JP6917691B2 - レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法に関し、例えば被処理体を浮上させて搬送する浮上ユニットを備えるレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

シリコン基板やガラス基板などに形成された非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させるレーザアニール装置が知られている。特許文献１には、ガス浮上装置を用いて基板を浮上させて搬送しながらレーザ光を照射するレーザアニール装置が開示されている。特許文献２には、基板にガスを吹き付けて基板を浮上させて搬送する非接触搬送装置が開示されている。

特開２００２−２８０３２１号公報 特開２０１２−１７６８２２号公報

特許文献１に開示されているレーザアニール装置のように、基板にガスを吹き付けて被処理体を浮上させて搬送するレーザアニール装置では、被処理体に吹き付けられるガスが不均一になると搬送時に被処理体のたわみ量が大きくなり、被処理体におけるレーザ光の焦点深度（ＤＯＦ：Depth of Focus）から外れてしまうという問題がある。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態にかかるレーザ照射装置は、第１の領域と第２の領域とを備える浮上ユニットを有する。第１の領域は、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体を浮上させるように構成されており、第２の領域は、ガスの噴出を用いて被処理体を浮上させるように構成されている。また、第２の領域には、被処理体と第２の領域との間に存在するガスを排出するための溝が形成されている。

一実施の形態にかかるレーザ照射方法は、第１の領域と第２の領域とを備える浮上ユニットを用いて被処理体を搬送する際、第１の領域はガスの噴出および吸引を用いて被処理体を浮上させて搬送し、第２の領域はガスの噴出を用いて被処理体を浮上させて搬送するとともに、第２の領域に形成された溝を用いて、被処理体と第２の領域との間に存在するガスを排出する。

一実施の形態にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｂ）前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、（ｂ）のステップにおいて、第１の領域と第２の領域とを備える浮上ユニットを用いて被処理体を搬送する際、第１の領域はガスの噴出および吸引を用いて基板を浮上させて搬送し、第２の領域はガスの噴出を用いて基板を浮上させて搬送するとともに、第２の領域に形成された溝を用いて、基板と第２の領域との間に存在するガスを排出する。

前記一実施の形態によれば、搬送時に被処理体のたわみを低減させることが可能なレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

実施の形態１にかかるレーザ照射装置を説明するための平面図である。 図１に示すレーザ照射装置の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。 精密浮上ユニットの構成例を説明するための断面図である。 精密浮上ユニットの構成例を説明するための平面図である。 精密浮上ユニットを用いて被処理体を搬送している状態を説明するための断面図である。 ラフ浮上ユニットの構成例を説明するための断面図である。 ラフ浮上ユニットの構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットを用いて被処理体を搬送している状態を説明するための断面図である。 溝を形成していないラフ浮上ユニットを用いて被処理体を搬送している状態を説明するための断面図である（比較例）。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための断面図である。 実施の形態１にかかるレーザ照射装置を用いて被処理体を搬送している状態を説明するための断面図である。 浮上ユニットの平面度と被処理体のたわみとの関係を説明するための断面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である（比較例）。 実施の形態２にかかるレーザ照射装置を説明するための平面図である。 図１７に示すレーザ照射装置の切断線Ｂ−Ｂにおける断面図である。 実施の形態２にかかるレーザ照射装置を用いて被処理体を搬送している状態を説明するための断面図である。 精密浮上ユニット、準精密浮上ユニット、及びラフ浮上ユニットの配置例を説明するための平面図である。 精密浮上ユニット、準精密浮上ユニット、及びラフ浮上ユニットの配置例を説明するための平面図である。 精密浮上ユニット、準精密浮上ユニット、及びラフ浮上ユニットの配置例を説明するための平面図である。 準精密浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。 半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 有機ＥＬディスプレイの概要を説明するための断面図である。

＜実施の形態１＞
以下、図面を用いて実施の形態１にかかるレーザ照射装置について説明する。図１は、実施の形態１にかかるレーザ照射装置を説明するための平面図である。図２は、図１に示すレーザ照射装置の切断線Ａ−Ａにおける断面図である。

（レーザ照射装置の全体構成）
図１、図２に示すように、レーザ照射装置１は、浮上ユニット１０を備える。浮上ユニット１０は、被処理体１６を浮上させながら搬送する。具体的には、レーザ照射装置１は、浮上ユニット１０を用いて被処理体１６を浮上させながら、把持部１８（図１参照）を用いて被処理体１６を把持して搬送方向（ｘ軸方向）に被処理体１６を搬送する。被処理体１６が搬送される際、浮上ユニット１０は被処理体１６の上側に配置されている他の機構（不図示）に被処理体１６が接触しないように浮上量を調整している。

把持部１８には、例えば吸盤型の真空吸着機構や多孔質体を備える真空吸着機構を用いることができる。把持部１８は、排気ポート（不図示）と接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどと接続されている。よって、吸気ポートには、ガスを吸引するための負圧が作用する。これにより把持部１８の真空吸着機構が被処理体１６に吸着する。把持部１８は、被処理体１６を把持しながら、把持部１８の駆動機構によって搬送される。これにより、被処理体１６が搬送される。なお、被処理体１６の搬送速度は、把持部１８の駆動機構の搬送速度を調整することで制御することができる。例えば、被処理体１６は、浮上ユニット１０の上を浮上した状態で等速に搬送される。よって、被処理体１６はレーザ光の照射位置を一定の速度で通過する。

被処理体１６にはレーザ光１５（以下、レーザ光の照射位置も符号１５で示す）が照射される。例えば、レーザ照射装置はレーザアニール装置であり、この場合はレーザ発生装置１４（図２参照）にエキシマレーザ等を用いることができる。レーザ発生装置１４から供給されたレーザ光は、光学系（不図示）においてライン状となり、被処理体１６にはライン状、具体的には焦点がｙ軸方向に伸びるレーザ光１５（ラインビーム）が照射される（図１参照）。また、被処理体は、例えば基板上に形成された非晶質膜であり、この非晶質膜にレーザ光１５を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。

図１、図２に示すように、浮上ユニット１０は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ、及びラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを用いて構成されている。なお、以下では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを用いて構成されている領域を精密浮上領域１１ａ、１１ｂと、また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを用いて構成されている領域をラフ浮上領域１３ａ〜１３ｊとも記載する。

精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、レーザ光の照射位置１５を含む領域（精密浮上領域）に配置されている。また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに対して、被処理体１６の搬送方向上流側（ｘ軸方向マイナス側）に配置されている。また、ラフ浮上ユニット１３ｆ〜１３ｊは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに対して、被処理体１６の搬送方向下流側（ｘ軸方向プラス側）に配置されている。

換言すると、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、平面視した際にレーザ光１５の焦点（レーザ光の照射位置１５に対応。以下、同様。）と精密浮上領域１１ａ、１１ｂとが重畳するように配置されている。また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊは、レーザ光１５の焦点とラフ浮上領域１３ａ〜１３ｊとが重畳しないように配置されている。ここで、平面視した場合とは、図１に示すように、浮上ユニット１０をｚ軸方向側からみた場合を意味する。

図２に示すように、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊは、ガスの噴出を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。各々のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの被処理体１６と対向する側の面（つまり、各々のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの上面）には、被処理体１６とラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊとの間に存在するガスをラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの外部に排出するための溝１７が形成されている。

図１、図２に示すように、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ、及びラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの各々は、例えばｙ軸方向に伸びる矩形状のユニットであり、これらの浮上ユニットが搬送方向（ｘ軸方向）に並ぶように配置されている。被処理体１６は、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅ、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ、ラフ浮上ユニット１３ｆ〜１３ｊの順に通過して搬送される。なお、各々の浮上ユニットの形状は矩形状に限定されることはない。例えば、各々の浮上ユニットの形状は正方形であってもよい。

（精密浮上ユニットの構成例）
精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、被処理体１６を精密に浮上させて搬送するユニットであり、搬送時の被処理体１６のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。精密浮上ユニット１１ａ、１１１ｂは、被処理体１６を浮上させるためのガスの噴出量を精密に制御している。精密浮上領域（精密浮上ユニット）１１ａ、１１ｂは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。

図３、図４はそれぞれ、精密浮上ユニット１１の構成例を説明するための断面図、及び平面図である。なお、以下では精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを総称して精密浮上ユニット１１とも記載する。図３に示すように、精密浮上ユニット１１は、台座２１および多孔質体２２を備える。多孔質体２２は台座２１の上側に設けられており、ガス噴出部として機能する。図４の平面図に示すように、多孔質体２２は給気ポート２４_１、２４_２に接続されており、圧縮されたガスが給気ポート２４_１、２４_２を介して多孔質体２２に供給される。例えば、給気ポート２４_１、２４_２は精密浮上ユニット１１の下部に設けられている。なお、図３に示す断面図では、給気ポート２４_１、２４_２の配置と排気ポート２５_１、２５_２の配置とが重なるため、給気ポート２４_１、２４_２の図示を省略している。多孔質体２２に供給された圧縮ガスは、多孔質体２２の内部を通過した後、多孔質体２２の上面から上方に噴出する。これにより、被処理体１６が浮上する。

また、多孔質体２２には複数の吸気孔２７が形成されている。吸気孔２７は、多孔質体２２に貫通穴を空けることで形成することができる。図４に示すように、吸気孔２７は、多孔質体２２の上面（つまり、被処理体１６と対向する面）において均一に配置されている。吸気孔２７は、被処理体１６と精密浮上ユニット１１との間に存在するガス（ガス溜まり（図９の符号３５参照））を吸引する。図３に示すように、吸気孔２７は流路２６を介して排気ポート２５_１、２５_２に接続されている。例えば、排気ポート２５_１、２５_２は精密浮上ユニット１１の下部に設けられている。排気ポート２５_１、２５_２にはエジェクタや真空ポンプなどが接続されており、エジェクタや真空ポンプなどを用いて排気ポート２５_１、２５_２を吸引する（つまり負圧にする）ことで、精密浮上ユニット１１の上面に存在するガスを吸気孔２７から吸引することができる。

図５は、精密浮上ユニット１１を用いて被処理体１６を搬送している状態を説明するための断面図である。図５に示すように、精密浮上ユニット１１では、多孔質体２２から上方にガスが噴出しているので、精密浮上ユニット１１の上に被処理体１６が搬送されてくると、このガスが被処理体１６の下面に衝突して被処理体１６が浮上する。よって、精密浮上ユニット１１と被処理体１６とが非接触の状態となる。このとき、被処理体１６と精密浮上ユニット１１との隙間、つまり被処理体１６の浮上量は、給気ポート２４_１、２４_２に供給されるガスの量、換言すると、多孔質体２２から噴出するガスの量を調整することで制御することができる。

また、被処理体１６と精密浮上ユニット１１との間に存在するガス（ガス溜まり（図９の符号３５参照））を吸気孔２７から吸引することで、被処理体１６のたわみを低減することができる。換言すると、被処理体１６を平坦にすることができる。被処理体１６のたわみ量は、給気ポート２４_１、２４_２に供給されるガスの量と排気ポート２５_１、２５_２から排気するガスの量とのバランスを調整することで制御することができる。

（ラフ浮上ユニットの構成例）
次に、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの構成例について説明する。図１、図２に示すラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊは、被処理体１６を浮上させて搬送するユニットであり、搬送時に被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊに接触しなければよいため、被処理体１６を浮上させるためのガスの噴出量は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂほど精密に制御していない。このため、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを通過する際の被処理体１６のたわみ量は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを通過する際の被処理体１６のたわみ量よりも大きい。ラフ浮上領域（ラフ浮上ユニット）１３ａ〜１３ｊは、ガスの吸引を用いず、ガスの噴出を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。

図６、図７はそれぞれ、ラフ浮上ユニット１３の構成例を説明するための断面図、及び平面図である。図６に示すように、ラフ浮上ユニット１３は、台座３１および多孔質体３２を備える。多孔質体３２は台座３１の上側に設けられており、ガス噴出部として機能する。多孔質体３２は給気ポート３４_１、３４_２（図７参照）に接続されており、圧縮されたガスが給気ポート３４_１、３４_２を介して多孔質体３２に供給される。例えば、給気ポート３４_１、３４_２はラフ浮上ユニット１３の下部に設けられている。多孔質体３２に供給された圧縮ガスは、多孔質体３２の内部を通過した後、多孔質体３２の上面から上方に噴出する。これにより、被処理体１６が浮上する。

また、図６、図７に示すように、ラフ浮上ユニット１３の上面には、溝１７が形成されている。図１、図７に示す例では、ラフ浮上ユニット１３を平面視した際に、被処理体１６の搬送方向（ｘ軸方向）に対して斜めになるように溝１７が形成されている。また、各々の溝１７は互いに平行に並ぶように形成されている。図８に示すように、溝１７は、被処理体１６とラフ浮上ユニット１３の上面との間に存在するガスを排出する。

つまり、図９の比較例に示すように、ラフ浮上ユニット１３の上面に溝を形成しない場合は、ラフ浮上ユニット１３の多孔質体３２から噴出したガスが被処理体１６の下面に衝突して被処理体１６が浮上した際に、被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間にガス溜まり３５が形成される。このガス溜まり３５は被処理体１６がたわむ原因となる。

これに対して、図８に示すようにラフ浮上ユニット１３の上面に溝１７を形成した場合は、溝１７を通して被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間に存在するガス（ガス溜まり）を排出することができる。よって、ラフ浮上ユニット１３の上を被処理体１６が通過する際に被処理体１６がたわむことを抑制することができる。

図６に示す例では、多孔質体３２の表面の一部を削ることで溝１７を形成している。溝１７を形成することによるガスの排出効果は、溝１７の深さが深いほどその効果が向上する。しかし、多孔質体３２に形成する溝１７の深さが深くなるほど、多孔質体３２の強度が弱くなる。よって、多孔質体３２の強度を維持しつつ、溝１７の深さが深くなるように溝１７を形成することが好ましい。

なお、本実施の形態では、図１０に示すように、台座３１の上に複数の多孔質体３２_１、３２_２を設け、複数の多孔質体３２_１、３２_２を配置した際に多孔質体間にできる隙間を用いて溝１７を形成してもよい。この場合は、多孔質体３２_１、３２_２の厚さが溝１７の深さとなる。

ここで、溝１７を通るガスの量は、溝１７同士の間隔が狭く、溝１７の幅が広く、溝１７の深さが深いほど多くなる。しかし、溝１７同士の間隔が狭くなりすぎると、ラフ浮上ユニット１３の上面において溝１７が占める割合が多くなり、被処理体１６が浮上しにくくなる。よって、溝１７のガス排出量に支障がない範囲で、溝１７同士の間隔を広くすることが好ましい。また、溝１７の幅が広すぎると、被処理体１６が溝１７を越えられなくなるおそれがある。よって、溝１７のガス排出量に支障がない範囲で、溝１７の幅を狭くすることが好ましい。被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間のガス溜まりの量は被処理体１６の厚さ、種類、浮上量等によって変化する。よってこの点を考慮して、被処理体のたわみを抑制するために必要な溝１７の最適な寸法を決定することが好ましい。

前述したように、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、搬送時の被処理体１６のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。具体的には、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂはガスを噴出して被処理体１６を浮上させるとともに、被処理体１６と精密浮上ユニット１１との間に存在するガス溜まりを吸気孔２７（図３、図４参照）から吸引しているので、搬送時の被処理体１６のたわみ量を低減させることができる。

しかしながら、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、ガスの噴出とガスの吸引の両方を行うため内部構造が複雑化する。また、ガスの吸引も行うため、真空ポンプやエジェクタ等の機器が必要となる。したがって、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、単にガスを噴出して被処理体１６を搬送する構成のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊと比べて高価なユニットである。よって、本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、図１に示したように、レーザ光の照射位置１５を含む領域にのみ精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを配置し、これ以外の領域には精密浮上ユニットと比べて安価に構成できるラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを配置している。

ここで、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂほど浮上精度が求められないが、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊにおいても被処理体１６のたわみを抑制する必要がある。つまり、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを用いて被処理体１６を搬送している際に被処理体１６がたわむと、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊに衝突して被処理体１６が破損するおそれがある。

すなわち、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊではガスを被処理体１６に吹き付けて被処理体１６を浮上させているが、このとき被処理体１６とラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊとの間にガス溜まり３５（図９参照）が発生する。このガス溜まり３５の影響によって、被処理体１６の中央部のみが浮上し被処理体１６の端部が浮上しないという現象が起こり、被処理体１６の端部がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊに衝突する場合がある。このような現象は、被処理体１６の面積が大きくなるほど、また被処理体１６の厚さが薄くなるほど顕著にあらわれる。

よって、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊにおいてもガス溜まり３５（図９参照）の発生を抑制して被処理体１６がたわむことを抑制する必要がある。しかしながら、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂのようにガスを吸引するための機構をラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊに設けた場合は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂと比べてラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの面積が広いため、浮上ユニットを構成する際のコストが増加してしまう。

そこで本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、図１に示すようにラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの上面に溝１７を形成し、溝１７を通して被処理体１６とラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊとの間に存在するガス（ガス溜まり）を排出するように構成している（図８参照）。よって、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの上を被処理体１６が通過する際に被処理体１６がたわむことを抑制することができる。また、このように被処理体１６がたわむこと抑制するための機構を安価に形成することができる。

なお、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊのように上面に溝１７を形成した場合は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂのようにガスを吸引するための機構を設けた場合よりも、被処理体１６のたわみを抑制する効果は低い。しかし、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを用いて被処理体１６を搬送する際は、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊに接触しないことが求められており、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂほど被処理体１６のたわみの抑制が求められていない。よって、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊにおいては、被処理体１６のたわみを安価に実現できる溝１７を形成する手法が最も適している。

（レーザ照射装置が被処理体を搬送する場合の動作）
図１１は、レーザ照射装置１を用いて被処理体１６を搬送している状態を説明するための断面図である。図１１（ａ）に示すように、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅの上を通過している際は、被処理体１６がたわんでいる。しかし本実施の形態ではラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅの上面に溝１７を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体１６のたわみ量は抑えられている。

その後、被処理体１６が搬送され、図１１（ｂ）に示すように、被処理体１６が精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの上を通過している際は、被処理体１６のたわみ量は、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂはガスを噴出して被処理体１６を浮上させるとともに、被処理体１６と精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体１６のたわみ量を低減させることができる。よって、たわみの少ない被処理体１６にレーザ光１５を照射することができる。

その後、被処理体１６が搬送されて、図１１（ｃ）に示すように、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ｆ〜１３ｊの上を通過している際は、被処理体１６がたわむ。しかし本実施の形態ではラフ浮上ユニット１３ｆ〜１３ｊの上面に溝１７を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体１６のたわみ量は抑えられている。

このように、本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、レーザ光の照射位置１５を含む領域に精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを配置し、被処理体１６のたわみ量が小さくなるようにしている。よって、被処理体１６に照射されるレーザ光の焦点深度（ＤＯＦ）から外れてしまうことを抑制することができる。

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの上面に溝１７を形成しているので、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを通過する際のたわみ量を抑えることができる。よって、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅから精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに搬送されている際に、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｅ上の被処理体１６のたわみが、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ上の被処理体１６のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。同様に、被処理体１６が精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂからラフ浮上ユニット１３ｆ〜１３ｊに搬送されている際に、ラフ浮上ユニット１３ｆ〜１３ｊ上の被処理体１６のたわみが、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ上の被処理体１６のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、レーザ光の照射位置１５を含む領域にのみ精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを配置し、これ以外の領域には精密浮上ユニットと比較して安価に構成できるラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを配置している。よって、レーザ照射装置１を構成する際のコストを低減させることができる。また、精密な制御が必要な領域を精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂが配置されている領域に限定することができるので、レーザ照射装置１の制御を簡便にすることができる。

更に、本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの上面に溝１７を形成することで、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊ上を被処理体１６が通過する際に被処理体１６がたわむことを抑制している。よって、被処理体１６がたわむこと抑制するための機構を安価に形成することができる。

（浮上ユニットの平面度の説明）
次に、浮上ユニットの平面度について説明する。本実施の形態では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの被処理体１６と対向する面の平面度は、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの被処理体１６と対向する面の平面度よりも小さくなるように構成している。一例を挙げると、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの平面度は２０μｍ以下であり、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの平面度は７５μｍ以下である。

例えば、精密浮上ユニット１１の平面度は、精密浮上ユニット１１の上を浮上する被処理体１６の浮上量(浮上高さ)と被処理体１６のたわみ量とを用いて定めることができる。被処理体１６のたわみは、被処理体１６の浮上量と浮上ユニットの表面の平面度が影響を与えていると考えられる。ここで、被処理体１６の浮上量は、被処理体１６と浮上ユニットとの間に存在するガスにより作用する圧力が影響を与えていると考えられる。

図１２は、浮上ユニットの平面度と被処理体のたわみとの関係を説明するための断面図である。図１２に示すように、浮上ユニットの平面度は、浮上ユニットの最も低い部分である基準点Ｓ１と浮上ユニットの最も高い部分であるＴ１との距離で定義することができる。また、被処理体１６のたわみは、被処理体１６の最も低い部分である基準点Ｓ２と被処理体１６の最も高い部分であるＴ２との距離で定義することができる。

ラフ浮上ユニット１３では被処理体１６の端部の浮上量が最も低くなるため、ラフ浮上ユニット１３との衝突を避けるために、ラフ浮上ユニット１３の表面の平面度をある程度小さくする必要がある。図１２に示すように、被処理体１６は浮上ユニットに衝突しないように浮上するが、被処理体１６の浮上量は浮上ユニットの表面をゼロ点とした高さになるため、ラフ浮上ユニット側も表面の平面度を小さくしなければ両者は衝突する恐れがある。つまり、図１２に示すように、ラフ浮上ユニットの表面の平面度をある程度小さくして、浮上ユニットの最も高い部分Ｔ１が被処理体１６の最も低い部分Ｓ２と衝突しないようにする必要がある。

精密浮上ユニット１１では、ラフ浮上ユニット１３と比較すると被処理体１６の浮上量を小さくしており、また被処理体１６の端部の浮上量が最も低くなるため、浮上ユニットとの衝突を避ける工夫が必要となる。例えば、図１１（ｂ）のラフ浮上ユニット１３ｅと精密浮上ユニット１１ａとの境界付近のように、被処理体１６のたわみや浮上量が急激に変化すると、レーザ照射部への影響が大きくなる。よって、精密浮上ユニット１１でも平面度が充分に確保できていない場合は被処理体１６のたわみの変動によりレーザ照射に悪影響を及ぼす恐れがある。このような理由から、精密浮上ユニット１１の平面度を小さくする必要がある。

また、精密浮上ユニット１１の平面度は、ラフ浮上ユニット１３の平面度よりも小さくする必要があるため、精密浮上ユニット１１の平面度を維持するためには、各々の精密浮上ユニットの上面の面積を、ラフ浮上ユニットの上面の面積よりも小さくすることが好ましい。一方、ラフ浮上ユニット１３は、被処理体１６を浮上ユニットに衝突させることなく浮上・搬送させるため、精密浮上ユニット１１と比べて上面の面積を大きくすることができる。

なお、上記で説明したように、本実施の形態ではラフ浮上ユニット１３に溝１７を設けることで、ラフ浮上ユニット１３の上を通過する被処理体１６のたわみを抑制している。よって、被処理体１６のたわみが抑制された分だけ、ラフ浮上ユニット１３の表面の平面度に対する要求が緩和される。

（ラフ浮上ユニットの他の構成例）
図１３〜図１５は、ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。図１に示したラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊでは、複数のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊを搬送方向（ｘ軸方向）に並ぶように配置し、これらの複数のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｊの各々に溝１７を形成した構成について説明した。しかし、本実施の形態では、図１３に示すように、ラフ浮上ユニット１３の単位ユニット当たりの面積を大きくし、このラフ浮上ユニット１３に溝１７を形成してもよい。このように、ラフ浮上ユニット１３の単位ユニット当たりの面積を大きくすることで、ラフ浮上領域を形成するためのラフ浮上ユニットの数を少なくすることができる。

なお、本実施の形態では、図１や図１３に示すように、溝１７の向きは、ラフ浮上ユニット１３を平面視した際に、被処理体１６の搬送方向（ｘ軸方向）に対して斜めになるように構成している。この理由は、図１６に示すように、被処理体１６の搬送方向下流側の辺４５と平行になるように溝１７_４を形成した場合は、被処理体１６が溝１７_４を通過する際に被処理体１６の端部（辺４５）の浮上量が一時的に低くなり、被処理体１６の端部（辺４５）全体が一斉に溝１７_４に引っかかる場合があるからである。すなわち本実施の形態では、溝１７は、被処理体１６の搬送方向下流側の辺４５に対して所定の角度をなすように形成する。また、本実施の形態では、溝１７の向きを斜めにすることで、ラフ浮上ユニット１３における被処理体１６の搬送方向を複数（図１３に示す場合は、ｘ軸方向と、ｙ軸方向）とすることができる。

また、本実施の形態では、図１４に示すように、ラフ浮上ユニット１３に２つの方向に伸びる溝１７_１、１７_２をそれぞれ形成し、各々の溝１７_１、１７_２が交差するようにしてもよい。図１４に示す場合は、ｘ軸に対して±４５度の角度を有する溝１７_１、１７_２をそれぞれ形成し、各々の溝１７_１、１７_２が直交するように構成している。このような構成とすることで、溝１７_１、１７_２を通過するガスの量を増加させることができ、ラフ浮上ユニット１３と被処理体１６との間に存在するガスの排出を促進させることができる。

また、本実施の形態では、図１５に示すように、被処理体１６の搬送方向と平行に伸びる溝１７_３をラフ浮上ユニット１３に形成してもよい。この場合は、ラフ浮上ユニット１３の多孔質体を削って溝１７_３を形成してもよく、また、矩形上のラフ浮上ユニットをそれぞれ並べて、各々のラフ浮上ユニット間に隙間を形成し、この隙間を溝１７_３としてもよい。また、図１０に示したように、台座３１の上に複数の多孔質体３２_１、３２_２を設け、複数の多孔質体３２_１、３２_２を配置した際に多孔質体間にできる隙間を用いて溝１７_３を構成してもよい。この場合は、１つの台座３１に複数の多孔質体が配置される。

このように、本実施の形態では、ラフ浮上ユニットに溝１７を形成する際、被処理体１６の搬送方向と直交しない１つまたは複数の角度を有するように溝を形成する。

以上で説明した本実施の形態により、搬送時に被処理体のたわみを低減させることが可能なレーザ照射装置およびレーザ照射方法を提供することができる。

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２にかかるレーザ照射装置について説明する。図１７は、実施の形態２にかかるレーザ照射装置２を説明するための平面図である。図１８は、図１７に示すレーザ照射装置２の切断線Ｂ−Ｂにおける断面図である。図１７、図１８に示すレーザ照射装置２は、被処理体１６を浮上ユニット１０を用いて浮上させて搬送しながら被処理体１６にレーザ光１５を照射する装置である。

（レーザ照射装置の構成）
図１７、図１８に示すように、レーザ照射装置２は、浮上ユニット１０を備える。浮上ユニット１０は、被処理体１６を浮上させながら搬送する。具体的には、レーザ照射装置２は、浮上ユニット１０を用いて被処理体１６を浮上させながら、把持部１８（図１７参照）を用いて被処理体１６を把持して搬送方向（ｘ軸方向）に被処理体１６を搬送する。被処理体１６が搬送される際、浮上ユニット１０は被処理体１６の上側に配置されている他の機構（不図示）に被処理体１６が接触しないように浮上量を調整している。

把持部１８には、例えば吸盤型の真空吸着機構や多孔質体を備える真空吸着機構を用いることができる。把持部１８は、排気ポート（不図示）と接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどと接続されている。よって、吸気ポートには、ガスを吸引するための負圧が作用する。これにより把持部１８の真空吸着機構が被処理体１６に吸着する。把持部１８は、被処理体１６を把持しながら、把持部１８の駆動機構によって搬送される。これにより、被処理体１６が搬送される。なお、被処理体１６の搬送速度は、把持部１８の駆動機構の搬送速度を調整することで制御することができる。例えば、被処理体１６は、浮上ユニット１０の上を浮上した状態で等速に搬送される。よって、被処理体１６はレーザ光の照射位置を一定の速度で通過する。

被処理体１６にはレーザ光１５（以下、レーザ光の照射位置も符号１５で示す）が照射される。例えば、レーザ照射装置はレーザアニール装置であり、この場合はレーザ発生装置１４（図１８参照）にエキシマレーザ等を用いることができる。レーザ発生装置１４から供給されたレーザ光は、光学系（不図示）においてライン状となり、被処理体１６にはライン状、具体的には焦点がｙ軸方向に伸びるレーザ光１５（ラインビーム）が照射される（図１７参照）。また、被処理体は、例えば基板上に形成された非晶質膜であり、この非晶質膜にレーザ光１５を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。

図１７、図１８に示すように、浮上ユニット１０は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ、準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄ、及びラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆを用いて構成されている。なお、以下では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを用いて構成されている領域を精密浮上領域１１ａ、１１ｂと、準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄを用いて構成されている領域を準精密浮上領域１２ａ〜１２ｄと、また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆを用いて構成されている領域をラフ浮上領域１３ａ〜１３ｆとも記載する。

精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、レーザ光の照射位置１５を含む領域（精密浮上領域）に配置されている。準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂと隣接するように配置されており、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに対して、被処理体１６の搬送方向上流側（ｘ軸方向マイナス側）に配置されている。ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃは、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂと隣接するように配置されており、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂに対して、被処理体１６の搬送方向上流側（ｘ軸方向マイナス側）に配置されている。

また、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂと隣接するように配置されており、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに対して、被処理体１６の搬送方向下流側（ｘ軸方向プラス側）に配置されている。ラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆは、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄと隣接するように配置されており、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄに対して、被処理体１６の搬送方向下流側（ｘ軸方向プラス側）に配置されている。

換言すると、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、平面視した際にレーザ光１５の焦点と精密浮上領域１１ａ、１１ｂとが重畳するように配置されている。また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆは、レーザ光１５の焦点とラフ浮上領域１３ａ〜１３ｆとが重畳しないように配置されている。ここで、平面視した場合とは、図１７に示すように、浮上ユニット１０をｚ軸方向側からみた場合を意味する。準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂは、精密浮上領域１１ａ、１１ｂとラフ浮上領域１３ａ〜１３ｃとの間に配置されている。また、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄは、精密浮上領域１１ａ、１１ｂとラフ浮上領域１３ｄ〜１３ｆとの間に配置されている。

図１８に示すように、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂおよび準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。また、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆは、ガスの噴出を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。各々のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの被処理体１６と対向する側の面（つまり、各々のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの上面）には、被処理体１６とラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆとの間に存在するガスを排出するための溝１７が形成されている。

図１７、図１８に示すように、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ、準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄ、及びラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの各々は、例えばｙ軸方向に伸びる矩形状のユニットであり、これらの浮上ユニットが搬送方向（ｘ軸方向）に沿って並ぶように配置されている。被処理体１６は、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃ、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂ、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄ、ラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆの順に通過して搬送される。なお、各々の浮上ユニットの形状は矩形状に限定されることはない。例えば、各々の浮上ユニットの形状は正方形であってもよい。

精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、被処理体１６を精密に浮上させて搬送するユニットであり、搬送時の被処理体１６のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂは、被処理体１６を浮上させるためのガスの噴出量を精密に制御している。精密浮上領域（精密浮上ユニット）１１ａ、１１ｂは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。なお、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの詳細な構成については、実施の形態１で説明した場合（図３〜図５参照）と同様であるので、重複した説明は省略する。

ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆは、被処理体１６を浮上させて搬送するユニットであり、搬送時に被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆに接触しなければよいため、被処理体１６を浮上させるためのガスの噴出量は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂほど精密に制御していない。このため、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆを通過する際の被処理体１６のたわみ量は、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを通過する際の被処理体１６のたわみ量よりも大きい。ラフ浮上領域（ラフ浮上ユニット）１３ａ〜１３ｆは、ガスの吸引を用いず、ガスの噴出を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。

本実施の形態においても、図１７、図１８に示すようにラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの上面に溝１７を形成し、溝１７を通して被処理体１６とラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆとの間に存在するガス（ガス溜まり）を排出するように構成している（図８参照）。よって、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの上を被処理体１６が通過する際に被処理体１６がたわむことを抑制することができる。また、このように被処理体１６がたわむこと抑制するための機構を安価に形成することができる。なお、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの詳細な構成については、実施の形態１で説明した場合（図６〜図８参照）と同様であるので、重複した説明は省略する。

準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂは、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃから精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体１６を搬送可能に構成されている。また、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂからラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体１６を搬送可能に構成されている。例えば、準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂが被処理体１６を浮上させる際の精度とラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆが被処理体１６を浮上させる際の精度との間の精度で被処理体１６を浮上させるように構成されている。準精密浮上領域（精密浮上ユニット）１２ａ〜１２ｄは、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。なお、準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄの詳細な構成については、実施の形態１で説明した精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの構成（図３〜図５参照）と基本的に同様であるので、重複した説明は省略する。

例えば、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの上を被処理体１６が通過する際の被処理体１６のたわみ量は、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃの上を被処理体１６が通過する際の被処理体１６のたわみ量の１／１０〜１／２０である。準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂは、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃから精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように、換言すると、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃにおける被処理体１６のたわみ量と精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂにおける被処理体１６のたわみ量との差分を吸収するように、被処理体１６を搬送する。

同様に、例えば、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの上を被処理体１６が通過する際の被処理体１６のたわみ量は、ラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆの上を被処理体１６が通過する際の被処理体１６のたわみ量の１／１０〜１／２０である。準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄは、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂからラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように、換言すると、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂにおける被処理体１６のたわみ量とラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆにおける被処理体１６のたわみ量との差分を吸収するように、被処理体１６を搬送する。

本実施の形態にかかるレーザ照射装置では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに供給されるガス供給量と準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄに供給されるガス供給量とを独立に制御可能に構成されている。つまり、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂから噴出されるガスの量と準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄから噴出されるガスの量とを独立に制御可能に構成されている。また、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの吸気孔のガス吸引量（排気ポートにおける排気量）と準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄの吸気孔のガス吸引量（排気ポートにおける排気量）とを独立に制御可能に構成されている。

（レーザ照射装置が被処理体を搬送する場合の動作）
図１９は、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２を用いて被処理体１６を搬送している状態を説明するための断面図である。図１９（ａ）に示すように、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃの上を通過している際は、被処理体１６がたわんでいる。しかし本実施の形態ではラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃの上面に溝１７を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体１６のたわみ量は抑えられている。

その後、被処理体１６が搬送され、図１９（ｂ）に示すように、被処理体１６が準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂの上を通過する際は、被処理体１６のたわみ量は、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂはガスを噴出して被処理体１６を浮上させるとともに、被処理体１６と準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体１６のたわみ量を低減させることができる。

その後、被処理体１６が更に搬送され、図１９（ｃ）に示すように、被処理体１６が精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの上を通過する際は、被処理体１６のたわみ量は、被処理体１６が準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂはガスを噴出して被処理体１６を浮上させるとともに、被処理体１６と精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体１６のたわみ量を低減させることができる。また、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂを設けることで、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃから精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの上を通過する際、被処理体１６にレーザ光１５が照射される。

その後、被処理体１６が更に搬送され、図１９（ｄ）に示すように、被処理体１６が準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄ、及びラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆの上を通過している際は、被処理体１６のたわみ量は次のようになる。すなわち、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆの上を通過している際は、被処理体１６がたわんでいるが、本実施の形態ではラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆの上面に溝１７を形成しているので、上記で説明した理由から被処理体１６のたわみ量は抑えられている。

また、被処理体１６が準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄの上を通過している際は、被処理体１６のたわみ量は、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆの上を通過している際のたわみ量よりも小さくなる。つまり、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄはガスを噴出して被処理体１６を浮上させるとともに、被処理体１６と準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄとの間に存在するガス溜まりを吸引しているので、搬送時の被処理体１６のたわみ量を低減させることができる。そして、この場合も、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄを設けることで、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂからラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。

このように、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃと精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂとの間に準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂを設けている。よって、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃから精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。

すなわち、図１９（ｃ）に示すように、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ｃから準精密浮上ユニット１２ａに搬送される際、位置１９ａにおいて被処理体１６のたわみ量が急激に変化する。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂを用いて被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体１６を搬送している。よって、位置１９ａにおける被処理体１６のたわみが、レーザ照射位置１５を通過している被処理体１６に影響することを抑制することができる。換言すると、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂを設けることで、被処理体１６のたわみが大きい位置１９ａとレーザ照射位置１５との距離ｄ１を離すことができるので、実施の形態１にかかるレーザ照射装置（図１１参照）と比べて、レーザ照射位置１５における被処理体１６のたわみを低減させることができる。

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂとラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆとの間に準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄを設けている。よって、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂからラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆに被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するようにすることができる。

すなわち、図１９（ｄ）に示すように、被処理体１６が準精密浮上ユニット１２ｄからラフ浮上ユニット１３ｄに搬送される際、位置１９ｂにおいて被処理体１６のたわみ量が急激に変化する。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄを用いて被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように被処理体１６を搬送している。よって、位置１９ｂにおける被処理体１６のたわみが、レーザ照射位置１５を通過している被処理体１６に影響することを抑制することができる。換言すると、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄを設けることで、被処理体１６のたわみが大きい位置１９ｂとレーザ照射位置１５との距離ｄ２を離すことができるので、実施の形態１にかかるレーザ照射装置（図１１参照）と比べて、レーザ照射位置１５における被処理体１６のたわみを低減させることができる。

このように、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、レーザ照射位置１５における被処理体１６のたわみを低減させることができるので、レーザ照射位置１５においてレーザ光の焦点深度（ＤＯＦ）から外れてしまうことを抑制することができる。

また、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆの上面に溝１７を形成しているので、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆを通過する際のたわみ量を抑えることができる。よって、被処理体１６がラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃから準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂに搬送される際に、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｃ上の被処理体１６のたわみが、準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂ上の被処理体１６のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。同様に、被処理体１６が準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄからラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆに搬送される際に、ラフ浮上ユニット１３ｄ〜１３ｆ上の被処理体１６のたわみが、準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄ上の被処理体１６のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。よって、結果的に、ラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆ上の被処理体１６のたわみが、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂ上の被処理体１６のたわみに影響を及ぼすことを抑制することができる。

なお、図１７、図１８では、２個の精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂを用いて精密浮上領域を形成し、４個の準精密浮上ユニット１２ａ〜１２ｄを用いて準精密浮上領域を形成し、６個のラフ浮上ユニット１３ａ〜１３ｆを用いてラフ浮上領域を形成している場合を示した。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置２では、精密浮上領域を構成する精密浮上ユニット１１の数、準精密浮上領域を構成する準精密浮上ユニット１２の数、及びラフ浮上領域を構成するラフ浮上ユニット１３の数は、任意に決定することができる。また、上記で説明した精密浮上ユニット１１、準精密浮上ユニット１２、及びラフ浮上ユニット１３の構成は一例であり、本実施の形態では各浮上ユニットが上記で説明した以外の構成を備えていてもよい。例えば、ラフ浮上ユニット１３は、精密浮上ユニット１１ほど浮上精度が求められないので、ラフ浮上ユニットの１ユニット当たりの面積が精密浮上ユニットの１ユニット当たりの面積よりも大きくなるように構成してもよい。

また、上記で説明した構成では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂの両側に準精密浮上ユニット１２ａ、１２ｂ及び準精密浮上ユニット１２ｃ、１２ｄをそれぞれ設けた構成を示した。しかし本実施の形態にかかるレーザ照射装置１では、精密浮上ユニット１１ａ、１１ｂに対して被処理体１６の搬送方向上流側および下流側の少なくとも一方に準精密浮上ユニット１２を設けてもよい。

（各々の浮上ユニットの配置例）
図２０〜図２２は、精密浮上ユニット（精密浮上領域）１１、準精密浮上ユニット（準精密浮上領域）１２、及びラフ浮上ユニット（ラフ浮上領域）１３の配置例を説明するための平面図である。図２０〜図２２に示すレーザ照射装置２_１〜２_３のステージ上には、精密浮上ユニット１１、準精密浮上ユニット１２、及びラフ浮上ユニット１３がそれぞれ配置されている。そして、ステージ上において被処理体１６を浮上させ、把持部（不図示）を用いて被処理体１６をステージ上の矢印の方向に搬送して被処理体１６を処理する。

図２０に示すレーザ照射装置２_１では、レーザ照射位置１５がステージの中央部からステージのｙ軸方向の端部に渡って配置されている。換言すると、レーザ照射位置１５は、被処理体１６のｙ軸方向における長さと同程度であり、被処理体１６を搬送した際に、被処理体１６のｙ軸方向の全面にレーザ光が照射される。精密浮上ユニット１１は、レーザ照射位置１５を含むように配置されている。精密浮上ユニット１１のｙ軸方向における長さは、レーザ照射位置１５のｙ軸方向における長さと同程度である。準精密浮上ユニット１２は、精密浮上ユニット１１のｘ軸方向の両側に配置されている。ラフ浮上ユニット１３は、精密浮上ユニット１１と準精密浮上ユニット１２とが配置されている箇所以外の箇所に配置されている。

図２０に示すように、ラフ浮上ユニット１３の上面には溝１７が形成されている。このように、ラフ浮上ユニット１３の上面に溝１７を設けることで、溝１７を通して被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間に存在するガス（ガス溜まり）を排出することができる。よって、ラフ浮上ユニット１３の上を被処理体１６が通過する際に被処理体１６がたわむことを抑制することができる。

図２０に示す例では、ラフ浮上ユニット１３を平面視した際に、被処理体１６の搬送方向（ｘ軸方向およびｙ軸方向）に対して斜めになるように溝１７が形成されている。このように、溝１７の向きを斜めにすることで、被処理体１６の２つの搬送方向（ｘ軸、ｙ軸）に対して溝１７の向きを斜めにすることができ、被処理体１６を２つの搬送方向に沿って搬送することができる。

また、図２０に示すように、ラフ浮上領域１３は精密浮上領域１１および準精密浮上領域１２と比べて面積が大きい。このため、精密浮上ユニット１１や準精密浮上ユニット１２のように、ガスを吸引する機構（複雑な機構）をラフ浮上ユニット１３に設けた場合は、浮上ユニットを構成する際のコストが増加してしまう。

そこで本実施の形態にかかるレーザ照射装置２_１では、図２０に示すように、ラフ浮上ユニット１３の上面に溝１７を形成し、溝１７を通して被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間に存在するガス（ガス溜まり）を排出するように構成している（図８参照）。このように、ラフ浮上ユニット１３に溝１７を形成した場合は、ラフ浮上ユニット１３にガスを吸引する機構を設ける場合よりも、被処理体１６のたわみを抑制するための機構を安価に形成することができる。よって、レーザ照射装置を安価に作製することができる。特にこの効果は、ラフ浮上ユニット１３の面積が大きくなるほど顕著にあらわれる。

また、本実施の形態では、図２１に示すように、ラフ浮上ユニット１３に２つの方向に伸びる溝１７_１、１７_２をそれぞれ形成し、各々の溝１７_１、１７_２が交差するようにしてもよい。図２１に示す場合は、ｘ軸に対して±４５度の角度を有する溝１７_１、１７_２をそれぞれ形成し、各々の溝１７_１、１７_２が直交するように構成している。このような構成とすることで、溝１７_１、１７_２を通過するガスの量を増加させることができ、ラフ浮上ユニット１３と被処理体１６との間に存在するガスの排出を促進させることができる。

また、本実施の形態では、図２２に示すように、複数のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_ｎ（ｎはラフ浮上ユニットの個数であり、図２２に示す場合はｎ＝１８）を用いてラフ浮上領域を構成してもよい。各々のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_ｎの上面には溝１７が形成されており、これらの溝１７は、各々のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_ｎを並べた際に互いに繋がるように形成されている。図２２に示すように、ラフ浮上領域１３_１〜１３_ｎは精密浮上領域１１および準精密浮上領域１２と比べて面積が大きい。よって、このようにラフ浮上ユニットを分割し、複数のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_ｎを用いてラフ浮上領域を構成することで、ラフ浮上ユニットの単位ユニット当たりの面積を小さくすることができる。したがって、各々のラフ浮上ユニットを製造する際の製造設備を小型化することができる。

なお、図２０〜図２２に示したレーザ照射装置２_１〜２_３において、被処理体１６は、レーザ照射位置１５を複数回通過するように、つまり被処理体１６の同一箇所に複数回レーザ光が照射されるようにステージ上を搬送されてもよい。

また、図２０〜図２２に示したレーザ照射装置２_１〜２_３では、被処理体１６を搬送した際に被処理体１６のｙ軸方向の全面にレーザ光が照射される構成について説明した。しかし本実施の形態では、レーザ照射位置１５のｙ軸方向における長さは、図２０〜図２２に示した場合よりも短くてもよく、例えば、被処理体１６のｙ軸方向における長さの半分程度の長さとしてもよい。この場合は、被処理体１６をステージ上の矢印の方向に搬送し、複数回に分けて被処理体１６にレーザ光を照射することで、被処理体１６の全面を処理することができる。

（準精密浮上ユニットの他の構成例）
次に、準精密浮上ユニットの他の構成例について説明する。図２３は、準精密浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。図２３に示す構成例では、ラフ浮上ユニット１３、準精密浮上ユニット１２、及び精密浮上ユニット１１が搬送方向に並ぶように配置されている。ラフ浮上ユニット１３、準精密浮上ユニット１２、及び精密浮上ユニット１１の上面、つまり被処理体１６と対向する面側には多孔質体が設けられている。図２３に示すラフ浮上ユニット１３、準精密浮上ユニット１２、及び精密浮上ユニット１１においても、多孔質体の上面から上方に圧縮ガスが噴出する。これにより、被処理体１６が浮上する。

また、準精密ユニット１２および精密浮上ユニット１１は、被処理体１６との間に存在するガスを吸引する複数の吸気孔４１、４２を備える。図２３に示す準精密ユニット１２では、複数の吸気孔４２は、ラフ浮上ユニット１３側よりも精密浮上ユニット１１側において密になるように配置されている。また、精密浮上ユニット１１では、準精密浮上ユニット１２の精密浮上ユニット１１側における吸気孔４２と同様に、吸気孔４１が密に配置されている。

よって、図２３に示すように、準精密浮上ユニット１２の吸気孔４２の配置を、ラフ浮上ユニット１３側から精密浮上ユニット１１側に行くにしたがって吸気孔４２の密度が次第に密になるように配置することで、ラフ浮上ユニット１３側から精密浮上ユニット１１側に被処理体１６を搬送する際に、被処理体１６のたわみ量がより滑らかに変化するようにすることができる。

以上で説明したように、本実施の形態においても、搬送時に被処理体のたわみを低減させることが可能なレーザ照射装置、及びレーザ照射方法を提供することができる。

（ラフ浮上ユニットのその他の構成）
以下、ラフ浮上ユニットのその他の構成について説明する。本実施の形態では、ラフ浮上ユニット１３に形成する溝１７の形状は上記で示した形状に限定されることはない。例えば、図２４に示すように、ラフ浮上ユニット１３に形成する溝の形状を、第１の方向に伸びる溝１７_５、第２の方向に伸びる溝１７_６、及び第３の方向に伸びる溝１７_７が互いに交わるような形状としてもよい。図２４に示す場合は、各々の溝１７_５〜１７_７が三角形の各々の辺に対応している。

また、図２５に示すように、ラフ浮上ユニット１３に六角形の溝１７_８を形成してもよい。この場合は、溝の形状が連続的な直線形状とはならいが、溝１７_８を通じて被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間に存在するガス（ガス溜まり）を排出することができる。すなわち、本実施の形態では、平面視した際に、ラフ浮上ユニット１３の中央部と外側とを繋ぐ溝が形成されていればよく、溝を通じて被処理体１６とラフ浮上ユニット１３との間に存在するガスを排出することができるのであれば、溝の形状はどのような形状であってもよい。

また、本実施の形態では、ラフ浮上ユニットを下記のように構成してもよい。図２６〜図３１は、ラフ浮上ユニットの他の構成例を説明するための平面図である。図２６に示すように、複数のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_３を用いてラフ浮上領域１３を構成した場合は、各々のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_３が隣り合う箇所において段差が生じる場合がある。具体的には、ラフ浮上ユニット１３_１とラフ浮上ユニット１３_２とが隣り合う境界５１において段差が生じ、ラフ浮上ユニット１３_２とラフ浮上ユニット１３_３とが隣り合う境界５２において段差が生じる場合がある。このような段差は、ラフ浮上ユニットの加工精度のばらつきに起因して生じるものである。

ここで、図２６に示すように、各々のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_３に２つの方向に伸びる溝１７_１、１７_２を形成した場合は、溝１７_１、１７_２が形成されている領域において被処理体１６の浮上量が低下する。つまり、溝１７_１、１７_２が形成されている箇所では、被処理体１６の下面にガスが吹き付けられないため、被処理体１６の浮上量が低下する。特に、図２６に示すように、被処理体１６の角部５３が溝５５の上を通過する際は、被処理体１６の角部５３の浮上量が一時的に低下する。そして、ラフ浮上ユニット１３_２とラフ浮上ユニット１３_３との境界５２付近において被処理体１６の角部５３の浮上量が低下すると、被処理体１６の角部５３が境界５２付近の段差を越えることができず、被処理体１６の角部５３が境界５２付近の段差に衝突する場合がある。

このような現象は、図２６に示すように、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２の搬送方向上流側に溝５５（この場合は、溝１７_１の一部）があり、且つこの溝５５が被処理体１６の角部５３の搬送経路にある場合に生じる可能性が高くなる。

本実施の形態では、このような現象が生じることを抑制するために、図２７に示すように、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２の搬送方向上流側に位置し、且つ被処理体１６の角部５３の搬送経路に位置する部分（図２６の溝５５が形成されている位置に対応）において、溝を取り除いている（つまり、溝を形成しないようにしている）。このような箇所に溝を形成しないことで、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２付近において被処理体１６の角部５３の浮上量が低下することを抑制することができ、被処理体１６の角部５３が境界５２付近の段差に衝突することを抑制することができる。

図２８に示す場合も同様に、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２の搬送方向上流側に溝５６（この場合は、溝１７_２の一部）があり、且つこの溝５６が被処理体１６の角部５３の搬送経路にある場合に、被処理体１６の角部５３が境界５２付近の段差に衝突する場合がある。

この場合も同様に、図２９に示すように、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２の搬送方向上流側に位置し、且つ被処理体１６の角部５３の搬送経路に位置する部分（図２８の溝５６が形成されている位置に対応）に溝を形成しないようにする。このような箇所に溝を形成しないことで、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２付近において被処理体１６の角部５３の浮上量が低下することを抑制することができ、被処理体１６の角部５３が境界５２付近の段差に衝突することを抑制することができる。

一方、図３０に示すように、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２の搬送方向上流側に溝がある場合であっても、この溝が被処理体１６の角部５３の搬送経路にない場合は、被処理体１６の角部５３の境界５２付近において被処理体１６の角部５３の浮上量は低下しない。よって、このような場合は、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２付近に溝を形成しても問題ない。

また、図３１に示すように、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２の搬送方向下流側に溝１７_１、１７_２があり、この溝が被処理体１６の角部５３の搬送経路にある場合は、境界５２の搬送方向下流側において、被処理体１６の角部５３の浮上量が一時的に低下する。しかしこの場合は、被処理体１６の角部５３の浮上量が低下するのは境界５２の搬送方向下流側であるので、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２における段差に被処理体１６の角部５３が衝突することはない。よってこの場合も、ラフ浮上ユニット１３_２、１３_３の境界５２付近に溝を形成しても問題ない。

なお、本実施の形態では、ラフ浮上ユニット１３_１〜１３_３に溝１７_１、１７_２を形成し、この溝１７_１、１７_２を通して被処理体１６とラフ浮上ユニット１３_１〜１３_３との間に存在するガス（ガス溜まり）を排出することで被処理体１６がたわむことを抑制することを目的としている。よって、上記のように溝を形成しない部分を設ける箇所は、最低限にとどめることが好ましい。

また、上記では、各々のラフ浮上ユニット１３_１〜１３_３に、２つの方向に伸びる溝１７_１、１７_２が形成されている場合について説明したが、本実施の形態ではラフ浮上ユニットに１つの方向に伸びる溝が形成されている場合（例えば、図１の溝１７を参照）についても同様に適用することができる。なお、ラフ浮上ユニットに１つの方向に伸びる溝が形成されている場合は、溝が伸びる方向の両側を塞がないようにする必要がある。すなわち、１つの方向に伸びる溝の場合は、溝が伸びる方向の両側の溝を取り除くと、ラフ浮上ユニットの内側から外部にガスが排出されなくなるため、この場合は、１つの方向に伸びる溝の片側の溝のみを取り除くようにする。

＜その他の実施の形態＞
次に、その他の実施の形態として、実施の形態１、２で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置について説明する。

（半導体装置の製造方法）
まず、上記で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、レーザ照射装置としてレーザアニール装置を用いることで、基板上に形成した非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、半導体装置はＴＦＴ（Thin Film transistor）を備える半導体装置であり、この場合はアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して結晶化させてポリシリコン膜を形成することができる。

図３２は、半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、ＴＦＴアレイ基板の製造に好適である。以下、ＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について説明する。

まず、図３２（ａ）に示すように、ガラス基板２０１上に、ゲート電極２０２を形成する。ゲート電極２０２は、例えば、アルミニウムなどを含む金属薄膜を用いることができる。次に、図３２（ｂ）に示すように、ゲート電極２０２の上に、ゲート絶縁膜２０３を形成する。ゲート絶縁膜２０３は、ゲート電極２０２を覆うように形成される。その後、図３２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜２０３の上に、アモルファスシリコン膜２０４を形成する。アモルファスシリコン膜２０４は、ゲート絶縁膜２０３を介して、ゲート電極２０２と重複するように配置されている。

ゲート絶縁膜２０３は、窒化シリコン膜（ＳｉＮ_ｘ）、酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２膜）、又はこれらの積層膜等などである。具体的には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ゲート絶縁膜２０３とアモルファスシリコン膜２０４とを連続成膜する。

そして、図３２（ｄ）に示すように、上記で説明したレーザ照射装置を用いてアモルファスシリコン膜２０４にレーザ光を照射してアモルファスシリコン膜２０４を結晶化させて、ポリシリコン膜２０５を形成する。これにより、シリコンが結晶化したポリシリコン膜２０５がゲート絶縁膜２０３上に形成される。

このとき、上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置を用いることで、基板２０１（被処理体）の搬送時に基板２０１のたわみを低減させることができ、アモルファスシリコン膜２０４に照射されるレーザ光の焦点深度（ＤＯＦ）から外れてしまうことを抑制することができる。よって、均一に結晶化されたポリシリコン膜２０５を形成することができる。

その後、図３２（ｅ）に示すように、ポリシリコン膜２０５の上に層間絶縁膜２０６、ソース電極２０７ａ、及びドレイン電極２０７ｂを形成する。層間絶縁膜２０６、ソース電極２０７ａ、及びドレイン電極２０７ｂは、一般的なフォトリソグラフィー法や成膜法を用いて形成することができる。

上記で説明した半導体装置の製造方法を用いることで、ＴＦＴを備える半導体装置を製造することができる。なお、これ以降の製造工程については、最終的に製造するデバイスによって異なるので説明を省略する。

（有機ＥＬディスプレイ）
次に、ＴＦＴを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ＥＬディスプレイについて説明する。図３３は、有機ＥＬディスプレイの概要を説明するための断面図であり、有機ＥＬディスプレイの画素回路を簡略化して示している。図３３に示す有機ＥＬディスプレイ３００は、各画素ＰＸにＴＦＴが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。

有機ＥＬディスプレイ３００は、基板３１０、ＴＦＴ層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３、及び封止基板３１４を備えている。図３３では、封止基板３１４側が視認側となるトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ＥＬディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態にかかる半導体装置は、ボトムエミッション方式の有機ＥＬディスプレイに用いられていてもよい。

基板３１０は、ガラス基板又は金属基板である。基板３１０の上には、ＴＦＴ層３１１が設けられている。ＴＦＴ層３１１は、各画素ＰＸに配置されたＴＦＴ３１１ａを有している。さらに、ＴＦＴ層３１１は、ＴＦＴ３１１ａに接続される配線等を有している。ＴＦＴ３１１ａ、及び配線等が画素回路を構成する。なお、ＴＦＴ層３１１は、図３２で説明したＴＦＴに対応しており、ゲート電極２０２、ゲート絶縁膜２０３、ポリシリコン膜２０５、層間絶縁膜２０６、ソース電極２０７ａ、及びドレイン電極２０７ｂを有する。

ＴＦＴ層３１１の上には、有機層３１２が設けられている。有機層３１２は、画素ＰＸごとに配置された有機ＥＬ発光素子３１２ａを有している。有機ＥＬ発光素子３１２ａは、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が積層された積層構造を有している。トップエミッション方式の場合、陽極は金属電極であり、陰極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜である。さらに、有機層３１２には、画素ＰＸ間において、有機ＥＬ発光素子３１２ａを分離するための隔壁３１２ｂが設けられている。

有機層３１２の上には、カラーフィルタ層３１３が設けられている。カラーフィルタ層３１３は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ３１３ａが設けられている。すなわち、各画素ＰＸには、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、又はＢ（青色）に着色された樹脂層がカラーフィルタ３１３ａとして設けられている。有機層３１２から放出された白色光は、カラーフィルタ３１３ａを通過すると、ＲＧＢの色の光に変換される。なお、有機層３１２に、ＲＧＢの各色を発光する有機ＥＬ発光素子が設けられている３色方式の場合、カラーフィルタ層３１３を省略してもよい。

カラーフィルタ層３１３の上には、封止基板３１４が設けられている。封止基板３１４は、ガラス基板などの透明基板であり、有機層３１２の有機ＥＬ発光素子の劣化を防ぐために設けられている。

有機層３１２の有機ＥＬ発光素子３１２ａに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素ＰＸに供給することで、各画素ＰＸでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。

なお、上記では、ＴＦＴを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ＥＬディスプレイについて説明したが、ＴＦＴを備える半導体装置は、例えば液晶ディスプレイであってもよい。また、上記では、本実施の形態にかかるレーザ照射装置をレーザアニール装置に適用した場合について説明した。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、レーザアニール装置以外の装置にも適用することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

１、２ レーザ照射装置
１０ 浮上ユニット
１１、１１ａ、１１ｂ 精密浮上ユニット
１２、１２ａ〜１２ｄ 準精密浮上ユニット
１３、１３ａ〜１３ｆ ラフ浮上ユニット
１５ レーザ光、レーザ照射位置
１６ 被処理体
１７、１７_１〜１７_４ 溝
１８ 把持部
２１ 台座
２２ 多孔質体
２４_１、２４_２ 給気ポート
２５_１、２５_２ 排気ポート
２６ 流路
２７ 吸気孔
３１ 台座
３２ 多孔質体
３４_１、３４_２ 給気ポート

Claims (13)

1. レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
   前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、を備え、
   前記浮上ユニットは、第１の領域と第２の領域とを備え、
   前記第１の領域および前記第２の領域は、平面視した際に前記レーザ光の焦点と前記第１の領域とが重畳し、前記レーザ光の焦点と前記第２の領域とが重畳しないように配置されており、
   前記第１の領域は、ガスの噴出および吸引を用いて前記被処理体を浮上させるように構成されており、
   前記第２の領域は、ガスの噴出を用いて前記被処理体を浮上させるように構成されており、
   前記被処理体は、前記レーザ発生装置と前記浮上ユニットとの間に位置し、
   前記第２の領域の前記被処理体と対向する側の面には、前記被処理体と前記第２の領域との間に存在するガスを排出するための溝が形成されており、
   前記溝は、前記浮上ユニットを平面視した際に、前記被処理体の搬送方向下流側の辺に対して所定の角度をなすように形成されており、
   前記第２の領域は、ガスの噴出を用いて前記被処理体を浮上させる複数のラフ浮上ユニットを用いて構成されており、
   前記複数のラフ浮上ユニットの各々には前記溝が形成されており、
   前記溝は、前記複数のラフ浮上ユニットを並べた際に、前記各々のラフ浮上ユニットに形成された溝が互いに繋がるように形成されており、
   前記複数のラフ浮上ユニットが隣り合う境界付近の搬送方向上流側の位置であって、前記被処理体の角部の搬送経路と重畳する位置において、前記溝が部分的に取り除かれている、
   レーザ照射装置。
2. 前記溝は、前記浮上ユニットを平面視した際に互いに平行に並ぶように形成されている、請求項１に記載のレーザ照射装置。
3. 前記溝は、前記浮上ユニットを平面視した際に、第１の方向に伸びる第１の溝と第２の方向に伸びる第２の溝とを備え、
   前記第１及び第２の溝は互いに交差するように形成されている、
   請求項１に記載のレーザ照射装置。
4. 前記第２の領域は、ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第１のガス噴出部を備え、
   前記第１のガス噴出部は多孔質体を用いて構成されており、
   前記溝は、前記多孔質体の表面に形成されている、
   請求項１に記載のレーザ照射装置。
5. 前記浮上ユニットは更に、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された第３の領域を備え、
   前記第３の領域は、ガスの噴出および吸引を用いて前記被処理体を浮上させるように構成されており、
   前記第１の領域および前記第３の領域は、前記第１の領域における前記ガスの制御と前記第３の領域における前記ガスの制御とが前記第１の領域および前記第３の領域においてそれぞれ独立に制御可能に構成されている、
   請求項１に記載のレーザ照射装置。
6. 前記第１の領域は、
   ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第２のガス噴出部と、
   前記被処理体と前記第１の領域との間に存在するガスを吸引する複数の第１の吸気孔と、を備える、
   請求項５に記載のレーザ照射装置。
7. 前記第２のガス噴出部は多孔質体を用いて構成されており、
   前記複数の第１の吸気孔は、前記多孔質体の前記被処理体と対向する面において均一に配置されている、
   請求項６に記載のレーザ照射装置。
8. 前記第３の領域は、
   ガスを上方に噴出して前記被処理体を浮上させる第３のガス噴出部と、
   前記被処理体と前記第３の領域との間に存在するガスを吸引する複数の第２の吸気孔と、を備える、
   請求項６に記載のレーザ照射装置。
9. 前記第３のガス噴出部は多孔質体を用いて構成されており、
   前記複数の第２の吸気孔は、前記多孔質体の前記被処理体と対向する面において、前記第２の領域側よりも前記第１の領域側において密になるように配置されている、
   請求項８に記載のレーザ照射装置。
10. 前記第２のガス噴出部に供給されるガス供給量と前記第３のガス噴出部に供給されるガス供給量とが独立に制御可能に構成されており、
    前記第１の吸気孔のガス吸引量と前記第２の吸気孔のガス吸引量とが独立に制御可能に構成されている、
    請求項８に記載のレーザ照射装置。
11. 前記第２の領域の面積は、前記第１の領域の面積よりも広い、請求項１に記載のレーザ照射装置。
12. 前記第１の領域の前記被処理体と対向する面の平面度は、前記第２の領域の前記被処理体と対向する面の平面度よりも小さくなるように構成されている、請求項１に記載のレーザ照射装置。
13. 前記第２の領域の面積は、前記第１の領域の面積よりも広く、
    前記第１の領域の前記被処理体と対向する面の平面度は、前記第２の領域の前記被処理体と対向する面の平面度よりも小さくなるように構成されている、請求項１に記載のレーザ照射装置。

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