JP2000223459A - 基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法 - Google Patents
基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法Info
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- JP2000223459A JP2000223459A JP11021325A JP2132599A JP2000223459A JP 2000223459 A JP2000223459 A JP 2000223459A JP 11021325 A JP11021325 A JP 11021325A JP 2132599 A JP2132599 A JP 2132599A JP 2000223459 A JP2000223459 A JP 2000223459A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明はノズル体から処理液を噴射した
後、その処理液がノズル体から滴下するのを防止した基
板の処理装置を提供することにある。 【解決手段】 処理液によって基板10を処理する処理
装置において、基板に処理液を噴射するノズル体14
と、このノズル体に接続されノズル体に処理液を供給す
る処理液供給管17a,17bと、上記ノズル体に接続
され上記処理液供給管からの処理液の供給が停止したと
きに上記ノズル体に圧縮気体を供給してこのノズル体に
残留する処理液を除去する気体供給管19とを具備した
ことを特徴とする。
後、その処理液がノズル体から滴下するのを防止した基
板の処理装置を提供することにある。 【解決手段】 処理液によって基板10を処理する処理
装置において、基板に処理液を噴射するノズル体14
と、このノズル体に接続されノズル体に処理液を供給す
る処理液供給管17a,17bと、上記ノズル体に接続
され上記処理液供給管からの処理液の供給が停止したと
きに上記ノズル体に圧縮気体を供給してこのノズル体に
残留する処理液を除去する気体供給管19とを具備した
ことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は処理液をノズル体
から噴射させて基板を処理する処理装置、液体がノズル
体から滴下するのを防止する液体の滴下防止装置及び基
板をエッチング処理するエッチング方法に関する。
から噴射させて基板を処理する処理装置、液体がノズル
体から滴下するのを防止する液体の滴下防止装置及び基
板をエッチング処理するエッチング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体ウエハや液晶用ガラス
基板などの基板に回路パターンを形成する場合、この基
板に対して種々のウエット処理が行われる。ウエット処
理には洗浄、現像、エッチングあるいは剥離などがあ
り、これらの処理においてはそれぞれの処理を行うため
の処理液が用いられる。
基板などの基板に回路パターンを形成する場合、この基
板に対して種々のウエット処理が行われる。ウエット処
理には洗浄、現像、エッチングあるいは剥離などがあ
り、これらの処理においてはそれぞれの処理を行うため
の処理液が用いられる。
【0003】上記基板を処理液で処理する場合、その処
理液をノズル体によって上記基板に向けて噴射するよう
にしている。処理液を基板に対して所定時間噴射して処
理が終了したならば、処理液の噴射を停止し、その基板
を除去して新たな基板を供給し、その新たな基板に対し
て同様な処理を行うようにしている。
理液をノズル体によって上記基板に向けて噴射するよう
にしている。処理液を基板に対して所定時間噴射して処
理が終了したならば、処理液の噴射を停止し、その基板
を除去して新たな基板を供給し、その新たな基板に対し
て同様な処理を行うようにしている。
【0004】ところで、上述したウエット処理に用いら
れる処理液は比較的粘度が低い。そのため、基板の処理
が終了して処理液の供給を停止しても、ノズル体内に残
留する処理液が滴下するということがある。そして、ノ
ズル体から滴下した処理液が新たな基板あるいは処理さ
れた基板などに滴下すると、その基板の処理状態にむら
が生じ、不良品の発生原因となる虞がある。
れる処理液は比較的粘度が低い。そのため、基板の処理
が終了して処理液の供給を停止しても、ノズル体内に残
留する処理液が滴下するということがある。そして、ノ
ズル体から滴下した処理液が新たな基板あるいは処理さ
れた基板などに滴下すると、その基板の処理状態にむら
が生じ、不良品の発生原因となる虞がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、ノズル体
から処理液を噴射して基板を処理する場合、噴射を停止
した後でノズル体に残留する処理液が基板に滴下するこ
とがあるため、その基板の処理状態にむらが生じるとい
うことがあった。
から処理液を噴射して基板を処理する場合、噴射を停止
した後でノズル体に残留する処理液が基板に滴下するこ
とがあるため、その基板の処理状態にむらが生じるとい
うことがあった。
【0006】この発明はノズル体から処理液などの液体
の噴射を停止した後に、そのノズル体から液体が滴下す
るのを防止した基板の処理装置、液体の滴下防止装置及
びエッチング処理方法を提供することにある。
の噴射を停止した後に、そのノズル体から液体が滴下す
るのを防止した基板の処理装置、液体の滴下防止装置及
びエッチング処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、処理
液によって基板を処理する処理装置において、基板に処
理液を噴射するノズル体と、このノズル体に接続されノ
ズル体に処理液を供給する処理液供給管と、上記ノズル
体に接続され上記処理液供給管からの処理液の供給が停
止したときに上記ノズル体に圧縮気体を供給してこのノ
ズル体に残留する処理液を除去する気体供給管とを具備
したことを特徴とする。
液によって基板を処理する処理装置において、基板に処
理液を噴射するノズル体と、このノズル体に接続されノ
ズル体に処理液を供給する処理液供給管と、上記ノズル
体に接続され上記処理液供給管からの処理液の供給が停
止したときに上記ノズル体に圧縮気体を供給してこのノ
ズル体に残留する処理液を除去する気体供給管とを具備
したことを特徴とする。
【0008】それによって、処理液の供給が停止すると
きにはノズル体内に残留する処理液が気体によって除去
されるから、ノズル体から処理液が滴下するのを防止す
ることができる。
きにはノズル体内に残留する処理液が気体によって除去
されるから、ノズル体から処理液が滴下するのを防止す
ることができる。
【0009】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記ノズル体には複数の通路を有するマニホールド
が接続され、このマニホールドの各通路にはそれぞれ異
なる種類の処理液を供給する複数の処理液供給管が接続
されていることを特徴とする。
て、上記ノズル体には複数の通路を有するマニホールド
が接続され、このマニホールドの各通路にはそれぞれ異
なる種類の処理液を供給する複数の処理液供給管が接続
されていることを特徴とする。
【0010】それによって、基板に複数の処理液を順次
噴射する際に、異なる種類の処理液が基板に滴下するの
を防止することができる。
噴射する際に、異なる種類の処理液が基板に滴下するの
を防止することができる。
【0011】請求項3の発明は、処理液によって基板を
処理する処理装置において、基板に処理液を噴射するノ
ズル体と、このノズル体が接続されたマニホールドと、
上記ノズル体に上記マニホールドを介して処理液を供給
する処理液供給管と、上記マニホールドに接続され上記
処理液供給管からの処理液の供給が停止したときに上記
マニホールドを介して上記ノズル体を大気に連通させる
大気開放手段とを具備したことを特徴とする。
処理する処理装置において、基板に処理液を噴射するノ
ズル体と、このノズル体が接続されたマニホールドと、
上記ノズル体に上記マニホールドを介して処理液を供給
する処理液供給管と、上記マニホールドに接続され上記
処理液供給管からの処理液の供給が停止したときに上記
マニホールドを介して上記ノズル体を大気に連通させる
大気開放手段とを具備したことを特徴とする。
【0012】それによって、処理液の供給が停止する
と、ノズル体がマニホールドを介して大気に連通するこ
とで、処理液供給管及びこれに連通するノズル体内に残
留する処理液が円滑に流出するから、ノズル体から処理
液が滴下するのを防止することができる。
と、ノズル体がマニホールドを介して大気に連通するこ
とで、処理液供給管及びこれに連通するノズル体内に残
留する処理液が円滑に流出するから、ノズル体から処理
液が滴下するのを防止することができる。
【0013】請求項4の発明は、ノズル体から液体の噴
射を停止したときに、そのノズル体から液体が滴下する
のを防止する液体の滴下防止装置において、上記ノズル
体に接続された液体供給管と、上記ノズル体に接続され
上記液体供給管からの液体の供給が停止したときに上記
ノズル体に圧縮気体を供給してこのノズル体に残留する
液体を除去する気体供給管とを具備したことを特徴とす
る。
射を停止したときに、そのノズル体から液体が滴下する
のを防止する液体の滴下防止装置において、上記ノズル
体に接続された液体供給管と、上記ノズル体に接続され
上記液体供給管からの液体の供給が停止したときに上記
ノズル体に圧縮気体を供給してこのノズル体に残留する
液体を除去する気体供給管とを具備したことを特徴とす
る。
【0014】それによって、液体の供給が停止するとき
にはノズル体内に残留する液体が気体によって除去され
るから、ノズル体から液体が滴下するのを防止すること
ができる。
にはノズル体内に残留する液体が気体によって除去され
るから、ノズル体から液体が滴下するのを防止すること
ができる。
【0015】請求項5の発明は、順次搬送されてくる基
板に対してノズル体からエッチング液を噴射してエッチ
ング処理を行うエッチング処理方法において、上記ノズ
ル体から上記基板に向けてエッチング液を所定時間噴射
する工程と、エッチング液の噴射を停止すると同時に上
記ノズル体へ圧縮気体を供給してノズル体内に残留する
エッチング液を除去する工程と、ノズル体からエッチン
グ液が除去された後、上記ノズル体から洗浄液を噴射さ
せて上記基板を洗浄する工程とを具備したことを特徴と
する。
板に対してノズル体からエッチング液を噴射してエッチ
ング処理を行うエッチング処理方法において、上記ノズ
ル体から上記基板に向けてエッチング液を所定時間噴射
する工程と、エッチング液の噴射を停止すると同時に上
記ノズル体へ圧縮気体を供給してノズル体内に残留する
エッチング液を除去する工程と、ノズル体からエッチン
グ液が除去された後、上記ノズル体から洗浄液を噴射さ
せて上記基板を洗浄する工程とを具備したことを特徴と
する。
【0016】それによって、基板に余計なエッチング液
や洗浄液が滴下するのを防止できるから、基板に対して
むらのない状態でエッチング処理を行うことが可能とな
る。
や洗浄液が滴下するのを防止できるから、基板に対して
むらのない状態でエッチング処理を行うことが可能とな
る。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の第1の実施の形
態を図1乃至図3を参照して説明する。
態を図1乃至図3を参照して説明する。
【0018】図1は半導体ウエハや液晶用ガラス基板な
どの基板を洗浄液、現像液、エッチング液あるいは剥離
液などの処理液によって処理するための処理装置を示
し、この処理装置は処理槽1を備えている。この処理槽
1は箱型状に形成されていて、その長手方向一端面には
搬入口2が形成され、他端面には搬入口2とほぼ同じ高
さで搬出口3が形成されている。
どの基板を洗浄液、現像液、エッチング液あるいは剥離
液などの処理液によって処理するための処理装置を示
し、この処理装置は処理槽1を備えている。この処理槽
1は箱型状に形成されていて、その長手方向一端面には
搬入口2が形成され、他端面には搬入口2とほぼ同じ高
さで搬出口3が形成されている。
【0019】上記処理槽1の内部と長手方向両端側には
それぞれ搬送機構4を構成する複数の搬送ローラ5が上
記搬入口2及び搬出口3とほぼ同じ高さ位置に設けられ
ている。各搬送ローラ5は図示せぬ駆動源によって回転
駆動されるようになっている。
それぞれ搬送機構4を構成する複数の搬送ローラ5が上
記搬入口2及び搬出口3とほぼ同じ高さ位置に設けられ
ている。各搬送ローラ5は図示せぬ駆動源によって回転
駆動されるようになっている。
【0020】それによって、上記処理槽1内には上記搬
送機構4によって上記搬入口2から基板10が搬入さ
れ、この処理槽1内で後述するように処理液によってウ
エット処理が行われた後、上記搬出口3から搬出される
ようになっている。
送機構4によって上記搬入口2から基板10が搬入さ
れ、この処理槽1内で後述するように処理液によってウ
エット処理が行われた後、上記搬出口3から搬出される
ようになっている。
【0021】上記処理槽1内には複数、この実施の形態
では2本のヘッダ管13が処理槽1の長手方向に所定間
隔で配設されている。各ヘッダ管13には複数のノズル
体14が所定間隔で設けられている。
では2本のヘッダ管13が処理槽1の長手方向に所定間
隔で配設されている。各ヘッダ管13には複数のノズル
体14が所定間隔で設けられている。
【0022】一対のヘッダ管13にはそれぞれ分岐管1
3bの一端が接続され、この分岐管13bの他端は接続
管13aを介してマニホールド15に形成された第1の
通路15aの一端に接続されている。このマニホールド
15には上記第1の通路15aに一端を連通させた第2
の通路15bと第3の通路15cとが形成されている。
この第2の通路15bの他端には第1の処理液供給源1
6aに連通した第1の処理液供給管17aが接続され、
第3の通路15cの他端には第2の処理液供給源16b
に連通した第2の処理液供給管17bが接続されてい
る。
3bの一端が接続され、この分岐管13bの他端は接続
管13aを介してマニホールド15に形成された第1の
通路15aの一端に接続されている。このマニホールド
15には上記第1の通路15aに一端を連通させた第2
の通路15bと第3の通路15cとが形成されている。
この第2の通路15bの他端には第1の処理液供給源1
6aに連通した第1の処理液供給管17aが接続され、
第3の通路15cの他端には第2の処理液供給源16b
に連通した第2の処理液供給管17bが接続されてい
る。
【0023】第1の処理液供給源16aと第2の処理液
供給源16bからは液体としての異なる種類の処理液が
供給されるようになっている。この実施の形態では、た
とえば第1の処理液供給源16aからはエッチング液が
供給され、第2の処理液供給源16bからは洗浄液が供
給されるようになっている。
供給源16bからは液体としての異なる種類の処理液が
供給されるようになっている。この実施の形態では、た
とえば第1の処理液供給源16aからはエッチング液が
供給され、第2の処理液供給源16bからは洗浄液が供
給されるようになっている。
【0024】なお、第1の処理液供給源16aから供給
処理液はエッチング液に代わり、現像液や剥離液などで
あってもよい。
処理液はエッチング液に代わり、現像液や剥離液などで
あってもよい。
【0025】上記第1の通路15aの他端には不活性ガ
スなどの圧縮気体供給源18に連通した気体供給管19
が接続されている。上記第1の処理液供給管17aには
第1の開閉制御弁21a及びこの第1の開閉制御弁21
aよりも下流側に第1の逆止弁22aが設けられ、上記
第2の処理液供給管17bには第2の開閉制御弁21b
及びこの第2の開閉制御弁21bよりも下流側に第2の
逆止弁22bが設けられている。上記気体供給管19に
は第3の開閉制御弁21c及びこの第3の開閉制御弁2
1cよりも下流側に第3の逆止弁22cが設けられてい
る。
スなどの圧縮気体供給源18に連通した気体供給管19
が接続されている。上記第1の処理液供給管17aには
第1の開閉制御弁21a及びこの第1の開閉制御弁21
aよりも下流側に第1の逆止弁22aが設けられ、上記
第2の処理液供給管17bには第2の開閉制御弁21b
及びこの第2の開閉制御弁21bよりも下流側に第2の
逆止弁22bが設けられている。上記気体供給管19に
は第3の開閉制御弁21c及びこの第3の開閉制御弁2
1cよりも下流側に第3の逆止弁22cが設けられてい
る。
【0026】上記第1の開閉制御弁21a、第2の開閉
制御弁21b、第3の開閉制御弁21c及び上記搬送機
構4はこれらの動作が制御装置25によって後述する所
定のタイミングで制御されるようになっている。
制御弁21b、第3の開閉制御弁21c及び上記搬送機
構4はこれらの動作が制御装置25によって後述する所
定のタイミングで制御されるようになっている。
【0027】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
を処理液で処理する場合の動作について説明する。ま
ず、搬送機構4によって処理槽1の所定の位置に基板1
0が搬送されてくると、上記搬送機構4が停止すると同
時に、第1の開閉制御弁21aが開かれて第1の処理液
供給源16aから処理液が第1の処理液供給管17を通
じて一対のヘッダ管13へ供給される。ヘッダ管13に
供給された処理液は、このヘッダ管13に設けられた複
数のノズル体14から基板10に向けて噴射される。そ
れによって、その基板10には処理液による所定のウエ
ット処理、この場合にはエッチング液によるエッチング
処理が行われる。
を処理液で処理する場合の動作について説明する。ま
ず、搬送機構4によって処理槽1の所定の位置に基板1
0が搬送されてくると、上記搬送機構4が停止すると同
時に、第1の開閉制御弁21aが開かれて第1の処理液
供給源16aから処理液が第1の処理液供給管17を通
じて一対のヘッダ管13へ供給される。ヘッダ管13に
供給された処理液は、このヘッダ管13に設けられた複
数のノズル体14から基板10に向けて噴射される。そ
れによって、その基板10には処理液による所定のウエ
ット処理、この場合にはエッチング液によるエッチング
処理が行われる。
【0028】エッチング液による処理が所定時間行われ
ると、第1の開閉制御弁21aが閉じられて処理液の供
給が停止させられると同時に、第3の開閉制御弁21c
が開かれ、気体供給管19を通じて圧縮気体供給源18
からの圧縮気体がヘッダ管13を通じて各ノズル体14
から噴射される。
ると、第1の開閉制御弁21aが閉じられて処理液の供
給が停止させられると同時に、第3の開閉制御弁21c
が開かれ、気体供給管19を通じて圧縮気体供給源18
からの圧縮気体がヘッダ管13を通じて各ノズル体14
から噴射される。
【0029】それによって、各ノズル体14に残留した
処理液が流出除去されることになるから、基板10を処
理液で処理した後に、各ノズル体14から処理液がその
基板10に滴下するのが防止されることになる。
処理液が流出除去されることになるから、基板10を処
理液で処理した後に、各ノズル体14から処理液がその
基板10に滴下するのが防止されることになる。
【0030】上記処理液がエッチング液の場合、所定時
間噴射後にエッチング液がノズル体14から基板10へ
滴下すると、その滴下した箇所と他の箇所とのエッチン
グ処理状態に差が生じることになる。しかしながら、上
述したようにエッチング液の噴射終了時にノズル体14
から圧縮気体を噴出させることで、そのようなことがな
くなるため、エッチング処理を均一に行えるようにな
る。ノズル体14からの圧縮気体の噴射は数秒程度行わ
れる。
間噴射後にエッチング液がノズル体14から基板10へ
滴下すると、その滴下した箇所と他の箇所とのエッチン
グ処理状態に差が生じることになる。しかしながら、上
述したようにエッチング液の噴射終了時にノズル体14
から圧縮気体を噴出させることで、そのようなことがな
くなるため、エッチング処理を均一に行えるようにな
る。ノズル体14からの圧縮気体の噴射は数秒程度行わ
れる。
【0031】つぎに、第2の開閉制御弁21bが開かれ
て第2の処理液供給源16bから処理液としての洗浄液
が供給され、各ノズル体14から基板10に向って所定
時間噴出される。それによって、基板10に付着したエ
ッチング液が洗浄除去されることになる。
て第2の処理液供給源16bから処理液としての洗浄液
が供給され、各ノズル体14から基板10に向って所定
時間噴出される。それによって、基板10に付着したエ
ッチング液が洗浄除去されることになる。
【0032】洗浄液の噴射が終了すると同時に、再び第
3の開閉制御弁21cが開かれてノズル体14から圧縮
気体が噴射され、ノズル体14に残留する洗浄液を除去
することになる。
3の開閉制御弁21cが開かれてノズル体14から圧縮
気体が噴射され、ノズル体14に残留する洗浄液を除去
することになる。
【0033】ついで、搬送機構4が作動して処理された
基板10が処理槽1から搬出されるとともに、未処理の
基板10が搬入される。処理槽1に未処理の基板10が
搬入されても、ノズル体14には洗浄液が残留していな
いから、その基板10に洗浄液が滴下するということが
ない。そのため、エッチング液を噴射してエッチング処
理を行う場合、洗浄液が滴下している部分のエッチング
反応速度が遅くなってエッチング処理にむらが生じるの
を防止できる。
基板10が処理槽1から搬出されるとともに、未処理の
基板10が搬入される。処理槽1に未処理の基板10が
搬入されても、ノズル体14には洗浄液が残留していな
いから、その基板10に洗浄液が滴下するということが
ない。そのため、エッチング液を噴射してエッチング処
理を行う場合、洗浄液が滴下している部分のエッチング
反応速度が遅くなってエッチング処理にむらが生じるの
を防止できる。
【0034】なお、第1の処理液供給源16aから供給
する処理液が現像液や剥離液の場合には、エッチング液
の場合と同様、基板10に対する現像処理や剥離処理に
むらが生じるのを防止することができる。
する処理液が現像液や剥離液の場合には、エッチング液
の場合と同様、基板10に対する現像処理や剥離処理に
むらが生じるのを防止することができる。
【0035】図4はこの発明の第2の実施の形態を示
す。なお、上記第1の実施の形態と同一部分には同一記
号を付して説明を省略する。つまり、この実施の形態
は、マニホールド15の第1の通路15aの他端に気体
供給管19に代わり開放管31の一端が接続されてい
る。この開放管31の中途部には制御装置25によって
開閉制御される第4の開閉制御弁32が設けられ、他端
は大気に開放している。
す。なお、上記第1の実施の形態と同一部分には同一記
号を付して説明を省略する。つまり、この実施の形態
は、マニホールド15の第1の通路15aの他端に気体
供給管19に代わり開放管31の一端が接続されてい
る。この開放管31の中途部には制御装置25によって
開閉制御される第4の開閉制御弁32が設けられ、他端
は大気に開放している。
【0036】上記第4の開閉制御弁32は、ノズル体1
4からの処理液の供給が停止したときに開放される。そ
れによって、マニホールド15の第1の通路15aを介
して上記ノズル体14のヘッダ管13が大気に連通する
から、ヘッダ管13及びノズル体14に残留する処理液
が円滑に流出する。
4からの処理液の供給が停止したときに開放される。そ
れによって、マニホールド15の第1の通路15aを介
して上記ノズル体14のヘッダ管13が大気に連通する
から、ヘッダ管13及びノズル体14に残留する処理液
が円滑に流出する。
【0037】したがって、その後、上記ノズル体14か
ら処理液が滴下する野を防止できるから、上記第1の実
施の形態と同様、基板10に対する処理にむらが生じる
のを防止することができる。
ら処理液が滴下する野を防止できるから、上記第1の実
施の形態と同様、基板10に対する処理にむらが生じる
のを防止することができる。
【0038】この発明は上記各実施の形態に限定され
ず、種々変形可能である。たとえば、上記各実施の形態
では基板にエッチング液と洗浄液を順次噴射する場合に
ついて説明したが、ノズル体から一種類の処理液だけを
噴射させる場合や三種類以上の処理液を噴射させる場合
にも、この発明を適用することができる。
ず、種々変形可能である。たとえば、上記各実施の形態
では基板にエッチング液と洗浄液を順次噴射する場合に
ついて説明したが、ノズル体から一種類の処理液だけを
噴射させる場合や三種類以上の処理液を噴射させる場合
にも、この発明を適用することができる。
【0039】また、上記各実施の形態では基板の処理装
置において処理液がノズル体から滴下するのを防止する
ようにしたが、ノズル体から液体を噴射させる場合であ
れば、処理装置以外にもこの発明を適用することができ
ること勿論である。
置において処理液がノズル体から滴下するのを防止する
ようにしたが、ノズル体から液体を噴射させる場合であ
れば、処理装置以外にもこの発明を適用することができ
ること勿論である。
【0040】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、ノズル体から
基板に向って噴射される処理液の供給を停止するとき
に、上記ノズル体に圧縮気体を供給することで、そのノ
ズル体に処理液が残留することがないようにした。
基板に向って噴射される処理液の供給を停止するとき
に、上記ノズル体に圧縮気体を供給することで、そのノ
ズル体に処理液が残留することがないようにした。
【0041】そのため、ノズル体から未処理の基板や処
理された基板に処理液が滴下するのを防止することがで
きるから、それにより基板に処理むらが生じるのをなく
すことができる。
理された基板に処理液が滴下するのを防止することがで
きるから、それにより基板に処理むらが生じるのをなく
すことができる。
【0042】請求項2の発明によれば、ノズル体をマニ
ホールドに接続し、このマニホールドに異なる種類の処
理液を供給する処理液供給管を接続するようにした。
ホールドに接続し、このマニホールドに異なる種類の処
理液を供給する処理液供給管を接続するようにした。
【0043】そのため、上記ノズル体から複数の処理液
を順次噴射せることができ、しかも噴射後に各処理液が
ノズル体から滴下するのを防止することができる。
を順次噴射せることができ、しかも噴射後に各処理液が
ノズル体から滴下するのを防止することができる。
【0044】請求項3の発明によれば、ノズル体から基
板に向って噴射される処理液の供給を停止したときに、
マニホールドを介して上記ノズル体を大気に開放するよ
うにした。
板に向って噴射される処理液の供給を停止したときに、
マニホールドを介して上記ノズル体を大気に開放するよ
うにした。
【0045】それによって、処理液供給管及びこれに連
通するノズル体内に残留する処理液を円滑に流出させる
ことができるから、その後、ノズル体から処理液が滴下
するのを防止することができる。
通するノズル体内に残留する処理液を円滑に流出させる
ことができるから、その後、ノズル体から処理液が滴下
するのを防止することができる。
【0046】請求項4の発明によれば、ノズル体から噴
射される液体の供給を停止するときに、上記ノズル体に
圧縮気体を供給することで、そのノズル体に液体が残留
することがないようにした。
射される液体の供給を停止するときに、上記ノズル体に
圧縮気体を供給することで、そのノズル体に液体が残留
することがないようにした。
【0047】そのため、液体の供給が停止するときには
ノズル体内に残留する液体が気体によって除去されるか
ら、ノズル体から液体が滴下するのを防止することがで
きる。
ノズル体内に残留する液体が気体によって除去されるか
ら、ノズル体から液体が滴下するのを防止することがで
きる。
【0048】請求項5の発明によれば、順次搬送されて
くる基板にエッチング処理する際に、その基板に余計な
エッチング液や洗浄液が滴下するのを防止できるから、
むらのない状態で均一なエッチング処理を行うことがで
きる。
くる基板にエッチング処理する際に、その基板に余計な
エッチング液や洗浄液が滴下するのを防止できるから、
むらのない状態で均一なエッチング処理を行うことがで
きる。
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す処理装置の
概略的構成図。
概略的構成図。
【図2】同じく配管系統図。
【図3】同じくマニホールドの断面図。
【図4】この発明の第2の実施の形態を示す処理装置の
概略的構成図。
概略的構成図。
10…基板 14…ノズル体 17a,17b…処理液供給管 19…気体供給管 21a〜21c…開閉制御弁
Claims (5)
- 【請求項1】 処理液によって基板を処理する処理装置
において、 基板に処理液を噴射するノズル体と、 このノズル体に接続されノズル体に処理液を供給する処
理液供給管と、 上記ノズル体に接続され上記処理液供給管からの処理液
の供給が停止したときに上記ノズル体に圧縮気体を供給
してこのノズル体に残留する処理液を除去する気体供給
管とを具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 【請求項2】 上記ノズル体には複数の通路を有するマ
ニホールドが接続され、このマニホールドの各通路には
それぞれ異なる種類の処理液を供給する複数の処理液供
給管が接続されていることを特徴とする請求項1記載の
基板の処理装置。 - 【請求項3】 処理液によって基板を処理する処理装置
において、 基板に処理液を噴射するノズル体と、 このノズル体が接続されたマニホールドと、 上記ノズル体に上記マニホールドを介して処理液を供給
する処理液供給管と、 上記マニホールドに接続され上記処理液供給管からの処
理液の供給が停止したときに上記マニホールドを介して
上記ノズル体を大気に連通させる大気開放手段とを具備
したことを特徴とする基板の処理装置。 - 【請求項4】 ノズル体から液体の噴射を停止したとき
に、そのノズル体から液体が滴下するのを防止する液体
の滴下防止装置において、 上記ノズル体に接続された液体供給管と、 上記ノズル体に接続され上記液体供給管からの液体の供
給が停止したときに上記ノズル体に圧縮気体を供給して
このノズル体に残留する液体を除去する気体供給管とを
具備したことを特徴とする液体の滴下防止装置。 - 【請求項5】 順次搬送されてくる基板に対してノズル
体からエッチング液を噴射してエッチング処理を行うエ
ッチング処理方法において、 上記ノズル体から上記基板に向けてエッチング液を所定
時間噴射する工程と、 エッチング液の噴射を停止すると同時に上記ノズル体へ
圧縮気体を供給してノズル体内に残留するエッチング液
を除去する工程と、 ノズル体からエッチング液が除去された後、上記ノズル
体から洗浄液を噴射させて上記基板を洗浄する工程とを
具備したことを特徴とするエッチング処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11021325A JP2000223459A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11021325A JP2000223459A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000223459A true JP2000223459A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12052002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11021325A Pending JP2000223459A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板の処理装置、液体の滴下防止装置及びエッチング処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000223459A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273060A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR101037171B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2011-05-26 | 주식회사 이코니 | 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치 |
KR101108974B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2012-01-31 | 주식회사 이코니 | 잔류 에칭액 제거 기능을 구비한 유리기판 에칭장치 |
JP2013128870A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 気体溶解水製造装置及び気体溶解水製造方法 |
KR20150040545A (ko) * | 2013-10-07 | 2015-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 |
JP2016010799A (ja) * | 2015-07-27 | 2016-01-21 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 二流体噴霧装置 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11021325A patent/JP2000223459A/ja active Pending
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