KR20080078303A - 평판 패널 처리 장치 - Google Patents

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KR20080078303A
KR20080078303A KR1020070018233A KR20070018233A KR20080078303A KR 20080078303 A KR20080078303 A KR 20080078303A KR 1020070018233 A KR1020070018233 A KR 1020070018233A KR 20070018233 A KR20070018233 A KR 20070018233A KR 20080078303 A KR20080078303 A KR 20080078303A
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air knife
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이현우
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세메스 주식회사
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Abstract

개시된 평판 패널 처리 장치는 평판 패널에 대한 일련의 공정들을 연속적으로 수행하기 위하여 연속적으로 배치된 공정 챔버와 세정 챔버, 공정 챔버와 세정 챔버를 구분하면서 공정 챔버와 세정 챔버 사이에 기판을 운송하기 위한 경로를 제공하는 내벽 및 기판이 이송되는 중에 건조가스를 평판 패널에 분사하는 에어 나이프 및 세정액을 평판 패널에 분사하는 인샤워 나이프가 일체형으로 형성된 나이프 유닛을 포함한다. 따라서, 에어 나이프와 인샤워 나이프가 일체형으로 형성됨으로써 조립 부품 수 및 제조 비용을 감소시킬 수 있다.

Description

평판 패널 처리 장치{APPARATUS OF TREATING FLAT PANEL}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 나이프 유닛을 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 평판 패널 처리 장치 110 : 공정 챔버
120 : 세정 챔버 130 : 내벽
140 : 롤러 200 : 나이프 유닛
300 : 에어 나이프 310 : 제1 몸체부
320 : 제1 가이드부 330 : 제1 분사부
400 : 인샤워 나이프 410 : 제2 몸체부
420 : 제2 가이드부 430 : 제2 분사부
본 발명은 평판 패널 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에어 나이프 및 인샤워 나이프가 일체형으로 형성된 나이프 유닛을 포함하는 평판 패널 처리 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 지금까지의 디스플레이 장치로는 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. 이러한 평판 디스플레이로는 다양한 종류가 있으며, 이들 중 전력 소모와 부피가 작고, 저전압 구동형인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)가 널리 사용되고 있다.
액정 표시 장치를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 수행되며, 이러한 공정들 중, 세정 공정은 기판 상에 붙어있는 먼지나 유기물 등을 제거하기 위해 수행된다. 여기서 세정 공정은 예를 들어 탈이온수를 사용하여 기판을 세척하는 수세(rinse) 공정과, 에어(air)를 분사하여 기판에 부착된 탈이온수를 제거하는 건조 공정을 포함할 수 있다.
상술한 공정들은 대부분 챔버 등에서 행해지며, 건조 공정의 경우 적어도 하나의 에어 나이프를 이용하여 기판의 상부 및 하부에 공기를 분사하여 기판에 부착된 탈이온수를 제거하게 된다. 수세 공정은 적어도 하나의 인샤워 나이프를 이용하여 기판의 상부 및 하부에 탈이온수를 분사하여 기판에 부착된 약액 등을 제거한 다.
이 경우, 에어 나이프와 인샤워 나이프는 별도로 배치되어 건조 공정 및/또는 수세 공정을 수행한다. 따라서, 에어 나이프와 인샤워 나이프의 분사 각도에 대하여 개별 독립적으로 조절하여야 하는 문제점이 발생한다. 또한, 에어 나이프와 인샤워 나이프가 별도로 배치되어 조립 부품 수 및 설치 공간이 증가하는 문제점이 발생한다.
본 발명의 일 목적은 나이프들을 일체형으로 형성하여 조립 부품 및 제조 비용을 감소시키기 위한 평판 패널 처리 장치를 제공하는데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치는 평판 패널에 대한 일련의 공정들을 연속적으로 수행하기 위하여 연속적으로 배치된 공정 챔버와 세정 챔버, 상기 공정 챔버와 세정 챔버를 구분하면서 상기 공정 챔버와 세정 챔버 사이에 기판을 운송하기 위한 경로를 제공하는 내벽 및 상기 기판이 이송되는 중에 건조가스를 상기 평판 패널에 분사하는 에어 나이프 및 세정액을 상기 평판 패널에 분사하는 인샤워 나이프가 일체형으로 형성된 나이프 유닛을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 나이프 유닛은 예를 들어, 상기 내벽 일 측면에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에어 나이프는 제1 몸체부, 상기 제1 몸체부의 중심에서 상기 가스의 분사 방향을 아래로 기울어지게 하는 제1 가이드부 및 상기 제1 가이드부에 의해 유도된 상기 가스를 분사하는 제1 분사부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 인샤워 나이프는 제2 몸체부, 상기 제2 몸체부의 중심에서 상기 세정액의 분사 방향을 아래로 기울어지게 하는 제2 가이드부 및 상기 제2 가이드부에 의해 유도된 상기 세정액을 분사하는 제2 분사부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 분사부의 분사 방향은 상기 공정 챔버이며, 상기 제2 분사부의 분사 방향은 상기 세정 챔버이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에어 나이프 및 상기 인샤워 나이프와 상기 내벽은 일정 각도를 이루고 있다. 예를 들어, 상기 각도는 55도 내지 65도이다. 또한, 상기 에어 나이프 및 상기 인샤워 나이프와 상기 내벽이 이루는 각도는 상/하로 조절 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에어 나이프에 상기 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부 및 상기 인샤워 나이프에 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에어 나이프와 상기 건조가스 공급부 사이에 배치되어 상기 건조가스의 공급량을 조절하는 제1 밸브 및 상기 인샤워 나이프와 상기 세정액 공급부 사이에 배치되어 상기 세정액의 공급량을 조절하는 제2 밸브를 더 포함한다.
이러한 평판 패널 처리 장치에 따르면, 평판 패널 처리 장치는 건조가스를 분사는 에어 나이프 및 세정액을 분사하는 인샤워 나이프가 일체형으로 형성된 나이프 유닛을 포함한다. 따라서, 에어 나이프와 인샤워 나이프가 일체형으로 형성됨으로써 조립 부품 수 및 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 기판, 챔버 및 장치들의 두께와 크기 등은 그 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 나이프 유닛을 구체적으로 설명하기 위한 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 세정 챔버(120) 및 나이프 유닛(200)을 포함한다.
공정 챔버(110)는 평판 패널(G)에 대한 일련의 공정이 진행되는 공간을 마련한다. 공정 챔버(110)는 공정 종류에 따라 진공 상태를 유지하여야 한다. 따라서, 공정 챔버(110)는 외부로부터 밀폐되는 구조를 갖고, 예를 들어, 측벽으로 둘러싸여 이루어진다.
세정 챔버(120)는 평판 패널(G)을 세정하는 세정 공정이 진행되는 공간을 마련한다. 세정 챔버(120)는 공정 챔버(110)와 마찬가지로 외부로 밀폐되는 구조를 가지며, 이에 측벽으로 둘러싸여 이루어진다.
세정 챔버(120)는 공정 챔버(110)로부터 평판 패널(G)을 전달받아 공정에서 사용된 약액, 불순물 등을 제거한다. 따라서, 세정 챔버(120)는 공정 챔버(110)와 인접하게 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 세정 챔버(120)는 공정 챔버(110)와 내벽(130)을 사이에 두고 배치된다. 즉, 내벽(130)은 공정 챔버(110)와 세정 챔버(120)의 사이에 배치되어 챔버들의 공간을 구별한다. 예를 들면, 공정 챔버(110)와 세정 챔버(120)는 내벽(130)을 사이에 두고 양쪽으로 배치되며, 내벽(130)은 평판 패널(G)이 전달될 수 있는 공간을 갖는다. 따라서, 평판 패널(G)은 상기 공간을 통하여 전달된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정 챔버(110)와 세정 챔버(120)에 배치된 롤러(140)에 의하여 평판 패널(G)이 이송된다. 즉, 평판 패널(G)의 크기에 대응하는 롤러(140)가 평판 패널(G)을 공정 챔버(110)로부터 세정 챔버(120)로 이송시킨다. 롤러(140)는 복수의 샤프트(도시되지 않음)를 구비하여, 상기 샤프트가 회전에 의하여 평판 패널(G)을 이동시킨다. 이와 달리, 다른 이동 수단이 평판 패널(G)을 이송시킬 수 있다.
나이프 유닛(200)은 내벽(130)의 일 측면에 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 나이프 유닛(200)은 내벽(130)의 측면 중 세정 챔버(120) 측의 측면에 배치된다.
나이프 유닛(200)은 에어 나이프(300) 및 인샤워 나이프(400)를 포함한다.
에어 나이프(300)는 건조가스를 평판 패널(G)에 분사한다. 예를 들어, 공정 챔버(110)에서 일련의 공정이 종료된 평판 패널(G)에 약액이 완전하게 제거되지 않는 경우, 에어 나이프(300)는 건조가스를 분사하여 약액을 평판 패널(G)로부터 충분하게 건조시켜 제거한다. 즉, 에어 나이프(300)는 세정 챔버(120)로 전달되는 평판 패널(G)에 잔재하는 약액을 1차적으로 제거하기 위하여 건조가스를 분사한다. 건조가스는 예를 들어, DI(deionized) 가스를 포함한다. 이와 달리, 건조가스는 약액을 건조할 수 있다면 다양한 가스들을 포함할 수 있다.
에어 나이프(300)는 제1 몸체부(310), 제1 가이드부(320) 및 제1 분사부(330)를 포함한다. 예를 들어, 제1 몸체부(310)는 내벽(130)의 측면으로부터 일정 거리 이격되게 형성된다. 이는 제1 분사부(330)가 내벽(130)과 일정 각도를 이루며 건조가스를 분사하는 공간을 제공하기 위해서이다. 또한, 제1 가이드부(320)는 제1 몸체부(310)의 중심에서 건조가스의 분사 방향을 아래로 기울어지게 한다. 예를 들어, 제1 가이드부(320)는 제1 몸체부(310)의 내부에 실린더 형상으로 관통하여 형성된다. 즉, 제1 가이드부(320)는 공급되는 건조가스를 아래 방향으로 유도하여 제1 분사부(330)로 전달시키는 역할을 한다. 제1 분사부(330)는 제1 가이드부(320)를 통과하여 유도된 건조가스를 평판 패널(G)에 분사한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 분사부(330)의 분사 방향은 공정 챔버 측이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어 나이프(300)는 내벽(130)과 일정한 각 도(θ)를 이룬다. 상기 각도(θ)는 예를 들어, 55도 내지 65도이다. 바람직하게는 상기 각도(θ) 60도이다. 상기 각도(θ)는 이에 한정되지 않으며, 에어 나이프(300)가 평판 패널(G)에 건조가스를 전체적으로 균일하게 분사할 수만 있다면, 상기 각도(θ)는 다양하게 변경될 수 있다. 따라서, 에어 나이프(300)와 내벽(130)이 이루는 상기 각도(θ)는 상/하로 조절 가능하다.
평판 패널 처리 장치(100)는 에어 나이프(300)에 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부(340)를 더 포함한다. 또한, 평판 패널 처리 장치(100)는 에어 나이프(300)와 건조가스 공급부(340)의 사이에 배치되어 건조가스의 공급량을 조절하는 제1 밸브(350)를 더 포함한다. 따라서, 공정 종류에 따라 처리되는 약액의 양에 따라 상기 약액을 건조시켜 제거하기 위한 건조가스의 양이 제1 밸브(350)에 의해 조절된다.
인샤워 나이프(400)는 세정액을 평판 패널(G)에 분사한다. 예를 들어, 세정액은 탈이온수를 포함한다.
인샤워 나이프(400)는 제2 몸체부(410), 제2 가이드부(420) 및 제2 분사부(430)를 포함한다. 제2 몸체부(410)는 제1 몸체부(310)와 결합하여 형성된다. 예를 들어, 제2 몸체부(410)는 제1 몸체부(310)와 결합한 일체형으로 형성되어 내벽(130)과 일정 거리 이격되도록 형성된다. 또한, 제2 가이드부(420)는 제2 몸체부(410)의 중심에서 세정액의 분사 방향을 아래로 기울어지게 한다. 예를 들어, 제2 가이드부(420)는 제2 몸체부(410)의 내부에 실린더 형상으로 관통하여 형성된다. 즉, 제2 가이드부(420)는 공급되는 세정액을 아래 방향으로 유도하여 제2 분사 부(430)로 전달시킨다. 제2 분사부(430)는 제2 가이드부(430)으로부터 유도된 세정액을 평판 패널(G)에 분사한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 분사부(430)의 분사 방향은 세정 챔버 측이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 인샤워 나이프(400)는 에어 나이프(300)와 마찬가지로 내벽(130)과 일정한 각도(θ)를 이룬다. 상기 각도(θ)는 예를 들어, 55도 내지 65도이다. 바람직하게는 상기 각도(θ) 60도이다. 상기 각도(θ)는 이에 한정되지 않으며, 인샤워 나이프(400)가 평판 패널(G)에 세정액을 전체적으로 균일하게 분사할 수 있다면, 상기 각도(θ)는 다양하게 변경될 수 있다. 따라서, 인샤워 나이프(400)와 내벽(130)이 이루는 상기 각도(θ)는 상/하로 조절 가능하다. 특히, 에어 나이프(300)와 인샤워 나이프(400)가 일체형으로 형성되므로, 별도로 분사 각도를 조절하는 번거로움이 해소된다.
평판 패널 처리 장치(100)는 인샤워 나이프(400)에 세정액을 공급하는 세정액 공급부(440)를 더 포함한다. 또한, 평판 패널 처리 장치(100)는 인샤워 나이프(400)와 세정액 공급부(440)의 사이에 배치되어 세정액의 공급량을 조절하는 제2 밸브(450)를 더 포함한다. 따라서, 공정 종류에 따라 처리되는 약액의 양 또는 에어 나이프(300)의 건조가스의 분사량에 따라, 세정액의 양은 제2 밸브(450)에 의해 조절된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 공정 챔버(110)로부터 반출되는 평판 패널(G)에 잔재하는 약액을 건조시켜 제거하는 에어 나이프(300)와 세정 챔버(120)로 반입되는 평판 패널(G)에 세정액을 분사하는 인샤워 나이프(400)를 일체형으로 형성함으로써, 조립 부품 수 및 제조 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 조립 부품 수가 감소하므로, 유지 보수에 소요되는 비용 및 시간도 감소된다. 나아가, 독립적으로 구성되어 별도로 에어 나이프(300) 및/또는 인샤워 나이프(400)의 분사 각도를 조절하여야 하는 번거로움이 해소된다. 또한, 공정 챔버(110)와 세정 챔버(120)의 사이에서 에어 나이프(300)와 인샤워 나이프(400)가 간접 커튼 기능을 하므로, 미스트(mist)의 유입을 차단할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치는 나이프 유닛이 형성된 위치를 제외하고 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 패널 처리 장치와 동일한 구성을 가짐으로 그 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호 및 명칭을 사용하기로 한다.
도 3을 참조하면, 에어 나이프(300)와 인샤워 나이프(400)가 일체형으로 형성된 나이프 유닛(200)이 내벽(130)의 측면 중 공정 챔버(110) 측의 측면에 배치된다.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 나이프 유닛(200)은 공정 챔버(110) 측의 내벽(130)에 배치된다. 이는 에어 나이프(300)가 분사하는 건조가스가 기체이므로, 기체의 특성상 평판 패널(G)에 분사되면서 흩날려 세정 챔버(120)로 유입될 가능성을 배제하기 위함이다. 그러나, 앞에서 언급한 바와 같이, 나이프 유닛(200)이 공정 챔버(110)와 세정 챔버(120)의 사이에 배치되어 간접 커튼 기능을 하므로, 건조가스 및/또는 미스트의 유입을 차단할 수 있다.
또한, 건조가스가 세정 챔버(120)로 유입되거나 인샤워 나이프(400)에 의해 분사된 탈이온수가 평판 패널(G)에 잔재하는 경우, 세정 챔버(120)의 타측에 배치된 다른 에어 나이프(도시되지 않음)에 의하여 제거될 수 있다.
평판 패널 처리 장치(100)는 흡입 나이프(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 상기 흡입 나이프는 평판 패널(G)에 충분히 흡착되지 아니하여 흩날리는 약액을 빨아 들인다. 예를 들어, 건조가스를 분사하여 약액을 제거하기 전에 약액을 흡입하는 것이 바람직하므로, 흡입 나이프는 에어 나이프(300)에 비하여 공정 챔버(110) 쪽으로 근접하게 배치된다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 나이프 유닛(200)은 이송되는 평판 패널(G)의 상부면에 대하여 건조가스 및/또는 세정액을 분사한다. 이와 달리, 평판 패널 처리 장치(100)는 이송되는 평판 패널(G)의 하부면을 건조 및/또는 세정하기 위한 또 다른 나이프 유닛을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 나이프 유닛은 공정 챔버 측의 내벽 또는 세정 챔버 측의 내벽의 측면에 배치될 수 있다.
이와 같이, 공정 챔버(110)로부터 반출되는 평판 패널(G)에 잔재하는 약액을 건조시켜 제거하는 에어 나이프(300)와 세정 챔버(120)로 반입되는 평판 패널(G)에 세정액을 분사하는 인샤워 나이프(400)를 일체형으로 형성함으로써, 조립 부품 수 및 제조 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 조립 부품 수가 감소하므로, 유지 보수에 소요되는 비용 및 시간도 감소된다. 나아가, 독립적으로 구성되어 별도로 에어 나이프(300) 및/또는 인샤워 나이프(400)의 분사 각도를 조절하여야 하는 번거로움이 해소된다.
이와 같은 평판 패널 처리 장치에 따르면, 에어 나이프와 인샤워 나이프가 일체형으로 형성됨으로써 조립 부품 수 및 제조 비용을 감소시킬 수 있으며, 나이프 유닛이 일체형으로 형성됨으로써 유지 및/또는 보수에 소요되는 시간 및 비용이 감소된다. 또한, 공정 챔버와 세정 챔버 사이에 배치되어 간접 커튼 기능을 함으로써 미스트(mist)의 유입을 차단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 일련의 공정들을 연속적으로 수행하기 위하여 연속적으로 배치된 공정 챔버와 세정 챔버;
    상기 공정 챔버와 세정 챔버를 구분하면서 상기 공정 챔버와 세정 챔버 사이에 기판을 운송하기 위한 경로를 제공하는 내벽; 및
    상기 기판이 이송되는 중에 건조가스를 상기 평판 패널에 분사하는 에어 나이프 및 세정액을 상기 평판 패널에 분사하는 인샤워 나이프가 일체형으로 형성된 나이프 유닛을 포함하는 평판 패널 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 나이프 유닛은 상기 내벽 일 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 에어 나이프는
    제1 몸체부;
    상기 제1 몸체부의 중심에서 상기 가스의 분사 방향을 아래로 기울어지게 하는 제1 가이드부; 및
    상기 제1 가이드부에 의해 유도된 상기 가스를 분사하는 제1 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 인샤워 나이프는
    제2 몸체부;
    상기 제2 몸체부의 중심에서 상기 세정액의 분사 방향을 아래로 기울어지게 하는 제2 가이드부; 및
    상기 제2 가이드부에 의해 유도된 상기 세정액을 분사하는 제2 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 분사부의 분사 방향은 상기 공정 챔버이며, 상기 제2 분사부의 분사 방향은 상기 세정 챔버인 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 에어 나이프 및 상기 인샤워 나이프와 상기 내벽은 일정 각도를 이루는 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 각도는 55도 내지 65도 인 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 에어 나이프 및 상기 인샤워 나이프와 상기 내벽이 이루는 각도는 상/하로 조절 가능한 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 에어 나이프에 상기 건조가스를 공급하는 건조가스 공급부 및 상기 인샤워 나이프에 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 에어 나이프와 상기 건조가스 공급부 사이에 배치되어 상기 건조가스의 공급량을 조절하는 제1 밸브 및 상기 인샤워 나이프와 상기 세정액 공급부 사이에 배치되어 상기 세정액의 공급량을 조절하는 제2 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 패널 처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20150076864A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN110743722A (zh) * 2019-11-06 2020-02-04 徐州徐工精密工业科技有限公司 可调压式快速喷淋刀

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