CN101546695A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，使形成在处理槽内部的处理液的循环区域缩小，提高处理液的置换效率，并且使处理液很好地流入多个基板的间隙内。将下部喷嘴(14b)的喷出孔(141)的朝向设定为相对底板(11a)上表面的法线N向内侧方向呈5°以上且40°以下的角度(θ)。由此，从喷出孔(141)喷出的处理液的流体压力不会过度降低，并且也不会在内槽(11)内部形成大的处理液的循环区域(CA)。因此，能够一边使处理液很好地流入基板(W)的间隙，一边高效地置换内槽(11)内部的处理液。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及通过将半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板等基板浸渍在处理液中而对基板进行清洗、蚀刻等处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在半导体的制造工序中使用所谓的批次式的基板处理装置，即通过将多个基板浸渍在处理槽中所存积的处理液中，一并处理多个基板。图19是表示以往的基板处理装置的例子的纵向剖视图。如图19所示，以往的基板处理装置100具有存积处理液的处理槽110和在处理槽110内部保持多个基板W的升降机120。基板处理装置100通过从配置在处理槽110底部的一对喷嘴114向处理槽10内喷出处理液，使处理液从处理槽110的上部溢出，来向保持在升降机120上的多个基板W的表面供给处理液，对基板W进行处理。
关于这样的批次式的基板处理装置，例如在专利文献1、2中被公开。
专利文献1：JP特开2007-36189号公报；
专利文献2：JP特开2007-266360号公报。
在以往的基板处理装置100中，从一对喷嘴114喷出的处理液在处理槽110的中心附近合流，形成朝向处理槽110上方的液流F1。但是，构成液流F1的处理液并未全部到达处理槽110的上部，其中一部分变换方向而从侧方朝向下方，再次形成朝向处理槽110底部的液流F2。由此，在处理槽110内部形成处理液循环的区域(循环区域)CA。
若这样的循环区域CA大，则难以高效地从处理槽110排出处理液，颗粒和应排出的成分可能长时间滞留在处理槽110的内部。
另一方面，在批次式的基板处理装置100中，还存在下述的要求，即，要使处理液良好地流入排列保持在升降机120上的多个基板W的间隙中。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够缩小形成在处理槽内部的处理液的循环区域，提高处理液的置换效率，并且使处理液很好地流入到多个基板的间隙中。
为解决上述问题，第一技术方案的发明为一种通过将多个基板浸渍在处理液中来处理多个基板的基板处理装置，其特征在于，具有：处理槽，其用于存积处理液；保持部，其在所述处理槽的内部保持多个基板；一对喷嘴，其配置在所述处理槽的底部附近，从沿保持在所述保持部上的多个基板的排列方向排列的多个喷出孔朝向所述处理槽的底板的上表面喷出处理液；处理液排出部，其排出从所述处理槽的上部溢出的处理液；所述多个喷出孔的喷出方向被设定为相对于所述底板的上表面的法线而向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度。
第二技术方案的发明是如第一技术方案所记载的基板处理装置，其特征在于，所述一对喷嘴分别是形成有所述多个喷出孔的管状构件，所述多个喷出孔的每一个的开口直径为0.5mm以上且1.5mm以下。
第三技术方案的发明是如第一技术方案所记载的基板处理装置，其特征在于，所述一对喷嘴沿形成在所述处理槽的侧壁上的凹部配置。
第四技术方案的发明是如第一技术方案所记载的基板处理装置，其特征在于，所述多个喷出孔配置在与保持于所述保持部的多个基板的间隙以及配置在两端部的基板的外侧相对应的位置处。
第五技术方案的发明是如第一至第四技术方案中的任意一项所记载的基板处理装置，其特征在于，还具有向所述保持部与多个基板的抵接位置喷出处理液的另外一对喷嘴。
第六技术方案的发明是一种通过将多个基板浸渍在处理液中来处理多个基板的基板处理方法，其特征在于，第一工序，将多个基板浸渍在存积于处理槽内部的处理液中，第二工序，从在所述处理槽的底部附近沿多个基板的排列方向排列的多个喷出孔，向所述处理槽的底板的上表面喷出处理液；在所述第二工序中，以相对于所述底板的上表面的法线向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度，喷出处理液。
根据第一至第五技术方案记载的发明，基板处理装置包括：处理槽，其存积处理液；保持部，其在处理槽内部保持多个基板；一对喷嘴，其配置在处理槽的底部附近，从沿保持在保持部的多个基板的排列方向排列的多个喷出孔，朝向处理槽底板的上表面喷出处理液；处理液排出部，其排出从处理槽上部溢出的处理液；多个喷出孔的喷出方向设定为相对底板上表面的法线向处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度。因此，形成在处理槽内部的处理液的循环区域被缩小，提高在处理槽内处理液的置换效率，另外，处理液很好地流入多个基板的间隙。
特别是根据第二技术方案所记载的发明，一对喷嘴分别是形成有多个喷出孔的管状构件，多个喷出孔的每一个的开口直径为0.5mm以上且1.5mm以下。因此，上游侧的喷出孔中的处理液的喷出压力与下游侧的喷出孔中的处理液的喷出压力的差不会变得过大，另外，也不会在各喷出孔中产生处理液的大的压力损失。
特别是根据第三技术方案记载的发明，一对喷嘴沿着形成在处理槽侧壁上的凹部配置。因此，能够防止喷嘴与处理槽的侧壁之间滞留处理液。
特别是根据第四技术方案记载的发明，多个喷出孔配置在与保持在保持部上的多个基板的间隙以及配置在两端部的基板的外侧相对应的位置上。因此，能够很好地分别对多个基板供给处理液。
特别是根据第五技术方案记载的发明，基板处理装置还具有向保持部与多个基板的抵接位置喷出处理液的另外一对喷嘴。因此，能够防止保持部与基板的抵接位置滞留颗粒和应排出的成分。
另外，根据第六技术方案记载的发明，基板处理方法包括：第一工序，将多个基板浸渍在存积于处理槽内部的处理液中，第二工序，从在处理槽的底部附近沿多个基板的排列方向排列的多个喷出孔，向处理槽底板的上表面喷出处理液；在第二工序中，以相对所述底板上表面的法线向处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度，喷出处理液。因此，形成在处理槽内部的处理液的循环区域被缩小，提高在处理槽内处理液的置换效率，另外，处理液很好地流入多个基板的间隙。
附图说明
图1是沿与基板主面平行的平面剖切基板处理装置的纵向剖视图。
图2是沿与基板主面垂直的平面剖切基板处理装置的纵向剖视图。
图3是表示一侧的下部喷嘴及其附近情况的放大纵向剖视图。
图4是表示另一侧的下部喷嘴及其附近情况的放大纵向剖视图。
图5是表示将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为-50°时，内槽内部的处理液的流动的图。
图6是表示将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为0°时，内槽内部的处理液的流动的图。
图7是表示将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为20°时，内槽内部的处理液的流动的图。
图8是表示将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为50°时，内槽内部的处理液的流动的图。
图9是表示将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为70°时，内槽内部的处理液的流动的图。
图10是将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为-50°时，将内槽内部的处理液的流动速度按区域表示的图。
图11是将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为0°时，将内槽内部的处理液的流动速度按区域表示的图。
图12是将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为20°时，将内槽内部的处理液的流动速度按区域表示的图。
图13是将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为50°时，将内槽内部的处理液的流动速度按区域表示的图。
图14是将下部喷嘴的喷出孔的角度设定为70°时，将内槽内部的处理液的流动速度按区域表示的图。
图15是表示将下部喷嘴的喷出孔的开口直径设定为1.6mm的情况下，调查从多个喷出孔喷出的处理液的压力的结果的图。
图16是表示将下部喷嘴的喷出孔的开口直径设定为1.2mm的情况下，调查从多个喷出孔喷出的处理液的压力的结果的图。
图17是表示基板处理装置中的处理流程的流程图。
图18是表示从下部喷嘴的喷出孔喷出的处理液沿凹部向上方流动的情况的图。
图19是表示以往的基板处理装置的例子的纵向剖视图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的优选实施方式。
<1.基板处理装置的结构>
图1是将本发明一实施方式的基板处理装置1沿与基板W主面平行的平面剖切的纵向剖视图。图1也示意性地表示了基板处理装置1所具有的控制系统和给排液系统的结构。另外，图2是将基板处理装置1沿与基板W主面垂直的平面剖切的纵向剖视图。在图1以及图2中，为明确装置内各部分的位置关系，用共同的XYZ正交坐标系表示。X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向分别相当于基板W的排列方向、沿着基板W主面的水平方向以及铅垂方向。
该基板处理装置1是用于在作为半导体晶片的基板W的光刻工序中，进行将形成在基板W主面上的光致抗蚀膜(有机膜)剥离的处理的装置。基板处理装置1使用含有硫酸(H2SO4)和双氧水(H2O2)的处理液，通过在处理液中硫酸与双氧水反应生成的Caro酸(H2SO5)的作用，分解并除去形成在基板W主面上的光致抗蚀膜。
如图1以及图2所示，基板处理装置1主要具有：处理槽10，其用于存积处理液；升降机20，其一边保持多个基板(以下仅称为“基板”。)W一边使其升降；处理液供给部30，其向处理槽10供给包含有硫酸和双氧水的处理液；处理液排出部40，其从处理槽10排出处理液；控制部50，其控制装置内的各部分的动作。
处理槽10是由石英或者耐药性的树脂形成的存积容器。处理槽10具有使基板W浸渍在存积于其内部的处理液中的内槽11，和形成在内槽11的外缘部的外槽12。内槽11具有：底板11a，其在基板W浸漬在处理液中的状态下，位于基板W的下方；侧壁11b～11e，其在基板W浸漬在处理液中的状态下，位于基板W的侧方；内槽11的上部开放。另外，外槽12沿内槽11的侧壁11b～11e的外侧的面形成为槽状。
内槽11的侧壁11b～11e中与基板W的排列方向平行的一对侧壁11b、11d的下端部(与底板11a相连的部位)向外侧突出。通过该突出，在侧壁11b、11d的下端部的内侧的表面形成沿基板W的排列方向延伸的一对凹部13b、13d。一对凹部13b、13d分别形成为向内槽11的内侧开口且剖面呈大致V字形的槽。
在一对凹部13b、13d附近设置有一对管状的喷嘴(以下称“下部喷嘴”)14b、14d。下部喷嘴14b、14d沿凹部13b、13d(即沿基板W的排列方向)水平地配置，在各下部喷嘴14b、14d上形成有沿基板W的排列方向等间隔排列的多个喷出孔141。
如图2所示，形成在下部喷嘴14b上的多个喷出孔141在X轴方向上的位置为与保持在升降机20上的基板W的间隙，以及配置在两端的基板W的外侧相对应的位置。另外，虽然图2未图示，但是在另一个的下部喷嘴14d上，多个喷出孔141在X轴方向上的位置也为与保持在升降机20上的基板W的间隙，以及配置在两端的基板W的外侧相对应的位置。
图3以及图4分别是表示下部喷嘴14b、14d及其附近情况的放大纵向剖视图。如图3以及图4所示，形成在下部喷嘴14b、14d上的喷出孔141的喷出方向均朝向下方且稍微偏向内槽11的内侧方向。因此，供给到下部喷嘴14b、14d的处理液从喷出孔141向内槽11的底板11a的上表面喷出。另外，向底板11a的上表面喷出的处理液沿底板11a的上表面扩散，然后，朝向保持在升降机20上的基板W而向上方流动。
此外，图3、图4分别仅表示了一个喷出孔141，但是形成在下部喷嘴14b、14d上的其他喷出孔141也同样地朝向下方且稍微偏向内槽11的内侧方向。
返回到图1以及图2。在一对下部喷嘴14b、14d的上方位置还设置有一对管状的喷嘴(以下称为“上部喷嘴”)15b、15d。上部喷嘴15b、15d分别以沿着基板W的排列方向的水平姿势固定在一对侧壁11b、11d上。在各上部喷嘴15b、15d上形成有沿基板W的排列方向等间隔排列的多个喷出孔151。
如图2所示，形成在上部喷嘴15b上的多个喷出孔151在X轴方向上的位置为与保持在升降机20上的基板W的间隙，以及配置在两端的基板W外侧相对应的位置。另外，图2未图示，但是形成在另一个上部喷嘴15d上的多个喷出孔141在X轴方向上的位置也为与保持在升降机20上的基板W的间隙，以及配置在两端的基板W的外侧相对应的位置。
另外，如图1所示，形成在上部喷嘴15b、15d上的喷出孔151的喷出方向均朝向后述的升降机20的保持棒21与基板W的周缘部的抵接位置附近。
升降机20是用于一边保持基板W一边在内槽11的内部与内槽11的上方位置之间升降移动基板W的搬运机构。升降机20具有沿基板W的排列方向延伸的三个保持棒21，和固定三个保持棒21的背板22。升降机20在将基板W的周缘部嵌合在三个保持棒21上所刻设的多个槽(图示省略)上的状态下，将基板W以竖立姿势相互平行地保持在三个保持棒21上。
如图2所示，升降机20具有连接在背板22上的升降移动机构23。升降移动机构23例如能够利用组装有马达和滚珠丝杠的众所周知的机构来实现。当使升降移动机构23动作时，背板22、三个保持棒21以及保持在三个保持棒21上的基板W作为一体而上下移动。由此，在内槽11内部的浸渍位置(图1、图2的位置)与内槽11上方的提起位置之间搬运基板W。
处理液供给部30是用于向下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d供给含有硫酸和双氧水的处理液的供液系统。如图1所示，处理液供给部30具有硫酸供给源31、双氧水供给源32、管33a～33i以及开关阀34、35。
硫酸供给源31以及双氧水供给源32分别经由管33a以及管33b流道连接在主管33c上。另外，在管33a以及管33b上分别设置有开关阀34以及开关阀35。另一方面，主管33c的位于下游一侧的端部与管33d和管33e流道连接。进而，管33d的位于下游一侧的端部经由管33f以及管33g分别连接于下部喷嘴14b以及上部喷嘴15b，管33e的位于下游一侧的端部通过管33h以及管33i分别连接于下部喷嘴14d以及上部喷嘴15d。
在这样的处理液供给部30中，当打开开关阀34以及开关阀35时，从硫酸供给源31供给的硫酸和从双氧水供给源32供给的双氧水在主管33c中混合而生成处理液，处理液通过管33d～33i供给到下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d。然后，从下部喷嘴14b、14d的多个喷出孔141、以及上部喷嘴15b、15d的多个喷出孔151向内槽11内部喷出处理液。
从下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d喷出的处理液存积在内槽11的内部。另外，在处理液存积到内槽11上部的状态下，若进一步从下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d喷出处理液，则处理液从内槽11上部溢出，溢出的处理液被回收到外槽12。
此外，供给到下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d的各喷嘴中的处理液的供给压力例如设为0.05～0.1MPa左右的值。
处理液排出部40是用于将存积在外槽12中的处理液排出到工厂内的排液线路的排液系统。如图1所示，处理液排出部40具有连接外槽12和排液线路的管41，和设置在管41上的开关阀42。当打开开关阀42时，处理液从外槽12通过管41排出到排液线路中。
控制部50是用于控制基板处理装置1的各部分动作的信息处理部。控制部50例如能够通过具有CPU和存储器的计算机装置来实现。如图1以及图2所示，控制部50与升降移动机构23以及开关阀34、35、42电连接。控制部50根据预先安装的程序和各种输入信号，向上述升降移动机构23以及开关阀34、35、42发出指令，来控制它们的动作，从而进行基板W的处理。
<2.关于下部喷嘴的喷出孔>
接着，进一步详细说明形成在下部喷嘴14b、14d上的多个喷出孔141。
如图3以及图4所示，形成在下部喷嘴14b、14d上的多个喷出孔141均朝向下方且稍微偏向内槽11的内侧方向。在此，假设喷出孔141的喷出方向与底板11a上表面的法线N形成的角度θ过小，则从喷出孔141喷出的处理液将以与底板11a的上表面接近垂直的角度接触底板11a的上表面。因此，存在处理液的流动压力大幅降低，处理液难以流入基板W的间隙的问题。另一方面，若喷出孔141的喷出方向与底板11a上表面的法线N形成的角度θ过大，则从喷出孔141喷出的处理液将以与底板11a的上表面接近平行的角度接触底板11a的上表面。因此，处理液的流动压力几乎没有降低，在内槽11的内部形成比较高速的处理液的流动。在该情况下，存在如下问题，形成高速流动的处理液的一部分在内槽11内部循环，在内槽11内部形成比较大的处理液循环区域CA(参照图8、图9)。
关于这一点，在本实施方式的基板处理装置1中，喷出孔141的朝向设定为相对底板11a上表面的法线N而向着内侧方向呈5°以上且40°以下的角度θ。因此，不会过度降低从喷出孔141喷出的处理液的流体压力，另外，也不会在内槽11内部形成大的处理液的循环区域CA。因此，根据本实施方式的基板处理装置1，一边能够使处理液很好地流入基板W的间隙，一边能够高效地置换内槽11内部的处理液。
图5～图9是表示将一对下部喷嘴14b、14d的喷出孔141的角度θ分别设定为-50°、0°、20°、50°、70°时，内槽11内部的处理液的流动的图。这些图概略地表示了使用通用的热流体分析软件模拟的结果。参照图5～图9可知，喷出孔141相对底板11a法线N的角度θ越大，形成在内槽11内部的处理液的循环区域CA越大；喷出孔141相对底板11a法线N的角度θ越小，形成在内槽11内部的处理液的循环区域CA越小。特别是，在将喷出孔141的角度θ分别设定为50°和70°的图8和图9中，循环区域CA达到比内槽11的中间高度位置高的位置，相反地在将喷出孔141的角度θ设定为20°的图7中，循环区域CA被抑制得比较小。
在本实施方式中，依据这样的模拟结果，将喷出孔141相对底板11a上表面的法线N的角度θ设定为40°以下。因此，产生在内槽11内部的处理液的循环区域CA被抑制得比较小，处理液能够高效地从内槽11上部排出。由此，能够高效地置换内槽11内部的处理液。此外，关于使循环区域CA变小这一点，喷出孔141的角度θ越小越好。由此，若喷出孔141相对底板11a上表面的法线N的角度θ为35°以下则较好，若为30°以下则更佳。
图10～图14是在将一对下部喷嘴14b、14d的喷出孔141的角度θ分别设定为-50°、0°、20°、50°、70°时，将内槽11内部的处理液的流动速度按区域表示的图。在图10～图14中，根据该区域的处理液的流动速度，将内槽11的内部从高速区域依次划分表示为A、B、C。此外，与图5～图9相同，这些图也是根据使用热流体分析软件进行模拟的结果制成。
参照图10～图14可知，喷出孔141相对底板11a的法线N的角度θ越小，在配置基板W的区域(图中用“WA”表示的区域)流动的处理液的速度，即在基板W的间隙内流动的处理液的速度越小；喷出孔141的角度θ越大，则在配置基板W的区域流动的处理液的速度越大。特别是在将喷出孔141的角度θ分别设定为-50°、0°的图10和图11中，在基板W的间隙内流动的处理液的速度大体为“C”，相反地在将喷出孔141的角度θ设定为20°的图12中，在基板W间隙内处理液的流动速度为“B”的区域达到一定范围。
另外，在图10以及图11中，在排列有基板W的区域的外侧扩展有处理液的流动速度为“A”的区域。即可以认为在图10、图11的情况下，从喷出孔141喷出的处理液大多在基板W外侧的区域流动，变为处理液难以流入基板W的间隙的状态。与此相对，在图12中，在排列有基板W的区域的外侧，处理液的流动速度为“B”或者“C”。因此，可以认为在图12的情况中，处理液向基板W外侧区域的流动被抑制，被抑制部分的处理液流入基板W的间隙内。
在本实施方式中，依据这样的模拟结果，喷出孔141相对底板11a上表面的法线N的角度θ设定为5°以上。因此，处理液很好地流入基板W的间隙，由此，高效地处理基板W。此外，关于处理液向基板W间隙的流入，喷出孔141的角度θ越大越好。因此，优选喷出孔141相对底板11a上表面的法线N的角度θ为10°以上，更优选为15°以上。
接下来，对喷出孔141的开口直径进行说明。如图2所示，处理液供给部30连接在下部喷嘴14b、14d一侧的端部(-X侧的端部)。处理液从下部喷嘴14b、14d的端部导入，一边在各下部喷嘴14b、14d内部流动，一边从多个喷出孔141喷出。因此，假设喷出孔141的开口直径过大，则上游侧的喷出孔141中的处理液的喷出压力和下游侧的喷出孔141中的处理液的喷出压力的差变大，难以均匀地处理基板W。另一方面，若喷出孔141的开口直径过小，则各喷出孔141中的处理液的压力损失变大，难以在内槽11内部形成希望的液流。
关于这一点，在本实施方式的基板处理装置1中，将喷出孔141的开口直径(直径)设定为0.5mm以上且1.5mm以下。因此，上游侧的喷出孔141中的处理液的喷出压力与下游侧的喷出孔141中的处理液的喷出压力的差不会过大，并且各喷出孔141也不会产生处理液的大的压力损失。因此，根据本实施方式的基板处理装置1，能够一边在内槽11内部形成所希望的液流，一边均匀且良好地处理基板W。
图15以及图16是表示将下部喷嘴14b、14d的喷出孔141的开口直径设定为1.6mm时，和设定为1.2mm时，分别对从多个喷出孔141喷出的处理液的压力进行调查得到的结果的图。参照图15以及图16，在将喷出孔141的开口直径设定为1.6mm的图15中，多个喷出孔141中的喷出压力的偏差较大，相反地在将喷出孔141的开口直径设定为1.4mm的图16中，多个喷出孔141中的喷出压力的偏差较小。在本实施方式中，依据这样的结果，将下部喷嘴14b、14d的多个喷出孔141的开口直径设定为1.5mm以下。
<3.基板处理装置的动作>
接着，参照图17的流程图，对在上述基板处理装置1中处理基板W时的动作进行说明。此外，控制部50根据预先安装的程序和各种输入信号对装置内的各部分进行动作控制，从而进行以下一系列动作。
在该基板处理装置1中进行基板W的处理时，首先，打开开关阀34、开关阀35以及开关阀42。由此，开始供给包含有硫酸和双氧水的处理液，从下部喷嘴14b、14d的多个喷出孔141以及上部喷嘴15b、15d的多个喷出孔151向内槽11的内部喷出处理液(步骤S1)。喷出的处理液存积在内槽11的内部，最终变为从内槽11的上部向外槽12溢出的状态。
接下来，通过规定的搬运机构从其他装置搬运来的基板W在处理槽10的上方位置交到待机的升降机20上。当基板W装载在升降机20的三个保持棒21上时，基板处理装置1使升降移动机构23动作，使背板22以及三个保持棒21下降，将基板W浸渍在存积于内槽11内部的处理液中(步骤S2)。当基板W浸渍在处理液中时，通过处理液中的Caro酸的作用，分解形成在基板W主面上的光致抗蚀膜，将其从基板W主面除去。
此时，在内槽11的内部，继续从下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d喷出处理液。在本实施方式中，下部喷嘴14b、14d以相对底板11a上表面的法线N向内侧方向呈5°以上且40°以下的角度θ，喷出处理液。因此，如上所述，不会过度地降低喷出的处理液的流体压力，另外，也不会在内槽11内部形成大的处理液的循环区域CA。因此，处理液能够很好地流入基板W的间隙，并且能够高效地置换内槽11内部的处理液。
另外，在本实施方式中，下部喷嘴14b、14d从具有0.5mm以上且1.5mm以下的开口直径的多个喷出孔141喷出处理液。因此，如上所述，上游侧的喷出孔141中的处理液的喷出压力与下游侧的喷出孔141中的处理液的喷出压力的差不会变得过大，另外，在各喷出孔141中也不会产生处理液的大的压力损失。因此，能够一边在内槽11的内部形成需要的液流，一边均匀且良好地处理基板W。
另外，从下部喷嘴14b的喷出孔141喷出的处理液的一部分如图18所示那样地向侧壁11b一侧扩散，但是在本实施方式中，在下部喷嘴14b附近的侧壁11b上形成有凹部13b。因此，向侧壁11b一侧扩散的处理液沿着凹部13b，容易地向处理槽11的上方流动。因此，能够防止下部喷嘴14b与侧壁11b之间滞留处理液。同样地，因为在另一个下部喷嘴14d的附近的侧壁11d上也形成有凹部13d，所以能够防止下部喷嘴14d与侧壁11d之间滞留处理液。
另外，在本实施方式中，上部喷嘴15b、15d向升降机20的保持棒21与基板W周缘部的抵接位置附近喷出处理液。因此，能够防止在保持棒21与基板W周缘部的抵接位置滞留颗粒和应排出的成分。
另外，在本实施方式中，下部喷嘴14b、14d的多个喷出孔141以及上部喷嘴15b、15d的多个喷出孔151在X轴方向上的位置为与保持在升降机20上的基板W的间隙，以及配置在两端部的基板W的外侧相对应的位置。因此，能够良好地对各个基板W供给处理液。
当规定时间的处理结束时，基板处理装置1使升降移动机构23动作，使背板22以及三个保持棒21上升，从存积在内槽11内部的处理液中提起基板W(步骤S3)。然后，将基板W从升降机20交到规定的搬运装置，搬运到要进行后续处理的装置中。另外，基板处理装置1关闭开关阀34、开关阀35以及开关阀42。由此，使来自下部喷嘴14b、14d以及上部喷嘴15b、15d的处理液的喷出，和通过处理液排出部40的处理液的排出停止(步骤S4)。综上所述，对一组基板W的一系列处理结束。
<4.变形例>
以上对本发明的一实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述的实施方式。例如，在上述实施方式中，基板处理装置1具有下部喷嘴14b、14d和上部喷嘴15b、15d，但是也可以是不具备上部喷嘴15b、15d，仅从下部喷嘴14b、14d喷出处理液的结构。
另外，在上述实施方式中使用了包含有硫酸和双氧水的处理液，但是本发明的基板处理装置也可以使用其他的处理液。例如，可以使用氢氟酸、SC-1液、SC-2液或者纯水作为处理液。
另外，在上述实施方式中，将作为半导体晶片的基板W作为处理对象，但是本发明的基板处理装置也可以将光掩膜用玻璃基板或液晶显示装置用玻璃基板等其他的基板作为处理对象。

Claims (6)

1.一种基板处理装置，通过将多个基板浸渍在处理液中，对多个基板进行处理，其特征在于，具有：
处理槽，其用于存积处理液；
保持部，其在所述处理槽的内部保持多个基板；
一对喷嘴，其配置在所述处理槽的底部附近，从沿保持在所述保持部上的多个基板的排列方向排列的多个喷出孔朝向所述处理槽的底板的上表面喷出处理液；
处理液排出部，其排出从所述处理槽的上部溢出的处理液；
所述多个喷出孔的喷出方向被设定为相对于所述底板的上表面的法线而向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其特征在于，
所述一对喷嘴分别是形成有所述多个喷出孔的管状构件，
所述多个喷出孔的每一个的开口直径为0.5mm以上且1.5mm以下。
3.如权利要求1所记载的基板处理装置，其特征在于，
所述一对喷嘴沿形成在所述处理槽的侧壁上的凹部配置。
4.如权利要求1所记载的基板处理装置，其特征在于，
所述多个喷出孔配置在与保持于所述保持部的多个基板的间隙以及配置在两端部的基板的外侧相对应的位置处。
5.如权利要求1～4中任一项所记载的基板处理装置，其特征在于，
还具有向所述保持部与多个基板的抵接位置喷出处理液的另外一对喷嘴。
6.一种基板处理方法，通过将多个基板浸渍在处理液中，从而对多个基板进行处理，其特征在于，包括：
第一工序，将多个基板浸渍在存积于处理槽内部的处理液中，
第二工序，从在所述处理槽的底部附近沿多个基板的排列方向排列的多个喷出孔，向所述处理槽的底板的上表面喷出处理液；
在所述第二工序中，以相对于所述底板的上表面的法线向所述处理槽的内侧方向呈5°以上且40°以下的角度，喷出处理液。
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