CN107430998A - 气氛形成装置及上浮搬运方法 - Google Patents
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- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 238000007667 floating Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 139
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 56
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 46
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 246
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 123
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 99
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 84
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 40
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 21
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000039 congener Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
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- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
- B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
- B65G49/065—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position supported partially or completely on fluid cushions, e.g. a gas cushion
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/54—Glass
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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Abstract
一种气氛形成装置,该气氛形成装置设置于上浮搬运装置,该上浮搬运装置利用气体喷出从而将工件上浮支承并搬运,在包含有进行所述搬运的搬运路径的大域区域中的大域气氛(A)内,具有小域气氛形成部,该小域气氛形成部在包含有所述搬运路径的小域区域内形成与所述大域气氛(A)不同的小域气氛(B)。
Description
技术领域
本发明涉及一种形成上浮搬运工件时的气氛的气氛形成装置及上浮搬运方法。
背景技术
为了制造液晶显示器,作为搬运·加工玻璃基板的激光处理装置的一种,已知有利用激光对非结晶硅膜进行结晶化的结晶化装置。
以往,在这种结晶化装置中,提出了一种技术,该技术使惰性气体充满激光照射部附近从而使激光向非结晶硅膜照射。
例如专利文献1中提出了以下方法,设置气体喷出部和沿着扫描方向延伸的端部整流面,使从气体喷出部喷出的气体流向端部整流面与玻璃基板之间,从而在激光的照射部近旁至其周围的扫描方向的范围内合适地确保气氛。
专利文献2是利用摆动喷头将氮气向照射部分喷出来确保氮气气氛的。
另外,在专利文献3中,使真空腔室内处于真空或者氮气(大气压)气氛,从而防止退火期间空气中的物质对非晶质半导体薄膜产生作用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2012-54603号公报
专利文献2:日本专利特开2000-349041号公报
专利文献3:日本专利特许3502981号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在以往的发明中,玻璃基板搭载于搬运用平台上并与该平台一同移动,该搬运用平台的尺寸与玻璃基板大致相同或者大于玻璃基板。另外,激光照射部分固定于照射装置。
图5(A)、图5(B)表示现有装置的一例的概略。在激光照射部50上设置有惰性气体喷出部51,从惰性气体喷出部51向下方喷出例如氮气或者惰性气体,并且穿过惰性气体喷出部51向由平台60搬运的玻璃基板100照射激光50A。
如图5(A)所示,当玻璃基板100随着平台60的移动进入激光照射部50的下方时,在射出激光50A的同时,从惰性气体喷出部51喷出例如氮气这样的惰性气体,从而在照射激光时将空气从玻璃基板100上去除。
最初在照射激光时将空气去除的理由是为了防止在照射激光期间空气中所含有的以氧等为代表的物质对形成于玻璃基板上的非晶质半导体膜产生作用。另外,照射的激光会受到周围流体的影响,所以希望喷出的惰性气体是在激光照射部中尽量无乱流的整流。
如前所述,以往,使平台到达激光照射部从而利用搭载于平台上的玻璃基板与上部的惰性气体喷出部的间隙,在激光照射部的周围构建出惰性气体气氛。
然而,在以往的方法中,惰性气体气氛是在移动的玻璃基板到达激光照射部后才开始形成的,所以在喷出有惰性气体的附近,是在气流紊乱的状态下进行激光照射的。另外,如图5(B)所示,在玻璃基板100没有位于激光照射部50下方的情况下,惰性气体喷出部51周围没有产生间隙,所以不会形成惰性气体气氛。
另外,为了实现整流,从惰性气体喷出部流出的惰性气体的流量是微量的,所以不能利用激光照射部将与平台一同移动的空气完全去除。
如上所述,激光照射部固定于照射装置,在搭载有玻璃基板的搬运用平台移动的状态下,朝玻璃基板照射激光,所以会在构建局部的且乱流较少的惰性气体气氛上存在问题。
本发明以上述情况为背景而作,其目的在于提供一种气氛形成装置及上浮搬运方法,无论工件的搬运位置如何,都能在搬运路径上形成稳定的气氛。
解决技术问题所采用的技术方案
即,本发明的气氛形成装置中的第一方式的本发明是一种气氛形成装置,该气氛形成装置设置于上浮搬运装置,该上浮搬运装置利用气体喷出从而将工件上浮支承并搬运,
其特征在于,在包含有进行上述搬运的搬运路径的大域区域中的大域气氛内具有小域气氛形成部,该小域气氛形成部在包含有上述搬运路径的小域区域内形成有与上述大域气氛不同的小域气氛。
根据本发明,利用小域气氛形成部在大域气氛内形成有与大域气氛不同的小域气氛,无论是否有工件,在搬运路径上都能实现稳定的小域气氛。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明一方式的基础上,其特征在于,作为气氛气体的一部分,上述大域气氛和上述小域气氛包含有用于上述上浮支承而喷出的上浮喷出气体,上述大域气氛中的上述上浮喷出气体和上述小域气氛中的上述上浮喷出气体是不同的。
根据本发明,能将上浮喷出气体作为气氛气体的一部分来利用,能使装置结构简化。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述大域气氛中的气氛气体和上述小域气氛中的气氛气体的气体成分是不同的。
根据上述本发明,能使大域气氛和小域气氛成为气体成分不同的气氛,能沿着搬运路径利用不同的气体气氛使工件移动。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述大域气氛中的气体和上述小域气氛中的气体为同一成分但纯度不同。
根据上述本发明,大域气氛和小域气氛能使用同一成分但纯度不同的气体来形成气氛。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,具有形成上述大域气氛的大域气氛形成部,该大域气氛形成部具有将气氛气体从大域的上述区域外导入的大域气体导入部。
根据本发明,能利用大域气体导入部将气体从大域区域外导入,从而作为大域气氛中的气氛气体的至少一部分来进行使用。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述小域气氛形成部具有小域气体导入部,该小域气体导入部将气氛气体从大域的上述区域外及小域的上述区域外导入。
根据本发明,能利用小域气体导入部将气体从大域的上述区域外及小域的上述区域外导入,从而作为小域气氛中的气体的至少一部分来进行使用。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述小域气氛形成部具有下方气体喷出部,该下方气体喷出部以至少与从下方喷出的上述上浮喷出气体的全部或者一部分重合的方式,将气氛气体从上方喷出。
根据本发明,至少能利用上浮喷出气体和从下方气体喷出部喷出的气体来形成小域气氛。另外,只要能在上浮喷出气体和从下方气体喷出部喷出的气体处于平衡的位置上使工件移动,就能极力减少由于搬运工件导致的气体乱流。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,下方气体喷出部设置成,使工件的搬运路径位于从下方气体喷出部喷出的气体和上浮喷出气体之间。
根据本发明,工件在从下方气体喷出部喷出的气体和从气体上浮气体喷出部喷出的气体之间的搬运路径上搬运,能使工件在大域气氛及小域气氛中移动。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述小域气氛形成于包含有上述工件的加工区域的区域。
根据本发明,能将工件的加工区域置于小域气氛内,能在所期望的气氛中进行加工。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述小域气氛包含有上述工件的加工区域的搬运方向上游侧的区域。
根据本发明,在工件到达加工区域前,能利用小域气氛将工件覆盖,能在加工前获得稳定的气氛。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述小域气氛包含有上述工件的加工区域的搬运方向下游侧的区域。
根据本发明,由于在加工区域的上游侧存在有小域气氛,所以能利用小域气氛将加工后的工件覆盖。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,上述小域气氛形成部形成为,能利用上述小域气氛将被搬运的上述工件的上下方向及搬运方向的两侧方覆盖。
根据本发明,小域区域以相对于工件的搬运位置将工件从上下及两侧方围住的方式形成,无论工件的搬运位置如何,都能确保稳定的小域气氛。
其它方式的气氛形成装置的发明在上述本发明的任一方式的基础上,其特征在于,在对上述工件进行处理的处理室内包括有上述大域区域和上述小域区域。
根据本发明,大域气氛和小域气氛形成于对工件进行处理的处理室内。
本发明的上浮搬运方法中的第一方式是一种上浮搬运方法,该上浮搬运方法利用气体喷出从而将工件上浮支承并搬运,其特征在于,具有:
在包含有进行上述搬运的搬运路径的大域区域中的大域气氛内,在包含有进行上述搬运的搬运路径的小域区域内形成与上述大域气氛不同的小域气氛的工序;以及穿过上述大域气氛和上述小域气氛并沿着上述搬运路径对上述工件进行搬运的工序。
其它方式的上浮搬运方法的发明在上述本发明的一方式的基础上,其特征在于,具有在上述大域区域中形成上述大域气氛的工序。
发明效果
即,根据本发明,具有无论是否有工件,都能在规定的区域中形成小域气氛且能形成无乱流的气氛的效果。
附图说明
图1是说明本发明的大域气氛和小域气氛的图。
图2同样是表示具有本发明一实施方式的气氛形成装置的激光处理装置的图。
图3同样是表示具有本发明其它实施方式的气氛形成装置的激光处理装置的图。
图4同样是表示具有本发明另一实施方式的气氛形成装置的激光处理装置的图。
图5是表示现有的激光处理装置的概略图,图5A表示当玻璃基板进入激光照射部50的下方并且惰性气体从惰性气体喷出部51喷出来进行激光照射时,将空气从玻璃基板100上去除的状态,图5B表示将玻璃基板从激光照射部50的下方移出的状态。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的一实施方式进行说明。
图1是表示激光处理装置的顶面的图,在处理室1内,形成有大域的气氛即大域气氛A和局部的气氛即小域气氛B。
(实施方式一)
虽然在实施方式一中,是对在处理室内形成有大域的气氛和小域的气氛的情况进行说明,但是作为本发明,上述气氛并不限定于处理室内。另外,虽然在图1中处理室1表示为密闭空间,但是在处理室1内形成有大域的气氛和小域的气氛的情况下,处理室并不限定于是密闭空间,也可以是具有将工件连续地搬运至处理室内的结构。在这种情况下,也可以在处理室上设置能自由开闭的门、帘子等,可以使构成大域气氛的气氛气体连续地或者在适当时期导入大域区域从而来维持气氛。
上述气氛利用以下的气氛形成装置形成。
如图2所示,在实施方式一的激光处理装置2中,为了搬运玻璃基板100,配置有许多用于使由外部供给的压缩流体喷出的吹出单元3。另外,玻璃基板100相当于本发明的工件。本发明的工件并不限定于玻璃基板。
在此,吹出单元3由多孔形状、孔、槽等形成,如果将压缩流体注入,则该流体会从单元上表面喷出。在从上述吹出单元3供给的流体的作用下,玻璃基板100在下表面受到流体力,并且在离开吹出单元3的一定高度上,被上浮·非接触支承。沿着上述支承位置的路径为本发明的搬运路径。玻璃基板100的搬运是利用与本发明不同的未图示的搬运机构,在将玻璃基板100的一部分抓住的状态下,以沿着吹出单元3上方移动的方式进行的。另外,搬运机构的结构并不限定于上述结构,总之只要是能搬运上浮的玻璃基板的结构即可。
在实施方式一中,具有加工区域W,在加工区域W的上方侧设置有激光照射部5。激光照射部5具有与进行加工处理的玻璃基板100的搬运方向侧方的形状对应的大小,激光照射部5使激光朝向玻璃基板100照射,上述激光从未图示的激光光源输出并被整形为规定的形状。另外,在激光照射部5附近,在激光照射部5的下表面具有与吹出单元不同的氮气喷出部6。氮气喷出部6能将氮气向下方喷出并且上述激光能向下方透过。氮气喷出部6相当于本发明的下方气体喷出部。
在上述实施方式一中,激光被整形为线光束形状,并且以线光束的线方向与搬运方向交差的方式向玻璃基板100照射。另外,氮气喷出部6沿着线光束的形状将氮气线状喷出。
在激光照射部5和氮气喷出部6的下表面并且在周边设置有上部壁面部7。在其之间,利用玻璃基板100沿着移动方向D进行移动从而根据玻璃基板100的有无使气流变小。上部壁面部7与线光束形状对应地在与搬运方向正交的方向上也伸长。
位于与上部壁面部7对应处的吹出单元3由将氮气向上方喷出的吹出单元3B构成,其外侧的吹出单元3由将气体向上方喷出的吹出单元3A构成。即,吹出单元3是吹出单元3A和吹出单元3B的总称。
位于激光照射部5的氮气喷出部6将从外部的氮气导入部21供给的氮气喷出,利用氮气喷出部6内部的结构,形成无乱流的气流,并从该氮气喷出部6向玻璃基板100上表面喷出。喷出的氮气沿着玻璃基板100的上表面与上部壁面部7的间隙向玻璃基板100的外侧流出。氮气导入部相当于本发明一方式的小域气体导入部。
另外,玻璃基板100的下表面通过从吹出单元3B喷出的氮气进行上浮·非接触支承,玻璃基板100的下表面也与上表面相同,充满有氮气。从吹出单元3B喷出的喷出氮气相当于本发明的上浮喷出气体。
根据以上所述,在激光照射部5附近,通过氮气喷出部6及上部壁面部7,使从氮气喷出部6喷出的氮气至少与吹出单元3B的喷出氮气的全部或者一部分重合来充满氮气,藉此可以形成·维持局部的氮气气氛即小域气氛B。小域气氛B以覆盖玻璃基板100的上方、下方及两侧方的方式形成,加工区域W位于小域气氛B内。
即,吹出单元3B、氮气喷出部6及上部壁面部7构成本发明的小域气氛形成部。
在本实施方式中,即使在玻璃基板100不在激光照射部5下方的情况下,也能利用从上下表面喷出的氮气形成氮气气氛。在玻璃基板100不在激光照射部5下方的情况下,不会通过玻璃基板100使氮气扩散,所以小域气氛比玻璃基板位于激光照射部5下方时的范围更小,但是能确保覆盖加工区域W及其周围的大小。
另外,小域气氛可以不在搬运玻璃基板时始终形成,只要至少在将玻璃基板100向移动方向D搬运并且玻璃基板100到达小域气氛B形成的区域之前,或者在玻璃基板100到达加工区域W之前形成即可。
另外,在大域区域中形成有由空气组成的大域气氛A,大域气氛A可以采用从大域区域外部的空气导入部20导入的净化后的空气,也可以直接采用大气中的空气。空气导入部20相当于本发明一方式中的大域气体导入部。
另外,在形成大域气氛A的大域区域中,与从吹出单元3A向上方喷出的喷出气体一起形成气氛。喷出气体相当于本发明一方式中的上浮喷出气体。
另外,本实施方式是利用压缩空气使玻璃基板100上浮,在激光照射部5附近作为惰性气体喷出氮气,但是流体的组合并不限定于上述物质,能用于激光照射的所有流体都是适用的。另外,例如大域气氛和小域气氛可以采用成分相同的气体,也可以采用彼此纯度不同的气体。在这种情况下,优选小域气氛采用纯度高的惰性气体。
另外,本实施方式在图2所示的前方及纵深方向上也具有相同的机构,藉此,当玻璃基板100到达小域气氛B时,能利用气氛气体从玻璃基板100的上方、下方及两侧方将玻璃基板100覆盖。另外,优选至少氮气喷出部6的气体喷出范围及上面壁面部7在搬运方向的直角方向上比加工区域W靠外侧,吹出单元3B的气体喷出范围也同样优选比加工区域W靠外侧。
(实施方式二)
接着,实施方式二的概略图如图3所示。另外,对与实施方式一相同的结构附加相同的符号省略或者简化其说明。
在本实施方式所示的激光处理装置2A中,为了搬运玻璃基板100,在搬运路径的下方侧配置有许多用于将从外部供给的压缩流体喷出的吹出单元3。在此,吹出单元3由多孔形状、孔、槽等形成,如果将压缩流体注入,则该流体会从单元上表面喷出。在从上述吹出单元3供给的流体的作用下,玻璃基板100在下表面受到流体力,并且在离开吹出单元100的一定高度上,进行上浮·非接触支承。沿着上述支承位置的路径为本发明的搬运路径。玻璃基板100的搬运是利用与本发明不同的未图示的搬运机构,在将玻璃基板100的一部分抓住的状态下,以沿着吹出单元3上方移动的方式进行的。
激光处理装置2A具有加工区域W,在加工区域W的上方侧设置有激光照射部5。激光照射部5具有与进行加工处理的玻璃基板100的搬运方向侧方的形状对应的大小,激光照射部5使激光朝向玻璃基板100照射,上述激光从未图示的激光光源输出并被整形为规定的形状。另外,在激光照射部5附近,在激光照射部5的下表面,具有与吹出单元不同的氮气喷出部6。氮气喷出部6将氮气向下方喷出,并且上述激光向下方透过。
另外,在氮气喷出部6的两侧方侧具有将氮气向下表面侧喷出的氮气下方喷出部8,该氮气下方喷出部8具有与下部的吹出单元3相同程度的性能。氮气下方喷出部8沿着与搬运方向交叉的方向根据线光束的形状相同地配置。氮气下方喷出部8相当于本发明一方式的下方气体喷出部。
位于与氮气下方喷出部8对应处的吹出单元3由将氮气向上方喷出的吹出单元3B构成,其外侧的吹出单元3由将气体向上方喷出的吹出单元3A构成。即,吹出单元3是吹出单元3A和吹出单元3B的总称。
位于激光照射部5的氮气喷出部6将从外部的氮气导入部21供给的氮气喷出,利用氮气喷出部6内部的结构形成为无乱流的气流,并从该氮气喷出部6向玻璃基板100的上表面喷出。另外,氮气下方喷出部8将从外部的氮气导入部21供给的氮气垂直向下喷出,从而喷出到玻璃基板100的上表面。从氮气喷出部6和氮气下方喷出部8喷出的氮气沿着玻璃基板100的上表面与氮气下方喷出部6的间隙向玻璃基板外侧流动。
另外,玻璃基板100的下表面利用从吹出单元3B喷出的氮气进行上浮·非接触支承。玻璃基板100的下表面与上表面同样地充满有氮气。
根据以上所述,在激光照射部5附近,从氮气喷出部6和氮气下方喷出部8喷出的氮气至少与从吹出单元3B喷出的氮气的全部或者一部分重合来充满氮气,从而可以生成·维持局部的氮气气氛即小域气氛B。
即,吹出单元3B、氮气喷出部6及氮气下方喷出部8构成本发明的小域气氛形成部。
另外,即使在玻璃基板100不在激光照射部5下方的情况下,利用从上下表面喷出的氮气,也会形成氮气气氛。在上述实施方式中,通过氮气下方喷出部8使氮气垂直向下喷出,无论是否有玻璃基板100,都能确保有小域气氛。小域气氛B以覆盖玻璃基板100的上方、下方及两侧方的方式形成,加工区域W位于小域气氛B内。
另外,小域气氛可以不是在搬运玻璃基板时始终形成的,只要至少在玻璃基板100沿着移动方向D到达形成小域气氛B的区域之前,或者在玻璃基板100到达加工区域之前形成即可。
另外,在大域区域中,形成有由空气组成的大域气氛A,大域气氛A可以采用从空气导入部20导入的净化后的空气,也可以直接采用大气中的空气。
另外,在形成大域气氛A的大域区域中,与吹出单元3A向上方喷出的喷出气体一起形成为气氛。
另外,本实施方式是利用压缩空气使玻璃基板100上浮,在激光照射部5附近作为惰性气体喷出氮气,但是流体的组合并不限定于上述物质,能用于激光照射的所有流体都能适用。另外,例如大域气氛和小域气氛可以采用同种类的气体,也可以采用纯度不同的气体。在这种情况下,优选小域气氛采用纯度高的惰性气体。
另外,本实施方式在图3所示的前方及纵深方向上也具有相同的机构,藉此,当玻璃基板100到达小域气氛B时,能利用气氛气体从玻璃基板100的上方、下方及两侧方将玻璃基板100覆盖。另外,优选至少氮气喷出部6的气体喷出范围及上面壁面部7在与搬运方向的直角方向上比加工区域W靠外侧,吹出单元3B的气体喷出范围也同样优选比加工区域W靠外侧。
(实施方式三)
接着,实施方式三的概略图如图4所示。另外,对与实施方式一相同的结构附加相同的符号省略或者简化其说明。
在本实施方式所示的激光处理装置2B中,为了搬运玻璃基板100,在搬运路径的下方侧配置有许多用于将从外部供给的压缩流体喷出的吹出单元3。在此,吹出单元3由多孔形状、孔、槽等形成,如果将压缩流体注入,则该流体会从单元上表面喷出。在从上述吹出单元3供给的流体的作用下,玻璃基板100在下表面受到流体力,并且在离开吹出单元100的一定高度上,进行上浮·非接触支承。沿着上述支承位置的路径为本发明的搬运路径。玻璃基板100的搬运是利用与本发明不同的未图示的搬运机构,在将玻璃基板100的一部分抓住的状态下,以沿着吹出单元3上方移动的方式进行的。
激光处理装置2B具有加工区域W,在加工区域W的上方侧设置有激光照射部5。激光照射部5具有与进行加工处理的玻璃基板100的搬运方向侧方的形状对应的大小,激光照射部5使激光朝向玻璃基板100照射,上述激光从未图示的激光光源输出并被整形为规定的形状。另外,在激光照射部5附近,在激光照射部5的下表面,具有与吹出单元不同的氮气喷出部6。氮气喷出部6将氮气向下方喷出,并且上述激光向下方透过。
另外,在氮气喷出部6的两侧方侧具有氮气下方喷出部9,该氮气下方喷出部9具有与下部的吹出单元3相同程度的性能,其下表面侧倾斜地设置,从而能将氮气喷出至以加工区域W为基准的搬运方向前后的外侧(倾斜方向)。氮气下方喷出部9相当于本发明一方式的下方气体喷出部。
位于与氮气下方喷出部9对应处的吹出单元3由将氮气向上方喷出的吹出单元3B构成,其外侧的吹出单元3由将气体向上方喷出的吹出单元3A构成。即,吹出单元3是吹出单元3A和吹出单元3B的总称。
位于激光照射部5的氮气喷出部6将从外部的氮气导入部21供给的氮气喷出,利用氮气喷出部6内部的结构形成无乱流的气流,并从该氮气喷出部6向基板100的上表面喷出。另外,氮气下方喷出部9将从外部的氮气导入部21供给的氮气朝下地以加工区域W为基准喷出到斜向外侧,从而喷出到玻璃基板100的上表面。从氮气喷出部6和氮气下方喷出部9喷出的氮气沿着玻璃基板100的上表面与氮气下方喷出部6的间隙向玻璃基板100的外侧流动。
另外,对氮气下方喷出部9的氮气喷出进行详细的说明。
如图4所示,当玻璃基板100从图示左侧进入加工区域W时,氮气下方喷出部9将氮气向与玻璃基板100的前进方向D的相反侧喷出。因此,能将氮气很快地充分向玻璃基板100供给。玻璃基板100进入加工区域W之后,加工区域W的图示右侧的氮气下方喷出部9将氮气向与玻璃基板的前进方向相同的方向喷出。
从氮气喷出部6和氮气下方喷出部9喷出的氮气沿着玻璃基板上表面与氮气喷出部3的间隙向玻璃基板100的外侧流动。
另外,玻璃基板100的下表面通过从吹出单元3B喷出的氮气进行上浮·非接触支承。玻璃基板100的下表面与上表面同样地充满有氮气。
根据以上所述,在激光照射部5附近,从氮气喷出部6和氮气下方喷出部9喷出的氮气至少与从吹出单元3B喷出的氮气的全部或者一部分重合来充满氮气,从而可以生成·维持局部的氮气气氛即小域气氛B。
即,吹出单元3B、氮气喷出部6及氮气下方喷出部9构成本发明的小域气氛形成部。
另外,即使在玻璃基板100不在激光照射部5下方的情况下,利用从上下表面喷出的氮气,也会形成氮气气氛。在本实施方式中,利用氮气下方喷出部9将氮气垂直向下喷出,无论是否有玻璃基板100,都能确保小域气氛,并且利用氮气下方喷出部9将氮气向倾斜方向喷出,所以玻璃基板100能很快地与氮气接触。小域气氛B以覆盖玻璃基板100的上方、下方及两侧方的方式形成,加工区域W位于小域气氛B内。
另外,小域气氛可以不是在搬运玻璃基板时始终形成有的,只要至少在玻璃基板100沿着移动方向D到达形成小域气氛B的区域之前,或者在玻璃基板100到达加工区域之前形成即可。
另外,在大域区域中,形成有由空气组成的大域气氛A,大域气氛A可以采用从大域区域外部导入的净化后的空气,也可以采用大气气氛中的空气。
另外,在形成大域气氛A的大域区域中,与从吹出单元3A向上方喷出的喷出气体一起形成气氛。
本实施方式是利用压缩空气使玻璃基板上浮,在激光照射部附近作为惰性气体喷出氮气,但是流体的组合并不限定于上述物质,能用于激光照射的所有流体都能适用。
另外,本实施方式在图4所示的前方及纵深方向上也具有相同的机构,藉此,当玻璃基板100到达小域气氛B时,能利用气氛气体从玻璃基板100的上方、下方及两侧方将玻璃基板100覆盖。另外,优选至少氮气喷出部6的气体喷出范围及上面壁面部7在与搬运方向的直角方向上比加工区域W靠外侧,吹出单元3B的气体喷出范围也同样优选比加工区域W靠外侧。
另外,在上述各实施方式中,对使作为工件的玻璃基板上浮搬运并进行激光处理的情况进行了说明,但是工件并不限定于玻璃基板,另外,加工处理也并不限定于激光处理。另外,并不限定于是否有加工。
以上,根据上述实施方式对本发明进行了说明,但是本发明并不限定于上述实施方式的说明,能在不脱离本发明的范围内进行适当的改变。
(符号说明)
1 处理室
2 激光处理装置
2A 激光处理装置
2B 激光处理装置
3 吹出单元
3A 吹出单元
3B 吹出单元
5 激光照射部
6 氮气喷出部
7 上部壁面部
8 氮气下方喷出部
9 氮气下方喷出部
20 空气导入部
21 氮气导入部
100 玻璃基板
A 大域气氛
B 小域气氛
D 前进方向
Claims (15)
1.一种气氛形成装置,该气氛形成装置设置于上浮搬运装置,该上浮搬运装置利用气体喷出从而将工件上浮支承并搬运,其特征在于,
在包含有进行所述搬运的搬运路径的大域区域中的大域气氛内具有小域气氛形成部,该小域气氛形成部在包含有所述搬运路径的小域区域内形成与所述大域气氛不同的小域气氛。
2.如权利要求1所述的气氛形成装置,其特征在于,
作为气氛气体的一部分,所述大域气氛和所述小域气氛包含有用于所述上浮支承而喷出的上浮喷出气体,所述大域气氛中的所述上浮喷出气体和所述小域气氛中的所述上浮喷出气体不同。
3.如权利要求1或2所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述大域气氛中的气氛气体和所述小域气氛中的气氛气体的气体成分不同。
4.如权利要求1~3中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述大域气氛中的气体和所述小域气氛中的气体为同一成分但纯度不同。
5.如权利要求1~4中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
具有形成所述大域气氛的大域气氛形成部,该大域气氛形成部具有将气氛气体从大域的所述区域外导入的大域气体导入部。
6.如权利要求1~5中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述小域气氛形成部具有小域气体导入部,该小域气体导入部将气氛气体从大域的所述区域外及小域的所述区域外导入。
7.如权利要求1~6中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述小域气氛形成部具有下方气体喷出部,该下方气体喷出部以至少与从下方喷出的上浮喷出气体的全部或者一部分重合的方式,将气氛气体从上方喷出。
8.如权利要求1~7中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
下方气体喷出部设置成,使工件的搬运路径位于从下方气体喷出部喷出的气体和上浮喷出气体之间。
9.如权利要求1~8中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述小域气氛形成于包含有所述工件的加工区域的区域。
10.如权利要求1~9中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述小域气氛包含有所述工件的加工区域的搬运方向上游侧的区域。
11.如权利要求1~10中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,所述小域气氛包含有所述工件的加工区域的搬运方向下游侧的区域。
12.如权利要求9~11中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
所述小域气氛形成部形成为,能利用所述小域气氛将被搬运的所述工件的上下方向及搬运方向的两侧方覆盖。
13.如权利要求1~12中任一项所述的气氛形成装置,其特征在于,
在对所述工件进行处理的处理室内具有所述大域区域和所述小域区域。
14.一种上浮搬运方法,该上浮搬运方法利用气体喷出从而将工件上浮支承并搬运,其特征在于,具有:
在包含有进行所述搬运的搬运路径的大域区域中的大域气氛内,在包含有进行所述搬运的搬运路径的小域区域中,形成与所述大域气氛不同的小域气氛的工序;以及
穿过所述大域气氛和所述小域气氛并沿着所述搬运路径对工件进行搬运的工序。
15.如权利要求14所述的上浮搬运方法,其特征在于,
具有在所述大域区域内形成所述大域气氛的工序。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110189958.XA CN113013073B (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015039313A JP6018659B2 (ja) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
JP2015-039313 | 2015-02-27 | ||
PCT/JP2016/052376 WO2016136366A1 (ja) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110189958.XA Division CN113013073B (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107430998A true CN107430998A (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=56788356
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110189958.XA Active CN113013073B (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
CN201680011967.7A Pending CN107430998A (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110189958.XA Active CN113013073B (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10446426B2 (zh) |
JP (1) | JP6018659B2 (zh) |
KR (1) | KR20170121200A (zh) |
CN (2) | CN113013073B (zh) |
SG (1) | SG11201706962PA (zh) |
TW (1) | TW201701329A (zh) |
WO (1) | WO2016136366A1 (zh) |
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- 2015-02-27 JP JP2015039313A patent/JP6018659B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-27 SG SG11201706962PA patent/SG11201706962PA/en unknown
- 2016-01-27 CN CN202110189958.XA patent/CN113013073B/zh active Active
- 2016-01-27 US US15/553,989 patent/US10446426B2/en active Active
- 2016-01-27 WO PCT/JP2016/052376 patent/WO2016136366A1/ja active Application Filing
- 2016-01-27 CN CN201680011967.7A patent/CN107430998A/zh active Pending
- 2016-01-27 KR KR1020177024992A patent/KR20170121200A/ko unknown
- 2016-02-19 TW TW105104835A patent/TW201701329A/zh unknown
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---|---|
CN113013073B (zh) | 2023-07-25 |
WO2016136366A1 (ja) | 2016-09-01 |
US20180033664A1 (en) | 2018-02-01 |
SG11201706962PA (en) | 2017-09-28 |
CN113013073A (zh) | 2021-06-22 |
KR20170121200A (ko) | 2017-11-01 |
JP2016162856A (ja) | 2016-09-05 |
TW201701329A (zh) | 2017-01-01 |
US10446426B2 (en) | 2019-10-15 |
JP6018659B2 (ja) | 2016-11-02 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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|
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