KR20210035833A

KR20210035833A - 유량 발생기, 증착 디바이스 및 재료의 증착을 위한 방법

Info

Publication number: KR20210035833A
Application number: KR1020217004582A
Authority: KR
Inventors: 노베르트 베이; 콘라드 칼텐바흐
Original assignee: 레나 테크놀로지스 게엠베하
Priority date: 2018-07-30
Filing date: 2019-07-30
Publication date: 2021-04-01
Also published as: CN112513341A; JP2021532266A; TW202012705A; EP3830320A1; US20210324535A1; WO2020025090A1; JP2024037950A

Abstract

본 발명은 전해질(7)을 공급하기 위한 전해질 공급 디바이스(12) 및 전해질 분배 디바이스(13)를 가지는 유량 발생기(2a, 2b)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 타입의 유량 발생기(2a, 2b)를 가지는 증착 디바이스(1, 33, 35) 및 물체(4)의 표면(28) 상에 재료를 증착하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

유량 발생기, 증착 디바이스 및 재료의 증착을 위한 방법

본 발명은 유량 발생기, 증착 디바이스 및 물체의 표면 상에 재료의 증착을 위한 방법에 관한 것이다.

물체에 증착되는 층의 층 두께 분포 및 코팅 품질에 대한 요구는 특히, 균질성의 달성에 관하여 지속적으로 상승하고 있다. 이는 특히 예를 들어, 무선 또는 고주파수 기술에 사용되는 컴포넌트 상에 갈바닉 전기로 증착된 층에 적용한다.

라디오 및 고주파수 기술에서 높은 전류가 종종 사용되기 때문에, 층 두께 에 상당히 의존하는 컴포넌트의 옴 저항 또는 임피던스는 컴포넌트의 중요한 물리적 파라미터이다. 컴포넌트가 비균질한 층 두께를 가지면, 이것은 컴포넌트의 전기적 속성에 관하여 원하지 않는 영향을 미칠 수 있다.

지금까지, 코팅되는 물체에 도달하는 전해질의 유량은 분배기 파이프, 이덕터(eductors), 벤튜리 노즐(venturi nozzles) 등으로 달성되어 왔다. 이러한 유형의 유입 유량은 물체의 바로 근처에서의 전해질의 혼돈 및 제어불가능한 소용돌이(eddying)를 유도한다. 그 결과로 제품은 제한된 품질을 가진다. 혼돈의 유입 유량으로 인해, 적은 수의 접촉 포인트 및 무지향성 전기력선은 균질한 층 두께 분포가 보장될 수 없음을 나타낸다.

본 발명은 유량 발생기, 증착 디바이스 및 개선된 층, 특히 더 균질한 층이 증착될 수 있는 재료의 증착을 위한 방법을 제공하는 목적에 기초한다.

이러한 목적은 독립 특허 청구범위의 목적에 의해 본 발명에 따라 달성된다.

본 발명의 바람직한 발전은 각각 종속 특허 청구항의 목적이다. 본 발명에 따른 유량 발생기, 또는 본 발명에 따른 증착 디바이스는 유리하게 본 발명에 따른 방법에서 사용될 수 있다.

본 발명은 코팅되는 물체에 대한 전해질의 더 균질한 유입 유량을 가능하게 한다. 본 발명은 따라서 특히 달성되는 균질성에 관하여, 두께 분포 및 코팅 품질에 대한 늘어나는 수요를 충족시킬 수 있게 한다. 더 타이트한 사양을 가지는, 더 양호한, 더 높은 성능의 컴포넌트, 특히 반도체 컴포넌트 또는 엘리먼트가 본 발명을 이용하여 제조될 수 있다.

본 발명은 그 중에서도 예를 들어, 주로 구리로, 그러나 또한 니켈, 금, 은 및/또는 주석을 가지는 기판과 같은 물체의 전기화학적 코팅(아연 도금)에 유리하게 적용가능하다. 본 발명은 예를 들어, 특히 고주파수 기술 및 무선-주파수 기술에 사용되는 컴포넌트인 능동 또는 수동 컴포넌트에 대한 세라믹 기판 상의 갈바닉 또는 전기화학 증착을 위해, 그리고 더욱이 반도체, 특히 반도체 기판 및 회로 보드 상의 증착을 위해 유리하게 사용될 수 있다.

본 발명에 따른 유량 발생기는 전해질을 공급하기 위한 전해질 공급 장치 뿐 아니라 전해질 분배 장치를 포함한다.

본 발명의 관점에서, 전해질은 전계의 영향 하에 직접 방식으로 이동될 수 있는 이온을 함유하는 액체를 지칭한다. 본 발명에서 이온은 바람직하게는 금속 이온이다.

본 발명의 실시예의 바람직한 일 형태에서, 전해질 분배 장치는 적어도 하나의 제 1 분배기 플레이트를 포함한다.

전해질 분배 장치가 전해질의 유량 방향의 의미로 하류에, 제 1 분배기 플레이트 반대편에 배치되는 적어도 하나의 추가적인 분배기 플레이트를 포함한다면 더 유리하다. 제 1 및 추가적인 분배기 플레이트는 유리하게는 서로 평행하게 배치된다.

2개의 분배기 플레이트의 사용을 통해, 전해질 유량의 2-스테이지 균질화가 실현될 수 있다. 제 1 분배기 플레이트의 도움으로, 전해질 유량의 사전 균질화가 달성될 수 있다. 제 2 분배기 플레이트의 도움으로, 사전 균질화된 전해질 유량의 미세한 균질화가 달성될 수 있다.

상기 분배기 플레이트 중 적어도 하나, 특히 상기 분배기 플레이트의 각각은 전해질이 흐를 수 있는 개구를 갖춘 플레이트, 바람직하게는 유공 플레이트일 수 있다.

추가로 또는 추가적인 분배기 플레이트에 대한 대안으로서, 전해질 분포 장치는 전해질의 유량 방향의 관점에서 상류에 제 1 분배기 플레이트 반대편에 배치되는 적어도 하나의 분배기 파이프를 포함할 수 있다. 분배기 파이프는 유량 발생기의 전해질 공급 장치에 유리하게 연결된다.

전해질 분배 장치가 분배기 파이프를 포함하는 변형 실시예에서, 분배기 파이프는 전해질 유량의 사전 균질화를 위해 사용될 수 있다. 존재한다면, 제 1 분배기 플레이트 및 추가적인 분배기 플레이트는 이 경우에 분배기 파이프의 도움으로 체험된 사전 균질화를 가지는 전해질 유량의 추가적인 균질화를 위해 사용될 수 있다.

분배기 파이프가 제 1 분배기 플레이트로부터 떨어져 면하는 측면 상의 배출구 개구를 가진다면 더 바람직하다. 다른 한편으로, 분배기 파이프는 바람직하게는 제 1 분배기 플레이트를 향해 면하는 측면 상에 어떠한 배출구 개구도 갖지 않는다.

물체의 표면 상에 재료의 증착을 위한 본 발명에 따른 증착 디바이스는 본 발명에 따른 유량 발생기 및 물체 홀더를 포함한다.

증착 디바이스의 바람직한 사용은 코팅되는 물체 상에 금속 층의 갈바닉 증착을 위해 사용하는 것이다.

재료가 증착되어야 하는 물체는 유리하게는 물체 홀더에서 유리하게 탈착가능하게 고정될 수 있다. 물체 홀더는 예를 들어, 물체를 수용하기 위해 개구를 가지는 프레임으로서 설계될 수 있다. 이러한 개구의 치수는 바람직하게는 코팅되는 물체의 치수에 대응한다.

물체 홀더가 전해질 분배 장치의 분배기 플레이트 또는 분배기 플레이트들에 평행하게 배치된다면 더 유리하다.

본 발명의 실시예의 바람직한 일 형태에서, 유량 발생기는 물체 홀더를 향해 면하는 유출구 개구를 가지는, 일 측이 개방된 하우징을 포함한다. 하우징은 물체 홀더에, 또는 코팅되는 물체가 물체 홀더에 고정되는 경우에는 물체에 전해질의 유량을 가이드하도록 기능하는 "충돌 유량 박스(impinging flow box)"를 유리하게 형성한다. 전해질을 가지는 코팅되는 물체의 수직 유입 유량은 특히 하우징의 도움으로 달성될 수 있다.

하우징이 전해질 공급 장치에 연결되는 경우에 전해질이 전해질 공급 장치를 통해 하우징 내에 가이드될 수 있어서 더 편리하다. 상기 전해질 분배 장치는 바람직하게는 하우징에 배치된다. 전해질의 유량 방향의 의미에서 전해질 분배 장치의 하류에 위치되는 하우징의 지역은 유리하게는 하우징에서 성장되는 전해질 유량이 물체 홀더에 또는 코팅되는 물체에 안내되는 유량 채널을 형성한다.

바람직하게는 하우징은 물체 홀더로부터 떨어져 배치된다. 이러한 방식으로 하우징과 물체 홀더 사이에 갭이 형성되고, 그를 통해, 편향 후에, 하우징에 발전되는 전해질 유량이 코팅되는 물체의 표면 상에 흐를 수 있는데, 특히 모든 측면으로 흐를 수 있는 것이 보장될 수 있다.

거리가 최대 2 cm, 바람직하게는 최대 1.5 cm, 특히 바람직하게는 최대 1 cm라면 유리하다. 이러한 방식으로 전해질 유량이 코팅되는 물체에 도달하기 전에 전해질 유량의 상당한 확산을 회피할 수 있다. 3 내지 5 mm의 값을 가지는 거리가 특히 유리한 것으로 발견되었다.

하우징의 유출구 개구의 높이 및/또는 폭은 유리하게는 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구의 높이 및/또는 폭에 매칭된다. 이러한 방식으로, 하우징과 물체 홀더 사이의 유량 라인의 확산 또는 수축이 회피될 수 있다.

예를 들어, 하우징의 유출구 개구는 그 폭이 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 폭의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록, 및/또는 그 높이가 물체를 수용하도록 제공되는 물체 홀더의 개구 높이의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록 치수설정되는 것이 바람직하다. 더욱이, 하우징의 유출구 개구는 그 폭이 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 폭의 최대 120%, 특히 최대 110%에 대응하도록, 및/또는 그 높이가 물체를 수용하도록 제공되는 물체 홀더의 개구 높이의 최대 120%, 특히 최대 110%에 대응하도록 치수설정되는 것이 바람직하다. 바람직하게는 하우징의 유출구 개구의 폭이 물체를 수용하도록 제공되는 물체 홀더의 개구 폭과 같고, 및/또는 하우징의 유출구 개구의 높이가 물체를 수용하도록 제공되는 물체 홀더의 개구의 높이와 같다.

증착 디바이스가 전해질이 흐를 수 있는 애노드를 포함한다면 더 유리하다. 이 애노드는 예를 들어, 전해질 분배 장치와 물체 홀더 사이에 배치될 수 있다.

애노드는 예를 들어, 강망(expanded metal)으로 형성된 격자 애노드로서 설계될 수 있다. 애노드는 바람직하게는 유량 발생기의 하우징에 배치된다.

애노드는 유리하게는 전해질 분배 장치의 분배기 플레이트 또는 분배기 플레이트들에 평행하게 배치된다.

애노드의 높이 및/또는 폭은 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구의 높이 및/또는 폭에 매칭된다면 더 유리하다. 이러한 방식으로, 애노드와 물체 홀더 사이의 전기력선의 확산 또는 수축이 회피될 수 있다.

애노드는 그 폭이 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 폭의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록, 및/또는 그 높이가 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 높이의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록 치수설정되는 것이 바람직하다. 더욱이, 애노드는 그 폭이 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 폭의 최대 120%, 특히 최대 110%에 대응하도록, 및/또는 그 높이가 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 높이의 최대 120%, 특히 최대 110%에 대응하도록 치수설정되는 것이 바람직하다. 바람직하게는 애노드의 폭이 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구 폭과 같고, 및/또는 애노드의 높이가 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구의 높이와 같다.

애노드는 바람직하게는 불용성 애노드, 즉 전해질에 용해되지 않는 애노드이다. 티타늄 또는 백금화 티타늄은 예를 들어, 애노드 재료로서 사용될 수 있다. 애노드가 불용성 애노드인 경우에, 전해질에 대한 금속의 공급이 예를 들어, 산화 구리 또는 Fe2+/Fe3+와 같은 금속을 함유하는 재료의 후속적인 투여를 통해 달성될 수 있다.

유량 발생기는 선택적으로 전해질 유량을 부분적으로 스크리닝(screen)하고 및/또는 애노드로부터 기원하는 전기력선을 부분적으로 스크리닝하기 위한 유량 배플(flow baffle)을 포함할 수 있다. 유량 배플은 바람직하게는 애노드와 물체 홀더 사이에 배치된다. 유량 배플은 물체의 균질한 층 두께 분포를 달성하기 위해 물체 레이아웃의 특별한 특징에 대해 보상할 수 있게 한다.

물체 홀더는 물체를 전기적으로 접촉시키기 위해, 특히 물체의 에지를 전기적으로 접촉시키기 위해 복수의 접촉 포인트를 포함하면 더 유리하다. 바람직하게는 접촉 포인트는 물체를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더의 개구의 에지에 걸쳐 등거리로 분포 배치된다. 물체 홀더 또는 물체 홀더에 고정된 물체에서의 전기력선의 균질한 곡선이 이와 같은 방식으로 달성될 수 있어서, 전해질에 함유된 이온의 전기적 유량에 대한 물체의 균질한 노출을 가능하게 한다.

기본적으로 물체 홀더는 2개 측면 중 하나 상의 접촉 포인트만을 가지도록 제공될 수 있다. 바람직하게는, 물체 홀더는 2개 측면 각각에 접촉 포인트를 갖추고 있다. 특히, 예를 들어 각 측면 상에 8개의 접촉 포인트인, 동일한 수의 접촉 포인트가 물체 홀더의 양 측에 제공될 수 있다.

증착 디바이스는 월류 웨어(overflow weir)를 가지는 오버플로우 베이슨(overflow basin)을 더 포함할 수 있다. 바람직하게는 유량 발생기가 오버플로우 베이신에 배치된다. 오버플로우 베이신은 전해질로, 특히 월류 웨어의 에지까지 채워질 수 있다.

증착 디바이스는 오버플로우 베이신 밖으로 전해질을 빼내기 위해 드레인 파이프, 특히 홀이 있는 드레인 파이프를 더 포함할 수 있다. 드레인 파이프는 유리하게는 물체 홀더 아래에 배치된다. 드레인 파이프의 종방향 크기가 바람직하게는 수평 방향으로 연결된다. 드레인 파이프 및 물체 홀더가 공통 대칭 평면을 가지도록 배치된다면 더 바람직하다.

오버플로우 베이신 및 드레인 파이프의 도움으로, 물체로부터의 전해질의 균질한 유출, 특히 모든 측면 상에 균질한 유출이 실현될 수 있어서, 물체로 향해지는 전해질의 균일한 후속적인 유량을 가능하게 한다.

본 발명의 바람직한 국면에서, 증착 디바이스는 오버플로우 베이신의 적어도 일부가 배치되는 보유 베이신을 포함하도록 제공된다. 보유 베이신은 재사용할 수 있도록, 오버플로우 베이신에서 나오는 전해질을 받기 위해 사용될 수 있다.

보유 베이신에 더하여, 증착 디바이스는 보유 베이신 밖으로 전해질을 펌핑할 뿐 아니라, 보유 베이신 밖으로 펌핑된 전해질을 유량 발생기의 전해질 공급 장치에 전달하기 위해 보유 베이신에 연결된 제 1 펌프를 포함할 수 있다.

증착 디바이스는 드레인 파이프 밖으로 전해질을 펌핑할 뿐 아니라, 드레인 파이프 밖으로 펌핑된 전해질을 보유 베이신 내로 전달하기 위해 드레인 파이프에 연결된 제 2 펌프를 더 포함할 수 있다.

드레인 파이프 밖으로 전해질을 빼내기 위해 상기 제 2 펌프를 사용하는 대신에, 대안적인 변형 실시예는 전해질이 유체 라인을 통해 펌프 없이 중력의 도움으로 드레인 파이프 밖으로 배출되고, 유지 베이신 내로 유도하도록 제공한다. 이 경우에 밸브, 특히 조절 밸브는 예를 들어, 드레인 파이프를 통해 빠지는 전해질 유량의 체적 유량 속도를 조정하도록 사용될 수 있다.

증착 디바이스는 선택적으로 오버플로우 베이신 밖으로 전해질을 빼내기 위한 물체 홀더 옆에 측면으로 배치되는 2개의 드레인 파이프를 포함할 수 있다. 이들 2개의 드레인 파이프의 종방향 크기는 바람직하게는 수직 방향으로 연결된다. 이들 2개의 드레인 파이프에 대해, 증착 디바이스는 이들 2개의 드레인 파이프에 연결된 하나의 공통 펌프 또는 이들 2개의 드레인 파이프 중 각각에 연결된 개별 파이프를 포함할 수 있다.

증착 디바이스는 유리하게는, 각 펌프를 통해 흐르는 전해질 유량의 체적 유량 속도를 측정하기 위한, 펌프 중 적어도 하나, 바람직하게는 펌프 각각을 위한 유량 센서(flow sensor)를 포함한다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 증착 디바이스는 바람직하게는 먼저 언급된 유량 발생기로서 동일한 구성으로 설계되는 추가적인 유량 발생기를 포함한다. 물체 홀더는 유리하게는 2개의 유량 발생기 사이에 배치된다. 2개의 유량 발생기가 물체 홀더에 관하여 거울-대칭으로 배치된다면 특히 바람직하다. 2개의 유량 발생기의 사용을 통해 양 측면 상에 동시에 물체를 코팅할 수 있다.

증착 디바이스는 적어도 하나의 전압원, 특히 적어도 하나의 DC 전압원을 더 포함할 수 있다. 증착 디바이스는 바람직하게는 그 유량 발생기 각각에 대한 별개의 전압원을 포함한다.

물체의 표면 상에 재료를 증착하기 위한 본 발명에 따른 방법에서, 전해질이 물체의 표면에 가이드된다.

본 발명에 따른 방법은 유리하게는 본 발명에 따른 증착 디바이스의 도움으로 실행된다.

물체는 바람직하게는 플레이트-형 물체, 특히 직사각형 형태를 가진다. 예를 들어, 이전에 설명된 물체 홀더의 도움으로, 방법의 수행 동안 물체가 수직으로 정렬된다면 특히 바람직하다.

물체는 예를 들어, 기판, 특히 세라믹 기판을 포함할 수 있다. 바람직하게는 물체는 능동 또는 수동 엘리먼트, 특히 그 위에 배치되는 반도체 컴포넌트를 가지는 기판을 포함한다. 엘리먼트는 증착 후에 편리하게 분리된다.

물체의 표면 상에 방법에서 증착되는 재료는 특히 금속 재료일 수 있다. 물체는 재료가 증착되는 전기적으로 전도성 베이스 층, 특히 금속 베이스 층을 더 포함할 수 있다. 베이스 층은 예를 들어, 구리, 니켈, 금, 은 및/또는 주석을 함유할 수 있다.

본 발명의 실시예의 유리한 일 형태에서, 물체 표면의 표면 법선에 평행하게 또는 본질적으로 평행하게 향해지는 전해질의 유량이 영향을 받도록 제공된다. 바람직하게는 이러한 유량은 본 발명에 따른 유량 발생기의 도움으로 영향을 받는다.

상기 단락에서 "표면 법선에 평행하거나 본질적으로 평행한"이란 어구는 특히 본 발명의 의미에서 상기 전해질의 유량은 표면 법선에 최대 10°, 바람직하게는 최대 5°의 각도로 향해지는 것을 의미하는 것이 이해될 수 있다.

전해질은 바람직하게는 상기 전해질 유량에 의해 물체의 표면에 발생된 전해질이다.

물체의 표면으로의 전해질의 유량은 바람직하게는 물체의 표면에 평행하거나 본질적으로 평행하게, 물체로부터 표면을 따라 전환되고 가이드된다면 유리하다. 전환된 유량은 바람직하게는 물체의 모든 측면으로 가이드된다.

상기 정의와 유사하게, 본 발명의 의미에서 "물체의 표면에 평행하거나 본질적으로 평행한"이란 어구는 특히 상기 전해질의 유량이 표면에 대해 최대 10°, 바람직하게는 최대 5°의 각도로 편향 후에 향해지는 것을 의미하는 것이 이해될 수 있다.

상기 전해질의 유량 중 일부가 상방으로 편향되고 상방으로 향해지는 부분적 유량을 형성한다면, 상기 전해질의 유량 중 추가적인 부분은 하방으로 편향되고 하방으로 향해지는 부분적 유량을 형성한다면 더 유리하다.

하방으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도는 바람직하게는 하방으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도가 상방으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도와 동일하거나 본질적으로 동일하도록 조정된다.

본 발명의 의미에서, "동일하거나 본질적으로 동일한"이란 어구는 특히 서로 비교될 때의 값 사이에 최대 10%, 바람직하게는 최대 5%의 차이가 존재하는 것을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.

하방으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도는 예를 들어, 이전에 언급된 제 1 펌프의 도움으로, 특히 펌프의 전달 속도를 조정함으로써 조정될 수 있다.

상기 전해질의 유량의 일부가 측면으로 편향되고 (전방으로부터 물체의 표면을 볼 때) 좌측으로 향해지는 부분적 유량을 형성한다면, 그리고 상기 전해질의 유량의 추가적인 부분이 측면으로 편향되고 (전방으로부터 물체의 표면을 볼 때) 우측으로 향해지는 부분적 유량을 형성한다면 더 유리하다.

바람직하게는 좌측으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도 및 우측으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도는 상방으로 향해지는 부분적 유량의 체적 유량 속도와 동일하거나 본질적으로 동일하도록 특히 펌프의 도움으로 조정된다.

본 발명의 바람직한 일 국면에서, 물체에 향해지는 전해질 유량은 전방 측 뿐 아니라 후방 측 둘 다에서 물체 상에 흐르도록 제공된다. 이러한 방식으로 물체가 전방 측 뿐 아니라 후방 측 상에 코팅되는 컴포넌트를 포함할 때 특히 유리한, 물체가 양 측 상에 코팅되는 것을 보장할 수 있다.

유리하게는, 전방-측 전해질 유량의 체적 유량 속도 및 후방-측 전해질 유량의 체적 유량 속도는 이들 2개의 체적 유량 속도가 동일하거나 본질적으로 동일하도록 조정된다. 이러한 방식으로 물체가 양 측 상에 동일한 압력을 받도록 보장할 수 있다. 이러한 방식으로, 심지어 높은 체적 유량 속도의 경우에도 전방 및 후방 측 사이의 압력 차이가 손상, 예를 들어 물체의 균열을 발생시키는 가능성을 회피할 수 있다.

물체의 전방 측은 물체의 후방 측과 다른 전류 강도를 받도록, 예를 들어 추가적인 유량 발생기의 애노드와 물체 홀더 사이의 전압과 다른 전압이 제 1 언급된 유량 발생기의 애노드와 물체 홀더 사이에 인가되도록 더 제공될 수 있다. 이것은 특히 물체의 전방 측 및 후방 측이 다르게 설계되고, 따라서 또한 다르게 코팅되어야 하는 경우에 특히 유리할 수 있다.

바람직하게는 방법은 금속 층, 특히 구리, 니켈, 금, 은 및/또는 주석 층이 물체 상에 증착되는 갈바닉 코팅 방법이다.

본 발명은 도면을 참조하여 이하에 더 상세하게 설명된다. 편의에 따라, 동일하거나 동일한 효과를 가지는 엘리먼트는 본원에서 동일한 참조 부호가 제공된다. 본 발명은 도면에 예시된 실시예에 제한되지 않는다. 이것은 또한 기능적 특징을 지칭한다. 지금까지 상술한 설명 및 도면의 후속하는 설명은 수많은 특징을 포함하고, 그 일부가 종속 청구항에서 그룹으로서 요약된다. 당업자는 그러나, 또한 개별적으로 특징을 고려하고 유용한 추가적인 조합으로 조합할 것이다. 이들 특징은 본 발명에 따른 유량 발생기 및/또는 본 발명에 따른 증착 디바이스 및/또는 본 발명에 따른 방법을 사용하여 특히 개별적으로 조합될 수 있고 임의의 적절한 조합으로 이루어질 수 있다.

도 1은 본 발명의 제 1 예시적 실시예에 따른 증착 디바이스의 개략적 예시를 도시한다.
도 2는 증착 디바이스의 물체 홀더 및 물체 홀더에 탈착가능하게 고정되는 코팅될 물체의 정면도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제 2 예시적 실시예에 따른 증착 디바이스의 개략적 예시를 도시한다.
도 4는 본 발명의 제 3 예시적 실시예에 따른 증착 디바이스의 개략적 예시를 도시한다.

도 1은 증착 디바이스(1)의 개략적 예시를 도시한다. 증착 디바이스(1)는 재료의 증착을 위해, 특히 물체의 표면 상에 금속 층의 갈바닉 증착을 위해 기능한다.

증착 디바이스(1)는 서로 동일한 설계를 가지는 2개의 유량 발생기(2a, 2b) 뿐 아니라, 코팅되는 물체(4)가 탈착가능하게 고정되는 수직으로 매달린 물체 홀더(3)를 포함한다. 도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 2개의 유량 발생기(2a, 2b)는 물체 홀더(3)를 참조하여 거울 대칭성을 가지고 배치된다. 용어적 구별을 위해, 2개의 유량 발생기(2a, 2b)는 때때로 제 1 유량 발생기(2a) 및 제 2 유량 발생기(2b)로 아래에 지칭될 것이다.

본 예시적 실시예에서, 코팅되는 물체(4)는 예를 들어, 능동 또는 수동 반도체 컴포넌트와 같이 그 위에 배치되는 엘리먼트를 가지는 기판, 특히 세라믹 기판 및 기판을 둘러싸는 박형 금속 베이스 층이다. 코팅되는 물체는 직사각형 형상을 가지고, 약 200 mm의 에지 길이 및 200 ㎛ 내지 1000 ㎛ 사이의 두께를 가진다. 상기 금속 베이스 층(또한 때때로 전문가 분야에서 "시드 층(seed layer)"으로 알려짐)은 기판 에지에 걸쳐 포함하는 기판의 전체 영역을 둘러싼다.

본 발명의 경우에, 금속 베이스 층은 구리 층, 특히 마스킹 및 구조화된 구리 층이다. 금속 베이스 층은 증착 디바이스(1)의 도움으로 갈바닉 증착 프로세스에서 보강된다. 이것은 본 예시적 실시예에서, 금속 베이스 층을 형성하는 기존의 구리 층 상에 증착 디바이스(1)의 도움으로 구리가 증착됨을 의미한다.

물체(4)의 이전에 언급된 특징이 단지 예시적인 것으로 고려되며, 증착 디바이스(1)가 다른 종류의 물체를 코팅하기 위해 적합한 원리에 있음이 명백하다.

2개의 유량 발생기(2a, 2b)에 더하여, 증착 디바이스(1)는 월류 웨어(6)를 가지는 오버플로우 베이신(5)을 포함한다. 유량 발생기(2a, 2b) 둘 다는 오버플로우 베이신(5)에 배치된다. 도 1은 오버플로우 베이신(5)이 전해질(7)로 월류 웨어(6)의 에지까지 충전되는 상태에서의 증착 디바이스(1)를 도시한다.

증착 디바이스(1)는 오버플로우 베이신(5)이 배치되는 보유 베이신(8)을 더 포함한다. 증착 디바이스(1)는 드레인 파이프(9) 및 물체 홀더(3)가 공통 대칭 평면을 가지도록 물체 홀더(3) 바로 아래에 배치되는 종방향 크기가 수평 방향으로 연결하는 홀을 가지는 드레인 파이프(9)를 더 포함한다.

증착 디바이스(1)의 2개의 유량 발생기(2a, 2b)는 각각 코팅되는 물체(4)를 향해 면하는 유출구 개구(11)를 가지는, 일 측 상이 개방된 물체로부터 거리를 두로 배치되는 하우징(10)을 포함한다. 2개의 유량 발생기(2a, 2b)는 각각 또한 전해질 공급 장치(12) 및 전해질 분배 장치(13)를 포함한다.

각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 분배 장치(13)는 제 1 분배기 플레이트(14) 및 추가적인 분배기 플레이트(15)를 포함하고, 2개의 분배기 플레이트(14, 15)는 서로 평행할 뿐 아니라 물체 홀더(3)에 평행하게 배치되고, 전해질(7)이 흐를 수 있는 개구를 가지는 다공성 플레이트로서 구현된다.

도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 2개의 분배기 플레이트(14, 15)는 그 하우징(10)에 배치된다. 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 2개의 분배기 플레이트(14, 15)는 하우징(10)을 제 1 챔버(16), 제 2 챔버(17) 및 유량 채널(18)로 분할하고, 제 1 챔버(16)는 유출구 개구(11)에 평행하게 배치되는 하우징(10)의 측벽(19)으로부터 제 1 분배기 플레이트(14)로 연장하고, 제 2 챔버(17)는 제 1 분배기 플레이트(14)로부터 제 2 분배기 플레이트(15)로 연장하고, 유량 채널(18)은 하우징(10)의 나머지 파트에 걸쳐 제 2 분배기 플레이트(15)로부터 연장한다.

2개의 하우징(10) 각각에서 증착 디바이스(1)는 또한 전해질(7)이 흐를 수 있고, 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 분배 장치(13)와 물체 홀더(3) 사이에 배치되는 격자 애노드(20)를 포함한다.

각각의 애노드(20) 및 각각의 하우징(10)의 유출구 개구(11)는 그 폭 및 높이가 코팅되는 물체(4)의 폭 및 높이에 대략 대응하도록 치수설정된다. 용어 "폭"은 본원에서 도 1의 도면 평면에 수직인 크기와 관련된다.

증착 디바이스(1)는 보유 베이신(8) 밖으로 전해질(7)을 펌핑하기 위해, 그리고 보유 베이신(8) 밖으로 펌핑된 전해질(7)을 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 공급 장치(12)에 전달하기 위한 제 1 펌프(21)를 더 포함한다. 증착 디바이스(1)는 드레인 파이프(9) 밖으로 전해질(7)을 펌핑할 뿐 아니라, 드레인 파이프(9) 밖으로 펌핑된 전해질(7)을 보유 베이신(8) 내로 전달하기 위한 제 2 펌프(22)를 더 포함한다. 제 1 펌프(21)는 유체 라인(23)을 통해 보유 베이신(8)에 연결되고, 추가적인 유체 라인을 통해 2개의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 공급 장치(12)에 연결되는 한편, 제 2 펌프(22)는 유체 라인(23)을 통해 드레인 파이프(9)에 연결되고 추가적인 유체 라인(23)을 통해 보유 베이신(8)에 연결된다.

증착 디바이스(1)는 각각의 펌프(21, 22)를 통해 흐르는 전해질 유량의 체적 유량 속도를 측정하기 위한 펌프(21, 22) 각각에 대한 유량 속도 센서(24)를 더 포함한다.

증착 디바이스(1)는 또한 유량 발생기(2a, 2b) 각각에 대한 별개의 DC 전압원(25)을 포함한다. 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 각각의 DC 전압원(25)은 전기 케이블(26)을 통해 관련된 유량 발생기(2a, 2b)에 배치된 애노드(20) 뿐 아니라 물체 홀더(3)에 연결된다.

각각의 유량 발생기(2a, 2b)는 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 하우징(10)에 배치된 애노드(20)와 물체 홀더(3) 사이에 배치되고, 전해질 유량을 스크리닝하기 위한 그리고 애노드(20)로부터 기원하는 전기력선을 부분적으로 스크리닝하기 위한 기능을 수행하는 유량 배플(27)을 하우징(10)에 더 포함한다.

도 2는 이전에 언급된 물체 홀더(3)뿐 아니라 코팅되고 물체 홀더(3)에 탈착가능하게 고정된 물체(4)의 정면도를 도시한다.

물체 홀더(3)는 프레임으로서 설계되고, 코팅되는 물체(4)가 그 내부에 배치되기 때문에 도 2에 보이지 않더라도, 물체(4)를 수용하기 위해 제공되는 개구를 가진다.

(물체 홀더(3)의 전방 측으로 아래에 지칭되는) 물체 홀더(3)의 일 측은 도 2에 보이는 한편, 물체 홀더(3)의 타 측은 관찰자로부터 떨어져 면한다. 결과적으로 다시, 코팅되는 물체(4)의 단지 일 측(물체(4)의 전방 측으로서 이하에 지칭됨)은 코팅되는 표면(28)은 도 2에서 볼 수 있다.

물체 홀더(3)는 물체(4)를 전기적으로 접촉하기 위한 전방 측 상에, 본 경우에 8개의 접촉 포인트(29)인, 복수의 접촉 포인트(29)를 가지며, 이들은 그 전방 측에 물체(4)의 에지(30)와 전기적으로 접촉한다. 도 2에 보이지 않는 후방 측 상에, 물체 홀더(3)는 물체(3)를 전기적으로 접촉하기 위한 동일한 수의 접촉 포인트(29)를 가지고, 이들은 그 후방 측에 물체(4)의 에지(30)와 전기적으로 접촉한다. 전방-측 접촉 포인트(29)는 2개의 DC 전압원(25) 중 하나에 전기적으로 연결되는 한편, 후방-측 접촉 포인트(29)는 2개의 DC 전압원(25) 중 다른 하나와 전기적으로 연결된다.

물체 홀더(3)의 전방 측 및 후방 측 둘 다 상에, 접촉 포인트(29)는 물체(4)를 수용하기 위해 제공되는 물체 홀더(3)의 개구의 에지에 걸쳐 등거리로, 및 또한 물체(4)의 에지(30)에 걸쳐 등거리로 분포 배치된다.

증착 디바이스(1)의 동작 모드는 이하에 도 1을 참조하여 설명된다. 이전에 설명된 바와 같이, 2개의 유량 발생기(2a, 2b)가 서로 동일한 구성으로 설계되기 때문에, 간략성을 위해, 예시로서 2개의 유량 발생기(2a, 2b) 중 하나를 참조하여, 더 정밀하게, 제 1 유량 발생기(2a)를 참조하여 증착 디바이스(1)의 동작 모드가 설명된다. 후속하는 설명은 제 2 유량 발생기(2b)와 유사하게 적용한다. 이것은 물체(4)가 균질하게 양측 상에 코팅되도록, 양측 유량 발생기(2a, 2b)는 코팅되는 물체(4)를 전해질(7)의 유량을 받기 위해 사용되는 것을 의미한다.

제 1 펌프(21)의 도움으로, 전해질(7)은 제 1 유량 발생기(2a)의 전해질 공급 장치(12)를 통해 제 1 유량 발생기(2a)의 하우징(10) 내로, 더 정밀하게 하우징(10)의 제 1 챔버(16) 내로 유입된다. 전해질 유량(31)은 제 1 분배기 플레이트(14)를 통해 흐르는 제 1 챔버(16)에서 성장하고 제 1 분배기 플레이트(14)에 의해 사전 균질화된다. 사전 균질화된 전해질 유량(31)은 하우징(10)의 제 2 챔버(17)뿐 아니라 추가적인 분배기 플레이트(15)를 통해 흐르고, 전해질 유량(31)은 추가적인 분배기 플레이트(15)를 통해 흐름에 따라 추가적으로 균질화된다. 균질화된 전해질 유량(31)은 그 후에 코팅되는 물체(4)에 수직으로 또는 본질적으로 수직으로 하우징(10)의 유출구 개구(11)를 통해 하우징(10)의 유량 채널(18) 밖으로 흐른다.

전해질 유량(31)은 물체(4)의 코팅되는 표면(28)에서 전환되고, 상기 표면(28)에 평행하거나 본질적으로 평행한 물체(4)로부터 가이드된다. 전해질 유량(31)의 일 부분은 상방으로 전환되고 상방으로 향해진 부분적 유량(32a)을 형성한다. 전해질 유량(31)의 추가적인 부분은 하방으로 전환되고, 하방으로 향해진 부분적 유량(32b)을 형성한다. 상기 부분적 유량(32a, 32b)은 물체 홀더(3)와 제 1 유량 발생기(2a)의 하우징(10) 사이의 갭을 통해 흘러 내린다.

하방으로 향해진 부분적 유량(32b)의 체적 유량 속도는 하방으로 향해지는 부분적 유량(32b)의 체적 유량 속도는 상방으로 향해진 부분적 유량(32a)의 체적 유량 속도와 동일하도록 조정된다. 이것은 예를 들어, 2개의 유량 속도 센서(24)가 동일한 체력 유량 속도를 측정하도록 2개의 펌프(21, 22)의 전달 속도가 조정되어서 달성될 수 있다.

하방으로 향해진 부분적 유량(32b)은 드레인 파이프(9)의 홀을 통해 드레인 파이프(9) 내로 흐르는 한편, 상방으로 향해진 부분적 유량(32a)은 월류 웨어(6)에 걸쳐 오버플로우 베이신(5) 밖으로 흐른다. 전해질(7)은 제 2 펌프(22)의 도움으로 드레인 파이프(9) 밖으로 펌핑되고 보유 베이신(8) 내로 전달된다. 보유 베이신(8)에 있는 전해질(7)은 제 1 펌프(21)의 도움으로 보유 베이신(8) 밖으로 펌핑되고, 제 1 유량 발생기(2a)의 전해질 공급 장치(12)로 전달된다.

전압은 제 1 유량 발생기(2a)의 하우징(10)에 배치되는 애노드(20)와 물체 홀더(3) 사이에 존재한다. 물체(4)는 접촉 포인트(29)를 통해 물체 홀더(3)와 전기적으로 접촉하기 때문에, 동일한 전압이 또한 상기 애노드(20)와 물체(4) 사이에 존재한다. 결과적으로 상기 애노드(20)와 물체 홀더(3) 사이에 전계가 존재하고, 그 결과로서 전해질(7)에 함유되는 이온이 코팅되는 물체(4)로 가이드된다. 애노드(20) 및 물체 홀더(3)의 이전에 설명된 설계 때문에, 이러한 전계는 물체(4)가 이온의 균질한 흐름을 받도록 균질한 전기력선을 가진다.

다음의 예시적인 실시예의 설명은 주로 상술한 예시적인 실시예와의 차이에 제한되고, 그에 대한 참조가 동일한 특징 및 기능의 관점에서 이루어진다. 이전의 예시적인 실시예의 특징은 다시 설명되지 않고서 후속하는 예시적인 실시예로 채택된다.

도 3은 재료를 증착하기 위해, 특히 물체의 표면 상에 금속 층의 갈바닉 증착을 위한 제 2 증착 디바이스(33)의 개략적 예시를 도시한다.

이러한 증착 디바이스(33)는 다시 제 1 및 제 2 유량 발생기(2a, 2b)를 포함하고, 2개의 유량 발생기(2a, 2b)는 서로 동일한 구성으로 설계된다.

본 예시적 실시예에서, 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 분배 장치(13)는 2개의 분배기 플레이트를 포함하는 것이 아니라, 단일 분배기 플레이트(14)만을 포함한다. 분배기 플레이트(14)에 더하여, 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 분배 장치(13)는 분배기 플레이트(14)와 유출구 개구(11)에 평행하게 배치되는 하우징(10)의 측벽(19) 사이에 배치되는 분배기 파이프(34)를 포함하고, 분배기 플레이트(14)로부터 떨어져 면하는 측 상에, 또는 측벽(19)을 향해 면하는 측 상에 복수의 유출구 개구를 가진다. 각각의 유량 발생기(2a, 2b)의 분배기 파이프(34)는 이러한 전해질 공급 장치(12)에 연결된다.

증착 디바이스(33)의 2개의 유량 발생기(2a, 2b)는 서로 동일한 구성으로 설계되기 때문에, 간략성을 위해, 2개의 유량 발생기(2a, 2b) 중 하나를 참조하여, 더 정밀하게는, 제 1 유량 발생기(2a)를 참조하여, 증착 디바이스(33)의 동작 모드가 설명된다. 후속하는 설명은 제 2 유량 발생기(2b)와 유사하게 적용한다.

증착 디바이스(33)의 제 1 펌프(21)의 도움으로, 전해질(7)은 제 1 유량 발생기(2a)의 전해질 공급 장치(12)를 통해 제 1 유량 발생기(2a)의 분배기 파이프(34) 내로 유입된다. 전해질(7)은 분배기 파이프(34)로부터 분배기 파이프(34)의 유출구 개구로부터 부상하고, 사전 균질화된 전해질 유량(31)이 성장된다. 이러한 사전 균질화된 전해질 유량(31)은 제 1 유량 발생기(2a)의 하우징(10)의 측벽(19)을 만나서 전환되고 측벽(19)으로부터 분배기 플레이트(14)로 더 흐른다. 전해질 유량(31)은 그 후에 분배기 플레이트(14)를 통해 흐르고, 전해질 유량(31)은 분배기 플레이트(14)를 통해 흐름에 따라 더 균질화된다. 분배기 플레이트(14) 후에, 균질화된 전해질 유량(31)은 그 후에 코팅되는 물체(4)에 수직으로 또는 본질적으로 수직으로 하우징(10)의 유출구 개구(11)를 통해 흐른다. 다른 양상에서, 도 3의 증착 디바이스의 동작 모드는 도 1의 증착 디바이스의 동작 모드에 대응한다.

도 4는 재료를 증착하기 위해, 특히 물체의 표면 상에 금속 층의 갈바닉 증착을 위한 제 3 증착 디바이스(35)의 개략적 예시를 도시한다.

이러한 증착 디바이스(35)는 다시 오버플로우 베이신(5) 및 보유 베이신(8)을 포함하고, 본 예시적 실시예에서, 오버플로우 베이신(5)의 일부만이, 또는 더 정밀하게, 오버플로우 베이신(5)의 상부 부분만이 보유 베이신(8) 내에 배치된다.

도 4의 증착 디바이스(35)는 2개의 펌프를 포함하는 것이 아니라, 단일 펌프(21)만을 포함한다. 추가로, 증착 디바이스(35)는 저장소(36) 및 밸브(37)를 포함한다.

상기 펌프(21)는 유체 라인(23)을 통해 유입구 측 상에서 저장소(36)에 연결되고, 추가적인 유체 라인(23)을 통해 유출구 측 상에서 2개의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 공급 장치(12)에 연결된다. 저장소(36)는 유체 라인(23)을 통해 유입구 측 상에서 보유 베이신(8)에 연결되고, 추가적인 유체 라인(23)을 통해, 유량 센서(38)가 드레인 파이프(9)에 연결된다.

본 예시적 실시예에서, 보유 베이신(8)에 있는 전해질(7)뿐 아니라, 드레인 파이프(9)에 있는 전해질(7)이 보유 베이신(8)으로부터 뽑아져 나오고, 중력의 도움으로 보유 베이신(8) 및 드레인 파이프(9)로부터 뽑아져 나온다. 상기 밸브(37)의 도움으로, 또는 더 정밀하게, 밸브 포지션의 적절한 조정을 통해, 드레인 파이프(9)에 의해 오버플로우 베이신(5)에 남아있는 전해질(7)의 부분적 유량의 체적 유량 속도는 월류 웨어(6)를 통해 오버플로우 베이신(5)에 남아있는 전해질(7)의 부분적 유량의 체적 유량 속도와 동일한 것을 보장할 수 있다.

드레인 파이프(9)를 통해 오버플로우 베이신(5)에 남아있는 부분적 유량의 체적 유량 속도가 월류 웨어(6)에 의해 오버플로우 베이신(5)에 남아있는 부분적 유량의 체적 유량 속도와 동일한지 여부는 증착 디바이스(35)의 2개의 유량 센서(24, 38)에 의해 설정될 수 있다. 저장소(36)와 드레인 파이프(9) 사이의 유체 라인(23)에 연결되는 유량 센서(38)가 펌프(21)와 2개의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 공급 장치(12) 사이의 유체 라인(23)에 연결되는 다른 유량 센서(24) 크기의 절반인 값을 측정한다면, 드레인 파이프(9)에 의해 오버플로우 베이신(5)에 남아있는 부분적 유량의 체적 유량 속도는 월류 웨어(6)에 의해 오버플로우 베이신(5)에 남아있는 부분적 유량의 체적 유량 속도와 동일하다.

전해질(7)은 펌프(21)의 도움으로 저장소(36) 밖으로 펌핑되고 2개의 유량 발생기(2a, 2b)의 전해질 공급 장치(12)에 전달된다.

본 발명은 예시된 실시예를 참조하여 상세하게 설명되었다. 본 발명은 개시된 예들에 제한되지 않는다. 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고서 이들 예시적 실시예로부터 당업자에 의해 다른 변형이 도출될 수 있다.

1 증착 디바이스
2a 유량 발생기
2b 유량 발생기
3 물체 홀더
4 물체
5 오버플로우 베이신
6 월류 웨어
7 전해질
8 보유 베이신
9 드레인 파이프
10 하우징
11 유출구 개구
12 전해질 공급 장치
13 전해질 분배 장치
14 분배기 플레이트
15 분배기 플레이트
16 챔버
17 챔버
18 유량 채널
19 측벽
20 애노드
21 펌프
22 펌프
23 유체 파이프
24 유량 센서
25 DC 전압원
26 전기 케이블
27 유량 배플
28 표면
29 접촉 포인트
30 에지
31 전해질 유량
32a 부분적 유량
32b 부분적 유량
33 증착 디바이스
34 분배기 파이프
35 증착 디바이스
36 저장소
37 밸브
38 유량 센서

Claims

유량 발생기(2a, 2b)로서,
전해질(7)을 공급하기 위한 전해질 공급 장치(12); 및
전해질 분배 장치(13)를 포함하는, 유량 발생기.
제1항에 있어서,
상기 전해질 분배 장치(13)는 적어도 하나의 제 1 분배기 플레이트(14)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유량 발생기.
제2항에 있어서,
상기 전해질 분배 장치(13)는 전해질(7)의 유량 방향의 관점에서 하류에, 상기 제 1 분배기 플레이트(14) 반대편에 배치되는 적어도 하나의 추가적인 분배기 플레이트(15)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유량 발생기.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 분배기 플레이트(14, 15) 중 적어도 하나, 특히 상기 분배기 플레이트(14, 15) 각각은 상기 전해질(7)이 흐를 수 있는 개구를 가지는 플레이트, 바람직하게는 다공성 플레이트인 것을 특징으로 하는, 유량 발생기.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전해질 분배 장치(13)는 상기 전해질(7)의 유량 방향의 관점에서 상류에, 제 1 분배기 플레이트(14) 반대편에 배치되는 적어도 하나의 분배기 파이프(34)를 포함하고, 상기 제 1 분배기 플레이트(14)로부터 떨어져 면하는 측면 상에 유출구 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유량 발생기.
물체(4)의 표면(28) 상에 재료를 증착하기 위한 증착 디바이스(1, 33, 35)로서,
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 유량 발생기(2a, 2b), 및 물체 홀더(3)를 포함하는, 증착 디바이스.
제6항에 있어서,
상기 유량 발생기(2a, 2b)는 상기 물체 홀더(3)를 면하는 유출구 개구(11)를 가지는, 일 측이 개방된 하우징(10)을 포함하고, 상기 하우징(10)은 상기 전해질 공급 장치(12)를 통해 상기 하우징(10) 내로 상기 전해질(7)이 가이드될 수 있도록 상기 전해질 공급 장치(12)에 연결되고, 상기 전해질 분배 장치(13)는 상기 하우징(10)에 배치되는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제7항에 있어서,
상기 하우징(10)은 상기 물체 홀더(3)로부터 거리를 두고 배치되고, 상기 거리는 최대 2 cm, 바람직하게는 최대 1.5 cm, 특히 바람직하게는 최대 1 cm인 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 하우징(10)의 상기 유출구 개구(11)는 그 폭이 상기 물체(4)를 수용하기 위해 제공되는 상기 물체 홀더(3)의 개구 폭의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록, 및/또는 그 높이가 물체를 수용하기 위해 제공되는 상기 물체 홀더(3)의 개구 높이의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록 치수설정되는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전해질(7)이 흐를 수 있도록 상기 전해질 분배 장치(13)와 상기 물체 홀더(3) 사이에 배치되는 애노드(20)를 포함하고, 상기 애노드(20)는 바람직하게는 그 폭이 물체를 수용하기 위해 제공되는 상기 물체 홀더(3)의 개구 폭의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록, 및/또는 그 높이가 상기 물체(4)를 수용하기 위해 제공되는 상기 물체 홀더(3)의 개구 높이의 적어도 80%, 특히 적어도 90%에 대응하도록 치수설정되는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제10항에 있어서,
상기 유량 발생기(2a, 2b)는 전해질 유량(31)의 부분적 스크리닝을 위해, 및/또는 상기 애노드(20)로부터 기원하는 전기력선의 부분적 스크리닝을 위해 상기 애노드(20)와 상기 물체 홀더(3) 사이에 배치되는 유량 배플(27)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 물체 홀더(3)는 상기 물체(4)를 전기적으로 접촉시키기 위해, 특히 상기 물체(4)의 에지(30)를 전기적으로 접촉시키기 위해 복수의 접촉 포인트(29)를 포함하고, 상기 접촉 포인트(29)는 바람직하게는 상기 물체(4)를 수용하기 위해 제공되는 상기 물체 홀더(3)의 개구의 에지에 걸쳐 등거리로 분포 배치되는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제6항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
월류 웨어(overflow weir)(6)를 가지는 오버플로우 베이신(overflow basin)(5) 및 드레인 파이프(drain pipe)(9)를 포함하고, 특히 상기 드레인 파이프(9)에는 오버플로우 베이신(5)으로부터 상기 전해질(7)을 뽑아내기 위한 홀이 제공되고, 상기 유량 발생기(2a, 2b)는 상기 오버플로우 베이신(5)에 배치되는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제13항에 있어서,
상기 오버플로우 베이신(5) 중 적어도 일부가 배치되는 보유 베이신(retention basin);
상기 보유 베이신(8) 밖으로 상기 전해질(7)을 펌핑할 뿐 아니라, 상기 보유 베이신(8) 밖으로 펌핑된 상기 전해질(7)을 상기 유량 발생기(2a, 2b)의 상기 전해질 공급 장치(12)에 전달하기 위해 상기 보유 베이신(8)에 연결된 제 1 펌프(21); 및
상기 드레인 파이프(9) 밖으로 상기 전해질(7)을 펌핑할 뿐 아니라, 상기 드레인 파이프(9) 밖으로 펌핑된 상기 전해질(7)을 상기 보유 베이신(8) 내로 전달하기 위해 상기 드레인 파이프(9)에 연결된 제 2 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
제6항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
바람직하게는 상기 유량 발생기(2a, 2b)와 동일한 구성으로 설계되는 추가적인 유량 발생기(2a, 2b)를 포함하고, 상기 물체 홀더(3)는 상기 2개의 유량 발생기(2a, 2b) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 증착 디바이스.
전해질(7)이 물체(4)의 표면(28)에 발생되는, 물체(4)의 표면(28) 상에 재료를 증착하기 위한 방법.
제16항에 있어서,
상기 전해질(7)의 유량(31)은 상기 물체(4)의 상기 표면(28)의 표면 법선(surface normal)에 평행하게 또는 본질적으로 평행하게 향해지도록 영향받는 것을 특징으로 하는, 방법.
제17항에 있어서,
상기 전해질(7)은 상기 전해질(7)의 유량(31)에 의해 상기 물체(4)의 표면(28)에 발생되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 물체(4)의 표면(28)으로의 상기 전해질(7)의 유량(31)이 상기 물체(4)로부터의 표면(28)을 따라, 바람직하게는 상기 물체(4)의 표면(28)에 평행하게 또는 본질적으로 평행하게 전환되고 가이드되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전해질(7)의 유량(31)의 일부는 상방으로 전환되고, 상방으로 향해진 부분적 유량(32a)을 형성하고, 상기 전해질(7)의 유량(31)의 추가적인 부분이 하방으로 전환되고 하방으로 향해지는 부분적 유량(32b)을 형성하고, 상기 하방으로 향해진 부분적 유량(32b)의 체적 유량 속도는 하방으로 향해지는 상기 부분적 유량(32b)의 체적 유량 속도가 상기 상방으로 향해지는 부분적 유량(32b)의 체적 유량 속도와 동일하거나 본질적으로 동일한 것을 특징으로 하는, 방법.
제16항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 물체(4)로 향해지는 전해질 유량(31)은 전방 측 뿐 아니라 후방 측 둘 다에서 상기 물체(4) 상에 흐르고, 상기 전방-측 전해질 유량(31) 및 상기 후방-측 전해질 유량(31)의 체적 유량 속도는 상기 2개의 체적 유량 속도가 동일하거나 본질적으로 동일하도록 조정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제16항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 금속 층, 특히 구리, 니켈, 금, 은 및/또는 주석의 층이 상기 물체(4) 상에 증착되는 갈바닉 코팅 방법인 것을 특징으로 하는, 방법.