JPH08299883A - 基板の洗浄方法 - Google Patents

基板の洗浄方法

Info

Publication number
JPH08299883A
JPH08299883A JP11172995A JP11172995A JPH08299883A JP H08299883 A JPH08299883 A JP H08299883A JP 11172995 A JP11172995 A JP 11172995A JP 11172995 A JP11172995 A JP 11172995A JP H08299883 A JPH08299883 A JP H08299883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
liquid
washing
liquid supply
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11172995A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Yoshimura
充広 吉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP11172995A priority Critical patent/JPH08299883A/ja
Publication of JPH08299883A publication Critical patent/JPH08299883A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の洗浄方法に関し、洗浄する基板に再付
着するパーティクルの量を減らすことを目的とする。 【構成】 洗浄槽1の底部に敷設された複数の給液管2
のそれぞれに穿たれた液噴出孔2aから噴出する洗浄液3
によって基板5を洗浄する基板の洗浄方法であり、該給
液管2を流れる洗浄液3の方向を、交互に対向して流す
ように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板を洗浄して清浄にす
る洗浄方法に係わり、特に半導体ウェーハを仕上げの純
水洗浄した際に、パーティクルと呼ばれる汚染物が基板
に再付着することを低減することができる基板の洗浄方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の性能と信頼性の向上には製
造プロセスの改善が必須であるが、中でも洗浄工程は非
常に重要である。半導体素子の表面は非常に敏感なの
で、表面の汚染を如何に少なくするか、つまり洗浄を如
何に完璧に行うかが素子の安定性や再現性を決する。そ
こで、素子表面に付着している汚染物が何であるかによ
って、いろいろな洗浄方法が採られている。
【0003】しかし、何れの汚染物でも除去されたあと
は、油性の洗浄液は水性の洗浄液に置換され、次いで水
性の洗浄液は純水に置換され、仕上げともいうべき洗浄
工程はいわゆる純水洗浄である。つまり、純水によって
最終的な洗浄を行い、表面に汚染物がない清浄な状態で
乾燥されることが望ましい。
【0004】図4は従来の基板の洗浄装方法を説明する
図である。図中、1は洗浄槽、2は給液管、2aは液噴出
孔、3は洗浄液、4はキャリア、5は基板、10は洗浄装
置である。
【0005】図4において、基板の洗浄装置10は、複数
個の液噴出孔2aが穿たれた給液管2が洗浄槽1の底部に
設られた構成になっている。夾雑物がろ過された洗浄液
3は、給液管2に供給されると液噴出孔2aから噴出し、
洗浄槽1の中で上昇する液流となり、洗浄槽1の上縁か
ら溢流して回収されるようになっている。そして、回収
された洗浄液3は、図示してないろ過装置によってろ過
されてから給液管2に循環供給されるようになってい
る。
【0006】洗浄に際しては、キャリア4に保持された
半導体ウェーハなどの基板5が、洗浄槽1の中の洗浄液
3に浸漬される。そして、液噴出孔2aから噴出した洗浄
液3がキャリア4に保持された基板5の隙間を上昇しな
がら液流が基板5の表面を洗う。この洗浄工程では、特
にあとの工程で有害となる洗浄液3の中に混在する微細
な夾雑物、いわゆるパーティクルが基板5の表面に再付
着しないように配慮される。ところが、この洗浄効果
は、洗浄槽1の中を上昇する洗浄液3の流速に左右され
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図5は従来の洗浄液の
流速と基板上のパーティクル付着量の関係図である。こ
の図から、液噴出孔2aから噴出する洗浄液3の流速は、
給液管2の入口近傍よりも奥まった側の方が大きくな
る。それに対応して、基板5の表面に付着するパーティ
クルの量は、流速の大きい方が少なくなる。
【0008】つまり、従来の洗浄槽においては、槽の中
で上昇する洗浄液の流速にむらが生じ、流速の小さい領
域では洗浄される基板の表面に付着するパーティクル量
が大きくなり、しかも、パーティクルの付着量にも流速
に対応した基板の位置によってむらが生じる。そのた
め、洗浄したあとの基板の管理が厄介であった。
【0009】そこで本発明は、洗浄の際に基板の表面に
再付着するパーティクルの量を減らすとともに、基板間
の付着量のばらつきを抑えることができる基板の洗浄装
置を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、洗浄
槽の底部に敷設された複数の給液管のそれぞれに穿たれ
た液噴出孔から噴出する洗浄液によって基板を洗浄する
基板の洗浄装方法において、前記洗浄液を前記給液管に
流がす方向を、交互に対向するようにする基板の洗浄方
法によって解決される。
【0011】
【作用】洗浄槽の一方から設けられた給液管に洗浄液を
同じ方向から流して噴出させ、基板を洗浄する従来の洗
浄方法に対して、本発明では複数の給液管のそれぞれを
対向するように交互に敷設して、供液管に流し込む洗浄
液の方向を交互に対向するようにしている。そして、洗
浄槽の対向する両方向から洗浄液を噴出させるようにし
ている。
【0012】こうすると、洗浄槽の中で上昇する洗浄液
の流速を大きくして、しかも、流速を均一にすることが
できる。その結果、流速の不均一に起因して基板の表面
に再付着するパーティクルの量を減らしたり、パーティ
クルの付着量の基板間のばらつきを抑えることができ
る。
【0013】
【実施例】図1は本発明を説明する基板の洗浄装置の一
実施例の斜視図、図2は洗浄液の流速と基板上のパーテ
ィクル付着量の関係図、図3は給液管のいろいろな配設
例の模式図である。図中、1は洗浄槽、2は給液管、2a
は液噴出孔、3は洗浄液、4はキャリア、5は基板、10
は洗浄装置、21は第一の給液管、22は第二の給液管であ
る。
【0014】図1において、基板の基板洗浄装置10は、
複数個の液噴出孔2aが穿たれた2本の給液管2が洗浄槽
1の底部に互いに対向して設られた構成になっている。
夾雑物がろ過された洗浄液3は、それぞれの給液管2に
逆方向から供給され、それぞれの液噴出孔2aから噴出
し、洗浄槽1の中で上昇する液流となる。洗浄槽1の上
縁から溢流して回収されたり、回収された洗浄液3が図
示してないろ過装置によってろ過されてそれぞれの給液
管2に供給され循環するようになって構成は従来と同様
である。
【0015】また、洗浄に際して、キャリア4に保持さ
れた半導体ウェーハなどの基板5が洗浄槽1の中の洗浄
液3に浸漬され、液噴出孔2aから噴出した洗浄液3がキ
ャリア4に保持された基板5の隙間を上昇しながら液流
が基板5の表面を洗うことも従来と同じである。
【0016】ところが、図2において、第一の給液管21
は左側から洗浄液3が供給され、洗浄液3の上昇する流
速の分布は一点破線で示したように右上がりとなる。そ
れに対して、第二の給液管22は右側から洗浄液3が供給
され、洗浄液3の上昇する流速の分布は二点破線で示し
たように左上がりとなる。洗浄槽1の中では、二つの給
液管21、22のそれぞれから噴出して上昇する洗浄液3の
流れが合成されるので流速が大きくなり、かつほゞ一様
になる。その結果、基板5の表面に再付着するパーティ
クルの量を減らし、かつ付着量も基板間でほゞ一様にな
る。
【0017】給液管の配設の仕方は、洗浄槽の大きさや
洗浄液の種類などによっていろいろな配置にすることが
できる。図3はその例を示したもので、図3(A)は第
一の給液管21と第二の給液管22を角形のらせん状にして
広い底面積に対応した例である。図3(B)は、第一の
給液管21と第二の給液管22をそれぞれ対にして並べた構
成で、供給する洗浄液の量を増やすことができるか。図
3(C)は、第一の給液管21と第二の給液管22をそれぞ
れ角形のらせん状にして嵌め合わせた構成にして、洗浄
液が上昇する流速をより一様にすることができる。
【0018】本発明では、給液管を洗浄槽の少なくとも
対向する2方向から導入し、槽内を上昇する洗浄液の流
速を一様にすることができればよく、そのための給液管
の配置には種々の変形が可能である。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、給液管を洗浄槽の対向
する2方向から導入し、槽内を上昇する洗浄液の流速を
大きくし、しかも一様にすることができる。その結果、
洗浄される基板の表面に再付着するパーティクルの量を
減らし、かつ付着量の基板間のばらつきを小さくするこ
とができる。
【0020】従って、本発明は、例えば半導体装置の製
造におけるウェーハプロセスにおいて、特に洗浄工程に
係わる効率化と歩留り向上と対して寄与するところが大
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を説明する基板の洗浄装置の一実施例
の斜視図である。
【図2】 本発明の洗浄液の流速と基板上のパーティク
ル付着量の関係図である。
【図3】 給液管のいろいろな配設例の模式図である。
【図4】 従来の基板の洗浄装方法を説明する図であ
る。
【図5】 従来の洗浄液の流速と基板上のパーティクル
付着量の関係図である。
【符号の説明】
1 洗浄槽 2 給液管 2a 液噴出孔 3 洗浄液 4 キャリア 5 基板 10 洗浄装置 21 第一の給液管 22 第二の給液

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄槽の底部に敷設された複数の給液管
    のそれぞれに穿たれた液噴出孔から噴出する洗浄液によ
    る基板の洗浄装方法において、 前記洗浄液を前記給液管に流がす方向を、交互に対向す
    るようにすることを特徴とする基板の洗浄方法。
  2. 【請求項2】 前記給液管のそれぞれを、角形らせん状
    をなすように前記洗浄槽の底部に敷設する請求項1記載
    の基板の洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記給液管のそれぞれを、交互に嵌め合
    う角形らせん状をなすように前記洗浄槽の底部に敷設す
    る請求項1記載の基板の洗浄方法。
JP11172995A 1995-05-10 1995-05-10 基板の洗浄方法 Withdrawn JPH08299883A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11172995A JPH08299883A (ja) 1995-05-10 1995-05-10 基板の洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11172995A JPH08299883A (ja) 1995-05-10 1995-05-10 基板の洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08299883A true JPH08299883A (ja) 1996-11-19

Family

ID=14568700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11172995A Withdrawn JPH08299883A (ja) 1995-05-10 1995-05-10 基板の洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08299883A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020687A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020687A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6532976B1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus
US6132523A (en) Method of cleaning a substrate in a cleaning tank using plural fluid flows
JP2920165B2 (ja) 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
JPH08299883A (ja) 基板の洗浄方法
JP2835546B2 (ja) エッチング等の処理槽
JP3223020B2 (ja) 洗浄/エッチング装置およびその方法
JPH06196466A (ja) ウェハ洗浄装置
JP2703424B2 (ja) 洗浄装置
JP3247322B2 (ja) 洗浄装置
JP2606150B2 (ja) ウエット処理装置
JP3190124B2 (ja) 基板洗浄装置
JPH05267262A (ja) 半導体ウェーハ洗浄装置
JP3309596B2 (ja) 基板の洗浄装置と洗浄方法
JPH0884967A (ja) 基板洗浄装置と基板洗浄方法
JP3615040B2 (ja) 洗浄装置
JP3080031B2 (ja) 洗浄装置
KR0161865B1 (ko) 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치
JPH05299406A (ja) 基板洗浄槽
JPH07116617A (ja) 洗浄装置
JP2539732Y2 (ja) ウェーハ洗浄装置
JPH10177984A (ja) 洗浄機
JPH01198032A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2000195834A (ja) 洗浄装置
JPH04151833A (ja) シリコンウエハ洗浄方法
JPH0710494Y2 (ja) 基板エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020806