KR101336719B1 - 기판세정장치 - Google Patents

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KR101336719B1
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문재권
강병주
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 상기 기판세정장치는 기판에 대한 세정 공정이진행되며, 내부에는 상기 기판을 회전 가능하게 지지하는 스핀척이 구비되는 세정 챔버, 상기 스핀척에서 이격되어 상기 기판을 둘러싸도록 마련되며, 상기 기판의 세정 공정 시 상기 세정액을 포집하는 복수 개의 회수컵을 구비하는 회수부, 및 상기 회수컵 내에 유체 차단막을 형성시키는 차단막 형성부를 포함하여, 세정액의 회수를 효율적으로 할 수 있다.

Description

기판세정장치{Apparatus to clean substrate}
아래의 실시예들은 기판세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세정 공정에 사용된 세정액의 회수를 효율적으로 할 수 있는 기판세정장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조 시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.
세정 공정을 위한 세정 방식은 크게 건식(dry) 세정 방식 및 습식(wet) 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 여러 가지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 세정하는 배치식(batch type) 기판 세정 장치와, 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식(single wafer type) 기판 세정 장치로 구분된다.
배치식 기판 세정 장치는 세정액이 수용된 세정조에 복수의 기판을 한번에 침지시켜서 오염 물질을 제거한다. 그러나, 기존의 배치식 기판 세정 장치는 기판의 대형화 추세에 대한 대응이 용이하지 않고, 세정액 사용이 많아질 수 있다. 또한 배치식 기판 세정 장치에서 세정 공정 중에 기판이 파손될 경우, 세정조 내에 있는 기판 전체에 영향을 끼치므로 다량의 기판 불량이 발생할 수 있다.
따라서, 최근에는 매엽식 기판 세정 장치가 선호되고 있는 추세이다.
매엽식 기판 세정 장치는 낱장의 기판 단위로 처리하는 방식으로서, 고속으로 회전시킨 기판 표면에 세정액을 분사함으로써 기판의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염 물질을 제거하는 스핀 방식으로 세정이 진행된다.
일반적으로 종래의 매엽식 기판 세정 장치는, 기판이 수용되어 세정 공정이 진행되는 챔버와, 기판을 고정시킨 상태로 회전하는 스핀척과, 기판에 약액과 린스액 및 건조가스 등을 포함하는 세정액을 공급하기 위한 노즐 어셈블리를 포함한다. 또한, 챔버 내부에는 기판에서 비산되는 세정액을 포집하는 회수부가 구비되며, 이러한 회수부는 높이 방향으로 마련되는 복수 개의 회수컵을 구비한다.
이러한 구성에 의해서, 복수의 회수컵에 대한 스핀척의 상대적인 높이를 조절하면서 기판에 대한 세정 공정을 원활하게 수행할 수 있다.
또한, 세정 공정에서 사용된 세정액을 회수부를 통해 효율적으로 회수할 필요성이 있다.
일 실시예에 따른 목적은 세정액의 챔버 내 침투를 방지할 수 있는 기판세정장치를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 목적은 세정액의 회수를 효율적으로 할 수 있는 기판세정장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 기판세정장치에 있어서, 상기 기판 세정장치는 기판에 대한 공정이 진행되며 내부에는 상기 기판을 회전 가능하게 지지하는 스핀척이 구비되는 세정 챔버를 포함하고, 상기 스핀척에서 이격되어 상기 기판을 둘러싸도록 마련되며, 상기 기판의 세정 공정 시 상기 세정액을 포집하는 복수 개의 회수컵을 구비하는 회수부 및 상기 회수컵 내에 유체 차단막을 형성시키는 차단막 형성부를 포함하는 기판세정장치를 구비할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 차단막 형성부는 상기 회수 경로 내로 분사되는 유체 공급원, 상기 유체 공급원으로부터 복수 개의 회수컵으로 각각 연결된 복수 개의 유체 분사 경로, 및 상기 유체를 분사할 때 복수 개의 상기 유체 분사 경로를 선택적으로 개방 또는 폐쇄하는 제어부를 포함할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 분사 경로는 상기 유체 공급원으로부터 세정액이 들어가는 회수컵에 인접하여 상부 또는 하부에 위치한 회수컵을 향해 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 기판세정장치는 기판에 대한 세정 공정이 진행되며, 내부에는 상기 기판을 회전 가능하게 지지하는 스핀척이 구비되는 세정 챔버, 상기 스핀척에서 이격되어 기판을 둘러싸도록 마련되며, 상기 기판의 세정 공정 시 제 1 세정액을 포집하여 회수하는 제 1 회수컵, 2 세정액을 회수하는 제 2 회수컵, 상기 제 1 회수컵 또는 제 2 회수컵 내로 분사되는 퍼지가스를 포함하는 퍼지가스 공급원, 상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 1 회수컵을 향해 퍼지가스가 분사되는 제 1 분사 경로, 및 상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 2 회수컵을 향해 퍼지가스가 분사되는 제 2 분사 경로를 포함할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 제 2 분사 경로로 퍼지가스를 분사하여 상기 제 1 회수컵으로 상기 제 1 세정액을 회수하고, 상기 제 1 분사 경로로 퍼지가스를 분사하여 상기 제 2 회수컵으로 상기 제 2 세정액을 회수하도록 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
일 측에 의하면, 제 1 퍼지가스 배관이 상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 1 회수컵으로 연결되며, 제 2 퍼지가스 배관은 상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 2 회수컵으로 연결될 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 퍼지가스는 불활성가스를 포함할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 제 1 회수컵 또는 상기 제 2 회수컵은 상기 스핀척에 대해 높이 방향으로 상기 제 1 회수컵의 유입구 또는 제 2 회수컵의 유입구 폭을 조절할 수 있다.
일 측에 의하면, 유입구 폭이 넓어진 상기 제 1 하부컵 또는 제 2 회수컵 중 하나에 형성되는 분사 경로는 차단되고, 좁아진 다른 하나의 회수컵에 형성되는 분사 경로로 퍼지가스가 공급될 수 있다.
일 실시예에 따른 기판세정장치에 의하면 세정액의 챔버 내 침투를 방지할 수 있다.
일 실시예에 따른 기판세정장치에 의하면 세정액의 회수를 효율적으로 할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판세정장치의 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판세정장치의 퍼지가스 분사 경로를 나타낸다.
도 3은 일 실시예에 따른 세정액이 회수컵으로 회수되지 않는 상태를 나타낸다.
도 4는 일 실시예에 따른 세정액이 제 1 회수컵으로 회수되는 경우를 도시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 세정액이 제 2 회수컵으로 회수되는 경우를 도시한다.
이하에서, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판세정장치의 단면도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 기판세정장치의 퍼지가스 분사 경로를 나타낸다.
도 1을 참조하여, 일 실시예에 따른 기판세정장치(100)는, 세정 챔버(110), 스핀척(120), 회수부(130) 및 차단막 형성부(140)를 포함할 수 있다.
상기 세정 챔버(110)는 기판(W)을 수용하여 세정 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 세정 챔버(110)는 기판(W)의 둘레를 둘러싸는 보울(bowl) 형태로 마련되며 기판(W)의 출입이 가능하도록 상부가 개방된 형상을 포함할 수 있다.
상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨어퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 상기 기판은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 따위의 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 다양한 형성 및 크기를 가질 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기에 따라 상기 세정 챔버(110) 및 상기 스핀척(120)의 크기와 형상 또한 변경될 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 노즐부(미도시)는 기판(W)의 중앙 영역의 상부에서 기판(W)으로 세정액을 분사하는 부분으로서, 세정된 기판(W)의 세정면과 마주하도록 세정 챔버(110)의 출입구를 통해 세정 챔버(110) 내부로 인입될 수 있다.
또한, 세정 챔버(110) 내에는 기판(W)을 직접적으로 지지하는 스핀척(120)이 구비될 수 있는데, 이러한 스핀척(120)은 세정 챔버(110) 내에서 기판(W)을 지지한 상태로 회전할 수 있어 세정 공정을 수행할 수 있다.
상기 스핀척(120)은 세정 공정이 수행됨에 따라 기판(W)에 분사되는 세정액의 종류에 따라 회수부(130)에 대한 상대적인 높이를 달리하여, 여러 종류의 세정액이 혼합되는 일 없이 원활하게 회수될 수 있다.
상기 세정액은 상기 기판(W)의 종류와 제거하고자 하는 물질의 종류에 따라 결정되는 약액과 순수 또는 순수와 약액들이 일정 비율로 혼합된 혼합액을 포함할 수 있다.
또한, 상기 세정 챔버(110)의 내측벽에는 세정 공정 시 기판(W)으로부터 비산되는 세정액을 종류별로 회수할 수 있는 회수부(130)가 마련될 수 있다.
도 1 및 2를 참조하여, 상기 회수부(130)는, 세정 챔버(110) 내에서 스핀척(120)을 둘러싸도록 마련되며 높이 방향으로 적층되는 복수 개의 회수컵을 구비할 수 있다. 구체적으로, 회수컵은 도 1에서와 같이 3개로 구성될 수도 있으며, 도 2에서와 같이 2개로 구성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 복수 개의 회수컵은 상부에 있는 제 1 회수컵(131), 상기 제 1 회수컵의 아래 방향에 형성된 제 2 회수컵(133)으로 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 회수컵이 두 개로 구성된 것으로 예시하였으나, 이에 한정되지 아니하며 적어도 하나 이상의 회수컵으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 회수컵(131, 133)은 상기 제 1 회수컵(131)으로 세정액이 유입되는 제 1 유입구(A1), 제 2 회수컵(133)으로 세정액이 유입되는 제 2 유입구(A2)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 또는 제 2 유입구(A1, A2)를 통해 각각 다른 종류의 세정액이 서로 혼합 없이 상기 회수컵(131, 133) 내로 회수될 수 있다. 예를 들어, 세정액이 약액 및 순수를 포함할 때, 약액은 제 1 유입구(A1)로 유입되어 제 1 회수컵(131) 내로, 순수는 제 2 유입구(A2)로 유입되어 제 2 회수컵(133) 내로 회수될 수 있다.
또한, 세정액이 회수컵(131, 133) 내로 유입되는 경우, 상기 제 1 유입구(A1) 또는 상기 제 2 유입구(A2)는 상기 스핀척(120)에 대해 높이 방향으로 폭을 조절할 수 있다.
예를 들어, 제 1 세정액이 제 1 유입구(A1)로 유입되는 경우, 스핀척(120)에 로딩된 기판(W)이 제 1 회수컵(131) 내에 위치하도록 제 1 회수컵(131)의 하부를 하방으로 이동시켜 제 1 유입구(A1)의 폭을 넓힐 수 있다. 그에 따라, 상대적으로 제 2 유입구(A2)의 폭은 좁아질 수 있다. 예를 들어, 제 2 세정액이 제 2 유입구(A2)로 유입되는 경우, 스핀척(120)이 로딩된 기판(W)이 제 2 회수컵(133) 내에 위치하도록 제 2 회수컵(133)의 상부를 상방으로 이동시켜 제 2 유입구(A2)의 폭을 넓힐 수 있다. 그에 따라, 상대적으로 제 1 유입구(A1)의 폭이 좁아질 수 있다. 이를 통해서도, 세정액의 제 1 회수컵(131) 또는 제 2 회수컵(133) 내로의 침투를 어느 정도는 방지할 수 있다.
아울러, 상기 세정액이 유입될 때, 유입구의 폭이 넓어지는 해당 회수컵의 인근에 상대적으로 유입구 폭이 좁아진 회수컵 내에 차단막을 형성하여, 세정액의 제 1 회수컵(131) 또는 제 2 회수컵(133)으로의 침투를 방지할 수 있다. 즉, 차단막 형성부(140)를 통해 회수컵 내에 차단막을 형성하는 경우, 해당 회수컵 내로 세정액을 회수할 수 없을 것이다.
상기 차단막 형성부(140)는 유체 공급원(141) 및 유체 분사 배관(143, 145)을 포함할 수 있다.
상기 유체 공급원(141)은 상기 세정 챔버(110)의 하부에 배치되어, 유체를 보관할 수 있다. 도 2를 참조하여, 상기 유체를 퍼지가스로 이용되는 질소가스로 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 아르곤 가스(Ar) 등의 불활성가스를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 유체 공급원(141)으로부터 상기 회수컵(131 또는 133) 내로 상기 유체를 분사하여 해당 회수컵(131 또는 133) 내로 다른 물질의 유입을 차단할 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 상기 차단막 형성부(140)는 상기 유체의 개방 또는 폐쇄를 제어할 수 있는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 즉, 제어부에서 상기 유체를 개방할 경우, 상기 유체 공급원(141)으로부터 상기 회수컵(131, 133) 내로 유체가 분사될 수 있다. 역으로, 제어부에서 유체를 폐쇄할 경우, 상기 유체 공급원(141)으로부터 상기 회수컵(131, 133) 내로 유체가 분사될 수 없다.
상기 유체는 상기 유체 공급원(141)으로부터 연결된 유체 배관(143, 145)을 통해 회수컵(131, 133) 내로 각각 분사될 수 있다. 즉, 상기 유체 배관(143, 145)은 상기 유체 공급원(141)으로부터 제 1 회수컵(131)으로 연결된 제 1 유체 배관(143) 및 상기 유체 공급원(141)으로부터 제 2 회수컵(133)으로 연결된 제 2 유체 배관(145)을 포함할 수 있다.
또한, 유체의 분사 경로는 상기 유체 배관(143, 145)이 유체 공급원(141)에 연결된 부분으로부터 회수컵의 유입구(A1, A2)를 향해 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 두 개의 분사 경로로 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 복수의 분사 경로가 포함될 수 있다.
구체적으로, 상기 유체 공급원(141)으로부터 제 1 유체 배관(143)을 통해 제 1 회수컵의 유입구(A1)를 향해 형성된 제 1 분사 경로(S1), 유체 공급원(141)으로부터 제 2 유체 배관(145)을 통해 제 2 회수컵의 유입구(A2)를 향해 형성된 제 2 분사 경로(S2)가 포함될 수 있다.
예를 들어, 제 1 세정액이 제 1 회수컵(131)으로 회수되는 경우, 제어부에 의해 제 1 분사 경로(S1)는 폐쇄되어 유체가 분사되지 못하고, 제 2 분사 경로(S2)는 개방되어 유체가 제 2 유체 배관(145)을 통해 제 2 회수컵(133) 안으로 분사될 것이다. 즉, 차단막이 제 2 회수컵(133) 내에 형성되어, 제 1 세정액이 제 2 회수컵(133) 내로 유입될 수 없을 것이다. 또한, 제 2 세정액이 제 2 회수컵(133)으로 회수되는 경우, 제어부에 의해 제 2 분사 경로(S2)는 폐쇄되어 유체가 분사되지 못하고, 제 1 분사 경로(S1)는 개방되어 유체가 제 1 유체 배관(143)을 통해 제 1 회수컵(131) 안으로 분사될 것이다. 즉, 차단막이 제 1 회수컵(131) 내에 형성되어, 제 2 세정액이 제 1 회수컵(131) 내로 유입될 수 없을 것이다.
도 2를 참조하여, 상기 유체를 질소가스(N2)로 설명하면 다음과 같다. 즉, 유체 공급원은 질소가스 공급원, 유체 분사 경로는 질소가스 분사 경로, 분사 배관은 질소가스 분사 배관에 대응될 수 있으며, 부호를 동일하게 기재할 것이다.
질소가스 공급원(141)은 세정 챔버(110)의 하부에 배치되어 회수컵 내에 차단막을 형성하기 위해 질소가스를 분사할 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 제어부(미도시)에 의해 상기 질소가스의 개방 또는 폐쇄를 제어할 수 있다. 즉, 제어부에서 상기 질소가스가 개방될 경우, 상기 질소가스 공급원(141)으로부터 상기 회수컵(131, 133) 내로 질소가스가 분사될 수 있다. 역으로, 제어부에서 질소가스가 폐쇄될 경우, 상기 질소가스 공급원(141)으로부터 상기 회수컵(131,133) 내로 질소가스가 분사될 수 없다.
상기 질소가스는 상기 질소가스 공급원(141)으로부터 연결된 질소가스 분사 배관(143,145)을 통해 회수컵(131, 133) 내로 각각 분사될 수 있다. 즉, 상기 질소가스 분사 배관(143, 145)은 상기 질소가스 공급원(141)으로부터 제 1 회수컵(131)으로 연결된 제 1 질소가스 분사 배관(143) 및 상기 유체 공급원(141)으로부터 제 2 회수컵(133)으로 연결된 제 2 질소가스 분사 배관(145)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 질소가스의 분사 경로는 질소가스 분사 배관(143, 145)이 질소가스 공급원(141)에 연결된 부분으로부터 회수컵의 유입구(A1, A2)를 향해 형성될 수 있다.
구체적으로, 질소가스 공급부(141)로부터 제 1 질소가스 분사 배관(143)을 통해 제 1 회수컵의 유입구(A1)까지 연결되어 형성된 제 1 분사 경로(S1), 질소가스 공급부(141)로부터 제 2 질소가스 분사 배관(145)을 통해 제 2 회수컵의 유입구(A2)까지 연결되어 형성된 제 2 분사 경로(S2)가 포함될 수 있다.
따라서, 질소가스의 분사를 통해 상기 분사 경로를 따라 차단막을 형성하여, 회수컵 내로 세정액의 침투를 방지할 수 있어, 세정액의 회수를 효율적으로 할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 세정액(C)이 회수컵으로 회수되지 않는 상태를 나타낸다.
도 3을 참조하여, 제 1 회수컵(131) 또는 제 2 회수컵(133) 내로 세정액(C)이 유입되지 않았으므로, 제 1 회수컵의 유입구(A1) 및 제 2 회수컵의 유입구(A2) 폭에도 변화가 없을 것이다.
또한, 질소가스가 제어부(미도시)에 의해 제 1 분사 경로(S1) 및 제 2 분사 경로(S2)에서 모두 폐쇄되므로, 질소가스(G)는 질소가스 공급원(141)으로부터 분사되지 않고, 제 1 회수컵(131) 및 제 2 회수컵(133) 내에는 질소가스(C)가 존재하지 않을 것이다.
도 4는 일 실시예에 따른 세정액(C)이 제 1 회수컵(131)으로 회수되는 경우를 도시한다.
도 4를 참조하여, 제 1 세정액(C)이 제 1 회수컵(131)으로 회수되는 경우, 제 1 회수컵의 유입구(A1) 폭이 넓어질 것이고, 상대적으로 제 2 회수컵의 유입구(A2) 폭은 좁아질 것이다. 이때, 질소가스 제어부(미도시)에 의해 질소가스 공급부(141)로부터 제 2 질소가스 분사 배관(145)이 개방되어 제 2 질소가스 분사 배관(145)을 통해 제 2 회수컵의 유입구(A2)까지의 제 2 분사 경로(S2)가 질소가스(G)로 채워질 것이다. 반면, 질소가스 공급부(141)로부터 제 1 질소가스 분사 배관(143)은 폐쇄되어 제 1 질소가스 분사 배관(143)을 통해 제 1 회수컵의 유입구(A1)까지의 제 1 분사 경로(S1)에는 질소가스(G)가 분사되지 않을 것이다. 따라서, 제 1 세정액(C)은 제 2 회수컵(133) 내의 질소가스(G)에 의해 제 2 회수컵(133)으로의 침투 없이, 제 1 회수컵(131)으로만 효율적으로 회수될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 세정액(C)이 제 2 회수컵(133)으로 회수되는 경우를 도시한다.
도 5를 참조하여, 제 2 세정액(C)이 제 2 회수컵(133)으로 회수되는 경우, 제 2 회수컵의 유입구(A2) 폭이 넓어질 것이고, 상대적으로 제 1 회수컵의 유입구(A1) 폭은 좁아질 것이다. 이때, 질소가스 제어부(미도시)에 의해 질소가스 공급부(141)로부터 제 1 질소가스 분사 배관(143)이 개방되어 제 1 질소가스 분사 배관(143)을 통해 제 1 회수컵의 유입구(A1)까지의 제 1 분사 경로(S1)가 질소가스(G)로 채워질 것이다. 반면, 질소가스 공급부(141)로부터 제 2 질소가스 분사 배관(145)은 폐쇄되어 제 2 질소가스 분사 배관(145)을 통해 제 2 회수컵의 유입구(A2)까지의 제 2 분사 경로(S2)에는 질소가스(G)가 분사되지 않을 것이다. 따라서, 제 2 세정액(C)은 제 1 회수컵(131) 내의 질소가스(G)에 의해 제 2 회수컵(133)으로의 침투 없이, 제 1 회수컵(131)으로만 효율적으로 회수될 수 있다.
본 실시예에 의한 기판세정장치에 의하면, 세정액이 회수되는 회수컵 외의 회수컵으로 세정액이 들어가는 것을 방지할 수 있고, 그로 인해 회수된 세정액의 재사용뿐만 아니라, 회수컵의 세척이 용이해질 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 기판세정장치 W: 기판
110: 세정 챔버 120: 스핀척
130: 회수부 131, 133: 회수컵
A1, A2: 회수컵 유입구
140: 차단막 형성부 141: 유체 공급원, 질소가스 공급원
S1, S2: 유체 분사 경로, 질소가스 분사 경로
143,145: 유체 분사 배관, 질소가스 분사 배관
C: 세정액
G: 질소가스

Claims (9)

  1. 기판에 대한 세정 공정이 진행되며, 내부에는 상기 기판을 회전 가능하게 지지하는 스핀척이 구비되는 세정 챔버;
    상기 스핀척에서 이격되어 상기 기판을 둘러싸도록 마련되며, 상기 기판의 세정 공정 시 세정액을 포집하는 복수 개의 회수컵을 구비하는 회수부; 및
    상기 회수컵 내에 유체 차단막을 형성시키는 차단막 형성부;
    를 포함하고,
    상기 차단막 형성부는,
    상기 회수컵 내로 분사되는 상기 유체를 구비하는 유체 공급원;
    상기 유체 공급원으로부터 복수 개의 회수컵으로 각각 연결된 복수 개의 유체 분사 경로; 및
    상기 유체를 분사할 때, 복수 개의 상기 유체 분사 경로를 선택적으로 개방 또는 폐쇄하는 제어부;
    를 포함하는 기판세정장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 분사 경로는, 상기 유체 공급원으로부터 세정액이 들어가는 회수컵에 인접하여 상부 또는 하부에 위치한 회수컵을 향해 형성되는 기판세정장치.
  4. 기판에 대한 세정 공정이 진행되며, 내부에는 상기 기판을 회전 가능하게 지지하는 스핀척이 구비되는 세정 챔버;
    상기 스핀척에서 이격되어 기판을 둘러싸도록 마련되며, 상기 기판의 세정 공정 시 제 1 세정액을 포집하여 회수하는 제 1 회수컵;
    상기 스핀척에서 이격되어 기판을 둘러싸도록 마련되며, 상기 기판의 세정 공정 시 제 2 세정액을 포집하여 회수하는 제 2 회수컵;
    상기 제 1 회수컵 또는 제 2 회수컵 내로 분사되는 퍼지가스를 포함하는 퍼지가스 공급원;
    상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 1 회수컵을 향해 퍼지가스가 분사되는 제 1 분사 경로; 및
    상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 2 회수컵을 향해 퍼지가스가 분사되는 제 2 분사 경로;
    를 포함하는 기판세정장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2 분사 경로로 퍼지가스를 분사하여 상기 제 1 회수컵으로 상기 제 1 세정액을 회수하고, 상기 제 1 분사 경로로 퍼지가스를 분사하여 상기 제 2 회수컵으로 상기 제 2 세정액을 회수하도록 제어하는 제어부를 포함하는 기판세정장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    제 1 퍼지가스 배관이 상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 1 회수컵으로 연결되며, 제 2 퍼지가스 배관은 상기 퍼지가스 공급원으로부터 상기 제 2 회수컵으로 연결되는 기판세정장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 퍼지가스는 불활성가스를 포함하는 기판세정장치.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 회수컵 또는 제 2 회수컵은 상기 스핀척에 대해 높이 방향으로 상기 제 1 회수컵의 유입구 또는 제 2 회수컵의 유입구 폭을 조절할 수 있는 기판세정장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    유입구 폭이 넓어진 상기 제 1 또는 제 2 회수컵 중 하나에 형성되는 분사 경로는 차단되고, 유입구 폭이 좁아진 다른 하나의 회수컵에 형성되는 분사 경로로 퍼지가스가 공급되는 기판세정장치.
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KR20080009838A (ko) * 2006-07-25 2008-01-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2010010421A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080009838A (ko) * 2006-07-25 2008-01-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2010010421A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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