JP2000070886A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP2000070886A JP2000070886A JP10248951A JP24895198A JP2000070886A JP 2000070886 A JP2000070886 A JP 2000070886A JP 10248951 A JP10248951 A JP 10248951A JP 24895198 A JP24895198 A JP 24895198A JP 2000070886 A JP2000070886 A JP 2000070886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plate
- processing liquid
- processing apparatus
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板どうしの間隙における流体抵抗に拘わら
ず基板の全表面を均一に処理する。 【解決手段】 処理槽１と、処理槽１の底部に設けた処
理液供給管２と、処理液供給管２のやや上方に設けた整
流板３と、整流板３の上面に立設した１対の処理液偏流
防止板４と、複数枚の基板６を支承するとともに、処理
槽１に対して出し入れ可能に設けた基板ホルダー５とを
有している。
ず基板の全表面を均一に処理する。 【解決手段】 処理槽１と、処理槽１の底部に設けた処
理液供給管２と、処理液供給管２のやや上方に設けた整
流板３と、整流板３の上面に立設した１対の処理液偏流
防止板４と、複数枚の基板６を支承するとともに、処理
槽１に対して出し入れ可能に設けた基板ホルダー５とを
有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、処理槽の底部に
処理液供給部を設け、処理液供給部よりも上方に整流板
を設け、処理液供給部から供給された処理液を整流板に
より整流して、整流板よりも上方に並列状に支承された
複数枚の基板の処理を行う基板処理装置に関する。
処理液供給部を設け、処理液供給部よりも上方に整流板
を設け、処理液供給部から供給された処理液を整流板に
より整流して、整流板よりも上方に並列状に支承された
複数枚の基板の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、基板処理装置として、特開平
５−２５９１４３号公報に示す構成のものが提案されて
いる。
５−２５９１４３号公報に示す構成のものが提案されて
いる。
【０００３】この基板処理装置は、処理液供給管を処理
槽の底に開口させているとともに、この開口部のやや上
方にジャマ板を設け、ジャマ板の上方に整流板を設け
て、処理液供給管から供給される処理液を整流板により
整流し、整流板の上方に並列状に起立状態で支承された
基板の処理を行うようにしている。
槽の底に開口させているとともに、この開口部のやや上
方にジャマ板を設け、ジャマ板の上方に整流板を設け
て、処理液供給管から供給される処理液を整流板により
整流し、整流板の上方に並列状に起立状態で支承された
基板の処理を行うようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−２５９１４
３号公報に示す構成の基板処理装置を採用する場合にお
いては、１回に処理できる基板の枚数を多くして処理効
率を高めるために、基板どうしの間隔を可能な限り小さ
くすることが一般的である。
３号公報に示す構成の基板処理装置を採用する場合にお
いては、１回に処理できる基板の枚数を多くして処理効
率を高めるために、基板どうしの間隔を可能な限り小さ
くすることが一般的である。
【０００５】このような場合においては、基板どうしの
間隙における流体抵抗が大きくなるとともに、同じ間隙
においても場所によって流体抵抗が異なるので、基板の
全表面を均一に処理することが殆ど不可能になってしま
う。
間隙における流体抵抗が大きくなるとともに、同じ間隙
においても場所によって流体抵抗が異なるので、基板の
全表面を均一に処理することが殆ど不可能になってしま
う。
【０００６】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、基板どうしの間隙における流体抵抗に拘
わらず基板の全表面を均一に処理することができる基板
処理装置を提供することを目的としている。
たものであり、基板どうしの間隙における流体抵抗に拘
わらず基板の全表面を均一に処理することができる基板
処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の基板処理装置
は、処理液供給部から供給された処理液を整流する整流
板の上面の所定位置に、基板と直交する方向に延びる処
理液偏流防止板を有しているものである。
は、処理液供給部から供給された処理液を整流する整流
板の上面の所定位置に、基板と直交する方向に延びる処
理液偏流防止板を有しているものである。
【０００８】請求項２の基板処理装置は、前記処理液偏
流防止板が、並列状に支承された複数枚の基板の中心軸
線に対応する整流板上の基準線に関して線対称となる位
置に設けられたものである。
流防止板が、並列状に支承された複数枚の基板の中心軸
線に対応する整流板上の基準線に関して線対称となる位
置に設けられたものである。
【０００９】請求項３の基板処理装置は、前記処理液偏
流防止板として、並列状に支承された複数枚の基板の中
心軸線に対応する整流板上の基準線からの距離が大きい
位置に設けられていることに応答してその高さが高く設
定され、並列状に支承された複数枚の基板の中心軸線に
対応する整流板上の基準線からの距離が小さい位置に設
けられていることに応答してその高さが低く設定された
ものを採用したものである。
流防止板として、並列状に支承された複数枚の基板の中
心軸線に対応する整流板上の基準線からの距離が大きい
位置に設けられていることに応答してその高さが高く設
定され、並列状に支承された複数枚の基板の中心軸線に
対応する整流板上の基準線からの距離が小さい位置に設
けられていることに応答してその高さが低く設定された
ものを採用したものである。
【００１０】請求項４の基板処理装置は、前記処理液偏
流防止板として、整流板から垂直上方に延びるものを採
用したものである。
流防止板として、整流板から垂直上方に延びるものを採
用したものである。
【００１１】請求項５の基板処理装置は、前記処理液偏
流防止板として、整流板から内向き上方に延びるものを
採用したものである。
流防止板として、整流板から内向き上方に延びるものを
採用したものである。
【００１２】請求項６の基板処理装置は、並列状に支承
された複数枚の基板の中心軸線に対応する整流板上の基
準線から処理液偏流防止板までの距離を、基板の半径の
２／３以下に設定したものである。
された複数枚の基板の中心軸線に対応する整流板上の基
準線から処理液偏流防止板までの距離を、基板の半径の
２／３以下に設定したものである。
【００１３】
【作用】請求項１の基板処理装置であれば、処理槽の底
部に処理液供給部を設け、処理液供給部よりも上方に整
流板を設け、処理液供給部から供給された処理液を整流
板により整流して、整流板よりも上方に並列状に支承さ
れた複数枚の基板の処理を行うに当たって、前記整流板
の上面の所定位置に、基板と直交する方向に延びる処理
液偏流防止板を有しているのであるから、基板どうしの
間隙のうち、流体抵抗が小さい周縁部側に処理液が集中
しやすくなることを処理液偏流防止板により防止して、
流体抵抗が大きい中央部側に流れる処理液の量を多く
し、ひいては複数枚の基板の全表面をほぼ均一に処理す
ることができる。
部に処理液供給部を設け、処理液供給部よりも上方に整
流板を設け、処理液供給部から供給された処理液を整流
板により整流して、整流板よりも上方に並列状に支承さ
れた複数枚の基板の処理を行うに当たって、前記整流板
の上面の所定位置に、基板と直交する方向に延びる処理
液偏流防止板を有しているのであるから、基板どうしの
間隙のうち、流体抵抗が小さい周縁部側に処理液が集中
しやすくなることを処理液偏流防止板により防止して、
流体抵抗が大きい中央部側に流れる処理液の量を多く
し、ひいては複数枚の基板の全表面をほぼ均一に処理す
ることができる。
【００１４】請求項２の基板処理装置は、前記処理液偏
流防止板が、並列状に支承された複数枚の基板の中心軸
線に対応する整流板上の基準線に関して線対称となる位
置に設けられているので、基板が円板状のように基準軸
線に対して線対称な形状を有している場合に好適であ
り、請求項１と同様の作用を達成することができる。
流防止板が、並列状に支承された複数枚の基板の中心軸
線に対応する整流板上の基準線に関して線対称となる位
置に設けられているので、基板が円板状のように基準軸
線に対して線対称な形状を有している場合に好適であ
り、請求項１と同様の作用を達成することができる。
【００１５】請求項３の基板処理装置であれば、前記処
理液偏流防止板として、並列状に支承された複数枚の基
板の中心軸線に対応する整流板上の基準線からの距離が
大きい位置に設けられていることに応答してその高さが
高く設定され、並列状に支承された複数枚の基板の中心
軸線に対応する整流板上の基準線からの距離が小さい位
置に設けられていることに応答してその高さが低く設定
されたものを採用しているので、処理液の流れをきめ細
かく制御することができるほか、請求項１または請求項
２と同様の作用を達成することができる。
理液偏流防止板として、並列状に支承された複数枚の基
板の中心軸線に対応する整流板上の基準線からの距離が
大きい位置に設けられていることに応答してその高さが
高く設定され、並列状に支承された複数枚の基板の中心
軸線に対応する整流板上の基準線からの距離が小さい位
置に設けられていることに応答してその高さが低く設定
されたものを採用しているので、処理液の流れをきめ細
かく制御することができるほか、請求項１または請求項
２と同様の作用を達成することができる。
【００１６】請求項４の基板処理装置であれば、前記処
理液偏流防止板として、整流板から垂直上方に延びるも
のを採用しているので、請求項１から請求項３の何れか
と同様の作用を達成することができる。
理液偏流防止板として、整流板から垂直上方に延びるも
のを採用しているので、請求項１から請求項３の何れか
と同様の作用を達成することができる。
【００１７】請求項５の基板処理装置であれば、前記処
理液偏流防止板として、整流板から内向き上方に延びる
ものを採用しているので、請求項１から請求項３の何れ
かと同様の作用に加え、流体抵抗が大きい中央部側に流
れる処理液の量をより多くすることができる。
理液偏流防止板として、整流板から内向き上方に延びる
ものを採用しているので、請求項１から請求項３の何れ
かと同様の作用に加え、流体抵抗が大きい中央部側に流
れる処理液の量をより多くすることができる。
【００１８】請求項６の基板処理装置であれば、並列状
に支承された複数枚の基板の中心軸線に対応する整流板
上の基準線から処理液偏流防止板までの距離を、基板の
半径の２／３以下に設定したのであるから、必要な領域
における処理量を多くすることができ、請求項１から請
求項５の何れかと同様の作用を達成することができる。
に支承された複数枚の基板の中心軸線に対応する整流板
上の基準線から処理液偏流防止板までの距離を、基板の
半径の２／３以下に設定したのであるから、必要な領域
における処理量を多くすることができ、請求項１から請
求項５の何れかと同様の作用を達成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、この
発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。
発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。
【００２０】図１はこの発明の基板処理装置の一実施態
様を示す縦断正面図、図２は縦断側面図、図３は整流板
と基板ホルダーとの関係を示す分解斜視図である。
様を示す縦断正面図、図２は縦断側面図、図３は整流板
と基板ホルダーとの関係を示す分解斜視図である。
【００２１】この基板処理装置は、処理槽１と、処理槽
１の底部に設けた処理液供給管２と、処理液供給管２の
やや上方に設けた整流板３と、整流板３の上面に立設し
た１対の処理液偏流防止板４と、複数枚の基板６（半導
体ウエハーなど）を支承するとともに、処理槽１に対し
て出し入れ可能に設けた基板ホルダー５とを有してい
る。
１の底部に設けた処理液供給管２と、処理液供給管２の
やや上方に設けた整流板３と、整流板３の上面に立設し
た１対の処理液偏流防止板４と、複数枚の基板６（半導
体ウエハーなど）を支承するとともに、処理槽１に対し
て出し入れ可能に設けた基板ホルダー５とを有してい
る。
【００２２】前記基板ホルダー５は、ほぼ逆Ｔ字状の第
１部材５ａと、第１部材５ａのうち、横方向に延びる部
分と同一形状の第２部材５ｂと、第１部材５ａのうち、
横方向に延びる部分と第２部材５ｂとの間に設けられ、
複数枚の基板６を支承する２対の支承部材５ｃとを有し
ている。すなわち、２対の支承部材５ｃは互いに平行に
延びるように位置決めされているとともに、上部に基板
６を位置決めするための溝（図示せず）を有している。
また、第１部材５ａのうち、縦方向に延びる部分は図示
しない昇降機構と連結される。したがって、複数枚の基
板６は、支承部材５ｃが延びる方向に並ぶように支承さ
れる。また、同時処理できる基板６の枚数を増加させる
べく、基板６どうしの間隔を小さく設定している。さら
に、支承部材５ｃは、基板６の処理性能を高めるべく、
その所定位置に処理液流通孔を有している。
１部材５ａと、第１部材５ａのうち、横方向に延びる部
分と同一形状の第２部材５ｂと、第１部材５ａのうち、
横方向に延びる部分と第２部材５ｂとの間に設けられ、
複数枚の基板６を支承する２対の支承部材５ｃとを有し
ている。すなわち、２対の支承部材５ｃは互いに平行に
延びるように位置決めされているとともに、上部に基板
６を位置決めするための溝（図示せず）を有している。
また、第１部材５ａのうち、縦方向に延びる部分は図示
しない昇降機構と連結される。したがって、複数枚の基
板６は、支承部材５ｃが延びる方向に並ぶように支承さ
れる。また、同時処理できる基板６の枚数を増加させる
べく、基板６どうしの間隔を小さく設定している。さら
に、支承部材５ｃは、基板６の処理性能を高めるべく、
その所定位置に処理液流通孔を有している。
【００２３】前記処理槽１は、処理液供給管２、整流板
３を収容する部分が狭くなり、基板６を収容する部分が
広くなるように、その全体形状が設定されている。ただ
し、全範囲を広く設定していてもよい。
３を収容する部分が狭くなり、基板６を収容する部分が
広くなるように、その全体形状が設定されている。ただ
し、全範囲を広く設定していてもよい。
【００２４】前記処理液供給管２は、例えば、処理槽１
の底面に向かって処理液を吐出するものであり、支承部
材５ｃと同じ方向に延びるように位置決めされている。
の底面に向かって処理液を吐出するものであり、支承部
材５ｃと同じ方向に延びるように位置決めされている。
【００２５】前記整流板３は、該当個所において処理槽
１の全範囲を覆う板部材であり、その全範囲にわたって
処理液の通過を許容する貫通孔３ａを形成している。ま
た、貫通孔３ａのサイズ、間隔は、整流板３の上方に均
一な層流を形成できるように設定されている。
１の全範囲を覆う板部材であり、その全範囲にわたって
処理液の通過を許容する貫通孔３ａを形成している。ま
た、貫通孔３ａのサイズ、間隔は、整流板３の上方に均
一な層流を形成できるように設定されている。
【００２６】前記処理液偏流防止板４は、所定高さを有
するものであり、支承部材５ｃと同じ方向に延びるよう
に位置決めされている。なお、高さは、基板ホルダー５
により支承された基板６の下面に可能な限り接近するよ
うに設定することが好ましい。また、処理液偏流防止板
４の立設位置は、複数枚の基板６の中心軸線の直下にお
ける整流板３上の基準線（図示せず）を基準とする対称
位置に設定している。そして、基準線と処理液偏流防止
板４の立設位置との距離は、基板６の半径の２／３以下
に設定している。
するものであり、支承部材５ｃと同じ方向に延びるよう
に位置決めされている。なお、高さは、基板ホルダー５
により支承された基板６の下面に可能な限り接近するよ
うに設定することが好ましい。また、処理液偏流防止板
４の立設位置は、複数枚の基板６の中心軸線の直下にお
ける整流板３上の基準線（図示せず）を基準とする対称
位置に設定している。そして、基準線と処理液偏流防止
板４の立設位置との距離は、基板６の半径の２／３以下
に設定している。
【００２７】上記の構成の基板処理装置の作用は次のと
おりである。
おりである。
【００２８】処理液供給管２を通して処理槽１に供給さ
れた処理液は、整流板３により整流されて、ほぼ全範囲
にわたって均一な層流（好ましくは、複数枚の基板６の
中心軸線に対応する部分の流量ないしは流速が大きい流
れ）として上方に導かれる。ここで、基板６どうしの間
隙は流体抵抗が大きく、しかも基板６の周縁部における
流体抵抗よりも基板６の中央部における流体抵抗が大き
いのであるから、そのままでは、処理液の殆どが基板６
の外方、基板６の周縁部に集中することになり（図７参
照）、基板６の中央部と周縁部とが均一には処理できな
くなってしまう。
れた処理液は、整流板３により整流されて、ほぼ全範囲
にわたって均一な層流（好ましくは、複数枚の基板６の
中心軸線に対応する部分の流量ないしは流速が大きい流
れ）として上方に導かれる。ここで、基板６どうしの間
隙は流体抵抗が大きく、しかも基板６の周縁部における
流体抵抗よりも基板６の中央部における流体抵抗が大き
いのであるから、そのままでは、処理液の殆どが基板６
の外方、基板６の周縁部に集中することになり（図７参
照）、基板６の中央部と周縁部とが均一には処理できな
くなってしまう。
【００２９】しかし、この実施態様においては、処理液
偏流防止板４によって処理液が基板６の外方、基板６の
周縁部に集中することを防止して、基板６の中央部に導
かれる処理液の量を増加させることができる（図４参
照）。この結果、基板６の全範囲をほぼ均一に処理する
ことができる。
偏流防止板４によって処理液が基板６の外方、基板６の
周縁部に集中することを防止して、基板６の中央部に導
かれる処理液の量を増加させることができる（図４参
照）。この結果、基板６の全範囲をほぼ均一に処理する
ことができる。
【００３０】図５はこの発明の基板処理装置の他の実施
態様を示す縦断正面図である。
態様を示す縦断正面図である。
【００３１】この基板処理装置が図１の基板処理装置と
異なる点は、１対の処理液偏流防止板４の内方にさらに
１対の処理液偏流防止板４を設けた点のみである。
異なる点は、１対の処理液偏流防止板４の内方にさらに
１対の処理液偏流防止板４を設けた点のみである。
【００３２】この実施態様を採用した場合には、処理液
偏流防止板４どうしの間における処理液の流れがそれぞ
れ基板６の周縁部に向かって偏流することを抑制し、基
板６の中央部に導かれる処理液の量を一層増加させるこ
とができる。この結果、基板６の全範囲をより均一に処
理することができる。
偏流防止板４どうしの間における処理液の流れがそれぞ
れ基板６の周縁部に向かって偏流することを抑制し、基
板６の中央部に導かれる処理液の量を一層増加させるこ
とができる。この結果、基板６の全範囲をより均一に処
理することができる。
【００３３】図６はこの発明の基板処理装置のさらに他
の実施態様を示す縦断正面図である。
の実施態様を示す縦断正面図である。
【００３４】この基板処理装置が図１の基板処理装置と
異なる点は、１対の処理液偏流防止板４を内向きに傾斜
させた点のみである。
異なる点は、１対の処理液偏流防止板４を内向きに傾斜
させた点のみである。
【００３５】この実施態様を採用した場合には、１対の
処理液偏流防止板４によって処理液を内向き、かつ上向
きに導くことができ、基板６の中央部に導かれる処理液
の量を一層増加させることができる。この結果、基板６
の全範囲をより均一に処理することができる。
処理液偏流防止板４によって処理液を内向き、かつ上向
きに導くことができ、基板６の中央部に導かれる処理液
の量を一層増加させることができる。この結果、基板６
の全範囲をより均一に処理することができる。
【００３６】なお、図４から図７において、矢印は、処
理液の流速ないしは流量を示している。
理液の流速ないしは流量を示している。
【００３７】
【発明の効果】請求項１の発明は、基板どうしの間隙の
うち、流体抵抗が小さい周縁部側に処理液が集中しやす
くなることを処理液偏流防止板により防止して、流体抵
抗が大きい中央部側に流れる処理液の量を多くし、ひい
ては複数枚の基板の全表面をほぼ均一に処理することが
できるという特有の効果を奏する。
うち、流体抵抗が小さい周縁部側に処理液が集中しやす
くなることを処理液偏流防止板により防止して、流体抵
抗が大きい中央部側に流れる処理液の量を多くし、ひい
ては複数枚の基板の全表面をほぼ均一に処理することが
できるという特有の効果を奏する。
【００３８】請求項２の発明は、基板が円板状のように
基準軸線に対して線対称な形状を有している場合に適用
することにより、請求項１と同様の効果を奏する。
基準軸線に対して線対称な形状を有している場合に適用
することにより、請求項１と同様の効果を奏する。
【００３９】請求項３の発明は、処理液の流れをきめ細
かく制御することができるほか、請求項１または請求項
２と同様の効果を奏する。
かく制御することができるほか、請求項１または請求項
２と同様の効果を奏する。
【００４０】請求項４の発明は、請求項１から請求項３
の何れかと同様の効果を奏する。
の何れかと同様の効果を奏する。
【００４１】請求項５の発明は、請求項１から請求項３
の何れかの効果に加え、流体抵抗が大きい中央部側に流
れる処理液の量をより多くすることができるという特有
の効果を奏する。
の何れかの効果に加え、流体抵抗が大きい中央部側に流
れる処理液の量をより多くすることができるという特有
の効果を奏する。
【００４２】請求項６の発明は、必要な領域における処
理量を多くすることができ、請求項１から請求項５の何
れかと同様の効果を奏する。
理量を多くすることができ、請求項１から請求項５の何
れかと同様の効果を奏する。
【図１】この発明の基板処理装置の一実施態様を示す縦
断正面図である。
断正面図である。
【図２】同上の縦断側面図である。
【図３】整流板と基板ホルダーとの関係を示す分解斜視
図である。
図である。
【図４】図１の基板処理装置における処理液の流れを説
明する図である。
明する図である。
【図５】この発明の基板処理装置の他の実施態様を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図６】この発明の基板処理装置のさらに他の実施態様
を示す縦断正面図である。
を示す縦断正面図である。
【図７】従来の基板処理装置における処理液の流れを説
明する図である。
明する図である。
１ 処理槽 ２ 処理液供給管 ３ 整流板 ４ 処理液偏流防止板 ６ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 喜 冠南 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 大野 正雄 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB44 BB02 BB05 BB87 BB92 CB12
Claims (6)
- 【請求項１】 処理槽（１）の底部に処理液供給部
（２）を設け、処理液供給部（２）よりも上方に整流板
（３）を設け、処理液供給部（２）から供給された処理
液を整流板（３）により整流して、整流板（３）よりも
上方に並列状に支承された複数枚の基板（６）の処理を
行う基板処理装置において、 前記整流板（３）の上面の所定位置に、基板（６）と直
交する方向に延びる処理液偏流防止板（４）を有してい
ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記処理液偏流防止板（４）は、並列状
に支承された複数枚の基板（６）の中心軸線に対応する
整流板（３）上の基準線に関して線対称となる位置に設
けられている請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記処理液偏流防止板（４）は、並列状
に支承された複数枚の基板（６）の中心軸線に対応する
整流板（３）上の基準線からの距離が大きい位置に設け
られていることに応答してその高さが高く設定され、並
列状に支承された複数枚の基板の中心軸線に対応する整
流板（３）上の基準線からの距離が小さい位置に設けら
れていることに応答してその高さが低く設定されている
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記処理液偏流防止板（４）は、整流板
（３）から垂直上方に延びている請求項１から請求項３
の何れかに記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記処理液偏流防止板（４）は、整流板
（３）から内向き上方に延びている請求項１から請求項
３の何れかに記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 並列状に支承された複数枚の基板（６）
の中心軸線に対応する整流板（３）上の基準線から処理
液偏流防止板（４）までの距離は、基板（６）の半径の
２／３以下である請求項１から請求項５の何れかに記載
の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248951A JP2000070886A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248951A JP2000070886A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000070886A true JP2000070886A (ja) | 2000-03-07 |
Family
ID=17185848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10248951A Pending JP2000070886A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000070886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016200821A (ja) * | 2016-05-27 | 2016-12-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| CN111886675A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
-
1998
- 1998-09-03 JP JP10248951A patent/JP2000070886A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016200821A (ja) * | 2016-05-27 | 2016-12-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| CN111886675A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
| CN111886675B (zh) * | 2018-03-19 | 2024-03-26 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5503171A (en) | Substrates-washing apparatus | |
| CN101809708B (zh) | 先进多工件处理室 | |
| US6778762B1 (en) | Sloped chamber top for substrate processing | |
| KR950007014A (ko) | 반도체 처리시스템의 세정장치 | |
| KR20210030074A (ko) | 진공 척 및 상기 진공 척을 포함하는 기판 처리 장치 | |
| US5715851A (en) | Wafer cassette and cleaning system adopting the same | |
| JP2000070886A (ja) | 基板処理装置 | |
| US5639334A (en) | Uniform gas flow arrangements | |
| KR101939225B1 (ko) | 배플 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
| US10808310B2 (en) | Effective and novel design for lower particle count and better wafer quality by diffusing the flow inside the chamber | |
| JP2000012497A (ja) | 被処理体処理装置 | |
| JP2000012496A (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI710048B (zh) | 基板處理裝置 | |
| KR102201887B1 (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
| CN213220987U (zh) | 一种可调节的布液装置 | |
| JPH0722371A (ja) | ウェット洗浄装置 | |
| JPH0642333Y2 (ja) | 半導体材料の処理槽 | |
| JPH0140193Y2 (ja) | ||
| KR100187439B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척 | |
| US20190131162A1 (en) | Non-electrostatic chuck heater | |
| KR200239049Y1 (ko) | 웨이퍼보트 | |
| JP2000100775A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH03222421A (ja) | 半導体薬液浸漬式処理装置 | |
| SU1023454A1 (ru) | Кассета дл химической обработки полупроводниковых пластин | |
| JPH10209105A (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置 |