KR102189874B1 - 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하우징, 상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 반송시키는 반송 유닛, 상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판 상에 액을 분사하는 노즐 유닛, 그리고 상기 노즐 유닛에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 노즐 유닛에 케미컬을 공급하는 제 1 공급라인 그리고 상기 노즐 유닛에 세정액을 공급하는 제 2 공급라인을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판 등을 에칭하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근에는 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널의 사용이 급격히 증대하고 있다. 이러한 평판 표시 패널의 제조를 위해 수반되는 에칭 공정에는, 에칭원액으로써 염산, 질산, 브롬화수소산, 요오드화수소산 수용액 등의 산을 주성분으로 한 단일 수용액 또는 혼합수용액이 사용된다. 이러한 에칭 공정 후에는 에천트(etchant) 석출물이 기판 처리 장치 내 잔류하게 된다. 이러한 에천트(etchant) 석출물은 공정 효율을 떨어뜨리고, 기판(S) 불량을 초래한다.
본 발명은 기판 처리 장치 내부를 세정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 하우징 내 에천트(etchant) 석출물을 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 반송시키는 반송 유닛, 상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판 상에 액을 분사하는 노즐 유닛, 그리고 상기 노즐 유닛에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 노즐 유닛에 케미컬을 공급하는 제 1 공급라인 그리고 상기 노즐 유닛에 세정액을 공급하는 제 2 공급라인을 포함할 수 있다.
상기 액 공급 유닛은 상기 제 1 공급라인과 상기 제 2 공급라인을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 기판 상에 상기 케미컬을 공급할 때는 상기 제 1 공급라인을 개방하고, 상기 하우징 내 상기 반송 유닛을 세정할 때는 상기 제 2 공급라인을 개방할 수 있다.
상기 제 2 공급라인은 상기 제 1 공급라인에 연결될 수 있다.
상기 반송 유닛은, 제 1 방향을 따라 복수 개로 제공되는 반송 샤프트들과
상기 반송 샤프트들의 양단에 고정결합되고, 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 제공되고, 상기 반송 샤프트들을 지지하는 지지 프레임들을 포함하고, 상기 노즐 유닛은, 그 길이 방향이 상기 제 2 방향으로 제공되고, 상기 지지 프레임에 각각 대응되게 상기 지지 프레임의 상부에 이격되어 설치되고 상기 지지 프레임을 세정하는 제 1 노즐들을 포함할 수 있다.
상기 순수 노즐은 스프레이 타입의 토출구를 더 포함하고, 상기 토출구는 상기 지지 프레임에 수직한 면과 경사지게 회전될 수 있다.
상기 하우징은, 유출구, 상기 하우징 내 유출구를 개폐하여 상기 기판을 반출시키는 셔터를 더 포함하고, 상기 노즐 유닛은, 상기 셔터 상부에 위치되고 상기 셔터에 상기 세정액을 분사하는 제 2 노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 액 공급 유닛은, 상기 노즐 유닛에서 분기되는 드레인관을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 상에 상기 액을 공급할 때는 상기 제 1 공급라인을 개방시키고, 상기 하우징 내 상기 반송 유닛을 세정할 때는 상기 제 2 공급라인을 개방시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 본 발명은 기판 처리 장치 내부를 세정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 하우징 내 에천트(etchant) 석출물을 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 설비의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 내부를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 4는 도 2의 반송 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 4의 반송 샤프트(210)를 측면에서 바라본 도면이다.
도 6는 제 1 노즐을 보여주는 도면이다.
도 7은 제 1 노즐이 동작하는 모습을 보여주는 측면도이다.
도 8은 제 2 노즐을 보여주는 도면이다.
도 9는 제 2 노즐의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 10은 액 공급 유닛의 다른 실시예를 보여준다.
도 11은 액 공급 유닛의 또 다른 실시예를 보여준다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 도 1는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 설비의 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2의 기판 처리 장치(1000)의 내부를 상부에서 바라본 평면도이다. 기판 처리 장치(1000)는 다양한 공정을 수행할 수 있으나, 이하에서는 에칭 공정으로 한정하여 설명한다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 제 1 챔버(1000), 제 2 챔버(2000), 그리고 제 3 챔버(3000)를 가진다. 여기서, 제 1 챔버(1000), 제 2 챔버(2000), 그리고 제 3 챔버(3000)가 배열된 방향을 제1방향(X)으로 칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 칭한다.
제 1 챔버(1000)는 에칭 공정을 수행한다. 제 2 챔버(2000)는 세정 공정을 수행한다. 제 3 챔버(3000)는 건조 공정을 수행한다. 선택적으로, 챔버가 수행하는 공정의 종류와 수는 상이하게 제공될 수 있다. 각각의 챔버(1000, 2000, 3000) 내에는 유입구(12)와 유출구(14)가 제공된다. 유입구(12)는 챔버(1000, 2000, 3000)의 일측면에 형성된다. 기판(S)은 유입구(12)를 통해 하우징(100, 2100, 3100)내로 유입된다. 이와 마주보는 챔버(1000, 2000, 3000)의 타측면에는 유출구(14)가 제공된다. 기판(S)은 유출구(14)를 통해 하우징(100, 2100, 3100)으로부터 유출된다.
기판 처리 장치(1000)는 에칭 공정을 수행한다. 도 2를 참조하면, 하우징(100), 반송 유닛(200), 노즐 유닛(300), 그리고 액 공급 유닛(400)을 포함한다. 하우징(100)은 에칭 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(100)는 4개의 측벽(112a- 112d)을 포함한다. 하우징(100) 내에는 셔터(16)가 제공될 수 있다. 일 예로, 셔터(16)는 유출구(14)의 상부에 제공된다. 셔터(16)는 유출구(14)를 개폐한다. 셔터(16)는 유출구(14)를 개폐함으로써, 기판(S)을 반출시킬 수 있다. 또한, 셔터(16)는 유입구(12)의 상부에 제공될 수 있다.
도 4는 반송 유닛(200)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 5는 반송 유닛(200)의 반송 샤프트(210)를 측면에서 바라본 도면이다. 도 4를 참조하면, 복수의 반송 샤프트들(210), 롤러들(212), 베어링(220), 지지 프레임(230), 그리고 구동 샤프트들(140)를 가진다.
반송 샤프트들(210)은 제1방향(X)을 따라 배열된다. 각각의 반송 샤프트(210)는 그 길이 방향이 제2방향(Y)으로 제공된다. 반송 샤프트들(210)은 서로 나란하게 배치된다. 반송 샤프트들(210)은 유입구(12)와 인접한 위치에서부터 유출구(14)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 반송 샤프트(210)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(212)이 고정 결합된다. 반송 샤프트들(210)은 그 중심축을 기준으로 구동 샤프트(140)에 의해 회전된다.
롤러(212)는 각각의 반송 샤프트(210)에 복수 개로 제공된다. 반송 롤러(212)는 기판(S)의 저면을 지지한다. 반송 롤러(212)는 그 중심축에 홀이 형성되고, 반송 샤프트(210)는 홀에 끼워진다. 반송 롤러(212)는 반송 샤프트(210)와 함께 회전된다.
베어링(220)은 내륜(222)과 외륜(224)을 포함한다. 베어링(220)은 반송 샤프트(210)의 양단에 설치된다. 외륜(224)과 내륜(222) 사이에는 다수개의 볼이 제공된다. 베어링(220)은 지지 프레임(230)에 의해 지지된다. 지지 프레임(230)은 반송 샤프트(210)의 양단에 설치된다. 지지 프레임(230)은 반송 샤프트(210)들의 양단에 고정 결합된다. 지지 프레임(230)은 그 길이 방향이 제 1 방향(X)으로 제공된다. 지지 프레임(230)은 반송 샤프트(210)들을 지지한다.
구동 샤프트(140)는 하우징(100) 외부 일측에 제공된다. 구동 샤프트(140)는 복수 개 제공된다. 구동 샤프트(140)는 모터(142), 벨트(144), 풀리(146)를 가진다. 모터(142)는 구동 샤프트(140)들을 회전 구동시킨다. 풀리(146)들은 구동 샤프트(140)들의 일단에 각각 설치되고, 이들 사이에는 벨트(144)들이 걸쳐진다. 각 구동 샤프트(140)들은 모터의 구동력을 전달받아 동일 방향으로 회전된다. 예컨대, 벨트는 일체형으로 이루어질 수 있다. 구동 샤프트(140)들의 일단에는 구동 마그네틱판(150)이 설치된다. 구동 마그네틱판(150)은 하우징(100)의 측벽(112b)을 통해서 종동 마그네틱판(130)과 마주보도록 배치된다. 구동 마그네틱판(150)의 회전에 의해 종동 마그네틱판(130)이 회전된다. 즉, 모터(142)에 의한 회전운동이 벨트(144)를 통해서 구동 샤프트(140)들로 전달되고, 구동 마그네틱판(150)이 회전된다. 구동 마그네틱판(150)의 자석들(미도시됨)과 종동 마그네틱판(130)의 자석(132)들이 자성에 의해 끌어 당기고, 그것에 의해 종동 마그네틱판(130)이 반송 샤프트(200)와 함께 회전한다. 그로 인해, 상기 롤러(122)들에 의해 지지된 기판(S)이 이송되게 된다.
도 6는 제 1 노즐(310)이 배치된 모습을 보여주는 도면이다. 도 7은 일 실시예에 따른, 제 1 노즐(310)이 작동하는 모습을 보여주는 측면도이다. 도 8은 제 2 노즐(320)이 배치된 모습을 보여주는 도면이다. 도 9는 제 2 노즐(320)의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
노즐 유닛(300)은 케미컬 노즐(305), 제 1 노즐(310), 그리고 제 2 노즐(320)을 가질 수 있다. 케미컬 노즐(305)은 기판(S) 상에 케미컬을 분사한다. 케미컬 노즐(305)은 기판(S) 상부에 위치된다. 케미컬 노즐(305)은 슬릿 형태로 제공될 수 있다. 다시 도 3을 참조하면, 케미컬 노즐(305)은 복수 개로 제공될 수 있다. 복수 개의 케미컬 노즐(305)은 동일한 거리로 이격되게 배치될 수 있다.
제 1 노즐(310)은 슬릿 형태의 노즐로 제공될 수 있다. 제 1 노즐(310)은 상술한 지지 프레임(230)의 상부에 이격되어 위치된다. 제 1 노즐(310)은 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)으로 제공된다. 제 1 노즐(310)은 지지 프레임(230)에 각각 대응되게 설치된다. 제 1 노즐(310)은 지지 프레임(230)을 세정한다. 세정액은 순수일 수 있다. 또한, 선택적으로, 순수가 아닌 세정액이 제공될 수 있다. 제 1 노즐(310)은 복수 개 제공될 수 있다. 제 1 노즐(310)은 스프레이 타입의 토출구를 포함할 수 있다. 도 7을 참조하면, 제 1 노즐(310)의 토출구는 지지 프레임(230)에 수직한 면에 평행하게 제공된다. 토출구는 스윙되게 제공됨으로써, 제 1 노즐(310)은 지지 프레임(230)과 반송 유닛(200)의 잔류물을 제거할 수 있다. 잔류물은, 일 예로, 잔류물은 에천트(etchant) 석출물일 수 있다.
도 8을 참조하면, 제 2 노즐(320)은 셔터(16) 상부에 위치된다. 제 2 노즐(320)은 슬릿 형태의 노즐일 수 있다. 제 2 노즐(320)은 셔터(16)에 세정액을 분사한다. 이 때, 세정액은 순수일 수 있다. 제 2 노즐(320)은 에칭 공정 후, 기판(S)이 하우징(100) 외부로 반출되면서 셔터(16)에 묻은 잔류물을 제거한다. 일 예로, 잔류물은 에천트(etchant) 석출물일 수 있다.
이와 달리, 하우징(100) 내에는 도 9와 같이 에어컷(330)이 제공될 수 있다. 에어컷(330)은 에어를 분사하여, 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬 등을 밀어낸다. 선택적으로, 하우징(100) 내 잔류하는 에천트(etchant) 석출물을 제거할 수 있다. 도 9와 같이, 제 2 노즐(320)은 토출구가 경사지게 제공되어 에어컷(330)을 세정할 수 있다. 선택적으로, 제 2 노즐(320)은 에어컷(330)의 상부에 위치될 수 있다.
액 공급 유닛(400)은 케미컬 탱크(410), 세정액 탱크(420), 제 1 공급라인(430), 제 2 공급라인(440), 제어기(450). 그리고 드레인관(460)을 포함한다. 제 1 공급라인(430)은 케미컬 탱크(410)와 노즐 유닛(300)을 연결한다. 제 1 공급라인(430)은 노즐 유닛(300)에 케미컬을 공급한다. 제 2 공급라인(440)은 세정액 탱크(420)와 노즐 유닛(300)을 연결한다. 제 2 공급라인(440)은 노즐 유닛(300)에 세정액을 공급한다. 다시 도 2를 참조하면, 제 2 공급라인(440)은 제 1 공급라인(430)에 연결될 수 있다.
제어기(450)는 제 1 공급라인(430)과 제 2 공급라인(440)에 설치된 밸브(미도시됨)를 제어한다. 제어기(450)는 노즐 유닛(300)이 기판(S) 상에 케미컬을 공급할 때, 제 1 공급라인(430)을 개방한다. 또한, 제어기(450)는 노즐 유닛(300)이 기판(S) 상에 세정액을 공급할 때는, 제 2 공급라인(440)을 개방한다. 드레인관(460)은 노즐 유닛(300)에서 분기될 수 있다. 제어기(450)는 기판(S)의 케미컬 공정 후에, 드레인관(460)으로 남아있는 케미컬을 배출시키고, 제 2 공급라인(440)을 개방시킬 수 있다. 또한, 선택적으로 제 1 공급라인(430) 또는 제 2 공급라인(440)을 개방시키면서 드레인관(460)으로 배출시킬 수 있다.
도 10은 액 공급 유닛(400)의 다른 실시예를 보여준다. 도 11은 액 공급 유닛(400)의 또 다른 실시예를 보여준다. 도 10을 참조하면, 제 1 공급라인(430)과 제 2 공급라인(440)은 각각 분기될 수 있다. 또한, 액 공급 유닛(400)은 도 11과 같이, 드레인관(460)이 제공되지 않을 수 있다.
상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 에칭 공정에서 하우징 내부 세정과 에천트(etchant) 제거 공정이 이루어지도록 설명하였다. 그러나 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1000 : 제 1 챔버 2000 : 제 2 챔버
3000 : 제 3 챔버 100 : 하우징
200 : 반송 유닛 300 : 노즐 유닛
400 : 액 공급 유닛 430 : 제 1 공급라인
440 : 제 2 공급라인 310 : 제 1 노즐
320 : 제 2 노즐

Claims (9)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    하우징;
    상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 반송시키는 반송 유닛;
    상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판 상에 액을 분사하는 노즐 유닛;
    상기 기판 상으로 에어를 분사하는 에어컷; 그리고,
    상기 노즐 유닛에 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 하우징은,
    유출구; 그리고,
    상기 유출구를 개폐하여 상기 기판을 반출시키는 셔터를 포함하고,
    상기 노즐 유닛은,
    복수의 제1노즐과;
    상기 셔터 또는 상기 에어컷에 세정액을 분사하는 제 2 노즐을 포함하고,
    상기 반송 유닛은,
    제 1 방향을 따라 복수 개로 제공되는 반송 샤프트들과;
    상기 반송 샤프트들의 양단에 고정결합되고, 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향을 따라 제공되고, 상기 반송 샤프트들을 지지하는 지지 프레임;들을 포함하고,
    상기 제1노즐은,
    그 길이 방향이 상기 제 1 방향으로 제공되고, 상기 지지 프레임에 각각 대응되게 상기 지지 프레임의 상부에 이격되어 설치되고 상기 지지 프레임을 세정하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 노즐 유닛에 케미컬을 공급하는 제 1 공급라인;
    상기 노즐 유닛에 세정액을 공급하는 제 2 공급라인; 그리고,
    상기 액 공급 유닛은 상기 제 1 공급라인과 상기 제 2 공급라인을 제어하는 제어기;를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 기판 상에 상기 케미컬을 공급할 때는 상기 제 1 공급라인을 개방하고, 상기 하우징 내 상기 반송 유닛을 세정할 때는 상기 제 2 공급라인을 개방하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 공급라인은 상기 제 1 공급라인에 연결되는, 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 노즐은 스프레이 타입의 토출구를 더 포함하고, 상기 토출구는 상기 지지 프레임에 수직한 면과 경사지게 회전되는, 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은, 상기 노즐 유닛에서 분기되는 드레인관;을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 하우징 내에서 기판을 반송시켜 상기 기판을 에칭하고,
    에칭 처리된 상기 기판 상으로 에어를 분사하여 상기 기판 상의 잔류물을 밀어내며,
    상기 에어컷 또는 상기 셔터는 상기 제 2 노즐에 의해 세정되는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 케미컬을 공급할 때는 상기 제 1 공급라인을 개방시키고, 상기 하우징 내 상기 반송 유닛을 세정할 때는 상기 제 2 공급라인을 개방시키는 기판 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240012757A (ko) * 2022-07-21 2024-01-30 추명자 초박막 글라스 식각기 및 초박막 글라스 식각 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223459A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法
JP2008186864A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム
JP2009007674A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Applied Materials Inc 選択スプレー式エッチングを使用して堆積チャンバ部分をクリーニングするための方法及び装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06156678A (ja) * 1992-11-21 1994-06-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置の発塵防止装置
KR20080062342A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20110062520A (ko) * 2009-12-03 2011-06-10 세메스 주식회사 기판 처리장치 및 이의 세정 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223459A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法
JP2008186864A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム
JP2009007674A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Applied Materials Inc 選択スプレー式エッチングを使用して堆積チャンバ部分をクリーニングするための方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240012757A (ko) * 2022-07-21 2024-01-30 추명자 초박막 글라스 식각기 및 초박막 글라스 식각 방법
KR102685822B1 (ko) * 2022-07-21 2024-07-17 추명자 초박막 글라스 식각기 및 초박막 글라스 식각 방법

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