JP2019165067A - 基板処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 228
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 101150106709 ARC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150046212 ARC2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100013575 Arabidopsis thaliana FTSHI1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 235000014666 liquid concentrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
【課題】基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】リフタに支持された基板Wの下方と、処理槽1の底面との間にスリット板31を備えている。21個のスリット33は、中央領域ARCの幅WD1より第1の外領域AR1及び第2の外領域AR2における幅WD2,WD3が大きくされている。したがって、一対の噴出管7から供給され、中央領域ARCで基板W面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板31を通過して基板W側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。したがって、基板W面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板W面内において速度差が少ない整流を形成することができる。【選択図】図3
Description
本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機EL用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などの各種基板(以下、単に基板と称する)に対して、処理液により処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、処理液を貯留し、複数枚の基板を収容して処理を行う処理槽と、処理槽内の底部に配置された液流分散部材とを備え、処理液に基板を浸漬させて処理を行うものがある(例えば、特許文献1参照)。
この装置が備えている液流分散部材は、処理槽内における処理液の流れを、処理槽の中央へ向かう底面側の流れと、処理槽の中央へ向かう斜め上方への流れとに分散させる。これにより、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができるので、処理の面内均一性を向上できる。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、液流分散部材により処理の面内均一性を向上できるものの、最近は、さらなる面内均一性の向上を目指して、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することが望まれている。つまり、基板面内における速度差の少ない整流を形成する技術が望まれている。
すなわち、従来の装置は、液流分散部材により処理の面内均一性を向上できるものの、最近は、さらなる面内均一性の向上を目指して、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することが望まれている。つまり、基板面内における速度差の少ない整流を形成する技術が望まれている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、を備え、前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記処理槽の中央領域と、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる外領域との2つの領域における前記複数個のスリットは、前記中央領域におけるスリットの幅よりも前記外領域におけるスリットの幅の方が大きいことを特徴とするものである。
すなわち、請求項1に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、を備え、前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記処理槽の中央領域と、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる外領域との2つの領域における前記複数個のスリットは、前記中央領域におけるスリットの幅よりも前記外領域におけるスリットの幅の方が大きいことを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にスリット板を備えている。このスリット板に形成された複数個のスリットは、基板の配列方向から見た中央領域より外領域における幅が大きくされている。したがって、一対の噴出管から供給され、中央領域で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板を通過して基板側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。また、強い液流が上昇する中央領域より処理液の液流が弱い外領域ではスリットの幅が大きくされているので、処理液の液流の勢いがあまり弱められない。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、本発明において、前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記外領域は、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる第1の外領域と、前記中央領域と前記第1の外領域との間にあたる第2の外領域とに区分され、前記複数個のスリットは、前記中央領域、前記第2の外領域、前記第1の外領域の順に幅が大きくなっていくことが好ましい(請求項2)。
中央領域から第2の外領域、第1の外領域の順にスリットの幅が大きくなっていくので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、請求項3に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、前記スリット板に設けられ、前記スリットの長軸に沿って長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項3に記載の発明によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にスリット板を備えている。さらに、スリット板には、底面に向かって立設されたルーバーが設けられている。一対の噴出管から供給された処理液は、ルーバーによってその勢いが弱められ、中央領域で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板を通過して基板側へ上昇する際に、さらにその勢いが弱められる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、本発明において、前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることが好ましい(請求項4)。
複数個の板状部材の下端面と処理槽の底面との距離は、液流が互いに衝突する中央ほど短くされているので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、請求項5に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、を備え、前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項5に記載の発明によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にルーバーを備えている。ルーバーが備えた複数個の板状部材は、その下端面と処理槽の底面との距離が、基板の配列方向から見た場合に、一対の噴出管側から処理槽の中央に向かって順に短くなっている。したがって、一対の噴出管から供給された処理液は、ルーバーによってその勢いが弱められるので、中央領域で基板面に沿って上昇する液流は勢いが弱められる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、本発明において、前記リフタは、基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、前記基板の整列方向から見て両側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、前記複数個の板状部材は、前記基板の整列方向から見て前記中央部保持部と、前記側部保持部との間に配置されていることが好ましい(請求項6)。
中央部保持部の位置にルーバーの複数個の板状部材を配置すると、処理液はある程度既に分散しているので、処理液の流れの勢いを弱める効果が低くなる。一方、側部保持部より一対の噴出管に近い位置にルーバーの複数個の板状部材を配置すると、処理液が板状部材と側部保持部とで遮断されるようになって、処理液の流れが極めて悪くなる。したがって、複数個の板状部材を中央部保持部と側部保持部との間に配置することで、好適に処理液の液流を弱めることができる。
また、本発明において、前記一対の噴出管は、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に処理液を供給することが好ましい(請求項7)。
処理液の液流が処理槽の底面で反射されて分散されるので、処理液の液流が中央付近に集中することを抑制できる。したがって、中央付近で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流を弱めることができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にスリット板を備えている。このスリット板に形成された複数個のスリットは、基板の配列方向から見た中央領域より外領域における幅が大きくされている。したがって、一対の噴出管から供給され、中央領域で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板を通過して基板側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。また、強い液流が上昇する中央領域より処理液の液流が弱い外領域ではスリットの幅が大きくされているので、処理液の液流の勢いがあまり弱められない。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
本発明の各実施態様について以下に説明する。
以下、図面を参照して本発明の実施例1について説明する。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図2は、リフタとスリット板を示す斜視図であり、図3は、スリット板の縦断面図である。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図2は、リフタとスリット板を示す斜視図であり、図3は、スリット板の縦断面図である。
実施例1に係る基板処理装置は、複数枚の基板Wを一括して処理液により処理可能なバッチ式の装置である。この基板処理装置は、処理槽1と、オーバフロー槽3と、リフタ5とを備えている。
処理槽1は、処理液を貯留し、複数枚の基板Wを平行な状態とし、かつ所定の配列方向に配列した状態で収容して複数枚の基板Wに対して同時に処理を行う。図1に示すように、処理槽1の底部は、基板Wの配列方向から見ると、底部の中央が低い谷になった形状を有する。処理液を供給する一対の噴出管7は、処理槽1の下部にあたる底部側であって、基板Wの配列方向から見て両側(図1の左右方向)にそれぞれ配置されている。一対の噴出管7は、処理槽1の底面に沿う方向であって、処理槽1の中央に向かう方向に処理液を供給する。具体的には、一対の噴出管7は、処理槽1の底面中央よりも手前の供給位置SPに向けてそれぞれ処理液を供給する。これにより、処理液の液流が処理槽1の底面で反射されて分散されるので、処理液の液流が中央付近に集中することを抑制できる。したがって、中央付近で基板W面に沿って上昇する処理液の強い液流を若干弱めることができる。
オーバフロー槽3は、処理槽1の上縁の周囲に配置されている。オーバフロー槽3は、処理槽1の上縁を越えて溢れた処理液を回収する。オーバフロー槽3は、処理槽1の一対の噴出管7と循環配管9によって連通接続されている。循環配管9は、オーバフロー槽3側から処理槽1側に向かって、ポンプ11と、インラインヒータ13と、フィルタ15とを備えている。ポンプ11は、オーバフロー槽3に貯留する処理液を循環配管9に吸い込み、処理液を一対の噴出管7側へと圧送する。インラインヒータ13は、循環配管9を流通する処理液を処理温度に温調する。例えば、処理液が、基板Wに被着されている窒化膜(SiN)をエッチングする燐酸を含むものである場合、処理温度は、例えば、160℃である。フィルタ15は、循環配管9を流通する処理液に含まれているパーティクルを濾過して除去する。
供給管17は、処理槽1の内壁に沿って延出され、処理槽1の底面に向けて一端側の開口部が向けられて配置されている。供給管17は、その他端側が処理液供給源19に連通接続されている。供給管17には、開閉弁21が設けられている。開閉弁21は、処理液供給源19から供給管17への処理液の流通を制御する。処理液供給源19は、処理液を貯留しており、開閉弁21が開放されることにより、常温の処理液を供給管17へ供給する。
リフタ5は、処理槽1の内部に相当し、図1に示す「処理位置」と、処理槽1の上方に相当し、図1では図示省略した「待機位置」とにわたって昇降移動する。リフタ5は、背板23と、中央部保持部25と、一対の側部保持部27とを有する。背板23は、処理槽1の内壁に沿った板状の部材である。中央部保持部25と一対の側部保持部27とは、図1の紙面奥手前方向に背板23の下部から延出して設けられている。これらは複数枚の基板Wを平行に配列した状態で、図1の紙面奥手前方向となる所定の配列方向で保持する。一対の側部保持部27は、中央部保持部25を挟んで配置され、起立姿勢の基板Wの左右側の下縁を当接して支持する。
図3に示すように、リフタ5に支持された基板Wの下方と処理槽1の底面との間には、スリット板31が配置されている。スリット板31は、薄板状の外観を呈し、上下に貫通した細長形状の開口、つまり、複数個のスリット33が形成されている。スリット板21は、処理槽1の前後の内壁に取り付けられている。また、高さ位置としては、スリット板31は、処理位置にあるリフタ5の中央部保持部25の下端面よりも下方に、その上面が位置するように配置されている。これにより、スリット板31を通過した処理液が中央部保持部25により妨げられないようになっている。本実施例では、一例として、スリット板31に21個のスリット33を形成してある。各スリット33は、長軸が基板Wの配列方向に向けられて複数本形成され、互いに平行な位置関係で形成されている。
ここで、基板Wの配列方向(図1及び図3の紙面奥手前方向)から見た場合にスリット板31を3つの領域に区分けする。例えば、中央領域ARCと、第1の外領域AR1と、第2の外領域AR2とに区分けする。中央領域ARCは、中心を含む外への広がりをもつ領域である。第1の外領域AR1は、一対の噴出管78側にあたる外側の領域である。第2の外領域AR2は、中央領域ARCと第1の外領域AR1との間の領域である。
各スリット33のうち、中央領域ARCに位置する7個のスリット33は、幅WD1となるように形成されている。第1の外領域AR1に位置する4個のスリット33は、幅WD2で形成されている。第2の外領域AR2に位置する2個のスリット33は、幅WD3で形成されている。これらの幅WD1〜WD3の大小関係は、WD1<WD3<WD2となっている。つまり、WD1の幅が最も狭く、WD3、WD2の順に大きくなっていくように各スリット33が設定されている。
なお、上述したスリット板31は、板状部材に複数個の小穴を設けたパンチングボードとは異なり、加工するのが容易であるという利点がある。
ここで図1に戻ると、制御部61は、図示しないCPUやメモリを内蔵している。制御部61は、リフタ5の昇降動作、ポンプ11のオンオフ動作、インラインヒータ13の温調動作、開閉弁21の開閉動作などを統括して制御する。
このように構成された実施例1に係る基板処理装置によると、リフタ5に支持された基板Wの下方と、処理槽1の底面との間にスリット板31を備えている。このスリット板31に形成された21個のスリット33は、基板Wの配列方向から見た中央領域ARCの幅WD1より第1の外領域AR1及び第2の外領域AR2における幅WD2,WD3が大きくされている。したがって、一対の噴出管7から供給され、中央領域ARCで基板W面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板31を通過して基板W側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。また、強い液流が上昇する中央領域ARCより処理液の液流が弱い第1の外領域AR1及び第2の外領域AR2ではスリット33の幅WD2,WD3が幅WD1よりも大きくされているので、処理液の液流の勢いがあまり弱められない。したがって、基板W面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板W面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、中央領域ARCから第2の外領域AR2、第1の外領域AR1の順にスリットの幅を大きくしているので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板W面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板W面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例2について説明する。図4は、実施例2に係る基板処理装置のスリット板とルーバーの縦断面図である。
なお、以下の説明においては、上述した実施例1との相違点についてのみ説明し、共通する構成については同符号を付すことで説明を省略する。
本実施例2に係る基板処理装置は、リフタ5に支持された基板Wの下方と処理槽1の底面との間にスリット板71及びルーバー73が配置されている。スリット板71は、上述した実施例1と同様に、薄板状の外観を呈し、上下に貫通した複数個のスリット75を形成されている。本実施例では、一例として、スリット板71に21個のスリット75が形成されている。但し、本実施例におけるスリット75は、基板Wの整列方向から見てどの領域におけるものも全て同じ幅を備えている。
ルーバー73は、スリット板71に設けられている。具体的には、ルーバー73は、複数個の板状部材77で構成されている。ここでは、一例として6本の板状部材77で構成されている。6本の板状部材77は、スリット75の長軸に沿って長辺を配置され、かつ、6本の板状部材77が互いに平行な位置関係で処理槽1の底面側に向かって立設されている。各板状部材77は、互いの間に3個のスリット75をおいて設けられている。
さらに、6本の板状部材77は、各下端面と処理槽1の底面との距離が、ルーバー73を基板Wの整列方向から見た場合に、一対の噴出管7側から処理槽1の中央に向かって順に短くなっている。換言すると、ルーバー73を構成する6個の板状部材77は、外側から中央に向かうにつれて、スリット板71からの長さを長くされている。
このように構成された実施例2に係る基板処理装置によると、リフタ5に支持された基板Wの下方と、処理槽1の底面との間にスリット板71を備えている。さらに、スリット板71には、底面に向かって立設されたルーバー73が設けられている。一対の噴出管7から供給された処理液は、ルーバー73によってその勢いが弱められ、中央領域で基板3面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板71を通過して基板W側へ上昇する際に、さらにその勢いが弱められる。したがって、基板W面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板W面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、6個の板状部材77の下端面と処理槽1の底面との距離は、液流が互いに衝突する中央ほど短くなるので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板W面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板W面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例3について説明する。図5は、実施例3の係る基板処理装置のルーバーの縦断面図である。
なお、以下の説明においては、上述した実施例1との相違点についてのみ説明し、共通する構成については同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
本実施例2に係る基板処理装置は、リフタ5で支持された基板Wの下方と処理槽1の底面との間にルーバー81を備えている。ルーバー81は、複数枚の板状部材83から構成されており、処理槽1の前後の内側面に固定されている。各ルーバー81は、互いに平行な位置関係で処理槽1の底面側に向かって立設されている。この本実施例では、例えば、4個の板状部材83でルーバー81が構成されている。
また、各板状部材83は、その下端面と処理槽1の底面との距離が、ルーバー81を基板Wの整列方向から見た場合に、一対の噴出管7側から処理槽1の中央に向かって順に短くなっている。換言すると、ルーバー81を構成する4個の板状部材83は、外側から中央に向かうにしたがって、下端面が処理槽1の底面に近づくように配置されている。
さらに、各板状部材83は、平面視及び基盤Wの整列方向から見て、中央部保持部25と、側部保持部27との間に配置されている。中央部保持部25の位置にルーバー73の4個の板状部材のいずれかを配置すると、処理液はある程度既に分散しているので、処理液の流れの勢いを弱める効果が低くなる。一方、側部保持部27より一対の噴出管7に近い位置にルーバー73の4個の板状部材77のいずれかを配置すると、処理液が板状部材77と側部保持部27とで遮断されるようになって、処理液の流れが極めて悪くなる。したがって、4個の板状部材77をそれぞれ2個ずつ中央部保持部25と側部保持部27との間に配置することで、好適に処理液の液流を弱めることができる。
このように構成された実施例3に係る基板処理装置によると、リフタ5に支持された基板Wの下方と、処理槽1の底面との間にルーバー81を備えている。ルーバー81が備えている4個の板状部材83は、その下端面と処理槽1の底面との距離が、基板Wの配列方向から見た場合に、一対の噴出管7側から処理槽1の中央に向かって順に短くなっている。したがって、一対の噴出管7からの処理液の流量を減少させることなく、一対の噴出管7から供給された処理液は、ルーバー81によってその勢いが弱められるので、中央領域で基板W面に沿って上昇する液流は勢いが弱められる。したがって、基板W面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板W面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
<処理液の流れの評価>
ここで、図6〜図9を参照して、上述した実施例1〜3と従来例についての処理液の流れを評価する。なお、図6は、実施例1における処理液の流れを示したシミュレーション結果であり、図7は、実施例2における処理液の流れを示したシミュレーション結果であり、図8は、実施例3における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。また、図9は、従来例における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。但し、ここでいう従来例は、液流分散部材を底面に備えていない。
グレースケールの図面ではわかりにくいが、これらの図6〜図9において基板Wを表す円形状の領域に白い領域が少ないほど基板W面内において速度差が少ない整流となっていることを表す。また、基板Wを表す円形状の領域内に矢線による渦が少ないほうが好ましい。
これらの図6〜図9を比較すると、各実施例1〜3は、従来例より基板W面内において速度差が少ない整流を得られていることがわかる。従来例では、基板Wの左右の下部において大きな渦が生じて速度差を生じさせている。実施例2は、基板Wの左右の周縁部において実施例1に比較して流速が速くなっており、実施例1よりも劣っている。実施例3は、基板Wの中央下部にて実施例1,2より流速が速くなっており、実施例1,2よりも劣っている。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した各実施例1〜3では、処理液として燐酸を含むものを例にとって説明したが、本発明は処理液が燐酸を含むものに限定されない。
(2)上述した各実施例1〜3では、処理槽1の周囲にオーバフロー槽3を備えているが本発明はこのような形態に限定されない。例えば、処理槽1を囲うチャンバを備え、処理槽1から溢れた処理液をチャンバの底部で回収する構成であってもよい。
(3)上述した各実施例1〜3では、循環配管9を備え、処理槽1とオーバフロー槽3とで処理液を循環させる構成であるが、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、処理槽1から溢れた処理液をそのまま排出する方式であってもよい。
(4)上述した各実施例1,2では、スリット33を21個形成しているが、本発明はこの個数に限定されない。例えば、スリット33の個数を20個以下や22個以上としてもよい。
(5)上述した実施例1では、スリット33の幅を処理槽1の片側の領域を3つに区分けして、それぞれで異なる幅のスリット33としたが、本発明はこの形態に限定されない。つまり、4つ以上に区分けしてもよく、区分けした領域ごとに一対の噴出管7から中央に向かって幅が小さくなるように形成すればよい。また、区分けすることなく、一対の噴出管7から中央に向かって形成されているスリット33の全てが異なる幅、つまり、順次スリット33の幅が狭くなるように構成してもよい。
(6)上述した実施例2では、6個の板状部材77でルーバー73を構成したが、2個以上の板状部材77でルーバー77を構成するようにしてもよい。
(7)上述した実施例3では、4個の板状部材83でルーバー81を構成しているが、本発明は6個以上の板状部材83でルーバー81を構成してもよい。
W … 基板
1 … 処理槽
3 … オーバフロー槽
5 … リフタ
7 … 噴出管
SP … 供給位置
9 … 循環配管
25 … 中央部保持部
27 … 側部保持部
31,71 … スリット板
33,75 … スリット
ARC … 中央領域
ARC1 … 第1の外領域
ARC2 … 第2の外領域
WD1〜WD3 … 幅
61 … 制御部
73,81 … ルーバー
77,83 … 板状部材
1 … 処理槽
3 … オーバフロー槽
5 … リフタ
7 … 噴出管
SP … 供給位置
9 … 循環配管
25 … 中央部保持部
27 … 側部保持部
31,71 … スリット板
33,75 … スリット
ARC … 中央領域
ARC1 … 第1の外領域
ARC2 … 第2の外領域
WD1〜WD3 … 幅
61 … 制御部
73,81 … ルーバー
77,83 … 板状部材
Claims (7)
- 複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、
前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、
前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、
前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、
を備え、
前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記処理槽の中央領域と、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる外領域との2つの領域における前記複数個のスリットは、前記中央領域におけるスリットの幅よりも前記外領域におけるスリットの幅の方が大きいことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記外領域は、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる第1の外領域と、前記中央領域と前記第1の外領域との間にあたる第2の外領域とに区分され、
前記複数個のスリットは、前記中央領域、前記第2の外領域、前記第1の外領域の順に幅が大きくなっていくことを特徴とする基板処理装置。 - 複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、
前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、
前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、
前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、
前記スリット板に設けられ、前記スリットの長軸に沿って長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることを特徴とする基板処理装置。 - 複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、
前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、
前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、
前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、
を備え、
前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置において、
前記リフタは、基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、前記基板の整列方向から見て両側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、
前記複数個の板状部材は、前記基板の整列方向から見て前記中央部保持部と、前記側部保持部との間に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記一対の噴出管は、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018051050A JP7002969B2 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 基板処理装置 |
CN201880091453.6A CN111886675B (zh) | 2018-03-19 | 2018-11-22 | 基板处理装置 |
PCT/JP2018/043203 WO2019181067A1 (ja) | 2018-03-19 | 2018-11-22 | 基板処理装置 |
KR1020207022192A KR102388646B1 (ko) | 2018-03-19 | 2018-11-22 | 기판 처리 장치 |
KR1020227011423A KR102429858B1 (ko) | 2018-03-19 | 2018-11-22 | 기판 처리 장치 |
TW108109185A TWI710048B (zh) | 2018-03-19 | 2019-03-18 | 基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018051050A JP7002969B2 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019165067A true JP2019165067A (ja) | 2019-09-26 |
JP7002969B2 JP7002969B2 (ja) | 2022-01-20 |
Family
ID=67987015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018051050A Active JP7002969B2 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7002969B2 (ja) |
KR (2) | KR102388646B1 (ja) |
CN (1) | CN111886675B (ja) |
TW (1) | TWI710048B (ja) |
WO (1) | WO2019181067A1 (ja) |
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-
2018
- 2018-03-19 JP JP2018051050A patent/JP7002969B2/ja active Active
- 2018-11-22 KR KR1020207022192A patent/KR102388646B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-22 KR KR1020227011423A patent/KR102429858B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-22 WO PCT/JP2018/043203 patent/WO2019181067A1/ja active Application Filing
- 2018-11-22 CN CN201880091453.6A patent/CN111886675B/zh active Active
-
2019
- 2019-03-18 TW TW108109185A patent/TWI710048B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI710048B (zh) | 2020-11-11 |
KR20220047406A (ko) | 2022-04-15 |
TW201939647A (zh) | 2019-10-01 |
CN111886675B (zh) | 2024-03-26 |
WO2019181067A1 (ja) | 2019-09-26 |
KR20200099610A (ko) | 2020-08-24 |
CN111886675A (zh) | 2020-11-03 |
KR102388646B1 (ko) | 2022-04-19 |
JP7002969B2 (ja) | 2022-01-20 |
KR102429858B1 (ko) | 2022-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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