JP2019165067A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】リフタに支持された基板Ｗの下方と、処理槽１の底面との間にスリット板３１を備えている。２１個のスリット３３は、中央領域ＡＲＣの幅ＷＤ１より第１の外領域ＡＲ１及び第２の外領域ＡＲ２における幅ＷＤ２，ＷＤ３が大きくされている。したがって、一対の噴出管７から供給され、中央領域ＡＲＣで基板Ｗ面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板３１を通過して基板Ｗ側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。したがって、基板Ｗ面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を形成することができる。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などの各種基板（以下、単に基板と称する）に対して、処理液により処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、処理液を貯留し、複数枚の基板を収容して処理を行う処理槽と、処理槽内の底部に配置された液流分散部材とを備え、処理液に基板を浸漬させて処理を行うものがある（例えば、特許文献１参照）。
この装置が備えている液流分散部材は、処理槽内における処理液の流れを、処理槽の中央へ向かう底面側の流れと、処理槽の中央へ向かう斜め上方への流れとに分散させる。これにより、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができるので、処理の面内均一性を向上できる。
特開２０１７−１３０４８３号公報（図１及び図２）
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、液流分散部材により処理の面内均一性を向上できるものの、最近は、さらなる面内均一性の向上を目指して、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することが望まれている。つまり、基板面内における速度差の少ない整流を形成する技術が望まれている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、を備え、前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記処理槽の中央領域と、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる外領域との２つの領域における前記複数個のスリットは、前記中央領域におけるスリットの幅よりも前記外領域におけるスリットの幅の方が大きいことを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にスリット板を備えている。このスリット板に形成された複数個のスリットは、基板の配列方向から見た中央領域より外領域における幅が大きくされている。したがって、一対の噴出管から供給され、中央領域で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板を通過して基板側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。また、強い液流が上昇する中央領域より処理液の液流が弱い外領域ではスリットの幅が大きくされているので、処理液の液流の勢いがあまり弱められない。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、本発明において、前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記外領域は、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる第１の外領域と、前記中央領域と前記第１の外領域との間にあたる第２の外領域とに区分され、前記複数個のスリットは、前記中央領域、前記第２の外領域、前記第１の外領域の順に幅が大きくなっていくことが好ましい（請求項２）。
中央領域から第２の外領域、第１の外領域の順にスリットの幅が大きくなっていくので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、請求項３に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、前記スリット板に設けられ、前記スリットの長軸に沿って長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にスリット板を備えている。さらに、スリット板には、底面に向かって立設されたルーバーが設けられている。一対の噴出管から供給された処理液は、ルーバーによってその勢いが弱められ、中央領域で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板を通過して基板側へ上昇する際に、さらにその勢いが弱められる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、本発明において、前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることが好ましい（請求項４）。
複数個の板状部材の下端面と処理槽の底面との距離は、液流が互いに衝突する中央ほど短くされているので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、請求項５に記載の発明は、複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、を備え、前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にルーバーを備えている。ルーバーが備えた複数個の板状部材は、その下端面と処理槽の底面との距離が、基板の配列方向から見た場合に、一対の噴出管側から処理槽の中央に向かって順に短くなっている。したがって、一対の噴出管から供給された処理液は、ルーバーによってその勢いが弱められるので、中央領域で基板面に沿って上昇する液流は勢いが弱められる。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、本発明において、前記リフタは、基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、前記基板の整列方向から見て両側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、前記複数個の板状部材は、前記基板の整列方向から見て前記中央部保持部と、前記側部保持部との間に配置されていることが好ましい（請求項６）。
中央部保持部の位置にルーバーの複数個の板状部材を配置すると、処理液はある程度既に分散しているので、処理液の流れの勢いを弱める効果が低くなる。一方、側部保持部より一対の噴出管に近い位置にルーバーの複数個の板状部材を配置すると、処理液が板状部材と側部保持部とで遮断されるようになって、処理液の流れが極めて悪くなる。したがって、複数個の板状部材を中央部保持部と側部保持部との間に配置することで、好適に処理液の液流を弱めることができる。
また、本発明において、前記一対の噴出管は、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に処理液を供給することが好ましい（請求項７）。
処理液の液流が処理槽の底面で反射されて分散されるので、処理液の液流が中央付近に集中することを抑制できる。したがって、中央付近で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流を弱めることができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、リフタに支持された基板の下方と、処理槽の底面との間にスリット板を備えている。このスリット板に形成された複数個のスリットは、基板の配列方向から見た中央領域より外領域における幅が大きくされている。したがって、一対の噴出管から供給され、中央領域で基板面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板を通過して基板側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。また、強い液流が上昇する中央領域より処理液の液流が弱い外領域ではスリットの幅が大きくされているので、処理液の液流の勢いがあまり弱められない。したがって、基板面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。 リフタとスリット板を示す斜視図である。 スリット板の縦断面図である。 実施例２に係る基板処理装置のスリット板とルーバーの縦断面図である。 実施例３の係る基板処理装置のルーバーの縦断面図である。 実施例１における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。 実施例２における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。 実施例３における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。 従来例における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。
本発明の各実施態様について以下に説明する。
以下、図面を参照して本発明の実施例１について説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は、リフタとスリット板を示す斜視図であり、図３は、スリット板の縦断面図である。
実施例１に係る基板処理装置は、複数枚の基板Ｗを一括して処理液により処理可能なバッチ式の装置である。この基板処理装置は、処理槽１と、オーバフロー槽３と、リフタ５とを備えている。
処理槽１は、処理液を貯留し、複数枚の基板Ｗを平行な状態とし、かつ所定の配列方向に配列した状態で収容して複数枚の基板Ｗに対して同時に処理を行う。図１に示すように、処理槽１の底部は、基板Ｗの配列方向から見ると、底部の中央が低い谷になった形状を有する。処理液を供給する一対の噴出管７は、処理槽１の下部にあたる底部側であって、基板Ｗの配列方向から見て両側（図１の左右方向）にそれぞれ配置されている。一対の噴出管７は、処理槽１の底面に沿う方向であって、処理槽１の中央に向かう方向に処理液を供給する。具体的には、一対の噴出管７は、処理槽１の底面中央よりも手前の供給位置ＳＰに向けてそれぞれ処理液を供給する。これにより、処理液の液流が処理槽１の底面で反射されて分散されるので、処理液の液流が中央付近に集中することを抑制できる。したがって、中央付近で基板Ｗ面に沿って上昇する処理液の強い液流を若干弱めることができる。
オーバフロー槽３は、処理槽１の上縁の周囲に配置されている。オーバフロー槽３は、処理槽１の上縁を越えて溢れた処理液を回収する。オーバフロー槽３は、処理槽１の一対の噴出管７と循環配管９によって連通接続されている。循環配管９は、オーバフロー槽３側から処理槽１側に向かって、ポンプ１１と、インラインヒータ１３と、フィルタ１５とを備えている。ポンプ１１は、オーバフロー槽３に貯留する処理液を循環配管９に吸い込み、処理液を一対の噴出管７側へと圧送する。インラインヒータ１３は、循環配管９を流通する処理液を処理温度に温調する。例えば、処理液が、基板Ｗに被着されている窒化膜（ＳｉＮ）をエッチングする燐酸を含むものである場合、処理温度は、例えば、１６０℃である。フィルタ１５は、循環配管９を流通する処理液に含まれているパーティクルを濾過して除去する。
供給管１７は、処理槽１の内壁に沿って延出され、処理槽１の底面に向けて一端側の開口部が向けられて配置されている。供給管１７は、その他端側が処理液供給源１９に連通接続されている。供給管１７には、開閉弁２１が設けられている。開閉弁２１は、処理液供給源１９から供給管１７への処理液の流通を制御する。処理液供給源１９は、処理液を貯留しており、開閉弁２１が開放されることにより、常温の処理液を供給管１７へ供給する。
リフタ５は、処理槽１の内部に相当し、図１に示す「処理位置」と、処理槽１の上方に相当し、図１では図示省略した「待機位置」とにわたって昇降移動する。リフタ５は、背板２３と、中央部保持部２５と、一対の側部保持部２７とを有する。背板２３は、処理槽１の内壁に沿った板状の部材である。中央部保持部２５と一対の側部保持部２７とは、図１の紙面奥手前方向に背板２３の下部から延出して設けられている。これらは複数枚の基板Ｗを平行に配列した状態で、図１の紙面奥手前方向となる所定の配列方向で保持する。一対の側部保持部２７は、中央部保持部２５を挟んで配置され、起立姿勢の基板Ｗの左右側の下縁を当接して支持する。
図３に示すように、リフタ５に支持された基板Ｗの下方と処理槽１の底面との間には、スリット板３１が配置されている。スリット板３１は、薄板状の外観を呈し、上下に貫通した細長形状の開口、つまり、複数個のスリット３３が形成されている。スリット板２１は、処理槽１の前後の内壁に取り付けられている。また、高さ位置としては、スリット板３１は、処理位置にあるリフタ５の中央部保持部２５の下端面よりも下方に、その上面が位置するように配置されている。これにより、スリット板３１を通過した処理液が中央部保持部２５により妨げられないようになっている。本実施例では、一例として、スリット板３１に２１個のスリット３３を形成してある。各スリット３３は、長軸が基板Ｗの配列方向に向けられて複数本形成され、互いに平行な位置関係で形成されている。
ここで、基板Ｗの配列方向（図１及び図３の紙面奥手前方向）から見た場合にスリット板３１を３つの領域に区分けする。例えば、中央領域ＡＲＣと、第１の外領域ＡＲ１と、第２の外領域ＡＲ２とに区分けする。中央領域ＡＲＣは、中心を含む外への広がりをもつ領域である。第１の外領域ＡＲ１は、一対の噴出管７８側にあたる外側の領域である。第２の外領域ＡＲ２は、中央領域ＡＲＣと第１の外領域ＡＲ１との間の領域である。
各スリット３３のうち、中央領域ＡＲＣに位置する７個のスリット３３は、幅ＷＤ１となるように形成されている。第１の外領域ＡＲ１に位置する４個のスリット３３は、幅ＷＤ２で形成されている。第２の外領域ＡＲ２に位置する２個のスリット３３は、幅ＷＤ３で形成されている。これらの幅ＷＤ１〜ＷＤ３の大小関係は、ＷＤ１＜ＷＤ３＜ＷＤ２となっている。つまり、ＷＤ１の幅が最も狭く、ＷＤ３、ＷＤ２の順に大きくなっていくように各スリット３３が設定されている。
なお、上述したスリット板３１は、板状部材に複数個の小穴を設けたパンチングボードとは異なり、加工するのが容易であるという利点がある。
ここで図１に戻ると、制御部６１は、図示しないＣＰＵやメモリを内蔵している。制御部６１は、リフタ５の昇降動作、ポンプ１１のオンオフ動作、インラインヒータ１３の温調動作、開閉弁２１の開閉動作などを統括して制御する。
このように構成された実施例１に係る基板処理装置によると、リフタ５に支持された基板Ｗの下方と、処理槽１の底面との間にスリット板３１を備えている。このスリット板３１に形成された２１個のスリット３３は、基板Ｗの配列方向から見た中央領域ＡＲＣの幅ＷＤ１より第１の外領域ＡＲ１及び第２の外領域ＡＲ２における幅ＷＤ２，ＷＤ３が大きくされている。したがって、一対の噴出管７から供給され、中央領域ＡＲＣで基板Ｗ面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板３１を通過して基板Ｗ側へ上昇する際に、その勢いが弱められる。また、強い液流が上昇する中央領域ＡＲＣより処理液の液流が弱い第１の外領域ＡＲ１及び第２の外領域ＡＲ２ではスリット３３の幅ＷＤ２，ＷＤ３が幅ＷＤ１よりも大きくされているので、処理液の液流の勢いがあまり弱められない。したがって、基板Ｗ面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、中央領域ＡＲＣから第２の外領域ＡＲ２、第１の外領域ＡＲ１の順にスリットの幅を大きくしているので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板Ｗ面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２について説明する。図４は、実施例２に係る基板処理装置のスリット板とルーバーの縦断面図である。
なお、以下の説明においては、上述した実施例１との相違点についてのみ説明し、共通する構成については同符号を付すことで説明を省略する。
本実施例２に係る基板処理装置は、リフタ５に支持された基板Ｗの下方と処理槽１の底面との間にスリット板７１及びルーバー７３が配置されている。スリット板７１は、上述した実施例１と同様に、薄板状の外観を呈し、上下に貫通した複数個のスリット７５を形成されている。本実施例では、一例として、スリット板７１に２１個のスリット７５が形成されている。但し、本実施例におけるスリット７５は、基板Ｗの整列方向から見てどの領域におけるものも全て同じ幅を備えている。
ルーバー７３は、スリット板７１に設けられている。具体的には、ルーバー７３は、複数個の板状部材７７で構成されている。ここでは、一例として６本の板状部材７７で構成されている。６本の板状部材７７は、スリット７５の長軸に沿って長辺を配置され、かつ、６本の板状部材７７が互いに平行な位置関係で処理槽１の底面側に向かって立設されている。各板状部材７７は、互いの間に３個のスリット７５をおいて設けられている。
さらに、６本の板状部材７７は、各下端面と処理槽１の底面との距離が、ルーバー７３を基板Ｗの整列方向から見た場合に、一対の噴出管７側から処理槽１の中央に向かって順に短くなっている。換言すると、ルーバー７３を構成する６個の板状部材７７は、外側から中央に向かうにつれて、スリット板７１からの長さを長くされている。
このように構成された実施例２に係る基板処理装置によると、リフタ５に支持された基板Ｗの下方と、処理槽１の底面との間にスリット板７１を備えている。さらに、スリット板７１には、底面に向かって立設されたルーバー７３が設けられている。一対の噴出管７から供給された処理液は、ルーバー７３によってその勢いが弱められ、中央領域で基板３面に沿って上昇する処理液の強い液流は、スリット板７１を通過して基板Ｗ側へ上昇する際に、さらにその勢いが弱められる。したがって、基板Ｗ面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
また、６個の板状部材７７の下端面と処理槽１の底面との距離は、液流が互いに衝突する中央ほど短くなるので、処理液の液流の勢いに応じて細かく差異を緩和できる。したがって、基板Ｗ面付近における処理液の流れの差異をさらに緩和することができ、基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３について説明する。図５は、実施例３の係る基板処理装置のルーバーの縦断面図である。
なお、以下の説明においては、上述した実施例１との相違点についてのみ説明し、共通する構成については同符号を付すことにより詳細な説明を省略する。
本実施例２に係る基板処理装置は、リフタ５で支持された基板Ｗの下方と処理槽１の底面との間にルーバー８１を備えている。ルーバー８１は、複数枚の板状部材８３から構成されており、処理槽１の前後の内側面に固定されている。各ルーバー８１は、互いに平行な位置関係で処理槽１の底面側に向かって立設されている。この本実施例では、例えば、４個の板状部材８３でルーバー８１が構成されている。
また、各板状部材８３は、その下端面と処理槽１の底面との距離が、ルーバー８１を基板Ｗの整列方向から見た場合に、一対の噴出管７側から処理槽１の中央に向かって順に短くなっている。換言すると、ルーバー８１を構成する４個の板状部材８３は、外側から中央に向かうにしたがって、下端面が処理槽１の底面に近づくように配置されている。
さらに、各板状部材８３は、平面視及び基盤Ｗの整列方向から見て、中央部保持部２５と、側部保持部２７との間に配置されている。中央部保持部２５の位置にルーバー７３の４個の板状部材のいずれかを配置すると、処理液はある程度既に分散しているので、処理液の流れの勢いを弱める効果が低くなる。一方、側部保持部２７より一対の噴出管７に近い位置にルーバー７３の４個の板状部材７７のいずれかを配置すると、処理液が板状部材７７と側部保持部２７とで遮断されるようになって、処理液の流れが極めて悪くなる。したがって、４個の板状部材７７をそれぞれ２個ずつ中央部保持部２５と側部保持部２７との間に配置することで、好適に処理液の液流を弱めることができる。
このように構成された実施例３に係る基板処理装置によると、リフタ５に支持された基板Ｗの下方と、処理槽１の底面との間にルーバー８１を備えている。ルーバー８１が備えている４個の板状部材８３は、その下端面と処理槽１の底面との距離が、基板Ｗの配列方向から見た場合に、一対の噴出管７側から処理槽１の中央に向かって順に短くなっている。したがって、一対の噴出管７からの処理液の流量を減少させることなく、一対の噴出管７から供給された処理液は、ルーバー８１によってその勢いが弱められるので、中央領域で基板Ｗ面に沿って上昇する液流は勢いが弱められる。したがって、基板Ｗ面付近における処理液の流れの差異を緩和することができ、基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を形成することができる。
＜処理液の流れの評価＞
ここで、図６〜図９を参照して、上述した実施例１〜３と従来例についての処理液の流れを評価する。なお、図６は、実施例１における処理液の流れを示したシミュレーション結果であり、図７は、実施例２における処理液の流れを示したシミュレーション結果であり、図８は、実施例３における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。また、図９は、従来例における処理液の流れを示したシミュレーション結果である。但し、ここでいう従来例は、液流分散部材を底面に備えていない。
グレースケールの図面ではわかりにくいが、これらの図６〜図９において基板Ｗを表す円形状の領域に白い領域が少ないほど基板Ｗ面内において速度差が少ない整流となっていることを表す。また、基板Ｗを表す円形状の領域内に矢線による渦が少ないほうが好ましい。
これらの図６〜図９を比較すると、各実施例１〜３は、従来例より基板Ｗ面内において速度差が少ない整流を得られていることがわかる。従来例では、基板Ｗの左右の下部において大きな渦が生じて速度差を生じさせている。実施例２は、基板Ｗの左右の周縁部において実施例１に比較して流速が速くなっており、実施例１よりも劣っている。実施例３は、基板Ｗの中央下部にて実施例１，２より流速が速くなっており、実施例１，２よりも劣っている。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した各実施例１〜３では、処理液として燐酸を含むものを例にとって説明したが、本発明は処理液が燐酸を含むものに限定されない。
（２）上述した各実施例１〜３では、処理槽１の周囲にオーバフロー槽３を備えているが本発明はこのような形態に限定されない。例えば、処理槽１を囲うチャンバを備え、処理槽１から溢れた処理液をチャンバの底部で回収する構成であってもよい。
（３）上述した各実施例１〜３では、循環配管９を備え、処理槽１とオーバフロー槽３とで処理液を循環させる構成であるが、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、処理槽１から溢れた処理液をそのまま排出する方式であってもよい。
（４）上述した各実施例１，２では、スリット３３を２１個形成しているが、本発明はこの個数に限定されない。例えば、スリット３３の個数を２０個以下や２２個以上としてもよい。
（５）上述した実施例１では、スリット３３の幅を処理槽１の片側の領域を３つに区分けして、それぞれで異なる幅のスリット３３としたが、本発明はこの形態に限定されない。つまり、４つ以上に区分けしてもよく、区分けした領域ごとに一対の噴出管７から中央に向かって幅が小さくなるように形成すればよい。また、区分けすることなく、一対の噴出管７から中央に向かって形成されているスリット３３の全てが異なる幅、つまり、順次スリット３３の幅が狭くなるように構成してもよい。
（６）上述した実施例２では、６個の板状部材７７でルーバー７３を構成したが、２個以上の板状部材７７でルーバー７７を構成するようにしてもよい。
（７）上述した実施例３では、４個の板状部材８３でルーバー８１を構成しているが、本発明は６個以上の板状部材８３でルーバー８１を構成してもよい。
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
３ … オーバフロー槽
５ … リフタ
７ … 噴出管
ＳＰ … 供給位置
９ … 循環配管
２５ … 中央部保持部
２７ … 側部保持部
３１，７１ … スリット板
３３，７５ … スリット
ＡＲＣ … 中央領域
ＡＲＣ１ … 第１の外領域
ＡＲＣ２ … 第２の外領域
ＷＤ１〜ＷＤ３ … 幅
６１ … 制御部
７３，８１ … ルーバー
７７，８３ … 板状部材

Claims (7)

  1. 複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、
    前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、
    前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、
    前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、
    を備え、
    前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記処理槽の中央領域と、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる外領域との２つの領域における前記複数個のスリットは、前記中央領域におけるスリットの幅よりも前記外領域におけるスリットの幅の方が大きいことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記スリット板を前記基板の配列方向から見た場合に、前記外領域は、前記中央領域より前記一対の噴出管側にあたる第１の外領域と、前記中央領域と前記第１の外領域との間にあたる第２の外領域とに区分され、
    前記複数個のスリットは、前記中央領域、前記第２の外領域、前記第１の外領域の順に幅が大きくなっていくことを特徴とする基板処理装置。
  3. 複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、
    前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、
    前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、
    前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長軸を向けられたスリットが複数個形成され、前記複数個のスリットが互いに平行な位置関係で形成されたスリット板と、
    前記スリット板に設けられ、前記スリットの長軸に沿って長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 複数枚の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させて処理する基板処理装置において、
    前記処理槽内で複数枚の基板を所定の配列方向に支持するリフタと、
    前記処理槽の下部であって、前記基板の整列方向から見て両側にそれぞれ配置され、前記処理槽の底面に沿う方向、かつ、前記処理槽の中央に向かう方向に処理液を供給する一対の噴出管と、
    前記リフタに支持された基板の下方と、前記処理槽の底面との間に配置され、前記複数枚の基板の配列方向に長辺を配置された板状部材を複数個備え、前記複数個の板状部材が互いに平行な位置関係で前記処理槽の底面側に向かって立設されたルーバーと、
    を備え、
    前記複数個の板状部材は、その下端面と前記処理槽の底面との距離が、前記ルーバーを前記基板の配列方向から見た場合に、前記一対の噴出管側から前記処理槽の中央に向かって順に短くなっていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
    前記リフタは、基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、前記基板の整列方向から見て両側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、
    前記複数個の板状部材は、前記基板の整列方向から見て前記中央部保持部と、前記側部保持部との間に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記一対の噴出管は、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
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