JPH06177104A - ウェーハ洗浄装置 - Google Patents

ウェーハ洗浄装置

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JPH06177104A
JPH06177104A JP34740792A JP34740792A JPH06177104A JP H06177104 A JPH06177104 A JP H06177104A JP 34740792 A JP34740792 A JP 34740792A JP 34740792 A JP34740792 A JP 34740792A JP H06177104 A JPH06177104 A JP H06177104A
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JP
Japan
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cleaning
wafer
tank
water
cleaning tank
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JP34740792A
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Tsutomu Kato
勉 加藤
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェーハ洗浄工程で使用する超純水槽を対象
に、短い洗浄時間でウェーハを効率よく洗浄できるよう
にしたウェーハ洗浄装置を提供する。 【構成】洗浄槽1の底部側両サイドに配管した散水管ノ
ズル3より超純水を導入し、被洗浄ウェーハ2を縦向き
姿勢で洗浄槽内の水中に浸漬して洗浄するオーバーフロ
ーリンス方式のウェーハ洗浄装置において、散水管ノズ
ル3に穿孔したノズル穴3aの向きを洗浄槽の底部中央
に向け約45゜の角度で斜め下向きに開口するととも
に、さらにウェーハの周面と対向する洗浄槽の側壁上部
には該側壁に沿って流れる下降水流を槽の中央に向かわ
せる水流ガイド4を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの処理
工程に採用するウェーハ洗浄装置、特にウェーハを超純
水槽に浸漬して水洗するオーバーフローリンス方式の洗
浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ウェーハの洗浄工程では、ウェーハをま
ず薬液洗浄した後、次に超純水を使用して水洗すること
が行われている。図4(a),(b)は従来におけるオー
バーフローリンス方式の超純水槽、およびその洗浄槽内
に配管した給水管ノズルの断面構造を示すものである。
図において1は洗浄槽、2は洗浄槽1に浸漬した被洗浄
ウェーハ、3は洗浄槽1の内部に配管した散水管ノズル
であり、図示のような断面形状の箱形容器(底部の左右
コーナが約45゜の角度でカットされている)としてな
る洗浄槽1の底部に近い左右コーナーには一対の散水管
ノズル3が配管されいる。ここで、散水管ノズル3には
長手方向に沿って定ピッチ間隔おきに穴径約6mmのノズ
ル穴3aが穿孔されており、かつそのノズル穴3aは鉛
直方向に対し約45゜の傾斜角度で槽の中心に向けて斜
め上方に開口している。
【0003】上記構成によるウェーハの洗浄は次のよう
に行われる。散水管ノズル3を通じて洗浄槽1に超純水
を連続的に導入し、洗浄槽1の上面より溢れた水をオー
バーフローさせながらウェーハ2を洗浄槽内へ縦向き姿
勢に挿入して水洗する。また、図示されてないが、洗浄
槽1の底部中央には超音波振動子を設置して超純水によ
る水洗と超音波洗浄を並行して行うようにしている。
【0004】なお、超純水の水洗によるウェーハ洗浄効
果の評価は次の方法で確認される。すなわち、超純水は
電気的な比抵抗が非常に高い(約18MΩ/cm) のに対
して、前段の洗浄工程で使用する薬液は比抵抗の低い酸
が使われる。したがって、超純水によるウェーハの水洗
が進み、ウェーハから溶離した薬液成分を含む汚染液の
濃度が十分に低下すれば洗浄水の比抵抗率(超純水の比
抵抗に対する比率)が回復するので、この比抵抗率を測
定することによりウェーハ洗浄の進み具合が判定,評価
できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来構成の超純水槽では洗浄効果面で次記のような難点が
ある。すなわち、洗浄槽1の底部側に配管した左右一対
の散水管ノズル3より超純水を水中に噴出すると、洗浄
槽1から溢れでた水は矢印Aのように槽外にオーバーフ
ローするとともに、一方では散水管ノズル3からの噴出
水流によって洗浄槽1には図示矢印Bのように左右二手
に別れて槽内を巡回する水流が発生する。この巡回水流
Bは槽内の中心部を上昇してウェーハ2を洗流した後に
水面近くで左右二手に分流し、さらに洗浄槽1の左右側
壁に突き当たったところで下向きに方向を転じ、内壁面
に沿って槽内を下降するような経路を辿る。
【0006】しかして、洗浄槽内に前記のような経路を
辿って水流が槽内で巡回すると、ウェーハ洗浄によりに
溶離した汚染液は上昇水流に乗って洗浄槽1の上面近く
に達したのち、一部はそのまま槽外にオーバーフローせ
ずに槽の側壁面に沿って流れる下降水流に乗って槽内底
部側に戻るよう巡回を繰り返す。このために汚染液の槽
内滞留が長引き、先記した槽内洗浄水の比抵抗回復が遅
れる。また、前記とは別に、散水管ノズル3のノズル穴
3aからの噴出水流は槽の中心に向けて斜め上方に吹き
出すため、洗浄槽1の底部中央には巡回水流Bから外れ
た汚染液の停滞水域P(破線で表す)が生じ、このこと
が汚染液の槽内滞留を長引かせ、ひいては洗浄水の比抵
抗回復を遅らせる大きな原因となる。
【0007】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的はウェーハ洗浄工程で使用する超純水
槽を対象に、前記課題を解決して短い洗浄時間でウェー
ハを効率よく洗浄できるようにしたウェーハ洗浄装置を
提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のウェーハ洗浄装置においては次記のように
構成するものとする。 (1)洗浄槽内の底部側両サイドに配管した散水管ノズ
ルに対し、該散水管ノズルに穿孔したノズル穴の向きを
洗浄槽の底部中央に向けて斜め下向きに開口する。
【0009】(2)前項(1)の散水管ノズルに対し、
該ノズルと洗浄槽の底壁との間に挟まれた間隙に向けて
開口する補助ノズル穴を追加して設ける。 (3)ウェーハの周面と対向する洗浄槽の側壁上部に、
該側壁に沿って流れる下降水流を槽の中央に向かわせる
水流ガイドを設ける。 (4)前項(3)において、水流ガイドを洗浄槽の側壁
より略45゜の下向き傾斜角度で張り出すように設置す
る。
【0010】(5)ウェーハの周面と対向する洗浄槽の
側壁に排水穴を穿孔するとともに、該側壁の内側に槽内
を循環対流する下降水流の一部を分離して槽外に排水す
る仕切隔壁を設ける。 (6)前項(5)において、仕切隔壁の壁面に排水穴を
分散穿孔する。 (7)洗浄槽内に、前項(1)に記した散水管ノズル
と、前項(3)に記した水流ガイドを併設する。
【0011】(8)洗浄槽内に、前項(1)に記した散
水管ノズルと、前項(5)に記した仕切隔壁を併設す
る。
【0012】
【作用】上記の構成において、(1)項で記したよう
に、散水管ノズルに穿孔したノズル穴の向きを洗浄槽の
底部中央に向けて斜め下向きに開口することにより、ノ
ズルから噴出した超純水の水流が洗浄槽の底壁面を這う
ようにして底部中央域を流れようになる。これにより洗
浄槽内の底部中央には水流から外れた停滞水域の発生が
無くなるので、その分だけ汚染液の槽内滞留が防げる。
また、(2)項に記した補助ノズル穴から噴出した水流
は、給水管ノズルと洗浄槽の底壁とに挟まれた隙間に汚
染液の淀みが生じて汚染物質が堆積するのを防ぐように
働く。
【0013】一方、(3),(4)項に記した水流ガイド
は、洗浄槽内で巡回する洗浄水の流れの過程で、槽の内
壁面に沿って下降する水流をその途中から強制的に槽の
中央へ方向転換させる役目を果たす。これにより、水流
ガイドで方向を転じた水流は側方からウェーハを洗流す
るとともに、散水管ノズルから噴出した上昇水流と合流
して再び上昇に転じて水面に達した後、槽外にオーバー
フローする。したがって槽内に生じた汚染液はいつまで
も巡回を繰り返すことなくオーバーフローされる機会が
増えるので槽内での長時間滞留が回避され、これにより
洗浄水の比抵抗が早期に回復する。
【0014】さらに、(5),(6)項に記した仕切隔壁
は、洗浄槽内で循環対流する洗浄水の流れの過程で、槽
壁面に沿って下降する水流の一部を流れの途中から分離
して槽外に排水する役目を果たす。これにより、ウェー
ハから溶離した汚染水はいつまでも槽内を巡回を繰り返
して長時間滞留することなく槽外に排出されることにな
り、この結果として槽内での洗浄水の比抵抗が早期に回
復する。
【0015】したがって(1)項に記した散水管ノズル
と、(3)に記した水流ガイド,あるいは(5)項に記
した仕切隔壁を組合わせることにより、ウェーハの水洗
に伴って洗浄槽内に生じた汚染液の長時間滞留を防ぎつ
つ、オーバーフロー排出と併せて給水管ノズルより槽内
に導入した超純水と汚染液との置換が効果的に促進さ
れ、洗浄槽内における洗浄水の比抵抗回復を早めてウェ
ーハを短時間で効率よく洗浄することができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、各実施例において図4と対応する同一部材
には同じ符号が付してある。 実施例1:図1(a),(b)は本発明の請求項1〜4を
組合わせた請求項7に対応する実施例を示すものであ
る。図において、まず、槽内底部の両サイドに配管した
散水管ノズル3に対しては、そのノズル穴3aが洗浄槽
1の底部中央に向けて鉛直方向と約45゜の傾斜角度で
斜め下向きに開口しており、さらに前記ノズル穴3aと
反対側には同じく約45゜の傾斜角度で補助ノズル穴3
bがノズル3と洗浄槽1の底壁(斜めカットされたコー
ナー部分)との間に挟まれた隙間に向けて開口してい
る。なお、ノズル穴3aは穴径6mm,穴ピッチ間隔が3
0mmであるのに対し、補助ノズル穴3bは穴ピッチ間隔
が倍の60mmに設定されている。
【0017】さらに、洗浄槽1の左右側壁の上部には、
槽内中央に向けて張り出した水流ガイド4が設けてあ
る。この水流ガイド4は洗浄槽1の側壁より約45゜の
傾斜角度で下方斜めに設置されている。かかる構成によ
り、左右に並ぶ散水管ノズル3のノズル穴3aより噴出
した超純水の水流は、洗浄槽1の底壁に沿って底部中央
まで達した後に合流し、槽内中央を上昇してウェーハ2
を洗流する。これにより、槽内底部の中央部分に図4で
述べたような停滞水域が発生しなくなる。また、上昇水
流(矢印B)は液面近くで再び左右二手に分流して槽外
にオーバーフロー(矢印A)するとともに、水流の一部
は左右側壁に突き当たって方向を下向きに転じて内壁面
に沿って下降するが、この場合に壁面上には水流ガイド
4が張り出しているので、下降水流は水流ガイド4に沿
って斜め45゜の方向に転じ(矢印C)、槽内の中央に
向けて進むようになる。そして、この水流は側方からウ
ェーハ2の表面を洗流するとともに、槽内の中央で下方
からの上昇水流に合流して上向きに方向を変え、洗浄槽
1の上面から槽外にオーバーフローするように流れる。
一方、散水管ノズル3に穿孔した補助ノズル穴3bから
は、ノズル3と洗浄槽1の底壁との間に挟まれた隙間に
向けて超純水を噴出する。したがって、この噴出水流に
より槽内のコーナー部分で汚染液の停滞することがなく
なる。
【0018】図2は前記構成によるウェーハ洗浄効果を
評価するために行った模擬実験結果を表したものであ
り、図中における特性線(イ)が図1の実施例による比
抵抗回復特性、特性線(ロ)が図3に示した従来例によ
る比抵抗回復特性を示す。すなわち、この実験ではあら
かじめ洗浄槽1を塩化ナトリウム溶液(比抵抗小)で一
杯に満たし、ここに給水管ノズル3より超純水(比抵抗
大)を連続的に導入して槽内における液体の比抵抗回復
率〔(飽和比抵抗/超純水比抵抗)×100%〕を測定
した。この実験結果によれば、従来構成の超純水槽では
比抵抗の回復までに15分掛り、かつ最終比抵抗回復率
は80%であったのに対し、図1の超純水槽によれば、
比抵抗の回復時間が8分に短縮され、しかも最終的な比
抵抗回復率は略100%に向上することが確認されてい
る。
【0019】実施例2:図3(a),(b)は本発明の請
求項1,2,5,6を組合わせた請求項8に対応する実
施例を示すものである。すなわち、洗浄槽1の槽内底部
には実施例1で述べたと同様な散水管ノズル3が配管さ
れている。また、洗浄槽1の左右側壁には排水穴1aが
分散開口しており、さらに前記左右側壁の内側には壁面
と平行に仕切隔壁5が設けてあり、かつその壁面上には
排水穴5aが分散開口している。ここで、洗浄槽1の側
壁に穿孔した排水穴1aの穴径を3mm、仕切隔壁5に穿
孔した排水穴5aの穴径を2mmとし、各穴の開口率を約
5%とした。
【0020】かかる構成により、槽内底部の左右に並ぶ
散水管ノズル3のノズル穴3aより噴出した超純水の水
流は、洗浄槽1の底壁に沿って底部中央まで達して合流
した後、槽内中央を上昇してウェーハ2を洗流する。さ
らにウェーハ2の間を擦り抜けた水流は水面近くで再び
左右に分流(矢印B)してその一部は槽外にオーバーフ
ロー(矢印A)するほか、槽内の左右両サイドで流れの
方向を下方に転じて循環対流する汚染水の一部は洗浄槽
1の側壁と仕切隔壁5との間の通路に流入(矢印D)
し、ここから排水穴1aを通じて槽外に排出される。ま
た、仕切隔壁5の内壁面に沿って下降する水流の一部も
下降途中で隔壁に開口した排水穴5aを通じて裏面側に
出た後、洗浄槽1の排水穴1aを通じて槽外に排水され
る。
【0021】つまり、槽内でウェーハ2の表面を洗流し
た後の汚染水はいつまでも槽内での循環対流を繰り返し
て長時間滞留することがなく、早期のうちに仕切隔壁5
により槽内を循環する流れから分離して槽外に排出れる
ことになり、この結果として洗浄槽内における洗浄水の
比抵抗回復が速まり、短時間でウェーハの洗浄が完了す
る。なお、ウェーハ洗浄効果の評価テスト結果からも、
約8分の洗浄時間で超純水の比抵抗回復率が約100%
に達することが確認されている。
【0022】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、洗浄槽内に水流から外れた停滞域が発生せず、ウェ
ーハの洗浄により洗浄槽内に生じた汚染液は超時間滞留
することなく槽内に導入した超純水の水流の流れに乗り
素早く槽外にオーバーフローして排出される。これによ
り洗浄水の比抵抗が早期に回復してウェーハを短時間で
効率よく洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に対応したウェーハ洗浄装置
の構成図であり、(a)は装置全体の構成断面図、
(b)は散水管ノズルの断面拡大図
【図2】ウェーハ洗浄効果を評価する模擬実験結果を基
に、本発明と従来例とを対比して表した比抵抗回復特性
【図3】本発明の実施例2に対応したウェーハ洗浄装置
の構成図であり、(a)は装置全体の構成断面図、
(b)は散水管ノズルの断面拡大図
【図4】従来におけるウェーハ洗浄装置の構成図であ
り、(a)は装置全体の構成断面図、(b)は給水管ノ
ズルの断面拡大図
【符号の説明】
1 洗浄槽 1a 排水穴 2 ウェーハ 3 散水管ノズル 3a ノズル穴 3b 補助ノズル穴 4 水流ガイド 5 仕切隔壁 5a 排水穴

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】洗浄槽内の底部側両サイドに配管した散水
    管ノズルより超純水を導入し、被洗浄ウェーハを縦向き
    姿勢で洗浄槽内の水中に浸漬して洗浄するオーバーフロ
    ーリンス方式のウェーハ洗浄装置において、散水管ノズ
    ルに穿孔したノズル穴の向きを洗浄槽の底部中央に向け
    て斜め下向きに開口したことを特徴とするウェーハ洗浄
    装置。
  2. 【請求項2】請求項1記載のウェーハ洗浄装置におい
    て、散水管ノズルに対し、該ノズルと洗浄槽の底壁との
    間に挟まれた間隙に向けて開口する補助ノズル穴を追加
    して設けたことを特徴とするウェーハ洗浄装置。
  3. 【請求項3】洗浄槽内の底部側両サイドに配管した散水
    管ノズルより超純水を導入し、被洗浄ウェーハを縦向き
    姿勢で洗浄槽内の水中に浸漬して洗浄するオーバーフロ
    ーリンス方式のウェーハ洗浄装置において、ウェーハの
    周面と対向する洗浄槽の側壁上部に、該側壁に沿って流
    れる下降水流を槽の中央に向かわせる水流ガイドを設け
    たことを特徴とするウェーハ洗浄装置。
  4. 【請求項4】請求項3記載のウェーハ洗浄装置におい
    て、水流ガイドを洗浄槽の側壁より略45゜の下向き傾
    斜角度で張り出すように設置したことを特徴とするウェ
    ーハ洗浄装置。
  5. 【請求項5】洗浄槽内の底部側両サイドに配管した散水
    管ノズルより超純水を導入し、被洗浄ウェーハを縦向き
    姿勢で洗浄槽内の水中に浸漬して洗浄するオーバーフロ
    ーリンス方式のウェーハ洗浄装置において、ウェーハの
    周面と対向する洗浄槽の側壁に排水穴を穿孔するととも
    に、該側壁の内側に槽内を循環対流する下降水流の一部
    を分離して槽外に排水する仕切隔壁を設けたことを特徴
    とするウェーハ洗浄装置。
  6. 【請求項6】請求項5記載のウェーハ洗浄装置におい
    て、仕切隔壁の壁面に排水穴を分散穿孔したことを特徴
    とするウェーハ洗浄装置。
  7. 【請求項7】洗浄槽に請求項1に記載の散水管ノズル
    と、請求項3に記載の水流ガイドを併設したことを特徴
    とするウェーハ洗浄装置。
  8. 【請求項8】洗浄槽に請求項1に記載の散水管ノズルと
    請求項5に記載の仕切隔壁を併設したことを特徴とする
    ウェーハ洗浄装置。
JP34740792A 1992-10-08 1992-12-28 ウェーハ洗浄装置 Pending JPH06177104A (ja)

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JP26899092 1992-10-08
JP4-268990 1992-10-08
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1075878A1 (fr) * 1999-08-12 2001-02-14 Vaco Microtechnologies Bac de rincage à liquide ultra propre
KR20030046221A (ko) * 2001-12-05 2003-06-12 삼성전자주식회사 최종 린스 배스를 포함한 습식 식각 장비
KR100424913B1 (ko) * 2001-03-30 2004-03-27 (주)케이.씨.텍 기판 세척 장치
JP2005081163A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Arai Pump Mfg Co Ltd キャリアプレートの製造方法
JP2009141022A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009231579A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013240726A (ja) * 2012-05-17 2013-12-05 Toshio Konuma 廃電気機器の洗浄装置
CN104489044A (zh) * 2014-12-25 2015-04-08 广东雨嘉水产食品有限公司 一种鱼肉清洗装置
JP2018130722A (ja) * 2018-04-26 2018-08-23 光洋サーモシステム株式会社 洗浄装置
CN111463153A (zh) * 2020-04-29 2020-07-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片清洗装置及其控制方法
CN117066242A (zh) * 2023-10-13 2023-11-17 济南晶博电子有限公司 一种硅片清洗装置及其使用方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1075878A1 (fr) * 1999-08-12 2001-02-14 Vaco Microtechnologies Bac de rincage à liquide ultra propre
FR2797405A1 (fr) * 1999-08-12 2001-02-16 Coillard Sa Ets Bac de rincage a liquide ultra propre
US6412504B1 (en) 1999-08-12 2002-07-02 Vaco Microtechnologies Rinsing tank with ultra clean liquid
KR100424913B1 (ko) * 2001-03-30 2004-03-27 (주)케이.씨.텍 기판 세척 장치
KR20030046221A (ko) * 2001-12-05 2003-06-12 삼성전자주식회사 최종 린스 배스를 포함한 습식 식각 장비
JP2005081163A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Arai Pump Mfg Co Ltd キャリアプレートの製造方法
JP2009141022A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009231579A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013240726A (ja) * 2012-05-17 2013-12-05 Toshio Konuma 廃電気機器の洗浄装置
CN104489044A (zh) * 2014-12-25 2015-04-08 广东雨嘉水产食品有限公司 一种鱼肉清洗装置
JP2018130722A (ja) * 2018-04-26 2018-08-23 光洋サーモシステム株式会社 洗浄装置
CN111463153A (zh) * 2020-04-29 2020-07-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片清洗装置及其控制方法
CN117066242A (zh) * 2023-10-13 2023-11-17 济南晶博电子有限公司 一种硅片清洗装置及其使用方法
CN117066242B (zh) * 2023-10-13 2024-02-02 济南晶博电子有限公司 一种硅片清洗装置及其使用方法

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