KR20150043893A - 약액 공급 방법 - Google Patents

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판을 유지하는 기판지지부재; 상기 기판지지부재에 지지되어 있는 기판으로 공급되는 약액이 저장되는 저장부재; 상기 저장부에 저장되어 있는 약액을 상기 기판지지부재에 지지되어 있는 기판으로 공급하는 약액 공급부재; 및 상기 저장부재에 저장되어 있는 약액의 기화 현상으로 인한 농도 변화를 방지하기 위한 리플럭스 부재를 포함할 수 있다.

Description

약액 공급 방법{CHEMICAL LIQUID SUPPLY METHOD}

본 발명은 약액 공급 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 용액과 용해도가 낮은 식각 용액을 혼합시 초순수 사용량을 줄일 수 있는 약액 공급 방법에 관한 것이다.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.

특히, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.

기판을 세정 처리하는 설비에서의 약액 공급 장치는 메인 탱크에서 직접적으로 모든 약액이 혼합되는 시스템이거나 또는 각각의 약액이 인라인 믹싱되는 시스템으로 이루어져 있다.

하지만, 이러한 종래 약액 공급 장치는 미세 공정에서 소량의 식각율(etch rate) 및 케미컬을 혼합하는 경우 소량의 믹싱 농도 제어의 개선이 필요하다. 특히, 종래 약액 공급 장치에서 유기 용액(IPA)과 용해도가 낮은 NH4F(또는 LAL) 혼합시 NH4F가 석출되며, 이러한 문제 개선을 위해 용해도를 향상시키기 위해 초순수를 첨가하게 되는데 이때 초순수의 첨가량이 많아지면 금속 어택(metal attack) 문제가 발생한다.

본 발명의 실시예들은 소량의 NH4F 또는 LAL 용액을 다량의 유기 용액(IPA)와 혼합시 초순수 혼합을 최소화할 수 있는 약액 공급 방법을 제공하고자 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 식각 원액과 초순수를 프리 믹싱 탱크에 공급한 후, 상기 식각 원액과 초순수가 균일하게 혼합되도록 수회 및 수십회 순환시켜 1차 혼합액을 형성하는 단계; 상기 1차 혼합액을 유기용제가 담겨진 메인 탱크에 공급한 후, 상기 1차 혼합액과 상기 유기 용제가 균일하게 혼합되도록 수회 및 수십회 순환시켜 최종 혼합액을 형성하는 단계; 및 상기 최종 혼합액을 기판 처리 모듈로 공급하는 단계를 포함하는 약액 공급 방법을 제공하고자 한다.

또한, 상기 식각 원액은 불화암모늄(NH4F) 또는 LAL 용액을 포함하고, 상기 프리 믹싱 탱크는 상기 메인 탱크보다 용량이 작다.

본 발명에 의하면, NH4F 또는 LAL를 소량으로 1차로 프리 믹싱 탱크에서 먼저 혼합하고, 1차 혼합액과 다량의 IPA를 2차로 메인 탱크에서 혼합하는 방식으로 NH4F 또는 LAL의 농도를 제어할 수 있고, 초순수의 혼합량을 최소화시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리 유닛의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 처리 유닛의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 약액 공급 부재의 구성을 보여주는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다.

인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 처리 유닛(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 처리 유닛(1)으로 이송하거나, 각 처리 유닛(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다.

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 처리 유닛(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 처리 유닛(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.

처리 유닛(1)은 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 처리 유닛(1)을 구비하나, 처리 유닛(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 처리 유닛(1)은 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 처리 유닛 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 고온의 인산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 식각하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 세정 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.

도 2는 본 발명에 따른 처리 유닛의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 처리 유닛의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.

본 실시예에서는 매엽식 처리 유닛(1)이 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 처리 유닛(1)은 다양한 처리 유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 고정 노즐(900), 분사부재(300), 약액 공급 부재(700), 승강 유닛(600) 그리고 공정 배기부(500)를 포함한다.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(810)이 설치된다. 팬필터유닛(810)은 챔버(800) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.

팬필터유닛(810)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 고습도 외기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 고습도 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 공정 배기부(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(818)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다.

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.

공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부의 배기를 담당한다. 일 예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 공정 배기부(500)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 서브배기라인(510)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.

이 실시예에 있어서, 처리 유닛(1)은 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 처리 유닛(1)은 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.

고정 노즐(900)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(900)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리 유체를 분사한다. 고정 노즐(900)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다.

분사 부재(300)는 약액 공급 부재(700)로부터 처리 유체(혼합액)를 공급받아 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 처리 유체를 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(320), 구동기(310), 노즐 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다. 지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전 및 직선 운동시킨다. 노즐 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(340)이 처리 유체를 분사하면서 이동되도록 한다.

분사 노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 끝단 저면에 설치된다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 약액 공급 부재(700)로부터 공급된 혼합액을 분사한다. 또한, 분사 노즐(340)은 약액 공급 부재(700)에서 공급된 혼합액 외에 다른 처리유체를 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.

도 4는 약액 공급 부재를 설명하기 위한 구성도이다.

도 4를 참조하면, 약액 공급 부재(700)는 기판(W) 표면을 식각하기 위한 복수 개의 약액들을 공급받아서, 그 약액들을 기설정된 농도로 혼합하여 분사 부재(300)로 공급한다. 일 예로, 혼합액은 IPA, NH4F(또는 LAL), DIW을 포함할 수 있으며, 약액 공급 부재(700)는 IPA : NH4F(또는 LAL) : DIW= 1 : 0.008 : 0.1의 비율로 혼합한 혼합액을 노즐 부재로 제공한다.

약액 공급부(700)는 프리 믹싱 탱크(pre mixing tank)(710), 메인 탱크(main mixing tank)(730), 제1순환부재(first recycling member)(720), 제2순환부재(second recycling member)(740)를 포함한다.

프리 믹싱 탱크(710), 메인 탱크(730)는 내부에 복수의 약액들을 공급받아, 공급받은 약액들을 혼합시켜 혼합액을 생성하는 공간을 제공한다.

프리 믹싱 탱크(710)는 NH4F(또는 LAL)와 DIW를 각각 공급받으며, NH4F(또는 LAL)와 DIW의 용량은 전체 혼합액에서 차지하는 비율이 작기 때문에 메인 탱크의 저장 용량보다 작은 저장 용량을 갖는다.

제1순환라인(720)은 프리 믹싱 탱크(410)로 공급된 NH4F와 초순수가 균일하게 혼합되도록 이들 약액을 순환시키기 위해 제공되며, 제1순환라인(720)에는 펌프와 밸브 그리고 히터가 설치될 수 있다.

메인 탱크(730)는 프리 믹싱 탱크(710)에서 1차로 혼합된 1차 혼합액과 유기용제인 IPA를 각각 공급받는다. 제2순환라인(740)은 메인 탱크(410)로 공급된 1차 혼합액과 IPA를 순환시키기 위해 제공되며, 제2순환라인(740)에는 펌프와 밸브 그리고 히터가 설치될 수 있다. 메인 탱크(730)에서 혼합된 혼합액은 노즐 부재(300)로 제공된다.

상기와 같은 구성을 갖는 약액 공급 부재에서의 약액 공급 방법은 다음과 같다.

먼저, 식각액인 NH4F(또는 LAL)와 초순수를 프리 믹싱 탱크(710)에 공급한 후, NH4F와 초순수가 균일하게 혼합되도록 수회 및 수십회 순환시켜 1차 혼합액을 형성한다. 1차 혼합액은 유기용제인 IPA가 공급되는 메인 탱크(730)에 공급되며, 1차 혼합액과 IPA가 균일하게 혼합되도록 수회 및 수십회 순환시켜 최종 혼합액을 형성한다. 이렇게 최종 혼합액은 노즐 부재(300)로 공급된다.

이와 같이, 본 발명의 약액 공급 방법은 NH4F(또는 LAL)를 소량으로 프리믹싱탱크(710)에서 먼저 혼합하고, 1차 혼합액과 다량의 IPA를 대용량의 메인 탱크(720)에서 혼합하는 방법으로, 단일 탱크에서 이들 처리액을 모두 혼합할 경우 극소량이 첨가되는 NH4F의 균일한 혼합을 어려웠던 문제점을 해결할 수 있다. 특히, IPA에 용해도가 낮은 NH4F를 혼합시 용해성을 높이기 위해 초순수가 첨가되는데, 그 초순수의 첨가량을 기존에 비해 1/10로 줄일 수 있어 과다한 초순수 사용으로 인한 메탈 어택 문제를 해소할 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1: 처리 유닛 100: 처리 용기
200 : 기판 지지부재 300 : 노즐 부재
700 : 약액 공급 부재 710 : 프리 믹싱 탱크
730 : 메인 탱크

Claims (2)

1. 약액 공급 방법에 있어서:
   식각 원액과 초순수를 프리 믹싱 탱크에 공급한 후, 상기 식각 원액과 초순수가 균일하게 혼합되도록 수회 및 수십회 순환시켜 1차 혼합액을 형성하는 단계;
   상기 1차 혼합액을 유기용제가 담겨진 메인 탱크에 공급한 후, 상기 1차 혼합액과 상기 유기 용제가 균일하게 혼합되도록 수회 및 수십회 순환시켜 최종 혼합액을 형성하는 단계; 및
   상기 최종 혼합액을 기판 처리 모듈로 공급하는 단계를 포함하는 약액 공급 방법.
2. 제1항에 있어서;
   상기 식각 원액은 불화암모늄(NH4F) 또는 LAL 용액을 포함하고,
   상기 프리 믹싱 탱크는 상기 메인 탱크보다 용량이 작은 것을 특징으로 하는 약액 공급 방법.

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