KR200169704Y1

KR200169704Y1 - 반도체웨이퍼세정장치

Info

Publication number: KR200169704Y1
Application number: KR2019970012394U
Authority: KR
Inventors: 류택렬
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1997-05-29
Filing date: 1997-05-29
Publication date: 2000-02-01
Also published as: KR19980067783U

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 종래에는 내조에 공급되는 세정액의 농도차가 발생하여 웨이퍼의 식각 균일도를 향상시키는데 한계가 있는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치는 노즐(5)의 상면에 케미컬 혼합 팬(20)을 설치하여, 케미컬 혼합 팬(20)의 회전에 의하여 내조의 내측에 공급되는 세정액 중의 케미컬을 균일하게 혼합함으로서, 웨이퍼의 식각 균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치{APPARATUS FOR CLEANING OF SEMICONDUCTOR WAFER}

본 고안은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 특히 세정액의 농도차가 발생하는 것을 방지하여 식각의 균일도를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 세정장치의 구조를 보인 종단면도이고, 도 2는 종래 노즐을 상세히 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 세정장치는 외조(1)의 내측에 상단부가 낮은 내조(2)가 설치되어 있고, 그 내조(2)의 내측에는 웨이퍼가 수납되어 있는 캐리어(3)에 세정액(4)을 분사하기 위한 다수개의 분사공(5a)이 구비된 노즐(5)이 설치되어 있다.

그리고, 상기 외조(1)와 상기 노즐(5)은 순환라인(6)으로 연결되어 있고, 그 순환라인(6) 상에는 펌프(7), 필터(8), 열교환기(9), 유량조절기(10)가 설치되어 있다.

또한, 상기 세정액(4)이 수납되는 내조(2)의 내측에는 온도계(11)가 설치되어 있고, 그 온도계(11)는 세정액(4)의 온도를 검출하는 항온계(12)에 연결되어 열교환기(9)를 조절할 수 있도록 되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 세정장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 펌프(7)에 의해 펌핑되는 세정액(4)이 순환라인(6)을 통하여 필터(8), 열교환기(9), 유량조절기(10)를 거치며 내조(2)의 내측으로 공급되게 된다. 그리고, 내조(2)의 내측에 공급되는 세정액(4)은 오버 플로우되어 외조(1)로 흘러나가고, 이와 같이, 외조(1)로 오버 플로우된 세정액(4)은 다시 펌프(7)에 의해 펌핑되어 순환라인(6)을 흐르게 된다.

그리고, 상기 내조(2)의 내측에 설치되어 있는 노즐(5)은 다수개의 분사공(5a)을 통하여 내조(5)의 내측으로 공급되는 세정액(4)을 골고루 분산되도록 한다.

그러나, 상기와 같이 내조(5)의 내측에 공급되는 세정액(4)은 노즐(5)에 의하여 골고루 분사되기는 하나 케미컬이 균일하게 혼합되지는 못하여 식각의 균일도 향상에 한계가 있는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적을 내조에 공급되는 세정액의 케미컬이 균일하게 혼합되도록 하여 식각 균일도를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 세정장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 세정장치의 구조를 보인 종단면도.

도 2는 종래 노즐을 상세히 보인 사시도.

도 3은 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치의 구조를 보인 종단면도.

도 4는 본 고안의 요부인 세정액 혼합 팬이 설치된 상태를 보인 사시도.

* * 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * *

1 : 외조 2 : 내조

5 : 노즐 6 : 순환라인

7 : 펌프 8 : 필터

9 : 열교환기 10 : 유량조절기

20 : 세정액 혼합 팬

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 외조의 내측에 내조가 설치되어 있고, 그 내조의 내측 하부에 노즐이 설치되어 있으며, 상기 외조와 노즐은 순환라인으로 연결되어 있고, 그 순환라인 상에는 펌프, 필터, 열교환기가 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 세정장치에 있어서,

상기 노즐을 통하여 분사되는 세정액에 의하여 회전함과 아울러 세정액을 혼합하기 위한 케미컬 혼합 팬을 구비하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치의 구조를 보인 종단면도이고, 도 4는 본 고안의 요부인 케미컬 혼합 팬이 설치된 상태를 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치는 외조(1)의 내측에 상단부가 낮은 내조(2)가 설치되어 있고, 그 내조(2)의 내측에는 웨이퍼가 수납되어 있는 캐리어(3)에 세정액(4)을 분사하기 위한 다수개의 분사공(5a)이 구비된 노즐(5)이 설치되어 있으며, 상기 외조(1)와 상기 노즐(5)은 순환라인(6)으로 연결되어 있고, 그 순환라인(6) 상에는 펌프(7), 필터(8), 열교환기(9)가 설치되어 있으며, 상기 세정액(4)이 수납되는 내조(2)의 내측에는 온도계(11)가 설치되어 있고, 그 온도계(11)는 세정액(4)의 온도를 검출하는 항온계(12)에 연결되어 열교환기(9)를 조절할 수 있도록 되어 있다.

그리고, 상기 노즐(5)의 상부에는 노즐(5)의 분사공(5a)들에서 분사되는 세정액(4)에 의하여 회전가능하도록 케미컬 혼합 팬을(20)이 설치되어 있어서, 노즐(5)을 통하여 분사되는 세정액(4)중의 케미컬을 균일하게 혼합할 수 있도록 되어 있다.

상기 도면에서 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일부호를 부여하였다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.

펌프(7)에 의해 펌핑되는 세정액(4)은 순환라인(6)을 통하여 필터(8), 열교환기(9), 유량조절기(10)를 거치며 내조(2)의 내측으로 공급되게 되고, 내조(2)의 내측에 공급되는 세정액(4)은 캐리어(3)에 수납되어 있는 웨이퍼들을 식각함과 동시에 오버 플로우되어 외조(1)로 흘러나가며, 이와 같이, 외조(1)로 오버 플로우된 세정액(4)은 다시 펌프(7)에 의해 펌핑되어 순환라인(6)을 흐르는 동작을 반복하게 된다.

그리고, 상기 내조(2)의 내측에 설치되어 있는 노즐(5)은 다수개의 분사공(5a)을 통하여 내조(5)의 내측으로 공급되는 세정액(4)을 골고루 분산시키게 되는데, 이때 상기 노즐(5)의 상면에 설치되어 있는 케미컬 혼합 팬(20)이 노즐(5)로 분사되는 세정액(4)의 분사되는 힘에 의하여 회전하며 세정액(4)중의 케미컬을 균일하게 혼합하게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 세정장치는 노즐의 상면에 분사되는 세정액에 의하여 회전가능하게 케미컬 혼합 팬을 설치하여, 구동수단없이 회전하는 케미컬 혼합 팬의 회전에 의하여 내조의 내측에 공급되는 세정액 중의 케미컬을 균일하게 혼합함으로서, 세정액의 농도차가 발생치 않게되어,웨이퍼의 식각 균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Claims

외조의 내측에 내조가 설치되어 있고, 그 내조의 내측 하부에 노즐이 설치되어 있으며, 상기 외조와 노즐은 순환라인으로 연결되어 있고, 그 순환라인 상에는 펌프, 필터, 열교환기가 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 세정장치에 있어서,

상기 노즐을 통하여 분사되는 세정액에 의하여 회전함과 아울러 세정액을 혼합하기 위한 케미컬 혼합 팬을 구비하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.