CN111819661A - 激光处理装置和半导体器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据一实施方式的激光处理装置(1)包括激光照射单元(20)和能够使基板(31)漂浮和运送的运送台(40)。运送台(40)包括：激光照射区域(50)，在该区域中，从激光照射单元(20)照射的激光(21)将基板(31)照射；基板运送区域(60)，其与激光照射区域(50)分开；其中，所述激光照射区域(50)的面对所述基板(31)的表面由第一部件构成，第一气体能够从所述第一部件喷出而使所述基板(31)漂浮；所述基板运送区域(60)的面对所述基板(31)的表面由多个第二部件构成，第二气体能够从所述第二部件喷出而使所述基板(31)漂浮；所述基板运送区域(60)中的所述多个第二部件彼此分开布置。

Description

激光处理装置和半导体器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种激光处理装置和半导体器件制造方法，例如，涉及一种通过激光照射来制造半导体器件的半导体器件制造方法和激光处理装置。
背景技术
在诸如智能电话和电视之类的高清面板的制造过程中，已知通过激光照射进行热处理以形成对面板的像素进行控制的TFT(薄膜晶体管)。专利文献1和2公开了激光处理装置，该激光处理装置用激光照射包括在玻璃基板上形成的非晶膜的工件以进行退火处理。在专利文献1和2中公开的激光处理装置中，在工件通过喷射的空气进行漂浮的漂浮台上执行退火处理。
现有技术文献列表
专利文献
专利文献1：公开号为WO 2015/174347的国际专利申请
专利文献2：公开号为2016-162856的日本未审查专利申请
发明内容
本发明解决的技术问题
激光处理装置在改进激光处理性能方面具有改进的空间。例如，由于在运送要进行激光处理的基板时发生的故障，激光处理的性能变差。
根据本说明书的描述以及附图，其他问题和新颖特征将变得容易理解。
解决问题的技术手段
根据实施方式的激光处理装置包括激光照射单元和能够使基板漂浮并运送的运送台。运送台包括：激光照射区域，在这个激光照射区域中，从激光照射单元照射的激光照射到基板上；以及与激光照射区域分开的基板运送区域，激光照射区域的面对基板的表面由能够喷出第一气体以使基板漂浮的第一部件构成，基板运送区域的面对基板的表面由多个能够喷出第二气体以使基板漂浮的第二构部件成，并且在基板运送区域中的多个第二部件彼此分开地布置。
本发明有益效果
根据上述实施方式，可提供一种能够改进激光处理性能的激光处理装置和半导体器件制造方法。
附图说明
图1为第一实施方式激光处理装置的示例性剖视图。
图2为第一实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。
图3为第一实施方式的用于形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性剖视图。
图4为第一实施方式的形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性平面图；
图5为第一实施方式的形成激光处理装置的基板运送区域的部件的示例性剖视图。
图6为第一实施方式激光处理装置出现问题的示例性剖视图。
图7为第一实施方式激光处理装置出现问题的示例性平面图。
图8为第二实施方式激光处理装置的运送台的示例性剖视图。
图9为第二实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。
图10为第二实施方式激光处理装置出现问题的示例性剖视图。
图11为第三实施方式激光处理装置的示例性剖视图。
图12为第三实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。
图13为第三实施方式的形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性剖视图。
图14为第三实施方式的形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性平面图；
图15为第三实施方式激光处理装置和工件的示例性剖视图。
图16为第四实施方式激光处理装置的示例性剖视图。
图17为第四实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。
图18为第四实施方式的形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性剖视图。
图19为第四实施方式的形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性平面图。
图20为第五实施方式的激光处理方法的示例性流程图。
图21为例示半导体器件制造方法的示例性剖视图。
图22是用于说明有机电致发光显示器的轮廓的剖视图，并且示出了有机电致发光显示器的简化的像素电路。
图23是例示在比较例的激光处理装置的运送台上载置有工件的状态的示例性剖视图。
具体实施方式
为了解释清楚起见，下面的描述和附图适当地进行了简化和省略。此外，在所有附图中，相同的元件由相同的附图标记表示，并且在必要时不再重复描述。
首先，将使用根据比较例的激光处理装置来描述激光处理装置的问题。然后，通过与比较例比较的方式，对本实施方式的激光处理装置进行描述。因此，使得实施方式的激光处理装置更加清楚。
(比较例)
首先，对比较例激光处理装置进行描述。图23是例示在比较例的激光处理装置101的运送台40上载置有工件30的状态的剖视图。如图23所示，当工件30以漂浮在运送台40上的状态被运送时，喷射空气被保持在工件30的中央部分和运送台40之间，并且工件30可以是圆顶状的。然后，随着工件30的中央部分过度漂浮和弯曲，工件30的边缘部分39和拐角部分垂下。然后，工件30的边缘部分39和拐角部分与运送台40接触并被损坏。结果，由于从受损部分产生的灰尘等的影响，发生不均匀的激光照射，并且激光处理的性能劣化。
(第一实施方式)
以下，将对第一实施方式激光处理装置进行描述。在第一实施方式中，例如，防止了工件30变形为圆顶形状。图1为第一实施方式激光处理装置的示例性剖视图。图2为第一实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。在图2中，未示出运送台的一部分。
如图1和图2所示，激光处理装置1包括运送台40和激光照射单元20。激光处理装置1可以进一步包括光源(未示出)，并且激光照射单元20可以包括光源。激光处理装置1是向工件30照射激光21而进行激光处理的装置。
运送台40是能够使工件30漂浮并运送的台架。运送台40允许工件30漂浮在运送台40的上表面40f上方并进行运送。运送台40的上表面40f也称为台面。
在此，为了便于说明激光处理装置1，引入了XYZ正交坐标轴系。平行于台面的平面是XY平面。与台面垂直的方向定义为Z轴方向。例如，XY平面是水平面。Z轴方向是竖直方向，+Z轴方向表示向上侧。
工件30在漂浮在运送台40的上表面40f上方的同时沿运送方向16运送。例如，其端部被夹持机构15夹持的工件30在运送方向16上被运送。运送方向16例如是+X轴方向。夹持机构15不仅可以夹持工件30的端部，而且可以夹持工件30的中心部。
工件30包括例如基板31和形成在基板31上方的半导体膜32。基板31从台面漂浮并被运送，同时保持基板31的主表面平行于台面。基板31例如为玻璃基板，或诸如硅基板等的半导体基板。半导体膜32例如为非晶硅。激光处理的目的在于对工件30中的半导体膜32的进行多晶化，单晶化，改性，杂质失活以及杂质稳定化。例如，通过用激光21照射，非晶半导体膜32的至少一部分转变成多晶。激光处理不限于用于这些目的的处理。激光处理可以包括用于用激光21照射工件30以进行热处理的任何处理。另外，工件30不限于包括基板31和形成在基板31上的半导体膜32的工件，只要其进行激光处理即可。
激光照射单元20照射激光21。激光照射单元20例如用准分子激光照射工件30。由激光照射单元20照射的激光21不限于准分子激光，并且可以是根据期望的激光处理的激光21。
用于向基板31照射激光21的运送台40的上表面上方的区域称为激光照射区域50，用于运送基板31的运送台40的上表面的上方区域称为基板运送区域60。运送台40包括在运送台40的上表面上形成激光照射区域50的多个部件50a和在运送台40的上表面上形成基板运送区域60的多个部件60a。
除了部件50a和部件60a之外，运送台40还包括石材面板11，金属面板12，支架13，高度调节机构14和夹持机构15。支架13布置在地板表面上。石材面板11和金属面板12设置在支架13的上方。石材面板11和金属面板12可以设置在不同的支架13上。为了使附图更容易看清，附图中未示出一些符号。在附图中，存在未示出阴影线的部分。石材平台11和金属平台12支撑运送台40。
石材面板11例如以花岗岩等石材为主要成分形成。石材面板11是能够高精度地处理上表面的平坦度，在激光处理时几乎不弯曲且能够维持平坦度的面板。但是，几乎没有大的石材可以生产能够支撑所有的部件50a和部件60a的石材面板11。因此，石材面板11支撑要求平坦度的部件50a，例如激光照射区域50。石材面板11的材料不限于花岗岩，并且可以包括除花岗岩以外的石材作为主要成分，只要与金属面板12相比可以以更高的精度处理平坦度即可。
金属面板12例如由铝材料作为主要成分形成。金属面板12的材料不限于铝，并且例如可以是诸如不锈钢的金属。金属面板12也可以做得大，以支撑所有的部件50a和部件60a。然而，金属面板12可能具有不可忽略的挠曲，并且具有比石材面板11低的平坦度。因此，像激光照射区域50一样，比金属面板12要求平坦度更高的部件50a由石材面板11支撑，其他组合使用的部件60a由金属面板12支撑。
高度调节机构14设置在支架13与石材面板11和金属面板12之间。因此，石材面板11和金属面板12经由高度调节机构14设置。尽管未示出，但是高度调节机构14可以设置在支架13和地板表面之间。高度调节机构14被构造为通过例如垫板或楔形机构来调节Z轴方向上的高度。部件50a和部件60a分别设置在石材面板11和金属面板12上。通过高度调整机构14的调整，可以调整石材面板11、金属台面板12以及运送台40的上表面40f。高度调节机构14可以设置在部件50a自身和部件60a自身上方。
如上所述，运送台40包括多个部件50a和多个部件60a。多个部件60a设置在金属面板12上。因此，多个部件60a由金属面板12支撑。在图1中，形成在金属面板12上的多个部件60a被整体示出为一个部件，但是实际上是多个部件60a设置在金属面板12上。在下文中，多个部件60a可以被集中示出为一个部件。
多个部件50a设置在石材面板11上。多个部件50a由石材面板11支撑。
当俯视上表面40f时，即，当沿Z轴方向观察时，运送台40包括激光照射区域50和基板运送区域60，但是基板运送区域60的一部分未在图2中示出。由于多个部件50a设置在石材面板11上，因此也可以将激光照射区域50称为石材面板11上方的区域。激光照射区域50是从激光照射单元20照射的激光21照射到工件30的区域。换句话说，更本质的是，激光照射区域50是工件30高精度地漂浮以用激光21照射的区域。
多个部件50a被布置成在X轴方向上彼此分开。分开的间隙在Y轴方向上延伸。照射激光21以使其朝向分开的间隙。当从Z轴方向观察时，激光21的焦点22具有在Y轴方向上延伸的线性形状。激光21的焦点22位于多个部件50a分开的间隙上。可以在单个部件50a中形成在Y轴方向上延伸的凹槽，并且该凹槽可以具有与间隙相同的功能。换句话说，激光21的焦点22可以位于凹槽上。
图3为第一实施方式的用于形成激光处理装置1的激光照射区域50的部件50a的示例性剖视图。图4为第一实施方式的形成激光处理装置1的激光照射区域50的部件50a的示例性平面图。如图3和图4所示，部件50a可以喷射预定气体17以使工件30漂浮。预定气体17例如是氮气、空气或惰性气体。部件50a包括多孔体58和基座59。多孔体58设于基座59上方。部件50a包括由例如碳(C)，陶瓷或铬(Cr)制成的多孔体58。基座59例如由金属制成。
排气管70连接到部件50a。排气管70穿过基座59，并且连接到多孔体58。预定气体17通过排气管70供应到多孔体58。在部件50a中，可以从多孔体喷射预定气体17。排出预定气体17以从多孔体中的微小孔中排出。预定气体17通过多孔体58从部件50a喷出到工件30。这可以允许工件30漂浮在部件50a的上表面50f上。激光照射区域50的面对工件30的表面包括部件50a的上表面50f。
可以控制通过排气管70的预定气体17的流量或压力。例如，流量计91，压力计92和节流阀93连接至排气管70。然后，可以通过节流阀93调节排气管70中的预定气体17的流量或压力。
另外，进气管80连接到部件50a。与排气管70不同，进气管80贯穿部件50a的多孔体58和基座59。可以通过进气管80吸入在部件50a的上表面50f和工件30之间的喷射出的预定气体17。
可以控制通过进气管80的预定气体17的流量或压力。例如，流量计91，压力计92和节流阀93连接至进气管80。然后，可以通过节流阀93调节进气管80中的预定气体17的流量或压力。进气管80中的预定气体17的流量或压力可以通过真空调节器94来调节。
部件50a是进行排气和进气的部件。在激光照射区域50中，工件30从部件50a的上表面50f的漂浮高度被设定为例如10至30μm。在激光照射区域50中，部件50a可以通过使用节流阀93调节排气和进气来提高漂浮高度的控制精度。
在激光照射区域50中，从激光照射单元20射出的激光21照射到工件30。此时，有必要将工件30的待处理部分置于激光21的焦深(DOF)的范围内。焦点深度例如以激光21的焦点为中心沿着光轴在30μm的范围内。工件30的待处理部分例如是形成在基板31上方的半导体膜32。
在激光照射区域50中，当用激光21照射工件30时，需要限制工件30，以使工件30不会因热的影响而变形或移位。因此，工件30在激光照射区域50中的漂浮精度或漂浮刚度很重要。因此，激光照射区域50处于非接触吸附状态，在该非接触吸附状态下，预定气体17朝着工件30喷出，并且抽吸出在工件30与部件50a之间喷出的预定气体17。
在激光照射区域50中，由于需要进行控制以将工件30精确地置于激光21的焦深范围内，因此将部件50a设置在石材面板11上。石材面板11能够以较高的平坦度精度处理上表面并且弯曲很少。因此，能够提高配置在石材面板11上的部件50a的上表面50f的平坦度。
基板运送区域60是从Z轴方向观察时配置有多个部件60a的区域。另外，由于多个部件60a设置在金属面板12上，因此可以将基板运送区域60称为金属面板12上方的区域。基板运送区域60是与激光照射区域50分开的区域。例如，激光照射区域50和基板运送区域60在运送台40的上表面40f上沿X轴方向排列。激光照射区域50在X轴方向从两侧夹在基板运送区域60之间。
从Z轴方向观察时，多个部件60a例如以矩阵状配置在金属面板12上。多个部件60a布置成彼此分开。每个部件60a在X轴方向和Y轴方向上具有例如1000mm和200mm的长度。部件60a在X轴方向和Y轴方向上的长度不限于此，例如可以是200mm和1000mm，也可以是其他尺寸。
在X轴方向和Y轴方向上彼此相邻的部件60a之间的间隙的宽度例如为10mm。间隙的宽度可以根据部件60a的每一侧的长度而改变，但是例如，Y轴方向上的间隙为2至60mm。将部件60a在Y轴方向上的长度定义为L，将间隙在Y轴方向上的最小宽度定义为Lmin，并且将间隙在Y轴方向上的最大宽度定义为Lmax。然后，如下建立表达式(1)和(2)。
Lmin＝n1×L (1)
Lmax＝n2×L (2)
在此，n1与n2之间的关系例如为0<n1且n2<1，n1例如为0.01,且n2例如为0.3。部件60a在X轴方向上的长度与间隙的宽度之间的关系也可以建立表达式(1)和(2)。
图5为第一实施方式的形成激光处理装置1的基板运送区域60的部件60a的示例性剖视图。如图5所示，运送台40中的每个部件60a可以喷射预定气体17以漂浮工件30。每个部件60a包括多个通孔90，预定气体17可以通过多个通孔90喷出。基板运送区域60的面对工件30的表面包括多个部件60a的上表面60f。尽管为了清楚起见在图中仅示出了几个通孔90，但是每个部件60a可以包括大量的通孔90。预定气体17例如是氮气，空气或惰性气体。部件60a例如由以铝(Al)为主要成分的金属制成。
可以控制通过通孔90的预定气体17的流量或压力。例如，尽管未示出，但是流量计，压力计和节流阀连接至通孔。通孔90中的预定气体17的流量或压力可以通过节流阀来调节。
每个部件60a是仅执行排气的部件。在基板运送区域60中，通过使用节流阀调节部件60a的排气来控制漂浮高度。因此，在基板运送区域60中的工件30的漂浮高度的控制精度可以比在激光照射区域50中的工件30的漂浮高度的控制精度低。例如，当将工件30在激光照射区域50中的漂浮高度设置为10至30μm时，控制精度为20±10μm。当工件30在每个部件60a的上表面60f的漂浮高度被设置为例如300～500μm时，控制精度为400±100μm。
在基板运送区域60中，各部件60a以一定间隔并排布置。因此，向被工件30喷出并在被工件30与各部件60a之间排出的预定气体17从间隙逸出至部件60a的下方。由此，可以消除空气的滞留，并且可以防止工件30变形为圆顶形状。结果，可以获得工件30的拐角部分和边缘部分39的适当的漂浮高度。
在基板运送区域60中，漂浮高度的控制精度比激光照射区域50中的漂浮高度的控制精度低，与大型工件30相对应，所需的尺寸较大，因此，使用便宜的金属面板12。基板运送区域60的控制精度低的原因在于，存在背景，即被工件30与部件60a不必接触。
在根据第一实施方式的激光处理装置1中，可以防止工件30的形状变形为圆顶形状。
(第二实施方式)
以下，对第二实施方式进行描述。首先，将描述与根据第一实施方式的激光处理装置1的问题不同的问题。以下，对第二实施方式激光处理装置2进行描述。
图6为第一实施方式激光处理装置1出现问题的示例性剖视图。图7为第一实施方式激光处理装置1出现问题的示例性平面图。如图6和图7所示，运送台40布置在石材面板11和金属面板12上。从平坦度的观点来看，运送台40优选整体设置在石材面板11上。石材面板11易于在处理过程中获得上表面的平坦度的精度。因此，可以在设置在石材面板11上方的运送台40上精确地处理工件30。
但是，几乎没有大的石材可以生产能够支撑整个运送台40的石材面板11。因此，这种材料也很昂贵(如果有的话)，并且处理和运输也很昂贵，这在成本方面是不利的。因此，石材面板11仅用于需要高精度的平坦度来进行激光21照射的激光照射区域50。
另一方面，基板运送区域60不要求像激光照射区域50那样的平坦度精度。另外，由于需要与大型工件30相对应的工作台面，因此使用廉价的金属面板12。然而，与石材面板11相比，在金属面板12中可能出现不可忽略的挠曲。然后，台阶D可能在部件50a的上表面50f和多个部件60a的上表面60f之间出现。台阶D使得部件50a的上表面50f低于部件60a的上表面60f。台阶D也可能使得上表面60f低于上表面50f。
如图7所示，由于金属面板12容易弯曲，因此金属面板12的靠近石材面板11的端部发生微米级弯曲，并且，在俯视视角下，台阶D在金属面板12和石材面板11之间以微米级分布。例如，台阶D在金属面板12与石材面板11之间的+Y轴方向侧121与中央部122之间的Z轴方向上出现，或者在中央部122与-Y轴方向侧123之间的Z轴方向上发生。然后，金属面板12与石材面板11之间的台阶D也反映了其在部件60a与部件50a之间。结果，台阶D也出现在部件60a的上表面60f和部件50a的上表面50f之间。相对于激光照射区域50中的漂浮高度(10～30μm)，即使在微米水平，在部件60a与部件50a之间所反映的台阶D也是不可忽略的台阶D。
台阶D出现的原因的实例除了金属面板12的挠曲之外，还包括金属面板12的上表面的公差，部件60a的厚度的公差和高度调节机构的误差。
如图6所示，当在激光照射区域50与基板运送区域60之间出现台阶D时，工件30从基板运送区域60向激光照射区域50移动时，工件30与部件60a的端部接触。由于激光照射区域50中的漂浮高度低至10至30μm，因此即使台阶D约为10μm，也有可能发生接触。然后，工件30与部件60a之间的接触引起诸如损坏工件30和产生灰尘等问题。例如，灰尘的产生引起激光21的不均匀照射，并且降低了激光照射装置的性能。
下面将描述根据第二实施方式的激光处理装置2。第二实施方式的激光处理装置2与第一实施方式的激光处理装置1的不同之处在于，在金属面板12的上方设置有基板运送区域60和移动区域61。
图8为第二实施方式激光处理装置2的运送台40的示例性剖视图。图9为第二实施方式激光处理装置2的运送台40的示例性平面图。如图8和图9所示，第二实施方式的激光处理装置2构成为，除了多个部件60a之外，在金属面板12上还配置有形成移动区域61的多个部件61a。在图8中，未示出诸如设置在石材面板11的+X轴方向侧的金属面板12、部件60a和部件61a等组件。在图9中，未示出一些这样的组件。实际上，金属面板12、多个部件60a和多个部件61a也设置在石材面板11的+X轴方向侧。
多个部件61a布置在金属面板12上方，更靠近激光照射区域50。因此，多个部件61a设置在多个部件60a与多个部件50a之间。每个部件61a可具有与部件60a相似的外形。在图8中，形成在金属面板12上的多个部件61a被整体示出为一个部件，但是实际上是多个部件61a设置在金属面板12上。在下文中，多个部件61a可以被整体示出为一个部件。
移动区域61是在俯视时即从Z轴方向观察时配置有部件61a的区域。因此，基板运送区域60和移动区域61设置在金属面板12的上方。如上所述，运送台40还包括设置在激光照射区域50与基板运送区域60之间的移动区域61。移动区域61设置在基板运送区域60和激光照射区域50之间。另外，激光照射区域50被夹在移动区域61之间。
在相邻的部件61a之间以及彼此相邻的部件61a与部件60a之间设有间隙。该间隙的宽度可以类似于彼此相邻的部件60a之间的间隙的宽度。因此，部件61a在X轴方向和Y轴方向上的长度与间隙之间的关系满足表达式(1)和(2)。
各个部件61a是与部件60a同样地进行排气的部件。换句话说，每个部件61a可以喷射预定气体17以使工件30漂浮。每个部件61a包括多个通孔(未示出)，预定气体17可以通过这些通孔喷出。每个部件61a中的通孔，流量计，压力计和节流阀的功能与部件60a中的功能相同，并且可以调节预定气体17的流量或压力。部件61a还可以进行进气。例如，部件61a具有与部件50a相同的结构，并且可以设置有排气管和进气管。穿过排气管和进气管的预定气体17的流量或压力可以是可控制的。
移动区域61的面向工件30的表面包括多个部件61a的上表面61f。移动区域61中的工件30的漂浮高度的控制精度高于基板运送区域60中的工件30的漂浮高度的控制精度。例如，将工件30在移动区域61中的漂浮高度设置为50至150μm。例如，通过控制从部件61a喷出的预定气体17的量，可以将漂浮高度设定为50～150μm。因此，漂浮高度的控制精度为100±50μm。另一方面，将工件30在基板运送区域60中的漂浮高度设置为300至500μm，并且漂浮高度的控制精度为400±100μm。第二实施方式的激光处理装置2的其他结构与第一实施方式相同。
在本实施方式中，将工件30在基板运送区域60中的漂浮高度设定为300～500μm。工件30在移动区域61中的漂浮高度被设置为50至150μm。工件30在激光照射区域50中的漂浮高度被设置为10至30μm。因此，设置移动区域61以防止当工件30从基板运送区域60移动到激光照射区域50时工件30的漂浮高度的突然变化。
(第三实施方式)
下面将描述第三实施方式。以下，将对第二实施方式激光处理装置2的问题进行说明。然后，将对第三实施方式激光处理装置3进行描述。
图10为第二实施方式激光处理装置2出现问题的示例性剖视图。如图10所示，工件30在移动区域61中的漂浮高度为大约50至150μm，而工件30在激光照射区域50中的漂浮高度为大约低至10至30μm。因此，即使移动区域61与激光照射区域50之间的台阶D为约10μm，也有可能导致接触。因此，如在第一实施方式中一样，工件30与运送台40之间的接触引起诸如对工件30的损坏和灰尘的产生等问题，这降低了激光照射装置的性能。
下面将描述根据第三实施方式的激光处理装置3。根据第三实施方式的激光处理装置3与根据第一和第二实施方式的激光处理装置的不同之处在于，在石材面板11上设置有低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52。图11为第三实施方式激光处理装置3的示例性剖视图。图12为第三实施方式激光处理装置3的运送台40的示例性平面图。
如图11和图12所示，在根据第三实施方式的激光处理装置3中，石材面板11上方的部件50a被划分为低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52。换句话说，低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52是部件50a中的区域。中漂浮高度区域52被布置在部件50a中，以便更接近基板运送区域60。例如，在将基板运送区域60配置在部件50a的-X轴方向侧的情况下，中漂浮高度区域52是配置在部件50a的-X轴方向侧的区域。部件50a被分为低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52，但是部件50a是单个部件。
激光照射区域50在俯视时(即，在Z轴方向上观察时(以下，相同))，具有低漂浮高度区域51和与低漂浮高度区域51相邻的中漂浮高度区域52。低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52在X轴方向上并排设置。中漂浮高度区域52设置在移动区域61和低漂浮高度区域51之间。在俯视视角下，低漂浮高度区域51与激光21的焦点重叠。
工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度被设置为10至30μm。工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度被设置为50至150μm。因此，基板31在中漂浮高度区域52中的漂浮高度大于其在低漂浮高度区域51中的漂浮高度。
图13为第三实施方式的形成激光处理装置3的激光照射区域50的部件50a的示例性剖视图。图14为第三实施方式的形成激光处理装置3的激光照射区域50的部件50a的示例性平面图。如图13和图14所示，在平面图中，部件50a包括低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52。部件50a中的低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52可以喷射预定气体17以使工件30漂浮。部件50a中的低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52包括多孔体58和基座59。多孔体58设于基座59上方。
排气管71连接在低漂浮高度区域51中，且排气管72连接在中漂浮高度区域52中。具体地，排气管71穿透基座59并且连接到多孔体58。预定气体17通过排气管71供应到多孔体58。在低漂浮高度区域51中，预定气体17可以从多孔体58喷出。排出预定气体17以便从多孔体58中的微小孔中排出。预定气体17通过多孔体58从低漂浮高度区域51喷出到工件30。
在中漂浮高度区域52中，与低漂浮高度区域51一样，预定气体17通过多孔体58从中漂浮高度区域52喷出至工件30。以此方式，预定气体通过排气管71和排气管72被供应到部件50a。例如，预定气体被供应到部件50a的多孔体。然后，预定气体17从部件50a喷出到工件30。
分别通过排气管71和排气管72的预定气体的流量或压力被独立地控制。例如，流量计91，压力计92和节流阀93连接至排气管71和排气管72。排气管71和排气管72中的预定气体17的流量或压力可以通过节流阀93来调节。
另外，进气管81连接在低漂浮高度区域51中，且进气管82连接在中漂浮高度区域52中。具体地，与排气管71不同，进气管81在低漂浮高度区域51中穿透多孔体58和基座59。可以通过进气管81吸入在低漂浮高度区域51的上表面51f和工件30之间的喷出的预定气体17。
类似于低漂浮高度区域51，在中漂浮高度区域52中，也可以通过进气管82吸入在中漂浮高度区域52的上表面52f和工件30之间的喷射出的预定气体17。这样，预定气体17通过进气管81和进气管82被吸入部件50a。
分别通过进气管81和进气管82的预定气体的流量或压力被独立地控制。例如，流量计91，压力计92和节流阀93连接至进气管81和进气管82。进气管81和进气管82中的预定气体17的流量或压力可以通过节流阀93来调节。进气管81和进气管82中的预定气体17的流量或压力可以通过真空调节器94来调节。
在本实施方式中，将工件30在基板运送区域60中的漂浮高度设定为300～500μm。工件30在移动区域61中的漂浮高度被设置为50至150μm。因此，基板31在基板运送区域60中的漂浮高度大于其在移动区域61中的漂浮高度。
工件30在激光照射区域50的中漂浮高度区域52中的漂浮高度被设置为50至150μm。因此，基板在中漂浮高度区域52中的漂浮高度基本上等于其在移动区域61中的漂浮高度。工件30在激光照射区域50的低漂浮高度区域51中的漂浮高度被设置为10至30μm。因此，基板31在移动区域61中的漂浮高度大于其在低漂浮高度区域51中的漂浮高度。
工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度的控制精度高于工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度的控制精度。例如，当将工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度设置为10至30μm时，控制精度为20±10μm。当工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度设置为50至150μm时，控制精度为100±50μm。
工件30在移动区域61中的漂浮高度的控制精度高于工件30在基板运送区域60中的漂浮高度的控制精度。例如，当将工件30在移动区域61中的漂浮高度设置为50至150μm时，控制精度为100±50μm。当将工件30在基板运送区域60中的漂浮高度设置为300至500μm时，控制精度为400±100μm。
另外，工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度的控制精度基本上等于工件30在移动区域61中的漂浮高度的控制精度。工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度被设置为等于工件30在移动区域61中的漂浮高度。
图15为第三实施方式激光处理装置3和工件30的示例性剖视图。如图15所示，设置移动区域61和中漂浮高度区域52以防止当工件30从基板运送区域60移动到低漂浮高度区域51时工件30的漂浮高度突然变化。
工件30在移动区域61中的漂浮高度为大约50至150μm，且工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度也为50至150μm。因此，在金属面板12和石材面板11相邻的端部处的漂浮高度相等。漂浮高度明显大于预料的台阶D。例如，将端部的漂浮高度设置为比预料的台阶D的高度10μm大50至150μm。
因此，即使在金属面板12上方的移动区域61与石材面板11上方的激光照射区域50之间存在微小的台阶D的情况下，也能够防止工件30与部件61a、部件60a和部件50a接触。因此，可以防止由于工件30和运送台40之间的接触而导致的工件30的损坏和灰尘的产生，并且可以改善激光处理装置3的性能。其他构造和效果包括在比较例1和2的描述中。
(第四实施方式)
下面将描述根据第四实施方式的激光处理装置4。根据第四实施方式的激光处理装置4与根据第三实施方式的激光处理装置3的不同之处在于，除了低漂浮高度区域51和中漂浮高度区域52之外，在石材台面板11上还设有高漂浮高度区域53。此外，部件61a未设置在金属面板12上。图16为第四实施方式激光处理装置4的示例性剖视图。图17为第四实施方式激光处理装置4的运送台40的示例性平面图。
如图16和图17所示，在根据第四实施方式的激光处理装置4中，石材面板11上方的部件50a被划分为低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53。换句话说，低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53是部件50a中的区域。高漂浮高度区域53设置在部件50a中，以便更接近基板运送区域60。因此，中漂浮高度区域52设置在高漂浮高度区域53和低漂浮高度区域51之间。部件50a被分成低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53，但是部件50a是单个部件。
在平面图中，激光照射区域50包括低漂浮高度区域51，与低漂浮高度区域51相邻的中漂浮高度区域52以及与中漂浮高度区域52相邻的高漂浮高度区域53。
低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53在X轴方向上并排设置。中漂浮高度区域52设置在低漂浮高度区域51和高漂浮高度区域53之间。在平面图中，低漂浮高度区域51与激光21的焦点22重叠。在平面图中，部件50a包括低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53。
工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度大于其在中漂浮高度区域52中的漂浮高度。工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度大于其在低漂浮高度区域51中的漂浮高度。
例如，工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度被设置为10至30μm。工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度被设置为50至150μm。工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度被设置为300至500μm。
图18为第四实施方式的形成激光处理装置4的激光照射区域50的部件50a的示例性剖视图。图19为第四实施方式的形成激光处理装置4的激光照射区域50的部件50a的示例性平面图。如图18和19所示，部件50a中的低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53可以喷射预定气体17以使工件30漂浮。低漂浮高度区域51，中漂浮高度区域52和高漂浮高度区域53都包括多孔体58和基座59。多孔体58设于基座59上方。
排气管73连接在高漂浮高度区域53中。如上所述，排气管71连接在低漂浮高度区域51，且排气管72连接在中漂浮高度区域52中。与排气管71及排气管72类似，排气管73也贯穿基座59并与多孔质体58连接。预定气体17通过排气管73被供应到高漂浮高度区域53中的多孔体58。在高漂浮高度区域53中，预定气体17可以从多孔体58喷出。排出预定气体17以便从多孔体58中的微小孔中排出。预定气体17通过多孔体58从高漂浮高度区域53喷出到工件30。
以这种方式，预定气体17通过排气管71、排气管72和排气管73被供应到部件50a。例如，预定气体被供应到部件50a的多孔体58。然后，预定气体17从部件50a喷出到工件30。
分别通过排气管71、排气管72和排气管73的预定气体17的流量或压力被独立地控制。例如，流量计91，压力计92和节流阀93连接到各个排气管。各个排气管中的预定气体17的流量或压力可以通过节流阀93来调节。
另外，在高漂浮高度区域53中连接有进气管83。如上所述，在低漂浮高度区域51中连接有进气管81，且在中漂浮高度区域52中连接有进气管82。类似于进气管81和进气管82，进气管83在高漂浮高度区域53中穿透多孔体58和基座59。可以通过进气管83吸入在高漂浮高度区域53的上表面53f与工件30之间的喷射出的预定气体17。如上所述，预定气体通过进气管81、进气管82和进气管83被吸入部件50a。
分别经过进气管81、进气管82和进气管83的预定气体17的流量或压力可以被独立地控制。例如，流量计91，压力计92和节流阀93连接到各个进气管。各个进气管中的预定气体17的流量或压力可以通过节流阀93进行调节。各个进气管中的预定气体17的流量或压力可以通过真空调节器94来调节。
在本实施方式中，工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度被设定为300至500μm。工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度被设置为50至150μm。工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度被设置为10至30μm。因此，基板31在高漂浮高度区域53中的漂浮高度大于其在中漂浮高度区域52和低漂浮高度区域51中的漂浮高度。
工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度的控制精度高于工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度的控制精度。例如，当将工件30在低漂浮高度区域51中的漂浮高度设置为10至30μm时，控制精度为20±10μm。当工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度被设置为50至150μm时，控制精度为100±50μm。
另外，工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度的控制精度高于工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度的控制精度。例如，将工件30在中漂浮高度区域52中的漂浮高度设置为50至150μm，控制精度为100±50μm。当工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度被设置为300至500μm时，控制精度为400±100μm。
工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度的控制精度基本上等于工件30在基板运送区域60中的漂浮高度的控制精度。工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度被设置为等于工件30在基板运送区域60中的漂浮高度。
高漂浮高度区域53和中漂浮高度区域52被设置为当工件30从基板运送区域60移动到激光照射区域50中的低漂浮高度区域51时防止工件30的漂浮高度突然变化。
工件30在基板运送区域60中的漂浮高度为大约300至500μm，且工件30在高漂浮高度区域53中的漂浮高度也为300至500μm。因此，在金属面板12和石材面板11相邻的端部处的漂浮高度相等。此外，不仅漂浮高度相等，而且漂浮高度被设置为300至500μm，这比第三实施方式中的50至150μm高。因此，可以防止工件30接触部件60a和部件50a。因此，可以防止由于工件30和运送台40之间的接触而导致的工件30的损坏和灰尘的产生，并且可以改善激光处理装置4的性能。其他配置和效果包括在第一至第三实施方式的描述中。
(第五实施方式)
下面将描述第五实施方式。第五实施方式涉及使用激光处理装置进行的激光处理方法。图20为第五实施方式的激光处理方法的示例性流程图。如图20的步骤S11所示，首先，准备激光处理装置。所准备的激光处理装置优选为第一实施方式至第四实施方式中的任一个的激光处理装置。
具体而言，例如，激光处理装置优选包括激光照射单元20和能够允许工件30漂浮并运送工件30的运送台40。在平面图中，运送台40优选包括激光照射区域50，在该激光照射区域50中，从激光照射单元20照射的激光21照射到工件30；以及与激光照射区域50分离的基板运送区域60。激光照射区域50的面对工件30的表面包括部件50a的上表面50f，预定气体17可以从该部件50a的上表面50f喷出以使工件30漂浮，基板运送区域60的面对工件30的表面包括多个部件60a的上表面60f，预定气体17可以从该部件60a的上表面60f喷出以使工件30漂浮，在基板运送区域60中的多个部件60a以彼此分开的方式布置。
接着，如图20的步骤S12所示，将工件30运送到激光处理装置的运送台40上。具体而言，将工件30从基板运送区域60朝着激光照射区域50运送。在基板运送区域60和激光照射区域50中，将工件30的漂浮高度控制为预定的漂浮高度。在第二和第三实施方式的情况下，工件30在移动区域61中的漂浮高度也被控制为预定的漂浮高度。
接着，如图20的步骤S13所示，对工件30照射激光21，以进行激光处理。例如，当工件30包括基板31和形成在基板31上的半导体膜32时，用激光21照射半导体膜32以进行激光处理。在该情况下，工件30被激光处理。
根据本实施方式的激光处理方法，由于使用了第一实施方式至第四实施方式中的任一实施方式的激光处理装置，因此能够防止工件30变形为圆顶形状。因此，可以防止工件30的边缘部分39和拐角部分与运送台40接触并被损坏，并且可以防止由于损坏部分产生的灰尘而导致的激光21的不均匀照射。因此，可以防止激光处理的性能降低。
使用根据第三和第四实施方式的激光处理装置，可以使工件30的漂浮高度在金属面板12和石材面板11彼此相邻的端部处相等。因此，可以防止工件30接触部件60a和部件50a。因此，可以防止由于工件30和运送台40之间的接触而导致的工件30的损坏和灰尘的产生，并且可以改善激光处理装置1至4的性能。
(半导体器件制造方法)
以下，作为另一实施方式，对采用上述激光处理装置的半导体器件制造方法进行描述。根据本实施方式的半导体器件制造方法包括准备激光处理装置的步骤，将其上形成有非晶半导体膜32的基板31作为工件30运送到运送台40上的步骤，激光照射工件30以使非晶半导体膜32多晶化的步骤。在使非晶半导体膜32多晶化的步骤中，执行使用激光处理装置的激光处理方法。半导体器件包括例如薄膜晶体管(TFT)。多晶化的半导体膜32构成薄膜晶体管的至少一部分。薄膜晶体管例如用于控制显示器。
图21为例示半导体器件制造方法的示例性剖视图。上述第一至第四实施方式的激光处理装置适于制造TFT阵列基板。在附图中，未示出阴影线的一部分，以免变得复杂。以下，对制造包含TFT的半导体器件的方法进行描述。
首先，如图21(a)所示，在玻璃基板201上形成栅电极202。例如，含铝等金属的金属薄膜可用作栅电极202。随后，如图21(b)所示，在栅电极202上形成栅极绝缘膜203。所形成的栅极绝缘膜203覆盖栅电极202。在此之后，如图21(c)所示，在栅极绝缘膜203上形成非晶硅膜204。非晶硅膜204通过将栅极绝缘膜203夹在非晶硅膜204和栅电极202之间而叠加于栅电极202上。
栅极绝缘膜203例如为氮化硅膜(SiNx)、氧化硅膜(SiO2膜)或以上两者的层叠膜等。具体而言，栅极绝缘膜203和非晶硅膜204通过化学气相沉积(CVD)技术相继沉积而成。其上沉积非晶硅膜204的玻璃基板201即为激光处理装置1中的工件30。
随后，如图21(d)所示，利用上述激光处理装置，以激光照射非晶硅膜204，以使得非晶硅膜204结晶化并形成多晶硅膜205。由此，栅极绝缘膜203上形成所含硅已结晶化的多晶硅膜205。
此时，使用根据上述实施方式的激光处理装置可以减小玻璃基板201在激光照射期间的挠曲的影响，并且可以防止偏离用于照射非晶硅膜204的激光的焦点深度(DOF)。因此，可以形成均匀结晶的多晶硅膜205。
随后，如图21(e)所示，在多晶硅膜205上形成层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b。层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b可通过常规光刻技术或成膜技术形成。
通过上述半导体器件制造方法，可制造含TFT的半导体器件。需要注意的是，后续制造步骤随最终制造器件的不同而不同，因此不再赘述。
<有机电致发光显示器>
以下，作为采用含TFT的半导体器件的装置的一例，对有机电致发光显示器进行描述。图22是用于说明有机电致发光显示器的轮廓的剖面图，并且示出了有机电致发光显示器的简化的像素电路。图22所示的有机电致发光显示器300为每一像素Px中均设有TFT的有源矩阵型显示装置。
有机电致发光(EL)显示器300包括基板310、TFT层311、有机层312、滤色层313及密封基板314。图22所示为顶部发射型有机EL显示器，其中，密封基板314一侧位于观看侧。需要注意的是，以下描述用于展示有机EL显示器的例示结构，本实施方式并不限于下述结构。本实施方式半导体器件也可例如用于底部发射型有机EL显示器。
基板310为玻璃基板或金属基板。TFT层311设于基板310之上。TFT层311包含分别设于各个像素Px中的TFT 311a。TFT层311还包括与TFT 311a连接的连接线路。TFT 311a与该线路构成像素电路。TFT层311对应于图19所示的TFT，并包括栅电极202、栅极绝缘膜203、多晶硅膜205、层间绝缘膜206、源电极207a和漏电极207b。
有机层312设于TFT层311上。有机层312包括分别设于各个像素Px中的有机EL发光单元312a。有机EL发光单元312a例如具有由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极组成的叠层结构。在顶部发射型的情况下，所述阳极为金属电极，而阴极为氧化铟锡(ITO)等制成的透明导电膜。此外，有机层312还设置有隔断312b，以用于将像素Px之间的有机EL发光单元312a分隔开来。
滤色层313设于有机层312上。滤色层313包括用于实现彩色显示的滤色片313a。也就是说，每一像素Px中均设有作为滤色片313a的红(R)、绿(G)或蓝(B)着色的树脂层。当有机层312发出的白光通过滤色片313a时，该白光其被转化为具有RGB三色的光。需要注意的是，当有机层312内设有有机EL发光单元能够发出红绿蓝三色当中每一色的三色系统时，可不设滤色层313。
密封基板314设于滤色层313上。密封基板314为玻璃基板等透明基板，而且用于防止有机层312的有机EL发光单元发生性能下降。
流经有机层312的有机EL发光单元312a的电流根据供于像素电路的显示信号变化。因此，通过向每一像素Px提供与显示图像相对应的显示信号，可以控制每一像素Px的发光量。由此，可以显示期望的图像。
虽然上文中将所述有机EL显示器作为采用含TFT的半导体器件的装置的一例进行了描述，所述含TFT的半导体器件也可以例如为液晶显示器。此外，已经描述了将根据本实施方式的激光处理装置1应用于激光退火装置的情况。本实施方式激光处理装置也可应用于激光退火装置以外的其他装置。
以上，已根据实施方式，对本申请发明人做出的本发明进行了具体描述，但是本发明并不限于上述实施方式，而且无需赘言，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，还可做出各种变化。
本申请基于申请号为2018-080321且申请日为2018年4月19日的日本专利申请，并且要求其优先权，该申请的所有内容通过引用并入本文。
附图标记列表
1、2、3、4、101 激光处理装置
11 石材面板
12 金属面板
13 支架
14 高度调节机构
15 夹持机构
16 运送方向
17 预定气体
20 激光照射单元
21 激光
22 焦点
30 工件
31 基板
32 半导体膜
39 边缘部分
40 运送台
40f 上表面
50 激光照射区域
50a 部件
50f 上表面
51 低漂浮高度区域
52 中漂浮高度区域
53 高漂浮高度区域
58 多孔体
59 基座
60 基板运送区域
60a 部件
60f 上表面
61 移动区域
61a 部件
70、71、72、73 排气管
80、81、82、83 进气管
90 通孔

Claims (24)

1.一种激光处理装置，其特征在于，包括：
激光照射单元；和
运送台，能够允许基板漂浮并运送；
其中，所述运送台包括：
激光照射区域，在该激光照射区域中，从所述激光照射单元照射的激光对所述基板进行照射；和
基板运送区域，与所述激光照射区域分开；
其中，所述激光照射区域的面对所述基板的表面由第一部件构成，第一气体能够从所述第一部件喷出而使所述基板漂浮；
所述基板运送区域的面对所述基板的表面由多个第二部件构成，第二气体能够从所述第二部件喷出而使所述基板漂浮；
所述基板运送区域中的所述多个第二部件彼此分开布置。
2.根据权利要求1所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件包括：
第一区域；
与所述第一区域相邻的第二区域；和
与所述第二区域相邻的第三区域；
俯视视角下，所述第三区域与所述激光的焦点重叠，
所述基板在所述第二区域中的漂浮高度的控制精度高于所述基板在所述第一区域中的漂浮高度的控制精度，并且
所述基板在所述第三区域中的漂浮高度的控制精度高于所述基板在所述第二区域中的所述漂浮高度的所述控制精度。
3.根据权利要求2所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件在所述第一区域连接第一排气管，在所述第二区域连接第二排气管，以及在所述第三区域连接第三排气管；
所述第一气体通过所述第一排气管、所述第二排气管和所述第三排气管供应到所述第一部件；
所述第一气体从所述第一部件喷射到所述基板，并且
分别通过所述第一排气管、所述第二排气管和所述第三排气管的所述第一气体的流速或压力能够被独立控制。
4.根据权利要求2所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件在所述第一区域连接第一进气管，在所述第二区域连接第二进气管，以及在所述第三区域连接第三进气管；
所述第一气体通过所述第一进气管、所述第二进气管和所述第三进气管被吸入；
分别通过所述第一进气管、所述第二进气管和所述第三进气管的所述第一气体的流速或压力能够被独立控制。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述基板离开所述第一区域中所述第一部件的表面的漂浮高度大于所述基板离开所述第二区域中所述第一部件的表面的漂浮高度，以及
所述基板离开所述第二区域中所述第一部件的所述表面的所述漂浮高度大于所述基板离开所述第三区域中所述第一部件的表面的漂浮高度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件是多孔体，并且
所述第一气体能够从所述多孔体中喷出。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述第一部件为陶瓷。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述多个第二部件中的每个都具有能够喷出所述第二气体的多个通孔。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述多个第二部件由金属制成。
10.根据权利要求9所述的激光处理装置，其特征在于，所述多个第二部件以铝为主要成分。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
12.根据权利要求1至12中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述衬底上方形成有非晶半导体膜，并且
通过激光照射，所述非晶半导体膜转变成多晶半导体膜。
13.根据权利要求12所述的激光处理装置，其特征在于，所述多晶半导体膜构成薄膜晶体管。
14.根据权利要求13所述的激光处理装置，其特征在于，所述薄膜晶体管用于控制显示器。
15.一种激光处理装置，其特征在于，包括：
激光照射单元；和
运送台，能够允许基板漂浮并运送；
其中，所述运送台包括：
激光照射区域，在该激光照射区域中，从所述激光照射单元照射的激光对所述基板进行照射；和
基板运送区域，与所述激光照射区域分开；
其中，所述激光照射区域的面对所述基板表面由第一部件构成，第一气体能够从所述第一部件喷出而使所述基板漂浮；
所述第一部件包括：
第一区域；
与所述第一区域相邻的第二区域；和
与所述第二区域相邻的第三区域；
俯视视角下，所述第三区域与所述激光的焦点重叠，
所述基板在所述第二区域中的漂浮高度的控制精度高于所述基板在所述第一区域中的漂浮高度的控制精度，并且
所述基板在所述第三区域中的漂浮高度的控制精度高于所述基板在所述第二区域中的所述漂浮高度的所述控制精度。
16.根据权利要求15所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件在所述第一区域连接第一排气管，在所述第二区域连接第二排气管，以及在所述第三区域连接第三排气管；
所述第一气体通过所述第一排气管、所述第二排气管和所述第三排气管供应到所述第一部件，
所述第一气体从所述第一部件喷射到所述基板，并且
分别通过所述第一排气管、所述第二排气管和所述第三排气管的所述第一气体的流速或压力能够被独立控制。
17.根据权利要求15或16所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件在所述第一区域连接第一进气管，在所述第二区域连接第二进气管，以及在所述第三区域连接第三进气管；
所述第一气体通过所述第一进气管、所述第二进气管和所述第三进气管被吸入；
分别通过所述第一进气管、所述第二进气管和所述第三进气管的所述第一气体的流速或压力能够被独立控制。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述基板离开所述第一区域中所述第一部件的表面的漂浮高度大于所述基板离开所述第二区域中所述第一部件的表面的漂浮高度，以及
所述基板离开所述第二区域中所述第一部件的所述表面的所述漂浮高度大于所述基板离开所述第三区域中所述第一部件的表面的漂浮高度。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述第一部件是多孔体，并且
所述第一气体能够从所述多孔体中喷出。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述第一部件为陶瓷。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
22.根据权利要求15至21中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，
所述衬底上方形成有非晶半导体膜，并且
通过激光照射，所述非晶半导体膜转变成多晶半导体膜。
23.根据权利要求22所述的激光处理装置，其特征在于，所述多晶半导体膜构成薄膜晶体管。
24.根据权利要求23所述的激光处理装置，其特征在于，所述薄膜晶体管用于控制显示器。
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