JP2017038035A - レーザアニーリング装置、及びそれを利用したディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
3 非晶質シリコン層
10 基板支持部
BC1 第1ビームカッタ
BC1C 第1回転軸
BC2 第2ビームカッタ
BC2C 第2回転軸
Claims (20)
- 非晶質シリコン層が形成された基板が配置される基板支持部と、
第1方向に延びるラインレーザビームを、前記基板支持部上に配置された基板に照射するレーザビーム照射ユニットと、
前記基板支持部を、第1方向、または前記第1方向と交差する第2方向に移動させ、前記基板支持部を、前記第1方向及び前記第2方向によって定義された第1平面内で回転させることのできる基板移動部と、を具備し、
前記基板移動部は、非晶質シリコン層が形成された基板が配置された前記基板支持部を90°より小さい角度θだけ回転させた状態で、前記基板支持部を前記第1方向に移動させながら、前記第2方向に移動させ、前記レーザビーム照射ユニットは、前記基板移動部が前記基板支持部を移動させる間、前記基板支持部上に配置された非晶質シリコン層が形成された基板上に、ラインレーザビームを複数回照射するレーザアニーリング装置。 - 前記第1方向及び前記第2方向は、相互垂直であり、前記基板移動部が、前記基板支持部を前記第2方向に移動させる速度をVとするとき、前記基板移動部が、前記基板支持部を前記第1方向に移動させる速度は、Vtanθであることを特徴とする請求項1に記載のレーザアニーリング装置。
- 相互離隔して位置し、前記第1方向またはその反対方向への動きに応じて、前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積を増減させる第1ビームカッタ及び第2ビームカッタをさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のレーザアニーリング装置。
- 前記基板移動部が、前記基板支持部を第2方向に移動させるにつれて、前記第1ビームカッタが前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が小さくなることを特徴とする請求項3に記載のレーザアニーリング装置。
- 前記基板移動部が、前記基板支持部を第2方向に移動させるにつれて、前記第2ビームカッタが前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が大きくなることを特徴とする請求項3に記載のレーザアニーリング装置。
- 前記レーザビーム照射ユニットを外部に位置させ、前記基板支持部を内部に位置させ、ウィンドウを介して、前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを、前記基板支持部上に配置された基板に照射させるチャンバをさらに具備し、
前記第1ビームカッタ及び前記第2ビームカッタは、前記チャンバ内部に位置することを特徴とする請求項3に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記第1平面と平行な平面内において、時計回り方向または反時計回り方向に回転することにより、前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積を増減させる第1ビームカッタ及び第2ビームカッタをさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のレーザアニーリング装置。
- 前記基板移動部が、前記基板支持部を第2方向に移動させるにつれて、前記第1ビームカッタが前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が小さくなることを特徴とする請求項7に記載のレーザアニーリング装置。
- 前記基板移動部が、前記基板支持部を第2方向に移動させるにつれて、前記第2ビームカッタが前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が大きくなることを特徴とする請求項7に記載のレーザアニーリング装置。
- 前記レーザビーム照射ユニットを外部に位置させ、前記基板支持部を内部に位置させ、ウィンドウを介して、前記レーザビーム照射ユニットから照射されるラインレーザビームを、前記基板支持部上に配置された基板に照射させるチャンバをさらに具備し、
前記第1ビームカッタ及び前記第2ビームカッタは、前記チャンバ内部に位置することを特徴とする請求項7に記載のレーザアニーリング装置。 - 基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
非晶質シリコン層を結晶質シリコン層に変換させるために、非晶質シリコン層に、第1方向に延びるラインレーザビームを照射する段階と、を含み、
前記ラインレーザビームを照射する段階は、非晶質シリコン層が形成された基板を、第1方向と交差する第2方向、及び第1方向によって定義された第1平面内において、90°より小さい角度θだけ回転させた状態で、非晶質シリコン層が形成された基板を第1方向に移動させながら、第1方向と交差する第2方向に移動させる間、複数回ラインレーザビームを照射する段階であるディスプレイ装置の製造方法。 - 第1方向と第2方向は、相互垂直であり、前記ラインレーザビームを照射する段階において、基板を第2方向に移動させる速度をVとするとき、前記ラインレーザビームを照射する段階において、基板を第1方向に移動させる速度は、Vtanθであることを特徴とする請求項11に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階において、基板を第2方向に移動させるとき、第1ビームカッタがラインレーザビームの少なくとも一部を遮蔽するが、基板を第2方向に移動させるにつれて、第1ビームカッタが第1方向、または第1方向の反対方向に動き、ラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が小さくなることを特徴とする請求項11に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階は、ラインレーザビームを、チャンバのウィンドウを介して、チャンバ内の非晶質シリコン層に照射する段階であり、第1ビームカッタ及び第2ビームカッタは、チャンバ内に位置したことを特徴とする請求項13に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階において、基板を第2方向に移動させるとき、第2ビームカッタがラインレーザビームの少なくとも一部を遮蔽するが、基板を第2方向に移動させるにつれて、第2ビームカッタが第1方向、または第1方向の反対方向に動き、ラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が大きくなることを特徴とする請求項11に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階は、ラインレーザビームを、チャンバのウィンドウを介して、チャンバ内の非晶質シリコン層に照射する段階であり、第1ビームカッタ及び第2ビームカッタは、チャンバ内に位置したことを特徴とする請求項15に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階において、基板を第2方向に移動させるとき、第1ビームカッタがラインレーザビームの少なくとも一部を遮蔽するが、基板を第2方向に移動させることにより、第1ビームカッタが第1平面と平行な平面内において、時計回り方向または反時計回り方向に回転し、ラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が小さくなることを特徴とする請求項11に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階は、ラインレーザビームを、チャンバのウィンドウを介して、チャンバ内の非晶質シリコン層に照射する段階であり、第1ビームカッタ及び第2ビームカッタは、チャンバ内に位置したことを特徴とする請求項17に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階において、基板を第2方向に移動させるとき、第2ビームカッタがラインレーザビームの少なくとも一部を遮蔽するが、基板を第2方向に移動させるにつれて、第2ビームカッタが第1平面と平行な平面内において、時計回り方向または反時計回り方向に回転し、ラインレーザビームを遮蔽する遮蔽領域の面積が大きくなることを特徴とする請求項11に記載のディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ラインレーザビームを照射する段階は、ラインレーザビームを、チャンバのウィンドウを介して、チャンバ内の非晶質シリコン層に照射する段階であり、第1ビームカッタ及び第2ビームカッタは、チャンバ内に位置したことを特徴とする請求項19に記載のディスプレイ装置の製造方法。
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Cited By (3)
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JP2020025001A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2023199485A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | Jswアクティナシステム株式会社 | 搬送装置、移載方法、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 |
WO2023199487A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | Jswアクティナシステム株式会社 | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
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KR100780291B1 (ko) * | 2006-11-06 | 2007-11-29 | 코닉시스템 주식회사 | 레이저 어닐링 장치 |
US8237085B2 (en) * | 2006-11-17 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, and laser irradiation method |
US20090046757A1 (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020025001A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7102280B2 (ja) | 2018-08-07 | 2022-07-19 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 |
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WO2023199487A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | Jswアクティナシステム株式会社 | 搬送装置、搬送方法、及び半導体装置の製造方法 |
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