TW201001586A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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201001586 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法，其係 藉由將半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻 璃基板等基板浸潰於處理液中，而對基板進行洗淨、蝕刻 專處理。 【先前技術】 半導體之製程中，使用所謂批次式基板處理裝置，其係 藉由在貯留於處理槽之處理液中浸潰複數片基板，來一次 處理複數片基板。圖19係顯示先前之基板處理裝置例之縱 剖面圖。如圖19所示，先前之基板處理裝置1〇〇具有貯留 處理液之處理槽110，及在處理槽11〇之内部保持複數片基 板W之升降機120。基板處理裝置1〇〇係自配置於處理槽 11〇底部之一對噴嘴114向處理槽1〇内喷出處理液，使處理 液自處理槽11 〇之上部溢出，藉此向保持於升降機之複 數片基板W之表面供給處理液，以處理基板w。 關於前述批次式基板處理裝置，例如於專利文獻丨、2中 揭示。 [專利文獻1]日本特開20〇7-36丨89號公報 [專利文獻2]日本特開20〇7-266360號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 先前之基板處理裝置φ，ό + ^ 、 ^ 衣置1，自一對噴嘴114噴出之處理 液係在處理槽m之中央附近合流，成為流向處理槽110上 138392.doc 201001586 方之液流F1。然而，構成液流F1之處理液並不會全部到達 處理槽1 1 G之上部，其中—部分係自側面改變方向朝向下 方而再-人成為流向處理槽1 1 0底部之液流F2。藉此，在 處理槽110之内部形成處理液循環區域（循環區域）CA。 前述循環區域CA若大，將難以自處理槽11〇高效率地排 出處理液，而有粒子或應排出之成分長期滞留於處理槽 1 1 0内部之虞。 另一方面，批次式基板處理裝置100中亦要求使處理液 良好地流人在升降機12G上排列保持之複數片基板w之間 本發明係#於前述情形而完成者，其目的在於提供一種 基板處理裝置及基板處理方法，其係使形成於處理槽内部 之處理液之循環區域狹小化而提高處理液之置換效率，並 使處理液良好地流入複數片基板之間隙。 [解決問題之技術手段] ^解決前述問題’技術方案k發明係、—種基板處理 :處理其 :！徵在於’其係藉由在處理液中浸漬複數片基板 :處理復數片基板者4具備：處理槽，其係貯留處理 保持部，其係、在前述處理槽之内部保持複數片基板· =噴嘴，其係配置於前述處理槽之底部附近，自複數個 數出孔向前述處理槽的底板之上表面噴出處理液，該等複 孔係沿著由前述保持機構所保持之複數片基板之 之上部溢出…，、係排出自别述處理槽 溢出之處理液’且，w述複數個噴出孔之噴出方向 138392.doc 201001586 對於前述底板上表面之法線於前述處理槽之内側方向 S又疋為5。以上且4〇〇以下之角度。 技術方案2之發明係技術方案j之基板處理裝置，其中前 述對嗔嘴各為形成有前述複數個噴出子匕之管狀構件，前 述硬數個喷出孔各自之開口徑為G 5咖以上且！ 5職以 下。 技術方术3之發明係技術方案J之基板處理裝置，其中前 述一對喷嘴係沿著形成於前述處理槽側壁t凹部配置。 技術方案4之發明係技術方案i之基板處理裝置，其中前 述複數個喷出孔係配置在與由前述保持部所保持之複數片 基板之間隙、及配置於兩端部之基板之外側對應之位置。 另技術方案5之發明係技術方案山中任一項之基板處理 ^置其中進—步具備：向前述保持部與複數片基板之抵 接部位噴出處理液之另一對喷嘴。 从叫求項6之發明係一種基板處理方法，其特徵在於其係 藉:在，理液中浸潰複數片基板來處理複數片基板者；且 3第1 v驟’其係在貯留於處理槽内部之處理液中浸 潰複數片基板；及第2牛_ . ^ ^ V驟，其係自複數個噴出孔向前述 處理槽的底板之上表面噴出虚 ... 7 1 貝處理液，月,』述禝數個噴出孔係 在前述處理槽之底部附近 . TT迎&者複數片基板之排列方向排 列，且’在前述第2步驟中，係相對於前述底板上表面之 法線於前述處理槽之内侧方向以5。以上且40。以下之角度 噴出處理液。 & [發明之效果] 138392.doc 201001586 根據技術方案!至5之發明’基板處理裝置係具備處理 槽，其係貯留處理液；保持部，其係在處理槽之内部保持 複數片基板；-對喷嘴，其係配置於處理槽之底部附近， 自複數個喷出孔向處理槽底板之上表面噴出處理液"亥等 複數個噴出孔係沿著由前述保持機構所保持之複數片基板 之排列方向排列；及處理液排㈣，其係排出自處理狀 上部溢出之處理液；且，複數個噴出孔之噴出方向係相對 於底板上表面之法線於處理槽之内側方向設定為$。以上且 以下之角纟。因此，可將形成於處理槽内部之處理液 之循環區域狹小化，提高在處理槽内處理液之置換效率， 且處理液可良好地流入複數片基板之間隙。 尤其’根據技術方案2之發明，—對噴嘴各為形成有複 數個噴出孔之管狀構件，複數個^孔各自之開口徑為 〇.5 mm以上幻·5 _以下。因此，上游側喷出孔之處理液 育出壓力與下游側噴出孔之處理液嘴出壓力之差不會過 大，且在各噴出孔亦不會產生處理液之大量壓力損失。 尤其，根據技術方案3之發明，—對喷嘴係沿著形成於 處理槽側壁之凹部配置。因此’可以防止在喷嘴與處理槽 側壁之間滯留處理液。 ，複數個噴出孔係配置在 之間隙、及配置於兩端部 可以對各複數片基板良好 尤其’根據技術方案4之發明 與由保持部所保持之複數片基板 之基板外側對應之位置。因此， 地供給處理液。 尤其，根據技術方案5之發明’基板處理裝置係進—步 138392.doc 201001586 八備向保持。p與複數片基板之抵接位置噴出處理液之另一 對喷0^ gj此，可卩防止在保持部與基板之抵接位置滞胃 粒子或應排液之成分。 尤其’根據技術方案6之發明，基板處理方法係包含： 第1步驟’其係在貯留於處理槽内部之處理液中浸潰複數 片基板；及第2步^ ’其係自複數個噴出孔向處理槽底板 之上表面噴出處理液，該等複數個噴出孔係在處理槽之底 部附近沿著複數片基板之排列方向排列；1，在第2步驟 中，係相對於底板上表面之法線於處理槽之内側方向以5。 以上且4〇。以下之角度喷出處理液。因此，可將形成於處 理槽内部之處理液之循環區域狹小化而提高在處理槽内處 里液之置換效率’且處理液亦可良好地流人複數片基板之 間隙。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明之較佳實施形態。 <1、基板處理裝置之構成> 圖1係將本發明之一實施形態之基板處理裝置i沿著與基 板W之主面平行之平面剖開之縱剖面圖。圖i中係概略地 顯不基板處理裝置1所具備之控制系統及給排液系統之構 成此外，圖2係將基板處理裝置旧著與基板以之主面垂 直之平面剖開之縱剖面圖。圖!及圖2中為了表明裝置内各 部分之位置關係、，顯示有共通之χγζ正交座標系統。㈣ 方向、γ軸方向、及ζ軸方向係分別相當於基板w之排列方 向、沿著基板W主面之水平方向、及鉛直方向。 138392.doc 201001586 前述基板處理裝置1係在半導體晶圓、即基板w之光學 微影術步驟中’用於剝離形成於基板w主面之光阻膜（有機 膜）之處理者。基板處理步罟丨在 极免里扁置1係使用包含硫酸（H2S〇4)及過 氧化氫（h2〇2)之處理液，藉由處理液中之硫酸與過氧化氯 發生反應而生成之Can)酸（H2SQ5)之作用，分解並除去形 成於基板W主面之光阻膜。 如圖1及圖2所示，基板處理裝置1主要具備：貯留處理 液之處理槽1G，保持並升降複數#基板（以下僅稱作「其 板」）W之升降機2〇,將包含硫酸與過氧化氫之處理液^ 於處理槽H)之處理液供給部3G，自處理槽_出處理液之 處理液排出部40 ’及控制裝置内各部分之動作之控制部 50 ° 處理槽10係藉由石英或耐藥性樹脂形成之貯留容器。處 理槽10具有使基板w浸潰在貯留於其内部之處理液中之内 槽11，及形成於内槽11外緣部之外槽12。内槽丨丨具有在處 理液中浸潰有基板w之狀態下位於基板w下方之底板na， 及位於基板W側面之側壁llb〜lle，内槽n之上部開放。 此外，外槽12係沿著内槽i i之側壁i lb〜丨le之外侧面形成 槽狀。 内槽11之側壁1 lb〜1 le中與基板w之排列方向平行之— 對側壁11 b、11 d，其下端部（與底板丨1 a相接之部位）係向外 側突出。藉由該突出，在側壁丨lb、i ld之下端部之内側面 形成沿著基板W之排列方向延伸之一對凹部13 b、1 3 d。~ 對凹部13 b、1 3 d係分別成為朝向内槽丨丨内側開口、在剖面 138392.doc 201001586 視圖中呈大致v字形之凹槽。 在一對凹部13b、13d附近設置有一對管狀喷嘴（以下稱 作「下層噴嘴」）14b、14d。下層喷嘴14b、14d係沿著凹 部13b' 13d(亦即沿著基板W之排列方向）水平配置且在 各下層噴嘴14b、14d上形成有沿著基板冒之排列方向以等 間隔排列之複數個喷出孔14 1。 如圖2所不，形成於下層噴嘴14b之複數個喷出孔14丨之X 軸方向之位置，係成為對應保持於升降機2〇之基板w之間 隙，及配置於兩端之基板w外側之位置。此外，圖2中雖 未顯示，但在另一下層喷嘴14d中，複數個喷出孔ΐ4ι之X 軸方向之位置亦係成為對應保持於升降機之基板％之間 隙’及配置於兩端之基板W外側之位置。 圖3及圖4係分別顯示下層噴嘴14b、14d及其附近情形之 放大縱剖面圖。如圖3及圖4所示，形成於下層噴嘴Mb、 14d之噴出孔141之噴出方向，均為朝向下方且朝向内槽u 之偏内側方向。因此，供給於下層喷嘴14b、l4d之處理液 係自喷出孔141向内槽U之底板Ua之上表面噴出。此外， 向底板11a之上表面喷出之處理液係沿著底板iu之上表面 擴散，然後，朝向保持於升降機2〇之基板w而向上方流 動。 又，雖然在圖3、圖4中分別僅顯示丨個喷出孔141，但形 成於下層噴嘴!4b、14d之其他喷出孔141亦同樣地朝向‘ 方且朝向内槽11之偏内側方向。 返回圖1及圖2。在一對下層噴嘴丨朴、之上方位置， 138392.doc 201001586 進一步設置有一對管狀噴嘴（以下稱作「上層喷嘴」5b、 15d。上層噴嘴151?、15d係以沿著基板▽的排列方向之水 平姿態，分別固定於一對側壁1 lb、1 ld。在各上層噴嘴 1 5b、1 5d上形成有沿著基板w之排列方向以等間隔排列之 複數個噴出孔1 5 1。 如圖2所示，形成於上層喷嘴15b之複數個喷出孔151之X 軸方向之位置，係成為對應保持於升降機2〇之基板w之間 隙’及配置於兩端之基板W之外側之位置。此外，雖然在 圖2中未顯示，形成於另一上層噴嘴15d之複數個喷出孔 151之X軸方向之位置，亦成為對應保持於升降機2〇之基板 w之間隙，及配置於兩端之基板W之外側之位置。 此外’如圖1所示’形成於上層噴嘴151?、15(1之噴出孔 151之噴出方向，均朝向後述之升降機2〇之保持棒21與基 板W之周緣部之抵接位置附近。 升降機20係用於保持基板w並使基板w在内槽〗丨之内部 與内槽1 1之上方位置之間升降移動之搬運機構。升降機 係具有沿著基板W之排列方向延伸之3根保持棒2丨，及固 定有3根保持棒2〗之背板22。升降機2〇係在使基板w之周 緣部嵌合於刻設於3根保持棒21之複數個凹槽（省略圖示）之 狀悲下，將基板W相互平行地以直立姿態保持於3根保持 棒21上。 如圖2所示，升降機20具有連接於背板22之升降移動機 構23 °升降移動機構23係可以利用例如組合馬達與滾珠螺 桿之周知之機構來實現。使升降移動機構23動作時，則背 138392.doc ]〇 201001586 板22、3根保持棒21、及保持於3根保持棒21上之基板W會 一體化上下移動。藉此，基板w便在内槽丨丨内部之浸潰位 置（參照圖1、圖2之位置）與内槽丨丨上方之升起位置之間搬 運。 處理液供給部3 〇係用於將包含硫酸與過氧化氫之處理液 供給於下層喷嘴丨朴、14d及上層喷嘴15b、154之供液系 統。如圖1所示，處理液供給部3〇具有硫酸供給源31，過 氧化氫供給源32 ’配管33a〜33i，及開關閥34、35。 硫酸供給源3 1及過氧化氫供給源32係分別經由配管33a 及配管33b連接於主配管33c流徑。此外，在配管33&及配 官33b分別介插有開關閥34及開關閥35。另一方面，主配 官33c下游側之端部係連接於配管33d及配管33e流徑。再 者，配管33d下游側之端部係介以配管33f及配管3坫分別 連接於下層喷嘴14b及上層噴嘴！ 5b流徑，配管3 3 e下游側 之如部係介以配管33h及配管33i分別連接於下層喷嘴l4d 及上層喷嘴15d流徑。 在可述處理液供給部30中，若打開開關閥34及開關閥 35，則自硫酸供給源31供給之硫酸，及自過氧化氫供給源 32供給之過氧化氫會在主配管33c中混合後生成處理液， 通過配管33d〜33i向下層噴嘴14b、14d及上層噴嘴15b、 15d供給處理液。接著，自下層噴嘴14b、14d之複數個噴 出孔141及上層噴嘴丨5b' i5d之複數個喷出孔151，向内槽 11之内部噴出處理液。 自下層噴嘴14b、14d及上層喷嘴15b、15d喷出之處理液 138392.doc -11 - 201001586 係貯留於内槽u之内邱。 ^ 〇, 此外，在處理液貯留至内槽1 1上 部之狀態下，若進—牛ώ 少自下層噴嘴14b、14d及上層喷嘴

Hb、1兄噴出處理液 貝J自内槽11之上部會溢出處理液， 使溢出之處理液回收到外槽12。 又，供給於下段噴嘴i仆 喷嘴之處理液之供給壓力， 右之值。 、14d及上段喷嘴15b、15d之各 係設定為例如〇.〇5〜O.i Mpa左 處理液排出部40係用於將貯留於外槽12之處理液排出到 工廠内之排液管線之排液系統。如圖i所示，處理液排出 心〇係具有連結外槽12與排液管線之配管41、及介插於配 官41之開關闊42。若打開開關閥42，貝】J自外槽12通過配管 41向排液管線排出處理液。 控制部50係用於控制基板處理裝置丨各部分之動作之資 訊處理部。控制部5G係藉由例如具有咖或記憶體之電腦 裝置來貫現。如圖i及圖2所示，控制部5〇係與升降移動機 構23及開關閥34、35、42電性連接。控制㈣係依預先安 裝之程式或各種輸入信號，向前述升降移動機似及開關 閥34、35、42下達指令，藉由控制該等之動作而進行基板 W之處理。 <2、下層喷嘴之噴出孔> 接著，更詳細地說明形成於下層喷嘴14b、i4d之複數個 喷出孔1 41。 出 如圖3及圖4所示，形成於下層噴嘴14b、Md之複數個喷 孔14丨均朝向下方且朝向内槽11之偏内側方向。此處，' 138392.doc -12- 201001586 假設喷出孔141之噴出方向與底板lu上表面之法線N所成 之角度Θ過小時，則自喷出孔141喷出之處理液會以接近垂 直之角度接觸到底板11a之上表面。因此，會有處理液之 流體壓力大幅降低，使得處理液不易流入基板w之間隙之 - 問題。另一方面’若喷出孔⑷之噴出方向與底板Ua上表 • 面之法線N所成之角度㊀過大時，則自喷出孔141喷出之處 理液會以接近平行之角度接觸到底板⑴之上表面。因 v 心處理液之流體麼力不太會降低，而在内槽U之内部形 成較高速之處理液流。該情形會有如下問題，即，構成高 速液流之-部分處理液在内槽_部循環，而在内槽_ 部形成較大之處理液循環區域CA(參照圖8、圖9)。 關於此點，在本實施形態之基板處理裝置K，係將噴 出孔⑷之方向設定成為於内側方向相對於底板⑴上表面 之法線N成5。以上且4〇。以下之角度。因此，自噴出孔⑷ f出之處理液之流體壓力不會過度降低，且在内槽η之内 〇 冑不會形成大處理液循環區域CA。所以，根據本實施形 態之基板處理裝置1，可以使處理液良好地流入基板W之 間隙，亚咼效率地置換内槽1 1内部之處理液。 ® 5〜圖9係顯示將—對下層喷嘴14b、14d之噴出孔141之 :度Θ分別設定為_5〇。、〇。、2〇。、％。、7。。時，内槽u内 部之處理液流之圖。該等各圖係概略顯示使用常用的熱流 解析权體之模擬結果。參照圖5〜圖9可知，將喷出孔141 相對於底板11a之法線N之角度0設定得越大形成於内槽 P之處理液循環區域CA越大；將噴出孔14 1相對於底 J38392.doc •13· 201001586 之法線N之角度e設定得越小該循環區域Μ越小。 H將噴出孔141之角度Θ分別狀為50。及7()。之圖8 及圖9中，循環區域「A古、去士j 埝间達超過内槽11之中間高度位置之 位置’相較於此’在將噴出孔⑷之角度e設定為20。之圖7 中可知，循環區域CA被抑制為較小。 本實施形態中係基於前述模擬結果，將喷出孔141相對 於底板11a上表面之法線N之角度θ設定為4〇。以下。因此， 產生於内槽11内部之處理液循環區域。八可抑制為較小， 使處理液自内槽"之上部高效率地排出。所以，可以高效 率地置換㈣叩部之處理液。又，針對縮小循環區域 CA之點，噴出孔141之角度θ宜越小越好。因此，若噴出 孔14i相對於底板lla上表面之法線Ν之角度^為”。以下則 較佳，若為30。以下則更佳。 圖ίο〜圖14係將一對下層喷嘴14b、14(1之噴出孔ΐ4ι之角 度Θ分別設定為_50。、〇。、2〇。、5〇。、7〇。時，依每個區域 顯示内槽11内部之處理液流動速度之圖。在圖10〜圖14 中，將内槽11之内部依該區域之處理液流動速度，從快到 慢依序區分為A、B、c而顯示。又，此等各圖亦與圖5〜圖 9同樣，係基於使用熱流體解析軟體之模擬結果而製作。 參照圖1 0〜圖14，可知流過配置基板w之區域（圖中 WA」所示區域）之處理液之速度，即流過基板w間隙之 處理液之速度，若喷出孔141相對於底板Π a之法線N之角 度Θ设為越小則該速度越小，喷出孔1 41相對於底板11 a之 法線N之角度Θ設為越大則該速度越大。尤其在將喷出孔 138392.doc -14- 201001586 141之角度Θ分別設定為-5〇°、0°之圖10及圖11中，流過基 板W間隙之處理液之速度大致為「C」，相較於此，在將 噴出孔141之角度Θ設定為20°之圖12中，在基板W之間隙 中處理液之流動速度為「Β」之區域涵蓋某種程度的範 圍。 此外，圖1 0及圖11中，處理液之流動速度為 域遍佈於排列有基板W之區域外側。亦即，可將圖1 〇、圖 11之情形視為自喷出孔141喷出之大多數的處理液流動於 基板W之外側區域，而成為不易流入基板w之間隙的狀 態。相較於此，圖1 2中在排列有基板W之區域外側，處理 液之流動速度為「B」或「c」。所以，可認為在圖丨2之 情形中，處理液向基板W之外側區域之流動受到抑制，而 文到抑制之處理液便流入基板W之間隙。 本實施形態中基於前述模擬結果，將噴出孔14ι相對於 底板1 la上表面之法線N之角度θ設定為5。以上。因此，處 理液良好地流入基板W之間隙，藉此高效率地處理基板 W又針對處理液流入基板w之間隙，喷出孔⑷之角度 e宜越大越好。所以’若噴出孔141相對於底板…上表： 之法線N之角度0為1〇。以上較佳，若為15。以下更佳。 接著：說明噴出孔⑷之開口徑。如圖2所示，處理液供 給部3 0係連接於下層嘖 曰贺高14b、14d之一端部側 部）。處理液#白nr ® + 1則之知 夜係自下層賀嘴14卜14d之端部導 下層喷嘴14b、i4d之内如 L過各 之内4，並自複數個喷出孔141 因此，假設噴出孔141 7 嘎出。 之開口徑過大，則上游側噴出 138392.doc -15· 201001586 之處理液喷出壓力與下游側喷出孔i41之處理液喷出壓力 之差增大，難以均勾地處理基板％。另_方面，若喷出孔

Ml之開口徑過小’則各喷出孔141之處理液之壓力損失增 大，難以在内槽11之内部形成所需之液流。 曰 針對此點，本實施形態之基板處理裝 孔⑷之開Π徑設定為0.5 mm以上且15 係將喷出 J M上丑1.5 mm以下。因此， 上游側喷出孔141之處理液喷出壓力與下游側喷出孔i4i之 處理液喷出壓力之差不會過度增大，且在各喷出孔i4i不 會產生處理液之大量壓力損失。所以，根據本實施形態之 基板處理裝置卜可以在内槽u之内部形成所需液流，而 可均勻且良好地處理基板W。 圖15及圖16係分別顯示將下層噴嘴丨朴、之噴出孔 141之開口徑設定為16 mm之情形、與設定為丨2爪爪之情 形，自複數個喷出孔141喷出之處理液之壓力調查結果的 圖。芩照圖15及圖16 ,在將喷出孔141之開口徑設定為16 mm之圖15中，複數個喷出孔141之喷出壓力之偏差較大， 相較於此，將噴出孔141之開口徑設定為丨4 mm之圖16 中，複數個喷出孔14 1之噴出壓力之偏差較小。本實施形 態中基於前述結果，將下層噴嘴14b' 14d之複數個喷出孔 141之開口徑設定為1.5 mm以下。 <3、基板處理裝置之動作> 接著’參照圖17之流程圖說明前述基板處理裝置1處理 基板w時之動作。又，以下一連串動作係藉由控制部5〇依 預先安裝之程式或各種輸入信號，控制裝置内各部分之動 138392.doc -16- 201001586 作來進行。 别述基板處理裝置1在進行基板w之處理時，首先打開 開關閥34、開關閥35、及開關閥42。藉此，開始供給包含 硫酸與過氧化氫之處理液’自下層噴嘴14b ' 1牝之複數個 噴出孔141及上層喷嘴丨5b、15d之複數個喷出孔151，向内 槽11之内部喷出處理液（步驟S1)。喷出之處理液會貯留於 内槽11之内部，最終成為自内槽11之上部向外槽12溢出之 狀態。 接著’將藉由特定搬運機構自其他裝置搬運來之基板 W ’移送到在處理槽丨0之上方位置待機之升降機2〇。在升 降機20之3根保持棒21上載置基板W後，基板處理裝置“吏 升降移動機構23動作，使背板22及3根保持棒21下降，而 使基板W’文潰在貯留於内槽11内部之處理液中（步驟^2)。 在處理液中浸潰基板…後，則形成於基板w主面之光阻膜 會藉由處理液中之Caro酸之作用而分解，並自基板w之主 面除去。 此時’在内槽11之内部’持續自下層噴嘴14b、14d及上 層噴嘴1 5b、1 5d噴出處理液。本實施形態中，下層喷嘴 1 4b、1 4d係相對於底板1 1 a上表面之法線N於内侧方向以5。 以上且40。以下之角度θ噴出處理液。因此，如前所述，喷 出之處理液之流體壓力不會過度降低，且在内槽丨〖之内部 不會形成大處理液循環區域Ca。所以，處理液可良好地 流入基板W之間隙，並高效率地置換内槽丨丨内部之處理 液0 138392.doc -17- 201001586 此外’本實施形態中’下層噴嘴14b、⑷係自具有〇 5 mm以上1>5 mm以下之開口徑之複數個噴出孔μ〗噴出處理 液。因此，如前所述，上游側喷出孔141之處理液噴出壓 力與下游側喷出孔141之處理液噴出壓力之差不會過度增 大，且在各噴出孔141中亦不會產生處理液之大量壓力損 失。所以，可以在内槽11之内部形成所需之液流並可均 勻且良好地處理基板W。 此外，雖然自下層噴嘴14b之噴出孔141噴出之一部分處 理液係如圖18所示般向側壁llb側擴散，但本實施形態 中，在下層喷嘴14b附近，於側壁llb形成有凹部13b。因 此，向側壁1 1 b側擴散之處理液容易沿著凹部丨3 b向處理槽 1 1之上方逸出。所以，可以防止在下層嗔嘴^朴與側壁j i b 之間滯留處理液。同樣的，因為在另一下層喷嘴14d附近 亦在側壁1 1 d形成有凹部1 3d，故可以防止在下層喷嘴！ 4d 與側壁1 1 d之間滯留處理液。 此外’本實施形態中，上層喷嘴15b、i5d係向升降機2〇 之保持棒2 1與基板W周緣部之抵接部位附近噴出處理液。 因此’可以防止在保持棒21與基板W周緣部之抵接部位滞 留粒子或應排液之成分。 此外’本實施形態中，下層噴嘴14b、14d之複數個噴出 孔141及上層噴嘴15b、15d之複數個噴出孔151之X軸方向 之位置’係成為對應保持於升降機2〇之基板w之間隙，及 配置於兩端部之基板W外側之位置。因此，可以對各個基 板W良好地供給處理液。 特定時間之處理結束後，基板處理裝置1使升降移動機 138392.doc •18- 201001586 構23動作，使背板22及3根保持棒21上升，自貯留於内槽 11内部之處理液中升起基板W(步驟S3)。此後，基板w自 升降機20移送到特定之搬運裝置，運往進行後續處理之裝 置。此外，基板處理裝置1關閉開關閥34、開關閥35、及 開關閥42。藉此’停止自下層噴嘴1 4b、14d及上層噴嘴 1 5b、1 5d喷出處理液，及停止藉由處理液排出部4〇排出處 理液（步驟S4)。以上，結束對一組基板貿之一連串處理。 <4、變形例>

以上雖已說明本發明之一實施形態，但本發明並不限定 於此。例如，前述實施形態中，基板處理裝置1具備下層 喷嘴14b、Md，及上層噴嘴15b、15d,但亦可構成為不具 備上層喷嘴15b、bd，而僅自下層噴嘴丨扑、噴出處理 液。 此外，前述實施形態中，雖然使用包含硫酸與過氧化氫 之處理液，但本發明之基板處理裝置亦可使用其他處理 液。例如，作為處理液亦可使用氫氟酸、sc_i液、 液、或者純水。 此外，前述實施形態中，係以半導體晶圓之基板w作為 ί象但本發明之基板處理纟置亦可係以光罩用玻璃 基板或液晶顯示裝置用玻璃基板等其他基板作為處理對 【圖式簡單說明】 ✓σ著與基板主面平行之平面剖開 圖1係將基板處理裝置 之總剖面圖。 138392.doc -19· 201001586 圖2係將基板處理I置沿著與基板主面垂直之平面剖開 之總剖面圖。 圖3係顯示-下層喷嘴及其附近情形之放大縱别面圖。 圖4係|員示另—下層喷嘴及其附近情形之放大縱 圖。 圖5係顯示將下層嘻啦> & 于Γ層赁嘴之噴出孔角度設定為-50。時之内 槽内部之處理液之流向之圖。 圖6係顯示將下層噴嘴之噴出孔角度設定為〇。時之内槽 内部之處理液之流向之圖。 曰 圖7係顯示將下層喷嘴之喷出孔角度設定為2〇。時之内槽 内部之處理液之流向之圖。 圖8係顯示將下層嘴嘴之噴出孔角度設定為50。時之内槽 内部之處理液之流向之圖。 圖9係顯示將下層噴嘴之嘴出孔角度設定為70。時之内槽 内部之處理液之流向之圖。 圖10係依每個區域顯示將下層喷嘴之喷出孔角度設定 為-50°時之内槽内部之處理液流動速度之圖。 圖11係依每個區域顯示將下層喷嘴之噴出孔角度設定為 0日rr之内槽内部之處理液流動速度之圖。 圖12係依每個區域顯示將下層噴嘴之噴出孔角度設定為 20。時之内槽内部之處理液流動速度之圖。 … 圖13係依每個區域顯示將下層噴嘴之噴出孔角度設定為 50。時之内槽内部之處理液流動速度之圖。 圖14係依每個區域顯示將下層噴嘴之噴出孔角度設定為 I38392.doc -20- 201001586 70°時之内槽内部之處理液流動速度之圖。 圖1 5係顯示將下層喷嘴之噴出孔之開口徑設定為丨6 時，自複數個噴出孔喷出之處理液之壓力調查結果之圖。 圖16係顯示將下層噴嘴之噴出孔之開口徑設定為丨2瓜功 時’自複數個喷出孔噴出之處理液之壓力調查結果之圖。 圖17係顯示基板處理裝置之處理流程之流程圖。 圖1 8係顯不自下層喷嘴之噴出孔喷出之處理液沿著凹部 向上方逸出之情形之圖。 圖19係顯示先前之基板處理裝置例之縱剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 基板處理裝置 10 處理槽 11 内槽 11a 底板 1 lb〜1le 側壁 12 外槽 13b、 13d 凹部 14b、 14d 下層喷嘴 15b、 15d 上層喷嘴 20 升降機 30 處理液供給部 40 處理液排出部 50 控制部 141 喷出孔 138392.doc -21- 201001586 151 喷出子L θ 角度 CA 循環區域 W 基板 138392.doc

Claims (1)

1. 201001586 七、申請專利範圍： 1. 一種基板處理蓑置，其特徵在於，其係將複數片美板淺 潰於處理液中，藉此處理複數片基板者；其具備^ 處理槽，其係貯留處理液者； 保持部’其係在前述處理槽之内部保持複數片基板 者； -對喷嘴，其等係配置於前述處理槽之底部附近，自 複數個喷出孔向前述處理槽之底板的上表面噴出處理液 者’前述複數個喷出孔係沿著前述保持機構所保持之複 數片基板之排列方向排列；及 處理液排出部，其係將自前述處理槽之上部溢出之處 理液排出者；且 前述複數個喷出孔之噴出方向，係相對於前述底板上 表面之法線於前述處理槽之内側方向設定為5。以上且仞。 以下之角度。 2.如請求項1之基板處理裝置，其中 月'J述一對噴嘴各為形成有前述複數個喷出孔之管狀構 件， mm以上且1 5 月il述複數個喷出孔各自之開口徑為〇. 5 mm以下。 3. 如請求項1之基板處理裝置，其中 鈉述對噴嘴係沿著形成於前述處理槽側壁之凹部而 配置。 4.如請求項1之基板處理裝置，其中 138392.doc 201001586 前述複數個噴出孔係配置在與由前述保持部所保持之 稷數片基板之間隙、及配置於兩端部之基板之外側對應 之位置。 5·如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中進一步且 備： ~ 另一對喷嘴，向前述保持部與複數片基板之抵接部位 喷出處理液。 6 · :種基板處理方法’其特徵在於，其係將複數片基板浸 /貝於處理液中’藉此處理複數片基板者，·且包含： 第1步驟’在貯留於處槽 片基板；及 处？曰鬥4之處理液中浸潰複數 =:，自複數個噴出孔向前述處理槽之底板的上 =面喷出處理液，前述複數個噴出孔係在前述處 底，近沿著複數片基板之排列方向排列； 曰 ::二弟2步驟中，相對於前述底板 处仏之内側方向以5。以上且4G。 處理液。 度贳出 138392.doc