KR20230007516A - 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템 - Google Patents

워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20230007516A
KR20230007516A KR1020227043307A KR20227043307A KR20230007516A KR 20230007516 A KR20230007516 A KR 20230007516A KR 1020227043307 A KR1020227043307 A KR 1020227043307A KR 20227043307 A KR20227043307 A KR 20227043307A KR 20230007516 A KR20230007516 A KR 20230007516A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
total sum
workpiece
flow rate
areas
Prior art date
Application number
KR1020227043307A
Other languages
English (en)
Inventor
카이토 노다
카츠로 와카스기
유키 가네코
후미토시 이와사키
요시히로 자가와
Original Assignee
가부시키가이샤 사무코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 사무코 filed Critical 가부시키가이샤 사무코
Publication of KR20230007516A publication Critical patent/KR20230007516A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/005—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being ozonated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

본 발명의 워크의 세정 처리 방법 및 시스템에서는, 상측 정류판의 구멍의 지름은, 하측 정류판의 구멍의 지름보다도 작다. 본 발명의 워크의 세정 처리 방법에서는, 하측 정류판의 복수의 구멍의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상측 정류판의 복수의 구멍의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하고, 혹은, 공급 유량 Q(L/min)에 기초하여, 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 면적의 총 합 B(㎟)를 결정한다. 본 발명의 워크의 세정 처리 시스템은, 면적의 총 합 A(㎟) 및 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하는 계산부와, 결정한 공급 유량 Q(L/min)로 세정액을 공급하도록 제어하는 제어부를 추가로 구비한다. 면적의 총 합 A(㎟), 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 공급 유량 Q(L/min), 혹은, 공급 유량 Q(L/min) 및 결정한 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 면적의 총 합 B(㎟)는, 소정의 관계식을 충족한다.

Description

워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템
본 발명은, 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템에 관한 것으로, 특히, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼의 세정에 관한 것으로, 특히 매엽식의 딥 세정에 따른 세정 처리 방법 및 세정 처리 시스템에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼의 제조에 있어서의 세정의 일 형태로서 매엽식의 딥 세정이 있다. 이 딥 세정에서는, 세정조 내에 설치된 웨이퍼를 세정액(예를 들면 오존수)에 침지함으로써, 웨이퍼에 부착되어 있는 유기물을 산화 제거한다(오존수의 경우는, 추가로, 웨이퍼 표면이 산화막으로 덮임).
일반적으로는, 오존수 등의 세정액은, 세정조의 하부로부터 유입하여 세정조 내를 채우고, 세정조의 상부에서 오버플로우하여, 세정조를 포위하는 배액홈(排液溝)으로 흘러들어가, 세정조 외로 유출된다. 예를 들면 매엽식의 세정 처리 방법에 있어서는, 상기와 같이 세정액이 흐르고 있는 세정조 내에, 아암에 의해 세트된 웨이퍼가, 1매씩 반송되어 1매씩 전체면 세정된다.
이러한 세정 처리 방법에 있어서는, 웨이퍼의 면 내에서의 세정의 균일성을 높이기 위해, 세정조 내의 세정액의 흐름을 정류(整流)하는 것이 여러 가지 행해지고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에서는, 세정조의 저부에, 다수의 구멍을 하방에 구비한 1개의 파이프를 수평으로 배치하고, 구멍으로부터 세정액을 배출함과 함께 웨이퍼와 파이프와의 사이에 복수의 구멍을 갖는 복수의 정류판을 형성하는 것이 개시되어 있다. 또한, 예를 들면, 특허문헌 2에서는, 세정조의 하부에 세정액의 입구를 갖는 완충조를 형성하고, 세정액이 통류(通流)하는 복수의 통류공이 형성된 복수의 정류 다공판을 형성하는 것이 개시되어 있다. 그리고, 특허문헌 2에서는, 통류공의 공경이 상위치에 설치되는 정류 다공판일수록 작아지도록 형성되는 것이 개시되어 있다.
일본공개특허공보 평04-056321호 일본공개특허공보 평09-232272호
여기에서, 웨이퍼의 세정에 있어서는, 웨이퍼 1매당의 세정액의 사용량을 줄이는 것이 요망되기 때문에, 세정조는 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 특히, 매엽식의 세정에서는, 배치식의 세정에 비해 스루풋이 낮기 때문에, 많은 세정조를 설치할 필요가 있고, 1개의 세정조를 가능한 한 작게 하는 것이 특히 요망된다. 또한, 세정조가 크면, 세정액의 흐름의 제어가 곤란하게 되어, 파티클을 조(槽) 외로 배출하는 것이 어려워지는 점에서도, 세정조는 작은 쪽이 바람직하다.
그러나, 특허문헌 1의 수법에서는, 파이프를 수평으로 배치하고, 그 하방의 구멍으로부터 세정조의 저부를 향하여 세정액을 분사함으로써 그의 유속을 완화하고 있기 때문에, 파이프를 설치하기 위한 공간이 필요하게 되어, 세정조가 커져 버린다는 문제가 있었다. 또한, 특허문헌 2에서는, 세정액의 흐름이 충분히 완화되지 않은 채로 정류 다공판에 도달하면, 일부의 구멍으로부터 세정액이 많이 통류하여 충분한 정류 효과가 얻어지지 않을 우려가 있어, 큰 완충조를 형성하여 이에 대처할 필요가 있어, 세정조도 커져 버린다는 문제가 있었다. 또한, 상기와 같은 문제는, 세정의 대상이 웨이퍼인 경우뿐만 아니라, 동일한 세정을 행하는 워크 일반에도 발생할 수 있다.
여기에서, 본 발명은, 세정조를 필요 이상으로 대형화하는 일 없이, 세정조 내에서의 세정액의 흐름을 정류 가능한, 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 요지 구성은, 이하와 같다.
(1) 세정조를 준비하는 공정과,
상기 세정조 내에 워크를 설치하는 공정과,
상기 세정조의 저부에 형성된 세정액 공급구로부터 상기 세정조 내에 세정액을 공급하여 상기 워크를 세정 처리하는 공정을 포함하는, 워크의 세정 처리 방법으로서,
상기 워크가 설치되는 위치와 상기 저부와의 사이에, 상측 정류판과, 당해 상측 정류판보다도 상기 세정조의 상기 저부측에 위치하는 하측 정류판으로 이루어지는 2매의 정류판이 배치되고,
상기 상측 정류판 및 상기 하측 정류판은, 각각, 복수의 구멍을 갖고,
상기 상측 정류판의 상기 구멍의 지름은, 상기 하측 정류판의 상기 구멍의 지름보다도 작고,
상기 하측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상기 상측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 상기 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 세정액을 공급하여 상기 워크를 세정 처리하는 공정에 있어서, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)로 상기 세정액을 공급하고, 혹은, 상기 공급 유량 Q(L/min)에 기초하여, 상기 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)를 결정하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 세정조를 준비하는 공정에 있어서, 결정한 상기 면적의 총 합 A(㎟)를 갖는 상기 복수의 구멍을 갖는 상기 하측 정류판 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)를 갖는 상기 복수의 구멍을 갖는 상기 상측 정류판을 구비한 상기 세정조를 준비하고,
상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min), 혹은, 상기 공급 유량 Q(L/min) 및 결정한 상기 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)는, 이하의 관계식 (a),
B/A≥5.6×10－2exp(0.46Q), 또한,
B/A≤－6.9×10－2Q2＋1.2Q＋3.4
를 충족하는 것을 특징으로 하는, 워크의 세정 처리 방법.
(2) 상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min), 혹은, 상기 공급 유량 Q(L/min) 및 결정한 상기 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)는, 이하의 관계식 (b),
B/A≥3.2×10－2Q2＋0.36Q－0.47, 또한,
B/A≤－5.1×10－2Q2＋1.1Q＋0.62
를 추가로 충족하는, 상기 (1)에 기재된 워크의 세정 처리 방법.
(3) 상기 2매의 정류판 간의 거리는, 10㎜ 이상인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 워크의 세정 처리 방법.
(4) 상기 워크는, 웨이퍼이고,
상기 웨이퍼가 상기 세정조 내에 설치된 상태에서, 상기 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 상기 세정조의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인, 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 워크의 세정 처리 방법.
(5) 세정조를 구비하는, 워크의 세정 시스템으로서,
상기 세정조는, 당해 세정조 내에 워크를 설치 가능하도록 구성되고,
상기 세정조의 저부에, 상기 세정조 내에 세정액을 공급하는 세정액 공급구가 형성되고,
상기 세정조 내의 워크가 설치되는 위치와 상기 저부와의 사이에, 상측 정류판과, 당해 상측 정류판보다도 상기 세정조의 상기 저부측에 위치하는 하측 정류판으로 이루어지는 2매의 정류판이 배치되고,
상기 상측 정류판 및 상기 하측 정류판은, 각각, 복수의 구멍을 갖고,
상기 상측 정류판의 상기 구멍의 지름은, 상기 하측 정류판의 상기 구멍의 지름보다도 작고,
상기 시스템은, 상기 하측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상기 상측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 상기 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하는 계산부와, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)로 상기 세정액을 공급하도록 제어하는 제어부를 추가로 구비하고,
상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 상기 계산부에 의해 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)는, 이하의 관계식 (a),
B/A≥5.6×10－2exp(0.46Q), 또한,
B/A≤－6.9×10－2Q2＋1.2Q＋3.4
를 충족하는 것을 특징으로 하는, 워크의 세정 처리 시스템.
(6) 상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 상기 계산부에 의해 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)는, 이하의 관계식 (b),
B/A≥3.2×10－2Q2＋0.36Q－0.47, 또한,
B/A≤－5.1×10－2Q2＋1.1Q＋0.62
를 추가로 충족하는, 상기 (5)에 기재된 워크의 세정 처리 시스템.
(7) 상기 2매의 정류판 간의 거리는, 10㎜ 이상인, 상기 (5) 또는 (6)에 기재된 워크의 세정 처리 시스템.
(8) 상기 워크는, 웨이퍼이고,
상기 웨이퍼가 상기 세정조 내에 설치된 상태에서, 상기 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 상기 세정조의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인, 상기 (5)∼(7) 중 어느 하나에 기재된 워크의 세정 처리 시스템.
본 발명에 의하면, 세정조를 필요 이상으로 대형화하는 일 없이, 세정조 내에서의 세정액의 흐름을 정류 가능한, 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 워크의 세정 처리 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 워크의 세정 처리 방법의 플로우차트이다.
도 3은 세정액의 유량 및 B/A와, 효과와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 정류판 간의 거리와, 파티클을 배출하는데 필요로 한 시간과의 관계를 나타내는 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 예시 설명한다.
＜워크의 세정 처리 시스템＞
먼저, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 워크의 세정 처리 시스템에 대해서 설명한다. 후술하는 워크의 세정 처리 방법의 실시 형태는, 예를 들면 이 워크의 세정 처리 시스템을 이용하여 행할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 워크의 세정 처리 시스템의 개략도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 워크의 세정 처리 시스템(1)은, 세정조(2), 계산부(6) 및, 제어부(7)를 구비하고 있다.
세정조(2)는, 당해 세정조(2) 내에 워크(W)를 설치 가능하도록 구성되어 있다. 워크(W)는, 세정 처리의 대상이 되는 것으로, 일 예로서는, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼로 할 수 있다. 본 예에서는, 워크(W)는, 실리콘 웨이퍼이다. 도시의 세정조(2)는, 1매의 웨이퍼를 설치 가능하도록 구성되어 있는 매엽식의 웨이퍼 세정조로서, 딥 세정에 적합하게 적용할 수 있다. 워크(W)의 지름은, 특별히 한정되지 않지만, 워크(W)가 웨이퍼인 경우, 예를 들면 200㎜, 300㎜, 450㎜로 할 수 있다. 세정조(2)는, 워크(W)의 크기에 따른(소정의 크기의 워크(W)를 설치 가능한) 범위 내에서 조금 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 워크(W)가 웨이퍼인 경우, 웨이퍼가 세정조(2) 내에 설치된 상태에서, 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 세정조(2)의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인 것이 바람직하다. 상기 수평 단면적이 9000㎟ 이상이면, 예를 들면 지름 450㎜의 웨이퍼를 수용 가능하고, 한편으로, 상기 수평 단면적이 60000㎟ 이하이면, 세정액의 사용량을 저감할 수 있다. 세정조(2)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 석영 유리로 이루어지는 것으로 할 수 있다. 워크(W)는, 홀더(도시하지 않음)에 의해, 워크(W)의 면이 수평 방향에 대하여 수직이 되도록 지지되어 있다. 워크(W)는, 예를 들면 아암(도시하지 않음)에 의해 세정조(2) 내로 반송되어 설치된다. 당해 아암은, 세정 후의 워크(W)를 세정조로부터 반출하는 것에도 이용할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 세정조(2)의 저부에, 세정조(2) 내에 세정액을 공급하는 세정액 공급구(노즐)(3)가 (본 예에서 2개) 형성되어 있다. 세정액 공급구(3)의 개수는, 특별히 한정되지 않고, 1개나 3개 이상으로 할 수도 있다. 세정액의 세정조(2) 내에서의 흐름을 균일화하기 위해, 세정액 공급구(3)는, 워크(W)에 대하여 대칭적인 배치로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 도시와 같이, 웨이퍼의 면을 정면으로부터 보아, 웨이퍼 중심의 직하(直下)의 위치에 대하여 등거리에 배치할 수 있다.
또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 세정조(2) 내의 워크(W)가 설치되는 위치와 저부와의 사이에, 상측 정류판(4)과, 당해 상측 정류판(4)보다도 세정조(2)의 저부측에 위치하는 하측 정류판(5)으로 이루어지는 2매의 정류판이 배치되어 있다. 도시와 같이, 2매의 정류판은, 각각, 상하면이 수평 방향이 되도록 배치된다. 상측 정류판(4) 및 하측 정류판(5)은, 각각, 세정액이 통과 가능한 복수의 구멍(4a 및 5a)을 갖고 있다. 구멍은 격자 형상으로 배열되고, 1개의 열에 있어서 구멍이 등간격으로(특별히는 한정되지 않지만, 예를 들면 5㎜∼20㎜의 피치 간격으로) 배치되고, 그것이, 복수열(행 방향으로) 배치되어 있다. 예를 들면, 구멍은 홀수열과 짝수열이 행 방향으로 투영했을 때에 겹치도록 배치할 수 있고, 혹은, 홀수열과 짝수열이 행 방향으로 투영했을 때에 열 방향의 반피치분 어긋나도록 지그재그 형상으로 배치할 수도 있다. 상측 정류판(4)에 형성된 복수의 구멍은, 크기가 균일한 것이 바람직하고, 또한, 하측 정류판(5)에 형성된 복수의 구멍은, 크기가 균일한 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 상측 정류판(4)의 구멍의 지름은, 하측 정류판(5)의 구멍의 지름보다도 작다. 또한, 상측 정류판(4)에 형성된 구멍의 지름이 균일하지 않은 경우 및/또는 하측 정류판(5)에 형성된 구멍의 지름이 균일하지 않은 경우에는, 각 정류판에 있어서 구멍의 지름의 평균값을 구했을 때에, 상측 정류판(4)의 구멍의 지름이, 하측 정류판(5)의 구멍의 지름보다도 작다. 특별히는 한정되지 않지만, 하측 정류판(5)의 구멍의 지름은, 2∼7㎜로 할 수 있고, 상측 정류판(4)의 구멍의 지름은, 하측 정류판(5)의 구멍의 지름보다 작은 범위에서, 1∼5㎜로 할 수 있다. 2매의 정류판(4, 5) 간의 거리(최단 거리)는, 10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 2매의 정류판(4, 5) 간의 거리가 클수록, 세정액이 하측 정류판(5)을 통과한 후에, 유속을 저하시키는 버퍼로서 작용하는 영역을 크게 확보하여, 흐름을 보다 균일하게 할 수 있기 때문에, 상기 거리가 10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 한편으로, 큰 사이즈의 세정조(2)를 필요로 하지 않도록 하는 관점이나, 상기 버퍼로서의 효과가 거리와 함께 포화해 가는 것을 감안하여, 상기 거리는 40㎜ 이하인 것이 바람직하다.
상기의 세정액으로서는, 본 예에서는 오존수를 이용하고 있고, 이에 따라 파티클을 제거할 수 있는 것에 더하여, 웨이퍼의 표면에 산화막을 형성할 수 있다. 세정액의 다른 예로서는, 임의의 세정제 성분을 포함한 액, 혹은, 순수로 할 수도 있다.
여기에서, 펌프 등에 의해 세정액 공급구(3)로부터 세정조(2) 내에 세정액이 공급되면, 세정액은, 하측 정류판(5)의 복수의 구멍(5a)을 통과하고, 이어서 상측 정류판(4)의 복수의 구멍(4a)을 통과하여, 세정조(2)의 상부까지 흐르고, 상부에 형성된 오버플로우조에 의해 회수된다. 회수된 세정액은, 필터링 등의 처리가 이루어진 후, 다시 펌프 등에 의해 세정액 공급구(3)로부터 세정조(2) 내에 공급된다.
계산부(6)는, 하측 정류판(5)의 복수의 구멍(5a)의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상측 정류판(4)의 복수의 구멍(4a)의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정한다. 계산부(6)는, 임의의 기존 알려진 캘큐레이터로 할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 계산부(6)는, B/A에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q를 결정한다. 보다 구체적으로는, 관계식 (a)에(바람직하게는 관계식 (b)에도) 기초하여, 당해 관계식을 충족하도록, 세정액의 공급 유량 Q를 결정한다. 본 예에 있어서, 관계식 (a)(바람직하게는 관계식 (b))를 충족하는 범위 내에서의 공급 유량의 결정의 방법은 임의로서, 예를 들면, 세정액의 양을 최소화하기 위해 당해 범위 내에서의 최소값 및 그의 부근의 값으로 할 수도 있고, 세정 시간을 단축하기 위해 당해 범위 내에서의 최대값 및 그의 부근의 값으로 할 수도 있고, 혹은, 공급 유량의 편차 등이 생기는 경우에도, 보다 확실하게 상기 관계식 (a)(바람직하게는 또한 관계식 (b))가 충족되도록, 가로축을 B/A, 세로축을 Q로 했을 때의 당해 영역의 중심 위치 및 그의 부근에 대응하는 공급 유량으로 할 수도 있다.
제어부(7)는, 결정한 공급 유량 Q(L/min)로 세정액을 공급하도록 제어한다. 구체적으로는, 일 예로서는, 결정한 공급 유량 Q가 되도록, 세정액 공급구(3)의 밸브를 개폐하여 유로의 크기를 조정하도록 제어함으로써 공급 유량을 제어하는 것으로 할 수 있다. 제어부(7)는, 임의의 기존 알려진 프로세서를 포함하는 것으로 할 수 있다.
후술의 실시예에서도 나타내는 바와 같이, 상기 하측 정류판(5)의 복수의 구멍(5a)의 면적의 총 합 A(㎟), 상기 상측 정류판(4)의 복수의 구멍(4a)의 면적의 총 합 B(㎟) 및, 계산부(6)에 의해 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)는, 이하의 관계식 (a),
B/A≥5.6×10－2exp(0.46Q), 또한,
B/A≤－6.9×10－2Q2＋1.2Q＋3.4
를 충족한다.
바람직하게는, 상기 하측 정류판(5)의 복수의 구멍(5a)의 면적의 총 합 A(㎟), 상기 상측 정류판(4)의 복수의 구멍(4a)의 면적의 총 합 B(㎟) 및, 계산부(6)에 의해 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)는, 이하의 관계식 (b),
B/A≥3.2×10－2Q2＋0.36Q－0.47, 또한,
B/A≤－5.1×10－2Q2＋1.1Q＋0.62
를 추가로 충족한다.
이하, 본 실시 형태의 워크의 세정 처리 시스템의 작용 효과에 대해서 설명한다.
우선, 본 실시 형태의 워크의 세정 처리 시스템에서는, 상측 정류판(4)의 구멍(4a)의 지름은, 하측 정류판(5)의 구멍(5a)의 지름보다도 작다. 이에 따라, 하측 정류판(5)의 구멍(5a)을 통과한 세정액의 흐름은, 그대로 그 직상의 상측 정류판(4)의 구멍(4a)을 빠져 나갈 수 없게 되어, 다른 구멍(4a)을 향하여 상측 정류판(4)을 따라 흐르게 된다. 이에 따라, 구멍 간의 흐름의 치우침을 저감할 수 있다. 또한, 상측 정류판(4)의 구멍(4a)의 지름이, 하측 정류판(5)의 구멍(5a)의 지름보다도 크거나 동일한 경우에는, 상기 관계식 (a)를 충족해도(혹은 (a) 및 (b)를 충족해도) 충분한 정류 효과가 얻어지지 않게 된다.
여기에서, 본 발명자들은, 이하와 같이, 면적의 총 합 A와 면적의 총 합 B와의 상대적인 관계가 정류 효과에 영향을 주고, 또한 그것은 공급 유량 Q에도 의존하는 것을 밝혀냈다.
즉, 면적의 총 합 A에 대하여 면적의 총 합 B가 지나치게 크면(예를 들면 B/A가 지나치게 크면), 하측 정류판(5)의 구멍(5a)을 통과할 때의 압력이 (상측 정류판 대비로 상대적으로) 지나치게 커져, 세정액의 흐름이 상측 정류판(4)에 도달했을 때의 흐름의 치우침이 커지고, 또한, 상측 정류판(4)에 있어서 차압이 발생하지 않기 때문에, 정류 효과가 작아져 버린다. 한편으로, 면적의 총 합 A에 대하여 면적의 총 합 B가 지나치게 작으면(예를 들면 B/A가 지나치게 작으면), 하측 정류판(5)에 있어서의 정류가 불충분하게 되고, 또한, 상측 정류판(4)의 구멍에 가해지는 압력이 지나치게 높기 때문에, 세정액이 상측 정류판(5)을 통과한 후의 흐름에 치우침이 생겨, 정류 효과가 작아져 버린다.
또한, 공급 유량 Q가 많을수록, 정류 효과를 얻는데에 적절한, 면적의 총 합 A와 면적의 총 합 B의 상대적인 관계가 상이해진다(예를 들면 B/A이면, 그 값이 커짐). 이것은, 공급 유량 Q가 많으면, 정류판을 통과하는 유속의 치우침이 커지기 때문이고, 이것을 저감하기 위해 하측 정류판(5)의 구멍(5a)의 면적의 총 합 A를 작게 하여 하측 정류판(5)의 구멍(5a)을 통과하기 어렵게 하고, 하측 정류판(5)을 통과하기 전에, 세정액 공급구(3)로부터 분출한 세정액의 기세를 떨어뜨릴 필요가 생긴다. 또한, 공급 유량 Q가 많으면, 상측 정류판(4)에 가해지는 압력이 커지기 때문에, 상측 정류판(4)의 구멍(4a)을 통과하는 세정액의 유속이 지나치게 커져, 통과 후의 세정액의 흐름의 치우침이 커진다. 그래서, 상측 정류판(4)의 구멍의 면적의 총 합 B를 상대적으로 크게 하고, 상측 정류판(4)에 가해지는 압력을 낮추어, 세정액의 유속의 치우침을 저감할 필요가 생긴다.
이들 점 및 후술의 실시예에도 나타나 있는 것에도 기초하여, 본 발명자들은, 상기 관계식 (a)를 충족함으로써(바람직하게는, 추가로 상기 관계식 (b)도 충족함), 소기한 효과를 유효하게 얻을 수 있는 것의 인식을 얻었다. 즉, 세정액 공급구(3)로부터 공급된 세정액의 속도를 하측 정류판(5)에서 떨어뜨리고, 또한, 세정액의 흐름이 상측 정류판(4)에 도달하기 전에 흐름의 치우침을 저감할 수 있다. 그 후, 상측 정류판(4)의 전후에서 차압이 생김으로써, 상측 정류판(4)의 어느 구멍(4a)으로부터도 균일하게 세정액이 통과하도록 할 수 있고, 상측 정류판(4)의 통과 후에 세정액의 균일한 상승류를 얻을 수 있다. 이 균일한 상승류에 의해, 세정조(2)에 있어서 흐르고 있는 파티클을 신속하게 배출할 수 있다.
이와 같이, 계산부(6)에 의해, 면적의 총 합 A(㎟) 및 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하고, 제어부(7)에 의해, 계산부(6)가 결정한 공급 유량 Q(L/min)로 세정액을 공급하도록 제어하고, 면적의 총 합 A(㎟) 및 면적의 총 합 B(㎟) 및 결정한 공급 유량 Q(L/min)는, 상기 관계식 (a)를 충족하는 것이기 때문에, 세정액을 효과적으로 정류할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태의 워크의 세정 처리 시스템에 의하면, 세정조를 필요 이상으로 대형화하는 일 없이, 세정조 내에서의 세정액의 흐름을 정류할 수 있다.
여기에서, 본 발명의 워크의 세정 처리 시스템에서는, 면적의 총 합 A(㎟), 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 공급 유량 Q(L/min)는, 상기 관계식 (b)를 추가로 충족하는 것이 바람직하다. 후술의 실시예에도 나타내는 바와 같이, 세정조 내에서의 세정액의 흐름을 보다 균일하게 정류할 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 워크의 세정 처리 시스템에서는, 2매의 정류판(4, 5) 간의 거리는, 10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 세정액이 하측 정류판(5)을 통과한 후에, 유속을 저하시키는 버퍼로서 작용하는 영역을 크게 확보하여, 흐름을 보다 균일하게 할 수 있기 때문이다. 또한, 세정조(2)의 저부와 하측 정류판(5)과의 거리(최단 거리)도, 10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 세정액이 세정액 공급구(3)로부터 공급되어 하측 정류판(5)에 도달하기까지, 유속을 저하시키는 버퍼로서 작용하는 영역을 크게 확보하여, 흐름을 보다 균일하게 할 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 워크의 세정 처리 시스템에서는, 워크는, 웨이퍼이고, 웨이퍼가 세정조(2) 내에 설치된 상태에서, 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 세정조(2)의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인 것이 바람직하다. 상기 수평 단면적이 9000㎟ 이상이면, 예를 들면 지름 450㎜의 웨이퍼를 수용 가능하고, 한편으로, 상기 수평 단면적이 60000㎟ 이하이면, 세정액의 사용량을 저감할 수 있다. 또한, 이 범위의 사이즈의 세정조(2)에서, 상측 정류판(4)의 구멍(4a)의 지름은, 하측 정류판(5)의 구멍(5a)의 지름보다도 작게 하고, 또한, 상기 관계식 (a)를 충족(바람직하게는, 상기 관계식 (b)를 충족함)하도록 하면, 한층 더 정류 효과를 얻을 수 있기 때문이다.
＜워크의 세정 처리 방법＞
다음으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 워크의 세정 처리 방법에 대해서 설명한다.
도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 워크의 세정 처리 방법의 플로우차트이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 우선, 세정조(2)를 준비한다(스텝 S101). 세정조(2)나 세정조(2)가 갖는 구성 요소에 대해서는, 먼저 워크의 세정 처리 시스템에 대해서 설명한 것과 마찬가지이기 때문에, 설명을 생략한다.
이어서, 세정조(2) 내에 워크(W)를 설치한다(스텝 S102). 세정조 내에 워크(W)를 설치하는 것은, 전술한 바와 같이, 예를 들면, 홀더(도시하지 않음)에 의해, 워크(W)의 면이 수평 방향에 대하여 수직이 되도록 지지할 수 있고, 워크(W)는, 예를 들면 아암(도시하지 않음)에 의해 세정조(2) 내로 반송되어 설치될 수 있다.
이어서, 하측 정류판(5)의 복수의 구멍(5a)의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상측 정류판(4)의 복수의 구멍(4a)의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정한다(스텝 S103). 이 결정은, 예를 들면 전술한 계산부(6)에 의해 전술한 바와 같이 행할 수 있다. 또한, 이 스텝 S103은, 스텝 S101이나 스텝 S102에 앞서 행할 수도 있다.
이어서, 세정조(2)의 저부에 형성된 세정액 공급구(3)로부터 세정조(2) 내에 세정액을 공급하여 워크(W)를 세정 처리한다(스텝 S104). 이용하는 세정액에 대해서는, 전술한 바와 같다. 여기에서는, 스텝 S103에 있어서 결정한 공급 유량 Q(L/min)로 세정액의 공급을 행한다.
이어서, 세정 처리를 종료하고, 워크(W)를 세정조 외로 반출한다(스텝 S105). 반출은, 전술한 아암 등을 이용하여 행할 수 있다. 그리고, 다음의 워크(W)에 대해서, 스텝 S102로부터 반복(스텝 S106)함에 따라, 워크(W)를 1매씩 세정 처리한다.
이하, 본 실시 형태의 워크의 세정 처리 방법의 작용 효과에 대해서 설명한다.
본 실시 형태의 워크의 세정 처리 방법에 있어서도, 상측 정류판(4)의 구멍(4a)의 지름은, 하측 정류판(5)의 구멍(5a)의 지름보다도 작기 때문에, 시스템에 대해서 전술한 것과 마찬가지로, 상측 정류판(4)의 구멍 간의 흐름의 치우침을 저감할 수 있다.
또한, 스텝 S103에 있어서, 면적의 총 합 A(㎟) 및 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하고, 스텝 S104에 있어서, 스텝 S103에서 결정한 공급 유량 Q(L/min)로 세정액을 공급하여 워크(W)를 세정 처리하고 있고, 면적의 총 합 A(㎟) 및 면적의 총 합 B(㎟) 및 결정한 공급 유량 Q(L/min)는, 상기 관계식 (a)를 충족하는 것이기 때문에, 시스템에 대해서 전술한 것과 마찬가지로, 세정액을 효과적으로 정류할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태의 워크의 세정 처리 방법에 의하면, 세정조를 필요 이상으로 대형화하는 일 없이, 세정조 내에서의 세정액의 흐름을 정류할 수 있다.
본 발명의 워크의 세정 처리 방법에서는, 면적의 총 합 A(㎟), 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 공급 유량 Q(L/min), 혹은, 공급 유량 Q(L/min) 및 결정한 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 면적의 총 합 B(㎟)는, 이하의 관계식 (b),
B/A≥3.2×10－2Q2＋0.36Q－0.47, 또한,
B/A≤－5.1×10－2Q2＋1.1Q＋0.62
를 추가로 충족하는 것이 바람직하다. 후술의 실시예에도 나타내는 바와 같이, 세정조 내에서의 세정액의 흐름을 보다 균일하게 정류할 수 있기 때문이다. 또한, 공급 유량에 기초하여 면적의 총 합 A 및/또는 면적의 총 합 B를 결정하는 변형예에 대해서는 후술하고 있다.
본 발명의 워크의 세정 처리 방법에서는, 2매의 정류판 간의 거리는, 10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 세정액이 하측 정류판(5)을 통과한 후에, 유속을 저하시키는 버퍼로서 작용하는 영역을 크게 확보하여, 흐름을 보다 균일하게 할 수 있기 때문이다. 또한, 세정조(2)의 저부와 하측 정류판(5)의 거리(최단 거리)도, 10㎜ 이상인 것이 바람직하다. 세정액이 세정액 공급구(3)로부터 공급되어 하측 정류판(5)에 도달하기까지, 유속을 저하시키는 버퍼로서 작용하는 영역을 크게 확보하여, 흐름을 보다 균일하게 할 수 있기 때문이다.
본 발명의 워크의 세정 처리 방법에서는, 워크는, 웨이퍼이고, 웨이퍼가 세정조 내에 설치된 상태에서, 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 세정조의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인 것이 바람직하다. 상기 수평 단면적이 9000㎟ 이상이면, 예를 들면 지름 450㎜의 웨이퍼를 수용 가능하고, 한편으로, 상기 수평 단면적이 60000㎟ 이하이면, 세정액의 사용량을 저감할 수 있다. 또한, 이 범위의 사이즈의 세정조(2)에서, 상측 정류판(4)의 구멍(4a)의 지름은, 하측 정류판(5)의 구멍(5a)의 지름보다도 작게 하고, 또한, 상기 관계식 (a)를 충족(바람직하게는, 상기 관계식 (b)를 충족함)하도록 하면, 한층 더 정류 효과를 얻을 수 있기 때문이다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기의 실시 형태에 하등 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기의 예에서는, 면적의 총 합 A와 면적의 총 합 B의 관계에 기초하여, 공급 유량 Q를 결정하는 경우에 대해서 나타냈지만, 공급 유량 Q에 기초하여, 면적의 총 합 A 및/또는 면적의 총 합 B를 결정할 수도 있다. 일 예로서는, 상기 관계식 (a)를(바람직하게는 상기 관계식 (b)도) 충족하도록, B/A의 값을 결정하여 A 및/또는 B를 결정할 수 있다. 방법의 발명에 있어서는, 그와 같이 결정한 면적의 총 합 A를 갖는 복수의 구멍을 갖는 하측 정류판 및/또는 면적의 총 합 B(㎟)를 갖는 복수의 구멍을 갖는 상측 정류판을 구비한 세정조를 준비하면 좋고, 구체적으로는 정류판을 적합한 구멍의 지름의 것으로 교환하는, 정류판의 구멍의 지름을 예를 들면 슬라이드로 가변으로 하여 조정하는 등 할 수 있다. 시스템의 발명에 있어서는, 당해 시스템이 상기 교환을 행하기 위한 아암이나, 구멍의 지름을 조정하기 위한 슬라이드 조정 기구를 추가로 구비할 수 있다.
또한, 상기의 워크의 세정 처리 방법의 실시 형태는, 상기의 워크의 세정 처리 시스템을 이용하여 행하는 예를 나타냈지만, 이 경우에는 한정되지 않고, 예를 들면, 스텝 S103에서 행하는 공급 유량 Q의 결정을 시스템과는 다른 컴퓨터로 행하고, 또한, 스텝 S104에서 행하는 결정된 공급 유량으로의 제어를 수동으로 입력하여 행하는 등 할 수도 있다.
또한, 면적의 총 합 A 및 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여 공급 유량 Q를 결정하는 것에 관하여, 상기의 실시 형태에서는 B/A에 기초하여(구체적으로는 관계식 (a)(및 관계식 (b))에 기초하여) 공급 유량을 결정하는 경우를 나타냈지만, 이 경우에는 한정되지 않는다. 즉, 이하의 실시예에서도 나타나는 바와 같이, 관계식 (a) 및 관계식 (b)는, 효과가 얻어지는 경계선을 나타내는 것이지만, 그의 구체적인 수식의 형식은 편의상의 것에 불과하고, 여러 가지 대체가 가능하다. 예를 들면, B/A를 대신하여, B/(A＋1), B/A2 등으로 할 수도 있고, 또한, Q의 식도 정의역을 구획하면, 예를 들면 1차식에 의해서만 나타낼 수도 있고, 이와 같은 대체의 식을 이용하는 경우도, 면적의 총 합 A 및 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여 공급 유량 Q를 결정하고 있는 점에 유의하기 바란다. 단, 결정한 후의 (결과로서의) A, B, 및 Q는, 상기 관계식 (a)(바람직하게는 추가로 관계식 (b))를 충족하는 것이다. 공급 유량 Q에 기초하여, 면적의 총 합 A 및/또는 면적의 총 합 B를 결정하는 경우도, 마찬가지로 여러 가지 수식을 이용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다.
(실시예)
(실시예 1)
세정조에 2매의 정류판을 설치하고(도 1에 나타낸 바와 같은 세정조임) 순수를 계속 공급했을 때의 세정조 내의 액 중 파티클량의 변화를 파티클 카운터로 계측하고, 파티클량이 공급 개시 시의 1/10이 되는데 필요로 한 시간을 계측했다. 5분 미만이면 「효과 있음」, 5분 이상 20분 미만이면 「약간 효과 있음」, 20분 이상이면 「효과 약함」이라고 판정했다(도 3).
공급되는 순수의 유량은, 1∼10L/min의 범위에서 1L/min 간격으로 했다. 2매의 정류판의 구멍의 지름은 φ1∼5㎜의 정수값으로, 항상 상측 정류판의 구멍의 지름이 하측 정류판의 구멍의 지름보다도 작은 것으로 했다. 구멍의 지름과 수에 의해, 정류판의 면적의 총 합 A 및 B를 각각 변화시켰다. 구멍은, 정류판에 균등하게 분포하도록 뚫었다. 액 공급 노즐의 개공은, 직접, 하측 정류판을 향하여 세정액이 분출하지 않도록 수평 방향으로 뚫었다. 2매의 정류판의 사이는 20㎜ 떨어트려 설치했다. 세정조는, 조 내의 수평 단면적이 약 25000㎟의 직방체 형상의 것을 이용했다.
도 3에서는, 「효과 있음」 또는 「약간 효과 있음」으로 된 영역과, 「효과 약함」으로 된 영역과의 경계선을 파선으로 나타내고 있고, 이들 2개의 경계선은, 관계식 (a)에 대응한다(관계식 (a)에 있어서의 등호의 경우임). 또한, 경계선은 피팅에 의해 산출했다. 또한, 「효과 있음」으로 된 영역과, 「약간 효과 있음」으로 된 영역과의 경계선을 실선으로 나타내고 있고, 이들 2개의 경계선은, 관계식 (b)에 대응한다(관계식 (b)에 있어서의 등호의 경우임). 이와 같이, 관계식 (a)를 충족하는 영역에서는, 「효과 있음」 또는 「약간 효과 있음」으로, 정류 효과를 얻을 수 있고, 또한, 관계식 (b)를 충족하는 영역에서는, 「효과 있음」으로, 보다 높은 정류 효과를 얻을 수 있었다.
(실시예 2)
또한, 실시예 1과 마찬가지의 세정조를 이용하여, 2매의 정류판 간 거리를 변화시켜 세정액을 계속 공급했을 때에, 세정액의 단위 체적 중에 있어서의 파티클량이, 세정액 공급 개시 시의 1/10이 되는데 필요로 한 시간을 계측했다(도 4). 여기에서는, 모두 액유량 5L/min, B/A＝3.8로 했다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 정류판 간 거리를 10㎜ 미만으로 하면, 파티클량을 1/10로 줄이는데 5분 이상 필요로 하고, 그 시간은, 정류판 간 거리가 작아짐에 따라 급격하게 늘어나는 것을 알 수 있었다.
1: 세정 처리 시스템
2: 세정조
3: 세정액 공급구
4: 상측 정류판
5: 하측 정류판
6: 계산부
7: 제어부

Claims (8)

  1. 세정조를 준비하는 공정과,
    상기 세정조 내에 워크를 설치하는 공정과,
    상기 세정조의 저부에 형성된 세정액 공급구로부터 상기 세정조 내에 세정액을 공급하여 상기 워크를 세정 처리하는 공정을 포함하는, 워크의 세정 처리 방법으로서,
    상기 워크가 설치되는 위치와 상기 저부와의 사이에, 상측 정류판과, 당해 상측 정류판보다도 상기 세정조의 상기 저부측에 위치하는 하측 정류판으로 이루어지는 2매의 정류판이 배치되고,
    상기 상측 정류판 및 상기 하측 정류판은, 각각, 복수의 구멍을 갖고,
    상기 상측 정류판의 상기 구멍의 지름은, 상기 하측 정류판의 상기 구멍의 지름보다도 작고,
    상기 하측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상기 상측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 상기 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 세정액을 공급하여 상기 워크를 세정 처리하는 공정에 있어서, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)로 상기 세정액을 공급하고, 혹은, 상기 공급 유량 Q(L/min)에 기초하여, 상기 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)를 결정하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 세정조를 준비하는 공정에 있어서, 결정한 상기 면적의 총 합 A(㎟)를 갖는 상기 복수의 구멍을 갖는 상기 하측 정류판 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)를 갖는 상기 복수의 구멍을 갖는 상기 상측 정류판을 구비한 상기 세정조를 준비하고,
    상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min), 혹은, 상기 공급 유량 Q(L/min) 및 결정한 상기 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)는, 이하의 관계식 (a),
    B/A≥5.6×10－2exp(0.46Q), 또한,
    B/A≤－6.9×10－2Q2＋1.2Q＋3.4
    를 충족하는 것을 특징으로 하는, 워크의 세정 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min), 혹은, 상기 공급 유량 Q(L/min) 및 결정한 상기 면적의 총 합 A(㎟) 및/또는 상기 면적의 총 합 B(㎟)는, 이하의 관계식 (b),
    B/A≥3.2×10－2Q2＋0.36Q－0.47, 또한,
    B/A≤－5.1×10－2Q2＋1.1Q＋0.62
    를 추가로 충족하는, 워크의 세정 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 2매의 정류판 간의 거리는, 10㎜ 이상인, 워크의 세정 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 워크는, 웨이퍼이고,
    상기 웨이퍼가 상기 세정조 내에 설치된 상태에서, 상기 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 상기 세정조의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인, 워크의 세정 처리 방법.
  5. 세정조를 구비하는, 워크의 세정 시스템으로서,
    상기 세정조는, 당해 세정조 내에 워크를 설치 가능하도록 구성되고,
    상기 세정조의 저부에, 상기 세정조 내에 세정액을 공급하는 세정액 공급구가 형성되고,
    상기 세정조 내의 워크가 설치되는 위치와 상기 저부와의 사이에, 상측 정류판과, 당해 상측 정류판보다도 상기 세정조의 상기 저부측에 위치하는 하측 정류판으로 이루어지는 2매의 정류판이 배치되고,
    상기 상측 정류판 및 상기 하측 정류판은, 각각, 복수의 구멍을 갖고,
    상기 상측 정류판의 상기 구멍의 지름은, 상기 하측 정류판의 상기 구멍의 지름보다도 작고,
    상기 시스템은, 상기 하측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 A(㎟) 및 상기 상측 정류판의 상기 복수의 구멍의 면적의 총 합 B(㎟)에 기초하여, 상기 세정액의 공급 유량 Q(L/min)를 결정하는 계산부와, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)로 상기 세정액을 공급하도록 제어하는 제어부를 추가로 구비하고,
    상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 상기 계산부에 의해 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)는, 이하의 관계식 (a),
    B/A≥5.6×10－2exp(0.46Q), 또한,
    B/A≤－6.9×10－2Q2＋1.2Q＋3.4
    를 충족하는 것을 특징으로 하는, 워크의 세정 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 면적의 총 합 A(㎟), 상기 면적의 총 합 B(㎟) 및, 결정한 상기 공급 유량 Q(L/min)는, 이하의 관계식 (b),
    B/A≥3.2×10－2Q2＋0.36Q－0.47, 또한,
    B/A≤－5.1×10－2Q2＋1.1Q＋0.62
    를 추가로 충족하는, 워크의 세정 처리 시스템.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 2매의 정류판 간의 거리는, 10㎜ 이상인, 워크의 세정 처리 시스템.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 워크는, 웨이퍼이고,
    상기 웨이퍼가 상기 세정조 내에 설치된 상태에서, 상기 웨이퍼의 중심을 포함하는 높이에 있어서의 상기 세정조의 수평 단면적이 9000㎟ 이상 60000㎟ 이하인, 워크의 세정 처리 시스템.
KR1020227043307A 2020-07-30 2021-02-02 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템 KR20230007516A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020129589A JP7306346B2 (ja) 2020-07-30 2020-07-30 ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム
JPJP-P-2020-129589 2020-07-30
PCT/JP2021/003664 WO2022024420A1 (ja) 2020-07-30 2021-02-02 ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230007516A true KR20230007516A (ko) 2023-01-12

Family

ID=80037919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227043307A KR20230007516A (ko) 2020-07-30 2021-02-02 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230271229A1 (ko)
JP (1) JP7306346B2 (ko)
KR (1) KR20230007516A (ko)
CN (1) CN116250062A (ko)
TW (1) TWI774244B (ko)
WO (1) WO2022024420A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0456321A (ja) 1990-06-26 1992-02-24 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの洗浄装置
JPH09232272A (ja) 1996-02-27 1997-09-05 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板の洗浄装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333903A (ja) * 1993-05-21 1994-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハー洗浄槽
JPH07297164A (ja) * 1994-04-22 1995-11-10 Nippon Steel Corp 半導体基板洗浄装置
JPH10340880A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Mitsubishi Corp 半導体ウエハの洗浄処理方法及び装置
JP6333903B2 (ja) 2016-09-01 2018-05-30 株式会社コナミデジタルエンタテインメント ゲーム装置
US11087441B1 (en) 2020-01-30 2021-08-10 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Image reconstruction using artificial intelligence (Ai) modules agnostic to image acquisition settings

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0456321A (ja) 1990-06-26 1992-02-24 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの洗浄装置
JPH09232272A (ja) 1996-02-27 1997-09-05 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板の洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022026224A (ja) 2022-02-10
TW202205408A (zh) 2022-02-01
JP7306346B2 (ja) 2023-07-11
WO2022024420A1 (ja) 2022-02-03
US20230271229A1 (en) 2023-08-31
TWI774244B (zh) 2022-08-11
CN116250062A (zh) 2023-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5474616A (en) Method for rinsing plate-shaped articles
US8652344B2 (en) Liquid treatment method and storage system
KR20070093894A (ko) 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 프로그램 기록 매체
KR102294137B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN100482865C (zh) 异物去除机构、液流处理装置以及异物去除方法
KR20230007516A (ko) 워크의 세정 처리 방법 및 워크의 세정 처리 시스템
JP2006186310A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20090008364A1 (en) Method and Device for Etching Substrates Contained in an Etching Solution
JPH05152273A (ja) 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
US20020104556A1 (en) Controlled fluid flow and fluid mix system for treating objects
JP3327981B2 (ja) 洗浄液槽及び洗浄装置
JP3538470B2 (ja) 下降整流式浸漬洗浄装置
JP3960457B2 (ja) 基板処理装置
TWI685893B (zh) 基板處理裝置
US20130312911A1 (en) Wet-etching equipment and its supplying device
JPH0448629A (ja) 半導体ウェーハの液処理装置
JP7476024B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR100450632B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정용 다층 세정장치
TWI380355B (ko)
JP3535051B2 (ja) 表面処理装置
JP2022026660A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3247322B2 (ja) 洗浄装置
JPH11345794A (ja) 被処理体処理装置
JP2019019361A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の処理方法
KR20150068019A (ko) 웨이퍼 세정 장치