JPH01198032A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH01198032A JPH01198032A JP2445988A JP2445988A JPH01198032A JP H01198032 A JPH01198032 A JP H01198032A JP 2445988 A JP2445988 A JP 2445988A JP 2445988 A JP2445988 A JP 2445988A JP H01198032 A JPH01198032 A JP H01198032A
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- Japan
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- wafer
- cleaning
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の洗浄方法に関する。
従来この種の洗浄方法は、第４図に示すように。
例えば純水からなる洗浄液３中に半導体基板（以下ウェ
ハーという）４を入れ、洗浄槽１へ同質の洗浄液として
純水を流入口２より連続的に流入し、オーバーフローさ
せることによ）塵埃６等を除去していｔｏ 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の洗浄方法は、ウェハー４よシ持ち込まれ
九塵埃６が、洗浄ｊ４１内へ流入され次洗浄液３の流れ
１１により攪拌され、洗浄液中に滞留し、９エバー４１
−洗浄液３よシ取り出す時にウェハー４に再付着し、塵
埃除去重金低下させるという欠点がある。
ハーという）４を入れ、洗浄槽１へ同質の洗浄液として
純水を流入口２より連続的に流入し、オーバーフローさ
せることによ）塵埃６等を除去していｔｏ 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の洗浄方法は、ウェハー４よシ持ち込まれ
九塵埃６が、洗浄ｊ４１内へ流入され次洗浄液３の流れ
１１により攪拌され、洗浄液中に滞留し、９エバー４１
−洗浄液３よシ取り出す時にウェハー４に再付着し、塵
埃除去重金低下させるという欠点がある。
本発明の目的は、塵埃除去率の向上し九半尋体基板の洗
浄方法を提供することにある。
浄方法を提供することにある。
本発明の半導体基板の洗浄方法は、洗浄槽内に半導体基
板を設置したのち比重の小さい第１の洗浄液を流入して
洗浄したのち、前記洗浄槽内に比重の大きい第２の洗浄
液を流入して前記第１の洗浄液と置換するものである。
板を設置したのち比重の小さい第１の洗浄液を流入して
洗浄したのち、前記洗浄槽内に比重の大きい第２の洗浄
液を流入して前記第１の洗浄液と置換するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明の第１の実施例を説明
する九めの洗浄槽の縦断面図でちる。
する九めの洗浄槽の縦断面図でちる。
まず１１図（ａｌに示すように、洗浄槽ｌにクエノーー
キャリア５を用いてウェハー４を入れたのち、洗浄ｌ友
としてアルコール３Ａを流入口２より入れ、ウェハ ４
”洗浄する。この時、ウェハー４より持ち込まれｔ塵埃
６はアルコール液中に滞留している。
キャリア５を用いてウェハー４を入れたのち、洗浄ｌ友
としてアルコール３Ａを流入口２より入れ、ウェハ ４
”洗浄する。この時、ウェハー４より持ち込まれｔ塵埃
６はアルコール液中に滞留している。
次に第１ ［１（ｂｌに示すように、流入口２よシ洗浄
液としてアルコールよシ比重の大きい純水３Ｂ全流入す
る。純水の流入速度は、純水がアルコールと混合しない
ように２．５ ｅ／ｍ ｉ ｎとした。
液としてアルコールよシ比重の大きい純水３Ｂ全流入す
る。純水の流入速度は、純水がアルコールと混合しない
ように２．５ ｅ／ｍ ｉ ｎとした。
このように洗浄槽ｌの底部よシ、比重の大きい純水３Ｂ
を流入させることによシ、比重の小さいアルコール３Ａ
は、比重の大きい純水３Ｂと混ざりちりことなく洗浄槽
上部より槽外へ流出する。
を流入させることによシ、比重の小さいアルコール３Ａ
は、比重の大きい純水３Ｂと混ざりちりことなく洗浄槽
上部より槽外へ流出する。
この時アルコール３人中に滞留している赳埃６も同時に
槽外へ流出する定め、流入し九純水によ多置換された洗
浄槽内は非常にクリーンな状態となっている。従って、
ウェハー４を洗浄槽１の外へ取シ出す時に、ウェハー４
への塵埃６の再付着は極めて少ないものとなる。
槽外へ流出する定め、流入し九純水によ多置換された洗
浄槽内は非常にクリーンな状態となっている。従って、
ウェハー４を洗浄槽１の外へ取シ出す時に、ウェハー４
への塵埃６の再付着は極めて少ないものとなる。
第２図（ａｌ、 （ｂｌは、本発明の第２の実施例を説
明するための洗浄槽の縦断面図である。第２の実施例は
、純水の温度差による比重の違いを利用し、純水のみで
ウェハーを洗浄するものである。
明するための洗浄槽の縦断面図である。第２の実施例は
、純水の温度差による比重の違いを利用し、純水のみで
ウェハーを洗浄するものである。
まず第２図（ａ）に示すように、ウェハー４が設はされ
九洗浄槽１に８０℃に加温され九純水７Ａを導入しウェ
ハー４を洗浄する。
九洗浄槽１に８０℃に加温され九純水７Ａを導入しウェ
ハー４を洗浄する。
次に第２図（ｂ）に示すように、流入口２よシ４０℃の
純水７Ａを、続いて４℃の純水７ Ｃ’（ｉ−流入速度
２．５１７ｍ ｉ ｎで導入し次。本名２の実施例にお
いても第１の実施例の場合と同様に、塵埃６の再付着は
少くなっ之＠ 第３図は４１及び第２の実施例及び従来技術で処理し九
ウェハーのパーティクル付着数を、レーザーパーティク
ルカフ／ターによシ測定した結果であシ；１ポイントは
、ウェハー１枚轟シに付層したパーティクル数を示して
いる。
純水７Ａを、続いて４℃の純水７ Ｃ’（ｉ−流入速度
２．５１７ｍ ｉ ｎで導入し次。本名２の実施例にお
いても第１の実施例の場合と同様に、塵埃６の再付着は
少くなっ之＠ 第３図は４１及び第２の実施例及び従来技術で処理し九
ウェハーのパーティクル付着数を、レーザーパーティク
ルカフ／ターによシ測定した結果であシ；１ポイントは
、ウェハー１枚轟シに付層したパーティクル数を示して
いる。
第３図に示しｔように、従来の洗浄方法では、全ウェハ
ーの平均パーティクル数が約５０囮であるのに対し、第
１及び第２の実施例では、約１０個と大幅に減少するこ
とが分る。
ーの平均パーティクル数が約５０囮であるのに対し、第
１及び第２の実施例では、約１０個と大幅に減少するこ
とが分る。
以上説明したように、本発明は、洗浄槽内に半導体基板
を設置し友のち比重の小さい第１の洗浄液を流入して洗
浄したのち、洗浄槽内に比重の大きい第２の洗浄液を流
入させることによ！０．ｍｌＱ況浄液甲の塵埃を洗浄槽
外へ排出できるｔめ、ウェハー金取シ出す時にウェノ・
−表面に疾埃が再付着するのを防止できる。従って塵埃
除去率を大幅に改善できる効果がある。
を設置し友のち比重の小さい第１の洗浄液を流入して洗
浄したのち、洗浄槽内に比重の大きい第２の洗浄液を流
入させることによ！０．ｍｌＱ況浄液甲の塵埃を洗浄槽
外へ排出できるｔめ、ウェハー金取シ出す時にウェノ・
−表面に疾埃が再付着するのを防止できる。従って塵埃
除去率を大幅に改善できる効果がある。
第１図（ａｌ、 （ｂ）及び第２図（ａｌｓ （ｂ）は
本発明の第１及び第２の実施例を説明する九めの洗浄槽
の縦断面図、第３図は本発明の実施例の効果全確認する
ためのウェハー上のパーティクル数を示す図、第４図は
従来の半導体基板の洗浄方法を説明するための洗浄槽の
縦断面図である。 １・・・・・・洗浄槽、２・・・・・・流入口、３・・
・・・・洗浄液、３Ａ・・・・・・アルコール、３Ｂ・
・・・・・Ｈ水、４・・・・・・ウェハー、５・・・・
・・ウェハーキャリア、６・・・・・・塵埃、７Ａ・・
・・・・純水（８０℃）、７Ｂ・・・・・・純水（４０
℃）、７Ｃ・・・・・・純水（４℃）、１１・・・・・
・液の流れ。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 第２図
本発明の第１及び第２の実施例を説明する九めの洗浄槽
の縦断面図、第３図は本発明の実施例の効果全確認する
ためのウェハー上のパーティクル数を示す図、第４図は
従来の半導体基板の洗浄方法を説明するための洗浄槽の
縦断面図である。 １・・・・・・洗浄槽、２・・・・・・流入口、３・・
・・・・洗浄液、３Ａ・・・・・・アルコール、３Ｂ・
・・・・・Ｈ水、４・・・・・・ウェハー、５・・・・
・・ウェハーキャリア、６・・・・・・塵埃、７Ａ・・
・・・・純水（８０℃）、７Ｂ・・・・・・純水（４０
℃）、７Ｃ・・・・・・純水（４℃）、１１・・・・・
・液の流れ。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 第２図
Claims (1)
- 洗浄槽内に半導体基板を設置したのち比重の小さい第
１の洗浄液を流入して洗浄したのち、前記洗浄槽内に比
重の大きい第２の洗浄液を流入して前記第１の洗浄液と
置換することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445988A JPH01198032A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445988A JPH01198032A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198032A true JPH01198032A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12138753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2445988A Pending JPH01198032A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01198032A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152232A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Toshiba Corp | 洗浄方法 |
| JPH0794460A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
| US6412501B1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-07-02 | Kimmon Quartz Co., Ltd. | Drying apparatus and drying method |
| JP2008103769A (ja) * | 2000-05-15 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2445988A patent/JPH01198032A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152232A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Toshiba Corp | 洗浄方法 |
| JPH0794460A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
| US6412501B1 (en) * | 1999-06-29 | 2002-07-02 | Kimmon Quartz Co., Ltd. | Drying apparatus and drying method |
| JP2008103769A (ja) * | 2000-05-15 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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