CN116250062A - 工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统 - Google Patents

工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统 Download PDF

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兼子优起
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Abstract

在本发明的工件的清洗处理方法及系统中，上侧整流板的孔的直径比下侧整流板的孔的直径小。在本发明的工件的清洗处理方法中，根据下侧整流板的多个孔的面积的总和A(mm2)及上侧整流板的多个孔的面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)，或者，根据供给流量Q(L/min)，确定面积的总和A(mm2)和/或面积的总和B(mm2)。本发明的工件的清洗处理系统还具备：计算部，根据面积的总和A(mm2)及面积的总和B(m2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)；及控制部，控制成以已确定的供给流量Q(L/min)供给清洗液。面积的总和A(mm2)、面积的总和B(mm2)以及已确定的供给流量Q(L/min)，或者供给流量Q(L/min)以及已确定的面积的总和A(mm2)和/或面积的总和B(mm2)满足规定关系式。

Description

工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统
技术领域
本发明涉及一种工件的清洗处理方法及工件的清洗处理系统，特别涉及硅晶片等的半导体晶片的清洗，尤其涉及与单片式的浸洗相关的清洗处理方法及清洗处理系统。
背景技术
作为在硅晶片的制造中的清洗的一方式，有单片式的浸洗。在此浸洗中，通过将设置于清洗槽内的晶片浸泡于清洗液(例如臭氧水)，对附着于晶片的有机物进行氧化去除(在臭氧水的情况下，进一步以氧化膜覆盖晶片的表面)。
一般来说，臭氧水等的清洗液从清洗槽的下部流入并充满清洗槽内后，在清洗槽的上部溢流，而向包围清洗槽的排液沟流入，再向清洗槽外流出。例如在单片式的清洗处理方法中，如上述所示，在清洗液所流动的清洗槽内，通过机械手臂所设置的晶片逐片被输送并逐片地被全面清洗。
在这种清洗处理方法中，为了提高在晶片的面内的清洗的均匀性，以各种方式对清洗槽内的清洗液的流动进行整流。例如，在专利文献1中公开有在清洗槽的底部，水平地配置在下方具备多个孔的一支管，从孔排出清洗液，并且在晶片与管之间设置具有多个孔的多片整流板。并且，例如，在专利文献2中公开有在清洗槽的下部设置具有清洗液的入口的缓冲槽，并设置多片整流多孔板，该整流多孔板设置有清洗液所流通的多个流通孔。而且，在专利文献2中，公开有流通孔的孔径形成为越是设置在上位置的整流多孔板越小。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平04-056321号公报
专利文献2：日本特开平09-232272号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在此，在晶片的清洗中，因为希望减少每一片晶片的清洗液的使用量，所以优选为清洗槽尽量小。尤其，在单片式的清洗中，因为与批次式的清洗相比产出量低，所以需要设置很多的清洗槽，而特别希望使一台清洗槽尽量小。并且，若清洗槽大时，则清洗液的流动的控制变得困难且向槽外排出粒子变得困难，从这一点出发，也优选清洗槽小。
可是，在专利文献1的手法中，由于通过水平地配置管，并从其下方的孔向清洗槽的底部喷射清洗液来缓和其流速，因此需要用于设置管的空间，而存在清洗槽变大的问题。并且，在专利文献2中，若清洗液的流动在未充分地缓和的状态到达整流多孔板时，则有可能清洗液从一部分的孔大量地流通而无法得到充分的整流效果，需要设置大的缓冲槽来应付这一点，从而存在清洗槽也变大的问题。并且，如上述所示的问题不仅在清洗对象是晶片的情况会发生，而且在进行相同的清洗的工件整体也会发生。
因此，本发明的目的在于提供一种工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统，该工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统不会使清洗槽超出必要地大型化，并可对在清洗槽内的清洗液的流动进行整流。
用于解决技术问题的方案
本发明的主旨结构如以下所示。
(1)一种工件的清洗处理方法，其包含以下的工序：
准备清洗槽的工序；
在所述清洗槽内设置工件的工序；以及
从设置在所述清洗槽的底部的清洗液供给口向所述清洗槽内供给清洗液来对所述工件进行清洗处理的工序；
所述工件的清洗处理方法的特征在于：
在设置所述工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；
所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；
所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；
还包含根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和A(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和B(mm2)来确定所述清洗液的供给流量Q(L/min)的工序，在供给所述清洗液并对所述工件进行清洗处理的工序中，以确定的所述供给流量Q(L/min)供给所述清洗液，或者还包含根据所述供给流量Q(L/min)来确定所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)的工序，在准备所述清洗槽的工序中，准备具备所述下侧整流板和/或所述上侧整流板的所述清洗槽，而所述下侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和A(mm2)的所述多个孔，所述上侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和B(mm2)的所述多个孔；
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)以及已确定的所述供给流量Q(L/min)，或者所述供给流量Q(L/min)以及已确定的所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)满足以下的关系式(a)，
B/A≥5.6×10-2exp(0.46Q)且
B/A≤-6.9×10-2Q2+1.2Q+3.4。
(2)根据上述(1)所述的工件的清洗处理方法，其中，
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及已确定的所述供给流量Q(L/min)，或者所述供给流量Q(L/min)及已确定的所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)还满足以下的关系式(b)，
B/A≥3.2×10-2Q2+0.36Q-0.47且
B/A≤-5.1×10-2Q2+1.1Q+0.62。
(3)根据(1)或(2)所述的工件的清洗处理方法，其中，
所述2片整流板之间的距离为10mm以上。
(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的工件的清洗处理方法，其中，
所述工件为晶片，且在所述晶片被设置于所述清洗槽内的状态下，在包含所述晶片的中心的高度的所述清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。
(5)一种工件的清洗处理系统，其具备清洗槽，特征在于：
所述清洗槽构成为在所述清洗槽内可设置工件；
在所述清洗槽的底部，设置有向所述清洗槽内供给清洗液的清洗液供给口；
在所述清洗槽内的设置工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；
所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；
所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；
所述系统还具备：计算部，根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和A(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和B(mm2)，确定所述清洗液的供给流量Q(L/min)；及控制部，控制成以已确定的所述供给流量Q(L/min)供给所述清洗液；
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及通过所述计算部所确定的所述供给流量Q(L/min)满足以下的关系式(a)，
B/A≥5.6×10-2exp(0.46Q)且
B/A≤-6.9×10-2Q2+1.2Q+3.4。
(6)根据上述(5)所述的工件的清洗处理系统，其中，
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及通过所述计算部所确定的所述供给流量Q(L/min)还满足以下的关系式(b)，
B/A≥3.2×10-2Q2+0.36Q-0.47且
B/A≤-5.1×10-2Q2+1.1Q+0.62。
(7)根据上述(5)或(6)所述的工件的清洗处理系统，其中，
所述2片整流板之间的距离为10mm以上。
(8)根据上述(5)～(7)中任一项所述的工件的清洗处理系统，其中，
所述工件为晶片，且在所述晶片被设置于所述清洗槽内的状态下，在包含所述晶片的中心的高度的所述清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。
发明效果
若根据本发明，能够提供一种工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统，该工件的清洗处理方法以及工件的清洗处理系统不会使清洗槽超出必要地大型化，并可对在清洗槽内的清洗液的流动进行整流。
附图说明
图1是本发明的一实施方式所涉及的工件的清洗处理系统的示意图。
图2是本发明的一实施方式所涉及的工件的清洗处理方法的流程图。
图3是表示清洗液的流量及B/A、与效果的关系的图。
图4是表示整流板之间的距离、与为了排出粒子所需的时间的关系的图。
具体实施方式
以下，参考图面，详细地举例说明本发明的实施方式。
<工件的清洗处理系统>
首先，说明本发明的一实施方式的工件的清洗处理系统。后述的工件的清洗处理方法的实施方式例如能够使用此工件的清洗处理系统来进行。
图1是本发明的一实施方式所涉及的工件的清洗处理系统的示意图。如图1所示，本实施方式的工件的清洗处理系统1具备清洗槽2、计算部6以及控制部7。
清洗槽2构成为在该清洗槽2内可设置工件W。工件W成为清洗处理的对象，作为一例，能够为硅晶片等的半导体晶片。在本例中，工件W是硅晶片。图示的清洗槽2是构成为可设置1片晶片的单片式的晶片清洗槽，能够适合地应用于浸洗。工件W的直径无特别地限定，在工件W是晶片的情况下，例如能够为200mm、300mm、450mm。清洗槽2优选为在与工件W的大小对应的(可设置规定大小的工件W的)范围内比较小。具体而言，当工件W是晶片的情况时，在晶片被设置于清洗槽2内的状态下，优选在包含晶片的中心的高度的清洗槽2的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。若上述水平截面积是9000mm2以上，则例如是可收容直径450mm的晶片，另一方面，若上述水平截面积是60000mm2以下，则能够减少清洗液的使用量。清洗槽2无特别地限定，但例如能够为由石英玻璃构成。工件W通过架(未图示)被支撑成工件W的面对水平方向成为垂直。工件W通过例如机械手臂(未图示)向清洗槽2内被输送并设置。该机械手臂能够也用于从清洗槽搬出清洗后的工件W。
如图1所示，在清洗槽2的底部，设置向清洗槽2内供给清洗液的清洗液供给口(喷嘴)3(在本例为2个)。清洗液供给口3的个数无特别地限定，也能够为1个或3个以上。为了使清洗液的在清洗槽2内的流动均匀，清洗液供给口3优选相对于工件W为对称性的配置。例如，如图所示，从正面观察晶片的面，能够相对于晶片中心的稍下方的位置等距离地配置。
并且，如图1所示，在清洗槽2内的设置工件W的位置与底部之间，配置2片整流板，该2片整流板由上侧整流板4与下侧整流板5所构成，而该下侧整流板5位于比该上侧整流板4更靠近清洗槽2的底部侧。如图所示，2片整流板分别被配置成上下面成为水平方向。上侧整流板4及下侧整流板5分别具有清洗液可通过的多个孔4a及5a。孔被排列成格子状，在一列等间隔地(无特别地限定，例如5mm～20mm的间距间隔)配置孔，并其被配置多列(在行方向)。例如，孔能够配置成奇数列与偶数列在向行方向投影时重叠，或者也能够奇数列与偶数列在向行方向投影时交错状地配置成错开列方向的一半间距的量。在上侧整流板4所设置的多个孔优选为大小均等，并且，在下侧整流板5所设置的多个孔优选为大小均等。在本实施方式中，上侧整流板4的孔的直径比下侧整流板5的孔的直径小。此外，在上侧整流板4所设置的孔的直径不是均等的情况和/或在下侧整流板5所设置的孔的直径不是均等的情况下，在各整流板中取孔的直径的平均值时，上侧整流板4的孔的直径比下侧整流板5的孔的直径小。虽然没有特别地限定，但下侧整流板5的孔的直径能够为2～7mm，上侧整流板4的孔的直径在比下侧整流板5的孔的直径小的范围内，能够为1～5mm。2片整流板4、5之间的距离(最短距离)优选为10mm以上。2片整流板4、5之间的距离越大，在清洗液通过下侧整流板5后，能够确保作为降低流速的缓冲器发挥作用的区域较大，为了能够使流动成为更均匀，优选为上述距离是10mm以上。另一方面，鉴于不需要大尺寸的清洗槽2的观点、或作为上述缓冲器的效果随着距离增加而逐渐饱和的情况，优选为上述距离是40mm以下。
作为上述的清洗液，在本例中使用臭氧水，由此，不仅能够去除粒子，而且能够在晶片的表面形成氧化膜。作为清洗液的其他的例子，也能够采用含有任意的清洗剂成分的液体或纯水。
此处，利用泵等从清洗液供给口3向清洗槽2内供给清洗液时，清洗液通过下侧整流板5的多个孔5a，接着通过上侧整流板4的多个孔4a，流至清洗槽2的上部，并被在上部所设置的溢流槽回收。所回收的清洗液被进行过滤等的处理后，再利用泵等从清洗液供给口3向清洗槽2内被供给。
计算部6根据下侧整流板5的多个孔5a的面积的总和A(mm2)及上侧整流板4的多个孔4a的面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)。计算部6能够采用任意的已知的计算器。在本实施方式中，计算部6根据B/A，确定清洗液的供给流量Q。更具体而言，根据关系式(a)(优选地，也根据关系式(b))，以满足该关系式的方式确定清洗液的供给流量Q。在本例中，在满足关系式(a)(优选为关系式(b))的范围内的供给流量的确定方法为任意，例如，也能够为了使清洗液的量成为最少而采用在该范围内的最小值及其附近的值，也能够为了缩短清洗时间而采用在该范围内的最大值及其附近的值，或者，为了在供给流量发生不均等的情况下，也能够更可靠地满足上述关系式(a)(优选还为关系式(b))，为与将横轴当作B/A、将纵轴当作Q时的该区域的重心位置及其附近对应的供给流量。
控制部7控制成以已确定的供给流量Q(L/min)供给清洗液。具体而言，作为一例，能够采用通过以使清洗液供给口3的阀开闭来调整流路的大小的方式将供给流量控制成已确定的供给流量Q。控制部7能够为包含任意的已知的处理器。
如在后述的实施例中也示出的那样，上述下侧整流板5的多个孔5a的面积的总和A(mm2)、上述上侧整流板4的多个孔4a的面积的总和B(mm2)、以及通过计算部6所确定的上述供给流量Q(L/min)满足以下的关系式(a)，
B/A≥5.6×10-2exp(0.46Q)且
B/A≤-6.9×10-2Q2+1.2Q+3.4。
优选地，上述下侧整流板5的多个孔5a的面积的总和A(mm2)、上述上侧整流板4的多个孔4a的面积的总和B(mm2)、以及通过计算部6所确定的上述供给流量Q(L/min)还满足以下的关系式(b)，
B/A≥3.2×10-2Q2+0.36Q-0.47且
B/A≤-5.1×10-2Q2+1.1Q+0.62。
以下，说明本实施方式的工件的清洗处理系统的作用效果。
首先，在本实施方式的工件的清洗处理系统中，上侧整流板4的孔4a的直径比下侧整流板5的孔5a的直径小。由此，已通过下侧整流板5的孔5a的清洗液的流动无法直接流穿其稍上的上侧整流板4的孔4a，而也朝向其他的孔4a并沿着上侧整流板4流动。由此，能够减少孔之间的流动的偏倚。此外，在上侧整流板4的孔4a的直径比下侧整流板5的孔5a的直径大或相等的情况下，即使满足上述关系式(a)(或满足(a)及(b))，也无法得到充分的整流效果。
在此，本发明人等如以下所示，查明面积的总和A与面积的总和B的相对性的关系影响整流效果，而且其还依赖于供给流量Q。
即，面积的总和B过大于面积的总和A时(例如B/A过大时)，因为通过下侧整流板5的孔5a时的压力变成(与上侧整流板对比相对地)过大，而清洗液的流动到达上侧整流板4时的流动的偏倚变大，进一步，由于在上侧整流板4不产生差压，所以整流效果变小。另一方面，面积的总和B过小于面积的总和A时(例如B/A过小时)，因为在下侧整流板5的整流成为不充分，且由于作用于上侧整流板4的孔的压力过高，所以在清洗液通过下侧整流板5后的流动发生偏倚，而整流效果变小。
并且，供给流量Q越多，为了得到整流效果的适当的面积的总和A与面积的总和B的相对性的关系的差异越大(例如若是B/A，则其值变大)。这是由于供给流量Q多时，通过整流板的流速的偏倚变大，为了减少偏倚，需要使下侧整流板5的孔5a的面积的总和A变小，而难以通过下侧整流板5的孔5a，并在通过下侧整流板5之前，降低从清洗液供给口3所喷出的清洗液的力道。并且，供给流量Q多时，因为作用于上侧整流板4的压力变大，所以通过上侧整流板4的孔4a的清洗液的流速成为过大，而通过后的清洗液的流动的偏倚变大。因此，需要使上侧整流板4的孔的面积的总和B相对地变大，并降低作用于上侧整流板4的压力，减少清洗液的流速的偏倚。
基于这些情况以及后述的实施例中也示出的情况，本发明人等得到以下的见解，通过满足上述关系式(a)(优选为也还满足上述关系式(b))，能够有效地得到所要的效果。即，能够在下侧整流板5降低从清洗液供给口3所供给的清洗液的速度，且在清洗液的流动到达上侧整流板4之前减少流动的偏倚。然后，通过在上侧整流板4的前后产生差压，能够作成清洗液从上侧整流板4的任一个孔4a都均匀地通过，而在上侧整流板4的通过后能够得到清洗液的均匀的上升流。通过该均匀的上升流，能够迅速地排出在清洗槽2内流动的粒子。
根据此方式，通过计算部6，根据面积的总和A(mm2)及面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)，通过控制部7控制成以计算部6所确定的供给流量Q(L/min)供给清洗液，因为面积的总和A(mm2)、面积的总和B(mm2)以及已确定的供给流量Q(L/min)满足上述关系式(a)，所以能够对清洗液有效地进行整流。
如以上所示，若根据本实施方式的工件的清洗处理系统，不会使清洗槽超出必要地大型化，并能够对在清洗槽内的清洗液的流动进行整流。
在此，在本发明的工件的清洗处理系统中，面积的总和A(mm2)、面积的总和B(mm2)以及已确定的供给流量Q(L/min)优选为还满足上述关系式(b)。如在后述的实施例中也示出的那样，这是由于能够对在清洗槽内的清洗液的流动更均匀地进行整流。
并且，在本发明的工件的清洗处理系统中，2片整流板4、5之间的距离优选为10mm以上。这是由于在清洗液通过下侧整流板5之后，能够确保作为降低流速的缓冲器发挥作用的区域较大，而使流动更均匀。并且，清洗槽2的底部与下侧整流板5的距离(最短距离)也优选是10mm以上。这是由于清洗液从清洗液供给口3被供给并到达下侧整流板5之前，能够确保作为降低流速的缓冲器发挥作用的区域较大，而使流动更均匀。
并且，在本发明的工件的清洗处理系统中，工件为晶片，且在晶片被设置于清洗槽2内的状态下，优选为在包含晶片的中心的高度的清洗槽2的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。若上述水平截面积是9000mm2以上，则例如可收容直径450mm的晶片，另一方面，若上述水平截面积是60000mm2以下，则能够减少清洗液的使用量。并且，这是由于在该范围的大小的清洗槽2中，若使上侧整流板4的孔4a的直径比下侧整流板5的孔5a的直径小，且满足上述关系式(a)(优选为满足上述关系式(b))，则能够得到更好的整流效果。
<工件的清洗处理方法>
其次，说明本发明的一实施方式所涉及的工件的清洗处理方法。
图2是本发明的一实施方式所涉及的工件的清洗处理方法的流程图。如图2所示，在本实施方式中，首先，准备清洗槽2(步骤S101)。关于清洗槽2或清洗槽2所具有的构成要件，因为与在前面对工件的清洗处理系统所说明的相同，所以省略说明。
接着，在清洗槽2内设置工件W(步骤S102)。在清洗槽内设置工件W，这如上述所示，例如，能够通过架(未图示)支撑成工件W的面相对于水平方向成为垂直，工件W例如能够通过机械手臂(未图示)向清洗槽2内被输送并设置。
然后，根据下侧整流板5的多个孔5a的面积的总和A(mm2)及上侧整流板4的多个孔4a的面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)(步骤S103)。此确定例如能够通过上述的计算部6如上述所示进行。此外，该步骤S103也能够在步骤S101或步骤S102之前进行。
然后，从在清洗槽2的底部所设置的清洗液供给口3向清洗槽2内供给清洗液，并对工件W进行清洗处理(步骤S104)。关于所使用的清洗液，如上述所示。在此，以在步骤S103已确定的供给流量Q(L/min)供给清洗液。
接着，结束清洗处理，并向清洗槽外搬出工件W(步骤S105)。搬出能够使用上述的机械手臂等进行。然后，对下一个工件W，通过从步骤S102重复进行(步骤S106)，能够对工件W逐片地进行清洗处理。
以下，说明本实施方式的工件的清洗处理方法的作用效果。
在本实施方式的工件的清洗处理方法中，也因为上侧整流板4的孔4a的直径比下侧整流板5的孔5a的直径小，所以针对系统与上述的一样，能够减少上侧整流板4的孔之间的流动的偏倚。
并且，在步骤S103中，根据面积的总和A(mm2)及面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/min)，在步骤S104中，以在步骤S103已确定的供给流量Q(L/min)供给清洗液，对工件W进行清洗处理，因为面积的总和A(mm2)、面积的总和B(mm2)以及已确定的供给流量Q(L/min)满足上述关系式(a)，所以针对系统与上述的一样，能够对清洗液有效地进行整流。
如以上所示，若根据本实施方式的工件的清洗处理方法，则不会使清洗槽成为超出必要地大型化，并能够对在清洗槽内的清洗液的流动进行整流。
在本发明的工件的清洗处理方法中，面积的总和A(mm2)、面积的总和B(mm2)以及已确定的供给流量Q(L/min)，或供给流量Q(L/min)、以及已确定的面积的总和A(mm2)和/或面积的总和B(mm2)优选为还满足以下的关系式(b)，
B/A≥3.2×10-2Q2+0.36Q-0.47且
B/A≤-5.1×10-2Q2+1.1Q+0.62。
如在后述的实施例中也示出的那样，这是由于能够对在清洗槽内的清洗液的流动更均匀地进行整流。此外，关于根据供给流量确定面积的总和A和/或面积的总和B的变形例将在后面进行叙述。
在本发明的工件的清洗处理方法中，2片整流板之间的距离优选为10mm以上。这是由于在清洗液通过下侧整流板5之后，能够确保作为降低流速的缓冲器发挥作用的区域较大，而使流动更均匀。并且，清洗槽2的底部与下侧整流板5的距离(最短距离)也优选是10mm以上。这是由于清洗液从清洗液供给口3被供给并到达下侧整流板5之前，能够确保作为降低流速的缓冲器发挥作用的区域较大，而使流动更均匀。
在本发明的工件的清洗处理方法中，优选工件为晶片，且在晶片被设置于清洗槽内的状态下，在包含晶片的中心的高度的清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。若上述水平截面积是9000mm2以上，则例如可收容直径450mm的晶片，另一方面，若上述水平截面积是60000mm2以下，则能够减少清洗液的使用量。并且，这是由于在该范围的大小的清洗槽2中，若使上侧整流板4的孔4a的直径比下侧整流板5的孔5a的直径小，且满足上述关系式(a)(优选为满足上述关系式(b))，则能够得到更好的整流效果。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式。例如，在上述的例子中，表示根据面积的总和A与面积的总和B的关系来确定供给流量Q的情况，但是也能够根据供给流量Q来确定面积的总和A和/或面积的总和B。作为一例，能以满足上述关系式(a)(优选为也满足上述关系式(b))的方式确定B/A的值并确定A和/或B。在方法的发明中，只要准备具备下侧整流板和/或上侧整流板的清洗槽即可，而该下侧整流板包括具有如上述确定的面积的总和A的多个孔，该上侧整流板包括具有如上述确定的面积的总和B(mm2)的多个孔，具体而言，能够将整流板更换成适合的孔的直径、例如通过滑动使整流板的孔的直径可变来调整等。在系统的发明中，该系统还能够具备用于进行上述更换的机械手臂、或用于调整孔的直径的滑动调整机构。
并且，上述的工件的清洗处理方法的实施方式表示使用上述的工件的清洗处理系统来进行的例子，但并不限定于此，例如，也能够在步骤S103所进行的供给流量Q的确定在与系统不同的电脑进行，并且，也能够通过手动输入的方式来进行在步骤S104所进行的已确定的对供给流量的控制。
此外，关于根据面积的总和A及面积的总和B(mm2)来确定供给流量Q，在上述的实施方式表示根据B/A(具体而言，根据关系式(a)(及关系式(b))来确定供给流量的情况，但是并不限定于此。即，如在后述的实施例中也示出的那样，关系式(a)及关系式(b)表示可得到效果的边界线，其具体的数式的形式只不过是为了方便，可进行各种的替代。例如，替代B/A，也能够采用B/(A+1)、B/A2等。并且，若Q的数学式也划分定义域，则例如也能够仅由一次式表示，在使用如这些的替代的数学式的情况下，也希望留意根据面积的总和A及面积的总和B(mm2)来确定供给流量Q这一点。其中，确定后的(作为结果的)A、B以及Q满足上述关系式(a)(优选为还满足关系式(b))。在根据供给流量Q来确定面积的总和A和/或面积的总和B的情况下，也一样地可使用各种的数学式。
以下，对本发明的实施例进行说明，但是本发明并不限于以下的实施例。
实施例
(实施例1)
在清洗槽设置2片整流板(是如图1所示的清洗槽)，并以粒子计数器测量持续供给纯水时的清洗槽内的液中粒子量的变化，测量了粒子量达到开始供给时的1/10所需的时间。若是小于5分钟，判定为“有效”；若是5分钟以上且小于20分钟，判定为“稍微有效”；若是20分钟以上，判定为“效果差”(图3)。
供给的纯水的流量在1～10L/min的范围内并采用1L/min刻度。2片整流板的孔的直径为φ1～5mm的整数值，并上侧整流板的孔的直径总是比下侧整流板的孔的直径小。通过孔的直径与个数，分别改变整流板的面积的总和A与B。孔在整流板被钻孔成均匀地分布。液供给喷嘴的开孔在水平方向被钻孔成清洗液不会朝向下侧整流板直接地喷出。2片整流板之间被设置成分开20mm。清洗槽使用槽内的水平截面积为约25000mm2的长方体形状的清洗槽。
在图3，以虚线表示成为“有效”或“稍微有效”的区域、与成为“效果差”的区域的边界线，这2条边界线对应于关系式(a)(在关系式(a)中等号的情况)。此外，边界线根据拟合法(fitting)算出。并且，以实线表示成为“有效”的区域、与成为“稍微有效”的区域的边界线，这2条边界线对应于关系式(b)(在关系式(b)中等号的情况)。根据此方式，在满足关系式(a)的区域，为“有效”或“稍微有效”，能够得到整流效果，并且，在满足关系式(b)的区域，为“有效”，能够得到更高的整流效果。
(实施例2)
进而，使用与实施例1相同的清洗槽，改变2片整流板之间的距离并持续供给清洗液时，测量了在清洗液的单位体积中的粒子量达到开始供给清洗液时的1/10所需的时间(图4)。在此，令全部液流量为5L/min、B/A＝3.8。
如图4所示，得知将整流板之间的距离为小于10mm时，为了使粒子量减少至1/10，需要5分钟以上，并该时间随着整流板之间的距离变短而急速地变长。
附图标记说明
1-清洗处理系统，2-清洗槽，3-清洗液供给口，4-上侧整流板，5-下侧整流板，6-计算部，7-控制部。

Claims (8)

1.一种工件的清洗处理方法，其包含以下的工序：
准备清洗槽的工序；
在所述清洗槽内设置工件的工序；以及
从设置在所述清洗槽的底部的清洗液供给口向所述清洗槽内供给清洗液来对所述工件进行清洗处理的工序；
所述工件的清洗处理方法的特征在于：
在设置所述工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；
所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；
所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；
还包含根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和A(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和B(mm2)来确定所述清洗液的供给流量Q(L/min)的工序，在供给所述清洗液并对所述工件进行清洗处理的工序中，以确定的所述供给流量Q(L/min)供给所述清洗液，或者还包含根据所述供给流量Q(L/min)来确定所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)的工序，在准备所述清洗槽的工序中，准备具备所述下侧整流板和/或所述上侧整流板的所述清洗槽，而所述下侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和A(mm2)的所述多个孔，所述上侧整流板包括具有已确定的所述面积的总和B(mm2)的所述多个孔；
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)以及已确定的所述供给流量Q(L/min)，或者所述供给流量Q(L/min)以及已确定的所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)满足以下的关系式(a)，
B/A≥5.6×10-2exp(0.46Q)且
B/A≤-6.9×10-2Q2+1.2Q+3.4。
2.根据权利要求1所述的工件的清洗处理方法，其中，
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及已确定的所述供给流量Q(L/min)，或者所述供给流量Q(L/min)及已确定的所述面积的总和A(mm2)和/或所述面积的总和B(mm2)还满足以下的关系式(b)，
B/A≥3.2×10-2Q2+0.36Q-0.47且
B/A≤-5.1×10-2Q2+1.1Q+0.62。
3.根据权利要求1或2所述的工件的清洗处理方法，其中，
所述2片整流板之间的距离为10mm以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的工件的清洗处理方法，其中，
所述工件为晶片，且在所述晶片被设置于所述清洗槽内的状态下，在包含所述晶片的中心的高度的所述清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。
5.一种工件的清洗处理系统，其具备清洗槽，特征在于：
所述清洗槽构成为在所述清洗槽内可设置工件；
在所述清洗槽的底部，设置有向所述清洗槽内供给清洗液的清洗液供给口；
在所述清洗槽内的设置工件的位置与所述底部之间，配置有2片整流板，所述2片整流板由上侧整流板与下侧整流板所构成，而所述下侧整流板位于比该上侧整流板更靠近所述清洗槽的所述底部侧；
所述上侧整流板及所述下侧整流板分别具有多个孔；
所述上侧整流板的所述孔的直径比所述下侧整流板的所述孔的直径小；
所述系统还具备：计算部，根据所述下侧整流板的所述多个孔的面积的总和A(mm2)及所述上侧整流板的所述多个孔的面积的总和B(mm2)，确定所述清洗液的供给流量Q(L/min)；及控制部，控制成以已确定的所述供给流量Q(L/min)供给所述清洗液；
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及通过所述计算部所确定的所述供给流量Q(L/min)满足以下的关系式(a)，
B/A≥5.6×10-2exp(0.46Q)且
B/A≤-6.9×10-2Q2+1.2Q+3.4。
6.根据权利要求5所述的工件的清洗处理系统，其中，
所述面积的总和A(mm2)、所述面积的总和B(mm2)及已确定的所述供给流量Q(L/min)还满足以下的关系式(b)，
B/A≥3.2×10-2Q2+0.36Q-0.47且
B/A≤-5.1×10-2Q2+1.1Q+0.62。
7.根据权利要求5或6所述的工件的清洗处理系统，其中，
所述2片整流板之间的距离为10mm以上。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的工件的清洗处理系统，其中，
所述工件为晶片，且在所述晶片被设置于所述清洗槽内的状态下，在包含所述晶片的中心的高度的所述清洗槽的水平截面积是9000mm2以上且60000mm2以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0456321A (ja) 1990-06-26 1992-02-24 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの洗浄装置
JPH06333903A (ja) * 1993-05-21 1994-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハー洗浄槽
JPH07297164A (ja) * 1994-04-22 1995-11-10 Nippon Steel Corp 半導体基板洗浄装置
JPH09232272A (ja) * 1996-02-27 1997-09-05 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板の洗浄装置
JPH10340880A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Mitsubishi Corp 半導体ウエハの洗浄処理方法及び装置
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