JP6018659B2 - 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 - Google Patents
雰囲気形成装置および浮上搬送方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6018659B2 JP6018659B2 JP2015039313A JP2015039313A JP6018659B2 JP 6018659 B2 JP6018659 B2 JP 6018659B2 JP 2015039313 A JP2015039313 A JP 2015039313A JP 2015039313 A JP2015039313 A JP 2015039313A JP 6018659 B2 JP6018659 B2 JP 6018659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atmosphere
- gas
- global
- small
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 title claims description 197
- 238000005339 levitation Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 247
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 121
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 115
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 28
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 19
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 97
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
- B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
- B65G49/065—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position supported partially or completely on fluid cushions, e.g. a gas cushion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/54—Glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
従来、この結晶化装置では、レーザー照射部付近を不活性ガスで充満させて、レーザーをアモルファスシリコン膜に照射する技術が提案されている。
例えば、特許文献1では、ガス噴出部と走査方向に沿って伸張する端部整流面を設け、ガス噴出部から噴出されたガスを端部整流面とガラス基板との間に流すことで、レーザーの照射部近傍からその周囲の走査方向に亘って雰囲気を適切に確保する方法が提案されている。
特許文献2では、スイングノズルで照射部分へ窒素ガスを噴出して窒素ガス雰囲気を確保するものとしている。
また、特許文献3では、真空チャンバ内を真空あるいは窒素(大気圧)雰囲気とすることによって、アニール中に空気中の物質が非晶質半導体薄膜に作用することを防止している。
図5(A)(B)は、従来の装置の一例の概略を示すものである。レーザー照射部50には、不活性ガス噴出部51が設けられており、不活性ガス噴出部51から下方に、例えば窒素または不活性ガスが噴出されるとともに、不活性ガス噴出部51を通して、ステージ60で搬送されるガラス基板100にレーザー50Aが照射される。
図5(A)に示すように、ガラス基板100がステージ60の移動に伴いレーザー照射部50の下方に進入すると、レーザー50Aの照射と同時に、例えば窒素といった不活性ガスを不活性ガス噴出部51から噴出することで、レーザー照射時にガラス基板100上から空気を取り除くようにしている。
前述のとおり、従来は、ステージがレーザー照射部に到達して、ステージ上に搭載されているガラス基板と、上部の不活性ガス噴出部の隙間により、レーザー照射部のまわりに不活性ガス雰囲気が造り出される。
また、整った流れを実現するため、不活性ガス噴出部から流れ出る不活性ガスの流量は微量であるため、ステージとともに移動する空気を、レーザー照射部で完全に取り除くことができない。
以上のように、レーザー照射部は照射装置に固定され、ガラス基板は、これを搭載した搬送用ステージが移動した状態でレーザーが照射するため、局所的かつ乱れの少ない不活性ガス雰囲気を作り出すことに問題がある。
前記搬送が行われる搬送経路を含む大域的な領域における大域雰囲気を形成する大域雰囲気形成部と、前記大域雰囲気内で、前記搬送経路を含む小域的な領域で前記大域雰囲気と異なる小域雰囲気を形成する小域雰囲気形成部を有し、
前記小域雰囲気形成部は、少なくとも下方から噴出される前記浮上噴出ガスの全部または一部に合わせて上方から雰囲気ガスを噴出する下方ガス噴出部を有し、
大域雰囲気は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスを雰囲気ガスの一部として含み、
小域雰囲気は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスと、下方ガス噴出部によって上方から噴出される雰囲気ガスと、を雰囲気ガスの一部として含み、
前記小域雰囲気形成部で上方から噴出される雰囲気ガスと下方から噴出される浮上噴出ガスとが、窒素または不活性ガスであり、
前記大域雰囲気形成部で下方から噴出される前記浮上噴出ガスが、空気または前記小域雰囲気における前記浮上噴出ガスよりも純度が低い同一成分のガスであることを特徴とする。
本発明によれば、浮上噴出ガスを雰囲気ガスの一部として利用することができ、装置構成を簡略にできる。
本発明によれば、大域雰囲気と小域雰囲気とでガスの成分が異なる雰囲気とすることができ、搬送経路に沿って異なるガス雰囲気でワークを移動させることができる。
本発明によれば、少なくとも、浮上噴出ガスと下方ガス噴出部から噴出されるガスとによって、小域雰囲気が形成される。また、浮上噴出ガスと下方ガス噴出部から噴出されるガスがバランスした位置でワークを移動させれば、ワークの搬送によるガスの乱れを極力少なくすることができる。
他の形態の雰囲気形成装置の発明は、前記本発明のいずれかの一形態において、前記前記小域雰囲気内に、前記ワークの加工エリアが位置していることを特徴とする。
前記搬送が行われる搬送経路を含む大域的な領域で大域雰囲気を形成する工程と、前記大域雰囲気内で、前記搬送が行われる搬送経路を含む小域的な領域で前記大域雰囲気と異なる小域雰囲気を形成する工程と、前記大域雰囲気と前記小域雰囲気を通して前記搬送経路に沿って前記ワークを搬送する工程と、を有し、
大域雰囲気を形成する工程は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスを雰囲気ガスの一部として含み、
小域雰囲気を形成する工程は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスと、少なくとも下方から噴出される前記浮上噴出ガスの全部または一部に合わせて上方から噴出される雰囲気ガスと、を雰囲気ガスの一部として含み、
前記小域雰囲気を形成する工程で、上方から噴出される前記雰囲気ガスと、下方から噴出される前記浮上噴出ガスが、窒素または不活性ガスであり、
前記大域雰囲気を形成する工程で、下方から噴出される前記浮上噴出ガスが、空気または前記小域雰囲気における前記浮上噴出ガスよりも純度が低い同一成分のガスであることを特徴とする。
図1は、レーザー処理装置の平面を示す図であり、処理室1内に、大域的な雰囲気である大域雰囲気Aと、局所的な雰囲気である小域雰囲気Bとが形成されている。
実施形態1では、大域的な雰囲気と小域的な雰囲気が処理室内で形成されているものとして説明するが、本発明としてはこれら雰囲気が処理室内に限られるものではない。また、図1では、処理室1が密閉した空間で示されているが、処理室1内で大域的な雰囲気と小域的な雰囲気とを形成する場合、処理室が密閉空間であるものに限定されず、ワークが連続して処理室内に搬送される構成を有するものであってもよい。この場合、処理室に開閉自在な扉やカーテンなどを設けるようにしてもよく、大域雰囲気を構成する雰囲気ガスを、大域領域に連続して、また適宜時期に導入することで雰囲気を維持することができる。
上記雰囲気は、以下の雰囲気形成装置で形成される。
ここで、フロートユニット3は、ポーラス形状や穴、溝などにより形成しており、圧縮流体を注入すると、ユニット上面より当該流体を噴出する。当該フロートユニット3から供給された流体により、ガラス基板100は下面に流体力を受け、フロートユニット3から離れたある一定の高さにおいて、浮上・非接触支持される。この支持位置に沿った経路が、本発明の搬送経路となる。ガラス基板100の搬送は、本発明とは別機構で図示しない搬送機構によって、ガラス基板100の一部を把持した状態で、フロートユニット3上に沿って移動するように行われる。なお、搬送機構の構成はこれに限定されるものではなく、要は、浮上したガラス基板を搬送できるものであればよい。
この実施形態1では、レーザー光は、ラインビーム形状に整形されてラインビームのライン方向が搬送方向と交差するようにしてガラス基板100に照射される。また、窒素噴出部6は、ラインビームの形状に沿ってライン状に窒素が噴出される。
以上より、レーザー照射部5付近では、窒素噴出部6および上部壁面部7によって、窒素噴出部6から噴出されている窒素が、少なくともフロートユニット3Bの噴出窒素の全部または一部に合わせるように位置して窒素が充満するため、局所的な窒素雰囲気、すなわち小域雰囲気Bを形成・維持することができる。小域雰囲気Bは、ガラス基板100に対し、上方、下方および両側方を覆うようにして形成され、加工エリアWは、小域雰囲気B内に位置している。
すなわち、フロートユニット3B、窒素噴出部6および上部壁面部7は、本発明の小域雰囲気形成部を構成する。
なお、小域雰囲気は、ガラス基板搬送の際に常時形成されているものでなくてもよく、少なくとも、ガラス基板100が移動方向Dに搬送されて、小域雰囲気Bを形成する領域に至るまでに、または、加工エリアWに至るまでに形成されていればよい。
さらに、大域雰囲気Aとなる大域領域では、フロートユニット3Aから上方に噴出される噴出エアーが加わって雰囲気が形成される。噴出エアーは、本発明の一形態における浮上噴出ガスに相当する。
また、本実施形態は、図2示手前および奥行方向にも同様の機構となっており、これにより、小域雰囲気Bにガラス基板100が到達すると、ガラス基板100の上方、下方および両側方から雰囲気ガスによりガラス基板100が覆われる。また、少なくとも窒素噴出部6のガスの噴出範囲および上面壁面部7では、加工エリアWよりも搬送方向直角方向に対し外側に位置するのが望ましく、フロートユニット3Bのガス噴出範囲を加工エリアWよりも同じく外側に位置するのが望ましい。
次に、実施形態2の概略図を図3に示す。なお、実施形態1と同様の構成については同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
本実施形態に示されるレーザー処理装置2Aでは、ガラス基板100を搬送するために、外部より供給された圧縮流体を噴出するためのフロートユニット3を搬送経路の下方側に多数配置している。ここで、フロートユニット3は、ポーラス形状や穴、溝などにより形成しており、圧縮流体を注入すると、ユニット上面より当該流体を噴出する。当該フロートユニット3から供給された流体により、ガラス基板100は下面に流体力を受け、フロートユニット100から離れたある一定の高さにおいて、浮上・非接触支持される。この支持位置に沿った経路が、本発明の搬送経路となる。ガラス基板100の搬送は、本発明とは別機構で図示しない搬送機構によって、ガラス基板100の一部を把持した状態で、フロートユニット3上に沿って移動するように行われる。
窒素下方噴出部8に対応する位置のフロートユニット3は、窒素ガスを上方に噴出するフロートユニット3Bで構成されており、その外側のフロートユニット3では、エアーを上方に噴出するフロートユニット3Aで構成されている。すなわち、フロートユニット3は、フロートユニット3Aとフロートユニット3Bを総称するものである。
以上より、レーザー照射部5付近では、窒素噴出部6と窒素下方噴出部8から噴出される窒素が、少なくともフロートユニット3Bの噴出窒素の全部または一部に合わせるように位置して窒素が充満するため、局所的な窒素雰囲気、すなわち小域雰囲気Bを生成・維持することができる。
すなわち、フロートユニット3B、窒素噴出部6および窒素下方噴出部8は、本発明の小域雰囲気形成部を構成する。
さらに、大域雰囲気Aとなる大域領域では、フロートユニット3Aが上方に噴出される噴出エアーが加わって雰囲気が形成される。
次に、実施形態3の概略図を図4に示す。なお、実施形態1と同様の構成については同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
本実施形態に示されるレーザー処理装置2Bでは、ガラス基板100を搬送するために、外部より供給された圧縮流体を噴出するためのフロートユニット3を搬送経路の下方側に多数配置している。ここで、フロートユニット3は、ポーラス形状や穴、溝などにより形成しており、圧縮流体を注入すると、ユニット上面より当該流体を噴出する。当該フロートユニット3から供給された流体により、ガラス基板100は下面に流体力を受け、フロートユニット100から離れたある一定の高さにおいて、浮上・非接触支持される。この支持位置に沿った経路が、本発明の搬送経路となる。ガラス基板100の搬送は、本発明とは別機構で図示しない搬送機構によって、ガラス基板100の一部を把持した状態で、フロートユニット3上に沿って移動するように行われる。
窒素下方噴出部9に対応する位置のフロートユニット3は、窒素ガスを上方に噴出するフロートユニット3Bで構成されており、その外側のフロートユニット3では、エアーを上方に噴出するフロートユニット3Aで構成されている。すなわち、フロートユニット3は、フロートユニット3Aとフロートユニット3Bを総称するものである。
図4に示すように、ガラス基板100が図示左側より加工エリアWに進入するとき、窒素下方噴出部9はガラス基板100の進行方向Dに対して反対側へ窒素を噴出する。このため、ガラス基板100に対しては、早期に窒素が十分に供給される。ガラス基板100が加工エリアWへ進入後、加工エリアWに対して図示右側の窒素下方噴出部9はガラス基板の進行方向と同方向に窒素を噴出する。
また、ガラス基板100下面は、フロートユニット3Bより噴出する窒素により、浮上・非接触支持している。ガラス基板100下面も上面と同様に窒素で充満している。
以上より、レーザー照射部5付近では、窒素噴出部6と窒素下方噴出部9から噴出される窒素が、少なくともフロートユニット3Bの噴出窒素の全部または一部に合わせるように位置して窒素が充満するため、局所的な窒素雰囲気、すなわち小域雰囲気Bを生成・維持することができる。
すなわち、フロートユニット3B、窒素噴出部6および窒素下方噴出部9は、本発明の小域雰囲気形成部を構成する。
なお、小域雰囲気は、ガラス基板搬送の際に常時形成されているものでなくてもよく、少なくとも、移動方向Dによってガラス基板100が小域雰囲気Bを形成する領域に至るまでに、または、加工領域に至るまでに形成されていればよい。
さらに、大域雰囲気Aとなる大域領域では、フロートユニット3Aが上方に噴出される噴出エアーが加わって雰囲気が形成される。
また、本実施形態は、図4示手前および奥行方向にも同様の機構となっており、これにより、小域雰囲気Bにガラス基板100が到達すると、ガラス基板100の上方、下方および両側方から雰囲気ガスによりガラス基板100が覆われる。また、少なくとも窒素噴出部6のガスの噴出範囲および上面壁面部7では、加工エリアWよりも搬送方向直角方向に対し外側に位置するのが望ましく、フロートユニット3Bのガス噴出範囲を加工エリアWよりも同じく外側に位置するのが望ましい。
2 レーザー処理装置
2A レーザー処理装置
2B レーザー処理装置
3 フロートユニット
3A フロートユニット
3B フロートユニット
5 レーザー照射部
6 窒素噴出部
7 上部壁面部
8 窒素下方噴出部
9 窒素下方噴出部
20 エアー導入部
21 窒素導入部
100 ガラス基板
A 大域雰囲気
B 小域雰囲気
D 進行方向
Claims (11)
- ワークをガス噴出によって浮上支持して搬送する浮上搬送装置に設けられる雰囲気形成装置であって、
前記搬送が行われる搬送経路を含む大域的な領域における大域雰囲気を形成する大域雰囲気形成部と、前記大域雰囲気内で、前記搬送経路を含む小域的な領域で前記大域雰囲気と異なる小域雰囲気を形成する小域雰囲気形成部を有し、
前記小域雰囲気形成部は、少なくとも下方から噴出される前記浮上噴出ガスの全部または一部に合わせて上方から雰囲気ガスを噴出する下方ガス噴出部を有し、
大域雰囲気は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスを雰囲気ガスの一部として含み、
小域雰囲気は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスと、下方ガス噴出部によって上方から噴出される雰囲気ガスと、を雰囲気ガスの一部として含み、
前記小域雰囲気形成部で上方から噴出される雰囲気ガスと下方から噴出される浮上噴出ガスとが、窒素または不活性ガスであり、
前記大域雰囲気形成部で下方から噴出される前記浮上噴出ガスが、空気または前記小域雰囲気における前記浮上噴出ガスよりも純度が低い同一成分のガスであることを特徴とする雰囲気形成装置。 - 前記大域雰囲気形成部は、大域的な前記領域の外から雰囲気ガスを導入する大域ガス導入部を有することを特徴とする請求項1に記載の雰囲気形成装置。
- 前記小域雰囲気形成部は、大域的な前記領域および小域的な前記領域の外から雰囲気ガスを導入する小域ガス導入部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の雰囲気形成装置。
- 前記下方ガス噴出部は、下方ガス噴出部から噴出されるガスと浮上噴出ガスとの間に、ワークの搬送経路が位置するように位置付けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の雰囲気形成装置。
- 前記小域雰囲気が、前記ワークの加工エリアを含む領域に形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の雰囲気形成装置。
- 前記小域雰囲気が、前記ワークの加工エリアの搬送方向上流側の領域を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の雰囲気形成装置。
- 前記小域雰囲気が、前記ワークの加工エリアの搬送方向下流側の領域を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の雰囲気形成装置。
- 前記小域雰囲気形成部は、前記小域雰囲気で搬送される前記ワークの上下方向および搬送方向の両側方を覆うように形成することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の雰囲気形成装置。
- 前記小域雰囲気内に、前記ワークの加工エリアが位置していることを特徴とする請求項8記載の雰囲気形成装置。
- 前記大域的な領域と、前記小域的な領域とを、前記ワークに対する処理を行う処理室内に有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の雰囲気形成装置。
- ワークをガス噴出によって浮上支持して搬送する浮上搬送方法であって、
前記搬送が行われる搬送経路を含む大域的な領域で大域雰囲気を形成する工程と、前記大域雰囲気内で、前記搬送が行われる搬送経路を含む小域的な領域で前記大域雰囲気と異なる小域雰囲気を形成する工程と、前記大域雰囲気と前記小域雰囲気を通して前記搬送経路に沿って前記ワークを搬送する工程と、を有し、
大域雰囲気を形成する工程は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスを雰囲気ガスの一部として含み、
小域雰囲気を形成する工程は、前記浮上支持のために下方から噴出される浮上噴出ガスと、少なくとも下方から噴出される前記浮上噴出ガスの全部または一部に合わせて上方から噴出される雰囲気ガスと、を雰囲気ガスの一部として含み、
前記小域雰囲気を形成する工程で、上方から噴出される前記雰囲気ガスと、下方から噴出される前記浮上噴出ガスが、窒素または不活性ガスであり、
前記大域雰囲気を形成する工程で、下方から噴出される前記浮上噴出ガスが、空気または前記小域雰囲気における前記浮上噴出ガスよりも純度が低い同一成分のガスであることを特徴とする浮上搬送方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015039313A JP6018659B2 (ja) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
CN201680011967.7A CN107430998A (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
PCT/JP2016/052376 WO2016136366A1 (ja) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
SG11201706962PA SG11201706962PA (en) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | Atmosphere formation apparatus and floatation conveyance method |
KR1020177024992A KR20170121200A (ko) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 분위기 형성 장치 및 부상 반송 방법 |
US15/553,989 US10446426B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | Atmosphere formation apparatus and floatation conveyance method |
CN202110189958.XA CN113013073B (zh) | 2015-02-27 | 2016-01-27 | 气氛形成装置及上浮搬运方法 |
TW105104835A TW201701329A (zh) | 2015-02-27 | 2016-02-19 | 環境形成裝置及浮上搬運方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015039313A JP6018659B2 (ja) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016192255A Division JP6529475B2 (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | レーザ照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016162856A JP2016162856A (ja) | 2016-09-05 |
JP6018659B2 true JP6018659B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=56788356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015039313A Active JP6018659B2 (ja) | 2015-02-27 | 2015-02-27 | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10446426B2 (ja) |
JP (1) | JP6018659B2 (ja) |
KR (1) | KR20170121200A (ja) |
CN (2) | CN113013073B (ja) |
SG (1) | SG11201706962PA (ja) |
TW (1) | TW201701329A (ja) |
WO (1) | WO2016136366A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6917691B2 (ja) * | 2016-10-04 | 2021-08-11 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2018085472A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール装置 |
JP6983578B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-12-17 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
WO2019102548A1 (ja) * | 2017-11-22 | 2019-05-31 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | レーザアニール方法、レーザアニール装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP7034817B2 (ja) * | 2018-04-19 | 2022-03-14 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2019234856A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | レーザアニール方法、レーザアニール装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP7120833B2 (ja) | 2018-07-10 | 2022-08-17 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置 |
JP7306860B2 (ja) * | 2019-04-11 | 2023-07-11 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置 |
JP7437187B2 (ja) * | 2020-02-26 | 2024-02-22 | Jswアクティナシステム株式会社 | 浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3502981B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2004-03-02 | 株式会社日本製鋼所 | レーザーアニール処理装置 |
JP2000072251A (ja) | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Watanabe Shoko:Kk | 浮上搬送装置および浮上搬送システム |
US6071796A (en) * | 1998-10-30 | 2000-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of controlling oxygen incorporation during crystallization of silicon film by excimer laser anneal in air ambient |
JP4974416B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザアニール装置 |
JP4610178B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7232715B2 (en) | 2002-11-15 | 2007-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor film and semiconductor device and laser processing apparatus |
JP4268447B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2009-05-27 | Hoya株式会社 | 基板保持具、基板処理装置、基板検査装置及びこれらの使用方法 |
JP4767251B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2011-09-07 | コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド | 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法 |
JP4869612B2 (ja) | 2005-03-25 | 2012-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送システムおよび基板搬送方法 |
JP2007051001A (ja) | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Nippon Sekkei Kogyo:Kk | 薄板状材料の搬送方法及び装置 |
US20070117287A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus |
JP5037926B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-10-03 | 三菱電機株式会社 | レーザアニール装置 |
JP2009135430A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP5404064B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2014-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法 |
US8383202B2 (en) * | 2008-06-13 | 2013-02-26 | Kateeva, Inc. | Method and apparatus for load-locked printing |
WO2011129282A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置 |
DE102010049837A1 (de) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Gasschleuse sowie Beschichtungsvorrichtung mit einer Gasschleuse |
EP2481832A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition |
JP5408678B2 (ja) | 2011-11-07 | 2014-02-05 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置 |
KR102337428B1 (ko) | 2014-05-12 | 2021-12-09 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 |
JP6215281B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-10-18 | 株式会社日本製鋼所 | 被処理体搬送装置、半導体製造装置および被処理体搬送方法 |
-
2015
- 2015-02-27 JP JP2015039313A patent/JP6018659B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-27 SG SG11201706962PA patent/SG11201706962PA/en unknown
- 2016-01-27 CN CN202110189958.XA patent/CN113013073B/zh active Active
- 2016-01-27 WO PCT/JP2016/052376 patent/WO2016136366A1/ja active Application Filing
- 2016-01-27 KR KR1020177024992A patent/KR20170121200A/ko unknown
- 2016-01-27 US US15/553,989 patent/US10446426B2/en active Active
- 2016-01-27 CN CN201680011967.7A patent/CN107430998A/zh active Pending
- 2016-02-19 TW TW105104835A patent/TW201701329A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180033664A1 (en) | 2018-02-01 |
CN113013073B (zh) | 2023-07-25 |
KR20170121200A (ko) | 2017-11-01 |
TW201701329A (zh) | 2017-01-01 |
JP2016162856A (ja) | 2016-09-05 |
CN107430998A (zh) | 2017-12-01 |
CN113013073A (zh) | 2021-06-22 |
WO2016136366A1 (ja) | 2016-09-01 |
SG11201706962PA (en) | 2017-09-28 |
US10446426B2 (en) | 2019-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6018659B2 (ja) | 雰囲気形成装置および浮上搬送方法 | |
KR102337428B1 (ko) | 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 | |
US20140331607A1 (en) | Method and apparatus for filling and sealing | |
KR102061568B1 (ko) | 퍼지 장치, 퍼지 스토커, 및 클리닝 방법 | |
US20140251386A1 (en) | Processing apparatus and processing method | |
JP2019026512A (ja) | スクライブ装置 | |
US20210261358A1 (en) | Flotation conveyance apparatus and laser processing apparatus | |
JP6564481B2 (ja) | レーザ処理装置 | |
JP2019025793A (ja) | 粉塵吸引装置 | |
WO2013153979A1 (ja) | 移動ステージ | |
WO2018097087A1 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP4556618B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2017038073A (ja) | レーザ照射装置 | |
JP5083708B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2006327715A (ja) | ワーク搬送装置 | |
JP2020075381A (ja) | ブレイク装置 | |
JP2005171272A (ja) | レーザcvd装置 | |
JP2005174972A (ja) | レーザcvd装置 | |
JP2008289998A (ja) | ガラス基板洗浄機のエアナイフ | |
JP2010201453A (ja) | レーザ加工装置とその制御方法 | |
JP2005144526A (ja) | レーザ加工物の製造方法およびレーザ加工装置 | |
JP2008300778A (ja) | シリコンウェーハ搬送装置 | |
US20120248068A1 (en) | Process Module for the Inline-Treatment of Substrates | |
JP2019025792A (ja) | ブレイク装置 | |
JP2019025813A (ja) | 粉塵飛散防止装置並びにこの粉塵飛散防止装置を備えた基板加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160831 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6018659 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |