KR101398437B1 - 기판 도금 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며, 내측 상부에는 도금 대상물인 기판을 파지하는 척(chuck)이 승강 가능하게 배치되고 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 배치되는 프로세스 챔버; 및 프로세스 챔버 내에서 타겟부의 상부에 배치되는 디퓨져몸체와, 플러스 금속 이온을 이동시키는 전해액의 흐름을 조절하도록 디퓨져몸체에 관통 형성되는 복수 개의 관통홀과, 디퓨져몸체의 하단부에 형성되어 전해액이 관통홀을 통과할 때 전해액에 함유된 버블(bubble)을 외측으로 유도하여 배출하도록 하는 버블 유도부를 구비하는 디퓨져;를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 기판으로 플러스 금속 이온을 이송시키는 전해액이 디퓨져를 통과할 때 버블 유도부에 의해서 전해액으로부터 버블을 제거할 수 있어 디퓨져를 통한 전해액의 흐름을 원활하게 할 수 있으며 이를 통해 기판 도금의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

기판 도금 장치{Apparatus to Plate Substrate}

기판 도금 장치가 개시된다. 보다 상세하게는, 기판으로 플러스 금속 이온을 이송시키는 전해액이 디퓨져를 통과할 때 버블 유도부에 의해서 전해액으로부터 버블을 제거할 수 있어 디퓨져를 통한 전해액의 흐름을 원활하게 할 수 있는 기판 도금 장치가 개시된다.

일반적으로 반도체 소자를 구성하는 실리콘 기판(silicon wafer) 상에 금속 배선을 형성하기 위해, 기판의 전면에 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이때, 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리 등에 의해 형성된다.

이 중, 구리로 형성되는 금속막은 알루미늄으로 형성되는 금속막에 비해 녹는점이 높기 때문에 전기 이동도에 대한 큰 저항력을 가질 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비저항이 낮아 신호 전달 속도를 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 따라서 구리로 형성되는 금속막이 주로 채택되고 있는 실정이다.

기판 상에 금속막을 패터닝하기 위해서는, 물리기상증착방법(PVD, physical vapor deposition) 또는 화학기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition) 등과 같은 증착 방법에 비해 전기 이동도에 대한 내성이 우수하고 제조 비용이 상대적으로 저렴한 전기도금 방법이 선호된다.

이러한 전기도금 방법이 적용되는 종래의 기판 도금 장치의 구성에 대해 개략적으로 설명하면, 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되는 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버의 내측 하부에 배치되어 양극 전압이 인가되는 경우 플러스(plus) 금속 이온, 예를 들면 구리 이온(Cu^{2 +})을 배출하는 타겟부와, 프로세스 챔버의 내측 상부에 배치되며 기판을 파지한 상태로 승강 가능한 척(chuck)과, 타겟부에 양극 전압을 인가하고 기판에 음극 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함한다.

이러한 구성의 종래의 기판 도금 장치에 있어서, 일반적으로 전기도금에서 양질의 금속 석출물을 얻기 위해 프로세스 챔버 내의 전해액 내에서 교반이 이루어지는데, 예를 들면 에어(air) 교반, 음극 진동에 의한 교반, 초음파 교반 등이 적용될 수 있다. 전기도금에서의 교반은 도금면의 평활성, 광택을 향상시키고 농도 분극을 해소하여 도금 효율을 높이며, 음극 부근에 접합하는 가스의 피막을 제거하여 피트 발생을 줄이고 금속 이온의 활동을 활발히 함으로써 고전류밀도에서 우수한 도금면을 얻을 수 있다.

한편, 종래의 기판 도금 장치는, 기판의 도금 효율을 향상시키기 위해, 다수의 홀들이 규칙적으로 형성된 원판 형상을 가지며 프로세스 챔버 내에서 타겟부와 기판 사이에 배치되는 디퓨져를 더 포함할 수 있다.

이러한 디퓨져는 전해액의 흐름을 조절함으로써 전기도금에 의해 기판에 금속막을 증착시킬 때 균일한 전해액을 공급하여 국부적으로 발생되는 금속 이온의 농도 차이를 줄이고 따라서 도금막의 품질을 향상시키는 역할을 한다.

그러나, 이러한 종래의 디퓨져의 경우, 전해액이 프로세스 챔버 내에 유입되어 디퓨져에 형성된 홀을 통과할 때 전해액에 함유 가능한 버블(bubble)이 디퓨져의 홀 내 또는 입구 영역에 정체됨으로써 전해액의 유동이 원활하게 이루어지지 않을 수 있고 따라서 기판의 도금 균일도가 저하될 수 있어 석출된 도금면의 품질이 저하될 우려가 있다.

본 발명의 실시예에 따른 목적은, 기판으로 플러스 금속 이온을 이송시키는 전해액이 디퓨져를 통과할 때 버블 유도부에 의해서 전해액으로부터 버블을 제거할 수 있어 디퓨져를 통한 전해액의 흐름을 원활하게 할 수 있는 기판 도금 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 다른 목적은, 디퓨져를 통해 전해액이 기판으로 원활하게 전달됨으로써 기판의 전 영역에 대한 도금을 신뢰성 있게 실행할 수 있는 기판 도금 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며, 내측 상부에는 도금 대상물인 기판을 파지하는 척(chuck)이 승강 가능하게 배치되고 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 배치되는 프로세스 챔버; 및 상기 프로세스 챔버 내에서 상기 타겟부의 상부에 배치되는 디퓨져몸체와, 상기 플러스 금속 이온을 이동시키는 상기 전해액의 흐름을 조절하도록 상기 디퓨져몸체에 관통 형성되는 복수 개의 관통홀과, 상기 디퓨져몸체의 하단부에 형성되어 상기 전해액이 상기 관통홀을 통과할 때 상기 전해액에 함유된 버블(bubble)을 외측으로 유도하여 배출하도록 하는 버블 유도부를 구비하는 디퓨져;를 포함할 수 있으며, 이러한 구성에 의해서, 기판으로 플러스 금속 이온을 이송시키는 전해액이 디퓨져를 통과할 때 버블 유도부에 의해서 전해액으로부터 버블을 제거할 수 있어 디퓨져를 통한 전해액의 흐름을 원활하게 할 수 있으며 이를 통해 기판 도금의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

일측에 의하면, 상기 복수 개의 관통홀은 상기 디퓨져몸체에서 규칙적인 행렬을 이루도록 형성되고, 상기 버블 유도부는, 상기 복수 개의 관통홀의 사이에서 라인 형상으로 함몰 형성되는 복수 개의 버블 유도 라인을 구비할 수 있다.

일측에 의하면, 상기 디퓨져몸체에 대한 상기 버블 유도 라인의 함몰 정도는, 상기 디퓨져몸체의 중앙에서 외측 방향으로 갈수록 깊어질 수 있다.

일측에 의하면, 상기 디퓨져는, 상기 버블 유도 라인의 외측부가 위치하는 상기 디퓨져몸체에 관통 형성되어, 상기 외측부로 모아지는 상기 버블을 제거하는 제거홀을 더 포함할 수 있다.

일측에 의하면, 상기 디퓨져는, 상기 제거홀에 착탈 가능하게 결합되어, 상기 제거홀을 선택적으로 차단하거나 개방하는 차단부를 더 포함할 수 있다.

일측에 의하면, 상기 차단부는 볼트 구조를 갖고, 상기 제거홀은 너트 구조를 가질 수 있다.

일측에 의하면, 상기 디퓨져는 친수성 고분자 물질 또는 표면개질이 된 소수성 고분자 물질로 마련될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 기판으로 플러스 금속 이온을 이송시키는 전해액이 디퓨져를 통과할 때 버블 유도부에 의해서 전해액으로부터 버블을 제거할 수 있어 디퓨져를 통한 전해액의 흐름을 원활하게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 디퓨져를 통해 전해액이 기판으로 원활하게 전달됨으로써 기판의 전 영역에 대한 도금을 신뢰성 있게 실행할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 디퓨져 및 그에 형성된 버블 유도부를 설명하기 위해 부분적으로 확대한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 버블 유도 라인의 경사 구조를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 버블 유도 라인을 통해 버블이 유도되는 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.

한편, 이하에서는 기판을 실리콘 재질의 웨이퍼로 설명할 것이나 기판의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이가 될 수 있음은 자명하다. 또한 기판의 형상 및 크기가 도면 또는 설명 내용에 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등과 같은 다양한 형상 및 크기로 기판이 제작될 수 있음은 당연하다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 디퓨져 및 그에 형성된 버블 유도부를 설명하기 위해 부분적으로 확대한 도면이며, 도 3은 도 2에 도시된 버블 유도 라인의 경사 구조를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 버블 유도 라인을 통해 버블이 유도되는 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 전해액(103)이 수용되며 내측 상부에는 도금 대상물인 기판(W)을 파지하는 척(125, chuck)이 승강 가능하게 배치되고 내측 하부에는 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부(120)가 배치되는 프로세스 챔버(110)와, 기판(W) 및 타겟부(120)로 전압을 인가하는 전압 인가부(140)와, 프로세스 챔버(110) 내에서 타겟부(120)의 상부에 배치되어 플러스 금속 이온을 이동시키는 전해액(103)의 흐름을 조절하는 디퓨져(150)를 포함할 수 있다.

또한, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 프로세스 챔버(110) 내에 마련되어 전해액)103) 상에서 금속 이온을 여과시키는 여과부(130)를 더 포함할 수 있다.

각각의 구성에 대해 설명하면, 먼저 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는, 상호 착탈 가능하게 조립될 수 있는 이너 챔버(111, inner chamber) 및 아우터 챔버(115, outer chamber)를 구비할 수 있다. 본 실시예의 이너 챔버(111)에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 전해액(103)이 상단부까지 채워지며 하단부에는 타겟부(120) 및 그를 감싸는 여과부(130)가 장착되고 그 상부에는 후술할 디퓨져(150)가 장착된다.

이러한 이너 챔버(111)는 아우터 챔버(115)의 내측에 착탈 가능하게 결합되며, 이러한 결합 구조에 의해 외부 환경으로부터 보호받을 수 있다. 다만, 프로세스 챔버(110)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 이너 챔버(111) 및 아우터 챔버(115)가 일체로 형성될 수 있음은 당연하다.

프로세스 챔버(110)의 내측 상부에는 기판(W)을 파지하는 척(125)이 승강 가능하게 배치된다. 척(125)은 도금될 기판(W)의 일면이 하방을 향하도록 기판(W)의 테두리 부분을 파지하며, 이러한 척(125)의 하강 동작에 의해 기판(W)이 전해액(103)에 침지될 때, 전압 인가부(140)로부터 전압이 인가되어 기판(W)에 대한 도금 공정이 실행될 수 있다.

전압 인가부(140)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(W)에 음극 전압을 인가하고 후술할 타겟부(120)에 양극 전압을 인가하는 부분으로서, 이러한 전압 인가부(140)로부터 전압이 인가되는 경우 타겟부(120)로부터 발생된 플러스 금속 이온이 전해액(103)을 통해 기판(W) 방향으로 이동함으로써 기판(W)에 대한 도금 공정이 실행될 수 있다.

한편, 본 실시예의 타겟부(120)는 양극(anode)을 형성하는 부분으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 전해액(103)에 완전히 침지되며 전압 인가부(140)로부터 양극 전압이 인가되는 경우 산화 반응에 의해 플러스 금속 이온, 즉 본 실시예의 금속 이온(Cu^{2 +})을 발생시킬 수 있다.

본 실시예에서 타겟부(120)의 상면은 불규칙하게 마련될 수 있다. 이는 타겟부(120)에 양극 전압이 인가될 경우 많은 양의 구리 이온(Cu^{2 +})이 발생될 수 있도록, 타겟부(120)의 상면의 실질적인 면적을 확대하기 위함이다.

이와 같이, 타겟부(120)로부터 구리 이온(Cu^{2 +})이 발생되면, 발생된 구리 이온(Cu^{2 +})을 도금 대상물인 기판(W)으로 이동시켜야 한다. 이러한 역할은 전술한 바와 같이 이너 챔버(111) 내에서 일정선까지 수용되는 전해액(103)에 의해서 이루어진다. 따라서 전해액(103)은 구리 이온(Cu^{2 +})을 전도하기에 적합한 황산구리 용액으로 적용된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 전해액(103)이 적용될 수 있음은 물론이다.

본 실시예의 여과부(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 이너 챔버(111)의 내측에 마련되어 전해액(103)을 통해 이동하는 구리 이온(Cu^{2 +})을 여과한다. 이러한 여과부(130)는 타겟부(120)의 상부에서 타겟부(120)와 실질적으로 평행하게 마련되며 1 내지 10 마이크로미터(μm)의 직경을 갖는 여과공(미도시)이 규칙적으로 관통 형성된 멤브레인 필터(membrane filter)로 마련될 수 있다.

한편, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 도시하지는 않았지만 전해액 공급부(미도시)와 연결되어 이너 챔버(111)의 내부로 전해액(103)을 공급할 뿐만 아니라 전해액(103)의 흐름을 형성시키는 전해액 공급라인(미도시)을 더 포함할 수 있다.

이러한 전해액 공급라인을 통해 타겟부(120)로부터 기판(W)으로 전달되는 구리 이온(Cu^{2 +})의 움직임을 활성화시킬 수 있다.

한편, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 전해액(103)의 흐름을 원활하게 함으로써 기판의 도금 균일도를 향상시킬 수 있는 디퓨져(150)를 더 포함함 수 있다.

전술한 것처럼, 종래에도 기판 도금 장치에 디퓨져가 구비되는 경우가 있었으나, 종래의 경우 디퓨져에 형성된 홀을 통해 구리 이온을 포함한 전해액이 통과할 때 전해액에 포함되는 버블이 홀 내부로 이동하지 못하고 홀의 입구에서 정체됨으로써 전해액의 이동을 방해하고, 이로 인해 기판 도금 공정이 제대로 이루어지지 않는 문제점 있었다.

이에, 본 실시예의 디퓨져(150)는, 이러한 문제를 해결하기 위해, 버블(B, 도 4 참조)을 별도로 유도하여 버블(B)을 제거하는 버블 유도부(160)를 포함한다. 이하에서는, 이러한 구성의 디퓨져(160)에 대해 상세히 설명하기로 한다.

본 실시예의 디퓨져(160)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 디퓨져몸체(151)와, 구리 이온(Cu^{2 +})을 이동시키는 전해액(103)의 흐름을 조절하도록 디퓨져몸체(151)의 두께 방향으로 관통 형성되는 복수 개의 관통홀(155)과, 디퓨져몸체(151)의 하단부에 형성되어 전해액(103)이 관통홀(155)을 통과할 때 전해액(103)에 함유된 버블(B)을 외측으로 유도하여 배출하도록 하는 버블 유도부(160)를 포함할 수 있다.

각각의 구성에 대해 설명하면, 먼저, 디퓨져몸체(151)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 원형의 플레이트 형상을 가지며 외측 부분을 제외한 전 영역에 걸쳐 관통홀(155)들이 규칙적으로 관통 형성되고, 하단부에는 버블(B)을 유도하는 버블 유도부(160)가 형성된다.

이러한 디퓨져몸체(151)는, 도 1에는 개략적으로 도시되어 있지만, 볼트(미도시)와 같은 연결 수단에 의해서 프로세스 챔버(110)에 착탈 가능하게 결합될 수 있으며, 필요에 따라 프로세스 챔버(110)로부터 분리하여 유지보수 등의 작업을 한 후 다시 프로세스 챔버(110)에 결합시킬 수 있다.

디퓨져몸체(151)는, 친수성 고분자 물질 또는 표면개질이 된 소수성 고분자 물질로 마련될 수 있으며, 따라서 구리 이온(Cu^{2 +})이 함유된 전해액(103)의 흐름을 원활하게 할 수 있어 기판(W) 도금의 균일도를 향상시킬 수 있다. 다만, 디퓨져몸체(151)의 재질이 이에 한정되지는 않는다.

한편, 본 실시예의 복수 개의 관통홀(155)은, 디퓨져몸체(151)의 두께 방향을 따라 관통 형성되어 구리 이온(Cu^{2 +})이 함유된 전해액(103)을 기판으로 전달하는 역할을 한다.

이러한 관통홀(155)들은, 도 2에 도시된 것처럼, 디퓨져몸체(151)에서 일방향 및 그의 직교 방향을 갖도록, 즉 규칙적인 행렬을 이루도록 형성된다. 따라서, 관통홀(155)들을 통해 전해액(103)이 균일하게 통과할 수 있으며 따라서 기판(W)에 대한 도금 균일도를 유지할 수 있다.

다만, 전술한 것처럼, 전해액(103)에는 전해액(103)이 공급 탱크(미도시)에 있을 때부터, 또는 전해액(103)의 이송 과정에서 전해액(103)에 버블(B)이 발생될 수 있는데, 이러한 버블(B)이 함유된 전해액(103)이 관통홀(155)을 통과할 때 버블(B)이 관통홀(155)을 통과하는 것이 아니라 관통홀(155)의 입구에 머무를 수 있다. 이에, 일부의 관통홀(155)들의 막힘 현상이 발생될 우려가 있다.

따라서, 디퓨져몸체(151)에는 버블 유도부(160)가 구비되며, 이러한 버블 유도부(160)가 전해액(103)에 함유된 버블(B)을 외측으로 유도한 후 버블(B)만을 제거할 수 있다.

도 2의 확대 도면을 참조하면, 본 실시예의 버블 유도부(160)는, 관통홀(155)들의 사이사이에서 일방향 및 그의 직교 방향을 따라 라인 형상으로 함몰 형성되는 복수 개의 버블 유도 라인(161)을 구비할 수 있다.

이러한 버블 유도 라인(161)에는 관통홀(155)들 각각의 입구로 유입되는 전해액(103)으로부터 버블(B)만이 모아지고, 모아진 버블(B)은 버블 유도 라인(161)을 따라 외측 방향으로 이동(유도)됨으로써 관통홀(155)에 버블(B)이 정체되는 것을 방지할 수 있다.

이 때, 버블(B)이 디퓨져몸체(151)의 하단부에 형성된 버블 유도 라인(161)에서, 중앙으로부터 외측 방향으로 이동할 수 있도록 하기 위해 도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 버블 유도 라인(161)의 함몰 정도는 다르게 형성된다.

즉, 디퓨져몸체(151)에 대한 버블 유도 라인(161)의 함몰 정도는 디퓨져몸체(151)의 중앙에서 외측 방향으로 갈수록 깊어진다.

전술한 것처럼, 기판 도금 장치(100)의 프로세스 챔버(110) 내에서 전해액(103)은 상방으로 이동하는데, 버블 유도 라인(161)에 머무는 버블(B) 역시 이러한 상방으로의 흐름을 받기 때문에, 도 4에 개략적으로 도시한 것처럼, 버블 유도 라인(161)이 경사지게 형성되는 경우 버블(B)이 외측으로 모아질 수 있다.

한편, 전술한 버블 유도 라인(161)의 구조에 의해 버블(B)은 버블 유도 라인(161)의 외측에 모아지는데, 이렇게 모아진 버블(B)을 제거할 필요가 있다. 이에, 본 실시예의 디퓨져(150)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 버블 유도 라인(161)의 외측부가 위치하는 디퓨져몸체(151)에서 관통 형성되어 버블(B)을 제거할 수 있도록 하는 제거홀(170)과, 제거홀(170)을 선택적으로 차단하거나 개방하는 차단부(175)를 더 포함할 수 있다.

본 실시예의 제거홀(170)은, 디퓨져몸체(151)의 두께 방향으로 관통 형성되며, 제거홀(170)이 개방되는 경우 제거홀(170)을 통해 버블(B)을 제거할 수 있다. 즉, 버블 유도 라인(161)에 외측부에 모아진 버블(B)이 제거홀(170)을 통해 제거될 수 있는 것이다.

이처럼, 제거홀(170)로부터 버블(B)을 제거한 후 차단부(175)를 제거홀(170)에 결합함으로써 다시 버블 유도 라인(161)을 통해 버블(B)을 모을 수 있다. 여기서, 차단부(175)는 볼트 구조를 가질 수 있고, 제거홀(170)은 너트 구조를 가질 수 있으며, 이에 따라 제거홀(170)에 차단부(175)의 착탈 결합이 용이하게 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)으로 구리 이온(Cu^{2 +})을 이송시키는 전해액(103)이 디퓨져(150)를 통과할 때 버블 유도부(160)에 의해서 전해액(103)으로부터 버블(B)을 제거할 수 있어 디퓨져(150)를 통한 전해액(103)의 흐름을 원활하게 할 수 있으며 이를 통해 기판(W) 도금의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

100 : 기판 도금 장치 110 : 프로세스 챔버
120 : 타겟부 130 : 여과부
140 : 전압 인가부 150 : 디퓨져
151 : 디퓨져몸체 155 : 관통홀
160 : 버블 유도부 161 : 버블 유도 라인
170 : 제거홀 175 : 차단부

Claims (7)

1. 전해액이 수용되며, 내측 상부에는 도금 대상물인 기판을 파지하는 척(chuck)이 승강 가능하게 배치되고 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 배치되는 프로세스 챔버; 및
   상기 프로세스 챔버 내에서 상기 타겟부의 상부에 배치되는 디퓨져몸체와, 상기 플러스 금속 이온을 이동시키는 상기 전해액의 흐름을 조절하도록 상기 디퓨져몸체에 관통 형성되는 복수 개의 관통홀과, 상기 디퓨져몸체의 하단부에 형성되어 상기 전해액이 상기 관통홀을 통과할 때 상기 전해액에 함유된 버블(bubble)을 외측으로 유도하여 배출하도록 하는 버블 유도부를 구비하는 디퓨져;
   를 포함하고,
   상기 버블 유도부는, 상기 복수 개의 관통홀의 사이에서 라인 형상으로 함몰 형성되는 복수 개의 버블 유도 라인을 구비하며,
   상기 디퓨져몸체에 대한 상기 버블 유도 라인의 함몰 정도는, 상기 디퓨져몸체의 중앙에서 외측 방향으로 갈수록 깊어지는 기판 도금 장치.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 복수 개의 관통홀은 상기 디퓨져몸체에서 규칙적인 행렬을 이루도록 형성되는 기판 도금 장치.
   
3. 삭제
4. 제2항에 있어서,
   상기 디퓨져는,
   상기 버블 유도 라인의 외측부가 위치하는 상기 디퓨져몸체에 관통 형성되어, 상기 외측부로 모아지는 상기 버블을 제거하는 제거홀을 더 포함하는 기판 도금 장치.
   
5. 제4항에 있어서,
   상기 디퓨져는,
   상기 제거홀에 착탈 가능하게 결합되어, 상기 제거홀을 선택적으로 차단하거나 개방하는 차단부를 더 포함하는 기판 도금 장치.
   
6. 제5항에 있어서,
   상기 차단부는 볼트 구조를 갖고, 상기 제거홀은 너트 구조를 갖는 기판 도금 장치.
   
7. 제1항에 있어서,
   상기 디퓨져는 친수성 고분자 물질 또는 표면개질이 된 소수성 고분자 물질로 마련되는 기판 도금 장치.

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