KR20100045465A - 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 - Google Patents

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데이비드 드크레이커
지미 디. 콜린스
트레이시 에이. 개스트
알랜 디 로즈
리차드 이. 윌리엄슨
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에프에스아이 인터내쇼날 인크.
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Abstract

액체, 기체, 유동화된 고체, 분산체, 이들의 조합 등을 포함하는 적어도 하나 이상의 물질로 전자소자를 처리하는 장비가 제공된다. 본 발명은 적셔진 표면(들)의 신속한, 효율적인 세정을 위한 방법을 제공하며, 전자소자 위에 점점 가늘어지는 채널을 형성하도록 하는 방식으로 처리될 전자소자 위에 위치하는, 배리어 판과 같은 가동형 배리어 구조의 하부면을 세정할 때 특히 유리하다. 튀김, 적하, 또는 연무를 발생시키는 방식으로 세정액을 표면으로 분사하는 대신에, 액이 세정될 표면과 유체연통하는 표면으로, 바람직하게는 층류 조건하에서, 유동하여 분배된다. 평활하고 균일한 적심 및 층류작용은 입자오염 발생을 급감시키면서 세정을 달성하도록 한다.

Description

하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치{RINSING METHODOLOGIES FOR BARRIER PLATE AND VENTURI CONTAINMENT SYSTEMS IN TOOLS USED TO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONR OR MORE TREATMENT FLUIDS, AND RELATED APPARATUSES}
본 출원은 "하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법"이라는 명칭으로 드크레이커(DeKraker) 등에 의해 2007년 8월 7일자로 출원된 미국 가명세서 출원 60/963,840호를 기초로 하여 35USC §119(e)에 따른 우선권을 주장한다.
본 발명은, 액체 및/또는 기체를 포함하는, 하나 이상의 처리유체로 전자기판을 처리하는데 사용되는 장비의 배리어 판(barrier plates), 벤튜리 수용 방식(venturi containment strategies) 및 분배 조립체(dispense assemblies)에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 벤튜리 형상의 통로 및/또는 배리어 판의 표면과 관련하여 향상된 세정능력을 갖는 상기 장비에 관한 것이다.
전자산업은 전자소자의 제조시 다양한 공정을 사용한다. 많은 공정이 일련의 처리를 포함하며, 이 처리에서 상이한 처리유체들이 원하는 방법에 따라 전자소자와 접촉하게 된다. 이들 유체는 액체, 기체, 또는 이들의 조합일 수 있다. 일부 처리에서, 고체가 액체에 분산 또는 용해되거나 기체에 비말동반될 수 있다.
새로운 전자소자처리용 장비가 양수인의 미국출원공개 US-2007/0022948-A1호(이하 제1 출원이라 함); "하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비에 사용되는 배리어 구조 및 노즐장치"라는 명칭으로 콜린스(Collins) 등에 의해 2006년 3월 15일자로 출원되었고 FSI0166US 라는 서류명칭을 가지며 공개번호 WO 2006/107550로 PCT 공개된, 양수인의 미국특허출원 11/376,996호(이하 제2 출원이라 함); 및 "하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비에 사용되는 배리어 구조 및 노즐장치"라는 명칭으로 콜린스 등에 의해 2007년 7월 20일자로 출원되었고 FSI0202/US 라는 서류명칭을 갖는, 양수인의 미국특허출원 11/820,709호(이하 제3 출원이라 함)에 기술되어 있다. 이들 미국출원 및 공개의 전 내용이 참조에 의해 여기에 포함되어 진다.
상기 미국출원들의 "처리부(11)"는 하나 이상의 덕트통로가 선택적으로 개방 및 폐쇄되도록 하는 내포형 덕트구성부(nested duct features)를 포함한다. 예를 들면, 배리어 구조가 벌어지면, 덕트통로가 개방되며 배리어 구조 사이에서 확대된다. 상기 구조가 좁아지면, 이 구조 사이의 덕트통로는 막혀지며 크기가 감소된다. 바람직한 실시예에서, 복수의 덕트가 가동형 덕트구조가 어떻게 위치되는 가에 따라 동일한 부피의 공간에 위치될 수 있다. 따라서, 복수의 덕트가 단지 하나의 덕트가 차지하는 부피보다 약간 큰 부피를 차지할 수 있다. 덕트들은 순환, 폐기 또는 다른 취급을 위해, 액체 및/또는 기체를 포함한, 여러 처리유체를 포집하는데 사용된다. 교차오염을 최소화하기 위해 그리고/또는 유체마다 다른 포집방식을 사용하기 위해 처리유체들이 다른, 독립된 덕트에서 회수될 수 있다. 덕트구조의 내포특성으로 인해 덕트 시스템은 매우 콤팩트하다.
또한 상기 미국출원들은 새로운 스프레이 노즐/배리어 구조를 기술하고 있다. 이 구조는 스프레이, 중앙분배, 및 샤워헤드(showerhead)와 같은 여러 방법으로 처리물질을 분배하는 능력을 포함한다. 배리어 구조는 하부의 전자소자 위에 위치한다. 배리어 구조의 하부면은 전자소자 위에 테이퍼형 유동채널(tapering flow channel)을 형성하도록 하는 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이 방식은 여러 장점을 제공한다. 테이퍼형 유동채널은 재순환 영역을 최소화하면서 전자소자의 중앙으로부터 외방으로의 방사상 유동을 촉진하는데 도움을 준다. 또는 테이퍼는 전자소자의 외측변부로 접근하는 유동유체의 속도를 증가시키며 부드럽게 수렴하도록 하는데 도움을 준다. 이는 액체의 튀김효과(splash effects)를 감소시키는데 도움이 된다. 또한 하부면의 각도는 하부면상의 액체가 외측 주연부를 향해 배수되도록 하는데 도움을 준다. 또한 테이퍼 구성은 전자소자로의 입자 재순환을 감소시키는데 도움을 준다. 또한 테이퍼 구성은 보다 양호한 유체보유(better containment of fluids)에 의해 화학물질 재생율(chemical reclaim efficiency)을 높이는데 도움을 준다.
이러한 모든 장점에도 불구하고, 여전히 개선의 여지가 있다. 우선, 전자소자의 처리 중에 배리어 구조의 하부면은 배리어 구조의 세정에 따른 그리고/또는 처리 중에 사용된 액체(들)의 막이나 액적이 부착될 수 있다. 예를 들면, 제3 출원은 공정챔버로 이어지는 침니(chimney)를 통해 세정튜브가 하방으로 배열되는 세정방법을 기술하고 있으며, 이때 침니는 일반적으로 배리어 구조의 중앙영역을 통해 공정챔버로 이어지는 탈출통로를 제공한다. 세정튜브는 공정챔버 내로 연장되어서 그 하단부가 일반적으로 배리어 구조의 하부면과 동일높이에 있게 된다. 세정액은 튜브의 단부에 부착된 노즐을 통해 하부면으로 분사된다.
이 방법은 배리어 구조를 효과적으로 세정하지만, 얻어지는 스프레이는 배리어 구조와 충돌할 때 튀김(splash)을 발생하게 된다. 이는 액적 또는 연무(mists)를 발생시켜서 입자오염을 초래할 수 있다. 배리어 구조의 하부면과 노즐의 스프레이 패턴 및 정렬을 배리어 구조의 기하학적 형상(geometry)과 상응하도록 맞추거나 유지하는 것이 어려울 수 있다. 튜브와 노즐은 습기를 머금을 수 있으며, 이는 액적화되며 오염을 초래할 수 있다. 또한 튜브와 노즐은 공정챔버 내로의 액체 및 기체 유동을 간섭 및/또는 방해할 수 있다. 따라서 개선된 세정방법이 요구된다.
본 발명은 액체, 기체, 유동화된 고체, 분산, 이들의 조합 등을 포함하는, 하나 이상의 처리물질로 전자소자를 처리하는 장비를 제공한다. 본 발명은 젖은 표면(들)을 신속하고 효과적으로 세정하는 방법을 제공하며, 특히 전자소자 위에 테이퍼형 유동채널을 형성하는 방식으로 처리되는 전자소자 상의 배리어 판과 같은 가동형 배리어 구조의 하부면을 세정하는데 사용될 때 특히 유용하다. 바람직한 튀김, 액적, 또는 연무를 생성하는 방식으로 표면에 세정액을 분사하기보다는, 액체가 세정될 표면과 유체연통하는 표면으로, 바람직하게는 층류유동(laminar flow)상태로, 분배 또는 흘려보내진다. 평활하고 균일한 적심(wetting) 및 층류작용은 입자오염의 발생위험을 크게 감소시키면서 세정을 달성하게 된다. 대표적인 실시예에서, 액체가 분배되는 오리피스는 목표 표면에 근접하여, 예를 들면, 목표 표면으로부터 0.1 내지 20, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5mm 내, 심지어는 1mm 내에 위치한다.
또한, 본 발명의 실시예는 오염으로 이어질 수 있는 불연속적인 채널형성, 적하(dripping), 또는 다른 문제들의 발생을 감소시키면서 배리어 구조 하부면의 매우 포괄적인 적심 및 평활한 층류작용을 조장하는 노즐패턴을 포함할 수 있다. 이들 실시예에서, 노즐 어레이(들)는 노즐이 목표로 하는 표면에 대한 가변적인 간격, 가변적인 노즐크기, 및 가변적인 노즐각의 적어도 하나, 바람직하게는 둘, 보다 바람직하게는 이들 셋 모두를 포함한다. 대표적인 노즐 어레이는 노즐들 간의 가변적인 간격을 가지며 어레이의 하나 이상의 다른 노즐에 대해 상이한 복합각(compound angle)을 갖는 둘 이상의 노즐을 갖는다. 또한, 본 발명의 실시예는 사전 적심(pre-wetting) 방법을 포함하여서 오염으로 이어질 수 있는 불연속적인 채널형성, 적하, 또는 다른 문제들의 발생을 감소시키면서 배리어 구조 하부면의 매우 포괄적인 적심 및 평활한 층류작용을 조장한다.
본 발명에 따르면, 장치의 세정방법은 a)적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정챔버와, 처리를 위해 제공되는 전자소자를 적어도 부분적으로 커버하며 전자소자 위에 위치하는 하부면을 포함하는 배리어 구조를 갖는 장치를 제공하는 단계와, b)액이 층류를 형성하며 배리어 구조의 하부면을 적시도록 하는 조건으로 배리어 구조로 액을 분배하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 장치의 세정방법은 a)적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정챔버와, 처리를 위해 제공되는 전자소자를 적어도 부분적으로 커버하며 전자소자 위에 위치하는 하부면을 포함하는 배리어 구조와, 상기 하부면에 유체유동가능하게 결합하는 또 다른 면을 갖는 장치를 제공하는 단계와, b)층류가 형성되어 유동하며 배리어 구조의 하부면을 적시도록 하는 조건으로 상기 또 다른 면으로 액을 분배하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 적어도 하나의 전자소자를 처리하는 장치는 a)적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정챔버, b)처리를 위해 제공되는 전자소자를 적어도 부분적으로 커버하며 전자소자 위에 위치하는 하부면을 포함하는 배리어 구조, c)배리어 구조의 하부면에 유체유동가능하게 결합하는 또 다른 면, 및 d)상기 또 다른 면으로 액체를 분배하도록 상기 또 다른 면을 향하며 충분히 근접하여 위치되는 복수의 노즐을 포함한다.
본 발명에 따르면, 적어도 하나의 전자소자를 처리하는 장치는 a)적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정챔버, b)처리를 위해 제공되는 전자소자를 적어도 부분적으로 커버하며 전자소자 위에 위치하는 하부면을 포함하는 배리어 구조, c)공정챔버 내로의 출구를 제공하는 벤튜리 형상의 통로로서, 이 통로는 배리어 구조의 하부면에 유체유동가능하게 결합하는 통로면을 포함하고, d)상기 통로면으로 액을 분배하도록 통로에 위치되는 적어도 하나의 노즐을 포함한다.
본 발명에 따르면, 장치의 세정방법은 a)적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정챔버와, 처리를 위해 제공되는 전자소자를 적어도 부분적으로 커버하며 전자소자 위에 위치하는 하부면을 포함하는 배리어 구조와, 상기 하부면에 유체유동가능하게 결합하는 또 다른 면을 갖는 장치를 제공하는 단계와, b)배리어 구조의 하부면과 선택에 따라서는 상기 또 다른 면을 미리 적시는 단계, 및 c)미리 적신 후에 액체가 상기 또 다른 면에 층류를 형성하며 이어서 배리어 하부면을 적시며 층류를 형성하도록 하는 조건으로 상기 또 다른 면으로 액을 분배하는 단계를 포함한다.
첨부도면에 표시된 본 발명의 실시예에 대한 다음의 상세한 설명을 참조하면, 본 발명이 보다 잘 이해될 것이며 본 발명의 상기 언급된 그리고 다른 장점들 및 이들을 얻는 방법이 보다 명확해 질 것이다.
도 1은 본 발명의 공기취입 조립체를 조립체 상부에서 본 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 공기취입 조립체를 조립체 하부에서 본 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 상면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 상부부재를 상부부재의 상부에서 본 사시도이다.
도 6은 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 상부부재를 상부부재의 하부에서 본 사시도이다.
도 7은 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 하부부재를 하부부재의 상부에서 본 사시도이다.
도 8은 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 하부부재를 하부부재의 하부에서 본 사시도이다.
도 9는 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 세정부재를 세정부재의 상부에서 본 사시도이다.
도 10은 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 세정부재를 세정부재의 하부에서 본 사시도이다.
도 11은 도 9에 도시된 세정부재의 측면도이다.
도 12는 상부부재와 하부부재 사이에 고정되어 있는 세정부재의 링 형상 동체를 보여주는, 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 부분확대 단면도이다.
도 13은 상부와 하부 스페이서 부재 사이에 고정된 세정부재의 아암을 보여주는, 도 1에 도시된 공기취입 조립체의 부분확대 단면도이다.
도 14는 도 1에 도시된 공기취입 조립체에 사용되는 고정 클램프의 사시도이다.
도 15는 도 1에 도시된 공기취입 조립체에 사용되는 고정 클램프의 또 다른 사시도이다.
도 16은 도 1에 도시된 공기취입 조립체에 사용되는 고정 클램프의 또 다른 사시도이다.
도 17은 도 1에 도시된 공기취입 조립체를 포함하는 장비의 개략도이다.
도 18A는 도 9에 도시된 세정부재의 저면도이다.
도 18B는 도 18A에 도시된 세정부재의 F-F방향 단면도이다.
도 18C는 도 18B의 G-G방향 단면도이다.
도 18D는 도 18B의 H-H방향 단면도이다.
도 18E는 도 18A에 도시된 세정부재의 C-C방향 단면도이다.
도 18F는 도 18A에 도시된 세정부재의 J-J방향 단면도이다.
도 18G는 도 18F의 K-K방향에서 본 단면도이다.
도 18H는 도 18A에 도시된 세정부재의 D-D방향 단면도이다.
도 18I는 도 18H의 E-E방향 단면도이다.
후술된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것이며 본 발명을 이하의 상세한 설명에 기술된 형태로 한정하기 위한 것은 아니다. 오히려 실시예들은 당업자가 본 발명의 원리와 구현을 이해하기 쉽도록 선택되고 기술되어 있다. 본 발명이 유체에 기반한 전자기판 세척시스템과 관련하여 기술될 것이나, 본 발명의 원리는 다른 전자소자 처리시스템에도 역시 적용될 수 있다.
이하에서, 언급된 구성과 참조번호가 인용부호를 갖는 경우, 이는 상기 제3 출원에 기술되고 도시된 구성과 참조번호를 말한다. 만일 인용부호가 사용되지 않는 경우, 여기서 기술되고 첨부도면에 도시될 본 발명의 구성과 참조번호를 말한다.
본 발명의 세정능력을 갖는 공기취입 조립체(10)의 바람직한 실시예가 도 1 내지 16, 및 도 18A 내지 18I에 도시되어 있다. 이 특정의 실시예는 상기 제3 출원에 기술된 "배리어/분배부(14)"에 사용되도록 설계되어 있다. 여기에서 기술된 이격 지지체(standoff supports)와 함께 본 발명의 공기취입 조립체(10)는 "공기취입 플랜지(338)", "샤워헤드 스페이서(382)", "이격 지지체(380)", "세정 튜브(504)", 및 "세정 튜브 노즐(508)"로 대체될 수 있다. 도 1 내지 16, 및 18A 내지 18I에 도시된 공기취입 조립체(10)는 "스프레이 바(178)"와 "중앙분배 노즐조립체(518)" 상부에 뿐만 아니라 "배리어 판(102)" 상에 부착되되 "공기취입 플랜지(338)"가 이들 구성부에 결합되는 것과 동일한 방식으로 부착되도록 설계된다. 또 다른 유사점으로, "샤워헤드 분배부재(426)"가 공기취입 조립체(10) 상에 부착되되, "샤워헤드 분배부재(426)"가 선행기술의 "샤워헤드 스페이서(382)" 및 "이격 지지체(380)"에 부착되는 것과 동일한 방식으로 이격체(22)에 의해 고정 및 지지된다. 또한, 공기취입 조립체(10)는 적당한 배관설비(plumbing)가 공기취입 조립체(10) 자체의 세정 구성부로 연결되도록 하는 구성부를 포함하여서, 하나 이상의 분배 구성(들)이 "배리어 판(102)"의 흡출 부재(aspirating element), 및 배리어/분배부에 포함될 수 있다.
그러나, "세정 튜브(504)" 및 "세정 튜브 노즐(508)"과 비교할 때, 개선된 공기취입 조립체(10)는 입자오염으로 이어질 수 있는 튀김 및 액적의 발생을, 설사 있다하더라도, 감소시키면서 상기 조립체(10)에 포함된 벤튜리 시스템뿐만 아니라 "배리어 판(102)"을 보다 효과적으로 세정 및 적시는 향상된 세정능력을 갖는다. 또 다른 선택사항으로, "샤워헤드 스페이서(382)"에 해당하는 구성부가 "샤워헤드 스페이서(382)"와 같이 별도의 구성부가 아니라 일체형 구성부로서 공기취입 조립체(10)에 형성된다.
공기취입 조립체(10)는 주요 구성부로서 상부 부재(12), 하부 부재(58), 및 상부 부재(12)와 하부 부재(58) 사이에 고정된 세정 부재(114)를 포함한다. 상부 부재(12)는 도 1 내지 도 6에 가장 잘 도시되어 있다. 상부 부재(12)는 부드럽게 만곡된 상부면(16)과 평평한 저부(18)를 갖는 환상의 동체(14)를 포함한다. 후술하는 바와 같이, 상부면(16)은 벤튜리 형상 통로(172)로의 유입구(178)를 형성하는데 도움을 준다. 상부 부재(12)는 "샤워헤드 분배부재(426)"를 고정 및 지지하는데 사용되는 이격체(22)를 고정하기 위한 구멍(20)을 갖는다. 예시를 위해, 네개의 상응하는 이격체(22)를 고정하기 위한 네개의 구멍(20)이 도시되어 있으나, 원하는 바에 따라 보다 많거나 적은 개수가 사용될 수 있다. 이격체(22)는 접착, 용접, 나사고정, 볼트고정 등을 포함하는 원하는 방식으로 이들 구멍(20)을 통해 상부부재(12)에 고정될 수 있다. 일부의 실시예에서, 이격체(22)에 형성되는 수나사부가 구멍(20)에 형성되는 암나사부와 나사결합할 수 있다.
저부(18)는 저부(18)의 외측 주연부(28) 근방에 무게감량을 위한 홈부(26)를 갖는다. 또한 저부(18)에는 공기취입 조립체(10)의 구성부들이 조립될 때 세정부재(114)를 위치에 고정시키기 위한 적당한 크기의 포켓(pocket)을 형성하도록 내측 주연부(32) 상에 환상의 은촉부(rabbet)(30)가 제공된다. 또한 저부(18)에는 상부부재(12)를 하부부재(58)에 나사로 고정시킬 수 있도록 복수의 나사부 형성 홈(24)이 제공된다. 나사의 이용은 보수 및 수리를 위해 공기취입 조립체(10)를 용이하게 분리할 수 있도록 한다. 물론, 접착, 용접, 볼트, 클램프, 테입, 이들의 조합 등과 같은 다른 조립기술들이 사용될 수 있다. 예시를 위해, 네쌍의 나사부 형성 홈(24)이 도시되어 있으나, 원하는 경우 이보다 많거나 적은 개수가 사용될 수 있다.
또한 상부부재(12)는 환상 동체(14) 외에 상부 스페이서 부재(34)를 포함한다. 상부 스페이서 부재(34)는 동체(14)의 일측으로부터 타측으로 연장되며 여러 기능을 수행한다. 우선, 이격체(22)와 함께 상부 스페이서 부재(34)는 "샤워헤드 분배부재(426)"를 고정 및 지지하는데 도움을 준다. 또한, 상부 스페이서 부재(34)의 내측 부피는 배관, 전선, 광섬유, 센서, 및 다른 구성부가 상부 스페이서 부재(34)의 외측 상에 있는 벤튜리 통로와는 분리되어 인도될 수 있는 통로(176)를 형성하는데 도움을 준다. 또한, 상부 스페이서 부재(34)는 기체들이 양호한 보유능력으로 공정챔버(도 1-16 및 18A-18I에는 도시되어 있지 않음) 내도 도입될 수 있는 벤튜리 형상 통로(172)의 상부와 유입구(178)를 형성하는데 도움을 준다. 또한 상부 스페이서 부재(34)는 상부부재(12)를 보강 및 강화시키는데 도움을 준다.
보다 상세하게, 상부 스페이서 부재(34)는 상부 림(36), 측부(38,40,42,44) 및 하부 림(46)을 포함한다. 측부(44)는 세정 또는 다른 유체를 세정부재(114)로 공급하기 위한 배관 연결부를 수용하는 공간을 형성하는 포켓(48)을 포함한다. 하부 림(46)은 은촉부(52)를 포함한다. 상부부재(12)의 은촉부(30)와 유사하게, 은촉부(52) 역시 세정부재(114)에 맞는 크기를 갖는다. 세정부재(114)는 상부부재(12)와 하부부재(58)가 함께 고정될 때 이 은촉부(52)에 유지되어 위치에 고정된다. 또한 측부(44)는, 후술하는 바와 같이, 고정 클램프(158)(도 3,4 및 14-16 참조)를 고정하는데 사용되는 홈(54)(도 6 참조)을 포함한다.
상부부재(12)는 친수성 및/또는 소수성일 수 있는 다양한 재료로 형성될 수 있다. 일부의 실시예에서 상부부재(12)는 상표명-TEFLON인 플르오로폴리머와 같은 소수성 재료로 제조되는 것이 바람직하다.
하부부재(58)는 도 1-3, 7 및 8도에 잘 도시되어 있다. 하부부재(58)는 동체(60), 상부 플랜지(72), 하부 플랜지(78), 및 하부 스페이서 부재(84)를 포함한다. 동체(60)는 상단부(66)에서 하단부(68)까지 연장되는 내측벽(62)과 외측벽(64)을 포함한다. 내측벽(62)은 동체(60)가 상단부(66)와 하단부(68) 사이의 중간에 후화(厚化; thickeded) 벽부(70)를 포함한다. 후화 벽부(70)는 벤튜리 통로(172)의 목부(174)를 제공하는데 도움을 준다. 외측벽(64)은 무게감량 및 조립체 하드웨어에 대한 접근을 제공하도록 깍은 면이 형성된다(faceted).
상부 플랜지(72)는 상단부(66)로부터 외측으로 연장되며 환상형태를 갖는다. 상부 플랜지(72)는 나사(25)를 통해 하부부재(58)를 상부부재(12)에 고정시키기 위해 상부부재(12)의 홈(24)에 상응하는 통공(74)을 갖는다. 상부 플랜지(72)의 상부면(76)은 상부부재(12)의 저부(18) 형상에 상응하도록 평평한다. 또 다른 실시예로, 상부면(76) 및 저부(18)는 원하는 경우 평평하지 않은 맞물림 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 홈, 돌출부, 파형, 또는 다른 형태가 조립 중에 정렬에 도움을 주도록 제공될 수 있다. 선택에 따라서는, 개스킷(미도시)이 상부면(76)과 저부(18) 사이에 위치될 수 있다.
하부 플랜지(78)는 하단부(68)로부터 외측으로 연장되며 환상 형태를 갖는다. 하부 플랜지(78)는 도 17에 도시된 배리어 판(260)에 공기취입 조립체를 고정하기 위한 통공(80)을 포함하며, 이 배리어 판은 제 3출원의 "배리어 판(102)"과 관련하여 기술된 구성부를 갖는 것이 바람직하다. 하단부(68)와 하부 플랜지(78) 사이의 연결부(juncture) 근방의 하부부재(58) 영역은 동체(60)의 내측벽(62)과 배리어 판의 하부면 사이에 평활한 전이(transition)를 제공하는 형상을 가져서 도 17에 도시된 공정챔버(206) 내로의 유체의 평활한 유동을 조장한다.
하부 스페이서 부재(84)는 동체(60)의 일측으로부터 타측으로 연장되며 여러 기능을 수행한다. 우선, 이격체(22) 및 상부 스페이서 부재(34)와 함께 하부 스페이서 부재(84)는 상부 스페이서 부재(34)에 대한 지지를 제공함으로써 "샤워헤드 분배부재(426)"를 간접적으로 고정 및 지지하는데 도움을 준다. 또한, 하부 스페이서 부재(34)는 배관, 전선, 광섬유, 센서, 및 다른 구성부가 인도될 수 있는 통로(176)를 형성하는데 도움을 준다. 또한, 하부 스페이서 부재(84)는 기체들이 양호한 보유능력으로 공정챔버(206) 내도 도입될 수 있는, 목부(174)를 포함하는, 벤튜리 형상 통로(172)의 하부와 유출구(180)를 형성하는데 도움을 준다. 또한 하부 스페이서 부재(84)는 하부부재(58)를 보강 및 강화시키는데 도움을 준다. 또한 하부 스페이서 부재(84)는 후술하는 바와 같이 배관 구성부와 고정 구성부를 수용하는 구멍을 포함한다.
보다 상세하게, 하부 스페이서 부재(84)는 내면(88), 외면(90), 저면(92), 단부벽(94), 및 상면(96)을 갖는 측벽(86)을 포함한다. 또한 하부 스페이서 부재(84)는 바닥(104)을 포함한다. 상면(96)은 하부 림(46)에 단단히 삽입되어서 하부부재(58)와 상부부재(12)가 함께 고정될 때 세정부재(114)를 위치에 고정시키는데 도움을 준다. 외면(90)은 벤튜리 형상 통로(172)를 형성하는데 도움을 주며, 내면(88)은 통로(176)를 형성하는데 도움을 준다.
단부벽(94)의 하나에 있는 홈(102)은 구성부들이 바닥(104) 근방의 통로(176) 하부로 들어가거나 나가도록 하는 통로(176)로 및 이로부터의 배출구를 제공한다. 예를 들면, 진공튜브(미도시)가 통로(176)를 통해 아래로 인도되며 제 3 출원에 기재되어 있는 "배리어 판(102)"의 흡출구성부로 나간다. 선택에 따라서는, 세정부재(114)로 세정유체를 공급하기 위한 공급라인(미도시) 역시 홈(102)을 통해 공급될 수 있으나, 이러한 공급라인은 도면들에 도시되며 후술되는 바와 같이 설치하는 것이 보다 바람직하다.
도 2,3 및 8에 도시된 바와 같이, 바닥(104)은 포켓(108)을 형성하도록 저면(92)에 비해 오목하게 형성된다. 이 포켓(108)은 공기취입 조립체(10)가 도 17의 배리어 판(260) 상에 고정될 때 분배 구성부들 위로 끼워져서 이들을 수용한다. 이를 위해, 바닥(104)은 배관 연결부 위로 끼워지며 공급 라인(미도시)을 도 17의 스프레이 바(280)로 연결하는 홈(105)을 포함한다. 홈(106)은 중앙 분배노즐 조립체(282)로 이어지는 배관 연결부를 수용하며, 홈(107)은 중앙 분배노즐 조립체(282)를 바닥(104)에 설치하는 것을 가능케 한다. 홈(109)은 공기취입 조립체를 스프레이 바(280)에 부착시키는 것을 가능케 한다. 이러한 부착은 하부부재(58)의 하부 플랜지(78)의 통공(80)을 통한 부착과 함께 공기취입 조립체(10)를 위치에 확실하게 고정시키는데 도움이 된다. 홈(98,99)은 공기취입 조립체와 (도 17에 도시된 배리어 판(260) 과 같은) 하부의 배리어 구조 사이에 유체밀봉(fluid-tight seal)을 제공하는 가스켓(미도시)을 위치시켜 고정시키는데 도움을 준다.
DI(탈이온)수와 같은 세정액을 사용할 때 세정작업 중 하부부재(58)의 균일한 적심을 용이하게 하도록, 친수성 재료(들)로 하부부재를 제조하는 것이 바람직하다. 적당한 친수성 재료의 한 예로서 일반적으로 소수성 재료인 폴리페닐렌 설파이드(PPS)를 자외선,전자빔 등과 같은 라디에이션(rdiation)의 적당한 조사량(dosage)으로 조사함으로써 얻어질 수 있다. PPS는 통상적으로 공급될 때 연노란색을 띤다. 적당한 조사량의 라디에이션은 PPS의 물성을 과도하게 희생시키지 않은 채 PPS의 색을 황갈색(yellowish-brown)으로 변화시킨다. 흔히, 색변화는 표면이 친수화되었다는 시각적 징표이다. 물이 방울져 있는지 퍼져 있는지를 보기 위해 처리된 재료상에 물을 붓는 간단한 실험이 실시될 수 있다. 일부의 예에서, 색변화가 관찰되나 아직 소수성을 유지하는 경우도 있다. 재료는 표면이 친수성이 될 때까지 이온화 에너지로 1회 이상 처리될 수 있다.
세정부재(114)는 도 1,3,9-13, 및 18A-18I에 가장 잘 도시되어 있다. 일반적으로 세정부재(114)는 상부부재(12)와 하부부재(58)가 함께 고정될 때 은촉부(30,52) 내로 삽입될수 있는 크기의 링 형상 동체(116)를 포함한다. 한쌍의 아암(118)이 링 형상 동체(116)의 일측에서 타측으로 연장된다. 세정부재(114)의 최종적인 구조는 조립된 공기취입 조립체(10)의 벤튜리 통로(172)와 중앙 통로(176) 각각에 상응하는 홈(124,126,128)을 형성한다. 공기취입 조립체(10)의 구성부는 효과적으로 밀봉 구조를 만들도록 조립되는 것이 바람직하며, 적당한 개스킷 재료 또는 밀봉재가 적당한 계면에 사용될 수 있으며, 이러한 재료나 기술들은 그 자체로 공지되어 있다. 예들 들면, 도 12와 13에 도시된 바와 같이, 개스킷(93,95)이 세정부재(114) 및 하부 유닛(58)의 면(76,96) 및 스페이서 부재(84) 사이에 각각 사용된다.
세정부재(114)는 세정액이나 다른 유체가 세정부재(114)로 도입되며 세정부재(114)로부터 제어가능하게 분배되어서 벤튜리 통로(172)와 배리어 판(260)의 하부면을 형성하는 하부부재 벽들을 세정하도록 하는 유체 분배 구성부를 포함한다. 이를 위해, 링 형상 동체(116)는 동체(116) 주연부 전체의 적어도 일부 둘레로 연장되는 것이 바람직한 유체분배관(130)을 형성하는 내부 통로를 포함한다. 또한 각 아암(118)은 각각 유체분배관(132)을 형성하는 내부통로를 포함하는 것이 바람직하다. 아암(118)의 단부에서, 이들 관(132)은 개방되어 관(130)과 유체연통함으로써 공통의 분배 매니폴드를 형성한다. 벤튜리 통로(172)에 상응하는 각 홈(124,126)과 연관하여, 아암(118)으로부터 벤튜리 통로(172)의 반대측으로 링 형상 동체(116)의 일부 상에 분배노즐의 어레이(136)가 제공된다. 각 어레이(136)의 노즐 및 특히 각 개구의 출구 오리피스는 하부부재(58)의 동체(60)의 내측벽(62) 상으로 직접 또는 간접적으로 유체를 분배하도록 배향된다. 또한 분배노즐의 또 다른 어레이(140)가 벤튜리 통로(172)의 반대측의 각 아암(118)에 제공되는 것이 바람직하다.이들 노즐은 하부 스페이서 부재(84)의 외측면(90)상으로 유체를 직접 또는 간접적으로 분배하도록 배향된다. 도 12 및 13에 도시된 바와 같이, 세정부재(114)는 내측벽(62)의 표면 및 면(90)으로 세정 유체를 직접 제공하나, 이들의 다른 면 및 구성부는 세정부재(114)와 면(62,90) 사이에 작동가능하게 위치될 수 있다. 이하에 보다 자세하게 기술되는 바와 같이, 제어된 유체유동이 면(62,90)으로 분배되는 것이 바람직하다.
도면들에 도시된 공기유입 조립체(10)의 실시예는 아암의 관(132)이 링의 관(130)과 유체연통하도록 개방되게 구성된다. 다른 실시예에서, 아암의 관(132)은 독립하여 관(130)과 분리되어 유체가 흐를 수 있다. 각 아암의 관(132)은 또한 다른 아암의 관(132)과 독립될 수 있다. 이는 세정액이 각 관에 독립적으로 공급되어서 각 관에 도입된 유체의 유속을 각 어레이에 의해 분사되는 표면들에 보다 최적화되도록 개별화할 수 있도록 한다. 예를 들면, 더 많은 액이 어레이(140)에 의해 분사되는 면들을 적시는데 요구되는 것보다 배리어 구조의 하부면들을 적시는데 요구되는 것을 충족시키기 위해 세정액이 어레이(140)보다 고유동으로 어레이(136)로 공급될 수 있다.
도 10에 가장 잘 도시된 바와 같이, 어레이(136,140)는 각각 링 형상 동체(116) 및 아암(118)의 일부만 차지한다(span). 다른 실시예에서, 더 많거나 적은 수의 노즐이 사용될 수 있다. 일 예로 각각 10개의 노즐을 포함하며 중심에서 중심까지 2 내지 6mm 사이의 범위로 가변적으로 이격되고 0.79mm의 오리피스 크기를 갖는 어레이(136)와 각각 중심에서 중심까지 2 내지 6mm 사이의 범위로 이격된 10개의 노즐을 가지며 0.61mm의 오리피스 크기를 갖는 다른 어레이(140)를 사용함으로써 양호한 세정작용이 얻어짐을 발견했다.
노즐 어레이(136,140)는 다양한 노즐패턴을 가질 수 있다. 노즐을 형성하는 통로는 서로 평행하거나 비평행할 수도 있으며, 수직에 평행하거나 비평행할 수도 있으며, 다양한 크기, 다양한 이격거리, 및 이들의 조합일 수 있다. 노즐을 형성하는 통로 자체는 성형일 필요가 없으나, 노즐은 원하는 결과의 적심을 달성하기 위해 제어되고 방향성을 갖는 유체유동을 제공하는 것이 중요하다. 어레이(136,140)로부터 분배된 유체의 평활하고 균일한 적심 및 층류를 조장하기 위해서는, 다양한 각과 위치를 갖는 노즐을 포함하는 노즐패턴이 양호한 적심 특성을 제공하는 것으로 밝혀졌다. 특히, 하나 이상의 경사각 및/또는 발산각(diverging angles)을 갖는 노즐패턴이 바람직하다. 본 출원의 전반에 걸쳐서 사용된 바와 같이, 수직은 조립된 그리고 작동가능하게 지지된 공기취입 조립체(10)가 공정챔버의 그 작동위치에 제공될 때 작용하는 중력의 수직방향을 말한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들면, 면(90)은 수직으로 연장되도록 도시된다. 또한, 경사각은 수직에 대한 면 또는 통로의 각을 말한다. 발산각은 도시된 바와 같이 세정부재(114)를 대칭으로 양분하는 수직면, 이하 "양분 수직면(bisecting vertical plane)", 에 대한 면 또는 통로의 각을 말한다.
예를 들면, 도 18A-18I는 노즐 어레이(136,140)에 대한 노즐패턴의 특히 바람직한 실시예를 도시하고 있으며, 여기서 노즐패턴은 수직(131) 및 양분 수직면(135)에 대해 복수의 상이한, 복합각(compound angles)을 갖도록 의도된다. 수직면(135)은 도 18A에 도시된 참조선 (113)을 지난다. 도 18A는 세정부재(114)의 저면도이다.
도 18B-18D는 세정부재(114)의 각 아암(118)의 예시된 노즐 어레이(140)에 대한 복합각(경사각 및 발산각) 및 가변적인 거리를 예시하는, 도 9에 도시된 세정부재(114)의 세 도면이다.이러한 패턴의 사용은 목표로 하는 면 및 목표 면에 결부되는 배리어 구조의 하부면의 평활하고 균일한 적심을 제공하는데 도움을 준다.
도 18B에서 F-F방향은 아암(118)을 횡단하는 단면으로서 어레이(140)의 노즐이 세정부재(114)의 중심을 향해 어떻게 방향을 취할 수 있는지, 따라서 목표 면을 향해 수직(131)으로부터 어떻게 향하는지, 즉 경사지는지를 보여주기 위한 것이다. 이 도면에 도시된 예시적인 경사각(α)이 수직(131)에 대해 4도이며, 이때 경사각(α)이 어레이(140)의 모든 노즐에 대한 동일한 것이 바람직하다.
도 18C 와 18D에서 각각 G-G 및 H-H방향은 각 아암(118)의 길이방향 단면으로서 수직 및 양분 수직면(135)에 대한 노즐의 발산각이 어떻게 가변적이며 어떻게 양분 수직면(135)으로부터 발산하는지를 보여주기 위한 것이다. 양분 수직면(135)은 각 아암(118)의 유출구면에 대해 수직인 것이 바람직하다. 도 18C 와 18D는 각 어레이(140)의 중심에 위치된 2개의 노즐이 0도의 경사각을 갖는 것을 보여준다. 이들 중심에 위치된 2개의 노즐(141,142)의 각각으로부터 외측에(outboard) 위치된 다음의 한쌍의 노즐, 예시된 실시예의 노즐(143,145)은 15도의 발산각(β)을 갖는다. 예시된 실시예에서 외측의 다음의 세쌍의 노즐(146,147,149,156,157,159)은 각각 30도의 발산각(γ)을 갖는다. 또한 도 18C 및 18D에서 각각 G-G 및 H-H 방향은 예시된 실시예에서 노즐 유출구들(및 유입구들) 사이의 간격 역시 가변적인 것을 보여준다. 도 18E-18I는 노즐 어레이(136)의 경사 및 발산하는 노즐패턴을 예시하는, 도 9의 세정부재(114)에 대한 5개의 도면이다. 도 18E는 C-C방향 단면도로서 선 C-C와 관련한 노즐의 경사각(δ)을 보여준다. 각 어레이(136)에 있어서, 선 C-C와 관련한 노즐은 어레이(136)의 중심에 위치된 2개의 노즐에 해당한다. C-C방향 도면은 예시된 실시예의 각 어레이(136)의 노즐 쌍이 수직(131)에 대해 12도의 경사각(δ)을 갖는 것을 보여준다. 도 18E에 도시되지는 않았지만, 선 C-C와 관련한 노즐은 노즐의 방사상 위치 및 양분 수직면에 대해 0도의 발산각을 갖는다. 도 18F 및 18G는 각각 J-J 및 K-K 방향 단면도로서, 선 J-J와 관련하여 예시된 실시예의 각 어레이(136)의 노즐쌍의 경사각(ε) 및 발산각(ζ)을 보여준다. 선 J-J와 관련하여 각 어레이(136)의 노즐 쌍은 예시된 실시예에서 중심에 위치된 노즐의 각각으로부터 외측의 두개의 노즐이다. 도 18F 및 도18G는 선 J-J와 관련된 노즐이 13도의 경사각(ε) 및 20도의 발산각(ζ)을 갖는 것을 보여준다. 도 18H 및 도 18I는 각각 D-D 및 E-E 방향 단면도로서 선 D-D와 관련하여 예시된 실시예의 어레이(136)의 나머지 노즐의 경사각(η) 및 발산각(θ)을 보여준다. 이들 노즐은 13도의 경사각(η) 및 35도의 발산각(θ)을 갖는다.
또한 도 18A에 도시된 세정부재(114)의 저면도는 링 형상 동체(116)의 중심(117)에 대한 어레이(136)의 노즐의 방사상 위치를 보여준다. 중심(117)을 지나는 수평 직경을 0도 기준선(113)으로 사용하면, 어레이(136)의 노즐 쌍은 기준선(113)으로부터 방사상으로 2.5도(총 5도 이격), 4.7도, 7.5도, 12.5도 및 17.5도에 위치된다.
세정부재(114)는 세정액으로서 주로 물을 분배할 것으로 예측되며, 소수성 및/또는 친수성 재료로 만들어질 수 있다. 일 실시예에서, 세정부재(114)는 폴리프로필렌으로 만들어진다.
액을 세정부재(114)로 도입하기 위하여, 공급튜브(150,151)가 고정 클램프(158)를 사용하여 플레어 이음(flare fit)으로 배관 연결부(148)에 결합된다. 고정 클램프(158)는 각각 소단부(162)와 대단부(164)를 갖는 배관홈(160)을 포함한다. 대단부(164)는 배관 연결부(148) 위로 끼워지며, 소단부(162)는 공급튜브(150,151)을 수용한다. 바람직하게는 고정홈(166)이 암나사부를 가져서 고정 클램프(158)가 홈(54)을 통해 상부 스페이서 부재(34)의 측부(44)에 대해 확실하게 고정되도록 함으로써 배관 연결부(148)에 대한 양호한 고정작용을 한다. 외관(contour)(168)은 이를 위해 고정 장치(167)가 사용될 여지를 제공한다. 공급튜브(150,151) 상부의 결합장치(154,155)는 공급튜브(150,151)가 미도시된 상류측 배관에 연결되도록 한다.
적절한 세정액은 DI수이다. DI수는 원하는 바에 따라 냉각, 상온 또는 가열하여 공급될 수 있다. 상온(약 19 내지 20℃)의 DI수를 사용하는 것이 적절한 것으로 밝혀졌다.
세정액을 공급하기 위해 이중 공급튜브(150,151)를 사용하는 것은 바람직한 선택이다. 원하는 세정작용에 따라, 하나의 튜브는 상대적으로 높은, 보다 강력한 유동의 세정액을 공급하는데 사용되고, 다른 튜브는 보다 낮은, 덜 강력한 유동의 세정액을 공급하는데 사용될 수 있다. 일부의 작업모드에서, 보다 강력한 유동을 위해 두 유동이 동시에 도입될 수 있다. 하나의 대표적인 작업모드에서, 보다 높은 유동속도를 위해 튜브 중의 하나로 분당 5리터의 유동속도로 DI수를 도입하고, 보다 낮은 유동속도를 위해 다른 튜브로 분당 2리터의 유동속도로 DI수를 도입하는 것이 바람직한 것으로 밝혀졌다.
각 튜브를 통과하는 유동의 정도를 조절하기 위해 적당한 유동제어방법이 사용될 수 있다. 일부의 작업모드에서, 밸브는 개방 또는 폐쇄되도록 세트하여서 특정 공급튜브를 통과하는 유동이 개방 또는 폐쇄될 수 있다. 이는 실행하기가 매우 간단하다는 장점을 갖는다. 이러한 개방 또는 폐쇄에서, 예시된 바와 같이 둘 이상의 공급튜브를 사용하는 것은 세정액 유동속도에 대한 뛰어난 제어를 제공한다. 다른 모드에서, 하나 이상의 공급튜브를 통과하는 유동량이 원하는 범위 내에서 어느 레벨로 조정되거나 폐쇄될 수 있도록 조절될 수 있다. 이러한 방법을 사용하는 경우, 흔히 하나의 공급튜브로 세정부재(114)로 도입되는 세정액 유동에 대한 뛰어난 제어를 제공할 수 있을 것이다.
또한, 예시된 바와 같은 세정부재(114)는 통공(144)을 포함한다. 이들은 배관 연결부(148)를 위해 관(130)으로의 유체연통을 제공하는 유입구를 드릴가공하기 위해 드릴 비트(bit)가 부재(114)의 다른 측부에 도달하도록 하는 통로를 제공하여 편리하다.
조립된 공기유입 조립체(10)가 도 1-4, 특히 도 3에 가장 잘 도시되어 있다. 이들 도면은 상부부재(12), 하부부재(58), 및 세정부재(114)가 조립될 때, 벤튜리 통로(172)가 어떻게 형성되는지를 보여준다. 각 통로(172)는 통로가 좁아지는, 상대적으로 좁은 목부(174)와 상대적으로 넓은, 확장(flaring) 단부(178,180)를포함한다. 사용시, 확장 단부(178)는 공기, 청정 건공기, 스팀, 질소, 이산화탄소, 알곤, 이소프로필 알코올 증기, 이들의 조합과 같은 하나 이상의 기체가 공기취입 조립체(10)로 도입될 수 있는 유입구 기능을 한다. 확장 단부(180)는 하나 이상의 기체가 공정챔버 내로 하향 방출되는 유출구 기능을 한다.벤튜리 형상 통로(172)는 액체, 고체, 또는 기체일 수 있는 처리물질이 공정 기체의 도입을 위한 개방구를 필요로 하는 챔버에 원하는 대로 수용되는 상황에서 수용(containment) 시스템 기능을 한다. 실제로, 통로(172)의 목부(174)는 수용 경계(containment boundaries)가 되어 기체가 통로(172)를 통해 공정챔버 내로 유동해 들어갈 때 이 수용 경계의 하부에서 유체물질이 공정챔버에 수용된다.
예를 들면, 통상적인 처리 중에 조제(make-up) 공기 또는 다른 기체가 벤튜리 형상 통로(172)를 통해 공정챔버로 주입될 수 있다. 유입 공기 또는 기체는 통로(172)의 목부(174)를 통과할 때 가속된다. 목부(174)를 통과하여 공정챔버 내로 유입되는 상대적으로 보다 높은 속도의 공기 또는 기체는 연무 또는 다른 공정 액체들이 탈출하여 공기취입 조립체(10)로 복귀하는 것을 방지한다. 반대로, 목부 수축 또는 충분한 높이를 확보하지 못한 공기취입 통로에서는 공정챔버 연무가 탈출하여 오염, 공정물질의 손실에 따른 공정성능 감소 등과 같은 문제를 초래한다.
예시적인 작업조건으로, 50cfm의 유입공기를 사용하는 경우, 실질적으로 연무 및 스팀의 완전한 수용이 달성된다. 이 테스트에서, 소자는 65℃의 탈이온수에 의해 분당 1리터로 분사되면서 250rpm으로 척(chuck)에 의해 회전된다. 이 예시적인 실시예에서, 각 벤튜리 목부의 폭은 1.067인치이고, 각 유입 및 유출구는 1.44인치의 폭을 갖는다. 각 벤튜리 형상 통로의 길이는 3인치이다.
도 3은 세정부재(114)가 어떻게 조립체(10)의 상부부재(12)와 하부부재(58) 사이에서 은촉부(30)에 고정될 수 있는 가를 가장 잘 도시한다. 또한 도 3은 세정부재(114)가 어떻게 상부부재(12)와 하부부재(58) 사이의 경계에 위치되는 가를 도시한다. 이는 세정액이 이 경계 근방에서 분배되도록 하여 벤튜리 통로(172)를 형성하는 하부부재(58)의 실질적으로 전체 친수성 면이 극히 효과적인 세정작용에 노출된다. 또한, 노즐이 적셔질 면에 근접하여서 세정유체가 소자오염으로 이어질 수 있는 튀김 또는 액적을 최소화하면서 이들 면 상으로 유동분배될 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 바람직한 실시예에서, 노즐은 적셔질 면을 향해 경사지며, 전술한 바와 같은 발산 구성을 갖고, 통상적으로 목표 면으로부터 0.1 내지 20mm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5mm, 심지어 1mm로 목포 면에 근접하여 위치된다. 이러한 구성은 적셔질 면으로 유체의 평활한 분배를 조장한다. 유체 유동이 목표 면과 접하게 될 때 튀김 및 분무화가 실질적으로 피해지도록 분배조건을 선택한다. 보다 바람직한 분배조건으로, 분배 스트림(streams)은 스트림이 목표 면에 도달할 때 유동하여 퍼지도록 목표 면 상으로 주입된다. 세정유체는 목표 면으로의 유체유동을 제어하기 위해 압력하에 주입되거나, 중력을 이용하여 분배(즉, 주입)을 용이하게 할 수 있으며, 이러한 공급은 공정챔버의 상태 및 기하학적 형상에 기초하여 다르게 결정될 수 있다. 유체의 퍼짐은 유체가 가능한 한 넓게 적시도록 한다, 즉 전체 면이 적셔지는 것이 가장 바람직하다. 노즐 패턴은 이러한 퍼짐이 일어날 때 인접한 스트림 간의 중첩을, 있다 하더라도, 최소화하도록 선택된다. 발산 유동을 통해 전체 면을 적시는 것은 유동이 벤튜리 형상 통로(172)의 목부(174)에 도달할 때 얻어지는 것이 바람직하다. 이 단계에서의 전체 면이 커버되는 것은 벤튜리 면에 유체유동가능하게 결합되는 배리어 구조의 하부면 상으로 및 이 면을 가로질러 유체의 더욱 평활한, 층류 유동을 조장하는데 도움을 준다. 또한 목부(174)를 통해 가속되는 기체 유동은 배리어 구조의 하부면 상으로 유체 유동의 퍼짐 및 박화(薄化; thinning)를 조장한다.
벤튜리 통로 벽의 친수성 표면으로 물을 분배할 때, 친수성 표면에서의 뛰어난 층류작용 및 커버리지(coverage)와 함께 극히 적은 튀김 또는 액적형성이 관찰된다. 세정액이 벤튜리 통로를 벗어나 배리어 판의 인접한, 친수성 하부면으로 이동할 때, 유동하는 세정액의 층류는 배리어 판의 친수성 하부면 위로 평활하고 균일하게 박층화되며 덮게 된다. 세정액이 배리어 판의 외측 주연부를 향해 외측으로 유동할 때, 제 3출원에 기재된 바와 같이 세정액의 적어도 일부를 포집하기 위해 흡출기술이 사용될 수 있다. 흡출은 세정 및/또는 세정 후에 일어날 수 있다.
또 다른 장점으로, 도 3은 어떻게 세정액이 목부(174) 위의 벤튜리 통로(172)를 형성하는 면상으로 도입되는 가를 도시한다. 이처럼 통로(172)로 보다 높이 위치된 노즐로부터 액을 도입하며 통로(172) 벽에 근접하여 위치됨으로써, 노즐구조는 통로(172)를 지나 이동하는 유체유동에 최소영향을 준다. 만일 노즐구조가 습기를 포집하게 되면, 방울들이 소자의 오염을 일으키도록 챔버 내로 하강하기보다는 표면을 흘러내려 가게 된다.
목부(174) 위에 위치되기 때문에, 노즐구조는 벤튜리 통로에 의해 제공되는 수용 경계 밖에 있게 된다. 이는 노즐구조가 오염되는 것을 방지하는데 도움을 준다. 또한 이는 세정액이 잔류 화학물질이 있을 것 같은 모든 표면에 도달하도록 한다. 또 다른 장점으로, 발산하는 유체유동을 얻는 것이 보다 쉬워지는데, 이러한 유동은 뛰어난 표면 적심을 달성한다. 노즐이 목부(174) 아래에 위치되는 경우, 발산하는 노즐패턴에서의 각은 더욱 중요해지고 보다 엄격한 공차를 가져야만 효과적이게 된다.
세정부재(114)와 이 세정부재에 포함된 노즐 어레이(136,140)와 관련한 여러 특징과 장점은 공지의 세정방식과 비교하여 입자오염이 극적으로 감소된 세정방법을 제공한다. 예를 들면, 예시적인 실시모드에서, 세정부재(114) 아래의 벤튜리 통로의 친수성 부분과 배리어 판의 친수성 하부면은 소자를 도입하기 전에 세정액으로 미리 적셔진다. 세정액이 이들 표면에 유동분배되기 때문에, 입자오염으로 이어질 수 있는 튀김 및 액적이 실질적으로 회피된다. 또한 사전 적심은 이들 친수성 표면이 철저하게 세정되며 균일하게 적셔지는 것을 보장하는데 도움을 준다. 전자소자를 도입하기 전에, 원하는 경우 친수성 표면이 건조될 수 있으나, 이들 표면이 적셔진 채로 두는 것이 편리하고 공정시간을 단축한다. 적셔진 표면은 친수성이기 때문에, 불연속적인 액적은 이들 표면에 형성되지 않으며, 전자소자는 ,설사 있다 하더라도, 최소의 오염으로 장입, 처리 및 배출될 수 있다. 따라서 벤튜리 통로(172)와 배리어 판의 세정은 화학적 처리단계 전에 일어날 수 있다. 또한 세정은 화학적 처리단계 사이에 및/ 또는 이들 단계 중에 일어날 수도 있다. 세정부재(114)의 노즐은 적하를 피하기 위해 세정분배 후에 잔류액을 다시 빨아들이도록 흡출될 수 있다.
일반적으로 친수성 표면의 초기 적심은 일단 수립된 유동을 유지하는 것보다 많은 세정액을 필요로 한다. 따라서, 세정액 배분은 이를 위해 조절될 수 있다. 예를 들면, 적셔진 후에는, 세정액이 보다 적은 유동으로 도입될 수 있다. 유동은 밸브를 열고 닫는 것과 같은 펄스 방식으로 감소될 수 있다. 펄스 주기 및 지속은 세정액의 전체적인 저소비량을 확보하면서 원하는 유동속도 프로파일을 유지하도록 선택될 수 있다. 또한, 세정액의 온 및 오프(on and off) 펄스화는 각 유동 펄스의 연관된 서즈(serges)를 통해 친수성 표면을 보다 양호하게 적시며 세정할 수 있다.
도 17은 도 1-16, 및 도 18A-18I의 공기취입 조립체(10)를 포함하는 예시적인 장비(200)를 개략적으로 도시한다. 예시의 목적을 위해, 장비(200)는 한번에 하나의 전자소자(208)가 장비(200)에 장입되어 하나 이상의 처리를 받는 타입으로, 이 처리에서 액체(들), 기체(들), 및/또는 다른 공정 매체가 소자(208)와 접하게 된다. 전자소자 산업에서, 예를 들면, 장비(200)는 단일 웨이퍼 처리장비로 불릴 수 있다. 통상적으로 소자(208)는 반도체 웨이퍼 또는 다른 인-프로세스(in-process) 전자기판을 포함한다.
일반적으로 장비(200)는 주 조립체로서 베이스부(202) 및 배리어/분배부(204)를 포함한다. 실제의 사용에서, 베이스부(202)와 배리어/분배부(204)는 프레임부(framework)(미도시)에 고정되며 장비(200)의 하우징(미도시) 내에 안치된다. 이러한 고정은 나사, 볼트, 리벳, 접착제, 용접, 클램프, 브래킷, 이들의 결합 등과 같은 임의의 방식으로 수행될 수 있다. 바람직하게, 상기 부분들(202,204) 및/또는 이들이 구성부들은 수리, 보수, 성능개선, 및/또는 교환을 용이하게 하도록 독립적으로 그리고 제거가능하게 고정된다.
베이스부(202) 및 배리어/분배부(204)는 소자(208)가 처리 중에 위치되는 공정챔버(206)를 형성하는데 도움을 준다. 베이스부(202) 및 배리어/분배부(204)는 소자(208)가 공정챔버(206) 내로 장입되며 배출되도록 하는 하나 이상의 구성부 또는 성능부를 포함한다. 이러한 구성부 및 성능부는 예를 들면 원하는 배출구를 제공하도록 개방 또는 폐쇄될 수 있는 도어를 포함할 수 있다. 또는, 바람직한 실시모드로서, 베이스부(202) 및 배리어/분배부(204)는 배출구를 제공하도록 서로에 대해 이동가능할 수 있다. 편의상, 이러한 상대운동은 베이스부(202)를 주위의 프레임부(미도시)에 고정시켜 놓은 채로 배리어/분배부(204)를 상승 및 하강시킴으로써 일어난다.
일반적으로 베이스부(202)는 하우징(207), 척(210), 모터(212) 및 후방 분배 헤드(214)를 포함한다. 공정챔버(106) 내에서 소자(208)는 척(210)에 의해 지지 및 고정된다. 척(210)은 원통형인 것이 바람직하며 상면(216), 하면(218), 환상 베이스(220), 중앙 통공(222), 및 외측 주연부의 측벽(224)을 포함한다. 척(210)은 고정적일 수 있으나 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예시를 위해, 도면은 소자(208)가 처리 중에 축을 중심으로 회전할 수 있도록 척(210)이 모터(212)에 의해 회전가능하게 구동되는 장비(200)의 실시예를 도시한다. 소자(208)가 회전하는 척(210)에 의해 회전되는 실시예에서, 회전은 분배된 처리물질이 소자(208) 위로 균일하게 퍼지는 것을 도와준다. 모터(212)는 중공 축(hollow shaft) 타입일 수 있으며 편의상 장비(200)에 고정될 수 있다.
척(210)은 현재 공지되거나 이후 개발될 어떠한 방법에 관계없이 다양한 방법으로 소자(208)를 고정할 수 있다. 바람직하게는, 척(210)은 선택사항인 분배 헤드(214)(후술됨)의 상면(215) 위에 소자(208)를 확실하게 고정하는 변부 파지 구조(edge gripping structures)(미도시)를 포함하여서 소자(208)와 상면(215) 사이에 갭이 있게 된다. 이러한 위치설정은 세정액을 포함한 처리 화학물질이 소자(208)의 상부면과 하부면의 어느 한면으로 분배될 수 있도록 한다.
선택에 따라서는, 장비(200)가 소자(208)의 하부면(209)을 처리하기 위한 분배구조(들)을 포함할 수 있다. 예시적인 후방 분배장치는 일반적으로 원형인 분배 헤드(214)로 도시되어 있으며, 이 헤드에 의해 하나 이상의 처리 화학물질이 소자(208)의 하부면을 향해 분배될 수 있다. 처리 화학물질은 척(210)의 중앙공(222) 및 모터(212)의 중앙공(232)을 관통하는 축(228)을 통해 후방 분배 헤드(214)로 공급된다. 척(210)이 회전하는 실시예에서, 축(228)과 중앙공(222,232) 사이에 갭이 있어서 부품들은 척(210)이 회전할 때 맞닿지 않는다. 후방 분배 헤드(214)는 하나 이상의 공급원(미도시)에 결합되어서 요구에 따라 공급된 채로 또는 혼합되어 분배된다.
특히 바람직한 실시예에서, 베이스부(202)는 제 1 및 2 출원에 예시적으로 기재된 바와 같은 "프로세싱부(processing section)(11)"의 형태일 수 있다. 즉, 본 명세서의 배리어/분배부(204)는 "가동부재(526)"에 결합되어서 제 1 및 2 출원의 "분배 조립체(554)"를 대치할 수 있는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예의 배리어/분배부(204)는 배리어 판(260) 상에 중심이 고정되는 공기취입 조립체(10)를 포함한다. 이 위치에서, 벤튜리 형상 통로(172)는 공정 챔버(206)로의 유출구를 제공한다. 배리어 판(260)의 바람직한 실시예는 제 3출원에서 "배리어 판(102)"으로 기술되어 있다.
일반적으로 배리어 판(260)은 환상으로서 하부면(262), 상부면(264), 및 내측 주연부(266)와 외측 주연부(268)을 갖는다. 내측 주연부(266)는 일반적으로 원형이며 공기취입 조립체(10)로 스무드하게(smoothly) 연결되어서 벤튜리 형상 통로(172)를 통한 평활한 기체유동을 조장하는데 도움을 준다. 바람직하게는, 배리어 판(260)의 하부면(162)이 존재할 수도 있는 액체를 포집 및 제거하는데 도움을 주는 하나 이상의 구성부를 포함한다. 예를 들면, 제 3출원에 기재된 바와 같이 액체 제거를 위해 흡출 구성부와 기술이 사용될 수 있으며, 이는 도 17에 도시되어 있다. 환상의 림(rim)(270)이 외측 주연부(268)에 인접한 하부면(262)으로부터 하방으로 돌출한다. 환상의 림(270)은 하부면(262)으로 액체를 포집하여서 이들 액체가 흡출될 수 있도록 한다. 포집된 액체의 흡출은 하부면(262)을 건조시키는데 도움을 주며 하부면으로부터 하부의 소자(208) 상으로 원치않는 적하를 방지한다. 액체는 채널(272)에 진공을 부여함으로써 흡출될 수 있으며, 이때 림(270)에서 포집된 액체는 흡출 노즐(274)을 통해 채널(272) 내로 유도될 것이다. 채널(272)은 배리어 판(260)에 홈(groove)처럼 형성되며 덮개(273)에 의해 밀봉된다. 제 1출원 및 제 2출원에 따른 "가동형 지지부재(526)"의 z-축 운동을 통해, 하부의 소자(208)에 대한 배리어 판(260)의 상대적인 위치가 제어될 수 있다.
바람직하게, 적어도 배리어 판(260)의 하부면(262)은 소자(208)의 면에 대해 방사상 외측 방향으로 하향 경사져서 소자(208)와 배리어 판(260)의 하부면(262) 사이에 점점 가늘어지는(tapering) 유동 채널(276)을 형성한다. 채널(276)의 점점 가늘어지는 구성은 재순환 영역을 최소화하면서 소자(208)의 중심으로부터 외측을 향한 방사상 유동을 조장한다. 또한 점점 가늘어지는 유동 채널(276)은 소자(208)의 외측 변부로 접근하는 유체의 속도를 증가시키며 부드럽게 수렴하도록 한다. 이는 액체의 튀김 효과를 감소시키는데 도움을 준다. 또한 하부면(262)의 각은 하부면(262) 상의 액체가 환상의 림(270)을 향해 배출되도록 하는데 도움을 주어서 여기서 포집된 액체는 공정 챔버(206)로 소자(208)를 장입하거나 배출하는데 사용되는 장비(미도시) 또는 소자(208) 상으로 적하하기보다는 흡출될 수 있다. 또한 점점 가늘어지는 구성은 소자(208) 상으로 입자가 순환하여 복귀하는 것을 감소시키는데 도움을 준다. 또한 이러한 구성은 유체의 보다 양호한 수용에 의해 화학물질 재생률을 증가시키는데 도움을 준다.
또한 이 특정의 실시예와 관련하여, 일반적으로 환상인 배리어 판(260)은 소자처리를 위한 보호받는 환경을 제공하며 분배된 물질을 공정 챔버(206)에 담는데 도움을 주도록 공정 챔버(206)의 덮개로서 역할을 하는 면도 있다. 그러나, 환상의 배리어 판(260)은 공정 챔버(206)를 밀봉하기보다는 다른 배리어들과 밀착하여서 공정 챔버(206)를 형성하는 것이 바람직하다.
경사진 하부면(262)은 다양한 기하학적 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 기하학적 형상은 하나 이상의 선형(원뿔형), 포물선형, 다각형 등일 수 있다. 예시를 위해, 하부면(262)은 방사상 외측방향으로 소자(208)를 향해 선형으로 수렴한다.
배리어/분배부(204)는 처리물질을 공정 챔버(206) 내로 분배하기 위한 하나 이상의 독립된 기계장치를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 예시적인 실시예는 적어도 하나, 바람직하게는 적어도 둘, 더욱 바람직하게는 적어도 셋의 다른 종류의 분배장치를 포함한다. 분배장치의 하나로, 하나 이상의 처리물질을 소자(208)를 향해 하방으로 소자(208)의 반경을 가로질러 분사하는 분배구조를 포함하여서 스프레이 하부의 소자(208)의 회전을 통해 전체 표면에 대한 커버리지(coverage)가 얻어지게 된다. 바람직한 실시예에서, 분배장치는 분배 판(260)과 공기취입 조립체(10)에 부착되는 스프레이 바(280)와 같은 분배구조이다. 배리어/분배부를 향한 스프레이 바와 같은 분배구조를 포함하는 방법 및 스프레이 바(280)의 바람직한 실시예는 제 3출원에 "스프레이 바(178)"로 기술되어 있다.
또 다른 분배장치로 소자(208)의 중심을 향해 하방으로 처리 화학물질을 분배하는 분배구조가 포함된다. 소자(208)가 회전할 때, 중심으로 분배된 물질은 소자 표면 위로 분배된다. 바람직한 실시예에서, 이 분배구조는 공기취입 조립체(10)에 부착되는 중심분배 노즐조립체(282)이다. 이러한 노즐의 바람직한 실시예는 제 3출원에 "중심분배 노즐조립체(518)"로 기술되어 있다.
또한, 이격체(22)와 상부 스페이서 부재에 부착되어 지지되는 샤워헤드 부재(284)가 공정 챔버(206)로 기체, 증기, 및/또는 비말 물질과 같은 공정 물질을 도입하는 또 다른 방법을 제공한다. 분배 샤워헤드의 바람직한 실시예는 제 3출원에 "샤워헤드 분배부재(426)"로 기술되어 있다.
배리어/분배부(204)의 분배 구성부는 공급라인(미도시)을 통해 제공되는 처리물질의 하나 이상의 공급부(미도시)에 결합될 수 있다. 이들 물질은 요구에 따라 그대로 또는 혼합되어 분배될 수 있다. 장비(200)는 수반될 처리물질의 종류에 대해 매우 유연하기 때문에 다양한 처리물질이 사용될 수 있다. 예시적인 처리물질의 예로서 질소, 이산화탄소, 청정 건공기, 스팀, 알곤, HF 가스, HF액, 액상의 이소프로필 알콜 이나 다른 알콜 및/또는 장력작용성(tensioactive) 물질(들), 탈이온수, 암모늄 하이드록사이드 액이나 용액, 황산액이나 용액 및/또는 그 건조종(desiccating species) 및 전구체(precursors)(예를 들면, 설퍼 트리옥사이드(SO3), 티오설퍼릭 애시드(H2S2O3), 페록소설퍼릭 애시드(H2SO5), 페록시디설퍼릭 애시드(H2S2O8), 플루오로설퍼릭 애시드(HSO3F), 및 크로로설퍼릭 애시드(HSO3Cl), 질산액이나 용액, 인산액이나 용액, 염산액이나 용액, 하이드로전 페록사이드 및/또는 오존 가스와 같은 산화제, 오존액, 계면활성제, 유기산 및 용제(organic acids and solvents), 킬레이트 시약(chilating agents), 산소 포착제(oxygen scavengers), 이들의 조합 등과 같은 기체 및 액체가 있다.
장비(200)에 사용하기 적당한 화학물질 및 공정의 대표적인 예는 미국공개 2006-0219258-A1에 기술된 것을 포함하며, 그 전 내용이 참조에 의해 여기에 포함되어 진다. 장비(200)에 사용하기 적당한 화학물질 및 공정의 다른 대표적인 예는 "스프레이 공정기에 의한 금속 박막의 비전착성 석출"이라는 명칭의 미국특허 6,065,424; 2006년 7월 7일 출원된 가출원 11/825,508호를 기초로 우선권을 주장하고 "액상 에어로졸 입자의 제거방법"이라는 명칭으로 제프 버터바우(Jeff Butterbaugh)를 발명자의 하나로 하며, 서류명 FSI0200/US로서 2007년 7월 6일 출원된 미국출원 11/825,508; 서류명 FSI0213/P1을 가지며 "수증기 또는 스팀으로 기판을 처리하는 공정"이라는 명칭으로 제프 버터바우 등에 의해 2007년 5월 18일 출원된 미국 가출원 60/930,720; "비전착성 도금을 위한 시약 활성제"라는 명칭으로 2006년 6월 15일 공개된 미국공개 2006/0128133을 포함한다. 이들 특허, 출원 및 공개의 각 개시내용은 참조에 의해 여기에 포함되어 진다.
도 17은 공기취입 조립체(10)에 의해 제공되는 세정작용을 개략적으로 예시한다. 세정액은 노즐 어레이(136,140)로부터 유동적으로 분배된다. 분배된 액은 공정 챔버(206) 내로 적하하거나 부적절하게 튀기기보다는 유동하여 퍼지며 최소로 중첩된 스트림이 되어 가장 바람직한 유동층으로 진행한다. 층류의 액은 하강하여 배리어 판(260)의 하부면(262)과 벤튜리 통로(172)의 벽을 균일하게 적신다. 세정액이 물인 경우, 적셔진 면의 친수성 특성으로 인해, 액은 공정 챔버(206) 내로 적하하거나 부적절하게 튀겨지는 일이 없이 표면을 균일하게 적신다. 유동은 층류인 것이 바람직하다. 노즐로부터의 세정액 유동은 개략적으로 화살표(288,290)도 도시되어 있다. 화살표(288)는 배리어 판(260)의 외측 주연부에 도달한 액이 어떻게 흡출되는가를 보여준다. 화살표(290)는 스프레이 바(280)의 하측에 도달한 액이 어떻게 흡출되는가를 보여준다.
본 발명의 실시예는 오염으로 이어질 수 있는 불연속 채널의 형성, 적하 또는 다른 문제들의 발생이 감소한 채로 배리어 구조의 하부면에서의 부드러운 층류작용과 전방위적인 적심을 조장하는 사전-적심 방법을 포함한다. 이 방법에 따르면, 배리어 판(260)의 하부면과 벤튜리 통로(172)의 표면은 사전에 적셔져서 세정부재(114)로부터 세정액을 유동시켜 분배하기 전에 가능한 한 많은 표면이 적셔지도록 한다. 이것은 소자(208)가 있거나 없는 상태에서 진행될 수 있으나, 소자(208)가 없는 상태에서 수행되는 것이 보통이다. 이 사전-적심은 표면을 적시기에 충분한 연무를 발생시키는 방식으로 스프레이 바(280)로 세정액을 분배함으로써 행해질 수 있다. 또한 세정 부재(114)로부터 세정액을 격렬하게 분사하여 행해질 수도 있다. 일단 표면이 사전에 적셔지면, 세정액은 세정 부재(114)로부터 유동하여 분배되어서 목부(174) 및 이어서 배리어 구조 표면을 통과하는 균일한, 전면적인 층류가 형성된다. 사전-적심이 사용되지 않는 경우, 표면에 대한 세정 유동액의 불연속적인 채널이 형성될 위험이 증가한다.
여기서 인용된 특허, 특허관련 서류, 및 공개문헌들의 전 개시내용은 참조에 의해 각각 개별적으로 여기에 포함되어 진다.
당업자라면 본 발명의 범위를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다양한 변형이 가능함을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 예시적인 실시예에 의해 부당하게 제한되지 않으며, 실시예는 단지 예시적인 것으로 본 발명은 후술될 청구범위 만에 의해 제한된다.

Claims (17)

  1. a) 적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정 챔버와, 처리를 위해 제공될 때 전자소자 위에 위치하며 적어도 부분적으로 소자를 커버하는 하부면을 포함하는 배리어 구조를 갖는 장치를 제공하는 단계, 및
    b) 액이 층류를 형성하여 배리어 구조의 하부면을 적시도록 하는 조건에서 배리어 구조로 액을 유동시켜 분배하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 세정방법
  2. 제 1항에 있어서, 배리어 구조와 유체연통하는 또 다른 면이 분배된 액을 수용하며 공정 챔버로의 유출구를 제공하는 벤튜리 형상 통로의 면을 포함하는 세정방법.
  3. 제 2항에 있어서, 벤튜리 형상 통로가 목부를 가지며 액은 목부의 상류에서 또 다른 면으로 분배되는 세정방법.
  4. 제 1항에 있어서, 액이 적어도 하나의 노즐 어레이로부터 분배되는 세정방법.
  5. 제 4항에 있어서, 노즐은 또 다른 면을 향해 내측으로 조준되는 세정방법.
  6. 제 4항에 있어서, 노즐은 액이 튀기지 않고 분배되도록 또 다른 면과 충분히 근접하여 위치되는 세정방법.
  7. 제 4항에 있어서, 노즐은 액이 층류 상태에서 분배되도록 또 다른 면과 충분히 근접하여 위치되는 세정방법.
  8. 제 2항에 있어서, 액이 분배되는 또 다른 면이 친수성인 세정방법.
  9. 제 2항에 있어서, 또 다른 면이 친수성 통로에 의해 배리어 구조의 하부면에 유체가 통하도록 연결되는 세정방법.
  10. 제 1항에 있어서, 액을 유동시켜 분배하는 단계가 액을 펄스화하는(pulsing) 단계를 포함하는 세정방법.
  11. 제 1항에 있어서, 액을 유동시켜 분배하는 단계가 적어도 두개의 비평행 노즐을 포함하는 노즐 어레이를 통해 액을 분배하는 단계를 포함하는 세정방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 적어도 두개의 비평행 노즐이 서로에 대해 비평면적인 세정방법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 적어도 두개의 비평행 노즐이 서로에 대해 평면절인 세정방법.
  14. a) 적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정 챔버와, 처리를 위해 제공될 때 전자소자 위에 위치하며 적어도 부분적으로 소자를 커버하는 하부면을 포함하는 배리어 구조와, 상기 배리어 구조의 하부면에 유체가 통하도록 연결되는 또 다른 면을 갖는 장치를 제공하는 단계, 및
    b) 액이 층류를 형성하여 배리어 구조의 하부면을 적시도록 하는 조건에서 상기 또 다른 면 상으로 액을 유동시켜 분배하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 세정방법
  15. a) 적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정 챔버,
    b) 처리를 위해 제공될 때 전자소자 위에 위치하며 적어도 부분적으로 소자를 커버하는 하부면을 포함하는 배리어 구조,
    c) 배리어 구조의 하부면에 유체가 통하도록 연결되는 또 다른 면, 및
    d) 상기 또 다른 면 상으로 액을 유동시켜 분배하도록 상기 또 다른 면에 밀착하여 위치되며 또 다른 면을 조준하는 복수의 노즐로 구성되는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 전자소자를 처리하는 장치.
  16. a) 적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정 챔버,
    b) 처리를 위해 제공될 때 전자소자 위에 위치하며 적어도 부분적으로 소자를 커버하는 하부면을 포함하는 배리어 구조,
    c) 공정 챔버로의 유출구를 제공하며, 배리어 구조의 하부면에 유체가 통하도록 연결되는 통로면을 포함하는 벤튜리 형상 통로, 및
    d) 상기 통로 면 상으로 액을 유동시켜 분배하도록 조준되며 상기 통로에 위치되는 적어도 하나의 노즐로 구성되는 것을 특징으로 하는 적어도 하나의 전자소자를 처리하는 장치.
  17. a) 적어도 하나의 전자소자가 처리 중에 위치될 수 있는 공정 챔버와, 처리를 위해 제공될 때 전자소자 위에 위치하며 적어도 부분적으로 소자를 커버하는 하부면을 포함하는 배리어 구조와, 상기 배리어 구조의 하부면에 유체가 통하도록 연결되는 또 다른 면을 갖는 장치를 제공하는 단계,
    b) 배리어 구조의 하부면과 선택에 따라서는 상기 또 다른 면을 사전에 적시는 단계, 및
    c) 사전 적심 후에, 액이 상기 또 다른 면 상에 층류를 형성하여 배리어 구조의 하부면을 적시도록 하는 조건에서 상기 또 다른 면 상으로 액을 유동시켜 분배하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치의 세정방법.
KR1020107002782A 2007-08-07 2008-07-25 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 KR101060664B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130083380A (ko) * 2010-06-11 2013-07-22 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하기 위하여 사용되는 공구의 공구표면 세정방법
KR20140038646A (ko) * 2012-09-21 2014-03-31 세메스 주식회사 세정 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7681581B2 (en) * 2005-04-01 2010-03-23 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
CN102569137B (zh) 2006-07-07 2015-05-06 Telfsi股份有限公司 用于处理微电子工件的设备和方法
WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
US8235062B2 (en) 2008-05-09 2012-08-07 Fsi International, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation
US9403102B2 (en) 2012-02-13 2016-08-02 United Technologies Corporation Heat exchange system configured with a membrane contactor
CN105722612A (zh) * 2013-11-13 2016-06-29 东京毅力科创Fsi公司 当利用酸化学物质制造微电子器件及前体时改进的室清洗
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US10141206B2 (en) 2016-02-17 2018-11-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and gap washing method
US10403474B2 (en) 2016-07-11 2019-09-03 Lam Research Corporation Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system
US20190070639A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-07 Applied Materials, Inc. Automatic cleaning machine for cleaning process kits

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3990462A (en) * 1975-05-19 1976-11-09 Fluoroware Systems Corporation Substrate stripping and cleaning apparatus
US4801335A (en) * 1984-07-02 1989-01-31 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
US4609575A (en) * 1984-07-02 1986-09-02 Fsi Corporation Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system
US4682615A (en) * 1984-07-02 1987-07-28 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
CH675762A5 (ko) * 1988-10-03 1990-10-31 Peter Huerlimann
US5246526A (en) * 1989-06-29 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Surface treatment apparatus
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
ATE174155T1 (de) * 1993-02-08 1998-12-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige gegenstände
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5571560A (en) * 1994-01-12 1996-11-05 Lin; Burn J. Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device
JP3415670B2 (ja) * 1994-03-03 2003-06-09 三菱電機株式会社 ウエハ洗浄装置
US5783025A (en) * 1994-06-07 1998-07-21 Texas Instruments Incorporated Optical diebonding for semiconductor devices
US5853961A (en) * 1995-04-19 1998-12-29 Tokyo Electron Limited Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
JP3337870B2 (ja) * 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
JPH08316190A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW406216B (en) * 1995-05-24 2000-09-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus for coating resist on substrate
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
JP3983831B2 (ja) * 1995-05-30 2007-09-26 シグマメルテック株式会社 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
US6239038B1 (en) * 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
DE69608669T2 (de) * 1995-12-19 2001-03-01 Fsi International Chaska Stromloses aufbringen von metallfilmen mit sprayprozessor
JP3377909B2 (ja) * 1996-02-28 2003-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5900059A (en) * 1996-05-29 1999-05-04 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal
TW346649B (en) * 1996-09-24 1998-12-01 Tokyo Electron Co Ltd Method for wet etching a film
KR100277522B1 (ko) * 1996-10-08 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JPH10209102A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
AT405655B (de) 1997-03-26 1999-10-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JPH11129184A (ja) 1997-09-01 1999-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板搬入搬出装置
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6260562B1 (en) * 1997-10-20 2001-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
US6332470B1 (en) 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
WO1999040388A1 (en) * 1998-02-04 1999-08-12 Laserscore, Inc. System for detecting the presence and location of at least one object in a field by using a divergent radiation source and an array of opposed plural detectors which rotate together around the field
JP3333135B2 (ja) * 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP2000124181A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
DE19854743A1 (de) 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
JP2000286267A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
EP1052682B1 (de) * 1999-04-28 2002-01-09 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US6221781B1 (en) * 1999-05-27 2001-04-24 Fsi International, Inc. Combined process chamber with multi-positionable pedestal
AT407680B (de) * 1999-06-04 2001-05-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP4257816B2 (ja) 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
US6299804B1 (en) * 1999-09-16 2001-10-09 Husky Injection Molding Systems Ltd. Air cooling system for preform molding
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6243966B1 (en) * 1999-12-10 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Air amplifier with uniform output flow pattern
US6533954B2 (en) * 2000-02-28 2003-03-18 Parker-Hannifin Corporation Integrated fluid injection air mixing system
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
JP4067307B2 (ja) 2000-04-27 2008-03-26 株式会社荏原製作所 回転保持装置
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
US20020063169A1 (en) * 2000-06-26 2002-05-30 Applied Materials, Inc. Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus
US7451774B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6536454B2 (en) * 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
US6688784B1 (en) * 2000-10-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure
US6705331B2 (en) * 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
JP4037624B2 (ja) 2001-05-21 2008-01-23 株式会社東芝 基板処理装置及び基板処理方法
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
AU2002346098A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-29 Fsi International Robotic system control
US7171973B2 (en) * 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003073847A (ja) * 2001-08-29 2003-03-12 Araco Corp 耐食性複層構造材の製造方法
JP2003086564A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置
JP3749848B2 (ja) * 2001-09-28 2006-03-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置
US20030070695A1 (en) * 2001-10-16 2003-04-17 Applied Materials, Inc. N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate
JP3892792B2 (ja) * 2001-11-02 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄装置
US20040062874A1 (en) * 2002-08-14 2004-04-01 Kim Yong Bae Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer
US6826910B1 (en) 2002-01-28 2004-12-07 Mark Richard Easton Extreme charger with air amplifier
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
JP4074814B2 (ja) 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6913651B2 (en) * 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
JP4570008B2 (ja) * 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
JP4005879B2 (ja) * 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4146709B2 (ja) 2002-10-31 2008-09-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7531039B2 (en) * 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
KR100493849B1 (ko) * 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7022193B2 (en) * 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7051743B2 (en) * 2002-10-29 2006-05-30 Yong Bae Kim Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7306002B2 (en) * 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
JP2004265912A (ja) 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理装置
JP4105574B2 (ja) * 2003-03-26 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7089076B2 (en) * 2003-05-16 2006-08-08 Fsi International, Inc. Scheduling multi-robot processing systems
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
JP4369325B2 (ja) 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4409312B2 (ja) 2004-02-18 2010-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
US7323080B2 (en) * 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
US7476616B2 (en) * 2004-12-13 2009-01-13 Fsi International, Inc. Reagent activator for electroless plating
JP4410119B2 (ja) * 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
US7681581B2 (en) 2005-04-01 2010-03-23 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US8070884B2 (en) 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
US7309847B2 (en) * 2006-01-12 2007-12-18 Carleton Life Support Systems, Inc. Ceramic oxygen generating oven
CN102569137B (zh) * 2006-07-07 2015-05-06 Telfsi股份有限公司 用于处理微电子工件的设备和方法
CN101495248A (zh) * 2006-07-07 2009-07-29 Fsi国际公司 液体气溶胶颗粒去除方法
US20080213076A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Stephen Hanson Edge grip end effector
KR101532224B1 (ko) 2007-05-18 2015-06-30 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 수증기 또는 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 방법
WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
US8235062B2 (en) 2008-05-09 2012-08-07 Fsi International, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130083380A (ko) * 2010-06-11 2013-07-22 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하기 위하여 사용되는 공구의 공구표면 세정방법
KR20140038646A (ko) * 2012-09-21 2014-03-31 세메스 주식회사 세정 장치

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