WO2024009470A1 - 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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WO2024009470A1
WO2024009470A1 PCT/JP2022/027014 JP2022027014W WO2024009470A1 WO 2024009470 A1 WO2024009470 A1 WO 2024009470A1 JP 2022027014 W JP2022027014 W JP 2022027014W WO 2024009470 A1 WO2024009470 A1 WO 2024009470A1
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WO
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substrate
floating unit
holding mechanism
unit
moves
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PCT/JP2022/027014
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English (en)
French (fr)
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良 清水
貴洋 藤
芳広 山口
保 小田嶋
Original Assignee
Ｊｓｗアクティナシステム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to a transport device, a transport method, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses a laser annealing apparatus for forming a polycrystalline silicon thin film.
  • a projection lens focuses laser light onto a substrate so that the laser light forms a linear irradiation area.
  • the amorphous silicon film is crystallized and becomes a polysilicon film.
  • the transport unit transports the substrate while the floating unit levitates the board. Furthermore, in the floating unit, the loading and unloading positions of the substrates are common. The transport unit transports the substrate along each side of the floating unit. Then, by circulating the substrate twice over the floating unit, almost the entire surface of the substrate is irradiated with laser light.
  • the transport device of such a laser irradiation device prefferably transport the substrate so that the laser irradiation process can be executed at high speed and stably.
  • the conveyance device is a conveyance device that conveys the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, and includes an irradiation area located directly below the irradiation position of the laser beam.
  • a main flotation unit that levitates the substrate on its upper surface; a holding mechanism disposed outside the main flotation unit that holds the substrate on the main flotation unit; and irradiation of the laser beam to the substrate.
  • a first moving mechanism moves the holding mechanism in a first direction in order to change the position, and a first moving mechanism moves the holding mechanism and the first moving mechanism in the first direction to change the irradiation position of the laser beam on the substrate.
  • a second moving mechanism for moving in a second direction inclined from the first direction.
  • the conveyance device is a conveyance device that conveys the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, and includes an irradiation area located directly below the irradiation position of the laser beam.
  • a main flotation unit that levitates the substrate on its upper surface; and an opening disposed outside the main flotation unit and provided along a first direction, and ejects gas onto the lower surface of the substrate.
  • a holding mechanism disposed in the opening and holding the substrate; The holding mechanism and a first moving mechanism that moves the floating unit along the first direction are provided.
  • the transport method is a transport method in which a transport device is used to transport the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser light, the transport device being configured to irradiate the substrate with the laser light.
  • a main flotation unit that has an irradiation area located directly below the irradiation position and levitates the substrate on its upper surface; and a holding mechanism that is disposed outside the main flotation unit and holds the substrate on the main flotation unit.
  • A1 a first moving mechanism moves the holding mechanism in a first direction in order to change the irradiation position of the laser beam on the substrate; and
  • the laser beam on the substrate In order to change the irradiation position of the light, the second moving mechanism moves the holding mechanism and the first moving mechanism in a second direction inclined from the first direction.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes (sa1) forming an amorphous film on a substrate, and (sa2) transferring the substrate on which the amorphous film is formed to a transport device. and (sa3) irradiating the substrate with a line-shaped laser beam while transporting the substrate using the transport device to crystallize the amorphous film to form a crystallized film. annealing the amorphous film, and the transport device has an irradiation area located directly below the irradiation position of the laser beam, and a main floating unit that levitates the substrate on its upper surface.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes (sb1) forming an amorphous film on a substrate, and (sb2) transferring the substrate on which the amorphous film is formed to a transport device. and (sb3) irradiating the substrate with a line-shaped laser beam while transporting the substrate using the transport device to crystallize the amorphous film to form a crystallized film. annealing the amorphous film, and the transport device has an irradiation area located directly below the irradiation position of the laser beam, and a main floating unit that levitates the substrate on its upper surface.
  • a flotation unit disposed outside the main flotation unit, having an opening provided along a first direction, and spouting gas onto the lower surface of the substrate; and a flotation unit disposed in the opening, holding the substrate. and a step in which a first moving mechanism moves the holding mechanism and the floating unit along the first direction.
  • FIG. 2 is a top view schematically showing the configuration of a transport device used in the laser irradiation device.
  • FIG. 2 is a side cross-sectional view schematically showing a laser irradiation device.
  • FIG. 2 is a side cross-sectional view schematically showing a laser irradiation device.
  • FIG. 3 is a top view for explaining the configuration before a substrate is irradiated with laser light.
  • FIG. 3 is a top view for explaining the configuration during irradiation with laser light.
  • FIG. 3 is a top view for explaining the transport direction and the inclination of the substrate. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of an organic EL display.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
  • the transport device is used in a laser irradiation device such as a laser annealing device.
  • the laser annealing device is, for example, an excimer laser annealing (ELA) device that forms a low temperature poly-silicon (LTPS) film.
  • ELA excimer laser annealing
  • LTPS low temperature poly-silicon
  • FIG. 1 is a top view schematically showing the basic configuration of the transport device 600.
  • FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the configuration of the transport device.
  • FIG. 3 is a side sectional view schematically showing the configuration of the transport device.
  • the z direction is a vertical vertical direction
  • the y direction is a line direction along the linear irradiation area 15a.
  • the x direction is a direction perpendicular to the z direction and the y direction. That is, the y direction is the longitudinal direction of the linear irradiation area 15a, and the x direction is the lateral direction orthogonal to the longitudinal direction.
  • FIGS. 1 to 3 are conceptual diagrams showing only the basic configurations of the transport device and the laser irradiation device, and some of the configurations are omitted.
  • the transport device 600 is shown in a simplified manner.
  • the laser irradiation unit 14, the precision levitation unit 111, and the rough levitation unit 113 are omitted.
  • the laser irradiation device 1 includes a main floating unit 10, a transport unit 11, and a laser irradiation section 14.
  • the main flotation unit 10 and the transport unit 11 constitute a transport device 600.
  • the transport device 600 may include an end flotation unit 18.
  • the main flotation unit 10 is configured to eject gas from the surface of the main flotation unit 10.
  • the main floating unit 10 floats the substrate 100 on its upper surface.
  • the substrate 100 is levitated by blowing gas ejected from the surface of the main flotation unit 10 onto the lower surface of the substrate 100.
  • substrate 100 is a glass substrate.
  • the main floating unit 10 adjusts the flying height so that the substrate 100 does not come into contact with another mechanism (not shown) disposed above the substrate 100.
  • the main levitation unit 10 is mainly divided into a precision levitation area 31 and a rough levitation area 33.
  • the precision floating area 31 is an area including the irradiation area 15a of the laser beam 15. That is, in the xy plane view, the precision floating area 31 is an area that overlaps with the focal point of the laser beam (irradiation area 15a). The precision floating area 31 is larger than the irradiation area 15a.
  • the precision levitation unit 111 and the rough levitation unit 113 each eject gas (for example, air) upward.
  • the gas ejected from the precision flotation unit 111 and the rough flotation unit 113 may be an inert gas such as nitrogen.
  • the substrate 100 floats as the gas is blown onto the lower surface of the substrate 100. Therefore, the main floating unit 10 and the substrate 100 are in a non-contact state.
  • the precision levitation unit 111 sucks gas existing between the substrate 100 and the main levitation unit 10.
  • the rough flotation unit 113 may or may not be configured to be able to suck gas like the precision flotation unit 111.
  • the precision levitation unit 111 is a precision levitation unit formed of a porous material such as ceramic.
  • the rough floating unit 113 is made of metal material.
  • the rough floating unit 113 is formed of a metal block having a hollow portion. Then, a plurality of ejection holes are formed that reach the upper surface of the metal block from the hollow portion.
  • the metal block may be provided with a suction hole for sucking gas.
  • the semi-precision floating unit may be made of a metal material like the rough floating unit 113.
  • the rough floating unit 113 and the precision floating unit 111 are collectively referred to as a floating unit cell 131.
  • a plurality of rough floating units 113 are provided as floating unit cells 131.
  • a plurality of precision levitation units 111 are provided as levitation unit cells 131.
  • a semi-precision floating region may be provided between the precision floating region 31 and the rough floating region 33.
  • An end floating unit 18 is provided on the +y side of the main floating unit 10.
  • the end floating unit 18 is arranged directly below the end of the substrate 100.
  • the end of the substrate 100 is floated by the gas ejected from the upper surface of the end floating unit 18.
  • the end floating unit 18 has a similar configuration to the rough floating unit.
  • the end floating unit 18 is made of a metal material having ejection holes and the like.
  • the transport unit 11 transports the floating substrate 100 in the transport direction.
  • the transport unit 11 is provided at the end of the main floating unit 10 in the +y direction. Specifically, in the y direction, the transport unit 11 is arranged between the main floating unit 10 and the end floating unit 18.
  • the transport unit 11 includes a holding mechanism 12, a movable floating unit 17, an x-moving mechanism 220, a y-moving mechanism 230, and a lifting mechanism 240.
  • the holding mechanism 12 holds the substrate 100.
  • the holding mechanism 12 can be configured using a vacuum suction mechanism.
  • the vacuum suction mechanism is made of a metal material, a resin material, a porous material, or the like. Suction grooves, suction holes, etc. are formed on the upper surface of the holding mechanism 12.
  • the holding mechanism 12 may be formed of a porous material.
  • the holding mechanism 12 vacuum suction mechanism
  • the holding mechanism 12 is connected to an exhaust port (not shown), and the exhaust port is connected to an ejector, a vacuum pump, etc. Therefore, since negative pressure for sucking gas acts on the holding mechanism 12, the substrate 100 can be held using the holding mechanism 12.
  • the holding mechanism 12 holds the substrate by suctioning the surface (lower surface) of the substrate 100 opposite to the surface (upper surface) irradiated with the laser beam 15, that is, the surface of the substrate 100 facing the main floating unit 10. Holds 100. In FIG. 1, the holding mechanism 12 holds the end of the substrate 100 in the +y direction.
  • the holding mechanism 12 is supported by a lifting mechanism 240 for performing a suction operation.
  • the lifting mechanism 240 raises and lowers the holding mechanism 12.
  • the elevating mechanism 240 includes, for example, an actuator such as an air cylinder or a motor.
  • the elevating mechanism 240 further includes a linear guide mechanism along the Z direction. Therefore, the elevating mechanism 240 moves the holding mechanism 12 up and down. For example, the holding mechanism 12 suctions the substrate 100 while being raised to the suction position. Furthermore, the holding mechanism 12 descends to the standby position in a state where the suction is released.
  • a movable floating unit 17 is arranged around the holding mechanism 12.
  • the movable floating unit 17 blows out gas toward the substrate 100.
  • the movable floating unit 17 blows out gas onto the lower surface of the substrate 100 similarly to the main floating unit 10 .
  • the end of the substrate 100 is floated by the gas ejected from the upper surface of the movable floating unit 17.
  • the movable floating unit 17 has a similar configuration to the rough floating unit 113.
  • the movable floating unit 17 is made of a metal material having ejection holes and the like.
  • the movable floating unit 17 is provided with an opening 171 for arranging the holding mechanism 12.
  • the holding mechanism 12 is arranged inside an opening 171 provided in the movable floating unit 17.
  • the opening 171 is provided along the y direction.
  • the opening 171 is formed in a rectangular shape with the y direction as the longitudinal direction and the x direction as the lateral direction.
  • the movable floating unit 17 is provided with a plurality of openings 171.
  • the plurality of openings 171 are arranged along the x direction. Although eight openings 171 are arranged along the x direction in FIG. 1, the number of openings 171 may be one or more.
  • a holding mechanism 12 is arranged in each opening 171 . Each holding mechanism 12 holds the substrate 100 by suction.
  • the y movement mechanism 230 moves the holding mechanism 12 in the y direction.
  • the holding mechanism 12 and the lifting mechanism 240 are arranged above the y-moving mechanism 230.
  • the y-moving mechanism 230 movably supports the holding mechanism 12 and the elevating mechanism 240.
  • the y movement mechanism 230 includes an actuator such as a motor (not shown).
  • the y-moving mechanism 230 moves the holding mechanism 12 and the elevating mechanism 240 in the y-direction. Thereby, the holding mechanism 12 moves the opening 171 in the y direction.
  • the x moving mechanism 220 moves the holding mechanism 12, movable floating unit 17, lifting mechanism 240, and y moving mechanism 230 in the x direction.
  • the x movement mechanism 220 includes a guide section 221 and a movable section 222.
  • the guide section 221 serves as a stage that movably supports the movable section 222.
  • the guide portion 221 is provided along the x direction.
  • the x movement mechanism 220 has an actuator such as a motor (not shown). By driving the actuator, the movable part 222 moves on the guide part 221 in the x direction.
  • a y movement mechanism 230 is provided above the movable part 222.
  • the movable portion 222 supports the y-moving mechanism 230 so as to be movable in the y-direction.
  • a guide mechanism such as a guide groove or a guide rail may be formed in the movable portion 222 along the y direction.
  • the movable part 222 slides in the x direction on the guide part 221. Furthermore, the y movement mechanism 230 slides in the y direction on the movable part 222. By doing so, the holding mechanism 12 moves in the x direction and the y direction. Therefore, the transport unit 11 can transport the substrate 100 in the x direction and the y direction.
  • the transport direction of the substrate 100 can be changed. That is, by increasing the ratio of the moving speed in the y direction to the moving speed in the x direction, the angle formed between the x direction and the transport direction can be increased. By setting the moving speed in the y direction to 0, the transport direction becomes parallel to the x direction.
  • the movable part 222 supports the movable floating unit 17. Therefore, the movable section 222 moves the movable floating unit 17 in the x direction together with the y movement mechanism 230. Therefore, the movable floating unit 17, the y-moving mechanism 230, the elevating mechanism 240, and the holding mechanism 12 move together with the movable part 222.
  • the movable part 222 serves as a stage that movably supports the y-moving mechanism 230, the movable floating unit 17, and the like.
  • the transport unit 11 is configured to slide along the +y direction end of the main flotation unit 10 along the transport direction.
  • the x movement mechanism 220 and the y movement mechanism 230 are independently controlled. By adjusting the moving speeds of the x-moving mechanism 220 and the y-moving mechanism 230, the transporting speed and direction of the substrate 100 can be controlled.
  • the x movement mechanism 220 and the y movement mechanism 230 may include, for example, an actuator such as a motor (not shown), a linear guide mechanism, an air bearing, or the like.
  • the x movement mechanism 220 and the y movement mechanism 230 synchronize to move the holding mechanism 12 in the x direction and the y direction.
  • the substrate 100 is transported in the transport direction by moving the holding mechanism 12 along the transport direction.
  • the conveyance direction is a direction inclined from the x direction.
  • straight lines parallel to the x direction are shown by dashed lines.
  • ⁇ is larger than 0°.
  • the angle ⁇ in the transport direction can be adjusted. Thereby, conveyance suitable for the process can be realized. Furthermore, as shown in FIG. 6, it is also possible to move the y-moving mechanism 230 in the +y direction. In this case, the sign of the angle ⁇ in the transport direction can be changed. Specifically, if ⁇ in the configuration shown in FIG. 4 is a positive value, ⁇ in the configuration shown in FIG. 6 is a negative value. That is, in FIG. 6, ⁇ is less than 0°. It becomes possible to tilt the transport direction so that the angle ⁇ of the transport direction with respect to the x direction takes not only a positive value but also a negative value. For example, ⁇ can be varied within a range of ⁇ 5° or more and +5° or less.
  • the main floating unit 10 has a rectangular shape when viewed from the xy plane. Specifically, in xy plane view, the main floating unit 10 has a rectangular shape having two sides parallel to the x direction and two sides parallel to the y direction.
  • the transport direction is inclined from the edge of the main floating unit 10.
  • the holding mechanism 12 approaches the main floating unit 10 as it moves in the +x direction.
  • the substrate 100 has a rectangular shape.
  • the edges of the substrate 100 are arranged to be inclined from the x direction and the y direction.
  • the edge of the substrate 100 is arranged to be parallel to the transport direction.
  • the edge of the substrate 100 may be arranged in a direction inclined from the transport direction.
  • the transport direction is parallel to the edge of the substrate 100.
  • the angle between the edge of the substrate 100 and the x direction is also ⁇ .
  • the angle of the edge of the substrate 100 with respect to the transport direction can be adjusted.
  • the substrate 100 can be rotated in a range of -5° to 5°.
  • the transport direction and the direction of the edge of the substrate 100 can be made parallel.
  • the transport direction and the direction of the edge of the substrate 100 may be different directions.
  • the substrate 100 is irradiated with laser light 15.
  • the irradiation area 15a of the laser beam 15 on the substrate 100 is in the form of a line whose longitudinal direction is the y direction. That is, the irradiation area 15a has the y direction as the longitudinal direction (line direction) and the x direction as the lateral direction.
  • the laser irradiation unit 14 includes an excimer laser light source that generates laser light. Furthermore, the laser irradiation section 14 has an optical system that guides the laser beam to the substrate 100.
  • the laser irradiation unit 14 has a lens that focuses the laser beam 15 onto the substrate 100.
  • the laser irradiation unit 14 includes a cylindrical lens for forming a linear irradiation area 15a.
  • the substrate 100 is irradiated with a line-shaped laser beam 15 (line beam), specifically, a laser beam 15 (line beam) whose focal point extends in the y direction. A focus of the laser beam 15 is formed on the substrate 100. Therefore, in order to suppress in-plane variations, high accuracy is required for the flying height in the precision flying region 31.
  • the substrate 100 is, for example, a glass substrate on which an amorphous film (amorphous silicon film 101a) is formed.
  • the amorphous film can be crystallized by irradiating the amorphous film with the laser beam 15 and subjecting it to annealing treatment.
  • the amorphous silicon film 101a can be converted to a polycrystalline silicon film (polysilicon film 101b).
  • the main floating unit 10 is used to levitate the substrate 100, while the transport unit 11 is used to hold the lower surface of the substrate 100 and the substrate 100 is transported in the transport direction.
  • the transport unit 11 included in the laser irradiation device 1 maintains a position where the transport unit 11 does not overlap the irradiation area 15a in plan view (that is, when viewed from the z direction). is being transported. That is, as shown in FIG. 1, when the substrate 100 is transported in the transport direction, the position where the transport unit 11 holds the substrate 100 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) is prevented from overlapping with the irradiation area 15a. There is.
  • the planar shape of the substrate 100 is a quadrilateral (rectangular shape) having four sides, and the transport unit 11 (holding mechanism 12) holds only one of the four sides of the substrate 100.
  • the transport unit 11 (holding mechanism 12) maintains a position where the laser beam is not irradiated while the substrate 100 is being transported.
  • the position where the transport unit 11 holds the substrate 100 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) can be separated from the irradiation area 15a.
  • the irradiation area 15a is approximately half of the -y side of the substrate 100, and the transport unit 11 holds the +y side end.
  • the distance between the irradiation area 15a and a location where the deflection increases near the holding mechanism 12 can be increased. Therefore, the influence of deflection caused by the holding mechanism 12 of the substrate 100 during laser irradiation can be reduced.
  • the length of the irradiation area 15a is approximately half the length of the substrate 100 in the y direction.
  • a region corresponding to the length of the irradiation region 15a is irradiated with laser light.
  • a polysilicon film 101b is formed in the area already irradiated with the laser beam.
  • the transport unit 11 transports the substrate 100 in the -x direction.
  • the transport unit 11 may transport it again in the +x direction. Then, the substrate 100 is irradiated with laser light when it is transported in the -x direction or when it is transported again in the +x direction after being rotated 180 degrees.
  • the substrate 100 passes through the irradiation region 15a, and the amorphous silicon film 101a is crystallized in the remaining half region of the substrate 100.
  • the amorphous silicon film 101a is converted into the polysilicon film 101b over almost the entire substrate 100.
  • the transport direction is inclined from the x direction which is orthogonal to the linear irradiation area 15a.
  • the substrate 100 is transported in a transport direction inclined from the edge of the rectangular substrate 100.
  • the substrate 100 is a glass substrate for an organic EL display device.
  • the display area of the organic EL display device is rectangular, the edges of the display area are arranged parallel to the edges of the substrate 100.
  • the organic EL display device has a rectangular display area whose short sides are in the x direction and the y direction.
  • the transport direction is parallel to the x direction, the substrate 100 is irradiated with laser light with the pixel arrangement direction and the irradiation area 15a being parallel.
  • the laser irradiation process can be performed appropriately by making the transport direction tilted from the x direction.
  • the moving mechanism moves the holding mechanism 12 in a transport direction inclined from the x direction perpendicular to the longitudinal direction of the linear irradiation area 15a when viewed from above. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be performed appropriately. For example, the occurrence of moiré can be prevented and display quality can be improved.
  • the transport unit 11 is capable of two-axis operation. That is, the holding mechanism 12 moves not only in the x direction but also in the y direction. In this case, it is necessary to widen the gap between the main floating unit 10 and the end floating unit 18. In other words, it is necessary to install the end floating unit 18 apart from the main floating unit 10 in the Y direction. Even in such a case, by providing the movable floating unit 17, the deflection of the substrate 100 can be suppressed. Gas is ejected onto the lower surface of the substrate 100 in the gap between the end floating unit 18 and the main floating unit 10 . This can prevent the substrate 100 from being bent and coming into contact with the main floating unit 10 or structures around it.
  • the movable floating unit 17 is provided with an opening 171.
  • the holding mechanism 12 then moves within the opening 171 in the y direction. Therefore, the transport direction of the substrate 100 can be adjusted with a simple configuration.
  • the movable floating unit 17 is provided with a plurality of openings 171. This allows the plurality of holding mechanisms 12 to hold the substrate 100, so that the substrate 100 can be reliably held by suction.
  • the transport device is a transport device that transports the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam.
  • the transfer device has an irradiation area disposed directly below the irradiation position of the laser beam and has a main floating unit that levitates the substrate on its upper surface, and a main floating unit that is disposed outside the main floating unit and has an irradiation area above the main floating unit.
  • a second moving mechanism is provided that moves the holding mechanism and the first moving mechanism in a second direction inclined from the first direction.
  • the transport device is a transport device that transports the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam.
  • the transfer device has an irradiation area disposed directly below the irradiation position of the laser beam, and a main floating unit that levitates the substrate on its upper surface, and a main floating unit that is disposed outside the main floating unit and extends in a first direction.
  • a floating unit having an opening provided along the substrate and spouting gas onto the lower surface of the substrate; a holding mechanism disposed in the opening to hold the substrate; a first moving mechanism that moves along one direction.
  • the transport method is a transport method in which a transport device is used to transport the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser light, and the transport device is configured to transport the substrate with the laser light.
  • a main flotation unit that has an irradiation area located directly below the irradiation position and levitates the substrate on its upper surface; and a holding mechanism that is disposed outside the main flotation unit and holds the substrate on the main flotation unit.
  • A1 a first moving mechanism moves the holding mechanism in a first direction in order to change the irradiation position of the laser beam on the substrate; and
  • the laser beam on the substrate In order to change the irradiation position of the light, the second moving mechanism moves the holding mechanism and the first moving mechanism in a second direction inclined from the first direction.
  • the conveyance method includes a conveyance device that conveys the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, the irradiation device being arranged directly below the irradiation position of the laser beam.
  • a main flotation unit that levitates the substrate on its upper surface; and an opening disposed outside the main flotation unit and provided along a first direction to supply gas to the lower surface of the substrate.
  • a movable floating unit that ejects water; and a holding mechanism in which a holding mechanism disposed in the opening holds the substrate, (B1) a first moving mechanism that moves the holding mechanism and the movable floating unit to the A step of moving along the first direction is provided.
  • a holding mechanism disposed outside the main floating unit to hold the substrate on the main floating unit; and moving the holding mechanism in a first direction in order to change the irradiation position of the laser beam on the substrate.
  • a first moving mechanism that moves the holding mechanism and the first moving mechanism in a second direction inclined from the first direction in order to change the irradiation position of the laser beam on the substrate; It is equipped with a moving mechanism.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of (sb1) forming an amorphous film on a substrate, and (sb2) transferring the substrate on which the amorphous film is formed to a transport device. (sb3) crystallizing the amorphous film by irradiating the substrate with a line-shaped laser beam while transporting the substrate using the transport device to form a crystallized film; annealing the amorphous film in such a manner that the transport device has an irradiation area located directly below the irradiation position of the laser beam, and a main floating unit that levitates the substrate on its upper surface.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising: a holding mechanism for holding the holding mechanism; and a step in which a first moving mechanism moves the holding mechanism and the floating unit along the first direction.
  • FIG. 7 is a top view showing the configuration of the transport device 600. Note that descriptions of the same contents as those described in FIGS. 1 to 6 will be omitted as appropriate.
  • the transport device 600 includes a main floating unit 10 and end floating units 671 to 676.
  • the main floating unit 10 floats a substrate (not shown in FIG. 7), which is an object to be processed.
  • the main floating unit 10 has a rectangular shape.
  • the main floating unit 10 has two sides parallel to the y direction and two sides parallel to the x direction.
  • the end floating units 671 to 676 float the ends of the substrate protruding from the main floating unit 10.
  • the main floating unit 10 is divided into six regions 60a to 60f when viewed from above.
  • the main floating unit 10 includes a first region 60a to a fourth region 60d, a process region 60e, and a passage region 60f.
  • the first region 60a is a rectangular region including corners on the ⁇ x side and +y side (upper left corner in FIG. 4).
  • the second region 60b is a rectangular region including corners on the +x side and +y side (the upper right corner in FIG. 4).
  • the third region 60c is a rectangular region including corners on the +x side and the -y side (lower right corner in FIG. 4).
  • the fourth region 60d is a rectangular region including corners on the ⁇ x side and the ⁇ y side (lower left corner in FIG. 4).
  • the process area 60e is a rectangular area arranged between the first area 60a and the second area 60b.
  • the process area 60e is an area including the irradiation area 15a that is irradiated with laser light.
  • the passage area 60f is a rectangular area arranged between the third area 60c and the fourth area 60d.
  • the half area on the +y side of the main flotation unit 10 (the upper half area in FIG. 4) is divided into a first area 60a, a process area 60e, and a second area 60b in order from the -x side (left side in FIG. 4). It has become.
  • the -y side half area (lower half area in FIG. 4) of the main floating unit 10 is, in order from the +x side, a third area 60c, a passing area 60f, and a fourth area 60d.
  • the fourth area 60d is a carry-in area where the substrate 100 (see FIG. 8) is carried in, and a carry-out area where the substrate 100 is carried out.
  • a transfer device such as a transfer robot is provided on the ⁇ x side of the fourth area 60d. Then, the transfer machine carries the substrate 100 into the fourth area 60d. Similarly, the transfer machine carries out the substrate in the fourth area 60d.
  • the main floating unit 10 includes a rotation mechanism 68 and alignment mechanisms 69a and 69b.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate.
  • Alignment mechanisms 69a and 69b align the substrates.
  • Alignment mechanisms 69a and 69b are provided in the first region 60a and the second region 60b, respectively.
  • a rotation mechanism 68 is provided in the fourth region 60d. The operations of the rotation mechanism 68, alignment mechanisms 69a, 69b, etc. will be described later.
  • the end floating units 671 to 676 are arranged outside the main floating unit 10. End floating units 671 to 676 are arranged along the outer periphery of the rectangular main floating unit 10. The end floating units 671 to 676 are provided along the edges of the main floating unit 10. When viewed from above, the end floating units 671 to 676 are arranged so as to surround the outer periphery of the main floating unit 10.
  • the end floating units 671 and 672 are arranged on the -x side of the main floating unit 10.
  • An end floating unit 673 is arranged on the +y side of the main floating unit 10.
  • An end floating unit 674 is arranged on the +x side of the main floating unit 10.
  • End floating units 675 and 676 are arranged on the -y side of the main floating unit 10.
  • the end floating units 671 and 672 are arranged along the -x side edge of the main floating unit 10. That is, the end floating units 671 and 672 are each provided along the y direction. Further, the width of the end floating unit 671 in the x direction is wider than the end floating unit 672. The end floating unit 671 is arranged on the -y side of the end floating unit 672.
  • the end floating unit 673 is arranged along the +y side edge of the main floating unit 10. In other words, the end floating unit 673 is provided along the x direction.
  • the end floating unit 674 is arranged along the +x side edge of the main floating unit 10. In other words, the end floating unit 674 is provided along the y direction.
  • the end floating units 675 and 676 are arranged along the -y side edge of the main floating unit 10. That is, the end floating units 675 and 676 are each provided along the x direction. Furthermore, the width of the end floating unit 676 in the y direction is wider than the end floating unit 675. The end floating unit 676 is arranged on the -x side of the end floating unit 675.
  • a transport unit 11a is provided between the main floating unit 10 and the end floating unit 671.
  • the transport unit 11a is also arranged between the main floating unit 10 and the end floating unit 672.
  • the transport unit 11a is formed along the y direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate in the +y direction. That is, the transport unit 11a transports the substrate 100 from the fourth region 60d toward the first region 60a.
  • a transport unit 11b is provided between the main floating unit 10 and the end floating unit 673.
  • the transport unit 11b is formed along the x direction.
  • the transport unit 11b transports the substrate in a transport direction inclined from the x direction. That is, the transport unit 11b transports the substrate 100 from the first region 60a to the second region 60b.
  • a transport unit 11c is provided between the main floating unit 10 and the end floating unit 674.
  • the transport unit 11c is formed along the y direction.
  • the transport unit 11c transports the substrate 100 in the -y direction. That is, the transport unit 11c transports the substrate 100 from the second region 60b to the third region 60c.
  • a transport unit 11d is provided between the main floating unit 10 and the end floating unit 675.
  • the transport unit 11d moves between the main floating unit 10 and the end floating unit 676.
  • the transport unit 11d is formed along the x direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate in the -x direction. That is, the transport unit 11d transports the substrate 100 from the third region 60c to the fourth region 60d.
  • the transport unit 11b has the same configuration as the transport unit 11 shown in FIGS. 1 and 3. Although shown in a simplified manner in FIGS. 7, 8, etc., the transport unit 11b has the same configuration as that shown in FIGS. 1, 3, etc. Therefore, the transport unit 11b includes the holding mechanism 12, the x-movement mechanism 220, the y-movement mechanism 230, etc. shown in FIG. 3 and the like.
  • the transport unit 11b is movable in two axes and moves the substrate 100 in the x direction and the y direction. Therefore, the transport direction of the substrate 100 is a direction inclined from the x direction.
  • the transport units 11a, 11c, and 11d are different from the transport unit 11 in FIG. 1, and are only capable of uniaxial movement. Specifically, the transport unit 11a and the transport unit 11c hold the substrate 100 and transport it only in the y direction. The transport unit 11d holds the substrate 100 and transports it only in the x direction.
  • the transport units 11a, 11c, and 11d each include a holding mechanism that vacuum-chucks the substrate 100, and a moving mechanism that moves the holding mechanism.
  • the transport unit 11a includes a holding mechanism 12a and a moving mechanism 13a.
  • the transport unit 11c includes a holding mechanism 12c and a moving mechanism 13c
  • the transport unit 11d includes a holding mechanism 12d and a moving mechanism 13d.
  • the holding mechanisms 12a, 12c, and 12d hold the substrate 100 by suction.
  • the moving directions of the moving mechanism 13a and the moving mechanism 13c are parallel to the y direction.
  • the moving direction of the moving mechanism 13d is parallel to the x direction.
  • the transport units 11a, 11c, and 11d have a lifting mechanism (not shown) for moving the substrate 100 up and down.
  • the laser beam irradiation area 15a has the y direction as the longitudinal direction. In other words, a linear irradiation area 15a whose longitudinal direction is in the y direction is formed.
  • the substrate 100 is being transported in the transport direction, the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • a laser irradiation process is performed.
  • the amorphous silicon film is converted into a polysilicon film by irradiating the substrate with laser light from a laser light source.
  • a precision levitation unit 111 is arranged in the irradiation area 15a and its surroundings.
  • the precision levitation unit 111 has a higher accuracy in flying height than the rough levitation unit 113. Therefore, in the process region 60e including the irradiation region 15a, the flying substrate 100 is irradiated with laser light with a higher flying height than in the other regions 60a to 60d and 60f. Thereby, the substrate 100 can be stably irradiated with laser light. Further, regions other than the irradiation region 15a, for example, the passage region 60f, the third region 60c, and the fourth region 60d, are created without using the expensive precision levitation unit 111. Therefore, device cost can be reduced.
  • the transport unit 11b has a movable floating unit 17.
  • the transport units 11a, 11c, and 11d do not have a movable floating unit 17. Therefore, the transport unit 11b is formed wider than the transport units 11a, 11c, and 11d.
  • the width of the transport unit 11b in the y direction is wider than the width of the transport unit 11d in the y direction.
  • the width of the transport unit 11b in the y direction is wider than the width of the transport units 11a and 11c in the x direction.
  • the size of the transport unit 11b in the width direction is larger than the size of the transport units 11a, 11c, and 11d in the width direction. Therefore, the gap between the end floating unit 673 and the main floating unit 10 is wider than the gap between the main floating unit 10 and the other end floating units. For example, the gap between the end floating unit 673 and the main floating unit 10 in the y direction is wider than the gap between the edge floating unit 675 and the main floating unit 10 in the y direction.
  • the fourth region 60d is the loading position and unloading position of the substrate 100.
  • the substrate 100 carried into the fourth region 60d is transported in the order of the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passing region 60f, and the fourth region 60d. It will be done. That is, the substrate 100 orbits along the edge of the main floating unit 10.
  • the substrate 100 rotates twice in order to irradiate the entire substrate 100 with laser light. In other words, the substrate 100 is transported so as to circulate over the main floating unit 10 twice. By doing so, almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • the substrate 100 is carried into the fourth region 60d.
  • the substrate 100 carried into the fourth region 60d is floated by the main floating unit 10 and the end floating units 671, 672, and 676. That is, the -x side end of the substrate 100 is floated by the end floating units 671 and 672, and the center part is floated by the main floating unit 10.
  • the ⁇ y side end of the substrate 100 is floated by an end floating unit 676.
  • the holding mechanism 12a of the transport unit 11a holds the substrate 100.
  • the substrate 100a in the fourth region 60d is transported to the first region 60a.
  • the substrate moved to the first region 60a is shown as a substrate 100b.
  • a holding mechanism 12a of the transport unit 11a holds the substrate 100a.
  • the moving mechanism 13a moves the holding mechanism 12a in the +y direction, thereby moving the substrate 100a from the fourth region 60d to the first region 60a (white arrow in FIG. 9).
  • the holding mechanism 12a passes between the main floating unit 10 and the end floating unit 671 and moves in the +y direction. Furthermore, in the xy plane view, the holding mechanism 12a passes between the main floating unit 10 and the end floating unit 672 and moves in the +y direction. Therefore, the substrate 100b is floated by the main floating unit 10 and the end floating units 672 and 673. That is, the -x side end of the substrate 100b is floated by the end floating unit 672, and the center part is floated by the main floating unit 10. The +y side end of the substrate 100b is floated by an end floating unit 673.
  • the transport unit 11b has a movable floating unit 17, as shown in FIGS. 1 to 3.
  • the movable floating unit 17 is spouting gas onto the substrate 100. This can prevent the substrate 100 from being bent and coming into contact with the edges of the main floating unit 10 and the end floating unit 673 or structures around them.
  • the gap from the end floating unit 673 to the main floating unit 10 is wider than the gap from the other edge floating unit to the main floating unit 10. Even in such a case, the deflection of the substrate 100 can be suppressed by providing the movable floating unit 17 in the transport unit 11b.
  • the alignment mechanism 69a aligns the position and angle of the substrate 100b transported to the first region 60a.
  • the position and rotation angle of the substrate may be slightly shifted due to loading, transporting, and rotating operations of the substrate 100.
  • the alignment mechanism 69a corrects deviations in position and rotation angle. Thereby, the irradiation position of the laser beam on the substrate 100 can be controlled with high precision.
  • the alignment mechanism 69a is movable in the y direction and rotatable around the z axis. Furthermore, the alignment mechanism 69a is movable in the z direction.
  • the alignment mechanism 69a includes an actuator such as a motor. The amount of positional deviation and the amount of angular deviation are determined from an image of the substrate 100b captured by a camera or the like. The alignment mechanism 69a performs alignment based on this amount of deviation.
  • An alignment mechanism 69a is arranged directly below the center of the substrate 100b. Alignment mechanism 69a holds substrate 100b. The alignment mechanism 69a may attract and hold the substrate 100b similarly to the holding mechanism 12. The holding mechanism 12a releases the holding of the substrate 100b. Thereby, the substrate 100b is transferred from the holding mechanism 12a to the alignment mechanism 69a.
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100b around the z-axis (white arrow in FIG. 10).
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100b so that the edge of the substrate 100b is parallel to the transport direction.
  • the substrate after rotation is shown as substrate 100c.
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100 around the z-axis by a predetermined angle.
  • the edge of the substrate 100c is parallel to the transport direction of the main floating unit 10.
  • the transport unit 11b moves the substrate 100d.
  • the substrate 100d passes through the process area 60e.
  • the holding mechanism 12 passes between the main floating unit 10 and the end floating unit 673 and moves in a direction inclined from the x direction.
  • approximately half of the area of the substrate 100d passes through the irradiation area 15a.
  • the laser beam is irradiated onto the substrate 100d, which is moving in a direction inclined from the x direction perpendicular to the irradiation area 15a.
  • the holding mechanism 12 moves between the main floating unit 10 and the end floating unit 673. Therefore, the substrate 100d is floated by the main floating unit 10 and the end floating unit 673. That is, the +y side end of the substrate 100d is floated by the end floating unit 673, and the center part is floated by the main floating unit 10.
  • a laser irradiation process is performed while moving from the first region 60a to the second region 60b.
  • the alignment mechanism 69b aligns the substrate 100e.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100e (white arrow in FIG. 12).
  • the substrate after rotation is shown as a substrate 100f.
  • An alignment mechanism 69b is arranged directly below the center of the substrate 100e. Alignment mechanism 69b holds substrate 100e. The alignment mechanism 69b may attract and hold the substrate 100e similarly to the holding mechanism 12. Further, the holding mechanism 12 releases the holding of the substrate 100e. The substrate 100e is transferred from the holding mechanism 12 of the transport unit 11b to the alignment mechanism 69b.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100e around the z-axis (white arrow in FIG. 12).
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100e so that the edge of the substrate 100e is parallel to the y direction of the main floating unit 10.
  • the edge of the rotated substrate 100f is parallel to the x direction or the y direction.
  • the substrate 100e is floated by the main floating unit 10 and the end floating units 673 and 674.
  • the +y side end of the substrate 100e is floated by the end floating unit 673.
  • the +x side end of the substrate 100e is floated by the end floating unit 674, and the center part is floated by the main floating unit 10.
  • the substrate 100f in the second region 60b is transported to the third region 60c.
  • the substrate moved to the third region 60c is shown as a substrate 100g.
  • the holding mechanism 12c of the transport unit 11c holds the substrate 100f.
  • the moving mechanism 13c moves the holding mechanism 12c in the ⁇ y direction, thereby moving the substrate 100f from the second region 60b to the third region 60c (white arrow in FIG. 13).
  • the holding mechanism 12c passes between the main floating unit 10 and the end floating unit 674 and moves in the -y direction. Therefore, the substrate 100e is floated by the main floating unit 10 and the end floating units 674 and 675.
  • the +x side end of the substrate 100e is floated by the end floating unit 674, and the center part is floated by the main floating unit 10.
  • the -y side end of the substrate 100e is floated by an end floating unit 675.
  • the holding mechanism 12d of the transport unit 11d holds the substrate 100g, and the holding mechanism 12c releases the holding.
  • the substrate 100g is transferred from the holding mechanism 12c of the transport unit 11c to the holding mechanism 12d of the transport unit 11d.
  • the substrate 100g in the third region 60c is transported to the fourth region 60d.
  • the substrate moved to the fourth region 60d is shown as a substrate 100h.
  • the holding mechanism 12d of the transport unit 11d holds the substrate 100g.
  • the moving mechanism 13d moves the holding mechanism 12d in the ⁇ x direction, thereby moving the substrate 100f from the third region 60c to the fourth region 60d (white arrow in FIG. 14).
  • the holding mechanism 12d passes between the main floating unit 10 and the end floating unit 675 and moves in the ⁇ x direction.
  • the holding mechanism 12d passes between the main floating unit 10 and the end floating unit 676 and moves in the ⁇ x direction. Therefore, the substrate 100h is floated by the main floating unit 10 and the end floating unit 676.
  • the -y side end of the substrate 100h is floated by an end floating unit 676, and the center part is floated by the main floating unit 10.
  • the ⁇ x side end of the substrate 100h is floated by an end floating unit 671.
  • the substrate 100 that was in the fourth region 60d is transferred to the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passage region 60f, and the fourth region 60d. move in order. That is, the substrate 100 orbits along the edge of the main floating unit 10.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h by 180° around the z-axis. In other words, the substrate 100h is transferred from the holding mechanism 12d to the rotation mechanism 68.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h, the substrate 100h is transferred from the rotation mechanism 68 to the holding mechanism 12d.
  • the transport units 11a to 11d move the substrate 100h again in the order of the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passage region 60f, and the fourth region 60d. I will do it. That is, as shown in FIGS. 7 to 15, the substrate 100 orbits along the edge of the main floating unit 10.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h by 180°.
  • the substrate 100e passes through the process region 60e for the second time, the remaining half region that was not irradiated with the laser light during the first pass is irradiated with the laser light.
  • the substrate 100 circulates twice along the edge of the main floating unit 10. Since the substrate 100 is rotated by 180° between the first laser irradiation and the second laser irradiation, almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with the laser light.
  • the position at which the substrate 100 is rotated is not limited to the first region 60a. For example, it may be performed in the second region 60b, the third region 60c, or the fourth region 60d.
  • the transport unit 11b transports the substrate 100 in a direction inclined from the x direction perpendicular to the irradiation area 15a. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be performed appropriately. For example, the occurrence of moiré can be prevented and display quality can be improved.
  • the transport direction of the substrate 100 may be the x direction. In a top view, the transport direction of the substrate 100 may be a direction inclined from the y direction. That is, the transport direction of the substrate may be parallel to the x direction or may be a direction inclined from the x direction.
  • the transport units 11a, 11c, and 11d transport the substrate 100 with the edges of the substrate 100 parallel to the x and y directions; Alternatively, the substrate 100 may be transported while being tilted from the y direction. That is, the transport units 11a, 11c, and 11d may transport the substrate 100 while the substrate 100 is parallel to the transport direction.
  • FIGS. 10 and 12 it is not necessary to adjust the rotation angle by the alignment mechanisms 69a and 69b. Therefore, it is also possible to omit the alignment mechanisms 69a and 69b.
  • the holding mechanism holds the short sides of the substrate 100 in FIG. 11, but it may hold the long sides of the substrate 100.
  • the transfer unit 11a transfers the substrate 100 to a suitable position.
  • the transfer machine may transfer the substrate 100 to the fourth region 60d with the long sides of the substrate 100 parallel to the x direction or the transport direction.
  • the semiconductor device having the polysilicon film described above is suitable for a TFT (Thin Film Transistor) array substrate for an organic EL (Electro Luminescence) display. That is, the polysilicon film is used as a semiconductor layer having a source region, a channel region, and a drain region of a TFT.
  • TFT Thin Film Transistor
  • organic EL Electro Luminescence
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a simplified pixel circuit of an organic EL display.
  • the organic EL display 300 shown in FIG. 16 is an active matrix display device in which a TFT is arranged in each pixel PX.
  • the substrate 310 is a glass substrate or a metal substrate.
  • a TFT layer 311 is provided on the substrate 310.
  • the TFT layer 311 has a TFT 311a arranged in each pixel PX. Furthermore, the TFT layer 311 has wiring (not shown) etc. connected to the TFT 311a.
  • the TFT 311a, wiring, etc. constitute a pixel circuit.
  • An organic layer 312 is provided on the TFT layer 311.
  • the organic layer 312 has an organic EL light emitting element 312a arranged for each pixel PX. Further, the organic layer 312 is provided with partition walls 312b for separating the organic EL light emitting elements 312a between the pixels PX.
  • a color filter layer 313 is provided on the organic layer 312.
  • the color filter layer 313 is provided with a color filter 313a for performing color display. That is, each pixel PX is provided with a resin layer colored R (red), G (green), or B (blue) as a color filter 313a.
  • the current flowing through the organic EL light emitting element 312a of the organic layer 312 changes depending on the display signal supplied to the pixel circuit. Therefore, by supplying each pixel PX with a display signal corresponding to the displayed image, the amount of light emitted by each pixel PX can be controlled. Thereby, a desired image can be displayed.
  • one pixel PX is provided with one or more TFTs (for example, a switching TFT or a driving TFT).
  • the TFT of each pixel PX is provided with a semiconductor layer having a source region, a channel region, and a drain region.
  • the polysilicon film according to this embodiment is suitable for a semiconductor layer of a TFT. That is, by using the polysilicon film manufactured by the above manufacturing method as the semiconductor layer of the TFT array substrate, in-plane variations in TFT characteristics can be suppressed. Therefore, a display device with excellent display characteristics can be manufactured with high productivity.
  • the method for manufacturing a semiconductor device using the laser irradiation apparatus according to this embodiment is suitable for manufacturing a TFT array substrate.
  • a method for manufacturing a semiconductor device having a TFT will be described with reference to FIGS. 17 and 18.
  • 17 and 18 are process cross-sectional views showing the manufacturing process of a semiconductor device. In the following description, a method for manufacturing a semiconductor device having an inverted staggered TFT will be described. 17 and 18 show a polysilicon film forming step in a semiconductor manufacturing method. Note that for other manufacturing steps, known methods can be used, and therefore descriptions thereof will be omitted.
  • a gate electrode 402 is formed on a glass substrate 401.
  • a gate insulating film 403 is formed on the gate electrode 402.
  • An amorphous silicon film 404 is formed on the gate insulating film 403.
  • the amorphous silicon film 404 is arranged so as to overlap the gate electrode 402 with the gate insulating film 403 in between.
  • a gate insulating film 403 and an amorphous silicon film 404 are successively formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the glass substrate 401 on which the amorphous silicon film 404 is formed is transported to the above-mentioned transport device 600.
  • a polysilicon film 405 is formed as shown in FIG. That is, the amorphous silicon film 404 is crystallized by the laser irradiation device 1 shown in FIG. 1 and the like.
  • a polysilicon film 405 in which silicon is crystallized is formed on the gate insulating film 403.
  • Polysilicon film 405 corresponds to the polysilicon film described above.
  • the transport device 600 is transporting the glass substrate 401, the laser beam L1 is irradiated.
  • the amorphous silicon film 404 is annealed and converted into a polysilicon film 405.
  • the laser annealing apparatus was described as forming a polysilicon film by irradiating an amorphous silicon film with laser light. It may also form a microcrystalline silicon film.
  • the laser beam used for annealing is not limited to the Nd:YAG laser.
  • the method according to this embodiment can also be applied to a laser annealing apparatus that crystallizes thin films other than silicon films. That is, the method according to this embodiment is applicable to any laser annealing apparatus that forms a crystallized film by irradiating an amorphous film with laser light. According to the laser annealing apparatus according to this embodiment, a substrate with a crystallized film can be appropriately modified.

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Abstract

本実施形態にかかる搬送装置は、ライン状のレーザ光（１５）を基板（１００）に照射するために、基板（１００）を搬送する搬送装置（６００）であって、レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニット（１０）と、メイン浮上ユニット（１０）の外側に配置され、メイン浮上ユニット上の基板（１００）を保持する保持機構（１１）と、基板（１００）に対するレーザ光の照射位置を変化させるため、保持機構（１１）を第１の方向に移動する第１の移動機構と、保持機構及び第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えている。

Description

搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
　本発明は搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
　特許文献１には、多結晶シリコン薄膜を形成するためのレーザアニール装置が開示されている。特許文献１では、レーザ光がライン状の照射領域を形成するように、プロジェクションレンズがレーザ光を基板上に集光している。これにより、アモルファスシリコン膜が結晶化して、ポリシリコン膜となる。
　特許文献１では、浮上ユニットが基板を浮上した状態で、搬送ユニットが基板を搬送している。さらに、浮上ユニットにおいて、基板の搬入位置と搬出位置が共通となっている。搬送ユニットは、浮上ユニットの各々の辺に沿って基板を搬送する。そして、基板が浮上ユニットの上を２回循環することで、基板のほぼ全面にレーザ光が照射される。
特開２０１８－６４０４８号公報
　このようなレーザ照射装置の搬送装置では、高速かつ安定してレーザ照射プロセスが実行されるように、基板を適切に搬送することが望まれる。
　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構を第１の方向に移動する第１の移動機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する浮上ユニットと、前記開口部に配置され、前記基板を保持する保持機構と、
　前記保持機構、及び前記浮上ユニットを前記第１の方向に沿って移動する第１の移動機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、搬送装置を用いて前記基板を搬送する搬送方法であって、前記搬送装置が、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、を備え、（Ａ１）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、第１の移動機構が前記保持機構を第１の方向に移動するステップと、（Ａ２）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、第２の移動機構が前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させるステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する可動浮上ユニットと、前記開口部に配置された保持機構が前記基板を保持する保持機構と、を備え、（Ｂ１）第１の移動機構が、前記保持機構、及び前記可動浮上ユニットを前記第１の方向に沿って移動するステップを備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓａ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓａ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、（ｓａ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置は、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構を第１の方向に移動する第１の移動機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓｂ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓｂ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、（ｓｂ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置は、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する浮上ユニットと、前記開口部に配置され、前記基板を保持する保持機構と、前記保持機構、及び前記浮上ユニットを第１の移動機構が前記第１の方向に沿って移動するステップと、を備えている。
　前記一実施の形態によれば、レーザ照射プロセスに適した基板搬送を実現することができる。
レーザ照射装置に用いられる搬送装置の構成を模式的に示す上面図である。 レーザ照射装置を模式的に示す側面断面図である。 レーザ照射装置を模式的に示す側面断面図である。 レーザ光が基板に照射される前の構成を説明するための上面図である。 レーザ光の照射中の構成を説明するための上面図である。 搬送方向と基板の傾きを説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 有機ＥＬディスプレイの構成を簡略化して示す断面図である。 本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
　本実施の形態にかかる搬送装置は、レーザアニール装置などのレーザ照射装置に用いられるものである。レーザアニール装置は、例えば、低温ポリシリコン(LTPS:Low Temperature Poly-Silicon)膜を形成するエキシマレーザアニール（ELA:Excimer laser Anneal）装置である。以下、図面を参照して本実施の形態にかかる搬送装置、レーザ照射装置、方法、及び製造方法について説明する。
実施の形態１．
　図１～図３を用いて、本実施の形態にかかる搬送装置、及びレーザ照射装置の基本構成について説明する。図１は、搬送装置６００の基本構成を模式的に示す上面図である。図２は、搬送装置の構成を模式的に示す側面断面図である。図３は、搬送装置の構成を模式的に示す側面断面図である。
　なお、以下に示す図では、説明の簡略化のため、適宜、ｘｙｚ３次元直交座標系を示している。ｚ方向は鉛直上下方向であり、ｙ方向はライン状の照射領域１５ａに沿ったライン方向である。ｘ方向は、ｚ方向、及びｙ方向と直交する方向である。つまり、ｙ方向はライン状の照射領域１５ａの長手方向であり、ｘ方向は長手方向と直交する短手方向とする。
　なお、図１～図３は、搬送装置、及びレーザ照射装置の基本的な構成のみを示す概念図であり、一部の構成については省略している。例えば、図１では、搬送装置６００が簡略化して示されている。具体的には、図１では、レーザ照射部１４、精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３が、省略されている。
　図１～図３に示すように、レーザ照射装置１は、メイン浮上ユニット１０、搬送ユニット１１、及びレーザ照射部１４を備える。メイン浮上ユニット１０と搬送ユニット１１とが搬送装置６００を構成する。さらに、搬送装置６００は、端部浮上ユニット１８を備えていてもよい。
　図２に示すように、メイン浮上ユニット１０は、メイン浮上ユニット１０の表面からガスを噴出するように構成されている。メイン浮上ユニット１０は、その上面で基板１００を浮上させる。メイン浮上ユニット１０の表面から噴出されたガスが基板１００の下面に吹き付けられることで、基板１００が浮上する。例えば、基板１００はガラス基板である。基板１００が搬送される際、メイン浮上ユニット１０は基板１００の上側に配置されている他の機構（不図示）に基板１００が接触しないように浮上量を調整している。
　メイン浮上ユニット１０は、主に精密浮上領域３１とラフ浮上領域３３に分けられる。精密浮上領域３１は、レーザ光１５の照射領域１５ａを含む領域である。すなわち、ｘｙ平面視において、精密浮上領域３１は、レーザ光の焦点（照射領域１５ａ）と重畳する領域である。精密浮上領域３１は、照射領域１５ａよりも大きい領域となっている。
　ラフ浮上領域３３は、精密浮上領域３１と隣接する領域である。ｘ方向において、ラフ浮上領域３３は、精密浮上領域３１の両側に配置されている。ｘｙ平面視において、ラフ浮上領域３３は、レーザ光の焦点（照射領域１５ａ）と重畳しない領域である。
　精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３は、それぞれ上方にガス（例えば、空気）を噴出している。また、精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３から噴出されるガスは、窒素などの不活性ガスであってもよい。ガスが基板１００の下面に吹き付けられることで、基板１００が浮上する。よって、メイン浮上ユニット１０と基板１００とが非接触の状態となる。さらに、精密浮上ユニット１１１、は、基板１００とメイン浮上ユニット１０との間に存在するガスを吸引している。ラフ浮上ユニット１１３は、精密浮上ユニット１１１と同様にガスを吸引可能な構成となっていてもよく、なっていなくてもよい。
　精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３には、例えば、ガスを供給するためのガス供給源（不図示）が接続される。また、精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３には、ガスを吸引するための真空発生源（不図示）が接続される。ガス供給源は、コンプレッサやガスボンベなどであり、圧縮ガスを供給する。真空発生源は、真空ポンプやエジェクタなどである。
　精密浮上ユニット１１１は、ラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高い。そして、最も浮上量の精度の高い精密浮上領域３１において、レーザ光が基板１００に照射される。なお、精密浮上ユニット１１１とラフ浮上ユニット１１３との間に、準精密浮上ユニットが設けられていてもよい。準精密浮上ユニットは、精密浮上ユニット１１１よりも浮上量の精度が低く、ラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高くなっている。
　例えば、照射領域１５ａとその周辺の精密浮上領域３１では、基板１００の浮上量に高い精度が要求される。よって、浮上量を高い精度で制御することができる精密浮上ユニット１１１が用いられる。精密浮上ユニット１１１は、セラミックなどの多孔質体で形成された精密浮上ユニットとなる。
　そして、精密浮上ユニット１１１は、上方に気体を噴出する。また、精密浮上ユニット１１１には、気体を吸引する吸引孔が設けられていてもよい。多孔質体には所定の間隔で上面に到達する吸引孔が加工されている。吸引孔は微細な孔であり、基板１００と精密浮上ユニットとの間に負圧を形成する。そして、多孔質体は吸引孔を除くほぼ全面から気体を噴出する。正圧を形成する噴出面は吸引孔を除くほぼ全面に形成される。
　ラフ浮上ユニット１１３は、金属材料により形成されている。例えば、ラフ浮上ユニット１１３は、中空部分を有する金属ブロックで形成される。そして、中空部分から金属ブロックの上面に到達する複数の噴出孔が形成される。さらに、金属ブロックには、気体を吸引する吸引孔が設けられていてもよい。なお、準精密浮上ユニットは、ラフ浮上ユニット１１３と同様に金属材料で形成されていてもよい。
　ラフ浮上ユニット１１３、精密浮上ユニット１１１をまとめて浮上ユニットセル１３１とも称する。ラフ浮上領域３３には、複数のラフ浮上ユニット１１３が浮上ユニットセル１３１として設けられている。精密浮上領域３１には、複数の精密浮上ユニット１１１が浮上ユニットセル１３１として設けられている。精密浮上領域３１とラフ浮上領域３３との間に、準精密浮上領域が設けられていてもよい。
　台座１２０は、例えば、金属プレートである。精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３は、例えば、ボルト等により、台座１２０に固定されている。精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３の上面は、実質的に同じ高さになっている。すなわち、メイン浮上ユニット１０の上面（浮上面）は実質的に平面となっている。台座１２０の表面は、所定の平面度を有するように研磨加工などが施されていてもよい。また、台座１２０の内部には、ガスを噴出又は吸引するための流路となる内部空間（不図示）が設けられていてもよい。台座１２０の内部空間を介して、浮上ユニットセル１３１がガスを吸引または噴出してもよい。
　メイン浮上ユニット１０の＋ｙ側には、端部浮上ユニット１８が設けられている。端部浮上ユニット１８は、基板１００の端部の直下に配置されている。端部浮上ユニット１８は、メイン浮上ユニット１０と同様に基板１００の下面に気体を噴出する。端部浮上ユニット１８の上面から噴出された気体によって、基板１００の端部が浮上する。端部浮上ユニット１８は、ラフ浮上ユニットと同様の構成を有している。端部浮上ユニット１８は、噴出孔等を有する金属材料により形成されている。
　搬送ユニット１１は、浮上している基板１００を搬送方向に搬送する。搬送ユニット１１は、メイン浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部側に設けられている。具体的には、ｙ方向において、搬送ユニット１１は、メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット１８との間に配置されている。図３に示すように、搬送ユニット１１は、保持機構１２と、可動浮上ユニット１７と、ｘ移動機構２２０と、ｙ移動機構２３０と、昇降機構２４０とを備える。
　保持機構１２は、基板１００を保持する。例えば、保持機構１２は、真空吸着機構を用いて構成することができる。真空吸着機構は金属材料、樹脂系材料、又は多孔質材料等により形成されている。保持機構１２の上面には、吸着溝や吸着穴等が形成されている。保持機構１２は多孔質材料で形成されていても良い。
　保持機構１２（真空吸着機構）は、排気ポート（不図示）に接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどに接続されている。よって、保持機構１２にはガスを吸引するための負圧が作用するため、保持機構１２を用いて基板１００を保持することができる。
　保持機構１２は、基板１００のレーザ光１５が照射される面（上面）と逆側の面（下面）、つまり、基板１００のメイン浮上ユニット１０と対向する側の面を吸引することで、基板１００を保持している。図１において、保持機構１２は、基板１００の＋ｙ方向における端部を保持している。
　図３に示すように、保持機構１２は吸着動作を行うための昇降機構２４０に支持されている。昇降機構２４０は保持機構１２を昇降させる。昇降機構２４０は、例えば、エアシリンダやモータなどのアクチュエータ等を備えている。昇降機構２４０は、さらに、昇降機構２４０は、Ｚ方向に沿ったリニアガイド機構を有している。よって、昇降機構２４０は、保持機構１２を上下に移動させる。例えば、保持機構１２は吸着位置まで上昇した状態で、基板１００を吸着する。また、保持機構１２は、吸着を解除した状態で、待機位置まで下降する。
　保持機構１２の周りには、可動浮上ユニット１７が配置されている。可動浮上ユニット１７は、基板１００に対して気体を噴出する。可動浮上ユニット１７は、メイン浮上ユニット１０と同様に基板１００の下面に気体を噴出する。可動浮上ユニット１７の上面から噴出された気体によって、基板１００の端部が浮上する。例えば、可動浮上ユニット１７は、ラフ浮上ユニット１１３と同様の構成を有している。可動浮上ユニット１７は、噴出孔等を有する金属材料により形成されている。
　可動浮上ユニット１７には、保持機構１２を配置するための開口部１７１が設けられている。可動浮上ユニット１７に設けられた開口部１７１の内部に、保持機構１２が配置されている。図１に示すように、開口部１７１は、ｙ方向に沿って設けられている。具体的には、ｘｙ平面視において、開口部１７１は、ｙ方向を長手方向、ｘ方向を短手方向とする長方形状に形成されている。
　さらに、可動浮上ユニット１７には、複数の開口部１７１が設けられている。複数の開口部１７１はｘ方向に沿って配列されている。なお、図１では、ｘ方向に沿って、８つの開口部１７１が配列されているが、開口部１７１の数は、１つでもよく、複数であってもよい。それぞれの開口部１７１には、保持機構１２が配置されている。それぞれの保持機構１２が基板１００を吸着保持している。
　ｙ移動機構２３０は、保持機構１２をｙ方向に移動する。例えば、保持機構１２と昇降機構２４０とがｙ移動機構２３０の上に配置されている。つまり、ｙ移動機構２３０は、保持機構１２と昇降機構２４０とを移動可能に支持している。ｙ移動機構２３０は、図示しないモータなどのアクチュエータを有している。ｙ移動機構２３０が保持機構１２及び昇降機構２４０をｙ方向に移動させる。これにより、保持機構１２が、開口部１７１をｙ方向に移動する。
　ｘ移動機構２２０は、保持機構１２、可動浮上ユニット１７、昇降機構２４０、ｙ移動機構２３０をｘ方向に移動する。例えば、ｘ移動機構２２０は、ガイド部２２１と、可動部２２２とを備えている。ガイド部２２１は、可動部２２２を移動可能に支持するステージとなる。ガイド部２２１は、ｘ方向に沿って設けられている。ｘ移動機構２２０は、図示しないモータなどのアクチュエータを有している。アクチュエータの駆動によって、可動部２２２がガイド部２２１の上をｘ方向に沿って移動する。
　さらに、可動部２２２の上には、ｙ移動機構２３０が設けられている。つまり、可動部２２２は、ｙ移動機構２３０をｙ方向に移動可能に支持している。可動部２２２には、ガイド溝やガイドレールなどのガイド機構がｙ方向に沿って形成されていてもよい。
　可動部２２２は、ガイド部２２１上で、ｘ方向にスライド移動する。さらに、ｙ移動機構２３０は、可動部２２２上で、ｙ方向にスライド移動する。このようにすることで、保持機構１２がｘ方向、及びｙ方向に移動する。よって、搬送ユニット１１は、基板１００をｘ方向、及びｙ方向に搬送することができる。ｘ方向の移動速度と、ｙ方向の移動速度を調整することで、基板１００の搬送方向を変えることができる。つまり、ｘ方向の移動速度に対するｙ方向の移動速度の比率を大きくすることで、ｘ方向と搬送方向との成す角度を大きくすることができる。ｙ方向の移動速度を０とすることで、搬送方向が、ｘ方向と平行になる。
　さらに、可動部２２２は、可動浮上ユニット１７を支持している。よって、可動部２２２は、可動浮上ユニット１７を、ｙ移動機構２３０とともにｘ方向に移動させる。したがって、可動浮上ユニット１７，ｙ移動機構２３０、昇降機構２４０、保持機構１２が可動部２２２とともに移動する。可動部２２２は、ｙ移動機構２３０、及び可動浮上ユニット１７などを移動可能に支持するステージとなる。
　図１に示すように、例えば、搬送ユニット１１はメイン浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部を搬送方向に沿ってスライドするように構成されている。また、ｘ移動機構２２０とｙ移動機構２３０とは、独立して制御されている。ｘ移動機構２２０とｙ移動機構２３０の移動速度を調整することで、基板１００の搬送速度及び搬送方向を制御することができる。
　ｘ移動機構２２０とｙ移動機構２３０は、例えば、図示しないモータなどのアクチュエータとリニアガイド機構やエアベアリング等を備えていてもよい。ｘ移動機構２２０とｙ移動機構２３０とが同期して、保持機構１２をｘ方向、及びｙ方向に移動させる。
　図４、及び図５に示すように、保持機構１２が搬送方向に沿って移動することで、基板１００が搬送方向に搬送される。搬送方向は、ｘ方向から傾いた方向となっている。また、図４，図５では、ｘ方向と平行な直線を一点鎖線で示している。ｘ方向と搬送方向との成す角度をθとすると、θは０°より大きくなっている。そして、ｘ方向及びｙ方向の少なくとも一方の移動速度を変えることで、ｘ方向に対する搬送方向の角度θを変えることができる。これにより、プロセスに適した角度で、基板１００を搬送することができる。また、ｙ移動機構２３０を停止させると、θ＝０°とすることができる。
　ｘ方向又はｙ方向の移動速度を独立して変えることで、搬送方向の角度θを調整することができる。これにより、プロセスに適した搬送を実現することができる。さらに、図６に示すように、ｙ移動機構２３０の移動方向を＋ｙ方向に移動するようにすることも可能である。この場合、搬送方向の角度θの符号を変えることができる。具体的には、図４に示す構成でのθを正の値とすると、図６に示す構成でのθは負の値となる。つまり、図６では、θが０°未満になる。ｘ方向に対する搬送方向の角度θを、正の値だけでなく、負の値になるように、搬送方向を傾けることが可能となる。例えば、θは－５°以上＋５°以下の範囲で可変とすることができる。
　また、図１に示すように、メイン浮上ユニット１０は、ｘｙ平面視において、矩形状になっている。具体的には、ｘｙ平面視において、メイン浮上ユニット１０は、ｘ方向に平行な２辺と、ｙ方向に平行な２辺を有する長方形となっている。そして、搬送方向は、メイン浮上ユニット１０の端辺から傾いている。換言すると、＋ｘ方向の移動に従って、保持機構１２がメイン浮上ユニット１０に近づいていく。また、基板１００は、矩形状となっている。そして、基板１００の端辺はｘ方向及びｙ方向から傾いて配置されている。例えば、基板１００の端辺が、搬送方向と平行となるように配置されている。あるいは、基板１００の端辺が、搬送方向から傾いた方向となるように配置されていてもよい。
　図４等に示すように、搬送方向は、基板１００の端辺と平行になっている。この場合、図４、図５に示すように、基板１００の端辺とｘ方向との成す角度もθとなる。また、基板１００をｚ軸周りに回転することで、搬送方向に対する基板１００の端辺の角度を調整することができる。例えば、基板１００は、－５°～５°の範囲で回転することができる。このようにすることで、ｘ方向と搬送方向との成す角度θを変えた場合でも，搬送方向と基板１００の端辺の方向を平行にすることができる。もちろん、搬送方向と基板１００の端辺の方向は異なる方向であってもよい。
　図２に示すように、基板１００にはレーザ光１５が照射される。ここで、基板１００におけるレーザ光１５の照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向とするライン状となっている。つまり、照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向（ライン方向）とし、ｘ方向を短手方向としている。
　例えば、レーザ照射部１４はレーザ光を発生するエキシマレーザ光源等を有する。さらに、レーザ照射部１４はレーザ光を基板１００に導く光学系を有している。レーザ照射部１４は、レーザ光１５を基板１００に集光するレンズを有している。例えば、レーザ照射部１４は、ライン状の照射領域１５ａを形成するためのシリンドリカルレンズを有している。基板１００にはライン状、具体的には焦点がｙ方向に伸びるレーザ光１５（ラインビーム）が照射される。基板１００上にレーザ光１５の焦点が形成される。よって、面内ばらつきを抑制するために、精密浮上領域３１では、浮上量に高い精度が要求される。
　基板１００は、例えば、非晶質膜（アモルファスシリコン膜１０１ａ）が形成されたガラス基板である。非晶質膜にレーザ光１５を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、アモルファスシリコン膜１０１ａを、多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜１０１ｂ）に変換することができる。
　レーザ照射装置１では、メイン浮上ユニット１０を用いて基板１００を浮上させながら、搬送ユニット１１を用いて基板１００の下面を保持して、基板１００を搬送方向に搬送している。このとき、レーザ照射装置１が備える搬送ユニット１１は、基板１００を搬送した際に、平面視において（つまりｚ方向からみて）、搬送ユニット１１が照射領域１５ａと重畳しない位置を保持して基板１００を搬送している。つまり、図１に示すように、基板１００を搬送方向に搬送した際に、搬送ユニット１１が基板１００を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）が、照射領域１５ａと重畳しないようにしている。
　例えば、基板１００の平面形状は４辺を有する四角形（矩形状）であり、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、基板１００の４辺中の１辺のみを保持している。そして、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、基板１００が搬送されている期間においてレーザ光が照射されない位置を保持している。
　このような構成とすることで、搬送ユニット１１が基板１００を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）と照射領域１５ａとを離間させることができる。照射領域１５ａは、基板１００の－ｙ側のほぼ半分となっており、かつ、搬送ユニット１１が＋ｙ側の端部を保持する。保持機構１２の近傍のたわみが大きくなる箇所と照射領域１５ａとの距離を大きくすることができる。よって、レーザ照射時における基板１００の保持機構１２に起因するたわみの影響を低減させることができる。
　図４に示すように、ｙ方向において、照射領域１５ａの長さは、基板１００のほぼ半分程度の長さとなっている。図５に示すように、基板１００の搬送されていくことで、照射領域１５ａに長さに対応する領域に、レーザ光が照射されていく。そして、レーザ光が照射済みのエリアでは、ポリシリコン膜１０１ｂが形成される。
　基板１００が照射領域１５ａを１回通過することで、基板１００のほぼ半分の領域において、アモルファスシリコン膜１０１ａが結晶化する。そして、図示しない回転機構により、基板１００をｚ軸回りに１８０度回転した後、搬送ユニット１１が、基板１００を－ｘ方向に搬送する。あるいは、回転された基板１００を－ｘ方向に搬送後、搬送ユニット１１が、再度＋ｘ方向に搬送してもよい。そして、－ｘ方向の搬送時、あるいは、１８０度回転後の再度の＋ｘ方向への搬送時に、レーザ光が基板１００に照射される。これにより、基板１００が照射領域１５ａを通過して、基板１００の残りの半分の領域において、アモルファスシリコン膜１０１ａが結晶化する。このように、基板１００を往復移動させることで、基板１００のほぼ全体において、アモルファスシリコン膜１０１ａがポリシリコン膜１０１ｂに変換される。
　さらに、搬送方向がライン状の照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾いている。つまり、矩形状の基板１００の端辺から傾いた搬送方向に、基板１００が搬送されている。上面視において、搬送方向をｘ方向から傾いた方向にすることで、レーザ照射プロセスに適した基板搬送を実現することができる。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができ、表示品質を向上することができる。この構成により、例えば、モアレの発生を防ぐことができる。
　例えば、基板１００が有機ＥＬディスプレイ装置用のガラス基板とする。有機ＥＬディスプレイ装置の表示領域が矩形である場合、表示領域の端辺は、基板１００の端辺と平行に配置されることになる。つまり、有機ＥＬディスプレイ装置はｘ方向及びｙ方向を短辺とする矩形状の表示領域を有することになる。搬送方向がｘ方向と平行な場合、画素の配列方向と照射領域１５ａが平行になった状態で、レーザ光が基板１００に照射される。
　本実施の形態に示すように、搬送方向をｘ方向から傾いた方向にすることで、適切にレーザ照射プロセスを行うことができる。基板１００に対するレーザの照射位置を変えるよう、上面視において、ライン状の照射領域１５ａの長手方向と直交するｘ方向から傾いた搬送方向に移動機構が保持機構１２を移動する。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができる。例えば、モアレの発生を防ぐことができ、表示品質を向上することができる。
　さらに、搬送ユニット１１は、２軸動作が可能となっている。すなわち、保持機構１２がｘ方向だけでなく、ｙ方向にも移動する。この場合、メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット１８との間の隙間を広くする必要がある。つまり、Ｙ方向において、端部浮上ユニット１８をメイン浮上ユニット１０から離して設置する必要がある。このような場合であっても、可動浮上ユニット１７を設けることで、基板１００の撓みを抑制することができる。端部浮上ユニット１８をメイン浮上ユニット１０との隙間において、基板１００の下面に気体が噴出される。これにより、基板１００が撓んで、メイン浮上ユニット１０やその周辺の構造物に接触することを防ぐことができる。
　また、可動浮上ユニット１７には開口部１７１が設けられている。そして、開口部１７１内を保持機構１２がｙ方向に移動する。よって、簡素な構成で基板１００の搬送方向を調整することができる。又、可動浮上ユニット１７には、複数の開口部１７１が設けられている。これにより、複数の保持機構１２が基板１００を保持することができるため、確実に基板１００を吸着保持することができる。
　本実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置である。搬送装置は、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構を第１の方向に移動する第１の移動機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えている。
　別の実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置である。搬送装置は、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する浮上ユニットと、前記開口部に配置され、前記基板を保持する保持機構と、前記保持機構、及び前記浮上ユニットを前記第１の方向に沿って移動する第１の移動機構と、を備えている。
　本実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、搬送装置を用いて前記基板を搬送する搬送方法であって、前記搬送装置が、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、を備え、（Ａ１）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、第１の移動機構が前記保持機構を第１の方向に移動するステップと、（Ａ２）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、第２の移動機構が前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させるステップと、を備えている。
　別の実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する可動浮上ユニットと、前記開口部に配置された保持機構が前記基板を保持する保持機構と、を備え、（Ｂ１）第１の移動機構が、前記保持機構、及び前記可動浮上ユニットを前記第１の方向に沿って移動するステップを備えている。
　本実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓａ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓａ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、（ｓａ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置は、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構を第１の方向に移動する第１の移動機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えている。
　別の実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓｂ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓｂ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、（ｓｂ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置は、前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する浮上ユニットと、前記開口部に配置され、前記基板を保持する保持機構と、前記保持機構、及び前記浮上ユニットを第１の移動機構が前記第１の方向に沿って移動するステップと、を備えた半導体装置の製造方法。
（周回搬送）
　次に、図７を用いて搬送装置６００の構成の一例について説明する。図７は、搬送装置６００の構成を示す上面図である。なお、図１～図６で説明した内容と同様の内容については適宜説明を省略する。
　搬送装置６００は、メイン浮上ユニット１０と、端部浮上ユニット６７１～６７６と、を有している。メイン浮上ユニット１０は被処理体である基板（図７では不図示）を浮上させる。上面視において、メイン浮上ユニット１０は矩形状になっている。メイン浮上ユニット１０はｙ方向に平行な２辺と、ｘ方向に平行な２辺と、を有している。端部浮上ユニット６７１～６７６はメイン浮上ユニット１０からはみ出した基板端部を浮上させる。
　以下、説明のため、上面視において、メイン浮上ユニット１０を６つの領域６０ａ～６０ｆに分ける。具体的には、メイン浮上ユニット１０が第１の領域６０ａ～第４の領域６０ｄと、プロセス領域６０ｅと、通過領域６０ｆとを備えている。第１の領域６０ａは、－ｘ側かつ＋ｙ側の角（図４における左上角）を含む矩形状の領域である。第２の領域６０ｂは、＋ｘ側かつ＋ｙ側の角（図４における右上角）を含む矩形状の領域である。第３の領域６０ｃは、＋ｘ側かつ－ｙ側の角（図４における右下角）を含む矩形状の領域である。第４の領域６０ｄは、－ｘ側かつ－ｙ側の角（図４における左下角）を含む矩形状の領域である。
　プロセス領域６０ｅは、第１の領域６０ａと第２の領域６０ｂとの間に配置された矩形状の領域である。プロセス領域６０ｅは、レーザ光が照射される照射領域１５ａを含む領域である。通過領域６０ｆは、第３の領域６０ｃと第４の領域６０ｄとの間に配置された矩形状の領域である。
　メイン浮上ユニット１０の＋ｙ側の半分の領域（図４の上半分の領域）は、－ｘ側（図４の左側）から順に、第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂとなっている。メイン浮上ユニット１０の‐ｙ側の半分の領域（図４の下半分の領域）は、＋ｘ側から順に、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄとなっている。
　また、第４の領域６０ｄは、基板１００（図８参照）が搬入される搬入領域であり、かつ基板１００が搬出される搬出領域となる。例えば、第４の領域６０ｄの－ｘ側には、移載ロボットなどの移載機（不図示）が設けられている。そして、移載機が基板１００を第４の領域６０ｄに搬入する。同様に、第４の領域６０ｄにある基板を移載機が搬出する。
　メイン浮上ユニット１０は、回転機構６８、及びアライメント機構６９ａ、６９ｂを備えている。回転機構６８は基板を回転させる。アライメント機構６９ａ、６９ｂが基板のアライメントを行う。第１の領域６０ａ、第２の領域６０ｂにはそれぞれアライメント機構６９ａ、６９ｂが設けられている。第４の領域６０ｄには、回転機構６８が設けられている。回転機構６８とアライメント機構６９ａ、６９ｂ等の動作については後述する。
　端部浮上ユニット６７１～６７６は、メイン浮上ユニット１０の外側に配置されている。矩形状のメイン浮上ユニット１０の外周に沿って、端部浮上ユニット６７１～６７６が配置されている。端部浮上ユニット６７１～６７６は、メイン浮上ユニット１０の端辺に沿って設けられている。上面視において、端部浮上ユニット６７１～６７６は、メイン浮上ユニット１０の外周を囲むように配置されている。
　端部浮上ユニット６７１、６７２がメイン浮上ユニット１０の－ｘ側に配置されている。端部浮上ユニット６７３がメイン浮上ユニット１０の＋ｙ側に配置されている。端部浮上ユニット６７４がメイン浮上ユニット１０の＋ｘ側に配置されている。端部浮上ユニット６７５、６７６がメイン浮上ユニット１０の－ｙ側に配置されている。
　端部浮上ユニット６７１、６７２は、メイン浮上ユニット１０の－ｘ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７１、６７２はそれぞれｙ方向に沿って設けられている。また、ｘ方向における端部浮上ユニット６７１の幅は、端部浮上ユニット６７２よりも幅広になっている。端部浮上ユニット６７１は、端部浮上ユニット６７２の－ｙ側に配置されている。
　端部浮上ユニット６７３は、メイン浮上ユニット１０の＋ｙ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７３はｘ方向に沿って設けられている。端部浮上ユニット６７４は、メイン浮上ユニット１０の＋ｘ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７４はｙ方向に沿って設けられている。
　端部浮上ユニット６７５、６７６は、メイン浮上ユニット１０の－ｙ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７５、６７６はそれぞれｘ方向に沿って設けられている。また、ｙ方向における端部浮上ユニット６７６の幅は、端部浮上ユニット６７５よりも幅広になっている。端部浮上ユニット６７６は、端部浮上ユニット６７５の－ｘ側に配置されている。
　メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７１との間には、搬送ユニット１１ａが設けられている。搬送ユニット１１ａは、メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７２との間にも配置されている。搬送ユニット１１ａは、ｙ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ａは、＋ｙ方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ａは、基板１００を第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに向けて搬送する。
　メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３との間には、搬送ユニット１１ｂが設けられている。搬送ユニット１１ｂは、ｘ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ｂは、ｘ方向から傾いた搬送方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｂは、基板１００を第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに向けて搬送する。
　メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７４との間には、搬送ユニット１１ｃが設けられている。搬送ユニット１１ｃは、ｙ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ｃは、－ｙ方向に基板１００を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｃは、基板１００を第２の領域６０ｂから第３の領域６０ｃに向けて搬送する。
　メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７５との間には、搬送ユニット１１ｄが設けられている。搬送ユニット１１ｄは、メイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７６との間を移動する。搬送ユニット１１ｄは、ｘ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ａは、－ｘ方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｄは、基板１００を第３の領域６０ｃから第４の領域６０ｄに向けて搬送する。
　なお、搬送ユニット１１ｂは、図１、図３で示した搬送ユニット１１と同様の構成を備えている。図７、図８等で簡略化して示しているが、搬送ユニット１１ｂは、図１，図３等で示した構成と同様になっている。よって、搬送ユニット１１ｂは、図３等に示した保持機構１２とｘ移動機構２２０とｙ移動機構２３０等を有している。搬送ユニット１１ｂは２軸動作可能であり、ｘ方向、及びｙ方向に基板１００を移動させる。よって、基板１００の搬送方向は、ｘ方向から傾いた方向となる。
　搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄは、図１の搬送ユニット１１と異なっており、１軸動作のみが可能となっている。具体的には、搬送ユニット１１ａ、搬送ユニット１１ｃは、基板１００を保持して、ｙ方向のみに搬送する。搬送ユニット１１ｄは、基板１００を保持して、ｘ方向のみに搬送する。搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄは、それぞれ、基板１００を真空吸着する保持機構と、保持機構を移動する移動機構とを備えている。
　図８を参照すると、搬送ユニット１１ａは、保持機構１２ａと移動機構１３ａを備えている。同様に、搬送ユニット１１ｃは、保持機構１２ｃと移動機構１３ｃを備えており、搬送ユニット１１ｄは、保持機構１２ｄと移動機構１３ｄ備えている。保持機構１２ａ、１２ｃ、１２ｄは、基板１００を吸着保持する。移動機構１３ａ、及び移動機構１３ｃの移動方向はｙ方向と平行である。移動機構１３ｄの移動方向は、ｘ方向と平行である。また、搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄは基板１００を上下に移動させるための昇降機構（不図示）を有している。
　図７に示すように、レーザ光の照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向としている。つまり、ｙ方向を長手方向とするライン状の照射領域１５ａが形成されている。基板１００が搬送方向に搬送されている間に、レーザ光が基板１００に照射される。第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに移動している間に、レーザ照射プロセスが実行される。本実施の形態においても、レーザ光源からのレーザ光を基板に照射することで、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換している。
　なお、メイン浮上ユニット１０において、照射領域１５ａ、及びその周辺には、精密浮上ユニット１１１が配置されている。精密浮上ユニット１１１はラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高くなっている。従って、照射領域１５ａを含むプロセス領域６０ｅは、他の領域６０ａ～６０ｄ、６０ｆよりも、高い精度の浮上量で浮上中の基板１００にレーザ光が照射される。これにより、安定してレーザ光を基板１００に照射することができる。また、照射領域１５ａ以外の領域、例えば、通過領域６０ｆ、第３の領域６０ｃ、第４の領域６０ｄについては、高価な精密浮上ユニット１１１を用いずに作成される。よって、装置コストを低減することができる。
　搬送ユニット１１ｂは、可動浮上ユニット１７を有している。搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄは、可動浮上ユニット１７を有していない。よって、搬送ユニット１１ｂは搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄよりも幅広に形成される。例えば、搬送ユニット１１ｂのｙ方向の幅は、搬送ユニット１１ｄのｙ方向の幅よりも広くなる。同様に、搬送ユニット１１ｂのｙ方向の幅は、搬送ユニット１１ａ、１１ｃのｘ方向の幅よりも広くなる。
　このように、搬送ユニット１１ｂの幅方向のサイズは、搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄの幅方向のサイズより大きくなる。したがって、端部浮上ユニット６７３とメイン浮上ユニット１０との間の隙間は、メイン浮上ユニット１０と他の端部浮上ユニットとの間に隙間よりも広くなる。例えば、ｙ方向における端部浮上ユニット６７３とメイン浮上ユニット１０との間の隙間は、ｙ方向における端部浮上ユニット６７５とメイン浮上ユニット１０との間の隙間よりも広くなる。
　次に、メイン浮上ユニット１０を用いた搬送方法の手順について、図８～図１５を用いて説明する。ここでは、第４の領域６０ｄが基板１００の搬入位置、及び搬出位置となっている。そして、第４の領域６０ｄに搬入された基板１００が、第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順番に搬送されていく。つまり、基板１００は、メイン浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。ここでは、基板１００の全体にレーザ光を照射するために、基板１００が２周する。つまり、基板１００は、メイン浮上ユニット１０の上を２回循環するように搬送されていく。このようにすることで、基板１００のほぼ全面に、レーザ光が照射される。
　以下、搬送方法の手順に沿って詳細に説明する。図８に示すように、基板１００が第４の領域６０ｄに搬入される。第４の領域６０ｄに搬入された基板１００は、メイン浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７１、６７２、６７６によって浮上している。つまり、基板１００の－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７１、６７２によって浮上しており、中央部はメイン浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００の－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７６によって浮上している。そして、搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが基板１００を保持する。
　次に、図９に示すように第４の領域６０ｄにある基板１００ａが第１の領域６０ａに搬送される。図９では、第１の領域６０ａに移動した基板を基板１００ｂとして示している。搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが基板１００ａを保持している。そして、移動機構１３ａが保持機構１２ａを＋ｙ方向に移動することで、基板１００ａが第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに移動する（図９中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ａがメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７１の間を通って、＋ｙ方向に移動する。さらに、ｘｙ平面視において、保持機構１２ａがメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７２の間を通って、＋ｙ方向に移動する。したがって、基板１００ｂは、メイン浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７２、６７３によって浮上している。つまり、基板１００ｂの－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７２によって浮上しており、中央部はメイン浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｂの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上している。
　ここで、搬送ユニット１１ｂは、図１～図３で示したように、可動浮上ユニット１７を有している。基板１００が第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに移動する場合、基板１００の＋Ｙ側の端部がメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３との隙間を通過する。このとき、可動浮上ユニット１７は気体を基板１００に噴出している。これにより、基板１００が撓んで、メイン浮上ユニット１０及び端部浮上ユニット６７３のエッジやその周辺の構造物に接触することを防ぐことができる。上記の通り、端部浮上ユニット６７３からメイン浮上ユニット１０までの隙間は、他の端部浮上ユニットからメイン浮上ユニット１０までの隙間よりもひろくなっている。このような場合であっても、搬送ユニット１１ｂに可動浮上ユニット１７を設けることで、基板１００の撓みを抑制することができる。
　次に、図１０に示すように、アライメント機構６９ａが第１の領域６０ａに搬送された基板１００ｂの位置、及び角度をアライメントする。例えば、基板１００の搬入動作、搬送動作、回転動作によって、基板の位置や回転角度が微小にずれることがある。アライメント機構６９ａは、位置や回転角度のずれを補正している。これにより、基板１００におけるレーザ光の照射位置を精度よく制御することができる。
　例えば、アライメント機構６９ａは、ｙ方向に移動可能であり、かつ、ｚ軸周りに回転可能である。さらに、アライメント機構６９ａは、ｚ方向に移動可能である。例えば、アライメント機構６９ａは、モータ等のアクチュエータを備えている。カメラなどによって撮像された基板１００ｂの画像から位置ずれ量や角度ずれ量が求められている。このずれ量に基づいて、アライメント機構６９ａがアライメントを行っている。
　基板１００ｂの中央部の直下にアライメント機構６９ａが配置されている。アライメント機構６９ａが基板１００ｂを保持する。アライメント機構６９ａは、保持機構１２と同様に基板１００ｂを吸着保持してよい。保持機構１２ａが基板１００ｂの保持を開放する。これにより、保持機構１２ａからアライメント機構６９ａに基板１００ｂが持ち替えられる。
　そして、アライメント機構６９ａは、ｚ軸周りに基板１００ｂを回転させる（図１０中の白抜き矢印）。基板１００ｂの端辺が搬送方向と平行になるように、アライメント機構６９ａが基板１００ｂを回転させる。回転後の基板を基板１００ｃとして示す。例えば、アライメント機構６９ａは、基板１００をｚ軸周りに所定の角度だけ回転させる。基板１００ｃの端辺は、メイン浮上ユニット１０の搬送方向と平行になっている。そして、アライメントが終了したら、搬送ユニット１１ｂの保持機構１２（図１，図３参照）が基板１００ｂを保持するとともに、アライメント機構６９ａが保持を開放する。これにより、アライメント機構６９ａから搬送ユニット１１ｂの保持機構１２に基板１００ｃが持ち替えられる。
　次に、図１１に示すように、搬送ユニット１１ｂが基板１００ｄを移動させる。これにより、基板１００ｄがプロセス領域６０ｅを通過する。ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２がメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３の間を通って、ｘ方向から傾いた方向に移動する。これにより、基板１００ｄのほぼ半分の領域が照射領域１５ａを通過する。照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾斜した方向に移動している基板１００ｄにレーザ光が照射される。
　ｘｙ平面視において、保持機構１２がメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３の間を通って、移動する。したがって、基板１００ｄは、メイン浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７３によって浮上している。つまり、基板１００ｄの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上しており、中央部はメイン浮上ユニット１０によって浮上している。第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに移動する間にレーザ照射プロセスが実施される。
　次に、図１２に示すように、基板１００ｅが第２の領域６０ｂまで移動すると、アライメント機構６９ｂが基板１００ｅをアライメントする。ここでは、アライメント機構６９ｂが基板１００ｅを回転させる（図１２の白抜き矢印）。図１２では回転後の基板を基板１００ｆとして示している。
　基板１００ｅの中央部の直下にアライメント機構６９ｂが配置されている。アライメント機構６９ｂが基板１００ｅを保持する。アライメント機構６９ｂは、保持機構１２と同様に基板１００ｅを吸着保持してよい。さらに、保持機構１２が基板１００ｅの保持を開放する。搬送ユニット１１ｂの保持機構１２からアライメント機構６９ｂに基板１００ｅが持ち替えられる。
　アライメント機構６９ｂは、ｚ軸周りに基板１００ｅを回転させる（図１２中の白抜き矢印）。基板１００ｅの端辺がメイン浮上ユニット１０のｙ方向と平行になるように、アライメント機構６９ａが基板１００ｅを回転させる。回転後の基板１００ｆの端辺は、ｘ方向又はｙ方向と平行になっている。そして、アライメントが終了したら、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃが基板１００ｆを保持するとともに、アライメント機構６９ｂが保持を開放する。これにより、アライメント機構６９ｂから搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃに基板１００ｆが持ち替えられる。
　基板１００ｅは、メイン浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７３、６７４によって浮上している。つまり、基板１００ｅの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上している。基板１００ｅの＋ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７４によって浮上しており、中央部はメイン浮上ユニット１０によって浮上している。
　次に、図１３に示すように第２の領域６０ｂにある基板１００ｆが第３の領域６０ｃに搬送される。第３の領域６０ｃに移動した基板を基板１００ｇとして示している。図１３では、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃが基板１００ｆを保持している。そして、移動機構１３ｃが保持機構１２ｃを－ｙ方向に移動することで、基板１００ｆが第２の領域６０ｂから第３の領域６０ｃに移動する（図１３中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｃがメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７４の間を通って、－ｙ方向に移動する。したがって、基板１００ｅは、メイン浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７４、６７５によって浮上している。基板１００ｅの＋ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７４によって浮上しており、中央部はメイン浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｅの－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７５によって浮上している。
　そして、搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄが基板１００ｇを保持すると共に、保持機構１２ｃが保持を開放する。これにより、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃから搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄに基板１００ｇが持ち替えられる。
　次に、図１４に示すように、第３の領域６０ｃにある基板１００ｇが第４の領域６０ｄに搬送される。第４の領域６０ｄに移動した基板を基板１００ｈとして示している。図１４では、搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄが基板１００ｇを保持している。そして、移動機構１３ｄが保持機構１２ｄを－ｘ方向に移動することで、基板１００ｆが第３の領域６０ｃから第４の領域６０ｄに移動する（図１４中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｄがメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７５の間を通って、－ｘ方向に移動する。ｘｙ平面視において、保持機構１２ｄがメイン浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７６の間を通って、－ｘ方向に移動する。したがって、基板１００ｈは、メイン浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７６によって浮上している。基板１００ｈの－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７６によって浮上しており、中央部はメイン浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｈの－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７１によって浮上している。
　このようにすることで、第４の領域６０ｄにあった基板１００が第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順に移動していく。つまり、基板１００がメイン浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。
　次に、図１５に示すように、回転機構６８が基板１００ｈをｚ軸周りに１８０°回転させる。つまり、保持機構１２ｄから回転機構６８に基板１００ｈが持ち替えられる。回転機構６８が基板１００ｈを回転させると、基板１００ｈが回転機構６８から保持機構１２ｄに持ち替えられる。
　上記と同様に、搬送ユニット１１ａ～１１ｄが再度、基板１００ｈを第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順に移動していく。つまり、図７～図１５に示したように、基板１００がメイン浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。
　ここでは、回転機構６８が基板１００ｈを１８０°回転している。基板１００ｅが２回目にプロセス領域６０ｅを通過する場合、１回目の通過でレーザ光が照射されていない残り半分領域に、レーザ光が照射される。このように、基板１００がメイン浮上ユニット１０の端辺に沿って２回循環している。１回目のレーザ照射と２回目のレーザ照射との間で基板１００が１８０°回転しているため、基板１００のほぼ全面にレーザ光が照射される。なお、基板１００を回転する位置は、第１の領域６０ａに限られるものではない。例えば、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、又は第４の領域６０ｄ等で行われてもよい。
　搬送ユニット１１ｂが照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾いた方搬送向に基板１００を搬送している。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができる。例えば、モアレの発生を防ぐことができ、表示品質を向上することができる。もちろん、基板１００の搬送方向はｘ方向であってもよい。上面視において、基板１００の搬送方向は、ｙ方向から傾いた方向であればよい。つまり、基板の搬送方向は、ｘ方向と平行でもよく、ｘ方向から傾いた方向であってもよい。
　なお、上記の説明では、基板１００の端辺がｘ方向及びｙ方向と平行になっている状態で、搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄが基板１００を搬送したが、基板１００の端辺がｘ方向及びｙ方向から傾いる状態で基板１００を搬送しても良い。つまり、基板１００が搬送方向と平行になっている状態で、搬送ユニット１１ａ、１１ｃ、１１ｄが基板１００を搬送しても良い。この場合、図１０，図１２において、アライメント機構６９ａ、６９ｂによる回転角度の調整が不要となる。よって、アライメント機構６９ａ、６９ｂを省略することも可能である。
　また、搬送ユニット１１ｂが基板１００を搬送する際において、図１１では保持機構が基板１００の短辺を保持しているが、基板１００の長辺を保持してもよい。この場合、図８で回転機構６８が基板１００を９０°回転させた後、搬送ユニット１１ａが基板１００を搬送させレ場よい。あるいは、基板１００の長辺がｘ方向又は搬送方向に平行な状態で移載機が第４の領域６０ｄに基板１００を移載してもよい。
（有機ＥＬディスプレイ）
　上記のポリシリコン膜を有する半導体装置は、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイ用のＴＦＴ（Thin Film transistor）アレイ基板に好適である。すなわち、ポリシリコン膜は、ＴＦＴのソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を有する半導体層として用いられる。
　以下、本実施の形態にかかる半導体装置を有機ＥＬディスプレイディスプレイに適用した構成について説明する。図１６は、有機ＥＬディスプレイの画素回路を簡略化して示す断面図である。図１６に示す有機ＥＬディスプレイ３００は、各画素ＰＸにＴＦＴが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
　有機ＥＬディスプレイ３００は、基板３１０、ＴＦＴ層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３、及び封止基板３１４を備えている。図１６では、封止基板３１４側が視認側となるトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ＥＬディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態にかかる半導体装置は、ボトムエミッション方式の有機ＥＬディスプレイに用いられていてもよい。
　基板３１０は、ガラス基板又は金属基板である。基板３１０の上には、ＴＦＴ層３１１が設けられている。ＴＦＴ層３１１は、各画素ＰＸに配置されたＴＦＴ３１１ａを有している。さらに、ＴＦＴ層３１１は、ＴＦＴ３１１ａに接続される配線（図示を省略）等を有している。ＴＦＴ３１１ａ、及び配線等が画素回路を構成する。
　ＴＦＴ層３１１の上には、有機層３１２が設けられている。有機層３１２は、画素ＰＸごとに配置された有機ＥＬ発光素子３１２ａを有している。さらに、有機層３１２には、画素ＰＸ間において、有機ＥＬ発光素子３１２ａを分離するための隔壁３１２ｂが設けられている。
　有機層３１２の上には、カラーフィルタ層３１３が設けられている。カラーフィルタ層３１３は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ３１３ａが設けられている。すなわち、各画素ＰＸには、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、又はＢ（青色）に着色された樹脂層がカラーフィルタ３１３ａとして設けられている。
　カラーフィルタ層３１３の上には、封止基板３１４が設けられている。封止基板３１４は、ガラス基板などの透明基板であり、有機層３１２の有機ＥＬ発光素子の劣化を防ぐために設けられている。
　有機層３１２の有機ＥＬ発光素子３１２ａに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素ＰＸに供給することで、各画素ＰＸでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。
　有機ＥＬディスプレイ等のアクティブマトリクス型表示装置では、１つの画素ＰＸに、１つ以上のＴＦＴ（例えば、スイッチング用ＴＦＴ、又は駆動用ＴＦＴ）が設けられている。そして、各画素ＰＸのＴＦＴには、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域を有する半導体層が設けられている。本実施の形態にかかるポリシリコン膜は、ＴＦＴの半導体層に好適である。すなわち、上記の製造方法により製造したポリシリコン膜をＴＦＴアレイ基板の半導体層に用いることで、ＴＦＴ特性の面内ばらつきを抑制することができる。よって、表示特性の優れた表示装置を高い生産性で製造することができる。
（半導体装置の製造方法）
　本実施の形態にかかるレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板の製造に好適である。ＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について、図１７、図１８を用いて説明する。図１７、図１８は半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。以下の説明では、逆スタガード（inverted staggered）型のＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について説明する。図１７，図１８では、半導体製造方法におけるポリシリコン膜の形成工程を示している。なお、その他の製造工程については、公知の手法を用いることができるため、説明を省略する。
　図１７に示すように、ガラス基板４０１上に、ゲート電極４０２が形成されている。ゲート電極４０２の上に、ゲート絶縁膜４０３が形成されている。ゲート絶縁膜４０３の上に、アモルファスシリコン膜４０４を形成する。アモルファスシリコン膜４０４は、ゲート絶縁膜４０３を介して、ゲート電極４０２と重複するように配置されている。例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ゲート絶縁膜４０３とアモルファスシリコン膜４０４とを連続成膜する。
　そして、アモルファスシリコン膜４０４が形成されたガラス基板４０１を上記の搬送装置６００に搬送する。アモルファスシリコン膜４０４にレーザ光Ｌ１を照射することで、図１８に示すように、ポリシリコン膜４０５が形成される。すなわち、図１等で示したレーザ照射装置１によって、アモルファスシリコン膜４０４を結晶化する。これにより、シリコンが結晶化したポリシリコン膜４０５がゲート絶縁膜４０３上に形成される。ポリシリコン膜４０５は、上記したポリシリコン膜に相当する。搬送装置６００がガラス基板４０１を搬送している間に、レーザ光Ｌ１が照射される。これにより、アモルファスシリコン膜４０４がアニールされ、ポリシリコン膜４０５に変換する。
　さらに、上記の説明では、本実施の形態にかかるレーザアニール装置が、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を形成するものとして説明したが、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してマイクロクリスタルシリコン膜を形成するものであってもよい。さらには、アニールを行うレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザに限定されるものではない。また、本実施の形態にかかる方法は、シリコン膜以外の薄膜を結晶化するレーザアニール装置に適用することも可能である。すなわち、非晶質膜にレーザ光を照射して、結晶化膜を形成するレーザアニール装置であれば、本実施の形態にかかる方法は適用可能である。本実施の形態にかかるレーザアニール装置によれば、結晶化膜付き基板を適切に改質することができる。
　なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
　１　レーザ照射装置
　１０　メイン浮上ユニット
　１１　搬送ユニット
　１２　保持機構
　１４　レーザ照射部
　１５　レーザ光
　１５ａ　照射領域
　１７　可動浮上ユニット
　１８　端部浮上ユニット
　３１　精密浮上領域
　３３　ラフ浮上領域
　６０ａ　第１の領域
　６０ｂ　第２の領域
　６０ｃ　第３の領域
　６０ｄ　第４の領域
　６０ｅ　プロセス領域
　６０ｆ　通過領域
　６７１～６７６　端部浮上ユニット
　６８　回転機構
　６９ａ、６９ｂ　アライメント機構
　１００　基板
　１１１　精密浮上ユニット
　１１３　ラフ浮上ユニット
　１３１　浮上ユニットセル
　２２０　ｘ移動機構
　２３０　ｙ移動機構
　２４０　昇降機構
　３００　有機ＥＬディスプレイ
　３１０　基板
　３１１　ＴＦＴ層
　３１１ａ　ＴＦＴ
　３１２　有機層
　３１２ａ　有機ＥＬ発光素子
　３１２ｂ　隔壁
　３１３　カラーフィルタ層
　３１３ａ　カラーフィルタ（ＣＦ）
　３１４　封止基板
　４０１　ガラス基板
　４０２　ゲート電極
　４０３　ゲート絶縁膜
　４０４　アモルファスシリコン膜
　４０５　ポリシリコン膜
　６７１～６７６　端部浮上ユニット
　ＰＸ　画素

Claims (18)

  1. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、
    　前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構を第１の方向に移動する第１の移動機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えた搬送装置。
  2. 　第１の方向に沿って形成された開口部を有し、前記基板の下面に気体を噴出する可動浮上ユニットをさらに備え、
    　前記第２の移動機構が前記可動浮上ユニットを第２の方向に移動させ、
    　前記保持機構が前記開口部内を第１の方向に移動するように、前記第１の移動機構が前記保持機構を移動させる請求項１に記載の搬送装置。
  3. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、
    　前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する浮上ユニットと、
    　前記開口部に配置され、前記基板を保持する保持機構と、
    　前記保持機構、及び前記浮上ユニットを前記第１の方向に沿って移動する第１の移動機構と、を備えた搬送装置。
  4. 　上面視において、前記第１の方向から傾いた第２の方向に沿って、前記保持機構及び前記浮上ユニットを移動させる第２の移動機構をさらに備え、
    　前記第２の移動機構が前記保持機構及び浮上ユニットを第２の方向に移動させている間、前記第１の移動機構が前記保持機構を第１の方向に移動させることで、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置が変化する請求項３に記載の搬送装置。
  5. 　前記保持機構を昇降させる昇降機構をさらに備え、
    　前記第１の移動機構が前記昇降機構を第１の方向に移動させる請求項１、又は３に記載の搬送装置。
  6. 　前記基板の端部の下面に気体を噴出する端部浮上ユニットをさらに備え、
    　前記端部浮上ユニットと前記メイン浮上ユニットとの間を、前記保持機構が移動する請求項１、又は３に記載の搬送装置。
  7. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、搬送装置を用いて前記基板を搬送する搬送方法であって、
    　前記搬送装置が、
    　前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、
    　前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、を備え、
    　（Ａ１）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、第１の移動機構が前記保持機構を第１の方向に移動するステップと、
    　（Ａ２）前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、第２の移動機構が前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させるステップと、を備えた搬送方法。
  8. 　前記搬送装置が、第１の方向に沿って形成された開口部を有し、前記基板の下面に気体を噴出する可動浮上ユニットをさらに備え、
    　前記第２の移動機構が前記可動浮上ユニットを第２の方向に移動させ、
    　前記保持機構が前記開口部内を第１の方向に移動するように、前記第１の移動機構が前記保持機構を移動させる請求項７に記載の搬送方法。
  9. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、
    　前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する可動浮上ユニットと、
    　前記開口部に配置された保持機構が前記基板を保持する保持機構と、を備え、
    　（Ｂ１）第１の移動機構が、前記保持機構、及び前記可動浮上ユニットを前記第１の方向に沿って移動するステップを備えた搬送方法。
  10. 　前記搬送装置が上面視において、前記第１の方向から傾いた第２の方向に沿って、前記保持機構及び前記可動浮上ユニットを移動させる第２の移動機構をさらに備え、
    　前記第２の移動機構が前記保持機構及び可動浮上ユニットを第２の方向に移動させている間、前記第１の移動機構が前記保持機構を第１の方向に移動させることで、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置が変化する請求項９に記載の搬送方法。
  11. 　前記搬送装置が前記保持機構を昇降させる昇降機構をさらに備え、
    　前記第１の移動機構が前記昇降機構を第１の方向に移動させる請求項７、又は９に記載の搬送方法。
  12. 　前記搬送装置が前記基板の端部の下面に気体を噴出する端部浮上ユニットをさらに備え、
    　前記端部浮上ユニットと前記メイン浮上ユニットとの間を、前記保持機構が移動する請求項７、又は９に記載の搬送方法。
  13. 　（ｓａ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（ｓａ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、
    　（ｓａ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記搬送装置は、
    　前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、
    　前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、前記メイン浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構を第１の方向に移動する第１の移動機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変化させるため、前記保持機構及び前記第１の移動機構を前記第１の方向から傾いた第２の方向に移動させる第２の移動機構と、を備えた半導体装置の製造方法。
  14. 　前記搬送装置が第１の方向に沿って形成された開口部を有し、前記基板の下面に気体を噴出する可動浮上ユニットをさらに備え、
    　前記第２の移動機構が前記可動浮上ユニットを第２の方向に移動させ、
    　前記保持機構が前記開口部内を第１の方向に移動するように、前記第１の移動機構が前記保持機構を移動させる請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 　（ｓｂ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（ｓｂ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、
    　（ｓｂ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記搬送装置は、
    　前記レーザ光の照射位置の直下に配置された照射領域を有し、前記基板をその上面で浮上させるメイン浮上ユニットと、
    　前記メイン浮上ユニットの外側に配置され、第１の方向に沿って設けられた開口部を有し、基板の下面に気体を噴出する浮上ユニットと、
    　前記開口部に配置され、前記基板を保持する保持機構と、
    　前記保持機構、及び前記浮上ユニットを、前記第１の方向に沿って移動する第１の移動機構と、を備えた半導体装置の製造方法。
  16. 　前記搬送装置が、上面視において、前記第１の方向から傾いた第２の方向に沿って、前記保持機構及び前記浮上ユニットを移動させる第２の移動機構をさらに備え、
    　前記第２の移動機構が前記保持機構及び浮上ユニットを第２の方向に移動させている間、前記第１の移動機構が前記保持機構を第１の方向に移動させることで、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置が変化する請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 　前記保持機構を昇降させる昇降機構をさらに備え、
    　前記第１の移動機構が前記昇降機構を第１の方向に移動させる請求項１３、又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 　前記基板の端部の下面に気体を噴出する端部浮上ユニットをさらに備え、
    　前記端部浮上ユニットと前記メイン浮上ユニットとの間を、前記保持機構が移動する請求項１３、又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
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