JPH06333903A - 半導体ウエハー洗浄槽 - Google Patents
半導体ウエハー洗浄槽Info
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- JPH06333903A JPH06333903A JP5118898A JP11889893A JPH06333903A JP H06333903 A JPH06333903 A JP H06333903A JP 5118898 A JP5118898 A JP 5118898A JP 11889893 A JP11889893 A JP 11889893A JP H06333903 A JPH06333903 A JP H06333903A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被洗浄体である半導体ウエハーを全面的に、
かつ確実に洗浄する半導体ウエハー洗浄装置を提供す
る。 【構成】 洗浄槽本体１の底部に洗浄液導入管２を接続
し、洗浄液等入管の出口部にロート形底面構成等による
洗浄液拡散装置を設け、ウエハー６を載せる第２のスノ
コ４に、洗浄不十分な箇所に液浄液が多量に流れるよう
にその径、方向を選んだ穴を形成する。
かつ確実に洗浄する半導体ウエハー洗浄装置を提供す
る。 【構成】 洗浄槽本体１の底部に洗浄液導入管２を接続
し、洗浄液等入管の出口部にロート形底面構成等による
洗浄液拡散装置を設け、ウエハー６を載せる第２のスノ
コ４に、洗浄不十分な箇所に液浄液が多量に流れるよう
にその径、方向を選んだ穴を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ製造の洗
浄工程における半導体ウエハー洗浄槽に関する。
浄工程における半導体ウエハー洗浄槽に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体のウエハーの洗浄において
は、ウエハーの大口径化にともない、使用する洗浄液の
量が非常に多くなってきている。また、洗浄液の使用量
が大きくなることから、洗浄の効率化も非常に重要にな
ってきている。さらに、ウエハー間、ウエハー面内にお
いて精密に、そして完全に洗浄することが重要となって
きている。
は、ウエハーの大口径化にともない、使用する洗浄液の
量が非常に多くなってきている。また、洗浄液の使用量
が大きくなることから、洗浄の効率化も非常に重要にな
ってきている。さらに、ウエハー間、ウエハー面内にお
いて精密に、そして完全に洗浄することが重要となって
きている。
【０００３】以下、図面を参照しながら、従来の半導体
ウエハー洗浄槽の一例について説明する。図５、６は従
来の半導体ウエハー洗浄槽の概略図を示すものである。
図５は洗浄槽を正面から見た概略図、図６は図５におけ
るＡ−Ａ’面での側面から見た概略図である。図５、図
６において、１１は洗浄槽で、半導体ウエハーおよびウ
エハーキャリアが導入され洗浄される。１２は洗浄槽１
１の底部に接続した洗浄液導入管で、薬液あるいは純水
を洗浄槽１に導入する。前記洗浄槽１１の内底面にはス
ノコ１４が設けてある。そして洗浄槽１１の内部には被
洗浄物としてのウエハーキャリア１５、同じく被洗浄物
としての半導体ウエハー１６を入れている。
ウエハー洗浄槽の一例について説明する。図５、６は従
来の半導体ウエハー洗浄槽の概略図を示すものである。
図５は洗浄槽を正面から見た概略図、図６は図５におけ
るＡ−Ａ’面での側面から見た概略図である。図５、図
６において、１１は洗浄槽で、半導体ウエハーおよびウ
エハーキャリアが導入され洗浄される。１２は洗浄槽１
１の底部に接続した洗浄液導入管で、薬液あるいは純水
を洗浄槽１に導入する。前記洗浄槽１１の内底面にはス
ノコ１４が設けてある。そして洗浄槽１１の内部には被
洗浄物としてのウエハーキャリア１５、同じく被洗浄物
としての半導体ウエハー１６を入れている。
【０００４】次に、上記半導体ウエハー洗浄槽１１の動
作を説明する。半導体ウエハー１６はウエハーキャリア
１５に入っており、洗浄槽１１に導入され、スノコ１４
上に設置される。洗浄液としての薬液、あるいは純水は
洗浄液導入管１２から導入され、洗浄槽１１のスノコ１
４に当たる。スノコ１４に到達した洗浄液は、スノコ１
４に開孔された穴を通って半導体ウエハー１６に当り、
半導体ウエハー１６を洗浄する。
作を説明する。半導体ウエハー１６はウエハーキャリア
１５に入っており、洗浄槽１１に導入され、スノコ１４
上に設置される。洗浄液としての薬液、あるいは純水は
洗浄液導入管１２から導入され、洗浄槽１１のスノコ１
４に当たる。スノコ１４に到達した洗浄液は、スノコ１
４に開孔された穴を通って半導体ウエハー１６に当り、
半導体ウエハー１６を洗浄する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような構成では、洗浄液導入管１２から導入された洗
浄液は、スノコ１４を通って流れるが、均一な洗浄液の
圧力がスノコ１４にかからない。言い換えれば、スノコ
１４において洗浄液導入管１２上の位置では洗浄液の圧
力が高く、洗浄液導入管１２の出口から最も遠い位置に
おいては、洗浄液の圧力が最も低くなる。したがって、
スノコ１４に開孔された穴の大きさが同じならば、スノ
コ１４から流れ出る洗浄液の量は異なってくる。すなわ
ち、洗浄液導入管１２上の位置では洗浄液が沢山流れ、
洗浄槽端である洗浄液導入管１２の出口から最も遠い位
置においては、洗浄液の流れが弱くなる。したがって、
洗浄液導入管２上から離れた位置における半導体ウエハ
ー１６は洗浄が不十分となる問題点を有していた。
たような構成では、洗浄液導入管１２から導入された洗
浄液は、スノコ１４を通って流れるが、均一な洗浄液の
圧力がスノコ１４にかからない。言い換えれば、スノコ
１４において洗浄液導入管１２上の位置では洗浄液の圧
力が高く、洗浄液導入管１２の出口から最も遠い位置に
おいては、洗浄液の圧力が最も低くなる。したがって、
スノコ１４に開孔された穴の大きさが同じならば、スノ
コ１４から流れ出る洗浄液の量は異なってくる。すなわ
ち、洗浄液導入管１２上の位置では洗浄液が沢山流れ、
洗浄槽端である洗浄液導入管１２の出口から最も遠い位
置においては、洗浄液の流れが弱くなる。したがって、
洗浄液導入管２上から離れた位置における半導体ウエハ
ー１６は洗浄が不十分となる問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題に留意し、半導体
ウエハーを確実に洗浄できる洗浄槽を提供することを目
的とする。
ウエハーを確実に洗浄できる洗浄槽を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体ウエハー洗浄槽は、洗浄槽底面から
洗浄液を導入する洗浄液導入管と、導入管の洗浄液出口
部に設けられ、上方のスノコに均一な洗浄液の圧力をか
ける洗浄液拡散装置と、洗浄不十分な箇所に洗浄液を多
量に流すように穴の大きさと方向を定めたスノコを備え
た半導体ウエハー洗浄槽の構成とする。
めに本発明の半導体ウエハー洗浄槽は、洗浄槽底面から
洗浄液を導入する洗浄液導入管と、導入管の洗浄液出口
部に設けられ、上方のスノコに均一な洗浄液の圧力をか
ける洗浄液拡散装置と、洗浄不十分な箇所に洗浄液を多
量に流すように穴の大きさと方向を定めたスノコを備え
た半導体ウエハー洗浄槽の構成とする。
【０００８】また、洗浄槽に洗浄液を導入する洗浄液導
入管と、洗浄液導入管と直結し半導体ウエハー下で移動
する機能を持った第１のスノコと、第１のスノコの上部
に配置され、半導体ウエハーが搭載されたウエハーキャ
リアを設置する第２のスノコを備えた本体半導体ウエハ
ー洗浄槽の構成とする。
入管と、洗浄液導入管と直結し半導体ウエハー下で移動
する機能を持った第１のスノコと、第１のスノコの上部
に配置され、半導体ウエハーが搭載されたウエハーキャ
リアを設置する第２のスノコを備えた本体半導体ウエハ
ー洗浄槽の構成とする。
【０００９】
【作用】本発明は上記の構成、すなわち導入管の洗浄液
出口に洗浄液拡散装置を設けることによって、スノコに
均一に洗浄液圧力を加圧させることができ、スノコの穴
の大きさおよび穴の方向を任意に設定することによっ
て、洗浄液を均一に、さらには、洗浄不十分な箇所に集
中的に流れをつくることとなる。
出口に洗浄液拡散装置を設けることによって、スノコに
均一に洗浄液圧力を加圧させることができ、スノコの穴
の大きさおよび穴の方向を任意に設定することによっ
て、洗浄液を均一に、さらには、洗浄不十分な箇所に集
中的に流れをつくることとなる。
【００１０】また、洗浄液導入管と直結し半導体ウエハ
ー下で左右に移動する機能を持った第１のスノコとを有
することによって、第２のスノコ上の半導体ウエハーを
効率良く、洗浄不十分な箇所も洗浄可能にすることがで
きる。
ー下で左右に移動する機能を持った第１のスノコとを有
することによって、第２のスノコ上の半導体ウエハーを
効率良く、洗浄不十分な箇所も洗浄可能にすることがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例の半導体ウエハー洗浄
槽について、図面を参照しながら説明する。
槽について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１、図２は、本発明の一実施例における
半導体ウエハー洗浄槽の概略図を示すものである。図１
は本実施例の半導体ウエハー洗浄槽の断面図、図２は図
１におけるＡ−Ａ’面での側面図である。
半導体ウエハー洗浄槽の概略図を示すものである。図１
は本実施例の半導体ウエハー洗浄槽の断面図、図２は図
１におけるＡ−Ａ’面での側面図である。
【００１３】図１、図２において、１は洗浄槽本体でそ
の内底面はロ−ト形に構成されており、半導体ウエハー
６が入ったウエハーキャリア５を導入している。前記洗
浄槽本体１のロート形内底面の下端には、薬液あるいは
純水を導入する洗浄液導入管２を接続してある。前記洗
浄槽本体１の内底部で、かつ洗浄液導入管２の出口部に
は、洗浄液導入管２から導入された洗浄液を拡散させる
第１のスノコ３を設けている。そして第１のスノコ３の
上方には第２のスノコを配置している。
の内底面はロ−ト形に構成されており、半導体ウエハー
６が入ったウエハーキャリア５を導入している。前記洗
浄槽本体１のロート形内底面の下端には、薬液あるいは
純水を導入する洗浄液導入管２を接続してある。前記洗
浄槽本体１の内底部で、かつ洗浄液導入管２の出口部に
は、洗浄液導入管２から導入された洗浄液を拡散させる
第１のスノコ３を設けている。そして第１のスノコ３の
上方には第２のスノコを配置している。
【００１４】以上のように構成された半導体ウエハー洗
浄槽について、その動作を説明する。洗浄液は、洗浄液
導入管２から洗浄槽本体１内に導入される。導入された
洗浄液は、第１のスノコ３を通って四方八方に流れの方
向が変更される。第１のスノコ３は、洗浄液導入管２上
の位置と洗浄槽端である洗浄液導入管出口から最も遠い
位置の洗浄液圧力を同じにする働きを持つ。言い換えれ
ば、洗浄槽端の方向にも十分な洗浄液の流れを形成す
る。
浄槽について、その動作を説明する。洗浄液は、洗浄液
導入管２から洗浄槽本体１内に導入される。導入された
洗浄液は、第１のスノコ３を通って四方八方に流れの方
向が変更される。第１のスノコ３は、洗浄液導入管２上
の位置と洗浄槽端である洗浄液導入管出口から最も遠い
位置の洗浄液圧力を同じにする働きを持つ。言い換えれ
ば、洗浄槽端の方向にも十分な洗浄液の流れを形成す
る。
【００１５】また、より洗浄液圧力の均一化を行うため
に、洗浄槽本体１の底面はロ−ト形に形成されている。
洗浄槽底面のロ−ト形の形状と第１のスノコ３により第
２のスノコ４へ均一な洗浄液の圧力をかける。第２のス
ノコ４には、均一な洗浄液の圧力がかかっているため、
第２のスノコ４に開孔する穴の大きさ、方向を任意に設
定することで、洗浄液の流量を制御できる。本実施例に
おいては、ウエハー６の下における開孔穴を大きく、ウ
エハーキャリア５の外側においては、開孔穴を小さくし
ている。また、図１に示すように、ウエハー６下の開孔
穴は、ウエハーキャリア５側面のウエハー６とウエハー
キャリア５が接触する箇所を十分効率よく洗浄できるよ
うに角度をつけて形成されている。第２のスノコ４に開
孔する穴を角度をもって形成させることによって、洗浄
液の流れの方向を制御している。
に、洗浄槽本体１の底面はロ−ト形に形成されている。
洗浄槽底面のロ−ト形の形状と第１のスノコ３により第
２のスノコ４へ均一な洗浄液の圧力をかける。第２のス
ノコ４には、均一な洗浄液の圧力がかかっているため、
第２のスノコ４に開孔する穴の大きさ、方向を任意に設
定することで、洗浄液の流量を制御できる。本実施例に
おいては、ウエハー６の下における開孔穴を大きく、ウ
エハーキャリア５の外側においては、開孔穴を小さくし
ている。また、図１に示すように、ウエハー６下の開孔
穴は、ウエハーキャリア５側面のウエハー６とウエハー
キャリア５が接触する箇所を十分効率よく洗浄できるよ
うに角度をつけて形成されている。第２のスノコ４に開
孔する穴を角度をもって形成させることによって、洗浄
液の流れの方向を制御している。
【００１６】以上のように本実施例によれば、洗浄槽本
体１に導入された洗浄液は洗浄液出口９ロ−ト形の洗浄
液拡散装置によって、洗浄槽本体１の底面の第１のスノ
コ３に均一な洗浄液の圧力をかけ、薬液によるウエハー
６の洗浄あるいは、純水によるウエハー６の水洗が非常
に効率よく行うことができる。
体１に導入された洗浄液は洗浄液出口９ロ−ト形の洗浄
液拡散装置によって、洗浄槽本体１の底面の第１のスノ
コ３に均一な洗浄液の圧力をかけ、薬液によるウエハー
６の洗浄あるいは、純水によるウエハー６の水洗が非常
に効率よく行うことができる。
【００１７】次に第２の実施例の半導体ウエハー洗浄槽
について、図面を参照しながら説明する。図３、４は本
発明の実施例における半導体ウエハー洗浄槽の概略図を
示すものである。図３は本実施例の半導体ウエハー洗浄
槽の断面図、図４は図３におけるＡ−Ａ’面での側面図
である。
について、図面を参照しながら説明する。図３、４は本
発明の実施例における半導体ウエハー洗浄槽の概略図を
示すものである。図３は本実施例の半導体ウエハー洗浄
槽の断面図、図４は図３におけるＡ−Ａ’面での側面図
である。
【００１８】図３において、１は洗浄槽本体、５はウエ
ハーキャリア、６は半導体ウエハーである。前記洗浄槽
本体１の内底部には洗浄流導入管２を接続して洗浄液を
噴出する第１のスノコ８を左右に移動自在に設けてあ
り、その上方にはウエハーキャリヤ５、半導体ウエハー
６をのせる第２のスノコ４を設けている。７は半導体ウ
エハー下から洗浄液を流し出す第１のスノコ８を駆動す
るためのスノコ駆動装置である。
ハーキャリア、６は半導体ウエハーである。前記洗浄槽
本体１の内底部には洗浄流導入管２を接続して洗浄液を
噴出する第１のスノコ８を左右に移動自在に設けてあ
り、その上方にはウエハーキャリヤ５、半導体ウエハー
６をのせる第２のスノコ４を設けている。７は半導体ウ
エハー下から洗浄液を流し出す第１のスノコ８を駆動す
るためのスノコ駆動装置である。
【００１９】以上のように構成された第２の実施例にお
ける半導体ウエハー洗浄槽について、その動作を説明す
る。洗浄液は、洗浄液導入管２から半導体ウエハー６の
下に設けられた第１のスノコ８に導入される。導入され
た洗浄液は、第１のスノコ８に開孔された穴から半導体
ウエハー６の方向へ流れる。第１のスノコ８は、図３、
４に示したように数枚のウエハー６に下のみに洗浄液が
噴出するようになっている。そして第１のスノコ８は噴
出した状態で、全ウエハー６に対して洗浄可能になるよ
うに、全ウエハー６の下を図４において左右に移動し洗
浄する。したがって、全ウエハー６に対して均一で効率
良く洗浄可能となる。また、第１のスノコ８は、駆動モ
−タ−が内蔵されたスノコ駆動装置７で図４に示したよ
うに左右に駆動する。さらに、洗浄液導入管２は、第１
のスノコ８の駆動に耐えられるようにジャバラで構成さ
れている。
ける半導体ウエハー洗浄槽について、その動作を説明す
る。洗浄液は、洗浄液導入管２から半導体ウエハー６の
下に設けられた第１のスノコ８に導入される。導入され
た洗浄液は、第１のスノコ８に開孔された穴から半導体
ウエハー６の方向へ流れる。第１のスノコ８は、図３、
４に示したように数枚のウエハー６に下のみに洗浄液が
噴出するようになっている。そして第１のスノコ８は噴
出した状態で、全ウエハー６に対して洗浄可能になるよ
うに、全ウエハー６の下を図４において左右に移動し洗
浄する。したがって、全ウエハー６に対して均一で効率
良く洗浄可能となる。また、第１のスノコ８は、駆動モ
−タ−が内蔵されたスノコ駆動装置７で図４に示したよ
うに左右に駆動する。さらに、洗浄液導入管２は、第１
のスノコ８の駆動に耐えられるようにジャバラで構成さ
れている。
【００２０】以上のように本実施例によれば、洗浄液を
噴出する第１のスノコ８がウエハー６の下で移動するの
で、薬液によるウエハー６の洗浄あるいは純水によるウ
エハー６の水洗が非常に効率よく行うことができる。
噴出する第１のスノコ８がウエハー６の下で移動するの
で、薬液によるウエハー６の洗浄あるいは純水によるウ
エハー６の水洗が非常に効率よく行うことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなように
本発明は、洗浄液導入管の洗浄液出口に洗浄液拡散装置
を設け、スノコの穴の大きさと方向を制御し洗浄不十分
な箇所に洗浄液を多量に流す構成をとるスノコを設ける
ことで、あるいは、洗浄液導入管と直結した半導体ウエ
ハー下で移動する機能を持ったスノコを設けることによ
って、薬液による洗浄あるいは、純水による水洗が非常
に効率よく行えるため、その効果は非常に大きい。
本発明は、洗浄液導入管の洗浄液出口に洗浄液拡散装置
を設け、スノコの穴の大きさと方向を制御し洗浄不十分
な箇所に洗浄液を多量に流す構成をとるスノコを設ける
ことで、あるいは、洗浄液導入管と直結した半導体ウエ
ハー下で移動する機能を持ったスノコを設けることによ
って、薬液による洗浄あるいは、純水による水洗が非常
に効率よく行えるため、その効果は非常に大きい。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体ウエハー
洗浄槽の正面から見た概略断面図
洗浄槽の正面から見た概略断面図
【図２】同図１のＡ−Ａ′面から見た概略図
【図３】本発明の第２の実施例における半導体ウエハー
洗浄槽の正面から見た概略断面図
洗浄槽の正面から見た概略断面図
【図４】同図３のＡ−Ａ′面から見た概略図
【図５】従来の半導体ウエハー洗浄装置の正面から見た
概略断面図
概略断面図
【図６】同図５のＡ−Ａ′面から見た概略図
１ 洗浄槽本体 ２ 洗浄液導入管 ３ 第１のスノコ ５ ウエハーキャリア ６ ウエハー
Claims (2)
- 【請求項１】 洗浄槽底部に洗浄液を導入する洗浄液導
入管を接続し、前記洗浄液導入管の洗浄液出口部に洗浄
液拡散装置を設け、ウエハーを載せるスノコの穴の大き
さと方向を、洗浄不十分な箇所に洗浄液を多量に流すよ
うに形成した半導体ウエハー洗浄槽。 - 【請求項２】 洗浄槽本体の内底に洗浄液を導入する洗
浄液導入管を接続し、かつ洗浄液を噴出する第１のスノ
コを移動自在に設け、前記第１のスノコの上部に半導体
ウエハーが搭載された第２のスノコを設けた半導体ウエ
ハー洗浄槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118898A JPH06333903A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体ウエハー洗浄槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5118898A JPH06333903A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体ウエハー洗浄槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333903A true JPH06333903A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14747902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5118898A Pending JPH06333903A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体ウエハー洗浄槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333903A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018156A1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung zum behandeln von substraten |
| CN111696881A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-22 | 段玲玲 | 一种硅晶圆光阻溶解过程观测装置 |
| WO2022024420A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 株式会社Sumco | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP5118898A patent/JPH06333903A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018156A1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung zum behandeln von substraten |
| CN111696881A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-22 | 段玲玲 | 一种硅晶圆光阻溶解过程观测装置 |
| CN111696881B (zh) * | 2020-06-17 | 2023-12-26 | 段玲玲 | 一种硅晶圆光阻溶解过程观测装置 |
| WO2022024420A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 株式会社Sumco | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム |
| JP2022026224A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | 株式会社Sumco | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム |
| TWI774244B (zh) * | 2020-07-30 | 2022-08-11 | 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 | 工件的洗淨處理方法以及工件的洗淨處理系統 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20040114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |