JP4553376B2 - 浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法 - Google Patents
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Description
この発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に処理液例えばレジスト液を供給して処理を施す浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としてのＬＣＤ用ガラス基板等（以下に基板という）にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜に転写し、これを現像処理し、その後、基板からレジスト膜を除去する一連の処理が施されている。
例えば、レジスト膜の形成方法として、溶剤に感光性樹脂を溶解してなるレジスト液を帯状に吐出するレジスト供給ノズルと、矩形状の基板とを、レジストの吐出方向と直交する方向に相対的に平行移動させて塗布処理する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この方法によれば、基板の一辺から他辺に渡ってレジスト液を帯状に吐出(供給)するため、矩形状の基板の全面に平均してレジスト膜を形成することができる。
しかしながら、上記技術においては、基板の上方に架設配置されるレジスト供給ノズル又は基板を水平姿勢に保持するステージの少なくとも一方を移動する構造であるため、装置が大型かつ複雑になると共に、重量の嵩むレジスト供給ノズルやステージの移動に多大なエネルギを要するという問題があった。また、重量の嵩むレジスト供給ノズルやステージを処理後に元の位置に復帰移動し、再び移動して処理を施すため、処理効率の低下を招くという問題もあった。
そこで、発明者等は鋭意研究した結果、気体を噴射又は噴射及び吸引して基板を浮上させて搬送しつつ基板の表面に処理液を帯状に供給して処理を施す浮上式基板搬送処理装置を開発した（例えば、特許文献２参照）。
この浮上式基板搬送処理装置によれば、装置の小型化及び簡略化が図れると共に、処理効率の向上が図れる。
特開平１０−１５６２５５号公報（特許請求の範囲、図１）
特願２００４−２１８１５６（特許請求の範囲、図２，図３）
しかしながら、従来の気体浮上で基板を保持させる方法においては、基板の搬送方向及び該搬送方向と直交する方向すなわち縦・横方向に整列された気体噴射孔から気体を噴射するか、あるいは、気体噴射孔から気体を噴射すると共に吸引孔から気体を吸引するため、基板の搬送過程において気体の噴射部と非噴射部又は気体の吸引部と非吸引部との間にギャップが生じて脈動が生じることがあり、そのため、基板の浮上高さを均一に、かつ浮上状態を安定して保持することが難しく、更には、搬送中の振動を抑制することが難しかった。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板の浮上高さを均一にすると共に、浮上状態を安定させた状態で保持し、かつ、搬送中の振動を抑制するようにした浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、表面から気体を噴射及び吸引して被処理基板を浮上する浮上ステージと、 上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に保持すると共に、被処理基板を上記浮上ステージ上で移動する移動手段と、を具備する浮上式基板搬送処理装置において、 上記浮上ステージを多孔質部材にて形成すると共に、該多孔質部材に気密に区画される複数の吸引孔を設け、 上記多孔質部材の多孔質部に気体供給手段を接続し、 上記吸引孔に迂回流路を介して吸引手段を接続し、 上記複数の吸引孔を被処理基板の搬送方向及び該搬送方向と直交する方向の直線上に一致しないよう傾斜状に配列する、ことを特徴とする。
このように構成することにより、多孔質部によって気体の供給に圧力損失を与えて分散することができると共に、迂回流路によって気体の吸引に圧力損失を与えて気体の供給と吸引とのバランスをとることができるので、気体の噴射及び吸引の脈動を抑制して被処理基板を浮上させることができる。
また、請求項２記載の発明は、表面から気体を噴射及び吸引して被処理基板を浮上する浮上ステージと、 上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に保持すると共に、被処理基板を上記浮上ステージ上で移動する移動手段と、を具備する浮上式基板搬送処理装置において、 上記浮上ステージは、複数の大径孔を設けた表面板と、該表面板の下面との間に第１の空間をおいて配設されると共に、上記大径孔の直下に位置する小径孔を設けた中間板と、該中間板の下面との間に第２の空間をおいて配設される下部板とからなるステージ本体と、 整列された多数の小孔を有し、上記大径孔に嵌合する大径頭部の下部に上記小径孔に気密に嵌合する脚部を有する多孔体と、を具備し、 上記第１又は第２の空間のいずれか一方に気体供給手段を接続すると共に、他方の空間に吸引手段を接続してなる、ことを特徴とする。
このように構成することにより、気体の供給及び気体の吸引のいずれも多孔体に設けられた整列された多数の小孔によって圧力損失を与えて分散すると共に、気体の供給と吸引のバランスをとることができるので、気体の噴射及び吸引の脈動を抑制して被処理基板を浮上させることができる。
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の浮上式基板搬送処理装置を用いた浮上式基板搬送処理方法であって、 浮上ステージを形成する多孔質部材の多孔質部により圧力損失を受けて分散される気体を供給すると共に、多孔質部材に気密に区画される複数の吸引孔から圧力損失を与える迂回流路を介して吸引して、浮上ステージ上に被処理基板を浮上し、上記被処理基板の表面に処理液供給手段から処理液を帯状に供給すると共に、移動手段によって被処理基板を移動する、ことを特徴とする。
また、請求項４記載の発明は、請求項２記載の浮上式基板搬送処理装置を用いた浮上式基板搬送処理方法であって、 浮上ステージを形成する第１の空間又は第２の空間を介して多孔板の多数の小孔により圧力損失を受けて分散される気体を供給すると共に、多孔板の多数の小孔から上記第２の空間又は第１の空間を介して吸引して、浮上ステージ上に被処理基板を浮上し、上記被処理基板の表面に処理液供給手段から処理液を帯状に供給すると共に、移動手段によって被処理基板を移動する、ことを特徴とする。
（１）請求項１，３記載の発明によれば、多孔質部によって気体の供給に圧力損失を与えて分散することができると共に、迂回流路によって気体の吸引に圧力損失を与えて気体の供給と吸引とのバランスをとることにより、気体の噴射及び吸引の脈動を抑制して被処理基板を浮上させることができるので、被処理基板の浮上高さの均一性を図ることができると共に、被処理基板を安定した浮上状態に保持する浮上剛性を図ることができ、かつ、搬送中の被処理基板の振動を抑制することができる。
（２）また、請求項１，３記載の発明によれば、複数の吸引孔が被処理基板の搬送方向及び該搬送方向と直交する方向の直線上に一致しないよう傾斜状に配列されることにより、被処理基板の搬送移動に伴う吸引力の変動を抑制することができるので、上記（１）に加えて、更に浮上高さの均一性、浮上剛性及び振動の抑制の向上を図ることができる。
（３）請求項２，４記載の発明によれば、気体の供給及び気体の吸引のいずれも整列された多数の小孔によって圧力損失を与えて分散すると共に、気体の供給と吸引のバランスをとることにより、気体の噴射及び吸引の脈動を抑制して被処理基板を浮上させることができるので、被処理基板の浮上高さの均一性を図ることができると共に、被処理基板を安定した浮上状態に保持する浮上剛性を図ることができ、かつ、搬送中の被処理基板の振動を抑制することができる。
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。
上記レジスト塗布現像処理装置は、図１に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置の長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。
上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。
また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット１４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。
また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。
なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。
このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。
上記レジスト処理ユニット１３は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０と、このレジスト塗布処理装置２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２１とを具備している。
次に、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０について説明する。
◎第１実施形態
図２は、上記レジスト塗布処理装置２０の第１実施形態の要部を示す概略斜視図、図３は、レジスト塗布処理装置２０における気体の供給及び吸引状態を示す概略構成図、図４及び図５は、気体の供給及び吸引状態を示す要部断面図である。
図２は、上記レジスト塗布処理装置２０の第１実施形態の要部を示す概略斜視図、図３は、レジスト塗布処理装置２０における気体の供給及び吸引状態を示す概略構成図、図４及び図５は、気体の供給及び吸引状態を示す要部断面図である。
上記レジスト塗布処理装置２０は、表面から気体例えば空気を噴射及び吸引して基板Ｇを異なる高さに浮上する浮上ステージ２２と、この浮上ステージ２２の上方に配置され、基板Ｇの表面に処理液であるレジスト液Ｒを帯状に供給する処理液供給手段であるレジスト供給ノズル２３と、基板Ｇの両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持する複数の基板保持部材２４と、浮上ステージ２２の両側に互いに平行に配置されるガイドレール２５に沿ってスライダ２６を移動する移動手段例えばリニアモータ２８と、基板保持部材２４とスライダ２６とを連結すると共に、基板Ｇの浮上高さに追従して変位可能な連結手段２７とで主に構成されている。
この場合、浮上ステージ２２は、図２及び図６に示すように、図示しない搬送アームによって搬送される基板Ｇを受け取る昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８ａを具備する搬入領域２２ａと、レジスト供給ノズル２３と基板Ｇとの隙間を一定の距離例えば１００〜１５０μｍに維持する塗布領域２２ｂと、基板Ｇを受け渡す昇降可能な複数例えば４本のリフトピン２８ｂを具備する搬出領域２２ｃとが設けられている。
また、浮上ステージ２２は、多数の気体供給孔（気体噴射孔）を有する例えばステンレスあるいはアルミニウム製の多孔質部材５０にて形成されると共に、該多孔質部材５０において気体供給孔を構成する多孔質部５１と気密に区画される複数の吸引孔５２を具備している。この場合、吸引孔５２は多孔質部５１に穿設された孔部５２ａの内面にコーティング５２ｂを施すか（図４（ｂ）参照）、あるいは、多孔質部５１に穿設された孔部５２ａ内に例えば合成樹脂製チューブ５２ｃを嵌挿することによって形成されている（図４（ｃ）参照）。また、複数の吸引孔５２は基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）及び該搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に対して傾斜状に配列されている。
また、塗布領域２２ｂを代表して説明すると、多孔質部材５０の多孔質部すなわち気体供給孔部には、多孔質部材５０の下面に設けられた気体供給流路５３と脈動を軽減するアキュムレータ５４Ａを介して気体供給手段例えばコンプレッサ５５が接続され、吸引孔５２には、多孔質部材５０の下面に設けられた迂回流路５６と脈動を軽減するアキュムレータ５４Ｂを介して吸引手段である真空ポンプ５７が接続されている（図３〜図５参照）。
上記気体供給流路５３と迂回流路５６は、積層される複数（例えば５枚）の板部材（プレート）６０ａ〜６０ｅに設けられた孔部によって形成されている。この場合、迂回流路５６は、図７に示すように、図４の紙面に対して直交する方向に適宜間隔をおいた複数（図面では３個の場合を示す）の孔部６１ａを有する第１のプレート６０ａと、孔部６１ａと同列に複数（図面では３×３＝９個の場合を示す）の長孔部６１ｂを有する第２のプレート６０ｂと、孔部６１ａ及び長孔部６１ｂと同列に複数（図面では３×５＝１５個の場合を示す）の小孔部６１ｃを有する第３のプレート６０ｃと、第２のプレート６０ｂの長孔部６１ｂと列方向に若干ずれた位置に設けられる複数（９個）の長孔部６１ｄを有する第４のプレート６０ｄと、第１のプレート６０ａの孔部６１ａと対称位置に設けられる複数（３個）の孔部６１ｅを有する第５のプレート６０ｅを積層して、例えばボルトあるいは圧着等の固定手段で固定することによって形成されている。
上記のように構成される浮上ステージ２２において、コンプレッサ５５を駆動すると共に、真空ポンプ５７を駆動することにより、空気が気体供給流路５３を介して多孔質部材５０の多孔質部５１に形成される多数の気体供給孔により圧力損失を受けて分散されて上方に噴射すると共に、吸引孔５２から迂回流路５６を介して吸引される。これにより基板Ｇは浮上ステージ２２上に浮上し、リニアモータ２８の駆動によって搬入領域２２ａから塗布領域２２ｂへ搬送されると共に、搬出領域２２ｃに搬送される。この際、供給される空気は多孔質５１部によって圧力損失を受けて分散され、吸引される空気は迂回流路５６によって圧力損失を受けて供給（噴射）と吸引がバランスされるので、基板Ｇの浮上高さを均一にすることができると共に、浮上状態を安定させた状態で保持することができ、かつ、搬送中の基板Ｇの振動を抑制することができる。また、吸引孔５２が基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）及び搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に対して傾斜して配列されているので、基板Ｇの塗布膜にスジムラ（転写跡）が発生するのを抑制することができると共に、搬送中の基板Ｇの振動を更に確実に抑制することができる。すなわち、吸引孔５２が基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）に対して傾斜して配列されることにより、基板Ｇの塗布膜にスジムラが発生するのを抑制することができる。つまり、複数の吸引孔５２がＸ方向と同じであると、１つの直線上を複数の吸引孔５２が通過するため、温度分布が異なってスジムラが生じるが、吸引孔５２をＸ方向に対して傾斜して配列することにより、吸引孔５２の軌跡が基板面内に分散するので、スジムラが起きにくい。また、吸引孔５２の配列が基板Ｇの搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に一致すると、基板Ｇの端部が一度に複数の吸引孔５２にかかったり、逆に吸引孔５２から外れるときに、基板端部が一度に複数の吸引孔５２から外れて、基板Ｇの垂直方向（Ｚ方向）の振動原因となる。これに対して、吸引孔５２の配列をＹ方向に対して傾斜して配列することにより、このような問題を解決することができる。
この場合、搬入領域２２ａと搬出領域２２ｃにおいては、基板Ｇが約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上されている。また、塗布領域２２ｂにおいては、基板Ｇが約５０μｍの高さの位置に浮上されている。なお、搬入領域２２ａと塗布領域２２ｂとの間、及び塗布領域２２ｂと搬出領域２２ｃとの間には、それぞれ両者間の高さのギャップを繋げる繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅが設けられている。これら繋ぎ領域２２ｄ，２２ｅにおいては、空気の噴射量及び吸引量を調整することによって基板Ｇを徐々に下降又は上昇するように構成されている。
上記レジスト供給ノズル２３は、浮上ステージ２２の上方を跨ぐ門形フレーム（図示せず）に固定されており、図示しないレジストタンクに接続される供給管２３ａによって供給されるレジスト液Ｒを、基板Ｇの表面に帯状に供給（吐出，滴下）するように構成されている。
上記基板保持部材２４は、基板Ｇの両側端をそれぞれ着脱可能に吸引保持する複数の図示しない吸着パッド及びバキューム管を具備しており、図示しない真空装置によって基板Ｇを着脱可能に保持し得るようになっている。
なお、上記連結手段２７は、例えば基板保持部材２４を構成する吸着パッドとスライダ２６とを連結すると共に、基板Ｇの浮上高さに追従して変位可能な板ばね部材によって形成されている。この場合、板ばね部材は、基板保持部材２４が基板Ｇを保持する保持力すなわち吸着パッドの吸着力より弱いばね力（弾撥力）を有するようにばね定数が設定されている。このように板ばね部材５１のばね定数を設定することにより、基板保持部材２４による基板Ｇの保持力（吸着力）を維持した状態で、基板Ｇの浮上高さに追従して基板保持部材２４を変位することができる。なお、基板保持部材２４は必ずしも吸着パッドで構成する必要はなく、例えば静電パッドにて構成してもよい。この静電パッドは、内部に設けた金属電極に電圧を印加し、基板Ｇと静電パッドの表面に正・負の電荷を発生させ、この間に働くジャンセン・ラーベック力によって基板Ｇを吸着保持するものである。また、連結手段２７を、上記板ばね部材に代えて磁石体を用いてもよい。
次に、上記のように構成されるレジスト塗布処理装置２０の動作態様について説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上に搬入されると、リフトピン２８ａが上昇して基板Ｇを受け取る。その後、搬送アームは浮上ステージ２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、リフトピン２８ａは下降する一方、基板Ｇは搬入領域２２ａにおける浮上ステージ２２の多孔質部５１からの空気の供給（噴射）と、吸引孔５２からの吸引とのバランスによって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置が作動して基板保持部材２４の吸着パッド６０によって基板Ｇが吸着保持される。この際、板ばね部材５１が基板Ｇの浮上高さとスライダ２６の高さとのギャップを吸収するので、基板Ｇは浮上ステージ２２の搬入領域２２ａ上の約１００〜１５０μｍの高さの位置に水平状態に維持される。
次いで、リニアモータ２８が駆動して基板Ｇが塗布領域２２ｂに搬送される。塗布領域２２ｂにおいては、浮上ステージ２２の多孔質部５１からの空気の供給（噴射）と、吸引孔５２からの吸引とのバランスによって基板Ｇは約５０μｍの高さの位置に浮上される。この際、板ばね部材５１が基板Ｇの浮上高さとスライダ２６の高さとのギャップを吸収するので、基板Ｇは浮上ステージ２２の塗布領域２２ｂ上の約５０μｍの高さの位置に水平状態に維持され、レジスト供給ノズル２３との間に所定の隙間Ｓ（１００〜１５０μｍ）を維持する。この状態で、レジスト供給ノズル２３からレジスト液Ｒを帯状に供給（吐出）すると共に、基板Ｇを移動することによって、基板Ｇの表面にレジスト膜が均一に形成される。
レジスト膜が形成された基板Ｇは搬出領域２２ｃに移動されると、基板Ｇは搬出領域２２ｃにおける浮上ステージ２２の多孔質部５１からの空気の供給（噴射）と、吸引孔５２からの吸引とのバランスによって約１００〜１５０μｍの高さの位置に浮上され、この状態で、真空装置を停止して基板Ｇの吸着保持が解かれる。すると、リフトピン２８ｂが上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。
◎第２実施形態
図８は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置の第２実施形態の要部を示す概略断面図、図９は、第２実施形態における気体（空気）の供給及び吸引部を示す要部分解斜視図（ａ）、（ａ）のII部を示す拡大斜視図（ｂ）及びII部を示す別の拡大斜視図（ｃ）である。
図８は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置の第２実施形態の要部を示す概略断面図、図９は、第２実施形態における気体（空気）の供給及び吸引部を示す要部分解斜視図（ａ）、（ａ）のII部を示す拡大斜視図（ｂ）及びII部を示す別の拡大斜視図（ｃ）である。
第２実施形態は、浮上ステージ２２Ａを、整列された多数の小孔７１を有する多孔板７０と、該多孔板７０の下面に配設され、気体供給流路溝７２と気体吸引流路溝７３を交互に配列してなる流路プレート７４とで構成し、気体供給流路溝７２に供給管路７５を介して気体供給手段であるコンプレッサ５５を接続し、また、気体吸引流路溝７３に吸引管路７６を介して吸引手段である真空ポンプ５７を接続した場合である。
なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様に、供給管路７５におけるコンプレッサ５５の二次側（吐出側）にはアキュムレータ５４Ａが介設され、吸引管路７６における真空ポンプ５７の一次側（吸引側）にはアキュムレータ５４Ｂが介設されている。なお、この場合、多孔板７０は、例えば、図９（ｂ）に示すように、多数のチューブ部材７０ａ同士を集合接着させて形成することができる。また、例えば熱や薬品で溶解（消失）する線材をバインダで固め、後に線材を溶解（消失）することで、バインダが残って整列された多数の小孔７１を有する多孔板７０を作製することができる（図９（ｃ）参照）。
上記のように構成される第２実施形態の浮上式基板搬送処理装置において、気体供給流路溝７２及び気体吸引流路溝７３は交互に配列されていれば任意の配列でよいが、好ましくは、気体供給流路溝７２及び気体吸引流路溝７３を、基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）及び該搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に対して傾斜状に配列するか（図１０（ａ）参照）、又は、気体供給流路溝７２及び気体吸引流路溝７３を、Ｘ方向及びＹ方向に沿う波形状に形成するか（図１０（ｂ）参照）、あるいは、気体供給流路溝７２及び気体吸引流路溝７３を、それぞれＹ方向に延在する直状主溝７２ａ，７３ａと、該直状主溝７２ａ，７３ａに連なってＸ方向に延在する複数の枝溝７２ｂ，７３ｂとで構成すると共に、隣接する気体供給流路溝７２と気体吸引流路溝７３の枝溝７２ｂ，７３ｂ同士をジグザグ状に配列する方がよい（図１０（ｃ）参照）。
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
上記のように構成される第２実施形態の浮上ステージ２２Ａにおいて、コンプレッサ５５を駆動すると共に、真空ポンプ５７を駆動することにより、空気が気体供給流路溝７２を介して多孔板７０に形成される多数の小孔７１により圧力損失を受けて分散されて上方に噴射すると共に、多孔板７０に形成される多数の小孔７１から気体吸引流路溝７３を介して吸引される。この際、供給される空気及び吸引される空気は多孔板７０に形成された多数の小孔７１によって圧力損失を受けて供給（噴射）と吸引がバランスされるので、基板Ｇの浮上高さを均一にすることができると共に、浮上状態を安定させた状態で保持することができ、かつ、搬送中の基板Ｇの振動を抑制することができる。
また、気体吸引流路溝７３を、Ｘ方向及びＹ方向に対して傾斜して配列するか（図１０（ａ）参照）、又は、気体供給流路溝７２及び気体吸引流路溝７３を、Ｘ方向及びＹ方向に沿う波形状に形成するか（図１０（ｂ）参照）、あるいは、気体供給流路溝７２及び気体吸引流路溝７３を、それぞれＹ方向に延在する直状主溝７２ａ，７３ａと、該直状主溝７２ａ，７３ａに連なってＸ方向に延在する複数の枝溝７２ｂ，７３ｂとで構成すると共に、隣接する気体供給流路溝７２と気体吸引流路溝７３の枝溝７２ｂ，７３ｂ同士をジグザグ状に配列する（図１０（ｃ）参照）ことにより、搬送中の基板Ｇの振動を更に確実に抑制することができる。
◎第３実施形態
図１１は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置の第３実施形態の要部を示す概略断面図、図１２は、第３実施形態における気体（空気）の供給及び吸引部を示す要部分解斜視図である。
図１１は、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置の第３実施形態の要部を示す概略断面図、図１２は、第３実施形態における気体（空気）の供給及び吸引部を示す要部分解斜視図である。
第３実施形態は、浮上ステージ２２Ｂを、複数の大径孔８１を設けた表面板８０と、表面板８０の下面との間に第１の空間９１をおいて配設されると共に、大径孔８１の直下に位置する小径孔８３を設けた中間板８２と、中間板８２の下面との間に第２の空間９２をおいて配設される下部板８４とからなるステージ本体８５と、整列された多数の小孔７１を有し、小径孔８３に気密に嵌合する多孔体８６とで構成し、第１の空間９１又は第２の空間９２のいずれか一方、例えば第１の空間９１に気体供給手段であるコンプレッサ５５を接続すると共に、他方の空間例えば第２の空間９２に吸引手段である真空ポンプ５７を接続した場合である。この場合、表面板８０と中間板８２との間には、第１の空間９１を構成する上部フレーム８７ａが介在されており、中間板８２と下部板８４との間には、第２の空間９２を構成する下部フレーム８７ｂが介在されている（図１２参照）。
上記多孔体８６は、図１１及び図１２に示すように、表面板８０に設けられた大径孔８１内に嵌合される大径頭部８６ａと、中間板８２に設けられた小径孔８３内にシール部材例えばＯリング８８を介して気密に嵌合する脚部８６ｂとを有する断面略Ｔ字状に形成されている。なお、多孔体８６の形状は必ずしも断面略Ｔ字状である必要はなく、例えば大径頭部８６ａの一端下部に脚部８６ｂを垂下した断面略逆Ｌ字状に形成してもよい。
また、第１の空間９１とコンプレッサ５５を接続する供給管路７５におけるコンプレッサ５５の二次側（吐出側）にはアキュムレータ５４Ａが介設され、第２の空間９２と真空ポンプ５７を接続する吸引管路７６における真空ポンプ５７の一次側（吸引側）にはアキュムレータ５４Ｂが介設されている。なお、この場合、多孔体８６は、第２実施形態の多孔板７０と同様に、多数のチューブ部材同士を集合接着させて形成することができる。また、例えば熱や薬品で溶解（消失）する線材をバインダで固め、後に線材を溶解（消失）させることによってバインダが残って整列された多数の小孔７１を有する多孔体８６を作製することができる。
なお、第３実施形態において、その他の部分は第１実施形態及び第２実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
上記のように構成される第３実施形態の浮上ステージ２２Ｂにおいて、コンプレッサ５５を駆動すると共に、真空ポンプ５７を駆動することにより、空気が第１の空間９１を介して多孔体８６に形成される多数の小孔７１により圧力損失を受けて分散されて上方に供給（噴射）すると共に、多孔体８０に形成される多数の小孔７１から第２の空間９２を介して吸引される。この際、供給される空気及び吸引される空気は多孔板７０に形成された多数の小孔７１によって圧力損失を受けて供給（噴射）と吸引がバランスされるので、基板Ｇの浮上高さを均一にすることができると共に、浮上状態を安定させた状態で保持することができ、かつ、搬送中の基板Ｇの振動を抑制することができる。
なお、上記説明では、第１の空間９１にコンプレッサ５５を接続し、第２の空間９２に真空ポンプ５７を接続する場合について説明したが、逆にしてもよい。すなわち、第１の空間９１に真空ポンプ５７を接続し、第２の空間９２にコンプレッサ５５を接続するようにしてもよい。
◎その他の実施形態
なお、上記実施形態では、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理装置以外の装置、例えば現像処理装置にも適用できることは勿論である。
なお、上記実施形態では、この発明に係る浮上式基板搬送処理装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理装置以外の装置、例えば現像処理装置にも適用できることは勿論である。
Ｇ ＬＣＤ用ガラス基板（被処理基板）
２２，２２Ａ，２２Ｂ 浮上ステージ
２３ レジスト供給ノズル（処理液供給手段）
２４ 基板保持部材
２８ リニアモータ（移動手段）
５０ 多孔質部材
５１ 多孔質部（気体供給孔）
５２ 吸引孔
５５ コンプレッサ（気体供給手段）
５６ 迂回流路
５７ 真空ポンプ（吸引手段）
７０ 多孔板
７１ 小孔
７２ 気体供給流路溝
７２ａ 直状主溝
７２ｂ 枝溝
７３ 気体吸引流路溝
７３ａ 直状主溝
７３ｂ 枝溝
８０ 表面板
８１ 大径孔
８２ 中間板
８３ 小径孔
８４ 下部板
８５ ステージ本体
８６ 多孔体
８６ａ 大径頭部
８６ｂ 脚部
８８ Ｏリング（シール部材）
９１ 第１の空間
９２ 第２の空間
２２，２２Ａ，２２Ｂ 浮上ステージ
２３ レジスト供給ノズル（処理液供給手段）
２４ 基板保持部材
２８ リニアモータ（移動手段）
５０ 多孔質部材
５１ 多孔質部（気体供給孔）
５２ 吸引孔
５５ コンプレッサ（気体供給手段）
５６ 迂回流路
５７ 真空ポンプ（吸引手段）
７０ 多孔板
７１ 小孔
７２ 気体供給流路溝
７２ａ 直状主溝
７２ｂ 枝溝
７３ 気体吸引流路溝
７３ａ 直状主溝
７３ｂ 枝溝
８０ 表面板
８１ 大径孔
８２ 中間板
８３ 小径孔
８４ 下部板
８５ ステージ本体
８６ 多孔体
８６ａ 大径頭部
８６ｂ 脚部
８８ Ｏリング（シール部材）
９１ 第１の空間
９２ 第２の空間
Claims (4)
- 表面から気体を噴射及び吸引して被処理基板を浮上する浮上ステージと、
上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に保持すると共に、被処理基板を上記浮上ステージ上で移動する移動手段と、を具備する浮上式基板搬送処理装置において、
上記浮上ステージを多孔質部材にて形成すると共に、該多孔質部材に気密に区画される複数の吸引孔を設け、
上記多孔質部材の多孔質部に気体供給手段を接続し、
上記吸引孔に迂回流路を介して吸引手段を接続し、
上記複数の吸引孔を被処理基板の搬送方向及び該搬送方向と直交する方向の直線上に一致しないよう傾斜状に配列する、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。 - 表面から気体を噴射及び吸引して被処理基板を浮上する浮上ステージと、
上記浮上ステージの上方に配置され、上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記被処理基板の両側端をそれぞれ着脱可能に保持すると共に、被処理基板を上記浮上ステージ上で移動する移動手段と、を具備する浮上式基板搬送処理装置において、
上記浮上ステージは、複数の大径孔を設けた表面板と、該表面板の下面との間に第１の空間をおいて配設されると共に、上記大径孔の直下に位置する小径孔を設けた中間板と、該中間板の下面との間に第２の空間をおいて配設される下部板とからなるステージ本体と、
整列された多数の小孔を有し、上記大径孔に嵌合する大径頭部の下部に上記小径孔に気密に嵌合する脚部を有する多孔体と、を具備し、
上記第１又は第２の空間のいずれか一方に気体供給手段を接続すると共に、他方の空間に吸引手段を接続してなる、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理装置。 - 請求項１記載の浮上式基板搬送処理装置を用いた浮上式基板搬送処理方法であって、
浮上ステージを形成する多孔質部材の多孔質部により圧力損失を受けて分散される気体を供給すると共に、多孔質部材に気密に区画される複数の吸引孔から圧力損失を与える迂回流路を介して吸引して、浮上ステージ上に被処理基板を浮上し、上記被処理基板の表面に処理液供給手段から処理液を帯状に供給すると共に、移動手段によって被処理基板を移動する、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。 - 請求項２記載の浮上式基板搬送処理装置を用いた浮上式基板搬送処理方法であって、
浮上ステージを形成する第１の空間又は第２の空間を介して多孔板の多数の小孔により圧力損失を受けて分散される気体を供給すると共に、多孔板の多数の小孔から上記第２の空間又は第１の空間を介して吸引して、浮上ステージ上に被処理基板を浮上し、上記被処理基板の表面に処理液供給手段から処理液を帯状に供給すると共に、移動手段によって被処理基板を移動する、ことを特徴とする浮上式基板搬送処理方法。
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