WO2023199485A1 - 搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2023199485A1
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substrate
floating unit
unit
floating
holding mechanism
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貴洋 藤
良 清水
光博 佐藤
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Ｊｓｗアクティナシステム株式会社
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    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Definitions

  • the present invention relates to a transport device, a transfer method, a transport method, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses a laser annealing apparatus for forming a polycrystalline silicon thin film.
  • a projection lens focuses laser light onto a substrate so that the laser light forms a linear irradiation area.
  • the amorphous silicon film is crystallized and becomes a polysilicon film.
  • the transport unit transports the substrate while the floating unit levitates the board. Furthermore, in the floating unit, the loading and unloading positions of the substrates are common. The transport unit transports the substrate along each side of the floating unit. Then, by circulating the substrate twice over the floating unit, almost the entire surface of the substrate is irradiated with laser light.
  • the transport device of such a laser irradiation device prefferably transport the substrate so that the laser irradiation process can be executed at high speed and stably.
  • the conveying device is a conveying device for conveying the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, and includes a loading area into which the substrate is loaded.
  • a floating unit that floats on the upper surface, a first holding mechanism that holds the substrate on the floating unit, and a first holding mechanism that is tilted from the line direction of the laser beam when viewed from above so as to change the irradiation position of the laser beam on the substrate.
  • a first moving mechanism that moves the first holding mechanism in a first transport direction; and a first moving mechanism that is disposed in a carry-in area of the floating unit and is movable up and down to receive the substrate from a transfer device that transfers the substrate.
  • a rotation mechanism that is arranged between the plurality of pusher pins in the carry-in area of the floating unit and rotates the substrate.
  • the conveying device is a conveying device for conveying the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, and includes a loading area into which the substrate is loaded.
  • a floating unit that floats on the upper surface, a first holding mechanism that holds the substrate on the floating unit, and a first holding mechanism that is tilted from the line direction of the laser beam when viewed from above so as to change the irradiation position of the laser beam on the substrate.
  • a first moving mechanism that moves the first holding mechanism in a first transport direction; and a first moving mechanism that is disposed in a carry-in area of the floating unit and is movable up and down to receive the substrate from a transfer device that transfers the substrate.
  • a plurality of pusher pins provided on the levitation unit; an end flotation unit disposed on the transfer machine side of the flotation unit to levitate the edge of the substrate on its upper surface; and the pusher pin to receive the substrate from the transfer machine.
  • a pusher bar that moves up and down in conjunction with a pin and extends along the transfer direction of the transfer device; a second holder that is disposed between the end floating unit; and a second holder that holds the substrate; a second holding mechanism for moving the second holding mechanism in a second transport direction such that the second holding mechanism moves between the end flotation unit and the end flotation unit; It is equipped with.
  • the transport device is a transport device for transporting the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam
  • the transport device includes a plurality of floating unit cells, and the transport device transports the substrate on its upper surface.
  • the device includes a moving mechanism that moves the holding mechanism, and a nozzle unit that is provided in a gap between the adjacent floating unit cells and that spouts gas toward the end of the substrate.
  • the transfer method is a transfer method of transferring the substrate to a transfer device that transfers the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, the transfer method comprising:
  • the apparatus includes a loading area into which a substrate is loaded, a floating unit that floats the substrate on its upper surface, a first holding mechanism that holds the substrate on the floating unit, and irradiation of the laser beam to the substrate.
  • the transfer method includes (A1) receiving the substrate carried into the carry-in area by the transfer machine by raising the plurality of pusher pins, and (A2) raising the plurality of pusher pins. and (A3) lowering the substrate to a floating height of the floating unit by lowering the plurality of pusher pins.
  • the transfer method is a transfer method of transferring a substrate to a transfer device that transfers the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, the transfer method comprising: comprises a loading area into which a substrate is loaded, a floating unit that levitates the substrate on its upper surface, a first holding mechanism that holds the substrate on the floating unit, and an irradiation position of the laser beam with respect to the substrate.
  • a first moving mechanism that moves the first holding mechanism in a first conveying direction inclined from the line direction of the laser beam when viewed from above; a plurality of pusher pins that are movable up and down to receive the substrate from a transfer device that transfers the substrate; and an end portion that is disposed on the transfer device side of the floating unit and levitates the edge of the substrate on its upper surface.
  • a floating unit, a pusher bar that moves up and down in conjunction with the pusher pin to receive the substrate from the transfer machine and extends along the transfer direction of the transfer machine, the end floating unit, and the end floating unit.
  • a second holding mechanism disposed between the substrate and holding the substrate; a second holding mechanism that moves the holding mechanism in a second conveyance direction; (B2) moving the transfer device to a standby position outside the carry-in area; and (B3) lowering the plurality of pusher pins and pusher bars to remove the floating unit. lowering the substrate to a flying height of .
  • the transport method is a transport method in which a transport device is used to transport the substrate in order to irradiate the substrate with a line-shaped laser beam, and the transport device includes a plurality of floating units.
  • a floating unit that includes a cell and floats the substrate on its upper surface; a holding mechanism that holds the substrate on the floating unit; and a holding mechanism that holds the substrate on the floating unit; a moving mechanism that moves the holding mechanism in a conveying direction inclined from a line direction; and a nozzle unit that is provided in a gap between adjacent floating unit cells and that spouts gas toward an end of the substrate.
  • C1 the moving mechanism moves the holding mechanism to transport the substrate in the transport direction; and
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes (s1) forming an amorphous film on a substrate; and (s2) transferring the substrate on which the amorphous film is formed to a transport device. and (s3) irradiating the substrate with a line-shaped laser beam while transporting the substrate using the transport device to crystallize the amorphous film to form a crystallized film.
  • annealing the amorphous film, and the transfer device includes a loading area into which the substrate is loaded, a floating unit that floats the substrate on its upper surface, and a floating unit that floats the substrate on the floating unit.
  • the transferring step includes (sa1) raising the plurality of pusher pins so that the substrate is rotated by the transfer machine; , receiving the substrate carried into the carry-in area; (sa2) moving the transfer machine to a standby position outside the carry-in area; and (sa3) lowering the plurality of pusher pins. lowering the substrate to a floating height of a floating unit.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes (s1) forming an amorphous film on a substrate; and (s2) transferring the substrate on which the amorphous film is formed to a transport device. and (s3) irradiating the substrate with a line-shaped laser beam while transporting the substrate using the transport device to crystallize the amorphous film to form a crystallized film.
  • annealing the amorphous film, and the transfer device includes a loading area into which the substrate is loaded, a floating unit that floats the substrate on its upper surface, and a floating unit that floats the substrate on the floating unit.
  • first moving mechanism moving the first holding mechanism in a first conveying direction tilted from the line direction of the laser beam when viewed from above so as to change the first holding mechanism that holds the substrate and the irradiation position of the laser beam with respect to the substrate; a first moving mechanism; a plurality of pusher pins that are arranged in a loading area of the floating unit and are movable up and down to receive the substrate from a transfer machine that transfers the substrate; and a transfer machine of the floating unit; an end flotation unit disposed on the side that levitates the edge of the substrate on its upper surface; and an end flotation unit that moves up and down in conjunction with the pusher pin to receive the substrate from the transfer machine, and moves in the transfer direction of the transfer machine.
  • a pusher bar extending along the edge floating unit; a second holding mechanism disposed between the edge floating unit and the edge floating unit to hold the substrate; and a pusher bar extending along the edge floating unit; a second holding mechanism that moves the second holding mechanism in a second conveyance direction so as to move between the end floating unit; (sb1) lifting the plurality of pusher pins and the pusher bar; (sb2) moving the transfer machine to a standby position outside the carry-in area; and (sb3) the plurality of substrates. lowering the substrate to a floating height of the floating unit by lowering the pusher pin and the pusher bar.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes (t1) forming an amorphous film on a substrate; and (t2) using a transport device to transport the substrate on which the amorphous film is formed. (t3) irradiating the substrate being transported by the transporting device with a line-shaped laser beam to crystallize the amorphous film to form a crystallized film; a step of annealing the film, wherein the transfer device includes a plurality of floating unit cells, a floating unit that floats the substrate on its upper surface, a holding mechanism that holds the substrate on the floating unit, and a holding mechanism that holds the substrate on the floating unit; In order to change the irradiation position of the laser beam on the substrate, a moving mechanism is provided in a gap between the adjacent floating unit cell and a moving mechanism that moves the holding mechanism in a conveying direction inclined from the line direction of the laser beam when viewed from above.
  • the (t2) conveying step includes (tc1) the moving mechanism moving the holding mechanism to convey the substrate. and (tc2) the step of causing the nozzle unit to eject gas to an end of the substrate being transported.
  • FIG. 2 is a top view schematically showing the configuration of a transport device used in the laser irradiation device.
  • FIG. 2 is a side cross-sectional view schematically showing a laser irradiation device.
  • FIG. 2 is a top view schematically showing the detailed configuration of the transport device. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus. It is a top view for explaining the conveyance process in a conveyance apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a nozzle unit. It is a figure showing the composition of the nozzle unit concerning a modification.
  • FIG. 3 is a top view showing an example of arrangement of nozzle units.
  • FIG. 7 is a top view showing arrangement example 3 of nozzle units. It is a figure which shows the difference in the height of an end floating unit and a floating unit. It is a figure which shows the modification of an end floating unit.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a pedestal having an escape hole.
  • FIG. 3 is a side view schematically showing a pedestal having an escape hole.
  • FIG. 6 is a top view for explaining the loading operation of the substrate.
  • FIG. 6 is a top view for explaining the loading operation of the substrate.
  • FIG. 6 is a top view for explaining the loading operation of the substrate.
  • FIG. 3 is a side view for explaining the raising and lowering operation of the pusher pin.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a configuration using a pusher bar.
  • FIG. 6 is a side view for explaining the raising and lowering operation of the pusher bar.
  • FIG. 7 is a top view schematically showing a modification of the configuration using a pusher bar.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of an organic EL display.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to
  • the transport device is used in a laser irradiation device such as a laser annealing device.
  • the laser annealing device is, for example, an excimer laser annealing (ELA) device that forms a low temperature poly-silicon (LTPS) film.
  • ELA excimer laser annealing
  • LTPS low temperature poly-silicon
  • FIG. 1 is a top view schematically showing the basic configuration of a laser irradiation device 1.
  • FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the configuration of the laser irradiation device 1.
  • FIG. 1 is a top view schematically showing the basic configuration of a laser irradiation device 1.
  • FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the configuration of the laser irradiation device 1.
  • FIG. 1 is a top view schematically showing the basic configuration of a laser irradiation device 1.
  • FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the configuration of the laser irradiation device 1.
  • FIGS. 1 and 2 are conceptual diagrams showing only the basic configurations of the transport device and the laser irradiation device, and some of the configurations are omitted.
  • the transport device 600 is shown in a simplified manner.
  • the laser irradiation unit 14, precision levitation area 31, semi-precision levitation area 32, rough levitation area 33, precision levitation unit 111, semi-precision levitation unit 112, and rough levitation unit 113 are omitted. There is.
  • the z direction is a vertical vertical direction
  • the y direction is a line direction along the linear irradiation area 15a.
  • the x direction is a direction perpendicular to the z direction and the y direction. That is, the y direction is the longitudinal direction of the linear irradiation area 15a, and the x direction is the lateral direction orthogonal to the longitudinal direction.
  • the laser irradiation device 1 includes a floating unit 10, a transport unit 11, and a laser irradiation section 14.
  • the floating unit 10 and the transport unit 11 constitute a transport device 600.
  • the floating unit 10 is configured to eject gas from the surface of the floating unit 10.
  • the floating unit 10 floats the substrate 100 on its upper surface.
  • the substrate 100 is floated by blowing the gas ejected from the surface of the floating unit 10 onto the lower surface of the substrate 100.
  • substrate 100 is a glass substrate.
  • the floating unit 10 adjusts the flying height so that the substrate 100 does not come into contact with another mechanism (not shown) disposed above the substrate 100.
  • the levitation unit 10 is mainly divided into a precision levitation region 31, a semi-precision levitation region 32, and a rough levitation region 33.
  • the precision floating area 31 is an area including the irradiation area 15a of the laser beam 15. That is, in the xy plane view, the precision floating area 31 is an area that overlaps with the focal point of the laser beam (irradiation area 15a). The precision floating area 31 is larger than the irradiation area 15a.
  • the semi-precision floating area 32 is an area adjacent to the precision floating area 31. In the x direction, the semi-precision floating region 32 is arranged on both sides of the precision floating region 31. The semi-precision floating area 32 is larger than the precision floating area 31.
  • the rough floating region 33 is a region adjacent to the semi-precision floating region 32. That is, the semi-precision floating region 32 is arranged between the rough floating region 33 and the precision floating region 31. In the X direction, the rough floating region 33 is arranged on both sides of the fine floating region 31. That is, the rough floating region 33 is arranged separately on the +x side and the ⁇ x side of the semi-precision floating region 32. In the xy plane view, the semi-precision floating region 32 and the rough floating region 33 are regions that do not overlap with the focal point of the laser beam (irradiation region 15a).
  • the precision levitation unit 111, semi-precision levitation unit 112, and rough levitation unit 113 each eject gas (for example, air) upward. Furthermore, the gas ejected from the precision levitation unit 111, semi-precision levitation unit 112, and rough levitation unit 113 may be an inert gas such as nitrogen.
  • the substrate 100 floats as the gas is blown onto the lower surface of the substrate 100. Therefore, the floating unit 10 and the substrate 100 are in a non-contact state. Further, the precision levitation unit 111 and the semi-precision levitation unit 112 suck gas existing between the substrate 100 and the levitation unit 10.
  • the rough levitation unit 113 is configured to be capable of sucking gas similarly to the semi-precision levitation unit 112.
  • a gas supply source (not shown) for supplying gas is connected to the precision levitation unit 111, the semi-precision levitation unit 112, and the rough levitation unit 113.
  • a vacuum generation source (not shown) for sucking gas is connected to the precision levitation unit 111, the semi-precision levitation unit 112, and the rough levitation unit 113.
  • the gas supply source is a compressor, a gas cylinder, or the like, and supplies compressed gas.
  • the vacuum generation source is a vacuum pump, ejector, or the like.
  • the precision levitation unit 111 has higher accuracy in flying height than the semi-precision levitation unit 112 and the rough levitation unit 113.
  • the semi-precision floating unit 112 has higher precision in flying height than the rough floating unit 113.
  • the substrate 100 is irradiated with laser light in the precision flying area 31 where the flying height is most accurate.
  • the semi-precision levitation unit 112 is configured to levitate the substrate 100 with an accuracy between the accuracy with which the precision levitation unit 111 levitates the substrate 100 and the accuracy with which the rough levitation unit 113 levitates the substrate 100. has been done.
  • the precision levitation unit 111 is a precision levitation unit formed of a porous material such as ceramic.
  • a porous material such as ceramic.
  • porous alumina ceramic, porous carbon, porous SiC ceramic, or the like can be used as the porous body.
  • the precision levitation unit 111 blows out gas upward.
  • the precision flotation unit 111 may be provided with a suction hole for sucking gas. Suction holes reaching the top surface are machined into the porous body at predetermined intervals. The suction hole is a fine hole and forms a negative pressure between the substrate 100 and the precision flotation unit. Gas is ejected from almost the entire surface of the porous body except for the suction holes. The ejection surface that generates positive pressure is formed on almost the entire surface except for the suction holes.
  • the semi-precision floating unit 112 and the rough floating unit 113 are made of metal material.
  • the semi-precision levitation unit 112 and the rough levitation unit 113 are formed of metal blocks having hollow portions. Then, a plurality of ejection holes are formed that reach the upper surface of the metal block from the hollow portion.
  • the metal block may be provided with a suction hole for sucking gas. Note that either the semi-precision floating unit 112 or the rough floating unit 113 can be omitted.
  • the rough levitation unit 113, the semi-precision levitation unit 112, and the precision levitation unit 111 are collectively referred to as a levitation unit cell 131.
  • a plurality of rough floating units 113 are provided as floating unit cells 131.
  • a plurality of semi-precision floating units 112 are provided as floating unit cells 131.
  • a plurality of precision levitation units 111 are provided as levitation unit cells 131.
  • the pedestal 120 is, for example, a metal plate made of aluminum or aluminum alloy.
  • the precision levitation unit 111, the semi-precision levitation unit 112, and the rough levitation unit 113 are fixed to the pedestal 120 with, for example, bolts.
  • the upper surfaces of the precision levitation unit 111, semi-precision levitation unit 112, and rough levitation unit 113 are substantially at the same height. That is, the upper surface (floating surface) of the flotation unit 10 is substantially flat.
  • the surface of the pedestal 120 may be polished to have a predetermined flatness.
  • an internal space (not shown) that serves as a flow path for ejecting or suctioning gas may be provided inside the pedestal 120.
  • the floating unit cell 131 may suck in or emit gas through the internal space of the pedestal 120.
  • the transport unit 11 shown in FIG. 1 transports the floating substrate 100 in the transport direction.
  • the transport unit 11 includes a holding mechanism 12 and a moving mechanism 13.
  • the holding mechanism 12 holds the substrate 100.
  • the holding mechanism 12 can be configured using a vacuum suction mechanism.
  • the vacuum suction mechanism is made of a metal material such as an aluminum alloy.
  • the holding mechanism 12 may be made of a resin material such as PEEK (polyetheretherketone) material. Suction grooves, suction holes, etc. are formed on the upper surface of the holding mechanism 12.
  • the holding mechanism 12 may be formed of a porous material.
  • the holding mechanism 12 vacuum suction mechanism
  • the holding mechanism 12 is connected to an exhaust port (not shown), and the exhaust port is connected to an ejector, a vacuum pump, etc. Therefore, since negative pressure for sucking gas acts on the holding mechanism 12, the substrate 100 can be held using the holding mechanism 12.
  • the holding mechanism 12 includes an elevating mechanism (not shown) for performing a suction operation.
  • the elevating mechanism includes, for example, an actuator such as an air cylinder or a motor.
  • the holding mechanism 12 suctions the substrate 100 while being raised to the suction position. Furthermore, the holding mechanism 12 descends to the standby position in a state where the suction is released.
  • the holding mechanism 12 holds the substrate 100 by suctioning the surface (lower surface) of the substrate 100 opposite to the surface (upper surface) irradiated with the laser beam 15, that is, the surface of the substrate 100 facing the floating unit 10. is held. In FIG. 1, the holding mechanism 12 holds the end of the substrate 100 in the +y direction.
  • the moving mechanism 13 included in the transport unit 11 is connected to the holding mechanism 12.
  • the moving mechanism 13 is configured to be able to move the holding mechanism 12 in the transport direction.
  • the transport unit 11 (holding mechanism 12 and moving mechanism 13) is provided at the end of the floating unit 10 in the +y direction, and the holding mechanism 12 holds the substrate 100 while the moving mechanism 13 moves in the transport direction. In this way, the substrate 100 is transported.
  • the moving mechanism 13 is configured to slide the +y-direction end of the floating unit 10 along the transport direction.
  • the substrate 100 is transported along the transport direction by the movement mechanism 13 sliding the end of the floating unit 10 along the transport direction.
  • the conveyance direction is a direction inclined from the x direction. For example, if the angle between the x direction and the transport direction is ⁇ , ⁇ is greater than 0°.
  • the floating unit 10 has a trapezoidal shape with four sides. Specifically, the floating unit 10 has two sides parallel to the y direction of the floating unit 10, one side parallel to the x direction, and one side inclined from the x direction (also referred to as inclined side 10e). There is. Of course, ⁇ may be 0°. That is, the transport direction may be parallel to the X direction. In this case, the planar shape of the floating unit 10 can be a rectangle.
  • the moving mechanism 13 includes, for example, an actuator such as a motor (not shown), a linear guide mechanism, an air bearing, and the like.
  • the substrate 100 is irradiated with laser light 15.
  • the irradiation area 15a of the laser beam 15 on the substrate 100 is in the form of a line whose longitudinal direction is the y direction. That is, the irradiation area 15a has the y direction as the longitudinal direction (line direction) and the x direction as the lateral direction.
  • the laser irradiation unit 14 includes an excimer laser light source that generates laser light. Furthermore, the laser irradiation section 14 has an optical system that guides the laser beam to the substrate 100.
  • the laser irradiation unit 14 has a lens that focuses the laser beam 15 onto the substrate 100.
  • the laser irradiation unit 14 includes a cylindrical lens for forming a linear irradiation area 15a.
  • the substrate 100 is irradiated with a line-shaped laser beam 15 (line beam), specifically, a laser beam 15 (line beam) whose focal point extends in the y direction. A focus of the laser beam 15 is formed on the substrate 100. Therefore, in order to suppress in-plane variations, high accuracy is required for the flying height in the precision flying region 31.
  • the substrate 100 is, for example, a glass substrate on which an amorphous film (amorphous silicon film 101a) is formed.
  • the amorphous film can be crystallized by irradiating the amorphous film with the laser beam 15 and subjecting it to annealing treatment.
  • the amorphous silicon film 101a can be converted to a polycrystalline silicon film (polysilicon film 101b).
  • the substrate 100 is levitated using the floating unit 10, while the lower surface of the substrate 100 is held using the transport unit 11, and the substrate 100 is transported in the transport direction.
  • the transport unit 11 included in the laser irradiation device 1 maintains a position where the transport unit 11 does not overlap the irradiation area 15a in plan view (that is, when viewed from the z direction). is being transported. That is, as shown in FIG. 1, when the substrate 100 is transported in the transport direction, the position where the transport unit 11 holds the substrate 100 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) is prevented from overlapping with the irradiation area 15a. There is.
  • the planar shape of the substrate 100 is a quadrilateral (rectangular shape) having four sides, and the transport unit 11 (holding mechanism 12) holds only one of the four sides of the substrate 100.
  • the transport unit 11 (holding mechanism 12) maintains a position where the laser beam is not irradiated while the substrate 100 is being transported.
  • the position where the transport unit 11 holds the substrate 100 (corresponding to the position of the holding mechanism 12) can be separated from the irradiation area 15a.
  • the irradiation area 15a is approximately half of the -y side of the substrate 100, and the transport unit 11 holds the +y side end.
  • the distance between the irradiation area 15a and a location where the deflection increases near the holding mechanism 12 can be increased. Therefore, the influence of deflection caused by the holding mechanism 12 of the substrate 100 during laser irradiation can be reduced.
  • the length of the irradiation area 15a is approximately half the length of the substrate 100. Therefore, when the substrate 100 passes through the irradiation region 15a once, the amorphous silicon film 101a is crystallized in approximately half the region of the substrate 100. Then, after the substrate 100 is rotated 180 degrees around the z-axis by a rotation mechanism (not shown), the transport unit 11 transports the substrate 100 in the ⁇ x direction. Alternatively, after transporting the rotated substrate 100 in the -x direction, the transport unit 11 may transport it again in the +x direction. Then, the substrate 100 is irradiated with laser light when it is transported in the -x direction or when it is transported again in the +x direction after being rotated 180 degrees.
  • the substrate 100 passes through the irradiation region 15a, and the amorphous silicon film 101a is crystallized in the remaining half region of the substrate 100.
  • the amorphous silicon film 101a is converted into the polysilicon film 101b over almost the entire substrate 100.
  • the transport direction is inclined from the x direction which is orthogonal to the linear irradiation area 15a.
  • the substrate 100 is transported in a transport direction inclined from the edge of the rectangular substrate 100.
  • the substrate 100 is a glass substrate for an organic EL display device.
  • the display area of the organic EL display device is rectangular, the edges of the display area are arranged parallel to the edges of the substrate 100.
  • the organic EL display device has a rectangular display area whose short sides are in the x direction and the y direction.
  • the transport direction is parallel to the x direction, the substrate 100 is irradiated with laser light with the pixel arrangement direction and the irradiation area 15a being parallel.
  • the laser irradiation process can be performed appropriately by making the transport direction tilted from the x direction.
  • the moving mechanism 13 moves the holding mechanism 12 in a transport direction inclined from the x direction perpendicular to the longitudinal direction of the linear irradiation area 15a when viewed from above. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be performed appropriately. For example, the occurrence of moiré can be prevented and display quality can be improved.
  • FIG. 3 is a top view showing the configuration of the transport device 600. Note that the description of the same contents as those explained in FIGS. 1 and 2 will be omitted as appropriate. Furthermore, the transport device 600 does not include a nozzle unit 140, a pusher pin 701, and a pusher bar 751, which will be described later. Note that the nozzle unit 140, pusher pin 701, and pusher bar 751 can be omitted as appropriate.
  • the transport device 600 includes a floating unit 10 and end floating units 671 to 676.
  • the floating unit 10 floats a substrate (not shown in FIG. 3), which is an object to be processed. When viewed from above, the floating unit 10 has a trapezoidal shape.
  • the floating unit 10 has two sides parallel to the y direction, one side parallel to the x direction, and one side inclined from the x direction (also referred to as inclined side 10e). The angle between the inclined side 10e and the x direction is preferably greater than 0°.
  • the end floating units 671 to 676 float the ends of the substrate protruding from the floating unit 10.
  • the floating unit 10 is divided into six regions 60a to 60f when viewed from above.
  • the floating unit 10 includes a first region 60a to a fourth region 60d, a process region 60e, and a passage region 60f.
  • the first region 60a is a trapezoidal region including corners on the ⁇ x side and +y side (upper left corner in FIG. 3).
  • the second region 60b is a trapezoidal region including corners on the +x side and +y side (the upper right corner in FIG. 3).
  • the third region 60c is a rectangular region including corners on the +x side and the ⁇ y side (lower right corner in FIG. 3).
  • the fourth region 60d is a rectangular region including corners on the ⁇ x side and the ⁇ y side (lower left corner in FIG. 3).
  • the process region 60e is a trapezoidal region arranged between the first region 60a and the second region 60b.
  • the process area 60e is an area including the irradiation area 15a that is irradiated with laser light.
  • the passage area 60f is a rectangular area arranged between the third area 60c and the fourth area 60d.
  • the half area on the +y side of the floating unit 10 (the upper half area in FIG. 3) is a first area 60a, a process area 60e, and a second area 60b in order from the -x side (left side in FIG. 3). ing.
  • the half area on the -y side of the floating unit 10 (lower half area in FIG. 3) is, in order from the +x side, a third area 60c, a passing area 60f, and a fourth area 60d.
  • the fourth area 60d is a carry-in area where the substrate 100 is carried in, and a carry-out area where the substrate 100 is carried out.
  • a transfer device such as a transfer robot is provided on the -X side of the fourth area 60d. Then, the transfer machine carries the substrate 100 into the fourth area 60d. Similarly, the transfer machine carries out the substrate in the fourth area 60d.
  • a pusher pin which will be described later, may be used for loading and unloading the substrate 100.
  • the rotation mechanism 68 may transfer the substrate 100 instead of the pusher pin.
  • the floating unit 10 includes a rotation mechanism 68 and alignment mechanisms 69a and 69b.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate.
  • Alignment mechanisms 69a and 69b align the substrates.
  • Alignment mechanisms 69a and 69b are provided in the first region 60a and the second region 60b, respectively.
  • a rotation mechanism 68 is provided in the fourth region 60d. The operations of the rotation mechanism 68, alignment mechanisms 69a, 69b, etc. will be described later.
  • the end floating units 671 to 676 are arranged outside the floating unit 10. End floating units 671 to 676 are arranged along the outer periphery of the trapezoidal floating unit 10. The end floating units 671 to 676 are provided along the edge of the floating unit 10. When viewed from above, the end floating units 671 to 676 are arranged so as to surround the outer periphery of the floating unit 10.
  • the end floating units 671 and 672 are arranged on the ⁇ x side of the floating unit 10.
  • An end floating unit 673 is arranged on the +y side of the floating unit 10.
  • An end floating unit 674 is arranged on the +x side of the floating unit 10.
  • End floating units 675 and 676 are arranged on the -y side of the floating unit 10.
  • the end floating units 671 and 672 are arranged along the -x side edge of the floating unit 10. That is, the end floating units 671 and 672 are each provided along the y direction. Further, the width of the end floating unit 671 in the x direction is wider than the end floating unit 672. The end floating unit 671 is arranged on the -y side of the end floating unit 672.
  • the end floating unit 673 is arranged along the +y side edge of the floating unit 10. That is, the end floating unit 673 is provided along the inclined side 10e of the floating unit 10.
  • the end floating unit 674 is arranged along the +x side edge of the floating unit 10. That is, the end floating units 674 are each provided along the y direction.
  • the end floating units 675 and 676 are arranged along the -y side edge of the floating unit 10. That is, the end floating units 675 and 676 are each provided along the x direction. Furthermore, the width of the end floating unit 676 in the y direction is wider than the end floating unit 675. The end floating unit 676 is arranged on the -x side of the end floating unit 675.
  • a transport unit 11a is provided between the floating unit 10 and the end floating unit 671.
  • the transport unit 11a is also arranged between the floating unit 10 and the end floating unit 672.
  • the transport unit 11a is formed along the y direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate in the +y direction. That is, the transport unit 11a transports the substrate 100 from the fourth region 60d toward the first region 60a.
  • a transport unit 11b is provided between the floating unit 10 and the end floating unit 673.
  • the transport unit 11b is formed along the inclined side 10e.
  • the transport unit 11b transports the substrate in a direction parallel to the inclined side 10e. That is, the transport unit 11b transports the substrate 100 from the first region 60a to the second region 60b.
  • a transport unit 11c is provided between the floating unit 10 and the end floating unit 674.
  • the transport unit 11c is formed along the y direction.
  • the transport unit 11c transports the substrate 100 in the -y direction. That is, the transport unit 11c transports the substrate 100 from the second region 60b to the third region 60c.
  • a transport unit 11d is provided between the floating unit 10 and the end floating unit 675.
  • the transport unit 11d is also arranged between the floating unit 10 and the end floating unit 676.
  • the transport unit 11d is formed along the x direction.
  • the transport unit 11a transports the substrate in the -x direction. That is, the transport unit 11d transports the substrate from the third region 60c to the fourth region 60d.
  • transport units 11a to 11d are equipped with the holding mechanism 12 and the moving mechanism 13 shown in FIG. The operations of the holding mechanism 12 and the moving mechanism 13 will be described later.
  • the laser beam irradiation area 15a has the y direction as its longitudinal direction. In other words, a linear irradiation area 15a whose longitudinal direction is in the y direction is formed.
  • Laser light is irradiated onto the substrate 100 while the substrate 100 is being transported in a direction parallel to the inclined side 10e. While moving from the first region 60a to the second region 60b, a laser irradiation process is performed. Also in this embodiment, the amorphous silicon film is converted into a polysilicon film by irradiating the substrate with laser light from a laser light source.
  • a precision floating unit 111 is arranged in the irradiation area 15a and its surroundings.
  • the precision levitation unit 111 has a higher accuracy in flying height than semi-precision levitation units and rough levitation units located in other areas. Therefore, in the process region 60e including the irradiation region 15a, the flying substrate 100 is irradiated with laser light with a higher flying height than in the other regions 60a to 60d and 60f. Thereby, the substrate 100 can be stably irradiated with laser light. Further, regions other than the irradiation region 15a, for example, the passage region 60f, the third region 60c, and the fourth region 60d, are created without using the expensive precision levitation unit 111. Therefore, device cost can be reduced.
  • the fourth region 60d is the loading position and unloading position of the substrate 100. Then, the substrate 100 carried into the fourth region 60d is transported in the order of the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passing region 60f, and the fourth region 60d. It will be done. That is, the substrate 100 orbits along the edge of the floating unit 10. Here, the substrate 100 rotates twice in order to irradiate the entire substrate 100 with laser light. In other words, the substrate 100 is transported so as to circulate over the floating unit 10 twice. By doing so, almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with laser light.
  • the substrate 100 is carried into the fourth region 60d.
  • the substrate 100 carried into the fourth region 60d is floated by the floating unit 10 and the end floating units 671, 672, and 676. That is, the -x side end of the substrate 100 is floated by the end floating units 671 and 672, and the center part is floated by the floating unit 10.
  • the ⁇ y side end of the substrate 100 is floated by an end floating unit 676.
  • the holding mechanism 12a of the transport unit 11a holds the substrate 100.
  • the substrate 100a in the fourth region 60d is transported to the first region 60a.
  • the substrate moved to the first region 60a is shown as a substrate 100b.
  • a holding mechanism 12a of the transport unit 11a holds the substrate 100a.
  • the moving mechanism 13a moves the holding mechanism 12a in the +y direction, thereby moving the substrate 100a from the fourth region 60d to the first region 60a (white arrow in FIG. 5).
  • the holding mechanism 12a passes between the floating unit 10 and the end floating unit 671 and moves in the +y direction. Furthermore, in the xy plane view, the holding mechanism 12a passes between the floating unit 10 and the end floating unit 672 and moves in the +y direction. Therefore, the substrate 100b is floated by the floating unit 10 and the end floating units 672 and 673. That is, the -x side end of the substrate 100b is floated by the end floating unit 672, and the center part is floated by the floating unit 10. The +y side end of the substrate 100b is floated by an end floating unit 673.
  • the alignment mechanism 69a aligns the position and angle of the substrate 100b transported to the first region 60a.
  • the position and rotation angle of the substrate may be slightly shifted due to loading, transporting, and rotating operations of the substrate 100.
  • the alignment mechanism 69a corrects deviations in position and rotation angle. Thereby, the irradiation position of the laser beam on the substrate 100 can be controlled with high precision.
  • the alignment mechanism 69a is movable in the y direction and rotatable around the z axis. Furthermore, the alignment mechanism 69a is movable in the z direction.
  • the alignment mechanism 69a includes an actuator such as a motor. The amount of positional deviation and the amount of angular deviation are determined from an image of the substrate 100b captured by a camera or the like. The alignment mechanism 69a performs alignment based on this amount of deviation.
  • An alignment mechanism 69a is arranged directly below the center of the substrate 100b. Alignment mechanism 69a holds substrate 100b. The alignment mechanism 69a may attract and hold the substrate 100b similarly to the holding mechanism 12. The holding mechanism 12a releases the holding of the substrate 100b. Thereby, the substrate 100b is transferred from the holding mechanism 12a to the alignment mechanism 69a.
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100b around the z-axis (white arrow in FIG. 6).
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100b so that the edge of the substrate 100b becomes parallel to the inclined side 10e of the floating unit 10.
  • the substrate after rotation is shown as substrate 100c.
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100 around the z-axis by a predetermined angle.
  • the edge of the substrate 100c is parallel to the inclined side 10e of the floating unit 10.
  • the transport unit 11b moves the substrate 100d.
  • the substrate 100d passes through the process area 60e.
  • the holding mechanism 12b passes between the floating unit 10 and the end floating unit 673 and moves in a direction parallel to the inclined side 10e.
  • approximately half of the area of the substrate 100d passes through the irradiation area 15a.
  • a laser beam is irradiated onto the substrate 100d, which is moving in a direction inclined from the x direction perpendicular to the irradiation area 15a.
  • the holding mechanism 12b passes between the floating unit 10 and the end floating unit 673 and moves in a direction parallel to the inclined side 10e. Therefore, the substrate 100d is floated by the floating unit 10 and the end floating unit 673. That is, the +y side end of the substrate 100d is floated by the end floating unit 673, and the center part is floated by the floating unit 10.
  • a laser irradiation process is performed while moving from the first region 60a to the second region 60b.
  • the alignment mechanism 69b aligns the substrate 100e.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100e (white arrow in FIG. 8).
  • the substrate after rotation is shown as a substrate 100f.
  • An alignment mechanism 69b is arranged directly below the center of the substrate 100e. Alignment mechanism 69b holds substrate 100e. The alignment mechanism 69b may attract and hold the substrate 100e similarly to the holding mechanism 12. Further, the holding mechanism 12b releases the holding of the substrate 100e. The substrate 100e is transferred from the holding mechanism 12b of the transport unit 11b to the alignment mechanism 69b.
  • the alignment mechanism 69b rotates the substrate 100e around the z-axis (white arrow in FIG. 8).
  • the alignment mechanism 69a rotates the substrate 100e so that the edge of the substrate 100e becomes parallel to the inclined side 10e of the floating unit 10.
  • the edge of the substrate 100f after rotation is parallel to the x direction or the y direction.
  • the substrate 100e is floated by the floating unit 10 and the end floating units 673 and 674.
  • the +y side end of the substrate 100e is floated by the end floating unit 673.
  • the +x side end of the substrate 100e is floated by the end floating unit 674, and the center part is floated by the floating unit 10.
  • the substrate 100f in the second region 60b is transported to the third region 60c.
  • the substrate moved to the third region 60c is shown as a substrate 100g.
  • the holding mechanism 12c of the transport unit 11c holds the substrate 100f.
  • the moving mechanism 13c moves the holding mechanism 12c in the ⁇ y direction, thereby moving the substrate 100f from the second region 60b to the third region 60c (white arrow in FIG. 9).
  • the holding mechanism 12c passes between the floating unit 10 and the end floating unit 674 and moves in the -y direction. Therefore, the substrate 100e is floated by the floating unit 10 and the end floating units 674 and 675.
  • the +x side end of the substrate 100e is floated by the end floating unit 674, and the center part is floated by the floating unit 10.
  • the -y side end of the substrate 100e is floated by an end floating unit 675.
  • the holding mechanism 12d of the transport unit 11d holds the substrate 100g, and the holding mechanism 12c releases the holding.
  • the substrate 100g is transferred from the holding mechanism 12c of the transport unit 11c to the holding mechanism 12d of the transport unit 11d.
  • the substrate 100g in the third region 60c is transported to the fourth region 60d.
  • the substrate moved to the fourth region 60d is shown as a substrate 100h.
  • the holding mechanism 12d of the transport unit 11d holds the substrate 100g.
  • the moving mechanism 13d moves the holding mechanism 12d in the ⁇ x direction, thereby moving the substrate 100f from the third region 60c to the fourth region 60d (white arrow in FIG. 10).
  • the holding mechanism 12d passes between the floating unit 10 and the end floating unit 675 and moves in the ⁇ x direction.
  • the holding mechanism 12d passes between the floating unit 10 and the end floating unit 676 and moves in the ⁇ x direction. Therefore, the substrate 100h is floated by the floating unit 10 and the end floating unit 676.
  • the -y side end of the substrate 100h is floated by an end floating unit 676, and the center part is floated by a floating unit 10.
  • the ⁇ x side end of the substrate 100h is floated by an end floating unit 671.
  • the substrate 100 that was in the fourth region 60d is transferred to the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passage region 60f, and the fourth region 60d. move in order. That is, the substrate 100 orbits along the edge of the floating unit 10.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h by 180° around the z-axis. In other words, the substrate 100h is transferred from the holding mechanism 12d to the rotation mechanism 68.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h, the substrate 100h is transferred from the rotation mechanism 68 to the holding mechanism 12d.
  • the transport units 11a to 11d move the substrate 100h again in the order of the first region 60a, the process region 60e, the second region 60b, the third region 60c, the passage region 60f, and the fourth region 60d. I will do it. That is, as shown in FIGS. 4 to 11, the substrate 100 orbits along the edge of the floating unit 10.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100h by 180°.
  • the substrate 100e passes through the process region 60e for the second time, the remaining half region that was not irradiated with the laser light during the first pass is irradiated with the laser light.
  • the substrate 100 circulates twice along the edge of the floating unit 10. Since the substrate 100 is rotated by 180° between the first laser irradiation and the second laser irradiation, almost the entire surface of the substrate 100 is irradiated with the laser light.
  • the position at which the substrate 100 is rotated is not limited to the first region 60a. For example, it may be performed in the second region 60b, the third region 60c, or the fourth region 60d.
  • the moving mechanism 13b transports the holding mechanism 12b in a direction inclined from the x direction perpendicular to the irradiation area 15a. Therefore, the crystallization process of the silicon film can be performed appropriately. For example, the occurrence of moiré can be prevented and display quality can be improved.
  • the transport direction of the substrate 100 may be the X direction. In a top view, the transport direction of the substrate 100 may be a direction inclined from the Y direction. That is, the direction of conveyance of the substrate may be parallel to the X direction or may be a direction inclined from the X direction.
  • the transport device 600 may be provided with a nozzle unit.
  • the nozzle unit provided in the transport device 600 will be described below.
  • FIG. 12 is a side sectional view schematically showing the configuration of the floating unit 10. In FIG. 12, components other than the floating unit 10 and its surroundings are omitted.
  • the floating unit 10 includes a pedestal 120, a floating unit cell 131, and a nozzle unit 140.
  • the floating unit 10 includes a plurality of floating unit cells 131.
  • the levitation unit cell 131 is a precision levitation unit 111, a semi-precision levitation unit 112, or a rough levitation unit 113.
  • a plurality of floating unit cells 131 are fixed to the pedestal 120. Since FIG. 2 is a simplified diagram, only two floating unit cells 131 are shown, but a large number of floating unit cells 131 are arranged along the X direction and the Y direction throughout the floating unit 10. .
  • One floating unit cell 131 is formed as one porous block or metal block. In a top view, the floating unit cell 131 is formed, for example, in a rectangular or trapezoidal shape. The floating unit cells 131 are arranged, for example, along the X direction or the Y direction. The upper surface of the floating unit cell 131 becomes a gas ejection surface.
  • a plurality of floating unit cells 131 are fixed on the pedestal 120.
  • the pedestal 120 is made of a metal material such as an aluminum alloy.
  • a floating unit cell 131 is attached to the upper surface of the pedestal 120 with bolts or the like. Note that in order to control the flying height of the substrate 100 with high precision, it is preferable to increase the flatness of the upper surface of the pedestal 120.
  • the upper surface of the pedestal 120 may be polished. Thereby, the heights of the upper surfaces of the plurality of floating unit cells 131 can be made uniform.
  • a nozzle unit 140 is provided in the gap 132 between two adjacent floating unit cells 131. That is, a gap 132 wider than the nozzle unit 140 is provided between two adjacent floating unit cells 131 .
  • the nozzle unit 140 is arranged in the gap 132.
  • the gap 132 is, for example, a groove having a predetermined width.
  • a nozzle unit 140 is arranged along the gap 132.
  • the nozzle unit 140 is disposed below the substrate 100 and ejects compressed gas toward the lower surface of the substrate 100.
  • the nozzle unit 140 ejects gas at a higher ejection speed than the floating unit cell 131.
  • the nozzle unit 140 By providing the nozzle unit 140 in the floating unit 10, it is possible to prevent the end of the substrate 100 from coming into contact with the floating unit cell 131.
  • the nozzle unit 140 is placed directly below a location through which an end or a corner of the substrate 100 passes. By doing so, even if the edges and corners of the substrate 100 hang down, the edges of the substrate 100 can be prevented from coming into contact with the floating unit 10. Therefore, the substrate 100 can be transported appropriately.
  • FIG. 13 shows a top view, a side view, and a front view of the nozzle unit 140.
  • the nozzle unit 140 includes a main body portion 141 , a jetting portion 142 , and a connecting portion 145 .
  • a spouting part 142 is provided on the upper surface of the main body part 141.
  • a connecting portion 145 is provided on the side surface of the main body portion 141 .
  • the main body portion 141 is fixed to the base 120 with screws, bolts, or the like.
  • the connecting portion 145 has a joint, to which a gas pipe or the like is connected.
  • the ejection part 142 has an ejection port that ejects gas upward.
  • the spouting part 142 has a nozzle arranged upward. This makes it possible to increase the speed at which gas is ejected upward. Further, the gas ejection speed of the nozzle unit 140 may be higher than the gas ejection speed of the floating unit cell 131.
  • the substrate 100 can be prevented from hanging down while floating, and the substrate 100 can be prevented from coming into contact with the floating unit 10.
  • the main body 141 is a hollow block and has an internal space 146.
  • the spouting part 142 and the connecting part 145 are connected through the internal space 146 of the main body part 141 .
  • a compressed gas such as dry air or dry nitrogen is supplied from a gas pipe connected to the connecting portion 145 .
  • Gas passes through the internal space 146 of the main body portion 141 and is ejected upward from the ejection portion 142 . Gas can be ejected toward the lower surface of the substrate 100.
  • the substrate 100 can be prevented from hanging down while floating, and the substrate 100 can be prevented from coming into contact with the floating unit 10.
  • the main body portion 141 may be a manifold having a plurality of ejection portions 142.
  • four spouts 142 are provided on the upper surface of the main body 141.
  • Each of the ejection parts 142 has a nozzle that ejects gas upward. Therefore, gas is ejected upward from the four locations. By doing so, it is possible to more effectively prevent the moving substrate 100 from sagging.
  • two connecting portions 145 are provided on the main body portion 141.
  • the two connecting parts 145 are provided on opposite sides of the main body part 141.
  • two nozzle units 140 can be connected in series. That is, two nozzle units 140 as shown in FIG. 14 are arranged side by side so that their respective connection parts 145 face each other.
  • the connecting portion 145 of one nozzle unit 140 and the connecting portion 145 of the other nozzle unit 140 are connected by gas piping. Thereby, gas flows from one nozzle unit 140 to the other nozzle unit 140. By doing so, a plurality of nozzle units 140 can be connected in series. Therefore, the nozzle unit 140 can be placed at any position on the floating unit 10.
  • the transport method using the transport device having the nozzle unit 140 described above includes the following steps C1 and C2.
  • Step C1 A step of transporting the substrate in the transport direction by the moving mechanism moving the holding mechanism.
  • Step C2 A step of causing the nozzle unit to eject gas to an end of the substrate being transported.
  • the nozzle unit 140 can be arranged locally in the floating unit 10. In other words, the nozzle unit 140 only needs to be provided at a location through which the end or corner of the substrate 100 passes. Furthermore, the nozzle unit 140 may be arranged at a location where the gap 132 becomes wider. An example of the arrangement of the nozzle unit 140 will be described later.
  • the ejection of gas from the nozzle unit 140 may be controlled depending on the transport position of the substrate 100.
  • the supply of gas to the nozzle unit 140 may be linked to the transportation of the substrate 100.
  • the nozzle unit 140 may eject the gas at a timing when the edge or corner of the substrate 100 is directly above the nozzle unit 140. Therefore, the nozzle unit 140 may eject gas or may stop ejecting gas at a timing when the edge or corner of the substrate 100 is not directly above the nozzle unit 140.
  • the ejection of gas can be controlled by turning on and off a valve. Thereby, generation of gas accumulation can be suppressed, so that the substrate 100 can be appropriately transported.
  • gas is supplied to the nozzle unit 140 while the substrate 100 passes directly above the nozzle unit 140.
  • the nozzle unit 140 ejects gas at or just before the edge or corner of the substrate 100 passes directly above the nozzle unit 140 .
  • the supply of gas to the nozzle unit 140 may be stopped while the substrate 100 is not directly above the nozzle unit 140.
  • the nozzle unit 140 stops ejecting gas depending on the transport position of the substrate 100. For example, while some nozzle units 140 are ejecting gas, other nozzle units 140 stop ejecting gas.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining an example arrangement of the nozzle unit 140. Specifically, FIG. 15 is a top view showing the configuration of the fourth region 60d of the floating unit 10 and its surroundings. Therefore, an end floating unit 671 is provided on the -X side of the floating unit 10, and an end floating unit 676 is provided on the -Y side.
  • a plurality of floating unit cells 131 are provided in the fourth region 60d.
  • the end floating unit 671 has a plurality of floating unit cells 131.
  • the end floating unit 676 has a plurality of floating unit cells 131.
  • the floating unit cell 131 is formed in a rectangular shape along the X direction and the Y direction. Therefore, the gap 132 is formed along the X direction or the Y direction.
  • the orientation of the floating unit cell 131 is different. That is, the fourth region 60d is provided with a floating unit cell 131 whose longitudinal direction is in the X direction and a floating unit cell 131 whose longitudinal direction is in the Y direction.
  • a rectangular floating unit cell 131 whose longitudinal direction is in the X direction is shown as a floating unit cell 131a
  • a rectangular floating unit cell 131 whose longitudinal direction is in the Y direction is shown as a floating unit cell 131b. .
  • the nozzle unit 140 is provided at a location A where the floating unit cell 131a and the floating unit cell 131b are adjacent to each other.
  • the directions of the floating unit cell 131 are different. Therefore, at point A, the direction of the substrate floating behavior changes by 90 degrees.
  • the corners and ends of the substrate 100 pass through the location A.
  • the flying height tends to decrease. Therefore, the nozzle unit 140 is placed at location A. This can prevent the ends of the substrate 100 from sagging during transportation in the +Y direction.
  • a rotation mechanism 68 may be provided in the fourth region 60d.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100 around a rotation axis parallel to the Z-axis.
  • FIG. 15 shows a trajectory B that the corner of the substrate 100 passes due to the rotation of the rotation mechanism 68.
  • the trajectory B is circular with the rotation axis of the rotation mechanism 68 as the center.
  • the nozzle unit 140 is placed on the trajectory B. Therefore, the nozzle unit 140 is arranged directly below the trajectory B through which the corner of the substrate 100 passes when the substrate 100 is rotated. This can prevent the ends of the substrate 100 from hanging down when the substrate 100 is rotated.
  • the nozzle unit 140 is arranged in the gap 132 through which the corner of the substrate 100 passes when the substrate 100 rotates. Note that it is preferable to arrange the nozzle unit 140 in all or almost all of the gap 132 immediately below the trajectory B of the corner. Of course, the nozzle unit 140 does not have to be placed in all of the gaps 132 directly below the trajectory B. For example, directly below the trajectory B, the nozzle unit 140 may not be provided in the gap 132 at a position where it interferes with the transport unit 11. It is preferable that the nozzle unit 140 is arranged so that the gas is sprayed onto the corners of the substrate 100 and the periphery thereof.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining arrangement example 3 of the nozzle unit 140. Specifically, FIG. 16 is a top view showing the configuration of the first region 60a of the floating unit 10 and its surroundings. An end floating unit 673 is provided on the +Y side of the floating unit 10. In FIG. 16, the nozzle unit 140 is provided at location C.
  • the floating unit cell 131 provided at the end on the +Y side is defined as a floating unit cell 131c.
  • the floating unit cell 131c has a trapezoidal shape with one side parallel to the transport direction.
  • the floating unit cell 131 of the end floating unit 673 is referred to as a floating unit cell 131d.
  • a gap 132c is provided between the floating unit cell 131c and the floating unit cell 131d.
  • the gap 132c is parallel to the conveyance direction. In other words, the gap 132c is in a direction different from the X direction and the Y direction.
  • the gap 132c is parallel to the inclined side 10e.
  • the transport unit 11b moves through the gap 132c.
  • a nozzle unit 140 is provided in the gap 132c. The nozzle unit 140 is arranged so as not to interfere with the movement of the transport unit 11b.
  • the transport unit 11a moves the substrate 100 in the Y direction (see FIG. 5).
  • the end of the substrate 100 crosses the gap 132c and reaches directly above the floating unit cell 131d.
  • the location where the nozzle unit 140 is placed is not limited to the above-described placement examples 1 to 3, and may be placed at other locations. For example, if there is a location where the gap 132 becomes wide due to the arrangement of the floating unit cells, the nozzle unit 140 may be placed at that location. Further, the nozzle unit 140 does not have to be arranged in any one or more of the arrangement examples 1 to 3. Furthermore, the nozzle unit 140 can be omitted.
  • FIG. 17 is a diagram schematically showing the difference in height between the end floating unit 671 and the floating unit 10.
  • the edges of the substrate 100 tend to hang down, so they are lower than the center of the substrate 100.
  • the upper surface of the floating unit cell 131 of the end floating unit 671 is made lower than the upper surface of the floating unit cell 131 of the floating unit 10. That is, the floating unit cell 131 located directly below the edge of the substrate 100 is arranged to be lower than the floating unit cell 131 located directly below the center of the substrate 100.
  • the floating unit cell 131 of the end floating unit 671 is arranged to be lower than the floating unit cell 131 of the floating unit 10. That is, a slight step is provided between the upper surface (ejection surface) of the floating unit 10 and the upper surface (ejection surface) of the end floating unit 671.
  • the floating unit cells 131 of the other end floating units 672 to 676 may be similarly lowered. Furthermore, the floating unit cell 131 does not have to be low in at least one or all of the end floating units 671 to 676.
  • a height adjustment mechanism 1311 is arranged between the pedestal 120 and the floating unit cell 131.
  • the height adjustment mechanism 1311 has, for example, a wedge shape, and is inserted between the pedestal 120 and the floating unit cell 131 from the outside.
  • the upper surface (floating surface) of the floating unit cell 131 of the end floating unit 671 becomes an inclined surface that becomes higher toward the outside.
  • the height adjustment mechanism 1311 may include a leveling bolt or the like for adjusting the height. By rotating a height adjustment screw provided in the height adjustment mechanism 1311, the height of the outside of the floating unit cell 131 is changed. By doing so, the inclination angle of the air bearing surface can be adjusted.
  • the floating unit cell 131 blows out gas obliquely upward.
  • the gas from the floating unit cell 131 is ejected upward and toward the center of the substrate.
  • the upper surface of the floating unit cell 131 of the end floating unit 671 is a plane inclined from the XY plane. Then, gas is ejected in a direction perpendicular to the upper surface of the floating unit cell 131.
  • the substrate 100 is levitated by the gas ejected from the flotation unit 10. For this reason, when the size of the substrate 100 increases, gas may remain between the substrate 100 and the floating unit 10. For example, if the rough floating area 33 is sufficiently large relative to the substrate 100 and the floating unit cell 131 arranges the pedestal 120 without any gaps, a large amount of gas will remain in the air gap between the substrate 100 and the floating unit 10. I end up. In such a case, there is a risk that a dome phenomenon may occur in which the flying height near the center of the substrate 100 becomes large and the flying height at the ends becomes extremely low.
  • FIG. 19 is a top view schematically showing the configuration of the floating unit 10.
  • FIG. 20 is a side view schematically showing the configuration of the floating unit 10. Note that FIGS. 19 and 20 show a partial configuration of the floating unit 10, and the configuration is simplified as appropriate.
  • the pedestal 120 is provided with an escape hole 122.
  • the escape hole 122 is a through hole that penetrates the pedestal 120 in the Z direction.
  • the escape hole 122 is provided so as to reach the gap 132. Therefore, the escape hole 122 is exposed on the upper surface of the pedestal 120.
  • a plurality of rough floating units 113 are arranged at predetermined intervals in the X direction and the Y direction.
  • the rough floating units 113 are arranged in a two-dimensional array.
  • a gap 132 provided between the rough floating units 113 is parallel to the X direction and the Y direction. In other words, the gaps 132 are formed in a lattice shape along the X direction and the Y direction.
  • a plurality of escape holes 122 are formed in the gap 132.
  • a plurality of relief holes 122 are arranged in an array along the X direction and the Y direction.
  • FIGS. 21 to 24 are schematic diagrams for explaining the operation of loading the substrate 100 into the fourth region 60d.
  • 21 to 23 are top views schematically showing the fourth region 60d and the transfer machine 900.
  • FIG. 24 is a side view schematically showing the raising and lowering operation of the pusher pin 701.
  • a transfer machine 900 is provided on the -X side of the fourth area 60d.
  • the transfer machine 900 includes, for example, a hand 901 and an arm mechanism 902.
  • Hand 901 holds substrate 100 . That is, the substrate 100 is placed on the hand 901.
  • Arm mechanism 902 moves hand 901.
  • the arm mechanism 902 expands and contracts in the X direction, for example.
  • the hand 901 is transferred in the X direction by the arm mechanism 902.
  • the X direction is the transfer direction.
  • the -X direction is also called the transfer machine side.
  • the transfer machine 900 is a loader that transfers the substrate 100 to the fourth area 60d.
  • the transfer device 900 may be an unloader that transfers the substrate 100 from the fourth region 60d.
  • a plurality of pusher pins 701 are provided in the fourth region 60d so as to be movable up and down.
  • the plurality of pusher pins 701 are elevating pins that move up and down.
  • the pusher pin 701 moves up and down to receive the substrate 100 from the hand 901.
  • the plurality of pusher pins 701 are arranged at predetermined intervals in the X direction and the Y direction.
  • a plurality of pusher pins 701 are scattered in a gas ejection region 710.
  • the pusher pin 701 vertically passes through the floating unit 10 (see FIG. 24). That is, the floating unit 10 is provided with a through hole for installing the pusher pin 701.
  • the pusher pin 701 may be arranged in the gap 132 between two adjacent floating unit cells 131. Note that although the pusher pin 701 has a circular shape when viewed from above, the planar shape of the pusher pin 701 is not limited to the circular shape.
  • a rotation mechanism 68 is provided between the plurality of pusher pins 701. That is, the plurality of pusher pins 701 are arranged so as not to interfere with the rotation mechanism 68. Therefore, in order to avoid the rotation mechanism 68, the pusher pins 701 are not spaced at equal intervals in the vicinity of the rotation mechanism 68. Similarly, the plurality of pusher pins 701 are arranged so that the hand 901 does not interfere with them (see FIG. 22). For example, the hand 901 has a comb shape with a plurality of claws so as not to come into contact with the plurality of pusher pins 701.
  • the plurality of pusher pins 701 move up and down in conjunction.
  • the pusher pin 701 is a rod-shaped member extending in the Z direction, and its lower end is connected to the elevating base 702.
  • a plurality of pusher pins 701 are fixed to one elevating base 702.
  • the elevating base 702 supports the plurality of pusher pins 701.
  • the elevating mechanism 703 has an actuator such as a motor and a cylinder, and expands and contracts up and down.
  • a lifting mechanism 703 raises and lowers the lifting base 702.
  • the lifting mechanism 703 and the lifting base 702 are arranged below the floating unit 10.
  • the height at which the pusher pin 701 receives the substrate 100 is shown as the raised position.
  • the height when the pusher pin 701 is lowered and becomes lower than the upper surface of the floating unit 10 is shown as the lowered position.
  • the substrate 100 is floating above the floating unit 10.
  • the height of the substrate 100 at the lowered position is defined as the flying height.
  • FIG. 21 shows the state before transfer, that is, the state in which the hand 901 holds the substrate 100.
  • the substrate 100 and the hand 901 are in a standby position outside the floating unit 10.
  • the pusher pin 701 is in the lowered position.
  • FIG. 22 shows a state in which the hand 901 and the substrate 100 have been moved to the carry-in position above the fourth region 60d.
  • the elevating mechanism 703 raises the elevating base 702 and pusher pin 701 to the raised position (see FIG. 24).
  • the substrate 100 comes into contact with the tip of the pusher pin 701.
  • the substrate 100 is lifted from the hand 901 and transferred to the pusher pin 701. That is, the substrate 100 is in contact with the pusher pin 701 and not in contact with the hand 901.
  • the hand 901 is retreated from the fourth region 60d, as shown in FIG. That is, the hand 901 returns to the standby position.
  • the lifting mechanism 703 lowers the lifting base 702 and the pusher pin 701.
  • the substrate 100 descends, the substrate 100 approaches the floating unit 10.
  • the upper end of the pusher pin 701 moves below the upper surface of the floating unit 10.
  • the substrate 100 is lowered to the floating height, and the substrate 100 is in a state of floating above the floating unit 10. In other words, the pusher pin 701 and the substrate 100 are in a non-contact state.
  • the ends of the substrate 100 can be supported. Therefore, the deflection of the substrate 100 can be reduced.
  • the substrate 100 can be appropriately supported. It is possible to prevent the substrate 100 from coming into contact with the floating unit 10 when transferring the substrate 100 from the outside. Note that when transferring the substrate 100 from the fourth region 60d, the operation opposite to the above may be performed. The substrate 100 can be appropriately transferred from the floating unit 10.
  • the substrate can be transferred to the above-mentioned transport device 600.
  • the transfer method includes the following steps A1 to A3.
  • A1 A step of receiving the substrate carried into the carry-in area by the transfer machine 900 by lifting the plurality of pusher pins.
  • A2) Step of moving the transfer machine 900 to a standby position outside the carry-in area.
  • A3) Step of lowering the substrate 100 to the floating height of the floating unit 10 by lowering the plurality of pusher pins.
  • FIG. 25 is a top view schematically showing the loading mechanism
  • FIG. 26 is a side view.
  • a pusher bar 751 is provided in addition to the pusher pin 701. Descriptions of the basic configuration other than the pusher bar 751 will be omitted as appropriate. For example, the configuration and operation of the pusher pin 701 are the same as those described above, so the description will be omitted.
  • An end floating unit 671 is provided on the transfer machine 900 side of the floating unit 10. That is, the transfer device 900 is provided on the -X side of the end floating unit 671.
  • a transport unit 11a is provided in a space 721 between the end floating unit 671 and the floating unit 10.
  • the holding mechanism 12a of the transport unit 11a moves in the space 721 in the Y direction. Therefore, the holding mechanism 12a passes between the end floating unit 671 and the floating unit 10.
  • the floating unit 10 is provided with a plurality of pusher pins 701.
  • the plurality of pusher pins 701 are arranged in the through holes of the floating unit cells 131 or in the gaps 132 between the floating unit cells.
  • a pusher bar 751 is provided on the transfer machine 900 side of the end floating unit 671.
  • the pusher bar 751 extends along the X direction, that is, the transfer direction.
  • a plurality of pusher bars 751 are arranged in a row at intervals in the Y direction.
  • the number of pusher bars 751 is not particularly limited. Pusher bar 751 is arranged so as not to interfere with hand 901.
  • the pusher bar 751 moves up and down in conjunction with the pusher pin 701. For example, when receiving the substrate 100, the pusher bar 751 and the pusher pin 701 move to the raised position. Further, when lowering the substrate 100 to the flying height, the pusher bar 751 and the pusher pin 701 move to the lowered position.
  • the pusher bar 751 is an L-shaped member, and has a rod-shaped portion extending in the X direction and a rod-shaped portion extending in the Z direction.
  • a portion of the pusher bar 751 extending in the Z direction is arranged on the -X side of the end floating unit 671.
  • the pusher bar 751 extends from the upper side of the end floating unit 671 to the lower side.
  • the lower end of the pusher bar 751 is connected to an elevating base 752.
  • the plurality of pusher bars 751 are fixed to one elevating base 752. In other words, the elevating base 702 supports a plurality of pusher bars 751.
  • a lifting mechanism 753 having an actuator raises and lowers the lifting base 752.
  • the elevating mechanism 753 expands and contracts up and down.
  • the lifting mechanism 753 and the lifting base 752 are arranged below the end floating unit 671.
  • FIG. 26 the height at which the pusher pin 701 and the pusher bar 751 receive the substrate 100 is shown as a raised position. Further, the height when the pusher pin 701 and the pusher bar 751 are lowered to be lower than the upper surfaces of the floating unit 10 and the end floating unit 671 is shown as the lowered position.
  • the plurality of pusher bars 751 are raised and lowered in conjunction with the raising and lowering operation of the raising and lowering mechanism 753. Further, the elevating mechanism 703 and the elevating mechanism 753 operate in conjunction with each other. Therefore, the pusher bar 751 moves up and down in conjunction with the pusher pin 701.
  • the elevating mechanism 753 and the elevating mechanism 703 are shown as separate bodies in FIG. 26, the elevating mechanism 753 and the elevating mechanism 703 may be a common mechanism. That is, the pusher pin 701 and the pusher bar 751 may be moved up and down using one actuator.
  • the elevating base 752 and the elevating base 702 may be integrated. Alternatively, the elevating base 752 and the elevating base 702 may be connected. Thereby, the pusher pin 701 and the pusher bar 751 can be moved up and down in conjunction with each other using one actuator.
  • the pusher bar 751 extends from the ⁇ X side of the end floating unit 671 to the +X side.
  • the tip of the pusher bar 751 protrudes beyond the +X side end of the end floating unit. That is, the tip of the pusher bar 751 extends to the space 721 between the end floating unit 671 and the floating unit 10.
  • the tip of the pusher bar 751 protrudes from the end floating unit 671 toward the +X side.
  • the pusher bar 751 is arranged so as not to interfere with the transport unit 11a. In other words, even when the transport unit 11a transports the substrate 100 in the Y direction, the pusher bar 751 does not contact the holding mechanism 12a, the moving mechanism 13a, etc.
  • the +X side tip of the pusher bar 751 supports the end of the substrate 100. That is, the tip of the pusher bar 751 on the +X side contacts the end of the substrate 100 on the -X side.
  • the pusher pin 701 and the pusher bar 751 can lift the substrate 100 from the hand 901, so that the substrate 100 can be transferred.
  • the substrate 100 is lowered to the flying height.
  • the end of the substrate 100 can be supported. Deflection of the substrate 100 can be reduced.
  • the substrate 100 can be appropriately supported. It is possible to prevent the substrate 100 from coming into contact with the floating unit 10 when transferring the substrate 100 from the outside.
  • the operation opposite to the above may be performed. Even when carrying out a substrate, the substrate 100 can be appropriately transferred from the floating unit 10.
  • the longitudinal direction of the rectangular substrate 100 is parallel to the transfer direction. That is, when viewed from above, the substrate 100 has a rectangular shape, and the longitudinal direction of the substrate 100 is parallel to the X direction, and the lateral direction is parallel to the Y direction.
  • the rotation mechanism 68 rotates the substrate 100 by 90 degrees around the z-axis (see FIG. 15). Thereby, the substrate 100 is transported in the Y direction with the longitudinal direction of the substrate 100 being parallel to the Y direction. That is, the rotation mechanism 68 may rotate the substrate 100 after the transfer and before the start of transportation.
  • the longitudinal direction of the substrate 100 is not limited to a direction parallel to the transfer direction, but may be a direction perpendicular to the transfer direction. Further, the direction is not limited to parallel to the longitudinal direction of the substrate 100 during transportation in the Y direction, but may be perpendicular to the longitudinal direction of the substrate 100.
  • the pusher bar 751 can be provided around the end of the floating unit 10 on the transfer machine side.
  • the configuration of this modification will be explained using FIG. 27.
  • the arrangement of the pusher bar 751 is different from that in FIG. 25. Descriptions of the configuration other than the arrangement of the pusher bar 751 will be omitted as appropriate.
  • the pusher bar 751 is arranged in the fourth region 60d. That is, when viewed from above, the pusher bar 751 is arranged so as to overlap the floating unit 10. Further, in FIG. 27, the tip of the pusher bar 751 does not protrude toward the ⁇ X side of the floating unit 10, but it may protrude. Further, the pusher bar 751 is arranged so as not to interfere with the transport unit 11a.
  • the end portion of the substrate 100 can be supported. Deflection of the substrate 100 can be reduced.
  • the substrate 100 can be appropriately supported. It is possible to prevent the substrate 100 from coming into contact with the floating unit 10 when transferring the substrate 100 from the outside. Note that the rotation mechanism 68 can be omitted.
  • the pusher bar 751 moves up and down in conjunction with the pusher pin 701.
  • the method of transferring to a transport device having a pusher bar includes the following steps B1 to B3.
  • (B1) A step of lifting the plurality of pusher pins and the pusher bar to receive the substrate carried into the carry-in area by the transfer machine.
  • (B2) A step of moving the transfer device to a standby position outside the carry-in area.
  • (B3) lowering the substrate to the floating height of the floating unit by lowering the plurality of pusher pins and pusher bars;
  • the semiconductor device having the polysilicon film described above is suitable for a TFT (Thin Film Transistor) array substrate for an organic EL (Electro Luminescence) display. That is, the polysilicon film is used as a semiconductor layer having a source region, a channel region, and a drain region of a TFT.
  • TFT Thin Film Transistor
  • organic EL Electro Luminescence
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a simplified pixel circuit of an organic EL display.
  • the organic EL display 300 shown in FIG. 28 is an active matrix display device in which a TFT is arranged in each pixel PX.
  • the organic EL display 300 includes a substrate 310, a TFT layer 311, an organic layer 312, a color filter layer 313, and a sealing substrate 314.
  • FIG. 28 shows a top emission type organic EL display in which the sealing substrate 314 side is the viewing side. Note that the following description shows an example of the configuration of an organic EL display, and the present embodiment is not limited to the configuration described below.
  • the semiconductor device according to this embodiment may be used in a bottom emission type organic EL display.
  • the substrate 310 is a glass substrate or a metal substrate.
  • a TFT layer 311 is provided on the substrate 310.
  • the TFT layer 311 has a TFT 311a arranged in each pixel PX. Furthermore, the TFT layer 311 has wiring (not shown) etc. connected to the TFT 311a.
  • the TFT 311a, wiring, etc. constitute a pixel circuit.
  • An organic layer 312 is provided on the TFT layer 311.
  • the organic layer 312 has an organic EL light emitting element 312a arranged for each pixel PX. Further, the organic layer 312 is provided with partition walls 312b for separating the organic EL light emitting elements 312a between the pixels PX.
  • a color filter layer 313 is provided on the organic layer 312.
  • the color filter layer 313 is provided with a color filter 313a for performing color display. That is, each pixel PX is provided with a resin layer colored R (red), G (green), or B (blue) as a color filter 313a.
  • a sealing substrate 314 is provided on the color filter layer 313.
  • the sealing substrate 314 is a transparent substrate such as a glass substrate, and is provided to prevent the organic EL light emitting elements of the organic layer 312 from deteriorating.
  • the current flowing through the organic EL light emitting element 312a of the organic layer 312 changes depending on the display signal supplied to the pixel circuit. Therefore, by supplying each pixel PX with a display signal corresponding to the displayed image, the amount of light emitted by each pixel PX can be controlled. Thereby, a desired image can be displayed.
  • one pixel PX is provided with one or more TFTs (for example, a switching TFT or a driving TFT).
  • the TFT of each pixel PX is provided with a semiconductor layer having a source region, a channel region, and a drain region.
  • the polysilicon film according to this embodiment is suitable for a semiconductor layer of a TFT. That is, by using the polysilicon film manufactured by the above manufacturing method as the semiconductor layer of the TFT array substrate, in-plane variations in TFT characteristics can be suppressed. Therefore, a display device with excellent display characteristics can be manufactured with high productivity.
  • the method for manufacturing a semiconductor device using the laser irradiation apparatus according to this embodiment is suitable for manufacturing a TFT array substrate.
  • a method for manufacturing a semiconductor device having a TFT will be described with reference to FIGS. 29 and 30.
  • 29 and 30 are process cross-sectional views showing the manufacturing process of a semiconductor device.
  • a method for manufacturing a semiconductor device having an inverted staggered TFT will be described.
  • 29 and 30 show a polysilicon film forming step in a semiconductor manufacturing method. Note that for other manufacturing steps, known methods can be used, so descriptions thereof will be omitted.
  • a gate electrode 402 is formed on a glass substrate 401.
  • a gate insulating film 403 is formed on the gate electrode 402.
  • An amorphous silicon film 404 is formed on the gate insulating film 403.
  • the amorphous silicon film 404 is arranged so as to overlap the gate electrode 402 with the gate insulating film 403 in between.
  • a gate insulating film 403 and an amorphous silicon film 404 are successively formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the glass substrate 401 on which the amorphous silicon film 404 is formed is transported to the above-mentioned transport device 600.
  • a polysilicon film 405 is formed as shown in FIG. That is, the amorphous silicon film 404 is crystallized by the laser irradiation device 1 shown in FIG. 1 and the like.
  • a polysilicon film 405 in which silicon is crystallized is formed on the gate insulating film 403.
  • Polysilicon film 405 corresponds to the polysilicon film described above.
  • the transport device 600 is transporting the glass substrate 401, the laser beam L1 is irradiated.
  • the amorphous silicon film 404 is annealed and converted into a polysilicon film 405.
  • the laser annealing apparatus was described as forming a polysilicon film by irradiating an amorphous silicon film with laser light. It may also form a microcrystalline silicon film.
  • the laser beam used for annealing is not limited to the Nd:YAG laser.
  • the method according to this embodiment can also be applied to a laser annealing apparatus that crystallizes thin films other than silicon films. That is, the method according to this embodiment is applicable to any laser annealing apparatus that forms a crystallized film by irradiating an amorphous film with laser light. According to the laser annealing apparatus according to this embodiment, a substrate with a crystallized film can be appropriately modified.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include the following steps (s1) to (s3).
  • (s1) Step of forming an amorphous film on the substrate.
  • (s2) A step of transferring the substrate on which the amorphous film is formed to a transport device.
  • (s3) While transporting the substrate using the transport device, the substrate is irradiated with a line-shaped laser beam to crystallize the amorphous film to form a crystallized film. Step of annealing the membrane.
  • step S2 as described above, the substrate 100 is carried into the carrying area using the pusher pin 701 and the pusher bar 751. This makes it possible to support the edges of the substrate, thereby preventing the substrate from coming into contact with the floating unit. Thereby, semiconductor devices can be manufactured with high productivity.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes the following steps (t1) to (t3).
  • (t1) Step of forming an amorphous film on the substrate.
  • (t2) A step of transporting the substrate on which the amorphous film is formed using a transport device.
  • (t3) Annealing the amorphous film by irradiating the substrate being transported by the transport device with a line-shaped laser beam so as to crystallize the amorphous film and form a crystallized film. step.
  • the nozzle unit 140 jets gas to the end of the substrate 100 being transported.
  • the transport device 600 does not have to include all of the above configurations.
  • the transfer method, transport method, and manufacturing method do not need to include all of the steps described above.

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Abstract

本実施形態にかかる搬送装置は、ライン状のレーザ光（１５）を基板（１００）に照射するために、基板（１００）を搬送する搬送装置（６００）であって、基板（１００）が搬入される搬入領域を備え、基板をその上面で浮上させる浮上ユニット（１０）と、浮上ユニット上の基板を保持する第１の保持機構と、レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、浮上ユニットの搬入領域に配置され、基板を移載する移載機から基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピン（５０１）と、浮上ユニットの搬入領域において複数のプッシャピンの間に配置され、基板を回転させる回転機構（６８）と、を備えている。

Description

搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法
　本発明は搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
　特許文献１には、多結晶シリコン薄膜を形成するためのレーザアニール装置が開示されている。特許文献１では、レーザ光がライン状の照射領域を形成するように、プロジェクションレンズがレーザ光を基板上に集光している。これにより、アモルファスシリコン膜が結晶化して、ポリシリコン膜となる。
　特許文献１では、浮上ユニットが基板を浮上した状態で、搬送ユニットが基板を搬送している。さらに、浮上ユニットにおいて、基板の搬入位置と搬出位置が共通となっている。搬送ユニットは、浮上ユニットの各々の辺に沿って基板を搬送する。そして、基板が浮上ユニットの上を２回循環することで、基板のほぼ全面にレーザ光が照射される。
特開２０１８－６４０４８号公報
　このようなレーザ照射装置の搬送装置では、高速かつ安定してレーザ照射プロセスが実行されるように、基板を適切に搬送することが望まれる。
　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、前記浮上ユニットの搬入領域において前記複数のプッシャピンの間に配置され、前記基板を回転させる回転機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、前記端部浮上ユニットと、前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、前記第２の保持機構が前記端部浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の保持機構と、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送装置は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、複数の浮上ユニットセルを備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた搬送方向に前記保持機構を移動する移動機構と、隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間に設けられ、前記基板の端部に向けて気体を噴出するノズルユニットと、を備えている。
　一実施の形態によれば、移載方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために前記基板を搬送する搬送装置に対して前記基板を移載する移載方法であって、前記搬送装置は、基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、前記浮上ユニットの搬入領域において前記複数のプッシャピンの間に配置され、前記基板を回転させる回転機構と、を備え、移載方法は、（Ａ１）前記複数のプッシャピンを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、（Ａ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、（Ａ３）前記複数のプッシャピンを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備える。
　一実施の形態によれば、移載方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために前記基板を搬送する搬送装置に対して基板を移載する移載方法であって、前記搬送装置は、基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、前記端部浮上ユニットと、前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、前記第２の保持機構が前記端部浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の保持機構と、を備え、移載方法は、（Ｂ１）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、（Ｂ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、（Ｂ３）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、搬送方法は、ライン状のレーザ光を基板に照射するために、搬送装置を用いて前記基板を搬送する搬送方法であって、前記搬送装置が、複数の浮上ユニットセルを備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた搬送方向に前記保持機構を移動する移動機構と、隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間に設けられ、前記基板の端部に向けて気体を噴出するノズルユニットと、を備え、（Ｃ１）前記移動機構が前記保持機構を移動することで、前記基板を搬送方向に搬送するステップと、（Ｃ２）搬送中の前記基板の端部に前記ノズルユニットが気体を噴出するステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、（ｓ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置は、基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、前記浮上ユニットの搬入領域において前記複数のプッシャピンの間に配置され、前記基板を回転させる回転機構と、を備え、（ｓ２）前記移載するステップは、（ｓａ１）前記複数のプッシャピンを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、（ｓａ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、（ｓａ３）前記複数のプッシャピンを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｓ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、（ｓ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置は、基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、前記端部浮上ユニットと、前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、前記第２の保持機構が前記端部浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の保持機構と、を備え、（ｓｂ１）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、（ｓｂ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、（ｓｂ３）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えている。
　一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ｔ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、（ｔ２）搬送装置を用いて前記非晶質膜が形成された基板を搬送するステップと、（ｔ３）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、搬送装置によって搬送されている前記基板にライン状のレーザ光を照射して、前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、前記搬送装置が、複数の浮上ユニットセルを備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、前記浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた搬送方向に前記保持機構を移動する移動機構と、隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間に設けられ、前記基板の端部に向けて気体を噴出するノズルユニットと、を備え、前記（ｔ２）搬送するステップは、（ｔｃ１）前記移動機構が前記保持機構を移動することで、前記基板を搬送方向に搬送するステップと、（ｔｃ２）搬送中の前記基板の端部に前記ノズルユニットが気体を噴出するステップと、を備えている。
　前記一実施の形態によれば、レーザ照射プロセスに適した基板搬送を実現することができる。
レーザ照射装置に用いられる搬送装置の構成を模式的に示す上面図である。 レーザ照射装置を模式的に示す側面断面図である。 搬送装置の詳細構成を模式的に示す上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置での搬送工程を説明するための上面図である。 搬送装置のノズルユニットの配置を示す側面断面図である。 ノズルユニットの構成を示す図である。 変形例にかかるノズルユニットの構成を示す図である。 ノズルユニットの配置例を示す上面図である。 ノズルユニットの配置例３を示す上面図である。 端部浮上ユニットと浮上ユニットの高さの違いを示す図である。 端部浮上ユニットの変形例を示す図である。 逃がし穴を有する台座を模式的に示す上面図である。 逃がし穴を有する台座を模式的に示す側面図である。 基板の搬入動作を説明するための上面図である。 基板の搬入動作を説明するための上面図である。 基板の搬入動作を説明するための上面図である。 プッシャピンの昇降動作を説明するための側面図である。 プッシャバーを用いた構成を模式的に示す上面図である。 プッシャバーの昇降動作を説明するための側面図である。 プッシャバーを用いた構成の変形例を模式的に示す上面図である。 有機ＥＬディスプレイの構成を簡略化して示す断面図である。 本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
　本実施の形態にかかる搬送装置は、レーザアニール装置などのレーザ照射装置に用いられるものである。レーザアニール装置は、例えば、低温ポリシリコン(LTPS:Low Temperature Poly-Silicon)膜を形成するエキシマレーザアニール（ELA:Excimer laser Anneal）装置である。以下、図面を参照して本実施の形態にかかる搬送装置、レーザ照射装置、方法、及び製造方法について説明する。
実施の形態１．
　図１、及び図２を用いて、本実施の形態にかかる搬送装置、及びレーザ照射装置の基本構成について説明する。図１は、レーザ照射装置１の基本構成を模式的に示す上面図である。図２は、レーザ照射装置１の構成を模式的に示す側面断面図である。
　なお、図１，図２は、搬送装置、及びレーザ照射装置の基本的な構成のみを示す概念図であり、一部の構成については省略している。例えば、図１では、搬送装置６００が簡略化して示されている。具体的には、図１では、レーザ照射部１４、精密浮上領域３１、準精密浮上領域３２，ラフ浮上領域３３，精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２，ラフ浮上ユニット１１３が、省略されている。
　なお、以下に示す図では、説明の簡略化のため、適宜、ｘｙｚ３次元直交座標系を示している。ｚ方向は鉛直上下方向であり、ｙ方向はライン状の照射領域１５ａに沿ったライン方向である。ｘ方向は、ｚ方向、及びｙ方向と直交する方向である。つまり、ｙ方向はライン状の照射領域１５ａの長手方向であり、ｘ方向は長手方向と直交する短手方向とする。
　図１、図２に示すように、レーザ照射装置１は、浮上ユニット１０、搬送ユニット１１、及びレーザ照射部１４を備える。浮上ユニット１０と搬送ユニット１１とが搬送装置６００を構成する。
　図２に示すように、浮上ユニット１０は、浮上ユニット１０の表面からガスを噴出するように構成されている。浮上ユニット１０は、その上面で基板１００を浮上させる。浮上ユニット１０の表面から噴出されたガスが基板１００の下面に吹き付けられることで、基板１００が浮上する。例えば、基板１００はガラス基板である。基板１００が搬送される際、浮上ユニット１０は基板１００の上側に配置されている他の機構（不図示）に基板１００が接触しないように浮上量を調整している。
　浮上ユニット１０は、主に精密浮上領域３１と準精密浮上領域３２とラフ浮上領域３３に分けられる。精密浮上領域３１は、レーザ光１５の照射領域１５ａを含む領域である。すなわち、ｘｙ平面視において、精密浮上領域３１は、レーザ光の焦点（照射領域１５ａ）と重畳する領域である。精密浮上領域３１は、照射領域１５ａよりも大きい領域となっている。
　準精密浮上領域３２は、精密浮上領域３１と隣接する領域である。ｘ方向において、準精密浮上領域３２は、精密浮上領域３１の両側に配置されている。準精密浮上領域３２は、精密浮上領域３１よりも大きい領域となっている。
　ラフ浮上領域３３は、準精密浮上領域３２と隣接する領域である。つまり、準精密浮上領域３２は、ラフ浮上領域３３と精密浮上領域３１との間に配置されている。Ｘ方向において、ラフ浮上領域３３は、精密浮上領域３１の両側に配置されている。すなわち、ラフ浮上領域３３は、準精密浮上領域３２の＋ｘ側と－ｘ側に分離して配置されている。ｘｙ平面視において、準精密浮上領域３２、及びラフ浮上領域３３は、レーザ光の焦点（照射領域１５ａ）と重畳しない領域である。
　精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３は、それぞれ上方にガス（例えば、空気）を噴出している。また、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３から噴出されるガスは、窒素などの不活性ガスであってもよい。ガスが基板１００の下面に吹き付けられることで、基板１００が浮上する。よって、浮上ユニット１０と基板１００とが非接触の状態となる。さらに、精密浮上ユニット１１１、及び準精密浮上ユニット１１２は、基板１００と浮上ユニット１０との間に存在するガスを吸引している。ラフ浮上ユニット１１３は、準精密浮上ユニット１１２と同様にガスを吸引可能な構成となっている。
　精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３には、例えば、ガスを供給するためのガス供給源（不図示）が接続される。また、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３には、ガスを吸引するための真空発生源（不図示）が接続される。ガス供給源は、コンプレッサやガスボンベなどであり、圧縮ガスを供給する。真空発生源は、真空ポンプやエジェクタなどである。
　精密浮上ユニット１１１は、準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高い。準精密浮上ユニット１１２はラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高い。そして、最も浮上量の精度の高い精密浮上領域３１において、レーザ光が基板１００に照射される。例えば、準精密浮上ユニット１１２は、精密浮上ユニット１１１が基板１００を浮上させる際の精度とラフ浮上ユニット１１３が基板１００を浮上させる際の精度との間の精度で基板１００を浮上させるように構成されている。
　例えば、照射領域１５ａとその周辺の精密浮上領域３１では、基板１００の浮上量に高い精度が要求される。よって、浮上量を高い精度で制御することができる精密浮上ユニット１１１が用いられる。精密浮上ユニット１１１は、セラミックなどの多孔質体で形成された精密浮上ユニットとなる。多孔質体としては、ポーラスアルミナセラミック、ポーラスカーボン、又はポーラスＳｉＣセラミックなどを用いることができる。
　そして、精密浮上ユニット１１１は、上方に気体を噴出する。また、精密浮上ユニット１１１には、気体を吸引する吸引孔が設けられていてもよい。多孔質体には所定の間隔で上面に到達する吸引孔が加工されている。吸引孔は微細な孔であり、基板１００と精密浮上ユニットとの間に負圧を形成する。そして、多孔質体は吸引孔を除くほぼ全面から気体を噴出する。正圧を形成する噴出面は吸引孔を除くほぼ全面に形成される。
　準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３は、金属材料により形成されている。例えば、準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３は、中空部分を有する金属ブロックで形成される。そして、中空部分から金属ブロックの上面に到達する複数の噴出孔が形成される。さらに、金属ブロックには、気体を吸引する吸引孔が設けられていてもよい。なお、準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３のいずれか一方は省略可能である。
　ラフ浮上ユニット１１３、準精密浮上ユニット１１２、精密浮上ユニット１１１をまとめて浮上ユニットセル１３１とも称する。ラフ浮上領域３３には、複数のラフ浮上ユニット１１３が浮上ユニットセル１３１として設けられている。準精密浮上領域３２には、複数の準精密浮上ユニット１１２が浮上ユニットセル１３１として設けられている。精密浮上領域３１には、複数の精密浮上ユニット１１１が浮上ユニットセル１３１として設けられている。
　台座１２０は、例えば、アルミニウム製又はアルミニウム合金製の金属プレートである。精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３は、例えば、ボルト等により、台座１２０に固定されている。精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の上面は、実質的に同じ高さになっている。すなわち、浮上ユニット１０の上面（浮上面）は実質的に平面となっている。台座１２０の表面は、所定の平面度を有するように研磨加工などが施されていてもよい。また、台座１２０の内部には、ガスを噴出又は吸引するための流路となる内部空間（不図示）が設けられていてもよい。台座１２０の内部空間を介して、浮上ユニットセル１３１がガスを吸引または噴出してもよい。
　図１に示す搬送ユニット１１は、浮上している基板１００を搬送方向に搬送する。搬送ユニット１１は、保持機構１２と移動機構１３とを備える。保持機構１２は、基板１００を保持する。例えば、保持機構１２は、真空吸着機構を用いて構成することができる。真空吸着機構はアルミニウム合金などの金属材料により形成されている。あるいは、保持機構１２は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材などの樹脂系材料で形成されていてもよい。保持機構１２の上面には、吸着溝や吸着穴等が形成されている。保持機構１２は多孔質材料で形成されていても良い。
　保持機構１２（真空吸着機構）は、排気ポート（不図示）に接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどに接続されている。よって、保持機構１２にはガスを吸引するための負圧が作用するため、保持機構１２を用いて基板１００を保持することができる。
　また、保持機構１２は吸着動作を行うための昇降機構（不図示）を備えている。昇降機構は、例えば、エアシリンダやモータなどのアクチュエータ等を備えている。例えば、保持機構１２は吸着位置まで上昇した状態で、基板１００を吸着する。また、保持機構１２は、吸着を解除した状態で、待機位置まで下降する。
　保持機構１２は、基板１００のレーザ光１５が照射される面（上面）と逆側の面（下面）、つまり、基板１００の浮上ユニット１０と対向する側の面を吸引することで、基板１００を保持している。図１において、保持機構１２は、基板１００の＋ｙ方向における端部を保持している。
　搬送ユニット１１が備える移動機構１３は保持機構１２と連結されている。移動機構１３は、保持機構１２を搬送方向に移動可能に構成されている。搬送ユニット１１（保持機構１２及び移動機構１３）は、浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部側に設けられており、保持機構１２で基板１００を保持しつつ、移動機構１３が搬送方向に移動することで基板１００が搬送される。
　図１に示すように、例えば、移動機構１３は浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部を搬送方向に沿ってスライドするように構成されている。移動機構１３が浮上ユニット１０の端部を搬送方向に沿ってスライドすることで、基板１００が搬送方向に沿って搬送される。搬送方向は、ｘ方向から傾いた方向となっている。例えば、ｘ方向と搬送方向との成す角度をθとすると、θは０°より大きくなっている。
　したがって、上面視において浮上ユニット１０は、４辺を有する台形状になっている。具体的には、浮上ユニット１０は浮上ユニット１０のｙ方向に平行な２辺と、ｘ方向に平行な１辺と、ｘ方向から傾斜した１辺(傾斜辺１０ｅともいう)とを有している。もちろん、θは０°であってもよい。つまり、搬送方向はＸ方向と平行であってもよい。この場合、浮上ユニット１０の平面形状は、長方形とすることができる。
　移動機構１３の移動速度を制御することで、基板１００の搬送速度を制御することができる。移動機構１３は、例えば、図示しないモータなどのアクチュエータとリニアガイド機構やエアベアリング等を備えている。
　基板１００にはレーザ光１５が照射される。ここで、基板１００におけるレーザ光１５の照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向とするライン状となっている。つまり、照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向（ライン方向）とし、ｘ方向を短手方向としている。
　例えば、レーザ照射部１４はレーザ光を発生するエキシマレーザ光源等を有する。さらに、レーザ照射部１４はレーザ光を基板１００に導く光学系を有している。レーザ照射部１４は、レーザ光１５を基板１００に集光するレンズを有している。例えば、レーザ照射部１４は、ライン状の照射領域１５ａを形成するためのシリンドリカルレンズを有している。基板１００にはライン状、具体的には焦点がｙ方向に伸びるレーザ光１５（ラインビーム）が照射される。基板１００上にレーザ光１５の焦点が形成される。よって、面内ばらつきを抑制するために、精密浮上領域３１では、浮上量に高い精度が要求される。
　基板１００は、例えば、非晶質膜（アモルファスシリコン膜１０１ａ）が形成されたガラス基板である。非晶質膜にレーザ光１５を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、アモルファスシリコン膜１０１ａを、多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜１０１ｂ）に変換することができる。
　レーザ照射装置１では、浮上ユニット１０を用いて基板１００を浮上させながら、搬送ユニット１１を用いて基板１００の下面を保持して、基板１００を搬送方向に搬送している。このとき、レーザ照射装置１が備える搬送ユニット１１は、基板１００を搬送した際に、平面視において（つまりｚ方向からみて）、搬送ユニット１１が照射領域１５ａと重畳しない位置を保持して基板１００を搬送している。つまり、図１に示すように、基板１００を搬送方向に搬送した際に、搬送ユニット１１が基板１００を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）が、照射領域１５ａと重畳しないようにしている。
　例えば、基板１００の平面形状は４辺を有する四角形（矩形状）であり、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、基板１００の４辺中の１辺のみを保持している。そして、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、基板１００が搬送されている期間においてレーザ光が照射されない位置を保持している。
　このような構成とすることで、搬送ユニット１１が基板１００を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）と照射領域１５ａとを離間させることができる。照射領域１５ａは、基板１００の－ｙ側のほぼ半分となっており、かつ、搬送ユニット１１が＋ｙ側の端部を保持する。保持機構１２の近傍のたわみが大きくなる箇所と照射領域１５ａとの距離を大きくすることができる。よって、レーザ照射時における基板１００の保持機構１２に起因するたわみの影響を低減させることができる。
　ｙ方向において、照射領域１５ａの長さは、基板１００のほぼ半分程度の長さとなっている。したがって、基板１００が照射領域１５ａを１回通過することで、基板１００のほぼ半分の領域において、アモルファスシリコン膜１０１ａが結晶化する。そして、図示しない回転機構により、基板１００をｚ軸回りに１８０度回転した後、搬送ユニット１１が、基板１００を－ｘ方向に搬送する。あるいは、回転された基板１００を－ｘ方向に搬送後、搬送ユニット１１が、再度＋ｘ方向に搬送してもよい。そして、－ｘ方向の搬送時、あるいは、１８０度回転後の再度の＋ｘ方向への搬送時に、レーザ光が基板１００に照射される。これにより、基板１００が照射領域１５ａを通過して、基板１００の残りの半分の領域において、アモルファスシリコン膜１０１ａが結晶化する。このように、基板１００を往復移動させることで、基板１００のほぼ全体において、アモルファスシリコン膜１０１ａがポリシリコン膜１０１ｂに変換される。
　さらに、搬送方向がライン状の照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾いている。つまり、矩形状の基板１００の端辺から傾いた搬送方向に、基板１００が搬送されている。上面視において、搬送方向をｘ方向から傾いた方向にすることで、レーザ照射プロセスに適した基板搬送を実現することができる。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができ、表示品質を向上することができる。この構成により、例えば、モアレの発生を防ぐことができる。
　例えば、基板１００が有機ＥＬディスプレイ装置用のガラス基板とする。有機ＥＬディスプレイ装置の表示領域が矩形である場合、表示領域の端辺は、基板１００の端辺と平行に配置されることになる。つまり、有機ＥＬディスプレイ装置はｘ方向及びｙ方向を短辺とする矩形状の表示領域を有することになる。搬送方向がｘ方向と平行な場合、画素の配列方向と照射領域１５ａが平行になった状態で、レーザ光が基板１００に照射される。
　本実施の形態に示すように、搬送方向をｘ方向から傾いた方向にすることで、適切にレーザ照射プロセスを行うことができる。基板１００に対するレーザの照射位置を変えるよう、上面視において、ライン状の照射領域１５ａの長手方向と直交するｘ方向から傾いた搬送方向に移動機構１３が保持機構１２を移動する。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができる。例えば、モアレの発生を防ぐことができ、表示品質を向上することができる。
（周回搬送）
　次に、図３を用いて搬送装置６００の構成について説明する。図３は、搬送装置６００の構成を示す上面図である。なお、図１，図２で説明した内容と同様の内容については適宜説明を省略する。また、搬送装置６００は後述するノズルユニット１４０，プッシャピン７０１、プッシャバー７５１が省略されている。なお、ノズルユニット１４０，プッシャピン７０１、プッシャバー７５１は適宜省略可能である。
　搬送装置６００は、浮上ユニット１０と、端部浮上ユニット６７１～６７６と、を有している。浮上ユニット１０は被処理体である基板（図３では不図示）を浮上させる。上面視において、浮上ユニット１０は台形状になっている。浮上ユニット１０はｙ方向に平行な２辺と、ｘ方向に平行な１辺と、ｘ方向から傾斜した１辺(傾斜辺１０ｅともいう)とを有している。傾斜辺１０ｅとｘ方向との成す角度は、０°より大きくすることが好ましい。端部浮上ユニット６７１～６７６は浮上ユニット１０からはみ出した基板端部を浮上させる。
　以下、説明のため、上面視において、浮上ユニット１０を６つの領域６０ａ～６０ｆに分ける。具体的には、浮上ユニット１０が第１の領域６０ａ～第４の領域６０ｄと、プロセス領域６０ｅと、通過領域６０ｆとを備えている。第１の領域６０ａは、－ｘ側かつ＋ｙ側の角（図３における左上角）を含む台形状の領域である。第２の領域６０ｂは、＋ｘ側かつ＋ｙ側の角（図３における右上角）を含む台形状の領域である。第３の領域６０ｃは、＋ｘ側かつ－ｙ側の角（図３における右下角）を含む矩形状の領域である。第４の領域６０ｄは、－ｘ側かつ－ｙ側の角（図３における左下角）を含む矩形状の領域である。
　プロセス領域６０ｅは、第１の領域６０ａと第２の領域６０ｂとの間に配置された台形状の領域である。プロセス領域６０ｅは、レーザ光が照射される照射領域１５ａを含む領域である。通過領域６０ｆは、第３の領域６０ｃと第４の領域６０ｄとの間に配置された矩形状の領域である。
　浮上ユニット１０の＋ｙ側の半分の領域（図３の上半分の領域）は、－ｘ側（図３の左側）から順に、第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂとなっている。浮上ユニット１０の‐ｙ側の半分の領域（図３の下半分の領域）は、＋ｘ側から順に、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄとなっている。
　また、第４の領域６０ｄは、基板１００が搬入される搬入領域であり、かつ基板１００が搬出される搬出領域となる。例えば、第４の領域６０ｄの－Ｘ側には、移載ロボットなどの移載機（不図示）が設けられている。そして、移載機が基板１００を第４の領域６０ｄに搬入する。同様に、第４の領域６０ｄにある基板を移載機が搬出する。基板１００の搬入及び搬出には、後述するプッシャピンが用いられていても良い。プッシャピンを用いない構成を採用する場合、プッシャピンの代わりに、回転機構６８が基板１００の受け渡しを行うようにしてもよい。
　浮上ユニット１０は、回転機構６８、及びアライメント機構６９ａ、６９ｂを備えている。回転機構６８は基板を回転させる。アライメント機構６９ａ、６９ｂが基板のアライメントを行う。第１の領域６０ａ、第２の領域６０ｂにはそれぞれアライメント機構６９ａ、６９ｂが設けられている。第４の領域６０ｄには、回転機構６８が設けられている。回転機構６８とアライメント機構６９ａ、６９ｂ等の動作については後述する。
　端部浮上ユニット６７１～６７６は、浮上ユニット１０の外側に配置されている。台形状の浮上ユニット１０の外周に沿って、端部浮上ユニット６７１～６７６が配置されている。端部浮上ユニット６７１～６７６は、浮上ユニット１０の端辺に沿って設けられている。上面視において、端部浮上ユニット６７１～６７６は、浮上ユニット１０の外周を囲むように配置されている。
　端部浮上ユニット６７１、６７２が浮上ユニット１０の－ｘ側に配置されている。端部浮上ユニット６７３が浮上ユニット１０の＋ｙ側に配置されている。端部浮上ユニット６７４が浮上ユニット１０の＋ｘ側に配置されている。端部浮上ユニット６７５、６７６が浮上ユニット１０の－ｙ側に配置されている。
　端部浮上ユニット６７１、６７２は、浮上ユニット１０の－ｘ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７１、６７２はそれぞれｙ方向に沿って設けられている。また、ｘ方向における端部浮上ユニット６７１の幅は、端部浮上ユニット６７２よりも幅広になっている。端部浮上ユニット６７１は、端部浮上ユニット６７２の－ｙ側に配置されている。
　端部浮上ユニット６７３は、浮上ユニット１０の＋ｙ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７３は浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅに沿って設けられている。端部浮上ユニット６７４は、浮上ユニット１０の＋ｘ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７４はそれぞれｙ方向に沿って設けられている。
　端部浮上ユニット６７５、６７６は、浮上ユニット１０の－ｙ側の端辺に沿って配置されている。つまり、端部浮上ユニット６７５、６７６はそれぞれｘ方向に沿って設けられている。また、ｙ方向における端部浮上ユニット６７６の幅は、端部浮上ユニット６７５よりも幅広になっている。端部浮上ユニット６７６は、端部浮上ユニット６７５の－ｘ側に配置されている。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７１との間には、搬送ユニット１１ａが設けられている。搬送ユニット１１ａは、浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７２との間にも配置されている。搬送ユニット１１ａは、ｙ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ａは、＋ｙ方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ａは、基板１００を第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに向けて搬送する。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３との間には、搬送ユニット１１ｂが設けられている。搬送ユニット１１ｂは、傾斜辺１０ｅに沿って形成されている。搬送ユニット１１ｂは、傾斜辺１０ｅと平行な方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｂは、基板１００を第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに向けて搬送する。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７４との間には、搬送ユニット１１ｃが設けられている。搬送ユニット１１ｃは、ｙ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ｃは、－ｙ方向に基板１００を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｃは、基板１００を第２の領域６０ｂから第３の領域６０ｃに向けて搬送する。
　浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７５との間には、搬送ユニット１１ｄが設けられている。搬送ユニット１１ｄは、浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７６との間にも配置されている。搬送ユニット１１ｄは、ｘ方向に沿って形成されている。搬送ユニット１１ａは、－ｘ方向に基板を搬送する。つまり、搬送ユニット１１ｄは、基板を第３の領域６０ｃから第４の領域６０ｄに向けて搬送する。
　なお、搬送ユニット１１ａ～１１ｄは、図１で示した保持機構１２及び移動機構１３を備えている。保持機構１２及び移動機構１３の動作については、後述する。
　レーザ光の照射領域１５ａは、ｙ方向を長手方向としている。つまり、ｙ方向を長手方向とするライン状の照射領域１５ａが形成されている。基板１００が傾斜辺１０ｅと平行な方向に搬送されている間に、レーザ光が基板１００に照射される。第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに移動している間に、レーザ照射プロセスが実行される。本実施の形態においても、レーザ光源からのレーザ光を基板に照射することで、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換している。
　なお、浮上ユニット１０において、照射領域１５ａ、及びその周辺には、精密浮上ユニット１１１が配置されている。精密浮上ユニット１１１は他の領域にある準精密浮上ユニットやラフ浮上ユニットよりも浮上量の精度が高くなっている。従って、照射領域１５ａを含むプロセス領域６０ｅは、他の領域６０ａ～６０ｄ、６０ｆよりも、高い精度の浮上量で浮上中の基板１００にレーザ光が照射される。これにより、安定してレーザ光を基板１００に照射することができる。また、照射領域１５ａ以外の領域、例えば、通過領域６０ｆ、第３の領域６０ｃ、第４の領域６０ｄについては、高価な精密浮上ユニット１１１を用いずに作成される。よって、装置コストを低減することができる。
　次に、浮上ユニット１０を用いた搬送方法の手順について、図４～図１１を用いて説明する。ここでは、第４の領域６０ｄが基板１００の搬入位置、及び搬出位置となっている。そして、第４の領域６０ｄに搬入された基板１００が、第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順番に搬送されていく。つまり、基板１００は、浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。ここでは、基板１００の全体にレーザ光を照射するために、基板１００が２周する。つまり、基板１００は、浮上ユニット１０の上を２回循環するように搬送されていく。このようにすることで、基板１００のほぼ全面に、レーザ光が照射される。
　以下、搬送方法の手順に沿って詳細に説明する。図４に示すように、基板１００が第４の領域６０ｄに搬入される。第４の領域６０ｄに搬入された基板１００は、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７１、６７２、６７６によって浮上している。つまり、基板１００の－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７１、６７２によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００の－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７６によって浮上している。そして、搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが基板１００を保持する。
　次に、図５に示すように第４の領域６０ｄにある基板１００ａが第１の領域６０ａに搬送される。図５では、第１の領域６０ａに移動した基板を基板１００ｂとして示している。搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが基板１００ａを保持している。そして、移動機構１３ａが保持機構１２ａを＋ｙ方向に移動することで、基板１００ａが第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに移動する（図５中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ａが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７１の間を通って、＋ｙ方向に移動する。さらに、ｘｙ平面視において、保持機構１２ａが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７２の間を通って、＋ｙ方向に移動する。したがって、基板１００ｂは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７２、６７３によって浮上している。つまり、基板１００ｂの－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７２によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｂの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上している。
　次に、図６に示すように、アライメント機構６９ａが第１の領域６０ａに搬送された基板１００ｂの位置、及び角度をアライメントする。例えば、基板１００の搬入動作、搬送動作、回転動作によって、基板の位置や回転角度が微小にずれることがある。アライメント機構６９ａは、位置や回転角度のずれを補正している。これにより、基板１００におけるレーザ光の照射位置を精度よく制御することができる。
　例えば、アライメント機構６９ａは、ｙ方向に移動可能であり、かつ、ｚ軸周りに回転可能である。さらに、アライメント機構６９ａは、ｚ方向に移動可能である。例えば、アライメント機構６９ａは、モータ等のアクチュエータを備えている。カメラなどによって撮像された基板１００ｂの画像から位置ずれ量や角度ずれ量が求められている。このずれ量に基づいて、アライメント機構６９ａがアライメントを行っている。
　基板１００ｂの中央部の直下にアライメント機構６９ａが配置されている。アライメント機構６９ａが基板１００ｂを保持する。アライメント機構６９ａは、保持機構１２と同様に基板１００ｂを吸着保持してよい。保持機構１２ａが基板１００ｂの保持を開放する。これにより、保持機構１２ａからアライメント機構６９ａに基板１００ｂが持ち替えられる。
　そして、アライメント機構６９ａは、ｚ軸周りに基板１００ｂを回転させる（図６中の白抜き矢印）。基板１００ｂの端辺が浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅと平行になるように、アライメント機構６９ａが基板１００ｂを回転させる。回転後の基板を基板１００ｃとして示す。例えば、アライメント機構６９ａは、基板１００をｚ軸周りに所定の角度だけ回転させる。基板１００ｃの端辺は、浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅと平行になっている。そして、アライメントが終了したら、搬送ユニット１１ｂの保持機構１２ｂが基板１００ｂを保持するとともに、アライメント機構６９ａが保持を開放する。これにより、アライメント機構６９ａから搬送ユニット１１ｂの保持機構１２ｂに基板１００ｃが持ち替えられる。
　次に、図７に示すように、搬送ユニット１１ｂが基板１００ｄを移動させる。これにより、基板１００ｄがプロセス領域６０ｅを通過する。ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｂが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３の間を通って、傾斜辺１０ｅと平行な方向に移動する。これにより、基板１００ｄのほぼ半分の領域が照射領域１５ａを通過する。照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾斜した傾斜方向に移動している基板１００ｄにレーザ光が照射される。
　ｘｙ平面視において、保持機構１２ｂが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７３の間を通って、傾斜辺１０ｅと平行な方向に移動する。したがって、基板１００ｄは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７３によって浮上している。つまり、基板１００ｄの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。第１の領域６０ａから第２の領域６０ｂに移動する間にレーザ照射プロセスが実施される。
　次に、図８に示すように、基板１００ｅが第２の領域６０ｂまで移動すると、アライメント機構６９ｂが基板１００ｅをアライメントする。ここでは、アライメント機構６９ｂが基板１００ｅを回転させる（図８の白抜き矢印）。図８では回転後の基板を基板１００ｆとして示している。
　基板１００ｅの中央部の直下にアライメント機構６９ｂが配置されている。アライメント機構６９ｂが基板１００ｅを保持する。アライメント機構６９ｂは、保持機構１２と同様に基板１００ｅを吸着保持してよい。さらに、保持機構１２ｂが基板１００ｅの保持を開放する。搬送ユニット１１ｂの保持機構１２ｂからアライメント機構６９ｂに基板１００ｅが持ち替えられる。
　アライメント機構６９ｂは、ｚ軸周りに基板１００ｅを回転させる（図８中の白抜き矢印）。基板１００ｅの端辺が浮上ユニット１０の傾斜辺１０ｅと平行になるように、アライメント機構６９ａが基板１００ｅを回転させる。回転後の基板１００ｆの端辺は、ｘ方向又はｙ方向と平行になっている。そして、アライメントが終了したら、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃが基板１００ｆを保持するとともに、アライメント機構６９ｂが保持を開放する。これにより、アライメント機構６９ｂから搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃに基板１００ｆが持ち替えられる。
　基板１００ｅは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７３、６７４によって浮上している。つまり、基板１００ｅの＋ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７３によって浮上している。基板１００ｅの＋ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７４によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。
　次に、図９に示すように第２の領域６０ｂにある基板１００ｆが第３の領域６０ｃに搬送される。第３の領域６０ｃに移動した基板を基板１００ｇとして示している。図９では、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃが基板１００ｆを保持している。そして、移動機構１３ｃが保持機構１２ｃを－ｙ方向に移動することで、基板１００ｆが第２の領域６０ｂから第３の領域６０ｃに移動する（図９中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｃが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７４の間を通って、－ｙ方向に移動する。したがって、基板１００ｅは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７４、６７５によって浮上している。基板１００ｅの＋ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７４によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｅの－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７５によって浮上している。
　そして、搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄが基板１００ｇを保持すると共に、保持機構１２ｃが保持を開放する。これにより、搬送ユニット１１ｃの保持機構１２ｃから搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄに基板１００ｇが持ち替えられる。
　次に、図１０に示すように、第３の領域６０ｃにある基板１００ｇが第４の領域６０ｄに搬送される。第４の領域６０ｄに移動した基板を基板１００ｈとして示している。図１０では、搬送ユニット１１ｄの保持機構１２ｄが基板１００ｇを保持している。そして、移動機構１３ｄが保持機構１２ｄを－ｘ方向に移動することで、基板１００ｆが第３の領域６０ｃから第４の領域６０ｄに移動する（図１０中の白抜き矢印）。
　ここでは、ｘｙ平面視において、保持機構１２ｄが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７５の間を通って、－ｘ方向に移動する。ｘｙ平面視において、保持機構１２ｄが浮上ユニット１０と端部浮上ユニット６７６の間を通って、－ｘ方向に移動する。したがって、基板１００ｈは、浮上ユニット１０，及び端部浮上ユニット６７６によって浮上している。基板１００ｈの－ｙ側の端部は、端部浮上ユニット６７６によって浮上しており、中央部は浮上ユニット１０によって浮上している。基板１００ｈの－ｘ側の端部は、端部浮上ユニット６７１によって浮上している。
　このようにすることで、第４の領域６０ｄにあった基板１００が第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順に移動していく。つまり、基板１００が浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。
　次に、図１１に示すように、回転機構６８が基板１００ｈをｚ軸周りに１８０°回転させる。つまり、保持機構１２ｄから回転機構６８に基板１００ｈが持ち替えられる。回転機構６８が基板１００ｈを回転させると、基板１００ｈが回転機構６８から保持機構１２ｄに持ち替えられる。
　上記と同様に、搬送ユニット１１ａ～１１ｄが再度、基板１００ｈを第１の領域６０ａ、プロセス領域６０ｅ、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、通過領域６０ｆ、第４の領域６０ｄの順に移動していく。つまり、図４～図１１に示したように、基板１００が浮上ユニット１０の端辺に沿って周回する。
　ここでは、回転機構６８が基板１００ｈを１８０°回転している。基板１００ｅが２回目にプロセス領域６０ｅを通過する場合、１回目の通過でレーザ光が照射されていない残り半分領域に、レーザ光が照射される。このように、基板１００が浮上ユニット１０の端辺に沿って２回循環している。１回目のレーザ照射と２回目のレーザ照射との間で基板１００が１８０°回転しているため、基板１００のほぼ全面にレーザ光が照射される。なお、基板１００を回転する位置は、第１の領域６０ａに限られるものではない。例えば、第２の領域６０ｂ、第３の領域６０ｃ、又は第４の領域６０ｄ等で行われてもよい。
　本実施の形態においても、移動機構１３ｂが照射領域１５ａと直交するｘ方向から傾いた方向に保持機構１２ｂを搬送している。よって、シリコン膜の結晶化プロセスを適切に行うことができる。例えば、モアレの発生を防ぐことができ、表示品質を向上することができる。もちろん、基板１００の搬送方向はＸ方向であってもよい。上面視において、基板１００の搬送方向は、Ｙ方向から傾いた方向であればよい。つまり、基板の搬送方向は、Ｘ方向と平行でもよく、Ｘ方向から傾いた方向であってもよい。
（ノズルユニット）
　搬送装置６００には、ノズルユニットが設けられていてもよい。以下、搬送装置６００に設けられたノズルユニットについて説明する。図１２は、浮上ユニット１０の構成を模式的に示す側面断面図である。図１２では、浮上ユニット１０とその周辺以外の構成については、省略されている。浮上ユニット１０は、台座１２０と、浮上ユニットセル１３１と、ノズルユニット１４０とを備えている。
　浮上ユニット１０は、複数の浮上ユニットセル１３１を備えている。上記のように、浮上ユニットセル１３１は、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、又はラフ浮上ユニット１１３である。そして、複数の浮上ユニットセル１３１が、台座１２０に固定されている。図２は簡略図であるため、２つの浮上ユニットセル１３１のみ示されているが、浮上ユニット１０の全体に渡って、Ｘ方向及びＹ方向に沿って多数の浮上ユニットセル１３１が配列されている。
　１つの浮上ユニットセル１３１は、１つの多孔質体ブロック又は金属ブロックとして形成されている。上面視において、浮上ユニットセル１３１は、例えば、矩形状又は台形状に形成されている。浮上ユニットセル１３１は、例えば、Ｘ方向、又はＹ方向に沿って配列されている。浮上ユニットセル１３１の上面がガスの噴出面となる。
　複数の浮上ユニットセル１３１は、台座１２０の上に固定されている。台座１２０はアルミニウム合金などの金属材料で形成されている。ボルトなどにより、台座１２０の上面に浮上ユニットセル１３１が取り付けられている。なお、基板１００の浮上量を高い精度で制御するために、台座１２０の上面の平面度を高くすることが好ましい。台座１２０の上面を研磨すればよい。これにより、複数の浮上ユニットセル１３１の上面の高さを均一にすることができる。
　そして、隣接する２つの浮上ユニットセル１３１の間の隙間１３２にはノズルユニット１４０が設けられている。つまり、隣接する２つの浮上ユニットセル１３１の間には、ノズルユニット１４０よりも広い幅の隙間１３２が設けられている。そして、ノズルユニット１４０は隙間１３２に配置されている。隙間１３２は、例えば、所定の幅を有する溝となる。そして、隙間１３２に沿ってノズルユニット１４０が配置されている。ノズルユニット１４０は、基板１００よりも下側に配置されており、基板１００の下面に向けて圧縮ガスを噴出する。ノズルユニット１４０は、浮上ユニットセル１３１よりも高い噴出速度でガスを噴出する。
　浮上ユニット１０にノズルユニット１４０を設けることで、基板１００の端部が浮上ユニットセル１３１に接触することを防ぐことができる。例えば、基板１００の端部や角部が通過する箇所の直下にノズルユニット１４０を配置する。このようにすることで、基板１００の端部や角部が垂れ下がった場合であっても、基板１００の端部が浮上ユニット１０に接触することを防ぐことができる。よって、適切に基板１００を搬送することができる。
　図１３を用いてノズルユニット１４０の構成について説明する。図１３は、ノズルユニット１４０の上面図、側面図、及び正面図を示している。ノズルユニット１４０は、本体部１４１と、噴出部１４２と、接続部１４５とを備えている。
　本体部１４１の上面に噴出部１４２が設けられている。本体部１４１の側面に接続部１４５が設けられている。本体部１４１は、ネジやボルトなどによって、台座１２０に固定される。接続部１４５は継手を有しており、ガス配管などが接続される。噴出部１４２には、上方に向けてガスを噴出する噴出口を有している。噴出部１４２は、上方に向けて配置されたノズルを有している。これにより、上方へのガス噴出速度を高くすることができる。また、ノズルユニット１４０のガス噴出速度は、浮上ユニットセル１３１のガス噴出速度よりも高くしてもよい。浮上中の基板１００の垂れ下がりを防ぐことができ、浮上ユニット１０への基板１００の接触を防ぐことができる。
　本体部１４１は、中空のブロックであり、内部空間１４６を有している。本体部１４１の内部空間１４６を介して、噴出部１４２と接続部１４５が接続される。接続部１４５に接続されたガス配管から、乾燥空気や乾燥窒素などの圧縮ガスが供給される。ガスが本体部１４１の内部空間１４６を通って、噴出部１４２から上方に、噴出される。基板１００の下面に向けて気体を噴出することができる。浮上中の基板１００の垂れ下がりを防ぐことができ、浮上ユニット１０への基板１００の接触を防ぐことができる。
　また、図１４に示すように、本体部１４１を複数の噴出部１４２を有するマニホールドとしてもよい。図１４では、本体部１４１の上面に４つの噴出部１４２が設けられている。噴出部１４２はそれぞれ気体を上方に噴出するノズルを有している。よって、４箇所から気体が上方に噴出される。このようにすることで、移動している基板１００の垂れ下がりをより効果的に防ぐことができる。
　また、図１４では、本体部１４１に２つの接続部１４５が設けられている。２つの接続部１４５は、本体部１４１の対向する側面に設けられている。接続部１４５を複数設けることで、２つのノズルユニット１４０を直列に接続することができる。つまり、図１４に示すようなノズルユニット１４０を２つ並べて、それぞれの接続部１４５が向かい合うように配置する。一方のノズルユニット１４０の接続部１４５と他方のノズルユニット１４０の接続部１４５をガス配管で接続する。これにより、一方のノズルユニット１４０から他方のノズルユニット１４０にガスが流れていく。このようにすることで、複数のノズルユニット１４０に直列に接続することができる。よって、浮上ユニット１０の任意の位置にノズルユニット１４０を配置することができる。
　上記のノズルユニット１４０を有する搬送装置を用いた搬送方法は以下のステップＣ１、及びＣ２を備えている。
（ステップＣ１）前記移動機構が前記保持機構を移動することで、前記基板を搬送方向に搬送するステップ。
（ステップＣ２）前記搬送中の前記基板の端部に前記ノズルユニットがガスを噴出するステップ。
　ノズルユニット１４０は、浮上ユニット１０において局所的に配置することができる。つまり、基板１００の端部や角部が通過する箇所にのみ、ノズルユニット１４０が設けられていればよい。さらに、隙間１３２が広くなる箇所にノズルユニット１４０を配置してもよい。ノズルユニット１４０の配置例については後述する。
　基板１００の搬送位置に応じて、ノズルユニット１４０からのガスの噴出が制御されていてもよい。ノズルユニット１４０へのガスの供給は、基板１００の搬送に連動していてもよい。基板１００の端部や角部がノズルユニット１４０の真上にあるタイミングでノズルユニット１４０がガスを噴出すればよい。よって、基板１００の端部や角部がノズルユニット１４０の真上にないタイミングではノズルユニット１４０はガスを噴出してもよく、噴出を停止してもよい。例えば、バルブをオンオフ制御することでガスの噴出を制御することができる。これにより、ガス溜まりの発生を抑制することができるため、適切に基板１００を搬送することができる。
　例えば、基板１００がノズルユニット１４０の真上を通過する間、ノズルユニット１４０にガスを供給する。具体的には、基板１００の端部や角部がノズルユニット１４０の真上を通過するタイミングまたはその直前でノズルユニット１４０がガスを噴出する。換言すると、基板１００がノズルユニット１４０の真上にない期間は、ノズルユニット１４０へのガスの供給を停止してもよい。このように、ノズルユニット１４０は、基板１００の搬送位置に応じて、ガスの噴出を停止する。例えば、一部のノズルユニット１４０からガスが噴出されている間、他のノズルユニット１４０からはガスの噴出が停止する。
（ノズルユニットの配置例１）
　図１５は、ノズルユニット１４０の配置例を説明するための図である。具体的には、図１５は、浮上ユニット１０の第４の領域６０ｄとその周辺の構成を示す上面図である。よって、浮上ユニット１０の－Ｘ側には、端部浮上ユニット６７１が設けられており、－Ｙ側には端部浮上ユニット６７６が設けられている。
　第４の領域６０ｄには、複数の浮上ユニットセル１３１が設けられている。端部浮上ユニット６７１は複数の浮上ユニットセル１３１を有している。同様に、端部浮上ユニット６７６は複数の浮上ユニットセル１３１を有している。上面視において、浮上ユニットセル１３１は、Ｘ方向及びＹ方向に沿った矩形状に形成されている。よって、隙間１３２はＸ方向又はＹ方向に沿って形成されている。
　さらに、第４の領域６０ｄでは、浮上ユニットセル１３１の向きが異なっている。つまり、第４の領域６０ｄには、Ｘ方向を長手方向とする浮上ユニットセル１３１と、Ｙ方向を長手方向とする浮上ユニットセル１３１とが設けられている。第４の領域６０ｄにおいて、Ｘ方向を長手方向とする矩形状の浮上ユニットセル１３１を浮上ユニットセル１３１ａとして示し、Ｙ方向を長手方向とする矩形状の浮上ユニットセル１３１を浮上ユニットセル１３１ｂとして示す。
　ここで、浮上ユニットセル１３１ａと浮上ユニットセル１３１ｂとが隣接する箇所Ａにノズルユニット１４０が設けられている。浮上ユニットセル１３１ａと浮上ユニットセル１３１ｂとが隣接する箇所Ａでは、浮上ユニットセル１３１の向きが異なっている。よって、箇所Ａでは、基板浮上の挙動の向きが９０度変化する。第４の領域６０ｄから＋Ｙ方向に基板１００が搬送する場合、基板１００の角部や端部が箇所Ａを通過する。箇所Ａを基板１００の角部や端部が通過するときに、浮上量が低下する傾向がある。よって、箇所Ａにノズルユニット１４０を配置している。これにより、＋Ｙ方向への搬送時において、基板１００の端部の垂れ下がりを防ぐことができる。
（ノズルユニット１４０の配置例２）
　図１５に示すように、第４の領域６０ｄには、回転機構６８が設けられていてもよい。回転機構６８は、Ｚ軸と平行な回転軸周りに基板１００を回転する。図１５には、回転機構６８の回転によって、基板１００の角部が通る軌跡Ｂが示されている。軌跡Ｂは回転機構６８の回転軸を中心とする円形となる。そして、軌跡Ｂにノズルユニット１４０を配置する。したがって、基板１００を回転させた時に基板１００の角部が通過する軌跡Ｂの直下にノズルユニット１４０を配置する。これにより、基板１００の回転時において、基板１００の端部の垂れ下がりを防ぐことができる。
　基板１００を回転させる場合、基板１００を直進移動させる場合と比べて、基板１００と浮上ユニット１０との間にガス膜が形成されにくい。特に、角部とその近傍では基板１００の浮上量が低下する傾向がある。基板１００の回転時に基板１００の角部が通過する隙間１３２にノズルユニット１４０が配置される。なお、角部の軌跡Ｂの直下にある隙間１３２の全て、又はほぼ全てにノズルユニット１４０を配置することが好ましい。もちろん、軌跡Ｂの直下にある隙間１３２の全てにノズルユニット１４０が配置されていなくてもよい。例えば、軌跡Ｂの直下において、搬送ユニット１１と干渉する位置については、隙間１３２にノズルユニット１４０が設けられていなくてもよい。ノズルユニット１４０の配置は基板１００の角とその周辺にガスが吹き付けられるように配置することが好ましい。
（ノズルユニットの配置例３）
　ノズルユニット１４０の配置例３について、図１６を用いて説明する。図１６は、ノズルユニット１４０の配置例３を説明するための図である。具体的には、図１６は、浮上ユニット１０の第１の領域６０ａとその周辺の構成を示す上面図である。浮上ユニット１０の＋Ｙ側には端部浮上ユニット６７３が設けられている。図１６では、箇所Ｃにノズルユニット１４０が設けられている。
　第１の領域６０ａにおいて、＋Ｙ側の端に設けられた浮上ユニットセル１３１を浮上ユニットセル１３１ｃとする。浮上ユニットセル１３１ｃは、１辺が搬送方向に平行な台形状になっている。また、端部浮上ユニット６７３の浮上ユニットセル１３１を浮上ユニットセル１３１ｄとする。
　浮上ユニットセル１３１ｃと浮上ユニットセル１３１ｄとの間には、隙間１３２ｃが設けられる。隙間１３２ｃは、搬送方向と平行になる。つまり、隙間１３２ｃはＸ方向とＹ方向と異なる方向になっている。隙間１３２ｃは、傾斜辺１０ｅに平行になっている。搬送ユニット１１ｂが隙間１３２ｃを移動する。隙間１３２ｃには、ノズルユニット１４０が設けられている。ノズルユニット１４０は、搬送ユニット１１ｂの移動に干渉しないように配置されている。
　第４の領域６０ｄから第１の領域６０ａに基板１００が搬送される場合、搬送ユニット１１ａはＹ方向に基板１００を移動させる（図５参照）。基板１００の端部が隙間１３２ｃを乗り越えて、浮上ユニットセル１３１ｄの真上に到達する。ノズルユニット１４０の隙間１３２ｃに配置することで、＋Ｙ方向の搬送時において、基板１００の端部の垂れ下がりを防ぐことができる。
　なお、ノズルユニット１４０の配置箇所は、上記の配置例１～３に限定されるものではなく、その他の箇所に配置することも可能である。例えば、浮上ユニットセルの配置上、隙間１３２が広くなる箇所が存在する場合、その箇所にノズルユニット１４０を配置すればよい。また、ノズルユニット１４０は、配置例１～３のいずれか１つ以上に配置されていなくてもよい。さらに、ノズルユニット１４０は省略可能である。
（端部浮上ユニット）
　次に、端部浮上ユニットの構成の一例について、図１７を用いて説明する。図１７は、端部浮上ユニット６７１と浮上ユニット１０の高さの違いを模式的に示す図である。
　基板１００の端部は垂れ下がりやすいため、基板１００の中央部よりも低くなる。このため、図１７では、端部浮上ユニット６７１の浮上ユニットセル１３１の上面を、浮上ユニット１０の浮上ユニットセル１３１の上面よりも低くしている。つまり、基板１００の中央部の直下にある浮上ユニットセル１３１よりも、基板１００の端部の直下にある浮上ユニットセル１３１が低くなるように配置される。例えば、端部浮上ユニット６７１の浮上ユニットセル１３１は、浮上ユニット１０の浮上ユニットセル１３１よりも低くなるように配置されている。つまり、浮上ユニット１０の上面（噴出面）と端部浮上ユニット６７１の上面（噴出面）と間に、わずかな段差が設けられる。
　これにより、基板１００の端部が垂れ下がった場合でも基板１００が端部浮上ユニット６７１に接触するのを防ぐことができる。なお、図１７では、端部浮上ユニット６７１のみが示されているが、その他の端部浮上ユニット６７２～６７６についても同様に、浮上ユニットセル１３１が低くなっていてもよい。さらに、全ての端部浮上ユニット６７１～６７６の少なくとも一つ又は全部において、浮上ユニットセル１３１が低くなっていなくてもよい。
　さらに、図１８に示すように、端部浮上ユニット６７１の浮上ユニットセル１３１を斜めに配置することも可能である。例えば、台座１２０と浮上ユニットセル１３１との間に、高さ調整機構１３１１を配置する。高さ調整機構１３１１は、例えば、くさび状の形状を有しており、外側から台座１２０と浮上ユニットセル１３１との間に挿入されている。これにより、端部浮上ユニット６７１の浮上ユニットセル１３１の上面（浮上面）は、外側になるほど高くなる傾斜面となる。また、高さ調整機構１３１１は高さを調整するためのレベリングボルトなどを有していてもよい。高さ調整機構１３１１に設けられた高さ調整用のねじを回転することで、浮上ユニットセル１３１の外側の高さが変化する。このようにすることで、浮上面の傾斜角度を調整することができる。
　このようにすることで、浮上ユニットセル１３１が斜め上方にガスを噴出する。つまり、浮上ユニットセル１３１からのガスは上方かつ基板中央方向に噴出される。端部浮上ユニット６７１の浮上ユニットセル１３１の上面はＸＹ平面から傾斜した平面となっている。そして、浮上ユニットセル１３１の上面と直交する方向にガスが噴出される。
（台座１２０）
　浮上ユニット１０から噴出される気体により基板１００が浮上している。このため、基板１００のサイズが大型化すると、基板１００と浮上ユニット１０との間にガスが滞留してしまう場合がある。例えば、ラフ浮上領域３３は基板１００に対して十分に大きく、かつ、浮上ユニットセル１３１が隙間無く台座１２０を配置している場合、基板１００と浮上ユニット１０とのエアギャップにガスが多く滞留してしまう。このような場合、基板１００の中央付近の浮上量が大きくなり、端部の浮上量が極端に下がるドーム現象が発生してしまうおそれがある。
　このような場合、台座１２０にガスを逃がすための貫通穴（逃がし穴）を設けることが好ましい。以下、台座１２０の構成例について図１９、図２０を用いて説明する。図１９は、浮上ユニット１０の構成を模式的に示す上面図である。図２０は浮上ユニット１０の構成を模式的に示す側面図である。なお、図１９，図２０では、浮上ユニット１０の部分的な構成を示しており、かつ構成が適宜簡略化されている。
　台座１２０には、逃がし穴１２２が設けられている。具体的には、逃がし穴１２２は、台座１２０をＺ方向に貫通する貫通穴となっている。逃がし穴１２２は、隙間１３２に到達するように設けられている。よって、逃がし穴１２２は、台座１２０の上面に露出している。
　図１９では、複数のラフ浮上ユニット１１３がＸ方向、及びＹ方向に所定の間隔で配列されている。ラフ浮上ユニット１１３は２次元アレイ状に配列されている。ラフ浮上ユニット１１３の間に設けられた隙間１３２がＸ方向及びＹ方向と平行になる。つまり、隙間１３２はＸ方向及びＹ方向に沿った格子状に形成される。
　そして、隙間１３２に、複数の逃がし穴１２２が形成される。複数の逃がし穴１２２がＸ方向及びＹ方向に沿ってアレイ状に配列されている。このようにすることで、基板１００と浮上ユニット１０との間にガスが、逃がし穴１２２を通って、台座１２０の下側に逃がすことができる。これにより、ドーム現象を抑制することができ、適切な浮上量で基板１００を搬送することができる。
（基板１００の移載動作）
　次に、浮上ユニット１０に基板１００を移載する機構及びその動作について、図２１～図２４を用いて説明する。図２１～図２４は、第４の領域６０ｄに基板１００を搬入する動作を説明するための模式図である。図２１～図２３は、第４の領域６０ｄと移載機９００を模式的に示す上面図である。図２４は、プッシャピン７０１の昇降動作を模式的に示す側面図である。
　図２１に示すように、第４の領域６０ｄの－Ｘ側には、移載機９００が設けられている。移載機９００は、例えば、ハンド９０１と、アーム機構９０２とを備えている。ハンド９０１は、基板１００を保持する。つまり、ハンド９０１の上に基板１００が載せられる。アーム機構９０２はハンド９０１を移動させる。アーム機構９０２は例えばＸ方向に伸縮する。アーム機構９０２によって、ハンド９０１がＸ方向に移載する。つまり、Ｘ方向が移載方向となっている。－Ｘ方向を移載機側ともいう。移載機９００は第４の領域６０ｄに基板１００を移載するローダである。また、移載機９００は第４の領域６０ｄから基板１００を移載するアンローダであってもよい。
　第４の領域６０ｄには、複数のプッシャピン７０１が昇降可能に設けられている。複数のプッシャピン７０１は、上下移動する昇降ピンである。プッシャピン７０１は、ハンド９０１から基板１００を受け取るために昇降する。複数のプッシャピン７０１はＸ方向及びＹ方向において、所定の間隔を隔てて配置されている。複数のプッシャピン７０１はガスの噴出領域７１０に点在している。例えば、プッシャピン７０１は浮上ユニット１０を上下に貫通している（図２４参照）。つまり、浮上ユニット１０には、プッシャピン７０１を設けるための貫通穴が設けられている。あるいは、プッシャピン７０１は隣接する２つの浮上ユニットセル１３１の間の隙間１３２に配置されていてもよい。なお、上面視において、プッシャピン７０１の形状は円形となっているが、プッシャピン７０１の平面形状は円形に限られるものではない。
　複数のプッシャピン７０１の間に、回転機構６８が設けられている。つまり、複数のプッシャピン７０１は、回転機構６８と干渉しないように、配置されている。よって、回転機構６８の近傍では、回転機構６８を避けるため、プッシャピン７０１の間隔が等間隔となっていない。同様に、複数のプッシャピン７０１は、ハンド９０１が干渉しないように、配置されている（図２２参照）。例えば、ハンド９０１は複数のプッシャピン７０１に接触しないように、複数の爪部を有する櫛形となっている。
　図２４に示すように、複数のプッシャピン７０１が連動して、上下移動する。例えば、プッシャピン７０１はＺ方向に延びる棒状の部材で有り、下端が昇降ベース７０２に連結されている。複数のプッシャピン７０１は１枚の昇降ベース７０２に固定されている。つまり昇降ベース７０２は複数のプッシャピン７０１を支持している。
　昇降機構７０３はモータやシリンダなどのアクチュエータを有しており、上下に伸縮する。昇降機構７０３が昇降ベース７０２を昇降させる。昇降機構７０３と昇降ベース７０２は浮上ユニット１０の下側に配置されている。図２４では、プッシャピン７０１が基板１００を受け取るときの高さを上昇位置として示している。また、プッシャピン７０１が下降して、浮上ユニット１０の上面よりも低くなったときの高さを下降位置として示している。下降位置では、基板１００が浮上ユニット１０上で浮上している。下降位置での基板１００の高さを浮上高さとする。
　図２１は、移載前の状態、つまり、ハンド９０１が基板１００を保持した状態を示している。図２１では、基板１００及びハンド９０１が浮上ユニット１０の外側の待機位置にある。このとき、プッシャピン７０１は下降位置にある。
　アーム機構９０２が、図２１に示す待機位置からハンド９０１を＋Ｘ方向に移動すると、図２２に示すようにハンド９０１と基板１００が搬入位置に移動する。図２２では、基板１００が第４の領域６０ｄの真上に移動している。つまり、図２２では、ハンド９０１及び基板１００が第４の領域６０ｄ上の搬入位置に移動した状態を示している。
　図２２に示す状態で、昇降機構７０３が昇降ベース７０２とプッシャピン７０１を上昇位置まで上昇させる（図２４参照）。これにより、プッシャピン７０１の先端に基板１００が接触する。基板１００がハンド９０１から持ち上げられて、プッシャピン７０１に受け渡される。つまり、基板１００がプッシャピン７０１と接触しており、ハンド９０１とは接触していない。次に、ハンド９０１が－Ｘ方向に移動することで、図２３に示すように、ハンド９０１が第４の領域６０ｄから退避される。つまり、ハンド９０１が待機位置に戻る。
　ハンド９０１が待機位置に戻った後、昇降機構７０３が昇降ベース７０２とプッシャピン７０１を下降させる。基板１００が下降していくと、基板１００が浮上ユニット１０に接近していく。プッシャピン７０１の上端が浮上ユニット１０の上面よりも下側に移動する。基板１００が浮上高さまで下降して、基板１００が浮上ユニット１０の上で浮上した状態となる。つまり、プッシャピン７０１と基板１００が非接触の状態となる。
　このように、プッシャピン７０１を用いることで、基板１００の端部を支持することができる。よって、基板１００の撓みを小さくすることができる。基板１００の移載時において、適切に基板１００を支持することができる。外部からの基板１００の移載時に基板１００が浮上ユニット１０と接触することを防ぐことができる。なお、第４の領域６０ｄから基板１００を移載する場合は上記と反対の動作を行えばよい。浮上ユニット１０から適切に基板１００を移載することができる。
　本実施の形態にかかる移載方法では、上記の搬送装置６００に基板を移載することができる。移載方法は、以下のステップＡ１～Ａ３を備えている。
（Ａ１）複数のプッシャピンを上昇することで、移載機９００によって、搬入領域に搬入された基板を受け取るステップ。
（Ａ２）移載機９００を搬入領域の外側の待機位置に移動するステップ。
（Ａ３）複数のプッシャピンを下降することで、浮上ユニット１０での浮上高さまで基板１００を下降するステップ。
（プッシャバー）
　基板を搬入するためのプッシャバーを用いた機構について、図２５、及び図２６を用いて説明する。図２５は、搬入するための機構を模式的に示す上面図であり、図２６は側面図である。ここでは、プッシャピン７０１に加えてプッシャバー７５１が設けられている。プッシャバー７５１以外の基本的な構成については適宜説明を省略する。例えば、プッシャピン７０１の構成及び動作は、上記の説明と同様であるため、説明を省略する。
　浮上ユニット１０の移載機９００側には、端部浮上ユニット６７１が設けられている。つまり、端部浮上ユニット６７１の－Ｘ側に移載機９００が設けられている。ここで、端部浮上ユニット６７１と浮上ユニット１０との間の空間７２１には、搬送ユニット１１ａが設けられている。上記のように、搬送ユニット１１ａの保持機構１２ａが空間７２１をＹ方向に移動する。よって、保持機構１２ａが端部浮上ユニット６７１と浮上ユニット１０との間を通過していく。浮上ユニット１０には、複数のプッシャピン７０１が設けられている。複数のプッシャピン７０１は、浮上ユニットセル１３１の貫通穴、又は浮上ユニットセル間の隙間１３２に配置されている。
　ここで、空間７２１には、搬送ユニット１１ａがあるため、空間７２１にはプッシャピン７０１やその昇降機構を配置するためのスペースが制限される。そこで、端部浮上ユニット６７１の移載機９００側には、プッシャバー７５１が設けられている。上面視において、プッシャバー７５１は、Ｘ方向つまり移載方向に沿って延びている。複数のプッシャバー７５１がＹ方向に間隔を空けて１列に並んでいる。なお、図２５において、搬送装置６００には、４つのプッシャバー７５１が設けられているが、プッシャバー７５１の数は特に限定されるものではない。プッシャバー７５１はハンド９０１と干渉しないように配置されている。
　図２６に示すように、プッシャバー７５１はプッシャピン７０１と連動して昇降する。例えば、基板１００の受け取り時では、プッシャバー７５１とプッシャピン７０１が上昇位置に移動する。また、基板１００を浮上高さに下降させる場合、プッシャバー７５１とプッシャピン７０１が下降位置に移動する。側面視において、プッシャバー７５１は、Ｌ字状の部材であり、Ｘ方向に延びる棒状の部分と、Ｚ方向に延びる棒状の部分とを有している。
　プッシャバー７５１のＺ方向に延びる部分は、端部浮上ユニット６７１の－Ｘ側に配置されている。Ｚ方向において、プッシャバー７５１は、端部浮上ユニット６７１の上側から、下側まで延びている。プッシャバー７５１の下端は、昇降ベース７５２に連結されている。複数のプッシャバー７５１は１枚の昇降ベース７５２に固定されている。つまり昇降ベース７０２は複数のプッシャバー７５１を支持している。
　アクチュエータを有する昇降機構７５３が昇降ベース７５２を昇降させる。昇降機構７５３は上下に伸縮する。昇降機構７５３と昇降ベース７５２は端部浮上ユニット６７１の下側に配置されている。図２６では、プッシャピン７０１、及びプッシャバー７５１が基板１００を受け取るときの高さを上昇位置として示している。また、プッシャピン７０１、及びプッシャバー７５１が下降して、浮上ユニット１０、端部浮上ユニット６７１の上面よりも低くなったときの高さを下降位置として示している。
　昇降機構７５３の昇降動作によって、複数のプッシャバー７５１が連動して昇降する。さらに、昇降機構７０３と昇降機構７５３は連動して動作する。よって、プッシャバー７５１はプッシャピン７０１と連動して昇降する。なお、図２６では、昇降機構７５３と昇降機構７０３が別体として示されているが、昇降機構７５３と昇降機構７０３は共通の機構であってもよい。つまり、１つのアクチュエータで、プッシャピン７０１とプッシャバー７５１を昇降させてもよい。この場合、昇降ベース７５２と昇降ベース７０２を一体とすればよい。あるいは昇降ベース７５２と昇降ベース７０２を連結すればよい。これにより、１つのアクチュエータでプッシャピン７０１とプッシャバー７５１を連動して昇降することができる。
　Ｘ方向において、プッシャバー７５１は端部浮上ユニット６７１の－Ｘ側から＋Ｘ側に延びている。プッシャバー７５１の先端は、端部浮上ユニットの＋Ｘ側の端部よりも突出している。つまり、プッシャバー７５１の先端は、端部浮上ユニット６７１と浮上ユニット１０との間の空間７２１まで延在している。上面視において、プッシャバー７５１の先端は、端部浮上ユニット６７１から＋Ｘ側にはみ出している。プッシャバー７５１は、搬送ユニット１１ａと干渉しないように配置されている。つまり、搬送ユニット１１ａがＹ方向に基板１００を搬送する場合であっても、プッシャバー７５１は保持機構１２ａや移動機構１３ａ等に接触しない。
　上昇位置ではプッシャバー７５１の＋Ｘ側の先端で基板１００の端部を支持する。つまり、プッシャバー７５１の＋Ｘ側の先端が基板１００の－Ｘ側の端部と接触する。これにより、プッシャピン７０１とプッシャバー７５１が基板１００をハンド９０１から持ち上げることができるため、基板１００の受け渡しが可能となる。プッシャバー７５１及びプッシャピン７０１が下降することで、基板１００が浮上高さに下降する。
　Ｘ方向に延びるプッシャバー７５１を用いることで、基板１００の端部を支持することができる。基板１００の撓みを小さくすることができる。基板１００の移載時において、適切に基板１００を支持することができる。外部からの基板１００の移載時に基板１００が浮上ユニット１０と接触することを防ぐことができる。なお、第４の領域６０ｄから基板１００を搬出する場合は上記と反対の動作を行えばよい。基板を搬出する場合でも浮上ユニット１０から適切に基板１００を移載することができる。
　なお、図２５では、長方形状の基板１００の長手方向が移載方向と平行になっている。つまり、上面視において、基板１００は長方形となっており、基板１００の長手方向は、Ｘ方向と平行になり、短手方向はＹ方向と平行になる。そして、基板１００を領域６０ｄに移載した後、回転機構６８が、基板１００をｚ軸周りに９０°回転する（図１５参照）。これにより、基板１００の長手方向がＹ方向と平行になった状態で、基板１００がＹ方向に搬送される。つまり、移載後から搬送を開始するまでの間に、回転機構６８が基板１００を回転してもよい。もちろん、基板１００の長手方向は、移載方向と平行な方向に限らず、直交する方向であってもよい。また、Ｙ方向の搬送時における基板１００の長手方向と平行に限らず、直交する方向となっていてもよい。
　また、変形例として、プッシャバー７５１は、浮上ユニット１０の移載機側の端部周辺に設けることも可能である。この変形例の構成について、図２７を用いて説明する。図２７では、プッシャバー７５１の配置が図２５と異なっている。プッシャバー７５１の配置以外の構成については適宜説明を省略する。
　プッシャバー７５１は、第４の領域６０ｄに配置されている。つまり、上面視においえ、プッシャバー７５１は、浮上ユニット１０と重複するように配置されている。また図２７では、プッシャバー７５１の先端が、浮上ユニット１０の－Ｘ側にはみ出していないが、はみ出していてもよい。また、プッシャバー７５１は、搬送ユニット１１ａと干渉しないように配置されている。
　このような構成であっても、基板１００の端部を支持することができる。基板１００の撓みを小さくすることができる。基板１００の移載時において、適切に基板１００を支持することができる。外部からの基板１００の移載時に基板１００が浮上ユニット１０と接触することを防ぐことができる。なお、回転機構６８を省略可能である。
　プッシャバーを有する搬送装置への移載方法では、上記の（Ａ１）と（Ａ３）のステップにおいて、プッシャバー７５１がプッシャピン７０１と連動して昇降する。
　プッシャバーを有する搬送装置への移載方法は以下のステップＢ１～Ｂ３を有している。
　（Ｂ１）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップ。
　（Ｂ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップ。
　（Ｂ３）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップ。
（有機ＥＬディスプレイ）
　上記のポリシリコン膜を有する半導体装置は、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイ用のＴＦＴ（Thin Film transistor）アレイ基板に好適である。すなわち、ポリシリコン膜は、ＴＦＴのソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を有する半導体層として用いられる。
　以下、本実施の形態にかかる半導体装置を有機ＥＬディスプレイディスプレイに適用した構成について説明する。図２８は、有機ＥＬディスプレイの画素回路を簡略化して示す断面図である。図２８に示す有機ＥＬディスプレイ３００は、各画素ＰＸにＴＦＴが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
　有機ＥＬディスプレイ３００は、基板３１０、ＴＦＴ層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３、及び封止基板３１４を備えている。図２８では、封止基板３１４側が視認側となるトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ＥＬディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態にかかる半導体装置は、ボトムエミッション方式の有機ＥＬディスプレイに用いられていてもよい。
　基板３１０は、ガラス基板又は金属基板である。基板３１０の上には、ＴＦＴ層３１１が設けられている。ＴＦＴ層３１１は、各画素ＰＸに配置されたＴＦＴ３１１ａを有している。さらに、ＴＦＴ層３１１は、ＴＦＴ３１１ａに接続される配線（図示を省略）等を有している。ＴＦＴ３１１ａ、及び配線等が画素回路を構成する。
　ＴＦＴ層３１１の上には、有機層３１２が設けられている。有機層３１２は、画素ＰＸごとに配置された有機ＥＬ発光素子３１２ａを有している。さらに、有機層３１２には、画素ＰＸ間において、有機ＥＬ発光素子３１２ａを分離するための隔壁３１２ｂが設けられている。
　有機層３１２の上には、カラーフィルタ層３１３が設けられている。カラーフィルタ層３１３は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ３１３ａが設けられている。すなわち、各画素ＰＸには、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、又はＢ（青色）に着色された樹脂層がカラーフィルタ３１３ａとして設けられている。
　カラーフィルタ層３１３の上には、封止基板３１４が設けられている。封止基板３１４は、ガラス基板などの透明基板であり、有機層３１２の有機ＥＬ発光素子の劣化を防ぐために設けられている。
　有機層３１２の有機ＥＬ発光素子３１２ａに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素ＰＸに供給することで、各画素ＰＸでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。
　有機ＥＬディスプレイ等のアクティブマトリクス型表示装置では、１つの画素ＰＸに、１つ以上のＴＦＴ（例えば、スイッチング用ＴＦＴ、又は駆動用ＴＦＴ）が設けられている。そして、各画素ＰＸのＴＦＴには、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域を有する半導体層が設けられている。本実施の形態にかかるポリシリコン膜は、ＴＦＴの半導体層に好適である。すなわち、上記の製造方法により製造したポリシリコン膜をＴＦＴアレイ基板の半導体層に用いることで、ＴＦＴ特性の面内ばらつきを抑制することができる。よって、表示特性の優れた表示装置を高い生産性で製造することができる。
（半導体装置の製造方法）
　本実施の形態にかかるレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板の製造に好適である。ＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について、図２９、図３０を用いて説明する。図２９、図３０は半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。以下の説明では、逆スタガード（inverted staggered）型のＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について説明する。図２９，図３０では、半導体製造方法におけるポリシリコン膜の形成工程を示している。なお、その他の製造工程については、公知の手法を用いることができるため、説明を省略する。
　図２９に示すように、ガラス基板４０１上に、ゲート電極４０２が形成されている。ゲート電極４０２の上に、ゲート絶縁膜４０３が形成されている。ゲート絶縁膜４０３の上に、アモルファスシリコン膜４０４を形成する。アモルファスシリコン膜４０４は、ゲート絶縁膜４０３を介して、ゲート電極４０２と重複するように配置されている。例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ゲート絶縁膜４０３とアモルファスシリコン膜４０４とを連続成膜する。
　そして、アモルファスシリコン膜４０４が形成されたガラス基板４０１を上記の搬送装置６００に搬送する。アモルファスシリコン膜４０４にレーザ光Ｌ１を照射することで、図３０に示すように、ポリシリコン膜４０５が形成される。すなわち、図１等で示したレーザ照射装置１によって、アモルファスシリコン膜４０４を結晶化する。これにより、シリコンが結晶化したポリシリコン膜４０５がゲート絶縁膜４０３上に形成される。ポリシリコン膜４０５は、上記したポリシリコン膜に相当する。搬送装置６００がガラス基板４０１を搬送している間に、レーザ光Ｌ１が照射される。これにより、アモルファスシリコン膜４０４がアニールされ、ポリシリコン膜４０５に変換する。
　さらに、上記の説明では、本実施の形態にかかるレーザアニール装置が、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を形成するものとして説明したが、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してマイクロクリスタルシリコン膜を形成するものであってもよい。さらには、アニールを行うレーザ光はＮｄ：ＹＡＧレーザに限定されるものではない。また、本実施の形態にかかる方法は、シリコン膜以外の薄膜を結晶化するレーザアニール装置に適用することも可能である。すなわち、非晶質膜にレーザ光を照射して、結晶化膜を形成するレーザアニール装置であれば、本実施の形態にかかる方法は適用可能である。本実施の形態にかかるレーザアニール装置によれば、結晶化膜付き基板を適切に改質することができる。
　本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、以下のステップ（ｓ１）～（ｓ３）を有していてもよい。
　（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップ。
　（ｓ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップ。
　（ｓ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップ。
　ステップＳ２では、上記のように、プッシャピン７０１やプッシャバー７５１を用いて基板１００を搬入領域に搬入する。これにより、基板の端部を支持することができるため、基板が浮上ユニットと接触することを防ぐことができる。これにより、高い生産性で半導体装置を製造することができる。
　あるいは、半導体装置の製造方法は、以下の（ｔ１）～（ｔ３）のステップを有している。
（ｔ１）基板上に非晶質膜を形成するステップ。
（ｔ２）搬送装置を用いて、前記非晶質膜が形成された基板を搬送するステップ。
（ｔ３）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、前記搬送装置によって搬送されている前記基板にライン状のレーザ光を照射して、前記非晶質膜をアニールするステップ。
　そして、ノズルユニット１４０が搬送中の基板１００の端部にガスを噴出する。もちろん、搬送装置６００は、上記の構成の全てを備えていなくてもよい。また、移載方法、搬送方法、製造方法は、上記の全てのステップを備えていなくてもよい。
　なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
　１　レーザ照射装置
　１０　浮上ユニット
　１１　搬送ユニット
　１２　保持機構
　１３　移動機構
　１４　レーザ照射部
　１５　レーザ光
　１５ａ　照射領域
　３１　精密浮上領域
　３２　準精密浮上領域
　３３　ラフ浮上領域
　６０ａ　第１の領域
　６０ｂ　第２の領域
　６０ｃ　第３の領域
　６０ｄ　第４の領域
　６０ｅ　プロセス領域
　６０ｆ　通過領域
　６７０～６７６　端部浮上ユニット
　６８　回転機構
　６９ａ、６９ｂ　アライメント機構
　１００　基板
　１１１　精密浮上ユニット
　１１２　準精密浮上ユニット
　１１３　ラフ浮上ユニット
　１３１　浮上ユニットセル
　１３１１　高さ調整機構
　１３２　隙間
　１４０　ノズルユニット
　１４１　本体部
　１４２　噴出部
　１４５　接続部
　１４６　内部空間
　３００　有機ＥＬディスプレイ
　３１０　基板
　３１１　ＴＦＴ層
　３１１ａ　ＴＦＴ
　３１２　有機層
　３１２ａ　有機ＥＬ発光素子
　３１２ｂ　隔壁
　３１３　カラーフィルタ層
　３１３ａ　カラーフィルタ（ＣＦ）
　３１４　封止基板
　４０１　ガラス基板
　４０２　ゲート電極
　４０３　ゲート絶縁膜
　４０４　アモルファスシリコン膜
　４０５　ポリシリコン膜
　６７１～６７６　端部浮上ユニット
　７０１　プッシャピン
　７０２　昇降ベース
　７０３　昇降機構
　７１０　噴出領域
　７５１　プッシャバー
　７５２　昇降ベース
　７５３　昇降機構
　９００　移載機
　９０１　ハンド
　９０２　アーム機構
　ＰＸ　画素

Claims (39)

  1. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、
    　前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、
    　前記浮上ユニットの搬入領域において前記複数のプッシャピンの間に配置され、前記基板を回転させる回転機構と、を備えた搬送装置。
  2. 　前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、
    　前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、
    　前記浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、
    　前記第２の保持機構が前記浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の移動機構と、を備えた請求項１に記載の搬送装置。
  3. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、
    　前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、
    　前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、
    　前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、
    　前記端部浮上ユニットと、前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、
    　前記第２の保持機構が前記端部浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の保持機構と、を備えた搬送装置。
  4. 　前記プッシャバーが前記端部浮上ユニットの前記移載機側の端部に設けられている請求項２、又は３に記載の搬送装置。
  5. 　前記プッシャバーが前記浮上ユニットの前記移載機側の端部に設けられている請求項２、又は３に記載の搬送装置。
  6. 　前記端部浮上ユニットの上面が、前記浮上ユニットの上面よりも低くなっている請求項２、又は３に記載の搬送装置。
  7. 　前記浮上ユニットが複数の浮上ユニットセルを備えており、
    　隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間には、前記基板の端部に向けて気体を上方に噴出するノズルユニットが設けられている請求項３に記載の搬送装置。
  8. 　前記浮上ユニットが複数の前記浮上ユニットセルを固定する台座を有しており、
    　前記台座には、前記浮上ユニットセルの間の隙間に到達する貫通穴が設けられている請求項７に記載の搬送装置。
  9. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、前記基板を搬送する搬送装置であって、
    　複数の浮上ユニットセルを備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた搬送方向に前記保持機構を移動する移動機構と、
    　隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間に設けられ、前記基板の端部に向けて気体を噴出するノズルユニットと、を備えた搬送装置。
  10. 　前記基板の搬送位置に応じて、前記ノズルユニットからのガスの噴出が制御されている請求項７、又は９に記載の搬送装置。
  11. 　回転する前記基板の角部に向けて、前記ノズルユニットが気体を噴出する請求項７、又は９に記載の搬送装置。
  12. 　前記複数の浮上ユニットセルは、上面視において、
    　第１の方向を長手方向とする第１の浮上ユニットセルと、
    　第１の方向と直交する第２の方向を長手方向とする第２の浮上ユニットセルとを備え、
    　前記第１の浮上ユニットセルと前記第２の浮上ユニットセルとの間の隙間に、前記ノズルユニットが配置されている請求項７、又は９に記載の搬送装置。
  13. 　前記レーザ光の前記ライン方向と直交する方向から傾いた搬送方向に前記基板が搬送され、
    　前記搬送方向と平行な前記隙間に前記ノズルユニットが配置されている請求項７、又は９に記載の搬送装置。
  14. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために前記基板を搬送する搬送装置に対して前記基板を移載する移載方法であって、
    　前記搬送装置は、
    　基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、
    　前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、
    　前記浮上ユニットの搬入領域において前記複数のプッシャピンの間に配置され、前記基板を回転させる回転機構と、を備え、
    　移載方法は、
    　（Ａ１）前記複数のプッシャピンを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、
    　（Ａ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、
    　（Ａ３）前記複数のプッシャピンを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えた移載方法。
  15. 　前記搬送装置は、
    　前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、
    　前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、
    　前記浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、
    　前記第２の保持機構が前記浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の移動機構と、を備え、
    　前記（Ａ１）及び（Ａ３）のステップでは、前記プッシャバーが前記プッシャピンと連動して昇降する請求項１４に記載の移載方法。
  16. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために前記基板を搬送する搬送装置に対して基板を移載する移載方法であって、
    　前記搬送装置は、
    　基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、
    　前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、
    　前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、
    　前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、
    　前記端部浮上ユニットと、前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、
    　前記第２の保持機構が前記端部浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の保持機構と、を備え、
    　移載方法は、
    　（Ｂ１）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、
    　（Ｂ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、
    　（Ｂ３）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えた移載方法。
  17. 　前記プッシャバーが前記端部浮上ユニットの前記移載機側の端部に設けられている請求項１５、又は１６に記載の移載方法。
  18. 　前記プッシャバーが前記浮上ユニットの前記移載機側の端部に設けられている請求項１５、又は１６に記載の移載方法。
  19. 　前記端部浮上ユニットの上面が、前記浮上ユニットの上面よりも低くなっている請求項１５、又は１６に記載の移載方法。
  20. 　前記浮上ユニットが複数の浮上ユニットセルを備えており、
    　隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間には、前記基板の端部に向けて気体を上方に噴出するノズルユニットが設けられている請求項１４、又は１６に記載の移載方法。
  21. 　前記浮上ユニットが複数の前記浮上ユニットセルを固定する台座を有しており、
    　前記台座には、前記浮上ユニットセルの間の隙間に到達する貫通穴が設けられている請求項２０に記載の移載方法。
  22. 　ライン状のレーザ光を基板に照射するために、搬送装置を用いて前記基板を搬送する搬送方法であって、
    　前記搬送装置が、
    　複数の浮上ユニットセルを備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた搬送方向に前記保持機構を移動する移動機構と、
    　隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間に設けられ、前記基板の端部に向けて気体を噴出するノズルユニットと、を備え、
    　前記搬送方法は、
    　（Ｃ１）前記移動機構が前記保持機構を移動することで、前記基板を搬送方向に搬送するステップと、
    　（Ｃ２）搬送中の前記基板の端部に前記ノズルユニットが気体を噴出するステップと、を備えた搬送方法。
  23. 　前記基板の搬送位置に応じて、前記ノズルユニットからのガスの噴出が制御されている請求項２２に記載の搬送方法。
  24. 　回転する前記基板の角部に向けて、前記ノズルユニットが気体を噴出する請求項２２に記載の搬送方法。
  25. 　前記複数の浮上ユニットセルは、上面視において、
    　第１の方向を長手方向とする第１の浮上ユニットセルと、
    　第１の方向と直交する第２の方向を長手方向とする第２の浮上ユニットセルとを備え、
    　前記第１の浮上ユニットセルと前記第２の浮上ユニットセルとの間の隙間に、前記ノズルユニットが配置されている請求項２２に記載の搬送方法。
  26. 　前記レーザ光の前記ライン方向と直交する方向から傾いた搬送方向に前記基板が搬送され、
    　前記搬送方向と平行な前記隙間に前記ノズルユニットが配置されている請求項２２に記載の搬送方法。
  27. 　（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（ｓ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、
    　（ｓ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記搬送装置は、
    　基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、
    　前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、
    　前記浮上ユニットの搬入領域において前記複数のプッシャピンの間に配置され、前記基板を回転させる回転機構と、を備え、
    　（ｓ２）前記移載するステップは、
    　（ｓａ１）前記複数のプッシャピンを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、
    　（ｓａ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、
    　（ｓａ３）前記複数のプッシャピンを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えた半導体装置の製造方法。
  28. 　前記搬送装置は、
    　前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、
    　前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、
    　前記浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、
    　前記第２の保持機構が前記浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の移動機構と、を備え、
    　前記（ｓａ１）及び（ｓａ３）のステップでは、前記プッシャバーが前記プッシャピンと連動して昇降する請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
  29. 　（ｓ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（ｓ２）前記非晶質膜が形成された前記基板を搬送装置に移載するステップと、
    　（ｓ３）前記搬送装置を用いて基板を搬送しながら、ライン状のレーザ光を前記基板に照射することで、前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記搬送装置は、
    　基板が搬入される搬入領域を備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する第１の保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた第１の搬送方向に前記第１の保持機構を移動する第１の移動機構と、
    　前記浮上ユニットの搬入領域に配置され、前記基板を移載する移載機から前記基板を受け取るよう昇降可能に設けられた複数のプッシャピンと、
    　前記浮上ユニットの移載機側に配置され、前記基板の端部をその上面で浮上させる端部浮上ユニットと、
    　前記移載機から前記基板を受け取るよう前記プッシャピンと連動して昇降し、前記移載機の移載方向に沿って延びるプッシャバーと、
    　前記端部浮上ユニットと、前記端部浮上ユニットとの間に配置され、前記基板を保持する第２の保持機構と、
    　前記第２の保持機構が前記端部浮上ユニットと前記端部浮上ユニットとの間を移動するように、前記第２の保持機構を第２の搬送方向に移動させる第２の保持機構と、を備え、
    　（ｓｂ１）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを上昇することで、前記移載機によって、前記搬入領域に搬入された基板を受け取るステップと、
    　（ｓｂ２）前記移載機を前記搬入領域の外側の待機位置に移動するステップと、
    　（ｓｂ３）前記複数のプッシャピン及びプッシャバーを下降することで、前記浮上ユニットの浮上高さまで前記基板を下降するステップと、を備えた半導体装置の製造方法。
  30. 　前記プッシャバーが前記端部浮上ユニットの前記移載機側の端部に設けられている請求項２８、又は２９に記載の半導体装置の製造方法。
  31. 　前記プッシャバーが前記浮上ユニットの前記移載機側の端部に設けられている請求項２８、又は２９に記載の半導体装置の製造方法。
  32. 　前記端部浮上ユニットの上面が、前記浮上ユニットの上面よりも低くなっている請求項２８、又は２９に記載の半導体装置の製造方法。
  33. 　前記浮上ユニットが複数の浮上ユニットセルを備えており、
    　隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間には、前記基板の端部に向けて気体を上方に噴出するノズルユニットが設けられている請求項２９に記載の半導体装置の製造方法。
  34. 　前記浮上ユニットが複数の前記浮上ユニットセルを固定する台座を有しており、
    　前記台座には、前記浮上ユニットセルの間の隙間に到達する貫通穴が設けられている請求項３３に記載の半導体装置の製造方法。
  35. 　（ｔ１）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    　（ｔ２）搬送装置を用いて、前記非晶質膜が形成された基板を搬送するステップと、
    　（ｔ３）前記非晶質膜を結晶化して結晶化膜を形成するように、前記搬送装置によって搬送されている前記基板にライン状のレーザ光を照射して、前記非晶質膜をアニールするステップと、を備え、
    　前記搬送装置が、
    　複数の浮上ユニットセルを備え、前記基板をその上面で浮上させる浮上ユニットと、
    　前記浮上ユニット上の前記基板を保持する保持機構と、
    　前記基板に対する前記レーザ光の照射位置を変えるよう、上面視において、前記レーザ光のライン方向から傾いた搬送方向に前記保持機構を移動する移動機構と、
    　隣接する前記浮上ユニットセルの間の隙間に設けられ、前記基板の端部に向けて気体を噴出するノズルユニットと、を備え、
    　前記（ｔ２）搬送するステップは、
    　（ｔｃ１）前記移動機構が前記保持機構を移動することで、前記基板を搬送方向に搬送するステップと、
    　（ｔｃ２）搬送中の前記基板の端部に前記ノズルユニットが気体を噴出するステップと、を備えた半導体装置の製造方法。
  36. 　前記基板の搬送位置に応じて、前記ノズルユニットからのガスの噴出が制御されている請求項３３、又は３５に記載の半導体装置の製造方法。
  37. 　回転する前記基板の角部に向けて、前記ノズルユニットが気体を噴出する請求項３３、又は３５に記載の半導体装置の製造方法。
  38. 　前記複数の浮上ユニットセルは、上面視において、
    　第１の方向を長手方向とする第１の浮上ユニットセルと、
    　第１の方向と直交する第２の方向を長手方向とする第２の浮上ユニットセルとを備え、
    　前記第１の浮上ユニットセルと前記第２の浮上ユニットセルとの間の隙間に、前記ノズルユニットが配置されている請求項３３、又は３５に記載の半導体装置の製造方法。
  39. 　前記レーザ光の前記ライン方向と直交する方向から傾いた搬送方向に前記基板が搬送され、
    　前記搬送方向と平行な前記隙間に前記ノズルユニットが配置されている請求項３３、又は３５に記載の半導体装置の製造方法。
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