面里外方向的规定的排列方向上保持。一对侧部保持部27隔着中央部保持部25配置,与立起姿势的基板W的左右侧的下缘相抵接来进行支承。
如图3所示,在支承于升降部5的基板W的下方与处理槽1的底面之间配置有狭缝板31。狭缝板31具有薄板状的外观,且形成有上下贯穿的细长形状的开口,也就是说,形成有多个狭缝33。狭缝板21安装于处理槽1的前后的内壁。另外,作为高度位置,狭缝板31以其上表面位于与位于处理位置的升降部5的中央部保持部25的下端面相比靠下方的位置的方式配置。由此,设置成从狭缝板31通过的处理液不受中央部保持部25阻碍。在本实施例中,作为一例,在狭缝板31形成有21个狭缝33。各狭缝33以长轴顺着基板W的排列方向地形成有多条,且以彼此平行的位置关系形成。
在此,在从基板W的排列方向(图1以及图3的纸面里外方向)观察的情况下将狭缝板31划分成三个区域。例如,划分成中央区域ARC、第一外区域AR1、和第二外区域AR2。中央区域ARC为具有中心且向外扩展的区域。第一外区域AR1为位于一对喷出管7侧的外侧的区域。第二外区域AR2为中央区域ARC与第一外区域AR1之间的区域。
各狭缝33中的、位于中央区域ARC的7个狭缝33形成为具有宽度WD1。位于第一外区域AR1的4个狭缝33以宽度WD2形成。位于第二外区域AR2的2个狭缝33以宽度WD3形成。这些宽度WD1~WD3的大小关系为WD1<WD3<WD2。也就是说,以WD1的宽度最窄、且按照WD3、WD2的顺序依次变大的方式设定有各狭缝33。
此外,上述狭缝板31与在板状部件设有多个小孔的打孔板不同,具有容易加工的优点。
在此,返回图1,控制部61内置有未图示的CPU或存储器。控制部61统一控制升降部5的升降动作、泵11的开关动作、内联加热器13的温度调节动作、开闭阀21的开闭动作等。
根据以这种方式构成的实施例1的基板处理装置,在支承于升降部5的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板31。就形成于该狭缝板31的21个狭缝33而言,与从基板W的排列方向观察的中央区域ARC的宽度WD1相比,第一外区域AR1以及第二外区域AR2中的宽度WD2、WD3设为更大。因此,在从一对喷出管7供给的、且在中央区域ARC沿基板W面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板31通过且向基板W侧上升时,削弱了该流动性强的液流的动量。另外,与流动性强的液流上升的中央区域ARC相比在处理液的液流弱的第一外区域AR1以及第二外区域AR2中,由于狭缝33的宽度WD2、WD3被设为比宽度WD1大,所以没有怎么削弱处理液的液流的动量。因此,能够缓和基板W面附近的处理液的流动的差异,能够在基板W面内形成速度差很小的整流。
另外,由于从中央区域ARC起按照第二外区域AR2、第一外区域AR1的顺序依次增大狭缝的宽度,所以能够与处理液的液流的动量对应地精细地缓和差异。因此,能够进一步缓和基板W面附近的处理液的流动的差异,能够在基板W面内形成速度差很小的整流。
【实施例2】
接下来,参照附图说明本发明的实施例2。图4是实施例2的基板处理装置的狭缝板和散热板的纵向剖视图。
此外,在以下的说明中,仅说明与上述实施例1的不同点,对共用的构成标注同一附图标记并省略说明。
本实施例2的基板处理装置在支承于升降部5的基板W的下方与处理槽1的底面之间配置有狭缝板71以及散热板73。狭缝板71与上述实施例1同样地,具有薄板状的外观,且形成有上下贯穿的多个狭缝75。在本实施例中,作为一例而在狭缝板71形成有21个狭缝75。但本实施例中的狭缝75在从基板W的排列方向观察时哪个区域中均具有相同宽度。
散热板73设于狭缝板71。具体来说,散热板73由多个板状部件77构成。在此,作为一例由6个板状部件77构成。6个板状部件77沿狭缝75的长轴配置有长边,且6个板状部件77以彼此平行的位置关系朝向处理槽1的底面侧立起设置。各板状部件77彼此之间隔开3个狭缝75来设置。
而且,就6个板状部件77而言,在从基板W的排列方向观察散热板73的情况下,各下端面与处理槽1的底面的距离从一对喷出管7侧趋向处理槽1的中央依次变短。换言之,构成散热板73的6个板状部件77随着从外侧趋向中央,与狭缝板71相距的长度变长。
根据以这种方式构成的实施例2的基板处理装置,在支承于升降部5的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板71。而且,在狭缝板71设有朝向底面立起设置的散热板73。从一对喷出管7供给的处理液的动量被散热板73削弱,在中央区域沿基板面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板71通过并向基板W侧上升时,其动量被进一步削弱。因此,能够缓和基板W面附近的处理液的流动的差异,能够在基板W面内形成速度差很小的整流。
另外,就6个板状部件77的下端面与处理槽1的底面之间的距离而言,越是液流彼此碰撞的中央则变得越短,因此,能够与处理液的液流的动量对应地精细地缓和差异。因此,能够进一步缓和基板W面附近的处理液的流动的差异,能够在基板W面内形成速度差很小的整流。
【实施例3】
接下来,参照附图说明本发明的实施例3。图5是实施例3的基板处理装置的散热板的纵向剖视图。
此外,在以下的说明中,仅说明与上述实施例1的不同点,对共用的构成标注同一附图标记并省略说明。
本实施例2的基板处理装置在由升降部5支承的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有散热板81。散热板81由多张板状部件83构成,固定于处理槽1的前后的内侧面。各散热板81以彼此平行的位置关系朝向处理槽1的底面侧立起设置。在该本实施例中,例如,散热板81由4个板状部件83构成。
另外,就各板状部件83而言,在从基板W的排列方向观察散热板81的情况下,各下端面与处理槽1的底面之间的距离从一对喷出管7侧趋向处理槽1的中央依次变短。换言之,构成散热板81的4个板状部件83以随着从外侧趋向中央,下端面越接近处理槽1的底面的方式配置。
而且,在俯视以及从基板W的排列方向观察时,各板状部件83配置在中央部保持部25与侧部保持部27之间。若在中央部保持部25的位置配置散热板73的4个板状部件的某一个,则处理液已经在一定程度上分散,因此,削弱处理液的流动的动量的效果变小。另一方面,若在比侧部保持部27更靠近一对喷出管7的位置配置散热板73的4个板状部件77的某一个,则处理液被板状部件77和侧部保持部27遮断,从而处理液的流动变得极差。因此,通过将4个板状部件77在中央部保持部25与侧部保持部27之间分别配置两个,能够适当地削弱处理液的液流。
根据以这种方式构成的实施例3的基板处理装置,在支承于升降部5的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有散热板81。就散热板81所具有的4个板状部件83而言,在从基板W的排列方向观察的情况下,各自的下端面与处理槽1的底面之间的距离从一对喷出管7侧趋向处理槽1的中央依次变短。因此,不会使来自一对喷出管的处理液的流量减少,从一对喷出管7供给的处理液通过散热板81而被削弱其动量,从而在中央区域沿基板W面上升的液流的动量被削弱。因此,能够缓和基板W面附近的处理液的流动的差异,能够在基板W面内形成速度差很小的整流。
<处理液的流动的评价>
在此,参照图6~图9,评价针对上述实施例1~3和现有例的处理液的流动。此外,图6示出实施例1中的处理液的流动的仿真结果,图7示出实施例2中的处理液的流动的仿真结果,图8示出实施例3中的处理液的流动的仿真结果。另外,图9示出现有例中的处理液的流动的仿真结果。但此处言及的现有例在底面不具有液流分散部件。
可能在灰阶图像中难以理解,但在这些图6~图9中示出如下内容:在表示基板W的圆形状的区域内白色区域越少则在基板W面内越形成速度差很小的整流。另外,优选在表示基板W的圆形状的区域内由箭头线表示的旋涡很少。
对这些图6~图9进行比较可知,各实施例1~3与现有例相比,在基板W面内得到速度差很小的整流。在现有例中,在基板W的左右的下部产生很大的旋涡从而产生速度差。实施例2在基板W的左右的周缘部,与实施例1相比流速变快,不如实施例1。实施例3在基板W的中央下部,与实施例1、2相比流速变快,不如实施例1、2。
本发明不限于上述实施方式,能够以下述方式实施变形。
(1)在上述各实施例1~3中,举出作为处理液而包含磷酸的例子进行了说明,但本发明不限于处理液包含磷酸的情况。
(2)在上述各实施例1~3中,在处理槽1的周围具有溢出槽3,但本发明不限于这种方式。例如,也可以具有包围处理槽1的腔室,采用在腔室的底部回收从处理槽1溢出的处理液的构成。
(3)在上述各实施例1~3中,具有循环配管9,构成为使处理液在处理槽1和溢出槽3循环,但本发明不限于这种构成。例如,也可以采用直接排出从处理槽1溢出的处理液的方式。
(4)在上述各实施例1、2中形成了21个狭缝33,但本发明不限于这个数量。例如,狭缝33的个数可以设为20个以下或22个以上。
(5)在上述实施例1中,就狭缝33的宽度而言,将处理槽1的一侧的区域划分为三个,并分别设为不同宽度的狭缝33,但本发明不限于这种方式。也就是说,也可以划分为4个以上,只要针对所划分的每个区域以随着从一对喷出管7趋向中央使宽度变小的方式形成即可。另外,也可以不进行划分,而构成为从一对喷出管7趋向中央而形成的狭缝33全部为不同宽度,也就是说,使狭缝33的宽度依次变窄。
(6)在上述实施例2中,由6个板状部件77构成了散热板73,但也可以用两个以上的板状部件77构成散热板77。
(7)在上述实施例3中,由4个板状部件83构成了散热板81,但本发明也可以用6个以上的板状部件83构成散热板81。
工业上的可利用性
如上所述,本发明适用于利用处理液对各种基板进行处理的基板处理装置。
附图标记说明
W…基板
1…处理槽
3…溢出槽
5…升降部
7…喷出管
SP…供给位置
9…循环配管
25…中央部保持部
27…侧部保持部
31、71…狭缝板
33、75…狭缝
ARC…中央区域
ARC1…第一外区域
ARC2…第二外区域
WD1~WD3…宽度
61…控制部
73、81…散热板
77、83…板状部件。
Claims (7)
1.一种基板处理装置,其使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;
一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;以及
狭缝板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,形成有多个将长轴顺着所述多张基板的排列方向的狭缝,所述多个狭缝以彼此平行的位置关系形成,
在从所述基板的排列方向观察所述狭缝板的情况下,所述处理槽的中央区域和与所述中央区域相比位于所述一对喷出管侧的外区域这两个区域中的所述多个狭缝中,所述外区域中的狭缝的宽度比所述中央区域中的狭缝的宽度大。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在从所述基板的排列方向观察所述狭缝板的情况下,所述外区域被划分为与所述中央区域相比位于所述一对喷出管侧的第一外区域、和位于所述中央区域与所述第一外区域之间的第二外区域,
所述多个狭缝的宽度按照所述中央区域、所述第二外区域、所述第一外区域的顺序变大。
3.一种基板处理装置,其使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;
一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;
狭缝板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,形成有多个将长轴顺着所述多张基板的排列方向的狭缝,所述多个狭缝以彼此平行的位置关系形成;以及
散热板,其设于所述狭缝板,具有多个沿所述狭缝的长轴配置了长边的板状部件,多个所述板状部件以彼此平行的位置关系朝向所述处理槽的底面侧立起设置。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
在从所述基板的排列方向观察所述散热板的情况下,多个所述板状部件的下端面与所述处理槽的底面之间的距离随着从所述一对喷出管侧趋向所述处理槽的中央而依次变短。
5.一种基板处理装置,其使多张基板浸润在蓄留在处理槽内的处理液并对所述多张基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
升降部,其在所述处理槽内在规定的排列方向上支承多张基板;
一对喷出管,其分别配置在所述处理槽的下部的、从所述基板的排列方向观察的两侧,在沿所述处理槽的底面的方向且朝向所述处理槽的中央的方向上供给处理液;以及
散热板,其配置在支承于所述升降部的基板的下方与所述处理槽的底面之间,具有多个沿所述多张基板的排列方向配置了长边的板状部件,多个所述板状部件以彼此平行的位置关系朝向所述处理槽的底面侧立起设置,
在从所述基板的排列方向观察所述散热板的情况下,多个所述板状部件的下端面与所述处理槽的底面之间的距离随着从所述一对喷出管侧趋向所述处理槽的中央而依次变短。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述升降部具备:保持基板的下缘中央部的中央部保持部;以及保持从所述基板的排列方向观察的两侧的下缘的一对侧部保持部,
从所述基板的排列方向观察时,多个所述板状部件配置在所述中央部保持部与所述侧部保持部之间。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述一对喷出管在与所述处理槽的底面中央相比更靠前的供给位置供给处理液。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018051050A JP7002969B2 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 基板処理装置 |
JP2018-051050 | 2018-03-19 | ||
PCT/JP2018/043203 WO2019181067A1 (ja) | 2018-03-19 | 2018-11-22 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111886675A true CN111886675A (zh) | 2020-11-03 |
CN111886675B CN111886675B (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=67987015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880091453.6A Active CN111886675B (zh) | 2018-03-19 | 2018-11-22 | 基板处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7002969B2 (zh) |
KR (2) | KR102429858B1 (zh) |
CN (1) | CN111886675B (zh) |
TW (1) | TWI710048B (zh) |
WO (1) | WO2019181067A1 (zh) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0480040U (zh) * | 1990-11-26 | 1992-07-13 | ||
JPH07161678A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 浸漬型基板処理装置 |
JPH08195431A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持具及び洗浄装置 |
JP2000012497A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Toho Kasei Kk | 被処理体処理装置 |
JP2000070886A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-07 | Toho Kasei Kk | 基板処理装置 |
JP2002134467A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Daikin Ind Ltd | 基板処理装置 |
JP2007019238A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008159728A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008243981A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN101546695A (zh) * | 2008-03-24 | 2009-09-30 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
US20150187613A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus |
JP2017130483A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61125136A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Ltd | 処理槽 |
JPH0310253A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの処理方法 |
JP2970894B2 (ja) * | 1993-04-07 | 1999-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
JPH0817782A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3343033B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2002-11-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH10303167A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP5394784B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-01-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2017117926A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2018
- 2018-03-19 JP JP2018051050A patent/JP7002969B2/ja active Active
- 2018-11-22 KR KR1020227011423A patent/KR102429858B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-22 WO PCT/JP2018/043203 patent/WO2019181067A1/ja active Application Filing
- 2018-11-22 CN CN201880091453.6A patent/CN111886675B/zh active Active
- 2018-11-22 KR KR1020207022192A patent/KR102388646B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-18 TW TW108109185A patent/TWI710048B/zh active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0480040U (zh) * | 1990-11-26 | 1992-07-13 | ||
JPH07161678A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 浸漬型基板処理装置 |
JPH08195431A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持具及び洗浄装置 |
JP2000012497A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Toho Kasei Kk | 被処理体処理装置 |
JP2000070886A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-07 | Toho Kasei Kk | 基板処理装置 |
JP2002134467A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Daikin Ind Ltd | 基板処理装置 |
JP2007019238A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008159728A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008243981A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN101546695A (zh) * | 2008-03-24 | 2009-09-30 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
US20150187613A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus |
JP2017130483A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019181067A1 (ja) | 2019-09-26 |
KR102429858B1 (ko) | 2022-08-04 |
TW201939647A (zh) | 2019-10-01 |
KR20200099610A (ko) | 2020-08-24 |
JP2019165067A (ja) | 2019-09-26 |
JP7002969B2 (ja) | 2022-01-20 |
CN111886675B (zh) | 2024-03-26 |
TWI710048B (zh) | 2020-11-11 |
KR102388646B1 (ko) | 2022-04-19 |
KR20220047406A (ko) | 2022-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107017160B (zh) | 基板液处理装置和基板液处理方法 | |
KR102451367B1 (ko) | 기판액 처리 장치 | |
US10483137B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium | |
JP7178261B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
TWI647785B (zh) | 恒定質量流多層次冷卻劑路徑之靜電式夾具 | |
US20190148176A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US11469127B2 (en) | Substrate processing device | |
CN111886675B (zh) | 基板处理装置 | |
CN108475628B (zh) | 基板处理装置 | |
US10985007B2 (en) | Substrate treating apparatus and method for inspecting treatment liquid nozzle | |
TW201401348A (zh) | 微氣泡式處理裝置 | |
JP6016093B2 (ja) | 薬液供給装置、基板処理システム、および基板処理方法 | |
CN219418960U (zh) | 衬底处理装置 | |
JP5616767B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN117393460A (zh) | 基板处理装置 | |
CN116508141A (zh) | 用于输送气体至工艺腔室的设备及系统 | |
CN116791063A (zh) | 半导体制造装置 | |
JP2019021692A (ja) | 基板キャリア | |
TWM535872U (zh) | 應用於濕蝕刻製程的擾流板及具有該擾流板的蝕刻系統 | |
KR20150068019A (ko) | 웨이퍼 세정 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |