JP2023143630A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板にダメージが加わることを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供できる。
【解決手段】基板処理装置１００は、タンク５０と、第１経路Ｃ１を含む経路７０と、ヒータ６１と、過酸化水素水供給経路Ｃ３と、制御部１０２とを備える。第１経路Ｃ１は、タンク５０からノズル３６に硫酸を供給する。ヒータ６１は、第１経路Ｃ１の加熱領域Ｒ１を加熱する。制御部１０２は、ヒータ６１に加熱された硫酸と過酸化水素水とを混合してノズル３６から基板Ｗに吐出した後、前記加熱された硫酸よりも温度の低い硫酸と過酸化水素水とを混合してノズル３６から基板Ｗに吐出する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来、半導体装置および液晶表示装置のような基板を含む装置の製造工程では、基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板は、例えば、半導体ウエハまたは液晶表示装置用ガラス基板である。

特許文献１には、１７０℃以上の硫酸１に対し０．１～０．３５の流量の過酸化水素水を混合して生成される硫酸過酸化水素水混合液を、基板の表面に対して供給する基板処理装置が記載されている。

特開２００９－１６４９７号公報

特許文献１に記載の基板処理装置のように、硫酸過酸化水素水混合液を基板の表面に供給する場合、硫酸と過酸化水素水とを混合した際に硫酸と過酸化水素水とが反応し、硫酸過酸化水素水混合液が高温になる。この高温の硫酸過酸化水素水混合液を基板に供給し基板を処理した後、基板上の硫酸過酸化水素水混合液は、過酸化水素水で洗い流される。

ところで、基板上の高温の硫酸過酸化水素水混合液を洗い流すために、硫酸の供給を止めて過酸化水素水のみを供給すると、基板上に残っている高温の硫酸過酸化水素水混合液と供給した過酸化水素水とが激しく反応してさらに高温になり、基板も高温になる。その後、過酸化水素水を供給し続けることによって、高温の硫酸過酸化水素水混合液が基板上から除去されるとともに、供給される過酸化水素水により基板の温度が急激に低下する。

しかしながら、この方法では、高温の硫酸過酸化水素水混合液が過酸化水素水によってさらに高温になるとともに、基板の温度が急激に変化する。従って、基板上のパターンが剥がれる等のダメージが基板に加わる場合があるという問題点がある。この問題点を改善する方法として、硫酸と過酸化水素水との混合比（硫酸の濃度）を変化させることが考えられるが、混合比を所望の比に変化させる場合、調整に時間がかかってしまう。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板にダメージが加わることを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。

本発明の一局面による基板処理装置は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する。基板処理装置は、第１タンクと、第１経路を含む経路と、第１バルブと、第１ヒータと、過酸化水素水供給経路と、過水バルブと、制御部とを備える。前記第１タンクは、硫酸を貯留する。前記第１経路は、前記第１タンクから前記ノズルに前記硫酸を供給する。前記第１バルブは、前記第１経路に介挿される。前記第１ヒータは、前記第１経路の加熱領域を加熱する。前記過酸化水素水供給経路は、前記ノズルに過酸化水素水を供給する。前記過水バルブは、前記過酸化水素水供給経路に介挿される。前記制御部は、前記第１バルブおよび前記過水バルブの開閉を制御することにより前記ノズルへの前記硫酸および前記過酸化水素水の供給を制御する。前記制御部は、前記第１ヒータに加熱された硫酸と前記過酸化水素水とを混合して前記ノズルから前記基板に吐出した後、前記加熱された硫酸よりも温度の低い硫酸と前記過酸化水素水とを混合して前記ノズルから前記基板に吐出する。

本発明の一態様において、前記経路は、前記加熱領域を介さずに前記第１タンクから前記ノズルに前記硫酸を供給する第２経路をさらに含んでもよい。前記基板処理装置は、前記第２経路に介挿された第２バルブをさらに備えてもよい。前記制御部は、前記第１バルブ、前記第２バルブおよび前記過水バルブの開閉を制御することにより前記ノズルへの前記硫酸および前記過酸化水素水の供給を制御してもよい。前記第２経路を通過する硫酸は、前記第１経路を通過する硫酸に比べて低い温度で前記過酸化水素水に合流してもよい。前記制御部は、前記第１経路を通過して前記第１ヒータに加熱された前記硫酸と前記過酸化水素水とが混合されて前記ノズルから前記基板に吐出された後、前記第２経路を通過する前記硫酸と前記過酸化水素水とが混合されて前記ノズルから前記基板に吐出されるように、前記第１バルブ、前記第２バルブおよび前記過水バルブを制御してもよい。

本発明の一態様において、基板処理装置は、第１合流部と、第２合流部とをさらに備えてもよい。前記第１合流部は、前記加熱領域と前記ノズルの吐出口との間に配置され、前記第１経路と前記過酸化水素水供給経路とが合流してもよい。前記第２合流部は、前記加熱領域と前記第１合流部との間に配置され、前記第１経路と前記第２経路とが合流してもよい。

本発明の一態様において、前記第１経路と前記第２経路とは、前記加熱領域に対して前記硫酸の流通方向の上流側で分岐し、前記加熱領域に対して前記硫酸の流通方向の下流側で合流してもよい。

本発明の一態様において、前記制御部が前記第１ヒータを第１出力にすることにより、前記第１経路を通過する硫酸は、第１温度を有してもよい。前記制御部が前記第１ヒータを前記第１出力よりも低い第２出力にすることにより、前記第１経路を通過する硫酸は、前記第１温度よりも低い第２温度を有してもよい。

本発明の一態様において、前記経路は、前記第１経路から分岐して、前記硫酸を前記第１タンクに戻す循環配管をさらに含んでもよい。前記第１ヒータは、前記第１経路と前記循環配管とが分岐する分岐部に対して前記硫酸の流通方向の上流側に配置されてもよい。

本発明の一態様において、前記経路は、前記第１経路から分岐して、前記硫酸を前記第１タンクに戻す循環配管をさらに含んでもよい。前記第１ヒータは、前記第１経路と前記循環配管とが分岐する分岐部に対して前記硫酸の流通方向の下流側に配置されてもよい。

本発明の一態様において、基板処理装置は、前記第１タンク内の硫酸を所定温度に保持するための第２ヒータをさらに備えてもよい。

本発明の一態様において、基板処理装置は、第２タンクと、第３ヒータとをさらに備えてもよい。前記第２タンクは、前記第１タンクに対して前記硫酸の流通方向の下流側に配置されてもよい。前記第３ヒータは、前記第２タンク内の硫酸を、前記第１タンク内の硫酸の温度よりも高い温度に保持してもよい。

本発明の一局面による基板処理方法は、基板に処理液を供給することで前記基板を処理する。基板処理方法は、第１タンクから供給され加熱領域を有する第１経路を通過し、前記加熱領域で加熱された硫酸と、過酸化水素水供給経路を通過した過酸化水素水とを、前記基板に吐出する第１吐出工程と、前記第１吐出工程の後、前記第１タンクから供給され前記加熱された硫酸に比べて低い温度の硫酸と、前記過酸化水素水供給経路を通過した過酸化水素水とを、前記基板に吐出する第２吐出工程とを含む。

本発明の一態様においては、前記第２吐出工程において、前記加熱領域を介さない第２経路を通過した硫酸と、前記過酸化水素水とを、前記基板に吐出してもよい。

本発明の一態様において、前記第１経路と前記第２経路とは、前記加熱領域に対して硫酸の流通方向の上流側で分岐し、前記加熱領域に対して前記硫酸の流通方向の下流側で合流してもよい。

本発明の一態様において、前記第１吐出工程に先立って、前記第１経路を通過する硫酸を加熱して第１温度を有する硫酸にする第１流通工程と、前記第２吐出工程に先立って、前記第１経路を通過する硫酸を前記第１温度よりも低い第２温度を有する硫酸にする第２流通工程とをさらに含んでもよい。

本発明の一態様において、前記第１タンク内の硫酸を所定温度に保持してもよい。

本発明の一態様において、前記第１タンクに対して前記硫酸の流通方向の下流側に配置される第２タンク内の硫酸を、前記第１タンク内の硫酸の温度よりも高い温度に保持してもよい。

本発明によれば、基板にダメージが加わることを抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供できる。

本発明の第１実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。 第１実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 第１実施形態の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第１実施形態の基板処理装置のブロック図である。 第１実施形態の基板処理装置の基板処理方法のフロー図である。 第１変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第２変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第３変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第４変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 本発明の第２実施形態の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第２実施形態の基板処理装置の基板処理方法のフロー図である。 第５変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第６変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第３実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 第３実施形態の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第３実施形態の基板処理装置の基板処理方法のフロー図である。 第７変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第８変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 本発明の第４実施形態の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第４実施形態の基板処理装置の基板処理方法のフロー図である。 第９変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。 第１０変形例の基板処理装置の処理液供給部の模式図である。

以下、図面を参照して、本発明による基板処理方法および基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

（第１実施形態）
まず、図１を参照して、本発明の第１実施形態による基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。

基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０と、処理液ボックス１１０と、処理液キャビネット１２０と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理ユニット１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液キャビネット１２０は、処理液を収容する。

具体的には、複数の基板処理ユニット１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理ユニット１０（図１では３つの基板処理ユニット１０）を含む。処理液ボックス１１０は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット１２０内の処理液は、いずれかの処理液ボックス１１０を介して、処理液ボックス１１０に対応するタワーＴＷに供給される。なお、基板処理ユニット１０および処理液キャビネット１２０には、処理液だけでなく気体が供給されてもよい。

処理液は、いわゆる薬液を含んでもよい。薬液は、フッ酸を含む。例えば、フッ酸は、４０℃以上７０℃以下に加熱されてもよく、５０℃以上６０℃以下に加熱されてもよい。ただし、フッ酸は、加熱されなくてもよい。また、薬液は、水または燐酸を含んでもよい。

さらに、薬液は、過酸化水素水を含んでもよい。また、薬液は、硫酸または硫酸過酸化水素水混合液を含んでもよい。また、薬液は、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）または王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を含んでもよい。

または、処理液は、いわゆるリンス液を含んでもよい。例えば、リンス液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。

処理液キャビネット１２０により、基板処理装置１００内の特定の空間が区画される。基板処理装置１００において、センターロボットＣＲおよび基板処理ユニット１０の設置された領域と、処理液キャビネット１２０の設置された領域との間には、境界壁ＢＷが配置される。処理液キャビネット１２０は、基板処理装置１００のうちの境界壁ＢＷの外側部分の領域の一部の空間を区画する。

処理液キャビネット１２０は、筐体によって、基板処理装置１００内の特定の空間を区画する。処理液キャビネット１２０は、筐体内に、処理液が流通する処理液配管を有する。また、典型的には、処理液キャビネット１２０は、処理液を調製するための調製槽（タンク）を有する。処理液キャビネット１２０は、１種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット１２０は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび／またはフィルターを有してもよい。

ここでは、処理液キャビネット１２０は、第１処理液筐体１２２ａと、第２処理液筐体１２２ｂとを有する。なお、図１では、図面が過度に複雑になることを避けるために、第１処理液筐体１２２ａ内の処理液が、いずれかの処理液ボックス１１０を介して、処理液ボックス１１０に対応するタワーＴＷに供給される流れを示しており、第２処理液筐体１２２ｂ内の処理液の流れを省略している。

制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。

記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。

記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１０を説明する。図２は、基板処理装置１００における基板処理ユニット１０の模式図である。

基板処理ユニット１０は、チャンバー１２と、基板保持部２０とを備える。チャンバー１２は、基板Ｗを収容する。基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。

チャンバー１２は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１２は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１２内に収容され、チャンバー１２内で処理される。チャンバー１２には、基板保持部２０および後述する処理液供給部３０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。

基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。基板保持部２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。

例えば、基板保持部２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部２０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

例えば、基板保持部２０は、スピンベース２１と、チャック部材２２と、シャフト２３と、電動モーター２４と、ハウジング２５とを含む。チャック部材２２は、スピンベース２１に設けられる。チャック部材２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース２１には、複数のチャック部材２２が設けられる。

シャフト２３は、中空軸である。シャフト２３は、回転軸Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト２３の上端には、スピンベース２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース２１の上方に載置される。

スピンベース２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト２３は、スピンベース２１の中央部から下方に延びる。電動モーター２４は、シャフト２３に回転力を与える。電動モーター２４は、シャフト２３を回転方向に回転させることにより、回転軸Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させる。ハウジング２５は、シャフト２３および電動モーター２４を取り囲んでいる。

基板処理装置１００は、処理液供給部３０をさらに備える。処理液供給部３０は、基板Ｗに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。

処理液供給部３０は、配管４０と、バルブ３４と、ノズル３６と、後述するヒータ６０（図３参照）とを含む。ノズル３６は基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル３６は、例えば、基板Ｗの中央部に処理液を吐出してもよいし、基板Ｗの中央部と周縁部との間の領域に処理液を吐出してもよい。ノズル３６は、吐出口３６ａ（図３参照）を有し、吐出口３６ａから処理液を吐出する。ノズル３６は、配管４０に接続される。配管４０には、供給源から処理液が供給される。バルブ３４は、配管４０内の流路を開閉する。ノズル３６は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。ノズル３６は、制御部１０２によって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略していることに留意されたい。

バルブ３４は、配管４０の開度を調節して、配管４０に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ３４は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。

基板処理装置１００は、カップ８０をさらに備える。カップ８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ８０は昇降する。例えば、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。

上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部２０、処理液供給部３０および／またはカップ８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター２４およびバルブ３４を制御する。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。また、基板処理装置１００は、絶縁層（例えば、レジスト層）の除去に好適に用いられる。

なお、図２に示した基板処理ユニット１０において、処理液供給部３０は、１種類の処理液を基板Ｗに供給可能であるが、処理液供給部３０は、複数種類の処理液を基板Ｗに供給可能であってもよい。例えば、処理液供給部３０は、配管４０、バルブ３４およびノズル３６をそれぞれ複数含んでもよい。

次に、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部３０について詳細に説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図３に示すように、処理液供給部３０は、タンク５０と、経路７０と、過酸化水素水供給経路Ｃ３と、上記ヒータ６０としてのヒータ６１とを含む。タンク５０は、硫酸を貯留する。経路７０は、タンク５０からノズル３６に硫酸を供給する経路である。本実施形態では、経路７０は、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とを含む。なお、タンク５０は、本発明の「第１タンク」の一例である。また、ヒータ６１は、本発明の「第１ヒータ」の一例である。

第１経路Ｃ１は、タンク５０からノズル３６に硫酸を供給する経路である。ヒータ６１は、第１経路Ｃ１の加熱領域Ｒ１を加熱する。従って、加熱領域Ｒ１を通過する硫酸の温度は、上昇する。例えば、加熱領域Ｒ１を通過する硫酸は、１７０℃～１９０℃以上になる。なお、ヒータ６１以外のヒータが第１経路Ｃ１に配置されてもよいが、ヒータ６１は、第１経路Ｃ１の硫酸の流通方向の最下流に配置されるヒータである。

第２経路Ｃ２は、加熱領域Ｒ１を介さずにタンク５０からノズル３６に硫酸を供給する経路である。なお、本実施形態では、第２経路Ｃ２には、ヒータが配置されていない。第２経路Ｃ２を通過した硫酸は、第１経路Ｃ１を通過して加熱された硫酸に比べて温度が低い。

過酸化水素水供給経路Ｃ３は、ノズル３６に過酸化水素水を供給する経路である。過酸化水素水供給経路Ｃ３は、例えば、図示しない過酸化水素水タンクからノズル３６に過酸化水素水を供給する経路である。なお、過酸化水素水供給経路Ｃ３にはヒータが配置されておらず、過酸化水素水供給経路Ｃ３を通過する過酸化水素水は、室温（例えば２５℃）である。

処理液供給部３０は、上記の配管４０としての第１配管４１、第２配管４２および第３配管４３を含む。本実施形態では、第１経路Ｃ１は第１配管４１によって構成され、第２経路Ｃ２は第２配管４２によって構成され、過酸化水素水供給経路Ｃ３は、第３配管４３によって構成される。

また、処理液供給部３０は、上記のバルブ３４としての第１バルブ３４ａ、第２バルブ３４ｂおよび過水バルブ３４ｃを含む。第１バルブ３４ａは、第１経路Ｃ１に介挿され、第１経路Ｃ１の流路を開閉する。第２バルブ３４ｂは、第２経路Ｃ２に介挿され、第２経路Ｃ２の流路を開閉する。過水バルブ３４ｃは、過酸化水素水供給経路Ｃ３に介挿され、過酸化水素水供給経路Ｃ３の流路を開閉する。

本実施形態では、第１経路Ｃ１を通過する硫酸と、過酸化水素水供給経路Ｃ３を通過する過酸化水素水とは、第１合流部Ｐ１で合流する。第１合流部Ｐ１は、加熱領域Ｒ１とノズル３６の吐出口３６ａとの間に配置され、第１経路Ｃ１と過酸化水素水供給経路Ｃ３とが合流する部分である。本実施形態では、第１合流部Ｐ１は、例えば、ノズル３６内に配置される。

例えば、第１経路Ｃ１を通過する硫酸と過酸化水素水との混合比は、体積比で、硫酸：過酸化水素水が８：２よりも硫酸の濃度が大きくなるように設定される。また、第１経路Ｃ１を通過する硫酸と過酸化水素水との混合比は、体積比で、硫酸：過酸化水素水が例えば８．５～９．５：１．５～０．５になるように設定される。合流した硫酸と過酸化水素水とは、互いに反応して高温（例えば２００℃以上）の過酸化水素水混合液になる。

また、第２経路Ｃ２を通過する硫酸と、過酸化水素水供給経路Ｃ３を通過する過酸化水素水とは、例えば、ノズル３６内で合流する。第２経路Ｃ２を通過する硫酸は、第１経路Ｃ１を通過する硫酸に比べて低い温度で過酸化水素水に合流する。従って、合流した硫酸と過酸化水素水とは、互いに反応するが、比較的低温の過酸化水素水混合液になる。なお、第２経路Ｃ２を通過する硫酸の流量（単位時間当たりに流れる量）は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、第１経路Ｃ１を通過する硫酸の流量と略同じである。

制御部１０２は、第１経路Ｃ１を通過する硫酸と過酸化水素水とが混合されてノズル３６から基板Ｗに吐出された後、第２経路Ｃ２を通過する硫酸と過酸化水素水とが混合されてノズル３６から基板Ｗに吐出されるように、第１バルブ３４ａ、第２バルブ３４ｂおよび過水バルブ３４ｃを制御する。従って、基板Ｗ上の硫酸過酸化水素水混合液を過酸化水素水で洗い流すために硫酸の供給を停止した際に、高温の硫酸過酸化水素水混合液がさらに高温になることを抑制できるとともに、基板Ｗの温度が急激に変化することを抑制できる。よって、基板Ｗ上のパターン剥がれ等のダメージが基板Ｗに加わることを抑制できる。

詳細には、第１経路Ｃ１を通過する硫酸と過酸化水素水とを混合すると、合流した硫酸と過酸化水素水とが互いに反応して高温（例えば２００℃以上）の硫酸過酸化水素水混合液になる。この高温の硫酸過酸化水素水混合液を基板Ｗに吐出した後、硫酸の供給を停止すると、基板Ｗ上で高温の硫酸過酸化水素水混合液と過酸化水素水とが合流する。このとき、基板Ｗ上に残っている硫酸過酸化水素水混合液は高温であるため、過酸化水素水と激しく反応してさらに高温になり、基板Ｗも高温になる。その後、過酸化水素水を基板Ｗ上にさらに供給することによって、硫酸過酸化水素水混合液が基板Ｗから除去されるとともに、供給される過酸化水素水により基板Ｗの温度が急激に低下する。

その一方、本実施形態では、第１経路Ｃ１を通過する硫酸と過酸化水素水とを混合してノズル３６から基板Ｗに吐出した後、第２経路Ｃ２を通過する硫酸と過酸化水素水とを混合してノズル３６から基板Ｗに吐出する。第２経路Ｃ２を通過する硫酸は、第１経路Ｃ１を通過する硫酸に比べて低い温度で過酸化水素水に合流する。従って、合流した硫酸と過酸化水素水とは、互いに反応するが、比較的低温の過酸化水素水混合液になる。この比較的低温の硫酸過酸化水素水混合液を基板Ｗに吐出した後、硫酸の供給を停止すると、基板Ｗ上で比較的低温の硫酸過酸化水素水混合液と過酸化水素水とが合流する。このとき、基板Ｗ上に残っている硫酸過酸化水素水混合液は比較的低温であるため、過酸化水素水と激しく反応することが抑制される。よって、硫酸過酸化水素水混合液が高温になることが抑制されるとともに、基板Ｗの温度上昇も抑制される。その後、過酸化水素水を基板Ｗ上にさらに供給することによって、硫酸過酸化水素水混合液が基板Ｗから除去されるとともに、供給される過酸化水素水により基板Ｗの温度が比較的緩やかに低下する。

また、本実施形態では、基板Ｗへのダメージ抑制のために硫酸と過酸化水素水との混合比を所望の比に調整する必要がないので、混合比を所望の比に調整する方法に比べて、時間を短縮できる。

また、本実施形態では、加熱領域Ｒ１を介さずにタンク５０からノズル３６に硫酸を供給する第２経路Ｃ２を設けることによって、第１経路Ｃ１を通過して加熱された硫酸よりも温度の低い硫酸と、過酸化水素水とを、容易に混合することができる。

次に、図１～図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４は、基板処理装置１００のブロック図である。

図４に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０および処理液供給部３０を制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０および処理液供給部３０に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０および処理液供給部３０を制御する。

具体的には、制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。

制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、基板処理ユニット１０のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗを基板処理ユニット１０から受け取って、基板Ｗを搬出する。

制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板保持部２０の回転数を変更することができる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０の電動モーター２４の回転数を変更することによって、基板Ｗの回転数を変更できる。

制御部１０２は、処理液供給部３０のバルブ３４を制御して、バルブ３４の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部３０のバルブ３４を制御して、バルブ３４を開状態にすることによって、ノズル３６に向かって配管４０内を流れる処理液等を通過させることができる。また、制御部１０２は、処理液供給部３０のバルブ３４を制御して、バルブ３４を閉状態にすることによって、ノズル３６に向かって配管４０内を流れる処理液等の供給を停止させることができる。つまり、制御部１０２は、例えば、第１バルブ３４ａ、第２バルブ３４ｂおよび過水バルブ３４ｃの開閉を制御することにより、ノズル３６への硫酸および過酸化水素水の供給を制御する。

制御部１０２は、ヒータ６０を制御して、タンク５０および配管４０を所定温度に加熱する。具体的には、制御部１０２は、ヒータ６０をオンオフ制御して、タンク５０内の硫酸、および、配管４０内を通過する硫酸の少なくとも一方の温度を所定温度に保持する。本実施形態では、制御部１０２は、ヒータ６０を制御して、第１経路Ｃ１の加熱領域Ｒ１を通過する硫酸を所定温度に加熱する。

次に、図１～図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法のフロー図である。なお、ステップＳ１０３は、本発明の「第１吐出工程」の一例である。ステップＳ１０７は、本発明の「第２吐出工程」の一例である。

図５に示すように、ステップＳ１０１において、制御部１０２は、加熱領域Ｒ１を通過した硫酸を過酸化水素水に合流させる。このとき、第２バルブ３４ｂは、閉じられている。また、ヒータ６１は、オンされている。以下、加熱領域Ｒ１を通過した硫酸を、比較的高温の硫酸と記載することがある。

具体的には、制御部１０２は、第１バルブ３４ａを閉状態から開状態に切り替える。また、制御部１０２は、過水バルブ３４ｃを閉状態から開状態に切り替える。これにより、タンク５０からノズル３６に向かって硫酸が供給される。硫酸は、第１配管４１の加熱領域Ｒ１でヒータ６１により所定温度（例えば１７０℃～１９０℃以上）に加熱される。また、過酸化水素水がノズル３６に向かって供給される。

加熱領域Ｒ１で加熱された比較的高温の硫酸は、過酸化水素水と合流する。比較的高温の硫酸は、加熱領域Ｒ１とノズル３６の吐出口３６ａとの間で過酸化水素水と合流する。本実施形態では、比較的高温の硫酸は、ノズル３６内で過酸化水素水と合流する。なお、第１バルブ３４ａを開く前に、過水バルブ３４ｃを開いてもよい。

次に、ステップＳ１０３において、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。具体的には、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とからなる高温（例えば２００℃以上）の硫酸過酸化水素水混合液を、ノズル３６の吐出口３６ａから基板Ｗに所定時間吐出する。これにより、例えば、基板Ｗのレジスト層（図示せず）の所定領域がエッチングされる。

次に、ステップＳ１０５において、制御部１０２は、比較的低温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。具体的には、制御部１０２は、第２バルブ３４ｂを閉状態から開状態に切り替える。また、制御部１０２は、第１バルブ３４ａを開状態から閉状態に切り替える。これにより、タンク５０からノズル３６に向かって比較的低温の硫酸が供給される。また、比較的高温の硫酸の供給が停止される。

なお、第２バルブ３４ｂを閉状態から開状態に切り替えるタイミングは、第１バルブ３４ａを開状態から閉状態に切り替える前に行うことが好ましい。詳細には、ノズル３６内の第１合流部Ｐ１において、比較的高温の硫酸が存在する状態で比較的低温の硫酸が第１合流部Ｐ１に到達するように、第２バルブ３４ｂを閉状態から開状態に切り替えることが好ましい。これにより、基板Ｗ上の高温の硫酸過酸化水素水混合液に、ノズル３６から過酸化水素水のみが供給されることを抑制できる。

次に、ステップＳ１０７において、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。具体的には、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とからなる比較的低温の硫酸過酸化水素水混合液を、ノズル３６の吐出口３６ａから基板Ｗに所定時間吐出する。

次に、ステップＳ１０９において、制御部１０２は、硫酸の供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、第２バルブ３４ｂを開状態から閉状態に切り替える。これにより、過酸化水素水のみが基板Ｗ上に供給される。このとき、過酸化水素水は、基板Ｗ上に残っている比較的低温の硫酸過酸化水素水混合液に合流するため、硫酸過酸化水素水混合液と過酸化水素水とが激しく反応することが抑制される。よって、硫酸過酸化水素水混合液が高温になることが抑制されるとともに、基板Ｗの温度上昇も抑制される。その後、過酸化水素水を基板Ｗ上にさらに供給することによって、硫酸過酸化水素水混合液が基板Ｗから除去されるとともに、基板Ｗの温度が比較的緩やかに低下する。

次に、ステップＳ１１１において、制御部１０２は、過酸化水素水の供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、過水バルブ３４ｃを開状態から閉状態に切り替える。これにより、基板Ｗへの処理液の供給が停止する。

以上のようにして、本実施形態の基板処理方法が終了する。

（第１変形例）
次に、図６を参照して、本発明の第１変形例の基板処理装置１００を説明する。第１変形例では、図１～図５を用いて説明した第１実施形態とは異なり、第１合流部Ｐ１に対して硫酸の流通方向の上流側で、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが合流する例について説明する。図６は、第１変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図６に示すように、第１変形例では、処理液供給部３０は、第２合流部Ｐ２を有する。第２合流部Ｐ２は、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが合流する部分である。第２合流部Ｐ２は、第１合流部Ｐ１と加熱領域Ｒ１との間に配置され、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とを合流する。

具体的には、第１配管４１のうち加熱領域Ｒ１よりも上流側（タンク５０側）の部分を配管４１ａとし、加熱領域Ｒ１よりも下流側（ノズル３６側）の部分を配管４１ｂとする。この場合、第２配管４２は、配管４１ｂに接続される。そして、配管４１ｂのうち第２合流部Ｐ２よりも下流側（ノズル３６側）の部分は、第１経路Ｃ１および第２経路Ｃ２の共通経路となっている。第１変形例では、第２配管４２と配管４１ｂの一部とによって、第２経路Ｃ２が構成される。そして、比較的低温の硫酸は、第２配管４２と配管４１ｂの一部とを通過してノズル３６に供給される。

第１変形例では、第１合流部Ｐ１と加熱領域Ｒ１との間で、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが合流する。従って、比較的高温の硫酸も比較的低温の硫酸も同じ位置で過酸化水素水に合流する。よって、硫酸と過酸化水素水とを安定して混合することができる。

また、配管４１ｂの一部を第１経路Ｃ１および第２経路Ｃ２の共通配管にできるため、処理液供給部３０が大型化することを抑制できる。

第１変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第１実施形態と同様である。

（第２変形例）
次に、図７を参照して、本発明の第２変形例の基板処理装置１００を説明する。第２変形例では、図６を用いて説明した第１変形例とは異なり、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の上流側で分岐する例について説明する。図７は、第２変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図７に示すように、第２変形例では、処理液供給部３０は、分岐部Ｐ３を有する。分岐部Ｐ３は、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが分岐する部分である。分岐部Ｐ３は、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の上流側（タンク５０側）に配置される。つまり、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とは、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の上流側で分岐する。

また、第２変形例では、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とは、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の下流側（ノズル３６側）で合流する。具体的には、処理液供給部３０は、第１変形例と同様、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが合流する第２合流部Ｐ２を有する。第２合流部Ｐ２は、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の下流側に配置される。

詳細には、第２配管４２は、第１配管４１の配管４１ａと配管４１ｂとに接続される。そして、配管４１ａのうち分岐部Ｐ３よりも上流側（タンク５０側）の部分は、第１経路Ｃ１および第２経路Ｃ２の共通経路となっている。第２変形例では、配管４１ａの一部と、第２配管４２と、配管４１ｂの一部とによって、第２経路Ｃ２が構成される。そして、比較的低温の硫酸は、配管４１ａの一部と、第２配管４２と、配管４１ｂの一部とを通過してノズル３６に供給される。

第２変形例では、第１経路Ｃ１の流路を開閉する第１バルブ３４ａは、分岐部Ｐ３と第２合流部Ｐ２との間に配置される。第２経路Ｃ２の流路を開閉する第２バルブ３４ｂは、第２配管４２に配置される。

第２変形例では、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とは、加熱領域Ｒ１に対して上流側で分岐し、加熱領域Ｒ１に対して下流側で合流する。従って、配管４１ａの一部および配管４１ｂの一部を第１経路Ｃ１および第２経路Ｃ２の共通配管にできるため、処理液供給部３０が大型化することをより抑制できる。

第２変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第１変形例と同様である。

（第３変形例）
次に、図８を参照して、本発明の第３変形例の基板処理装置１００を説明する。第３変形例では、図１～図５を用いて説明した第１実施形態とは異なり、処理液供給部３０がヒータ６２を含む例について説明する。図８は、第３変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図８に示すように、第３変形例では、処理液供給部３０は、上記のヒータ６０としてのヒータ６２をさらに含む。なお、ヒータ６２は、本発明の「第２ヒータ」の一例である。ヒータ６２は、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持するためのヒータである。第３変形例では、ヒータ６２は、タンク５０を加熱することによって、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持する。例えば、タンク５０内の硫酸は、１５０℃以上に保持される。なお、ヒータ６２は、タンク５０を加熱しなくてもよい。例えば、硫酸を循環させる循環配管をタンク５０に接続し、循環配管をヒータ６２によって加熱してもよい。

第３変形例では、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持するヒータ６２を備えることによって、加熱領域Ｒ１を通過する硫酸を所望温度（例えば１７０℃～１９０℃以上）に容易に昇温できる。

第３変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第１実施形態と同様である。

（第４変形例）
次に、図９を参照して、本発明の第４変形例の基板処理装置１００を説明する。第４変形例では、図６を用いて説明した第１変形例とは異なり、第３配管４３が第１配管４１に接続される例について説明する。図９は、第４変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図９に示すように、第４変形例では、第１経路Ｃ１と過酸化水素水供給経路Ｃ３とは、ノズル３６と加熱領域Ｒ１との間で合流する。

具体的には、第３配管４３は、第１配管４１の配管４１ｂに接続される。そして、第３配管４３と配管４１ｂの一部とによって、過酸化水素水供給経路Ｃ３が構成される。

第４変形例では、第３配管４３は、第２合流部Ｐ２とノズル３６との間で、配管４１ｂに接続される。そして、配管４１ｂのうち第１合流部Ｐ１よりも下流側（ノズル３６側）の部分は、第１経路Ｃ１、第２経路Ｃ２および過酸化水素水供給経路Ｃ３の共通配管となっている。

第４変形例では、第３配管４３を第１配管４１に接続することによって、第１配管４１の一部を共通配管にできるため、処理液供給部３０が大型化することをより抑制できる。また、硫酸と過酸化水素水とをノズル３６内で合流させる場合に比べて、合流してから吐出されるまでの時間が長くなるので、硫酸と過酸化水素水とをより均一に混合できる。

第４変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第１変形例と同様である。

（第２実施形態）
次に、図１０を参照して、本発明の第２実施形態による基板処理装置１００を説明する。第２実施形態では、図１～図５を用いて説明した第１実施形態とは異なり、処理液供給部３０がタンク５０およびタンク５１を有する例について説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。以下、第１実施形態と異なる点について主に説明する。

図１０に示すように、第２実施形態では、処理液供給部３０は、タンク５０と、タンク５１と、経路７０（第１経路Ｃ１、第２経路Ｃ２）と、過酸化水素水供給経路Ｃ３と、ヒータ６１、ヒータ６２およびヒータ６３とを含む。タンク５０およびタンク５１は、硫酸を貯留する。経路７０は、タンク５１からノズル３６に硫酸を供給する経路である。

本実施形態では、タンク５１は、本発明の「第１タンク」の一例である。また、タンク５０は、本発明の「第２タンク」の一例である。また、ヒータ６３は、本発明の「第２ヒータ」の一例である。また、ヒータ６２は、本発明の「第３ヒータ」の一例である。

本実施形態では、第１経路Ｃ１は、タンク５１からノズル３６に硫酸を供給する経路である。第２経路Ｃ２は、タンク５１からノズル３６に硫酸を供給する経路である。

具体的には、処理液供給部３０は、上記の配管４０としての第１配管４１、第２配管４２、第３配管４３および第４配管４４を含む。第４配管４４は、タンク５０とタンク５１とを接続する。本実施形態では、第１経路Ｃ１は、第４配管４４、タンク５０および第１配管４１によって構成される。また、本実施形態では、第２配管４２は、タンク５１とノズル３６とを接続する。第２経路Ｃ２は、第２配管４２によって構成される。

処理液供給部３０は、バルブ３４としての第４バルブ３４ｄをさらに含む。第４バルブ３４ｄは、第４配管４４に配置される。第４バルブ３４ｄは、第４配管４４の流路を開閉する。制御部１０２は、タンク５０内の硫酸が所定量未満になった場合に、第４バルブ３４ｄを閉状態から開状態に切り替える。これにより、タンク５１からタンク５０に硫酸が供給される。

処理液供給部３０は、ヒータ６０としてのヒータ６１、ヒータ６２およびヒータ６３を含む。ヒータ６２は、第３変形例と同様、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持するためのヒータである。ヒータ６２は、第３変形例と同様であるため、その説明を省略する。

ヒータ６３は、タンク５１内の硫酸を所定温度に保持するためのヒータである。第２実施形態では、ヒータ６３は、タンク５１を加熱することによって、タンク５１内の硫酸を所定温度に保持する。タンク５１内の硫酸は、タンク５０内の硫酸に比べて低い温度に保持される。例えば、タンク５１内の硫酸は、例えば、１２０℃以上、１５０℃未満に保持される。なお、ヒータ６２は、タンク５１を加熱しなくてもよい。例えば、硫酸を循環させる循環配管をタンク５１に接続し、循環配管をヒータ６３によって加熱してもよい。

さらに、本実施形態では、処理液供給部３０は、戻り配管４５および戻り配管４６と、バルブ３４ｅおよびバルブ３４ｆとを含む。戻り配管４５は、第１配管４１の配管４１ｂに接続される。バルブ３４ｅは、戻り配管４５に配置される。バルブ３４ｅは、戻り配管４５の流路を開閉する。

戻り配管４６は、第２配管４２のうち第２バルブ３４ｂよりも下流側（ノズル３６側）の部分に接続される。バルブ３４ｆは、戻り配管４６に配置される。バルブ３４ｆは、戻り配管４６の流路を開閉する。

第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態と同様である。

次に、図１０および図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法のフロー図である。本実施形態のステップＳ２０１～ステップＳ２１１は、第１実施形態のステップＳ１０１～ステップＳ１１１に対応する。なお、ステップＳ２０３は、本発明の「第１吐出工程」の一例である。ステップＳ２０７は、本発明の「第２吐出工程」の一例である。本実施形態では、第１実施形態とは異なる点を主に説明する。

図１１に示すように、ステップＳ２０１において、制御部１０２は、加熱領域Ｒ１を通過した比較的高温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。このとき、第２バルブ３４ｂ、バルブ３４ｅおよびバルブ３４ｆは、閉じられている。また、ヒータ６１、ヒータ６２およびヒータ６３は、オンされている。

次に、ステップＳ２０３において、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。

次に、ステップＳ２０５において、制御部１０２は、比較的低温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。具体的には、制御部１０２は、第２バルブ３４ｂを閉状態から開状態に切り替える。また、制御部１０２は、第１バルブ３４ａを開状態から閉状態に切り替える。これにより、タンク５１からノズル３６に向かって比較的低温の硫酸が供給される。

次に、ステップＳ２０７において、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。

次に、ステップＳ２０９において、制御部１０２は、硫酸の供給を停止する。

次に、ステップＳ２１１において、制御部１０２は、過酸化水素水の供給を停止する。

次に、ステップＳ２１３において、制御部１０２は、バルブ３４ｅおよびバルブ３４ｆを開いて、処理液がノズル３６から落下することを抑制する。具体的には、制御部１０２は、バルブ３４ｅを閉状態から開状態に切り替える。これにより、サイフォンの原理により、戻り配管４５からノズル３６の吐出口３６ａまでの間に残っている処理液が、戻り配管４５に引き込まれる。また、制御部１０２は、バルブ３４ｆを閉状態から開状態に切り替える。これにより、サイフォンの原理により、戻り配管４６からノズル３６の吐出口３６ａまでの間に残っている処理液が、戻り配管４６に引き込まれる。従って、処理液がノズル３６の吐出口３６ａから落下することを抑制できる。その後、制御部１０２は、バルブ３４ｅおよびバルブ３４ｆを閉じる。

以上のようにして、本実施形態の基板処理方法が終了する。

第２実施形態のその他の効果、および、その他の基板処理方法は、第１実施形態と同様である。

（第５変形例）
次に、図１２を参照して、本発明の第５変形例の基板処理装置１００を説明する。第５変形例では、図１０および図１１を用いて説明した第２実施形態とは異なり、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の上流側で分岐する例について説明する。図１２は、第５変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図１２に示すように、第５変形例では、第２変形例と同様、処理液供給部３０は、分岐部Ｐ３を有する。分岐部Ｐ３は、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが分岐する部分である。分岐部Ｐ３は、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の上流側に配置される。つまり、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とは、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の上流側で分岐する。

また、第５変形例では、図７に示した第２変形例と同様、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とは、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の下流側で合流する。具体的には、処理液供給部３０は、第２変形例と同様、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とが合流する第２合流部Ｐ２を有する。第２合流部Ｐ２は、加熱領域Ｒ１に対して硫酸の流通方向の下流側に配置される。

詳細には、第２配管４２は、第１配管４１の配管４１ａと配管４１ｂとに接続される。そして、配管４１ａのうち分岐部Ｐ３よりも上流側（タンク５０側）の部分と、第４配管４４とは、第１経路Ｃ１および第２経路Ｃ２の共通経路となっている。第５変形例では、第４配管４４と、第１配管４１とによって、第１経路Ｃ１が構成される。また、第４配管４４と、配管４１ａの一部と、第２配管４２と、配管４１ｂの一部とによって、第２経路Ｃ２が構成される。

第５変形例では、第２変形例と同様、第１経路Ｃ１の流路を開閉する第１バルブ３４ａは、分岐部Ｐ３と第２合流部Ｐ２との間に配置される。第２経路Ｃ２の流路を開閉する第２バルブ３４ｂは、第２配管４２に配置される。

第５変形例では、第１経路Ｃ１と第２経路Ｃ２とは、加熱領域Ｒ１に対して上流側で分岐し、加熱領域Ｒ１に対して下流側で合流する。従って、第４配管４４、配管４１ａの一部および配管４１ｂの一部を第１経路Ｃ１および第２経路Ｃ２の共通配管にできるため、処理液供給部３０が大型化することをより抑制できる。

第５変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第２実施形態と同様である。

（第６変形例）
次に、図１３を参照して、本発明の第６変形例の基板処理装置１００を説明する。第６変形例では、図１２を用いて説明した第５変形例とは異なり、硫酸を循環させる循環配管４７を設ける例について説明する。図１３は、第６変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図１３に示すように、第６変形例では、処理液供給部３０は、循環配管４７を有する。第６変形例では、循環配管４７は、配管４１ｂに接続される。循環配管４７は、例えば、配管４１ｂのうち第２合流部Ｐ２に対して下流側の部分に接続される。循環配管４７は、例えば、配管４１ｂとタンク５１とを接続する。循環配管４７は、配管４１ｂを通過する硫酸をタンク５１に戻す。なお、循環配管４７は、配管４１ａまたは第２配管４２とタンク５１とを接続してもよい。また、循環配管４７は、配管４１ａ、第２配管４２または配管４１ｂとタンク５０とを接続し、硫酸をタンク５０に戻してもよい。

処理液供給部３０は、バルブ３４ｇおよびバルブ３４ｈを含む。バルブ３４ｇは、循環配管４７に配置される。バルブ３４ｇは、循環配管４７の流路を開閉する。バルブ３４ｈは、配管４１ｂのうち循環配管４７が接続される部分よりも下流側に配置される。バルブ３４ｈは、配管４１ｂの流路を開閉する。

硫酸をノズル３６に供給する場合、バルブ３４ｇは閉じられ、バルブ３４ｈは開かれる。その一方、硫酸をタンク５１（またはタンク５０）に戻す場合、バルブ３４ｇは開かれ、バルブ３４ｈは閉じられる。

第６変形例では、硫酸をノズル３６に供給しない場合、タンク５０の硫酸は、例えば、配管４１ａと、第２配管４２（または加熱領域Ｒ１）と、配管４１ｂと、循環配管４７と、タンク５１と、第４配管４４とを介して、タンク５０に戻される。つまり、配管４１ａと、第２配管４２（または加熱領域Ｒ１）と、配管４１ｂと、循環配管４７と、タンク５１と、第４配管４４とによって、タンク５０の硫酸を循環させる循環経路が構成される。これにより、配管４１ａ、第２配管４２および配管４１ｂなどの内部の硫酸の温度を所定温度に保持することが可能である。

なお、第６変形例では、ヒータ６２によりタンク５０を加熱して所定温度の硫酸を循環させる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、ヒータ６２により配管４１ａを加熱して所定温度の硫酸を循環させてもよい。

第６変形例のその他の構造およびその他の効果は、第２実施形態と同様である。また、第６変形例の基板処理方法は、第２変形例と同様である。

（第３実施形態）
次に、図１４、図１５および図１６を参照して、本発明の第３実施形態による基板処理装置１００について説明する。第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態等とは異なり、第１経路Ｃ１を通過した硫酸を用いて比較的低温の過酸化水素水混合液を得る例について説明する。図１４は、第３実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１０の模式図である。以下、第１実施形態と異なる点について主に説明する。

図１４に示すように、基板処理装置１００は、遮蔽部材９０を備える。遮蔽部材９０は、チャンバー１２内に収容される。遮蔽部材９０は、基板保持部２０に保持された基板Ｗを鉛直上方側から遮蔽する。

遮蔽部材９０は、基板保持部２０の上方に配置される。遮蔽部材９０は、基板Ｗに対向する。遮蔽部材９０の外径は、基板Ｗの外径と略等しい、または、基板Ｗの外径よりも少し大きい。また、遮蔽部材９０は、近接位置と退避位置との間で、基板Ｗに対して移動する。なお、基板処理装置１００は、遮蔽部材９０を近接位置と退避位置との間で移動させる移動機構（図示せず）を備える。遮蔽部材９０が近接位置に位置する場合、遮蔽部材９０は、下降して基板Ｗの上面Ｗａに所定間隔をあけて近接する。近接位置では、遮蔽部材９０は、基板Ｗの上面Ｗａを覆って基板Ｗの上方を遮蔽する。遮蔽部材９０が退避位置に位置する場合は、遮蔽部材９０は、近接位置よりも鉛直上方に遠ざかった場所に位置する。遮蔽部材９０が近接位置から退避位置に変化するとき、遮蔽部材９０は上昇して基板Ｗから遠ざかる。

遮蔽部材９０は、ノズル３６から基板Ｗに処理液が吐出された際に、基板Ｗから跳ねる液を受け止める。これにより、処理液が基板保持部２０等の周囲に飛散することを抑制する。

基板処理装置１００は、流体供給部１３０をさらに備える。流体供給部１３０は、配管１４０と、バルブ１３４と、ノズル１３６とを備える。ノズル１３６は、遮蔽部材９０に配置される。ノズル１３６は、基板Ｗの上面Ｗａに流体を吐出する。流体は、処理液または気体を含む。処理液は、特に限定されるものではないが、例えば、リンス液またはＩＰＡを含んでもよい。気体は、特に限定されるものではないが、例えば、窒素ガスまたは清浄な空気であってもよい。

また、ノズル１３６は、例えば、基板Ｗの中央部に流体を吐出してもよいし、基板Ｗの中央部と周縁部との間の領域に流体を吐出してもよい。ノズル１３６は、吐出口（図示せず）を有し、吐出口から流体を吐出する。吐出口の数は、特に限定されるものではなく、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。本実施形態では、吐出口は、複数配置される。ノズル１３６は、配管１４０に接続される。配管１４０には、供給源から流体が供給される。バルブ１３４は、配管１４０内の流路を開閉する。

バルブ１３４は、配管１４０の開度を調節して、配管１４０に供給される流体の流量を調整する。具体的には、バルブ１３４は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。

次に、図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部３０について説明する。図１５は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。

図１５に示すように、第３実施形態では、第１実施形態と同様、処理液供給部３０は、タンク５０と、経路７０と、過酸化水素水供給経路Ｃ３と、ヒータ６１とを含む。経路７０は、第１経路Ｃ１を含む。なお、本実施形態では、第１実施形態とは異なり、経路７０は、第２経路Ｃ２を含んでいない。タンク５０は、硫酸を貯留する。なお、タンク５０は、本発明の「第１タンク」の一例である。また、ヒータ６１は、本発明の「第１ヒータ」の一例である。

ヒータ６１は、第１経路Ｃ１の加熱領域Ｒ１を加熱可能である。本実施形態では、ヒータ６１は、制御部１０２によってオンオフが切り替えられる。つまり、ヒータ６１は、加熱領域Ｒ１を加熱する加熱状態と、加熱領域Ｒ１を加熱しない非加熱状態とに切り替えられる。

ヒータ６１が加熱領域Ｒ１を加熱することによって、加熱領域Ｒ１を通過する硫酸の温度は、上昇する。例えば、加熱領域Ｒ１を通過し加熱領域Ｒ１で加熱された硫酸の温度は、第１温度になる。第１温度は、例えば、１７０℃～１９０℃以上である。

一方、ヒータ６１が加熱領域Ｒ１を加熱しない場合、加熱領域Ｒ１を通過する硫酸の温度は、上昇しない。ヒータ６１が加熱領域Ｒ１を加熱しない場合、加熱領域Ｒ１を通過した硫酸は、第２温度を有する。第２温度は、例えば、常温から１５０℃である。つまり、加熱領域Ｒ１を通過する際に加熱領域Ｒ１で加熱されない硫酸は、加熱領域Ｒ１で加熱された硫酸よりも低い温度を有する。以下、加熱領域Ｒ１で加熱された硫酸を比較的高温の硫酸と記載し、加熱領域Ｒ１で加熱されなかった硫酸を比較的低温の硫酸と記載することがある。

処理液供給部３０は、配管４０としての第１配管４１および第３配管４３を含む。なお、本実施形態では、第１実施形態とは異なり、処理液供給部３０は、第２配管４２を含んでいない。

また、処理液供給部３０は、バルブ３４としての第１バルブ３４ａおよび過水バルブ３４ｃを含む。なお、本実施形態では、第１実施形態とは異なり、処理液供給部３０は、第２バルブ３４ｂを含んでいない。

本実施形態では、加熱領域Ｒ１で加熱された比較的高温の硫酸と過酸化水素水とは、互いに反応して高温（例えば２００℃以上）の過酸化水素水混合液になる。

その一方、加熱領域Ｒ１で加熱されなかった比較的低温の硫酸は、加熱された比較的高温の硫酸に比べて低い温度で過酸化水素水に合流する。従って、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とは、互いに反応するが、比較的低温の過酸化水素水混合液になる。なお、比較的低温の硫酸の流量（単位時間当たりに流れる量）は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、比較的高温の硫酸の流量と略同じである。

制御部１０２は、ヒータ６１を第１出力にすることにより、第１経路Ｃ１を通過する硫酸を比較的高温の硫酸にする。比較的高温の硫酸は、第１温度を有する。第１温度は、例えば、１７０℃～１９０℃以上の温度である。また、制御部１０２は、ヒータ６１を第１出力よりも低い第２出力にすることにより、第１経路Ｃ１を通過する硫酸を比較的低温の硫酸にする。比較的低温の硫酸は、第１温度よりも低い第２温度を有する。第２温度は、例えば、常温から１５０℃の温度である。

本実施形態では、制御部１０２は、ヒータ６１をオンすることにより、第１経路Ｃ１を通過する硫酸を、第１温度を有する硫酸にする。また、制御部１０２は、ヒータ６１をオフすることにより、第１経路Ｃ１を通過する硫酸を、第２温度を有する硫酸にする。

本実施形態では、制御部１０２は、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とが混合されてノズル３６から基板Ｗに吐出された後、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とが混合されてノズル３６から基板Ｗに吐出されるように、ヒータ６１を制御する。従って、基板Ｗ上の硫酸過酸化水素水混合液を過酸化水素水で洗い流すために硫酸の供給を停止した際に、高温の硫酸過酸化水素水混合液がさらに高温になることを抑制できるとともに、基板Ｗの温度が急激に変化することを抑制できる。よって、基板Ｗ上のパターン剥がれ等のダメージが基板Ｗに加わることを抑制できる。

また、本実施形態では、第１実施形態と同様、基板Ｗへのダメージ抑制のために硫酸と過酸化水素水との混合比を所望の比に調整する必要がないので、混合比を所望の比に調整する方法に比べて、時間を短縮できる。

また、本実施形態では、第１実施形態と異なり、第２経路Ｃ２および第２バルブ３４ｂを設ける必要がないので、基板処理装置１００の構成を簡素化できる。

第３実施形態のその他の構造は、第１実施形態と同様である。

次に、図１５および図１６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を説明する。図１６は、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法のフロー図である。本実施形態のステップＳ３０１～ステップＳ３１１は、第１実施形態のステップＳ１０１～ステップＳ１１１に対応する。なお、ステップＳ３０１は、本発明の「第１流通工程」の一例である。ステップＳ３０３は、本発明の「第１吐出工程」の一例である。ステップＳ３０５は、本発明の「第２流通工程」の一例である。ステップＳ３０７は、本発明の「第２吐出工程」の一例である。本実施形態では、第１実施形態とは異なる点を主に説明する。

図１６に示すように、ステップＳ３０１において、制御部１０２は、加熱領域Ｒ１を通過した比較的高温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。このとき、ヒータ６１は、オンされており、タンク５０からの硫酸は、加熱領域Ｒ１で加熱されて比較的高温の硫酸になる。

次に、ステップＳ３０３において、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。

次に、ステップＳ３０５において、制御部１０２は、比較的低温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。具体的には、制御部１０２は、ヒータ６１をオフする。これにより、ヒータ６１は、オン状態からオフ状態に切り替わる。これにより、第１経路Ｃ１を通過する硫酸は、加熱領域Ｒ１で加熱されないため、ノズル３６に向かって比較的低温の硫酸が供給される。

次に、ステップＳ３０７において、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。

次に、ステップＳ３０９において、制御部１０２は、硫酸の供給を停止する。

次に、ステップＳ３１１において、制御部１０２は、過酸化水素水の供給を停止する。

以上のようにして、本実施形態の基板処理方法が終了する。

第３実施形態では、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とを混合して基板Ｗに吐出した後、ヒータ６１の出力を切り替えることによって、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを混合して基板Ｗに吐出する。従って、ヒータ６１の出力を切り替えるだけで、基板Ｗ上のパターン剥がれ等のダメージが基板Ｗに加わることを抑制できる。

なお、上記の基板処理において、遮蔽部材９０に配置されたノズル１３６から、例えばリンス液を吐出してもよい。この場合、ステップＳ３１１の後に、ノズル１３６から基板Ｗにリンス液を吐出してもよい。

また、上記の基板処理において、遮蔽部材９０に配置されたノズル１３６から、例えば窒素ガスを吐出してもよい。例えば、ステップＳ３０３～ステップＳ３０９を実行している間、ノズル１３６から例えば窒素ガスを吐出してもよい。この場合、基板Ｗの上方において下向きの気流が生じるので、ノズル３６から基板Ｗに吐出された処理液が基板Ｗで跳ねて周囲に飛散することを抑制できる。

第３実施形態のその他の基板処理方法、および、その他の効果は、第１実施形態と同様である。

（第７変形例）
次に、図１７を参照して、本発明の第７変形例の基板処理装置１００を説明する。第７変形例では、図１５および図１６を用いて説明した第３実施形態とは異なり、処理液供給部３０がヒータ６２を含む例について説明する。図１７は、第７変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図１７に示すように、第７変形例では、処理液供給部３０は、上記のヒータ６０としてのヒータ６２をさらに含む。なお、ヒータ６２は、本発明の「第２ヒータ」の一例である。ヒータ６２は、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持するためのヒータである。第７変形例では、ヒータ６２は、タンク５０を加熱することによって、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持する。例えば、タンク５０内の硫酸は、１５０℃以上に保持される。なお、ヒータ６２は、タンク５０を加熱しなくてもよい。例えば、硫酸を循環させる循環配管をタンク５０に接続し、循環配管をヒータ６２によって加熱してもよい。

第７変形例では、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持するヒータ６２を備えることによって、加熱領域Ｒ１を通過する硫酸を所望温度（例えば１７０℃～１９０℃以上）に容易に昇温できる。

第７変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第３実施形態と同様である。

（第８変形例）
次に、図１８を参照して、本発明の第８変形例の基板処理装置１００を説明する。第８変形例では、図１５を用いて説明した第３実施形態とは異なり、第３配管４３が第１配管４１に接続される例について説明する。図１８は、第８変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図１８に示すように、第８変形例では、第１経路Ｃ１と過酸化水素水供給経路Ｃ３とは、ノズル３６と加熱領域Ｒ１との間で合流する。

具体的には、第３配管４３は、第１配管４１の配管４１ｂに接続される。そして、第３配管４３と配管４１ｂの一部とによって、過酸化水素水供給経路Ｃ３が構成される。また、配管４１ｂのうち第１合流部Ｐ１よりも下流側（ノズル３６側）の部分は、第１経路Ｃ１および過酸化水素水供給経路Ｃ３の共通配管となっている。

第８変形例では、第３配管４３を第１配管４１に接続することによって、第１配管４１の一部を共通配管にできるため、処理液供給部３０が大型化することをより抑制できる。また、硫酸と過酸化水素水とをノズル３６内で合流させる場合に比べて、合流してから吐出されるまでの時間が長くなるので、硫酸と過酸化水素水とをより均一に混合できる。

第８変形例のその他の構造、その他の効果、および、基板処理方法は、第３実施形態と同様である。

（第４実施形態）
次に、図１９および図２０を参照して、本発明の第４実施形態による基板処理装置１００を説明する。第４実施形態では、図１５および図１６を用いて説明した第３実施形態とは異なり、処理液供給部３０がタンク５０およびタンク５１を有する例について説明する。図１９は、本実施形態の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。以下、第３実施形態と異なる点について主に説明する。

図１９に示すように、第４実施形態では、処理液供給部３０は、タンク５０と、タンク５１と、経路７０と、過酸化水素水供給経路Ｃ３と、ヒータ６１、ヒータ６２およびヒータ６３とを含む。タンク５０およびタンク５１は、硫酸を貯留する。経路７０は、第１経路Ｃ１を含む。なお、第４実施形態では、第２実施形態とは異なり、経路７０は、第２経路Ｃ２を含んでいない。

本実施形態では、タンク５１は、本発明の「第１タンク」の一例である。また、タンク５０は、本発明の「第２タンク」の一例である。また、ヒータ６３は、本発明の「第２ヒータ」の一例である。また、ヒータ６２は、本発明の「第３ヒータ」の一例である。

本実施形態では、第１経路Ｃ１は、タンク５１からノズル３６に硫酸を供給する経路である。

具体的には、処理液供給部３０は、上記の配管４０としての第１配管４１、第３配管４３および第４配管４４を含む。第４配管４４は、タンク５０とタンク５１とを接続する。本実施形態では、第１経路Ｃ１は、第４配管４４、タンク５０および第１配管４１によって構成される。

処理液供給部３０は、バルブ３４としての第４バルブ３４ｄをさらに含む。第４バルブ３４ｄは、第４配管４４に配置される。第４バルブ３４ｄは、第４配管４４の流路を開閉する。制御部１０２は、タンク５０内の硫酸が所定量未満になった場合に、第４バルブ３４ｄを閉状態から開状態に切り替える。これにより、タンク５１からタンク５０に硫酸が供給される。

処理液供給部３０は、ヒータ６０としてのヒータ６１、ヒータ６２およびヒータ６３を含む。ヒータ６２は、第７変形例と同様、タンク５０内の硫酸を所定温度に保持するためのヒータである。ヒータ６２は、第７変形例と同様であるため、その説明を省略する。

ヒータ６３は、タンク５１内の硫酸を所定温度に保持するためのヒータである。本実施形態では、ヒータ６３は、タンク５１を加熱することによって、タンク５１内の硫酸を所定温度に保持する。タンク５１内の硫酸は、タンク５０内の硫酸に比べて低い温度に保持される。例えば、タンク５１内の硫酸は、例えば、１２０℃以上、１５０℃未満に保持される。なお、ヒータ６２は、タンク５１を加熱しなくてもよい。例えば、硫酸を循環させる循環配管をタンク５１に接続し、循環配管をヒータ６３によって加熱してもよい。

さらに、本実施形態では、処理液供給部３０は、戻り配管４５と、バルブ３４ｅとを含む。戻り配管４５は、第１配管４１の配管４１ｂに接続される。バルブ３４ｅは、戻り配管４５に配置される。バルブ３４ｅは、戻り配管４５の流路を開閉する。

第４実施形態のその他の構成は、第３実施形態と同様である。

次に、図１９および図２０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法を説明する。図２０は、本実施形態の基板処理装置１００の基板処理方法のフロー図である。本実施形態のステップＳ４０１～ステップＳ４１１は、第３実施形態のステップＳ３０１～ステップＳ３１１に対応する。なお、ステップＳ４０１は、本発明の「第１流通工程」の一例である。ステップＳ４０３は、本発明の「第１吐出工程」の一例である。ステップＳ４０５は、本発明の「第２流通工程」の一例である。ステップＳ４０７は、本発明の「第２吐出工程」の一例である。本実施形態では、第３実施形態とは異なる点を主に説明する。

図２０に示すように、ステップＳ４０１において、制御部１０２は、加熱領域Ｒ１を通過した比較的高温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。このとき、ヒータ６１、ヒータ６２およびヒータ６３は、オンされており、タンク５０からの硫酸は、加熱領域Ｒ１で加熱されて比較的高温の硫酸になる。

次に、ステップＳ４０３において、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。

次に、ステップＳ４０５において、制御部１０２は、比較的低温の硫酸を過酸化水素水に合流させる。

次に、ステップＳ４０７において、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗに吐出する。

次に、ステップＳ４０９において、制御部１０２は、硫酸の供給を停止する。

次に、ステップＳ４１１において、制御部１０２は、過酸化水素水の供給を停止する。

次に、ステップＳ４１３において、制御部１０２は、バルブ３４ｅを開いて、処理液がノズル３６から落下することを抑制する。具体的には、制御部１０２は、バルブ３４ｅを閉状態から開状態に切り替える。これにより、サイフォンの原理により、戻り配管４５からノズル３６の吐出口３６ａまでの間に残っている処理液が、戻り配管４５に引き込まれる。従って、処理液がノズル３６の吐出口３６ａから落下することを抑制できる。その後、制御部１０２は、バルブ３４ｅを閉じる。

以上のようにして、本実施形態の基板処理方法が終了する。

第４実施形態のその他の効果、および、その他の基板処理方法は、第３実施形態と同様である。

（第９変形例）
次に、図２１を参照して、本発明の第９変形例の基板処理装置１００を説明する。第９変形例では、第３実施形態および第４実施形態等とは異なり、硫酸を循環させる循環配管４７を設ける例について説明する。図２１は、第９変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図２１に示すように、第９変形例では、処理液供給部３０は、分岐部Ｐ４と、循環配管４７とを有する。分岐部Ｐ４は、第１経路Ｃ１と循環配管４７とが分岐する部分である。第９変形例では、分岐部Ｐ４は、配管４１ｂに配置される。つまり、第９変形例では、循環配管４７は、配管４１ｂに接続される。循環配管４７は、例えば、配管４１ｂとタンク５１とを接続する。循環配管４７は、配管４１ｂを通過する硫酸をタンク５１に戻す。なお、循環配管４７は、配管４１ｂとタンク５０とを接続し、硫酸をタンク５０に戻してもよい。

また、第９変形例では、ヒータ６１は、第１経路Ｃ１のうち分岐部Ｐ４に対して硫酸の流通方向の上流側に配置される。従って、循環経路を通過する硫酸を、ヒータ６１によって加熱できる。

処理液供給部３０は、バルブ３４ｇおよびバルブ３４ｈを含む。バルブ３４ｇは、循環配管４７に配置される。バルブ３４ｇは、循環配管４７の流路を開閉する。バルブ３４ｈは、配管４１ｂのうち分岐部Ｐ４よりも下流側に配置される。バルブ３４ｈは、配管４１ｂの流路を開閉する。

硫酸をノズル３６に供給する場合、バルブ３４ｇは閉じられ、バルブ３４ｈは開かれる。その一方、硫酸をタンク５１（またはタンク５０）に戻す場合、バルブ３４ｇは開かれ、バルブ３４ｈは閉じられる。

第９変形例では、硫酸をノズル３６に供給しない場合、タンク５０の硫酸は、例えば、配管４１ａと、加熱領域Ｒ１と、配管４１ｂと、循環配管４７と、タンク５１と、第４配管４４とを介して、タンク５０に戻される。つまり、配管４１ａと、加熱領域Ｒ１と、配管４１ｂと、循環配管４７と、タンク５１と、第４配管４４とによって、タンク５０の硫酸を循環させる循環経路が構成される。これにより、配管４１ａおよび配管４１ｂなどの内部の硫酸の温度を所定温度に保持することが可能である。

なお、第９変形例では、ヒータ６２によりタンク５０を加熱して所定温度の硫酸を循環させる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、ヒータ６２により配管４１ａを加熱して所定温度の硫酸を循環させてもよい。

第９変形例のその他の構造およびその他の効果は、第４実施形態と同様である。また、第９変形例の基板処理方法は、第３実施形態と同様である。

（第１０変形例）
次に、図２２を参照して、本発明の第１０変形例の基板処理装置１００を説明する。第１０変形例では、第９変形例とは異なり、ヒータ６１を分岐部Ｐ４よりも下流側に配置する例について説明する。図２２は、第１０変形例の基板処理装置１００の処理液供給部３０の模式図である。

図２２に示すように、第１０変形例では、処理液供給部３０は、第９変形例と同様、分岐部Ｐ４と、循環配管４７とを有する。分岐部Ｐ４は、第１経路Ｃ１と循環配管４７とが分岐する部分である。第１０変形例では、分岐部Ｐ４は、配管４１ａに配置される。つまり、循環配管４７は、配管４１ａに接続される。

また、第１０変形例では、ヒータ６１は、第１経路Ｃ１のうち分岐部Ｐ４に対して硫酸の流通方向の下流側に配置される。つまり、ヒータ６１は、循環経路とノズル３６との間に配置される。

第１０変形例では、上記のように、ヒータ６１は、第１配管４１のうち分岐部Ｐ４よりも下流側に配置される。従って、ヒータ６１を、ノズル３６の近くに配置できる。よって、ヒータ６１で加熱された硫酸がノズル３６に到着する前に、硫酸の温度が低下することを抑制できる。

第１０変形例のその他の構造、その他の効果および基板処理方法は、第９変形例と同様である。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

例えば、図９に示した第４変形例において、第１経路Ｃ１と過酸化水素水供給経路Ｃ３とがノズル３６と加熱領域Ｒ１との間で合流する例について示したが、本発明はこれに限らない。第１実施形態、第１変形例～第３変形例、第２実施形態、第５変形例、第６変形例、第３実施形態、第７変形例、第４実施形態、第９変形例および第１０変形例においても、第１経路Ｃ１と過酸化水素水供給経路Ｃ３とがノズル３６と加熱領域Ｒ１との間で合流してもよい。

また、例えば、図１０および図１１に示した第２実施形態において、戻り配管４５および４６を設け、処理液がノズル３６から落下することを抑制する例について示したが、本発明はこれに限らない。第１実施形態、第１変形例～第４変形例、第６変形例、第３実施形態、第７変形例、第８変形例、第９変形例および第１０変形例においても、戻り配管４５を設けてもよい。また、第２実施形態において、戻り配管４５および４６を設けなくてもよい。

また、例えば、図１３に示した第６変形例において、循環配管４７を設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。第１実施形態、第１変形例～第４変形例、第２実施形態、第５変形例、第３実施形態、第７変形例、第８変形例および第４実施形態においても、硫酸を循環させる循環配管４７を設けてもよい。

また、例えば、図１０および図１１に示した第２実施形態において、２つのタンクがある場合に上流側のタンク（タンク５１）から直接的にノズル３６に硫酸を供給する例について示したが、本発明はこれに限らない。２つのタンクがある場合に下流側のタンク（タンク５０）から直接的にノズル３６に硫酸を供給してもよい。

また、例えば、図１０および図１１に示した第２実施形態において、ヒータ６１を設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば第２実施形態において、ヒータ６１が設けられなくてもよい。この場合、ヒータ６２が本発明の「第１ヒータ」に相当する。また、例えばタンク５０が本発明の「加熱領域」に相当する。

また、例えば、図１４～図１６に示した第３実施形態において、基板処理装置１００が遮蔽部材９０を備える例について説明したが、本発明はこれに限らない。第１実施形態、第１変形例～第４変形例、第２実施形態、第５変形例および第６変形例においても、基板処理装置１００が遮蔽部材９０を備えてもよいし、流体供給部１３０をさらに備えてもよい。

また、例えば、図１４～図１６に示した第３実施形態において、ステップＳ３０５（第２流通工程）で比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを混合させる際に、ヒータ６１をオフする例について説明したが、本発明はこれに限らない。硫酸の温度がステップＳ３０１（第１流通工程）よりも低くなるのであれば、ヒータ６１をオンしてもよい。

また、上記の実施形態では、比較的高温の硫酸、比較的低温の硫酸、および、過酸化水素水を１つのノズル３６から基板Ｗに供給する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、比較的高温の硫酸、比較的低温の硫酸、および、過酸化水素水を、２つまたは３つのノズルから基板Ｗに供給してもよい。つまり、例えば、比較的高温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗ上で合流させてもよいし、比較的低温の硫酸と過酸化水素水とを基板Ｗ上で合流させてもよい。

本発明は、基板処理装置および基板処理方法の分野に利用可能である。

３４ａ ：第１バルブ
３４ｂ ：第２バルブ
３４ｃ ：過水バルブ
３６ ：ノズル
３６ａ ：吐出口
５０ ：タンク（第１タンク、第２タンク）
５１ ：タンク（第１タンク）
６１ ：ヒータ（第１ヒータ）
６２ ：ヒータ（第２ヒータ、第３ヒータ）
６３ ：ヒータ（第２ヒータ）
７０ ：経路
１００ ：基板処理装置
１０２ ：制御部
Ｃ１ ：第１経路
Ｃ２ ：第２経路
Ｃ３ ：過酸化水素水供給経路
Ｐ１ ：第１合流部
Ｐ２ ：第２合流部
Ｐ４ ：分岐部
Ｒ１ ：加熱領域
Ｓ３０１、Ｓ４０１ ：ステップ（第１流通工程）
Ｓ１０３、Ｓ２０３、Ｓ３０３、Ｓ４０３ ：ステップ（第１吐出工程）
Ｓ３０５、Ｓ４０５ ：ステップ（第２流通工程）
Ｓ１０７、Ｓ２０７、Ｓ３０７、Ｓ４０７ ：ステップ（第２吐出工程）
Ｗ ：基板

Claims (15)

1. ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する基板処理装置であって、
   硫酸を貯留する第１タンクと、
   前記第１タンクから前記ノズルに前記硫酸を供給する第１経路を含む経路と、
   前記第１経路に介挿された第１バルブと、
   前記第１経路の加熱領域を加熱する第１ヒータと、
   前記ノズルに過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給経路と、
   前記過酸化水素水供給経路に介挿された過水バルブと、
   前記第１バルブおよび前記過水バルブの開閉を制御することにより前記ノズルへの前記硫酸および前記過酸化水素水の供給を制御する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、
   前記第１ヒータに加熱された硫酸と前記過酸化水素水とを混合して前記ノズルから前記基板に吐出した後、
   前記加熱された硫酸よりも温度の低い硫酸と前記過酸化水素水とを混合して前記ノズルから前記基板に吐出する、基板処理装置。
2. 前記経路は、前記加熱領域を介さずに前記第１タンクから前記ノズルに前記硫酸を供給する第２経路をさらに含み、
   前記基板処理装置は、前記第２経路に介挿された第２バルブをさらに備え、
   前記制御部は、前記第１バルブ、前記第２バルブおよび前記過水バルブの開閉を制御することにより前記ノズルへの前記硫酸および前記過酸化水素水の供給を制御し、
   前記第２経路を通過する硫酸は、前記第１経路を通過する硫酸に比べて低い温度で前記過酸化水素水に合流し、
   前記制御部は、
   前記第１経路を通過して前記第１ヒータに加熱された前記硫酸と前記過酸化水素水とが混合されて前記ノズルから前記基板に吐出された後、
   前記第２経路を通過する前記硫酸と前記過酸化水素水とが混合されて前記ノズルから前記基板に吐出されるように、前記第１バルブ、前記第２バルブおよび前記過水バルブを制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記加熱領域と前記ノズルの吐出口との間に配置され、前記第１経路と前記過酸化水素水供給経路とが合流する第１合流部と、
   前記加熱領域と前記第１合流部との間に配置され、前記第１経路と前記第２経路とが合流する第２合流部と
   をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記第１経路と前記第２経路とは、前記加熱領域に対して前記硫酸の流通方向の上流側で分岐し、前記加熱領域に対して前記硫酸の流通方向の下流側で合流する、請求項２に記載の基板処理装置。
5. 前記制御部が前記第１ヒータを第１出力にすることにより、前記第１経路を通過する硫酸は、第１温度を有し、
   前記制御部が前記第１ヒータを前記第１出力よりも低い第２出力にすることにより、前記第１経路を通過する硫酸は、前記第１温度よりも低い第２温度を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記経路は、前記第１経路から分岐して、前記硫酸を前記第１タンクに戻す循環配管をさらに含み、
   前記第１ヒータは、前記第１経路と前記循環配管とが分岐する分岐部に対して前記硫酸の流通方向の上流側に配置される、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記経路は、前記第１経路から分岐して、前記硫酸を前記第１タンクに戻す循環配管をさらに含み、
   前記第１ヒータは、前記第１経路と前記循環配管とが分岐する分岐部に対して前記硫酸の流通方向の下流側に配置される、請求項５に記載の基板処理装置。
8. 前記第１タンク内の硫酸を所定温度に保持するための第２ヒータをさらに備える、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記第１タンクに対して前記硫酸の流通方向の下流側に配置される第２タンクと、
   前記第２タンク内の硫酸を、前記第１タンク内の硫酸の温度よりも高い温度に保持するための第３ヒータと
   をさらに備える、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 基板に処理液を供給することで前記基板を処理する基板処理方法であって、
    第１タンクから供給され加熱領域を有する第１経路を通過し、前記加熱領域で加熱された硫酸と、過酸化水素水供給経路を通過した過酸化水素水とを、前記基板に吐出する第１吐出工程と、
    前記第１吐出工程の後、前記第１タンクから供給され前記加熱された硫酸に比べて低い温度の硫酸と、前記過酸化水素水供給経路を通過した過酸化水素水とを、前記基板に吐出する第２吐出工程と
    を含む、基板処理方法。
11. 前記第２吐出工程において、前記加熱領域を介さない第２経路を通過した硫酸と、前記過酸化水素水とを、前記基板に吐出する、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記第１経路と前記第２経路とは、前記加熱領域に対して硫酸の流通方向の上流側で分岐し、前記加熱領域に対して前記硫酸の流通方向の下流側で合流する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記第１吐出工程に先立って、前記第１経路を通過する硫酸を加熱して第１温度を有する硫酸にする第１流通工程と、
    前記第２吐出工程に先立って、前記第１経路を通過する硫酸を前記第１温度よりも低い第２温度を有する硫酸にする第２流通工程と
    をさらに含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
14. 前記第１タンク内の硫酸を所定温度に保持する、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
15. 前記第１タンクに対して前記硫酸の流通方向の下流側に配置される第２タンク内の硫酸を、前記第１タンク内の硫酸の温度よりも高い温度に保持する、請求項１４に記載の基板処理方法。

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