CN107710388B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置(10)，对以预定间隔配置的多个基板进行处理，其特征在于，包括：处理槽(12)，用于存储处理液，具有沿所述多个基板的厚度方向的侧面(13)；排出部(14)，配置在所述处理槽(12)的底部，朝向所述侧面(13)向上方排出处理液。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种半导体晶片等的基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造工艺中，为了去除基板上的部分被膜以形成所需图案、去除整个被膜或洗净基板表面，进行用清洗液处理基板的清洗处理。作为进行这种清洗处理的处理装置，已知的有将基板逐个进行清洗的单片式装置和将多个基板以保持预定间隔的状态浸渍在处理槽内的处理液中进行清洗的批处理式装置，(例如，专利文献1)。
另外，在半导体器件的制造工艺中，多实施通过利用清洗处理进行的蚀刻，在硅片等基板上形成的氮化硅膜(Si3N4膜)和氧化硅膜(SiO2膜)中选择性地去除氮化硅膜。作为去除氮化硅膜的处理液，多利用磷酸(H3PO4)水溶液。由于磷酸水溶液的性质，不仅蚀刻氮化硅膜，而且氧化硅膜也会被轻微蚀刻。如今的半导体器件要求微细的图案，因此为了控制蚀刻量，重要的是保持预定的蚀刻率和作为氮化硅膜和氧化硅膜的各蚀刻率的比例的选择比。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：专利第3214503号公报
发明内容
发明要解决的课题
现有的批处理式处理装置中，存在基板表面的局部蚀刻率降低的问题。例如，为了去除基板表面的预定被膜，用现有的批处理式处理装置来处理多个基板时，已得到确认被膜的去除特性在基板表面内表现出不均匀，因此要求批处理式处理装置的去除特性变得均匀。
如果处理液被均匀地供给到基板表面，则可期待蚀刻率的均匀化，但这样的批处理式处理装置尚未得到。
由此，本发明的目的在于，提供一种对以预定间隔配置的多个基板进行处理时，处理液能够更加均匀地被供给到基板的表面和背面的基板处理装置。
用于解决课题的技术手段
涉及本发明的基板处理装置，对以预定间隔配置的多个基板进行处理，其特征在于，包括：处理槽，用于存储处理液，具有沿所述多个基板的厚度方向形成的侧面；排出部，配置在所述处理槽的底部，朝向所述侧面向上方排出处理液。
发明效果
根据本发明，在基板处理装置，从排出部朝向处理槽的侧面向上方排出的处理液水流沿基板表面和背面以较大流速循环在处理槽内部，几乎覆盖了基板的整个表面和背面。
由于处理液在基板的表面和背面的几乎整个区域中更加均匀地被供给，因此对以预定间隔配置的多个基板进行处理时，能够更加均匀地处理基板表面。
附图说明
图1为用于说明第一实施方式的基板处理装置的示意图；
图2为对第一实施方式的基板处理装置的水流进行分析的模拟结果；
图3为用于说明现有基板处理装置的一例的示意图；
图4为对现有的一例基板处理装置的水流进行分析的模拟结果；
图5为用于说明现有基板处理装置的另一例的示意图；
图6为对现有另一例的基板处理装置的水流进行分析的模拟结果；
图7为用于说明第二实施方式的基板处理装置的示意图；
图8为处理槽下端的部分放大图；图8A表示第二实施方式的基板处理装置的处理槽、图8B表示第一实施方式的基板处理装置的处理槽；
图9为用于说明第三实施方式的基板处理装置的示意图；
图10为用于说明第三实施方式中基板处理装置的分流板的示意图；
图11为第三实施方式的基板处理装置中分流板附近的放大图；
图12为用于说明第三实施方式的基板处理装置中处理液从排出部所排出的方向放大图；
图13为用于说明第三实施方式的基板处理装置中的水流的示意图；
图14为对第三实施方式的基板处理装置的水流进行分析的模拟结果。
附图标号说明
10、20、120 基板处理装置
12、22 处理槽
13、23 沿多个基板的厚度方向的侧面
14 排出部
16 保持构件
18 基板
24 底面
26 斜面
28 排液口
A 处理液的排出方向
a1～a7 所排出的处理液水流
a8、a9 通过排液口所产生的处理液水流
具体实施方式
下面，根据附图对本发明的实施方式进行详细说明。
1、第一实施方式
(整体构成)
如图1所示的基板处理装置10包括：由处理槽主体和未图示的外槽构成的处理槽12、以及用于排出处理液的排出部14。处理槽12呈包括底面、以及与底面设置成一体的侧面的箱状，且包括矩形的上部开口。对于处理槽12的材质，可根据处理液的种类进行选择。例如，作为处理液使用氢氟酸的情况下，处理槽12为聚四氟乙烯(PTFE)制品。除此以外的处理液，例如，作为处理液使用磷酸的情况下，处理槽12为石英制品。处理槽12中，将沿着与纸面垂直的方向延伸的一对平面特别设定为侧面13。
在图1中，表示有由保持构件16被保持的基板18浸渍于处理槽12内未图示的处理液中的状态。此处所说的基板18为半导体基板。保持构件16在沿处理槽12的侧面13的方向上，能够以多个排列的方式收纳基板18。多个基板18能够使表面之间、背面之间、或者表面和背面之间相对而置而以预定间隔配置。基板处理装置10中，处理槽12的侧面13为沿排列有多个基板18的厚度方向的面。
在处理槽12的底部，沿侧面13的方向上设置有用于排出处理液的排出部14。在排出部14，处理液从处理液箱(未图示)通过泵(未图示)等而被供给。处理液从排出部14的一端朝向另一端流过排出部14的内部，并从未图示的排出口朝向处理槽12的侧面13向上方(箭头A方向)排出处理液。上方是指，高于水平方向的上面方向。在图示的基板处理装置10，沿着处理槽12的相对而置的各侧面13，于处理槽12的底部设置有排出部14。由此，能够向相对而置的各侧面13排出处理液。
对于从排出部14排出处理液的方向，只要是朝向处理槽12的侧面13的上方就没有特别的限制，但优选从用于保持基板18的保持构件16的下端朝向外侧的方向。而且，更优选排出部14沿着多个基板18的排列，能够从多个部位排出处理液。优选的是用于排出处理液的排出口被设置在以预定间隔配置的基板18之间的区域。
本实施方式中，可以将侧面上沿长度方向具有多个排出口的管状部件用作排出部14。此时，管状部件沿着侧面13配置在处理槽12的底部，从而使排出口朝向箭头A的方向。
在基板处理装置10，例如，作为处理液使用磷酸，可通过蚀刻处理去除基板18表面的氮化硅膜。
(动作及效果)
在第一实施方式的基板处理装置10，排出部14沿着侧面13的方向被设置在处理槽12的底部，其中，该排出部14朝向处理槽12的侧面13向上方(箭头A方向)排出处理液。若处理液从排出部14朝箭头A方向被排出，则在处理液中产生如箭头a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7所示的水流。
首先，通过排出压力，水流沿着处理槽12的侧面13在基板18的外边缘附近上升(a1、a2、a3)。在远离处理槽12的侧面13的基板18的中心附近，并不受上升水流的影响。因此，沿着处理槽12的侧面13上升的水流基本上流入到基板18的中心附近(a3、a4)。虽然为了简化并没有进行图示，但沿着处理槽12的侧面13上升的部分水流从处理槽12的上部开口溢出而流入到外槽。
流入到基板18中心附近的水流伴随从基板18表面脱离的颗粒，因重力向处理槽12的底部下降(a5、a6)。朝处理槽12的底部下降的水流朝着排出部14的方向(a7)，与排出自排出部14的水流汇合。汇合的水流，如上所述，沿着处理槽12的侧面13上升，并沿着基板18的表面和背面在处理槽12内部进行循环。
上升的部分水流与颗粒一起从处理槽12的上部开口溢出而流入到未图示的外槽。流入到外槽的处理液经过按照未图示的泵、加热器和过滤器的顺序设置在流经方向上的引入路径，而被引入到排出部14。经过引入路径被引入到排出部14的处理液经过过滤器，由此颗粒被去除掉。
如此地，从排出部14朝向处理槽12的侧面13向上方(箭头A方向)排出处理液，因此基板18的表面和背面中的该侧面13一侧的区域被水流a1～a7所覆盖。在基板处理装置10，沿着处理槽12的相对的各侧面13，两个排出部14被设置在底部，因此处理液从该两个排出部14朝向各自侧面13向上方排出，由此处理液被供给到基板18的几乎整个表面和背面区域。
对第一实施方式的基板处理装置10中的水流进行了分析，从而得到如图2所示的模拟结果。图2中的颜色浓淡表示水流的流速大小。颜色越浓表示水流的流速越大。图2中，颜色最浓的部分几乎涉及到基板18的整个表面和背面。由此可知，用基板处理装置10处理基板18时，几乎涉及到基板18的整个表面和背面区域，并以较大流速产生处理液的水流，处理液能够均匀地被供给。
由于所供给的处理液几乎流过基板18的整个表面和背面区域而变得更加均匀，因此通过使用本实施方式的基板处理装置10，能够在基板18的表面内进行更均匀的处理。
现有的基板处理装置中，处理液无法被均匀地供给到基板表面和背面的整个区域。参照图3，对现有基板处理装置的一例进行说明。与图1的情况相同，图3表示由保持构件36保持的基板38浸渍于处理槽12内未图示的处理液中的状态。在图3所示的基板处理装置30中，于处理槽32的侧面底部设置有整流板35。配置在处理槽32底部的排出部34向朝向处理槽32底面的两个方向(箭头C方向、箭头D方向)排出处理液。
通过从排出部34向朝向外侧的箭头C的方向排出处理液，由此产生从处理槽32的底面朝向侧面整流部35的水流(c1)。水流流向基板38(c2)、在基板38的外边缘附近上升(c3、c4、c5)，并从处理槽32的上部开口溢出(c6)。与在基板38的外边缘附近上升的水流(c3)不同地，还产生流向位于处理槽32侧面的整流板35的水流(c7)。
另一方面，通过从排出部34向朝向内侧的箭头D方向排出处理液，由此水流从处理槽32的底面向基板38上升(d1)，并流向基板38外边缘上方(d2、d3)，与在处理槽32内上升的水流(c4)汇合。
由于产生上述这样的水流(c1～c7、d1～d3)，因此在现有基板处理装置30中，会产生水流不流动的区域39。
对现有基板处理装置30中的水流进行了分析，从而得到了如图4所示的模拟结果。与图2的情况相同，图4中的颜色浓淡表示水流的流速大小，颜色越浓表示流速越大。图4中，颜色最浓的部分限定于基板38的表面和背面的极少一部分。图4中颜色淡的部分，相当于图3所示的水流不流动的区域39。采用现有基板处理装置30来处理基板38时，以较大流速流过的部分仅为基板38的表面和背面的极少一部分，在基板38的表面和背面的大部分区域，流速较大的水流不流动。由此可知，在现有基板处理装置30中，处理液无法被均匀地供给到基板38的整个表面和背面区域。
如此地，由于处理液无法被均匀地供给到基板38的整个表面和背面区域，因此采用现有基板处理装置30时，无法在基板38的表面内进行均匀地处理。
参照图5，对现有基板处理装置的另一例进行说明。与图1、图3的情况相同，图5表示由保持构件46被保持的基板48浸渍于处理槽42内未图示的处理液中的状态。图5所示的基板处理装置40为下述基板处理装置：在图3所示的基板处理装置30中，去除了处理槽32的侧面底部的整流板35，并将排出部34的排出方向改变为仅向一个方向排出的装置。在基板处理装置40，排出部44向朝向处理槽42底面内侧的箭头E方向排出处理液。
通过向箭头E方向的排出，产生从处理槽42底面朝向基板48上升的水流(e1)。水流在基板48的中心附近上升(e2)，并流向基板48的外边缘(e3、e4)。流向基板48外边缘的部分水流在基板48的外边缘附近上升(e5、e6)，并在处理槽42的上部开口溢出(e7)。流向基板48的外边缘的剩下的水流在基板48的外边缘附近下降(e8、e9)，并流向基板48(e10、e11)。与流向基板48的水流不同地，还产生流向排出部44的水流(e12)。
由于产生这样的水流(e1～e12)，因此在现有基板处理装置40中，会产生水流不流动的区域49。
对现有基板处理装置40中的水流进行了分析，从而得到如图6所示的模拟结果。与图2、图4的情况相同，图6中的颜色浓淡表示水流的流速大小，颜色越浓表示流速越大。图6中，颜色最浓的部分为基板48的表面和背面的下半部分程度。图6中，颜色淡的部分相当于图5所示的没有水流流动的区域49。采用现有基板处理装置40来处理基板48时，水流以较大流速流经的区域为基板48的表面和背面的下半部分程度，在基板48的上半部分程度的部分中，不流动流速较大的水流。由此可知，在现有的基板处理装置40中，处理液也无法均匀地被供给到基板48的整个表面和背面区域。
如此地，由于处理液无法被均匀地供给到基板48的整个表面和背面区域，因此采用现有基板处理装置40时，无法在基板48的表面内进行均匀地处理。
相对于此，在本实施方式的基板处理装置10中，通过朝向处理槽12的侧面13向上方排出处理液，由此处理液沿着基板18的表面和背面在处理槽12内进行循环，能够使基板18的几乎整个表面和背面区域被处理液所均匀覆盖。其结果，本实施方式的基板处理装置10能够在基板18的表面内更加均匀地进行处理。
2、第二实施方式
(整体构成)
图7表示第二实施方式的基板处理装置20的结构。在基板处理装置20中，处理槽22的侧面23通过斜面26而与底面24相连接。而且，处理槽22的底面24上设置有排液口28、以及用于将排出自该排液口28的处理液引入到排出部14的引入路径(未图示)。从排液口28朝向排出部14的引入路径与从外槽朝向排出部14的引入路径上的泵的上游相连接。除了该点不同外，第二实施方式的基板处理装置20具有与第一实施方式的基板处理装置10相同的结构。
对于处理槽22中斜面26的角度并没有特别的限定。考虑到排出自排出部14的处理液所排出的方向，在不妨碍处理液流向侧面23的范围内，可以设置成任意角度。本实施方式中，斜面26与水平面形成的角度为45度程度。优选处理槽22底面24的排液口28按照下述方式进行设置：在相对而置的一对侧面23的中央附近，沿着多个基板18的排列设置成槽状。排液口28可以设置成沿多个基板18排列的V字状槽。
(动作及效果)
在第二实施方式的基板处理装置20中，也产生与第一实施方式的基板处理装置10相同的水流a1～a7，在基板18的整个表面和背面区域上以较大流速产生处理液的水流。由于处理液能够更加均匀地供给到基板18的几乎整个表面和背面区域，因此在第二实施方式的基板处理装置20也与第一实施方式的情况一样，能够在基板18的表面内进行更均匀地处理。
而且，第二实施方式的基板处理装置20中，在处理槽22的底面24上设置有排液口28。在基板处理装置20，从排液口28排出预定量的处理液的同时，进行对基板18的处理。由此，处理过程中会产生流向排液口28的水流(a8)、从排液口28流出的水流(a9)。这样的水流会促进水流(a5、a6)的下降，因此处理槽22内的水流循环也会得到促进。在第二实施方式的基板处理装置20中，被供给到基板18表面和背面的处理液的均匀性能够进一步得到提高。
在第二实施方式的基板处理装置20，除了从处理槽22的上部开口溢出处理液以外，还从设置在处理槽22底面24的排液口28进行排液处理。由此，还可以得到下述效果：离开基板18表面而在处理槽22内进行移动的颗粒，能够更加迅速地从处理槽22中被去除掉。
如图8A的部分放大图所示，在第二实施方式的基板处理装置20，处理槽22的侧面23通过斜面26与底面24相连接。由此，基板处理装置20的处理槽22的下端，不存在由侧面23和底面24所构成的角部。如图8B所示，在处理槽的下端存在有角部时(第一实施方式)，在角部会产生停留区域19。虽然即使存在停留区域19也不会给处理液水流带来不良影响，但有时颗粒会堆积在停留区域19内。
如第二实施方式，在处理槽22的侧面23和底面24之间设置斜面26以排除角部的存在，由此可避免停留区域的产生。其结果，也能够减少颗粒堆积在处理槽22内的担忧。如上所述，颗粒通过流出自处理槽22的上部开口或排液口28的水流被引出到处理槽22的外部。由于处理槽22在其底部设置有斜面26，因此与在底部设置有角部的处理槽相比体积会减少。处理槽体积的减少会与基板处理所需要的处理液量的减少相关。
3、第三实施方式
(整体构成)
图9表示第三实施方式的基板处理装置120的结构。在处理槽22的底部，沿着侧面23设置有排出部140。该排出部140能够向仰角不同的两个方向排出处理液。本实施方式中，处理液被排出到仰角较大的箭头H方向和仰角较小的箭头G方向。排出部140和侧面23之间设置有分流板130，以使排出到箭头H方向的处理液水流和排出到箭头G方向的处理液水流相互隔开。分流板130向与纸面垂直的方向延伸，且两端被固定在处理槽22中。除了上述点不同以外，第三实施方式的基板处理装置120具有几乎与第二实施方式的基板处理装置20相同的结构。由于具有分流板130，因此与第二实施方式的基板处理装置20中的排出部14相比，排出部140被设置在远离处理槽22底面24的较高位置上。
分流板130能够做成由与处理槽22相同材质构成的板状部件。如图10所示，分流板130包括作为排出部侧的倾斜部131、和从倾斜部131的上端131a立起的立起部132。分流板130的尺寸可根据处理槽22的尺寸进行任意设定。例如，可将倾斜部131的长度d1设为30～70mm程度、立起部132的长度d2设为10～30mm程度，分流板130的厚度d3设为3～5mm程度。
对于倾斜部131和水平面LS所形成的角度(仰角θ)，考虑处理槽22中斜面26的角度后进行决定。本实施方式中，斜面26与水平面所形成的角度为45度程度，因此仰角θ可被设定成30～60度程度。优选仰角θ小于斜面26和水平面所形成的角度。
图11表示分流板130附近的放大图。图11中，还表示有包括第一排出口140a和第二排出口140b的排出部140。分流板130的设置位置可根据处理槽22的大小进行适宜设定。倾斜部131下端131b和排出部140之间的距离d4例如可设定为2～15mm程度。对于倾斜部131的上端131a和斜面26之间的距离d6优选小于倾斜部131下端131b和斜面26之间的距离d5。
本实施方式中，立起部132沿着处理槽22的侧面23，从倾斜部131的上端131a开始立起。立起部132优选以在最接近处理槽22侧面23的基板18外边缘的外侧位置与侧面23相平衡的方式立起。对于从侧面23至立起部132前端132b的距离d8优选与从侧面23至立起部132基端132a的距离d7相同。距侧面23的距离d7、d8，例如能够设定成5～30mm程度。
参照图12，对排出自排出部140的处理液的排出方向进行说明。排出部140包括朝向箭头H方向(第一方向)排出处理液的第一排出口140a。本实施方式中，第一排出口140a被设置在沿处理槽22侧面23的长度方向上相应于以预定间隔配置的基板18之间的位置。箭头H方向为朝向处理槽22的侧面23的上方。若箭头H方向朝着分流板130的倾斜部131的上侧，则对于该仰角没有特别的限定。优选箭头H方向为不超过分流板130的立起部132上端的方向。
在低于排出部140的第一排出口140a的位置，设置有在分流板130的下侧朝向箭头G方向(第二方向)排出处理液的第二排出口140b。优选第二排出口140b的孔径与第一排出口140a的孔径基本相同。第二方向低于从第一排出口140a排出处理液的第一方向。多个第二排出口140b按照大于第一排出口140a的间隔的方式被设置在沿处理槽22侧面23的长度方向上。长度方向上的第二排出口140b的间隔可被设定成第一排出口140a间隔的4倍程度。第二排出口140b与第一排出口140a一样，可以设置在相应于以预定间隔配置的基板18之间的位置。或者，第二排出口140b也可以设置在相应于以预定间隔配置的基板18的位置。
处理液从第二排出口140b朝向箭头G方向排出。图12所示的箭头G方向虽然被表示成靠近处理槽22斜面26的方向，但排出方向并不限定于此。箭头G方向只要是在分流板130的下侧朝向处理槽22的侧面23的上方，则其角度能够进行任意设定。
(动作及效果)
如图9所示，在第三实施方式的基板处理装置120，处理液从设置在沿侧面23的、处理槽22底部的排出部140朝向分流板130的上侧(箭头H方向)和分流板130的下侧(箭头G方向)两个方向排出。分流板130的上部具有立起部132，因此通过排出自排出部140的处理液，在处理槽22内形成如图13所示的水流。
通过分流板130的上侧朝向箭头H方向排出的处理液，形成如箭头h1、h2、h3、h4、h5、h6、h7、h8、h9、h10、h11所示的水流。水流h1～h11相当于图1所示的基板处理装置10和图2所示的基板处理装置20中的水流a1～a6。这样的水流h1～h11有助于基板18的处理。另一方面，在分流板130的下侧朝向箭头G方向排出的处理液，在处理槽22侧面23的附近区域形成沿侧面23上升的水流g1～g4、以及从上部开口溢出的水流g5。水流g1～g4作为吸引水流起到下述作用：将用于基板18处理后下降到处理槽22的底部的水流吸引到处理槽22的上部开口并使其溢出。
本实施方式中，第二排出口140b以大于第一排出口140a的间隔的方式进行设置，因此从处理槽22的整体来看，排出自分流板130下侧的处理液水流与排出自分流板130上侧的处理液水流相比水势较弱。排出自第一排出口140a的处理液水流不会被吸引水流g1～g4所拉近，如水流h1～h11所示，能够有效地贡献于基板18的处理。
首先，对贡献于基板18处理的水流h1～h11进行说明。排出部140和侧面23之间设置有上部包括立起部132的分流板130。因此，如图12所示，从排出部140的第一排出口140a朝箭头H方向排出的处理液形成流向位于箭头H方向上方的水流h1(参照图13)。由于水流h1流向上方，因此在处理槽22内上升的水流(h2、h3、h4)按照下述方式形成：从处理槽22的侧面23离开而更靠近基板18，与最靠近处理槽22侧面23的基板18的外边缘重叠。
基板18的中心附近，不受排出自排出部140而上升的水流的影响。以靠近基板18而在处理槽22内上升的水流基本上朝向基板18的中心附近流入(h5、h6、h7)。靠近基板18而上升的部分水流有时从处理槽22的上端开口溢出并流到未图示的外槽(i1、i2)。
流入到基板18的中心附近的水流伴随从基板18表面离开的颗粒、因重力朝向处理槽22的底部下降(h8、h9、h10、h11)。下降的水流(h11)中的一部分朝向排液口28(h12)，作为水流h13从排液口28流出。水流h12、h13相当于第二实施方式的基板处理装置20中的水流a8、a9。与第二实施方式的情况一样，水流h12、h13促进水流(h8、h9、h10、h11)的下降。
本实施方式中，通过处理液在分流板130的下侧排出，由此分流板130和处理槽22之间会产生吸引水流(g1～g4)。从基板18的中心附近下降并流向处理槽22底部的水流的剩下部分被吸引到该吸引水流中。朝向处理槽22的底部下降的水流流向排出部140和底面24之间(j1)，并经过排出部140和底面24之间(j2)后，汇合到排出自排出部140的处理液水流中(j3)。其结果，会增加移动到分流板130下侧的水势。
通过设置有上部具有立起部132的分流板130，由此含有颗粒的水流汇入到吸引水流中，从基板18离开而在更靠近侧面23的区域上升(g1、g2、g3)。含有颗粒的水流与吸引水流形成一体，沿侧面23在处理槽22内进一步上升(g4)，然后从处理槽22的上端开口溢出，流到未图示的外槽(g5)。
沿侧面23在处理槽22内上升的水流(g1～g4)不会与靠近基板18在处理槽22内上升的水流(h1～h4)混合。因此，处理液中的颗粒在处理槽22内循环后再附着于基板18的担忧会少。如果分流板130的立起部132位于最靠近处理槽22侧面23的基板18的外边缘的外侧，则含有颗粒的水流会在更离开基板18而更靠近侧面23的区域上升，因此颗粒再附着于基板18的担忧变得更小。
在第三实施方式的基板处理装置120中，与第一实施方式的基板处理装置10和第二实施方式的基板处理装置20一样，产生在处理槽22内较大区域进行循环的水流(h1～h11)，几乎流过基板18的整个表面和背面区域，产生较大流速的处理液水流。由于处理液能够更均匀地供给到基板18的整个表面和背面区域，因此在第三实施方式的基板处理装置120与第一、第二实施方式的情况相同地也能够提高处理基板18面内的均匀性。
而且，在第三实施方式的基板处理装置120，与第二实施方式的基板处理装置20一样，在处理槽22的底面24设置有排液口28。由此，发生流出自排液口28的水流(h13)，因此与第二实施方式的情况一样，在第三实施方式的基板处理装置120，供给到基板18表面和背面的处理液的均匀性能够得到进一步提高。而且，也可以获得从处理槽22中可迅速去除处理液中的颗粒的效果。在基板处理装置120通过在处理槽22的底部设置有斜面26，由此也降低了颗粒残留在处理槽内22的担忧。
而且，在第三实施方式的基板处理装置120，排出自排出部140的处理液朝向用分流板130隔开的两个方向排出，因此与有助于基板18处理的水流(h1～h11)不同地，流向处理槽22的上部开口的吸引水流(g1～g5)形成在靠近侧面的区域。
由于流经基板18面内而伴有颗粒的处理液朝向处理槽22的底部下降后，经过分流板130和斜面26之间后汇合到吸引水流中。由于设置有上部具有立起部132的分流板130，伴有颗粒的处理液从基板18离开后在靠近侧面23的区域上升，并从上部开口溢出后被排出(g5)。由此，离开基板18表面的颗粒不会在处理槽22内进行循环，而是迅速地被引导到处理槽22的外部。由此能够有效地减少处理槽22内的颗粒，也可以减少颗粒再附着在基板18的担忧。
从处理槽22的上部开口汇合到吸引水流的含有颗粒的水流优先溢出而被流出。由于为了进行基板18的处理而从第一排出口140a排出的处理液中、从处理槽22的上部开口溢出而流出去的比例会降低，因此处理液的利用效率也得到提高。
对第三实施方式的基板处理装置120中的水流进行分析时，得到如图14所示的模拟结果。与图2的情况一样，图14中颜色的浓淡也表示水流的流速，颜色越浓流速越大。与图2的情况相同，图14中，颜色最浓的部分为基板18的几乎整个表面和背面区域。由此可知，用基板处理装置120处理基板18时，经过基板18的几乎整个表面和背面区域后，以较大流速产生处理液的水流，由此处理液能够被均匀地被供给。
图14明显表示出，从基板18的中心附近朝向处理槽22底部下降的水流经过斜面26和分流板130之间后沿侧面3上升。由此可知，在基板处理装置120，通过这种沿处理槽22的侧面23上升的水流，能够从上部开口迅速去除从基板18表面离开的颗粒。
4、变形例
本发明并不限定在上述实施方式，可以在本发明的主要内容范围内进行适宜的改变。
上述实施方式中，虽然作为排出部14使用了在侧面包括沿长度方向上的多个开口的管状部件，但并不限定于此。排出部14可以按照下述方式构成：沿侧面13、23直线状排列有多个朝向处理槽12、22的侧面13、23向上方排出处理液的喷嘴。
设置在第二实施方式的基板处理装置20的处理槽22底面的排液口28，并不限定于连续沟槽，也可以是独立设置的多个孔。此时，多个孔可分别设置在与按照预定间隔排列的基板之间的间隙相对应的底面区域。
第三实施方式中，虽然排出部140的第二排出口140b设置在低于第一排出口140a的位置，但并不限定于此。只要是第一排出口140a能够朝向第一方向排出处理液、第二排出口140b能够朝向低于第一方向的第二方向排出处理液，第二排出口140b就可以在任意位置上设置。
本发明的基板处理装置中，可以用任意处理液对以预定间隔配置的多个基板进行处理。在像磷酸那样使用比重较大处理液时，可以特别发挥出本发明的效果。

Claims (4)

1.一种基板处理装置，对以预定间隔配置的多个基板进行处理，其特征在于，包括：
处理槽，用于存储处理液，具有沿所述多个基板的厚度方向的相对而置的一对侧面和底面，且具有上部开口，且包括外槽；
排出部，配置在所述处理槽的底部，朝向所述侧面向上方排出处理液，
排液口，在所述处理槽的所述底面的相对而置的一对侧面的中央附近，沿着所述多个基板的排列而设置，
其中，所述排出部配置在比所述多个基板中与所述处理槽的所述底面最接近的外边缘位于下侧的位置上，且比所述多个基板中与所述处理槽的所述侧面最接近的外边缘位于内侧的位置上，
在所述基板的处理中，
从所述排出部朝向所述处理槽的所述侧面向上方排出所述处理液，由此产生沿所述处理槽的所述侧面上升的所述处理液的水流，所述上升的所述处理液的水流将流入所述基板的中心区域，在从所述处理槽的所述侧面相距开的所述基板的中心区域，产生朝向所述处理槽的所述底部下降的所述处理液的水流，下降的所述处理液朝向所述排出部的方向，与排出自所述排出部的处理液汇合，所述汇合的所述处理液沿所述处理槽的所述侧面上升，并沿着所述基板的表面和背面在所述处理槽内部进行循环，
所述上升的所述处理液的一部分从所述处理槽的所述上部开口溢出而流入到所述外槽，
通过从所述排液口排出预定量的所述处理液，由此产生流向所述排液口的所述处理液的水流，促进所述处理液的下降。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理槽的所述侧面为沿垂直于所述底面方向延伸的一对平面。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
包括第一引入路径，将排出自所述排液口的所述处理液引入到所述排出部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
包括第二引入路径，将流入到所述外槽的所述处理液引入到所述排出部，
所述第一引入路径与所述第二引入路径上的泵的上游相连接。
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