KR20090118826A - 도포 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20090118826A
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히로이치 이나다
노부히로 오가타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 도포 장치(2)는, 도포액에 연유하는 오염물의 기판(W) 이면의 주연부에 대한 부착이나 잔류를 방지하는 처리액의 액막을 형성하기 위한 액막 형성 기구(5)를 구비한다.
액막 형성 기구는, 기판 이면의 주연부에 대향한 대향면부(51)와 대향면부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(52A)를 갖는다. 또한, 도포 장치는 회전하는 기판의 주연부의 상하 흔들림을 억제하기 위해, 기판 유지부(21)의 주위에 배치된 자세 제어 기구(6)를 구비한다. 자세 제어 기구는, 주연부보다도 내측의 영역에 가스를 토출하는 토출 구멍(62A)을 기판의 회전 방향을 따라 갖는다.

Description

도포 장치 및 방법{APPLICATION APPARATUS AND APPLICATION METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 레지스트 등의 약액을 도포하는 도포 장치 및 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이 도포 장치를 구비한 도포·현상 장치 및 이 도포 방법을 실시하는 프로그램이 기억된 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 도포액을 기판 상에 스핀코팅법에 의해 도포하는 공정이 있다. 도포액으로서는 레지스트나, 그 외에 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이나 산화실리콘의 전구(前驅) 물질을 포함하는 절연막 형성용의 약액 등을 들 수 있다. 스핀코팅법은 반도체 웨이퍼(이하 간단히 웨이퍼라고도 함)나 LCD용의 유리 기판 등의 기판의 이면 중앙부를 스핀척에 흡착시킨다. 그리고, 도포액을 기판의 표면 중앙부에 공급하고, 이 스핀척을 수직축 둘레로 회전시켜, 이 도포액을 원심력에 의해 기판이나 웨이퍼의 주연부로 퍼뜨린다.
그런데 환경 문제의 심각화에 의해, 유기 용제의 사용량 및 대기 중으로의 배출량의 저감이 요구되고 있다. 이에 따라, 예컨대 상기 스핀코팅법을 행하는 레지스트 도포 장치에 있어서는, 레지스트를 웨이퍼에 도포하기 전에 웨이퍼에 유기 용제를 공급하고, 웨이퍼와 레지스트의 친화성을 좋게 하고 나서 이 웨이퍼에 레지 스트를 공급하여, 레지스트 사용량을 감소시키는 레지스트 절약 도포법이 행해지는 경우가 있다. 이 레지스트 절약 도포법에 있어서는, 레지스트의 사용량을 억제함으로써, 이 레지스트에 포함되는 유기 용제의 사용량이 저감되기 때문에, 1장의 웨이퍼에 성막하는데 소요되는 유기 용제의 사용 총량이 저감된다.
그러나, 상기한 바와 같이 스핀코팅에 의해 레지스트막(R)을 형성할 때에는, 웨이퍼(W)에 공급된 레지스트가 미스트(M)로 되어 비산하고, 도 24a에 도시하는 바와 같이, 그 비산한 미스트(M)가 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 부착되는 경우가 있다. 이 미스트(M)가 파티클이 되어 정상적인 레지스트 패턴 형성을 방해하는 것을 막기 위해, 도 24b에 도시하는 바와 같이, 이면 세정 노즐(11)로부터 웨이퍼(W)의 이면측에 시너 등의 용제를 공급하여 미스트(M)를 씻어내는 공정이 행해지고 있다.
이 이면 세정 노즐(11)에 의한 이면 세정 공정은, 레지스트 도포 장치가 포함되는 도포·현상 장치에 있어서의 각 공정 중에서 가장 많은 용제를 사용하는 공정이 되는 경우가 있고, 예컨대 웨이퍼 1장당에 20 cc의 용제가 사용된다. 도포·현상 장치에서는 1개월당 600장의 웨이퍼의 도포, 현상 처리가 행해진다고 한 경우는, 상기 용도에서의 용제의 사용량이 20 cc이면, 이 레지스트 도포 장치에 있어서 상기 용제의 1개월 사용량은 120톤이 된다. 레지스트 도포 장치에 대해 설명해 왔지만, 그 이외에도 전술한 바와 같이 각종의 약액을 도포하여 그 약액에 따른 막을 기판에 형성하는 장치에 있어서, 레지스트막 형성 모듈과 마찬가지로 이면 세정이 행해지는 경우가 있다. 이 때문에, 상기 이면 세정에 있어서의 유기 용제의 사용량이 문제되고 있다.
스핀코팅은, 액의 비산을 억제하기 위해 그 아래쪽에 흡인로가 접속된 컵 내에서 행해지고, 이 흡인로를 통해 컵 안을 흡인함으로써 컵 내에 배기류가 형성된다. 그런데, 컵의 구조를 변경함으로써 배기류를 제어하고, 웨이퍼(W)에 대한 미스트(M)의 부착을 저감시키는 것도 검토되고 있다. 그러나, 이 경우, 미스트의 부착을 완전히 억제할 수는 없기 때문에, 여전히 이면 세정에 있어서의 용제의 사용량은 적어지지 않는다. 오히려 파티클 오염을 보다 확실하게 억제하기 위해, 이전보다도 다량의 용제를 이용하여 미스트를 씻어내는 것을 행하고 있는 경우도 있다. 일본 특허 공개 평성 제2-16447호(도 1)에는 웨이퍼를 부상시켜 레지스트를 도포하는 도포 장치에 대해 기재되어 있지만, 상기 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다.
본 발명은, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 도포 장치에 있어서, 기판의 이면을 세정하기 위한 용제의 사용량을 억제할 수 있는 도포 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 이 도포 장치를 구비한 도포·현상 장치 및 이 도포 방법을 실시하는 프로그램이 기억된 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 양태는, 도포 장치에 있어서, 기판 이면의 중앙부를 유지하여 상기 기판을 수평으로 지지하기 위한 기판 유지부와, 상기 기판 표면의 중앙부에 도포액을 공급하기 위한 도포 노즐과, 상기 기판 유지부를 수직축 둘레로 회전시켜, 상기 기판의 중앙부에 공급된 상기 도포액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 퍼뜨려 상기 도포액의 막을 형성하기 위한 회전 구동부와, 상기 도포액에 연유하는 오염물의 상기 기판 이면의 주연부에 대한 부착이나 잔류를 방지하는 처리액의 액막을 형성하기 위한 액막 형성 기구로서, 상기 기판 이면의 주연부에 대향한 대향면부와 이 대향면부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고, 상기 처리액을 표면 장력에 의해 상기 대향면부와 회전하는 상기 기판의 주연부에 흡착시킴으로써 상기 액막을 형성하는 것인 액막 형성 기구와, 회전하는 상기 기판 주연부의 상하 흔들림을 억제하기 위해, 상기 기판 유지부의 주위에 배치된 자세 제어 기구로서, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다 도 내측의 영역에 가스를 토출하는 토출 구멍을 상기 기판의 회전 방향을 따라 구비하는 것인 자세 제어 기구를 포함한다.
상기 도포 장치의 특정 동작을 제어하는 제어부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판에 상기 도포액을 공급할 때에 상기 기판을 제1 회전수로 회전시키며, 상기 도포액의 공급을 정지하고, 상기 기판에 있어서의 상기 도포액의 면내 분포를 조정하기 위해, 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 상기 기판을 회전시키고, 상기 도포액을 더 건조시키기 위해, 상기 기판을 상기 제2 회전수보다도 높은 제3 회전수로 회전시키면서, 상기 액막 형성 기구의 상기 대향면부에 상기 처리액을 공급하는, 제어를 행하도록 미리 설정될 수 있다.
상기 자세 제어 기구는, 회전하는 상기 기판의 주연부의 상하 흔들림을 상기 토출 구멍에 의한 가스의 토출과 협동하여 억제하기 위해, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역을 흡인하는 흡인 구멍을 갖고, 상기 흡인 구멍은 상기 기판의 회전 방향을 따라 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 토출 구멍 및 상기 흡인 구멍은, 상기 기판의 회전 방향 및 상기 기판의 직경 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다.
상기 자세 제어 기구를, 상기 기판의 상기 주연부의 흔들림을 제어하기 위한 작용 위치와, 그 아래쪽의 대기 위치 사이에서 승강시키기 위한 제1 승강 기구를 더 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 액막 형성 기구를, 상기 액막을 형성하기 위한 액막 형성 위치와, 그 아래쪽의 대기 위치 사이에서 승강시키기 위한 제2 승강 기구를 더 구비하고, 상기 제2 승강 기구는, 액막 형성 기구의 상기 기판에 대한 접 촉을 억제하기 위해 상기 자세 제어 기구의 상기 토출 구멍으로부터 가스가 토출될 때에, 상기 액막 형성 기구를 상기 대기 위치로부터 상기 액막 형성 위치로 상승시킬 수 있다.
상기 액막 형성 기구에는, 불필요하게 된 상기 액막을 형성하는 상기 처리액을 제거하기 위한 배액부가 설치될 수 있다. 상기 기판 유지부 및 상기 액막 형성 기구는 상기 도포액의 비산을 억제하기 위한 컵 내부의 처리 분위기 내에 배치되고, 상기 회전 구동부는 구획 부재에 의해 상기 처리 분위기로부터 구획된 비처리 분위기 내에 배치되며, 상기 처리 분위기에 배기로가 접속되고, 상기 비처리 분위기 내의 가스를 상기 기판 유지부의 회전에 의해 상기 처리 분위기에 끌어들이기 위한 가스 유로가 상기 구획 부재에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 가스 유로를 통한 상기 비처리 분위기로부터 상기 처리 분위기로의 가스의 유통을 제어하기 위한 유통 제어부가 설치될 수 있다. 상기 유통 제어부는, 상기 가스 유로를 개폐하기 위한 셔터를 구비할 수 있다. 상기 액막을 링형으로 형성하기 위해, 상기 액막 형성 기구는 상기 기판의 회전 방향을 따라 링형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 양태는, 도포 방법으로서, 기판 유지부에 의해 기판 이면의 중앙부를 유지하여 상기 기판을 수평으로 유지하는 공정과, 도포 노즐에 의해 상기 기판의 표면 중앙부에 도포액을 공급하는 공정과, 회전 구동부에 의해 상기 기판 유지부를 수직축 둘레로 제1 회전수로 회전시켜, 상기 기판의 중앙부에 공급된 상기 도포액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 퍼뜨려 상기 도포액의 막을 형성하는 공정과, 상기 기판의 이면측의 주연부에 대향하도록 형성된 대향부를 갖는 액 막 형성 기구에 의해, 상기 도포액에 연유하는 오염물의 상기 기판 이면의 주연부에 대한 부착이나 잔류를 방지하는 처리액의 액막을 형성하는 공정으로서, 상기 대향면부에 상기 액막 형성 기구의 처리액 공급부로부터 상기 처리액을 공급하고, 상기 처리액을 표면 장력에 의해 상기 대향면부와 회전하는 상기 기판의 주연부에 흡착시킴으로써 상기 액막을 형성하는 것인 처리액의 액막 형성 공정과, 상기 기판 유지부의 주위에 배치되고 또한 상기 기판의 회전 방향을 따라 형성된 토출 구멍을 갖는 자세 제어 기구에 의해, 회전하는 상기 기판의 주연부의 상하 흔들림을 억제하는 공정으로서, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역에 가스를 상기 토출 구멍으로부터 토출하는 것인 기판의 주연부의 상하 흔들림 억제 공정을 포함한다.
상기 도포액의 막을 형성하는 공정 후, 상기 도포액의 공급을 정지하여, 상기 도포액의 상기 기판의 면내 분포를 조정하기 위해 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 상기 기판을 회전시키는 공정을 더 포함하고, 그 후 상기 기판을 상기 제2 회전수보다도 높은 제3 회전수로 회전시켜 상기 도포액을 건조시키면서, 상기 액막 형성 기구의 상기 대향면부에 상기 처리액을 공급하는 공정을 행할 수 있다. 상기 기판의 회전 중에 상기 액막을 구성하는 상기 처리액을 제거하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 자세 제어 기구는, 상기 기판의 회전 방향을 따라 배치된 흡인 구멍을 구비하고, 상기 흔들림을 억제하는 공정은, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역을 상기 흡인 구멍에 의해 흡인함으로써, 회전하는 상기 기판의 상기 주연부의 상하 흔들림을 상기 토출 구멍 에 의한 가스의 토출과 협동하여 억제할 수 있다.
상기 자세 제어 기구의 상기 토출 구멍으로부터 가스를 토출시키면서, 상기 자세 제어 기구를 아래쪽의 대기 위치로부터 상기 기판의 상기 주연부의 흔들림을 제어하기 위한 작용 위치로 상승시키는 공정을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 자세 제어 기구를 상승시키는 공정을 행하고, 상기 액막 형성 기구를 아래쪽의 대기 위치로부터 상기 액막을 형성하기 위한 액막 형성 위치로 상승시키는 공정을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 유지부 및 상기 액막 형성 기구는 상기 도포액의 비산을 억제하기 위한 컵 내부의 처리 분위기 내에 배치되고, 상기 회전 구동부는 구획 부재에 의해 상기 처리 분위기로부터 구획된 비처리 분위기 내에 배치되며, 상기 도포 방법은, 상기 처리 분위기를 배기하는 공정과, 상기 기판 유지부의 회전에 의해 가스를 상기 구획 부재에 배치된 가스 유로를 통해 상기 비처리 분위기로부터 상기 처리 분위기로 유입시키는 공정과, 상기 가스 유로를 통해 상기 비처리 분위기로부터 상기 처리 분위기로의 가스의 유통을 제어하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제3 양태는, 제1 양태의 도포 장치를 구비하는 도포·현상 장치로서, 기판을 수납한 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과, 상기 캐리어로부터 빼내어진 상기 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 상기 도포 장치를 구비하는 도포부와, 노광후의 상기 기판을 현상하는 현상부를 포함하는 처리 블록과, 상기 처리 블록과 레지스트가 도포된 상기 기판을 노광하는 노광 장치와의 사이에서 상기 기판의 전달을 행하는 인터페이스 블록을 포함한다.
본 발명의 제4 양태는, 제2 양태의 도포 방법을 행하기 위한 프로세서 상에서 실행하는 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체로서, 상기 프로그램 지령은, 프로세서에 의해 실행될 때에, 회전하는 기판에 도포액을 공급하여 도포하는 도포 장치에 제2 양태의 도포 방법을 실행시킨다.
본 발명에 따르면, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성할 때에, 기판의 이면을 세정하기 위한 용제의 사용량을 억제할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 구체적으로 설명한다.
본 발명의 실시형태에 따른 도포 장치인 레지스트 도포 장치(2)에 대해 도 1, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1, 도 2는 각각 레지스트 도포 장치(2)의 종방향 측단면도와, 횡방향 평단면도이다. 도 1 중의 21은 기판 유지부를 이루는 스핀척이고, 진공 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하도록 구성된다. 이 스핀척(21)은 접속부(21a)를 통해 모터 등을 포함하는 회전 구동부(22)에 의해 수직축 둘레로 회전할 수 있다. 스핀척(21)의 하측에는 레지스트 도포 장치(2)를 상하로 구획하는 대략 원형인 다이어프램(23)이 설치된다. 구획 부재인 다이어프램(23)의 주연부측은 단면 형상이 산 형상으로 형성되고, 그 외주 가장자리는 하측으로 굴곡하여 연장되고 있다. 상측이 개방된 컵체(24)가 스핀척(21) 및 다이어프램(23)을 둘러싸도록 배치된다.
이 컵체(24)의 측방 둘레면과 다이어프램(23)의 외주 가장자리 사이에 배출로를 이루는 간극(24a)이 형성된다. 컵체(24)의 하측은, 다이어프램(23)의 외주 가장자리 부분과 함께 굴곡로를 형성하고 기액(氣液) 분리부를 구성한다. 또한, 컵체(24)의 저부의 내측 영역에는 배기구(25)가 형성되고, 이 배기구(25)에는 배기관(25a)이 접속된다. 또한, 컵체(24)의 저부의 외측영역에는 배액구(26)가 형성되고, 이 배액구(26)에는 배액관(26a)이 접속된다.
또한, 레지스트 도포 장치(2)는, 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 도포액으로서 레지스트를 공급하기 위한 도포 노즐인 레지스트 노즐(31A), 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 용제, 예컨대 시너를 공급하기 위한 용제 노즐(31B), 웨이퍼 표면의 주연부에 상기 용제를 공급하기 위한 용제 노즐(31C)을 구비한다. 각 노즐(31A, 31B, 31C)은 각각 액 공급관(32A, 32B, 32C)을 통해, 레지스트가 저류된 레지스트 공급원(33A), 용제 예컨대 시너가 저류된 용제 공급원(33B), 용제 공급원(33C)에 접속된다. 각 액 공급관(32A, 32B, 32C)에는, 밸브나 질량 유량계 등으로 구성된 액 공급 기기군(34A, 34B, 34C)이 각각 설치된다. 이들 액 공급 기기군(34A, 34B, 34C)은 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받아 각 공급원(33A, 33B, 33C)으로부터의 액의 각 노즐(31A, 31B, 31C)에 대한 공급/차단을 각각 제어한다.
노즐(31A, 31B, 31C)은 아암(35A, 35B, 35C)을 통해 이동 기구(36A, 36B, 36C)에 각각 접속되어, 가이드 레일(37)을 따라 스핀척(21)에 적재된 웨이퍼(W)의 일단으로부터 타단으로 이동할 수 있다. 38A, 38B, 38C는 노즐(31A, 31B, 31C)의 각각의 대기 영역이다.
도 3a에 도시하는 바와 같이, 다이어프램(23)에는 4분할된 링형의 슬릿(41)이 스핀척(21)과 구동부(22)의 접속부(21a)를 둘러싸도록 형성되고, 슬릿(41)의 폭(L1)은 예컨대 5 ㎜이다. 가스 유로를 이루는 슬릿(41)의 하측에는 도 3b에 도시하는 4장의 셔터(42)가 배치된다. 이 셔터(42)는 슬릿(41)의 형상에 대응하여 부채형으로 형성되고, 구동부(43)에 의해 부채의 직경 방향으로 가이드(42a)를 통해 슬라이드 가능하게 구성되며, 슬릿(41)은 셔터(42)에 의해 개폐 가능하게 구성된다. 도 1에서는 편의상 슬릿(41) 및 셔터(42)를 각각 하나씩만 도시한다. 슬릿(41)에는 이 슬릿(41)을 통과하는 가스에 포함되는 파티클을 제거하기 위한 필터(도시 생략)가 배치된다.
컵체(24) 내에서 다이어프램(23)으로 구획된 상하의 공간을 상측 공간(28), 하측 공간(27)으로 한다. 웨이퍼(W)가 회전함에 따라, 처리 분위기를 이루는 상측 공간(28)에 있어서 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연부로 흐르는 기류가 형성된다. 소위 펌프 효과에 의해, 상기 상측 공간(28)의 압력이 저하하여, 비처리 분위기를 이루는 하측 공간(27)으로부터 슬릿(41)을 통해 상측 공간(28)에 가스, 예컨대 에어가 유입된다.
다이어프램(23) 상에는 도포 장치(2)의 외부의 반송(搬送) 기구와 스핀척(21) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 3개의 지지핀(44)이 배치되고(단, 도면에서는 2개만 표시함), 하측 공간(27)에 배치된 승강부(45)에 의해 승강한다.
이 도포 장치(2)에는, 자세 제어 기구(6)와 액막 형성 기구(5)가 설치된다. 자세 제어 기구(6)는, 도 4에 도시하는 바와 같이 스핀척(21)의 주위를 둘러싸는 편평한 링형으로 형성된 케이스(6A)를 구비한다. 또한, 액막 형성 기구(5)는, 자세 제어 기구(6)의 케이스(6A)를 둘러싸도록 링형으로 형성된 편평한 케이스(5A)를 구비한다. 이들 자세 제어 기구(6), 액막 형성 기구(5)는 하측 공간(27)에 설치된 승강부(60, 50)에 의해 각각 승강 가능하게 구성된다.
액막 형성 기구(5)의 케이스(5A)의 대향면부(51)는 수평인 평탄면으로서 형성되고, 스핀척(21)에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부를 따라, 그 주연부에 대향하도록 형성된다. 이 대향면부(51)에는, 예컨대 케이스(5A)의 둘레 방향을 따라 복수의 용제 공급 구멍(52A) 및 용제 흡인 구멍(52B)이 개구된다. 이 액막 형성 기구(5)는, 도 5a에 도시하는 바와 같이 회전하는 웨이퍼(W)의 이면측의 주연부에 근접한 액막 형성 위치로 이동 가능하다. 액막 형성 위치로 이동한 케이스(5A)의 용제 공급 구멍(52A)은, 케이스(5A)의 대향면부(51)와 웨이퍼(W)의 이면 주연부 사이에 처리액으로서 용제, 예컨대 시너를 공급하고, 공급된 시너를 표면 장력에 의해 대향면부(51)와 웨이퍼(W)의 이면에 흡착시킨다. 즉, 액막 형성 기구(5)는, 메니스커스법에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 전체를 따라 액막(L)을 형성하는 역할을 갖는다. 이 액막 형성 위치에 있어서의 대향면부(51)로부터 웨이퍼(W)의 이면까지의 거리(H1)는, 예컨대 50 ㎛∼500 ㎛이다. 또한, 웨이퍼(W)의 직경이 30 ㎝인 경우에 이 액막(L)을 형성하기 위해 필요한 시너의 양은 예컨대 0.5 ㎖∼50 ㎖이다.
도 5b, 도 5c는 각각 액막 형성 기구(5)의 케이스(5A)를 그 둘레 방향을 따라 종단한 도면이다. 용제 공급 구멍(52A)은 케이스(5A) 내에 형성된 유로(53A)와 이 유로(53A)에 접속된 배관(54A)을 통해 용제의 공급원(55A)에 접속된다. 배 관(54A)에는 밸브나 질량 유량계 등으로 이루어지는 유량 제어부(56A)가 설치되고, 제어부(7)로부터의 제어 신호를 이 유량 제어부(56A)가 받는 것에 의해 상기 유량 제어부(56A)가 토출 구멍(52A)으로부터의 시너의 공급/차단을 제어한다. 또한, 흡인 구멍(52B)은 액막 형성 기구(5) 내의 유로(53B)와 이 유로(53B)에 접속된 배관(54B)을 통해 배기 펌프 등의 흡인 수단(55B)에 접속된다. 흡인 수단(55B)은 압력 조정 수단(도시 생략)을 포함하고, 이 압력 조정 수단이 제어부(7)로부터의 제어 신호를 받음으로써, 흡인 구멍(52B)으로부터의 흡인량이 제어된다.
자세 제어 기구(6)의 케이스(6A)의 표면(61)은 수평인 평탄면으로서 형성되고, 이 표면(61)에는 자세 제어 기구(6)의 둘레 방향을 따라, 가스 토출 구멍(62A) 및 가스 흡인 구멍(62B)이 형성된다. 도 6a에서는 토출 구멍(62A)에 사선을 붙여 나타내고 있고, 토출 구멍(62A) 및 흡인 구멍(62B)은 자세 제어 기구(6)의 둘레 방향 및 직경 방향으로 교대로, 즉 지그재그형으로 형성된다.
도 6b는 자세 제어 기구(6)의 케이스(6A)를 그 둘레 방향을 따라 종단한 단면도이다. 이 도면에 도시하는 바와 같이, 가스 토출 구멍(62A), 가스 흡인 구멍(62B)은 자세 제어 기구(6) 내에 배치된 공간(63A, 63B)에 각각 연통한다. 공간(63A)은 가스 공급관(64A)을 통해, 예컨대 에어가 저류된 에어 공급원(65A)에 접속된다. 가스 공급관(64A)에는 밸브 및 질량 유량계로 이루어지는 유량 제어부(66A)가 설치되고, 이 유량 제어부(66A)가 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호를 수신하여 가스 토출 구멍(62A)으로부터의 에어의 공급/차단 및 유량을 제어한다. 또한, 공간(63B)은 가스 흡인관(64B)을 통해, 예컨대 진공 펌프 등의 배기 수 단(65B)에 접속되고, 배기 수단(65B)에 포함되는 압력 조정부(도시 생략)가 제어부(7)로부터 출력된 제어 신호를 수신하여, 가스 흡인 구멍(62B)으로부터의 흡인량을 제어한다. 또한, 이 레지스트 도포 장치(2)는 에어 분위기에 놓여지기 때문에, 자세 제어 기구(6)로부터 토출 및 흡인하는 가스로서는 에어가 이용된다. 그러나, 예컨대 N2 가스 등의 불활성 가스 분위기 하에 놓여지는 경우, 이 불활성 가스를 토출 및 흡인하도록 하여도 좋다.
웨이퍼(W)에 있어서 상기 액막이 형성되는 영역보다도 내측의 영역은, 가스 토출 구멍(62A)으로부터 에어의 공급을 받아, 수직 상향의 힘이 가해진다. 또한, 흡인 구멍(62B)으로부터 상기 영역이 흡인됨으로써, 상기 영역에 수직 하향의 힘이 가해진다. 자세 제어 기구(6)는 이들 양방향의 합성된 압력의 밸런스를 제어함으로써, 회전 중인 웨이퍼(W)의 주연부의 자세를 제어하고, 그 상하 흔들림을 억제하는 역할을 갖는다.
도 7a, 도 7b는 자세 제어 기구(6)에 의해 자세 제어되는 웨이퍼의 모습을 도시하는 설명도이다. 웨이퍼(W)에 휘어짐이 있거나, 스핀척(21)의 수평도에 오차가 있는 경우는, 도 7a에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 중에 그 주연부가 상하로, 예컨대 100 ㎛ 정도로 약하게 흔들리는 경우가 있다. 이미 기술한 바와 같이 웨이퍼의 이면 주연부에는 액막 형성 기구(5)가 근접하고, 이들 사이에 액막(L)이 형성된다. 상기 상하 흔들림량이 크면, 액막 형성 기구(5)의 대향면부(51)와 웨이퍼(W)의 이면의 거리가 커지거나, 웨이퍼(W)와 액막 형성 기구(5)가 충돌하여 액막(L)을 형성할 수 없게 되어 버린다. 그런데, 액막 형성 기구(5)에 의해 액막의 형성을 행하는 경우는, 도 7b에 도시하는 바와 같이, 자세 제어 기구(6)가 소정의 높이 위치(작용 위치)에 있어서, 웨이퍼의 이면에 가스의 공급을 행하고 웨이퍼(W)의 이면을 흡인한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부의 상하 변동을 억제하고, 웨이퍼(W)의 이면과 액막 형성 기구(5)의 거리를 일정하게 제어하여, 액막(L)을 웨이퍼(W)의 이면 주연부 전체에 형성한다. 확실하게 액막을 형성하기 위해, 자세 제어 기구(6)를 사용한 경우에 웨이퍼(W)의 흔들림량이, 예컨대 10 ㎛ 정도로 억제되어 있으면 바람직하다.
레지스트 도포 장치(2)의 각 구성부는, CPU로 이루어지는 프로세스 컨트롤러를 포함하는 제어부(7)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어있다. 프로세스 컨트롤러에는, 공정 관리자가 레지스트 도포 장치(2)를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 레지스트 도포 장치(2)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스가 접속되어 있다.
또한, 프로세스 컨트롤러에는, 레지스트 도포 장치(2)로 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로써 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 저장된 기억부가 접속되어 있다. 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예컨대 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래시 메모리 등에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 혹은 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.
계속해서 레지스트 도포 장치(2)의 작용에 대해 도 8a∼도 11을 참조하면서 설명한다. 도 8a∼도 10b는 레지스트 도포 장치(2)의 각 부분의 동작을 도시한다. 도 11은 시간과 스핀척(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 회전수와, 그 시간에 따라 웨이퍼(W)에 행해지는 처리와의 관계를 도시하는 그래프이다. 우선, 미리 설정해 놓은 배기량으로 컵체(24) 내부가 배기되고, 계속해서 외부로부터의 반송 기구(도시 생략)에 의해, 예컨대 직경이 30 ㎝인 웨이퍼(W)가 레지스트 도포 장치(2)에 반송된다.
웨이퍼(W)가 스핀척(21) 상에 위치하면, 지지핀(44)이 상승하고, 웨이퍼(W)의 이면을 지지한다. 그리고, 지지핀(44)이 하강하고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부가 스핀척(21) 상에 적재되어 흡착되면, 자세 제어 기구(6)의 가스 토출 구멍(62A)으로부터 에어가 소정의 양으로 토출된다 (도 8a, 도 8b 참조). 이때 자세 제어 기구(6), 액막 형성 기구(5)는 웨이퍼(W)의 자세 제어를 행하기 위한 작용 위치, 액막 형성 위치보다도 아래쪽에 있는 각각의 대기 위치에서 대기한다. 상기 에어의 토출이 개시되면, 자세 제어 기구(6), 액막 형성 기구(5)가 상기 작용 위치, 상기 액막 형성 위치로 각각 상승한다.
자세 제어 기구(6)로부터 토출되는 에어의 압력에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부가 아래쪽으로 내려가는 것이 억제되고, 액막 형성 기구(5) 및 자세 제어 기구(6)에 접촉하는 것이 억제된다. 이 상태에서 자세 제어 기구(6), 액막 형성 기구(5)가 상기 작용 위치, 상기 액막 형성 위치에 각각 위치한다(도 8c 참조). 계속해서 용제 노즐(31B)로부터 웨이퍼(W)의 중심부에 용제(F)가 공급되고, 소정의 양이 공급된 후, 그 공급이 정지된다.
그 후, 작용 위치로 이동한 자세 제어 기구(6)의 가스 흡인 구멍(62B)으로부터 웨이퍼(W) 이면의 흡인이 개시되고 스핀척(21)이 회전한다(시각 t1). 웨이퍼(W)의 이면과 액막 형성 기구(5)의 거리가, 예컨대 100 ㎛로 유지된 상태에서 회전 속도가 상승하고, 웨이퍼(W)에 공급된 용제(F)가 웨이퍼(W)의 주연부로 원심력에 의해 퍼뜨려진다. 또한, 스핀척(21)의 회전 개시와 거의 동시에 셔터(42)가 개방되고, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 압력이 저하한 스핀척(21) 주위의 상측 공간(28)에 에어가 하측 공간(27)으로부터 슬릿(41)을 통해 유입된다. 이 에어는, 컵체(24) 내에 형성되는 배기류를 타고, 화살표로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부측으로부터 이면 주연부측으로 향하는 기류를 형성하여, 배기구(25)로부터 배기된다(도 8d).
회전수의 상승이 계속되고, 그 회전수가, 예컨대 3000 rpm(제1 회전수)에 달하면, 레지스트 노즐(31A)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부에 레지스트(R)를 공급한다(시각 t2). 이 레지스트(R)는 용제에 의해 젖은 웨이퍼(W) 표면 상에서 원심력에 의해 주연부로 퍼뜨려진다(도 9a). 그 후 레지스트(R)의 공급을 정지하고 웨이퍼의 회전수를 저하시켜(시각 t3), 그 회전수를, 예컨대 100 rpm로 유지하며, 건조를 억제한 상태에서 막 두께의 면내 분포를 조정한다(도 9b). 구체적으로는, 레지스트가 도포된 시점에 있어서는, 웨이퍼(W)의 외주부측에서 불거져 나오고 있는 레지스트가 중앙부로 끌어 당겨지도록 하여 막 두께가 균일화된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전수가 상승하고(시각 t4), 웨이퍼의 회전수가 예컨대 1500 rpm(제2 회전수)에 달한다. 이 회전수로 유지되면, 이때 여분의 레지스트(R) 는 웨이퍼(W)의 주연부로부터 떨쳐내어지고, 미스트(M)가 발생한다. 또한, 이 회전수의 상승 개시와 동시이거나, 혹은 이에 약간 지연되어 액막 형성 기구(5)로부터 이 액막 형성 기구(5)와 웨이퍼(W)의 주연부 사이에, 예컨대 3 ㎖의 시너가 공급된다. 그리고, 시너는 표면 장력에 의해 웨이퍼(W)와 액막 형성 기구(5)에 흡착되어, 도 9c에 도시하는 바와 같이, 액막(L)이 형성된다(시각 t5).
도 12a는 이 때에 발생한 미스트(M)의 모습을 도시한다. 이 액막(L)의 형성 이전에서부터 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 부착되어 있었던 미스트(M)나 그 외의 파티클은, 액막(L)과 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 사이에 작용하는 전단력에 의해 웨이퍼(W)의 이면으로부터 제거된다. 또한, 웨이퍼의 주연부 이면에 돌아들어간 미스트(M)는 액막(L)에 접촉하면, 도 12b에 도시하는 바와 같이, 액막(L)의 표면에서 튕겨나가거나, 그 액막(L)에 빨려들어간다. 액막(L)에 취입된 미스트(M)는 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)와 액막(L) 사이에 작용하는 힘에 의해 웨이퍼(W)에 부착하는 것이 억제된다. 또한, 이때 도 12a, 도 12b에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)로부터 컵체(24)에 충돌하고, 되튕겨져 웨이퍼(W) 중앙부로 향하는 미스트(M)는, 슬릿(41)으로부터 공급된 가스류를 타고 배기되기 때문에, 이 미스트(M)가 웨이퍼(W)에 부착하는 것이 억제된다.
이와 같이 여분의 레지스트(R)가 떨쳐내어지고, 막 두께가 소정의 크기로 제어되며 레지스트막(R)의 건조가 진행되면, 웨이퍼(W)의 주연부에 용제 노즐(31C)로부터 용제가 공급되고(시각 t6), 주연부의 레지스트(R)가 용해된다(도 9d). 이 레지스트(R)의 용해에 의해 발생하는 미스트도 여분의 레지스트를 떨쳐낼 때와 마찬 가지로 액막(L)에 포착되거나, 슬릿(41)으로부터의 가스류를 타고 배기됨으로써 웨이퍼(W)에 부착하는 것이 억제된다. 용제 노즐(31C)로부터의 용제의 공급이 정지되고(시각 t7), 잠시 후에 도 10a 및 도 12c에 도시하는 바와 같이, 액막(L)을 구성하는 시너가 보충 미스트(M)와 함께 액막 형성 기구(5)의 흡인 구멍(52B)으로부터 흡인 제거되고 셔터(42)가 폐쇄된다(시각 t8).
액막의 형성 정지 후, 잠시 동안 웨이퍼(W)는 회전을 계속하고, 그 주연부에 부착된 액막(L)을 구성하고 있었던 시너를 건조시킨다. 그 후 웨이퍼(W)는 회전을 정지하고, 자세 제어 기구(6)로부터의 흡인이 정지되며, 그 반입 시와는 반대의 동작으로 외부의 반송 기구에 전달된다(도 10b).
이 레지스트 도포 장치(2)에 따르면, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면측에 이 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 형성된 링형의 액막 형성 기구(5)와, 주연부의 상하 흔들림을 억제하기 위한 자세 제어 기구(6)가 배치된다. 이 액막 형성 기구(5)와 웨이퍼(W)의 이면 주연부 사이에 시너를 공급하고, 이 시너의 표면 장력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부와 액막 형성 기구(5) 사이에 액막을 형성하여, 이 액막에 의해 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 미스트가 부착하는 것을 억제한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주연부에 노즐 등에 의해 용제를 공급하여 미스트를 씻어낼 필요가 없기 때문에, 용제의 사용량이 억제된다.
또한, 레지스트 도포 장치(2)에 있어서는, 웨이퍼(W)의 회전수를 100 rpm으로부터 1500 rpm으로 상승시켜, 미스트가 발생하기 쉽게 되었을 때에, 셔터(42)가 개방되어, 하측 공간(27)으로부터 상측 공간(28)으로 유입된 에어가 웨이퍼(W)의 주연부로 흐르도록 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 있어서 액막이 형성된 영역보다도 내측 영역에 미스트가 부착하는 것이 억제된다. 셔터(42)는 항상 개방되어 있어도 좋지만, 이와 같이 미스트가 발생할 때만 개방하여, 하측 공간(27)으로부터 상측 공간(28)으로 에어를 공급하면, 슬릿(41)에 설치된 필터의 수명이 길어지기 때문에 유효하다. 셔터 개폐의 타이밍은 상기한 예에 한정되지 않고, 예컨대 미스트가 보다 쉽게 발생하는 시각 t5에 있어서 폐쇄된 상태로부터 개방된 상태로 되어도 좋다. 슬릿(41)을 형성하는 대신에 액막 형성 기구(5)를 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중앙부측을 향해 크게 형성하여 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 있어서의 미스트의 부착을 막더라도 좋다. 그러나, 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 비해 이면 중앙부에 돌아들어가는 미스트는 적기 때문에, 시너의 양을 억제하는 관점에서도 이와 같이 슬릿(41)을 형성하는 것이 유효하다.
또한, 이와 같이 슬릿을 형성하는 대신에, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면에 에어를 공급하는 노즐 등을 형성하여, 이 에어의 공급에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 압력을 제어하고 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부측으로부터 주연부측을 향하는 기류를 형성하여 웨이퍼(W)에 대한 미스트의 부착을 억제하여도 좋다.
그런데, 상기 실시형태에 있어서 웨이퍼(W)의 회전수를 1500 rpm로 상승시키기 이전의 시각 t2∼t4의 사이는 상기한 바와 같이 레지스트막의 막 두께 분포가 균일하게 되도록 조정하는 기간이다. 이 실시형태에 있어서는, 이 기간에 액막(L)을 형성하는 것을 피함으로써, 액막(L)을 구성하는 시너의 온도에 의해 웨이퍼(W)의 온도가 그 면 내에서 변화하여, 막 두께 분포가 변동하는 것을 막고 있다.
또한, 액막 형성 후, 그 액막을 구성하는 시너를 흡인 구멍(52B)에서 제거할 때에 액막에 포함되는 미스트를 시너와 함께 제거하기 때문에, 보다 확실하게 미스트에 의한 파티클 오염을 억제할 수 있다. 또한, 액막 형성 후, 회전을 계속하여 웨이퍼(W)에 부착된 시너를 건조시키고 있기 때문에, 이 잔류 시너에 의한 파티클 오염이 방지되므로 바람직하다.
또한, 자세 제어 기구(6)에 있어서 토출 구멍(62A) 및 흡인 구멍(62B)은, 웨이퍼(W)의 회전 방향 및 직경 방향을 따라 교대로 배열되기 때문에, 웨이퍼(W)의 둘레에서 가해지는 압력의 균일성이 높아지고, 상하 흔들림을 보다 억제한 상태로 회전시킬 수 있다. 토출 구멍(62A), 흡인 구멍(62B)으로서는 이 예에 한정되지 않고, 예컨대 웨이퍼(W)의 회전 중심을 중심으로 한 둘레 방향을 따라 슬릿형으로 형성하여도 좋다.
또한, 상기한 바와 같이 액막 형성 기구(5), 자세 제어 기구(6)는 각각 액막 형성 위치, 작용 위치에서 웨이퍼(W)와 접촉하지 않도록 이동할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)와 이들 액막 형성 기구(5), 자세 제어 기구(6)와의 충돌에 의해 웨이퍼(W)가 충격을 받아, 형성된 각 막에 결함이 발생하는 것이 억제된다.
액막 형성 기구(5)에 있어서, 공급 구멍(52A), 흡인 구멍(52B)의 레이아웃은 액막(L)을 형성할 수 있다면 상기한 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기한 예에서는 시너를 공급하는 공급 구멍(52A)은 여러 곳에 배치되지만, 한 곳에 배치되어도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)의 이면 주연부 중 한 곳에 액막을 형성할 수 있으면, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면 주연부 전체를 세정할 수 있다. 이 때문에, 액막 형성 기구(5)는 링형으로 형성되는 것에 한정되지 않고, 도 13a, 도 13b에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부의 일부에 대향하도록 액막 형성 기구(50)를 형성하여도 좋다. 단, 상기한 바와 같이 액막을 링형으로 형성하는 편이 웨이퍼(W)의 이면으로 미스트가 돌아들어가는 것을 보다 확실하게 막을 수 있기 때문에 바람직하다.
상기한 자세 제어 기구(6)는, 웨이퍼(W)의 이면에 에어의 토출을 행하고 웨이퍼(W)의 이면의 흡인을 행함으로써 웨이퍼(W)의 주연부의 자세를 제어하지만, 이와 같이 웨이퍼(W)의 자세를 제어하는 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 14a에 도시하는 자세 제어 기구(6)는, 흡인 구멍이 배치되지 않고, 웨이퍼(W)의 둘레를 따라 다수의 토출 구멍(62A)만을 구비한 구성을 갖는다. 이 경우, 도 14b에 도시하는 바와 같이, 이 자세 제어 기구(6)로부터 웨이퍼(W)의 이면에 에어를 토출하여 웨이퍼(W)의 상하 흔들림을 억제한다. 또한, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면에 토출된 에어가 웨이퍼(W)와 자세 제어 기구(6)의 간극을 흐를 때에 베르누이 효과를 얻을 수 있도록 자세 제어 기구(6)의 작용 위치를 조정하여도 좋다. 즉, 이와 같이 설정된 자세 제어 기구(6)에서는, 상기 웨이퍼(W)는, 자세 제어 기구(6)를 향해 흡인되지만, 토출 구멍(62A)으로부터 토출되는 에어의 압력에 의해, 자세 제어 기구(6)에는 접촉하지 않고 부상한다. 이 때문에, 액막 형성 기구(5)의 대향면부(51)와 웨이퍼(W)의 이면과의 거리가 일정하게 유지되고, 그 결과로서 회전 중인 웨이퍼(W)의 주연부의 흔들림량이 억제된다.
상기한 실시형태는, 레지스트 도포 장치에 대해 설명했지만, 본 발명은 약액을 회전하는 기판 중심에 공급하여 주연부로 퍼뜨리는 스핀코팅으로 성막을 행하는 다른 도포 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 상기한 실시형태에서 레지스트막의 주연부를 제거하는 것은, 후속 공정에서 액침 노광을 행하기 위해 레지스트막의 상층에 발수성의 보호막을 성막하고, 이 보호막의 주연부를 웨이퍼(W) 표면에 밀착시키기 위해서이다. 그러나, 이러한 주연부의 제거를 행하는 것에 한정되지 않는다.
상기한 실시형태에서 처리 중에 시너가 건조하거나 비산함으로써 액막(L)이 형성되지 않게 되는 것을 막기 위해, 액막(L) 형성 중에 시너를 웨이퍼(W)와 액막 형성 기구(5) 사이에 계속해서 공급하여도 좋다. 이 경우에서도 웨이퍼(W)와 액막 형성 기구와의 간격(H1)은 미소하므로, 노즐로부터 시너를 토출하여 미스트를 씻어내는 경우보다도 시너의 사용량을 억제할 수 있다. 또한, 액막(L)을 형성할 때에는 대향면부(51)에 공급 구멍(52A)으로부터 시너를 공급하고 흡인 구멍(52B)에서 시너의 흡인을 행하는 것에 의해 액막의 형성을 행하여도 좋다.
다음으로 도포·현상 장치에 전술한 레지스트 도포 장치(2)를 적용한 일례에 대해 간단히 설명한다. 도 15는 도포·현상 장치에 노광 장치가 접속된 시스템의 평면도이고, 도 16은 상기 시스템의 사시도이다. 또한, 도 17은 상기 시스템의 종단면도이다. 이 장치에는 캐리어 블록 S1이 배치되고, 그 적재대(101) 상에 밀폐형의 캐리어(100)가 적재된다. 전달 아암(C)이 캐리어(100)로부터 웨이퍼(W)를 빼내어 처리 블록 S2에 전달하고, 전달 아암(C)이 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 처리 블록 S2로부터 수취하여 캐리어(100)에 복귀시킨다.
처리 블록 S2는, 도 15에 도시하는 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT 층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT 층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는, 예컨대 액침 노광 시에 레지스트막을 보호하는, 보호막의 형성을 행하기 위한 제4 블록(TCT 층)(B4)을, 아래로부터 순서대로 적층하여 구성된다.
제2 블록(BCT 층)(B2)과 제4 블록(TCT 층)(B4)은, 각각 반사 방지막, 보호막을 형성하기 위한 약액을 스핀코팅에 의해 도포하는 도포 모듈을 포함한다. 도포 모듈은, 도포액이 달라지는 것 외에는 전술한 도포 장치(2)와 동일하게 구성된다. 또한, 이들 블록(B2, B4)은, 도포 모듈에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 모듈군을 포함한다. 상기 도포 모듈과 처리 모듈군 사이에는, 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A2, A4)이 설치된다. 제3 블록(COT 층)(B3)의 경우도 상기 약액이 레지스트액인 것을 제외하면 동일한 구성이고, 이 COT 층의 도포 모듈로서 도포 장치(2)가 배치된다.
한편, 제1 블록(DEV층)(B1)에 대해서는, 도 17에 도시하는 바와 같이, 하나의 DEV층(B1) 내에 현상 모듈(103)이 2단으로 적층된다. 상기 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 모듈(103)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치된다. 즉, 반송 아암(A1)은 2단의 현상 모듈(103)에 대해 공통이다.
또한, 처리 블록 S2에는, 도 15 및 도 17에 도시하는 바와 같이, 선반 모듈 칼럼(U5)이 배치된다. 캐리어 블록 S1으로부터의 웨이퍼(W)는, 선반 모듈 칼럼(U5) 중 하나의 전달 모듈, 예컨대 제2 블록(BCT 층)(B2)의 대응하는 전달 모듈(CPL2)에, 선반 모듈 칼럼(U5)의 근방에 설치된 승강 가능한 제1 전달 아암(D1) 에 의해 순차 반송된다. 제2 블록(BCT 층)(B2) 내의 반송 아암(A2)은, 이 전달 모듈(CPL2)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 각 모듈(반사 방지막 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군)에 반송하고, 이들 모듈에서 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 모듈 칼럼(U5)의 전달 모듈(BF2), 전달 아암(D1), 선반 모듈 칼럼(U5)의 전달 모듈(CPL3) 및 반송 아암(A3)을 통해 제3 블록(COT 층)(B3)에 반입되고, 레지스트막이 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 선반 모듈 칼럼(U5)의 전달 모듈(BF3)에 전달된다. 또 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT 층)(B4)에 반송되고, 또한 액침 노광 시에 레지스트막을 보호하는 보호막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)을 통해 반송 아암(A4)에 전달되고, 보호막이 형성된 후 반송 아암(A4)에 의해 전달 모듈(TRS4)에 전달된다.
한편, DEV층(B1) 내의 상부에는, 선반 모듈 칼럼(U5)에 설치된 전달 모듈(CPL11)로부터 선반 모듈 칼럼(U6)에 설치된 전달 모듈(CPL12)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용 반송 수단인, 셔틀 아암(E)이 설치된다. 레지스트막이나 반사 방지막, 또한 보호막이 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D1)을 통해 전달 모듈(BF3, TRS4)로부터 전달 모듈(CPL11)에 전달된다. 웨이퍼(W)는, 여기에서 셔틀 아암(E)에 의해 선반 모듈 칼럼(U6)의 전달 모듈(CPL12)에 직접 반송되고, 인터페이스 블록 S3에 받아들여진다. 또한, 도 17 중 CPL이 붙은 전달 모듈은 온도 조절용의 냉각 모듈을 겸한다. BF가 붙은 전달 모듈은 복수 장의 웨이퍼(W)를 적재 가 능한 버퍼 모듈을 겸한다.
계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치 S4에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다. 그 후, 선반 모듈 칼럼(U6)의 전달 모듈(TRS6)에 적재되어 처리 블록 S2으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해진다. 또한, 노광 장치 S4로부터 DEV층(B1)까지의 웨이퍼(W)의 반송로에 보호막을 제거하는 제거 모듈이 설치되어, 보호막이 형성되는 웨이퍼(W)에 대해 그 보호막의 제거가 행해지는 경우도 있다. 현상 처리후, 웨이퍼(W)는 반송 아암(A1)에 의해 선반 모듈 칼럼(U5)의 전달 모듈(TRS1)에 전달된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제1 전달 아암(D1)에 의해 선반 모듈 칼럼(U5)에 있어서 전달 아암(C)의 액세스 범위에 있는 전달 모듈에 반송되고, 전달 아암(C)을 통해 캐리어(100)에 복귀된다. 또한, 도 15에 있어서 U1∼U4는 각각 가열부와 냉각부를 적층한 열계 모듈군이다. 도 15는 DEV층(B1)의 평면에서 본 레이아웃을 도시하지만, 다른 각 층도 평면에서 본 레이아웃이 DEV층과 동일하다.
<평가 시험>
평가 시험 1
전술한 자세 제어 기구(6)를 이용하여, 스핀척(21)에 유지된 웨이퍼(W)의 회전수를 100 rpm∼300 rpm의 범위에서 변화시켰을 때 웨이퍼(W)의 주연부의 상하 흔들림 양을 계측했다. 또한, 자세 제어 기구(6)를 이용하지 않고서 동일하게 웨이퍼(W)를 회전시켜, 상하 흔들림 양을 계측했다. 도 18은 이 시험의 결과를 나타내는 그래프이고, 그래프의 횡축은 회전수(rpm), 종축은 흔들림 양(mm)을 각각 나타 낸다. 실선(L1)은 자세 제어 기구(6)에 대한 가스 공급량 및 자세 제어 기구로부터의 흡인량을 각각 15 L/분으로 했을 때의 결과를 나타낸다. 점선 L2는 자세 제어 기구(6)에 대한 가스 공급량 및 자세 제어 기구(6)로부터의 흡인량을 각각 50 L/분으로 했을 때의 결과를 나타낸다. 쇄선 L3은 자세 제어 기구(6)를 이용하지 않은 실험의 결과를 나타낸다. 이와 같이 자세 제어 기구(6)를 이용한 경우는 이용하지 않았던 경우에 비해 흔들림 양이 억제되었다. 따라서, 상기한 바와 같이 액막 형성 기구(5)와 웨이퍼(W)의 주연부와의 미소한 간극에 안정적으로 액막을 형성하는 것이 가능하게 되는 것으로 나타났다.
평가 시험 2
상기한 바와 같이 다이어프램(23)에 슬릿(41)을 형성하지 않고, 하측 공간(27)으로부터 상측 공간으로의 가스의 흐름이 형성되지 않은 경우와, 슬릿(41)을 형성하여 하측 공간(27)으로부터 상측 공간(28)으로의 가스의 흐름이 형성된 경우에, 웨이퍼(W)의 주연부에 흐르는 기류의 방향에 대해 시뮬레이션을 행했다. 웨이퍼(W)의 회전수는 1500 rpm로 설정했다. 도 19a는 슬릿(41)을 형성하지 않은 경우의 시뮬레이션의 결과를 나타내고, 여기서 작은 화살표는 발생한 가스의 흐름을 도시하며, 큰 화살표는 웨이퍼(W)의 아래쪽에 있어서 가스 흐름의 주된 경향을 도시한다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부로부터 이면 주연부를 향한 후, 웨이퍼(W)의 이면 주연부로부터 이면 중앙부측으로 돌아들어가는 유속이 0.2 m/초인 기류가 발생한다.
도 19b는 슬릿(41)을 형성한 경우의 시뮬레이션의 결과를 나타내고, 여기서 작은 화살표는 발생한 가스의 흐름을 도시하며, 큰 화살표는 웨이퍼(W)의 아래쪽에 있어서의 가스 흐름의 주된 경향을 도시한다. 슬릿(41)을 형성함으로써 하측 공간(27)으로부터 상측 공간(28)으로 100 L/분의 가스가 인입되었다. 이 경우, 도 19a와 같이 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중앙부측으로 돌아들어가는 기류는 발생하지 않고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부로부터 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 1.0 m/초로 에어가 흐르고 있는 것을 알 수 있었다. 따라서, 미스트를 웨이퍼(W)의 외주 가장자리로 밀어 붙여, 웨이퍼(W)의 중앙부에 미스트가 부착하는 것을 억제하기 위해 슬릿(41)을 형성하는 것이 유효한 것으로 나타났다.
평가 시험 3
다이어프램에 슬릿(41)을 형성하지 않은 경우와 형성한 경우에 웨이퍼(W)에 부착된 파티클의 수를 조사했다. 또한, 슬릿(41)을 형성하지 않은 경우에 대해서는 도 24a, 도 24b에 도시하는 이면 세정 노즐(11)로부터 용제를 토출하여 이면을 세정한 경우와, 세정하지 않은 경우에 대해 각각 파티클의 수를 비교했다.
슬릿(41)을 형성하지 않고, 이면 세정 노즐(11)로부터 용제의 공급을 행하지 않았던 웨이퍼(W)의 이면에는 소정의 크기 이상의 크기를 지닌 파티클이 1205개 부착되어 있었다. 이 웨이퍼의 도시는 생략한다. 그리고, 슬릿(41)을 형성하지 않고, 이면 세정 노즐(11)로부터 용제의 공급을 행한 웨이퍼의 이면에는 0.15 ㎛ 이상의 파티클(P)이 93개 부착되어 있었다. 도 20a는 그 이면의 개략도이다. 도 20b는 그 웨이퍼(W)의 표면을 개략적으로 도시하고 있고, 이 표면에는 0.15 ㎛ 이상의 파티클(P)이 10개 부착되어 있었다. 슬릿(41)을 형성한 경우의 웨이퍼(W)의 이면, 표면은 도 20c, 도 20d에 각각 도시한다. 그 표면에 부착된 0.15 ㎛ 이상의 파티클(P)은 3개이고, 그 이면에 부착된 0.15 ㎛ 이상의 파티클(P)은 109개였다. 이 결과로부터 슬릿(41)을 형성함으로써, 파티클의 수를 용제의 공급을 행한 경우와 마찬가지로 억제할 수 있고, 용제의 사용량을 억제하기에 유효한 것을 알 수 있다. 상기한 실시형태에서는, 슬릿을 형성하는 것 외에도 용제의 액막을 형성하기 때문에, 이 실험결과보다도 웨이퍼(W)에 부착되는 파티클을 억제할 수 있다고 고려되어진다.
평가 시험 4-1
도 21a에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부 상에 레이저 측정기(70)를 설치하고, 자세 제어 기구(6)에 의해 자세 제어를 행한 경우와, 자세 제어를 행하지 않았던 경우의 웨이퍼(W)의 상하 흔들림 양을 웨이퍼의 회전수를 변화시켜 측정했다. 도 21b, 도 21c, 도 22a, 도 22b, 도 23c는 각각 웨이퍼(W)의 회전수가 10 rpm, 30 rpm, 50 rpm, 80 rpm, 100 rpm일 때의 웨이퍼(W)의 흔들림 양의 그래프도이다. 자세 제어를 행한 경우(그래프 중의 실선)(보정 후), 자세 제어를 행하지 않았던 경우(그래프 중의 쇄선)(보정 전)의 시간에 대한 측정 위치의 상하의 변위를 각각 나타낸다. 하기의 표 1은 각 그래프의 결과로부터 얻어진 각 회전수와 변위량의 관계를 나타낸다. 어느 회전수의 경우도 보정 후의 변위량은 억제되어 있다.
10 rpm 30 rpm 50 rpm 80 rpm 100 rpm
보정전(㎛) 151 151 140 130 120
보정후(㎛) 17 14 14 14 14
평가 시험 4-2
또한, 직경 300 ㎜인 웨이퍼(W)의 직경 방향에 있어서의 엣지(단부)로부터 20 ㎜의 위치에 대해, 레이저 측정기(70)를 이용하여 자세 제어 기구(6)에 의해 자세 제어를 행한 경우와, 자세 제어를 행하지 않았던 경우의 웨이퍼(W)의 상하 흔들림 량을 웨이퍼의 회전수를 변화시켜 측정했다. 표 2는 그 결과를 나타낸다.
30 rpm 50 rpm 80 rpm
보정전(㎛) 151 140 130
보정후(㎛) 14 14 14
이들 평가 시험 4-1, 4-2의 결과로부터, 자세 제어 기구(6)를 설치함으로써 웨이퍼(W)의 흔들림이 억제되는 것으로 나타났다. 따라서, 자세 제어 기구(6)를 설치함으로써 웨이퍼(W)와 액막 형성 기구 사이의 미소한 공간에 액막을 형성할 수 있다.
참고 시험
웨이퍼에 이면 세정 노즐(11)로부터 용제의 공급을 행한 경우와 행하지 않았던 경우에 형성되는 레지스트막의 막 두께 분포의 변화에 대해 조사했다. 이 실험에서는 웨이퍼 주연부의 레지스트의 제거는 행하지 않는다. 도 23a, 도 23b는 용제의 공급을 행한 경우의 막 두께 분포를 나타내는 그래프이다. 도 23c, 도 23d는 용제의 공급을 행하지 않았던 경우의 막 두께 분포를 나타내는 그래프이다. 각 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 직경 방향의 위치이고, 0 ㎜로 나타내는 위치가 웨이퍼(W)의 중심, +150 ㎜, -150 ㎜로 나타내는 위치가 각각 웨이퍼(W)의 일단, 타단이다. 종축은 막 두께이다. 이와 같이 용제의 공급을 행하는 것에 의해 막 두께 분포가 변화하는 것은 관찰되지 않았다. 따라서, 상기한 실시형태에서 형성되는 용제의 액막에 의해 레지스트의 막 두께가 영향을 받는 경우는 없다고 추찰된다.
본 발명의 실시형태에 따른 도포 장치에 의하면, 회전하는 기판의 주연부의 상하 흔들림을 억제하는 자세 제어 기구와, 상기 기판의 이면측 주연부에 대향하는 대향면부를 구비한 액막 형성 기구가 설치된다. 이 액막 형성 기구의 대향면부에 처리액을 공급하고, 이 처리액의 표면 장력에 의해 기판과 액막 형성 기구와의 사이에 액막을 형성하여, 이 기판의 이면 주연부에 미스트 등이 부착하는 것을 억제한다. 따라서, 기판 이면의 주연부에 노즐 등에 의해 용제를 공급하여 미스트를 씻어낼 필요가 없기 때문에, 용제의 사용량이 억제된다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따르는 도포 장치의 종방향 측단면도.
도 2는 상기 도포 장치의 평면도.
도 3a, 도 3b는 상기 도포 장치에 배치되는 유로와 셔터의 사시도.
도 4는 상기 도포 장치에 설치되는 액막 형성 기구 및 자세 제어 기구의 사시도.
도 5a, 도 5b, 도 5c는 상기 액막 형성 기구의 구성도 및 상이한 종방향 측단면도.
도 6a, 도 6b는 상기 자세 제어 기구의 평면도 및 종방향 측단면도.
도 7a, 도 7b는 상기 자세 제어 기구에 의해 자세 제어되는 웨이퍼의 모습을 도시하는 설명도.
도 8a∼도 8d는 상기 도포 장치의 동작을 순서대로 도시하는 도면.
도 9a∼도 9d는 상기 도포 장치의 동작을 순서대로 도시하는 도면.
도 10a, 도 10b는 상기 도포 장치의 동작을 순서대로 도시하는 도면.
도 11은 상기 도포 장치의 동작과, 시간과, 웨이퍼의 회전수와의 관계를 도시하는 그래프도.
도 12a, 도 12b, 도 12c는 상기 도포 장치에 있어서의 미스트의 모습을 도시하는 설명도.
도 13a, 도 13b는 상기 자세 제어 기구의 다른 예를 도시하는 설명도.
도 14a, 도 14b는 상기 자세 제어 기구의 다른 예를 도시하는 설명도.
도 15는 상기 도포 장치를 구비한 도포·현상 장치의 평면도.
도 16은 상기 도포 장치를 구비한 도포·현상 장치의 사시도.
도 17은 상기 도포 장치를 구비한 도포·현상 장치의 종방향 측단면도.
도 18은 평가 시험의 결과를 도시하는 그래프도.
도 19a, 도 19b는 평가 시험의 결과를 순서대로 도시하는 도면.
도 20a∼도 20d는 평가 시험의 결과를 도시하는 웨이퍼의 평면도.
도 21a는 평가 시험의 양태를 도시하는 측면도.
도 21b, 도 21c는 평가 시험의 결과를 도시하는 그래프도.
도 22a∼도 22c는 평가 시험의 결과를 도시하는 그래프도.
도 23a∼도 23d는 참고 시험의 결과를 도시하는 그래프도.
도 24a, 도 24b는 종래의 웨이퍼의 이면의 세정 방법을 도시하는 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : 도포 장치
5 : 액막 형성 기구
6 : 자세 제어 기구
51 : 대향면부
52A : 처리액 공급부
62A : 토출 구멍

Claims (20)

  1. 기판 이면의 중앙부를 유지하여 상기 기판을 수평으로 지지하기 위한 기판 유지부와,
    상기 기판의 표면의 중앙부에 도포액을 공급하기 위한 도포 노즐과,
    상기 기판 유지부를 수직축 둘레로 회전시키고, 상기 기판의 중앙부에 공급된 상기 도포액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 퍼뜨려 상기 도포액의 막을 형성하기 위한 회전 구동부와,
    상기 도포액에 연유하는 오염물의 상기 기판 이면의 주연부에 대한 부착이나 잔류를 방지하는 처리액의 액막을 형성하기 위한 액막 형성 기구로서, 상기 기판 이면의 주연부에 대향한 대향면부와 이 대향면부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고, 상기 처리액을 표면 장력에 의해 상기 대향면부와 회전하는 상기 기판의 주연부에 흡착시킴으로써 상기 액막을 형성하는 것인 액막 형성 기구와,
    회전하는 상기 기판의 주연부의 상하 흔들림을 억제하기 위해, 상기 기판 유지부의 주위에 배치된 자세 제어 기구로서, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역에 가스를 토출하는 토출 구멍을 상기 기판의 회전 방향을 따라 구비하는 것인 자세 제어 기구
    를 포함하는 도포 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도포 장치의 특정 동작을 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판에 상기 도포액을 공급할 때에 상기 기판을 제1 회전수로 회전시키며,
    상기 도포액의 공급을 정지하고, 상기 기판에 있어서의 상기 도포액의 면내 분포를 조정하기 위해, 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 상기 기판을 회전시키며,
    상기 도포액을 건조시키기 위해, 상기 기판을 상기 제2 회전수보다도 높은 제3 회전수로 회전시키면서, 상기 액막 형성 기구의 상기 대향면부에 상기 처리액을 공급하는
    제어를 행하도록 미리 설정되는 것인 도포 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 자세 제어 기구는, 회전하는 상기 기판의 주연부의 상하 흔들림을 상기 토출 구멍에 의한 가스의 토출과 협동하여 억제하기 위해, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역을 흡인하는 흡인 구멍을 구비하고, 이 흡인 구멍은 상기 기판의 회전 방향을 따라 배치되는 것인 도포 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 토출 구멍 및 상기 흡인 구멍은, 상기 기판의 회전 방향 및 상기 기판의 직경 방향을 따라 교대로 배열되는 것인 도포 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 자세 제어 기구를, 상기 기판의 상기 주연부의 흔들림을 제어하기 위한 작용 위치와, 그 아래쪽의 대기 위치 사이에서 승강시키기 위한 제1 승강 기구를 더 포함하는 것인 도포 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 액막 형성 기구를, 상기 액막을 형성하기 위한 액막 형성 위치와, 그 아래쪽의 대기 위치 사이에서 승강시키기 위한 제2 승강 기구를 더 구비하고, 이 제2 승강 기구는, 액막 형성 기구의 상기 기판에 대한 접촉을 억제하기 위해 상기 자세 제어 기구의 상기 토출 구멍으로부터 가스가 토출될 때에, 상기 액막 형성 기구를 상기 대기 위치로부터 상기 액막 형성 위치로 상승시키는 것인 도포 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 액막 형성 기구에는, 불필요하게 된 상기 액막을 형성하는 상기 처리액을 제거하기 위한 배액부가 설치되는 것인 도포 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 유지부 및 상기 액막 형성 기구는 상기 도포액의 비산을 억제하기 위한 컵 내부의 처리 분위기 내에 배치되고, 상기 회전 구동부는 구획 부재에 의해 상기 처리 분위기로부터 구획된 비처리 분위기 내에 배치되며,
    상기 처리 분위기에 배기로가 접속되고,
    상기 비처리 분위기 중의 가스를 상기 기판 유지부의 회전에 의해 상기 처리 분위기에 인입하기 위한 가스 유로가 상기 구획 부재에 형성되는 것인 도포 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가스 유로를 통한 상기 비처리 분위기로부터 상기 처리 분위기로의 가스의 유통을 제어하기 위한 유통 제어부가 설치되는 것인 도포 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유통 제어부는, 상기 가스 유로를 개폐하기 위한 셔터를 포함하는 것인 도포 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 액막을 링형으로 형성하기 위해, 상기 액막 형성 기구는 상기 기판의 회전 방향을 따라 링형으로 형성되는 것인 도포 장치
  12. 기판 유지부에 의해 기판 이면의 중앙부를 유지하여 상기 기판을 수평으로 유지하는 공정과,
    도포 노즐에 의해 상기 기판의 표면 중앙부에 도포액을 공급하는 공정과,
    회전 구동부에 의해 상기 기판 유지부를 수직축 둘레로 제1 회전수로 회전시켜, 상기 기판의 중앙부에 공급된 상기 도포액을 원심력에 의해 상기 기판의 주연부로 퍼뜨려 상기 도포액의 막을 형성하는 공정과,
    상기 기판의 이면측의 주연부에 대향하도록 형성된 대향부를 갖는 액막 형성 기구에 의해, 상기 도포액에 연유하는 오염물의 상기 기판 이면의 주연부에 대한 부착이나 잔류를 방지하는 처리액의 액막을 형성하는 공정으로서, 상기 대향면부에 상기 액막 형성 기구의 처리액 공급부로부터 상기 처리액을 공급하고, 상기 처리액을 표면 장력에 의해 상기 대향면부와 회전하는 상기 기판의 주연부에 흡착시킴으로써 상기 액막을 형성하는 것인 처리액의 액막 형성 공정과,
    상기 기판 유지부의 주위에 배치되고 또한 상기 기판의 회전 방향을 따라 형성된 토출 구멍을 갖는 자세 제어 기구에 의해, 회전하는 상기 기판의 주연부의 상하 흔들림을 억제하는 공정으로서, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역에 상기 토출 구멍으로부터 가스를 토출하는 것인 기판의 주연부의 상하 흔들림 억제 공정
    을 포함하는 도포 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 도포액의 막을 형성하는 공정 후, 상기 도포액의 공급을 정지하고, 상 기 도포액의 상기 기판의 면내 분포를 조정하기 위해 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 상기 기판을 회전시키는 공정을 더 포함하고,
    그 후 상기 기판을 상기 제2 회전수보다도 높은 제3 회전수로 회전시켜 상기 도포액을 건조시키면서, 상기 액막 형성 기구의 상기 대향면부에 상기 처리액을 공급하는 공정을 행하는 것인 도포 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 회전 중에 상기 액막을 구성하는 상기 처리액을 제거하는 공정을 포함하는 것인 도포 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 자세 제어 기구는, 상기 기판의 회전 방향을 따라 배치된 흡인 구멍을 구비하고, 상기 흔들림을 억제하는 공정은, 상기 기판의 이면에 있어서 상기 액막이 형성되는 상기 주연부보다도 내측의 영역을 상기 흡인 구멍에 의해 흡인함으로써, 회전하는 상기 기판의 상기 주연부의 상하 흔들림을 상기 토출 구멍에 의한 가스의 토출과 협동하여 억제하는 것인 도포 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 자세 제어 기구의 상기 토출 구멍으로부터 가스를 토출시키면서, 상기 자세 제어 기구를 아래쪽의 대기 위치로부터 상기 기판의 상기 주연부의 흔들림을 제어하기 위한 작용 위치로 상승시키는 공정을 더 포함하는 것인 도포 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 자세 제어 기구를 상승시키는 공정을 행하고, 상기 액막 형성 기구를 아래쪽의 대기 위치로부터 상기 액막을 형성하기 위한 액막 형성 위치로 상승시키는 공정을 더 포함하는 것인 도포 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 기판 유지부 및 상기 액막 형성 기구는 상기 도포액의 비산을 억제하기 위한 컵 내부의 처리 분위기 내에 배치되고, 상기 회전 구동부는 구획 부재에 의해 상기 처리 분위기로부터 구획된 비처리 분위기 내에 배치되며,
    상기 도포 방법은,
    상기 처리 분위기를 배기하는 공정과,
    상기 기판 유지부의 회전에 의해 가스를 상기 구획 부재에 배치된 가스 유로를 통해 상기 비처리 분위기로부터 상기 처리 분위기로 유입시키는 공정과,
    상기 가스 유로를 통한 상기 비처리 분위기로부터 상기 처리 분위기로의 가스의 유통을 제어하는 공정
    을 더 포함하는 것인 도포 방법.
  19. 제1항의 도포 장치를 구비하는 도포·현상 장치로서,
    기판을 수납한 캐리어가 반입되는 캐리어 블록과,
    상기 캐리어로부터 빼내어진 상기 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 상기 도포 장치를 구비하는 도포부와, 노광후의 상기 기판을 현상하는 현상부를 포함하는 처리 블록과,
    상기 처리 블록과 레지스트가 도포된 상기 기판을 노광하는 노광 장치와의 사이에서 상기 기판의 전달을 행하는 인터페이스 블록
    을 포함하는 것인 도포·현상 장치.
  20. 제12항의 도포 방법을 행하기 위한 프로세서 상에서 실행하는 프로그램 지령을 포함하는 컴퓨터로 판독 가능한 매체로서,
    상기 프로그램 지령은, 프로세서에 의해 실행될 때, 회전하는 기판에 도포액을 공급하여 도포하는 도포 장치에 제12항의 도포 방법을 실행시키는 것인 컴퓨터로 판독 가능한 매체.
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