WO2022163783A1 - 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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irradiation
holding mechanism
laser beam
unit
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芳広 山口
貴洋 藤
博亮 今村
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Ｊｓｗアクティナシステム株式会社
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    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Definitions

  • the present invention relates to a carrier device, a carrier method, and a semiconductor device manufacturing method.
  • Patent Document 1 discloses a laser annealing apparatus for forming a polycrystalline silicon thin film.
  • a projection lens converges laser light onto a substrate so that the laser light forms a linear irradiation area.
  • the amorphous silicon film is crystallized into a polysilicon film.
  • the transport unit transports the substrate while the floating unit floats the substrate. Furthermore, in the levitation unit, the loading position and the unloading position of the substrate are common. The transport unit transports the substrate along each side of the levitation unit. By circulating the substrate twice on the floating unit, almost the entire surface of the substrate is irradiated with the laser beam.
  • the transport apparatus is a transport apparatus for transporting the substrate in order to irradiate the substrate with a linear laser beam, comprising: a substrate floating unit for floating the substrate on its upper surface; a holding mechanism for holding a substrate; a moving mechanism for moving the holding mechanism in a direction inclined from a direction orthogonal to the line-shaped laser beam in a top view so as to change the irradiation position of the laser beam on the substrate; It has
  • the transport device is a transport device for transporting the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, the transport device being arranged below the substrate to float the substrate.
  • 1 substrate levitation unit comprising: a first substrate levitation unit arranged from a central portion of the substrate to one end side of the substrate in top view; and a second substrate arranged below the substrate for floating the substrate.
  • a second substrate floating unit arranged on the other end side of the substrate from the center portion of the substrate when viewed from the top, and a second substrate floating unit arranged below the center portion of the substrate and sucking the substrate.
  • a holding mechanism for holding the substrate, and the holding mechanism is moved along the gap between the first substrate floating unit and the second substrate floating unit to move the substrate with respect to the irradiation position of the laser beam. and a moving mechanism.
  • the transport method is a transport method for transporting the substrate in order to irradiate the substrate with a linear laser beam, comprising: (a) a levitation unit arranged below the substrate; (b) holding the substrate by a holding mechanism; and (c) changing the irradiation position of the laser beam with respect to the substrate. and moving the holding mechanism in a direction inclined from a direction perpendicular to the longitudinal direction of the laser beam.
  • the transport method is a transport method for transporting the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, comprising: (A) a first laser beam arranged below the substrate; A substrate floating unit is used to float one end side of the substrate from the central portion of the substrate in top view, and a second substrate floating unit arranged below the substrate is used to float the substrate in top view. (B) attracting and holding the substrate using a holding mechanism arranged below the central portion of the substrate; (C) and moving the holding mechanism along the gap between the first substrate floating unit and the second substrate floating unit to move the substrate with respect to the irradiation position of the laser beam.
  • a method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of (s1) forming an amorphous film on a substrate, and (s2) crystallizing the amorphous film to form a crystallized film. and irradiating the substrate with a line-shaped laser beam to anneal the amorphous film, wherein the step of (s2) annealing includes: (sb) holding the substrate by a holding mechanism; and (sc) changing the irradiation position of the laser beam on the substrate in the longitudinal direction of the line-shaped laser beam in top view. and moving the retaining mechanism in a direction oblique from the orthogonal direction.
  • a method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of (S1) forming an amorphous film on a substrate, and (S2) crystallizing the amorphous film to form a crystallized film. and irradiating the substrate with a line-shaped laser beam to anneal the amorphous film, wherein the step of (S2) annealing includes (SA) arranged below the substrate.
  • SA first substrate floating unit is used to float one end side of the substrate from the central portion of the substrate in top view, and a second substrate floating unit disposed below the substrate is used to float the substrate in top view.
  • FIG. 1 is a top view schematically showing a laser irradiation device according to a first embodiment
  • FIG. 1 is a side sectional view schematically showing a laser irradiation device according to a first embodiment
  • FIG. It is a figure for demonstrating the intensity distribution of a pulsed laser beam.
  • It is a top view which shows the irradiation pitch of a pulsed laser beam, and the manufacturing pitch of TFT.
  • FIG. 11 is a top view showing the configuration of a conveying device according to a second embodiment; It is a top view for demonstrating the conveyance process in a conveying apparatus.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an exhaust system of the holding mechanism;
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining valve control of the holding mechanism; It is a side view which shows the structure of a conveying apparatus typically.
  • FIG. 11 is a top view schematically showing a laser irradiation device according to a third embodiment;
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining adsorption failure due to moment of inertia.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining adsorption-separation electrification;
  • FIG. 4 is a top view for explaining an irradiation process according to Example 1;
  • FIG. 10 is a top view for explaining an irradiation process according to Example 2;
  • FIG. 11 is a top view for explaining an irradiation process according to Example 3; 1 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of an organic EL display; FIG. It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device concerning this Embodiment. It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device concerning this Embodiment.
  • FIG. 10 is a top view schematically showing the configuration of Modification 1;
  • FIG. 11 is a top view schematically showing the configuration of Modified Example 2;
  • FIG. 5 is a top view for explaining the configuration of Irradiation Example 1;
  • FIG. 10 is a top view for explaining the configuration of Example 2 of irradiation;
  • FIG. 10 is a top view for explaining the configuration of Example 2 of irradiation;
  • FIG. 10 is a top view for explaining the configuration of Example 2 of irradiation;
  • FIG. 10 is a top view for explaining the configuration of Example 2 of irradiation;
  • FIG. 10 is
  • FIG. 11 is a top view for explaining the configuration of Example 3 of irradiation;
  • FIG. 11 is a top view for explaining the configuration of Example 4 of irradiation;
  • FIG. 11 is a top view for explaining the configuration of Example 4 of irradiation;
  • FIG. 11 is a top view for explaining the configuration of Example 5 of irradiation;
  • FIG. 11 is a top view for explaining the configuration of Example 5 of irradiation;
  • FIG. 4 is a top view schematically showing a configuration for simultaneously transporting two substrates;
  • FIG. 4 is a top view schematically showing a configuration for simultaneously transporting two substrates;
  • FIG. 4 is a top view schematically showing a configuration for simultaneously transporting two substrates;
  • FIG. 4 is a top view schematically showing a configuration for simultaneously transporting two substrates;
  • FIG. 4 is a top view schematically showing a configuration for simultaneously transporting two substrates;
  • a conveying device is used in a laser irradiation device such as a laser annealing device.
  • the laser annealing apparatus is, for example, an excimer laser annealing (ELA) apparatus for forming a low temperature poly-silicon (LTPS) film.
  • ELA excimer laser annealing
  • LTPS low temperature poly-silicon
  • FIG. 1 is a top view schematically showing the configuration of a laser irradiation device 1.
  • FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the configuration of the laser irradiation device 1. As shown in FIG.
  • the diagrams shown below show an xyz three-dimensional orthogonal coordinate system as appropriate for simplification of explanation.
  • the z direction is the vertical direction
  • the y direction is the direction along the line-shaped irradiation area 15a.
  • the x-direction is the direction orthogonal to the z-direction and the y-direction. That is, the y direction is the longitudinal direction of the linear irradiation area 15a, and the x direction is the lateral direction perpendicular to the longitudinal direction.
  • the laser irradiation device 1 includes a floating unit 10, a transport unit 11, and a laser irradiation section .
  • the levitation unit 10 and the transport unit 11 constitute a transport device.
  • the levitation unit 10 is configured to eject gas from the surface of the levitation unit 10 .
  • the levitation unit 10 levitates the object 16 to be processed on its upper surface.
  • the gas ejected from the surface of the floating unit 10 is sprayed onto the lower surface of the object 16 to float, thereby causing the object 16 to float.
  • the object 16 to be processed is a glass substrate.
  • the floating unit 10 adjusts the floating amount so that the object 16 to be processed does not come into contact with another mechanism (not shown) arranged above the object 16 to be processed.
  • the transport unit 11 transports the floating object to be processed 16 in the transport direction.
  • the transport unit 11 has a holding mechanism 12 and a moving mechanism 13 .
  • the holding mechanism 12 holds the object 16 to be processed.
  • the holding mechanism 12 can be configured using a vacuum suction mechanism.
  • the vacuum adsorption mechanism is made of metal material such as aluminum alloy.
  • the holding mechanism 12 may be made of a resin-based material such as PEEK (polyetheretherketone) material.
  • a suction groove, a suction hole, and the like are formed on the upper surface of the holding mechanism 12 .
  • the holding mechanism 12 may be made of a porous material.
  • the holding mechanism 12 vacuum suction mechanism
  • the holding mechanism 12 is connected to an exhaust port (not shown), and the exhaust port is connected to an ejector, a vacuum pump, and the like. Therefore, since a negative pressure for sucking gas acts on the holding mechanism 12 , the object to be processed 16 can be held using the holding mechanism 12 .
  • the holding mechanism 12 has an elevating mechanism (not shown) for performing an adsorption operation.
  • the lifting mechanism includes actuators such as air cylinders and motors, for example.
  • the holding mechanism 12 sucks the object to be processed 16 while being raised to the suction position.
  • the holding mechanism 12 descends to the standby position in a state in which the suction is released.
  • the holding mechanism 12 sucks the surface (lower surface) of the object 16 to be processed that is opposite to the surface (upper surface) irradiated with the laser beam 15 , that is, the surface of the object 16 to be processed that faces the levitation unit 10 . and holds the object 16 to be processed. In addition, the holding mechanism 12 holds the end of the object 16 in the +y direction.
  • a moving mechanism 13 provided in the transport unit 11 is connected to the holding mechanism 12 .
  • the moving mechanism 13 is configured to move the holding mechanism 12 in the transport direction.
  • the transport unit 11 (holding mechanism 12 and moving mechanism 13) is provided on the +y direction end side of the levitation unit 10. While the holding mechanism 12 holds the object to be processed 16, the moving mechanism 13 moves in the transport direction.
  • the object to be processed 16 is conveyed by moving.
  • the moving mechanism 13 is configured to slide the end of the levitation unit 10 in the +y direction along the transport direction.
  • the moving mechanism 13 slides the end of the levitation unit 10 along the transport direction, thereby transporting the workpiece 16 along the transport direction.
  • the transport direction is a direction tilted from the x direction. For example, assuming that the angle between the x direction and the transport direction is ⁇ , ⁇ is greater than 0°. ⁇ is preferably 5° or less.
  • the levitation unit 10 has a trapezoidal shape with four sides when viewed from above. Specifically, the levitation unit 10 has two sides parallel to the y direction of the levitation unit 10, one side parallel to the x direction, and one side inclined from the x direction (also referred to as an inclined side 10e). there is
  • the moving mechanism 13 includes, for example, an actuator such as a motor (not shown), a linear guide mechanism, an air bearing, and the like.
  • the object 16 to be processed is irradiated with the laser beam 15 .
  • the irradiation area 15a of the laser beam 15 on the object 16 to be processed has a linear shape with the y direction as the longitudinal direction.
  • the irradiation region 15a has a longitudinal direction in the y direction and a lateral direction in the x direction.
  • the laser irradiation unit 14 has an excimer laser light source or the like that generates laser light. Furthermore, the laser irradiation unit 14 has an optical system that guides the laser beam to the object 16 to be processed.
  • the laser irradiation unit 14 has a cylindrical lens for forming a linear irradiation region 15a.
  • An object 16 to be processed is irradiated with a line-shaped laser beam 15 (line beam) having a focal point extending in the y direction.
  • the object 16 to be processed is, for example, a glass substrate on which an amorphous film (amorphous silicon film 16b) is formed.
  • the amorphous film can be crystallized by irradiating the amorphous film with the laser beam 15 for annealing.
  • the amorphous silicon film 16b can be converted into a polycrystalline silicon film (polysilicon film 16a).
  • the transport unit 11 included in the laser irradiation apparatus 1 holds a position where the transport unit 11 does not overlap the irradiation area 15a in plan view (that is, when viewed from the z-direction) when the object 16 to be processed is transported.
  • An object 16 to be processed is being transported. That is, as shown in FIG. 1, when the object 16 to be processed is transported in the transport direction, the position where the transport unit 11 holds the object 16 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) overlaps the irradiation area 15a. I try not to.
  • the planar shape of the object 16 to be processed is a square (rectangular shape) having four sides, and the transport unit 11 (holding mechanism 12) holds only one of the four sides of the object 16 to be processed.
  • the transport unit 11 (holding mechanism 12) holds a position where the laser beam is not irradiated while the object 16 to be processed is being transported.
  • the position where the transport unit 11 holds the object 16 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) and the irradiation area 15a can be separated.
  • the irradiation area 15a is almost half of the object 16 on the -y side, and the transport unit 11 holds the end on the +y side. It is possible to increase the distance between the irradiation area 15a and the portion where the deflection is large near the holding mechanism 12. FIG. Therefore, it is possible to reduce the influence of deflection caused by the holding mechanism 12 of the object to be processed 16 during laser irradiation.
  • the length of the irradiation region 15a is approximately half the length of the object 16 to be processed. Therefore, when the object 16 to be processed passes through the irradiation region 15a once, the amorphous silicon film is crystallized in approximately half the area of the object 16 to be processed. Then, after rotating the object 16 to be processed 180 degrees around the z-axis by a rotation mechanism (not shown), the transport unit 11 transports the object 16 to be processed in the -x direction. Alternatively, after transporting the rotated object 16 in the -x direction, the transport unit 11 may transport it again in the +x direction.
  • the object to be processed 16 is irradiated with a laser beam when it is conveyed in the -x direction or when it is conveyed again in the +x direction after being rotated by 180 degrees.
  • the object 16 to be processed passes through the irradiation region 15a, and the amorphous silicon film is crystallized in the other half region of the object 16 to be processed.
  • the amorphous silicon film is converted into a polycrystalline silicon film over almost the entire object 16 to be processed.
  • the transport direction is tilted from the x-direction perpendicular to the linear irradiation area 15a. That is, the object 16 to be processed is conveyed in a conveying direction inclined from the edge of the rectangular object 16 to be processed.
  • substrate transport suitable for the laser irradiation process can be realized. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be properly performed, and the display quality can be improved. With this configuration, for example, moiré can be prevented from occurring.
  • the object 16 to be processed is a glass substrate for an organic EL display device.
  • the display area of the organic EL display device is rectangular, the edges of the display area are arranged parallel to the edges of the object 16 to be processed.
  • the organic EL display device has a rectangular display area with short sides in the x-direction and the y-direction.
  • the transport direction is parallel to the x-direction, the object 16 to be processed is irradiated with laser light in a state in which the pixel arrangement direction and the irradiation region 15a are parallel.
  • the laser irradiation process can be performed appropriately by setting the transport direction to a direction inclined from the x direction.
  • the moving mechanism 13 moves the holding mechanism 12 in a conveying direction inclined from the x-direction orthogonal to the longitudinal direction of the linear irradiation area 15a so as to change the laser irradiation position on the object 16 to be processed. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be properly performed. For example, it is possible to prevent the occurrence of moiré and improve the display quality.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the energy intensity distribution when pulsed laser light is applied.
  • the laser light 15 is pulsed laser light with a constant repetition frequency.
  • the object 16 to be processed is irradiated with the pulsed laser light while being transported.
  • the laser beam 15 has an intensity distribution as shown in FIG.
  • the intensity distribution of the laser light 15 is a Gaussian distribution.
  • the object to be processed 16 is conveyed so that the continuous pulsed laser beams are partially overlapped. That is, the conveying distance corresponding to the repetition frequency of the pulsed laser light is smaller than the spot width of the laser light in the transverse direction. In the object 16 to be processed, the spot of the laser beam 15 partially overlaps between one pulse and the next pulse.
  • FIG. 4 and 5 are top views schematically showing the laser irradiation pitch on the object 16 to be processed. 4 and 5 show enlarged views of the object 16 to be processed.
  • FIG. 4 shows a comparative example in which the direction perpendicular to the linear laser beam is parallel to the conveying direction.
  • FIG. 5 shows an embodiment in which the direction perpendicular to the line-shaped laser beam is tilted from the conveying direction.
  • the edge of the object to be processed 16 and the linear laser beam are parallel.
  • the edges of the object to be processed 16 are parallel to the x-direction or the y-direction.
  • the laser beam irradiation line 15f is a straight line indicating the center of the laser beam irradiation area 15a, and is parallel to the longitudinal direction of the irradiation area.
  • the irradiation line 15f is parallel to the y-direction, and the irradiation line 15f is orthogonal to the conveying direction of the object 16 to be processed. Since the conveying speed of the object 16 to be processed is constant, the irradiation lines 15f are arranged at regular intervals. The interval between the irradiation lines 15f is defined as an irradiation pitch.
  • the irradiation pitch is determined by the repetition frequency of the pulsed laser light and the transport speed.
  • the gate electrode 402 and the source electrode 407 are formed parallel to the edge of the object 16 to be processed.
  • the gate electrode 402 is parallel to the y-direction and parallel to the source electrode 407 .
  • the TFTs 313a are arranged along the x-direction and the y-direction.
  • the manufacturing pitch of the TFTs corresponds to the spacing of the gate electrodes 402 .
  • the laser irradiation pitch and the TFT manufacturing pitch are different.
  • the beat of the figure causes a striped pattern, or moire, to become visible.
  • the position of the irradiation line between the first laser irradiation (on the upper side in FIG. 4) and the second laser irradiation (on the lower side in FIG. 4) is deviates.
  • the irradiation line 15f is inclined with respect to the conveying direction of the object 16 to be processed. Since the object to be processed 16 is transported in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the laser beam, the periodicity of the shape appearing in the same direction is eliminated. This makes moire less visible. In this manner, as in the present embodiment, by transporting the object 16 to be processed in a direction inclined from the direction perpendicular to the longitudinal direction of the linear laser beam, it is possible to prevent moiré from occurring.
  • the moire may not be eliminated, or another moire may occur.
  • the angle of the irradiation line 15f may be adjusted according to the manufacturing pitch of the TFTs. Strictly speaking, the position of the irradiation line between the first laser irradiation (upper half of FIG. 4) and the second laser irradiation (lower half of FIG. 4) may deviates.
  • the object 16 to be processed is transported in order to irradiate the object 16 to be processed with the linear laser beam 15 .
  • the levitation unit 10 levitates the object 16 to be processed on its upper surface.
  • the object to be processed 16 is held by the holding mechanism 12 .
  • the holding mechanism 12 In order to change the irradiation position of the laser beam 15 on the object 16 to be processed, the holding mechanism 12 is moved in a direction tilted from the direction perpendicular to the longitudinal direction of the linear laser beam when viewed from above.
  • FIG. 6 is a top view schematically showing the conveying device 600. As shown in FIG. Descriptions of the contents common to the first embodiment will be omitted as appropriate.
  • the levitation unit 10 is divided into six regions 60a to 60f in top view.
  • the levitation unit 10 includes a first area 60a to a fourth area 60d, a process area 60e, and a passage area 60f.
  • the first region 60a is a trapezoidal region including corners on the -x side and the +y side (upper left corner in FIG. 6).
  • the second region 60b is a trapezoidal region including +x and +y side corners (upper right corner in FIG. 6).
  • the third area 60c is a rectangular area including the +x side and -y side corners (lower right corner in FIG. 6).
  • the fourth area 60d is a rectangular area including the -x side and -y side corners (lower left corner in FIG. 6).
  • the process area 60e is a trapezoidal area arranged between the first area 60a and the second area 60b.
  • the process area 60e is an area including the irradiation area 15a irradiated with laser light.
  • the passing area 60f is a rectangular area arranged between the third area 60c and the fourth area 60d.
  • the half region on the +y side of the levitation unit 10 (upper half region in FIG. 6) becomes a first region 60a, a process region 60e, and a second region 60b in order from the ⁇ x side (left side in FIG. 6). ing.
  • the -y side half area (lower half area in FIG. 6) of the levitation unit 10 is a third area 60c, a passing area 60f, and a fourth area 60d in order from the +x side.
  • the levitation unit 10 includes a rotation mechanism 68 and alignment mechanisms 69a and 69b.
  • a rotating mechanism 68 rotates the substrate.
  • Alignment mechanisms 69a and 69b align the substrates.
  • Alignment mechanisms 69a and 69b are provided in the first region 60a and the second region 60b, respectively.
  • a rotation mechanism 68 is provided in the fourth area 60d. Operations of the rotation mechanism 68 and the alignment mechanisms 69a and 69b will be described later.
  • the end floating units 671 to 676 are arranged outside the floating unit 10 . End floating units 671 to 676 are arranged along the outer circumference of the trapezoidal floating unit 10 . The end levitation units 671 to 676 are provided along the edge of the levitation unit 10 . The end floating units 671 to 676 are arranged so as to surround the outer periphery of the floating unit 10 when viewed from above.
  • the end levitation units 671 and 672 are arranged on the -x side of the levitation unit 10 .
  • An end levitation unit 673 is arranged on the +y side of the levitation unit 10 .
  • An end levitation unit 674 is arranged on the +x side of the levitation unit 10 .
  • End levitation units 675 , 676 are arranged on the ⁇ y side of the levitation unit 10 .
  • At least one of the end floating units 671, 672, 673, 674, 675, 676 can be omitted.
  • the holding mechanism 12 holds the edge of the substrate 100 .
  • the levitation unit 10 levitates the portion other than the end of the proximal end. By doing so, it is possible to avoid using the end levitation units around the levitation unit 10 .
  • the end levitation units 671 and 672 are arranged along the edge of the levitation unit 10 on the -x side. That is, the end floating units 671 and 672 are provided along the y direction. Also, the width of the end floating unit 671 in the x-direction is wider than that of the end floating unit 672 .
  • the end floating unit 671 is arranged on the -y side of the end floating unit 672 .
  • the end levitation unit 673 is arranged along the edge of the levitation unit 10 on the +y side. That is, the end floating unit 673 is provided along the inclined side 10 e of the floating unit 10 .
  • the end floating unit 674 is arranged along the edge of the +x side of the floating unit 10 . That is, the end floating units 674 are provided along the y direction.
  • the end levitation units 675 and 676 are arranged along the edge of the levitation unit 10 on the -y side. That is, the end levitation units 675 and 676 are provided along the x-direction. Also, the width of the end floating unit 676 in the y direction is wider than the end floating unit 675 . The end levitation unit 676 is arranged on the ⁇ x side of the end levitation unit 675 .
  • a transport unit 11a is provided between the levitation unit 10 and the end levitation unit 671.
  • the transport unit 11 a is also arranged between the levitation unit 10 and the end levitation unit 672 .
  • the transport unit 11a is formed along the y direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate in the +y direction. That is, the transport unit 11a transports the substrate 100 from the fourth area 60d toward the first area 60a.
  • a transport unit 11b is provided between the levitation unit 10 and the end levitation unit 673.
  • the transport unit 11b is formed along the inclined side 10e.
  • the transport unit 11b transports the substrate in a direction parallel to the inclined side 10e. That is, the transport unit 11b transports the substrate 100 from the first area 60a toward the second area 60b.
  • a transport unit 11c is provided between the levitation unit 10 and the end levitation unit 674.
  • the transport unit 11c is formed along the y direction.
  • the transport unit 11c transports the substrate 100 in the -y direction. That is, the transport unit 11c transports the substrate 100 from the second area 60b toward the third area 60c.
  • a transport unit 11d is provided between the levitation unit 10 and the end levitation unit 675.
  • the transport unit 11 d is also arranged between the levitation unit 10 and the end levitation unit 676 .
  • the transport unit 11d is formed along the x direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate in the -x direction. That is, the transport unit 11d transports the substrate from the third area 60c toward the fourth area 60d.
  • the transport units 11a to 11d each have a holding mechanism 12 and a moving mechanism 13 as in the first embodiment. Operations of the holding mechanism 12 and the moving mechanism 13 will be described later.
  • the laser light irradiation region 15a has the longitudinal direction in the y direction. That is, a line-shaped irradiation area 15a having the y direction as the longitudinal direction is formed.
  • the substrate is irradiated with laser light while the substrate is being transported in a direction parallel to the inclined side 10e. While moving from the first area 60a to the second area 60b, a laser irradiation process is performed.
  • the amorphous silicon film is converted into the polysilicon film by irradiating the substrate with laser light from the laser generator.
  • a precision levitation unit 111 is arranged in the irradiation area 15a and its periphery.
  • the precision levitation unit 111 has a higher precision of the levitation amount than the semi-precision levitation unit and the rough levitation unit in other areas. Therefore, in the process area 60e including the irradiation area 15a, the laser beam is applied to the object to be processed while floating with a higher accuracy of flying height than the other areas 60a to 60d and 60f. This makes it possible to stably irradiate the object to be processed with the laser beam. Areas other than the irradiation area 15a, such as the passing area 60f, the third area 60c, and the fourth area 60d, are created without using the expensive precision levitation unit 111. FIG. Therefore, device cost can be reduced.
  • the fourth area 60d serves as the loading position and the unloading position of the substrate 100.
  • the substrate 100 carried into the fourth area 60d is transferred to the first area 60a, the process area 60e, the second area 60b, the third area 60c, the passing area 60f, and the fourth area 60d in this order. It will be done. That is, the substrate 100 goes around along the edge of the levitation unit 10 .
  • the substrate 100 makes two turns. That is, the substrate 100 is conveyed so as to circulate twice on the floating unit 10 . By doing so, almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • the substrate 100 is loaded into the fourth area 60d.
  • the substrate 100 carried into the fourth area 60 d is floated by the levitation unit 10 and the edge levitation units 671 , 672 and 676 . That is, the ⁇ x side edge of the substrate 100 is floated by the edge levitation units 671 and 672 , and the central portion is levitated by the levitation unit 10 .
  • the ⁇ y side edge of the substrate 100 is floated by the edge levitation unit 676 .
  • the substrate 100 is held by the holding mechanism 12a of the transport unit 11a.
  • the substrate 100a in the fourth area 60d is transferred to the first area 60a.
  • the substrate moved to the first region 60a is shown as the substrate 100b.
  • a holding mechanism 12a of the transport unit 11a holds the substrate 100a.
  • the substrate 100a moves from the fourth area 60d to the first area 60a by moving the holding mechanism 12a in the +y direction by the moving mechanism 13a (white arrow in FIG. 8).
  • the holding mechanism 12a passes between the floating unit 10 and the end floating unit 671 and moves in the +y direction. Furthermore, in the xy plan view, the holding mechanism 12a moves in the +y direction through between the levitation unit 10 and the end levitation unit 672 . Therefore, the substrate 100b is levitated by the levitation unit 10 and the end levitation units 672,673. That is, the ⁇ x-side edge of the substrate 100 b is floated by the edge floating unit 672 , and the central portion is floated by the floating unit 10 . The edge on the +y side of the substrate 100 b is floated by the edge levitation unit 673 .
  • the alignment mechanism 69a aligns the position and angle of the substrate 100b transferred to the first region 60a.
  • the position and rotation angle of the substrate may be slightly deviated due to the loading operation, the transport operation, and the rotating operation of the substrate 100 .
  • the alignment mechanism 69a corrects deviations in position and rotation angle. Thereby, the irradiation position of the laser light on the substrate 100 can be controlled with high accuracy.
  • the alignment mechanism 69a is movable in the y-direction and rotatable around the z-axis. Furthermore, the alignment mechanism 69a is movable in the z-direction.
  • the alignment mechanism 69a has an actuator such as a motor. The amount of positional deviation and the amount of angular deviation are obtained from an image of the substrate 100b captured by a camera or the like. The alignment mechanism 69a performs alignment based on this deviation amount.
  • An alignment mechanism 69a is arranged directly below the central portion of the substrate 100b. Alignment mechanism 69a holds substrate 100b. The alignment mechanism 69a may suck and hold the substrate 100b in the same manner as the holding mechanism 12 does. The holding mechanism 12a releases the holding of the substrate 100b. As a result, the substrate 100b is transferred from the holding mechanism 12a to the alignment mechanism 69a.
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100b around the z-axis (white arrow in FIG. 9).
  • the alignment mechanism 69 a rotates the substrate 100 b so that the edge of the substrate 100 b is parallel to the inclined side 10 e of the floating unit 10 .
  • the substrate after rotation is shown as substrate 100c.
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100 about 5 degrees around the z-axis.
  • the edge of the substrate 100c is parallel to the inclined side 10e of the levitation unit 10.
  • the holding mechanism 12b of the transport unit 11b holds the substrate 100b, and the alignment mechanism 69a releases the holding.
  • the substrate 100c is transferred from the alignment mechanism 69a to the holding mechanism 12b of the transport unit 11b.
  • the transport unit 11b moves the substrate 100d.
  • This causes the substrate 100d to pass through the process area 60e.
  • the holding mechanism 12b passes between the levitation unit 10 and the end levitation unit 673 and moves in a direction parallel to the inclined side 10e.
  • almost half the area of the substrate 100d passes through the irradiation area 15a.
  • a substrate 100d that is moving in a tilt direction that is tilted from the x-direction orthogonal to the irradiation region 15a is irradiated with laser light.
  • the holding mechanism 12b passes between the levitation unit 10 and the end levitation unit 673 and moves in a direction parallel to the inclined side 10e. Therefore, the substrate 100 d is levitated by the levitation unit 10 and the end levitation unit 673 . In other words, the +y side edge of the substrate 100d is floated by the edge levitation unit 673, and the central part is levitated by the levitation unit .
  • a laser irradiation process is performed while moving from the first region 60a to the second region 60b.
  • the alignment mechanism 69b aligns the substrate 100e.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100e (white arrow in FIG. 11).
  • the substrate after rotation is shown as a substrate 100f.
  • An alignment mechanism 69b is arranged directly below the central portion of the substrate 100e. Alignment mechanism 69b holds substrate 100e. The alignment mechanism 69b may suck and hold the substrate 100e in the same manner as the holding mechanism 12 does. Furthermore, the holding mechanism 12b releases the holding of the substrate 100e. The substrate 100e is transferred from the holding mechanism 12b of the transport unit 11b to the alignment mechanism 69b.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100e around the z-axis (white arrow in FIG. 11).
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100e such that the edge of the substrate 100e is parallel to the inclined side 10e of the floating unit 10.
  • FIG. The edge of the substrate 100f after rotation is parallel to the x-direction or the y-direction.
  • the holding mechanism 12c of the transport unit 11c holds the substrate 100f, and the alignment mechanism 69b releases the holding. As a result, the substrate 100f is transferred from the alignment mechanism 69b to the holding mechanism 12c of the transport unit 11c.
  • the substrate 100 e is levitated by the levitation unit 10 and end levitation units 673 and 674 . That is, the +y side edge of the substrate 100 e is floated by the edge floating unit 673 . The edge on the +x side of the substrate 100 e is floated by the edge levitation unit 674 , and the central part is levitated by the levitation unit 10 .
  • the substrate 100f in the second area 60b is transferred to the third area 60c.
  • the substrate moved to the third region 60c is shown as substrate 100g.
  • the holding mechanism 12c of the transport unit 11c holds the substrate 100f.
  • the substrate 100f moves from the second area 60b to the third area 60c by moving the holding mechanism 12c in the -y direction by the moving mechanism 13c (white arrow in FIG. 12).
  • the holding mechanism 12c passes between the floating unit 10 and the end floating unit 674 and moves in the -y direction. Therefore, the substrate 100 e is levitated by the levitation unit 10 and the end levitation units 674 and 675 .
  • the edge on the +x side of the substrate 100 e is floated by the edge levitation unit 674 , and the central part is levitated by the levitation unit 10 .
  • the ⁇ y side edge of the substrate 100 e is floated by the edge levitation unit 675 .
  • the holding mechanism 12d of the transport unit 11d holds the substrate 100g, and the holding mechanism 12c releases the holding.
  • the substrate 100g is transferred from the holding mechanism 12c of the transport unit 11c to the holding mechanism 12d of the transport unit 11d.
  • the substrate 100g in the third area 60c is transferred to the fourth area 60d.
  • the substrate moved to the fourth region 60d is shown as substrate 100h.
  • the holding mechanism 12d of the transport unit 11d holds the substrate 100g.
  • the moving mechanism 13d moves the holding mechanism 12d in the -x direction, thereby moving the substrate 100f from the third region 60c to the fourth region 60d (white arrow in FIG. 13).
  • the holding mechanism 12d passes between the levitation unit 10 and the end levitation unit 675 and moves in the -x direction.
  • the holding mechanism 12d passes between the levitation unit 10 and the end levitation unit 676 and moves in the -x direction. Therefore, the substrate 100 h is levitated by the levitation unit 10 and the edge levitation unit 676 .
  • the ⁇ y side edge of the substrate 100 h is floated by the edge levitation unit 676
  • the central part is levitated by the levitation unit 10 .
  • the ⁇ x side edge of the substrate 100 h is floated by the edge floating unit 671 .
  • the substrate 100 that was in the fourth region 60d becomes the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passing region 60f, and the fourth region 60d. Move in order. That is, the substrate 100 goes around along the edge of the levitation unit 10 .
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h around the z-axis by 180 degrees. That is, the substrate 100h is transferred from the holding mechanism 12d to the rotating mechanism 68.
  • FIG. When the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h, the substrate 100h is transferred from the rotation mechanism 68 to the holding mechanism 12d.
  • the transport units 11a to 11d again move the substrate 100h through the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passing region 60f, and the fourth region 60d. continue. That is, as shown in FIGS. 7 to 13, the substrate 100 goes around along the edge of the levitation unit .
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h by 180°.
  • the laser light is applied to the remaining half area that was not irradiated with the laser light during the first pass.
  • the substrate 100 circulates twice along the edge of the levitation unit 10 . Since the substrate 100 is rotated by 180° between the first laser irradiation and the second laser irradiation, almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • the position to rotate the substrate 100 is not limited to the first region 60a. For example, it may be performed in the second region 60b, the third region 60c, the fourth region 60d, or the like.
  • the moving mechanism 13b conveys the holding mechanism 12b in a direction inclined from the x-direction orthogonal to the irradiation area 15a. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be properly performed. For example, it is possible to prevent the occurrence of moiré and improve the display quality.
  • FIG. 15 is a perspective view showing the configuration of part of the holding mechanism 12. As shown in FIG. FIG. 15 shows a holding mechanism 12 whose moving direction is the y-direction, like the holding mechanism 12c shown in FIG. 13, for example. FIG. 15 shows the configuration of the ⁇ y side end of the holding mechanism 12 .
  • the holding mechanism 12 includes a plurality of adsorption cells 121.
  • a plurality of adsorption cells 121 are arranged along the transport direction.
  • a recess 122 is provided between the two adsorption cells 121 .
  • the holding mechanism 12 is made of, for example, a metal material such as aluminum.
  • a plurality of adsorption cells 121 can be integrally formed from an aluminum alloy such as A5052.
  • the upper surface of the adsorption cell 121 serves as an adsorption surface 121a for adsorbing the substrate 100 (not shown in FIG. 15).
  • 16 shows an enlarged view of the adsorption surface 121a and a sectional view of the adsorption cell 121.
  • FIG. A suction groove 126 is provided on the suction surface 121a. Furthermore, the suction groove 126 is connected to the suction hole 125 .
  • An intake hole 125 is connected to an internal space 127 provided in the adsorption cell 121 . When the internal space 127 is evacuated by a pump or the like, the suction holes 125 and the suction grooves 126 become negative pressure. As a result, the substrate 100 is vacuum-sucked on the suction surface 121a of each suction cell 121 .
  • a valve 129 is preferably provided for each of the plurality of adsorption cells 121, as shown in FIG.
  • each adsorption cell 121 is connected to an exhaust port 128 .
  • Exhaust port 128 is connected to pipe 130 via valve 129 .
  • a pipe 130 is common to the plurality of exhaust ports 128 .
  • the pipe 130 is connected to exhaust means 131 such as a vacuum pump and an ejector. Therefore, the evacuation means 131 can depressurize the internal space 127 of each adsorption cell 121 .
  • a valve 129 is provided for each adsorption cell 121 .
  • a plurality of valves 129 can be opened and closed independently.
  • a substrate 100 is placed on the adsorption surface 121a. By opening all the valves 129 , each adsorption cell 121 vacuum-sucks the lower surface of the substrate 100 .
  • the substrate 100 may not cover the adsorption surface 121a of some of the adsorption cells 121 due to the transportation error of the substrate 100 .
  • the adsorption surface 121 a of the adsorption cell 121 may not be completely covered with the substrate 100 .
  • the valve 129 of the adsorption cell 121 whose adsorption surface 121a is not closed is closed.
  • the substrate 100 is shifted from the adsorption surface 121a. Therefore, the valve 129 of the right adsorption cell 121 is closed.
  • FIG. 18 in the right adsorption cell 121 of the two adsorption cells 121, the substrate 100 is shifted from the adsorption surface 121a. Therefore, the valve 129 of the right adsorption cell 121 is closed.
  • the substrate 100 is held only by the adsorption cell 121 on the left side.
  • the valve 129 is closed when the suction flow rate of the gas at the exhaust port 128 exceeds a threshold value. By doing so, the substrate 100 can be properly vacuum-sucked. Therefore, it is possible to transport the substrate suitable for the laser irradiation process.
  • FIG. 19 is a side view schematically showing an example of the overall configuration of the conveying device 600.
  • the carrier device 600 includes an area base 610 , a pedestal 620 and a carrier stage 630 . Further, the transport device 600 includes the levitation unit 10, the holding mechanism 12, the moving mechanism 13, and the end levitation unit 670 as described above. As shown in FIG. 17 and the like, a pipe 130 is connected to the holding mechanism 12 by a joint or the like.
  • An area base 610 is provided on the pedestal 620 .
  • a levitation unit 10 and an end levitation unit 670 are provided on the area base 610 .
  • the end levitation unit 670 is any of the end levitation units 671-676 illustrated in FIGS.
  • the levitation unit 10 includes a semi-precision levitation unit 112 and a rough levitation unit 113 .
  • the semi-precision levitation unit 112 has lower levitation accuracy than the precision levitation unit 111 .
  • the rough levitation unit 113 has lower levitation accuracy than the semi-precision levitation unit 112 and the precision levitation unit 111 .
  • a holding mechanism 12 is arranged between the levitation unit 10 and the end levitation unit 670 .
  • the moving mechanism 13 is arranged on the carrier stage 630 .
  • the moving mechanism 13 has a guide mechanism and the like provided along the moving direction.
  • the moving mechanism 13 moves the holding mechanism 12 as described above. Therefore, the holding mechanism 12 moves along the edge of the levitation unit 10 in the space (gap) between the levitation unit 10 and the end levitation unit 670 .
  • the moving substrate 100 can be irradiated with laser light.
  • FIG. 20 is a top view schematically showing the configuration of the conveying device 600A.
  • the levitation unit is divided into a first levitation unit 10A and a second levitation unit 10B in order to transport a larger substrate 100 .
  • the substrate 100 is a glass substrate of G10 size (3130 mm ⁇ 2880 mm).
  • the configuration other than the first levitation unit 10A and the second levitation unit 10B is the same as that of the first and second embodiments, and thus the description thereof will be omitted as appropriate.
  • a gap 10C is provided between the first floating unit 10A and the second floating unit 10B. That is, the first floating unit 10A and the second floating unit 10B are arranged with a gap 10C therebetween.
  • the first floating unit 10A and the second floating unit 10B are arranged below the substrate 100, which is the object to be processed, as shown in the first and second embodiments. Then, the first floating unit 10A and the second floating unit 10B eject gas onto the lower surface of the substrate 100, thereby floating the substrate 100 in the air.
  • Laser light is applied while the floating substrate 100 is being moved.
  • the irradiation area 15a of the laser light has a line shape along the y direction.
  • the irradiation area 15a is formed in the first floating unit 10A.
  • the holding mechanism 12 is moved along the x direction by the moving mechanism 13 (not shown in FIG. 20).
  • the transport direction of the substrate 100 is parallel to the x direction.
  • the holding mechanism 12 moves along the gap 10C.
  • the holding mechanism 12 sucks and holds the central portion of the substrate 100 that is not the end portion.
  • the first levitation unit 10A is arranged from the central portion of the substrate 100 to one end side.
  • the second floating unit 10B is arranged from the central portion of the substrate 100 to the other end side.
  • the first floating unit 10A is arranged on the -y side of the holding mechanism 12, and the second floating unit 10B is arranged on the +y side of the holding mechanism 12. Therefore, the first floating unit 10A air-floats from the central portion of the substrate 100 to the edge on the -y side.
  • the second levitation unit 10B air levitates from the central portion of the substrate 100 to the edge on the +y side.
  • the first levitation unit 10A and the second levitation unit 10B for air-levitating the central portion of the substrate 100 are provided.
  • the holding mechanism 12 holds the inner portion of the substrate 100 that is not the edge.
  • FIG. 21 is a diagram for explaining the case where the edge of the substrate 100 is held.
  • a moment of inertia M acts on the portion held by the holding mechanism 12.
  • the moment of inertia M becomes larger than when the holding mechanism 12 holds the central portion of the substrate 100 .
  • the moment of inertia M increases. If the moment of inertia M becomes large, there is a possibility that the holding mechanism 12 will be released from the vacuum adsorption.
  • the adsorption force can be increased by increasing the width of the holding mechanism 12 in the y direction.
  • increasing the width of the holding mechanism 12 increases the contact area where the substrate 100 and the holding mechanism 12 contact each other. Therefore, as shown in FIG. 22, charging of the substrate 100 becomes a problem.
  • the substrate 100 is charged due to adsorption/separation electrification that occurs when the substrate 100 is destroyed by adsorption (the upper diagram in FIG. 22).
  • the charge amount increases in proportion to the contact area between the substrate 100 and the holding mechanism 12 .
  • the holding mechanism 12 is made of a metal material. By grounding the holding mechanism 12, the charge of the holding mechanism 12 can be released.
  • the substrate 100 is an insulator such as glass. Therefore, the charges of the charged substrate 100 stay on the substrate 100 .
  • a Coulomb force is generated between the substrate 100 and the levitation unit 10, and the substrate 100 is drawn toward the levitation unit 10 (lower diagram in FIG. 22). In this case, the substrate 100 and the levitation unit 10 may come into contact with each other and be damaged.
  • the holding mechanism 12 holds the central portion of the substrate 100 instead of the end portions. By doing so, the moment of inertia generated in the portion held by the holding mechanism 12 can be reduced, so the planar size of the holding mechanism 12 can be reduced. In other words, even when the planar size of the holding mechanism 12 is reduced, it is possible to prevent the substrate 100 from being sucked and held due to the moment of inertia.
  • the holding mechanism 12 holds the central portion of the substrate 100 instead of the edge portions. That is, when viewed from above, the second floating unit 10B is arranged from the edge of the substrate 100 to the central portion.
  • the central portion of the substrate 100 can be, for example, a position where the substrate 100 bends and contacts the second levitation unit 10B when the second levitation unit 10B does not eject gas. That is, when the holding mechanism 12 holds the central portion of the substrate 100 and stops the release of the gas from the second floating unit 10B while the substrate is being transported, the substrate 100 comes into contact with the second floating unit 10B.
  • the edge of the substrate 100 is, for example, a position that does not contact the second levitation unit 10B even if the substrate 100 bends when the second levitation unit 10B does not eject gas. can be done. Even if the release of gas from the second levitation unit 10B is stopped while the holding mechanism 12 is holding the edge of the substrate 100, the substrate 100 does not come into contact with the second levitation unit 10B.
  • the transport method according to the present embodiment transports the substrate 100 in order to irradiate the substrate 100 with laser light that forms the linear irradiation area 15a.
  • One end side of the substrate 100 is floated from the central portion of the substrate 100 in top view using the first floating unit 10A arranged below the substrate 100, and the second floating unit arranged below the substrate 100 is used.
  • 10B is used to levitate the other end side of the substrate 100 from the central portion of the substrate 100 in top view.
  • a holding mechanism 12 arranged below the central portion of the substrate 100 is used to suck and hold the substrate 100 .
  • the holding mechanism 12 is moved along the gap 10C between the first floating unit 10A and the second floating unit 10B.
  • FIG. FIGS. 23 to 25 schematically show irradiation positions of the laser beam on the substrate 100, respectively.
  • substrate 100 is a mother glass substrate for forming a plurality of display panels.
  • the substrate size is 3130 mm ⁇ 2880 mm.
  • Example 1 shown in FIG. 23 shows an example of 8-panel fabrication in which eight display panels P1 to P8 are manufactured from one substrate 100.
  • the substrate size in the x direction is 3130 mm
  • the substrate size in the y direction is 2880 mm.
  • the panel size of each display panel is 764 mm ⁇ 1341 mm.
  • the size of the irradiation area 15a in the y direction shall be 1341 mm or more.
  • Almost half of the substrate 100 is irradiated with the laser light by irradiating the substrate 100 while the substrate 100 is being transported in the x-direction. In the region irradiated with the laser light, the amorphous silicon film is crystallized to form a polysilicon film.
  • a polysilicon film can be formed on almost the entire substrate 100 by two irradiation processes.
  • the substrate 100 In the first irradiation process, almost half the area of the substrate 100 is irradiated with laser light. That is, in the first irradiation process, a half rectangular area on the one end side of the substrate 100 is irradiated with laser light. A laser beam is applied to regions that will be the display panels P1 to P4. In the first irradiation process, the substrate 100 is transported in the x-direction while the holding mechanism 12 (not shown in FIG. 23) holds one or more regions of the display panels P5 to P8.
  • the substrate 100 is rotated 180° around the z-axis.
  • the remaining half region of the substrate 100 is irradiated with laser light. That is, in the second irradiation process, the half rectangular area on the other end side of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a laser beam is applied to the regions to be the display panels P5 to P8.
  • the substrate 100 is transported in the x direction while the holding mechanism 12 holds an area that will be one or more of the display panels P1 to P4. Almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with laser light by two irradiation processes.
  • Embodiment 2 shown in FIG. 24 shows an example of 6-panel fabrication in which six display panels P1 to P6 are manufactured from one substrate 100.
  • the substrate size in the x direction is 3130 mm
  • the substrate size in the y direction is 2880 mm.
  • the panel size of each display panel is 1546 mm ⁇ 888 mm.
  • the size of the irradiation area 15a in the y direction shall be 888 mm or more.
  • the substrate 100 In the first irradiation process, approximately 1 ⁇ 3 area of the substrate 100 is irradiated with laser light. A 1 ⁇ 3 rectangular area on one end side of the substrate 100 is irradiated with laser light. In other words, the laser light is applied to the regions to be the display panels P1 and P2. In the first irradiation process, the substrate 100 is transported in the x-direction while the holding mechanism 12 (not shown in FIG. 24) holds one or more regions of the display panels P3 to P6.
  • the substrate 100 is transported in the -y direction.
  • approximately one-third of the center area of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a 1 ⁇ 3 rectangular area including the center of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a laser beam is applied to the regions to be the display panels P3 and P4.
  • the substrate 100 is transported in the x direction while the holding mechanism 12 holds an area that will be one or more of the display panels P5 and P6. Approximately two-thirds of the substrate 100 is irradiated with laser light by two irradiation processes.
  • the substrate 100 is rotated 180° around the z-axis and transported in the y-direction.
  • a 1 ⁇ 3 rectangular area on the other end side of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a laser beam is applied to the regions to be the display panels P5 and P6.
  • the substrate 100 is transported in the x direction while the holding mechanism 12 holds an area that will be one or more of the display panels P1 to P4. Almost the entire substrate 100 is irradiated with laser light by three irradiation processes.
  • the order of laser light irradiation processes is not particularly limited. For example, after irradiating the regions to be the display panels P5 and P6 with the laser light, the regions to be the display panels P3 and P4 may be irradiated with the laser light. Also, in the first irradiation process, the regions to be the display panels P3 and P4 may be irradiated with laser light.
  • Example 3 shown in FIG. 25 shows an example of 6-panel fabrication in which three display panels P1 to P3 are manufactured from one substrate 100.
  • the substrate size in the x direction is 2880 mm
  • the substrate size in the y direction is 3130 mm.
  • the panel size of each display panel is 1806 mm ⁇ 1029 mm.
  • the size of the irradiation area 15a in the y direction shall be 1029 mm or more.
  • the substrate 100 In the first irradiation process, approximately 1 ⁇ 3 area of the substrate 100 is irradiated with laser light. A 1 ⁇ 3 rectangular area on one end side of the substrate 100 is irradiated with laser light. In other words, the laser light is applied to the area that will be the display panel P1. In the first irradiation process, the substrate 100 is transported in the x-direction while the holding mechanism 12 (not shown in FIG. 25) holds one or more regions of the display panels P1 and P2.
  • the substrate 100 is transported in the -y direction.
  • approximately one-third of the center area of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a 1 ⁇ 3 rectangular area including the center of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a laser beam is applied to a region that will be the display panel P2.
  • the substrate 100 is transported in the x direction while the holding mechanism 12 holds an area that will be one or more of the display panels P1 and P3. Approximately two-thirds of the substrate 100 is irradiated with laser light by two irradiation processes.
  • the substrate 100 is rotated 180° around the z-axis and transported in the y-direction.
  • a 1 ⁇ 3 rectangular area on the other end side of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a laser beam is applied to a region that will become the display panel P3.
  • the substrate 100 is transported in the x direction while the holding mechanism 12 holds an area that will be one or more of the display panels P1 and P2. Almost the entire substrate 100 is irradiated with laser light by three irradiation processes.
  • the order of laser light irradiation processes is not particularly limited. For example, after irradiating the regions to be the display panels P5 and P6 with the laser light, the regions to be the display panels P3 and P4 may be irradiated with the laser light. Also, in the first irradiation process, the regions to be the display panels P3 and P4 may be irradiated with laser light.
  • the holding mechanism 12 holds the substrate 100 at a position about 1 ⁇ 3 of the substrate size from the edge of the substrate 100 . That is, the second floating unit 10B has a width of about 1 ⁇ 3 of the substrate size of the substrate 100 in the y direction. Of course, the width of the second floating unit 10B is not limited to 1/3 of the substrate size.
  • the size of the second floating unit 10B may be determined by determining the number of processes according to the size of the substrate, the number of chamfers of the panel, and the size of the laser beam irradiation area 15a. For example, each of the first levitation unit 10A and the second levitation unit 10B may be 1/4 or more of the substrate size.
  • a large substrate 100 can be properly transported by the configuration of the present embodiment. Even if a rotating force is applied to the substrate 100, the moment of inertia can prevent the cancellation of the adsorption and holding. Moreover, since the substrate 100 can be reliably held with a small adsorption area, an increase in the amount of charge can be prevented. Therefore, the Coulomb force allows the substrate 100 to come into contact with the first floating unit 10A or the second floating unit 10B.
  • the configuration of Embodiment 3 can be appropriately combined with the configurations of Embodiments 1 and 2.
  • the transport direction of the substrate 100 may be a direction inclined from the longitudinal direction of the irradiation region 15a.
  • a semiconductor device having the above polysilicon film is suitable for a TFT (Thin Film Transistor) array substrate for an organic EL (ElectroLuminescence) display. That is, the polysilicon film is used as a semiconductor layer having a source region, a channel region and a drain region of the TFT.
  • TFT Thin Film Transistor
  • organic EL ElectroLuminescence
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing a simplified pixel circuit of an organic EL display.
  • the organic EL display 300 shown in FIG. 26 is an active matrix display device in which a TFT is arranged in each pixel PX.
  • the organic EL display 300 includes a substrate 310 , a TFT layer 311 , an organic layer 312 , a color filter layer 313 and a sealing substrate 314 .
  • FIG. 26 shows a top emission type organic EL display in which the sealing substrate 314 side is the viewing side. Note that the following description shows one configuration example of the organic EL display, and the present embodiment is not limited to the configuration described below.
  • the semiconductor device according to this embodiment may be used in a bottom emission type organic EL display.
  • the substrate 310 is a glass substrate or a metal substrate.
  • a TFT layer 311 is provided on the substrate 310 .
  • the TFT layer 311 has a TFT 311a arranged in each pixel PX. Further, the TFT layer 311 has wiring (not shown) and the like connected to the TFT 311a.
  • the TFT 311a, wiring, and the like constitute a pixel circuit.
  • An organic layer 312 is provided on the TFT layer 311 .
  • the organic layer 312 has an organic EL light emitting element 312a arranged for each pixel PX. Further, the organic layer 312 is provided with partition walls 312b for separating the organic EL light emitting elements 312a between the pixels PX.
  • a color filter layer 313 is provided on the organic layer 312 .
  • the color filter layer 313 is provided with color filters 313a for color display. That is, each pixel PX is provided with a resin layer colored R (red), G (green), or B (blue) as a color filter 313a.
  • a sealing substrate 314 is provided on the color filter layer 313 .
  • the sealing substrate 314 is a transparent substrate such as a glass substrate, and is provided to prevent deterioration of the organic EL light emitting element of the organic layer 312 .
  • the current flowing through the organic EL light emitting element 312a of the organic layer 312 changes depending on the display signal supplied to the pixel circuit. Therefore, by supplying a display signal corresponding to a display image to each pixel PX, the amount of light emitted from each pixel PX can be controlled. Thereby, a desired image can be displayed.
  • one pixel PX is provided with one or more TFTs (for example, a switching TFT or a driving TFT).
  • TFTs for example, a switching TFT or a driving TFT.
  • a semiconductor layer having a source region, a channel region, and a drain region is provided in the TFT of each pixel PX.
  • the polysilicon film according to this embodiment is suitable for a semiconductor layer of a TFT. That is, by using the polysilicon film manufactured by the above-described manufacturing method as the semiconductor layer of the TFT array substrate, it is possible to suppress in-plane variations in TFT characteristics. Therefore, a display device with excellent display characteristics can be manufactured with high productivity.
  • a method of manufacturing a semiconductor device using the laser irradiation apparatus according to this embodiment is suitable for manufacturing a TFT array substrate.
  • a method of manufacturing a semiconductor device having a TFT will be described with reference to FIGS. 27 and 28.
  • FIG. 27 and 28 are process cross-sectional views showing the manufacturing process of the semiconductor device. In the following description, a method of manufacturing a semiconductor device having an inverted staggered type TFT will be described.
  • 27 and 28 show the process of forming a polysilicon film in the semiconductor manufacturing method. For other manufacturing steps, a known method can be used, so the description is omitted.
  • a gate electrode 402 is formed on a glass substrate 401 .
  • a gate insulating film 403 is formed on the gate electrode 402 .
  • An amorphous silicon film 404 is formed on the gate insulating film 403 .
  • the amorphous silicon film 404 is arranged so as to overlap the gate electrode 402 with the gate insulating film 403 interposed therebetween.
  • the gate insulating film 403 and the amorphous silicon film 404 are continuously formed by CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • a polysilicon film 405 is formed as shown in FIG. That is, the amorphous silicon film 404 is crystallized by the laser irradiation apparatus 1 shown in FIG. 1 and the like. As a result, a polysilicon film 405 of crystallized silicon is formed on the gate insulating film 403 .
  • the polysilicon film 405 corresponds to the polysilicon film described above.
  • the laser annealing apparatus irradiates the amorphous silicon film with the laser beam to form the polysilicon film. It may form a microcrystalline silicon film.
  • the laser light for annealing is not limited to the Nd:YAG laser.
  • the method according to this embodiment can also be applied to a laser annealing apparatus for crystallizing thin films other than silicon films. That is, the method according to the present embodiment can be applied to any laser annealing apparatus that irradiates an amorphous film with a laser beam to form a crystallized film. According to the laser annealing apparatus according to the present embodiment, the crystallized film-coated substrate can be appropriately modified.
  • FIG. 29 is a top view schematically showing the laser irradiation device 1.
  • FIG. 29 Since the basic configurations of the conveying device and the laser irradiation device 1 are the same as those of the first embodiment, description thereof will be omitted as appropriate.
  • the angle of the object 16 to be processed is different from that in the first embodiment when viewed from above.
  • the edge 161 on the -y side of the object to be processed 16 is inclined from the transport direction. That is, the conveying direction and the edge 161 are not parallel.
  • the object to be processed 16 is rotated around the Z-axis as compared with the configuration of FIG.
  • the angle between the y-direction and the edge 161 of the object 16 to be processed is defined as ⁇ .
  • ⁇ be the angle between the x direction and the transport direction. Although ⁇ is greater than ⁇ here, ⁇ may be less than or equal to ⁇ .
  • ⁇ is preferably larger than 0° and 5° or less. Also, ⁇ is preferably greater than 0° and 5° or less. ⁇ can be adjusted according to the specifications of the laser irradiation process.
  • the alignment mechanism 69a can change the angle of the substrate 100 to a desired angle. That is, as shown in FIG. 9, the alignment mechanism 69a functions as a drive mechanism that rotates around the Z axis. The alignment mechanism 69a makes the angle of the edge of the substrate 100 different from the transport direction. By doing so, the substrate 100 can be rotated around the Z-axis before laser light irradiation.
  • the transport device 600 can transport the substrate 100 while being inclined at a desired angle with respect to the linear laser beam. After irradiation with the laser light, the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100 on the floating unit 10 as shown in FIG. By doing so, as shown in FIG. 12, the X direction and the edge of the substrate 100 become parallel.
  • the laser irradiation device 1 according to Modification 2 has a slit mechanism 30 .
  • the edge on the +x side is edge 162
  • the edge on the -x side is edge 163
  • the edge on the +y side is edge 164.
  • the conveying direction is inclined from the edges 161 and 164 of the object 16 to be processed, as in FIG.
  • a region 168 and a region 169 of the object 16 to be processed are sequentially irradiated with laser light. Specifically, a laser beam is applied to a half region 168 on one side of the object 16 to be processed in the first transport.
  • a region 168 is a region surrounded by the edge 162 , the edge 163 , the edge 161 and the boundary line 165 .
  • the boundary line 165 is a straight line parallel to the transport direction.
  • the object 16 to be processed is rotated by 180° around the Z axis, it is conveyed for the second time.
  • the remaining one-half region 169 is irradiated with laser light. That is, a polysilicon film is formed in the region 168 by the first laser irradiation, and a polysilicon film is formed in the region 169 by the second laser irradiation.
  • a region 169 is a region surrounded by the edge 162 , the edge 163 , the edge 164 and the boundary line 165 . Also, the area 168 and the area 169 may partially overlap. In this case, in the vicinity of the boundary line 165, the object to be processed 16 is irradiated with the laser beam twice.
  • a gap may be provided between the region 168 irradiated with the laser light in the first irradiation and the region 169 irradiated with the laser light in the second irradiation.
  • the gap between the regions 168 and 169 may be made as narrow as possible.
  • the boundary line that defines the region 168 that has been irradiated by the first irradiation does not match the boundary line that defines the region 169 that has been irradiated by the second irradiation.
  • the slit mechanism 30 can adjust the length of the laser beam irradiation region 15a on the object 16 to be processed.
  • the slit mechanism 30 is a variable length slit whose slit length is variable.
  • the sizes of the regions 168 and 169 irradiated by the first and second laser irradiation can be freely changed.
  • the slit mechanism 30 can change the length of the linear irradiation area 15a in the y direction by adjusting the slit length.
  • the slit mechanism 30 is installed in the optical system of the laser irradiation section 14 shown in FIG.
  • the slit mechanism 30 includes a light shielding section 32 and a light shielding section 33 .
  • the light shielding part 33 and the light shielding part 32 have a light shielding plate or the like provided so as to be movable along the y direction.
  • the light shielding part 33 and the light shielding part 32 can shield the edge of the laser beam.
  • the light blocking portion 33 blocks the -y side end of the line beam. That is, the light shielding portion 33 defines the position on the -y side of the linear irradiation area 15a.
  • the light shielding portion 32 shields the +y side end of the line beam. That is, the light shielding portion 32 defines the position on the +y side of the linear irradiation area 15a. Therefore, the position of the light blocking portion 32 defines the position of the boundary line 165 .
  • the slit length can be shortened by moving the light shielding part 32 and the light shielding part 33 closer to each other in the y direction.
  • the slit length can be lengthened by moving in the y direction so that the light shielding portion 32 and the light shielding portion 33 are separated from each other.
  • the positions of the light shielding unit 32 and the light shielding unit 33 are determined by the optical system. will be described as the position when projected onto .
  • the position of the light blocking portion 32 corresponds to the +y side end of the irradiation region 15a
  • the position of the light blocking portion 33 corresponds to the ⁇ y side end of the irradiation region 15a.
  • the light shielding part 33 and the light shielding part 32 move independently. This allows the slit mechanism 30 to change the line beam length and the irradiation end position on the object 16 to be processed. Furthermore, the light shielding part 33 and the light shielding part 32 may be moved in conjunction with the transportation of the object 16 to be processed. That is, the positions of the light shielding portions 32 and 33 may be changed according to the change in the transport position of the object 16 to be processed. In FIG. 30, the conveying direction is inclined from the edge 161 of the object 16 to be processed, as in FIG. 29, but it may be parallel as shown in FIG.
  • FIG. 31 is a top view schematically showing a laser beam irradiation region 15a on the object 16 to be processed.
  • the conveying unit 11 and the levitation unit 10 are appropriately omitted for simplification of explanation.
  • the edges 161 and 164 of the object 16 to be processed and the transport direction are parallel.
  • a boundary line 165 between the area 169 and the area 168 is parallel to the conveying direction and the edge 161 .
  • the left side of FIG. 31 shows the configuration at the start of irradiation when the first irradiation starts, and the right side of FIG. 31 shows the configuration at the end of irradiation when the first irradiation ends.
  • the irradiation start time indicates the timing when the irradiation region 15a overlaps the edge 162 of the object 16 to be processed due to transportation.
  • the irradiation end point indicates the timing at which the irradiation region 15a passes the edge 163 on the -x side of the object 16 to be processed during transportation.
  • the positions of the light shielding part 32 and the light shielding part 33 are constant during the first irradiation.
  • the slit length and the irradiation end position are constant from the irradiation start point to the irradiation end point.
  • the position of the light shielding part 33 is adjusted so that the edge position on the -y side of the irradiation area 15 a coincides with the edge 161 . That is, the light shielding part 33 forms a line beam such that one end of the irradiation region 15 a coincides with the edge 161 .
  • the area 168 is irradiated with laser light. After the irradiation is completed, the polysilicon film 16a is formed in the region 168. As shown in FIG. After the laser irradiation to the region 168 is completed, the object 16 to be processed is rotated by 180° around the Z-axis and similarly irradiated with laser light (not shown). This completes the laser irradiation on the region 169 .
  • a triangular area 170 schematically shown in FIG. 31 is irradiated with laser light.
  • the area 170 is a region indicating the trajectory of the laser beam that is not irradiated onto the object 16 to be processed when the object 16 to be processed is transported.
  • an area 170 indicates a trajectory along which a region irradiated with a laser beam outside the object 16 to be processed moves as it is transported.
  • the boundary line 165 between the regions 169 and 168 can be made a region in which no device is formed on the object 16 to be processed.
  • the boundary line 165 can be formed on the cutting line of the object 16 to be processed.
  • FIG. 32 and 33 are top views schematically showing the irradiation area 15a of the laser beam on the object 16 to be processed.
  • the light shielding part 32 and the light shielding part 33 are moved according to the transportation of the object 16 to be processed.
  • FIG. 32 shows how the edge 162 of the object 16 to be processed is irradiated with laser light.
  • FIG. 32 shows the operation of the light blocking section 33 at the start of irradiation of the object 16 to be processed.
  • FIG. 33 shows how the edge 163 of the object 16 to be processed is irradiated with laser light.
  • FIG. 33 shows the operation of the light blocking section 32 at the end of the irradiation of the object 16 to be processed.
  • the edge 161 of the object 16 to be processed and the transport direction are parallel.
  • FIG. 32 shows the operation of the light blocking section 33 at the start of irradiation.
  • the left side of FIG. 32 shows the position of the light blocking portion 33 at the start of movement, and the right side of FIG. 32 shows the position at the end of movement.
  • the position of the light blocking portion 32 is constant.
  • the light shielding part 33 is moved in the -y direction in accordance with the position of the +x side end of the object 16 to be processed. While the object 16 to be processed is being transported, the light shielding portion 33 moves along the edge 162 when viewed from above. As a result, the polysilicon film 16a is formed on the -x side of the edge 161 over the entire edge 161. Next, as shown in FIG.
  • the light blocking portion 33 moves in the -y direction.
  • the light shielding part 33 moves to the end side 161 of the object 16 to be processed so that the laser light is applied to the entire region 168 . That is, the light shielding portion 33 gradually separates from the light shielding portion 32 . Therefore, the irradiation area 15a gradually becomes longer as the light blocking portion 33 moves. After moving to the position at the end of movement in FIG. 32, the position of the light shielding portion 33 remains constant while the object 16 to be processed is being transported.
  • FIG. 33 shows the operation of the light blocking section 32 at the end of irradiation.
  • the left side of FIG. 33 shows the position of the light blocking portion 32 at the start of movement, and the right side of FIG. 33 shows the position of the light blocking portion 32 at the end of movement.
  • the position of the light blocking portion 33 is constant.
  • the light shielding part 32 is moved in the -y direction in accordance with the position of the -x side end of the object 16 to be processed. While the object 16 to be processed is being transported, the light shielding portion 33 moves along the edge 163 when viewed from above. Specifically, while the irradiation region 15a crosses the edge 163 of the object 16 to be processed, the light blocking portion 32 moves in the -y direction. The light shielding part 32 gradually approaches the light shielding part 33 . Therefore, as the light blocking portion 32 moves, the irradiation area 15a gradually becomes shorter.
  • the region 168 is irradiated with laser light, so that the polysilicon film 16a is formed over the entire region 168.
  • the object 16 to be processed is rotated by 180° around the Z-axis, and the laser light is similarly irradiated. This completes the laser irradiation on the region 169 .
  • the irradiated area outside the object to be processed 16 can be reduced. Therefore, damage to the levitation unit 10 can be suppressed.
  • FIG. 34 is a top view schematically showing a laser beam irradiation region 15a on the object 16 to be processed.
  • the diagram on the left side of FIG. 34 shows the configuration at the start of irradiation, and the diagram on the right side shows the diagram at the end of irradiation.
  • Irradiation example 3 differs from irradiation example 1 in the position of the light shielding part 33 . More specifically, the light blocking section 33 is arranged so that one end of the irradiation region 15a is located on the -y side of the edge 161 of the object 16 to be processed. In irradiation example 3, the conveying direction is parallel to the edge 161 .
  • the positions of the light shielding portion 32 and the light shielding portion 33 are constant.
  • the irradiation area 15a protrudes from the edge 161 to the -y side.
  • the area 170 protruding from the object to be processed 16 to the -y side is also irradiated with the laser beam. It is possible to reliably irradiate the laser beam up to the edge 161 on the -y side of the object 16 to be processed. Therefore, even in the vicinity of the edge 161, the laser light can be uniformly irradiated.
  • FIGS. 35 and 36 are top views schematically showing the object to be processed 16 and the irradiation region 15a of the laser beam.
  • FIG. 35 schematically shows the configuration before the start of irradiation
  • FIG. 36 schematically shows the configuration after the end of irradiation.
  • the position of the light shielding part 32 gradually changes while the object 16 to be processed is being transported. It should be noted that in irradiation example 4, the conveying direction is inclined from the edge 161 .
  • the points of the object to be processed 16 and their trajectories are defined as follows. As shown in FIG. 35, the intersection of the edge 162 and the boundary line 165 is a point C1. Let the intersection of the edge 163 and the boundary line 165 be a point C2. A point C3 is the intersection of the edge 162 and the edge 161 . Let the intersection of the edge 163 and the edge 161 be a point C4. Points C3 and C4 correspond to corners of the rectangular object 16 to be processed.
  • trajectories T1 to T4 Let the trajectories of points C1 to C4 due to transportation be trajectories T1 to T4, respectively.
  • the point C1 moves along the trajectory T1.
  • Trajectories T1 to T4 are straight lines parallel to the transport direction.
  • the trajectory T2, the trajectory T1, the trajectory T4, and the trajectory T3 are arranged in order from the +y side.
  • one end of the irradiation region 15a is arranged on the -y side of the edge 161 of the object 16 to be processed. That is, the position of the light blocking portion 33 is adjusted so that the irradiation area 15a protrudes from the edge 161 to the -y side.
  • irradiation example 4 when the object 16 to be processed is transported along the transport direction, it becomes as shown in FIG. In FIG. 36, a region 168 on the -y side of the boundary line 165 is irradiated with laser light.
  • the light shielding part 32 is moved in accordance with the transport. Specifically, when the transport speed is constant, the light shielding portion 32 moves at a constant speed. The light shielding portion 32 gradually moves in the +y direction at a constant moving speed. The light shielding part 32 moves so that the straight line connecting the points C1 and C2 becomes the boundary line 165 . Therefore, even when the edge 161 is inclined from the conveying direction, the boundary line 165 and the edge 161 can be made parallel. In other words, the boundary line 165 becomes a straight line that is tilted from the conveying direction.
  • the irradiation area 15a protrudes from the locus T3 to the -y side. Therefore, the area 170 protruding from the object 16 to the -y side is also irradiated with the laser beam.
  • the light shielding part 33 is not moved so that the slit length changes according to the transport, but it may be moved. That is, the slit length may be constant or may vary.
  • FIG. 37 and 38 are top views schematically showing the configuration of Example 5 of irradiation.
  • FIG. 37 schematically shows the configuration before the start of irradiation
  • FIG. 38 schematically shows the configuration after the end of irradiation.
  • the light shielding part 32 and the light shielding part 33 are moved according to the transportation.
  • the light-shielding part 33 moves to +y direction according to conveyance.
  • the position of the light shielding part 33 changes along the edge 161 according to the transport. Also, the position of the light shielding portion 32 changes along the boundary line 165 parallel to the edge 161 in accordance with the transportation, as in the irradiation example 4.
  • FIG. Therefore, the light shielding portion 33 and the light shielding portion 32 are gradually moving in the +y direction at the same moving speed.
  • the slit length of the slit mechanism 30 is constant.
  • the line length of the irradiation area 15 a matches the y-direction distance from the edge 161 to the boundary line 165 . By doing so, it is possible to prevent the irradiation of the area laser beam protruding to the -y side of the object 16 to be processed.
  • polysilicon film 16a is formed in region 168. Referring to FIG.
  • a holding mechanism capable of vacuum suction may be used as the holding mechanism 12 that holds the object to be processed 16 or the substrate 100 regardless of the presence or absence of a valve.
  • compressed air or an inert gas such as nitrogen can be used as the gas for floating the object to be processed 16 or the substrate 100 .
  • the levitation unit 10 has been described as including the precision levitation unit 111, the semi-precision levitation unit 112, and the rough levitation unit 113. Not all units 112 and rough floating units 113 may be provided. That is, the levitation unit 10 may have one or more of the precision levitation unit 111 , the semi-precision levitation unit 112 , and the rough levitation unit 113 . for example.
  • the levitation unit 10 may be composed of two parts, a precision levitation unit 111 and a rough levitation unit 113 . In this case, the rough levitation unit 113 is arranged adjacent to the fine levitation unit 111 .
  • a plurality of substrates can be continuously irradiated with laser light.
  • An example in which the transport device 600 floats and transports two substrates 100 and 101 at the same time will be described with reference to FIGS. 39 to 42.
  • the second substrate 101 is carried into the fourth area 60d of the floating unit 10 while the first substrate 100 is being irradiated with the laser beam.
  • the substrate 100 is irradiated with laser light while the edge of the substrate 100 is tilted from the Y direction. Then, when the transport unit 11b transports the substrate 100 to the second region 60b, the first laser irradiation of the substrate 100 ends.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100 as shown in FIG. As a result, the edges of the substrate 100 are parallel to the X direction and the Y direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate 101 in the +Y direction. Therefore, the substrate 101 located in the fourth region 60d in FIG. 39 has moved to the first region 60a in FIG. That is, the transport of the substrate 101 by the transport unit 11a and the transport of the substrate 100 by the transport unit 11b are performed simultaneously.
  • the substrate 101 is transported by the transport unit 11b.
  • the substrate 101 passes through the irradiation area 15a with the edge of the substrate 101 tilted from the Y direction.
  • the transport unit 11c transports the substrate 100 in the -Y direction. Therefore, the substrate 100 that was in the second region 60b in FIG. 40 has moved to the third region 60c in FIG. That is, the transport of the substrate 101 by the transport unit 11b and the transport of the substrate 100 by the transport unit 11c are performed simultaneously.
  • the first laser irradiation of the substrate 101 ends.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 101.
  • the edges of the substrate 101 are parallel to the X direction and the Y direction.
  • the transport unit 11d is transporting the substrate 100 in the -X direction. Therefore, the substrate 101 located in the third region 60c in FIG. 41 has moved to the fourth region 60d in FIG. That is, while the alignment mechanism 69b is rotating the substrate 101, the transport unit 11d transports the substrate 100.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100 by 180°, as shown in FIG. Then, the above processing is repeatedly performed on the substrates 101 and 100 . That is, the substrates 101 and 100 are exchanged, and the processes shown in FIGS. 39 to 42 are performed. Therefore, in the second laser irradiation, the laser light is applied to the region that was not irradiated with the laser light in the first laser irradiation. That is, in the first laser irradiation, one half of the substrate 100 is irradiated with laser light, and in the second laser irradiation, the other half of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • the transport device 600 can simultaneously transport the floating substrates 100 and 101 .
  • the transport units 11a to 11d sequentially rotate the substrates 100 and 101. As shown in FIG. As a result, the two substrates 100 and 101 continuously pass through the irradiation area 15a. A plurality of substrates can be continuously irradiated with laser light. Also, the waiting time for loading or transporting the substrate to the transport device 600 can be shortened. As a result, tact time can be shortened, and productivity can be improved.
  • the number of substrates floated simultaneously by the transport device 600 is not limited to two, and may be three or more.

Abstract

本実施形態にかかる搬送装置は、ライン状の照射領域（１５ａ）を形成するレーザ光を基板（１００）に照射するために、基板（１００）を搬送する搬送装置であって、その上面で基板を浮上させる浮上ユニット（１０）と、基板（１００）を保持する保持機構（１２）と、基板（１００）に対するレーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に保持機構（１２）を移動する移動機構（１３）と、を備えている。

Description

搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
　本発明は搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
　特許文献１には、多結晶シリコン薄膜を形成するためのレーザアニール装置が開示されている。特許文献１では、レーザ光がライン状の照射領域を形成するように、プロジェクションレンズがレーザ光を基板上に集光している。これにより、アモルファスシリコン膜が結晶化して、ポリシリコン膜となる。
　特許文献１では、浮上ユニットが基板を浮上した状態で、搬送ユニットが基板を搬送している。さらに、浮上ユニットにおいて、基板の搬入位置と搬出位置が共通となっている。搬送ユニットは、浮上ユニットの各々の辺に沿って基板を搬送する。そして、基板が浮上ユニットの上を２回循環することで、基板のほぼ全面にレーザ光が照射される。
特開２０１８－６４０４８号公報
　このようなレーザ照射装置の搬送装置では、高速かつ安定してレーザ照射プロセスが実行されるように、基板を適切に搬送することが望まれる。
　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、前記基板をその上面で浮上させる基板浮上ユニットと、前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記ライン状のレーザ光と直交する方向から傾いた方向に前記保持機構を移動する移動機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、基板の下側に配置され、前記基板を浮上させる第１基板浮上ユニットであって、上面視において前記基板の中央部から前記基板の一端側に配置された第１基板浮上ユニットと、前記基板の下側に配置され、前記基板を浮上させる第２基板浮上ユニットであって、上面視において前記基板の中央部から前記基板の他端側に配置された第２基板浮上ユニットと、前記基板の中央部の下側に配置され、前記基板を吸着して保持する保持機構と、前記レーザ光の照射位置に対して前記基板を移動させるために、前記保持機構を、前記第１基板浮上ユニットと前記第２基板浮上ユニットの間の隙間に沿って移動させる移動機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送方法であって、（ａ）前記基板の下側に配置された浮上ユニットがその上面で前記基板を浮上させるステップと、（ｂ）保持機構によって前記基板を保持するステップと、（ｃ）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に前記保持機構を移動するステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送方法であって、（Ａ）前記基板の下側に配置された第１基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の一端側を浮上させるとともに、前記基板の下側に配置された第２基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の他端側を浮上させるステップと、（Ｂ）前記基板の中央部の下側に配置された保持機構を用いて、前記基板を吸着して保持するステップと、（Ｃ）前記レーザ光の照射位置に対して前記基板を移動させるために、前記保持機構を、前記第１基板浮上ユニットと前記第２基板浮上ユニットの間の隙間に沿って移動させるステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓ２）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、ライン状のレーザ光を前記基板に照射して、前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記（ｓ２）アニールするステップは、（ｓａ）基板浮上ユニットがその上面で前記基板を浮上させるステップと、（ｓｂ）保持機構によって前記基板を保持するステップと、（ｓｃ）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に前記保持機構を移動するステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（Ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（Ｓ２）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、ライン状のレーザ光を前記基板に照射して、前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記（Ｓ２）アニールするステップは、（ＳＡ）前記基板の下側に配置された第１基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の一端側を浮上させるとともに、前記基板の下側に配置された第２基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の他端側を浮上させるステップと、（ＳＢ）前記基板の中央部の下側に配置された保持機構を用いて、前記基板を吸着して保持するステップと、（ＳＣ）前記レーザ光の照射位置に対して前記基板を移動させるために、前記保持機構を、前記第１基板浮上ユニットと前記第２基板浮上ユニットの間の隙間に沿って移動させるステップと、を備えている。
　前記一実施の形態によれば、レーザ照射プロセスに適した基板搬送を実現することができる。
実施の形態１にかかるレーザ照射装置を模式的に示す上面図である。 実施の形態１にかかるレーザ照射装置を模式的に示す側面断面図である。 パルスレーザ光の強度分布を説明するための図である。 パルスレーザ光の照射ピッチとＴＦＴの製造ピッチを示す上面図である。 パルスレーザ光の照射ピッチとＴＦＴの製造ピッチを示す上面図である。 実施の形態２にかかる搬送装置の構成を示す上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 保持機構の一部を模式的に示す斜視図である。 保持機構の構成に示す模式図である。 保持機構の排気系を示す模式図である。 保持機構のバルブ制御を説明するための模式図である。 搬送装置の構成を模式的に示す側面図である。 実施の形態３にかかるレーザ照射装置を模式的に示す上面図である。 慣性モーメントによる吸着破壊を説明するための模式図である 吸着剥離帯電を説明するための模式図である 実施例１にかかる照射プロセスを説明するための上面図である。 実施例２にかかる照射プロセスを説明するための上面図である。 実施例３にかかる照射プロセスを説明するための上面図である。 有機ＥＬディスプレイの構成を簡略化して示す断面図である。 本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 変形例１の構成を模式的に示す上面図である。 変形例２の構成を模式的に示す上面図である。 照射例１の構成を説明するための上面図である。 照射例２の構成を説明するための上面図である。 照射例２の構成を説明するための上面図である。 照射例３の構成を説明するための上面図である。 照射例４の構成を説明するための上面図である。 照射例４の構成を説明するための上面図である。 照射例５の構成を説明するための上面図である。 照射例５の構成を説明するための上面図である。 ２枚の基板を同時に搬送する構成を模式的に示す上面図である。 ２枚の基板を同時に搬送する構成を模式的に示す上面図である。 ２枚の基板を同時に搬送する構成を模式的に示す上面図である。 ２枚の基板を同時に搬送する構成を模式的に示す上面図である。
　本実施の形態にかかる搬送装置は、レーザアニール装置などのレーザ照射装置に用いられるものである。レーザアニール装置は、例えば、低温ポリシリコン(LTPS:Low Temperature Poly-Silicon)膜を形成するエキシマレーザアニール（ELA:Excimer laser Anneal）装置である。以下、図面を参照して本実施の形態にかかる搬送装置、レーザ照射装置、方法、及び製造方法について説明する。
実施の形態１．
　図１、及び図２を用いて、本実施の形態にかかる搬送装置、及びレーザ照射装置の構成について説明する。図１は、レーザ照射装置１の構成を模式的に示す上面図ある。図２は、レーザ照射装置１の構成を模式的に示す側面断面図である。
　なお、以下に示す図では、説明の簡略化のため、適宜、ｘｙｚ３次元直交座標系を示している。ｚ方向は鉛直上下方向であり、ｙ方向はライン状の照射領域１５ａに沿った方向である。ｘ方向は、ｚ方向、及びｙ方向と直交する方向である。つまり、ｙ方向はライン状の照射領域１５ａの長手方向であり、ｘ方向は長手方向と直交する短手方向とする。
　図１～図２に示すように、レーザ照射装置１は、浮上ユニット１０、搬送ユニット１１、及びレーザ照射部１４を備える。浮上ユニット１０と搬送ユニット１１とが搬送装置を構成する。
　図２に示すように、浮上ユニット１０は、浮上ユニット１０の表面からガスを噴出するように構成されている。浮上ユニット１０は、その上面で被処理体１６を浮上させる。浮上ユニット１０の表面から噴出されたガスが被処理体１６の下面に吹き付けられることで、被処理体１６が浮上する。例えば、被処理体１６はガラス基板である。被処理体１６が搬送される際、浮上ユニット１０は被処理体１６の上側に配置されている他の機構（不図示）に被処理体１６が接触しないように浮上量を調整している。
　搬送ユニット１１は、浮上している被処理体１６を搬送方向に搬送する。図１に示すように、搬送ユニット１１は、保持機構１２と移動機構１３とを備える。保持機構１２は、被処理体１６を保持する。例えば、保持機構１２は、真空吸着機構を用いて構成することができる。真空吸着機構はアルミニウム合金などの金属材料により形成されている。あるいは、保持機構１２は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材などの樹脂系材料で形成されていてもよい。保持機構１２の上面には、吸着溝や吸着穴等が形成されている。保持機構１２は多孔質材料で形成されていても良い。
　保持機構１２（真空吸着機構）は、排気ポート（不図示）に接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどに接続されている。よって、保持機構１２にはガスを吸引するための負圧が作用するため、保持機構１２を用いて被処理体１６を保持することができる。
　また、保持機構１２は吸着動作を行うための昇降機構（不図示）を備えている。昇降機構は、例えば、エアシリンダやモータなどのアクチュエータ等を備えている。例えば、保持機構１２は吸着位置まで上昇した状態で、被処理体１６を吸着する。また、保持機構１２は、吸着を解除した状態で、待機位置まで下降する。
　保持機構１２は、被処理体１６のレーザ光１５が照射される面（上面）と逆側の面（下面）、つまり、被処理体１６の浮上ユニット１０と対向する側の面を吸引することで、被処理体１６を保持している。また、保持機構１２は、被処理体１６の＋ｙ方向における端部を保持している。
　搬送ユニット１１が備える移動機構１３は保持機構１２と連結されている。移動機構１３は、保持機構１２を搬送方向に移動可能に構成されている。搬送ユニット１１（保持機構１２及び移動機構１３）は、浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部側に設けられており、保持機構１２で被処理体１６を保持しつつ、移動機構１３が搬送方向に移動することで被処理体１６が搬送される。
　図１に示すように、例えば、移動機構１３は浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部を搬送方向に沿ってスライドするように構成されている。移動機構１３が浮上ユニット１０の端部を搬送方向に沿ってスライドすることで、被処理体１６が搬送方向に沿って搬送される。搬送方向は、ｘ方向から傾いた方向となっている。例えば、ｘ方向と搬送方向との成す角度をθとすると、θは０°より大きくなっている。θは５°以下とすることが好ましい。
　したがって、上面視において浮上ユニット１０は、４辺を有する台形状になっている。具体的には、浮上ユニット１０は浮上ユニット１０のｙ方向に平行な２辺と、ｘ方向に平行な１辺と、ｘ方向から傾斜した１辺(傾斜辺１０ｅともいう)とを有している。
　移動機構１３の移動速度を制御することで、被処理体１６の搬送速度を制御することができる。移動機構１３は、例えば、図示しないモータなどのアクチュエータとリニアガイド機構やエアベアリング等を備えている。
　被処理体１６にはレーザ光１５が照射される。ここで、被処理体１６におけるレーザ光１５の照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向とするライン状となっている。つまり、照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向とし、ｘ方向を短手方向としている。
　例えば、レーザ照射部１４はレーザ光を発生するエキシマレーザ光源等を有する。さらに、レーザ照射部１４はレーザ光を被処理体１６に導く光学系を有している。例えば、レーザ照射部１４は、ライン状の照射領域１５ａを形成するためのシリンドリカルレンズを有している。被処理体１６にはライン状、具体的には焦点がｙ方向に伸びるレーザ光１５（ラインビーム）が照射される。
　被処理体１６は、例えば、非晶質膜（アモルファスシリコン膜１６ｂ）が形成されたガラス基板である。非晶質膜にレーザ光１５を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、アモルファスシリコン膜１６ｂを、多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜１６ａ）に変換することができる。
　レーザ照射装置１では、浮上ユニット１０を用いて被処理体１６を浮上させながら、搬送ユニット１１を用いて被処理体１６の下面を保持して、被処理体１６を搬送方向に搬送している。このとき、レーザ照射装置１が備える搬送ユニット１１は、被処理体１６を搬送した際に、平面視において（つまりｚ方向からみて）、搬送ユニット１１が照射領域１５ａと重畳しない位置を保持して被処理体１６を搬送している。つまり、図１に示すように、被処理体１６を搬送方向に搬送した際に、搬送ユニット１１が被処理体１６を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）が、照射領域１５ａと重畳しないようにしている。
　例えば、被処理体１６の平面形状は４辺を有する四角形（矩形状）であり、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、被処理体１６の４辺中の１辺のみを保持している。そして、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、被処理体１６が搬送されている期間においてレーザ光が照射されない位置を保持している。
　このような構成とすることで、搬送ユニット１１が被処理体１６を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）と照射領域１５ａとを離間させることができる。照射領域１５ａは、被処理体１６の－ｙ側のほぼ半分となっており、かつ、搬送ユニット１１が＋ｙ側の端部を保持する。保持機構１２の近傍のたわみが大きくなる箇所と照射領域１５ａとの距離を大きくすることができる。よって、レーザ照射時における被処理体１６の保持機構１２に起因するたわみの影響を低減させることができる。
　ｙ方向において、照射領域１５ａの長さは、被処理体１６のほぼ半分程度の長さとなっている。したがって、被処理体１６が照射領域１５ａを１回通過することで、被処理体１６のほぼ半分の領域において、アモルファスシリコン膜が結晶化する。そして、図示しない回転機構により、被処理体１６をｚ軸回りに１８０度回転した後、搬送ユニット１１が、被処理体１６を－ｘ方向に搬送する。あるいは、回転された被処理体１６を－ｘ方向に搬送後、搬送ユニット１１が、再度＋ｘ方向に搬送してもよい。そして、－ｘ方向の搬送時、あるいは、１８０度回転後の再度の＋ｘ方向への搬送時に、レーザ光が被処理体１６に照射される。これにより、被処理体１６が照射領域１５ａを通過して、被処理体１６の残りの半分の領域において、アモルファスシリコン膜が結晶化する。このように、被処理体１６を往復移動させることで、被処理体１６のほぼ全体において、アモルファスシリコン膜が多結晶シリコン膜に変換される。
　さらに、搬送方向がライン状の照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾いている。つまり、矩形状の被処理体１６の端辺から傾いた搬送方向に、被処理体１６が搬送されている。上面視において、搬送方向をｘ方向から傾いた方向にすることで、レーザ照射プロセスに適した基板搬送を実現することができる。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができ、表示品質を向上することができる。この構成により、例えば、モアレの発生を防ぐことができる。
　例えば、被処理体１６が有機ＥＬディスプレイ装置用のガラス基板とする。有機ＥＬディスプレイ装置の表示領域が矩形である場合、表示領域の端辺は、被処理体１６の端辺と平行に配置されることになる。つまり、有機ＥＬディスプレイ装置はｘ方向及びｙ方向を短辺とする矩形状の表示領域を有することになる。搬送方向がｘ方向と平行な場合、画素の配列方向と照射領域１５ａが平行になった状態で、レーザ光が被処理体１６に照射される。
　本実施の形態に示すように、搬送方向をｘ方向から傾いた方向にすることで、適切にレーザ照射プロセスを行うことができる。被処理体１６に対するレーザの照射位置を変えるよう、上面視において、ライン状の照射領域１５ａの長手方向と直交するｘ方向から傾いた搬送方向に移動機構１３が保持機構１２を移動する。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができる。例えば、モアレの発生を防ぐことができ、表示品質を向上することができる。
　この点について、詳細に説明する。図３は、パルスレーザ光を照射したときのエネルギー強度分布を説明するための図である。ここでは、レーザ光１５が一定の繰り返し周波数のパルスレーザ光としている。そして、被処理体１６を搬送しながら、パルスレーザ光を照射している。
　レーザ光１５は図３に示すような強度分布を有している。例えば、図３では、レーザ光１５の強度分布がガウス分布となっている。そして、連続するパルスレーザ光の一部が重複するように被処理体１６が搬送されている。つまり、パルスレーザ光の繰り返し周波数に対応する搬送距離は、レーザ光の短手方向のスポット幅よりも小さくなっている。被処理体１６において、ある１つのパルスと次の１つのパルスとで、レーザ光１５のスポットが一部重複することになる。
　ここで、被処理体１６をＴＦＴアレイ基板とする。図４、及び図５を用いてＴＦＴの製造ピッチと、レーザの照射ピッチとの関係について、説明する。図４，図５は、被処理体１６におけるレーザ照射ピッチを模式的に示す上面図である。さらに、図４，及び図５では、被処理体１６を拡大した拡大図を示している。図４は、ライン状のレーザ光に直交する方向と搬送方向とが平行な比較例を示している。図５は、ライン状のレーザ光と直交する方向が搬送方向から傾いている実施例を示している。
　図４の比較例では、被処理体１６の端辺とライン状のレーザ光とが平行になっている。被処理体１６の端辺はｘ方向又はｙ方向と平行になっている。レーザ光の照射ライン１５ｆは、レーザ光の照射領域１５ａの中心を示す直線であり、照射領域の長手方向と平行になっている。図４では、照射ライン１５ｆはｙ方向に平行になっており、照射ライン１５ｆが被処理体１６の搬送方向に対して直交している。被処理体１６の搬送速度が一定であるため、照射ライン１５ｆは等間隔で配列されている。照射ライン１５ｆの間隔を照射ピッチとする。照射ピッチは、パルスレーザ光の繰り返し周波数と、搬送速度によって決まる。
　ゲート電極４０２は、ソース電極４０７は、それぞれ被処理体１６の端辺と平行に形成されている。図４では、ゲート電極４０２がｙ方向と平行であり、ソース電極４０７と平行である。ＴＦＴ３１３ａはｘ方向とｙ方向に沿って配列されている。ＴＦＴの製造ピッチは、ゲート電極４０２の間隔に対応している。
　ｘ方向において、レーザ照射ピッチとＴＦＴの製造ピッチとは、異なっている。２つの異なるピッチが重なり合うと、図形のうなり（ビート）によって縞模様、つまりモアレが視覚的に見えるようになる。なお、厳密に考慮すると、レーザ照射の開始位置の微小なずれによって、１回目のレーザ照射(図４の上側反面)と２回目のレーザ照射（図４の下側反面）とで照射ラインの位置がずれる。
　図５の実施例では、照射ライン１５ｆが被処理体１６の搬送方向に対して傾いている。レーザ光の長手方向から直交する方向に被処理体１６が搬送されているため、同じ方向に現れていた形状の周期性が解消される。これにより、モアレが視認されにくくなる。このように、本実施の形態のように、ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に被処理体１６を搬送することで、モアレの発生を防ぐことができる。
　なお、照射ライン１５ｆの角度によっては、モアレが解消されない場合や、別のモアレが発生する場合がある。この場合、ＴＦＴの製造ピッチなどに応じて、照射ライン１５ｆの角度を調整すればよい。なお、厳密に考慮すると、レーザ照射の開始位置の微小なずれによって、１回目のレーザ照射(図４の上側半面)と２回目のレーザ照射（図４の下側半面）とで照射ラインの位置がずれる。
　本実施形態に係る搬送方法は、ライン状のレーザ光１５を被処理体１６に照射するために、被処理体１６を搬送する。浮上ユニット１０が、その上面で被処理体１６を浮上させる。保持機構１２によって被処理体１６を保持する。被処理体１６に対するレーザ光１５の照射位置を変えるよう、上面視において、ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に保持機構１２を移動する。
実施の形態２．
　以下、本実施の形態２にかかる搬送装置について、図６を用いて説明する。図６は、搬送装置６００を模式的に示す上面図である。尚、実施の形態１と共通する内容については、適宜説明を省略する。
　搬送装置６００は、浮上ユニット１０と、端部浮上ユニット６７１～６７６と、を有している。浮上ユニット１０は被処理体である基板（図６では不図示）を浮上させる。実施の形態１と同様に、上面視において、浮上ユニット１０は台形状になっている。浮上ユニット１０は浮上ユニット１０のｙ方向に平行な２辺と、ｘ方向に平行な１辺と、ｘ方向から傾斜した１辺(傾斜辺１０ｅともいう)とを有している。傾斜辺１０ｅとｘ方向との成す角度は、０°より大きく、５°以下とすることが好ましい。
　以下、説明のため、上面視において、浮上ユニット１０を６つの領域６０ａ～６０ｆに分ける。具体的には、浮上ユニット１０が第１の領域６０ａ～第４の領域６０ｄと、プロセス領域６０ｅと、通過領域６０ｆとを備えている。第１の領域６０ａは、‐ｘ側かつ＋ｙ側の角（図６における左上角）を含む台形状の領域である。第２の領域６０ｂは、＋ｘ側かつ＋ｙ側の角（図６における右上角）を含む台形状の領域である。第３の領域６０ｃは、＋ｘ側かつ‐ｙ側の角（図６における右下角）を含む矩形状の領域である。第４の領域６０ｄは、‐ｘ側かつ‐ｙ側の角（図６における左下角）を含む矩形状の領域である。
　プロセス領域６０ｅは、第１の領域６０ａと第２の領域６０ｂとの間に配置された台形状の領域である。プロセス領域６０ｅは、レーザ光が照射される照射領域１５ａを含む領域である。通過領域６０ｆは、第３の領域６０ｃと第４の領域６０ｄとの間に配置された矩形状の領域である。
　浮上ユニット１０の＋ｙ側の半分の領域（図６の上半分の領域）は、－ｘ側（図６の左側）から順に、第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂとなっている。浮上ユニット１０の‐ｙ側の半分の領域（図６の下半分の領域）は、＋ｘ側から順に、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄとなっている。
　浮上ユニット１０は、回転機構６８、及びアライメント機構６９ａ、６９ｂを備えている。回転機構６８は基板を回転させる。アライメント機構６９ａ、６９ｂが基板のアライメントを行う。第１の領域６０ａ、第２の領域６０ｂにはそれぞれアライメント機構６９ａ、６９ｂが設けられている。第４の領域６０ｄには、回転機構６８が設けられている。回転機構６８とアライメント機構６９ａ、６９ｂ等の動作については後述する。
　端部浮上ユニット６７１～６７６は、浮上ユニット１０の外側に配置されている。台形状の浮上ユニット１０の外周に沿って、端部浮上ユニット６７１～６７６が配置されている。端部浮上ユニット６７１～６７６は、浮上ユニット１０の端辺に沿って設けられている。上面視において、端部浮上ユニット６７１～６７６は、浮上ユニット１０の外周を囲むように配置されている。
　端部浮上ユニット６７１、６７２が浮上ユニット１０の－ｘ側に配置されている。端部浮上ユニット６７３が浮上ユニット１０の＋ｙ側に配置されている。端部浮上ユニット６７４が浮上ユニット１０の＋ｘ側に配置されている。端部浮上ユニット６７５、６７６が浮上ユニット１０の－ｙ側に配置されている。なお、端部浮上ユニット６７１、６７２，６７３，６７４，６７５、６７６の少なくとも一つを省略することが可能である。例えば、保持機構１２が基板１００の端部を保持する。浮上ユニット１０が基端の端部以外を浮上させる。このようにすることで、浮上ユニット１０の周辺にある端部浮上ユニットを使用しないようにすることができる。
　端部浮上ユニット６７１、６７２は、浮上ユニット１０の－ｘ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７１、６７２はそれぞれｙ方向に沿って設けられている。また、ｘ方向における端部浮上ユニット６７１の幅は、端部浮上ユニット６７２よりも幅広になっている。端部浮上ユニット６７１は、端部浮上ユニット６７２の－ｙ側に配置されている。
　端部浮上ユニット６７３は、浮上ユニット１０の＋ｙ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７３は浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅに沿って設けられている。端部浮上ユニット６７４は、浮上ユニット１０の＋ｘ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７４はそれぞれｙ方向に沿って設けられている。
　端部浮上ユニット６７５、６７６は、浮上ユニット１０の－ｙ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７５、６７６はそれぞれｘ方向に沿って設けられている。また、ｙ方向における端部浮上ユニット６７６の幅は、端部浮上ユニット６７５よりも幅広になっている。端部浮上ユニット６７６は、端部浮上ユニット６７５の－ｘ側に配置されている。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７１との間には、搬送ユニット１１ａが設けられている。搬送ユニット１１ａは、浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７２との間にも配置されている。搬送ユニット１１ａは、ｙ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ａは、＋ｙ方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ａは、基板１００を第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに向けて搬送する。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３との間には、搬送ユニット１１ｂが設けられている。搬送ユニット１１ｂは、傾斜辺１０ｅに沿って形成されている。搬送ユニット１１ｂは、傾斜辺１０ｅと平行な方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｂは、基板１００を第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに向けて搬送する。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７４との間には、搬送ユニット１１ｃが設けられている。搬送ユニット１１ｃは、ｙ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ｃは、－ｙ方向に基板１００を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｃは、基板１００を第２の領域６０ｂから第３の領域６０ｃに向けて搬送する。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７５との間には、搬送ユニット１１ｄが設けられている。搬送ユニット１１ｄは、浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７６との間にも配置されている。搬送ユニット１１ｄは、ｘ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ａは、－ｘ方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｄは、基板を第３の領域６０ｃから第４の領域６０ｄに向けて搬送する。
　なお、搬送ユニット１１ａ～１１ｄは、実施の形態１と同様に保持機構１２及び移動機構１３を備えている。保持機構１２及び移動機構１３の動作については、後述する。
　実施の形態１と同様に、レーザ光の照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向としている。つまり、ｙ方向を長手方向とするライン状の照射領域１５ａが形成されている。基板が傾斜辺１０ｅと平行な方向に搬送されている間に、レーザ光が基板に照射される。第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに移動している間に、レーザ照射プロセスが実行される。本実施の形態においても、実施の形態１と同様にレーザ発生装置からのレーザ光を基板に照射することで、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換している。
　なお、浮上ユニット１０において、照射領域１５ａ、及びその周辺には、精密浮上ユニット１１１が配置されている。精密浮上ユニット１１１は他の領域にある準精密浮上ユニットやラフ浮上ユニットよりも浮上量の精度が高くなっている。従って、照射領域１５ａを含むプロセス領域６０ｅは、他の領域６０ａ～６０ｄ、６０ｆよりも、高い精度の浮上量で浮上中の被処理体にレーザ光が照射される。これにより、安定してレーザ光を被処理体に照射することができる。また、照射領域１５ａ以外の領域、例えば、通過領域６０ｆ、第３の領域６０ｃ、第４の領域６０ｄについては、高価な精密浮上ユニット１１１を用いずに作成される。よって、装置コストを低減することができる。
　次に、浮上ユニット１０を用いた搬送方法の手順について、図７～図１３を用いて説明する。ここでは、第４の領域６０ｄが基板１００の搬入位置、及び搬出位置となっている。そして、第４の領域６０ｄに搬入された基板１００が、第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順番に搬送されていく。つまり、基板１００は、浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。ここでは、基板１００の全体にレーザ光を照射するために、基板１００が２周する。つまり、基板１００は、浮上ユニット１０の上を２回循環するように搬送されていく。このようにすることで、基板１００のほぼ全面に、レーザ光が照射される。
　以下、搬送方法の手順に沿って詳細に説明する。図７に示すように、基板１００が第４の領域６０ｄに搬入される。第４の領域６０ｄに搬入された基板１００は、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７１、６７２、６７６によって浮上している。つまり、基板１００の－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７１、６７２によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００の－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７６によって浮上している。そして、搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが基板１００を保持する。
　次に、図８に示すように第４の領域６０ｄにある基板１００ａが第１の領域６０ａに搬送される。図８では、第１の領域６０ａに移動した基板を基板１００ｂとして示している。搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが基板１００ａを保持している。そして、移動機構１３ａが保持機構１２ａを＋ｙ方向に移動することで、基板１００ａが第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに移動する（図８中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ａが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７１の間を通って、＋ｙ方向に移動する。さらに、ｘｙ平面視において、保持機構１２ａが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７２の間を通って、＋ｙ方向に移動する。したがって、基板１００ｂは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７２、６７３によって浮上している。つまり、基板１００ｂの－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７２によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｂの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上している。
　次に、図９に示すように、アライメント機構６９ａが第１の領域６０ａに搬送された基板１００ｂの位置、及び角度をアライメントする。例えば、基板１００の搬入動作、搬送動作、回転動作によって、基板の位置や回転角度が微小にずれることがある。アライメント機構６９ａは、位置や回転角度のずれを補正している。これにより、基板１００におけるレーザ光の照射位置を精度よく制御することができる。
　例えば、アライメント機構６９ａは、ｙ方向に移動可能であり、かつ、ｚ軸周りに回転可能である。さらに、アライメント機構６９ａは、ｚ方向に移動可能である。例えば、アライメント機構６９ａは、モータ等のアクチュエータを備えている。カメラなどによって撮像された基板１００ｂの画像から位置ずれ量や角度ずれ量が求められている。このずれ量に基づいて、アライメント機構６９ａがアライメントを行っている。
　基板１００ｂの中央部の直下にアライメント機構６９ａが配置されている。アライメント機構６９ａが基板１００ｂを保持する。アライメント機構６９ａは、保持機構１２と同様に基板１００ｂを吸着保持してよい。保持機構１２ａが基板１００ｂの保持を開放する。これにより、保持機構１２ａからアライメント機構６９ａに基板１００ｂが持ち替えられる。
　そして、アライメント機構６９ａは、ｚ軸周りに基板１００ｂを回転させる（図９中の白抜き矢印）。基板１００ｂの端辺が浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅと平行になるように、アライメント機構６９ａが基板１００ｂを回転させる。回転後の基板を基板１００ｃとして示す。例えば、アライメント機構６９ａは、基板１００をｚ軸周りに５°程度回転させる。基板１００ｃの端辺は、浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅと平行になっている。そして、アライメントが終了したら、搬送ユニット１１ｂの保持機構１２ｂが基板１００ｂを保持するとともに、アライメント機構６９ａが保持を開放する。これにより、アライメント機構６９ａから搬送ユニット１１ｂの保持機構１２ｂに基板１００ｃが持ち替えられる。
　次に、図１０に示すように、搬送ユニット１１ｂが基板１００ｄを移動させる。これにより、基板１００ｄがプロセス領域６０ｅを通過する。ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｂが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３の間を通って、傾斜辺１０ｅと平行な方向に移動する。これにより、基板１００ｄのほぼ半分の領域が照射領域１５ａを通過する。照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾斜した傾斜方向に移動している基板１００ｄにレーザ光が照射される。
　ｘｙ平面視において、保持機構１２ｂが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３の間を通って、傾斜辺１０ｅと平行な方向に移動する。したがって、基板１００ｄは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７３によって浮上している。つまり、基板１００ｄの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに移動する間にレーザ照射プロセスが実施される。
　次に、図１１に示すように、基板１００ｅが第２の領域６０ｂまで移動すると、アライメント機構６９ｂが基板１００ｅをアライメントする。ここでは、アライメント機構６９ｂが基板１００ｅを回転させる（図１１の白抜き矢印）。図１１では回転後の基板を基板１００ｆとして示している。
　基板１００ｅの中央部の直下にアライメント機構６９ｂが配置されている。アライメント機構６９ｂが基板１００ｅを保持する。アライメント機構６９ｂは、保持機構１２と同様に基板１００ｅを吸着保持してよい。さらに、保持機構１２ｂが基板１００ｅの保持を開放する。搬送ユニット１１ｂの保持機構１２ｂからアライメント機構６９ｂに基板１００ｅが持ち替えられる。
　アライメント機構６９ｂは、ｚ軸周りに基板１００ｅを回転させる（図１１中の白抜き矢印）。基板１００ｅの端辺が浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅと平行になるように、アライメント機構６９ａが基板１００ｅを回転させる。回転後の基板１００ｆの端辺は、ｘ方向又はｙ方向と平行になっている。そして、アライメントが終了したら、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃが基板１００ｆを保持するとともに、アライメント機構６９ｂが保持を開放する。これにより、アライメント機構６９ｂから搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃに基板１００ｆが持ち替えられる。
　基板１００ｅは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７３、６７４によって浮上している。つまり、基板１００ｅの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上している。基板１００ｅの＋ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７４によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。
　次に、図１２に示すように第２の領域６０ｂにある基板１００ｆが第３の領域６０ｃに搬送される。第３の領域６０ｃに移動した基板を基板１００ｇとして示している。図１２では、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃが基板１００ｆを保持している。そして、移動機構１３ｃが保持機構１２ｃを－ｙ方向に移動することで、基板１００ｆが第２の領域６０ｂから第３の領域６０ｃに移動する（図１２中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｃが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７４の間を通って、－ｙ方向に移動する。したがって、基板１００ｅは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７４、６７５によって浮上している。基板１００ｅの＋ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７４によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｅの－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７５によって浮上している。
　そして、搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄが基板１００ｇを保持すると共に、保持機構１２ｃが保持を開放する。これにより、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃから搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄに基板１００ｇが持ち替えられる。
　次に、図１３に示すように、第３の領域６０ｃにある基板１００ｇが第４の領域６０ｄに搬送される。第４の領域６０ｄに移動した基板を基板１００ｈとして示している。図１３では、搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄが基板１００ｇを保持している。そして、移動機構１３ｄが保持機構１２ｄを－ｘ方向に移動することで、基板１００ｆが第３の領域６０ｃから第４の領域６０ｄに移動する（図１３中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｄが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７５の間を通って、－ｘ方向に移動する。ｘｙ平面視において、保持機構１２ｄが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７６の間を通って、－ｘ方向に移動する。したがって、基板１００ｈは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７６によって浮上している。基板１００ｈの－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７６によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｈの－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７１によって浮上している。
　このようにすることで、第４の領域６０ｄにあった基板１００が第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順に移動していく。つまり、基板１００が浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。
　次に、図１４に示すように、回転機構６８が基板１００ｈをｚ軸周りに１８０°回転させる。つまり、保持機構１２ｄから回転機構６８に基板１００ｈが持ち替えられる。回転機構６８が基板１００ｈを回転させると、基板１００ｈが回転機構６８から保持機構１２ｄに持ち替えられる。
　上記と同様に、搬送ユニット１１ａ～１１ｄが再度、基板１００ｈを第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順に移動していく。つまり、図７～図１３に示したように、基板１００が浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。
　ここでは、回転機構６８が基板１００ｈを１８０°回転している。基板１００ｅが２回目にプロセス領域６０ｅを通過する場合、１回目の通過でレーザ光が照射されていない残り半分領域に、レーザ光が照射される。このように、基板１００が浮上ユニット１０の端辺に沿って２回循環している。１回目のレーザ照射と２回目のレーザ照射との間で基板１００が１８０°回転しているため、基板１００のほぼ全面にレーザ光が照射される。なお、基板１００を回転する位置は、第１の領域６０ａに限られるものではない。例えば、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、又は第４の領域６０ｄ等で行われてもよい。
　本実施の形態においても、移動機構１３ｂが照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾いた方向に保持機構１２ｂを搬送している。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができる。例えば、モアレの発生を防ぐことができ、表示品質を向上することができる。
（保持機構１２）
　次に、保持機構１２の一例について、図１５を用いて説明する。図１５は保持機構１２の一部の構成を示す斜視図である。図１５では、例えば、図１３に示した保持機構１２ｃのように、ｙ方向を移動方向とする保持機構１２を示している。図１５は保持機構１２の－ｙ側の端部の構成を示している。
　保持機構１２は複数の吸着セル１２１を備えている。複数の吸着セル１２１が搬送方向に沿って配列されている。２つの吸着セル１２１の間には、凹部１２２が設けられている。保持機構１２は、例えば、アルミニウムなどの金属材料により形成されている。例えば、Ａ５０５２等のアルミニウム合金などにより、複数の吸着セル１２１を一体的に形成することができる。
　吸着セル１２１の上面が基板１００（図１５では不図示）を吸着する吸着面１２１ａとなる。図１６は、吸着面１２１ａの拡大図、及び吸着セル１２１の断面図を示す。吸着面１２１ａには、吸着溝１２６が設けられている。さらに、吸着溝１２６は、吸気穴１２５が接続されている。吸気穴１２５が吸着セル１２１に設けられた内部空間１２７に接続されている。内部空間１２７がポンプなどにより排気されることで、吸気穴１２５、吸着溝１２６が負圧となる。これにより、各吸着セル１２１の吸着面１２１ａに基板１００が真空吸着される。
　図１７に示すように、複数の吸着セル１２１のそれぞれに対してバルブ１２９を設けることが好ましい。例えば、それぞれの吸着セル１２１は、排気ポート１２８に接続されている。排気ポート１２８はバルブ１２９を介して、配管１３０に接続されている。複数の排気ポート１２８に対して配管１３０が共通となっている。そして、配管１３０は、真空ポンプやエジェクタなどの排気手段１３１に接続されている。よって、排気手段１３１がそれぞれの吸着セル１２１の内部空間１２７を減圧することができる。
　それぞれの吸着セル１２１に対して、バルブ１２９が設けられている。複数のバルブ１２９は独立して開閉可能になっている。吸着面１２１ａの上に、基板１００が配置されている。全てのバルブ１２９をオープンすることで、それぞれの吸着セル１２１が基板１００の下面を真空吸着する。
　ここで、基板１００の搬送誤差によって、一部の吸着セル１２１の吸着面１２１ａが基板１００で塞がれないことがある。図１８に示すように、吸着セル１２１の吸着面１２１ａが基板１００で完全に覆われないことがある。この場合、吸着面１２１ａが塞がれていない吸着セル１２１のバルブ１２９をクローズする。例えば、図１８では２つの吸着セル１２１のうちの右側の吸着セル１２１において、基板１００が吸着面１２１ａからずれている。したがって、右側の吸着セル１２１のバルブ１２９を閉じている。図１８では左側の吸着セル１２１のみによって、基板１００が保持されている。例えば、排気ポート１２８におけるガスの吸引流量が閾値以上となると、バルブ１２９が閉じるようにする。このようにすることで、基板１００を適切に真空吸着することができる。よって、レーザ照射プロセスに適した基板搬送が可能となる。
　図１９は、搬送装置６００の全体構成の一例を模式的に示す側面図である。搬送装置６００は、エリアベース６１０、架台６２０、搬送用ステージ６３０を備えている。また、搬送装置６００は、上記のように、浮上ユニット１０、保持機構１２、移動機構１３、端部浮上ユニット６７０を備えている。図１７などで示したように、保持機構１２には、継手などにより配管１３０が接続されている。
　架台６２０の上には、エリアベース６１０が設けられている。エリアベース６１０の上に、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７０が設けられている。端部浮上ユニット６７０は、図６～図１４で図示された端部浮上ユニット６７１～６７６のいずれかである。
　浮上ユニット１０は、準精密浮上ユニット１１２，及びラフ浮上ユニット１１３を備えている。準精密浮上ユニット１１２は、精密浮上ユニット１１１よりも低い浮上精度を有している。ラフ浮上ユニット１１３は、準精密浮上ユニット１１２及び精密浮上ユニット１１１よりも低い浮上精度を有している。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７０との間には、保持機構１２が配置されている。移動機構１３は、搬送用ステージ６３０の上に配置されている。移動機構１３は、移動方向に沿って設けられたガイド機構などを有している。移動機構１３は、上記のように、保持機構１２を移動させる。したがって、保持機構１２は、浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７０との間の空間（隙間）を浮上ユニット１０の端辺に沿って移動する。このような構成により、移動中の基板１００にレーザ光を照射することができる。
実施の形態３．
　実施の形態３にかかる搬送装置６００Ａについて、図２０を用いて説明する。図２０は、搬送装置６００Ａの構成を模式的に示す上面図である。本実施の形態では、より大型の基板１００を搬送するために、浮上ユニットが第１浮上ユニット１０Ａ、第２浮上ユニット１０Ｂの二つに分割されている。例えば、基板１００は、Ｇ１０サイズ（３１３０ｍｍ×２８８０ｍｍ）のガラス基板である。なお、第１浮上ユニット１０Ａ、及び第２浮上ユニット１０Ｂ以外の構成については、実施の形態１，２と同様であるため、適宜説明を省略する。
　第１浮上ユニット１０Ａと第２浮上ユニット１０Ｂとの間には、隙間１０Ｃが設けられている。つまり、第１浮上ユニット１０Ａと第２浮上ユニット１０Ｂとは隙間１０Ｃを隔てて配置されている。第１浮上ユニット１０Ａ、及び第２浮上ユニット１０Ｂは、実施の形態１、２で示したように、被処理体である基板１００の下側に配置されている。そして、第１浮上ユニット１０Ａ、及び第２浮上ユニット１０Ｂが基板１００の下面に気体を噴出することで、基板１００をエア浮上させる。浮上している基板１００を移動させている間に、レーザ光が照射される。レーザ光の照射領域１５ａは、ｙ方向に沿ったライン状となっている。照射領域１５ａは、第１浮上ユニット１０Ａに形成されている。
　図２０では、保持機構１２が移動機構１３（図２０では不図示）によって、ｘ方向に沿って移動する。上面視において、基板１００の搬送方向がｘ方向と平行になっている。保持機構１２は、隙間１０Ｃに沿って移動する。保持機構１２は、基板１００の端部ではない中央部を吸着保持している。上面視において、第１浮上ユニット１０Ａは基板１００の中央部から一端側に配置されている。上面視において、第２浮上ユニット１０Ｂが基板１００の中央部から他端側に配置されている。
　図２０では、第１浮上ユニット１０Ａは、保持機構１２の－ｙ側に配置され、第２浮上ユニット１０Ｂは、保持機構１２の＋ｙ側に配置されている。したがって、第１浮上ユニット１０Ａは、基板１００の中央部から－ｙ側の端辺までをエア浮上している。第２浮上ユニット１０Ｂは、基板１００の中央部から＋ｙ側の端辺までをエア浮上している。このように、本実施の形態では、基板１００の中央部をエア浮上する第１浮上ユニット１０Ａ，及び第２浮上ユニット１０Ｂが設けられている。保持機構１２は、基板１００の端部ではない内側部分を保持している。
　保持機構１２が基板１００の中央部を保持することで、基板１００を確実に吸着保持することができる。この点については、図２１を用いて説明する。図２１は、基板１００の端部を保持した場合を説明するための図である。
　基板１００に対して、ｚ軸周りの回転する力が加わった場合、保持機構１２が保持している部分に慣性モーメントＭが作用する。保持機構１２が基板１００の端部を保持している場合、保持機構１２が基板１００の中央部を保持している場合よりも慣性モーメントＭが大きくなる。基板１００が大型化するほど、慣性モーメントＭが大きくなってしまう。慣性モーメントＭが大きくなると保持機構１２の真空吸着が外れるおそれがある。
　ｙ方向における保持機構１２の幅を大きくすれば吸着力を大きくすることができる。しかしながら、保持機構１２の幅を大きくすると、基板１００と保持機構１２とが接触する接触面積が増加する。従って、図２２に示すように、基板１００の帯電が問題になる。例えば、基板１００を吸着破壊する際に発生する吸着剥離帯電で、基板１００が帯電する（図２２の上図）。基板１００と保持機構１２の接触面積に比例して、帯電量が増加する。
　保持機構１２は、金属材料で形成されている。保持機構１２を接地することで保持機構１２の電荷を逃がすことができる。一方、基板１００は、ガラスなどの絶縁体である。したがって、帯電した基板１００の電荷は、基板１００に滞在する。基板１００と浮上ユニット１０との間にクーロン力が発生して、基板１００が浮上ユニット１０側に引き寄せられてしまう（図２２の下図）。この場合、基板１００と浮上ユニット１０に接触して、両者が損傷してしまうおそれがある。
　そこで、本実施の形態では、保持機構１２が基板１００の端部ではない中央部を保持している。このようにすることで、保持機構１２で保持されている部分に生じる慣性モーメントを小さくすることができるため、保持機構１２の平面サイズを小さくすることができる。つまり、保持機構１２の平面サイズを小さくした場合でも、慣性モーメントにより基板１００の吸着保持が外れることを抑制することができる。
　保持機構１２が基板１００の端部ではなく中央部を保持している。つまり、上面視において、第２浮上ユニット１０Ｂが基板１００の端辺から中央部に渡ってに配置されている。基板１００の中央部とは、例えば、第２浮上ユニット１０Ｂから気体を噴出しない状態とした場合に、基板１００が撓んで第２浮上ユニット１０Ｂに接触してしまう程度の位置とすることができる。つまり、保持機構１２が基板１００の中央部を保持した状態で搬送中に、第２浮上ユニット１０Ｂからの気体放出を停止すると、基板１００が第２浮上ユニット１０Ｂに接触してしまう。また、基板１００の端部とは、例えば、第２浮上ユニット１０Ｂから気体を噴出しない状態とした場合に、基板１００が撓んだとしても第２浮上ユニット１０Ｂに接触しない程度の位置とすることができる。保持機構１２が基板１００の端部を保持した状態で搬送中に、第２浮上ユニット１０Ｂからの気体放出を停止しても、基板１００が第２浮上ユニット１０Ｂと接触しない。
　本実施形態にかかる搬送方法はライン状の照射領域１５ａを形成するレーザ光を基板１００に照射するために、基板１００を搬送する。基板１００の下側に配置された第１浮上ユニット１０Ａを用いて、上面視において基板１００の中央部から基板１００の一端側を浮上させるとともに、基板１００の下側に配置された第２浮上ユニット１０Ｂを用いて、上面視において基板１００の中央部から基板１００の他端側を浮上させる。基板１００の中央部の下側に配置された保持機構１２を用いて、基板１００を吸着して保持する。レーザ光１５の照射位置に対して基板１００を移動させるために、保持機構１２を、第１浮上ユニット１０Ａと第２浮上ユニット１０Ｂの間の隙間１０Ｃに沿って移動させる。
（照射プロセスの実施例）
　以下、本実施の形態にかかる照射プロセスの実施例について、図２３～図２５を用いて説明する。図２３～図２５は、それぞれ基板１００に対するレーザ光の照射位置を模式的に示している。図２３～図２５において、基板１００は、複数の表示パネルを形成するためのマザーガラス基板となっている。例えば、基板サイズが３１３０ｍｍ×２８８０ｍｍとなっている。
（実施例１）
　図２３に示す実施例１では、１枚の基板１００から８枚の表示パネルＰ１～Ｐ８を製造する８面取りの例を示している。ｘ方向における基板サイズが３１３０ｍｍ、ｙ方向における基板サイズが２８８０ｍｍとなっている。各表示パネルのパネルサイズは、７６４ｍｍ×１３４１ｍｍとなっている。この場合、ｙ方向における照射領域１５ａの大きさは１３４１ｍｍ以上とする。ｘ方向に基板１００を搬送しながら、レーザ光を照射することで、基板１００のほぼ半分にレーザ光が照射される。レーザ光が照射された領域では、アモルファスシリコン膜が結晶化して、ポリシリコン膜が形成される。そして、２回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ全体にポリシリコン膜を形成することができる。
　１回目の照射プロセスでは、基板１００のほぼ半分の領域にレーザ光が照射される。つまり、１回目の照射プロセスでは、基板１００の一端側の半分の矩形領域にレーザ光が照射される。表示パネルＰ１～Ｐ４となる領域において、レーザ光が照射される。１回目の照射プロセスでは、保持機構１２（図２３では不図示）が表示パネルＰ５～Ｐ８のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。
　１回目の照射プロセスの後、基板１００をｚ軸周りに１８０°回転する。２回目の照射プロセスでは、基板１００の残り半分の領域にレーザ光が照射される。つまり、２回目の照射プロセスでは、基板１００の他端側の半分の矩形領域にレーザ光が照射される。表示パネルＰ５～Ｐ８となる領域において、レーザ光が照射される。２回目の照射プロセスでは、保持機構１２が表示パネルＰ１～Ｐ４のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。２回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ全面にレーザ光が照射される。
（実施例２）
　図２４に示す実施例２では、１枚の基板１００から６枚の表示パネルＰ１～Ｐ６を製造する６面取りの例を示している。ｘ方向における基板サイズが３１３０ｍｍ、ｙ方向における基板サイズが２８８０ｍｍとなっている。各表示パネルのパネルサイズは、１５４６ｍｍ×８８８ｍｍとなっている。この場合、ｙ方向における照射領域１５ａの大きさは８８８ｍｍ以上とする。ｘ方向に基板１００を搬送しながら、レーザ光を照射することで、基板１００のほぼ１／３にレーザ光が照射される。レーザ光が照射された領域では、アモルファスシリコン膜が結晶化して、ポリシリコン膜が形成される。そして、３回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ全体にポリシリコン膜を形成することができる。
　１回目の照射プロセスでは、基板１００のほぼ１／３の領域にレーザ光が照射される。基板１００の一端側の１／３の矩形領域にレーザ光が照射される。つまり、表示パネルＰ１～Ｐ２となる領域において、レーザ光が照射される。１回目の照射プロセスでは、保持機構１２（図２４では不図示）が表示パネルＰ３～Ｐ６のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。
　１回目の照射プロセスの後、基板１００を－ｙ方向に搬送する。２回目の照射プロセスでは、基板１００の中央のほぼ１／３の領域にレーザ光が照射される。２回目の照射プロセスでは、基板１００の中心を含む１／３の矩形領域にレーザ光が照射される。表示パネルＰ３～Ｐ４となる領域において、レーザ光が照射される。３回目の照射プロセスでは、保持機構１２が表示パネルＰ５、Ｐ６のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。２回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ２／３にレーザ光が照射される。
　２回目の照射プロセスの後、基板１００をｚ軸周りに１８０°回転するとともに、ｙ方向に基板１００を搬送する。３回目の照射プロセスでは、基板１００の他端側の１／３の矩形領域にレーザ光が照射される。表示パネルＰ５～Ｐ６となる領域において、レーザ光が照射される。３回目の照射プロセスでは、保持機構１２が表示パネルＰ１～Ｐ４のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。３回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ全体にレーザ光が照射される。
　なお、レーザ光の照射プロセスの順番は、特に限定されるものではない。例えば、表示パネルＰ５、Ｐ６となる領域にレーザ光を照射した後に、表示パネルＰ３、Ｐ４となる領域にレーザ光を照射しても良い。また、１回目の照射プロセスにおいて、表示パネルＰ３、Ｐ４となる領域にレーザ光を照射しても良い。
（実施例３）
　図２５に示す実施例３では、１枚の基板１００から３枚の表示パネルＰ１～Ｐ３を製造する６面取りの例を示している。ｘ方向における基板サイズが２８８０ｍｍ、ｙ方向における基板サイズが３１３０ｍｍとなっている。各表示パネルのパネルサイズは、１８０６ｍｍ×１０２９ｍｍとなっている。この場合、ｙ方向における照射領域１５ａの大きさは１０２９ｍｍ以上とする。ｘ方向に基板１００を搬送しながら、レーザ光を照射することで、基板１００のほぼ１／３にレーザ光が照射される。レーザ光が照射された領域では、アモルファスシリコン膜が結晶化して、ポリシリコン膜が形成される。そして、３回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ全体にポリシリコン膜を形成することができる。
　１回目の照射プロセスでは、基板１００のほぼ１／３の領域にレーザ光が照射される。基板１００の一端側の１／３の矩形領域にレーザ光が照射される。つまり、表示パネルＰ１となる領域において、レーザ光が照射される。１回目の照射プロセスでは、保持機構１２（図２５では不図示）が表示パネルＰ１，Ｐ２のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。
　１回目の照射プロセスの後、基板１００を－ｙ方向に搬送する。２回目の照射プロセスでは、基板１００の中央のほぼ１／３の領域にレーザ光が照射される。２回目の照射プロセスでは、基板１００の中心を含む１／３の矩形領域にレーザ光が照射される。表示パネルＰ２となる領域において、レーザ光が照射される。３回目の照射プロセスでは、保持機構１２が表示パネルＰ１、Ｐ３のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。２回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ２／３にレーザ光が照射される。
　２回目の照射プロセスの後、基板１００をｚ軸周りに１８０°回転するとともに、ｙ方向に基板１００を搬送する。３回目の照射プロセスでは、基板１００の他端側の１／３の矩形領域にレーザ光が照射される。表示パネルＰ３となる領域において、レーザ光が照射される。３回目の照射プロセスでは、保持機構１２が表示パネルＰ１、Ｐ２のいずれか１つ以上となる領域を保持した状態で、基板１００がｘ方向に搬送される。３回の照射プロセスにより、基板１００のほぼ全体にレーザ光が照射される。
　なお、レーザ光の照射プロセスの順番は、特に限定されるものではない。例えば、表示パネルＰ５、Ｐ６となる領域にレーザ光を照射した後に、表示パネルＰ３、Ｐ４となる領域にレーザ光を照射しても良い。また、１回目の照射プロセスにおいて、表示パネルＰ３、Ｐ４となる領域にレーザ光を照射しても良い。
　例２，例３では、１回の照射プロセスにおいて、基板１００の約１／３の領域にレーザ光が照射される。したがって、保持機構１２は、基板１００の端辺から基板サイズの１／３程度の位置で基板１００を保持する。つまり、ｙ方向において、第２浮上ユニット１０Ｂが基板１００の基板サイズの１／３程度の幅を有する。もちろん、第２浮上ユニット１０Ｂの幅は、基板サイズの１／３に限定されるものではない。基板サイズ、パネルの面取り数、レーザ光の照射領域１５ａのサイズに応じて、プロセス回数を決定することがで、第２浮上ユニット１０Ｂの大きさを決めてもよい。例えば、第１浮上ユニット１０Ａ、及び第２浮上ユニット１０Ｂのそれぞれを基板サイズの１／４以上としてもよい。
　本実施の形態の構成より、大型の基板１００を適切に搬送することできる。基板１００に回転する力が加わった場合でも、慣性モーメントにより吸着保持の解除を防ぐことができる。また、小さい吸着面積で確実に基板１００を保持することができるため、帯電量の増加を防ぐことができる。よって、クーロン力によって、基板１００が第１浮上ユニット１０Ａ又は第２浮上ユニット１０Ｂに接触することができる。
　なお、実施の形態３の構成は、実施の形態１、２の構成と適宜組み合わせることが可能である。例えば、実施の形態３の構成において、基板１００の搬送方向を照射領域１５ａの長手方向から傾いた方向としてもよい。
（有機ＥＬディスプレイ）
　上記のポリシリコン膜を有する半導体装置は、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイ用のＴＦＴ（Thin Film transistor）アレイ基板に好適である。すなわち、ポリシリコン膜は、ＴＦＴのソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を有する半導体層として用いられる。
　以下、本実施の形態にかかる半導体装置を有機ＥＬディスプレイディスプレイに適用した構成について説明する。図２６は、有機ＥＬディスプレイの画素回路を簡略化して示す断面図である。図２６に示す有機ＥＬディスプレイ３００は、各画素ＰＸにＴＦＴが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
　有機ＥＬディスプレイ３００は、基板３１０、ＴＦＴ層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３、及び封止基板３１４を備えている。図２６では、封止基板３１４側が視認側となるトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ＥＬディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態にかかる半導体装置は、ボトムエミッション方式の有機ＥＬディスプレイに用いられていてもよい。
　基板３１０は、ガラス基板又は金属基板である。基板３１０の上には、ＴＦＴ層３１１が設けられている。ＴＦＴ層３１１は、各画素ＰＸに配置されたＴＦＴ３１１ａを有している。さらに、ＴＦＴ層３１１は、ＴＦＴ３１１ａに接続される配線（図示を省略）等を有している。ＴＦＴ３１１ａ、及び配線等が画素回路を構成する。
　ＴＦＴ層３１１の上には、有機層３１２が設けられている。有機層３１２は、画素ＰＸごとに配置された有機ＥＬ発光素子３１２ａを有している。さらに、有機層３１２には、画素ＰＸ間において、有機ＥＬ発光素子３１２ａを分離するための隔壁３１２ｂが設けられている。
　有機層３１２の上には、カラーフィルタ層３１３が設けられている。カラーフィルタ層３１３は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ３１３ａが設けられている。すなわち、各画素ＰＸには、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、又はＢ（青色）に着色された樹脂層がカラーフィルタ３１３ａとして設けられている。
　カラーフィルタ層３１３の上には、封止基板３１４が設けられている。封止基板３１４は、ガラス基板などの透明基板であり、有機層３１２の有機ＥＬ発光素子の劣化を防ぐために設けられている。
　有機層３１２の有機ＥＬ発光素子３１２ａに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素ＰＸに供給することで、各画素ＰＸでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。
　有機ＥＬディスプレイ等のアクティブマトリクス型表示装置では、１つの画素ＰＸに、１つ以上のＴＦＴ（例えば、スイッチング用ＴＦＴ、又は駆動用ＴＦＴ）が設けられている。そして、各画素ＰＸのＴＦＴには、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域を有する半導体層が設けられている。本実施の形態にかかるポリシリコン膜は、ＴＦＴの半導体層に好適である。すなわち、上記の製造方法により製造したポリシリコン膜をＴＦＴアレイ基板の半導体層に用いることで、ＴＦＴ特性の面内ばらつきを抑制することができる。よって、表示特性の優れた表示装置を高い生産性で製造することができる。
（半導体装置の製造方法）
　本実施の形態にかかるレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板の製造に好適である。ＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について、図２７、図２８を用いて説明する。図２７、図２８は半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。以下の説明では、逆スタガード（inverted staggered）型のＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について説明する。図２７，図２８では、半導体製造方法におけるポリシリコン膜の形成工程を示している。なお、その他の製造工程については、公知の手法を用いることができるため、説明を省略する。
　図２７に示すように、ガラス基板４０１上に、ゲート電極４０２が形成されている。ゲート電極４０２の上に、ゲート絶縁膜４０３が形成されている。ゲート絶縁膜４０３の上に、アモルファスシリコン膜４０４を形成する。アモルファスシリコン膜４０４は、ゲート絶縁膜４０３を介して、ゲート電極４０２と重複するように配置されている。例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ゲート絶縁膜４０３とアモルファスシリコン膜４０４とを連続成膜する。
　そして、アモルファスシリコン膜４０４にレーザ光Ｌ１を照射することで、図２８に示すように、ポリシリコン膜４０５が形成される。すなわち、図１等で示したレーザ照射装置１によって、アモルファスシリコン膜４０４を結晶化する。これにより、シリコンが結晶化したポリシリコン膜４０５がゲート絶縁膜４０３上に形成される。ポリシリコン膜４０５は、上記したポリシリコン膜に相当する。
　さらに、上記の説明では、本実施の形態にかかるレーザアニール装置が、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を形成するものとして説明したが、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してマイクロクリスタルシリコン膜を形成するものであってもよい。さらには、アニールを行うレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザに限定されるものではない。また、本実施の形態にかかる方法は、シリコン膜以外の薄膜を結晶化するレーザアニール装置に適用することも可能である。すなわち、非晶質膜にレーザ光を照射して、結晶化膜を形成するレーザアニール装置であれば、本実施の形態にかかる方法は適用可能である。本実施の形態にかかるレーザアニール装置によれば、結晶化膜付き基板を適切に改質することができる。
変形例１
　次に、変形例１にかかる搬送装置を用いたレーザ照射装置について、図２９を用いて説明する。図２９は、レーザ照射装置１を模式的に示す上面図である。なお、搬送装置及びレーザ照射装置１の基本的構成は実施の形態１と同様となっているため、適宜説明を省略する。
　変形例では、上面視において、被処理体１６の角度が実施の形態１と異なっている。具体的には、被処理体１６の－ｙ側の端辺１６１が、搬送方向から傾いている。つまり、搬送方向と端辺１６１とが平行になっていない。図２９では、図１の構成に対して、被処理体１６がＺ軸周りに回転した構成となっている。ｙ方向と被処理体１６の端辺１６１の成す角度をφとする。また、ｘ方向と搬送方向と成す角をθとする。ここでは、φがθよりも大きくなっているが、φはθ以下であってもよい。
　φは０°より大きく５°以下とすることが好ましい。また、θは０°より大きく５°以下とすることが好ましい。レーザ照射プロセスの仕様に応じて、φを調整することができる。例えば、実施の形態２で示した図６～図１４の搬送装置６００において、アライメント機構６９ａが、基板１００の角度を所望の角度に変えることができる。つまり、図９に示したように、アライメント機構６９ａがＺ軸周りに回転する駆動機構として機能する。アライメント機構６９ａが基板１００の端辺の角度を搬送方向と異なる角度にする。このようにすることで、レーザ光の照射前に基板１００をＺ軸周りに回転することができる。ライン状のレーザ光に対して所望の角度で傾斜した状態で、搬送装置６００が基板１００を搬送することができる。レーザ光を照射後に、図１１に示したように、アライメント機構６９ｂが浮上ユニット１０上の基板１００を回転する。このようにすることにより、図１２に示したように、Ｘ方向と基板１００の端辺とが平行になる。
変形例２
　変形例２にかかるレーザ照射装置について、図３０を用いて説明する。変形例２にかかるレーザ照射装置１は、スリット機構３０を有している。
　図３０に示すように、矩形状の被処理体１６において、＋ｘ側の端辺を端辺１６２，－ｘ側の端辺を端辺１６３、＋ｙ側の端辺を端辺１６４とする。照射例１では、図２９と同様に、搬送方向が、被処理体１６の端辺１６１、１６４から傾いている。
　以下、被処理体１６の全面を２回に分けてレーザ照射する照射例について説明する。被処理体１６において、領域１６８と領域１６９に対して、レーザ光が順番に照射される。具体的には、１回目の搬送で被処理体１６の片側半分の領域１６８に対して，レーザ光が照射される。領域１６８は、端辺１６２と端辺１６３と端辺１６１と境界線１６５で囲まれた領域である。境界線１６５は、搬送方向と平行な直線となっている。
　次に、被処理体１６をＺ軸周りに１８０°回転させた後に、２回目の搬送を行う。これにより、残りの片側半分の領域１６９に対して、レーザ光が照射される。つまり、１回目のレーザ照射で領域１６８にポリシリコン膜が形成され、２回目のレーザ照射で、領域１６９にポリシリコン膜が形成される。領域１６９は、端辺１６２と端辺１６３と端辺１６４と境界線１６５で囲まれた領域である。また、領域１６８と領域１６９とは一部重複していてもよい。この場合、境界線１６５近傍では、被処理体１６にレーザ光が２回照射される。あるいは、１回目の照射でレーザ光が照射される領域１６８と２回目の照射でレーザ光が照射される領域１６９との間には、隙間が設けられていてもよい。この場合、１回目の領域１６８と２回目の領域１６９との間には、レーザ光が照射されない領域が存在する。また、領域１６８と領域１６９との間の隙間は限りなく狭くしてもよい。１回目の照射で照射済みとなる領域１６８を規定する境界線と、２回目の照射で照射済みとなる領域１６９を規定する境界線が一致しない。
　スリット機構３０は、被処理体１６におけるレーザ光の照射領域１５ａの長さを調整することができる。つまり、スリット機構３０は、スリット長が可変の可変長スリットとなっている。これにより、１回目と２回目のレーザ照射で照射される領域１６８、１６９の大きさを自在に変化させることができる。具体的には、スリット機構３０は、スリット長を調整することで、ｙ方向におけるライン状の照射領域１５ａの長さを変更することができる。例えば、スリット機構３０は、図２で示したレーザ照射部１４の光学系に設置されている。
　スリット機構３０は、遮光部３２と遮光部３３とを備えている。遮光部３３と遮光部３２は、ｙ方向に沿って移動可能に設けられた遮光板等を有している。遮光部３３と遮光部３２は、レーザ光の端部を遮光することができる。遮光部３３はラインビームの－ｙ側の端部を遮光する。つまり、遮光部３３はライン状の照射領域１５ａの－ｙ側の位置を規定する。遮光部３２はラインビームの＋ｙ側の端部を遮光する。つまり、遮光部３２はライン状の照射領域１５ａの＋ｙ側の位置を規定する。よって、遮光部３２の位置が、境界線１６５の位置を規定する。
　遮光部３２と遮光部３３が近づくようにｙ方向に移動することでスリット長を短くすることができる。遮光部３２と遮光部３３が離れるようにｙ方向に移動することで、スリット長を長くすることができる。
　遮光部３２，及び遮光部３３は、レーザ照射部１４に設けられているが、以下の説明では、説明の簡略化のため、遮光部３２と遮光部３３の位置を光学系により被処理体１６に投影したときの位置として説明する。例えば，遮光部３２の位置が照射領域１５ａの＋ｙ側の端部に対応し、遮光部３３の位置が照射領域１５ａの－ｙ側の端部に対応するものとして説明する。
　遮光部３３と遮光部３２とは、独立して移動する。これにより、スリット機構３０が、被処理体１６におけるラインビーム長及び照射端位置を変えることが可能になる。さらに、遮光部３３と遮光部３２とは、被処理体１６の搬送に連動して、移動してもよい。つまり、被処理体１６の搬送位置に変化に応じて、遮光部３２と遮光部３３の位置が変化しても良い。なお、図３０では、図２９と同様に、搬送方向が、被処理体１６の端辺１６１から傾いているが、図１に示したように平行となっていてもよい。
（照射例１）
　照射例１について、図３１を用いて、説明する。図３１は、被処理体１６に対するレーザ光の照射領域１５ａを模式的に示す上面図である。以下の図では、説明の簡略化のため、適宜、搬送ユニット１１や浮上ユニット１０を省略している。照射例１では、図１と同様に、被処理体１６の端辺１６１、１６４と搬送方向が平行になっている。領域１６９と領域１６８との境界線１６５は、搬送方向及び端辺１６１と平行になっている。
　図３１の左側には、１回目の照射が開始した照射開始時点の構成が示されており、図３１の右側には、１回目の照射が終了した照射終了時点の構成が示されている。なお、照射開始時点とは、搬送によって、照射領域１５ａが被処理体１６の端辺１６２に重複したタイミングを示す。照射終了時点とは、搬送によって、照射領域１５ａが被処理体１６の－ｘ側の端辺１６３を通過したタイミングを示す。
　１回目の照射中において、遮光部３２と遮光部３３の位置が一定となっている。照射開始時点から照射終了時点までの間、スリット長及び照射端位置が一定となっている。照射領域１５ａの－ｙ側の端部位置が端辺１６１に一致するように、遮光部３３の位置が調整されている。つまり、遮光部３３は、照射領域１５ａの一端が端辺１６１と一致するように、ラインビームを形成する。
　被処理体１６の搬送によって、領域１６８にレーザ光が照射されていく。照射が終了すると、領域１６８にポリシリコン膜１６ａが形成される。領域１６８に対するレーザ照射が終了したら、被処理体１６をＺ軸周りに１８０°回転させて、同様にレーザ光を照射する（図示を省略）。これにより、領域１６９に対するレーザ照射が完了する。
　被処理体１６から外れた基板外のエリアに照射されるレーザ光を低減することができる。例えば、照射例１では図３１に模式的に示す三角形のエリア１７０にレーザ光が照射されることになる。エリア１７０は、被処理体１６が搬送される際において、被処理体１６に照射されないレーザ光の軌跡を示す領域である。図３１などでは，説明のため、被処理体１６の外側でレーザ光が照射される領域が、搬送とともに移動する軌跡をエリア１７０として示している。なお、実際は、浮上ユニット１０の一定の位置にレーザ光が照射される（図１又は図６などの照射領域１５ａを参照）。この場合、２つの精密浮上ユニット１１１の間の隙間に、レーザ光の照射領域１５ａが形成されるようにする。遮光部３２の位置を調整することで、領域１６９と領域１６８との境界線１６５を被処理体１６においてデバイスが形成されない領域にすることができる。例えば、境界線１６５を被処理体１６の切断線上に形成することができる。これにより、デバイス内における照射ばらつきの発生を抑制することができる。
(照射例２)
　照射例２について、図３２、図３３を用いて、説明する。図３２、図３３は、被処理体１６に対するレーザ光の照射領域１５ａを模式的に示す上面図である。照射例２では、被処理体１６の搬送に応じて、遮光部３２，及び遮光部３３が移動している。図３２は、被処理体１６の端辺１６２にレーザ光が照射される様子を示している。つまり、図３２は、被処理体１６への照射開始時における遮光部３３の動作を示している。図３３は、被処理体１６の端辺１６３にレーザ光が照射される様子を示している。つまり、図３３は、被処理体１６への照射終了時における遮光部３２の動作を示している。照射例２では、被処理体１６の端辺１６１と搬送方向が平行になっている。
　まず、図３２を用いて、照射開始時における遮光部３３の動作について説明する。図３２の左側は遮光部３３の移動開始時点の位置を示し、図３２の右側に移動終了時点の位置が示されている。図３２では、遮光部３２の位置は一定となっている。
　被処理体１６の＋ｘ側の端部の位置に合わせて、遮光部３３が－ｙ方向に移動している。被処理体１６の搬送中において、上面視で遮光部３３は、端辺１６２に沿って移動する。これにより、端辺１６１の全体に渡って、端辺１６１の－ｘ側にポリシリコン膜１６ａが形成される。
　具体的には、照射領域１５ａが被処理体１６の端辺１６２を横切る間に、遮光部３３が－ｙ方向に移動していく。領域１６８の全体にレーザ光が照射されるように、遮光部３３が被処理体１６の端辺１６１まで移動する。つまり、遮光部３３が徐々に遮光部３２から離れていく。したがって、遮光部３３の移動に応じて、照射領域１５ａが徐々に長くなっていく。図３２の移動終了時点の位置まで移動した後は、被処理体１６が搬送中において、遮光部３３の位置が一定となっている。
　次に図３３を用いて、照射終了時における遮光部３２の動作について説明する。図３３の左側は遮光部３２の移動開始時点の位置を示し、図３３の右側に遮光部３２の移動終了時点の位置が示されている。図３３では、遮光部３３の位置は一定となっている。
　被処理体１６の－ｘ側の端部の位置に合わせて、遮光部３２が－ｙ方向に移動している。被処理体１６の搬送中において、上面視で遮光部３３は、端辺１６３に沿って移動する。具体的には、照射領域１５ａが被処理体１６の端辺１６３を横切る間に、遮光部３２が－ｙ方向に移動していく。遮光部３２が徐々に遮光部３３に近づいていく。したがって、遮光部３２の移動に応じて、照射領域１５ａが徐々に短くなっていく。
　このようにして、領域１６８にレーザ光が照射されるため、領域１６８の全体にポリシリコン膜１６ａが形成される。領域１６８に対するレーザ照射が終了したら、被処理体１６をＺ軸周りに１８０°回転させて、同様にレーザ光を照射する。これにより、領域１６９に対するレーザ照射が完了する。照射例２では、被処理体１６の外側の照射済みエリアを小さくすることができる。よって、浮上ユニット１０に対するダメージを抑制することができる。
(照射例３)
　照射例３について、図３４を用いて、説明する。図３４は、被処理体１６に対するレーザ光の照射領域１５ａを模式的に示す上面図である。図３４の左側の図は、照射開始時点の構成を示し、右側の図は照射終了時点の図を示す。照射例３では照射例１と比して、遮光部３３の位置が異なっている。より詳細には、照射領域１５ａの一端が被処理体１６の端辺１６１よりも－ｙ側に位置するように、遮光部３３が配置されている。照射例３では、搬送方向が端辺１６１と平行になっている。遮光部３２，及び遮光部３３の位置が一定となっている。
　上面視において、照射領域１５ａの一端が端辺１６１から－ｙ側にはみ出すよう形成されている。なお、照射例３では、被処理体１６よりも－ｙ側にはみ出したエリア１７０にも、レーザ光が照射されることになる。被処理体１６の－ｙ側の端辺１６１まで確実にレーザ光を照射することができる。よって、端辺１６１の近傍においても、レーザ光を均一に照射することができる。
(照射例４)
　照射例４について、図３５，及び図３６を用いて説明する。図３５、図３６は、被処理体１６とレーザ光の照射領域１５ａを模式的に示す上面図である。図３５は、照射開始前、図３６は照射終了後の構成を模式的に示している。照射例４では、被処理体１６の搬送中において、遮光部３２の位置が徐々に変化している。なお、照射例４では、搬送方向が端辺１６１から傾いている。
　まず、図３５を参照して、被処理体１６の点と，その軌跡を以下のように定義する。図３５に示すように、端辺１６２と境界線１６５との交点を点Ｃ１とする。端辺１６３と境界線１６５との交点を点Ｃ２とする。端辺１６２と端辺１６１との交点を点Ｃ３とする。端辺１６３と端辺１６１との交点を点Ｃ４とする。点Ｃ３と点Ｃ４は矩形状の被処理体１６の角に対応する。
　搬送による点Ｃ１～点Ｃ４の軌跡をそれぞれ軌跡Ｔ１～Ｔ４とする。例えば、被処理体１６を搬送方向に搬送すると、点Ｃ１は軌跡Ｔ１に沿って移動する。軌跡Ｔ１～Ｔ４はそれぞれ搬送方向と平行な直線である。上面視において、＋ｙ側から順に、軌跡Ｔ２，軌跡Ｔ１、軌跡Ｔ４、軌跡Ｔ３の順に配置されている。さらに、照射例３と同様に，被処理体１６の端辺１６１よりも－ｙ側に照射領域１５ａ一端が配置されている。つまり、照射領域１５ａが端辺１６１から－ｙ側にはみ出すように、遮光部３３の位置が調整されている。
　照射例４では、被処理体１６が搬送方向に沿って搬送されると、図３６に示すようになる。図３６では、境界線１６５よりも－ｙ側の領域１６８にレーザ光が照射される。被処理体１６を搬送している間、搬送に応じて、遮光部３２が移動している。具体的には、搬送速度が一定である場合、遮光部３２が一定速度で移動する。遮光部３２が一定の移動速度で徐々に＋ｙ方向に移動していく。点Ｃ１と点Ｃ２とを結ぶ直線が境界線１６５となるように、遮光部３２が移動する。したがって、端辺１６１が搬送方向から傾いている場合でも、境界線１６５と端辺１６１を平行にすることができる。換言すると、境界線１６５が搬送方向から傾いた方向の直線になる。
　また、照射領域１５ａが軌跡Ｔ３よりも－ｙ側にはみ出している。よって、被処理体１６から－ｙ側にはみ出したエリア１７０にも、レーザ光が照射される。なお、照射例４では、搬送に応じてスリット長が変わるように、遮光部３３を移動させていないが、移動させてもよい。つまり、スリット長が一定であってもよく、変化してもよい。
　（照射例５）
　照射例５について、図３７，及び図３８を用いて説明する。図３７、図３８は照射例５の構成を模式的に示す上面図である。図３７は、照射開始前、図３８は照射終了後の構成を模式的に示している。照射例５では、搬送に応じて、遮光部３２，及び遮光部３３が移動している。照射例５では、搬送に応じて、遮光部３３が＋ｙ方向に移動する。
　照射例５では、搬送に応じて、遮光部３３の位置が端辺１６１に沿って変化している。また、搬送に応じて、遮光部３２の位置が、照射例４と同様に、端辺１６１と平行な境界線１６５に沿って変化している。したがって、遮光部３３と遮光部３２は、同じ移動速度で徐々に＋ｙ方向に移動している。スリット機構３０のスリット長が一定となっている。照射領域１５ａのライン長が端辺１６１から境界線１６５までのｙ方向距離と一致している。このようにすることで、被処理体１６の－ｙ側にはみ出したエリアレーザ光が照射されないようにすることができる。よって、領域１６８にポリシリコン膜１６ａが形成される。
その他の実施形態
　被処理体１６や基板１００を保持する保持機構１２にバルブの有無に関わらず真空吸着できる保持機構を用いてもよい。また、被処理体１６や基板１００を浮上させるためのガスとして、圧縮した空気や窒素などの不活性ガスを用いることができる。
　実施の形態２では、浮上ユニット１０が、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２，及びラフ浮上ユニット１１３を備えているものとして説明したが、浮上ユニット１０は、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２，及びラフ浮上ユニット１１３の全てを備えていなくてもよい。つまり、浮上ユニット１０は、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２，及びラフ浮上ユニット１１３のいずれか１つ以上を有していてもよい。例えば。浮上ユニット１０は、精密浮上ユニット１１１とラフ浮上ユニット１１３の２つにより構成されていてもよい．この場合、ラフ浮上ユニット１１３が、精密浮上ユニット１１１に隣接するように配置される。
　また、図６～図１４に示した搬送装置６００では、複数の基板に対して、連続してレーザ光を照射することができる。図３９～図４２を用いて、搬送装置６００が、２枚の基板１００、１０１を同時に浮上させて搬送する例について説明する。なお、実施の形態２で説明した内容と重複する内容については適宜説明を省略する。
　図３９に示すように、１枚目の基板１００のレーザ光の照射中に、２枚目の基板１０１が浮上ユニット１０の第４の領域６０ｄに搬入される。図３９では、基板１００の端辺がＹ方向から傾いた状態で、レーザ光が基板１００に照射される。そして、搬送ユニット１１ｂが基板１００を第２の領域６０ｂまで搬送すると、基板１００に対する１回目のレーザ照射が終了する。
　基板１００へのレーザ照射が終了したら、図４０に示すように、アライメント機構６９ｂが基板１００を回転する。これにより、基板１００の端辺がＸ方向及びＹ方向と平行になる。このとき、搬送ユニット１１ａは、基板１０１を＋Ｙ方向に搬送している。よって、図３９において第４の領域６０ｄにあった基板１０１が、図４０では第１の領域６０ａに移動している。つまり、搬送ユニット１１ａによる基板１０１の搬送と、搬送ユニット１１ｂによる基板１００の搬送が同時に行われる。
　そして、アライメント機構６９ａが基板１０１を回転させた後、搬送ユニット１１ｂが基板１０１を搬送する。これにより、図４１に示すように、基板１０１の端辺がＹ方向から傾いた状態で、基板１０１が照射領域１５ａを通過する。このとき、搬送ユニット１１ｃが、基板１００を－Ｙ方向に搬送している。よって、図４０において第２の領域６０ｂにあった基板１００が、図４１では第３の領域６０ｃに移動している。つまり、搬送ユニット１１ｂによる基板１０１の搬送と、搬送ユニット１１ｃによる基板１００の搬送が同時に行われる。そして、基板１０１を第２の領域６０ｂまで搬送すると、基板１０１に対する１回目のレーザ照射が終了する。
　基板１０１へのレーザ照射が終了したら、アライメント機構６９ｂが基板１０１を回転する。これにより、図４２に示すように、基板１０１の端辺がＸ方向及びＹ方向と平行になる。このとき、搬送ユニット１１ｄは、基板１００を－Ｘ方向に搬送している。よって、図４１において第３の領域６０ｃにあった基板１０１が、図４２では第４の領域６０ｄに移動している。つまり、アライメント機構６９ｂが基板１０１を回転させている間に、搬送ユニット１１ｄが基板１００を搬送する。
　さらに、第４の領域６０ｄでは、図４２に示すように、回転機構６８が、基板１００を１８０°回転する。そして、基板１０１と基板１００とに対して、上記の処理を繰り返し行う。つまり、基板１０１と基板１００とを入れ替えて、図３９～図４２に示した処理が行われる。したがって、２回目のレーザ照射では、１回目のレーザ照射でレーザ光が照射されていない領域に、レーザ光が照射される。つまり、１回目のレーザ照射では、基板１００の片側半分にレーザ光が照射され、２回目のレーザ照射では基板１００の残り半分にレーザ光が照射される。
　このようにすることで、搬送装置６００が浮上中の複数の基板１００，１０１を同時に搬送することができる。搬送ユニット１１ａ～１１ｄが順次、基板１００、１０１を周回させていく。これにより、２枚の基板１００，１０１が連続して照射領域１５ａを通過する。複数枚の基板に対して、レーザ光を連続して照射することができる。また、基板を搬送装置６００に搬入又は搬送するための待ち時間を短縮することができる。これにより、タクトタイムを短縮することができ、生産性を向上することができる。もちろん、搬送装置６００が同時に浮上させる基板は２枚に限らず、３枚以上であってもよい。
　なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
　この出願は、２０２１年１月２９日に出願された日本出願特願２０２１－１２９２２を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
　１　レーザ照射装置
　１０　浮上ユニット
　１１　搬送ユニット
　１２　保持機構
　１３　移動機構
　１４　レーザ照射部
　１５　レーザ光
　１５ａ　照射領域
　１６　被処理体
　６０ａ　第１の領域
　６０ｂ　第２の領域
　６０ｃ　第３の領域
　６０ｄ　第４の領域
　６０ｅ　プロセス領域
　６０ｆ　通過領域
　６７０～６７６　端部浮上ユニット
　６８　回転機構
　６９ａ、６９ｂ　アライメント機構
　１００　基板
　１６１　端辺
　１６２　端辺
　１６３　端辺
　１６４　端辺
　１６５　境界線
　３００　有機ＥＬディスプレイ
　３１０　基板
　３１１　ＴＦＴ層
　３１１ａ　ＴＦＴ
　３１２　有機層
　３１２ａ　有機ＥＬ発光素子
　３１２ｂ　隔壁
　３１３　カラーフィルタ層
　３１３ａ　カラーフィルタ（ＣＦ）
　３１４　封止基板
　４０１　ガラス基板
　４０２　ゲート電極
　４０３　ゲート絶縁膜
　４０４　アモルファスシリコン膜
　４０５　ポリシリコン膜
　ＰＸ　画素

Claims (30)

  1. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　前記基板をその上面で浮上させる基板浮上ユニットと、
    　前記基板を保持する保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に前記保持機構を移動する移動機構と、を備えた搬送装置。
  2. 　前記保持機構が、搬送方向に沿って配列された複数の吸着セルを有しており、
    　前記複数の吸着セルが前記基板の下面を吸着することで、前記保持機構が前記基板を保持しており、
    　前記吸着セルのそれぞれに対してバルブが設けられている請求項１に記載の搬送装置。
  3. 　前記保持機構の吸着セルは金属材料により形成されており、
    　前記吸着セルの上面には吸着溝が形成されている請求項１、又は２に記載の搬送装置。
  4. 　上面視において、前記直交する方向と搬送方向との成す角度が０°より大きく、５°以下となっている請求項１～３のいずれか１項に記載の搬送装置。
  5. 　前記基板が矩形状であり、
    　上面視において、搬送方向が、前記基板の４端辺から傾いている請求項１～４のいずれか１項に記載の搬送装置。
  6. 　上面視において、前記直交する方向と前記基板の端辺との成す角度が０°よりも大きく、５°以下となっている請求項１～５のいずれか1項に記載の搬送装置。
  7. 　前記基板浮上ユニット上の前記基板を回転させる回転機構をさらに備えた請求項１～６のいずれか１項に記載の搬送装置。
  8. 　上面視において、前記直交する方向から前記基板の端辺を傾けた状態で前記基板を搬送して前記レーザ光の照射した後に、前記基板浮上ユニット上の基板を回転して、前記直交する方向と前記基板の端辺とを平行にする請求項１～７のいずれか１項に記載の搬送装置。
  9. 　前記長手方向における前記レーザ光の照射位置を調整するスリット機構をさらに備えた請求項１～８のいずれか１項に記載の搬送装置。
  10. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　基板の下側に配置され、前記基板を浮上させる第１基板浮上ユニットであって、上面視において前記基板の中央部から前記基板の一端側に配置された第１基板浮上ユニットと、
    　前記基板の下側に配置され、前記基板を浮上させる第２基板浮上ユニットであって、上面視において前記基板の中央部から前記基板の他端側に配置された第２基板浮上ユニットと、
    　前記基板の中央部の下側に配置され、前記基板を吸着して保持する保持機構と、
    　前記レーザ光の照射位置に対して前記基板を移動させるために、前記保持機構を、前記第１基板浮上ユニットと前記第２基板浮上ユニットの間の隙間に沿って移動させる移動機構と、を備えた搬送装置。
  11. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送方法であって、
    　（ａ）基板浮上ユニットが、その上面で前記基板を浮上させるステップと、
    　（ｂ）保持機構によって前記基板を保持するステップと、
    　（ｃ）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に前記保持機構を移動するステップと、を備えた搬送方法。
  12. 　前記保持機構が、搬送方向に沿って配列された複数の吸着セルを有しており、
    　前記複数の吸着セルが前記基板の下面を吸着することで、前記保持機構が前記基板を保持しており、
    　前記吸着セルのそれぞれに対してバルブが設けられている請求項１１に記載の搬送方法。
  13. 　前記保持機構の吸着セルは金属材料により形成されており、
    　前記吸着セルの上面には吸着溝が形成されている請求項１１、又は１２に記載の搬送方法。
  14. 　上面視において、前記直交する方向と搬送方向との成す角度が０°より大きく、５°以下となっている請求項１１～１３のいずれか１項に記載の搬送方法。
  15. 　前記基板が矩形状であり、
    　上面視において、搬送方向が、前記基板の４端辺から傾いている請求項１１～１４のいずれか１項に記載の搬送方法。
  16. 　上面視において、前記直交する方向と前記基板の端辺との成す角度が０°よりも大きく、５°以下となっている請求項１１～１５のいずれか１項に記載の搬送方法。
  17. 　前記レーザ光の照射前に、前記基板浮上ユニット上の前記基板を回転する請求項１１～１６のいずれか１項に記載の搬送方法。
  18. 　上面視において、前記直交する方向から前記基板の端辺を傾けた状態で前記基板を搬送して前記レーザ光の照射した後に、前記基板浮上ユニット上の基板を回転して、前記直交する方向と前記基板の端辺とを平行にする請求項１１～１７のいずれか１項に記載の搬送方法。
  19. 　前記レーザ光の光学系に設けられたスリット機構によって、前記長手方向における前記レーザ光の照射位置を調整する請求項１１～１８のいずれか１項に記載の搬送方法。
  20. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送方法であって、
    　（Ａ）前記基板の下側に配置された第１基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の一端側を浮上させるとともに、前記基板の下側に配置された第２基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の他端側を浮上させるステップと、
    　（Ｂ）前記基板の中央部の下側に配置された保持機構を用いて、前記基板を吸着して保持するステップと、
    　（Ｃ）前記レーザ光の照射位置に対して前記基板を移動させるために、前記保持機構を、前記第１基板浮上ユニットと前記第２基板浮上ユニットの間の隙間に沿って移動させるステップと、を備えた搬送方法。
  21. 　（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（ｓ２）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、ライン状のレーザ光を前記基板に照射して、前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記（ｓ２）アニールするステップは、
    　（ｓａ）基板浮上ユニットが、その上面で前記基板を浮上させるステップと、
    　（ｓｂ）保持機構によって前記基板を保持するステップと、
    　（ｓｃ）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記ライン状のレーザ光の長手方向と直交する方向から傾いた方向に前記保持機構を移動するステップと、を備えた半導体装置の製造方法。
  22. 　前記保持機構が、搬送方向に沿って配列された複数の吸着セルを有しており、
    　前記複数の吸着セルが前記基板の下面を吸着することで、前記保持機構が前記基板を保持しており、
    　前記吸着セルのそれぞれに対してバルブが設けられている請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
  23. 　前記保持機構の吸着セルは金属材料により形成されており、
    　前記吸着セルの上面には吸着溝が形成されている請求項２１、又は２２に記載の半導体装置の製造方法。
  24. 　上面視において、前記直交する方向と搬送方向との成す角度が０°より大きく、５°以下となっている請求項２１～２３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  25. 　前記基板が矩形状であり、
    　上面視において、搬送方向が、前記基板の４端辺から傾いている請求項２１～２４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  26. 　上面視において、前記直交する方向と前記基板の端辺との成す角度が０°よりも大きく、５°以下となっている請求項２１～２５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  27. 　前記レーザ光の照射前に、前記基板浮上ユニット上の前記基板を回転する請求項２１～２６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  28. 　上面視において、前記直交する方向から前記基板の端辺を傾けた状態で前記基板を搬送して前記レーザ光の照射した後に、前記基板浮上ユニット上の基板を回転して、前記直交する方向と前記基板の端辺とを平行にする請求項２１～２７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  29. 　前記レーザ光の光学系に設けられたスリット機構によって、前記長手方向におけるレーザ光の照射位置を調整する請求項２１～２８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  30. 　（Ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（Ｓ２）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、ライン状のレーザ光を前記基板に照射して、前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記（Ｓ２）アニールするステップは、
    　（ＳＡ）第１基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の一端側を浮上させるとともに、第２基板浮上ユニットを用いて、上面視において前記基板の中央部から前記基板の他端側を浮上させるステップと、
    　（ＳＢ）前記基板の中央部の下側に配置された保持機構を用いて、前記基板を吸着して保持するステップと、
    　（ＳＣ）前記レーザ光の照射位置に対して前記基板を移動させるために、前記保持機構を、前記第１基板浮上ユニットと前記第２基板浮上ユニットの間の隙間に沿って移動させるステップと、を備えた半導体装置の製造方法。
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