TW202338929A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202338929A
TW202338929A TW112107830A TW112107830A TW202338929A TW 202338929 A TW202338929 A TW 202338929A TW 112107830 A TW112107830 A TW 112107830A TW 112107830 A TW112107830 A TW 112107830A TW 202338929 A TW202338929 A TW 202338929A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sulfuric acid
path
substrate
hydrogen peroxide
tank
Prior art date
Application number
TW112107830A
Other languages
English (en)
Inventor
東克栄
遠藤亨
竹松佑介
髙木圭将
吉原直彦
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022151295A external-priority patent/JP2023143630A/ja
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202338929A publication Critical patent/TW202338929A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/085—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to flow or pressure of liquid or other fluent material to be discharged
    • B05B12/087—Flow or presssure regulators, i.e. non-electric unitary devices comprising a sensing element, e.g. a piston or a membrane, and a controlling element, e.g. a valve
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0408—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing two or more liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/16—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed
    • B05B7/1606—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed the spraying of the material involving the use of an atomising fluid, e.g. air
    • B05B7/1613—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed the spraying of the material involving the use of an atomising fluid, e.g. air comprising means for heating the atomising fluid before mixing with the material to be sprayed
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00—Control of flow ratio
    • G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置及基板處理方法。基板處理裝置(100)具備罐(50)、包含第1路徑(C1)之路徑(70)、加熱器(61)、過氧化氫溶液供給路徑(C3)及控制部(102)。第1路徑(C1)從罐(50)將硫酸供給至噴嘴(36)。加熱器(61)對第1路徑(C1)之加熱區域(R1)進行加熱。控制部(102)將經加熱器(61)加熱之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴(36)噴出至基板(W)，然後將溫度較上述經加熱之硫酸低之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴(36)噴出至基板(W)。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
先前，於半導體裝置及液晶顯示裝置之類的包含基板之裝置之製造工序中，使用對基板進行處理之基板處理裝置。基板例如為半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板。
專利文獻1中記載有一種基板處理裝置，該基板處理裝置對基板表面供給硫酸過氧化氫溶液混合液，該硫酸過氧化氫溶液混合液係相對於流量為1之170℃以上之硫酸混合流量為0.1～0.35之過氧化氫溶液而生成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-16497號公報
[發明所欲解決之問題]
如專利文獻1記載之基板處理裝置，於將硫酸過氧化氫溶液混合液供給至基板表面之情形時，當硫酸與過氧化氫溶液混合時硫酸與過氧化氫溶液發生反應，而硫酸過氧化氫溶液混合液變為高溫。將該高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液供給至基板而對基板進行處理後，利用過氧化氫溶液沖洗基板上之硫酸過氧化氫溶液混合液。
然，當為了沖洗基板上之高溫硫酸過氧化氫溶液混合液，而停止供給硫酸，僅供給過氧化氫溶液時，殘留於基板上之高溫硫酸過氧化氫溶液混合液與供給之過氧化氫溶液遽烈反應而變為更高溫，基板亦變為高溫。其後，藉由繼續供給過氧化氫溶液，將高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液從基板上去除，並且供給之過氧化氫溶液使基板之溫度急遽地下降。
然而，於該方法中，高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液因過氧化氫溶液而變為更高溫，並且基板之溫度急遽地變化。因此，存在有時會對基板造成基板上之圖案被剝離等損傷之問題點。作為改善該問題點之方法，考慮改變硫酸與過氧化氫溶液之混合比(硫酸之濃度)，但要將混合比調整為所需比需要花費時間。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種能夠抑制對基板造成損傷之基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之基板處理裝置係藉由從噴嘴將處理液供給至基板而對上述基板進行處理。基板處理裝置具備第1罐、包含第1路徑之路徑、第1閥、第1加熱器、過氧化氫溶液供給路徑、過水閥及控制部。上述第1罐貯存硫酸。上述第1路徑係從上述第1罐將上述硫酸供給至上述噴嘴。上述第1閥介插於上述第1路徑。上述第1加熱器對上述第1路徑之加熱區域進行加熱。上述過氧化氫溶液供給路徑係將過氧化氫溶液供給至上述噴嘴。上述過水閥介插於上述過氧化氫溶液供給路徑。上述控制部藉由控制上述第1閥及上述過水閥之打開及關閉，而控制向上述噴嘴供給上述硫酸及上述過氧化氫溶液。上述控制部將經上述第1加熱器加熱之硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板，然後將溫度較上述經加熱之硫酸低之硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板。
本發明之一形態中，上述路徑亦可進而包含不經由上述加熱區域而從上述第1罐將上述硫酸供給至上述噴嘴之第2路徑。上述基板處理裝置亦可進而具備介插於上述第2路徑之第2閥。上述控制部亦可藉由控制上述第1閥、上述第2閥及上述過水閥之打開及關閉，而控制向上述噴嘴供給上述硫酸及上述過氧化氫溶液。通過上述第2路徑之硫酸亦可以較通過上述第1路徑之硫酸低之溫度合流至上述過氧化氫溶液。上述控制部亦可以如下方式控制上述第1閥、上述第2閥及上述過水閥，即，將通過上述第1路徑而被上述第1加熱器加熱之上述硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板，然後將通過上述第2路徑之上述硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板。
本發明之一形態中，基板處理裝置亦可進而具備第1合流部與第2合流部。上述第1合流部亦可配置於上述加熱區域與上述噴嘴之噴出口之間，供上述第1路徑與上述過氧化氫溶液供給路徑合流。上述第2合流部亦可配置於上述加熱區域與上述第1合流部之間，供上述第1路徑與上述第2路徑合流。
本發明之一形態中，上述第1路徑與上述第2路徑亦可相對於上述加熱區域於上述硫酸之流通方向之上游側分支，且相對於上述加熱區域於上述硫酸之流通方向之下游側合流。
本發明之一形態中，亦可藉由上述控制部將上述第1加熱器設為第1輸出，而使通過上述第1路徑之硫酸具有第1溫度。亦可藉由上述控制部將上述第1加熱器設為較上述第1輸出低之第2輸出，而使通過上述第1路徑之硫酸具有較上述第1溫度低之第2溫度。
本發明之一形態中，上述路徑亦可進而包含從上述第1路徑分支且供上述硫酸返回至上述第1罐之循環配管。上述第1加熱器亦可相對於上述第1路徑與上述循環配管分支之分支部配置於上述硫酸之流通方向之上游側。
本發明之一形態中，上述路徑亦可進而包含從上述第1路徑分支且供上述硫酸返回至上述第1罐之循環配管。上述第1加熱器亦可相對於上述第1路徑與上述循環配管分支之分支部配置於上述硫酸之流通方向之下游側。
本發明之一形態中，基板處理裝置亦可進而具備用於將上述第1罐內之硫酸保持在規定溫度之第2加熱器。
本發明之一形態中，基板處理裝置亦可進而具備第2罐與第3加熱器。上述第2罐亦可相對於上述第1罐配置於上述硫酸之流通方向之下游側。上述第3加熱器亦可將上述第2罐內之硫酸保持在較上述第1罐內之硫酸之溫度高之溫度。
本發明之一態樣之基板處理方法係藉由對基板供給處理液而對上述基板進行處理。基板處理方法包括：第1噴出工序，其係將從第1罐供給且通過具有加熱區域之第1路徑而於上述加熱區域被加熱之硫酸、與通過過氧化氫溶液供給路徑之過氧化氫溶液噴出至上述基板；及第2噴出工序，其係於上述第1噴出工序之後，將從上述第1罐供給且溫度較上述經加熱之硫酸低之硫酸、與通過上述過氧化氫溶液供給路徑之過氧化氫溶液噴出至上述基板。
本發明之一形態中，於上述第2噴出工序中，亦可將不經由上述加熱區域而通過第2路徑之硫酸、與上述過氧化氫溶液噴出至上述基板。
本發明之一形態中，上述第1路徑與上述第2路徑亦可相對於上述加熱區域於硫酸之流通方向之上游側分支，且相對於上述加熱區域於上述硫酸之流通方向之下游側合流。
本發明之一形態中，亦可進而包括：第1流通工序，其係於上述第1噴出工序之前，對通過上述第1路徑之硫酸進行加熱使其變為具有第1溫度之硫酸；及第2流通工序，其係於上述第2噴出工序之前，使通過上述第1路徑之硫酸變為具有較上述第1溫度低之第2溫度之硫酸。
本發明之一形態中，亦可將上述第1罐內之硫酸保持在規定溫度。
本發明之一形態中，亦可將相對於上述第1罐配置於上述硫酸之流通方向之下游側之第2罐內之硫酸保持在較上述第1罐內之硫酸之溫度高之溫度。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種能夠抑制對基板造成損傷之基板處理裝置及基板處理方法。
以下，參照圖式對本發明之基板處理方法及基板處理裝置之實施方式進行說明。再者，圖中，對相同或相當之部分標註相同之參考符號，不重複進行說明。再者，於本案說明書中，為了便於理解發明，有時記載相互正交之X軸、Y軸及Z軸。典型而言，X軸及Y軸與水平方向平行，Z軸與鉛直方向平行。
(第1實施方式)  首先，參照圖1對本發明之第1實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖1係本實施方式之基板處理裝置100之模式性俯視圖。
基板處理裝置100對基板W進行處理。基板處理裝置100對基板W進行處理，以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜之至少一部分去除及洗淨中之至少1種。
基板W被用作半導體基板。基板W包含半導體晶圓。例如，基板W為大致圓板狀。此處，基板處理裝置100對基板W逐片進行處理。
如圖1所示，基板處理裝置100具備複數個基板處理單元10、處理液箱110、處理液櫃120、複數個裝載埠LP、移載傳送機器人IR、中心機器人CR及控制裝置101。控制裝置101控制裝載埠LP、移載傳送機器人IR及中心機器人CR。控制裝置101包含控制部102及記憶部104。
裝載埠LP分別將複數片基板W積層來收容。移載傳送機器人IR於裝載埠LP與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR於移載傳送機器人IR與基板處理單元10之間搬送基板W。基板處理單元10分別將處理液噴出至基板W而對基板W進行處理。處理液櫃120收容處理液。
具體而言，複數個基板處理單元10形成有俯視下配置成包圍中心機器人CR之複數個塔TW(圖1中為4個塔TW)。各塔TW包含上下積層之複數個基板處理單元10(圖1中為3個基板處理單元10)。處理液箱110分別對應於複數個塔TW。處理液櫃120內之處理液經由任一個處理液箱110被供給至與處理液箱110對應之塔TW。再者，對於基板處理單元10及處理液櫃120，亦可不僅供給處理液，還供給氣體。
處理液亦可包含所謂之藥液。藥液包含氫氟酸。例如，氫氟酸可加熱至40℃以上70℃以下，亦可加熱至50℃以上60℃以下。但是，亦可不加熱氫氟酸。又，藥液亦可包含水或磷酸。
進而，藥液亦可包含過氧化氫溶液。又，藥液亦可包含硫酸或硫酸過氧化氫溶液混合液。又，藥液亦可包含SC1(氨過氧化氫溶液混合液)、SC2(鹽酸過氧化氫溶液混合液)或王水(濃鹽酸與濃硝酸之混合物)。
或者，處理液亦可包含所謂之沖洗液。例如，沖洗液亦可包含脫離子水(Deionized Water：DIW)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如，10 ppm～100 ppm左右)之鹽酸水、或還原水(富氫水)之任一種。
由處理液櫃120劃分出基板處理裝置100內之特定之空間。基板處理裝置100中，於設置有中心機器人CR及基板處理單元10之區域與設置有處理液櫃120之區域之間配置有交界壁BW。處理液櫃120劃分出基板處理裝置100中之交界壁BW之外側部分之區域之一部分空間。
處理液櫃120利用殼體劃分出基板處理裝置100內之特定之空間。處理液櫃120於殼體內具有供處理液流通之處理液配管。又，典型而言，處理液櫃120具有用於製備處理液之製備槽(罐)。處理液櫃120可具有用於1種處理液之製備槽，亦可具有用於複數種處理液之製備槽。又，處理液櫃120亦可具有用於使處理液流通之泵、噴嘴及/或過濾器。
此處，處理液櫃120具有第1處理液殼體122a與第2處理液殼體122b。再者，圖1中，為了避免圖式過於複雜，示出了第1處理液殼體122a內之處理液經由任一個處理液箱110被供給至與處理液箱110對應之塔TW之流動，而省略第2處理液殼體122b內之處理液之流動。
控制裝置101控制基板處理裝置100之各種動作。控制裝置101包含控制部102及記憶部104。控制部102具有處理器。控制部102例如具有中央處理運算器(Central Processing Unit：CPU)。或者，控制部102亦可具有通用運算器。
記憶部104記憶資料及電腦程式。資料包含製程配方資料(recipe data)。製程配方資料包含表示複數個製程配方之資訊。複數個製程配方分別規定基板W之處理內容及處理順序。
記憶部104包含主記憶裝置與輔助記憶裝置。主記憶裝置例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置例如為半導體記憶體及/或硬碟。記憶部104亦可包含可移媒體。控制部102執行記憶部104記憶之電腦程式，而執行基板處理動作。
其次，參照圖2對本實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元10進行說明。圖2係基板處理裝置100中之基板處理單元10之模式圖。
基板處理單元10具備腔室12與基板保持部20。腔室12收容基板W。基板保持部20保持基板W。
腔室12係具有內部空間之大致箱形。腔室12收容基板W。此處，基板處理裝置100係對基板W逐片進行處理之單片型，腔室12中每次收容1片基板W。基板W收容於腔室12內，於腔室12內進行處理。腔室12中收容有基板保持部20及下述處理液供給部30各自之至少一部分。
基板保持部20保持基板W。基板保持部20以使基板W之上表面(正面)Wa朝向上方，使基板W之背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式將基板W水平地保持。又，基板保持部20於保持著基板W之狀態下使基板W旋轉。基板保持部20保持著基板W使基板W旋轉。
例如，基板保持部20亦可為夾持基板W之端部之夾持式。或者，基板保持部20亦可具有將基板W從背面Wb保持之任意機構。例如，基板保持部20亦可為真空式。於該情形時，基板保持部20藉由使作為非裝置形成面之基板W之背面Wb之中央部吸附於上表面而將基板W水平地保持。或者，基板保持部20亦可組合使複數個夾盤銷接觸基板W之周端面之夾持式與真空式。
例如，基板保持部20包含旋轉基座21、夾盤構件22、軸23、電動馬達24及殼體25。夾盤構件22設置於旋轉基座21。夾盤構件22夾緊基板W。典型而言，於旋轉基座21設置有複數個夾盤構件22。
軸23為中空軸。軸23沿著旋轉軸Ax於鉛直方向延伸。於軸23之上端結合有旋轉基座21。基板W載置於旋轉基座21之上方。
旋轉基座21為圓板狀，將基板W水平地支持。軸23從旋轉基座21之中央部向下方延伸。電動馬達24對軸23賦予旋轉力。電動馬達24藉由使軸23沿旋轉方向旋轉，而使基板W及旋轉基座21以旋轉軸Ax為中心旋轉。殼體25包圍軸23及電動馬達24。
基板處理裝置100進而具備處理液供給部30。處理液供給部30將處理液供給至基板W。典型而言，處理液供給部30將處理液供給至基板W之上表面Wa。
處理液供給部30包含配管40、閥34、噴嘴36及後述加熱器60(參照圖3)。噴嘴36將處理液噴出至基板W之上表面Wa。噴嘴36例如可將處理液噴出至基板W之中央部，亦可將處理液噴出至基板W之中央部與周緣部之間之區域。噴嘴36具有噴出口36a(參照圖3)，從噴出口36a噴出處理液。噴嘴36連接於配管40。從供給源將處理液供給至配管40。閥34將配管40內之流路打開及關閉。噴嘴36較佳為構成為能夠相對於基板W移動。噴嘴36能夠隨著由控制部102控制之移動機構於水平方向及/或鉛直方向移動。再者，本說明書中，應注意為了避免圖式過於複雜而省略了移動機構。
閥34調節配管40之開度，而調整供給至配管40之處理液之流量。具體而言，閥34包含內部設置有閥座之閥本體(未圖示)、將閥座打開及關閉之閥體、及使閥體於打開位置與關閉位置之間移動之致動器(未圖示)。
基板處理裝置100進而具備承杯80。承杯80回收從基板W飛散之處理液。承杯80可升降。例如，承杯80於處理液供給部30將處理液供給至基板W之期間向鉛直上方上升至基板W之側方。於該情形時，承杯80回收因基板W旋轉而從基板W飛散之處理液。又，承杯80於處理液供給部30將處理液供給至基板W之期間結束後，從基板W之側方朝鉛直下方下降。
如上所述，控制裝置101包含控制部102及記憶部104。控制部102控制基板保持部20、處理液供給部30及/或承杯80。作為一例，控制部102控制電動馬達24及閥34。
本實施方式之基板處理裝置100能適宜地用於製造設置有半導體之半導體元件。典型而言，於半導體元件中，在基材之上積層有導電層及絕緣層。基板處理裝置100於製造半導體元件時，能適宜地用於導電層及/或絕緣層之洗淨及/或加工(例如，蝕刻、特性變化等)。又，基板處理裝置100能適宜地用於絕緣層(例如，抗蝕劑層)之去除。
再者，於圖2所示之基板處理單元10中，處理液供給部30能夠將1種處理液供給至基板W，但處理液供給部30亦可能夠將複數種處理液供給至基板W。例如，處理液供給部30亦可包含配管40、閥34及噴嘴36各複數個。
其次，參照圖1～圖3對本實施方式之基板處理裝置100之處理液供給部30詳細地進行說明。圖3係本實施方式之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖3所示，處理液供給部30包含罐50、路徑70、過氧化氫溶液供給路徑C3及作為上述加熱器60之加熱器61。罐50貯存硫酸。路徑70係從罐50將硫酸供給至噴嘴36之路徑。本實施方式中，路徑70包含第1路徑C1與第2路徑C2。再者，罐50係本發明之「第1罐」之一例。又，加熱器61係本發明之「第1加熱器」之一例。
第1路徑C1係從罐50將硫酸供給至噴嘴36之路徑。加熱器61對第1路徑C1之加熱區域R1進行加熱。因此，通過加熱區域R1之硫酸之溫度上升。例如，通過加熱區域R1之硫酸達到170℃～190℃以上。再者，亦可將除加熱器61以外之加熱器配置於第1路徑C1，但加熱器61係配置於第1路徑C1之硫酸之流通方向之最下游之加熱器。
第2路徑C2係不經由加熱區域R1而從罐50將硫酸供給至噴嘴36之路徑。再者，本實施方式中，於第2路徑C2未配置加熱器。通過第2路徑C2之硫酸與通過第1路徑C1而被加熱之硫酸相比溫度較低。
過氧化氫溶液供給路徑C3係將過氧化氫溶液供給至噴嘴36之路徑。過氧化氫溶液供給路徑C3例如係從未圖示之過氧化氫溶液罐將過氧化氫溶液供給至噴嘴36之路徑。再者，於過氧化氫溶液供給路徑C3未配置加熱器，通過過氧化氫溶液供給路徑C3之過氧化氫溶液為室溫(例如25℃)。
處理液供給部30包含作為上述配管40之第1配管41、第2配管42及第3配管43。本實施方式中，第1路徑C1包含第1配管41，第2路徑C2包含第2配管42，過氧化氫溶液供給路徑C3包含第3配管43。
又，處理液供給部30包含作為上述閥34之第1閥34a、第2閥34b及過水閥34c。第1閥34a介插於第1路徑C1，將第1路徑C1之流路打開及關閉。第2閥34b介插於第2路徑C2，將第2路徑C2之流路打開及關閉。過水閥34c介插於過氧化氫溶液供給路徑C3，將過氧化氫溶液供給路徑C3之流路打開及關閉。
本實施方式中，通過第1路徑C1之硫酸與通過過氧化氫溶液供給路徑C3之過氧化氫溶液於第1合流部P1處合流。第1合流部P1配置於加熱區域R1與噴嘴36之噴出口36a之間，係第1路徑C1與過氧化氫溶液供給路徑C3合流之部分。本實施方式中，第1合流部P1例如配置於噴嘴36內。
例如，通過第1路徑C1之硫酸與過氧化氫溶液之混合比設定為以體積比計硫酸：過氧化氫溶液相對於8：2使硫酸之濃度變大。又，通過第1路徑C1之硫酸與過氧化氫溶液之混合比設定為以體積比計硫酸：過氧化氫溶液例如為8.5～9.5：1.5～0.5。合流之硫酸與過氧化氫溶液相互反應而成為高溫(例如200℃以上)之過氧化氫溶液混合液。
又，通過第2路徑C2之硫酸與通過過氧化氫溶液供給路徑C3之過氧化氫溶液例如於噴嘴36內合流。通過第2路徑C2之硫酸以較通過第1路徑C1之硫酸低之溫度合流至過氧化氫溶液。因此，雖然合流之硫酸與過氧化氫溶液相互反應，但成為相對低溫之過氧化氫溶液混合液。再者，通過第2路徑C2之硫酸之流量(每單位時間流過之量)並無特別限定，本實施方式中，與通過第1路徑C1之硫酸之流量大致相同。
控制部102以如下方式控制第1閥34a、第2閥34b及過水閥34c，即，將通過第1路徑C1之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴36噴出至基板W，然後將通過第2路徑C2之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴36噴出至基板W。因此，當為了利用過氧化氫溶液沖洗基板W上之硫酸過氧化氫溶液混合液而停止供給硫酸時，能夠抑制高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液變為更高溫，並且能夠抑制基板W之溫度急遽地變化。因此，能夠抑制對基板W造成基板W上之圖案剝離等損傷。
詳細而言，通過第1路徑C1之硫酸與過氧化氫溶液混合後，合流之硫酸與過氧化氫溶液相互反應而變為高溫(例如200℃以上)之硫酸過氧化氫溶液混合液。將該高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液噴出至基板W後，若停止供給硫酸，則於基板W上高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液與過氧化氫溶液合流。此時，殘留於基板W上之硫酸過氧化氫溶液混合液為高溫，因此與過氧化氫溶液遽烈反應而變為更高溫，基板W亦變為高溫。其後，藉由進而將過氧化氫溶液供給至基板W上，而將硫酸過氧化氫溶液混合液從基板W去除，並且供給之過氧化氫溶液使基板W之溫度急遽下降。
另一方面，本實施方式中，將通過第1路徑C1之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴36噴出至基板W，然後將通過第2路徑C2之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴36噴出至基板W。通過第2路徑C2之硫酸以較通過第1路徑C1之硫酸低之溫度合流至過氧化氫溶液。因此，雖然合流之硫酸與過氧化氫溶液相互反應，但成為相對低溫之過氧化氫溶液混合液。將該相對低溫之硫酸過氧化氫溶液混合液噴出至基板W後，若停止供給硫酸，則於基板W上相對低溫之硫酸過氧化氫溶液混合液與過氧化氫溶液合流。此時，殘留於基板W上之硫酸過氧化氫溶液混合液為相對低溫，因此能抑制與過氧化氫溶液遽烈反應。因此，能夠抑制硫酸過氧化氫溶液混合液變為高溫，並且亦能抑制基板W之溫度上升。其後，藉由進一步將過氧化氫溶液供給至基板W上，而將硫酸過氧化氫溶液混合液從基板W去除，並且供給之過氧化氫溶液使基板W之溫度相對緩慢地下降。
又，本實施方式中，由於無需將硫酸與過氧化氫溶液之混合比調整為所需比以抑制對基板W造成之損傷，故與將混合比調整為所需比之方法相比，能夠縮短時間。
又，本實施方式中，藉由設置不經由加熱區域R1而從罐50將硫酸供給至噴嘴36之第2路徑C2，能夠將溫度較通過第1路徑C1而被加熱之硫酸低之硫酸與過氧化氫溶液容易地混合。
其次，參照圖1～圖4對本實施方式之基板處理裝置100進行說明。圖4係基板處理裝置100之方塊圖。
如圖4所示，控制裝置101控制基板處理裝置100之各種動作。控制裝置101控制移載傳送機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20及處理液供給部30。具體而言，控制裝置101藉由將控制信號發送至移載傳送機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20及處理液供給部30，而控制移載傳送機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20及處理液供給部30。
具體而言，控制部102控制移載傳送機器人IR，利用移載傳送機器人IR來交接基板W。
控制部102控制中心機器人CR，利用中心機器人CR來交接基板W。例如，中心機器人CR接收未處理之基板W，將基板W搬入至基板處理單元10中之任一個。又，中心機器人CR從基板處理單元10接收處理過之基板W並將基板W搬出。
控制部102控制基板保持部20，而控制基板W之旋轉開始、旋轉速度之變更及基板W之旋轉停止。例如，控制部102能夠控制基板保持部20，而變更基板保持部20之轉速。具體而言，控制部102能夠藉由變更基板保持部20之電動馬達24之轉速，而變更基板W之轉速。
控制部102能夠控制處理液供給部30之閥34，而將閥34之狀態從打開狀態切換為關閉狀態。具體而言，控制部102能夠藉由控制處理液供給部30之閥34，將閥34設為打開狀態，而使於配管40內朝向噴嘴36流動之處理液等通過。又，控制部102能夠藉由控制處理液供給部30之閥34，將閥34設為關閉狀態，而使於配管40內流動之處理液等朝向噴嘴36之供給停止。即，控制部102例如藉由控制第1閥34a、第2閥34b及過水閥34c之打開及關閉，而控制向噴嘴36供給硫酸及過氧化氫溶液。
控制部102控制加熱器60，將罐50及配管40加熱至規定溫度。具體而言，控制部102對加熱器60進行啟閉控制，而將罐50內之硫酸及通過配管40內之硫酸之至少一者之溫度保持在規定溫度。本實施方式中，控制部102控制加熱器60，將通過第1路徑C1之加熱區域R1之硫酸加熱至規定溫度。
其次，參照圖1～圖5對本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法進行說明。圖5係本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法之流程圖。再者，步驟S103係本發明之「第1噴出工序」之一例。步驟S107係本發明之「第2噴出工序」之一例。
如圖5所示，於步驟S101中，控制部102使通過加熱區域R1之硫酸合流至過氧化氫溶液。此時，第2閥34b關閉。又，加熱器61開啟。以下，有時將通過加熱區域R1之硫酸描述為相對高溫之硫酸。
具體而言，控制部102將第1閥34a從關閉狀態切換為打開狀態。又，控制部102將過水閥34c從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，從罐50朝向噴嘴36供給硫酸。硫酸於第1配管41之加熱區域R1被加熱器61加熱至規定溫度(例如170℃～190℃以上)。又，朝向噴嘴36供給過氧化氫溶液。
於加熱區域R1被加熱之相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液合流。相對高溫之硫酸於加熱區域R1與噴嘴36之噴出口36a之間和過氧化氫溶液合流。本實施方式中，相對高溫之硫酸於噴嘴36內與過氧化氫溶液合流。再者，亦可於打開第1閥34a之前將過水閥34c打開。
繼而，於步驟S103中，將相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。具體而言，將包含相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液之高溫(例如200℃以上)之硫酸過氧化氫溶液混合液從噴嘴36之噴出口36a於規定時間內噴出至基板W。藉此，例如，基板W之抗蝕劑層(未圖示)之規定區域被蝕刻。
繼而，於步驟S105中，控制部102使相對低溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。具體而言，控制部102將第2閥34b從關閉狀態切換為打開狀態。又，控制部102將第1閥34a從打開狀態切換為關閉狀態。藉此，從罐50朝向噴嘴36供給相對低溫之硫酸。又，停止供給相對高溫之硫酸。
再者，關於將第2閥34b從關閉狀態切換為打開狀態之時點，較佳為於將第1閥34a從打開狀態切換為關閉狀態之前進行。詳細而言，較佳為以於噴嘴36內之第1合流部P1中，相對低溫之硫酸在已存在相對高溫之硫酸之狀態下到達第1合流部P1之方式，將第2閥34b從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，能夠抑制從噴嘴36僅將過氧化氫溶液供給至基板W上之高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液。
繼而，於步驟S107中，將相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。具體而言，將包含相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液之相對低溫之硫酸過氧化氫溶液混合液從噴嘴36之噴出口36a於規定時間內噴出至基板W。
繼而，於步驟S109中，控制部102使硫酸之供給停止。具體而言，控制部102將第2閥34b從打開狀態切換為關閉狀態。藉此，僅將過氧化氫溶液供給至基板W上。此時，過氧化氫溶液合流至殘留於基板W上之相對低溫之硫酸過氧化氫溶液混合液，因此能夠抑制硫酸過氧化氫溶液混合液與過氧化氫溶液遽烈反應。因此，能夠抑制硫酸過氧化氫溶液混合液變為高溫，並且亦能抑制基板W之溫度上升。其後，藉由進而將過氧化氫溶液供給至基板W上，而將硫酸過氧化氫溶液混合液從基板W去除，並且使基板W之溫度相對緩慢地下降。
繼而，於步驟S111中，控制部102使過氧化氫溶液之供給停止。具體而言，控制部102將過水閥34c從打開狀態切換為關閉狀態。藉此，停止向基板W供給處理液。
如上所述，本實施方式之基板處理方法結束。
(第1變化例)  其次，參照圖6對本發明之第1變化例之基板處理裝置100進行說明。於第1變化例中，對與使用圖1～圖5說明之第1實施方式不同，第1路徑C1與第2路徑C2相對於第1合流部P1於硫酸之流通方向之上游側合流之例子進行說明。圖6係第1變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖6所示，於第1變化例中，處理液供給部30具有第2合流部P2。第2合流部P2係將第1路徑C1與第2路徑C2合流之部分。第2合流部P2配置於第1合流部P1與加熱區域R1之間，供第1路徑C1與第2路徑C2合流。
具體而言，將第1配管41中較加熱區域R1更靠上游側(罐50側)之部分設為配管41a，將較加熱區域R1更靠下游側(噴嘴36側)之部分設為配管41b。於該情形時，第2配管42連接於配管41b。而且，配管41b中較第2合流部P2更靠下游側(噴嘴36側)之部分為第1路徑C1及第2路徑C2之共通路徑。於第1變化例中，由第2配管42與配管41b之一部分構成第2路徑C2。而且，相對低溫之硫酸通過第2配管42與配管41b之一部分被供給至噴嘴36。
於第1變化例中，第1路徑C1與第2路徑C2於第1合流部P1與加熱區域R1之間合流。因此，相對高溫之硫酸與相對低溫之硫酸均於同一位置合流至過氧化氫溶液。因此，能夠將硫酸與過氧化氫溶液穩定地混合。
又，由於能夠將配管41b之一部分設為第1路徑C1及第2路徑C2之共通配管，故能夠抑制處理液供給部30大型化。
第1變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第1實施方式相同。
(第2變化例)  其次，參照圖7對本發明之第2變化例之基板處理裝置100進行說明。於第2變化例中，對與使用圖6說明之第1變化例不同，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於硫酸之流通方向之上游側分支之例子進行說明。圖7係第2變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖7所示，於第2變化例中，處理液供給部30具有分支部P3。分支部P3係第1路徑C1與第2路徑C2分支之部分。分支部P3相對於加熱區域R1配置於硫酸之流通方向之上游側(罐50側)。即，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於硫酸之流通方向之上游側分支。
又，於第2變化例中，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於硫酸之流通方向之下游側(噴嘴36側)合流。具體而言，處理液供給部30與第1變化例同樣，具有將第1路徑C1與第2路徑C2合流之第2合流部P2。第2合流部P2相對於加熱區域R1配置於硫酸之流通方向之下游側。
詳細而言，第2配管42連接於第1配管41之配管41a及配管41b。而且，配管41a中較分支部P3更靠上游側(罐50側)之部分為第1路徑C1及第2路徑C2之共通路徑。於第2變化例中，由配管41a之一部分、第2配管42及配管41b之一部分構成第2路徑C2。而且，相對低溫之硫酸通過配管41a之一部分、第2配管42及配管41b之一部分被供給至噴嘴36。
於第2變化例中，將第1路徑C1之流路打開及關閉之第1閥34a配置於分支部P3與第2合流部P2之間。將第2路徑C2之流路打開及關閉之第2閥34b配置於第2配管42。
於第2變化例中，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於上游側分支，且相對於加熱區域R1於下游側合流。因此，能夠將配管41a之一部分及配管41b之一部分設為第1路徑C1及第2路徑C2之共通配管，因此更能抑制處理液供給部30大型化。
第2變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第1變化例相同。
(第3變化例)  其次，參照圖8對本發明之第3變化例之基板處理裝置100進行說明。於第3變化例中，對與使用圖1～圖5說明之第1實施方式不同，處理液供給部30包含加熱器62之例子進行說明。圖8係第3變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖8所示，於第3變化例中，處理液供給部30進而包含作為上述加熱器60之加熱器62。再者，加熱器62係本發明之「第2加熱器」之一例。加熱器62係用於將罐50內之硫酸保持在規定溫度之加熱器。於第3變化例中，加熱器62藉由對罐50進行加熱，而將罐50內之硫酸保持在規定溫度。例如，罐50內之硫酸被保持在150℃以上。再者，加熱器62亦可不對罐50進行加熱。例如，亦可將使硫酸循環之循環配管連接於罐50，利用加熱器62對循環配管進行加熱。
於第3變化例中，藉由具備將罐50內之硫酸保持在規定溫度之加熱器62，能夠將通過加熱區域R1之硫酸容易地升溫至所需溫度(例如170℃～190℃以上)。
第3變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第1實施方式相同。
(第4變化例)  其次，參照圖9對本發明之第4變化例之基板處理裝置100進行說明。於第4變化例中，對與使用圖6說明之第1變化例不同，第3配管43連接於第1配管41之例子進行說明。圖9係第4變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖9所示，於第4變化例中，第1路徑C1與過氧化氫溶液供給路徑C3於噴嘴36與加熱區域R1之間合流。
具體而言，第3配管43連接於第1配管41之配管41b。而且，由第3配管43與配管41b之一部分構成過氧化氫溶液供給路徑C3。
於第4變化例中，第3配管43於第2合流部P2與噴嘴36之間連接於配管41b。而且，配管41b中較第1合流部P1更靠下游側(噴嘴36側)之部分設為第1路徑C1、第2路徑C2及過氧化氫溶液供給路徑C3之共通配管。
於第4變化例中，藉由將第3配管43連接於第1配管41，能夠將第1配管41之一部分設為共通配管，因此更能抑制處理液供給部30大型化。又，和使硫酸與過氧化氫溶液於噴嘴36內合流之情形相比，從合流至噴出為止之時間變長，因此能夠將硫酸與過氧化氫溶液更均勻地混合。
第4變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第1變化例相同。
(第2實施方式)  其次，參照圖10對本發明之第2實施方式之基板處理裝置100進行說明。於第2實施方式中，對與使用圖1～圖5說明之第1實施方式不同，處理液供給部30具有罐50及罐51之例子進行說明。圖10係本實施方式之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。以下，主要對與第1實施方式不同之方面進行說明。
如圖10所示，於第2實施方式中，處理液供給部30包含罐50、罐51、路徑70(第1路徑C1、第2路徑C2)、過氧化氫溶液供給路徑C3、加熱器61、加熱器62及加熱器63。罐50及罐51貯存硫酸。路徑70係從罐51將硫酸供給至噴嘴36之路徑。
本實施方式中，罐51係本發明之「第1罐」之一例。又，罐50係本發明之「第2罐」之一例。又，加熱器63係本發明之「第2加熱器」之一例。又，加熱器62係本發明之「第3加熱器」之一例。
本實施方式中，第1路徑C1係從罐51將硫酸供給至噴嘴36之路徑。第2路徑C2係從罐51將硫酸供給至噴嘴36之路徑。
具體而言，處理液供給部30包含作為上述配管40之第1配管41、第2配管42、第3配管43及第4配管44。第4配管44連接罐50與罐51。本實施方式中，第1路徑C1包含第4配管44、罐50及第1配管41。又，本實施方式中，第2配管42連接罐51與噴嘴36。第2路徑C2包含第2配管42。
處理液供給部30進而包含作為閥34之第4閥34d。第4閥34d配置於第4配管44。第4閥34d將第4配管44之流路打開及關閉。控制部102於罐50內之硫酸未達規定量之情形時，將第4閥34d從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，從罐51將硫酸供給至罐50。
處理液供給部30包含作為加熱器60之加熱器61、加熱器62及加熱器63。加熱器62與第3變化例同樣，係用於將罐50內之硫酸保持在規定溫度之加熱器。加熱器62與第3變化例相同，因此省略其說明。
加熱器63係用於將罐51內之硫酸保持在規定溫度之加熱器。於第2實施方式中，加熱器63藉由對罐51進行加熱，而將罐51內之硫酸保持在規定溫度。罐51內之硫酸被保持在較罐50內之硫酸低之溫度。例如，罐51內之硫酸例如被保持在120℃以上且未達150℃。再者，加熱器62亦可不對罐51進行加熱。例如，亦可將使硫酸循環之循環配管連接於罐51，利用加熱器63對循環配管進行加熱。
進而，本實施方式中，處理液供給部30包含返回配管45及返回配管46、與閥34e及閥34f。返回配管45連接於第1配管41之配管41b。閥34e配置於返回配管45。閥34e將返回配管45之流路打開及關閉。
返回配管46連接於第2配管42中較第2閥34b更靠下游側(噴嘴36側)之部分。閥34f配置於返回配管46。閥34f將返回配管46之流路打開及關閉。
第2實施方式之其他構成與第1實施方式相同。
其次，參照圖10及圖11對本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法進行說明。圖11係本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法之流程圖。本實施方式之步驟S201～步驟S211對應於第1實施方式之步驟S101～步驟S111。再者，步驟S203係本發明之「第1噴出工序」之一例。步驟S207係本發明之「第2噴出工序」之一例。本實施方式中，主要對與第1實施方式不同之方面進行說明。
如圖11所示，於步驟S201中，控制部102使通過加熱區域R1之相對高溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。此時，第2閥34b、閥34e及閥34f關閉。又，加熱器61、加熱器62及加熱器63開啟。
繼而，於步驟S203中，將相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。
繼而，於步驟S205中，控制部102使相對低溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。具體而言，控制部102將第2閥34b從關閉狀態切換為打開狀態。又，控制部102將第1閥34a從打開狀態切換為關閉狀態。藉此，從罐51朝向噴嘴36供給相對低溫之硫酸。
繼而，於步驟S207中，將相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。
繼而，於步驟S209中，控制部102使硫酸之供給停止。
繼而，於步驟S211中，控制部102使過氧化氫溶液之供給停止。
繼而，於步驟S213中，控制部102將閥34e及閥34f打開，來抑制處理液從噴嘴36掉落。具體而言，控制部102將閥34e從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，藉由虹吸原理將殘留於返回配管45至噴嘴36之噴出口36a之間之處理液引入至返回配管45。又，控制部102將閥34f從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，藉由虹吸原理將殘留於返回配管46至噴嘴36之噴出口36a之間之處理液引入至返回配管46。因此，能夠抑制處理液從噴嘴36之噴出口36a掉落。其後，控制部102將閥34e及閥34f關閉。
如上所述，本實施方式之基板處理方法結束。
第2實施方式之其他效果及其他基板處理方法與第1實施方式相同。
(第5變化例)  其次，參照圖12對本發明之第5變化例之基板處理裝置100進行說明。於第5變化例中，對與使用圖10及圖11說明之第2實施方式不同，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於硫酸之流通方向之上游側分支之例子進行說明。圖12係第5變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖12所示，於第5變化例中，與第2變化例同樣，處理液供給部30具有分支部P3。分支部P3係第1路徑C1與第2路徑C2分支之部分。分支部P3相對於加熱區域R1配置於硫酸之流通方向之上游側。即，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於硫酸之流通方向之上游側分支。
又，於第5變化例中，與圖7所示之第2變化例同樣，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於硫酸之流通方向之下游側合流。具體而言，處理液供給部30與第2變化例同樣，具有將第1路徑C1與第2路徑C2合流之第2合流部P2。第2合流部P2相對於加熱區域R1配置於硫酸之流通方向之下游側。
詳細而言，第2配管42連接於第1配管41之配管41a及配管41b。而且，配管41a中較分支部P3更靠上游側(罐50側)之部分與第4配管44係第1路徑C1及第2路徑C2之共通路徑。於第5變化例中，由第4配管44與第1配管41構成第1路徑C1。又，由第4配管44、配管41a之一部分、第2配管42及配管41b之一部分構成第2路徑C2。
於第5變化例中，與第2變化例同樣，將第1路徑C1之流路打開及關閉之第1閥34a配置於分支部P3與第2合流部P2之間。將第2路徑C2之流路打開及關閉之第2閥34b配置於第2配管42。
於第5變化例中，第1路徑C1與第2路徑C2相對於加熱區域R1於上游側分支，且相對於加熱區域R1於下游側合流。因此，能夠將第4配管44、配管41a之一部分及配管41b之一部分設為第1路徑C1及第2路徑C2之共通配管，因此更能抑制處理液供給部30大型化。
第5變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第2實施方式相同。
(第6變化例)  其次，參照圖13對本發明之第6變化例之基板處理裝置100進行說明。於第6變化例中，對與使用圖12說明之第5變化例不同，設置使硫酸循環之循環配管47之例子進行說明。圖13係第6變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖13所示，於第6變化例中，處理液供給部30具有循環配管47。於第6變化例中，循環配管47連接於配管41b。循環配管47例如連接於配管41b中相對於第2合流部P2靠下游側之部分。循環配管47例如連接配管41b與罐51。循環配管47使通過配管41b之硫酸返回至罐51。再者，循環配管47亦可連接配管41a或第2配管42與罐51。又，循環配管47亦可連接配管41a、第2配管42或配管41b與罐50，使硫酸返回至罐50。
處理液供給部30包含閥34g及閥34h。閥34g配置於循環配管47。閥34g將循環配管47之流路打開及關閉。閥34h配置於配管41b中較連接循環配管47之部分更靠下游側。閥34h將配管41b之流路打開及關閉。
將硫酸供給至噴嘴36時，閥34g關閉，閥34h打開。另一方面，使硫酸返回至罐51(或罐50)時，閥34g打開，閥34h關閉。
於第6變化例中，不將硫酸供給至噴嘴36時，罐50之硫酸例如經由配管41a、第2配管42(或加熱區域R1)、配管41b、循環配管47、罐51及第4配管44返回至罐50。即，由配管41a、第2配管42(或加熱區域R1)、配管41b、循環配管47、罐51及第4配管44構成使罐50之硫酸循環之循環路徑。藉此，能夠將配管41a、第2配管42及配管41b等內部之硫酸之溫度保持在規定溫度。
再者，於第6變化例中，示出了利用加熱器62對罐50進行加熱而使規定溫度之硫酸循環之例子，但本發明並不限於此。例如，亦可利用加熱器62對配管41a進行加熱而使規定溫度之硫酸循環。
第6變化例之其他構造及其他效果與第2實施方式相同。又，第6變化例之基板處理方法與第2變化例相同。
(第3實施方式)  其次，參照圖14、圖15及圖16對本發明之第3實施方式之基板處理裝置100進行說明。於第3實施方式中，對與第1實施方式及第2實施方式等不同，使用通過第1路徑C1之硫酸獲得相對低溫之過氧化氫溶液混合液之例子進行說明。圖14係第3實施方式之基板處理裝置100中之基板處理單元10之模式圖。以下，主要對與第1實施方式不同之方面進行說明。
如圖14所示，基板處理裝置100具備遮蔽構件90。遮蔽構件90收容於腔室12內。遮蔽構件90從鉛直上方側遮蔽保持於基板保持部20之基板W。
遮蔽構件90配置於基板保持部20之上方。遮蔽構件90與基板W對向。遮蔽構件90之外徑與基板W之外徑大致相等、或稍大於基板W之外徑。又，遮蔽構件90於接近位置與退避位置之間相對於基板W移動。再者，基板處理裝置100具備使遮蔽構件90於接近位置與退避位置之間移動之移動機構(未圖示)。當遮蔽構件90位於接近位置時，遮蔽構件90下降且以隔開規定間隔之方式接近基板W之上表面Wa。於接近位置，遮蔽構件90覆蓋基板W之上表面Wa而遮蔽基板W之上方。當遮蔽構件90位於退避位置時，遮蔽構件90位於較接近位置向鉛直上方遠離之位置。當遮蔽構件90從接近位置變為退避位置時，遮蔽構件90上升而遠離基板W。
遮蔽構件90於從噴嘴36將處理液噴出至基板W時，接住從基板W飛濺之液體。藉此，抑制處理液飛散至基板保持部20等之周圍。
基板處理裝置100進而具備流體供給部130。流體供給部130具備配管140、閥134及噴嘴136。噴嘴136配置於遮蔽構件90。噴嘴136將流體噴出至基板W之上表面Wa。流體包含處理液或氣體。處理液並無特別限定，例如亦可包含沖洗液或IPA(isopropanol，異丙醇)。氣體並無特別限定，例如亦可為氮氣或潔淨之空氣。
又，噴嘴136例如可將流體噴出至基板W之中央部，亦可將流體噴出至基板W之中央部與周緣部之間之區域。噴嘴136具有噴出口(未圖示)，從噴出口噴出流體。噴出口之數量並無特別限定，可為1個，亦可為2個以上。本實施方式中，噴出口配置有複數個。噴嘴136連接於配管140。從供給源將流體供給至配管140。閥134將配管140內之流路打開及關閉。
閥134調節配管140之開度而調整供給至配管140之流體之流量。具體而言，閥134包含內部設置有閥座之閥本體(未圖示)、將閥座打開及關閉之閥體、及使閥體於打開位置與關閉位置之間移動之致動器(未圖示)。
其次，參照圖15對本實施方式之基板處理裝置100之處理液供給部30進行說明。圖15係本實施方式之基板處理裝置100之模式性俯視圖。
如圖15所示，於第3實施方式中，與第1實施方式同樣，處理液供給部30包含罐50、路徑70、過氧化氫溶液供給路徑C3及加熱器61。路徑70包含第1路徑C1。再者，本實施方式中，與第1實施方式不同，路徑70不包含第2路徑C2。罐50貯存硫酸。再者，罐50係本發明之「第1罐」之一例。又，加熱器61係本發明之「第1加熱器」之一例。
加熱器61能夠對第1路徑C1之加熱區域R1進行加熱。本實施方式中，加熱器61藉由控制部102來切換開啟及關閉。即，加熱器61能夠切換為對加熱區域R1進行加熱之加熱狀態與不對加熱區域R1進行加熱之非加熱狀態。
藉由加熱器61對加熱區域R1進行加熱，使得通過加熱區域R1之硫酸之溫度上升。例如，通過加熱區域R1而於加熱區域R1被加熱之硫酸之溫度變為第1溫度。第1溫度例如為170℃～190℃以上。
另一方面，當加熱器61不對加熱區域R1進行加熱時，通過加熱區域R1之硫酸之溫度不上升。加熱器61不對加熱區域R1進行加熱時，通過加熱區域R1之硫酸具有第2溫度。第2溫度例如為常溫至150℃。即，通過加熱區域R1時未於加熱區域R1被加熱之硫酸具有較於加熱區域R1被加熱之硫酸低之溫度。以下，有時將於加熱區域R1被加熱之硫酸描述為相對高溫之硫酸，將未於加熱區域R1被加熱之硫酸描述為相對低溫之硫酸。
處理液供給部30包含作為配管40之第1配管41及第3配管43。再者，本實施方式中，與第1實施方式不同，處理液供給部30不包含第2配管42。
又，處理液供給部30包含作為閥34之第1閥34a及過水閥34c。再者，本實施方式中，與第1實施方式不同，處理液供給部30不包含第2閥34b。
本實施方式中，於加熱區域R1被加熱之相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液相互反應而變為高溫(例如200℃以上)之過氧化氫溶液混合液。
另一方面，未於加熱區域R1被加熱之相對低溫之硫酸以較經加熱之相對高溫之硫酸低之溫度合流至過氧化氫溶液。因此，雖然相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液相互反應，但成為相對低溫之過氧化氫溶液混合液。再者，相對低溫之硫酸之流量(每單位時間流過之量)並無特別限定，本實施方式中，與相對高溫之硫酸之流量大致相同。
控制部102藉由將加熱器61設為第1輸出，而使通過第1路徑C1之硫酸成為相對高溫之硫酸。相對高溫之硫酸具有第1溫度。第1溫度例如為170℃～190℃以上之溫度。又，控制部102藉由將加熱器61設為較第1輸出低之第2輸出，而使通過第1路徑C1之硫酸成為相對低溫之硫酸。相對低溫之硫酸具有較第1溫度低之第2溫度。第2溫度例如為常溫至150℃之溫度。
本實施方式中，控制部102藉由將加熱器61開啟，而使通過第1路徑C1之硫酸成為具有第1溫度之硫酸。又，控制部102藉由將加熱器61關閉，而使通過第1路徑C1之硫酸成為具有第2溫度之硫酸。
本實施方式中，控制部102以如下方式控制加熱器61，即，將相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴36噴出至基板W，然後將相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液混合後從噴嘴36噴出至基板W。因此，當為了利用過氧化氫溶液沖洗基板W上之硫酸過氧化氫溶液混合液而停止供給硫酸時，能夠抑制高溫之硫酸過氧化氫溶液混合液變為更高溫，並且能夠抑制基板W之溫度急遽地變化。因此，能夠抑制對基板W造成基板W上之圖案剝離等損傷。
又，本實施方式中，與第1實施方式同樣，無需為了抑制對基板W造成之損傷而將硫酸與過氧化氫溶液之混合比調整為所需比，故與將混合比調整為所需比之方法相比，能夠縮短時間。
又，本實施方式中，與第1實施方式不同，無需設置第2路徑C2及第2閥34b，故能夠簡化基板處理裝置100之構成。
第3實施方式之其他構造與第1實施方式相同。
其次，參照圖15及圖16對本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法進行說明。圖16係本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法之流程圖。本實施方式之步驟S301～步驟S311對應於第1實施方式之步驟S101～步驟S111。再者，步驟S301係本發明之「第1流通工序」之一例。步驟S303係本發明之「第1噴出工序」之一例。步驟S305係本發明之「第2流通工序」之一例。步驟S307係本發明之「第2噴出工序」之一例。本實施方式中，主要對與第1實施方式不同之方面進行說明。
如圖16所示，於步驟S301中，控制部102使通過加熱區域R1之相對高溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。此時，加熱器61開啟，來自罐50之硫酸於加熱區域R1被加熱而成為相對高溫之硫酸。
繼而，於步驟S303中，將相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。
繼而，於步驟S305中，控制部102使相對低溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。具體而言，控制部102將加熱器61關閉。藉此，加熱器61從開啟狀態切換為關閉狀態。藉此，通過第1路徑C1之硫酸未於加熱區域R1被加熱，故朝向噴嘴36供給相對低溫之硫酸。
繼而，於步驟S307中，將相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。
繼而，於步驟S309中，控制部102使硫酸之供給停止。
繼而，於步驟S311中，控制部102使過氧化氫溶液之供給停止。
如上所述，本實施方式之基板處理方法結束。
於第3實施方式中，藉由將相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液混合後噴出至基板W，然後切換加熱器61之輸出，而將相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液混合後噴出至基板W。因此，僅藉由切換加熱器61之輸出，便能抑制對基板W造成基板W上之圖案剝離等損傷。
再者，於上述基板處理中，亦可從配置於遮蔽構件90之噴嘴136噴出例如沖洗液。於該情形時，亦可於步驟S311之後，從噴嘴136將沖洗液噴出至基板W。
又，於上述基板處理中，亦可從配置於遮蔽構件90之噴嘴136噴出例如氮氣。例如，於執行步驟S303～步驟S309之期間內，亦可從噴嘴136噴出例如氮氣。於該情形時，由於在基板W之上方產生向下之氣流，故能夠抑制從噴嘴36噴出至基板W之處理液於基板W濺起而飛散至周圍。
第3實施方式之其他基板處理方法及其他效果與第1實施方式相同。
(第7變化例)  其次，參照圖17對本發明之第7變化例之基板處理裝置100進行說明。於第7變化例中，對與使用圖15及圖16說明之第3實施方式不同，處理液供給部30包含加熱器62之例子進行說明。圖17係第7變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖17所示，於第7變化例中，處理液供給部30進而包含作為上述加熱器60之加熱器62。再者，加熱器62係本發明之「第2加熱器」之一例。加熱器62係用於將罐50內之硫酸保持在規定溫度之加熱器。於第7變化例中，加熱器62藉由對罐50進行加熱而將罐50內之硫酸保持在規定溫度。例如，罐50內之硫酸被保持在150℃以上。再者，加熱器62亦可不對罐50進行加熱。例如，亦可將使硫酸循環之循環配管連接於罐50，利用加熱器62對循環配管進行加熱。
於第7變化例中，藉由具備將罐50內之硫酸保持在規定溫度之加熱器62，能夠將通過加熱區域R1之硫酸容易地升溫至所需溫度(例如170℃～190℃以上)。
第7變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第3實施方式相同。
(第8變化例)  其次，參照圖18對本發明之第8變化例之基板處理裝置100進行說明。於第8變化例中，對與使用圖15說明之第3實施方式不同，第3配管43連接於第1配管41之例子進行說明。圖18係第8變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖18所示，於第8變化例中，第1路徑C1與過氧化氫溶液供給路徑C3於噴嘴36與加熱區域R1之間合流。
具體而言，第3配管43連接於第1配管41之配管41b。而且，由第3配管43與配管41b之一部分構成過氧化氫溶液供給路徑C3。又，配管41b中較第1合流部P1更靠下游側(噴嘴36側)之部分係第1路徑C1及過氧化氫溶液供給路徑C3之共通配管。
於第8變化例中，藉由將第3配管43連接於第1配管41，能夠將第1配管41之一部分設為共通配管，因此更能抑制處理液供給部30大型化。又，和使硫酸與過氧化氫溶液在噴嘴36內合流之情形相比，從合流至噴出為止之時間變長，故能夠將硫酸與過氧化氫溶液更均勻地混合。
第8變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第3實施方式相同。
(第4實施方式)  其次，參照圖19及圖20對本發明之第4實施方式之基板處理裝置100進行說明。於第4實施方式中，對與使用圖15及圖16說明之第3實施方式不同，處理液供給部30具有罐50及罐51之例子進行說明。圖19係本實施方式之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。以下，主要對與第3實施方式不同之方面進行說明。
如圖19所示，於第4實施方式中，處理液供給部30包含罐50、罐51、路徑70、過氧化氫溶液供給路徑C3、加熱器61、加熱器62及加熱器63。罐50及罐51貯存硫酸。路徑70包含第1路徑C1。再者，於第4實施方式中，與第2實施方式不同，路徑70不包含第2路徑C2。
本實施方式中，罐51係本發明之「第1罐」之一例。又，罐50係本發明之「第2罐」之一例。又，加熱器63係本發明之「第2加熱器」之一例。又，加熱器62係本發明之「第3加熱器」之一例。
本實施方式中，第1路徑C1係從罐51將硫酸供給至噴嘴36之路徑。
具體而言，處理液供給部30包含作為上述配管40之第1配管41、第3配管43及第4配管44。第4配管44連接罐50與罐51。本實施方式中，第1路徑C1包含第4配管44、罐50及第1配管41。
處理液供給部30進而包含作為閥34之第4閥34d。第4閥34d配置於第4配管44。第4閥34d將第4配管44之流路打開及關閉。控制部102於罐50內之硫酸未達規定量之情形時，將第4閥34d從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，從罐51將硫酸供給至罐50。
處理液供給部30包含作為加熱器60之加熱器61、加熱器62及加熱器63。加熱器62與第7變化例同樣，係用於將罐50內之硫酸保持在規定溫度之加熱器。加熱器62與第7變化例相同，因此省略其說明。
加熱器63係用於將罐51內之硫酸保持在規定溫度之加熱器。本實施方式中，加熱器63藉由對罐51進行加熱，而將罐51內之硫酸保持在規定溫度。罐51內之硫酸被保持在較罐50內之硫酸低之溫度。例如，罐51內之硫酸例如被保持在120℃以上且未達150℃。再者，加熱器62亦可不對罐51進行加熱。例如，亦可將使硫酸循環之循環配管連接於罐51，利用加熱器63對循環配管進行加熱。
進而，本實施方式中，處理液供給部30包含返回配管45與閥34e。返回配管45連接於第1配管41之配管41b。閥34e配置於返回配管45。閥34e將返回配管45之流路打開及關閉。
第4實施方式之其他構成與第3實施方式相同。
其次，參照圖19及圖20對本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法進行說明。圖20係本實施方式之基板處理裝置100之基板處理方法之流程圖。本實施方式之步驟S401～步驟S411對應於第3實施方式之步驟S301～步驟S311。再者，步驟S401係本發明之「第1流通工序」之一例。步驟S403係本發明之「第1噴出工序」之一例。步驟S405係本發明之「第2流通工序」之一例。步驟S407係本發明之「第2噴出工序」之一例。本實施方式中，主要對與第3實施方式不同之方面進行說明。
如圖20所示，於步驟S401中，控制部102使通過加熱區域R1之相對高溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。此時，加熱器61、加熱器62及加熱器63開啟，來自罐50之硫酸於加熱區域R1被加熱而成為相對高溫之硫酸。
繼而，於步驟S403中，將相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。
繼而，於步驟S405中，控制部102使相對低溫之硫酸合流至過氧化氫溶液。
繼而，於步驟S407中，將相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液噴出至基板W。
繼而，於步驟S409中，控制部102使硫酸之供給停止。
繼而，於步驟S411中，控制部102使過氧化氫溶液之供給停止。
繼而，於步驟S413中，控制部102將閥34e打開，來抑制處理液從噴嘴36掉落。具體而言，控制部102將閥34e從關閉狀態切換為打開狀態。藉此，藉由虹吸原理將殘留於返回配管45至噴嘴36之噴出口36a之間之處理液引入至返回配管45。因此，能夠抑制處理液從噴嘴36之噴出口36a掉落。其後，控制部102將閥34e關閉。
如上所述，本實施方式之基板處理方法結束。
第4實施方式之其他效果及其他基板處理方法與第3實施方式相同。
(第9變化例)  繼而，參照圖21對本發明之第9變化例之基板處理裝置100進行說明。於第9變化例中，對與第3實施方式及第4實施方式等不同，設置使硫酸循環之循環配管47之例子進行說明。圖21係第9變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖21所示，於第9變化例中，處理液供給部30具有分支部P4與循環配管47。分支部P4係第1路徑C1與循環配管47分支之部分。於第9變化例中，分支部P4配置於配管41b。即，於第9變化例中，循環配管47連接於配管41b。循環配管47例如連接配管41b與罐51。循環配管47使通過配管41b之硫酸返回至罐51。再者，循環配管47亦可連接配管41b與罐50，使硫酸返回至罐50。
又，於第9變化例中，加熱器61配置於第1路徑C1中相對於分支部P4更靠硫酸之流通方向之上游側。因此，能夠利用加熱器61對通過循環路徑之硫酸進行加熱。
處理液供給部30包含閥34g及閥34h。閥34g配置於循環配管47。閥34g將循環配管47之流路打開及關閉。閥34h配置於配管41b中較分支部P4更靠下游側。閥34h將配管41b之流路打開及關閉。
將硫酸供給至噴嘴36時，閥34g關閉，閥34h打開。另一方面，使硫酸返回至罐51(或罐50)時，閥34g打開，閥34h關閉。
於第9變化例中，當不將硫酸供給至噴嘴36時，罐50之硫酸例如經由配管41a、加熱區域R1、配管41b、循環配管47、罐51及第4配管44返回至罐50。即，由配管41a、加熱區域R1、配管41b、循環配管47、罐51及第4配管44構成使罐50之硫酸循環之循環路徑。藉此，能夠將配管41a及配管41b等內部之硫酸之溫度保持在規定溫度。
再者，於第9變化例中，示出了利用加熱器62對罐50進行加熱而使規定溫度之硫酸循環之例子，但本發明並不限於此。例如，亦可利用加熱器62對配管41a進行加熱而使規定溫度之硫酸循環。
第9變化例之其他構造及其他效果與第4實施方式相同。又，第9變化例之基板處理方法與第3實施方式相同。
(第10變化例)  其次，參照圖22對本發明之第10變化例之基板處理裝置100進行說明。於第10變化例中，對與第9變化例不同，將加熱器61配置於較分支部P4更靠下游側之例子進行說明。圖22係第10變化例之基板處理裝置100之處理液供給部30之模式圖。
如圖22所示，於第10變化例中，處理液供給部30與第9變化例同樣，具有分支部P4與循環配管47。分支部P4係第1路徑C1與循環配管47分支之部分。於第10變化例中，分支部P4配置於配管41a。即，循環配管47連接於配管41a。
又，於第10變化例中，加熱器61配置於第1路徑C1中相對於分支部P4更靠硫酸之流通方向之下游側。即，加熱器61配置於循環路徑與噴嘴36之間。
於第10變化例中，如上所述，加熱器61配置於第1配管41中較分支部P4更靠下游側。因此，能夠將加熱器61配置於噴嘴36之附近。因此，能夠抑制經加熱器61加熱之硫酸到達噴嘴36之前，硫酸之溫度下降。
第10變化例之其他構造、其他效果及基板處理方法與第9變化例相同。
以上，參照圖式對本發明之實施方式進行了說明。但是，本發明並不限於上述實施方式，能夠於不脫離其主旨之範圍內以各種方式實施。又，能夠適當改變上述實施方式揭示之複數個構成要素。例如，可將某實施方式所示之所有構成要素中之某構成要素追加為另一實施方式之構成要素、或者亦可將某實施方式所示之所有構成要素中之若干構成要素從實施方式刪除。
又，圖式係為了便於理解發明，而以各個構成要素為主體模式性地表示，圖示之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等有時為了方便製作圖式而與實際不同。又，上述實施方式示出之各構成要素之構成為一例，並無特別限定，當然能夠於實質上不脫離本發明之效果之範圍內進行各種變更。
例如，於圖9所示之第4變化例中，示出了第1路徑C1與過氧化氫溶液供給路徑C3於噴嘴36與加熱區域R1之間合流之例子，但本發明並不限於此。於第1實施方式、第1變化例～第3變化例、第2實施方式、第5變化例、第6變化例、第3實施方式、第7變化例、第4實施方式、第9變化例及第10變化例中同樣，亦可使第1路徑C1與過氧化氫溶液供給路徑C3於噴嘴36與加熱區域R1之間合流。
又，例如，於圖10及圖11所示之第2實施方式中，示出了設置返回配管45及46來抑制處理液從噴嘴36掉落之例子，但本發明並不限於此。於第1實施方式、第1變化例～第4變化例、第6變化例、第3實施方式、第7變化例、第8變化例、第9變化例及第10變化例中同樣，亦可設置返回配管45。又，於第2實施方式中，亦可不設置返回配管45及46。
又，例如，於圖13所示之第6變化例中，示出了設置循環配管47之例子，但本發明並不限於此。於第1實施方式、第1變化例～第4變化例、第2實施方式、第5變化例、第3實施方式、第7變化例、第8變化例及第4實施方式中同樣，亦可設置使硫酸循環之循環配管47。
又，例如於圖10及圖11所示之第2實施方式中，示出了於有2個罐之情形時從上游側之罐(罐51)直接將硫酸供給至噴嘴36之例子，但本發明並不限於此。亦可於有2個罐之情形時從下游側之罐(罐50)直接將硫酸供給至噴嘴36。
又，例如於圖10及圖11所示之第2實施方式中，示出了設置加熱器61之例子，但本發明並不限於此。例如於第2實施方式中，亦可不設置加熱器61。於該情形時，加熱器62相當於本發明之「第1加熱器」。又，例如罐50相當於本發明之「加熱區域」。
又，例如於圖14～圖16所示之第3實施方式中，對基板處理裝置100具備遮蔽構件90之例子進行了說明，但本發明並不限於此。於第1實施方式、第1變化例～第4變化例、第2實施方式、第5變化例及第6變化例中同樣，基板處理裝置100亦可具備遮蔽構件90，亦可進而具備流體供給部130。
又，例如於圖14～圖16所示之第3實施方式中，對於步驟S305(第2流通工序)中使相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液混合時，將加熱器61關閉之例子進行了說明，但本發明並不限於此。若硫酸之溫度較步驟S301(第1流通工序)低，亦可將加熱器61開啟。
又，於上述實施方式中，示出了將相對高溫之硫酸、相對低溫之硫酸、及過氧化氫溶液從1個噴嘴36供給至基板W之例子，但本發明並不限於此。例如，亦可將相對高溫之硫酸、相對低溫之硫酸、及過氧化氫溶液從2個或3個噴嘴供給至基板W。即，例如，亦可使相對高溫之硫酸與過氧化氫溶液於基板W上合流，亦可使相對低溫之硫酸與過氧化氫溶液於基板W上合流。 [產業上之可利用性]
本發明能夠用於基板處理裝置及基板處理方法之領域。
10:基板處理單元 12:腔室 20:基板保持部 21:旋轉基座 22:夾盤構件 23:軸 24:電動馬達 25:殼體 30:處理液供給部 34:閥 34a:第1閥 34b:第2閥 34c:過水閥 34d:第4閥 34e:閥 34f:閥 34g:閥 34h:閥 36:噴嘴 36a:噴出口 40:配管 41:第1配管 41a:配管 41b:配管 42:第2配管 43:第3配管 44:第4配管 45:返回配管 46:返回配管 47:循環配管 50:罐(第1罐、第2罐) 51:罐(第1罐) 60:加熱器 61:加熱器(第1加熱器) 62:加熱器(第2加熱器、第3加熱器) 63:加熱器(第2加熱器) 70:路徑 80:承杯 90:遮蔽構件 100:基板處理裝置 101:控制裝置 102:控制部 104:記憶部 110:處理液箱 120:處理液櫃 122a:第1處理液殼體 122b:第2處理液殼體 130:流體供給部 134:閥 136:噴嘴 140:配管 Ax:旋轉軸 BW:交界壁 C1:第1路徑 C2:第2路徑 C3:過氧化氫溶液供給路徑 CR:中心機器人 IR:移載傳送機器人 LP:裝載埠 P1:第1合流部 P2:第2合流部 P3:分支部 P4:分支部 R1:加熱區域 S101:步驟 S103,S203,S303,S403:步驟(第1噴出工序) S105:步驟 S107,S207,S307,S407:步驟(第2噴出工序) S109:步驟 S111:步驟 S201:步驟 S205:步驟 S209:步驟 S211:步驟 S213:步驟 S301,S401:步驟(第1流通工序) S305,S405:步驟(第2流通工序) S309:步驟 S311:步驟 S409:步驟 S411:步驟 S413:步驟 TW:塔 W:基板 Wa:上表面(正面) Wb:背面(下表面)
圖1係本發明之第1實施方式之基板處理裝置之模式性俯視圖。  圖2係第1實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。  圖3係第1實施方式之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖4係第1實施方式之基板處理裝置之方塊圖。  圖5係第1實施方式之基板處理裝置之基板處理方法之流程圖。  圖6係第1變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖7係第2變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖8係第3變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖9係第4變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖10係本發明之第2實施方式之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖11係第2實施方式之基板處理裝置之基板處理方法之流程圖。  圖12係第5變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖13係第6變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖14係第3實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。  圖15係第3實施方式之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖16係第3實施方式之基板處理裝置之基板處理方法之流程圖。  圖17係第7變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖18係第8變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖19係本發明之第4實施方式之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖20係第4實施方式之基板處理裝置之基板處理方法之流程圖。  圖21係第9變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。  圖22係第10變化例之基板處理裝置之處理液供給部之模式圖。
30:處理液供給部
34a:第1閥
34b:第2閥
34c:過水閥
36:噴嘴
36a:噴出口
41:第1配管
42:第2配管
43:第3配管
50:罐(第1罐、第2罐)
60:加熱器
61:加熱器(第1加熱器)
70:路徑
C1:第1路徑
C2:第2路徑
C3:過氧化氫溶液供給路徑
P1:第1合流部
R1:加熱區域

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其藉由從噴嘴將處理液供給至基板而對上述基板進行處理，且具備： 第1罐，其貯存硫酸； 路徑，其包含從上述第1罐將上述硫酸供給至上述噴嘴之第1路徑； 第1閥，其介插於上述第1路徑； 第1加熱器，其對上述第1路徑之加熱區域進行加熱； 過氧化氫溶液供給路徑，其將過氧化氫溶液供給至上述噴嘴； 過水閥，其介插於上述過氧化氫溶液供給路徑；及 控制部，其藉由控制上述第1閥及上述過水閥之打開及關閉，來控制向上述噴嘴供給上述硫酸及上述過氧化氫溶液；且 上述控制部係 將經上述第1加熱器加熱之硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板， 然後，將溫度較上述經加熱之硫酸低之硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述路徑進而包含不經由上述加熱區域而從上述第1罐將上述硫酸供給至上述噴嘴之第2路徑， 上述基板處理裝置進而具備介插於上述第2路徑之第2閥， 上述控制部藉由控制上述第1閥、上述第2閥及上述過水閥之打開及關閉，來控制向上述噴嘴供給上述硫酸及上述過氧化氫溶液， 通過上述第2路徑之硫酸以較通過上述第1路徑之硫酸低之溫度合流至上述過氧化氫溶液， 上述控制部係以如下方式控制上述第1閥、上述第2閥及上述過水閥，即， 將通過上述第1路徑而被上述第1加熱器加熱之上述硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板， 然後，將通過上述第2路徑之上述硫酸與上述過氧化氫溶液混合後從上述噴嘴噴出至上述基板。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其進而具備： 第1合流部，其配置於上述加熱區域與上述噴嘴之噴出口之間，供上述第1路徑與上述過氧化氫溶液供給路徑合流；及 第2合流部，其配置於上述加熱區域與上述第1合流部之間，供上述第1路徑與上述第2路徑合流。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1路徑與上述第2路徑相對於上述加熱區域於上述硫酸之流通方向之上游側分支，且相對於上述加熱區域於上述硫酸之流通方向之下游側合流。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中藉由上述控制部將上述第1加熱器設為第1輸出，而使通過上述第1路徑之硫酸具有第1溫度， 藉由上述控制部將上述第1加熱器設為較上述第1輸出低之第2輸出，而使通過上述第1路徑之硫酸具有較上述第1溫度低之第2溫度。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述路徑進而包含從上述第1路徑分支且供上述硫酸返回至上述第1罐之循環配管， 上述第1加熱器相對於上述第1路徑與上述循環配管分支之分支部配置於上述硫酸之流通方向之上游側。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述路徑進而包含從上述第1路徑分支且供上述硫酸返回至上述第1罐之循環配管， 上述第1加熱器相對於上述第1路徑與上述循環配管分支之分支部配置於上述硫酸之流通方向之下游側。
  8. 如請求項1至7中任一項之基板處理裝置，其進而具備用於將上述第1罐內之硫酸保持在規定溫度之第2加熱器。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其進而具備： 第2罐，其相對於上述第1罐配置於上述硫酸之流通方向之下游側；及 第3加熱器，其用於將上述第2罐內之硫酸保持在較上述第1罐內之硫酸之溫度高之溫度。
  10. 一種基板處理方法，其係藉由將處理液供給至基板而對上述基板進行處理，且包括： 第1噴出工序，其係將從第1罐供給且通過具有加熱區域之第1路徑而於上述加熱區域被加熱之硫酸、與通過過氧化氫溶液供給路徑之過氧化氫溶液噴出至上述基板；及 第2噴出工序，其係於上述第1噴出工序之後，將從上述第1罐供給且溫度較上述經加熱之硫酸低之硫酸、與通過上述過氧化氫溶液供給路徑之過氧化氫溶液噴出至上述基板。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其中於上述第2噴出工序中，將不經由上述加熱區域而通過第2路徑之硫酸、與上述過氧化氫溶液噴出至上述基板。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中上述第1路徑與上述第2路徑相對於上述加熱區域於硫酸之流通方向之上游側分支，且相對於上述加熱區域於上述硫酸之流通方向之下游側合流。
  13. 如請求項10之基板處理方法，其進而包括： 第1流通工序，其係於上述第1噴出工序之前，對通過上述第1路徑之硫酸進行加熱使其變為具有第1溫度之硫酸；及 第2流通工序，其係於上述第2噴出工序之前，使通過上述第1路徑之硫酸變為具有較上述第1溫度低之第2溫度之硫酸。
  14. 如請求項10至13中任一項之基板處理方法，其中將上述第1罐內之硫酸保持在規定溫度。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中將相對於上述第1罐配置於上述硫酸之流通方向之下游側之第2罐內之硫酸保持在較上述第1罐內之硫酸之溫度高之溫度。
TW112107830A 2022-03-25 2023-03-03 基板處理裝置及基板處理方法 TW202338929A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-049633 2022-03-25
JP2022049633 2022-03-25
JP2022-151295 2022-09-22
JP2022151295A JP2023143630A (ja) 2022-03-25 2022-09-22 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202338929A true TW202338929A (zh) 2023-10-01

Family

ID=88096314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112107830A TW202338929A (zh) 2022-03-25 2023-03-03 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230307258A1 (zh)
KR (1) KR20230140468A (zh)
TW (1) TW202338929A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5127325B2 (ja) 2007-07-03 2013-01-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230140468A (ko) 2023-10-06
US20230307258A1 (en) 2023-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI709169B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR102381781B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101187104B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
JP7064905B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI631996B (zh) Substrate processing method and substrate processing device
TWI774970B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6993885B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201822860A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2018182212A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009267167A (ja) 基板処理装置
JP6782185B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2005286221A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202338929A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2023143630A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2020044789A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2016152371A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN116805595A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法
JP2017183568A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2024062759A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2024057787A1 (ja) 基板処理装置、および、フィルタの気泡除去方法
JP2004303967A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5541627B2 (ja) 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
TW202414560A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
TW202230505A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TW202213494A (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置