KR100712472B1 - 식각장치 및 식각방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디핑 방식 식각장치에 관한 것이다.
디핑 방식으로 기판 상의 박막을 식각할 경우, 시간이 지남에 따라 비중이 높은 식각액이 하부로 가라앉게 되어 식각액의 상부와 하부에서 농도가 다르게 된다. 이에 따라 상부와 하부의 식각되는 정도가 다른 문제가 발생한다. 또한, 식각액 내의 기포가 기판 상에 위치할 경우 식각을 방해하여 불량이 발생한다.
본 발명에서는 식각용기 내부에 회전 가능한 교반 장치를 설치하여 식각 공정 중에 교반 장치를 회전시킨다. 이에 따라 식각액이 대류함으로써 농도가 균일하게 유지되고, 식각액 내의 기포는 제거되거나 식각액의 표면으로 이동되어 식각 불량을 방지할 수 있다.
식각장치, 디핑 방식, 교반 장치

Description

식각장치 및 식각방법{apparatus and method for etching}
도 1은 종래의 디핑 방식 식각장치를 도시한 도면.
도 2는 종래의 디핑 방식으로 식각되는 기판을 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 디핑 방식 식각장치를 도시한 도면.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 교반 장치의 예를 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 식각용기 120 : 기판
131 : 제 1 공급관 132 : 제 1 배출관
141 : 제 2 공급관 142 : 제 3 공급관
143 : 제 2 배출관 150 : 교반 장치
160 : 교반 장치 구동부
본 발명은 식각장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 디핑 방식으로 진행되는 식각장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 박막의 식각방법은 가스 플라즈마를 이용한 건식식각(dry etching)법과 화학용액을 이용한 습식식각(wet etching)법으로 크게 나누어지는데, 건식식각법은 주로 절연막의 식각에 적용되고, 습식식각법은 주로 금속막의 식각에 적용된다.
건식식각법에서는, 챔버(chamber)에 유입된 반응 가스가 일정 압력하에서 플라즈마 방전되는데, 이때 생성된 이온이나 라디칼(radical)이 박막과 반응함으로써, 물리적 충돌이나 화학적 반응에 의해 식각이 이루어진다.
이러한 건식식각은 반응 방식에 따라 플라즈마 식각(plasma etching) 방식과 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 방식으로 나눌 수 있다.
플라즈마 식각 방식은 생성된 반응 물질 중 주로 라디칼이 화학적 반응에 의하여 식각에 이용되는데, 라디칼은 분자가 여기된 중성 상태이기 때문에 전기장 방향에 영향을 받지 않는다. 따라서, 전기장 방향에 관계없이 식각비(etching ratio)가 동일하여 등방성(isotropy) 식각 양상을 보이며, 물리적 충돌이 적어 하부막에 대한 영향이 적고 선택적 식각에 유리하다.
이에 비해, 반응성 이온 식각은 생성된 반응 물질 중 주로 이온이 전기장에 의해 가속되어 박막과 충돌함으로써 식각되는데, 이온은 전기장 방향으로 가속운동을 하므로 식각비가 방향에 따라 다르기 때문에, 이방성(anisotropy) 식각이 이루어진다.
한편, 습식식각법은 앞서 언급한 바와 같이 화학 용액을 이용하여 박막을 제거하는 방법으로, 양호한 선택비(selectivity)와 대면적에서의 식각 균일도, 생산성 등이 우수하고 저가격화가 가능하며 세정 효과를 동시에 얻을 수 있는 장점이 있다.
이러한 습식식각법은 디핑(dipping) 방식과 스프레이(spray) 방식이 있는데, 디핑 방식은 기판을 화학 용액에 담그는 방식이고, 스프레이 방식은 화학 용액을 기판에 뿌려주는 방식으로, 이들을 혼합하여 사용하기도 한다.
박막을 디핑 방식으로 식각할 경우, 여러 장의 기판을 하나의 용기(bath)에 넣어 한번에 공정을 진행하는 배치(batch) 방식을 이용할 수 있는데, 이는 대량 생산이 가능하여 제조 비용을 절감할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 디핑 방식으로 박막을 식각하는 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 종래의 디핑 방식 식각장치를 도시한 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 내부에 다수개의 기판(20)이 로딩(loading)된 식각용기(10)가 있고, 식각용기(10)의 상부 및 하부에는 식각용기(10) 내부와 연통된 다수개의 공급관 및 배출관이 위치한다. 상부의 제 1 공급관(31)은 아이소프로필 알코올(isoprophyl alcohol)의 공급로가 되고, 하부의 제 2 공급관(41)은 식각액의 공급로가 되며, 제 2 공급관(41)과 연결되어 있는 제 3 공급관(42)은 초순수(D.I water ; deionized water)의 공급로가 된다.
식각용기(10) 상부에는 제 1 공급관(31)으로부터 분기된 제 1 배출관(32)이 위치하는데, 제 1 배출관(32)은 식각액과 초순수를 배출한다. 식각용기(10) 하부에는 제 2 및 제 3 공급관(41, 42)과 연결된 제 2 배출관(43)이 위치하고, 제 2 배출관(43)은 제 1 공급관(31)을 통해 용기(10) 내부로 주입된 아이소프로필 알코올의 배출구가 된다.
한편, 식각용기(10) 내부의 아래쪽 부분 즉, 식각액 및 초순수가 주입되는 부분에는 고정된 스크류(screw) 장치(50)가 형성되어 있어, 식각액과 초순수가 용기(10) 내부로 주입될 때 균일하게 혼합되도록 한다.
이와 같은 식각장치에서는 다수개의 기판을 동시에 식각하고 이어 세정도 할 수 있는데, 이러한 식각단계 및 세정단계를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 첫번째 단계로서 제 2 공급관(41) 및 제 3 공급관(42)을 통해 식각액 및 초순수를 식각용기(10) 내부로 동시에 공급한다. 상기한 바와 같이 식각액과 초순수는 스크류 장치(50)를 통과하면서 균일하게 혼합된다. 이때, 필요에 따라 식각액만을 공급할 수 있다.
다음, 두 번째 단계로서 용기(10) 내부에 공급된 식각액과 초순수의 혼합액에 기판들(20)을 소정 시간동안 담그어 둔다.
다음, 세 번째 단계로서 제 3 공급관(42)을 통해 초순수를 공급하여, 용기(10) 내부의 초순수에 희석된 식각액을 제 1 배출관(32)으로 배출시킨다. 즉, 초순수로써 희석된 식각액을 하부에서 상부로 밀어서 배출시킨다.
이어, 네 번째 단계로서 제 1 공급관(31)을 통해 대략 아이소프로필 알코올을 용기(10) 내부로 공급하여 기판들(20)을 건조시킨다.
그런데, 이러한 식각장치를 이용하여 식각할 때 기판을 약 10분 이상 희석된 식각액에 담가 두게 되는데, 시간이 지남에 따라 비중이 큰 식각액이 용기(10) 하부로 가라앉게 되어 용기(10)의 상부는 식각액과 초순수의 혼합 농도가 낮아지고, 용기(10)의 하부는 혼합 농도가 높아진다. 따라서, 식각액과 초순수의 혼합 상태 균일도가 떨어진다.
이러한 농도의 차이는 식각용기(10) 내부의 기판(21)에 영향을 미쳐, 도 2에 도시한 바와 같이 기판(21)의 상부(a)와 하부(b)의 식각 상태가 다르게 된다. 즉, 기판(21)의 상부(a)는 식각이 덜 되고(under etch), 하부(b)는 과도 식각(over etch)이 이루어진다.
또한, 식각액과 초순수의 유입시 기포(bubble)가 생성될 수 있는데, 용기(10) 내에 주입된 식각액과 초순수는 흐름없이 유지되므로 기포(22)가 기판(21)의 박막 표면에 위치할 경우 기포(22)는 식각을 방해한다. 따라서, 이 부분이 식각되지 않는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 균일하게 식각이 이루어지는 식각장치 및 식각방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 식각장치는, 개폐가능한 상부 개구부 및 하부 개구부가 설치된 식각용기; 상기 상부 개구부와 연결되며, 건조가스를 공급하는 제 1 공급관; 상기 하부 개구부와 연결되며, 식각액을 공급하는 제 2 공급관; 상기 제 2 공급관과 연결되어 있고, 세정액을 공급하는 제 3 공급관; 상기 제 1 공급관과 연결되어 있고, 상기 식각액과 상기 세정액를 배출하는 제 1 배출관; 상기 제 2 공급관과 연결되어 있고, 상기 건조가스를 배출하는 제 2 배출관; 상기 식각용기의 내부에 상기 식각액을 공급하고, 상기 상부개구부 및 상기 하부개구부를 밀폐한 후에, 상기 식각액을 일정한 농도로 유지하도록 대류시키기 위해, 상기 하부 개구부에 위치하고 회전가능한 교반장치; 상기 식각용기의 외부에서 상기 교반장치를 제어하는 교반 장치구동부;를 포함한다.
여기서, 교반 장치는 나사 모양과 프로펠러 모양 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 건조 가스는 아이소프로필 알코올이고, 세정액은 초순수일 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 식각방법은, 회전가능한 교반장치가 내부에 설치되어 있는 식각용기에 다수 개의 기판을 안치시키는 단계; 상기 다수 개의 기판이 잠기도록 상기 식각용기의 내부에 식각액을 주입하는 단계; 상기 교반장치의 회전에 의해 상기 식각액을 대류시키면서 상기 다수 개의 기판을 식각하는 단계; 상기 식각용기로부터 상기 식각액을 배출하는 단계; 상기 식각용기 내부에 세정액을 주입하여 상기 식각용기 내부 및 상기 다수개의 기판을 세정하는 단계; 상기 식각용기로부터 상기 세정액을 배출하는 단계;를 포함한다.
이와 같이 본 발명에서는 식각용기 내부에 회전 가능한 교반 장치를 설치하여 식각용기 내부의 혼합된 식각액을 대류시킴으로써, 식각액의 농도를 일정하게 유지하고, 식각액 주입시 생성되는 기포를 제거하거나 식각액 표면으로 이동시켜 식각 불량을 방지한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 식각장치 및 식각방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 디핑 방식 식각장치를 도시한 것이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 상부 및 하부에 밸브(도시하지 않음)에 의해 개폐되는 개구부(opening)(111, 112)를 각각 가지며, 개구부(111, 112)에 의해 밀폐된 공간으로 이루어진 식각용기(110)가 있다. 식각용기(110)의 상부 및 하부에는 개구부(111, 112)를 통해 식각용기(110) 내부와 연통된 다수개의 공급관 및 배출관이 위치한다.
식각용기(110) 상부에는 상부 개구부(111)와 연결되며 아이소프로필 알코올의 공급로가 되는 제 1 공급관(131)과, 제 1 공급관(131)으로부터 분기되며 식각액과 세정액을 배출하는 제 1 배출관(132)이 위치한다.
여기서, 아이소프로필 알코올은 녹는점이 약 80℃이고 125℃에서 기체 상태를 가진다.
식각용기(110) 하부에는 하부 개구부(112)와 연결된 제 2 공급관(141) 및 제 3 공급관(142)이 위치하는데, 제 2 공급관(141)은 식각액의 공급로가 되며, 제 3 공급관(142)은 세정액의 공급로가 된다. 여기서, 세정액은 주로 초순수를 이용하는데, 초순수는 식각 후 식각용기(110) 내부와 기판(120)을 세정할 뿐만 아니라, 식각액과 함께 주입되어 식각액을 희석시키기도 한다.
또한, 식각용기(110) 하부에는 제 2 및 제 3 공급관(141, 142)과 연결된 제 2 배출관(143)이 위치하고, 제 2 배출관(143)은 아이소프로필 알코올의 배출구가 된다.
식각용기(110) 내부에는 카세트(cassette)(도시하지 않음)와 같은 장치에 의해 다수개의 기판(120)이 로딩(loading)되어 있는데, 공정환경에 따라 다르지만 일반적으로 최대 40매까지 로딩될 수 있다.
식각용기(110) 내부의 아래쪽 부분 즉, 식각액 및 초순수가 주입되는 하부 개구부(112) 부분에는 회전 가능한 교반 장치(150)가 배치되어 있고, 교반 장치(150)는 교반 장치(150)를 구동시키기 위한 외부의 교반 장치 구동부(160)와 연결되어 있다.
도 4와 도 5는 본 발명에 따른 교반 장치를 각각 도시하고 있는데, 도시한 바와 같이 교반 장치는 나사 모양으로 이루어질 수도 있고, 또는 프로펠러 모양으로 이루어질 수도 있다.
이러한 교반 장치는 식각액과 초순수가 용기 내부로 주입될 때 균일하게 혼합되도록 하며, 식각시 교반 장치 구동부에 의해 회전하여 주입된 혼합액을 대류(對流)시킴으로써, 혼합 균일도를 유지하는 역할을 한다. 또한, 식각액과 초순수가 주입될 때 생성되는 기포가 기판 상에 위치하여 식각 불량을 일으킬 수 있는데, 혼합액을 대류시킴으로써 기포를 제거하거나 기포를 혼합액 표면으로 이동시켜, 기포에 의한 식각 불량을 방지한다.
이러한 식각장치를 이용한 식각공정은 다음과 같다.
먼저, 식각액과 초순수를 각각 제 2 공급관(141)과 제 3 공급관(142)을 통해 공급하여, 혼합액을 기판(120)이 로딩된 식각용기(110) 내부로 주입한다. 여기서, 혼합액은 교반 장치(150)를 통해 더욱 균일하게 혼합된다.
다음, 기판(120)이 충분히 잠길 정도로 식각용기(110) 내에 혼합액을 채운 후, 소정 시간동안 기판(120)에 대해 식각을 실시한다. 이때, 식각이 진행될 때 교반 장치(150)를 회전시켜 혼합액을 대류시킴으로써, 혼합액의 농도를 균일하게 유지하고, 기포를 제거한다.
다음, 제 3 공급관(142)을 통해 초순수를 식각용기(110) 내에 주입시켜 식각액과 초순수의 혼합액을 밀어낸다. 따라서, 혼합액은 제 1 배출관(132)을 통해 배출되고, 식각용기(110) 내부는 초순수로 채워진다. 이어, 채워진 초순수로 식각용기(110) 내부와 기판(120)을 세정한다.
다음, 식각용기(110) 내부의 초순수를 제거하고, 제 1 공급관(131)을 통해 약 125℃의 아이소프로필 알코올을 용기(110) 내에 공급하여 기판(120)을 건조시킨다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
본 발명은 디핑 방식 식각장치에서, 식각용기 내부에 회전 가능한 교반 장치를 설치하여 식각용기 내부의 혼합된 식각액을 대류시킴으로써, 식각액의 농도를 일정하게 유지하고, 식각액 주입시 생성되는 기포를 제거하거나 식각액 표면으로 이동시켜 식각 불량을 방지한다.

Claims (5)

  1. 개폐가능한 상부 개구부 및 하부 개구부가 설치된 식각용기;
    상기 상부 개구부와 연결되며, 건조가스를 공급하는 제 1 공급관;
    상기 하부 개구부와 연결되며, 식각액을 공급하는 제 2 공급관;
    상기 제 2 공급관과 연결되어 있고, 세정액을 공급하는 제 3 공급관;
    상기 제 1 공급관과 연결되어 있고, 상기 식각액과 상기 세정액를 배출하는 제 1 배출관;
    상기 제 2 공급관과 연결되어 있고, 상기 건조가스를 배출하는 제 2 배출관;
    상기 식각용기의 내부에 상기 식각액을 공급하고, 상기 상부개구부 및 상기 하부개구부를 밀폐한 후에, 상기 식각액을 일정한 농도로 유지하도록 대류시키기 위해, 상기 하부 개구부에 위치하고 회전가능한 교반장치;
    상기 식각용기의 외부에서 상기 교반장치를 제어하는 교반 장치구동부;
    를 포함하는 식각장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 교반장치는 나사 또는 프로펠러 모양으로 이루어진 식각장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조 가스는 아이소프로필 알코올인 식각장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정액은 초순수인 식각장치.
  5. 회전가능한 교반장치가 내부에 설치되어 있는 식각용기에 다수 개의 기판을 안치시키는 단계;
    상기 다수 개의 기판이 잠기도록 상기 식각용기의 내부에 식각액을 주입하는 단계;
    상기 교반장치의 회전에 의해 상기 식각액을 대류시키면서 상기 다수 개의 기판을 식각하는 단계;
    상기 식각용기로부터 상기 식각액을 배출하는 단계;
    상기 식각용기 내부에 세정액을 주입하여 상기 식각용기 내부 및 상기 다수개의 기판을 세정하는 단계;
    상기 식각용기로부터 상기 세정액을 배출하는 단계;
    를 포함하는 식각방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101047465B1 (ko) * 2009-10-09 2011-07-07 한국표준과학연구원 경량화가공부를 포함하는 대형광학계의 균일에칭장치 및 그 대형광학계의 균일에칭방법
KR102465288B1 (ko) * 2022-08-01 2022-11-11 (주)코마테크놀로지 자체적인 버블제거가 가능한 캐소드 표면 에칭장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100855541B1 (ko) * 2007-01-31 2008-09-01 이기정 기판의 식각 방법 및 장치
KR101233687B1 (ko) * 2010-10-28 2013-02-15 삼성디스플레이 주식회사 유리 기판 식각 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144798A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Kawasaki Steel Corp ウエーハのエツチング方法及びエツチング装置
JPH07302783A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Hitachi Ltd ウエット処理装置
KR100205543B1 (ko) * 1996-01-31 1999-07-01 윤종용 반도체소자 제조용 습식 공정조의 구조
KR19990070843A (ko) * 1998-02-25 1999-09-15 김춘호 일괄 벌크 마이크로머시닝 시스템
KR200169704Y1 (ko) * 1997-05-29 2000-02-01 김영환 반도체웨이퍼세정장치
KR20010001425A (ko) * 1999-06-04 2001-01-05 구본준 배치방식 식각장비의 세정방법
KR20010094349A (ko) * 2000-03-30 2001-11-01 박종섭 웨이퍼 세정장비 및 그 세정방법
KR20020010741A (ko) * 2000-07-31 2002-02-06 윤종용 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 습식 에칭장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144798A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Kawasaki Steel Corp ウエーハのエツチング方法及びエツチング装置
JPH07302783A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Hitachi Ltd ウエット処理装置
KR100205543B1 (ko) * 1996-01-31 1999-07-01 윤종용 반도체소자 제조용 습식 공정조의 구조
KR200169704Y1 (ko) * 1997-05-29 2000-02-01 김영환 반도체웨이퍼세정장치
KR19990070843A (ko) * 1998-02-25 1999-09-15 김춘호 일괄 벌크 마이크로머시닝 시스템
KR20010001425A (ko) * 1999-06-04 2001-01-05 구본준 배치방식 식각장비의 세정방법
KR20010094349A (ko) * 2000-03-30 2001-11-01 박종섭 웨이퍼 세정장비 및 그 세정방법
KR20020010741A (ko) * 2000-07-31 2002-02-06 윤종용 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 습식 에칭장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
한국공개특허 특1999-70843호 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101047465B1 (ko) * 2009-10-09 2011-07-07 한국표준과학연구원 경량화가공부를 포함하는 대형광학계의 균일에칭장치 및 그 대형광학계의 균일에칭방법
KR102465288B1 (ko) * 2022-08-01 2022-11-11 (주)코마테크놀로지 자체적인 버블제거가 가능한 캐소드 표면 에칭장치

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