JPH02161745A - 半導体ウェーハ用キャリア - Google Patents
半導体ウェーハ用キャリアInfo
- Publication number
- JPH02161745A JPH02161745A JP63316978A JP31697888A JPH02161745A JP H02161745 A JPH02161745 A JP H02161745A JP 63316978 A JP63316978 A JP 63316978A JP 31697888 A JP31697888 A JP 31697888A JP H02161745 A JPH02161745 A JP H02161745A
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- Japan
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- carrier
- wafer
- etchant
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- holes
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハ用キャリアに関し、特にウェ
ット系のエツチングを行なうときに使用するものに関す
る。
ット系のエツチングを行なうときに使用するものに関す
る。
半導体ウェーハ用キャリア（以下キャリアと略称する）
は、ウェーハをまとめて数１０枚程度、移転運搬するの
に使用する。さらにウェット系のエツチング作業の場合
には、そのままエツチング液中に浸漬する。キャリアは
材質としては、ステンレス鋼もしくはプラスチック製で
あって、長手方向の対向する２側壁に凸条の突起からな
る複数の支持部を設ける。支持部は、対向する側壁の支
持部に対して同一に配列し、両側壁の支持部および支持
部間の側壁部にはさまれて、半導体ウェーハがその周縁
が接触しながら保持されるようになっている。
は、ウェーハをまとめて数１０枚程度、移転運搬するの
に使用する。さらにウェット系のエツチング作業の場合
には、そのままエツチング液中に浸漬する。キャリアは
材質としては、ステンレス鋼もしくはプラスチック製で
あって、長手方向の対向する２側壁に凸条の突起からな
る複数の支持部を設ける。支持部は、対向する側壁の支
持部に対して同一に配列し、両側壁の支持部および支持
部間の側壁部にはさまれて、半導体ウェーハがその周縁
が接触しながら保持されるようになっている。
半導体ウェーハ（以下ではウェーハという）は、互いに
支持部ではなされ、接触しないで保持される。
支持部ではなされ、接触しないで保持される。
上述した従来のキャリアをエツチング作業；例えば窒化
膜エツチングのように、リン酸系の粘度の高いエツチン
グ液中での作業に使用する際、ウェーハのキャリアに接
触している部分はどうしてもエツチングされない残りが
生ずる。
膜エツチングのように、リン酸系の粘度の高いエツチン
グ液中での作業に使用する際、ウェーハのキャリアに接
触している部分はどうしてもエツチングされない残りが
生ずる。
半導体製造プロセスでは、選択酸化を行なうためにマス
クとなる窒化膜を気相成長でウェーハ上に形成するが、
このとき裏面及び側面部にも窒化膜が形成されるので、
ウェーハ表面の窒化膜をバターニングした後１選択酸化
を行ない、ウェーハ全面の窒化膜を除去する。この除去
は １６０℃程の温度のリン酸系エツチング液中に、ウ
ェーハをキャリアに収納して浸漬して行なう、このとき
ウェーへの最外周部の表と裏の一部と側面の一部に、前
述したように窒化膜残りが発生することがある。このよ
うな窒化膜残りは後工程で剥れてゴミとなり、ウェーハ
表面に付着するなどして半導体装置製造上の不良原因と
なるなどの問題点があった。
クとなる窒化膜を気相成長でウェーハ上に形成するが、
このとき裏面及び側面部にも窒化膜が形成されるので、
ウェーハ表面の窒化膜をバターニングした後１選択酸化
を行ない、ウェーハ全面の窒化膜を除去する。この除去
は １６０℃程の温度のリン酸系エツチング液中に、ウ
ェーハをキャリアに収納して浸漬して行なう、このとき
ウェーへの最外周部の表と裏の一部と側面の一部に、前
述したように窒化膜残りが発生することがある。このよ
うな窒化膜残りは後工程で剥れてゴミとなり、ウェーハ
表面に付着するなどして半導体装置製造上の不良原因と
なるなどの問題点があった。
本発明の目的は、上記の事情に鑑み、キャリアをエツチ
ング作業に使用する場合にも、充分にエツチング液がウ
ェーハの隅々までゆきわたり、エツチング残りなどの障
害のおきないような構造のキャリアを提供することにあ
る。
ング作業に使用する場合にも、充分にエツチング液がウ
ェーハの隅々までゆきわたり、エツチング残りなどの障
害のおきないような構造のキャリアを提供することにあ
る。
本発明の半導体ウェーハ用のキャリアは、長手方向に対
向する２側壁にそれぞれ直角方向に、凸条の突起からな
る複数の支持部を設けるタイプのもので、前記支持部、
支持部間の側壁など半導体ウェーへの接触部位に貫通小
孔群を設けるようにしている。
向する２側壁にそれぞれ直角方向に、凸条の突起からな
る複数の支持部を設けるタイプのもので、前記支持部、
支持部間の側壁など半導体ウェーへの接触部位に貫通小
孔群を設けるようにしている。
貫通小孔群をとおして、エツチング液が、ウェーハのキ
ャリアに保持され、接触する部分に、自由に流出入する
ので、エツチング残りは生じない。
ャリアに保持され、接触する部分に、自由に流出入する
ので、エツチング残りは生じない。
以下、図面を参照して１本発明の実施例につき説明する
０貫通小孔群の配置場所、および孔の数などは、エツチ
ング液の流出入がよく行なわれるように適宜きめればよ
い。
０貫通小孔群の配置場所、および孔の数などは、エツチ
ング液の流出入がよく行なわれるように適宜きめればよ
い。
第１図は、本発明の一実施例の横断面図である。ｌはウ
ェーハで、２はテフロン（登録商標）製のキャリア、３
は凸状の支持部、４は支持部３の側面に設けた直径０．
１〜２■程度の小孔からなる貫通小孔群である。キャリ
ア２内にウェー／％１を収納して １５０〜１７０℃程
度のリン酸系エツチング液中にキャリア２ごと浸してウ
ェーハ窒化膜を除去するときに、貫通小孔群４からは液
が自由に流出入するので、ウェーハ全面の窒化膜が除去
可能となる。
ェーハで、２はテフロン（登録商標）製のキャリア、３
は凸状の支持部、４は支持部３の側面に設けた直径０．
１〜２■程度の小孔からなる貫通小孔群である。キャリ
ア２内にウェー／％１を収納して １５０〜１７０℃程
度のリン酸系エツチング液中にキャリア２ごと浸してウ
ェーハ窒化膜を除去するときに、貫通小孔群４からは液
が自由に流出入するので、ウェーハ全面の窒化膜が除去
可能となる。
貫通小孔群４の配置は、第２図に示すように、支持部３
の間のキャリア側壁部分に設けるようにすることもでき
る。第２図はキャリア２の側面の透視図であって１貫通
小孔はｏ、１〜１麿層程度の大きさである。
の間のキャリア側壁部分に設けるようにすることもでき
る。第２図はキャリア２の側面の透視図であって１貫通
小孔はｏ、１〜１麿層程度の大きさである。
さらに、貫通小孔群４は、支持部３．あるいは支持部３
の間のキャリア側壁部分にかぎられず１両者にまたがる
ようにもできる。第３図は、上記のように貫通小孔群４
を配置したキャリア２の横断面図である。
の間のキャリア側壁部分にかぎられず１両者にまたがる
ようにもできる。第３図は、上記のように貫通小孔群４
を配置したキャリア２の横断面図である。
また、貫通小孔群４の配列は、キャリア２の強度が損な
われないかぎり、２列、３列と多数列にすることができ
る。ただし１貫通小孔の径は微小すぎると、粘度の高い
エツチング液の流出入が難しくなり、また水洗後も残留
しやすいので、直径０．１層層以上であることが望まし
い。
われないかぎり、２列、３列と多数列にすることができ
る。ただし１貫通小孔の径は微小すぎると、粘度の高い
エツチング液の流出入が難しくなり、また水洗後も残留
しやすいので、直径０．１層層以上であることが望まし
い。
以上説明したように本発明は、キャリアの半導体ウェー
ハと接触しあるいは、接触しゃすい領域に貫通小孔を多
数設けることにより、粘度の高い”エツチング液中でキ
ャリアと半導体ウェーハの接触部にエツチング残りが発
生するのを防ぐ効果がある。
ハと接触しあるいは、接触しゃすい領域に貫通小孔を多
数設けることにより、粘度の高い”エツチング液中でキ
ャリアと半導体ウェーハの接触部にエツチング残りが発
生するのを防ぐ効果がある。
さらにこのことにより、後工程の例えば他のエツチング
液中で、処理中にこれらの残留物が剥れてエツチング液
中に浮遊してゴミとなり、半導体ウェーハ表面に再付着
するようなことを防止できる。このような浮遊物は通常
、半導体ウェーハ上に０．５ｐｍ径以上で１００〜１０
００個程度のゴミとなり再付着していたが１本発明のキ
ャリアを用いれば１００以下のゴミにおさえることがで
きる。
液中で、処理中にこれらの残留物が剥れてエツチング液
中に浮遊してゴミとなり、半導体ウェーハ表面に再付着
するようなことを防止できる。このような浮遊物は通常
、半導体ウェーハ上に０．５ｐｍ径以上で１００〜１０
００個程度のゴミとなり再付着していたが１本発明のキ
ャリアを用いれば１００以下のゴミにおさえることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の実施例にかかるもので、第１図は第１
の実施例の横断面図、第２図は第２の実施例の側面透視
図、第３図は第３の実施例の横断面図である。 １・・・ウェーハ ２・・・キャ リア、 ３・・・支持部、 ４・・・貫通小孔群。 特 許 出 願 人 日 本 電 気 株 式
の実施例の横断面図、第２図は第２の実施例の側面透視
図、第３図は第３の実施例の横断面図である。 １・・・ウェーハ ２・・・キャ リア、 ３・・・支持部、 ４・・・貫通小孔群。 特 許 出 願 人 日 本 電 気 株 式
Claims (1)
- 長手方向に対向する２側壁にそれぞれ直角方向に、凸条
の突起からなる複数の支持部を設けた半導体ウェーハ用
キャリアにおいて、前記支持部、支持部間の側壁など半
導体ウェーハの接触部位に貫通小孔群を設けたことを特
徴とする半導体ウェーハ用キャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316978A JP2871701B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 半導体ウェーハ用キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316978A JP2871701B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 半導体ウェーハ用キャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02161745A true JPH02161745A (ja) | 1990-06-21 |
| JP2871701B2 JP2871701B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=18083056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63316978A Expired - Lifetime JP2871701B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | 半導体ウェーハ用キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871701B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5782361A (en) * | 1995-06-26 | 1998-07-21 | Kakizaki Manufacturing Co., Ltd. | Thin-plate supporting container |
| WO2008026733A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Zeon Corporation | Polymères de polymérisation par ouverture de cycle à base de norbornène hydrogéné, composition de résine et objets moulés |
| CN101980376A (zh) * | 2010-08-26 | 2011-02-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 透液式栅板 |
| CN101980375A (zh) * | 2010-08-26 | 2011-02-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片制绒专用承载装置 |
| WO2012002212A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及びそれに用いられる基板カセット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5285476A (en) * | 1976-01-09 | 1977-07-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer accommodating jig |
| JPS63128722U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-23 |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63316978A patent/JP2871701B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5285476A (en) * | 1976-01-09 | 1977-07-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer accommodating jig |
| JPS63128722U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-23 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5782361A (en) * | 1995-06-26 | 1998-07-21 | Kakizaki Manufacturing Co., Ltd. | Thin-plate supporting container |
| WO2008026733A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Zeon Corporation | Polymères de polymérisation par ouverture de cycle à base de norbornène hydrogéné, composition de résine et objets moulés |
| EP2305729A1 (en) | 2006-08-31 | 2011-04-06 | Zeon Corporation | Hydrogenated norbornene-based ring-opening polymerization polymer, resin composition, and molded object |
| WO2012002212A1 (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-05 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及びそれに用いられる基板カセット |
| JP2012015135A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられる基板カセット |
| CN101980376A (zh) * | 2010-08-26 | 2011-02-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 透液式栅板 |
| CN101980375A (zh) * | 2010-08-26 | 2011-02-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 硅片制绒专用承载装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2871701B2 (ja) | 1999-03-17 |
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