CN114649240A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

用于处理基板的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114649240A
CN114649240A CN202111569043.8A CN202111569043A CN114649240A CN 114649240 A CN114649240 A CN 114649240A CN 202111569043 A CN202111569043 A CN 202111569043A CN 114649240 A CN114649240 A CN 114649240A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wall
cup
substrate
outer cup
guide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111569043.8A
Other languages
English (en)
Inventor
金周援
徐准浩
朴崠云
尹相弼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN114649240A publication Critical patent/CN114649240A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于处理基板的装置，该装置包括：具有内部空间的处理容器；在内部空间支承并且旋转基板的支承单元；排放内部空间中的气流的排放单元，其中处理容器包括提供内部空间的外部杯状物；以及设置在内部空间处并与外部杯状物间隔开的内部杯状物，并且其中外部杯状物在其侧部壁处具有突起。

Description

用于处理基板的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月21日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0180312的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置，且更具体地，涉及一种用于通过将液体供应至旋转的基板上来处理基板的装置。
背景技术
进行各种工艺(例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺)以制造半导体装置或平板显示面板。在这些工艺中，光刻工艺包括向半导体基板供应光刻胶以在基板的表面上形成光刻胶膜，使用光掩模曝光光刻胶膜，并且然后供应显影液以选择性地除去光刻胶膜的部分。这些工艺是在工艺腔室中执行。
图1是说明用于将光刻胶施用至基板的基板处理装置1的示意图。参照图1，基板处理装置1包括具有内部空间的处理容器10、用于在内部空间中支承基板W的支承单元20、以及用于将处理液体82供应至放置在支承单元20上的基板W上的喷嘴30。处理容器10具有外部杯状物(outer cup)12和内部杯状物(inner cup)14。此外，用于将向下气流供应到内部空间中的风扇过滤器单元(未示出)设置在处理容器10的上方，以及用于排出处理液体的排出管60和用于排放处理空间中的气氛的排放管70被连接至内部空间的底部区域。
当具有图1中说明的结构的基板处理装置1在将处理液体82供应至旋转的基板上的情况下处理基板W时，基板W表面上的气流84通过离心力沿着基板W的旋转方向从基板W的中心朝向基板W的边缘流动。此后，气流84流入外部杯状物12与内部杯状物14之间的空间A1，与外部杯状物12的底部板碰撞，通过内部杯状物14与排放管70之间的空间A2流入排放管70，并且如图2中说明的被排出至外侧。此时，由于外部杯状物12与内部杯状物14之间的空间A1的宽度大于内部杯状物14与排放管70之间的空间A2的宽度，所以流入内部杯状物14与排放管70之间的空间A2的气流的体积减小，因此在外部杯状物12的底部板附近产生涡流。气流84在产生涡流的点处停滞，并且因此内部空间不能平顺地排空。
此外，当在基板W上形成处理液体82的膜时，涡流和停滞的气流阻碍了在基板W的边缘区域上方的气流。由于此，基板W的边缘区域上的薄膜的厚度大于基板W的中心区域上的薄膜的厚度。此外，由于涡流，诸如烟气等污染物会回流至基板W，从而污染基板W。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于改善处理基板的效率。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于在通过将处理液体供应至处理空间中的旋转的基板上来处理基板时平顺地排放处理空间中的气流。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于通过将处理液体供应到旋转的基板上而在基板的整个区域上形成具有均匀厚度的液体膜。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于在通过将处理液体供应至旋转的基板上来处理基板时防止污染物重新吸附至基板。
本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置。
该装置包括：处理容器，该处理容器具有内部空间；支承单元，该支承单元在内部空间中支承并且旋转基板；以及排放单元，该排放单元排放内部空间中的气流，其中该处理容器包括：外部杯状物，该外部杯状物提供内部空间；以及内部杯状物，该内部杯状物设置在内部空间处并且与外部杯状物间隔开，该外部杯状物包括设置在侧部壁处的突起。
在一实施方案中，该外部杯状物包括：底部壁；侧部壁，该侧部壁从底部壁的外部边缘向上延伸；以及顶部壁，该顶部壁从侧部壁向内延伸，以及该内部杯状物包括：外部壁，该外部壁与外部杯状物的侧部壁相对；内部壁，该内部壁与外部壁相反；以及顶部壁，该顶部壁连接外部壁与内部壁，并且该突起朝内部杯状物的外部壁突出。
在一实施方案中，该突起被形成为沿着该外部杯状物的侧部壁的圆周延伸，并且该突起与该外部杯状物的底部壁之间的距离是均匀的。
在一实施方案中，该突起被形成为沿着该外部杯状物的侧部壁的圆周延伸，并且该突起与该外部杯状物的底部壁之间的距离在从该外部杯状物的顶部端至底部壁的方向上逐渐减小。
在一实施方案中，该排放单元包括：排放管，该排放管设置在内部杯状物的内侧中；以及压力调节构件，该压力调节构件强制排放内部空间内的气流。
在一实施方案中，第一通道形成在该突起与该内部杯状物的外部壁之间，第二通道形成在该内部杯状物的外部壁与该排放单元之间，并且该第一通道的宽度和该第二通道的宽度设置为相等。
在一实施方案中，抽吸在第一通道处形成的气流的压力等于抽吸在第二通道处形成并被引入至第一通道中的气流的压力。
在一实施方案中，该外部杯状物的顶部壁包括：外部顶部壁，该外部顶部壁从外部杯状物的侧部壁向上延伸并倾斜；以及内部顶部壁，该内部顶部壁从外部杯状物的顶部壁向下延伸并倾斜，该内部顶部壁具有用于引入气流的孔。
在一实施方案中，该外部杯状物的内部顶部壁包括：顶部引导部，该顶部引导部设置在孔的上方；以及底部引导部，该底部引导部设置在孔的下方；顶部引导部和底部引导部分别至少部分地包括弯曲表面，并且顶部引导部的弯曲表面和底部引导部的弯曲表面配置(configure)孔的内侧。
在一实施方案中，顶部引导部的弯曲表面在与底部引导部的弯曲表面的弯曲方向相反的方向上弯曲。
在一实施方案中，顶部引导部的弯曲表面和底部引导部的弯曲表面分别设置为流线型形状。
在一实施方案中，该装置还包括液体供应单元，该液体供应单元向由支承单元支承的基板供应处理液体，该处理液体是光刻胶液体。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置。
该装置包括：处理容器，该处理容器具有内部空间；支承单元，该支承单元在内部空间支承并且旋转基板；排放单元，该排放单元排放内部空间中的气流，其中该处理容器包括：外部杯状物，该外部杯状物提供内部空间；以及内部杯状物，该内部杯状物设置在内部空间处并且与外部杯状物间隔开，该外部杯状物包括：底部壁；侧部壁，该侧部壁从底部壁向上延伸；外部顶部壁，该外部顶部壁从侧部壁向上倾斜；以及内部顶部壁，该内部顶部壁从外部顶部壁向下倾斜，该内部顶部壁包括：顶部引导部，该顶部引导部设置形成在内部顶部壁处的孔的上方；以及底部引导部，该底部引导部设置在孔的下方，该顶部引导部和该底部引导部分别配置孔的内侧、并且至少部分地包括设置成倒圆形状的弯曲表面。
在一实施方案中，顶部引导部的弯曲表面和底部引导部的弯曲表面分别设置为流线型形状。
在一实施方案中，顶部引导部的弯曲表面在与底部引导部的弯曲表面的弯曲方向相反的方向上弯曲。
在一实施方案中，内部顶部壁的孔的宽度随着其遵循从内部顶部壁的顶部表面至底部表面的方向而减小
在一实施方案中，外部杯状物包括突起，该突起设置在外部杯状物的侧部壁的、与内部杯状物的外部壁相对的部分处。
在一实施方案中，排放单元包括：排放管，该排放管设置在内部杯状物的内侧中；以及压力调节构件，该压力调节构件强制排放在内部空间内的气流，并且第一通道形成在突起与内部杯状物的外部壁之间，第二通道形成在内部杯状物的外部壁与排放单元之间，并且第一通道的宽度与第二通道的宽度设置为相等。
在一实施方案中，抽吸在第一通道处形成的气流的压力等于抽吸在第二通道处形成并被引入至第一通道中的气流的压力。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置。
该装置包括：处理容器，该处理容器具有内部空间；支承单元，该支承单元在内部空间支承并且旋转基板；以及排放单元，该排放单元排放内部空间中的气流，其中该处理容器包括：外部杯状物，该外部杯状物提供内部空间；以及内部杯状物，该内部杯状物与外部杯状物间隔开并且放置在内部空间中，该外部杯状物包括：底部壁；侧部壁，该侧部壁从底部壁向上延伸；外部顶部壁，该外部顶部壁从侧部壁向上倾斜；以及内部顶部壁，该内部顶部壁从外部顶部壁向下倾斜，该内部顶部壁包括：顶部引导部，该顶部引导部设置形成在内部顶部壁处的孔的上方；以及底部引导部，该底部引导部设置在孔的下方，该顶部引导部和该底部引导部分别配置该孔的内侧、并且至少部分地包括设置成倒圆形状的弯曲表面；该外部杯状物包括突起，该突起设置在外部杯状物的侧部壁的、与内部杯状物的外部壁相对的部分处；并且在该突起与该内部杯状物的外部壁之间形成的第一通道的宽度和在该内部杯状物的外部壁与排放管之间形成的第二通道的宽度设置为相等。
根据本发明构思，可以提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够改善基板处理的效率。
此外，当通过向处理空间中的旋转的基板供应处理液体来处理基板时，可以防止涡流和回流并且可以增加排放流速以平顺地排放处理空间中的气流。
此外，当将处理液体供应至旋转的基板以在基板上形成液体膜时，可以在基板的整个区域上均匀地提供液体膜的厚度。
此外，通过向旋转的基板供应处理液体来处理基板时，有可能防止污染物重新吸附至基板。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员能够从目前的说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且附图中：
图1为示出了具有一般结构的基板处理装置的剖视图，该一般结构用于在旋转基板的情况下在基板上执行液体处理；
图2为示出了在图1的基板处理装置处气流的流动的剖视图；
图3为示意性示出了本发明构思的基板处理装置的立体图；
图4为示出了图3的涂覆块(COT)和/或显影块(DEV)的基板处理装置的剖视图；
图5为图3的基板处理装置的平面图；
图6为示意性地示出了图5的传输机械手的平面图；
图7为示出了图5的热处理腔室的实施方案的示意性平面图；
图8为图5的热处理腔室的主视图；
图9为示出了根据本发明构思的实施方案的、用于通过将液体供应至旋转的基板上来处理基板的基板处理装置的结构的示意性剖视图；
图10为图9的基板处理装置的一部分的放大图；
图11为图9的基板处理装置的立体图；
图12为示出了当通过图9的装置对基板进行液体处理时处理容器的内部空间内的气流的流动路径的局部截面剖视图；
图13为示出了根据本发明构思的另一实施方案的、用于通过将液体供应至旋转的基板上来处理基板的基板处理装置的结构的示意性剖视图。
具体实施方式
本发明构思可以进行各种修改并且可以具有各种形式，且将在附图中示出并详细描述其具体实施方案。然而，根据本发明构思的实施方案并不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括包含在本发明构思的精神和技术范围内的所有变换、等同物和替换。在本发明构思的说明书中，当相关的已知技术使得本发明构思的本质不必要地不清楚时，将省略对它们的详细描述。此外，贯穿附图，相同的附图标记用于执行相似功能和功能的部件。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施方案的目的，且不旨在限制本发明构思。如本文中使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还应当理解，在本说明书中使用时，术语“包含(comprise，comprising)”和/或“包括(include，including)”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
单数表达包括复数表达，除非它们在上下文中具有不同的含义。此外，在附图中的元件的形状和尺寸可能被夸大以更清楚地解释。
如本文所使用的，术语“和/或”包括相关的所列项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代实施例或示例。另外，本文中的术语“被连接(connected)”或“连接(connecting)”不仅是指构件A和构件B直接彼此连接的情况，也包括在构件A和构件B之间插入构件C以间接彼此连接的情况。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明构思所属的领域中的技术人员所普遍接受的术语相同的含义。除非在本申请中明确定义，否则诸如在常用词典中定义的术语应被解释为与相关技术的内容一致，而不是理想的或过于正式的。
本发明构思的实施方案可以以各种方式进行修改，并且本发明构思的范围不应该被解释为限于以下实施方案。实施方案提供为将本发明构思更充分地说明给具有本领域普通的技术人员。因此，附图中的元件的形状被夸大以强调更清楚的解释。实施方案的设备可以用以在圆形基板上执行光刻工艺。特别地，实施方案的设备可以连接至曝光装置，并且可以用以在基板上执行施用工艺和显影工艺。然而，本发明构思的技术理念不限于此，并且可以在各种种类工艺中使用，这些工艺用于在旋转基板的情况下向基板供应处理液体。在下文中，将以晶圆作为基板使用的情况作为实施例进行描述。
在下文中，将参照图3至图12示出本发明构思的实施方案。
图3示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置，图4示出了图3的涂覆块或显影块，并且图5示出了图3的基板处理装置。
参照图3至图5，根据本发明构思的实施方案的基板处理装置10包括索引模块100、处理模块300和接口模块500。根据一实施方案，索引模块100、处理模块300和接口模块500顺序地排列成排。下文中，索引模块100、处理模块300以及接口模块500布置的方向被称作第一方向12，当从上方观察时垂直于第一方向12的方向将被称作第二方向14，并且与第一方向12和第二方向14这两者都垂直的方向将被称作第三方向16。
索引模块100将基板W从存储有基板W的容器F传输至处理模块300，并且从处理模块300取出经处理的基板W以被存储在容器F中。索引模块100设置有沿着第二方向14延伸的长度。索引模块100具有装载端口110和索引框架130。索引框架130放置在装载端口110与处理模块300之间。存储有基板W的容器F放置在装载端口110处。可以设置多个装载端口110，并且多个装载端口110可以沿着第二方向14放置。
对于容器F而言，可以使用封闭式容器F，例如前开式晶圆盒(front open unifiedpod，FOUP)。可以通过诸如高架(overhead)传输机、高架运输机或自动引导交通工具等传输工具(未示出)将容器F放置在装载端口110上，或者可以通过操作员将容器F放置在装载端口110上。
索引机械手132设置在索引框架130内侧。在索引框架130中，导轨136设置有沿着第二方向14延伸的长度，并且索引机械手132可以设置为在导轨136上可移动的。索引机械手132包括手部，基板W放置在手部上，并且手部可以设置为向前和向后可移动的、以第三方向16为轴线可旋转的、以及沿着第三方向16可移动的。
处理模块300可以在基板W上执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块300可以接收存储在容器F中的基板W并且执行基板处理工艺。处理模块300具有涂覆块(COT)300a和显影块(DEV)300b。涂覆块300a在基板W上执行涂覆工艺，并且显影块300b在基板W上执行显影工艺。设置有多个涂覆块300a，并且多个涂覆块300a彼此堆叠设置。设置有多个显影块300b，并且多个显影块300b彼此堆叠设置。根据图3的实施方案，设置有两个涂覆块300a，并且设置有两个显影块300b。涂覆块300a可以设置在显影块300b的下方。在实施方案中，两个涂覆块300a执行相同的工艺，并且可以设置为相同的结构。此外，两个显影块300b执行相同的工艺，并且可以设置为相同的结构。
参照图5，涂覆块300a包括热处理腔室320、传输腔室350、液体处理腔室360、以及缓冲腔室312和316。热处理腔室320可以是用于在基板W上执行热处理工艺的腔室。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室360将液体供应到基板W上，以形成液体层。液体层可以是光刻胶膜或抗反射膜。传输腔室350在涂覆块300a中的热处理腔室320与液体处理腔室360之间传输基板W。
传输腔室350设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。传输机械手352设置在传输腔室350中。传输机械手352在热处理腔室320、液体处理腔室360、与缓冲腔室312和316之间传输基板W。根据一实施方案，传输机械手352具有手部，基板W放置在手部上，并且手部可以设置为向前和向后可移动的、以第三方向16为轴线可旋转的、以及沿着第三方向16可移动的。导轨356设置在传输腔室350中使得其长度方向平行于第一方向，并且传输机械手352可以设置为在导轨356上可移动的。
图7示出了传输机械手的手部的实施例。参照图7，手部352具有基部352a和支承突起352b。基部352a可以具有环孔形状(annular ring shape)，其中圆周的一部分是弯曲的。基部352a的具有的内径大于基板W的直径。支承突起352b从基部352a向内延伸。设置有多个支承突起352b，并且多个支承突起352b支承基板W的边缘区域。根据实施方案，可以等间隔地设置四个支承突起352b。
设置有多个热处理腔室320。热处理腔室320沿着第一方向12布置。热处理腔室320放置在传输腔室350的一侧上。
图7示出图5的热处理腔室，以及图8示出根据本发明构思的实施方案的图7的热处理腔室。
参照图7和图8，热处理腔室320包括壳体321、冷却单元322、加热单元323和传输板324。
壳体321设置为大致矩形平行六面体形状(rectangular parallelepipedshape)。在壳体321的侧壁上设置有入口(未示出)，基板W通过该入口进入和离开。入口可以保持打开。选择性地，可以设置门(未示出)以打开和关闭入口。在壳体321中设置有冷却单元322、加热单元323和传输板324。冷却单元322和加热单元323沿着第二方向14并排设置。在实施方案中，冷却单元320可以比加热单元323更靠近传输腔室350放置。
冷却单元322具有冷却板322a。当从上方观察时，冷却板322a可以具有基本上圆形的形状。冷却板322a设置有冷却构件322b。在实施方案中，冷却构件322b形成在冷却板322a内侧，并且可以设置为冷却流体流动所通过的通道。
加热单元323具有加热板323a、盖(cover)323c和加热器323b。当从上方观察时，加热板323a具有大致圆形的形状。加热板323a具有比基板W大的直径。加热板323a配备有加热器323b。加热器323b可以利用施用电流的电阻加热元件来实施。加热板323a设置有沿着第三方向16竖直可移动的升降销323e。升降销323e从加热单元323外侧的传输工具接收基板W，并且将基板W向下放置在加热板323a上，或将基板W抬起离开加热板323a，并且将基板W传输至加热单元323外侧的传输工具。在实施方案中，可以设置三个升降销323e。盖323c具有在其中的空间，该空间在底部处为敞开的。盖323c位于加热板323a的上方并且通过驱动器323d在上/下方向上移动。通过移动盖323c来与加热板323a一起形成的空间起加热基板W的加热空间的作用。
传输板324具有大致圆形的形状，并且具有对应于基板W直径的直径。凹口324b形成在传输板324的边缘处。凹口324b可以具有对应于形成在传输机械手352的手部354上的突起352b的形状。此外，与在手部354上形成的突起352b一样多的凹口324b形成在对应于突起352b的位置中。当手部354和传输板324的竖直对准位置在竖直方向上改变时，基板W在手部354与传输板324之间传输。传输板324可以安装在导轨324d上，并且为通过驱动器324c沿着导轨324d可移动的。狭缝形状(slit shape)的多个导向槽324a设置在传输板324中。导向槽324a从传输板324的边缘向内延伸至传输板324的内侧中。导向槽324a设置有沿着第二方向14延伸的长度，并且导向槽324a定位为沿着第二方向14彼此间隔开。当基板W在传输板324与加热单元323之间移交时，导向槽324a防止传输板324和升降销323e彼此干扰。
以使具有基板W放置在其上的传输板324与冷却板322a接触的状态，冷却基板。为了在冷却板322a与基板W之间有效的热传输，传输板324由具有高热导率的材料形成。在实施方案中，传输板324可以由金属材料形成。
设置在一些热处理腔室320中的加热单元323可以在加热基板W的情况下供应气体、以改善光刻胶对基板W的粘附。在实施方案中，气体可以是六甲基乙硅烷(HMDS)气体。
设置有多个液体处理腔室360。一些液体处理腔室360可以彼此堆叠。液体处理腔室360位于传输腔室350的一侧上。液体处理腔室360沿着第一方向12并排布置。一些液体处理腔室360位于索引模块100附近。在下文中，这些液体处理腔室被称为前部液体处理腔室362。其他液体处理腔室360位于接口模块500附近。在下文中，这些液体处理腔室被称为后部液体处理腔室364。
前部液体处理腔室362中的每一个将第一液体施用至基板W上，以及后部液体处理腔室364中的每一个将第二液体施用至基板W上。第一液体和第二液体可以是不同类型的液体。在实施方案中，第一液体可以是用于形成抗反射层的液体，并且第二液体可以是用于形成光刻胶层的液体。可以将光刻胶施用至涂覆有抗反射膜的基板W上。选择性地，第一液体可以为光刻胶液体，并且第二液体可以为用于形成抗反射层的液体。在这种情况下，用于形成抗反射层的液体可以施用至涂覆有光刻胶层的基板W上。选择性地，第一液体和第二液体可以是相同类型的液体，并且第一液体和第二液体这两者都可以是用于光刻胶层的液体。
显影块300b具有与涂覆块300a相同的结构，并且提供至显影块300b的液体处理腔室向基板W供应显影溶液。
接口模块500将处理模块300与外部曝光装置700连接。接口模块500具有接口框架510、附加工艺腔室520、接口缓冲区530和接口机械手550。
形成向下气流的风扇过滤器单元可以设置在接口框架510的顶端处。附加工艺腔室520、接口缓冲区530和接口机械手550被布置在接口框架510中。在将在涂覆块300a中处理的基板W传输至曝光装置700之前，附加工艺腔室520可以执行预定的附加工艺。选择性地，在将在曝光装置700中处理的基板W传输至显影块300b之前，附加工艺腔室520可以执行预定的附加工艺。在实施方案中，附加工艺可以是曝光基板W的边缘区域的边缘曝光工艺、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁工艺、或清洁基板W的背侧的背侧清洁工艺。可以设置多个附加工艺腔室520，并且附加工艺腔室520可以彼此堆叠。所有的附加工艺腔室520可以设置为执行相同的工艺。选择性地，一些附加工艺腔室520可以设置为执行不同的工艺。
接口缓冲区530设置在涂覆块300a、附加工艺腔室520、曝光装置700与显影块300b之间传输的基板W在传输的情况下临时停留的空间。可以设置多个接口缓冲区530，并且多个接口缓冲区530可以彼此堆叠。
在实施方案中，附加工艺腔室520可以设置在与传输腔室350的纵向方向相反的延长线的一侧上，并且接口缓冲区530可以设置在延长线的相反侧上。
接口机械手550在涂覆块300a、附加工艺腔室520、曝光装置700与显影块300b之间传输基板W。接口机械手550可以具有用于传输基板W的传输手部。可以设置一个或多个接口机械手550。在实施方案中，接口机械手550具有第一机械手552和第二机械手554。第一机械手552可以设置为在涂覆块300a、附加工艺腔室520与接口缓冲区530之间传输基板W，并且第二机械手554可以在接口缓冲区530与曝光装置700之间传输基板W，并且第二机械手554可以在接口缓冲区530与显影块300b之间传输基板W。
第一机械手552和第二机械手554中的每一个均包括传输手部，基板W放置在该传输手部上，并且手部可以设置为向前和向后可移动的、相对于与第三方向16平行的轴线可旋转的、并且沿着第三方向16可移动的。
在下文中，将详细描述基板处理装置的结构，该基板处理装置用于通过将处理液体供应至本发明构思的基板处理装置中的旋转的基板上来处理基板。将举例说明基板处理装置是用于施用光刻胶的装置。然而，基板处理装置可以是用于在旋转的基板W上形成膜(诸如保护膜或抗反射膜)的装置。选择性地，基板处理装置可以是用于在基板W上供应处理液体82(诸如显影溶液)的装置。
图9示出了用于通过将处理液体供应至旋转的基板上来处理基板的基板处理装置的结构的本发明构思的实施方案，图10为示出了图9的基板处理装置的部分的放大图，并且图11为示出了图9的基板处理装置的立体图。
参见图9至图11，基板处理装置1000包括壳体1100、处理容器1200、支承单元1400、液体供应单元1600以及排放单元1700。
壳体1100可以设置为具有内部空间1120的矩形容器形状。可以在壳体1100的侧部壁中形成有开口1102。开口1102可以起入口/出口通道的作用，基板W通过该入口/出口通道进入和离开壳体1100。门(未示出)可以设置在壳体1100的侧部壁上并且打开和关闭开口1102。
处理容器1200可以设置在壳体1100的内部空间1120中。处理容器1200具有内部空间1280。内部空间1280在顶部处为敞开的。
支承单元1400在处理容器1200的内部空间1280中支承基板W。支承单元1400具有支承板1420、旋转轴1440以及驱动器1460。支承板1420具有圆形顶部表面。支承板1420具有比基板W小的直径。支承板1420通过真空压力支承基板W。选择性地，支承板1420可以具有支承基板W的机械夹持结构。旋转轴1440耦接至支承板1420的底部表面的中心，并且向旋转轴1440提供扭矩的驱动器1460耦接至旋转轴1440。驱动器1460可以是电动机(马达，motor)。
液体供应单元1600将处理液体82供应至基板W上。处理液体82可以是诸如光刻胶的涂覆溶液。液体供应单元1600具有喷嘴1620、喷嘴移动构件1640和液体供应源(未示出)。喷嘴1620可以包括一个或多个喷嘴。喷嘴1620将处理液体82供应至基板W上。喷嘴1620支承在喷嘴移动构件1640上。喷嘴移动构件1640在工艺位置与待机位置之间移动喷嘴单元1620。在工艺位置中，喷嘴1620将处理液体82供应至放置在支承板1420上的基板W上。在完全供应处理液体82之后，喷嘴1620在待机位置待机。在待机位置中，喷嘴1620在主端口(未示出)中待机。主端口位于壳体1100中的处理容器1200的外侧。
风扇过滤器单元1260设置在壳体1100的顶部壁内侧并且将向下的气流84供应至内部空间1120中。风扇过滤器单元1260具有将外侧空气引入内部空间1120的风扇和过滤外侧空气的过滤器。
排放管1140连接至壳体1100以便位于处理容器1200的外部，并且将供应到处理容器1200与壳体1100之间的空间中的气流84排放到外侧。
处理容器1200可以包括外部杯状物1220和内部杯状物1240。
外部杯状物1220可以设置为围绕支承单元1400并且围绕支承在支承单元1400上的基板W。外部杯状物1220具有底部壁1222，侧部壁1224以及顶部壁1226。外部杯状物1220的内侧被设置为上述的内部空间1280。
底部壁1222具有圆形形状并且在其中心具有开口。侧部壁1224从底部壁1222的外侧端向上延伸。侧部壁1224具有环形形状并且与底部壁1222垂直。根据实施方案，侧部壁1224延伸至的高度等于或略低于支承板1420的顶部表面的高度。顶部壁1226具有环形形状并且在其中心具有开口。顶部壁1226包括从侧部壁1224的顶端朝向外部杯状物1220的中心轴线向上延伸和倾斜的外部顶部壁，以及从外部顶部壁朝向基板向下延伸和倾斜的内部顶部壁。
外部杯状物1220包括从侧部壁1224的内部表面向内突出的突起1228。突起1228被形成为从侧部壁1224的内部表面的至少一部分向内突出。突起1228被形成为沿着外部杯状物1220的侧部壁1224的内部表面延伸。突起1228可以设置为面向内部杯状物1240的外部壁1244。突起1228可以位于外部杯状物1220的侧部壁1224与内部杯状物1240的外部壁1244之间的空间中。突起1228与内部杯状物1240的外部壁1244间隔开。突起1228与内部杯状物1240的外部壁1244之间的空间形成第一通道R1，气流84通过该第一通道R1移动。突起1228可以防止在外部杯状物1220的侧部壁1224与内部杯状物1240的外部壁1244之间引入的气流84倒流，或防止在外部杯状物1220的突起1228与内部杯状物1240的外部壁1244之间引入的气流84倒流。
外部杯状物1220包括形成在顶部壁1226中的孔1226c。当基板W旋转时，提供到基板W的上部区域的向下气流84通过离心力在从基板W的中心区域朝向基板W的边缘区域的方向上流动。在基板W的表面和与其相邻的区域中，气流84朝向基板W的外侧流动，同时在与基板W的旋转方向相同的方向上弯曲。当气流84偏离基板W的顶部表面时，气流84通过孔1226c流入外部杯状物1220与内部杯状物1240之间的空间，或者不通过孔1226c而流入外部杯状物1220与内部杯状物1240之间的空间。
孔1226c形成在内部顶部壁上。孔1226c包括在内部顶部壁中设置在孔1226c上方的顶部引导部1226a和设置在孔1226c下方的底部引导部1226b。顶部引导部1226a包括弯曲表面的至少一部分。底部引导部1226b包括弯曲表面的至少一部分。顶部引导部1226a的弯曲表面和底部引导部1226b的弯曲表面可以构成孔1226c的内部表面。
顶部引导部1226a的弯曲表面和底部引导部1226b的弯曲表面可以形成为彼此面对。孔1226c的宽度从内部顶部壁的顶部表面至内部顶部壁的下部表面减小。顶部引导部1226a的弯曲表面形成为在内部顶部壁的向下倾斜方向上凸出。底部引导部1226b的弯曲表面形成为在内部顶部壁的向下倾斜方向上凹入。即，顶部引导部1226a的弯曲表面弯曲的方向和底部引导部1226b的弯曲表面弯曲的方向可以彼此相反。顶部引导部1226a的弯曲表面和底部引导部1226b的弯曲表面可以形成为流线型形状。在这种情况下，引入孔1226c的气流84可以通过顶部引导部1246a和底部引导部1246b的弯曲表面以最小阻力被引入。此外，由于使施用至引入孔1226c的气流84的阻力最小化，因此可以防止气流84的流动分离现象，并且可以使气流84的移动速度的降低最小化，从而防止发生漩涡状的漩涡。因此，使通过防止排放体积的量的减少来使排放效率最大化成为可能。
内部杯状物1240位于外部杯状物1220内。内部杯状物1240具有内部壁1242、外部壁1244以及顶部壁1246。内部壁1242具有在上/下方向上贯穿的通孔。内部壁1242设置为围绕驱动器1460。内部壁1242使驱动器1460暴露至处理空间中的气流84最小化。支承单元1400的旋转轴1440或/和驱动器1460通过贯通孔在上/下方向上延伸。内部壁1242的下端可以位于外部杯状物1220的底部壁1222上。外部壁1244设置为与内部壁1242间隔开并且围绕内部壁1242。外部壁1244设置为与外部杯状物1220的侧部壁1224间隔开。外部壁1244设置为与外部杯状物1220的突起1228间隔开。内部壁1242设置为与外部杯状物1220的底部壁1222向上间隔开。顶部壁1246将外部壁1244的顶端连接至内部壁1242的顶端。顶部壁1246具有环形形状并且设置为围绕支承板1420。根据实施方案，顶部壁1246具有向上凸起的形状。顶部壁1246具有从外部壁1244的顶端朝向旋转轴1440向上倾斜的外部顶部壁1246a、和从顶部壁1246向下倾斜至内部壁1242的端部的内部顶部壁1246b。支承板1420可以位于由内部顶部壁1246b围绕的空间中。根据实施方案，顶部壁1226的最高点可以设置在支承板1420的外侧并且比由支承单元1400支承的基板W的端部更向内。后面描述的排放单元1700设置在内部杯状物1240的内部空间中。
用于排出处理液体82的排出管1250连接至外部杯状物1220的底部壁1222。排出管1250将引入外部杯状物1220的侧部壁1224与内部杯状物1240的外部壁1244之间的处理液体82排出至处理容器1200的外侧。根据实施方案，外部杯状物1220的侧部壁1224与气液分离板1230之间的空间设置为用于排出处理液体82的排出空间，并且排出管1250设置为从排出空间排出处理液体82。流入外部杯状物1220的侧部壁1224与内部杯状物1240的外部壁1244之间的空间的气流84流入由外部杯状物1220的侧部壁1224和底部壁1222所围成的空间、以及排放单元1700，并且流入排放单元1700的内侧并被排放。
可以提供一根或多根排出管1250。当设置多个排出管1250时，排出管1250可以沿着内部杯状物1250的圆周方向布置。
尽管未示出，但是可以提供用于调节外部杯状物1220相对于支承板1420的高度的提升/降低驱动器。根据实施方案，提升/降低驱动器可以在上/下方向上移动外部杯状物1220。例如，支承板1420位于比外部杯状物1220的顶端更高的位置，以防止当基板W加载至支承板1420上或从支承板1420卸载基板W时用于传输基板W的传输构件与外部杯状物1220之间的干扰。此外，当执行工艺时，支承板1420位于比外部杯状物1220的顶端更低的高度处，使得基板W位于处理空间内。
排放单元可以包括排放管1700。
排放管1700将引入处理容器1200的气流84排放至处理容器1200的外侧。根据实施方案，排放管1700位于内部杯状物1240的内部空间中。排放管1700可以延伸至内部杯状物1240的外部壁1244与内部壁1242之间的空间。排放管1700位于更靠近内部杯状物1240的内部壁1242，而不是内部杯状物1240的外部壁1244。例如，排放管1700与内部杯状物1240的内部壁1242接触。排放管1700与内部杯状物1240的外部壁1244间隔开。排放管1700与内部杯状物1240的外部壁1244之间的空间形成第二通道R2，气流84通过该第二通道R2移动。压力调节构件(未示出)安装在排放管1700中以强制抽吸排放空间1248中的气流84。压力调节构件可以时泵。压力调节构件向处理容器1200的内侧提供负压。
第一通道R1的距离d1形成为具有等于或类似于第二通道R2的距离d2的宽度。在这种情况下，由压力调节构件形成的负压形成为等于或类似于第一通道R1中的压力和第二通道R2中的压力。因此，用于降低在突起1228与内部杯状物1240的外部壁1240之间引入的气流84的负压，以及在突起1228与内部杯状物1240的外部壁1244之间引入的、并且在内部杯状物1240的外部壁1244与排放管1700之间抽吸的负压可以形成为相等的，并且可以在没有涡流或逆流的情况下被引入至排放管1700或被排放至外侧。
参考图1的基板处理装置，外部杯状物12的侧部壁与内部杯状物14的外部壁之间的距离形成为大于内部壁14的外部壁与排放管70之间的距离。根据图1的基板处理装置，外部杯状物12的侧部壁与内部杯状物14的外部壁之间的第一空间A1中形成的负压大于内部壁14的外部壁与排放管70之间的第二空间A2中形成的负压。在这种情况下，虽然流入第一空间A1的气流84的量更大，但是通过第二空间A2的气流的量较小，因此气流84在外部杯状物12的底部壁附近发生停滞，外部杯状物12的底部壁附近气流84的流动方向改变。由于气流84的停滞，气流84的涡流在外部杯状物12的底部壁附近产生，因此被引入外部杯状物12的侧部壁与排放管70之间的空间中的气流84流动回至第一空间A1中。
然而，根据本发明构思，第一通道R1的距离和第二通道R2的距离形成为相同的，使得在每个通道中形成的负压的量可以保持相同。因此，被引入第一通道R1的气流84可以通过第二通道R2被引入排放管1700而不会堵塞，从而防止气流堵塞、防止涡流产生和防止液体飞溅。
图12示出了当基板W通过图9的装置进行液体处理时处理容器的内部空间内的气流的流动路径。
参照图12，在涂覆工艺中，基板W被支承在支承板1420上并且由支承板1420旋转。此时，支承单元1400旋转基板W，使得由基板W的旋转产生的气流84流向气流导管3700的入口3722。外侧空气作为向下气流84从风扇过滤器单元1260向基板W供应。此外，处理液体82从喷嘴1620供应至基板W上。由于基板W的旋转，基板W的顶部表面上的气流84在基板W的旋转方向上弯曲的情况下朝向基板W的外侧流动。当气流84流动至基板W的外侧时，气流84和供应至基板W上的处理液体被引入外部杯状物1220的突起1228与内部杯状物1240的外部壁1244之间的第一通道R1中。引入第一通道R1的气流84通过第二通道84并流入排放管1700，然后通过排放管1700排放至处理容器1200的外侧。
被引入第一通道R1的气流84的一部分可以与外部杯状物1220的底部壁1222碰撞并且在相反方向上流动。在这种情况下，与底部壁1222碰撞并回溅的气流84与突起1228碰撞并流回至外部杯状物1220与排放管1700之间的空间中。重新引入的气流84通过第二通道R2并流入排放管1700，然后通过排放管1700排放至处理容器1200的外侧。同时，由于第一通道R1的向下气流，回溅的气流84不会流入第一通道R1。
在下文中，根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置1000将参考附图进行描述。
除了根据上述实施方案的基板处理装置和突起1228的构造之外，根据另一实施方案的基板处理装置被构造成与上述的基板处理装置大致相同。因此，在下文中，相同的附图标记被分配给相同的配置，省略冗余描述，并且将主要描述不同之处。
图13示意性地示出了根据本发明构思的另一实施方案的用于通过将液体供应至旋转的基板上来处理基板的基板处理装置的结构。
根据另一实施方案的基板处理装置1000包括从外部杯状物1220的侧部壁1224的内部表面向内突出的突起1229。突起1229形成为沿着外部杯状物1220的侧部壁1224的内部表面延伸。在这种情况下，根据实施方案的突起1228在底部壁1222与突起1228之间的距离保持相等的状态下延伸至外部杯状物1220的侧部壁1224。另一方面，根据另一实施方案的突起1229沿着外部杯状物1220的侧部壁1224的内表面以螺旋形状延伸。即，根据另一实施方案的突起1229与外部杯状物1220的底部壁1222之间的距离设置为从外部杯状物1220的顶端朝向底部壁1222减小。
除了突起1229之外，根据另一实施方案的基板处理装置以与根据实施方案的基板处理装置相同的方式构造，并且省略的描述可以参考根据实施方案的基板处理装置的描述。
以上描述举例说明了本发明概念。此外，上述内容描述了本发明构思的实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
处理容器，所述处理容器具有内部空间；
支承单元，所述支承单元在所述内部空间中支承并且旋转所述基板；以及
排放单元，所述排放单元排放所述内部空间中的气流，
其中，所述处理容器包括：
外部杯状物，所述外部杯状物提供所述内部空间；以及
内部杯状物，所述内部杯状物设置在所述内部空间处并且与所述外部杯状物间隔开，
所述外部杯状物包括设置在侧部壁处的突起。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外部杯状物包括：
底部壁；
侧部壁，所述侧部壁从所述底部壁的外部边缘向上延伸；以及
顶部壁，所述顶部壁从所述侧部壁向内延伸，以及
所述内部杯状物包括：
与所述外部杯状物的所述侧部壁相对的外部壁；
与所述外部壁相反的内部壁；以及
连接所述外部壁和所述内部壁的顶部壁，并且
所述突起朝向所述内部杯状物的所述外部壁突出。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述突起被形成为沿着所述外部杯状物的所述侧部壁的圆周延伸，并且所述突起与所述外部杯状物的所述底部壁之间的距离是均匀的。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述突起被形成为沿着所述外部杯状物的所述侧部壁的圆周延伸，并且所述突起与所述外部杯状物的所述底部壁之间的距离在从所述外部杯状物的顶端至所述底部壁的方向上逐渐减小。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述排放单元包括：
排放管，所述排放管设置在所述内部杯状物的内侧中；以及
压力调节构件，所述压力调节构件强制排放在所述内部空间内的气流。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，第一通道形成在所述突起与所述内部杯状物的所述外部壁之间，第二通道形成在所述内部杯状物的所述外部壁与所述排放单元之间，并且所述第一通道的宽度和所述第二通道的宽度设置为相等。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，抽吸在所述第一通道处形成的气流的压力等于抽吸在所述第二通道处形成并引入至所述第一通道中的气流的压力。
8.根据权利要求2所述的装置，其中，所述外部杯状物的所述顶部壁包括：
外部顶部壁，所述外部顶部壁从所述外部杯状物的所述侧部壁向上延伸并倾斜；以及
内部顶部壁，所述内部顶部壁从所述外部杯状物的所述顶部壁向下延伸并倾斜，
所述内部顶部壁具有用于引入气流的孔。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述外部杯状物的所述内部顶部壁包括设置在所述孔的上方的顶部引导部、以及设置在所述孔的下方的底部引导部，
所述顶部引导部和所述底部引导部分别至少部分地包括弯曲表面，并且
所述顶部引导部的所述弯曲表面和所述底部引导部的所述弯曲表面配置所述孔的内侧。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述顶部引导部的所述弯曲表面在与所述底部引导部的所述弯曲表面的弯曲方向相反的方向上弯曲。
11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述顶部引导部的所述弯曲表面和所述底部引导部的所述弯曲表面分别设置为流线型形状。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的装置，所述装置还包括液体供应单元，所述液体供应单元向由所述支承单元支承的所述基板供应处理液体，所述处理液体是光刻胶液体。
13.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
处理容器，所述处理容器具有内部空间；
支承单元，所述支承单元在所述内部空间中支承并且旋转所述基板；
排放单元，所述排放单元排放所述内部空间中的气流，
其中，所述处理容器包括：
外部杯状物，所述外部杯状物提供所述内部空间；以及
内部杯状物，所述内部杯状物设置在所述内部空间处并且与所述外部杯状物间隔开，
所述外部杯状物包括：
底部壁；
侧部壁，所述侧部壁从所述底部壁向上延伸；
外部顶部壁，所述外部顶部壁从所述侧部壁向上倾斜；以及
内部顶部壁，所述内部顶部壁从所述外部顶部壁向下倾斜，
所述内部顶部壁包括设置在孔的上方的顶部引导部、以及设置在所述孔的下方的底部引导部，所述孔在所述内部顶部壁处形成，
所述顶部引导部和所述底部引导部分别配置所述孔的内侧并且至少部分地包括设置成倒圆形状的弯曲表面。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述顶部引导部的所述弯曲表面和所述底部引导部的所述弯曲表面分别设置为流线型形状。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述顶部引导部的所述弯曲表面在与所述底部引导部的所述弯曲表面的弯曲方向相反的方向上弯曲。
16.根据权利要求13所述的装置，其中，所述内部顶部壁的所述孔的宽度随着遵循从所述内部顶部壁的顶部表面至底部表面的方向而减小。
17.根据权利要求13所述的装置，其中，所述外部杯状物包括突起，所述突起设置在所述外部杯状物的所述侧部壁的、与所述内部杯状物的所述外部壁相对的部分处。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述排放单元包括：
排放管，所述排放管设置在所述内部杯状物的内侧中；以及
压力调节构件，所述压力调节构件强制排放在所述内部空间内的气流，并且
第一通道形成在所述突起与所述内部杯状物的所述外部壁之间，第二通道形成在所述内部杯状物的所述外部壁与所述排放单元之间，并且所述第一通道的宽度与所述第二通道的宽度设置为相等。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，抽吸在所述第一通道处形成的气流的压力等于抽吸在所述第二通道处形成并引入至所述第一通道中的气流的压力。
20.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
处理容器，所述处理容器具有内部空间；
支承单元，所述支承单元在所述内部空间中支承并且旋转所述基板；以及
排放单元，所述排放单元排放所述内部空间中的气流，
其中，所述处理容器包括：
外部杯状物，所述外部杯状物提供所述内部空间；
内部杯状物，所述内部杯状物与所述外部杯状物间隔开并且放置在所述内部空间中，
所述外部杯状物包括：
底部壁；
侧部壁，所述侧部壁从所述底部壁向上延伸；
外部顶部壁，所述外部顶部壁从所述侧部壁向上倾斜；以及
内部顶部壁，所述内部顶部壁从所述外部顶部壁向下倾斜，
所述内部顶部壁包括设置在孔的上方的顶部引导部、以及设置在所述孔的下方的底部引导部，所述孔在所述内部顶部壁处形成，
所述顶部引导部和所述底部引导部分别配置所述孔的内侧并且至少部分地包括设置成倒圆形形状的弯曲表面，
所述外部杯状物包括突起，所述突起设置在所述外部杯状物的所述侧部壁的、与所述内部杯状物的所述外部壁相对的部分处，并且
所述突起与所述内部杯状物的所述外部壁之间形成的第一通道的宽度与所述内部杯状物的所述外部壁与排放管之间形成的第二通道的宽度设置为相等。
CN202111569043.8A 2020-12-21 2021-12-21 用于处理基板的装置 Pending CN114649240A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0180312 2020-12-21
KR1020200180312A KR102634281B1 (ko) 2020-12-21 2020-12-21 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114649240A true CN114649240A (zh) 2022-06-21

Family

ID=81993794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111569043.8A Pending CN114649240A (zh) 2020-12-21 2021-12-21 用于处理基板的装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11829070B2 (zh)
KR (1) KR102634281B1 (zh)
CN (1) CN114649240A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
CN117153740B (zh) * 2023-10-31 2024-02-09 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种晶圆加工装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6032189B2 (ja) * 1978-02-06 1985-07-26 株式会社リコー 二色画像再生装置
JPH0632189A (ja) 1992-07-10 1994-02-08 Toru Sugiyama エマージェンシーロールバー
JP4318913B2 (ja) * 2002-12-26 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
KR100629917B1 (ko) * 2004-02-09 2006-09-28 세메스 주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 도포 장치
KR20120036491A (ko) 2010-10-08 2012-04-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6022430B2 (ja) * 2012-11-21 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5996425B2 (ja) * 2012-12-28 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置を洗浄するための洗浄治具および洗浄方法、および基板処理システム
JP6032189B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
JP6287750B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6789155B2 (ja) * 2017-03-15 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及びカップ
KR102447277B1 (ko) * 2017-11-17 2022-09-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템
JP7067950B2 (ja) * 2018-02-16 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR102612183B1 (ko) * 2020-09-29 2023-12-13 세메스 주식회사 처리 용기 및 액처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102634281B1 (ko) 2024-02-07
KR20220089562A (ko) 2022-06-28
US11829070B2 (en) 2023-11-28
US20220197145A1 (en) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11148150B2 (en) Liquid dispensing nozzle and substrate treating apparatus
CN114649240A (zh) 用于处理基板的装置
JP7253029B2 (ja) 基板処理装置
US20220205090A1 (en) Apparatus for processing substrate
CN114530396A (zh) 用于处理基板的装置
CN114527625A (zh) 用于处理基板的设备
CN114530395A (zh) 用于处理基板的装置
JP7264969B2 (ja) 搬送ハンド及び基板処理装置
US20220208569A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102616130B1 (ko) 기판 처리 장치
CN118259553A (zh) 基板处理装置
JP7357111B1 (ja) 基板処理装置
US20230408925A1 (en) Apparatus for treating substrate
US20240213048A1 (en) Substrate processing apparatus
JP7515541B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN117153716A (zh) 用于处理基板的设备
US12125717B2 (en) Apparatus for treating substrate
KR20240102759A (ko) 기판 처리 장치
CN112289722B (zh) 用于处理基板的传送单元和装置
KR20230033795A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination