KR20150063294A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 처리액으로 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공정챔버, 상기 공정챔버로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하되, 상기 처리액 공급 유닛은, 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액을 설정 온도로 가열하는 가열 탱크와, 상기 가열 탱크로부터 가열된 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 조절하는 보정 탱크와 상기 보정 탱크로부터 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 저장된 상기 처리액을 상기 공정챔버로 공급하는 공급 탱크를 가질 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 { SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼 (wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 형성된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼상에 원하는 패턴이 형성된다.

일반적으로, 식각 장치는 건식 장치와 습식 장치로 나뉜다. 이 중 습식 장치는 복수의 처리액들, 예컨대, 식각액, 세정액, 그리고 린스액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 기판에 형성된 박막 중 불필요한 부분을 식각하는 공정, 그리고 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 세정하는 공정을 포함한다.

높은 식각율(Etch Rate)을 위해서는 고온의 인산이 필요하고, 산화막에 대한 질화막의 식각 선택비 향상을 위해서는 저농도의 인산이 필요하다. 인산(H₃PO₄)의 경우, 온도와 농도가 서로 반비례하는 성질을 가진다. 기존에는 처리조 내에 제공된 인산액 내에 복수의 웨이퍼를 침지하여 식각 공정을 수행하였다. 그러나 기판을 고온 처리 하기 위해 인산액의 온도를 높일 경우, 인산액 내에 많은 버블이 형성되고 버블에 의해 웨이퍼가 기울어지는 문제점이 있다. 또한, 고온으로 공정시 인산액이 비산되는 것을 방지하기 위해 인산을 끓는점 이하로 공급하였다.

본 발명은 공정 능력을 최대화할 수 있는 기판 처리 장치를 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 매엽식 타입의 식각이 이루어지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 처리액으로 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공정챔버, 상기 공정챔버로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하되, 상기 처리액 공급 유닛은, 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액을 설정 온도로 가열하는 가열 탱크와, 상기 가열 탱크로부터 가열된 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 조절하는 보정 탱크와 상기 보정 탱크로부터 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 저장된 상기 처리액을 상기 공정챔버로 공급하는 공급 탱크를 가질 수 있다.

상기 공정챔버는 기판을 수평으로 유지한 상태에서 상기 기판에 대해 상기 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

상기 처리액은 인산을 포함하고, 상기 공정은 상기 기판 상에 형성된 질화막을 식각하는 공정일 수 있다.

상기 기판 처리 장치는 상기 처리액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 처리액 공급 유닛에서 상기 처리액을 상기 처리액의 끓는점 이상의 온도로 조절하여 상기 공정챔버로 공급할 수 있다.

상기 가열 탱크는, 내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체, 상기 공간의 상기 처리액을 가열하는 히터, 상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 몸체 내에서 상기 처리액을 끓는점 이상으로 가열하도록 제어할 수 있다.

상기 보정 탱크 및 상기 공급 탱크 중 적어도 하나는, 내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체, 상기 공간으로 희석액을 공급하는 공급관을 포함하되, 상기 공급관은, 그 길이방향이 상하 방향으로 제공되고, 하단이 개방된 내부관, 상기 내부관을 감싸며, 하단은 막히고 그 길이방향을 따라 분사홀들이 형성된 외부관을 가질 수 있다.

상기 공급관은 그 하단이 상기 몸체 내 하부 영역까지 연장되어 제공될 수 있다.

상기 가열 탱크, 상기 보정 탱크, 그리고 상기 공급 탱크 중 적어도 하나는, 내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체, 상기 몸체에서 가스를 배기하는 배기 부재를 포함하되, 상기 배기 부재는, 상기 몸체에 결합된 배기관, 상기 배기관을 둘러싸도록 제공된 응축기를 가질 수 있다.

상기 배기 부재는, 상기 배기관에 연결되고, 응축된 상기 처리액을 회수하는 회수관을 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명은 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판을 처리하는 장치에 있어서, 처리액으로 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공정챔버, 및 상기 공정챔버로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하되, 상기 처리액 공급 유닛은, 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액을 설정 온도로 가열하는 가열 탱크 및 상기 가열 탱크로부터 가열된 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 조절하며, 상기 처리액을 상기 공정챔버로 공급하는 공급 탱크를 가질 수 있다.

상기 공정챔버는 기판을 수평으로 유지한 상태에서 상기 기판에 대해 상기 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

상기 처리액은 인산을 포함하고, 상기 공정은 상기 기판 상에 형성된 질화막을 식각하는 공정일 수 있다.

상기 기판 처리 장치는 상기 처리액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 처리액 공급 유닛에서 상기 처리액을 상기 처리액의 끓는점 이상의 온도로 조절하여 상기 공정챔버로 공급할 수 있다.

상기 가열 탱크는, 내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체, 상기 공간의 상기 처리액을 가열하는 히터, 그리고 상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 몸체 내에서 상기 처리액을 끓는점 이상으로 가열하도록 제어할 수 있다.

상기 공급 탱크는, 내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체, 및 상기 공간으로 희석액을 공급하는 공급관을 포함하되, 상기 공급관은, 그 길이방향이 상하 방향으로 제공되고, 하단이 개방된 내부관 및 상기 내부관을 감싸며, 하단은 막히고 그 길이방향을 따라 분사홀들이 형성된 외부관을 가질 수 있다.

상기 가열 탱크 및 상기 공급 탱크 중 적어도 하나는, 내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체, 및 상기 몸체에서 가스를 배기하는 배기 부재를 포함하되, 상기 배기 부재는, 상기 몸체에 결합된 배기관, 및 상기 배기관을 둘러싸도록 제공된 응축기를 가질 수 있다.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여, 상기 처리액 공급 유닛에서 상기 공정 챔버로 상기 처리액을 공급하되, 상기 공정 챔버 내에서 상기 기판은 수평으로 유지되고, 상기 처리액에 의해 상기 기판 상에 형성된 질화막이 식각될 수 있다.

상기 처리액은 인산을 포함할 수 있다.

상기 가열 탱크는 상기 처리액을 상기 처리액의 끓는점 이상의 온도로 가열할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 본 발명은 공정 능력을 최대화할 수 있는 기판 처리 장치를 공급할 수 있다.

또한, 본 발명은 매엽식 타입의 식각이 이루어지는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여준다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 유닛를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 가열 탱크를 보여주는 단면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 배기 부재를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 보정 탱크를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 공급관을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 공급관을 통해 희석액이 공급되는 것을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 4의 공급 탱크의 단면도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 처리액 공급 유닛을 보여주는 도면이다.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 인덱스 로봇(13)을 포함한다. 로드 포트(12)는 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 로드 포트(12)는 4개가 제공될 수 있다. 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 인접하게 제 1 방향을 따라 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부(50) 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다.

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)는 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2에서는 도면 편의상 고정 노즐 부재를 생략하였다.

본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정챔버(700) 및 처리액 공급 유닛(800)을 가진다. 공정챔버(700)는 처리액으로 기판을 처리한다. 처리액 공급 유닛(800)은 공정챔버(700)로 처리액을 공급한다. 공정챔버(700)는 기판을 수평으로 유지한 상태에서 기판에 대해 공정을 수행한다. 일 예로, 공정챔버(700)는 기판 상에 형성된 질화막을 식각하는 공정을 수행할 수 있다. 이와 달리, 공정챔버(700)는 다양한 처리액들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치일 수 있다. 공정챔버(700)는 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300), 배기부재(400), 그리고 고정 노즐(500)를 포함한다.

공정챔버(700)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(710)이 설치된다. 팬필터유닛(710)은 챔버(700) 내부에 수직기류를 발생시킨다.

팬필터유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 공정챔버(700) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과한 후, 공정챔버(700) 내부로 공급되어 수직기류를 형성한다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다.

도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 공정 영역(716)과 유지보수 영역(718)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(718)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(718)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다.

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다.

이동 분사 부재(300)는 처리 용기(100)의 외측에 위치되며, 이동 분사 부재(300)는 기판(w)을 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 기판 지지부재(200)에 고정된 기판(w)으로 공급한다. 이동 분사 부재(300)는 지지축(302), 구동기(303), 노즐 지지대(304) 그리고 노즐유닛(310)을 포함한다.

지지축(302)은 그 길이 방향이 제 3 방향으로 제공되며, 지지축(302)의 하단은 구동기(303)와 결합된다. 구동기(303)는 지지축(302)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(304)는 구동기(303)와 결합된 지지축(302)의 끝단의 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐유닛(310)은 노즐 지지대(304)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐 유닛(310)은 구동기(303)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐 유닛(310)이 기판의 중심 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐 유닛(310)이 기판의 상부로부터 벗어난 위치이다.

배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다.

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 유닛(800)를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도 4를 참조하면, 처리액 공급 유닛(800)은 기판 처리 장치(1)의 노즐유닛(310)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(800)은 처리액 공급원(802), 처리액 공급라인(804), 희석액 공급원(812), 희석액 공급라인(814), 가열 탱크(820), 보정 탱크(840), 공급 탱크(860), 그리고 제어기(880)를 가진다.

처리액 공급원(802)은 가열 탱크(820), 보정 탱크(840), 그리고 공급 탱크(860) 각각에 처리액을 공급한다. 처리액 공급라인(804)은 처리액 공급원(802)과 가열 탱크(820), 보정 탱크(840), 그리고 공급 탱크(860) 각각을 연결한다. 일 예로, 처리액은 인산을 포함할 수 있다. 희석액 공급원(812)은 보정 탱크(840) 및 공급 탱크(860) 각각에 희석액을 공급한다. 희석액 공급라인(814)은 희석액 공급원(812)과 보정 탱크(840) 및 공급 탱크(860) 각각을 연결한다. 일 예로, 희석액은 순수일 수 있다.

도 5는 도 4의 가열 탱크(820)를 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7은 도 5의 배기 부재(830)를 보여주는 도면이다.

가열 탱크(820)는 처리액 공급원(802)으로부터 처리액을 공급받아 저장한다. 가열 탱크(820)는 그 내부의 처리액을 설정 온도로 가열한다. 가열 탱크(820)는 처리액을 빠른 시간 내에 설정 온도로 가열할 수 있다. 설정 온도는, 일 예로, 처리액의 끓는점보다 높은 온도일 수 있다. 가열 탱크(820)는 그 내부이 처리액이 설정 수위에 도달하면, 보정 탱크(840)로 처리액을 공급한다. 가열 탱크(820)는 몸체(822), 히터(824), 제어기(826), 그리고 배기 부재(830)를 가진다. 몸체(822)는 그 내부에 처리액이 저장되는 공간을 제공한다. 히터(824)는 몸체(822) 내부의 공간에 제공되는 처리액을 가열한다. 도 5와 같이, 히터(824)는 몸체(822)를 감싸는 코일 형상의 히터(824a), 몸체(822) 내부에 제공되는 히터(824b), 도는 이들 2개가 모두 제공될 수 있다. 가열 탱크(820)는 고열량 히터(824)로 제공되어, 단시간 내 처리액을 가열할 수 있다. 제어기(826)는 히터(824)를 제어한다. 제어기(826)는 몸체(822) 내의 처리액을 그 끓는점 이상으로 가열하도록 제어할 수 있다. 일 예로, 처리액이 인산을 포함하는 경우, 제어기(826)는 가열 탱크(820)를 인산의 끓는점인 약 158°이상의 고온으로 제어할 수 있다.

배기 부재(830)는 배기관(832), 응축기(834), 그리고 회수관(836)을 가질 수 있다. 배기관(832)은 몸체(822)에 결합된다. 도 5와 같이, 배기관(832)은 몸체(822)의 상면에 결합될 수 있다. 응축기(834)는 배기관(832)에 인접하게 제공된다. 일 예로, 응축기(834)는 배기관(832)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 응축기(834)는 배기관(832)을 통해 배기되는 가스를 응축시킨다. 도 7을 참조하면, 배기관(832)을 통해 가열 탱크(820) 내의 가스가 배기된다. 배기관(832) 내의 가스는, 응축기(834)에 의해 그 일부가 응축된다. 응축된 가스는 배기관(832)의 하부에 모이게 된다. 따라서, 가열탱크(820) 외부로 배기되는 가스의 양을 줄일 수 있다. 이로 인해, 공정 설비 내의 습도가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 회수관(836)은 배기관(832)에 연결된다. 회수관(836)은 배기관(832) 내에서 응축기(834)에 의해 응축된 처리액을 회수할 수 있다. 회수된 처리액은 몸체(822)로 제공될 수 있다. 이러한 경우, 가열 탱크(820) 내의 처리액의 농도를 유지할 수 있다. 선택적으로, 회수된 처리액은 외부로 배출될 수 있다.

도 8은 도 4의 보정 탱크(840)를 보여주는 단면도이다. 도 9는 도 8의 공급관(844)을 보여주는 도면이다. 도 10은 도 9의 공급관(844)을 통해 희석액이 공급되는 것을 보여주는 도면이다.

보정 탱크(840)는 가열 탱크(820)로부터 가열된 처리액을 공급받아 저장한다. 보정 탱크(840)는 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 조절한다. 보정 탱크(840)는 가열 탱크(820)에서 전달받은 처리액의 온도와 농도를 정밀하게 제어한다. 또한, 보정 탱크(840) 는 그 내부의 처리액의 설정 수위에 따라 온도와 농도를 제어할 수 있다. 가열 탱크(820)에서 처리액을 그 끓는점 이상으로 가열하기 때문에, 처리액이 기화될 수 있다. 따라서, 처리액의 농도가 설정값에 비해 변할 수 있다. 따라서, 보정 탱크(840)는 처리액의 설정값에 대해 농도 보정을 할 수 있다. 또한, 보정 탱크(840)는 그 내부의 처리액을 설정 수위로 조절할 수 있다.

보정 탱크(840)는 몸체(842), 공급관(844), 히터(844), 그리고 배기 부재(850)를 가진다. 몸체(842)는 그 내부에 처리액이 저장되는 공간을 제공한다. 공급관(844)은 몸체(842) 내부의 공간으로 희석액을 공급한다. 보정 탱크(840)는 고온으로 제공되기 때문에, 몸체(842) 내의 처리액 표면으로 희석액을 공급하는 경우 처리액이 증발된다. 따라서, 공급관(844)은 그 하단이 몸체(842) 내 하부 영역까지 연장되어 제공된다. 공급관(844)이 처리액 내부로 희석액을 공급하므로, 희석액의 증발을 방지할 수 있다. 따라서, 공급관(844)은 처리액의 공정 시간에 따라 그 농도를 조절할 수 있다. 또한, 공급관(844)은 처리액의 설정 수위에 따라 그 농도를 조절할 수 있다.

공급관(844)은 내부관(845a), 외부관(845b), 그리고 분사홀(846)을 포함한다. 내부관(845a)은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공된다. 내부관(845a)은 그 하단이 개방되어 있다. 희석액 공급원(812)에서 공급된 희석액은 내부관(845a)을 통해 몸체(842) 내로 공급된다. 외부관(845b)은 내부관(845a)을 감싸도록 제공된다. 외부관(845b)은 그 하단이 막혀서 제공된다. 외부관(845b)에는 그 길이방향을 따라 분사홀(846)들이 형성된다. 분사홀(846)은 외부관(845b)의 길이 방향을 따라, 하단에 밀집되게 형성될 수 있다. 희석액은 내부관(845a)의 하단에서 나와, 외부관(845b)의 분사홀(846)을 통해 몸체(822) 내 처리액으로 공급된다. 또한, 공급관(844)은 내부관(845a) 및 외부관(845b) 이중 구조로 제공됨으로써, 고온에 의한 버블에 의한 공급관(844)의 흔들림을 방지할 수 있다. 또한, 선택적으로, 공급관(844)은 그 하단이 그 길이 방향에 수직하게 절곡되어 제공될 수 있다. 히터(844)는 몸체(842) 내부의 공간에 제공되는 처리액을 가열한다. 선택적으로, 히터(844)는 몸체(842)를 감싸는 코일 형상으로 제공될 수 있다.

배기 부재(850)는 배기관(852), 응축기(854), 그리고 회수관(856)을 가질 수 있다. 배기 부재(850)는 상술한 도 5의 배기 부재(830)와 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 배기관(852)은 몸체(842)에 결합된다. 배기관(852)은 몸체(842)의 상면에 결합될 수 있다. 응축기(854)는 배기관(852)에 인접하게 제공된다. 일 예로, 응축기(854)는 배기관(852)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 응축기(854)는 배기관(852)을 통해 배기되는 가스를 응축시킨다. 배기관(852)을 통해 보정 탱크(840) 내의 가스가 배기된다. 배기관(852) 내의 가스는, 응축기(854)에 의해 그 일부가 응축된다. 응축된 가스는 배기관(852)의 하부에 모이게 된다. 따라서, 보정탱크(840) 외부로 배기되는 가스의 양을 줄일 수 있다. 이로 인해, 공정 설비 내의 습도가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 회수관(856)은 배기관(852)에 연결된다. 회수관(856)은 배기관(852) 내에서 응축기(854)에 의해 응축된 처리액 및 희석액을 회수할 수 있다. 회수된 처리액 및 희석액은 몸체(842)로 제공될 수 있다. 이러한 경우, 보정 탱크(840) 내의 처리액의 농도를 유지할 수 있다. 선택적으로, 회수된 처리액 및 희석액은 외부로 배출될 수 있다.

도 11은 도 4의 공급 탱크(860)의 단면도이다.

공급 탱크(860)는 보정 탱크(840)로부터 처리액을 공급받아 저장한다. 공급 탱크(860)는 저장한 처리액을 공정챔버(700)로 공급한다. 공급 탱크(860)는 온도 및 농도가 제어된 처리액을 지속적으로 공정챔버(700)로 공급할 수 있다. 공급 탱크(860)는 몸체(862), 공급관(864), 히터(864), 그리고 배기 부재(860)를 가진다. 몸체(862)는 그 내부에 처리액이 저장되는 공간을 제공한다. 공급관(864)은 몸체(862) 내부의 공간으로 희석액을 공급한다. 공급 탱크(860)는 고온으로 제공되기 때문에, 몸체(862) 내의 처리액 표면으로 희석액을 공급하는 경우 처리액이 증발된다. 따라서, 공급관(864)은 그 하단이 몸체(862) 내 하부 영역까지 연장되어 제공된다. 공급관(864)이 처리액 내부로 희석액을 공급하므로, 희석액의 증발을 방지할 수 있다. 따라서, 공급관(864)은 처리액의 공정 시간에 따라 그 농도를 조절할 수 있다. 또한, 공급관(864)은 처리액의 설정 수위에 따라 그 농도를 조절할 수 있다. 또한, 공급 탱크(860)는 온도 및 농도 보정 장치를 포함할 수 있다.

공급관(864)은 내부관(865a), 외부관(865b), 그리고 분사홀(866)을 포함한다. 내부관(865a)은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공된다. 내부관(865a)은 그 하단이 개방되어 있다. 희석액 공급원(812)에서 공급된 희석액은 내부관(865a)을 통해 몸체(862) 내로 공급된다. 외부관(865b)은 내부관(865a)을 감싸도록 제공된다. 외부관(865b)은 그 하단이 막혀서 제공된다. 외부관(865b)에는 그 길이방향을 따라 분사홀(866)들이 형성된다. 분사홀(866)은 외부관(865b)의 길이 방향을 따라, 하단에 밀집되게 형성될 수 있다. 희석액은 내부관(865a)의 하단에서 나와, 외부관(865b)의 분사홀(866)을 통해 몸체(862) 내 처리액으로 공급된다. 또한, 공급관(864)은 내부관(865a) 및 외부관(865b) 이중 구조로 제공됨으로써, 고온에 의한 버블에 의한 공급관(864)의 흔들림을 방지할 수 있다. 또한, 선택적으로, 공급관(864)은 그 하단이 그 길이 방향에 수직하게 절곡되어 제공될 수 있다. 히터(864)는 몸체(862) 내부의 공간에 제공되는 처리액을 가열한다. 선택적으로, 히터(864)는 몸체(862)를 감싸는 코일 형상으로 제공될 수 있다.

배기 부재(870)는 배기관(872), 응축기(874), 그리고 회수관(876)을 가질 수 있다. 배기 부재(870)는 상술한 도 5의 배기 부재(830)와 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 배기관(872)은 몸체(862)에 결합된다. 배기관(872)은 몸체(862)의 상면에 결합될 수 있다. 응축기(874)는 배기관(872)에 인접하게 제공된다. 일 예로, 응축기(874)는 배기관(872)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 응축기(874)는 배기관(872)을 통해 배기되는 가스를 응축시킨다. 배기관(872)을 통해 공급 탱크(860) 내의 가스가 배기된다. 배기관(872) 내의 가스는, 응축기(874)에 의해 그 일부가 응축된다. 응축된 가스는 배기관(872)의 하부에 모이게 된다. 따라서, 공급 탱크(860) 외부로 배기되는 가스의 양을 줄일 수 있다. 이로 인해, 공정 설비 내의 습도가 높아지는 것을 방지할 수 있다. 회수관(876)은 배기관(872)에 연결된다. 회수관(876)은 배기관(872) 내에서 응축기(874)에 의해 응축된 처리액 및 희석액을 회수할 수 있다. 이러한 경우, 공급 탱크(860) 내의 처리액의 농도를 유지할 수 있다. 선택적으로, 회수된 처리액 및 희석액은 외부로 배출될 수 있다.

공급 탱크(860)는 공정챔버(700)로 처리액을 지속적으로 공급할 수 있다. 선택적으로, 공급 탱크(860)는 온도 및 농도 보정 장치를 포함할 수 있다.

제어기(880)는 처리액 공급 유닛(800)을 제어한다. 제어기(880)는 처리액 공급 유닛(800)에서 처리액을 그 끓는점 이상의 온도로 조절하여 공정챔버(700)로 공급하도록 제어한다. 제어기(880)는 공급탱크(860) 내의 처리액을 배출관(890)을 통해 공정챔버(700)으로 공급한다.

도 12는 다른 실시예에 따른 처리액 공급 유닛(900)을 보여주는 도면이다. 처리액 공급 유닛(900)은 처리액 공급원(902), 처리액 공급라인(904), 희석액 공급원(912), 희석액 공급라인(914), 가열 탱크(920), 공급 탱크(940), 그리고 제어기(980)를 가진다. 도 12의 처리액 공급원(902), 처리액 공급라인(904), 희석액 공급원(912), 희석액 공급라인(914), 가열 탱크(920), 그리고 제어기(980) 는 도 4의 처리액 공급원(802), 처리액 공급라인(804), 희석액 공급원(812), 희석액 공급라인(814), 가열 탱크(820), 그리고 제어기(880) 와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가진다. 다만, 공급 탱크(940)는 온도 및 농도 제어 부재를 더 포함할 수 있다. 공급 탱크(940)는 가열 탱크(920)로부터 가열된 처리액을 공급받아 저장하고, 공정챔버(700)로 공급한다. 공급 탱크(940)는 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 정밀하게 제어할 수 있다. 또한, 공급 탱크(940) 는 그 내부의 처리액의 설정 수위에 따라 온도와 농도를 제어할 수 있다. 가열 탱크(920)에서 처리액을 그 끓는점 이상으로 가열하기 때문에, 처리액이 기화될 수 있다. 따라서, 처리액의 농도가 설정값에 비해 변할 수 있다. 따라서, 공급 탱크(940)는 처리액의 설정값에 대해 농도 보정을 할 수 있다. 또한, 공급 탱크(940)는 그 내부의 처리액을 설정 수위로 조절할 수 있다. 따라서, 공급 탱크(940)는 온도 및 농도가 제어된 처리액을 지속적으로 공정챔버(700)로 공급할 수 있다.

이상에서는, 희석액이 보정 탱크(840) 및 공급 탱크(860)로 공급되는 처리액 공급 유닛(800)에 대해 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 희석액은 가열 탱크(820)에도 공급될 수 있다. 또한, 가열 탱크(820) 내에도 공급관이 제공될 수 있다. 또한, 처리액 공급 유닛(800)은 순환라인을 가질 수 있다. 가열 탱크(820)와 보정 탱크(840), 그리고 보정 탱크(840)와 공급 탱크(860) 각각은 순환라인에 의해 연결될 수 있다. 또한, 처리액 공급 유닛(800)은 회수 부재를 포함할 수 있다. 선택적으로, 처리액 공급 유닛(800)은 LFC(Liquid Flow Controller)를 포함할 수 있다.

이상에서 설명한 처리액 공급 유닛은 기판 식각 공정 뿐만 아니라 다양한 공정에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 세정 공정에도 사용될 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

700: 공정 챔버 800: 처리액 공급 유닛
820: 가열 탱크 830: 배기부재
834: 응축기 840: 보정 탱크
844: 공급관 845a: 내부관
845b: 외부관 846: 분사홀
860: 공급 탱크

Claims (22)

1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
   처리액으로 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공정챔버; 및
   상기 공정챔버로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하되,
   상기 처리액 공급 유닛은,
   상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액을 설정 온도로 가열하는 가열 탱크;
   상기 가열 탱크로부터 가열된 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 조절하는 보정 탱크; 그리고
   상기 보정 탱크로부터 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 저장된 상기 처리액을 상기 공정챔버로 공급하는 공급 탱크를 가지는 기판 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 공정챔버는 기판을 수평으로 유지한 상태에서 상기 기판에 대해 상기 공정을 수행하도록 제공되는 기판 처리 장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 처리액은 인산을 포함하고,
   상기 공정은 상기 기판 상에 형성된 질화막을 식각하는 공정인 기판 처리 장치.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판 처리 장치는 상기 처리액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
   상기 제어기는 상기 처리액 공급 유닛에서 상기 처리액을 상기 처리액의 끓는점 이상의 온도로 조절하여 상기 공정챔버로 공급하는 기판 처리 장치.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 가열 탱크는,
   내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체;
   상기 공간의 상기 처리액을 가열하는 히터; 그리고
   상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 제어기는 상기 몸체 내에서 상기 처리액을 끓는점 이상으로 가열하도록 제어하는 기판 처리 장치.
6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 보정 탱크 및 상기 공급 탱크 중 적어도 하나는,
   내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체; 및
   상기 공간으로 희석액을 공급하는 공급관을 포함하되,
   상기 공급관은,
   그 길이방향이 상하 방향으로 제공되고, 하단이 개방된 내부관; 및
   상기 내부관을 감싸며, 하단은 막히고 그 길이방향을 따라 분사홀들이 형성된 외부관을 가지는 기판 처리 장치.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 공급관은 그 하단이 상기 몸체 내 하부 영역까지 연장되어 제공되는 기판 처리 장치.
8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가열 탱크, 상기 보정 탱크, 그리고 상기 공급 탱크 중 적어도 하나는,
   내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체; 및
   상기 몸체에서 가스를 배기하는 배기 부재를 포함하되,
   상기 배기 부재는,
   상기 몸체에 결합된 배기관; 및
   상기 배기관을 둘러싸도록 제공된 응축기를 가지는 기판 처리 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 배기 부재는, 상기 배기관에 연결되고, 응축된 상기 처리액을 회수하는 회수관을 더 포함하는 기판 처리 장치.
10. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리액으로 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공정챔버; 및
    상기 공정챔버로 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 처리액 공급 유닛은,
    상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액을 설정 온도로 가열하는 가열 탱크; 및
    상기 가열 탱크로부터 가열된 상기 처리액을 공급받아 저장하고, 상기 처리액의 농도 및 온도를 각각 설정값으로 조절하며, 상기 처리액을 상기 공정챔버로 공급하는 공급 탱크를 가지는 기판 처리 장치.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공정챔버는 기판을 수평으로 유지한 상태에서 상기 기판에 대해 상기 공정을 수행하도록 제공되는 기판 처리 장치.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 처리액은 인산을 포함하고,
    상기 공정은 상기 기판 상에 형성된 질화막을 식각하는 공정인 기판 처리 장치.
13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 처리액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는 상기 처리액 공급 유닛에서 상기 처리액을 상기 처리액의 끓는점 이상의 온도로 조절하여 상기 공정챔버로 공급하는 기판 처리 장치.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 가열 탱크는,
    내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체;
    상기 공간의 상기 처리액을 가열하는 히터; 그리고
    상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 몸체 내에서 상기 처리액을 끓는점 이상으로 가열하도록 제어하는 기판 처리 장치.
15. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공급 탱크는,
    내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체; 및
    상기 공간으로 희석액을 공급하는 공급관을 포함하되,
    상기 공급관은,
    그 길이방향이 상하 방향으로 제공되고, 하단이 개방된 내부관; 및
    상기 내부관을 감싸며, 하단은 막히고 그 길이방향을 따라 분사홀들이 형성된 외부관을 가지는 기판 처리 장치.
16. 제 15 항에 있어서,
    상기 공급관은 그 하단이 상기 몸체내 하부 영역까지 연장되어 제공되는 기판 처리 장치.
17. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 탱크 및 상기 공급 탱크 중 적어도 하나는,
    내부에 상기 처리액을 저장하는 공간이 제공된 몸체; 및
    상기 몸체에서 가스를 배기하는 배기 부재를 포함하되,
    상기 배기 부재는,
    상기 몸체에 결합된 배기관; 및
    상기 배기관을 둘러싸도록 제공된 응축기를 가지는 기판 처리 장치.
18. 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 처리액 공급 유닛에서 상기 공정 챔버로 상기 처리액을 공급하되, 상기 공정 챔버 내에서 상기 기판은 수평으로 유지되고, 상기 처리액에 의해 상기 기판 상에 형성된 질화막이 식각되는 기판 처리 방법.
19. 제 18 항에 있어서,
    상기 처리액은 인산을 포함하는 기판 처리 방법.
20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 가열 탱크는 상기 처리액을 상기 처리액의 끓는점 이상의 온도로 가열하는 기판 처리 방법.
21. 기판을 처리하는 방법에 있어서, 수평으로 유지된 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 질화막을 식각하는 공정 챔버로 상기 처리액을 공급하되, 상기 처리액은 상기 처리액의 끓는점 이상에서 온도 또는 농도를 보정하여 공급하는 기판 처리 방법.
22. 제 21 항에 있어서,
    상기 처리액은 인산을 포함하는 기판 처리 방법.

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