^380355_ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關對被處理基板使用二種類以上的處理液 在一個處理槽內進行複數的處理之基板處理裝置及基板處 理方法，特別是有關可使被處理基板的板面內之處理的均 ' 一性提升之基板處理裝置及基板方法。 、 又，本發明係有關在同一處理槽內對被處理基板連續 φ 進行使用藥液的複數種類的處理之基板處理裝置及基板處 理方法，特別是有關可使被處理基板的板面內之處理的均 一性提升的同時，可有效率地進行複數的處理之基板處理 裝置及基板處理方法。 又，本發明係有關從使用相異種類的藥液之複數的處 理來選擇一個的處理，在處理槽內對被處理基板進行該被 選擇的處理之基板處理裝置及基板處理方法，特別是可使 被處理的板面內之處理的均一性提升之基板處理裝置及基 • 板處理方法。 【先前技術】 以往，將半導體晶圓或玻璃基板等的被處理基板浸漬 於處理液的情形廣泛被進行。而且，在一個處理槽內依序 供給二種類以上的處理液，而於同一處理槽內進行複數的 處理之基板處理裝置及基板處理方法爲人所知。 在日本特開平8- 1 95 3 72中揭示有在同一槽內實施使 用藥液的處理、及其後進行之使用純水的洗滌處理的例子 -5- 1380355 在處 理基 內形 形成 夠在 工程 換處 是揭 給至 方式 特開 將處 之方 內配 許第 序供 、例 003 0 。此例是在積蓄有藥液的處理槽內浸漬被處理基板， 理槽內形成攪拌流，一邊補充該藥液，一邊處理被處 板。若根據如此的方法，則可使藥液的濃度在處理槽 成均一。並且，洗滌處理是藉由：以能夠在處理槽內 攪拌流的方式將純水供給至處理槽內之工程、及以能 * 處理槽內形成上昇流之方式將純水供給至處理槽內之 , ，來進行。若根據如此的洗滌處理，則可以純水來置 φ 理槽內的藥液的同時，可均一洗滌處理被處理基板。 在日本特開2001-274133中揭示有與上述特開平 8- 1 953 72所記載的處理方法同樣的處理方法（特開 2001-274133的第3實施形態）。但，有關洗滌處理 示可使以能夠在處理槽內形成攪拌流的方式將純水供 處理槽內之工程、及以能夠在處理槽內形成上昇流之 將純水供給至處理槽內之工程的其中之一先進行（ 2001-274133 的段落 0083)。 φ 另一方面，在日本特許第33 43 03 3號中是以能夠 理液積蓄於處理槽內的同時，在處理槽內形成上昇流 • 式，將該處理液補充於處理槽內的狀態下，在處理槽 . 置被處理基板而進行處理，而且，揭示有可將特 3 3 43 03 3號的構成適用於一邊將複數種類的處理液依 給至處理槽，一邊在單一的處理槽實施複數種的處理 如蝕刻處理及水洗處理（特許第3343033號的段落 然而，如日本特開2001-274133或特許第3343033號 『1380355
所揭示，若以能夠在處理槽內形成上昇流之方式對處理槽 內供給純水而以純水來置換處理槽內的藥液，則如特開平 8- 1 95 3 72的〔發明所欲解決的課題〕的欄所記載一般， 在被處理基板的板面中該被處理基板被配置於處理槽內時 配置於上方的部份與配置於下方的部份之間，處理的程度 會有不均之虞。 又，經本案發明者們深入硏究得知，若根據特開平 8_ 1 95 3 72所揭示的方法，則雖可依處理液的種類來確保 被處理基板的板面內之處理的均一性，但在將一部份的藥 液作爲處理液使用時，被處理基板的板面內之處理的均一 性會顯著降低。有關此點，例如特開200 1 -2 74 1 3 3或特開 2002- 1 00605等所揭示，以確保被處理基板的板面內之處 理的均一性爲目的，各種的硏究開發進行著。然而，經本 案發明者們深入硏究得知，雖依使用於處理的藥液種類， 某程度可藉由該等的公知方法來確保被處理基板的板面內 之處理的均一性，但在使用一部份的藥液時，果然被處理 基板的板面內之處理的均一性會顯著降低。 若根據本案發明者們所取得的以上見解，則爲了在如 此的被處理基板的處理中確保被處理基板的板面內之處理 的均一性的同時，有效率地進行處理，而必須按照藥液的 種類來變更被處理基板的處理方法。並且，在對被處理基 板進行使用相異的藥液之處理時，有關被處理基板的板面 內之處理的均一性的要求有時會按各處理而有所不同。此 情況’按照均一性的要求來變更被處理基板的處理方法爲 Γ^380355 有效。 【發明內容】 亦即，本發明是考慮該等的點 於提供一種對被處理基板使用二種 處理槽內進行複數的處理之基板處 ，特別是有關可使被處理基板的板 升之基板處理裝置及基板方法。 又，本發明的目的是在於提供 對被處理基板連續進行使用藥液的 處理裝置及基板處理方法，特別是 內之處理的均一性提升的同時，可 理之基板處理裝置及基板處理方法 又，本發明的目的是在於提供 的藥液之複數的處理來選擇一個的 處理基板進行該被選擇的處理之基 方法，特別是可使被處理的板面內 基板處理裝置及基板處理方法。 本案發明者們經深入硏究的結 應性明顯高的藥液來處理時，例如 時，對基板的板面之處理的進行程 面附近之處理液的濃度，連基板的 流、例如流速也會受到影響。以下 基板處理方法、基板處理裝置、程 而硏發著，其目的是在 類以上的處理液在一個 理裝置及基板處理方法 面內之處理的均一性提 一種可在同一處理槽內 複數種類的處理之基板 可使啤處理基板的板面 有效率地進行複數的處 〇 一種可從使用相異種類 處理，在處理槽內對被 板處理裝置及基板處理 之處理的均一性提升之 果，得知使用與基板反 使用氨水來蝕刻矽晶圓 度，不僅是在基板的板 板面附近之處理液的液 所說明之本發明的第1 式及程式記錄媒體是根 -8 - 1380355 據如此的見解來解決上述的課題。 本發明之第1基板處理方法的特徵係具備·· 在內部設有整流構件，且包含位於上述整流構件上側 的第1區域及位於上述整流構件下側的第2區域之處理槽 的上述第1區域內配置基板，將基板浸漬於上述處理槽所 * 積蓄的處理液之工程； * 對上述處理槽的上述第2區域供給藥液，經由上述整 φ 流構件來使上述藥液從上述第2區域流入至上述第1區域 ’一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇 流’一邊以上述藥液來置換上述處理槽內的上述處理液之 工程；及 對上述處理槽的上述第2區域供給水，經由上述整流 構件來使上述水從上述第2區域流入至上述第1區域，一 邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流， 一邊以上述水來置換上述處理槽內的上述藥液之工程。 * 若根據如此的基板處理方法，則以能夠在收容基板且 積蓄處理液的處理槽內形成上昇流的方式，供給藥液至處 • 理槽內。並且，處理槽內藉由藥液置換後，以能夠在處理 . 槽內形成上昇流的方式，供給水至處理槽內。任何的情況 皆是至少在上述基板的附近形成上昇流。因此，可藉由均 一形成上昇流，使基板的板面附近之液體的流動在板面內 大致成爲均一。其結果，不論液體的種類，可使基板的板 面內之處理的均一性提升。 又，若根據如此的基板處理方法，則即使使用由具有 -9- ./1380355 強反應性的氨水所構成的藥液，還是可大致均一地處理矽 晶圓等的基板。在此所謂的「由氨水所構成的藥液」是意 指含以氨爲主成分的水溶液，亦包含氨及氨以外的一種類 以上的成分（例如界面活性劑）微量混入的水溶液。另外 ，上述處理液最好爲水。 • 又，藉由藥液來置換的處理液最好是水。 、 在本發明的第1基板處理方法中，在以上述藥液來置 φ 換上述處理槽內的上述處理液之工程中供給至上述處理槽 內的上述藥液的每單位時間的供給量，可與在以上述水來 置換上述處理槽內的上述藥液之工程中供給至上述處理槽 內的上述水的每單位時間的供給量實質相同。 若根據如此的基板處理方法，則可更爲提升晶圓的板 面內之處理的均一性、特別是沿著相當於晶圓配置於處理 槽內時的上下方向的方向之晶圓的板面內的處理的均一性 〇 # 又’本發明之第1基板處理方法中，將上述基板配置 於上述處理槽的上述第1區域之工程，可具有：從連接至 • 上述處理槽的上述第1區域之上側供給管供給上述處理液 . 至上述第1區域，且從連接至上述拠理槽的上述第2區域 之下側供給管供給上述處理液至上述第2區域，而在上述 處理槽內積蓄上述處理液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可以處理液迅速地充 滿處理槽內。藉此’可有效率地進行基板的處理。並且， 在如此的第1基板處理方法中，將上述基板配置於上述處 -10- rI380355 理槽的上述第1區域之工程可更具有：在積蓄 的上述處理槽的上述第1區域內配置上述基板 若根據如此的基板處理方法，則可使基板 浸漬於處理液的狀態。 又，本發明的第1基板處理方法中，上述 由：具有多數的貫通孔，且將上述處理槽內區 1區域及上述第2區域的整流板所構成， 供給至上述第2區域的液體，可經由上述 通孔，從上述第2區域流入至上述第1區域。 .若根據如此的基板處理方法，則可藉由簡 流構件，一邊在處理槽的第1區域內形成具有 均一性的上昇流，一邊使液體從.處理槽的第2 1區域。 又，本發明的第1基板處理方法，在供給 以上述藥液來置換上述處理槽內的上述處理液 更具備：對上述處理槽的上述第2區域供給藥 上述整流構件，使上述藥液從上述第2區域流 1區域，一邊在上述第1區域内的至少上述基 成上昇流，一邊使上述基板在上述處理槽內浸 液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可一面確 面內之處理的均一性，一面調節對基板之處理 又，本發明的第1基板處理方法，在供給 上述水來置換上述處理槽內的上述藥液之工程 上述處理液 之工程。 成爲安定地 整流構件係 分成上述第 整流板的貫 易構成的整 水平方向的 區域流入第 上述藥液而 之工程後， 液，而經由 入至上述第 板的附近形 漬於上述藥 保基板的板 的程度。 上述水而以 後，更具備 -11 - :對上述處理槽的上述第1區域供給水，而於上述第1區 域內的至少上述基板的附近攪拌液體之工程。 若根據如此的基板處理方法，則因爲在基板的附近攪 泮液體，所以可以高除去率來除去附著於基板的板面之附 著物。 又，亦可在供給上述水而於上述處理槽內的第1區域 內攪拌液體之工程中，對上述處理槽的上述第1區域供給 水，且對上述處理槽的上述第2區域供給水。 若根據如此的基板處理方法，則可促進使從基板除去 的附著物浮上至處理槽內的上方。藉此，可防止所被除去 的附著物再度附著於基板。 又，本發明之第1基板處理方法的上述工程的其中至 少一個工程中，亦可使超音波發生於上述處理槽內的液體 〇 若根據如此的基板處理方法，則可以高除去率來除去 附著於基板的扳面之附著物。 本發明之第1基板處理裝置的特徵係具備： 處理槽，其係包含··收容基板的第1區域、及配置於 上述第1區域的下方之第2區域； 整流構件，其係設於上述處理槽內的上述第1區域與 上述第2區域之間； 下側供給管，其係連接至上述處理槽的上述第2區域 ’至少可將藥液及水供給至上述處理槽的上述第2區域內 -12- 「1380355 切換機構，其係連接至上述下側供給管，切換來自上 述下側供給管之液體的供給；及 控制裝置，其係連接至上述切換機構，控制從上述下 側供給管往上述處理槽的上述第2區域內之液體的供給， 又’上述控制裝置，係控制上述切換機構，而使能夠 對積蓄處理液且收容基板的上述處理槽的上述第2區域供 給藥液，而經由上述整流構件，使上述藥液從上述第2區 域流入至上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至少上 述基板的附近形成上昇流，一邊以上述藥液來置換上述處 理槽內的上述處理液， 然後，對上述處理槽的上述第2區域供給水，經由上 述整流構件，使上述水從上述第2區域流入至上述第1區 域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上 昇流，一邊以上述水來置換上述處理槽內的上述藥液。 若根據如此的基板處理裝置，則以在收容基板且積蓄 處理液的處理槽內形成上昇流之方式，供給藥液至處理槽 內。並且，處理槽內藉由藥液置換後，以能夠在處理槽內 形成上昇流之方式，供給水至處理槽內。任何的情況皆是 至少在上述基板的附近形成上昇流。因此，可藉由均一形 成上昇流，使基板的板面附近之液體的流動在板面內大致 成爲均一。其結果，不論液體的種類，可使基板的板面內 之處理的均一性提升。 又，若根據如此的基板處理裝置，則即使使用由具有 強反應性的氨水所構成的藥液，還是可大致均一地處理矽 -13- 1380355 晶圓等的基板。在此所謂的「由氨水所構成的藥液」是意 指含以氨爲主成分的水溶液，亦包含氨及氨以外的一種類 以上的成分（例如界面活性劑）微量混入的水溶液。另外 ，藉由藥液置換的處理液最好爲水。 本發明的第1基板處理裝置中，上述控制裝置係控制 上述切換機構，而使在以上述藥液來置換上述處理槽內的 上述處理液時，供給至上述處理槽內的上述藥液的每單位 時間的供給量能夠與在以上述水來置換上述處理槽內的上 述藥液時，供給至上述處理槽內的上述水的每單位時間的 供給量實質相同。 若根據如此的基板處理裝置，則更可提升晶圓的板面 內之處理的均一性，特別是沿著相當於晶圓配置於處理槽 內時的上下方向的方向之晶圓的板面內的處理的均一性。 又，本發明的第1基板處裝置中，上述整流構件係具 有形成多數個貫通孔的整流板，供給至上述第2區域的液 體’可經由上述整流板的貫通孔，從上述第2區域流入至 上述第1區域。 若根據如此的基板處理裝置，則可藉由簡易構成的整 流構件’一邊在處理槽的第1區域內形成具有水平方向的 均一性的上昇流，一邊使液體從處理槽的第2區域流入第 1區域。 又’本發明的第1基板處理裝置，更具備：連接至上 述處理槽的上述第1區域，可對上述處理槽的上述第1區 域內供給液體之上側供給管， -14- 1380355 上述切換機構係與上述上側供給管連結，可切換來自 上述上側供給管之液體的供給， 上述控制裝置可控制從上述上側供給管往上述處理槽 的上述第1區域內之液體的供給。 若根據如此的基板處理裝置，則可對配置於第1區域 內的基板’從上側供給管直接供給液體。藉此，可適當處 理基板。 又，如此的第1基板處理裝置，更具備：以沿著鉛直 方向的配置位置彼此相異之方式，設於上述處理槽的第1 區域內之複數的吐出構件， 上述上側供給管係連結至上述吐出構件，經由上述吐 出構件來對上述處理槽的第1區域內吐出液體。 又，如此的第1基板處理裝置中，上述控制裝置可控 制上述切換機構，而使在從上述下側供給管供給藥液至上 述處理槽內之前，能夠從上述上側供給管供給上述處理液 至上述第1區域，且從上述下側供給管供給上述處理液至 上述第2區域，而於上述處理槽內積蓄上述處理液。 若根據如此的基板處理裝置，則可以處理液迅速地充 滿處理槽內。藉此，可有效率地進行基板的處理。 又，如此的第1基板處理裝置中，上述控制裝置可控 制上述切換機構，而使從上述下側供給管供給水至上述處 理槽內之後，能夠從上述上側供給管供給水至上述第1區 域，而於上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體 -15- 1380355 若根據如此的基板處理裝置，則因爲在基板的附近攪 拌液體’所以可以高除去率來除去附著於基板的板面之附 著物。 又’如此的第1基板處理裝置中，上述控制裝置可控 制上述切換機構，而使在上述處理槽內的第1區域內攪拌 液體時，能夠從上述上側供給管供給水至上述第1區域， 且從上述下側供給管供給水至上述第2區域。 若根據如此的基板處理裝置，則可促進使從基板除去 的附著物浮上至處理槽內的上方。藉此，可防止所被除去 的附著物再度附著於基板。 又’本發明的第1基板處理裝置中，上述控制裝置可 控制上述切換機構，而使從上述下側供給管供給上述藥液 ，以上述藥液來置換上述處理槽內的上述處理液之後，能 夠從上述下側供給管持續供給藥液至上述第2區域，經由 上述整流構件，使上述藥液從上述第2區域流入至上述第 1區域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形 成上昇流’一邊使上述基板在上述處理槽內浸漬於上述藥 液。 若根據如此的基板處理裝置，則可一面確保基板的板 面內之處理的均一性，一面調節對基板之處理的程度。 又，本發明的第1基板處理裝置，可更具備：使超音 波發生於上述處理槽內的液體之超音波發生裝置。 若根據如此的基板處理裝置，則可以高除去率來除去 附著於基板的扳面之附著物。 -16- 1380355 本發明的第1程式，係藉由控制基板處理裝置的控制 裝置來執行的程式’該基板處理裝置係具備：包含收容基 板的第1區域及配置於上述第1區域下方的第2區域之虜 理槽、及設於上述處理槽內的上述第1區域與上述第2區 域之間的整流構件，其特徵爲： 藉由上述控制裝置來執行，使包含下列工程之基板的 處理方法實施於基板處理裝置， 在上述處理槽的上述第1區域內配置基板，將基板浸 漬於上述處理槽所積蓄的處理液之工程； 對上述處理槽的上述第2區域供給藥液，而經由上述 整流構件，使上述藥液從上述第2區域流入至上述第1區 域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上 昇流，一邊以上述藥液來置換上述處理槽內的上述處理液 之工程；及 對上述處理槽的上述第2區域供給水，經由上述整流 構件來使上述水從上述第2區域流入至上述第1區域，一 邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流， 一邊以上述水來置換上述處理槽內的上述藥液之工程。 本發明的第1記錄媒體，係記錄有藉由控制基板處理 裝置的控制裝置來執行的程式之記錄媒體，該基板處理裝 置係具備：包含收容基板的第1區域及配置於上述第1區 域下方的第2區域之處理槽、及設於上述處理槽內的上述 第1區域與上述第2區域之間的整流構件，其特徵爲： 藉由上述控制裝置來執行，使包含下列工程之基板的 -17- 1380355 處理方法實施於基板處理裝置， 在上述處理槽的上述第1區域內配置基板，將基板浸 漬於上述處理槽所積蓄的處理液之工程； 對上述處理槽的上述第2區域供給藥液，而經由上述 整流構件，使上述藥液從上述第2區域流入至上述第1區 域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上 昇流，一邊以上述藥液來置換上述處理槽內的上述處理液 之工程：及 對上述處理槽的上述第2區域供給水，經由上述整流 構件來使上述水從上述第2區域流入至上述第1區域，一 邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流， 一邊以上述水來置換上述處理槽內的上述藥液之工程。 又，本案發明者們經深入硏究的結果，得知對被處理 基板的板面之處理的進行程度，不僅是在被處理基板的板 面附近之處理液的濃度，連基板的板面附近之處理液的液 流、例如流速也會受到影響。以下所說明之本發明的第2 基板處理方法、基板處理裝置、程式及程式記錄媒體，以 及本發明的第3基板處理方法、基板處理裝置、程式及程 式記錄媒體是根據如此的見解，按照被使用於處理的藥液 與被處理基板的反應性、或有關一片的被處理基板內之處 理的均一性的要求等，按各處理適當變更處理槽內之液體 的流動，解決上述的課題》 本發明的第2基板處理方法，係使用在內部設有整流 構件，且包含位於上述整流構件上側收容基板的第1區域 -18 - 1380355 及位於上述整流構件下側的第2區域之處理槽來處理上述 基板之方法，其特徵係具備： 對上述處理槽的上述第2區域供給第i藥液，經由上 述整流構件，使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容 有上述基板的上述第1區域’ 一邊在上述第1區域內的至 少上述基板的附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來 處理上述基板之工程；及 對上述處理槽的上述第1區域供給第2藥液，或對上 述處理槽的上述第1區域及上述第2區域供給第2藥液， 一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體， 一邊藉由上述第2藥液來處理上述基板之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可在同一處理槽內對 基板實施使用檠液的複數種類的處理時，在每個處理改變 往處理槽內之藥液的供給方法。藉此，可用適合於各處理 的方法來處理基板。其結果，可有效率地對基板進行複數 的處理的同時，可使基板的板面內之處理的均一性提升。 另外，作爲如此的基板處理裝置之使用第1藥液的處 理例，可舉使用與基板的反應性顯著高的藥液之處理，例 如使用由氨水所構成的第1藥液之矽晶圓的蝕刻處理。另 一方面，作爲如此的基板處理裝置之使用第2藥液的處理 例，可舉與基板的反應性比第1藥液更低的藥液之處理， 例如使用由氟化氫水所構成的第2藥液之矽晶圓的蝕刻處 理。在此所謂的「由氨水所構成的藥液」是意指含以氨爲 主成分的水溶液，亦包含氨及氨以外的一種類以上的成分 -19- 1380355 (例如界面活性劑）微量混入的水溶液。同樣的，所謂的 「由氟化氫水所構成的藥液j是意指含以氟化氫爲主成分 的水溶液，亦包含氟化氫及氟化氫以外的一種類以上的成 分（例如界面活性劑）微量混入的水溶液。 本發明的第2基板處理方法，在藉由上述第1藥液來 處理上述基板的工程之後，可更具備：對上述處理槽的上 . 述第2區域供給水，而經由上述整流構件，使上述水從上 φ 述第2區域流入至上述第1區域，一邊在上述第1區域內 的至少上述基板的附近形成上昇流，一邊以上述水來置換 上述處理槽內的上述第1藥液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可藉由均一形成處理 槽內的上昇流，一邊使基板的板面附近之液體的流動在板 面內大致成爲均一，一邊以水來置換處理槽內的第1藥液 。藉此，更可使基板的板面內之使用第1藥液的處理的均 一性提升。 φ 如此的第2基板處理方法，在藉由上述水來置換上述 處理槽內的上述第1藥液的工程之後，可更具備：對上述 - 處理槽的上述第1區域供給水或對上述處理槽的上述第1 . 區域及上述第2區域供給水，而於上述第1區域內的至少 上述基板的附近攪拌液體之工程。 若根據如此的基板處理方法，則因爲在基板的附近攪 拌液體，所以可以高除去率來除去附著於基板的板面之附 著物。特別是在不只第1區域連第2區域也被供給水時， 可促進使從基板除去的附著物浮上至處理槽內的上方。藉 -20- 1380355 此，可防止所被除去的附著物再度附著於基板。 又，本發明的第2基板處理方法中’藉由上述第1藥 液來處理上述基板的工程亦可包含：對內部積蓄有處理液 且在其第1區域內收容有上述基板之上述處理槽的上述第 2區域供給上述第1藥液，而經由上述整流構件’使上述 第1藥液從上述第2區域流入至上述第1區域’一邊在上 述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流，一邊以 上述第1藥液來置換上述處理槽內的上述處理液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可藉由均一形成處理 槽內的上昇流，一邊使基板的板面附近之液體的流動在板 面內大致成爲均一，一邊將基板的板面附近之液體由處理 液置換成第1藥液而去。藉此，更可使基板的板面內之使 用第1藥液的處理的均一性提升。 又，如上述，在藉由上述第1藥液來處理上述基板的 工程之後，更設有：對上述處理槽的上述第2區域供給水 ，而經由上述整流構件，使上述水從上述第2區域流入至 上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的 附近形成上昇流，一邊以上述水來置換上述處理槽內的上 述第1藥液之工程時，最好在以上述第1藥液來置換上述 處理槽內的上述處理液之工程中供給至上述處理槽內的上 述第1藥液的每單位時間的供給量與在以上述水來置換上 述處理槽內的上述第1藥液之工程中供給至上述處理槽內 的上述水的每單位時間的供給量實質相同。 若根據如此的基板處理方法，則可更爲提升晶圓的板 -21 - 1380355 面內之處理的均一性、特別是沿著相當於晶圓配置於處理 槽內時的上下方向的方向之晶圓的板面內的處理的均一性 〇 在該等之類的第2基板處理方法中，藉由上述第1藥 液來處理上述基板的工程，在以上述第1藥液來置換上述 處理槽內的上述處理液的工程之後，可更包含：對處理槽 的上述第2區域供給上述第I藥液，而經由上述整流構件 ，使上述第1藥液從上述第2區域流入至上述第I區域， —邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流 ，一邊在上述處理槽內將上述基板浸漬於上述第1藥液之 工程。 若根據如此的基板處理方法，則可一面確保基板的板 面內之使用第1藥液的處理的均一性，一面調節對基板之 處理的程度。 在如此的第2基板處理方法中，上述處理液可爲水》 或，如此的第2基板處理方法，在藉由上述第2藥液來處 理上述基板的工程之後，.可更具備：以水來置換上述處理 槽內的上述第2藥液之工程，在藉由上述第2藥液來處理 上述基板的工程之後，進行藉由上述第1藥液來處理上述 基板的工程，在藉由上述第1藥液來處理上述基板的工程 中藉由上述第1藥液來置換的上述處理液可爲在以上述水 來置換上述處理槽內的上述第2藥液的工程中供給至上述 處理槽內的上述水。 若根據如此的基板處理方法，不必另外設置將處理液 -22- 1380355 積蓄於處理槽內的工程，因此可在原封不動維持處理的均 一性於高水準的情況下，使處理所要的時間短時間化。 又，本發明的第2基板處理方法，在藉由上述第2藥 液來處理上述基板的工程之後，更具備：對上述處理槽的 上述第1區域供給水，或對上述處理槽的上述第1區域及 / 上述第2區域供給水，一邊在上述第1區域內的至少上述 .· 基板的附近攪拌液體，一邊以上述水來置換上述處理槽內 φ 的上述第2藥液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則因爲在基板的附近攪 拌液體，所以可一邊將基板的板面附近之第2藥液的濃度 大致均一地保持於板面內，一邊在短時間以水來置換處理 槽內的第2藥液。特別是在不只第1區域連第2區域也被 供給水時，可促進使從基板除去的附著物浮上至處理槽內 的上方。藉此，可防止所被除去的附著物再度附著於基板 〇 φ 又，本發明的第2基板處理方法中，藉由上述第2藥 液來處理上述基板的工程，亦可包含：對內部積蓄有處理 / 液且其第〗區域內收容有上述基板之上述處理槽的上述第 / 1區域供給上述第2藥液，或對內部積蓄有處理液且其第 1區域內收容有上述基板之上述處理槽的上述第1區域及 上述第2區域供給上述第2藥液，一邊在上述第1區域內 的至少上述基板的附近攪拌液體，一邊藉由上述第2藥液 來上述處理槽內的上述處理液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可一邊在板面內大致 -23- 1380355 均一地保持基板的板面附近之第2藥液的濃度，一邊以 時間使上昇至所望的濃度。 在如此的第2基板處理方法中，藉由上述第2藥液 處理上述基板的工程，在以上述第2藥液來置換上述處 槽內的上述處理液的工程之後，可更包含：對上述處理 的上述第1區域供給上述第2藥液或對上述處理槽的上 第1區域及上述第2區域供給上述第2藥液，而一邊在 述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體，一邊在 述處理槽內將上述基板浸漬於上述第2藥液之工程。 若根據如此的基板處理方法，則可一面確保基板的 面內之使用第2藥液的處理的均一性，一面調節對基板 處理的程度。 在如此的第2處理方法中，上述處理液可爲水。或 如此的第2基板處理方法，在藉由上述第1藥液來處理 述基板的工程之後，可更具備：以水來置換上述處理槽 的上述第1藥液之工程，在藉由上述第1藥液來處理上 基板的工程之後，藉由上述第2藥液來處理上述基板之 程會被進行，在藉由上述第2藥液來處理上述基板的工 中藉由上述第2藥液所被置換的上述處理液，係以上述 來置換上述處理槽內的上述第1藥液之工程中被供給至 述處理槽內的上述水。 若根據如此的基板處理方法，不必另外設置將處理 積蓄於處理槽內的工程，因此可在原封不動維持處理的 一性於高水準的情況下，使處理所要的時間短時間化。 短 來 理 槽 述 上 上 板 之 上 內 述 工 程 水 上 液 均 -24- 1380355 另外，處理液最好爲水。 又，本發明的第2基板處理方法中，首先，可進行藉 由上述第2藥液來處理上述基板的工程，其次，進行藉由 上述第1藥液來處理上述基板的工程，然後，再度進行藉 由上述第2藥液來處理上述基板的工程。 又，本發明的第2基板處理方法中，上述整流構件可 由：具有多數的貫通孔，且將上述處理槽內區分成上述第 1區域及上述第2區域的整流板所構成， 供給至上述第2區域的液體，可經由上述整流板的貫 通孔，從上述第2區域流入至上述第1區域。 若根據如此的基板處理方法，則可藉由簡易構成的整 流構件，一邊在處理槽的第1區域內形成具有水平方向的 均一性的上昇流，一邊使液體從處理槽的第2區域流入第 1區域。 又，本發明之第2基板處理方法的上述工程的其中 至少一個的工程中，可使超音波發生於上述處理槽內的液 am 體。 若根據如此的基板處理方法，則可以高除去率來除去 附著於基板的板面之附著物。 本發明之第2基板處理裝置的特徵係具備： 處理槽，其係包含：收容基板的第1區域、及配置於 上述第1區域的下方之第2區域； 整流構件，其係設於上述處理槽內的上述第1區域與 上述第2區域之間； -25- 1380355 下側供給管，其係連接至上述處理槽的上述第2區域 ’至少可將第1藥液及水供給至上述處理槽的上述第2區 域內； 上側供給管，其係連接至上述處理槽的上述第1區域 ’可至少將第2藥液供給至上述處理槽的上述第！區域內
I 切換機構，其係連接至上述下側供給管及上述上側供 給管，切換來自上述下側供給管及上述上側供給管之液體 的供給；及 控制裝置，其係連接至上述切換機構，控制從上述下 側供給管往上述處理槽的上述第2區域內之液體的供給及 從上述上側供給管往上述處理槽的上述第1區域內之液體 的供給， 又，上述控制裝置係控制上述切換機構，而使能夠對 上述處理槽的上述第2區域供給上述第1藥液，經由上述 整流構件，使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容有 上述基板的上述第I區域，一邊在上述第1區域內的至少 上述基板的附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來處 理上述基板， 並且，在使用上述第1藥液之上述基板的處理的前或 後，對上述處埋槽的上述第1區域供給上述第2藥液或對 上述處理槽的上述第1區域及上述第2區域供給上述第2 藥液，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌 液體，一邊藉由上述第2藥液來處理上述基板。 -26- 1380355 若根據如此的基板處理裝置，則可在同一處埋槽內對 基板實施使用藥液的複數種類的處理時，在每個處理改變 往處理槽內之藥液的供給方法。藉此，可用適合於各處理 的方法來處理基板。其結果，可有效率地對基板進行複數 的處理的同時，可使基板的板面內之處理的均一性提升。 另外，作爲如此的基板處理裝置之使用第1藥液的處 理例，可舉使用與基板的反應性顯著高的藥液之處理，例 如使用由氨水所構成的第1藥液之矽晶圓的蝕刻處理。另 一方面，作爲如此的基板處理裝置之使用第2藥液的處理 例，可舉與基板的反應性比第1藥液更低的藥液之處理， 例如使用由氟化氫水所構成的第2藥液之矽晶圓的蝕刻處 理。在此所謂的「由氨水所構成的藥液」是意指含以氨爲 主成分的水溶液，亦包含氨及氨以外的一種類以上的成分 (例如界面活性劑）微量混入的水溶液。同樣的，所謂的 「由氟化氫水所構成的藥液」是意指含以氟化氫爲主成分 的水溶液，亦包含氟化氫及氟化氫以外的一種類以上的成 分（例如界面活性劑）微量混入的水溶液。 本發明的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可控制 上述切換機構，而使在藉由上述第〗藥液來處理上述基板 之後，能夠從上述下側供給管來供給水至上述處理槽的上 述第2區域，經由上述整流構件，使上述水從上述第2區 域流入至上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至少上 述基板的附近形成上昇流，一邊以上述水來置換上述處理 槽內的上述第1藥液。 -27- 1380355 若根據如此的基板處理裝置，則可藉由均—形成處理 槽內的上昇流，一邊使基板的板面附近之液體的流動在板 面內大致成爲均一，一邊以水來置換處理槽內的第1藥液 。藉此，更可使基板的板面內之使用第1藥液的處理的均 一性提升。 在如此的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可控制 上述切換機構，在以上述水來置換上述處理槽內的上述第 1藥液之後，從上述上側供給管供給水至上述第1區域， 或從上述上側供給管供給水至上述第1區域且從上述下側 供給管供給水至上述第2區域，而於上述第1區域內的至 少上述基板的附近攪拌液體。 若根據如此的基板處理裝置，則因爲在基板的附近攪 拌液體，所以可以高除去率來除去附著於基板的板面之附 著物。特別是在不只第1區域連第2區域也被供給水時， 可促進使從基板除去的附著物浮上至處理槽內的上方。藉 此，可防止所被除去的附著物再度附著於基板❶ 又’本發明的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可 控制上述切換機構，而使在藉由上述第1藥液來處理上述 基板時’能夠從上述下側供給管供給上述第1藥液至內部 積蓄有處理液且其第1區域內收容有上述基板之上述處理 槽的上述第2區域，而經由上述整流構件，使上述第1藥 液從上述第2區域流入至上述第1區域，一邊在上述第1 區域內的至少上述基板的附近形成上昇流，一邊以上述第 1藥液來置換上述處理槽內的上述處理液。 -28- 1380355 若根據如此的基板處理裝置，則可藉由均一形成處理 槽內的上昇流，一邊使基板的板面附近之液體的流動在板 面內大致成爲均一，一邊將基板的板面附近之液體由處理 液置換成第1藥液而去。藉此，更可使基板的板面內之使 用第1藥液的處理的均一性提升。 ' 又，如上述般，藉由上述第1藥液來處理上述基板之 .· 後，對上述處理槽的上述第2區域供給水，而經由上述整 φ 流構件，使上述水從上述第2區域流入至上述第1區域， 一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流 ，一邊以上述水來置換上述處理槽內的上述第1藥液時， 上述控制裝置可更控制上述切換機構，而使在以上述第1 藥液來置換上述處理槽內的上述處理液時供給至上述處理 槽內的上述藥液的每單位時間的供給量，能夠與在以上述 水來置換上述處理槽內的上述藥液時供給至上述處理槽內 的上述水的每單位時間的供給量實質相同。 • 若根據如此的基板處理方法，則可更爲提升晶圓的板 面內之處理的均一性、特別是沿著相當於晶圓配置於處理 • 槽內時的上下方向的方向之晶圓的板面內的處理的均一性 • 〇 在該等之類的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可 控制上述切換機構，而使藉由上述第1藥液來處理上述基 板時’以上述第1藥液來置換上述處理槽內的上述處理液 之後’從上述下側供給管供給上述第1藥液至上述處理槽 的上述第2區域，而經由上述整流構件，使上述第1藥液 -29- Β8Θ355 從上述第2區域流入至上述第丨區域，一邊在上述第1區 域內的至少上述基板的附近形成上昇流，一邊使上述基板 在上述處理槽內浸漬於上述第1藥液。 若根據如此的基板處理裝置，則可一面確保基板的板 面內之處理的均一性’一面調節對基板之處理的程度。 在如此的第2基板處理裝置中，上述處理液可爲水。 或’在如此的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可上述 切換機構’而使在藉由上述第2藥液來處理上述基板之後 ’以水來置換上述處理槽內的上述第2藥液，藉由上述第 2藥液來處理上述基板之後，可藉由上述第1藥液來處理 上述基板’藉由上述第1藥液來處理上述基板時藉由上述 第1藥液所被置換的上述處理液可爲在置換上述處理槽內 的上述第2藥液時被供給至上述處理槽內的上述水。 若根據如此的基板處理裝置，不必另外設置將處理液 積蓄於處理槽內的工程，因此可在原封不動維持處理的均 一性於高水準的情況下，使處理所要的時間短時間化。 又’本發明的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可 控制上述切換機構’在藉由上述第2藥液來處理上述基板 之後，從上述上側供給管供給水至上述第1區域，或從上 述上側供給管供給水至上述第1區域且從上述下側供給管 供給水至上述第2區域，而一邊在上述第1區域內的至少 上述基板的附近攪拌液體，一邊以上述水來置換上述處理 槽內的上述第2藥液。 若根據如此的基板處理裝置，則因爲在基板的附近攪 •30- 1380355 拌液體，所以可一邊將基板的板面附近之第2藥液的濃度 大致均一地保持於板面內，一邊在短時間以水來置換處理 槽內的第2藥液。特別是在不只第1區域連第2區域也被 供給水時，可促進使處理槽內的浮游物浮上至上方。藉此 ，可防止所被除去的附著物再度附著於基板。 • 又’本發明的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可 ·· 控制上述切換機構，而使在藉由上述第2藥液來處理上述 φ 基板時，能夠從上述上側供給管供給上述第2藥液至內部 積蓄有處理液且在其第1區域內收容有上述基板之上述處 理槽的上述第1區域，或從上述上側供給管供給上述第2 藥液至內部積蓄有處理液且在其第1區域內收容有上述基 板之上述處理槽的上述第1區域的同時，從上述下側供給 管供給上述第2藥液至該處理槽的上述第2區域，而一邊 在上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體，一邊 以上述第2藥液來置換上述處理槽內的上述處理液。 # 若根據如此的基板處理裝置，則可一邊在板面內大致 均一地保持基板的板面附近之第2藥液的濃度，一邊以短 / 時間使上昇至所望的濃度。 在如此的第2基板處理裝置中，上述控制裝置可控制 上述切換機構，而使在藉由上述第2藥液來處理上述基板 時’以上述第2藥液來置換上述處理槽內的上述處理液之 後’能夠從上述上側供給管供給上述第2藥液至上述第i 區域’或從上述上側供給管供給上述第2藥液至上述第1 區域的同時’從上述下側供給管供給上述第2藥液至上述 -31 - 1380355 第2區域，而一邊在上述第1區域內 近攪拌液體，一邊使上述基板在上述 第2藥液。 若根據如此的基板處理裝置，則 面內之使用第2藥液的處理的均一性 處理的程度。 在如此的第2基板處理裝置中， 或，在如此的第2基板處理裝置中， 切換機構，而使在藉由上述第1藥液 ，以水來置換上述處理槽內的上述第 1藥液來處理上述基板之後，可藉由 上述基板，藉由上述第2藥液來處理 第2藥液所被置換的上述處理液可爲 的上述第2藥液時被供給至上述處理 若根據如此的基板處理方法，不 積蓄於處理槽內的工程，因此可在原 ~性於高水準的情況下，使處理所要 又，本發明的第2基板處理裝置 換機構，.而使首先藉由上述第2藥液 次藉由上述第1藥液來處理上述基板 2藥液再度處理上述基板。 又，本發明的第2基板處理裝置 具有形成多數個貫通孔的整流板，供 液體，可經由上述整流板的貫通孔， 的至少上述基板的附 處理槽內浸漬於上述 可一面確保基板的板 ，一面調節對基板之 上述處理液可爲水。 上述控制裝置可上述 來處理上述基板之後 1藥液，藉由上述第 上述第2藥液來處理 上述基板時藉由上述 在置換上述處理槽內 槽內的上述水。 必另外設置將處理液 封不動維持處理的均 的時間短時間化。 ，控制裝置可控制切 來處理上述基板，其 ，然後，藉由上述第 中，上述整流構件係 給至上述第2區域的 從上述第2區域流入 -32- 1380355 至上述第1區域。 若根據如此的基板處理裝置，則可藉由簡易構成的整 流構件，一邊在處理槽的第1區域內形成具有水平方向的 均一性的上昇流，一邊使液體從處理槽的第2區域流入第 1區域。 又，本發明的第2基板處理裝置可更具備：以沿著鉛 直方向的配置位置能夠彼此相異之方式，設於上述處理槽 的第1區域內之複數的吐出構件，上述上側供給管可連結 至上述吐出構件，經由上述吐出構件來對上述處理槽的第 1區域內吐出液體。 又，本發明的第2基板處理裝置，可更具備：使超音 波發生於上述處理槽內的液體之超音波發生裝置。 若根據如此的基板處理裝置，則可以高除去率來除去 附著於基板的板面之附著物。 本發明的第2程式，係藉由控制基板處理裝置的控制 裝置來執行的程式，該基板處理裝置係具備：包含收容基 板的第1區域及配置於上述第1區域下方的第2區域之處 理槽、及設於上述處理槽內的上述第1區域與上述第2區 域之間的整流構件，其特徵爲： 藉由上述控制裝置來執行，使包含下列工程之基板的 處理方法實施於基板處理裝置， 對上述處理槽的上述第2區域供給第1藥液，經由上 述整流構件，使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容 有上述基板的上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至 -33- 1380355 少上述基板的附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來 處理上述基板之工程；及 對上述處理槽的上述第1區域供給第2藥液’或對上 述處理槽的上述第1區域及上述第2區域供給第2藥液’ 一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體’ 一邊藉由上述第2藥液來處理上述基板之工程。 本發明的第2記錄媒體，係記錄有藉由控制基板處理 裝置的控制裝置來執行的程式之記錄媒體，該基板處理裝 置係具備：包含收容基板的第1區域及配置於上述第1區 域下方的第2區域之處理槽、及設於上述處理槽內的上述 第1區域與上述第2區域之間的整流構件，其特徵爲： 藉由上述控制裝置來執行，使包含下列工程之基板的 處理方法實施於基板處理裝置， 對上述處理槽的上述第2區域供給第1藥液，經由上 述整流構件，使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容 有上述基板的上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至 少上述基板的附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來 處理上述基板之工程；及 對上述處理槽的上述第1區域供給第2藥液，或對上 述處理槽的上述第1區域及上述第2區域供給第2藥液， 一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體， 一邊藉由上述第2藥液來處理上述基板之工程。 本發明之第3基板處理方法，係於內部設有整流構件 ，且包含位於上述整流構件上側收容基板的第1區域及位 -34- 1380355 於上述整流構件下側的第2區域之處理槽內’使用 液及第2藥液的其中之一來處理基板之方法，其特 備： 設定藉由上述第1藥液及上述第2藥液的其中 處理基板之工程；及 藉由上述所被設定的藥液來處理上述基板之工 在藉由上述所被設定的藥液來處理上述基板的 ， 當所被設定的藥液爲上述第 1藥液時，對上 槽的上述第2區域供給第1藥液，而經由上述整流 使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容有上述 上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至少上述 附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來處理上 9 另一方面，當所被設定的藥液爲上述第2藥液 上述處理槽的上述第1區域供給第2藥液，或對上 槽的上述第1區域及上述第2區域供給第2藥液， 上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體， 由上述第2藥液來處理上述基板^ 若根據如此的基板處理方法，則可在同一處理 基板實施使用藥液的複數種類的處理時，在每個處 往處理槽內之藥液的供給方法。藉此，可用適合於 的方法來處理基板。其結果，可使基板的板面內之 均一性提升。 第1藥 徵係具 哪個來 程， 工程中 述處理 構件， 基板的 基板的 述基板 時，對 述處理 一邊在 一邊藉 槽內對 理改變 各處理 處理的 -35- 1380355 另外，作爲如此的基板處理裝置之使用第1藥液的處 理例，可舉使用與基板的反應性顯著高的藥液之處理’例 如使用由氨水所構成的藥液之矽晶圓的蝕刻處理。另一方 面，作爲如此的基板處理裝置之使用第2藥液的處理例， 可舉與基板的反應性比第1藥液更低的藥液之處理，例如 / 使用由氟化氫水所構成的藥液之矽晶圓的蝕刻處理。在此 所謂的「由氨水所構成的藥液」是意指含以氨爲主成分的 φ 水溶液，亦包含氨及氨以外的一種類以上的成分（例如界 面活性劑）微量混入的水溶液。同樣的，所謂的「由氟化 氫水所構成的藥液」是意指含以氟化氫爲主成分的水溶液 ，亦包含氟化氫及氟化氫以外的一種類以上的成分（例如 界面活性劑）微量混入的水溶液。 本發明的第3基板處理方法，在藉由上述所被設定的 藥液來處理上述基板的工程之後，可更具備：藉由水來置 換上述處理槽內的上述藥液之工程， # 當所被設定的藥液爲上述第 1藥液時，對上述處理 槽的上述第2區域供給水，而經由上述整流構件，使上述 / 水從上述第2區域流入至收容有上述基板的上述第1區域 / ，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇 流，一邊以上述水來置換上述第1藥液， 另一方面，當所被設定的藥液爲第2藥液時，對上述 處理槽的上述第1區域供給上述水，或對上述處理槽的上 述第1區域及上述第2區域供給上述水，一邊在上述第1 區域內的至少上述基板的附近攪拌液體，一邊以上述水來 -36- 1380355 置換上述第2藥液。 若根據如此的基板處理方法，則在處理槽內積蓄有第 1藥液時，藉由均一形成處理槽內的上昇流，可一邊使基 板的板面附近之液體的流動在板面內大致成爲均一，一邊 以水來置換處理槽內的第1藥液。藉此，可使基板的板面 內之使用第1藥液的處理的均一性更爲提升。並且，在處 理槽內積蓄有第2藥液時，由於液體會在基板的附近被攪 拌，因此可一邊在板面內大致均一地保持基板的板面附近 之第2藥液的濃度，一邊短時間以水來置換處理槽內的第 2藥液。特別是在不只第1區域連第2區域也被供給水時 ，可促進使從基板除去的附著物浮上至處理槽內的上方。 藉此，可防止所被除去的附著物再度附著於基板。 又，如此的本發明之第3基板處理方法中， 當上述所被設定的藥液爲上述第1藥液時，藉由上述 所被設定的藥液來處理上述基板之工程，係包含：對內部 積蓄有處理液且在其第1區域內收容有上述基板之上述處 理槽的上述第2區域供給上述第1藥液，而經由上述整流 構件’使上述第1藥液從上述第2區域流入至上述第1區 域’ 一邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上 昇流’ 一邊以上述第1藥液來置換上述處理槽內的上述處 理液之工程， 在以上述第1藥液來置換上述處理槽內的上述處理液 之工程中供給至上述處理槽內的上述第1藥液的每單位時 間的供給量，係與在以上述水來置換上述處理槽內的上述 -37- 1380355 第1藥液之工程中供給至上述處理槽內的上述水的每單位 時間的供給量實質相同。 若根據如此的基板處理方法，則可更爲提升基板的板 面內之處理的均一性、特別是沿著相當於基板配置於處理 槽內時的上下方向的方向之基板的板面內的處理的均一性 〇 另外，上述處理液最好爲水。 又，本發明的第3基板處理方法中，上述整流構件具 有：具有多數的貫通孔，且將上述處理槽內區分成上述第 1區域及上述第2區域的整流板， 供給至上述第2區域的液體，可經由上述整流板的貫 通孔，從上述第2區域流入至上述第1區域。 若根據如此的基板處理方法，則可藉由簡易構成的整 流構件，一邊在處理槽的第1區域內形成具有水平方向的 均一性的上昇流，一邊使液體從處理槽的第2區域流入第 1區域。 又，本發明的第3基板處理方法，更具備：輸入有關 藉由上述第1藥液及上述第2藥液的哪個來處理上述基板 的資訊之工程， 根據上述所被輸入的資訊，設定藉由上述第1藥液及 上述第2藥液的哪個來處理上述基板。 若根據如此的基板處理方法，則例如操作者等可由外 部來輸入有關藉由上述第1藥液或上述第2藥液的哪個來 進行處理的設定。 -38- 1380355 又，本發明的第3基板處理方法中，上述工程的其中 至少一個的工程中，可使超音波發生於上述處理槽內的液 體。 若根據如此的基板處理方法’則可以高除去率來除去 附著於基板的板面之附著物。 ’ 本發明的第3基板處理裝置，係使用第1藥液及第2 .· 藥液的其中之一來處理基板之基板處理裝置，其特徵係具 • 備： 處理槽，其係包含：收容基板的第1區域、及配置於 上述第1區域的下方之第2區域； 整流構件，其係設於上述處理槽內的上述第1區域與 上述第2區域之間； 下側供給管，其係連接至上述處理槽的上述第2區域 ’至少可將第1藥液供給至上述處理槽的上述第2區域內 Φ 上側供給管，其係連接至上述處理槽的上述第1區域 ’至少可將第2藥液供給至上述處理槽的上述第1區域內 > .· 切換機構’其係連接至上述下側供給管及上述上側供 給管’切換來自上述下側供給管及上述上側供給管之液體 的供給；及 控制裝置’其係連接至上述切換機構，控制從上述下 側供給管往上述處理槽的上述第2區域內之液體的供給及 從上述上側供給管往上述處理槽的上述第1區域內之液體 -39- 1380355 的供給， 又，上述控制裝置，係具有進行藉由第1藥液及第2 藥液的哪個來對基板進行處理的設定之設定部，可根據上 述設定部的設定內容來控制上述切換機構， 上述控制裝置係控制上述切換機構，而使當所被設定 / 的藥液爲上述第1藥液時，對上述處理槽的上述第2區域 .· 供給第1藥液，而經由上述整流構件，使上述第1藥液從 φ 上述第2區域流入至收容有上述基板的上述第1區域，一 邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流， 一邊藉由上述第1藥液來處理上述基板， 另一方面，當所被設定的藥液爲第2藥液時，對上述 處理槽的上述第1區域供給上述第2藥液，或對上述處理 槽的上述第1區域及上述第2區域供給上述第2藥液，一 邊在上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體，一 邊藉由上述第2藥液來處理基板。 # 若根據如此的基板處理裝置，則可在同一處理槽內對 基板實施使用藥液的複數種類的處理時，在每個處理改變 ·' 往處理槽內之藥液的供給方法。藉此，可用適合於各處理 / 的方法來處理基板。其結果，可使基板的板面內之處理的 均一性提升。 另外，作爲如此的基板處理裝置之使用第1藥液的處 理例，可舉使用與基板的反應性顯著高的藥液之處理，例 如使用由氨水所構成的第1藥液之矽晶圓的蝕刻處理。另 一方面，作爲如此的基板處理裝置之使用第2藥液的處理 -40- 1380355 例，可舉與基板的反應性比第1藥液更低的藥液之處理， 例如使用由氟化氫水所構成的第2藥液之矽晶圓的蝕刻處 理。在此所謂的「由氨水所構成的藥液」是意指含以氨爲 主成分的水溶液，亦包含氨及氨以外的一種類以上的成分 (例如界面活性劑）微量混入的水溶液。同樣的，所謂的 / 「由氟化氫水所構成的藥液」是意指含以氟化氫爲主成分 的水溶液，亦包含氟化氫及氟化氫以外的一種類以上的成 φ 分（例如界面活性劑）微量混入的水溶液。 本發明的第3基板處理裝置中，控制裝置，可藉由上 述所被設定的藥液來處理上述基板之後，控制上述切換機 構，而使當所被設定的藥液爲上述第 1藥液時，從上述 下側供給管供給水至上述第2區域，而經由上述整流構件 ，使上述水從上述第2區域流入至上述第1區域，一邊在 上述第1區域內的至少上述基板的附近形成上昇流，一邊 以上述水來置換上述處理槽內的上述第1藥液， # 另一方面，當所被設定的藥液爲第2藥液時，從上述 上側供給管供給水至上述第1區域，或從上述上側供給管 供給水至上述第1區域，且從上述下側供給管供給水至上 述第2區域，而一邊在上述第1區域內的至少上述基板的 附近攪拌液體，一邊以上述水來置換上述處理槽內的上述 第2藥液。 若根據如此的基板處理裝置，則在處理槽內積蓄有第 1藥液時，可藉由均一形成處理槽內的上昇流，一邊使基 板的板面附近之液體的流動在板面內大致成爲均一，一邊 -41 - 1380355 以水來置換處理槽內的第1藥液。 面內之使用第1藥液的處理的均一 槽內積蓄有第2藥液時，因爲在基 以可一邊將基板的板面附近之第2 保持於板面內，一邊在短時間以水 藥液。特別是在不只第1區域連第 可促進使從基板除去的附著物浮上 此，可防止浮游物附著於基板。 又，如此的本發明之第3基板 裝置可控制上述切換機構，而使當 上述第1藥液時，在藉由上述第1 ’對內部積蓄有處理液且在其第1 之上述處理槽的上述第2區域供給 上述整流構件，使上述第1藥液從 述第1區域，一邊在上述第1區域 近形成上昇流，一邊以上述第1藥 的上述處理液， 在以上述第1藥液來置換上述 時’供給至上述處理槽內的上述第 供給量，係與在以上述水來置換上 藥液時，供給至上述處理槽內的上 給量實質相同。 若根據如此的基板處理裝置， 面內之處理的均一性、特別是沿著 藉此，更可使基板的板 性提升。並且，在處理 板的附近攪拌液體，所 藥液的濃度大致均一地 來置換處理槽內的第2 2區域也被供給水時， 至處理槽內的上方。藉 處理裝置中，上述控制 上述所被設定的藥液爲 藥液來處理上述基板時 區域內收容有上述基板 上述第1藥液，而經由 上述第2區域流入至上 內的至少上述基板的附 液來置換上述處理槽內 處理槽內的上述處理液 1藥液的每單位時間的 述處理槽內的上述第1 述水的每單位時間的供 則可更爲提升晶圓的板 相當於基板配置於處理 -42 - 1380355 槽內時的上下方向的方向之基板的板面內的處理的均一性 另外，上述處理液最好爲水。 又，本發明的第3基板處理裝置中，上述整流構件係 具有形成多數個貫通孔的整流板，供給至上述第2區域的 液體可經由上述整流板的貫通孔，從上述第2區域流入上 . ' 述第1區域。 φ 若根據如此的基板處理裝置，則可藉由簡易構成的整 流構件，一邊在處理槽的第！區域內形成具有水平方向的 均一性的上昇流，一邊使液體流入處理槽的第1區域。 又，本發明的第3基板處理裝置，更具備：以沿著鉛 直方向的配置位置彼此相異之方式，設於上述處理槽的第 1區域內之複數的吐出構件， 上述上側供給管係連結至上述吐出構件，經由上述吐 出構件來對上述處理槽的第1區域內吐出液體。 # 又，本發明的第3基板處理裝置，更具備：輸入有關 藉由上述第1藥液及上述第2藥液的哪個來處理上述基板 *' 的資訊之輸入部， ·· 上述設定部係根據在上述輸入部所被輸入的資訊，設 定藉由上述第1藥液及上述第2藥液的哪個來處理上述基 板。 若根據如此的基板處理方法，則例如操作者等可由外 部來輸入有關藉由上述第1藥液或上述第2藥液的哪個來 進行處理的設定。 -43- 1380355 又，本發明的第3基板處理方法中，上述工程的其中 至少一個的工程中，可使超音波發生於上述處理槽內的液 體。 若根據如此的基板處理裝置，則例如操作者等可由外 部輸入設定部的設定。 又，本發明的第3基板處理裝置，可更具備：使超音 波發生於上述處理槽內的液體之超音波發生裝置。 若根據如此的基板處理裝置，則可以高除去率來除去 附著於基板的板面之附著物。 本發明的第3程式，係藉由控制基板處理裝置的控制 裝置來執行的程式，該基板處理裝置係具備：包含收容基 板的第1區域及配置於上述第1區域下方的第2區域之處 理槽、及設於上述處理槽內的上述第1區域與上述第2區 域之間的整流構件，其特徵爲： 藉由上述控制裝置來執行，使下述基板的處理方法實 施於基板處理裝置， 該基板的處理方法係具備： 設定藉由上述第1藥液及上述第2藥液的其中哪個來 處理基板之工程；及 藉由上述所被設定的藥液來處理上述基板之工程， 在藉由上述所被設定的藥液來處理上述基板的工程中 > 當所被設定的藥液爲上述第 1藥液時，對上述處理 槽的上述第2區域供給第1藥液，而經由上述整流構件， -44- 1380355 使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容有上述基板的 上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的 附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來處理上述基板 另一方面，當所被設定的藥液爲上述第2藥液時，對 上述處理槽的上述第1區域供給第2藥液，或對上述處理 槽的上述第1區域及上述第2區域供給第2藥液，一邊在 上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體，一邊藉 由上述第2藥液來處理上述基板。 本發明的第3記錄媒體，係記錄有藉由控制基板處理 裝置的控制裝置來執行的程式之記錄媒體，該基板處理裝 置係具備：包含收容基板的第1區域及配置於上述第1區 域下方的第2區域之處理槽、及設於上述處理槽內的上述 第1區域與上述第2區域之間的整流構件，其特徵爲·· 藉由上述控制裝置來執行，使下述基板的處理方法實 施於基板處理裝置， 該基板的處理方法係具備： 設定藉由上述第1藥液及上述第2藥液的其中哪個來 處理基板之工程；及 藉由上述所被設定的藥液來處理上述基板之工程， 在藉由上述所被設定的藥液來處理上述基板的工程中 > 當所被設定的藥液爲上述第1藥液時，對上述處理 槽的上述第2區域供給第1藥液，而經由上述整流構件， -45- 1380355 使上述第1藥液從上述第2區域流入至收容有上述基板的 上述第1區域，一邊在上述第1區域內的至少上述基板的 附近形成上昇流，一邊藉由上述第1藥液來處理上述基板 另一方面，當所被設定的藥液爲上述第2藥液時，對 上述處理槽的上述第1區域供給第2藥液，或對上述處理 槽的上述第1區域及上述第2區域供給第2藥液，一邊在 上述第1區域內的至少上述基板的附近攪拌液體，一邊藉 由上述第2藥液來處理上述基板。 【實施方式】 以下，參照圖面來本發明的幾個實施形態。另外，在 以下說明的實施形態中是說明將本發明適用於矽晶圓（半 導體晶圓）的蝕刻處理及其後的洗滌處理之例。但，本發 明並非限於蝕刻處理及其後的洗滌處理，亦可廣泛適用於 基板的處理。 [第1實施形態] 首先，參照圖1〜圖8來說明本發明的基板處理裝置 及基板處理方法、基板處理程式、及程式記錄媒體的第1 實施形態。圖1〜圖8是用以說明基板處理裝置、基板處 理方法、基板處理程式、及程式記錄媒體的第1實施形態 的圖。其中圖1是基板處理裝置的槪略構成圖，圖2是沿 著圖1的II-II線的剖面之剖面圖，圖3〜圖8是用以說 -46- 1380355 明使用圖1所示的基板處理裝置來進行的基板處理方法 圖。 如圖1所示，本實施形態的基板處理裝置10是具 :收容晶圓w的處理槽12、及對處理槽12內供給處理 的液供給設備40、及保持被處理晶圓（被處理基板） 的保持構件（亦稱爲晶圓舟）20、及控制各構成要素的 作之控制裝置18。如圖1所示，在處理槽12內設有整 構件28，藉由該整流構件28，處理槽12的內部會被區 成：位於整流構件2 8的上側之第1區域12 a、及位於 流構件2 8的下側之第2區域1 2b。 如此的基板處理裝置1 0是由液供給設備40來依序 給複數種類的處理液至處理槽12內，用以對收容於處 槽12內的晶圓W實施各種的處理之裝置。特別是本實 形態中，如圖1所示，基板處理裝置10更具備可使超 波發生於處理槽12內所積蓄的處理液之超音波發生裝 3 0。因此，若利用本實施形態的基板處理裝置1 〇，則 超音波洗浄處理槽12內所被收容的晶圓w。 以下，更詳述有關基板處理裝置的各構成要素。 首先’詳述有關液供給設備40。如圖1所示，液 供給設備40是具有：連接至處理槽12的第2區域i2b 下側供給管41、及連接至處理槽12的第1區域12a之 I〜第3上側供給管42，43，44、及與下側供給管4 1 上側供給管42，43 ’ 44連接的純水供給管48。 純水供給管48是被連接至純水源64。並且，在純 的 備 液 W 動 流 分 整 供 理 施 置 可 體 之 第 及 水 -47- 1380355 供給管48介設有吐出機構65。藉由使該吐出機構65作 動，可從純水供給管48供給處理液至下側供給管41及上 側供給管42，43，44。又’如圖1所示，下側供給管4 i 及上側供給管42，43，44與純水供給管48是經由切換機 構50來連接。藉由操作此切換機構50，可將來自純水供 給管48的處理液只送入下側供給管41及上側供給管42 ’ 43，44的其中所望的供給管。另外，在此所謂的「處 理液」是使用於處理的液體，非限於純水（DIW )，亦含 藥液。 其中，首先詳述有關純水源64及吐出機構65。純水 源64是例如由積蓄處理液的槽等、積蓄純水（DIW)之 公知的積蓄設備等所構成。另一方面，吐出機構65是例 如由泵等、公知的設備或機器等所構成。就更具體的吐出 機構65而言，例如可使用藉由調節氣體壓力來調節吐出 量之氣體驅動式的波紋管泵。 如上述，液供給設備40是被連接至控制裝置1 8。然 後，吐出機構6 5可藉由控制裝置1 8來控制。具體而言， 吐出機構65的驅動及停止、吐出機構65的驅動時之處理 液的供給流量等，可藉由控制裝置1 8來控制。另外，當 吐出機構65爲氣體驅動式的波紋管泵（bellows pump) 時是控制氣體壓力，當吐出機構65爲氣體驅動式的波紋 管栗以外時是例如控制輸入的電力量，藉此可調節吐出機 構65的驅動時之泵的吐出量。 其次，詳述有關切換機構50。如圖1所示，在本實 -48- 1380355 施形態中’切換機構50是具有第1〜第6開閉閥51，52 ，53 ， 54 ， 55 ， 56 ° 其中，第1開閉閥51是與下側供給管41連結。又， 第2開閉閥52是與第】上側供給管42連結。又，第3開 閉閥53是與第2上側供給管43連結。又，第*開閉閥 54是與第3上側供給管44連結。而且，第丨〜第4開閉 .· 閥51〜54可開閉純水供給管48與連結至各閥51〜54的 • 供給管41〜44的連接狀態（連通狀態）。亦即，藉由使 各開閉閥51〜54開閉，可經由各供給管41〜44來控制往 處理槽12內之處理液的供給。 在本實施形態中，液供給設備4 0是具有積蓄相異的 藥液要素之複數的藥液要素源61，62在該液供給設備40 中是混合自藥液要素源61，62供給的藥液要素、及自純 水源6 4供給的純水’而可生成所望濃度的藥液（處理液 )。在圖示的例子中是設有：積蓄高濃度的氨水（NH4OH ·)作爲藥液要素之第1藥液要素源61、及積蓄以高濃度 含氟化氫（HF)的氟化氫水作爲藥液要素之第2藥液要 素源6 2。 : 如圖1所示，上述切換機構5 0的第5開閉閥5 5會與 第1藥液要素源61連結’第6開閉閥56會與第2藥液要 素源62連結。因此’藉由開啓第5開閉閥55，可使自第 1藥液要素源61送來的高濃度的氨水混入自純水供給管 48送來的純水，生成所望濃度的氨水（第1藥液）作爲 處理液。又，藉由開啓第6開閉閥5 6，可使自第2藥液 -49- 1380355 胃素源62送來的高濃度的氟化氫水混入自純水供給 $來的純水，生成所望濃度的氟化氫水（第2藥液） 處理液。 切換機構50是被連接至控制裝置18。第1〜第 閉閥5 1〜5 6的開閉動作及開度是藉由控制裝置1 8來 。藉此，可經由各供給管41〜44來將純水或所望濃 藥液以所望的流量供給至處理槽1 2內。 另外，如此的切換機構50的構成只不過是個例 可使用經由所望的供給管41〜44來將所望濃度的處 以所望的流量供給至處理槽1 2內之公知的設備或機 來作爲切換機構5 0。 其次，詳述有關下側供給管41及第1〜第3上 給管42，43 ’ 44。如圖1所示，在本實施形態中， 給設備40更具有安裝於處理槽12對處理槽12內吐 理液之第1〜第4吐出構件71，72，73，74。而且， 給管41〜44的端部是被連結至對處理槽12內吐出處 之第1〜第4吐出構件71〜74。 如圖1所示，各吐出構件71，72，73，74是在 的四個錯直方向位置安裝於處理槽12。其中第1吐 件71是被配置於處理槽12的第2區域12b內，與下 給管41連結。第2吐出構件72是被配置於處理槽] 第1區域1 2 a內的最下方，與第1上側供給管42連 又’第3吐出構件73是在處理槽12的第1區域12a 置於比第2吐出構件72更靠鉛直方向的上方法置， 管48 作爲 6開 控制 度的 子。 理液 器等 側供 液供 出處 各供 理液 相異 出構 側供 12的 結。 內配 與第 -50- 1380355 2上側供給管43連結。又’第4吐出構件74是在處理槽 12的第1區域12a內配置於比第2吐出構件72及第3吐 出構件713更靠給直方向的上方法置，與第3上側供給管 44連結。 另外’如圖1所示，自第2吐出構件72吐出的處理 液’主要是可供給至處理槽12的第1區域12a內所配置 的晶圓W的下方區域的周圍。又，如圖1所示，自第3 吐出構件73吐出的處理液，主要是可供給至處理槽12的 第1區域12a內所配置的晶圓w的中央區域的周圍。 又’如圖1所不’自第4吐出構件7 4吐出的處理液 ’主要是被供給至處理槽12的第1區域12a內所配置的 晶圓W的上方區域的周圍。 在圖2中是根據處理槽12的剖面來圖示第4吐出構 件7 4。另外，在本實施形態中，第1〜第4吐出構件7 j ’ 72，73’ 74是僅鉛直方向的配置位置相異，圖2所示 的第4吐出構件74是與第1〜第3吐出構件71，72，73 同一構成。如圖1及圖2所示，在本例中，各吐出構件 71 ’ 72，73 ’ 74是藉由設置於處理槽12的對向的側壁之 一對的噴嘴所構成。噴嘴是形成沿著處理槽1 2的壁面來 延伸於水平方向之細長狀的筒狀構件。成爲各吐出構件 71，72 ’ 73，74的二個筒狀構件是在鉛直方向彼此配置 於同一位置（參照圖1)。 成爲吐出構件71，72，73，74的筒狀構件之一方的 端部是被閉鎖，另一方的端部是與所對應的供給管4 1， -51 - 1380355 42，43，44連結。如圖2所示，在各筒狀構件設有沿著 其長度方向取一定的間隔而配置的多數個吐出口 71a， 72a，73a，74a。吐出口 71a，72a，73a，74a 的配置位置 是如後述，根據藉由保持構件20所保持的被處理晶圓W 的配置位置來決定。另外，來自各吐出構件71，72，73 * ，74的吐出方向最好是可適當變更。 但，如此的吐出構件71，72，73，74的構成只不過 φ 是個例子，可使用公知的構件等。又，亦可省略吐出構件 ，各供給管41〜44與處理槽直接連結。 如圖1所示，亦可在純水供給管4 8介設調整流動於 純水供給管48內的處理液的各種條件之調整裝置67。可 選擇調整處理液的溶存氣體濃度之氣體濃度調整裝置、或 調整處理液中所含的氣泡量之氣泡量調整裝置、或調整處 理液的溫度之溫度調整裝置等，作爲如此的調整裝置67 〇 Φ 其次，詳述有關從以上那樣的液供給設備40接受處 理液的處理槽12。 *' 處理槽12是如圖1及圖2所示具有大槪正方體的輪 · 廓。在處理槽12形成有如後述般供以晶圓W出入的上方 開口 12c。並且，在處理槽12的底部設有可開閉之用以 排出積蓄的處理液的排出管1 3。 又，如圖1所示，以能夠包圍處理槽12的上方開口 12c之方式設有外槽15。此外槽15是可回收自處理槽I2 的上方開口 12c溢出的處理液。並且，與處理槽12同樣 -52- 1380355 ’在外槽15亦設有可開閉之用以排出回收 排出管1 6。 如此的處理槽12及外槽15是例如使用 的石英等所形成。並且’處理槽12的底部 使來自往後說明的超音波發生裝置30的超 式’考量形成處理槽12的材料種類及自超 3〇照射的超音波的頻率等而決定。 另外’自處理槽12及外槽15的排出售 的處理液，可原封不動地廢棄，或經由過濾 至處理槽12內》再利用被回收於外槽15的 如圖1的點線所示，只要設置連接至外槽i 的循環用配管16a即可。 其次，詳述有關配置於處理槽12內的| 整流構件28是在於調整從處理槽12的第2 至第1區域l2a的處理液的流向，用以在處 第1區域12a內形成上昇流之構件。另外， 上昇流」是意指從下側往上側的流向，非限 平行的流向。 如圖1及圖2所示，在本實施形態中； 是由具有多數個貫通孔29的整流板所構成。 以其板面能夠形成與水平面平行之方式被支 所示，在包含收容於處理槽12的第1區域 W的正下方的區域之整流板28的大致全面 的貫通孔29。 後的處理液之 富有耐藥品性 厚度是以能夠 音波透過之方 音波發生裝置 ί 13，16排出 器等再度供給 處理液時，例 5與純水源64 整流構件28。 區域1 2 b流入 :理槽12內的 在此所謂的「 於與鉛直方向 |整流構件2 8 整流板2 8是 持著。如圖2 1 2 a內的晶圓 形成有圓形狀 -53- 1380355 並且，在本例中’貫通孔29是在整流板28上規則性 地配置。因此’若利用如此的整流板2 8 ,則可使以大槪 均一的流速來沿著鉛直方向通過處理槽12的第1區域 12a內的假想水平面的各位置之上昇流形成於處理槽12 的第1區域12a。亦即’可使水平方向位置之速度不均被 低減之沿著銘直方向的上昇流形成於處理槽12的第1區 域12a的大槪全域。 整流板28是由與處理槽12同樣的材料形成。並且， 整流板28的厚度是與上述處理槽12的底部厚度同様，以 能夠使來自超音波發生裝置30的超音波透過之方式，考 量形成整流板28的材料種類及自超音波發生裝置3〇照射 的超音波的頻率等而決定。 另外，如此構成的整流構件28只不過是個例子，可 使用公知的各種整流構件。 其次，說明有關保持晶圓W的保持構件2 0。如圖1 及圖2所示，保持構件2 0是具有：沿著大槪水平方向的 4根棒狀構件22、及由一側來單方支持4根棒狀構件22 的基部24。棒狀構件22可由下方來支持一次被處理的複 數個晶圓W、例如1 5 0片的晶圓W。因此，在各棒狀構件 2 2形成有沿著其長度方向取一定間隔來配列的溝（未圖 示）。晶圓W是與該溝卡合，各晶圓W的板面會與棒狀 構件的延伸方向大槪正交，亦即各晶圓W的板面會沿著 鉛直方向，藉由保持構件20來保持（參照圖1 )。 由圖2可理解，上述吐出構件71〜74的吐出口 71a -54- 1380355 〜74a的配置間距是與保持於保持構件20的晶圓W的配 置間距大致相同。特別是直接供給處理液至處理槽12的 第1區域12a之第2〜第4吐出構件72，73，74的各吐 出口 72a，73a，74a是以能夠在被保持於保持構件2〇之 相鄰的晶圓W之間（圖2的箭號方向）吐出處理液之方 / 式配列。 .· 另一方面，保持構件20的基部24是被連結至未圖示 φ 的昇降機構。利用此昇降機構來使保持晶圓W的保持構 件20降下，藉此可在處理槽12的第1區域12a內收容晶 圓W，且亦可在處理槽12所積蓄的處理液中浸漬晶圓w 〇 另外，昇降機構是被連接至控制裝置18。往處理槽 12的第1區域12a內之晶圓W的收容、及來自處理槽12 的第1區域12a之晶圓W的排出可藉由控制裝置18來控 制。 # 其次，說明有關超音波發生裝置30。如圖1所示， 超音波發生裝置30是具有：安裝於處理槽12的底部外面 ' 之振動子38、及用以驅動振動子38之高頻驅動電源32、 · 及連接至高頻驅動電源32之超音波振盪器34。在本實施 形態中是設有複數的振動子38，各振動子38是以能夠部 份地佔據處理槽12的底部外面之方式配列。又，如圖1 所示’超音波發生裝置30更具有連接至超音波振盪器34 及各振動子38的驅動切換機構36。藉由此驅動切換機構 36’可全體驅動複數的振動子38，及個別驅動一個或二 -55- 1380355 個以上的振動子38。 —旦振動子38被驅動而振動，則超音波會經由處理 槽12的底部及整流構件28傳播至處理槽12的第1區域 12a內所被積蓄的處理液。藉此，使超音波發生於處理槽 12內的處理液。另外，超音波發生裝置30是被連接至控 制裝置1 8，藉由控制裝置1 8來控制往處理液之超音波的 賦予。 其次，說明有關控制裝置1 8。如上述，控制裝置1 8 是被連接至基板處理裝置10的各構成要素，可控制各構 成要素的動作。在本實施形態中，控制裝置1 8是具有： 由CPU所構成的控制器19a、及連接至該控制器19a的記 憶媒體19b。在記錄媒體丨9b中，用以執行後述的被處理 晶圓W的處理方法之程式會與各種的設定資料一起被儲 存。記錄媒體1 9b是由ROM或RAM等的記憶體，硬碟、 CD-ROM等的碟狀記錄媒體，及其他公知的記錄媒體所構 成。 其次’主要利用圖3〜圖8來說明有關藉由如此構成 的基板處理裝置10來進行的晶圓w的處理方法。 首先’第1工程，如圖3所示，在處理槽12內積蓄 純水作爲處理液。具體而言，根據來自控制裝置丨8的信 號’驅動吐出機構65，被積蓄於純水源64的純水會在純 水供給管48內往切換機構5〇送入。流動於純水供給管 48內的純水是藉由調整裝置67來調整溶存氣體濃度、氣 泡的混入量、溫度等。此時，切換機構5 〇的第5開閉閥 -56- 1380355 55及第6開閉閥56是根據來自控制裝置18的信號，被 閉鎖。因此，在從純水供給管48傳送而來的純水中，不 會有來自第1藥液要素源61及第2藥液要素源62的藥液 要素被混入。亦即，可對處理槽12內供給純水作爲處理 液。 又，此時，切換機構50的第1〜第4開閉閥51，52 ，53，54是根據來自控制裝置18的信號，全部被開放。 因此，從下側供給管41及第1〜第3上側供給管42，43 ，44的所有供給管供給純水至處理槽12內。所以，可將 每單位時間的純水供給量（例如40〜90 Ι/min)設定更多 。其結果，可短時間有效率地在處理槽12內積蓄純水。 其次，第2工程是在處理槽12的第1區域12a內收 容晶圓W。具體而言，根據來自控制裝置18的信號，昇 降機構（未圖示）會使保持構件20降下。此時，保持構 件2 0是保持所定片（例如5 0片）的被處理晶圓W。其結 果，複數片的晶圓W可被收容於處理槽12的第1區域 12a內，且浸漬於處理槽12內所積蓄的純水中。 此第2工程的期間，切換機構40的開閉狀態及吐出 機構65的作動狀態是從上述第1工程起維持於原封不動 的狀態。因此’從下側供給管41及第1〜第3上側供給 管4 2，4 3，'4 4的所有供給管持續供給純水至處理槽1 2內 ，純水會從處理槽12溢出至外槽15。 另外，亦可以相反的順序來實施該第1工程及第2工 程。又，亦可並行實施第1工程及第2工程。 -57- 1380355 其次，第3工程，如圖4所示，經由下側供給管41 來供給氨水（第1藥液）至處理槽12的第2區域12b， 處理槽12內的純水會藉由氨水來置換。具體而言，首先 ，根據來自控制信號18的信號，吐出機構65的輸出會降 低。並且，切換機構50的第5開閉閥55會被開放。藉此 ，可在自純水供給管48送來的純水中混入來自第1藥液 要素源6 1的高濃度氨水。又，第2〜第4開閉閥72，73 ，74會閉鎖。其結果，如圖4所示，被弄薄成所定濃度 的氨水（藥液）會作爲處理液，經由下供供給管41，以 所定流量（例如、40〜50 Ι/min)供給至處理槽12的第2 區域1 2 b。 如上述，下側供給管41是被連結至一對的第1吐出 構件7 1。從下側供給管4 1送入的藥液是經由該第1吐出 構件71吐出至處理槽12的第2區域12b。在本實施形態 中，一對的第1吐出構件71是在對向的處理槽12的一對 壁面，以能夠對向的方式對稱性地配置。又，如圖4所示 ，各第1吐出構件71是往斜下方吐出藥液，從不同的吐 出構件71吐出的藥液是在第2區域12b內形成對稱流》 因此，從一方的第1吐出構件71吐出的藥液、及從 另一方的第1吐出構件71吐出的藥液會在第2區域12b 的中央部互相衝突，來自第1吐出構件7 1之沿著吐出方 向的液流會被打消。如此—來’沿著第2區域12b內的特 定方向之局處的藥液流動會藉由處理槽12的壁面及整流 板28而打消，且第2區域12b內的壓力可大致均一地上 -58- 昇。其結果，大致同一量的藥液會分別通過整流板28的 多數個貫通孔29，從第2區域12b往第1區域12a沿著 鉛直方向流入。亦即，從第2區域1 2b往第1區域12a內 之藥液的流入可在整流板28上的大致全區域大致均一地 進行。 如以上那樣’在處理槽12的第1區域12a內形成上 昇流（並進流），處理槽12內的純水會從處理槽12的下 側藉由藥液來置換而去。又，如圖4所示，隨著藥液之往 處理槽12內的供給，至目前爲止積蓄於處理槽12的處理 液會僅與往處理槽12之藥液的流入量大致同一量，從處 理槽12的上方開口 12c排出至外槽15。亦即，若根據本 實施形態，則可藉由藥液（氨水）來有效率地置換處理槽 12內的純水，可節約置換所要的藥液量。 另外，一旦對第1區域12a內的晶圓W的周圍供給 氨水，則開始氨水之晶圓 W的蝕刻。如上述，若根據本 實施形態，則藥液會從整流板2 8上的大致全區域大致均 一地流入第1區域1 2 a內。因此，可確保對沿著對應於配 置在第1區域12a內的狀態下的橫方向（水平方向）的方 向之晶圓W的處理的均一性》 又，如上述皞，藉由從第2區域12b流入第1區域 1 2 a的氨水，在第1區域1 2 a內的液流全體會朝向上方。 因此，可使漂浮於處理槽12內的浮游物，例如可使藉由 蝕刻處理來從晶圓W除去的粒子在處理槽1 2浮起至上方 ’更流出至外槽1 5。藉此，可防止浮游物（粒子）附著 -59- mms 於晶圓W。
其次，第4工程，如圖5所示’一邊將氨水（藥液） 補充至處理槽12，一邊將晶圓W浸漬於氨水（藥液）中 。具體而言，將切換機構50的開閉狀態及吐出機構65的 作動狀態從上述第3工程起維持於原封不動的狀態。因此 ，往處理槽12的第2區域12b以所定流量（例如，40〜 5 0 1/m in )來持續供給氨水。此工程是例如在數分鐘之間 被實施。 此工程中，在處理槽12的第1區域12a內形成有藥 液的上昇流。又，如圖5所示，隨著從第2區域12b往第 1區域12a之新的氨水的流入，至目前爲止積蓄於處理槽 12的氨水會僅與往處理槽12之新的氨水的流入量大致同 —量，從處理槽1 2的上方開口 1 2c排出至外槽1 5。亦即 。亦即，不僅在處理槽12的第1區域12a內所配置的被 處理晶圓W的周圍氨水的濃度會被保持於一定》且被處 理晶圓 W的板面上之氨水的流動方式，例如流速會在板 面內大致形成均一。因此，儘管應被處理的矽晶圓W對 氨水具有敏銳的反應性，還是可使該工程中的蝕刻量在被 處理晶圓w的板面內大致成爲均一。 另外’與上述第3工程同樣，藉由從第2區域12b往 第1區域12a流入的氨水，在第1區域12a內的液流會全 體朝向上方。 因此，可使漂浮於處理槽12內的浮游物在處理槽12 內浮起至上方，更流出至外槽15。藉此，可防止浮游物 -60- 1380355 (粒子）附著於晶圓W。 其次，第5工程’如圖6所示，經由下側供給管41 來供給水至處理槽12的第2區域12b，處理槽12內的氨 水會藉由純水來置換而去。具體而言，根據來自控制裝置 18的信號’切換機構5〇的第5開閉閥55會被閉鎖。藉 此’停止對自純水供給管48傳送而來的純水之來自第1 藥液要素源61的高濃度氨水的混入。另一方面，其他切 換機構50的各開閉閥的開閉狀態及吐出機構65的作動狀 態是從上述第4工程起維持於原封不動的狀態。其結果， 可以所定流量（例如，4 0〜5 0 1 /m i η )來供給純水至處理 槽12的第2區域12b。亦即，從第3工程至第5工程爲 止，供給至處理槽12的第2區域12b之處理液的供給量 是形成大致一定。 如上述’及圖6所示，各第1吐出構件71是往斜向 下方吐出純水’從不同的吐出構件71吐出的純水可在第 2區域12b內形成對稱流。因此，從—方的第1吐出構件 71吐出的純水、與從另—方的第丨吐出構件7 1吐出的純 水會在第2區域12b的中央部互相衝突，來自第1吐出構 件7 1之沿著吐出方向的液流會被打消。如此一來，沿著 第2區域12b內的特定方向之局處的純水流動會藉由處理 槽12的壁面及整流板28而打消，且第2區域12b內的壓 力可大致均一地上昇。其結果，大致同一量的純水會分別 通過整流板28的多數個貫通孔29，從第2區域12b往第 1區域12a沿著鉛直方向流入。亦即，從第2區域丨2b往 -61 - 1380355 第1區域12a內之純水的流入可在整流板28上的大致全 區域大致均一地進行。 如以上那樣，在處理槽12的第1區域12&內形成上 昇流，處理糟12內的氨水（藥液）會從處理槽12的下側 藉由純水來置換而去。又，如圖4所示’隨著純水之往處 理槽12內的供給，至目前爲止積蓄於處理槽12的氨水會 僅與往處理槽12之純水的流入量大致同一量，從處理槽 12的上方開口 12c排出至外槽15。亦即，若根據本實施 形態，則可藉由純水來有效率地置換處理槽1 2內的藥液 (氨水）。 又，與上述第3及第4工程同樣，在此第5工程中， 亦藉由從第2區域I 2b流入至第1區域1 2a的純水，在第 1區域12a內的液流會全體朝向上方。因此，可使漂浮於 處理槽12內的浮游物在處理槽12內浮起至上方，更流出 至外槽15。藉此，可防止浮游物（粒子）附著於晶圓 W 〇 另外’一旦在第1區域12a內的晶圓W的周圍，氨 水被置換成純水，則終了利用氨水之晶圓W的蝕刻。如 上述般，若根據本實施形態，則純水會從整流板2 8上的 大致全區域大致均一地流入至第1區域12a內。 因此，可確保對沿著對應於配置在第1區域12a內的 狀態下的橫方向（水平方向）的方向之晶圓W的處理的 均一性。 又，從利用氨水之晶圓W的蝕刻開始到終了的期間 -62- 1380355 ，在處理槽12的第1區域12a內經常形成有氨水的上昇 流。因此，可確保對沿著對應於配置在第1區域12a內的 狀態下的橫方向（水平方向）的方向之晶圓W的處理的 均一性。 又’如上述，處理槽12內（特別是被處理晶圓W的 周圍）的處理液（純水）是由下側慢慢地藉由藥液（氨水 )來置換而去。同樣，如上述，處理槽12內（特別是被 處理晶圓W的周圍）的藥液（氨水）是由下方慢慢地藉 由水（純水）來置換而去。因此，如圖8所示，配置於處 理槽12的第I區域12a內之晶圓W中上側部份的周圍之 藥液的濃度（圖8的虛線）與下側部份的周圍之藥液的濃 度（圖8的實線）是在往處理槽12內之藥液的供給開始 後的一定時間的期間、及往處理槽1 2內之純水的供給開 始後的一定時間的期間，形成相異的値。亦即，在晶圓W 的板面中，在晶圓W配置於處理槽12內時配置於上方的 部份與配置於下方的部份之間，利用藥液的處理實質開始 的時序及利用藥液的處理實質終了的時序不同。然而，可 藉由使上述第3工程之往處理槽12的第2區域12b內的 藥液的每單位時間的供給流量與第5工程之往處理槽1 2 的第2區域12b內的純水的每單位時間的供給流量大致形 成相同，在晶圓W的板面中之晶圓W被配置於處理槽1 2 內時配置於上方的部份與配置於下方的部份之間，使實質 進行第1藥液的處理的時間大致形成相同（參照圖8) 。因此，可確保沿著相當於被處理晶圓W配置於處理槽 -63- 1380355 12內時的上下方向的方向之被處理晶圓w的板面之 的均一性。 又，對被處理晶圓的進行處理的第3工程〜第5 中，在被處理晶圓W的板面周圍，形成均一的藥液 舁流。亦即，被處理晶圓 W的板面上之氨水的流動 如流速會在板面內大致形成均一。因此，即使所應被 的矽晶圓W對氨水具有敏銳的反應性，照樣可使蝕 在被處理晶圓W的板面內大致形成均一。 如此一來，在第3工程〜第5工程之間，可使晶 在其板面的全區域以大槪均一的蝕刻量來蝕刻。 其次，第6工程，如圖7所示，經由下側供給， 以及第1〜第3上側供給管42，43，44來對處理槽] 給純水。具體而言，首先，根據來自控制信號1 8的 ’吐出機構65的輸出會上昇。並且，切換機構50的 〜第4開閉閥52，53，54會被開放。其結果，如圖 示’純水會經由下位供給管41及第1〜第3上側供 42 ’ 43 ’ 44以所定流量（例如，8〇 1/min以上）來供 處理槽12。 如上述，第1〜第3上側供給管42，43，44是 連結至一對的第2〜第4吐出構件72，73，74。從第 第3上側供給管4 2 ’ 4 3，4 4送入的純水是經由該第 第4吐出構件72，73，74，直接吐出至處理槽12的 區域1 2a內。在本實施形態中，各對的吐出構件72 ’ 7 4是以能夠在所對向的處理槽1 2的一對壁面成對 處理 工程 的上 ，例 處理 刻量 圓W | 4 1 2供 信號 第2 7所 給管 給至 分別 第1 ，73 向之 -64- 1380355 方式對稱配置。又，第2〜第4吐出構件72，73，74的 各吐出口 72a，73，74a是以能夠在被保持於保持構件20 的相隣晶圓W之間吐出純水的方式配列。 因此，從對向的各對的吐出構件72，73’ 74的其中 一方的吐出構件吐出的純水與從他方的吐出構件吐出的純 水會在晶圓W與晶圓W之間的間隙衝突。並且，第2〜 第4吐出構件72，73，74是配置於相異的鉛直方向位置 。因此，在處理槽12的第1區域12a內（至少被處理晶 圓W的板面的周圍），積蓄於處理槽12內的液體（純水 )會被激烈攪拌。此外，相較.於第3〜第5工程，本工程 中往處理槽1 2內之液體的處理液的每單位時間的供給量 會増大。該等的結果，亦可從晶圓W的周圍確實地沖走 在第5工程未完全除去滯留於晶圓W周圍的離子水準的 藥液。又，同樣，可從該晶圓W除去在第5工程未完全 除去附著於晶圓W的附著物（粒子）。 另外，本工程中，對於藉由保持構件20來從下方予 以支持的晶圓W而言，並非僅由下方，亦從兩側方吐出 處理液（純水）。因此，與第3〜第5工程作比較，即使 每單位時間之處理液的供給量増大，照樣可藉由保持構件 20來安定支持晶圓W。 又，本實施形態中，在處理槽12的第2區域12b內 也會有純水從下側供給管4 1被供給。被供給至第2區域 12b的純水，如上述，通過整流板2 8，在整流板2 8的全 面成爲大致均一的上昇流（並進流），流入至第1區域 -65- 12a。然後，藉由從該第2區域12b流入至第1區域12a 的純水，在第1區域12a內的液流全體會形成朝向上方。 因此，可使殘留於晶圓W周圍的藥液或從晶圓W除去的 附著物在處理槽12內浮起至上方，更往外槽15流出。藉 此，可更確實地進行晶圓W的洗滌處理的同時，可防止 所被除去的附著物再度附著於晶圓W。 如此的第6工程是例如進行數分鐘。一旦第6工程終 了，則保持構件2 0構件會上昇，晶圓W會從處理槽12 內排出。完成以上那樣對被處理晶圓W的一連串處理。 若根據以上那樣的本實施形態，則可在第1區域1 2a 內形成上昇流，收容被處理晶圓W的同時對積蓄處理液 (純水）的處理槽12內的第2區域12b供給藥液（氨水 )。並且，在處理槽12內藉由藥液置換後，在第1區域 12a內形成上昇流，而將純水供給至處理槽12的第2區 域1 2 b。無論哪個情況皆是至少在被處理晶圓W的周圍形 成大槪均一的上昇流。因此，可確保沿著相當於被處理晶 圓W配置於處理槽12內時的橫方向的方向之被處理晶圓 W的板面之處理的均一性。 並且’在被處理晶圓W的附近，處理槽12內的處理 液是由下側慢慢地藉由藥液來置換而去。同樣，在被處理 晶圓W的附近，處理槽12內的藥液是由下方慢慢地藉由 水來置換而去。因此，在被處理晶圓W的板面中，在被 處理晶圓W配置於處理槽12內時配置於上方的部份與配 置於下方的部份之間，雖利用藥液的處理實質開始的時序 -66 - 1380355 及利用藥液的處理實質終了的時序不同，但可使實質進行 藥液的處理的時間大致形成相同。因此，可確保沿著相當 於被處理晶圓W配置於處理槽12內時的上下方向的方向 之被處理晶圓W的板面之處理的均一性。 又，至少在處理槽12的第1區域12a內所配置的被 處理晶圓W的周圍，形成藥液的上昇流。因此，不僅藥 液的濃度會被保持於一定，且被處理晶圓W的板面上之 藥液的流動，例如流速也會在板面內大致形成均一。所以 ，可不依所被使用的藥液種類，確保被處理晶圓W的板 面之處理的均一性。 藉此，若根據本實施形態，則可不依所被使用的藥液 種類，一面確保被處理保晶圓W的板面內之處理程度的 均一性，一面處理。 另外，可對上述實施形態加諸各種的變更。例如，在 上述的實施形態中，以藥液（氨水）來置換積蓄於處理槽 1 2內的處理液（純水）時，只從下側供給管41供給藥液 至處理槽12內，以純水來置換積蓄於處理槽12內的藥液 (氨水）時，只從下側供給管41供給純水至處理槽12內 ，但並非限於此例。亦可從下側供給管41供給藥液或純 水至處理槽1 2內的同時，並行從第1〜第3上側供給管 42，43，44的其中至少任何一個的供給管供給藥液或純 水至處理槽12內。有關第1區域12a內之液體的流動， 只要被上昇流支配，或至少在第1區域1 2a內所收容的晶 圓W的周圍形成上昇流，便可使晶圓W在其板面內大致 -67- 1380355 均一地處理。 又’上述實施形態中，在第6工程中從全部的供給管 41，42’ 43，44供給處理液（純水）至處理槽12內，但 並非限於此例。 例如，亦可停止來自下側供給管41之純水的供給。 又’亦可從第1〜第3上側供給管41，42，43的其中一 個或二個供給純水。至少在第1區域1 2 a內所被收容的晶 圓W周圍吐出處理液，且所被積蓄的液體在晶圓w的周 圍被攪拌，則可更確實地進行對該晶圓W的洗滌處理。 並且，可從晶圓W以高除去效率來除去附著物。 又，上述實施形態中，藥液爲使用氨水，但並非限於 此例，亦可使用各種的液體作爲藥液。如上述般，可不依 藥液的種類，使被處理晶圓W在其板面內大致均一地處 理。 又，上述實施形態中，基板處理裝置10是包含超音 波發生裝置30，但並非限於此例，超音波發生裝置30爲 任意。另一方面，在上述基板處理方法中的各工程、例如 上述第3工程（利用藥液之處理液的置換）、第4工程（ 晶圓W浸漬至藥液）及第5工程（利用純水之藥液的置 換）中，亦可使超音波從超音波發生裝置30發生於處理 槽12內的處理液。若根據如此的方法，則可從被處理晶 圓W以筒除去效率來除去粒子。 又，上述實施形態中，整流構件28是由具有多數個 貫通孔2 9的整流板所構成，但並非限於此例，亦可適用 -68- 1380355 各種公知的整流構件。並且，爲了在處理槽12的第1區 域12a內所配置的被處理晶圓w的周圍形成均_的上昇 流’亦可在處理槽12的第2區域12b內設置補助整流板 。例如’以能夠和經由下側供給管4 1之往第2區域1 2 b 內的液體的供給口（在上述實施形態中是第1吐出構件 71的吐出口 71a)對向之方式來設置板狀的補助整流板， 藉此可打消沿著經由下側供給管4 1來供給的液體的供給 方向之局處的流動。而且’從下側供給管41經由第1吐 出構件71來使處理液流入處理槽12的第2區域12b內， 但並非限於此，亦可省略第1吐出構件7 1。 又’上述實施形態中，從沿著鉛直方向之相異的三個 位置供給處理液至處理槽12的第1區域12a內，但並非 限於此例。亦可只從沿著上下方向之一個或二個的位置供 給處理液至第1區域12a內。或，從沿著上下方向之四個 以上的位置供給處理液至第1區域12a內。 又，以上的說明中，是將基板處理裝置及基板處理方 法適用於對晶圓W之蝕刻處理及洗滌處理，但並非限於 此例，亦可適用於對LCD基板或CD基板的蝕刻處理及洗 滌處理，更可適用於蝕刻處理及洗滌處理以外的各種處理 [第2實施形態] 其次，主要參照圖9〜圖12來說明本發明的基板處 理裝置及基板處理方法' 基板處理程式、及程式記錄媒體 -69- 1380355 的第2實施形態。 在第2實施形態中是說明對處理基板在單 內連續地實施使用藥液的複數種類的處理之例 以下的第2實施形態中是使用第1實施形態中 板處理裝置10，對作爲被處理基板的晶圓施 基板的反應性相異之二種類的藥液（第1藥液 )的二種類的處理。然後，如以下說明那樣， 理中使用與晶圓的反應性更高的第1藥液之處 參照圖1〜圖8 —邊作爲第1實施形態說明過 來處理晶圓的方法大致相同。因此，在以下的 關第2實施形態中與上述第1實施形態相同的 複說明。 以下，主要參照圖9〜圖12的同時，適 實施形態中所參照的圖1〜圖8來說明有關第 。在此，圖9〜圖12是用以說明基板處理裝 理方法、基板處理程式、及程式記錄媒體的第 。其中，圖9是用以說明基板處理方法的表， 12是用以說明圖9所示的各工程的處理內容。 在第2實施形態中是使用在第1實施形態 基板處理裝置1〇(參照圖1及圖2)。因此， ，基板處理裝置10的液供給設備40是具有： 氨水（NH4OH)作爲藥液要素而積蓄的第1 ; 6 1、及以高濃度含氟化氫（H F )的氟化氫水1 素而積蓄的第2藥液要素源62。如圖1所示 —的處理槽 。特別是在 已說明的基 以和被處理 及第2藥液 二種類的處 理是與一邊 之藉由氨水 說明中，有 部份省略重 當參照第1 2實施形態 置、基板處 2實施形態 圖 1 0〜圖 已說明過的 如圖1所示 以高濃度的 藥液要素源 乍爲藥液要 ，切換粒構 -70- 1380355 5〇的第5開閉閥55是與第1藥液要素源61每 開閉閥56是與第2藥液要素源62連結。然後， 啓第5開閉閥55’使從第1藥液要素源61送進 度氨水混入至從純水供給管48送入的純水，生 度的氨水（第1藥液）作爲處理液。又，可藉注 開閉閥56，使從第2藥液要素源62送進來的高 氫水混入至從純水供給管48送入的純水，生成 的氟化氫水（第2藥液）作爲處理液。 其次’主要利用圖9〜圖12來說明有關第 態之晶圓W的處理方法。在此，在圖9的上側 欄中顯示在各工程中從上側供給管42，43，44 體。並且’在圖9的下側供給管的欄中顯示在各 下側供給管41供給的液體。而且，在圖9的外 顯示在各工程中從處理槽12溢出至外槽15的液 的一個。又，圖9的上側供給管、下側供給管及 中所示的「DIW」是表示純水，「NH3」是表示 HF」是表示氟化氫水。 另外’以下說明的處理方法，如上述般，使 W的反應性高的第丨藥液（氨水）之處理、及使 W的反應性比第丨藥液（氨水）更低的第2藥液 水）之處理等二種類的處理會在基板處理裝置1 槽12內對晶圓w實施。更具體而言，對晶圓W 使用氟化氫水（第2藥液）的蝕刻處理及其後的 '及使用氨水（第1藥液）的蝕刻處理及其後的 【結，第6 可藉由開 來的高濃 成所望濃 丨開啓第6 濃度氟化 所望濃度 2實施形 供給管的 供給的液 工程中從 槽的欄中 體中所含 外槽的欄 氨水，「 用與晶圓 用與晶圓 (氟化氫 0的處理 依序實施 洗滌處理 洗滌處理 -71 -
及使用純水的處理、以及第二次使用氟化氫水的蝕刻處理 及其後的洗滌處理。以下，針對各工程來進行說明。 首先，如圖9所示，第1工程是在處理槽12內積蓄 純水作爲處理液。具體而言，與一邊參照圖3 —邊說明的 第1實施形態之基板處理方法的第1工程同樣，在處理槽 12內積蓄純水。亦即，根據來自控制裝置1 8的信號，驅 動吐出機構65，被積蓄於純水源64的純水會在純水供給 管4 8內往切換機構5 0送入。流動於純水供給管4 8內的 純水可藉由調整裝置67來調整溶存氣體濃度、氣泡的混 入量、溫度等。此時，切換機構50的第5開閉閥55及第 6開閉閥5 6是根據來自控制裝置1 8的信號，被閉鎖。因 此’在從純水供給管4 8送進來的純水中，不會有來自第 1藥液要素源61及第2藥液要素源62的藥液要素混入。 亦即，在處理槽1 2內供給純水作爲處理液。 又’此時’切換機構50的第1〜第4開閉閥51，52 ’ 53’ 54是根據來自控制裝置is的信號，全部被開放。 因此’從下側供給管4丨及第1〜第3上側供給管42，43 ’ 44的全部供給管供給純水至處理槽1 2內。所以，可將 每單位時間的純水的供給量（例如，8 〇丨/mi n以上）設定 更多。其結果’可短時間有效率地在處理槽12內積蓄純 水。 其次’第2工程是在處理槽12的第1區域12a內收 容晶圓W。具體而言’與上述第1實施形態之基板處理方 法的第2工程同様’在處理槽12的第！區域丨2a內收容 -72- 晶圓w。亦即，根據來自控制裝置18的信號，昇降機構 (未圖示）會使保持構件20降下。此時，保持構件20是 保持所定片（例如5 0片）的被處理晶圓W。此時，複數 片的晶圓W可被收容於處理槽12的第1區域〗2a內的同 時，可浸漬於處理槽12內所積蓄的純水中。 該第2工程的期間，切換機構40的開閉狀態及吐出 機構65的作動狀態是從上述第丨工程起維持於原封不動 的狀態。因此’可從下側供給管41及第1〜第3上側供 給管42 ’ 43，44的全部供給管持續供給純水至處理槽12 內，純水會從處理槽12溢出至外槽15。 另外’亦可以相反的順序實施該第1工程及第2工程 。又’亦可並行實施第1工程及第2工程。 其次，第3工程，如圖9及圖1 0所示，經由下側供 給管41及第1〜第3上側供給管4 2，4 3，44來供給氟化 氫水（第2藥液）至處理槽12。具體而言，切換機構50 的第6開閉閥5 6會被開放。藉此，可在從純水供給管4 8 送進來的純水中混入來自第2藥液要素源62的高濃度的 氟化氫水。另一方面，切換極構50的第6開閉閥56以外 的開閉狀態及吐出機構65的作動狀態是從上述第！及第 2工程起維持於原封不動的狀態。其結果，如圖10所示 ’被弄薄成所定濃度的氟化氫水（第2藥液）會作爲處理 液，經由下側供給管41及第1〜第3上側供給管42，43 ，44的全部供給管，以所定流量（例如，80 Ι/min以上） 供給至處理槽12的第1區域12a及第2區域12b。 -73- 1380355 如此一來，一旦氟化氫水被供給至處理槽12內，則 到目前爲止被積蓄於處理槽12的液體會僅以和往處理槽 12之氟化氫水的流入量大致同一量，從處理槽12的上方 開口 12c排出至外槽15而去。其結果，處理槽12內的純 水會藉由氟化氫水（第2藥液）置換而去。 如上述，第1〜第3上側供給管42，43，44是分別 連結至一對的第2〜第4吐出構件72，73，74。從第1〜 第3上側供給管42，43，44送進的氟化氫水是經由該第 2〜第4吐出構件72，73，74，直接吐出至處理槽12的 第1區域12b內。在本實施形態中，各對的吐出構件72 ’ 73，74是在對向的處理槽12的一對壁面，以能夠對向 的方式對稱性地配置。又，第2〜第4吐出構件72，73, 74的各吐出口 72a，73a，74a是以能夠在被保持於保持 構件2 0的相隣晶圓W之間吐出純水之方式配列。 因此，從對向的各對吐出構件72，73，74的其中一 方的吐出構件吐出的氟化氫水與從另一方的吐出構件吐出 的氟化氫水會在晶圓W與晶圓W之間的間隙中衝突。並 且’第2〜第4吐出構件72，73，74是被配置於相異的 上下方向位置。因此，在處理槽12的第1區域12a內（ 至少在被處理晶圓W的板面周圍），被積蓄處理槽12內 的液體會被激烈地攪拌。 因此，被供給至處理槽1 2內的至少被處理晶圓W的 周圍之氟化氫水會與到目前爲至被積蓄於處理槽12內的 至少被處理晶圓W的周圍之液體馬上混合。其結果，氟 -74- 1380355 化氫水的濃度是一邊在處理槽12內的至少被處理晶圓w 的周圍大槪保持均一，一邊上昇而去。亦即，一旦氟化氫 水被供給至第1區域1 2a內的晶圓W周圍，則開始氟化 氫水之晶圓W的鈾刻，在此工程中，晶圓W的板面內之 使用第2藥液（氟化氫水）的處理的均一性可被確保。 *' 可是，本實施形態中是在此工程中，也會在處理槽 12的第2區域12b內從下側供給管41供給氟化氫水。如 φ 上述，下側供給管4 1是被連結至一對的第1吐出構件7 1 。從下側供給管4 1送進的氟化氫水是經由該第1吐出構 件71，吐出至處理槽12的第2區域12b。在本實施形態 中，一對的第1吐出構件71是在對向的處理槽12的一對 壁面，以能夠對向的方式來對稱性地配置。又，如圖1〇 所示，各第1吐出構件7 1是往斜下方吐出氟化氫水，從 相異的吐出構件7 1吐出的氟化氫水是在第2區域1 2b內 形成對稱流。 0 因此，從一方的第1吐出構件71吐出的氟化氫水與 從另一方的第1吐出構件71吐出的氟化氫水會在第2區 ' 域12b的中央部互相衝突，來自第1吐出構件7 1之沿著 - 吐出方向的液流會被打消。如此一來，沿著第2區域1 2b 內的特定方向之局處的藥液流動會藉由處理槽12的壁面 及整流板28而打消，且第2區域12b內的壓力可大致均 一地上昇。其結果，大致同一量的藥液會分別通過整流板 28的多數個貫通孔29，從第2區域12b往第1區域l2a 沿著上下方向流入。 -75- 1380355 亦即，被供給至第2區域1 2b的氟化氫水會通過整流 板28’在整流板28的全面成爲大致均一的上昇流（並進 流）’流入至第1區域12a。然後，藉由從該第2區域 12b流入至第1區域12a的氟化氫水，在第1區域i2a內 的液流全體會形成朝向上方。因此，可使漂浮於處理槽 1 2內的浮游物、例如藉由蝕刻處理來從晶圓W除去的粒 子在處理槽12內浮起至上方，更往外槽15流出。藉此， 可防止浮游物（粒子）附著於晶圓W。 其次’第4工程，如圖9及圖11所示，一邊將氟化 氫水（第2藥液）補充至處理槽12，一邊將晶圓W浸漬 於氟化氫水（第2藥液）中。具體而言，將切換機構50 的開閉狀態及吐出機構65的作動狀態從上述第3工程起 維持於原封不動的狀態。因此，可用所定流量（例如，80 Wmin以上）持續供給氟化氫水至處理槽12的第1區域 12a及第2區域12b。此工程是例如被實施數分鐘。 此工程中，如圖Η所示，隨著往處理槽12之新的氟 化氫水的供給，到目前爲止被積蓄於處理槽1 2的氟化氫 水會只以和往處理槽12之新的氟化氫水的流入量同一量 ，從處理槽12的上方開口 12 c排出至外槽I5而去。又 ，如上述，新的氟化氫水是以能夠在處理槽1 2的第1區 域12a內的至少晶圓W的周圍攪拌液體的方式供給至處 理槽12內。因此，被新供給的新氟化氫水會與到目前爲 止被積蓄於處理槽12內的氟化氫水馬上混合。亦即，在 配置於處理槽丨2的第1區域12&內之被處理晶圓W的周 -76- 1380355 圍，氟化氫水的濃度會被維持於一定。其結果，可使該工 程中的蝕刻量在被處理晶圓w的板面內大致形成均一。 又’此工程中亦與第3工程同樣，在處理槽12的第 2區域12b內也從下側供給管41供給氟化氫水。然後， 如上述般，被供給至第2區域12b的氟化氫水會通過整流 板28，在整流板28的全面成爲大致均一的上昇流（並進 流），流入至第1區域12a。其結果，可使漂浮於處理槽 12內的浮游物在處理槽12內浮起至上方，更往外槽15 流出。藉此，可防止浮游物（粒子）附著於晶圓W。 其次，第5工程，如圖9及圖12所示，經由下側供 給管41以及第1〜第3上側供給管42，43，44來供給純 水至處理槽12，處理槽12內的氟化氫水會藉由純水置換 而去。具體而言，根據來自控制信號18的信號，切換機 構50的第6開閉閥56會被閉鎖。藉此，對於從純水供給 管48送進來的純水而言，來自第2藥液要素源62之高濃 度的氟化氫水的混人會停止。另一方面，其他切換機構 50的各開閉閥的開閉狀態及吐出機構65的作動狀態是從 上述第4工程起維持於原封不動的狀態。其結果，如圖 1 2所示，純水可經由下側供給管41及第1〜第3上側供 給管42，43，44，以所定流量（例如，80 Ι/min以上） 供給至處理槽1 2。 如此一來，一旦純水被供給至處理槽1 2內，則到目 前爲止被積蓄於處理槽12的液體會僅以和往處理槽12之 純水的流入量大致同一量，從處理槽12的上方開口 12c -77- 排出至外槽15而去。其結果，處理槽12內的氟化氫 第2藥液）會藉由純水置換而去。另外，在第1區塌 內的晶圓W的周圍，一旦氟化氫水被置換成純水， 了氟化氫水之晶圓W的鈾刻。 與第3工程之氟化氫水的供給同樣，從第1〜第 側供給管42，43，44供給純水至第1區域12a，藉 積蓄於處埋槽12內的液體會被激烈地攪拌。因此， 至處理槽12內的至少被處理晶圓W的周圍之純水會 目前爲至被積蓄於處理槽12內的至少被處理晶圓W 圍之液體馬上混合。其結果，氟化氫水的濃度是一邊 理槽12內的至少被處理晶圓W的周圍大致被保持於 ，一邊降低而去。亦即，此工程中，利用殘存於處 12內的氟化氫水（第2藥液）之處理可在晶圓W的 中大致均一地進行。 又，與第3工程之氟化氫水的供給同樣，從下側 管41供給純水至第2區域12b，藉此在第1區域1: 的液流全體可朝向上方。因此，可使漂浮於處理槽1 的浮游物在處理槽12浮起至上方，更流出至外槽15 此，可防止浮游物（粒子）附著於晶圓W〇 又，第5工程中，亦可取得與第1實施形態之基 理方法的第6工程同樣的作用效果。 如以上般，氟化氫的濃度是在從第3工程中上昇 到第5工程中下降爲止的期間，在第1區域12 a內的 W的板面附近內大致保持於均一。因此，從第3工程 水（ I 12a 則終 3上 此被 供給 與到 的周 在處 均一 理槽 板面 供給 U內 2內 。藉 板處 開始 晶圓 到第 -78- 1380355 5工程爲止的期間，可使晶圓W在其板面的全區域以大致 均一的蝕刻量來餓刻。並且，往處理槽12之氟化氫水（ 第2藥液）的供給是利用下側供給管41及第1〜第3上 側供給管42，43 ’ 44來進行。因此，可設定更多往處理 槽1 2內之氟化氫水的供給，藉此可短時間進行使用氟化 氫水的處理。 其次，如圖9所示，第6工程，是經由下側供給管 41來供給氨水（第1藥液）至處理槽12的第2區域12b ’處理槽12內的純水會藉由氨水置換而去。具體而言， 與一邊參照圖4 一邊說明的第1實施形態之基板處理方法 的第3工程同樣，藉由氨水來置換處理槽12內的純水。 亦即，從下側供給管41供給氨水（第1藥液）至第2區 域12b，經由整流構件28，使氨水（第1藥液）從第2區 域12b流入至第1區域12a，一邊在第1區域12a內的至 少晶圓W的附近形成上昇流，一邊藉由氨水（第1藥液 )來置換處理槽12內的純水。然後，在該第6工程中， 可取得與一邊參照圖4 一邊說明的第1實施形態之基板處 理方法的第3工程同樣的作用效果。因此，有關該第6工 程之處理內容的詳細及所取得的作用效果，是參照在上述 第1實施形態的說明者，在此省略重複的說明。 其次，如圖9所示，第7工程，是一邊補充氨水（第 1藥液）至處理槽12，一邊將晶圓W浸漬於氨水（第1 藥液）中。具體而言，與—邊參照圖5 —邊說明的第丨實 施形態之基板處理方法的第4工程同樣，將晶圓w浸漬 -79- 1380355 於氨水（第1藥液）中，處理該晶圓w。亦即，從下側供 給管41持續供給氨水（第1藥液）至第2區域12b，經 由整流構件28，使氨水（第1藥液）從第2區域12b流 入至第1區域12a，一邊在第1區域12a內的至少晶圓W 的附近形成上昇流，—邊將晶圓W浸漬於氨水（第1藥 液）中而進行處理。然後，在該第7工程中，可取得與一 邊參照圖5 —邊說明的第1實施形態之基板處理方法的第 4工程同樣的作用效果。因此，有關該第7工程之處理內 容的詳細及所取得的作用效果，是參照在上述第1實施形 態的說明者，在此省略重複的說明。 其次，如圖9所示，第8工程，是經由下側供給管 41來供給純水至處理槽12的第2區域12b，藉由純水來 置換處理槽12內的氨水。具體而言，與一邊參照圖6 — 邊說明的第1實施形態之基板處理方法的第5工程同樣， 藉由純水來置換處理槽12內的氨水，對晶圓W實施洗滌 處理。亦即，從下側供給管41供給純水至第2區域12b ，而經由整流構件28，使純水從第2區域1 2b流入至第1 區域12a，一邊在第1區域12a內的至少晶圓W的附近形 成上昇流，一邊藉由純水來置換處理槽12內的氨水（第 1藥液）。然後，在該第8工程中，可取得與一邊參照圖 6 —邊說明的第1實施形態之基板處理方法的第5工程同 樣的作用效果。因此，有關該第8工程之處理內容的詳細 及所取得的作用效果，是參照在上述第1實施形態的說明 者，在此省略重複的說明。 -80- 1380355 其次’如圖9所示，第9工程，是經由下側供給管 41及第1〜第3上側供給管42，43 ’ 44來持續供給純水 至處理槽12。具體而言，與一邊參照圖7_邊說明的第1 實施形態之基板處理方法的第6工程同樣，對處理槽12 供給純水’而藉由純水來處理基板。亦即，從上側供給管 42 ’43，44供給純水至第1區域12a，且從下側供給管 41供給純水至第2區域12b，而一邊在第1區域i2a內的 至少晶圓W的附近使液體攬拌，一邊藉由純水來處理基 板。然後’該第9工程中’可取得與一邊參照圖7一邊說 明的第1實施形態之基板處理方法的第6工程同樣的作用 效果。因此，有關該第9工程之處理內容的詳細及所取得 的作用效果’是參照在上述第1實施形態的說明者，在此 省略重複的說明。 如以上般，使用氟化氫水的蝕刻處理（第3及第4工 程）及其後的洗滌處理（第5工程）、使用氨水的蝕刻處 理（第6及第7工程）及其後的洗滌處理（第8工程）、 以及使用純水的處理（第9工程）會進行。然後，如圖9 所示，在本實施形態中，更進行使用氟化氫水的蝕刻處理 (第10及第11工程）及其後的洗滌處理（第12工程） 〇 具體而言，如圖9所示，使用氟化氫水的蝕刻處理包 含：作爲第1 〇工程之以氟化氫水來置換純水的工程、及 作爲第1 1工程之將晶圓W浸漬於氟化氫水而處理的工程 。又，洗滌處理包含作爲第12工程之以純水來置換氟化 -81 - 1380355 氫的工程。其中，第10工程可與一邊參照圖10 一邊詳述 過的第3工程相同。又，第11工程可與一邊參照圖M — 邊詳述過的第4工程相同。又，第12工程可與—邊參照 圖12 —邊詳述過的第5工程相同。因此，在此有關第10 〜第12工程方面省略重複的說明。 如此一來’一旦第1 2工程終了，則保持構件20構件 會上昇，晶圓W會從處理槽12內排出。完成以上那樣對 被處理晶圓W的一連串處理。 若根據以上那樣的本實施形態，則在同一處理槽1 2 內對晶圓W連續實施使用彼此相異種類的藥液之複數的 處理時，可按照藥液的種類來改變往處理槽12內之藥液 的供給方法。藉此，可用適於各藥液的方法來處理晶圓W 。其結果，可短時間進行對晶圓W之複數的處理的同時 ’可使晶圓W的板面內之處理的均一性提升》 具體而言，以能夠在處理槽內的至少被處理晶圓 W 的周圍形成上昇流之方式，供給第1藥液（氨水）至處理 槽12內。因此，在第1藥液供給至處理槽12內的期間， 藉由均一形成處理槽12內的上昇流，不僅晶圓W的板面 附近之第1藥液的濃度，連晶圓W的板面附近之液體的 流動也可在板面內大致形成均一。其結果，不依所被使用 的藥液種類，使晶圓W的板面內之使用第1藥液的處理 的均一性大幅度提升。 另一方面，以能夠在處理槽12內的至少晶圓W的周 圍攪拌液體之方式供給第2藥液（氟化氫水）至處理槽 -82- 1380355 12內。因此，在第2藥液供給至處理槽12內的期間’可 —邊設定更多第2藥液的每單位時間的供給量’一邊使晶 圓W的板面附近之第2藥液的濃度大致保持於均一。 其結果、可一邊確保晶圓W的板面內之處理的均一 性，一邊以短時間來進行使用第2藥液的處理。 因此，若根據本實施形態，則可短時間進行對晶圓W 的複數處理的同時，可使晶圓W的板面內之處理的均一 性提升。 又，若根據本實施形態，則可在第1區域12a內形成 上昇流，收容被處理晶圓W的同時對積蓄處理液（純水 )的處理槽12內的第2區域12b供給第1藥液（氨水） 。並且，在處理槽12內藉由第1藥液（氨水）置換後， 在第1區域12a內形成上昇流，而將水（純水）供給至處 理槽12的第2區域12b。無論哪個情況皆是至少在被處 理晶圓W的周圍形成大槪均—的上昇流。因此，可確保 沿著相當於被處理晶圓W配置於處理槽12內時的橫方向 的方向之被處理晶圓W的板面之使用第1藥液（氨水） 的處理的均一性。 又，若根據本實施形態，則在被處理晶圓W的附近 ’處理槽1 2內的處理液（純水）是由下側慢慢地藉由第 1藥液（氨水）來置換而去。同樣，在被處理晶圓w的附 近’處理槽12內的第1藥液（氨水）是由下方慢慢地藉 由水（純水）來置換而去。因此，在被處理晶圓W的板 面中’在被處理晶圓W配置於處理槽12內時配置於上方 -83- 1380355 的部份與配置於下方的部份之間，雖利用第1藥液（氣水 )的處理實質開始的時序及利用第1藥液（氨水）的處理 實質終了的時序不同，但可使實質進行第1藥液的處理的 時間大致形成相同。因此，可確保沿著相當於被處理晶圓 W配置於處理槽12內時的上下方向的方向之被處理晶圓 W的板面之處理的均一性。' 另外’可對上述第2實施形態加諸各種的變更。例如 ，可將對上述第1實施形態的變形例適用於第2實施形態 中與第1實施形態同樣的部份。以下，具體說明對第2實 施形態的變形之一例。 上述第2實施形態中，在使用氟化氫水來處理的工程 (第3及第4工程、以及第10及第U工程）中，是顯示 從下側供給管41供給氟化氫水至處理槽1 2的第2區域 12b，且從上側供給管42，43，44供給氟化氫水至處理槽 1 2的第1區域1 2 a之例，但並非限於此，亦可從上側供 給管42，43，44只往處理槽12的第1區域供給氟化氫水 。並且’在上述實施形態中，是顯示從全部的上側供給管 42，43，44供給氟化氫水至處理槽12的第1區域12a內 之例’但並非限於此.，亦可從第1〜第3上側供給管4 1， 42，43的其中一個或二個供給氟化氫水。 又，上述第2實施形態中，在使用氨水來處理的工程 (第6及第7工程）、及使用氨水來置換純水的工程（第 8工程）中，是顯示只從下側供給管41來供給第1藥液 (氨水）或純水至處理槽1 2內之例，但並非限於此。亦 -84 - 1380355 可從下側供給管41供給第〗藥液或純水至處理槽12內的 同時’並行從第1〜第3上側供給管42，43，44的其中 至少任何一個的供給管來供給第1藥液或純水至處理槽 12內。有關第1區域i2a內之液體的流動，只要被上昇 流支配’或至少在第1區域12a內所收容的晶圓W的周 圍形成上昇流，便可使晶圓W在其板面內大致均一地處 理。 又’上述第2實施形態中，在以純水來置換氟化氫水 的工程（第5及第12工程）、及使用純水來處理的工程 (% 9工程）中’是顯不從全部的供給管41，42，43， 4 4來供給處理液（純水）至處理槽i 2內之例，但並非限 於此。例如，亦可停止來自下側供給管4 1之純水的供給 。又，亦可從第1〜第3上側供給管41，42，43的其中 一個或二個來供給純水。至少在第1區域12a內所被收容 的晶圓W周圍吐出處理液，若所被積蓄的液體在晶圓w 的周圍被攪拌，則可更確實地進行對該晶圓W的洗滌處 理。並且，可從晶圓W以高除去效率來除去附著物。 又，上述第2實施形態中，是顯示將使用第1藥液的 處理設爲使用氨水之矽晶圓的蝕刻處理，將使用第2藥液 的處理設爲使用氟化氫水之矽晶圓的蝕刻處理之例，但並 非限於此，亦可進行各種的變更。例如，將使用第1藥液 的處理設爲使用與被處理基板的反應性較高的藥液之處理 ，將使用第2藥液的處理設爲使用與被處理基板的應性比 第1藥液更低的藥液之處理。又，亦可將使用第1藥液的 -85- 1380355
處理設爲必須以高精度來管理處理的進行程度之處理，將 使用第2藥液的處理設爲可不必以高精度來管理處理的進 行程度之處理。此時，第1藥液及第2藥液可爲同一種類 。並且，在上述實施形態中，對晶圓W依序實施使用氟 化氫水的蝕刻處理及其後的洗滌處理、及使用氨水的蝕刻 處理及其後的洗滌處理、及使用純水的處理、以及第二次 使用氟化氫水的蝕刻處理及其後的洗滌處理。但，當然對 晶圓W所實施的處理並非限於此例，亦可適當組合使用 第1藥液的處理及使用第2藥液的處理。 又，上述第2實施形態中，基板處理裝置10是包含 超音波發生裝置30，但並非限於此例，超音波發生裝置 3〇爲任意。另一方面，在上述基板處理方法中的各工程 、例如上述第3工程〜第1 2工程中的任一個以上的工程 中，可使超音波從超音波發生裝置30發生於處理槽12內 的處理液。若根據如此的方法，則可從被處理晶圓W以 高除去效率來除去粒子。 又，上述第2實施形態中，整流構件2 8是由具有多 數個貫通孔29的整流板所構成，但並非限於此例，亦可 適用各種公知的整流構件。並且，爲了在處理槽12的第 1區域12a內所配置的被處理晶圓W的周圍形成均一的上 昇流，亦可在處理槽〗2的第2區域12b內設置補助整流 板。例如，以能夠和經由下側供給管41之往第2區域 1 2b內的液體的供給口（在上述實施形態中是第1吐出構 件71的吐出口 71a)對向之方式來設置板狀的補助整流 -86- mmss 板，藉此可打消沿著經由下側供給管4.1來供給的液體的 供給方向之局處的流·動。而且，從下側供給管4 1經由第 1吐出構件71來使處理液流入處理槽12的第2區域12b 內，但並非限於此，亦可省略第1吐出構件71。 又，上述第2實施形態中，從沿著鉛直方向之相異的 三個位置供給處理液至處理槽12的第1區域12a內，但 並非限於此例。亦可只從沿著上下方向之一個或二個的位 置供給處理液至第1區域12a內。或，從沿著上下方向之 四個以上的位置供給處理液至第1區域12a內。 又，以上的說明中，是將基板處理裝置及基板處理方 法適用於使利用相異種類的藥液之複數的處理連續實施於 晶圓W之例，但並非限於此例，亦可適用於對LCD基板 或CD基板的蝕刻處理及洗滌處理，更可適用於蝕刻處理 及洗滌處理以外的各種處理。 [第3實施形態] 其次，主要參照圖13及圖14來說明本發明的基板處 理裝置及基板處理方法、基板處理程式及程式記錄媒體的 第3實施形態。 在第3實施形態中是說明從種類相異的複數藥液選擇 一個藥液，且在單一的處理槽內選擇性地對被處理基板實 施使用所被選擇的一個藥液之處理例。特別是在以下的第 3實施形態中是使用與在第1實施形態中已說明過的裝置 實質相同的基板處理裝置10，對作爲被處理基板的晶圓 -87- -Η&Θ355 實施從與被處理基板的反應性相異的二種類藥液（第1藥 液及第2藥液）選擇的一個藥液之處理。又，如以下說明 那樣，二種類的處理中使用與晶圓的反應性更高的第丨藥 液之處理是與一邊參照圖1〜圖8 —邊作爲第1實施形態 說明過之藉由氨水來處理晶圓的方法大致相同。另一方面 ，如以下所說明哪樣，二種類的處理中使用與晶圓的反應 性更低的第2藥液之處理是與一邊參照圖9〜圖12 —邊 在第2實施形態說明過之藉由氟化氫水來處理晶圓之方法 大致相同。因此，在以下的說明中，有關與上述第1實施 形態或第2實施形態相同的部份省略重複的說明。 以下，主要參照圖丨3及圖14的同時，適當參照第1 實施形態及第1實施形態中所參照的圖1〜圖1 2來說明 有關第3實施形態。在此，圖13及圖14是用以說明基板 處理裝置、基板處理方法、基板處理程式、及程式記錄媒 體的第3實施形態。其中，圖1 3是用以說明使用第丨藥 液時的基板處理方法的表，圖14是用以說明使用第2藥 液時的基板處理方法的表。 在第3實施形態中，是使用在第1實施形態所已說明 過的基板處理裝置1 〇 (參照圖1及圖2 )。因此，如圖1 所示，基板處理裝置1 〇的液供給設備40具有：以高濃度 的氨水（NH4〇H)作爲藥液要素而積蓄的第1藥液要素源 6 1、及以高濃度含氟化氫（HF )的氟化氫水作爲藥液要 素而積蓄的第2藥液要素源62。如圖1所示，切換粒構 5〇的第5開閉閥55是與第1藥液要素源61連結，第6 -88- 開閉閥56是與第2藥液要素源62連結。然後，可藉由開 啓第5開閉閥55，使從第1藥液要素源61送進來的高濃 度氨水混入至從純水供給管48送入的純水，生成所望濃 度的氨水（第1藥液）作爲處理液。又，可藉由開啓第6 開閉閥56，使從第2藥液要素源62送進來的高濃度氟化 氫水混入至從純水供給管48送入的純水，生成所望濃度 的氟化氫水（第2藥液）作爲處理液。 又，在第1實施形態及第2實施形態中雖未說明，但 如圖1所示，基板處理裝置10的控制裝置18更具有：設 定藉由氨水（第1藥液）或氟化氫水（第2藥液）的哪個 來對晶圓W進行處理之設定器19c、及供操作者輸入有關 藉由氨水或氟化氫水的哪個來對晶圓W進行處理之例如 由觸控面板等所構成的輸入器19d。設定器19c的設定可 根據在輸入器19d藉由操作者等自外部輸入的資訊來進行 。另外，設定器19c的設定並非限於來自輸入器19d的資 訊，例如可根據藉由遙控操作自主電腦等傳送的資訊進行 〇 其次，主要利用圖13及圖14來說明有關第3實施形 態之晶圓W的處理方法。在此，在圖1 3及圖i 4的上側 供給管的欄中顯示在各工程中從上側供給管42，43，44 供給的液體。並且，在圖圖13及圖14的下側供給管的欄 中顯示在各工程中從下側供給管41供給的液體。而且， 在圖圖13及圖14的外槽的欄中顯示在各工程中從處理槽 12溢出至外槽15的液體中所含的—個。又，圖13及圖 -89- 1380355 14的上側供給管、下側供給管及外槽的欄中所示的「DIW 」是表示純水，「NH3」是表示氨水，「HF」是表示氟化 氫水。 另外，以下說明的處理方法，如上述般，使用與晶圓 W的反應性高的第1藥液（氨水）之處理、及使用與晶圓 w的反應性比第1藥液（氨水）更低的第2藥液（氟化氫 水）之處理等二種類的處理會在基板處理裝置10的處理 槽1 2內對晶圓W選擇性實施。以下，針對各工程來進行 說明。 首先，如圖13及圖14所示，第1工程，是設定將氨 水（第1藥液）及氟化氫水（第2藥液）的哪個使用於晶 圓W的處理。具體而言’藉由觸控面板等所構成的控制 裝置18的輸入器19d，操作者會輸入有關藉由氨水及氟 化氫水的哪個來對晶圓W進行處理之資訊。 其次，如圖13及圖14所示，第2工程，是根據輸入 至輸入器19d的資訊，在設定器19c中進行有關藉由氨水 及氟化氫水的哪個來對晶圓W進行處理之設定。如以下 說明，依使用的藥液，對晶圓W的處理方法、更詳細是 往處理槽12內之藥液及純水的供給方法會有所不同。以 下，首先，一邊主要參照圖13 —邊說明藉由氨水（第！ 藥液）來處理晶圓W的處理方法。然後，一邊主要參照 圖14 —邊說明藉由氟化氫水（第2藥液）來處理晶圓W 的處理方法。 如圖1 3所示，藉由氨水（第1藥液）來處理晶圓w -90- 1380355 的處理方法（第3工程〜第8工程）是與上述第1實施形 態中使用氨水來處理晶圓W的方法同樣。因此，在此僅 說明既略，參照上述第1實施形態的說明，省略重複的說 明。 首先，接續於設定藥液的工程之第3工程’是在處理 槽12內積蓄純水作爲處理液。其次，第4工程’是在處 理槽12的第1區域12a內收容晶圓W。具體而言，可與 —邊參照圖3 —邊說明過的第1實施形態之基板處理方法 的第1工程同樣，在處理槽12內積蓄純水’與第1實施 形態之基板處理方法的第2工程同様，在處理槽12內配 置晶圓W。其結果，複數片的晶圓W可被收容於處理槽 12的第1區域12a內的同時，可浸漬於處理槽12內所積 蓄的純水中。 其次，如圖1 3所示，第5工程，是經由下側供給管 41來供給氨水（第1藥液）至處理槽12的第2區域12b ，處理槽12內的純水會被氨水置換而去。具體而言，與 一邊參照圖4 一邊說明過的第1實施形態之基板處理方法 的第3工程同樣，藉由氨水來置換處理槽12內的純水。 亦即，從下側供給管4 1供給氨水（第1藥液）至第2區 / 域12b，經由整流構件2 8，使氨水（第1藥液）從第2區 域12b流入至第1區域】2a，一邊在第1區域12a內的至 少晶圓W的附近形成上昇流，一邊藉由氨水（第1藥液 )來置換處理槽12內的純水。然後，在該第5工程中， 可取得舆一邊參照圖4 一邊說明過的第1實施形態之基板 -91 - 1380355 處理方法的第3工程同樣的作用效果。 其次，如圖13所示，第6工程’是一邊補充氨水（ 第1藥液）至處理槽12’ 一邊將晶圓W浸漬於氨水（第 1藥液）中。具體而言，與一邊參照圖5 —邊說明的第1 實施形態之基板處理方法的第4工程同樣，將晶圓⑺浸 漬於氨水（第1藥液）中，處理該晶圓W。亦即，從下側 供給管41持續供給氨水（第1藥液）至第2區域12b， 經由整流構件28，使氨水（第1藥液）從第2區域12b 流入至第1區域12a，一邊在第1區域12a內的至少晶圓 W的附近形成上昇流，一邊將晶圓W浸漬於氨水（第1 藥液）中而進行處理。然後，在該第6工程中，可取得與 一邊參照圖5 —邊說明的第1實施形態之基板處理方法的 第4工程同様的作用效果。 其次，如圖1 3所示，第7工程，是經由下側供給管 4 1來供給純水至處理槽1 2的第2區域1 2b，藉由純水來 置換處理槽12內的氨水。具體而言，與一邊參照圖6 — 邊說明的第1實施形態之基板處理方法的第5工程同樣， 藉由純水來置換處理槽12內的氨水，對晶圓W實施洗滌 處理。亦即，從下側供給管41供給純水至第2區域12 b ，而經由整流構件2 8，使純水從第2區域1 2b流入至第1 區域1 2 a，一邊在第1區域12 a內的至少晶圓W的附近 形成上昇流，一邊藉由純水來置換處理槽12內的氨水（ 第1藥液）。然後，在該第7工程中，可取得與一邊參照 圖6 —邊說明的第1實施形態之基板處理方法的第5工程 -92- 1380355 同様的作用效果。 其次，如圖13所示，第8工程，是經由T 41及第1〜第3上側供給管42，43，44來供紹 理槽12。具體而言，與—邊參照圖7 —邊說明 施形態之基板處理方法的第6工程同樣，對處§ 給純水，而藉由純水來處理基板。亦即，從上 -· 42，43，44供給純水至第1區域12a，且從下 φ 41供給純水至第2區域12b，而一邊在第1區域 至少晶圓W的附近使液體攪拌，一邊藉由純水 板。然後，該第8工程中，可取得與一邊參照圖 明的第1實施形態之基板處理方法的第6工程同 效果。 如以上般，使用氨水的蝕刻處理（第5及第 及其後的洗滌處理（第7工程）、以及使用純水 第8工程）會進行。 • 又，若根據如此的基板處理方法，則可在負 12a內形成上昇流，收容被處理晶圓W的同時對 ·' 液（純水）的處理槽12內的第2區域1 2 b供給 ： (氨水）。並且，在處理槽12內藉由第1藥液 置換後，在第1區域12a內形成上昇流，而將水 供給至處理槽12的第2區域12b。無論哪個情 少在被處理晶圓W的周圍形成大槪均一的上昇 ，可確保沿著相當於被處理晶圓W配置於處理糟 的橫方向的方向之被處理晶圓W的板面之使用| 「側供給管 『純水至處 的第1實 置槽12供 側供給管 側供給管 12a內的 來處理基 7 —邊說 様的作用 6工程） 的處理（ I 1區域 積蓄處理 第1藥液 (氨水） (純水） 況皆是至 流。因此 ^ 1 2內時 I 1藥液 -93- 1380355 (氨水）的處理的均一性。 又，若根據如此的基板處理方法，則在被處理晶圓w 的附近，處理槽12內的處理液（純水）是由下側慢慢地 藉由第1藥液（氨水）來置換而去。同樣，在被處理晶圓 W的附近，處理槽12內的第1藥液（氨水）是由下方慢 慢地藉由水（純水）來置換而去》因此，在被處理晶圓W 的板面中，在被處理晶圓W配置於處理槽12內時配置於 上方的部份與配置於下方的部份之間，雖利用第1藥液（ 氨水）的處理實質開始的時序及利用第1藥液（氨水）的 處理實質終了的時序不同，但可使實質進行第1藥液的處 理的時間大致形成相同。因此，可確保沿著相當於被處理 晶圓W配置於處理槽12內時的上下方向的方向之被處理 晶圓W的板面之處理的均一性。 其次’一邊主要參照圖14，一邊說明有關使用氟化 氫水（第2藥液）來處理晶圓w的情況。如圖1 4所示， 藉由氟化氫水（第2藥液）來處理晶圓W的處理方法（ 第3工程〜第7工程）是與在上述第2實施形態中使用氟 化氫水來處理晶圓W的方法相同。因此，在此僅說明既 略，參照上述第2實施形態的說明，省略重複的說明。 首先’接續於設定藥液的工程之第3工程，是在處理 槽12內積蓄純水作爲處理液。其次，第4工程，是在處 理槽12的第1區域12a內收容晶圓W。其結果，複數片 的晶圓W可被收容於處理槽12的第1區域12a內的同時 ，可浸漬於處理槽12內所積蓄的純水中。另外，有關第 -94- mms 3工程及第4工程，作爲使用於晶圓W的處理之藥液’可 在使用第1藥液時及使用第2藥液時爲同樣。 其次，如圖14所示，第5工程，是經由下側供給管 41來供給氟化氫水（第2藥液）至處理槽12的第2區域 12b，藉由氟化氫水來置換處理槽12內的純水。具體而言 ，與一邊參照圖10 —邊說明過的第2實施形態之基板處 理方法的第3工程同樣，藉由氟化氫水來置換處理槽12 內的純水。亦即，從上側供給管42，43，44供給氟化氫 水（第2藥液）至第1區域12a，且從下側供給管41供 給氟化氫水（第2藥液）至第2區域12b，一邊在第1區 域12a內的至少晶圓W的附近攪拌液體，一邊藉由氟化 氫水（第2藥液）來置換處理槽12內的純水。然後，在 該第5工程中，可取得與一邊參照圖1〇 —邊說明的第2 實施形態之基扳處理方法的第3工程同樣的作用效果。 其次，如圖14所示，第6工程，是一邊補充氟化氫 水（第2藥液）至處理槽1 2，一邊將晶圓W浸漬於氟化 氫水（第2藥液）中。具體而言，與一邊參照圖11 一邊 說明的第2實施形態之基板處理方法的第4工程同樣，將 晶圓W浸漬於氟化氫水（第2藥液）中，處理該晶圓W 。亦即’從上側供給管42，43，44供給氟化氫水（第2 藥液）至第1區域1 2 a，且從下側供給管4 1供給氟化氫 水（第2藥液）至第2區域l2b，一邊在第1區域12a內 的至少晶圓W的附近攪拌液體，—邊將晶圓W浸漬於氟 化氫水（第2藥液）中而進行處理。然後，在該第6工程 -95- 中，可取得與一邊參照圖11 一邊說明的第2實施形態之 基板處理方法的第4工程同樣的作用效果。 其次，如圖14所示，第7工程，是供給純水至處理 槽12，藉由純水來置換處理槽12內的氟化氫水。具體而 言，與一邊參照圖12 —邊說明的第2實施形態之基板處 理方法的第5工程同樣，藉由純水來置換處理槽12內的 氟化氫水，對晶圓W實施洗滌處理。亦即，從上側供給 管42，43，44供給純水至第1區域12a，且從下側供給 管41供給純水至第2區域12b，一邊在第1區域12a內 的至少晶圓W的附近攪拌液體，一邊藉由純水來置換處 理槽12內的氟化氫水（第2藥液）。然後，在該第7工 程中，可取得與一邊參照圖12 —邊說明的第2實施形態 之基板處理方法的第5工程同樣的作用效果。 如此，使用氟化氫水的蝕刻處理（第5及第6工程） 及其後的洗滌處理（第7工程）會被進行。以上一旦第7 工程終了，則保持構件2 0構件會上昇，晶圓W會從處理 槽12內排出。完成以上那樣對被處理晶圓w的一連串處 理。 若根據以上那樣的本實施形態，則從彼此相異種類的 藥液選擇一個藥液，在同一處理槽12內對晶圓w實施使 用該被選擇的藥液時，可按照藥液的種類來改變往處理槽 12內之藥液的供給方法。藉此’可用適於各藥液的方法 來處理晶圓W。其結果，可短時間進行對晶圓w之複數 的處理的同時’可使晶圓W的板面內之處理的均一性提 -96- 1380355 升。 具體而言，以能夠在處理槽內的至少被處理晶圓w 的周圍形成上昇流之方式，供給第1藥液（氨水）至處理 槽12內。因此，在第1藥液供給至處理槽12內的期間， 藉由均一形成處理槽12內的上昇流，不僅晶圓W的板面 附近之第1藥液的濃度，連晶圓W的板面附近之液體的 流動也可在板面內大致形成均一。其結果，不依所被使用 的藥液種類，使晶圓W的板面內之使用第1藥液的處理 的均一性大幅度提升。 另一方面，以能夠在處理槽12內的至少晶圓W的周 圍攪拌液體之方式供給第2藥液（氟化氫水）至處理槽 12內。因此，在第2藥液供給至處理槽12內的期間，可 一邊設定更多第2藥液的每單位時間的供給量，一邊使晶 圓W的板面附近之第2藥液的濃度大致保持於均一。 其結果、可一邊確保晶圓W的板面內之處理的均一 性，一邊以短時間來進行使用第2藥液的處理。 因此，若根據本實施形態，則可短時間進行對晶圓W 的複數處理的同時，可使晶圓W的板面內之處理的均一 性提升。 另外，可對上述第3實施形態加諸各種的變更。例如 ’可將對上述第1實施形態的變形例適用於第3實施形態 中與第1實施形態同様的部份。同樣，可將對上述第2實 施形態的變形例適用於第3實施形態中與第2實施形態同 様的部份。以下’具體說明對第3實施形態的變形之一例 -97- 1380355 在上述第3實施形態中，設定氣水（第1藥液） 使用於晶圓W的處理之藥液時，在使用氨水來處理 程（第5及第6工程）、及以純水來置換氨水的工程 7工程）中’是只由下側供給管41來供給第1藥液 水）或純水至處理槽12內，但並非限於此。亦可從 側供給管41來供給第1藥液或純水至處理槽12內的 ’並行由第1〜第3上側供給管42，43，44中的至 何一個供給管來供給第1藥液或純水至處理槽1 2內 關第1區域1 2 a內之液體的流動，只要被上昇流支配 至少在第1區域12a內所收容的晶圓W的周圍形成 流’便可使晶圓W在其板面內大致均一地處理。 又’上述第3實施形態中，設定氟化氫水（第1 )作爲使用於晶圓W的處理之藥液時，在使用氟化 來處理的工程（第5及第6工程）中，是顯示由下側 管41來供給氟化氫水至處理槽12的第2區域12b， 上側供給管42，43，44來供給氟化氫水至處理槽1 2 1區域1 2 a之例，但並非限於此，亦可由上側供給管 43 ’ 44來只往處理槽12的第1區域12a供給氟化氫 又’上述實施形態中，是顯示由全部的上側供給管 43 ’ 44供給氟化氫水至處理槽12的第1區域12a內 並非限於此，亦可由第1〜第3上側供給管41，42 的其中一個或二個來供給氟化氫水。 又’上述第3實施形態中，設定氟化氫水（第！ 作爲 :的工 :(第 (氣 由下 同時 少任 。有 ，或 上昇 藥液 氫水 供給 且由 的第 42， 水。 42， ，但 ，43 藥液 -98- 1380355 )作爲使用於晶圓w的處理之藥液時，在以純水來置換 氟化氫水的工程（第7工程）中，是顯示由全部的供給管 41，42’ 43，44來供給處理液（純水）至處理槽12內之 例，但並非限於此。例如，亦可停止來自下側供給管4 1 之純水的供給。又，亦可由第1〜第3上側供給管41，42 ，43的其中一個或二個來供給純水。至少在第】區域i2a 內所被收容的晶圓W周圍吐出處理液，且所被積蓄的液 體在晶圓W的周圍被攪拌，則可更確實地進行對該晶圓 W的洗滌處理。並且，可從晶圓w以高除去效率來除去 附著物。 又’上述第3實施形態中，是顯示將使用第1藥液的 處理設爲使用氨水之矽晶圓的蝕刻處理，將使用第2藥液 的處理設爲使用氟化氫水之矽晶圓的蝕刻處理之例，但並 非限於此’亦可進行各種的變更。例如，將使用第1藥液 的處理設爲使用與被處理基板的反應性較高的藥液之處理 ’將使用第2藥液的處理設爲使用與被處理基板的應性比 第1藥液更低的藥液之處理。又，亦可將使用第1藥液的 處理設爲必須以高精度來管理處理的進行程度之處理，將 使用第2藥液的處理設爲可不必以高精度來管理處理的進 行程度之處理。 又’上述第3實施形態中，基板處理裝置1〇是包含 超音波發生裝置30，但並非限於此例，超音波發生裝置 30爲任意。另一方面，在上述基板處理方法中的各工程 、例如上述第3工程〜第1 2工程中的任一個以上的工程 -99- 1380355 中，可使超音波從超音波發生裝置30發生於處理槽12內 的處理液。若根據如此的方法，則可從被處理晶圓W以 高除去效率來除去粒子。 又，上述第3實施形態中，整流構件28是由具有多 數個貫通孔2 9的整流板所構成，但並非限於此例，亦可 適用各種公知的整流構件。並且，爲了在處理槽12的第 1區域12a內所配置的被處理晶圓W的周圍形成均一的上 昇流，亦可在處理槽12的第2區域12b內設置補助整流 板。例如，以能夠和經由下側供給管41之往第2區域 12b內的液體的供給口（在上述實施形態中是第1吐出構 件71的吐出口 71a)對向之方式來設置板狀的補助整流 板，藉此可打消沿著經由下側供給管41來供給的液體的 供給方向之局處的流動。而且，從下側供給管4 1經由第 1吐出構件71來使處理液流入處理槽12的第2區域12b 內，但並非限於此，亦可省略第1吐出構件71。 又，上述第3實施形態中，從沿著鉛直方向之相異的 三個位置供給處理液至處理槽12的第1區域12a內，但 並非限於此例。亦可只從沿著上下方向之一個或二個的位 置供給處理液至第1區域12a內。或，從沿著上下方向之 四個以上的位置供給處理液至第1區域1 2a內。 又，以上的說明中，是將基板處理裝置及基板處理方 法適用於從相異種類的藥液選擇一個藥液，而對晶圓W 實施使用該被選擇的藥液之處理，但並非限於此例，亦可 適用於對LCD基板或CD基板的蝕刻處理及洗滌處理，更 -100- 可適用於蝕刻處理及洗滌處理以外的各種處理 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明之基板處理裝置的第1〜第3實施 形態的槪略構成圖。 圖2是沿著圖1的II-II線之剖面圖。 圖3是用以說明本發明之基板處理方法的第1〜第3 實施形態的圖。 圖4是用以說明本發明的基板處理方法的第1〜第3 實施形態的圖。 圖5是用以說明本發明的基板處理方法的第1〜第3 實施形態的圖。 圖6是用以說明本發明的基板處理方法的第1〜第3 實施形態的圖。 圖7是用以說明本發明的基板處理方法的第1〜第3 實施形態的圖。 圖8是用以說明本發明的基板處理方法的第1〜第3 實施形態的圖。 圖9是用以說明本發明的基板處理方法的第2實施形 態的表。 圖10是用以說明本發明的基板處理方法的第2及第 3實施形態的圖。 圖11是用以說明本發明的基板處理方法的第2及第 3實施形態的圖。 -101 - 圖12是用以說明本發明的基板處理方法的第2及第 3實施形態的圖。 圖13是用以說明本發明的基板處理方法的第3實施 形態的表。 圖14是用以說明本發明的基板處理方法的第3實施 形態的表。 【主要元件符號說明】 10 :基板處理裝置 12 :處理槽 12a :第1區域 12b :第2區域 1 2 C :上方開口 1 3 :排出管 1 5 ;外槽 1 6 :排出管 16a :循環用配管 1 8 :控制裝置 1 9 a :控制器 19b :記憶媒體 19c :設定器 19d :輸入器 2〇 :保持構件 • 22 ·‘棒狀構件 -102- 1380355 .24 :基部 2 8 :整流構件 29 :貫通孔 3 〇 :超音波發生裝置 3 2 :高頻驅動電源 ·' 3 4 :超音波振盪器 .· 38 :振動子 φ 40 :液供給設備 4 1 :下側供給管 42，43，44 :上側供給管 48 :純水供給管 5〇 :切換機構 51、 52、 53、 54、 55、 56:開閉 61、62 :藥液要素源 64 :純水源 _ 65 :吐出機構 67 :調整裝置 ， 7 1、7 2、7 3 ' 7 4 ··吐出構件 : 71a、 72a、 73a、 74a:吐出□ W :晶圓 -103-